DE102004019973A1 - Opto-electronic component, especially a LED component or module, has a shrouding mass with a surface treated chemically or by a plasma to prevent the adhesion of dirt and other impurities - Google Patents

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Abstract

The opto-electronic component, to transmit and/or receive electromagnetic rays, is especially a semiconductor chip with at least a partial shrouding mass (3) of a material permeable to electromagnetic rays. After shrouding, the material surface is treated chemically or by a plasma to form surface groups of Si-O or Si-OH to prevent the adhesion of impurities. The surface can be treated with an organic or inorganic acid e.g. sulfuric acid, nitric acid or tartaric acid. The plastics housing body (1) has a recess (10) to take a LED chip (2) with electrical connections (4). The shrouding mass molding has molecules (5) of n-butyltrimethoxysilane and/or diphenyldimethoxysilane.

Description

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements, bei dem ein optoelektronisches Element, das geeignet ist, elektromagnetische Strahlung zu emittieren und/oder zu empfangen, insbesondere ein optoelektronischer Halbleiterchip, mit einem Silikon aufweisenden strahlungsdurchlässigen Umhüllungsmaterial zumindest teilweise umhüllt wird. Sie betrifft weiterhin ein optoelektronisches Bauelement.The The invention relates to a method for producing an optoelectronic Device in which an optoelectronic element that is suitable to emit and / or receive electromagnetic radiation in particular an optoelectronic semiconductor chip, with a silicone having radiation-transmissive wrapping material at least partially enveloped becomes. It further relates to an optoelectronic component.

Die Oberflächen von Leuchtdiodenbauelementen und Leuchtdioden-Modulen, welche einen Silikonverguss aufweisen, haben die negative Eigenschaft, Schmutzpartikel wie Fasern, Staub, Sandkörner, Metallspäne etc. so an sich zu binden, dass ein einfaches Entfernen dieser Verunreinigungen beispielsweise mittels Pressluft oder anderer das Bauelement möglichst nicht schädigender Verfahren wenn überhaupt, dann nur sehr schwierig möglich ist. Das kann insbesondere bei optoelektronischen Bauelementen zu einer erheblichen Beeinträchtigung von deren Funktion führen, etwa wenn eine große Menge an kontaminierenden Materialien an einer zur Strahlungsauskopplung vorgesehenen Oberfläche haftet. Es kann hierbei beispielsweise zu geringerer Lichtauskoppelung, zu unerwünschter Lichtstreuung und zu Kollimationsproblemen kommen.The surfaces of light emitting diode devices and light emitting diode modules, which is a silicone grout have the negative property, dirt particles such as fibers, Dust, grains of sand, metal shavings etc. so to tie that easy removal of these impurities For example, by means of compressed air or other the component as possible not damaging Procedure if any, then only very difficult possible is. This can in particular in optoelectronic devices to a significant impairment lead from their function, about when a big one Amount of contaminating materials at one for radiation decoupling provided surface liable. For example, it may result in less light extraction, too unwanted Light scattering and collimation problems come.

Eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung besteht darin, ein Verfahren zu entwickeln, mit dem die Adhäsion von verunreinigenden Partikeln oder Substanzen an Oberflächen silikonhaltiger Umhüllungsmaterialien zumindest verringert werden kann.A The object of the present invention is a method to develop, with which the adhesion from contaminating particles or substances to surfaces containing silicone wrapping materials at least can be reduced.

Weiterhin soll ein entsprechendes optoelektronisches Bauelement bereitgestellt werden.Farther to provide a corresponding optoelectronic device become.

Diese Aufgaben werden durch ein Verfahren mit den Merkmalen des Patentanspruches 1 und durch ein optoelektronisches Bauelement mit den Merkmalen des Patentanspruches 21 gelöst.These Tasks are achieved by a method having the features of the claim 1 and by an optoelectronic device having the features of claim 21 solved.

Vorteilhafte Ausführungsformen und bevorzugte Weiterbildungen des Verfahrens bzw. des Bauelements sind in den abhängigen Patentansprüchen 2 bis 20 bzw. 22 bis 34 angegeben.advantageous embodiments and preferred developments of the method or of the component are in the dependent Claims 2 to 20 or 22 to 34 specified.

Bei einem Verfahren gemäß der Erfindung wird eine Oberfläche des Umhüllungsmaterials nach dem Umhüllen des optoelektronischen Elements chemisch oder mittels eines Plasmaverfahrens derart behandelt, dass an der Oberfläche Si-O-Gruppen und/oder Si-OH-Gruppen erzeugt werden. Diese Si-O-Gruppen und/oder Si-OH-Gruppen verringern vorteilhafterweise bereits deutlich die Adhäsion von verunreinigenden Stoffen auf der Oberfläche des Umhüllungsmaterials.at a method according to the invention a surface of the wrapping material after wrapping of the optoelectronic element chemically or by means of a plasma process treated such that on the surface Si-O groups and / or Si-OH groups be generated. These Si-O groups and / or Si-OH groups advantageously reduce already clearly the adhesion contaminants on the surface of the wrapping material.

Zur Erzeugung der Si-O-Gruppen und/oder Si-OH-Gruppen an der Oberfläche des Umhüllungsmaterials wird diese

  • – mit mindestens einer anorganischen und/oder organischen Säure, beispielsweise mit einer Säure aus der Gruppe bestehend aus Schwefelsäure, Salpetersäure und Weinsäure, behandelt,
  • – geflammt, beispielsweise mittels Flammenpyrolyse silikatisiert, oder
  • – mit Ozon und/oder mit Ozon und UV behandelt.
To produce the Si-O groups and / or Si-OH groups on the surface of the wrapping material, this becomes
  • Treated with at least one inorganic and / or organic acid, for example with an acid selected from the group consisting of sulfuric acid, nitric acid and tartaric acid,
  • - Flamed, silicated, for example by means of flame pyrolysis, or
  • - treated with ozone and / or with ozone and UV.

Beim Silikatisieren der Oberfläche durch Flammenpyrolyse wird vorteilhafterweise mittels einer siliziumorganischen Verbindung eine Silikatschicht erzeugt. Als Pyrolysegas kann ein Silan-dotiertes Propan-Butan-Gemisch verwendet werden.At the Silicate the surface by flame pyrolysis is advantageously by means of an organosilicon Compound generates a silicate layer. As pyrolysis gas, a silane-doped Propane-butane mixture can be used.

Bei einer besonders bevorzugten Weiterbildung der Erfindung werden an die Si-O-Gruppen und/oder Si-OH-Gruppen Moleküle angekoppelt, die die Adhäsion von verunreinigenden Stoffen an der Oberfläche weiter verringern. Solche Moleküle weisen vorzugsweise hydrolysierbare Gruppen auf.at a particularly preferred embodiment of the invention will become coupled to the Si-O groups and / or Si-OH groups molecules that facilitate the adhesion of further reduce contaminants on the surface. Such molecules preferably have hydrolyzable groups.

Vorzugsweise verbinden sich die Moleküle über Sauerstoffbrücken mit der Oberfläche. Weiterhin bevorzugt stammen die Moleküle aus der Gruppe der siliziumorganischen Verbindungen. Vorzugsweise sind dies Siliziumalkoxid-Moleküle, die wiederum bevorzugt neben den Alkoxidgruppen kurzkettige organische Ketten oder Ringe aufweisen. Bewährt haben sich diesbezüglich n-Butyltrimethoxysilan-Moleküle und Diphenyldimethoxysilan-Moleküle.Preferably the molecules combine via oxygen bridges the surface. Further preferably, the molecules are from the group of organosilicon Links. Preferably, these are silicon alkoxide molecules that In turn, in addition to the alkoxide groups, short-chain organic compounds are preferred Have chains or rings. proven have in this regard n-butyltrimethoxysilane molecules and diphenyldimethoxysilane molecules.

Nach derzeitigem Kenntnisstand koppelt das Siliziumalkoxid über Hydrolyse und Kondensation an die oberflächenständigen Si-OH-Gruppen an. Die spezielle organische Funktion weist dann von der Oberfläche nach außen und bestimmt das Haftverhalten der dann vorhandenen Oberfläche. Die nach außen weisenden Gruppen können neben organischen auch anorganische Gruppen enthalten. So können beispielsweise auch Fluor enthaltende Siliziumalkoxide die beschriebene Veränderung des Haftverhaltens bewirken.To As currently known, the silicon alkoxide couples via hydrolysis and condensation on the surface-going Si-OH groups at. The special organic function then indicates the surface Outside and determines the adhesion of the then existing surface. The outward pointing groups can In addition to organic and inorganic groups. So, for example also fluorine-containing silicon alkoxides the described change of detention.

Alternativ oder zusätzlich kann auf die Oberfläche ein Lack aufgebracht werden, der hydrolysierbare Gruppen enthält. Geeignete Lacke sind hierbei beispielsweise mittels eines Sol-Gel-Verfahrens hergestellte Lacke.alternative or additionally can on the surface a varnish containing hydrolyzable groups can be applied. suitable Paints are in this case for example by means of a sol-gel process manufactured paints.

Zur Verwendung kommen können grundsätzlich auch andere Metallalkoxide mit hydrolysierbaren Gruppen und Alkoxide, welche eine oxidische Haut erzeugen und damit ebenfalls die Oberflächeneigenschaften der Silikon aufweisenden oder aus Silikon bestehenden Umhüllung in der gewünschten Weise verändern.In principle, other metal alkoxides with hydrolyzable groups and alkoxides, which produce an oxidic skin and thus also the surfaces, can be used properties of the silicone-containing or made of silicone casing change in the desired manner.

Bei einem bevorzugten Verfahren zum Herstellen von optoelektronischen Bauelementen wird das Bauelement nach dem Umhüllen des optoelektronischen Elements mit der Silikon enthaltenden Umhüllungsmasse und nach dem Erzeugen der Si-O-Gruppen und/oder Si-OH-Gruppen an der Oberfläche, zumindest mit der zu behandelnden Oberfläche in eine Lösung getaucht, in der die Moleküle, die die Adhäsion von verunreinigenden Stoffen an der Oberfläche der Umhüllung verringern, enthalten sind. Vorzugsweise werden die Bauelemente gegebenenfalls noch im Leadframe-Verbund, das heißt vor deren Herausstanzen aus dem Leadframe-Band, vollständig in die Lösung getaucht. Dieses verfahren ist ebenso wie das Vorbehandeln der Oberfläche zur Erzeugung der Si-O-Gruppen und/oder Si-OH-Gruppen tauglich für ein „reel to reel"-Fertigungsverfahren und lässt sich somit vorteilhafterweise in eine herkömmlichen Leuchtdioden-Fertigungsanlage integrieren.at a preferred method for producing optoelectronic Components is the device after wrapping the optoelectronic Elements with the silicone-containing encapsulant and after the production the Si-O groups and / or Si-OH groups on the surface, at least with the surface to be treated in one solution immersed, in which the molecules, the adhesion from contaminants on the surface of the cladding are. Preferably, the components are optionally still in Leadframe composite, that is before their punching out of the leadframe band, completely in the solution dipped. This process is as well as the pretreatment of the surface for production the Si-O groups and / or Si-OH groups suitable for a "reel to reel "manufacturing process and let yourself thus advantageously in a conventional light-emitting diode manufacturing plant integrate.

Die Bauelemente werden nach dem Herausnehmen aus der Lösung zum Entfernen des Lösungsmittels thermisch nachbehandelt, beispielsweise etwa eine Stunde auf ca. 100 bis 200°C erhitzt.The Components are after removal from the solution for Remove the solvent thermally treated, for example, about an hour to about 100 to 200 ° C heated.

Bei einem optoelektronischen Bauelement gemäß der Erfindung weist das Umhüllungsmaterial eine Oberfläche auf, die eine Adhäsion von verunreinigenden Stoffen auf dem Umhüllungsmaterial verringert.at an optoelectronic component according to the invention, the wrapping material has a surface on that an adhesion reduced by contaminants on the wrapping material.

Für ein optoelektronisches Bauelement gemäß der Erfindung gelten alle im Zusammenhang mit dem Verfahren genannten gegenständlichen Ausführungsformen und Vorteile in gleichem Maße wie für das Verfahren.For an optoelectronic Component according to the invention apply all objective in the context of the process mentioned embodiments and benefits to the same extent as for that Method.

Bei einer besonders bevorzugten Ausführungsform eines optoelektronischen Bauelements ist das optoelektronische Element ein Halbleiter-Leuchtdiodenchip, der in einer Ausnehmung eines Gehäusegrundkörpers angeordnet ist, und der Halbleiter-Leuchtdiodenchip in der Ausnehmung mit dem Umhüllungsmaterial vergossen oder umspritzt ist.at a particularly preferred embodiment an optoelectronic component is the optoelectronic element a semiconductor light-emitting diode chip, which is arranged in a recess of a housing base body is, and the semiconductor light-emitting diode chip in the recess with the wrapping material potted or overmolded.

Bei einer anderen bevorzugten Ausführungsform eines optoelektronischen Bauelements ist das optoelektronische Element ein Halbleiter-Leuchtdiodenchip, der auf einem Trägerplättchen angeordnet ist, und der Halbleiter-Leuchtdiodenchip auf dem Trägerplättchen mit dem Umhüllungsmaterial vergossen oder umspritzt ist.at another preferred embodiment an optoelectronic component is the optoelectronic element a semiconductor light-emitting diode chip, which is arranged on a carrier plate, and the semiconductor light emitting diode chip on the carrier plate with the wrapping material potted or overmolded.

Um bei Strahlung aussendenden und/oder Strahlung empfangenden Bauelementen die Strahlungsauskopplung und/oder -einkopplung nicht zu beeinträchtigen, haben die auf das Umhüllungsmaterial applizierten Moleküle zur Verringerung der Adhäsion von Schmutzpartikeln eine möglichst geringe, Idealerweise keine Eigenfärbung zu zeigen. Im Falle von blaues Licht oder UV-Strahlung emittierenden Elementen, wie Leuchtdiodenchips, oder blaues Licht oder W-Strahlung empfangenden Elementen, wie Photodiodenchips, sollten die auf das Umhüllungsmaterial applizierten Moleküle weitestgehend stabil gegenüber UV-Strahlung bzw. blauem Licht sein.Around radiation-emitting and / or radiation-receiving components not to impair the radiation extraction and / or coupling, have the on the wrapping material applied molecules to reduce adhesion of dirt particles one as possible low, ideally no self-coloring to show. In case of blue light or UV radiation emitting elements, such as LED chips, or blue light or W radiation-receiving elements, such as photodiode chips the on the wrapping material applied molecules largely stable compared UV radiation or be blue light.

Das Verfahren gemäß der Erfindung sowie deren Ausführungsformen und Weiterbildungen sind nicht auf die Verwendung bei optoelektronischen Bauelementen eingeschränkt, sondern können generell überall dort eingesetzt werden, wo eine Verunreinigung einer Oberfläche eines Silikon aufweisenden Materials vermieden werden soll.The Method according to the invention as well as their embodiments and further developments are not for use in optoelectronic devices limited, but you can generally everywhere be used where contamination of a surface of a Silicone-containing material should be avoided.

Weitere Merkmale, Vorteile und Zweckmäßigkeiten der Erfindung ergeben sich aus den im Folgenden in Verbindung mit den 1 bis 3 beschriebenen Ausführungsbeispielen. Es zeigen:Other features, advantages and advantages of the invention will become apparent from the following in connection with the 1 to 3 described embodiments. Show it:

1a bis 1c eine schematische Darstellung eines Ausführungsbeispielen des Verfahrens, 1a to 1c a schematic representation of an embodiment of the method,

2 eine schematische Schnittansicht eines ersten Ausführungsbeispieles eines optoelektronischen Bauelements, und 2 a schematic sectional view of a first embodiment of an optoelectronic device, and

3 eine schematische Schnittansicht eines zweiten Ausführungsbeispieles eines optoelektronischen Bauelements. 3 a schematic sectional view of a second embodiment of an optoelectronic device.

In den Ausführungsbeispielen und Figuren sind gleiche oder gleichwirkende Bestandteile jeweils mit den gleichen Bezugszeichen versehen. Die dargestellten Elemente der Figuren, insbesondere die Dicken von dargestellten Schichten, sind nicht als maßstabsgerecht anzusehen. Vielmehr können sie zum besseren Verständnis teilweise übertrieben groß dargestellt sein.In the embodiments and figures are the same or equivalent components each with provide the same reference numerals. The illustrated elements the figures, in particular the thicknesses of layers shown, are not to scale to watch. Rather, you can for a better understanding partially exaggerated shown big be.

Bei dem Ausführungsbeispiel des Verfahrens (1a bis 1c) wird zunächst ein Leadframe-Band 40 bereitgestellt, an dem sich bereits eine Mehrzahl von beispielsweise mittels Spritzpressen hergestellten Kunststoff-Gehäusegrundkörpern 1 mit jeweils einer Ausnehmung 10 (vgl. 2) befinden. In jede Ausnehmung 10 wird ein Leuchtdiodenchip 2 (vgl. 2) beispielsweise mittels eines Klebstoffes montiert und dort mit elektrischen Anschlüssen 4 (vgl. 2) des Leadframes elektrisch verbunden. Nachfolgend wird der Leuchtdiodenchip 2 mit einem Silikonharz als Umhüllungsmasse 3 (vgl. 2) vergossen.In the embodiment of the method ( 1a to 1c ) becomes a leadframe band first 40 provided on which already a plurality of, for example, produced by injection molding plastic housing basic bodies 1 each with a recess 10 (see. 2 ) are located. In every recess 10 becomes a LED chip 2 (see. 2 ), for example, by means of an adhesive and there with electrical connections 4 (see. 2 ) of the leadframe are electrically connected. Subsequently, the LED chip 2 with a sili Resin as a coating mass 3 (see. 2 ) shed.

Nach dem Vergießen des Leuchtdiodenchips 2 wird die freie Oberfläche des Umhüllungsmaterials 3 mittels Flammenpyrolyse silikatisiert (vgl. 1a). Dabei wird beispielsweise auf der Oberfläche durch Flammenpyrolyse mittels einer siliziumorganischen Verbindung eine Silikatschicht erzeugt. Als Pyrolysegas kann ein Silan-dotiertes Propan-Butan-Gemisch verwendet werden. Als Oberflächensilikatisierungsgerät kann beispielsweise das Vorbehandlungsgerät NanoFlame NF02 der Polytec GmbH, Waldbronn, Deutschland, das nach dem Prinzip der Flammenpyrolyse arbeitet eingesetzt werden.After casting the LED chip 2 becomes the free surface of the wrapping material 3 silicized by flame pyrolysis (see. 1a ). In this case, for example, a silicate layer is produced on the surface by flame pyrolysis by means of an organosilicon compound. As pyrolysis gas, a silane-doped propane-butane mixture can be used. As a surface silicatization device, for example, the pretreatment device NanoFlame NF02 Polytec GmbH, Waldbronn, Germany, which operates on the principle of flame pyrolysis can be used.

Allein durch diese Behandlung der Oberfläche wird vorteilhafterweise bereits die Adhäsion von verunreinigenden Stoffen wie Fasern, Staub, Sandkörner, Metallspäne etc. auf der Oberfläche des Umhüllungsmaterials deutlich verringert.Alone By this treatment of the surface becomes advantageously already the adhesion contaminants such as fibers, dust, grains of sand, metal chips etc. on the surface of the wrapping material significantly reduced.

Alternativ kann zur Erzeugung der Si-O-Gruppen und/oder Si-OH-Gruppen an der Oberfläche des Silikonharzes diese mit mindestens einer anorganischen und/oder organischen Säure, beispielsweise mit einer Säure aus der Gruppe bestehend aus Schwefelsäure, Salpetersäure und Weinsäure, behandelt werden. Eine weitere Alternative ist eine Behandlung mit Ozon und/oder mit Ozon und UV.alternative can be used to generate the Si-O groups and / or Si-OH groups on the surface of the Silicone resin with at least one inorganic and / or organic acid, for example with an acid from the group consisting of sulfuric acid, nitric acid and tartaric acid become. Another alternative is treatment with ozone and / or with ozone and UV.

Bei dem Verfahrens gemäß dem Ausführungsbeispiel werden nach der Oberflächenvorbehandlung mittels Flammenpyrolyse die Bauelemente einige Minuten in ein Tauchbad aus Ethanol, das n-Butyltrimethoxysilan enthält, getaucht (vgl. 1b). Alternativ kann Diphenyldimethoxysilan verwendet werden.In the method according to the exemplary embodiment, after the surface pretreatment by means of flame pyrolysis, the components are immersed for a few minutes in a dipping bath of ethanol containing n-butyltrimethoxysilane (cf. 1b ). Alternatively, diphenyldimethoxysilane can be used.

Dabei koppeln sich n-Butyltrimethoxysilan-Moleküle bzw. Diphenyldimethoxysilan-Moleküle an Si-O-Gruppen und/oder Si-OH-Gruppen, die während der Oberflächenvorbehandlung an der Oberfläche der Umhüllungsmasse 3 ausgebildet worden sind, an.In this case, n-butyltrimethoxysilane molecules or diphenyldimethoxysilane molecules couple to Si-O groups and / or Si-OH groups which are formed on the surface of the coating mass during surface pretreatment 3 have been trained on.

Alternativ oder zusätzlich kann auf die Oberfläche ein Lack aufgebracht werden, der hydrolysierbare Gruppen enthält. Geeignete Lacke sind hierbei beispielsweise mittels eines Sol-Gel-Verfahrens hergestellte Lacke.alternative or additionally can on the surface a varnish containing hydrolyzable groups can be applied. suitable Paints are in this case for example by means of a sol-gel process manufactured paints.

Die geflammten und getauchten Bauelemente werden nach dem Herausnehmen aus der Ethanol-Lösung zum Entfernen des Lösungsmittels thermisch nachbehandelt, beispielsweise etwa eine Stunde auf ca. 100 bis 200°C erhitzt (vgl. 1c).The flamed and dipped components are thermally post-treated after removal from the ethanol solution to remove the solvent, for example, heated to about 100 to 200 ° C for about one hour (see. 1c ).

Das gesamte Verfahren ist tauglich für ein „reel to reel"-Fertigungsverfahren und lässt sich somit vorteilhafterweise in eine herkömmlichen Leuchtdioden-Fertigungsanlage integrieren.The entire procedure is suitable for a "reel to reel "manufacturing process and lets thus advantageously in a conventional light-emitting diode manufacturing plant integrate.

Bei dem Ausführungsbeispiel für ein optoelektronisches Bauelement gemäß 2 handelt es sich um ein oberflächenmontierbares Leuchtdiodenbauelement, bei dem in eine Ausnehmung 10 eines reflektierenden Kunststoff-Gehäusegrundkörpers 1 ein Leuchtdiodenchip 2 montiert ist. Hierbei handelt es sich um ein so genanntes premold-Gehäuse, was heißt, dass vor der Montage des Leuchtdiodenchips 2 auf das Leadframe 40, an das Leadframe 40 der Kunststoff-Gehäusegrundkörper 1 beispielsweise mittels Spritzpressen angeformt wird. Der Leuchtdiodenchip 2 ist einerseits mittels eines Leitklebers und andererseits mittels eines Bonddrahtes 8 mit elektrischen Anschlüssen 4 des Leadframes 40 elektrisch verbunden.In the embodiment of an optoelectronic device according to 2 it is a surface mountable light emitting diode device, in which in a recess 10 a reflective plastic housing basic body 1 a light-emitting diode chip 2 is mounted. This is a so-called premold housing, which means that before the assembly of the LED chip 2 on the leadframe 40 , to the leadframe 40 the plastic housing basic body 1 For example, by means of injection molding is formed. The LED chip 2 on the one hand by means of a conductive adhesive and on the other hand by means of a bonding wire 8th with electrical connections 4 of the leadframe 40 electrically connected.

Derartige premold-Gehäuse sind dem Fachmann aus dem Stand der Technik hinlänglich bekannt und werden von daher an dieser Stelle nicht näher erläutert.such premold housing are well known to those skilled in the art and are of therefore not closer at this point explained.

In der Ausnehmung 10 befindet sich ein Silikonharz-Verguß 3, der den Leuchtdiodenchip 2 umhüllt.In the recess 10 is a silicone resin potting 3 that the LED chip 2 envelops.

In der Ausnehmung 10 ist ein Verankerungswall mit Verankerungsnasen ausgebildet, der das Risiko einer Delamination des Silikonharz-Vergusses vom Gehäusegrundkörper 1 verringert.In the recess 10 is an anchoring ramp with anchoring lugs formed, the risk of delamination of the silicone resin potting from the housing body 1 reduced.

Auf dem Silikonharz-Verguß 3 befinden sich n-Butyltrimethoxysilan-Moleküle und/oder Diphenyldimethoxysilan-Moleküle 5, die einerseits an oberflächenständige Si-O-Gruppen und/oder Si-OH-Gruppen angekoppelt sind und andererseits die Adhäsion von verunreinigenden Stoffen an der Verguss-Oberfläche verringern.On the silicone resin potting 3 are n-butyltrimethoxysilane molecules and / or diphenyldimethoxysilane molecules 5 on the one hand coupled to surface-active Si-O groups and / or Si-OH groups and on the other hand reduce the adhesion of contaminants to the potting surface.

Diese prinzipielle Bauform ist grundsätzlich ebenso für ein oberflächenmontierbares Photodiodenbauelement geeignet, bei dem in der Ausnehmung 10 ein Photodiodenchip montiert und mit Silikonharz umhüllt ist.This basic design is basically also suitable for a surface-mountable photodiode component, in which in the recess 10 a photodiode chip is mounted and coated with silicone resin.

Bei dem in 3 gezeigten Ausführungsbeispiel handelt es sich ebenfalls um ein Leuchtdiodenbauelement. Bei diesem ist ein Leuchtdiodenchip 2 auf einem Trägersubstrat 6 angeordnet und analog zum Ausführungsbeispiel gemäß 2 mit elektri schen Leiterbahnen 7 (hier Metallisierungen des Trägersubstrats) elektrisch verbunden.At the in 3 The exemplary embodiment shown is likewise a light-emitting diode component. This is a LED chip 2 on a carrier substrate 6 arranged and analogous to the embodiment according to 2 with electrical conductor tracks 7 (here metallizations of the carrier substrate) electrically connected.

Derartige so genannte CHIPLED-Gehäuse sind dem Fachmann aus dem Stand der Technik hinlänglich bekannt und werden von daher an dieser Stelle nicht näher erläutert.such so-called CHIPLED housings are the skilled person from the prior art well known and are of therefore not closer at this point explained.

Der Leuchtdiodenchip 2 ist von einem domartigen Silikonharz-Verguß 3, der mittels Vergießen oder mittels Spritzpressen oder Spritzgießen hergestellt ist, umhüllt. Auf dem Silikonharz-Verguß 3 befinden sich ebenso wie beim oben erläuterten Ausführungsbeispiel n-Butyltrimethoxysilan-Moleküle und/oder Diphenyldimethoxysilan-Moleküle 5, die einerseits an oberflächenständige Si-O-Gruppen und/oder Si-OH-Gruppen angekoppelt sind und andererseits die Adhäsion von verunreinigenden Stoffen an der Verguss-Oberfläche verringern.The LED chip 2 is of a dome-like silicone resin potting 3 , which is produced by casting or by injection molding or injection molding, enveloped. On the silicone resin potting 3 As in the above-described embodiment, n-butyltrimethoxysilane molecules and / or diphenyldimethoxysilane molecules are present 5 on the one hand coupled to surface-active Si-O groups and / or Si-OH groups and on the other hand reduce the adhesion of contaminants to the potting surface.

In das Silikonharz können Leuchtstoff-Pigmente eingemischt sein, die zumindest einen Teil der vom Leuchtdiodenchip 2 ausgesandten elektromagnetischen Strahlung absorbieren und elektromagnetische Strahlung einer der absorbierten Strahlung gegenüber veränderten Wellenlänge emittieren. Derartige Leuchtstoffe sind beispielsweise aus den Druckschriften WO 09812757 A1 und WO 00108452 A1 bekannt, deren Offenbarungsgehalt insofern hiermit durch Rückbezug aufgenommen wird.In the silicone resin phosphor pigments may be mixed, at least part of the light emitting diode chip 2 Absorb emitted electromagnetic radiation and emit electromagnetic radiation of one of the absorbed radiation to changed wavelength. Such phosphors are known, for example, from the publications WO 09812757 A1 and WO 00108452 A1, the disclosure content of which is hereby incorporated by reference.

Der Schutzumfang der Erfindung ist selbstverständlich nicht durch die Beschreibung der Erfindung anhand der Ausführungsbeispiele auf diese Ausführungsbeispiele beschränkt.Of the The scope of the invention is of course not limited by the description the invention with reference to the embodiments to these embodiments limited.

Die Erfindung umfasst jedes neue Merkmal sowie jede Kombination von Merkmalen, was insbesondere jede Kombination von Merkmalen in den Patentansprüchen beinhaltet, auch wenn die ses Merkmal oder diese Kombination selbst nicht explizit in den Patentansprüchen oder Ausführungsbeispielen angegeben ist.The Invention includes any novel feature as well as any combination of Characteristics, in particular any combination of features in the claims includes, even if this feature or this combination itself not explicitly stated in the patent claims or exemplary embodiments is.

Claims (34)

Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements, bei dem ein optoelektronisches Element, das geeignet ist, elektromagnetische Strahlung zu emittieren und/oder zu empfangen, insbesondere ein optoelektronischer Halbleiterchip, mit einem Silikon aufweisenden strahlungsdurchlässigen Umhüllungsmaterial zumindest teilweise umhüllt wird, dadurch gekennzeichnet, dass eine Oberfläche des Umhüllungsmaterials nach dem Umhüllen des optoelektronischen Elements chemisch oder mittels eines Plasmaverfahrens derart behandelt wird, dass an der Oberfläche Si-O-Gruppen und/oder Si-OH-Gruppen erzeugt werden, so dass nachfolgend die Adhäsion von verunreinigenden Stoffen auf der Oberfläche verringert ist.A method for producing an optoelectronic component, in which an optoelectronic element which is suitable for emitting and / or receiving electromagnetic radiation, in particular an optoelectronic semiconductor chip, is at least partially encased with a radiation-permeable cladding material comprising silicon, characterized in that a surface of the Envelope material is treated after wrapping the optoelectronic element chemically or by a plasma process such that on the surface Si-O groups and / or Si-OH groups are generated, so that subsequently the adhesion of contaminants on the surface is reduced. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die Oberfläche mit mindestens einer anorganischen oder organischen Säure behandelt wird.Method according to claim 1, characterized in that that the surface is treated with at least one inorganic or organic acid. Verfahren nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, dass die Oberfläche mit mindestens einer Säure aus der Gruppe bestehend aus Schwefelsäure, Salpetersäure und Weinsäure behandelt wird.Method according to claim 2, characterized in that that the surface with at least one acid from the group consisting of sulfuric acid, nitric acid and tartaric acid is treated. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass an der Oberfläche mittels Flammen Si-O-Gruppen und/oder Si-OH-Gruppen erzeugt werden.Method according to claim 1, characterized in that that on the surface by means of flames Si-O groups and / or Si-OH groups are generated. Verfahren nach Anspruch 1 oder 4, dadurch gekennzeichnet, dass die Oberfläche mittels Flammenpyrolyse silikatisiert wird.Method according to claim 1 or 4, characterized that the surface is silicized by flame pyrolysis. Verfahren nach Anspruch 1, 4 oder 5, dadurch gekennzeichnet, dass auf der Oberfläche durch Flammenpyrolyse einer siliziumorganischen Verbindung eine Silikatschicht erzeugt wird.Method according to claim 1, 4 or 5, characterized that on the surface by flame pyrolysis of an organosilicon compound one Silicate layer is generated. Verfahren nach Anspruch 5 oder 6, dadurch gekennzeichnet, dass als Pyrolysegas ein Silan-dotiertes Propan-Butan-Gemisch verwendet wird.Method according to claim 5 or 6, characterized in that a silane-doped propane-butane mixture is used as the pyrolysis gas becomes. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die Oberfläche mit Ozon und/oder mit Ozon und UV behandelt wird.Method according to claim 1, characterized in that that the surface treated with ozone and / or with ozone and UV. Verfahren nach mindestens einem der Ansprüche 1 bis 8, dadurch gekennzeichnet, dass an die Si-O-Gruppen und/oder Si-OH-Gruppen Moleküle angekoppelt werden, die die Adhäsion von verunreinigenden Stoffen an der Oberfläche weiter verringern.Method according to at least one of claims 1 to 8, characterized in that the Si-O groups and / or Si-OH groups Molecules coupled Be the adhesion from contaminants on the surface. Verfahren nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, dass die Moleküle hydrolysierbare Gruppen aufweisen.Method according to claim 9, characterized in that that the molecules having hydrolyzable groups. Verfahren nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, dass sich die Moleküle über Sauerstoffbrücken mit der Oberflä che verbinden.Method according to claim 9, characterized in that that the molecules interact with each other via oxygen bridges the surface connect. Verfahren nach Anspruch 11, dadurch gekennzeichnet, dass die Moleküle aus der Gruppe der siliziumorganischen Verbindungen stammen.Method according to claim 11, characterized in that that the molecules come from the group of organosilicon compounds. Verfahren nach Anspruch 11, dadurch gekennzeichnet, dass die Moleküle zumindest Siliziumalkoxid-Moleküle umfassen.Method according to claim 11, characterized in that that the molecules at least silicon alkoxide molecules include. Verfahren nach Anspruch 13, dadurch gekennzeichnet, dass die Siliziumalkoxid-Moleküle neben den Alkoxidgruppen kurzkettige organische Ketten oder Ringe aufweisen.Method according to claim 13, characterized in that that the silicon alkoxide molecules in addition to the alkoxide short-chain organic chains or rings exhibit. Verfahren nach Anspruch 14, dadurch gekennzeichnet, dass die Siliziumalkoxid-Moleküle n-Butyltrimethoxysilan-Moleküle enthalten.Method according to claim 14, characterized in that the silicon alkoxide molecules contain n-butyltrimethoxysilane molecules. Verfahren nach Anspruch 14 oder 15, dadurch gekennzeichnet, dass die Siliziumalkoxid-Moleküle Diphenyldimethoxysilan-Moleküle enthalten.A method according to claim 14 or 15, characterized in that the silicon alkoxide Mo molecules contain diphenyldimethoxysilane molecules. Verfahren nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, dass auf die Oberfläche ein Lack aufgebracht wird, der hydrolysierbare Gruppen enthält.Method according to claim 9, characterized in that that on the surface a lacquer is applied which contains hydrolyzable groups. Verfahren nach Anspruch 17, dadurch gekennzeichnet, dass ein mittels eines Sol-Gel-Verfahrens hergestellter Lack aufgebracht wird.Method according to claim 17, characterized in that that applied by a sol-gel process prepared paint becomes. Verfahren nach mindestens einem der Ansprüche 9 bis 18, dadurch gekennzeichnet, dass nach dem Umhüllen des optoelektronischen Elements mit dem Silikon aufweisenden Umhüllungsmaterial und dem Erzeugen der Si-O-Gruppen und/oder Si-OH-Gruppen an der Oberfläche, zumindest diese Oberfläche in eine Lösung getaucht wird, in der die Moleküle, die die Adhäsion von verunreinigenden Stoffen an der Oberfläche der Umhüllung verringern, enthalten sind.Method according to at least one of claims 9 to 18, characterized in that after the wrapping of the optoelectronic Elements with the silicone-containing wrapping material and generating the Si-O groups and / or Si-OH groups on the surface, at least this surface in a solution is dipped, in which the molecules, the adhesion from contaminants on the surface of the cladding are. Verfahren nach Anspruch 19, dadurch gekennzeichnet, dass das Bauelement nach dem Herausnehmen aus der Lösung zum Entfernen des Lösungsmittels thermisch nachbehandelt wird.Method according to claim 19, characterized that the component after removal from the solution for Remove the solvent is thermally treated. Optoelektronisches Bauelement, bei dem ein optoelektronisches Element, das geeignet ist, elektromagnetische Strahlung zu emittieren und/oder zu empfangen, insbesondere ein optoelektronischer Halbleiterchip, mit einem Silikon aufweisenden strahlungsdurchlässigen Umhüllungsmaterial zumindest teilweise umhüllt ist, dadurch gekennzeichnet, dass das Umhüllungsmaterial eine Oberfläche aufweist, die eine Adhäsion von verunreinigenden Stoffen auf dem Umhüllungsmaterial verringert.Optoelectronic component, in which an optoelectronic Element capable of emitting electromagnetic radiation and / or to receive, in particular an optoelectronic semiconductor chip, with a silicone having radiation-permeable sheath material at least partially wrapped characterized in that the wrapping material has a surface which an adhesion reduced by contaminants on the wrapping material. Optoelektronisches Bauelement nach Anspruch 21, dadurch gekennzeichnet, dass sich an der Oberfläche Si-O-Gruppen und/oder Si-OH-Gruppen befinden, die eine Adhäsion von verunreinigenden Stoffen verringern.Optoelectronic component according to Claim 21, characterized in that there are Si-O groups and / or Si-OH groups on the surface, the one adhesion from contaminants. Optoelektronisches Bauelement nach Anspruch 22, dadurch gekennzeichnet, dass an die Si-O-Gruppen und/oder Si-OH-Gruppen Moleküle angekoppelt sind, die die Adhäsion von verunreinigenden Stoffen an der Oberfläche weiter verringern.Optoelectronic component according to claim 22, characterized in that the Si-O groups and / or Si-OH groups Molecules coupled are the adhesion from contaminants on the surface. Optoelektronisches Bauelement nach Anspruch 23, dadurch gekennzeichnet, dass die Moleküle hydrolysierbare Gruppen aufweisen.Optoelectronic component according to claim 23, characterized in that the molecules are hydrolyzable groups exhibit. Optoelektronisches Bauelement nach Anspruch 23, dadurch gekennzeichnet, dass die Moleküle über Sauerstoffbrücken mit der Oberfläche verbunden sind.Optoelectronic component according to claim 23, characterized in that the molecules via oxygen bridges with the surface are connected. Optoelektronisches Bauelement nach Anspruch 23, dadurch gekennzeichnet, dass die Moleküle aus der Gruppe der siliziumorganischen Verbindungen stammen.Optoelectronic component according to claim 23, characterized in that the molecules from the group of organosilicon Connections come. Optoelektronisches Bauelement nach Anspruch 23, dadurch gekennzeichnet, dass die Moleküle zumindest Siliziumalkoxid-Moleküle umfassen.Optoelectronic component according to claim 23, characterized in that the molecules comprise at least silicon alkoxide molecules. Optoelektronisches Bauelement nach Anspruch 27, dadurch gekennzeichnet, dass die Siliziumalkoxid-Moleküle neben den Alkoxidgruppen kurzkettige organische Ketten oder Ringe aufweisen.Optoelectronic component according to claim 27, characterized in that the silicon alkoxide molecules in addition the alkoxide groups have short-chain organic chains or rings. Optoelektronisches Bauelement nach Anspruch 28, dadurch gekennzeichnet, dass die Siliziumalkoxid-Moleküle n-Butyltrimethoxysilan-Moleküle enthalten.Optoelectronic component according to claim 28, characterized in that the silicon alkoxide molecules contain n-butyltrimethoxysilane molecules. Optoelektronisches Bauelement nach Anspruch 28 oder 29, dadurch gekennzeichnet, dass die Siliziumalkoxid-Moleküle Diphenyldimethoxysilan-Moleküle enthalten.Optoelectronic component according to claim 28 or 29, characterized in that the silicon alkoxide molecules contain diphenyldimethoxysilane molecules. Optoelektronisches Bauelement nach Anspruch 23, dadurch gekennzeichnet, dass auf die Oberfläche ein Lack aufgebracht wird, der hydrolysierbare Gruppen enthält.Optoelectronic component according to claim 23, characterized in that a paint is applied to the surface, containing hydrolyzable groups. Optoelektronisches Bauelement nach Anspruch 31, dadurch gekennzeichnet, dass der Lack mittels eines Sol-Gel-Verfahrens hergestellt ist.Optoelectronic component according to claim 31, characterized in that the paint by means of a sol-gel process is made. Optoelektronisches Bauelement nach mindesten einem der Ansprüche 21 bis 32, dadurch gekennzeichnet, dass das optoelektronische Element ein Halbleiter-Leuchtdiodenchip ist, der in einer Ausnehmung eines Gehäusegrundkörpers angeordnet ist, und der Halbleiter-Leuchtdiodenchip in der Ausnehmung mit dem Umhüllungsmaterial vergossen oder umspritzt ist.Optoelectronic component after at least one the claims 21 to 32, characterized in that the optoelectronic element a Semiconductor light emitting diode die is, which is arranged in a recess of a housing base, and the Semiconductor light emitting diode die in the recess with the wrapping material potted or overmolded. Optoelektronisches Bauelement nach mindesten einem der Ansprüche 21 bis 32, dadurch gekennzeichnet, dass das optoelektronische Element ein Halbleiter-Leuchtdiodenchip ist, der auf einem Trägerplättchen ange ordnet ist, und der Halbleiter-Leuchtdiodenchip auf dem Trägerplättchen mit dem Umhüllungsmaterial vergossen oder umspritzt ist.Optoelectronic component after at least one the claims 21 to 32, characterized in that the optoelectronic element a Semiconductor light emitting diode die is, which is arranged on a carrier plate is, and the semiconductor light-emitting diode chip on the carrier plate with the wrapping material potted or overmolded.
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102006010729A1 (en) * 2005-12-09 2007-06-14 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optical component, e.g. for miniature opto-electronic semi-conductor chips, comprises a composite unit of lens and mounting part in different materials
DE102007052133A1 (en) * 2007-09-04 2009-03-05 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optical component, method for producing the component and optoelectronic component with the component
US9537064B2 (en) 2013-05-08 2017-01-03 Osram Opto Semiconductors Gmbh Method for the production of a wavelength conversion element, wavelength conversion element, and component comprising the wavelength conversion element

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102018108476A1 (en) * 2018-04-10 2019-10-10 Schunk Kohlenstofftechnik Gmbh Carbon brush, electric motor with carbon brush, method for coating a carbon brush and using a coated carbon brush

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4311828A (en) * 1979-07-16 1982-01-19 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Method for modifying surface properties of shaped articles of polymeric materials with low temperature plasma
EP0407585A1 (en) * 1988-07-15 1991-01-16 Dow Corning Toray Silicone Co., Ltd. Semiconductor device sealed with resin and a method of producing the same
EP0575798A1 (en) * 1992-06-19 1993-12-29 Fuji Polymertech Co., Ltd Process for producing finger-touch key for manipulation switch
US6270860B1 (en) * 1994-04-26 2001-08-07 Shin-Etsu Polymer Co., Ltd. Method of making push button switch covering with protective coating

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4311828A (en) * 1979-07-16 1982-01-19 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Method for modifying surface properties of shaped articles of polymeric materials with low temperature plasma
EP0407585A1 (en) * 1988-07-15 1991-01-16 Dow Corning Toray Silicone Co., Ltd. Semiconductor device sealed with resin and a method of producing the same
EP0575798A1 (en) * 1992-06-19 1993-12-29 Fuji Polymertech Co., Ltd Process for producing finger-touch key for manipulation switch
US6270860B1 (en) * 1994-04-26 2001-08-07 Shin-Etsu Polymer Co., Ltd. Method of making push button switch covering with protective coating

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102006010729A1 (en) * 2005-12-09 2007-06-14 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optical component, e.g. for miniature opto-electronic semi-conductor chips, comprises a composite unit of lens and mounting part in different materials
US7974018B2 (en) 2005-12-09 2011-07-05 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optical element, production method therefor, and composite component provided with an optical element
DE102007052133A1 (en) * 2007-09-04 2009-03-05 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optical component, method for producing the component and optoelectronic component with the component
WO2009030193A1 (en) * 2007-09-04 2009-03-12 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optical component, method for producing said component, and optoelectronic assembly unit comprising said component
CN101796435A (en) * 2007-09-04 2010-08-04 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司 Optical component, method for producing said component, and optoelectronic assembly unit comprising said component
US8194326B2 (en) 2007-09-04 2012-06-05 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optical device, method of producing the device and optoelectronic component comprising the device
CN101796435B (en) * 2007-09-04 2015-08-19 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司 Optical element, for the manufacture of this element method and there is the optoelectronic components of this element
US9537064B2 (en) 2013-05-08 2017-01-03 Osram Opto Semiconductors Gmbh Method for the production of a wavelength conversion element, wavelength conversion element, and component comprising the wavelength conversion element

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