DE102004031670B4

DE102004031670B4 - Organo-Elektrolumineszenzvorrichtung und Herstellungsverfahren derselben

Info

Publication number: DE102004031670B4
Application number: DE102004031670A
Authority: DE
Inventors: Jae Yong Gyeonggi Park; Choong Keun Yoo; Ock Hee Gyeonggi Kim
Original assignee: LG Display Co Ltd
Current assignee: LG Display Co Ltd
Priority date: 2003-12-30
Filing date: 2004-06-30
Publication date: 2011-08-18
Anticipated expiration: 2024-07-01
Also published as: JP2005197238A; GB2409759B; US7196465B2; FR2864707A1; FR2864707B1; GB0418350D0; GB2409759A; DE102004031670A1; CN100452420C; US20050140290A1; TWI253877B; JP4309333B2; TW200522780A; CN1638556A

Abstract

Organo-Elektrolumineszenzvorrichtung, aufweisend: ein erstes Substrat (110) mit einem ersten Bereich (IVa) und einem zweiten Bereich (IVb), der den ersten Bereich (IVa) einschließt; eine Mehrzahl von Schaltelementen (T), die in dem ersten Bereich (IVa) gebildet sind; eine Mehrzahl von Lötpad-Teilen, die in dem zweiten Bereich (IVb) gebildet sind; ein zweites Substrat (130), das mit einem vorgegebenen Raum dazwischen an das erste Substrat (110) angebracht ist, wobei das zweite Substrat (130) mit dem ersten Bereich (IVa) überlappt und den zweiten Bereich (IVb) des ersten Substrats (110) freilegt; eine erste Elektrode (132), eine Organo-Elektrolumineszenzschicht (134) und eine zweite Elektrode (136), die auf einer Oberfläche des zweiten Substrats (130) gebildet sind, die dem ersten Substrat (110) gegenüberliegt; eine erste elektrische Verbindungsstruktur (120), die das Schaltelement (T) mit der zweiten Elektrode (136) verbindet; eine zweite elektrische Verbindungsstruktur (232), die eines der Lötpad-Teile mit der ersten Elektrode (132) verbindet;...

Description

Die Erfindung betrifft eine Organo-Elektrolumineszenzvorrichtung und ein Herstellungsverfahren derselben und insbesondere eine Doppel-Paneel-Organo-Elektrolumineszenzvorrichtung und ein Herstellungsverfahren derselben, die eine Arrayvorrichtung mit einem Dünnschichttransistor und einem Organo-Elektrolumineszenzelement aufweist, die auf unterschiedlichen Substraten gebildet sind.
Im Allgemeinen emittiert eine Organo-Elektrolumineszenzvorrichtung (ELD), die eine Art einer Flachpaneelanzeige ist, Licht durch Injizieren von Elektronen aus einer Kathode und von Löchern aus einer Anode in eine Emissionsschicht, Kombinieren der Elektronen mit den Löchern, Erzeugen eines Exzitons und Überleiten des Exzitons von einem Anregungszustand in einen Grundzustand. Im Gegensatz zu einer Flüssigkristallanzeige (LCD)-Vorrichtung, ist für die Organo-ELD keine zusätzliche Lichtquelle zum Emittieren von Licht notwendig. Folglich weist die Organo-ELD ein geringes Gewicht, ein dünnes Profil, eine kompakte Größe, einen breiten Sichtwinkel und einen hohen Bildkontrast auf. Zusätzlich kann die Organo-ELD unter Verwendung einer kleinen Gleichspannung arbeiten, weshalb sie einen geringen Leistungsverbrauch und eine schnelle Ansprechzeit aufweist. Ferner ist die Organo-ELD eine integrierte Vorrichtung und sie weist eine hohe Haltbarkeit gegenüber externen Stößen und einen breiten Anwendungsbereich auf. Ferner weist, da das Herstellen einer Organo-ELD ein relativ einfacher Prozess ist, eine Organo-ELD auch geringe Produktionskosten auf.
1 ist eine schematische Ansicht eines Einheitspixel-Bereichs einer Organo-Elektrolumineszenzvorrichtung gemäß dem Stand der Technik. In 1 ist eine Abtastleitung entlang einer ersten Richtung gebildet. Eine Signalleitung und eine Stromversorgungsleitung sind entlang einer zweiten Richtung gebildet, die senkrecht zu der ersten Richtung ist und die Abtastleitung kreuzt, wodurch ein Pixelbereich definiert ist. Ein Schalt-Dünnschichttransistor (TFT) T_S, der als ein Adressierelement dient, ist an einem Kreuzungspunkt der Abtastleitung und der Signalleitung gebildet und mit einer Speicherkapazität C_ST Der Schalt-TFT T_S steuert die Spannung und die Speicherkapazität C_SR speichert eine Stromquelle.
Zusätzlich ist ein Treiber-TFT T_D, der als ein Stromquellenelement dient, zwischen den Schalt-TFT T_S und die Speicherkapazität C_ST Ein Anschluss des Treiber-TFTs T_D ist mit der Stromversorgungsleitung verbunden und ein anderer Anschluss ist mit einer Anodenelektrode (+) verbunden. Die Anodenelektrode ist mit einer Kathodenelektrode (–) durch eine Elektrolumineszenz-Diode ”E”, die mit einem statischen Stromantriebsverfahren arbeitet, verbunden. Die Anodenelektrode und die Kathodenelektrode, die mittels der Elektrolumineszenz-Diode ”E” verbunden sind, bilden eine Organo-Elektrolumineszenzvorrichtung.
Wenn ein Signal an eine entsprechende Elektrode gemäß einem Auswahlsignal angelegt wird, wird das Gate des Schalt-TFTs T_S eingeschaltet. Dementsprechend läuft ein Datensignal durch das Gate des Schalt-TFTs T_S hindurch und wird an den Treiber-TFT T_D und an die Speicherkapazität C_ST Wenn das Gate des Treiber-TFTs T_D eingeschaltet wird, wird ein Strom von der Stromleitung durch das Gate des Treiber-TFTs T_D an die Organo-Elektrolumineszenz-Diode ”E” angelegt, so dass Licht emittiert wird. Zusätzlich kann, da ein Öffnungsgrad des Treiber-TFTs T_D basierend auf dem Datensignal variiert wird, eine gewünschte Grauskala mittels Steuerns der Strommenge, die durch den Treiber-TFT T_D hindurch fließt, angezeigt werden. Ferner werden während einer nicht-ausgewählten Zeitspanne Daten, die in die Speicherkapazität C_ST sind, kontinuierlich an den Treiber-TFT T_D angelegt, so dass es der Organo-Elektrolumineszenzvorrichtung ermöglicht ist, Licht zu emittieren bis ein nächstes Bildsignal angelegt ist.
Die 2A bis 2C sind Ansichten, die eine Organo-Elektrolumineszenzvorrichtung gemäß dem Stand der Technik darstellen. Insbesondere ist 2A eine Vorderansicht eines Paneels, 2B ist eine Querschnittansicht des Paneels und 2C ist eine Querschnittansicht, die entlang IIc-IIc von 2A genommen ist.
Wie in 2A gezeigt ist, weist ein Paneel ein Substrat 10 mit einem ersten Bereich IIa und einem zweiten Bereich IIb, der den ersten Bereich IIa einschließt, auf. Der erste Bereich IIa weist einen ersten Unterbereich IIaa, der einem Bildanzeigebereich entspricht, und einen zweiten Unterbereich IIab, der einem Bereich zwischen dem Bildanzeigebereich und einer Dichtungsstruktur entspricht, auf. Obwohl nicht gezeigt, sind eine Mehrzahl von Gate-Leitungen, Datenleitungen, Stromleitungen und ähnliche, die eine Mehrzahl von Pixelbereichen definieren, innerhalb des ersten Bereichs IIa gebildet und eine Elektrolumineszenzvorrichtung ist in jedem der Pixelbereiche eingeschlossen.
Zusätzlich sind erste, zweite, dritte und vierte Arraykissen 20, 22, 24 bzw. 26 entlang von vier Seiten des Substrats 10 gebildet. Das erste Arraykissen 20 ist eine Gruppe von Gate-Kissen zum Anlegen eines Gate-Signals an die Gate-Leitungen, das zweite Arraykissen 22 ist eine Gruppe von Daten-Kissen zum Anlegen eines Datensignals an die Datenleitungen, das dritte Arraykissen 24 ist eine Gruppe von Strom-Kissen zum Anlegen eines Vdd-Signals an die Stromversorgungsleitungen und das vierte Arraykissen 26 ist ein Erdungs-Kissen, an dem ein Erdungsstrom angelegt wird. Das vierte Arraykissen 26 ist ferner eine kreisförmige Struktur und weist wegen einer elektrischen Charakteristik eines Gleichstroms, der an ein gemeinsames Elektroden-Arraykissen angelegt ist, einen größeren Bereich als die ersten, zweiten und dritten Arraykissen 20, 22 bzw. 24, auf.
Der erste Bereich IIa des ersten Substrats 10 ist mittels eines Einkapselungs-Substrats 30 abgedichtet und von außen abgeschirmt. Das Einkapselungs-Substrat 30 ist aus einem dünnen Passivierungsfilm, einem Glassubstrat oder einem Plastiksubstrat gebildet.
Die Querschnittansicht von 2B wird in der Mitte auf der Einkapselungs-Struktur und unter Auslassen der Kissen gezeigt. Wie in 2B gezeigt ist, ist eine Dichtungsstruktur 32 zum Abdichten des ersten Bereichs IIa des ersten Substrats 10 mit dem Einkapselungs-Substrat 30 auf einem peripheren Bereich gebildet, der den ersten Bereich IIa des ersten Substrats 10 einschließt. Der erste Bereich IIa weist eine Mehrzahl von Pixelbereichen ”P” und TFTs ”T”, die in den Pixelbereichen ”P” gebildet sind, auf. Der erste Bereich IIa weist auch eine erste Elektrode 12 auf, die mit den TFTs ”T” verbunden ist. Die erste Elektrode 12 weist ein transparentes Elektrodenmaterial auf. Eine Organo-Elektrolumineszenzschicht 14 zum Emittieren von rotem (R), grünem (G) und blauem (B) Licht ist auf der ersten Elektrode 12 gebildet. Eine zweite Elektrode 16 ist auf einer ganzen Oberfläche der Organo-Elektrolumineszenzschicht 14 gebildet und arbeitet als eine gemeinsame Elektrode. Die ersten und zweiten Elektroden 12 bzw. 16 und die Organo-Elektrolumineszenzschicht 14, die zwischen die ersten und zweiten Elektroden 12 bzw. 16 zwischengeschaltet ist, bilden ein Organo-Elektrolumineszenz-Diodenelement ”E”, so dass die Organo-Elektrolumineszenzschicht 14 Licht in Richtung der ersten Elektrode 12 emittiert.
In 2C empfängt die zweite Elektrode 16 den durch eines der Arraykissen 20, 22, 24 bzw. 26 hindurch angelegten Strom (gezeigt in 2A). Zum Beispiel ist die zweite Elektrode 16 mit dem vierten Arraykissen 26 in dem zweiten Unterbereich IIab elektrisch verbunden. Mit andern Worten, ein Ende der zweiten Elektrode 16 erstreckt sich von dem ersten Unterbereich IIaa in den zweiten Unterbereich IIab und ein Ende des vierten Arraykissens 26 erstreckt sich von dem zweiten Bereich IIb in den zweiten Unterbereich IIab.
Folglich wird die Organo-Elektrolumineszenzvorrichtung gemäß dem Stand der Technik durch Bilden der Arrayvorrichtung und des Organo-Elektrolumineszenz-Diodenelements auf einem Substrat und Anbringen des Substrats an dem Einkapselungs-Substrat hergestellt und die Fabrikationsausbeute der Arrayvorrichtung und des Organo-Elektrolumineszenz-Diodenelements bestimmen eine Gesamtausbeute der Organo-Elektrolumineszenzvorrichtung. Daher wäre, auch wenn die Arrayvorrichtung ohne Defekte gebildet wird, aber das Organo-Elektrolumineszenz-Diodenelement mit einem Defekt gebildet wird, z. B. Fremdteilchen in der Organo-Elektrolumineszenzschicht, das Organo-Elektrolumineszenz-Vorrichtungspaneel schadhaft, so dass sich die Fabrikationsausbeute reduziert und Fabrikationskosten ansteigen.
Zusätzlich wird die oben beschriebene Organo-Elektrolumineszenzvorrichtung als eine Art mit unterer Lumineszenz klassifiziert, weil ihre Lumineszenz von der Durchsichtigkeit der Elektrode abhängt. Obwohl die Vorrichtung der Art mit unterer Lumineszenz eine große Stabilität und eine Prozessfreiheit wegen der Einkapselung aufweist, weist sie ein kleines Öffnungsverhältnis auf, so dass ihre Anwendung in hochauflösenden Produkten beschränkt ist.
Die Vorrichtung der Art mit oberer Lumineszenz weist ein einfaches Design, ein verbessertes Öffnungsverhältnis und eine längere Lebensdauer auf. Bei der Art der oberen Lumineszenz des Standes der Technik sind jedoch, da eine Kathode im Allgemeinen auf einer Organo-Elektrolumineszenzschicht angeordnet ist, spezielle Materialien erforderlich und das Lichtdurchlassvermögen ist beschränkt, so dass die Lichteffizienz verringert herabgesetzt ist. Auch wenn ein dünner Passivierungsfilm gebildet wird, um das Absinken des Lichtdurchlassvermögens zu minimieren, schlägt die Art der oberen Lumineszenz des Stands der Technik fehl, die Luft von außen ausreichend zu blockieren.
Aus den Dokumenten DE 103 07 504 A1 , US 2003/0201445 A1 , US 2003/0201712 A1 , EP 0 883 191 A2 , JP 2001-117509 A und JP 2001-35381 A1 und der nachveröffentlichten DE 103 61 008 A1 sind weitere Organo-Elektrolumineszenzvorrichtungen bekannt, die ein erstes Substrat und ein zweites Substrat aufweisen, wobei auf dem ersten Substrat Schaltelemente gebildet sind, und auf dem zweiten Substrat eine Organo-Elektrolumineszenzschicht gebildet ist, wobei eine Verbindungsstruktur Schaltelemente mit einer Elektrode auf der Organo-Elektrolumineszenzschicht verbindet.
Dementsprechend bezieht sich die Erfindung auf eine Vorrichtung und ein Herstellungsverfahren derselben, die eines oder mehrere der Probleme aufgrund von Beschränkungen und Nachteilen des Stands der Technik vermeidet.
Aufgabe der Erfindung ist es, eine Organo-Elektrolumineszenzvorrichtung und ein Herstellungsverfahren derselben bereitzustellen, die eine Arrayvorrichtung mit einem Dünnschichttransistor und ein Organo-Elektrolumineszenz-Diodenelement aufweist, die auf verschiedenen Substraten gebildet sind.
Eine andere Aufgabe der Erfindung ist es, eine Struktur und ein Herstellungsverfahren desselben, die eine elektrische Verbindung zwischen einer Elektrode einer OrganoElektrolumineszenzvorrichtung und einem Kissen, das auf einem Arraysubstrat gebildet ist, schafft, bereitzustellen.
Um diese und andere Vorteile gemäß dem Zweck der Erfindung, wie hierin implementiert und ausführlich beschrieben, zu erreichen, weist die Organo-Elektrolumineszenzvorrichtung die Merkmale des Patentanspruchs 1 auf.
In einem anderen Aspekt weist das Herstellungsverfahren einer Organo-Elektrolumineszenzvorrichtung die Merkmale des Patentanspruchs 16 auf.
Weitere Ausführungsformen sind in den abhängigen Patentansprüchen beschrieben.
Die begleitenden Zeichnungen, die enthalten sind, um ein weiteres Verständnis der Erfindung zu schaffen und enthalten sind in und einen Teil bilden dieser Spezifikation, stellen Ausführungsbeispiele der Erfindung dar, und dienen zusammen mit der Beschreibung zum Erklären der Prinzipien der Erfindung. In den Zeichnungen:
1 ist eine schematische Ansicht eines Einheits-Pixelgebiets einer Organo-Elektrolumineszenzvorrichtung gemäß dem Stand der Technik;
2A bis 2C sind Ansichten, die eine Organo-Elektrolumineszenzvorrichtung gemäß dem Stand der Technik darstellen;
3 ist eine Querschnittsansicht einer eingekapselten Organo-Elektrolumineszenzvorrichtung gemäß einem Ausführungsbeispiel dieser Erfindung;
4A ist eine Draufsicht auf ein Paneel gemäß einem anderen Ausführungsbeispiel dieser Erfindung;
4B ist eine Querschnittsansicht des Paneels von 4A entlang IVc-IVc;
5A bis 5C sind Ansichten, die ein Herstellungsverfahren einer Organo-Elektrolumineszenzvorrichtung gemäß noch eines anderen Ausführungsbeispiels dieser Erfindung darstellen;
6 ist eine Draufsicht auf eine Organo-Elektrolumineszenzvorrichtung gemäß einem anderen Ausführungsbeispiel dieser Erfindung;
7 ist eine Querschnittsansicht, die entlang III-III' in 6 genommen ist; und
8 ist ein Flussdiagramm, das ein Herstellungsverfahren einer Organo-Elektrolumineszenzvorrichtung gemäß einem anderen Ausführungsbeispiel dieser Erfindung zeigt.
Bezug wird nun genommen im Detail auf die bevorzugten Ausführungsbeispiele, von denen Beispiele in den begleitenden Zeichnungen illustriert sind.
3 ist eine Querschnittsansicht einer eingekapselten Organo-Elektrolumineszenzvorrichtung vom Dual-Paneel-Typ gemäß einem Ausführungsbeispiel dieser Erfindung. In 3 kann eine Organo-Elektrolumineszenzvorrichtung ein erstes Substrat 110 und ein zweites Substrat 130 aufweisen, die mit einem vorgegebenen Raum dazwischen mittels einer Dichtungsstruktur 140 miteinander verbunden sind. Die Dichtungsstruktur 140 kann entlang von Kanten der ersten und zweiten Substrate 110 bzw. 130 gebildet sein.
Eine Arrayvorrichtungsschicht ”A”, die Dünnschichttransistoren ”T” und erste elektrische Verbindungsstrukturen 120, die mit den TFTs ”T” verbunden sind, aufweist, kann auf dem ersten Substrat 110 gebildet sein. Die ersten elektrischen Verbindungsstrukturen 120 können ein leitfähiges Material aufweisen und können eine Multilagen-Struktur aufweisen, die ein Isolationsmaterial zum Erhöhen ihrer Dicke aufweisen. Die TFTs ”T” können TFTs ”T” des invertiert gestapelten Typs (inverted staggered type TFTs) sein, die amorphes Silizium aufweisen. Jedes der TFTs ”T” kann eine Gate-Elektrode 112, eine Halbleiterschicht 114, eine Source-Elektrode 116 und eine Drain-Elektrode 118 aufweisen. Zusätzlich kann jede der ersten elektrischen Verbindungsstrukturen 120 mit der Drain-Elektrode 180 verbunden sein, und die TFTs ”T”, die mit den ersten elektrischen Verbindungsstrukturen 120 verbunden sind, können Treiber-Dünnschichttransistoren sein.
Eine erste Elektrode 132 kann auf einer gesamten inneren Oberfläche des zweiten Substrats 130 gebildet sein. Eine Organo-Elektrolumineszenzschicht 134 kann unter der ersten Elektrode 132 gebildet sein und kann rote, grüne und blaue Lumineszenzmuster (nicht gezeigt) aufweisen, die Pixelgebieten ”P” entsprechen. Eine zweite Elektrode 136 kann in jedem der Pixelgebiete ”P” unter der Organo-Elektrolumineszenzschicht 134 gebildet sein. Die ersten und zweiten Elektroden 132 bzw. 136 und die Organo-Elektrolumineszenzschicht 134, die zwischen die ersten und zweiten Elektroden 132 bzw. 136 zwischengeschaltet ist, kann ein Organo-Elektrolumineszenz-Diodenelement ”E” bilden.
Eine oberste Oberfläche der ersten elektrischen Verbindungsstrukturen 120 kann eine untere Oberfläche der zweiten Elektrode 136 kontaktieren und eine Versorgungsstrom von dem TFTs ”T” kann durch die erste elektrische Verbindungsstruktur 120 zu der zweiten Elektrode 136 geliefert werden. Als ein Ergebnis können das Organo-Elektrolumineszenz-Diodenelement ”E” und die Arrayvorrichtungsschicht ”A” immer noch elektrisch verbunden sein, obwohl das Organo-Elektrolumineszenz-Diodenelement ”E” und die Arrayvorrichtungsschicht ”A” auf unterschiedlichen Substraten in der Vorrichtung des Dual-Paneel-Typs gebildet sind. Folglich wendet die Elektrolumineszenzvorrichtung vom Dual-Paneel-Typ des oben beschriebenen Ausführungsbeispiels die Art der oberen Lumineszenz (upper luminescent way) an und weist eine nach oben gerichtete Lumineszenzrichtung •, ein einfaches Design, ein großes Öffnungsverhältnis und eine hohe Auflösung auf.
4A ist eine Draufsicht eines Paneels gemäß einem Ausführungsbeispiel dieser Erfindung und 4B ist eine Querschnittsansicht des Paneels aus 4A entlang IVc-IVc. In 4A kann eine Organo-Elektrolumineszenzvorrichtung ein erstes Substrat 210 und ein zweites Substrat 250 aufweisen, die durch eine Dichtstruktur 260 einander gegenüberliegend befestigt sind. Die Dichtungsstruktur 260 kann an Kanten des ersten Substrats 210 und des zweiten Substrats 250 gebildet sein, die einander überlappen. Das erste Substrat 210 kann einen ersten Bereich IVa und einen zweiten Bereich IVb, der den ersten Bereich IVa einschließt, aufweisen, und ein zweites Substrat 250 kann den zweiten Bereich IVb bloßlegen und den ersten Bereich IVa überlappen. Zusätzlich kann der erste Bereich IVa einen ersten Unterbereich IVaa aufweisen, der einem Bildanzeigebereich entspricht, und einen zweiten Unterbereich IVab, der einem Zwischenraumbereich zwischen dem ersten Unterbereich IVaa und der Dichtungsstruktur 260 entspricht.
Eine Mehrzahl von Pixelgebieten ”P” kann in dem ersten Unterbereich IVaa gebildet sein. In dem ersten Unterbereich IVaa können erste elektrische Verbindungsstrukturen 230 zum elektrischen Verbinden des ersten Substrats 210 und des zweiten Substrats 250 gebildet sein.
Zusätzlich können erste, zweite, dritte und vierte Kissen 222, 224, 226 bzw. 228 in dem zweiten Bereich IVb entlang von vier Seiten des ersten Substrats 210 gebildet sein. Das vierte Kissen 228 kann sich in den zweiten Unterbereich IVab strecken und das vierte Kissen 228 kann mit dem zweiten Substrat 250 elektrisch verbunden sein.
Ferner kann eine Mehrzahl von zweiten elektrischen Verbindungsstrukturen 232 in einem Überlappungsbereich zwischen dem vierten Kissen 228 und dem zweiten Substrat 250 gebildet sein und die zweiten elektrischen Verbindungsstrukturen 232 könne mit dem vierten Kissen 228 und dem zweiten Substrat 250 elektrisch verbunden sein. Pseudo-Abstandselement 234 können in dem zweiten Unterbereich IVab zum Aufrechterhalten einer gleichmäßigen Zellenlücke gebildet sein. Die Mehrzahl von zweiten elektrischen Verbindungsstrukturen 232 und der Pseudo-Abstandselement 234 kann in einer Matrixanordnung gebildet sein.
Wie in 4B gezeigt ist, können die ersten und zweiten Substrate 210 bzw. 250 einander gegenüberliegend angeordnet sein. Eine Arrayvorrichtungsschicht A, die eine Mehrzahl von TFTs ”T” aufweist, kann auf dem ersten Substrat 210 gebildet sein. Jedes der TFTs ”T” kann eine Gate-Elektrode 212, eine Halbleiterschicht 214, eine Source-Elektrode 216 und eine Drain-Elektrode 218 aufweisen. Die ersten elektrischen Verbindungsstrukturen 230 können mit den Drain-Elektroden 218 der TFTs ”T”, die in entsprechenden Pixelgebiet ”P” gebildet sind, verbunden sein. Zusätzlich können die ersten und zweiten elektrischen Verbindungsstrukturen 230 bzw. 232 aus dem gleichen Material gebildet sein und in dem gleichen Prozess gebildet sein.
Eine erste Elektrode 252 kann auf einer inneren Oberfläche des zweiten Substrats 250 gebildet sein. Die erste Elektrode 252 kann innerhalb des ersten Unterbereichs IVaa gebildet sein und kann eine Ende aufweisen, das sich in den zweiten Unterbereich IVab erstreckt. Die erste Elektrode 252 kann als eine gemeinsame Elektrode arbeiten. Eine Organo-Elektrolumineszenzschicht 256 und eine zweite Elektrode 258 können sequenziell zwischen einer Mehrzahl von Barrierenrippen 254, die auf Grenzen des Pixelgebietes ”P” gebildet sind, unter der ersten Elektrode 252 gestapelt sein. Die ersten und zweiten Elektroden 252 bzw. 258 und die Organo-Elektrolumineszenzschicht 256, die zwischen die ersten und zweiten Elektroden 252 bzw. 258 dazwischengeschaltet ist, können ein Organo-Elektrolumineszenz-Diodenelement ”E” bilden. Die zweite Elektrode 258 kann die erste elektrische Verbindungsstruktur 230 kontaktieren. Zusätzlich kann die erste Elektrode 252 durch die zweite elektrische Verbindungsstruktur 232 in dem zweiten Unterbereich IVab mit dem vierten Kissen 228 elektrisch verbunden sein. Ferner können die Pseudo-Abstandselement 234 in dem zweiten Unterbereich IVab zum Aufrechterhalten einer gleichmäßigen Zellenlücke zwischen den ersten und zweiten Substraten 210 bzw. 250 gebildet sein.
Folglich wendet die Organo-Elektrolumineszenzvorrichtung vom Dual-Paneel-Typ des oben beschriebenen Ausführungsbeispiels die Art der oberen Lumineszenz an und weist eine nach oben gerichtete Lumineszenzrichtung, ein einfaches Design, ein großes Öffnungsverhältnis und eine hohe Auflösung auf. Zusätzlich können die Pseudo-Abstandselement, die zwischen den ersten und zweiten Substraten 210 bzw. 250 gebildet sind, eine strukturelle Unterstützung schaffen und verhindern, dass sich die ersten und zweiten Substrate 210 bzw. 250 verbiegen.
Die 5A bis 5C sind Ansichten, die ein Herstellungsverfahren einer Organo-Elektrolumineszenzvorrichtung gemäß noch einem anderen Ausführungsbeispiel dieser Erfindung darstellen. Wie in 5A gezeigt ist, kann ein Herstellungsverfahren einer Organo-Elektrolumineszenzvorrichtung das Bilden einer Arrayvorrichtungsschicht ”A” auf einem ersten Substrat 310 aufweisen. Das Bilden der Arrayvorrichtungsschicht ”A” kann das Bilden einer Mehrzahl von TFTs ”T”, Abtastleitungen, Signalleitungen und Stromversorgungsleitungen (nicht gezeigt) in einem ersten Unterbereich Vaa eines ersten Bereichs Va aufweisen. Jeder der TFTs ”T” kann in jedem der Pixelgebiete ”P” gebildet sein und kann eine Gate-Elektrode 312, eine Halbleiterschicht 314, eine Source-Elektrode 316 und eine Drain-Elektrode 318 aufweisen. Zusätzlich können Arraykissen 328 in einem zweiten Unterbereich Vab des ersten Bereichs Va und in einem zweiten Bereich Vb gebildet sein. Der zweite Bereich Vb kann den ersten Bereich Va aufweisen. Der erste Unterbereich Vaa kann einem Bilddarstellungsbereich entsprechen und der zweite Unterbereich Vab kann einem Zwischenraumbereich zwischen dem Bilddarstellungsbereich und einem Dichtungsstrukturbereich entsprechen. Obwohl nicht im Detail gezeigt, kann das Arraykissen 328 vier Arraykissen aufweisen, die entlang von vier Seiten des zweiten Bereichs Vb angeordnet sind.
Eine Isolationsschicht 329 mit ersten und zweiten Kontaktlöchern 319 bzw. 327, die jeweils teilweise die Drain-Elektrode 318 bzw. das Arraykissen 328 bloßlegen, können so gebildet sein, dass die TFTs ”T” und das Arraykissen 328 bedeckt sind. Dann kann eine erste elektrische Verbindungsstruktur 330 auf der Isolationsschicht 329 gebildet sein und die Drain-Elektrode 318 über die ersten Kontaktlöcher 319 kontaktieren. Zusätzlich kann eine zweite elektrische Verbindungsstruktur 332 auf der Isolationsschicht 329 gebildet sein und über das zweite Kontaktloch 327 das Arraykissen kontaktieren. Ferner kann eine Mehrzahl von Pseudo-Abstandselementen 334 auf der Isolationsschicht 329 in dem zweiten Unterbereich Vab gebildet sein.
Die ersten und zweiten elektrischen Verbindungsstrukturen 330 bzw. 332 und die Pseudo-Abstandselemente 334 können aus dem gleichen Material gebildet sein und können in einem gleichen Prozessschritt gebildet werden. Alternativ können, wenn die Pseudo-Abstandselemente 334 aus einem Isolationsmaterial gebildet sind, die ersten und zweiten elektrischen Verbindungsstrukturen 330 bzw. 332 aus einem Isolationsmaterial und einem Metallmaterial gebildet sein. Ferner kann eine Dichtungsstruktur 360 gebildet sein, die den ersten Bereich Va umschließt, und in einem Bereich, zwischen dem zweiten Bereich Vb und dem zweiten Unterbereich Vab, gebildet ist.
Zusätzlich kann eine Höhe der zweiten elektrischen Verbindungsstruktur 332 größer als eine Höhe der ersten elektrischen Verbindungsstruktur 330 und kleiner als eine Höhe der Pseudo-Abstandselemente 334 zum Aufrechterhalten einer gleichmäßigen Zellenlücke sein. Daher können die Höhen der ersten elektrischen Verbindungsstruktur 330, der zweiten elektrischen Verbindungsstruktur 332 und der Pseudo-Abstandselemente 334 angepasst sein. Ferner können die erste elektrische Verbindungsstruktur 330, die zweite elektrische Verbindungsstruktur 332 und die Pseudo-Verbindungselemente 334 eine konisch zulaufende Form aufweisen, wobei eine Bodenbreite größer ist als eine obere Breite. Daher können die Breiten der ersten elektrischen Verbindungsstruktur 330, der zweiten elektrischen Verbindungsstruktur 332 und der Pseudo-Abstandselemente 334 angepasst werden.
Wie in 5B gezeigt ist, kann das Herstellungsverfahren einer Organo-Elektrolumineszenzvorrichtung auch das Bilden eines Organo-Elektrolumineszenz-Diodenelements ”E” auf einem zweiten Substrat 350 aufweisen. Das Bilden des Organo-Elektrolumineszenz-Diodenelements ”E” kann das Bilden einer ersten Elektrode 352, einer Organo-Elektrolumineszenzschicht 354 und einer zweiten Elektrode 356 aufweisen. Das zweite Substrat 350 kann einen ersten Bereich Va, einen ersten Unterbereich Vaa und einen zweiten Unterbereich Vab, die dem ersten Substrat 310 (gezeigt in 5A) entsprechen, aufweisen. Zusätzlich kann die erste Elektrode 352 in dem ersten Unterbereich Vaa gebildet sein und ein Ende der ersten Elektrode 352 kann sich in den zweiten Unterbereich Vab erstrecken. Die erste Elektrode 352 kann als eine gemeinsame Elektrode arbeiten. Ferner können die Organo-Elektrolumineszenzschicht 354 und die zweite Elektrode 356 in dem ersten Unterbereich Vaa gebildet sein. Die Organo-Elektrolumineszenzschicht 354 und die zweite Elektrode 356 können auch an Grenzen von jedem der Pixelgebiete ”P” strukturiert sein und können durch eine Mehrzahl von Barrierenrippen 357 unterteilt sein.
Wie in 5C gezeigt ist, kann das Herstellungsverfahren einer Organo-Elektrolumineszenzvorrichtung ferner das Einkapseln der ersten und zweiten Substrate 310 bzw. 350, die gebildet sind wie in 5A und 5B gezeigt, unter Verwendung der Dichtungsstruktur 360 als ein Klebstoff, aufweisen. Das Einkapseln der ersten und zweiten Substrate 310 bzw. 350 kann das Anordnen des ersten und zweiten Substrats 310 bzw. 350, so dass sie einander gegenüberliegen, das Ausrichten der ersten und zweiten Substrate und das Anlegen eines Drucks Pr aufweisen. Als ein Ergebnis kann die erste elektrische Verbindungsstruktur 330, die auf dem ersten Substrat 310 gebildet ist, die zweite Elektrode 356 kontaktieren, und die zweite elektrische Verbindungsstruktur 332 kann die erste Elektrode 310 kontaktieren. Zusätzlich kann die Zellenlücke zwischen dem ersten Unterbereich Vaa und dem zweiten Unterbereich Vab durch die Pseudo-Abstandselement 334 aufrechterhalten sein, so dass verhindert wird, dass die ersten und zweiten Substrate 310 bzw.350 aufgrund der Anwendung des Drucks Pr verbogen werden.
6 ist eine Draufsicht auf eine Organo-Elektrolumineszenzvorrichtung vom Dual-Paneel-Typ gemäß einem anderen Ausführungsbeispiel dieser Erfindung. Wie in 6 gezeigt ist, kann eine Organo-Elektrolumineszenzvorrichtung ein erstes Substrat 210 und ein zweites Substrat 250 aufweisen, die durch eine Dichtungsstruktur 660 angebracht sind und einander gegenüberliegen. Die Dichtungsstruktur 660 kann an Kanten des ersten Substrats 210 und des zweiten Substrats 250 gebildet sein, die miteinander überlappen. Das erste Substrat 210 kann einen ersten Bereich IVa und einen zweiten Bereich IVb, der den ersten Bereich IVa umschließt, aufweisen, und ein zweites Substrat 250 kann den zweiten Bereich IVb bloßlegen und mit dem ersten Bereich IVa überlappen. Der erste Bereich IVa kann zusätzlich einen ersten Unterbereich IVaa aufweisen, der einem Bilddarstellungsbereich entspricht, und einen zweiten Unterbereich IVab, der einem Zwischenraumbereich zwischen dem ersten Unterbereich IVaa und der Dichtungsstruktur 660 entspricht.
Eine Mehrzahl von Pixelgebieten ”P” kann in dem ersten Unterbereich IVaa gebildet sein. In dem ersten Unterbereich IVaa können erste elektrische Verbindungsstrukturen 230 zum elektrischen Verbinden des ersten Substrats 210 und des zweiten Substrats 250 gebildet sein. Zusätzlich können erste, zweite, dritte und vierte Kissen 222, 224, 226 bzw. 228 in dem zweiten Bereich IVb entlang vier Seiten des ersten Substrats 210 gebildet sein. Das vierte Kissen 228 kann sich zu dem zweiten Unterbereich IVab erstrecken und das vierte Kissen 228 kann mit dem zweiten Substrat 250 elektrisch verbunden sein. Ferner kann eine Mehrzahl von zweiten elektrischen Verbindungsstrukturen 232 in einem Überlappungsbereich zwischen dem vierten Kissen 228 und der zweiten Substrat 250 gebildet sein, und die zweite elektrische Verbindungsstruktur 232 kann mit dem vierten Kissen 228 und dem zweiten Substrat 250 elektrisch verbunden sein.
Ferner kann eine Mehrzahl von ersten Pseudo-Abstandselementn 634 in einem Bereich zwischen dem ersten Unterbereich IVaa und der Dichtungsstruktur 660 gebildet sein. Eine Mehrzahl von zweiten Pseudo-Abstandselementn 635 (gezeigt in 7) kann innerhalb der Dichtungsstruktur 660 gebildet sein. Die ersten und zweiten Pseudo-Abstandselement können in einem ausgerichteten Muster oder in einem Zickzackmuster angeordnet sein.
7 ist eine Querschnittsansicht, die entlang III-III' von 6 genommen ist. Wie in 7 gezeigt ist, können die zweiten Pseudo-Abstandselement 635 und die Dichtungsstruktur 660 einander zwischengeschaltet gebildet sein. Da die zweiten Pseudo-Abstandselement 635 innerhalb der Dichtungsstruktur 660 bildet sind, kann die Dichtungsstruktur 660 nicht Fiberglas darin enthalten. Die Dichte der zweiten Pseudo-Abstandselement 635 kann größer sein als die Dichte der ersten Pseudo-Abstandselement 634. In anderen Worten, die zweiten Pseudo-Abstandselement 635, die innerhalb der Dichtungsstruktur 660 gebildet sind, können dichter gebildet sein, als die ersten Pseudo-Abstandselement 634, die auf dem Bereich zwischen dem ersten Unterbereich IVaa und der Dichtungsstruktur 660 gebildet sind. Zusätzlich können die zweiten Pseudo-Abstandselement 635 weniger dicht gebildet sein als die ersten elektrischen Verbindungsstrukturen 230, die innerhalb des ersten Unterbereichs IVaa gebildet sind.
Zusätzlich können die zweiten Pseudo-Abstandselement 635 effektiv Feuchtigkeit blockieren. Die zweiten Pseudo-Abstandselement 635 können auch ein effektiveres Verstärkungselement sein als das Fiberglas gemäß dem Stand der Technik. Daher kann, durch Bilden der Pseudo-Abstandselement 634 und 635, ein gleichmäßiger Zwischenraum zwischen dem ersten Substrat 210 und dem zweiten Substrat 250 aufrechterhalten werden, speziell in dem ersten Unterbereich IVaa. Als ein Ergebnis verschlechtert sich die Anzeigequalität, anders als in dem Stand der Technik, nicht, wenn sich die Größe der Organo-Elektrolumineszenz-Vorrichtungspaneels dieser Erfindung erhöht.
8 ist ein Flussdiagramm, das ein Herstellungsverfahren einer Organo-Elektrolumineszenzvorrichtung gemäß einem anderen Ausführungsbeispiel dieser Erfindung darstellt. Wie in 8 gezeigt ist, kann im Schritt ST1 eine Arrayvorrichtung auf einem ersten Substrat, z. B. dem ersten Substrat 210, das in 4A, 4B und 6 gezeigt ist, gebildet werden. Der Schritt ST1 kann das Bilden einer Pufferschicht auf einem transparenten Substrat, das Bilden einer Halbleiterschicht und einer Kapazitätselektrode auf der Pufferschicht, das Bilden einer Gate-Elektrode, einer Source-Elektrode und einer Drain-Elektrode auf der Halbleiterschicht, und das Bilden einer Stromelektrode, die mit der Source-Elektrode auf der Kapazitätselektrode verbunden ist, aufweisen. Die Arrayvorrichtung kann in einer Matrixkonfiguration innerhalb eines Bilddarstellungsbereichs gebildet werden.
Zusätzlich kann Schritt ST1 das Bilden erster und zweiter elektrischer Verbindungsstrukturen, einer Dichtungsstruktur und Pseudo-Abstandselementn aufweisen. Zum Beispiel können die ersten und zweiten elektrischen Verbindungsstrukturen 230 und 232 (gezeigt in 4A, 4B und 6), die ersten und zweiten Pseudo-Abstandselement 634 und 635 (gezeigt in 6) und eine Dichtungsstruktur 660 (gezeigt in 6) gebildet werden. Besonders spezifisch können die ersten Pseudo-Abstandselement 634 in einem Bereich zwischen dem Bilddarstellungsbereich und der Dichtungsstruktur 660 gebildet werden, und die zweiten Pseudo-Abstandselement 635 können innerhalb der Dichtungsstruktur 660 gebildet werden.
Im Schritt ST2 kann eine erste Elektrode auf einem zweiten Substrat gebildet werden, z. B. das zweite Substrat 250, das in den 4A, 4B und 6 gezeigt ist. In dieser Erfindung sind, da die erste Elektrode für eine Organo-Elektrolumineszenz-Diode direkt auf dem transparenten zweiten Substrat gebildet wird, mehr Materialen zum Bilden der ersten Elektrode verfügbar und Prozesse können leichter ausgeführt werden. Zum Beispiel kann die erste Elektrode aus der Gruppe ausgewählt werden, die aus leitfähigen Materialien mit dem Durchlassvermögen besteht.
Im Schritt ST3 kann eine Organo-Elektrolumineszenzschicht auf der ersten Elektrode gebildet werden. Die Organo-Elektrolumineszenzschicht kann aus einem Lumineszenzmaterial hergestellt werden, das rote, grüne und blaue Farben zeigt, und einem Low-Polymer oder einem High-Polymer, die Elektronen oder Löcher injizieren oder übertragen. Im Schritt ST4 kann eine zweite Elektrode auf der Organo-Elektrolumineszenzschicht gebildet werden.
Im Schritt ST5, nach den Schritten ST1–ST4, können die ersten und zweiten Substrate elektrisch verbunden werden, z. B. unter Verwendung der ersten und zweiten elektrischen Verbindungsstrukturen 230 und 232, die in den 4A, 4B und 6 gezeigt sind. Spezieller, der Treiber-TFT, der auf dem ersten Substrat gebildet ist, kann mit der Organo-Elektrolumineszenz-Diode, die auf dem zweiten Substrat gebildet ist, elektrisch verbunden sein.
In ST6 können die ersten und zweiten Substrate eingekapselt werden. In anderen Worten, die ersten und zweiten Substrate 210 und 250 können aneinander unter Verwendung der Dichtungsstruktur 260, die in 4A und 4B gezeigt ist, oder der Dichtungsstruktur 660, die in 6 gezeigt ist, angebracht werden. Der Schritt ST6 kann ferner das Bilden eines Raums zwischen den ersten und zweiten Substraten in einer Stickstoffatmosphäre aufweisen. Da das Anbringen des Arraysubstrats und des Organo-Elektrolumineszenz-Diodensubstrats durchgeführt wird, nachdem ein Test von jeder der zwei Substrate abgeschlossen ist, können Paneelproduktfehler reduziert werden und die Effizienz des Produktionsmanagements kann verbessert werden.
Es wird für Fachleute offensichtlich sein, dass verschiedene Modifikationen und Variationen in dieser Erfindung gemacht werden können. Zum Beispiel wird es offensichtlich sein, dass eine TFT-Struktur unter Verwendung von Polysilizium angewendet werden kann, obwohl die Ausführungsbeispiele dieser Erfindung die TFT-Struktur unter Verwendung von amorphem Silizium zeigen und beschreiben.
Wie oben beschrieben weisen die erfindungsgemäße Organo-Elektrolumineszenzvorrichtung vom Dual-Paneel-Typ und das Herstellungsverfahren davon folgende Effekte auf:
Erstens, da die Arrayvorrichtung und die Organo-Elektrolumineszenzvorrichtung auf unterschiedlichen Substraten gebildet werden, erhöht sich die Produktionsausbeute und die Effizienz des Produktionsmanagements, und auch die Lebensdauer des Produkts erhöht sich. Zweitens, da die Organo-Elektrolumineszenzvorrichtung auf eine Art der oberen Lumineszenz funktioniert, ist das Entwerfen eines TFTs einfach und ein großes Öffnungsverhältnis/eine hohe Auflösung wird erreicht.
Drittens wird die Zellenlücke zwischen den Substraten gleichmäßig aufrechterhalten und das Organo-Elektrolumineszenz-Diodenelement kann mit dem Arraykissen leicht elektrisch verbunden werden. Viertens wird durch Anwenden von Pseudo-Abstandselementn das Verbiegen der Substrate in den Bilddarstellungsteil und dem Dichtungsstrukturteil verhindert.
Es wird für Fachleute offensichtlich sein, dass verschiedene Modifikationen und Variationen in der Organo-Elektrolumineszenzvorrichtung vom Dual-Paneel-Typ und einem Herstellungsverfahren derselben gemacht werden können, ohne von dem Geist oder Bereich der Erfindung abzurücken. Daher ist beabsichtigt, dass diese Erfindung die Modifikationen und Variationen dieser Erfindung abdeckt, vorausgesetzt sie sind innerhalb des Bereichs der angefügten Ansprüche und ihrer Äquivalente.

Claims

Organo-Elektrolumineszenzvorrichtung, aufweisend: ein erstes Substrat (110) mit einem ersten Bereich (IVa) und einem zweiten Bereich (IVb), der den ersten Bereich (IVa) einschließt; eine Mehrzahl von Schaltelementen (T), die in dem ersten Bereich (IVa) gebildet sind; eine Mehrzahl von Lötpad-Teilen, die in dem zweiten Bereich (IVb) gebildet sind; ein zweites Substrat (130), das mit einem vorgegebenen Raum dazwischen an das erste Substrat (110) angebracht ist, wobei das zweite Substrat (130) mit dem ersten Bereich (IVa) überlappt und den zweiten Bereich (IVb) des ersten Substrats (110) freilegt; eine erste Elektrode (132), eine Organo-Elektrolumineszenzschicht (134) und eine zweite Elektrode (136), die auf einer Oberfläche des zweiten Substrats (130) gebildet sind, die dem ersten Substrat (110) gegenüberliegt; eine erste elektrische Verbindungsstruktur (120), die das Schaltelement (T) mit der zweiten Elektrode (136) verbindet; eine zweite elektrische Verbindungsstruktur (232), die eines der Lötpad-Teile mit der ersten Elektrode (132) verbindet; eine Abdichtungsstruktur (140), die an Kanten der ersten und zweiten Substrate (110, 130) angeordnet ist; und eine Mehrzahl von ersten Abstandshaltern (234), die in Matrixform gebildet sind, zum Aufrechterhalten einer Zellenlücke zwischen dem ersten Substrat (110) und dem zweiten Substrat (130), die zwischen einem Bilddarstellungsbereich des ersten Bereichs (IVa) und der Abdichtungsstruktur (140) angeordnet sind, und mit beiden Substraten (110, 130) in Kontakt sind.
Organo-Elektrolumineszenzvorrichtung gemäß Anspruch 1, wobei die ersten und zweiten elektrischen Verbindungsstrukturen (120, 232) das gleiche Material aufweisen.
Organo-Elektrolumineszenzvorrichtung gemäß Anspruch 1, wobei die erste elektrische Verbindungsstruktur (120), die zweite elektrische Verbindungsstruktur (232) und die ersten Abstandshalter (234) das gleiche Material aufweisen.
Organo-Elektrolumineszenzvorrichtung gemäß Anspruch 1, wobei der erste Bereich (IVa) einen ersten Unterbereich (IVaa), der dem Bilddarstellungsbereich entspricht, und einen zweiten Unterbereich (IVab) aufweist, der einem Bereich zwischen dem Bilddarstellungsbereich und einem Bereich, in dem die Abdichtungsstruktur (140) gebildet ist, entspricht, wobei die zweite elektrische Verbindungsstruktur (232) und die ersten Abstandshalter (234) im zweiten Unterbereich (IVab) gebildet sind.
Organo-Elektrolumineszenzvorrichtung gemäß Anspruch 4, wobei die erste Elektrode (132) im ersten Unterbereich (IVaa) gebildet ist und ein Ende der ersten Elektrode (132) sich in den zweiten Unterbereich (IVab) erstreckt, wobei die erste Elektrode (132) mit der zweiten elektrischen Verbindungsstruktur (232) im zweiten Unterbereich (IVab) verbunden ist.
Organo-Elektrolumineszenzvorrichtung gemäß Anspruch 4, ferner aufweisend: einen zweiten Abstandshalter (635), der im zweiten Bereich (IVb) gebildet ist.
Organo-Elektrolumineszenzvorrichtung gemäß Anspruch 6, wobei der zweite Abstandshalter (635) innerhalb der Abdichtungsstruktur (660) gebildet ist, wobei der zweite Abstandshalter (635) und die Abdichtungsstruktur (660) abwechselnd angeordnet sind.
Organo-Elektrolumineszenzvorrichtung gemäß Anspruch 1, ferner aufweisend: eine Gate-Leitung, die auf dem ersten Substrat (110) entlang einer ersten Richtung gebildet ist; und eine Datenleitung und eine Stromleitung, die auf dem ersten Substrat (110) entlang einer zweiten Richtung gebildet sind, die die Gate-Leitung kreuzen, wobei die zweite Richtung im wesentlichen senkrecht zu der ersten Richtung ist, wobei das Schaltelement (T) einen Schalt-Dünnschichttransistor (Ts), der an einem Kreuzungspunkt der Gate-Leitung und der Datenleitung gebildet ist, und einen Treiber-Dünnschichttransistor (Td), der an einem Kreuzungspunkt der Gate-Leitung und der Datenleitung gebildet ist, und mit der zweiten Elektrode (136) verbunden ist, umfasst.
Organo-Elektrolumineszenzvorrichtung gemäß Anspruch 1, wobei der zweite Bereich (IVb) vier Seiten aufweist, und die Lötpad-Teile entlang der vier Seiten jeweils erste, zweite, dritte und vierte Lötpads (222, 224, 226, 228) aufweisen.
Organo-Elektrolumineszenzvorrichtung gemäß Anspruch 9, wobei das erste Lötpad (222) mit der Gate-Leitung verbunden ist, das zweite Lötpad (224) mit der Datenleitung verbunden ist, das dritte Lötpad (226) mit der Stromleitung verbunden ist, und das vierte Lötpad (228) mit dem Massepotential verbunden ist.
Organo-Elektrolumineszenzvorrichtung gemäß Anspruch 9, wobei das vierte Lötpad (228), das mit der zweiten elektrischen Verbindungsstruktur (232) verbunden ist, sich in den ersten Bereich (IVa) erstreckt.
Organo-Elektrolumineszenzvorrichtung gemäß Anspruch 6, wobei die ersten und zweiten Abstandshalter (634, 635) mit unterschiedlicher Dichte gebildet sind.
Organo-Elektrolumineszenzvorrichtung gemäß Anspruch 12, wobei die zweiten Abstandshalter (635) dichter gebildet sind als die ersten Abstandshalter (634).
Organo-Elektrolumineszenzvorrichtung gemäß Anspruch 12, wobei die erste elektrische Verbindungsstruktur (120) dichter gebildet ist als die ersten und zweiten Abstandshalter (634, 635).
Organo-Elektrolumineszenzvorrichtung gemäß Anspruch 1, wobei die Abdichtungsstruktur (660) aus einem Dichtungsmaterial hergestellt ist, das keine Glasfasern aufweist.
Herstellungsverfahren einer Organo-Elektrolumineszenzvorrichtung, aufweisend: Bilden einer Mehrzahl von Schaltelementen (T) und einer Mehrzahl von Lötpads auf einem ersten Substrat (110) mit einem ersten Bereich (IVa) und einem zweiten Bereich (IVb), der den ersten Bereich (IVa) umschließt, wobei das Schaltelement (T) in dem ersten Bereich (IVa) gebildet wird, und die Lötpads in dem zweiten Bereich (IVb) gebildet werden; Bilden einer ersten elektrischen Verbindungsstruktur (120), die mit dem Schaltelement (T) auf dem ersten Substrat (110) verbunden ist; Bilden einer Mehrzahl von Abstandshaltern (234) im ersten Bereich (IVa), die in Matrixform gebildet werden; Bilden eines Organo-Elektrolumineszenz-Diodenelements (E) auf einem zweiten Substrat (130); und Anordnen des ersten Substrats (110) und des zweiten Substrats (130) in einer Richtung, so dass die erste elektrische Verbindungsstruktur (120) und die Abstandshalter (234) des ersten Substrats (110) dem Organo-Elektrolumineszenz-Diodenelement (E) des zweiten Substrats (130) gegenüberliegen, wobei das Organo-Elektrolumineszenz-Diodenelement (E) mit der ersten elektrischen Verbindungsstruktur (120) verbunden ist, und eine gleichmäßig große Zellenlücke zwischen dem ersten Substrat (110) und dem zweiten Substrat (130) von den Abstandshaltern (234) aufrecht erhalten wird, und wobei die Abstandshalter (234) mit beiden Substraten (110, 130) in Kontakt sind.
Verfahren gemäß Anspruch 16, das, vor dem Anbringen des ersten Substrats (110) und des zweiten Substrats (130), ferner das Bilden einer Abdichtungsstruktur (140) auf einem der ersten und zweiten Substrate (110, 130) an einer Position aufweist, die einer Grenze zwischen den ersten und zweiten Bereichen (IVa, IVb) entspricht.
Verfahren gemäß Anspruch 16, ferner aufweisend das Bilden einer zweiten elektrischen Verbindungsstruktur (232), die mit einem der Lötpads (228) verbunden ist.
Verfahren gemäß Anspruch 18, wobei die Schritte des Bildens der ersten elektrischen Verbindungsstruktur (120), des Bildens der Abstandshalter (234), und des Bildens der zweiten elektrischen Verbindungsstruktur (232) im gleichen Prozessschritt durchgeführt werden.
Verfahren gemäß Anspruch 18, wobei der erste Bereich (IVa) des ersten Substrats (110) einen ersten Unterbereich (IVaa), der einem Bilddarstellungsbereich entspricht, und einen zweiten Unterbereich (IVab) aufweist, wobei die erste elektrische Verbindungsstruktur (120) im ersten Unterbereich (IVaa) gebildet wird, die zweite elektrische Verbindungsstruktur (232) im zweiten Unterbereich (IVab) gebildet wird und die Abstandshalter (234) im zweiten Unterbereich (IVab) gebildet werden.
Verfahren gemäß Anspruch 18, wobei beim Aufrechterhalten der Zellenlücke unter Verwendung der Abstandshalter (234), die Abstandshalter (234) und die zweite elektrische Verbindungsstruktur (232) die Zellenlücken verschiedener Bereiche aufrecht erhalten.
Verfahren gemäß Anspruch 16, wobei der Schritt des Anordnens der ersten und zweiten Substrate (110, 130) das Ausrichten der ersten und des zweiten Substrate (110, 130) aufweist, so dass das zweite Substrat (130) den ersten Bereich (IVa) des ersten Substrats (110) überlappt und den zweiten Bereich (IVb) des ersten Substrats (110) freilegt.
Verfahren gemäß Anspruch 16, wobei der erste Bereich (IVa) des ersten Substrats (110) einen ersten Unterbereich (IVaa), der einem Bilddarstellungsbereich entspricht, und einen zweiten Unterbereich (IVab) aufweist, wobei das Organo-Elektrolumineszenz-Diodenelement (E) in einem Bereich des zweiten Substrats (130) gebildet wird, dass dem ersten Unterbereich (IVaa) entspricht, und die Abstandshalter (234) im zweiten Unterbereich (IVab) gebildet werden.
Verfahren gemäß Anspruch 16, wobei der Schritt des Bildens des Organo-Elektrolumineszenz-Diodenelements (E) das sequenzielle Bilden einer ersten Elektrode (132), einer Organo-Elektrolumineszenzschicht (134), und einer zweiten Elektrode (136) auf dem zweiten Substrat (130) aufweist.
Verfahren gemäß Anspruch 24, wobei der Schritt des Anordnens des ersten Substrats (110) und des zweiten Substrats (130) das Verbinden der ersten elektrischen Verbindungsstruktur (120) mit der zweiten Elektrode (136) aufweist.
Verfahren gemäß Anspruch 24, ferner aufweisend das Bilden einer zweiten elektrischen Verbindungsstruktur (232) im ersten Bereich (IVa) auf dem ersten Substrat (110), wobei der Schritt des Anordnens der ersten und zweiten Substrate (110, 130) das Verbinden der zweiten elektrischen Verbindungsstruktur (232) mit der ersten Elektrode (132) aufweist.
Verfahren gemäß Anspruch 24, wobei der Schritt des Bildens der Lötpads das Bilden eines der Lötpads (228) aufweist, so dass es sich in den ersten Bereich (IVa) erstreckt.
Verfahren gemäß Anspruch 27, ferner aufweisend das Bilden einer zweiten elektrischen Verbindungsstruktur (232) im ersten Bereich (IVa), die mit dem Lötpad (228) verbunden ist, das sich in den ersten Bereich (IVa) erstreckt, wobei der Schritt des Anordnens der ersten und zweiten Substrate (110, 130) das Verbinden der ersten Elektrode (132) mit dem Lötpad (228) aufweist, das sich über die zweite elektrische Verbindungsstruktur (232) in den ersten Bereich (IVa) erstreckt.
Verfahren gemäß Anspruch 16, ferner aufweisend: Bilden einer Gate-Leitung auf dem ersten Substrat (110) entlang einer ersten Richtung; und Bilden einer Datenleitung und einer Stromleitung auf dem ersten Substrat (110) entlang einer zweiten Richtung, die die Gate-Leitung kreuzt, wobei die zweite Richtung im Wesentlichen senkrecht zu der ersten Richtung ist, wobei der Schritt des Bildens des Schaltelements (T) das Bilden eines Schalt-Dünnschichttransistors (Ts) an einem Kreuzungspunkt der Gate-Leitung und der Datenleitung und das Bilden eines Treiber-Dünnschichttransistors (Td) an einem Kreuzungspunkt der Gate-Leitung und der Datenleitung aufweist.
Verfahren gemäß Anspruch 29, wobei der Schritt des Bildens der Gate-Leitung und der Schritt des Bildens der Lötpads im gleichen Prozessschritt durchgeführt werden.
Verfahren gemäß Anspruch 17, ferner aufweisend Bilden von zweiten Abstandshaltern (635) innerhalb der Abdichtungsstruktur (660), wobei die Abstandshalter (634) und die zweiten Abstandshalter (635) mit unterschiedlicher Dichte gebildet sind.
Verfahren gemäß Anspruch 31, wobei die zweiten Abstandshalter (635) dichter gebildet sind als die Abstandshalter (634).
Verfahren gemäß Anspruch 17, wobei die Abdichtungsstruktur (660) aus einem Dichtungsmaterial hergestellt ist, das keine Glasfasern aufweist.