DE102006015241A1 - Quad flat non-leaded package semiconductor component, has expansion joint arranged in plastic housing and provided between border angle region and outer contact surfaces of outer contact and central region of housing - Google Patents

Quad flat non-leaded package semiconductor component, has expansion joint arranged in plastic housing and provided between border angle region and outer contact surfaces of outer contact and central region of housing Download PDF

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semiconductor
chip
expansion joints
external
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DE102006015241A
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German (de)
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Thomas Dipl.-Ing. Killer (FH)
Erich Dipl.-Ing. Syri
Gerold Dipl.-Phys. Gründler
Jürgen Dipl.-Ing. Högerl
Volker Dipl.-Ing. Strutz
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Infineon Technologies AG
Original Assignee
Infineon Technologies AG
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Abstract

Component has a plastic housing (7) and outer contacts (8), which are embedded in the housing. The contacts are accessible on a lower side of the housing, and are arranged in the lower border angle region. An expansion joint (14) is arranged in the lower side of the plastic housing. The joint is provided between the border angle region and the outer contact surfaces (11) of the outer contact and a central region (12) of the housing. A semiconductor chip is arranged in the central region. An independent claim is also included for: a method for manufacturing a semiconductor component.

Description

Die Erfindung betrifft ein Halbleiterbauteil mit einem Kunststoffgehäuse und in Kunststoff eingebetteten Außenkontakten sowie Verfahren zur Herstellung des Halbleiterbauteils. Derartige in Kunststoffgehäusemasse eingebettete Außenkontakte sind relativ steif und können aufgrund ihrer Steifigkeit Spannungen, die durch Differenzen in den thermischen Ausdehnungskoeffizienten von Halbleiterschaltungskomponenten hervorgerufen werden, nicht ausgleichen.The The invention relates to a semiconductor device with a plastic housing and embedded in plastic external contacts and method for producing the semiconductor device. such in plastic housing compound embedded external contacts are relatively stiff and can due to their rigidity tensions caused by differences in the thermal expansion coefficient of semiconductor circuit components caused, do not compensate.

Ein Gehäuse mit Biegelementstrukturen im Bereich von Außenkontakten ist aus der Druckschrift DE 103 61 106 A1 bekannt. Bei dem bekannten Gehäuse sind außerhalb einer Kunststoffgehäusemasse in einem überstehenden Randbereich einer Umverdrahtungsplatte zur Biegeverformung Biegeelementstrukturen als Dehnungsnuten oder Durchgangslöcher angeordnet und mit einem gummielastischen Material gefüllt. Dabei entfalten die Biegeelementstrukturen ausschließlich ihre Wirkung in einem Bereich einer Umverdrahtungsplatte, der nicht mit einem Kunststoffgehäuse oder einer Kunststoffgehäusemasse mechanisch verbunden ist.A housing with Biegelementstrukturen in the range of external contacts is from the document DE 103 61 106 A1 known. In the known housing, bending element structures are arranged as expansion grooves or through holes outside a plastic housing composition in a projecting edge region of a rewiring plate for bending deformation and filled with a rubber-elastic material. In this case, the bending element structures develop their effect exclusively in a region of a rewiring plate, which is not mechanically connected to a plastic housing or a plastic housing composition.

Dieses Gehäuse hat den Nachteil, dass Außenkontakte, die im Bereich der Kunststoffgehäusemasse angesiedelt sind, den thermischen Spannungen, die aufgrund unterschiedlicher thermischer Ausdehnungskoeffizienten eines komplexen Kunststoffgehäuseaufbaus mit eingebetteten Halbleiterchips, eingebetteten metallischen Verbindungselementen und teilweise eingebet teten metallischen Außenkontaktkörpern, voll ausgesetzt sind. Diese thermischen Spannungen innerhalb des Gehäuses und zwischen Halbleiterchip und Außenkontaktkörpern können mit dem bekannten Gehäuseaufbau nicht abgebaut oder überwunden werden, was Zuverlässigkeitsprobleme und Gefahren von Mikrorissbildungen bis hin zum Abriss von elektrischen Verbindungen mit sich bringt.This casing has the disadvantage that external contacts, in the field of plastic housing material are located, the thermal stresses due to different Thermal expansion coefficient of a complex plastic housing structure with embedded semiconductor chips, embedded metallic connectors and partially embedded teten metallic outer contact bodies are fully exposed. These thermal stresses within the case and between semiconductor chip and external contact bodies can with the known housing structure not degraded or overcome what are reliability problems and Dangers of microcracking up to the demolition of electrical Connections brings.

Darüber hinaus ist die Herstellung von Halbleiterbauteilen mit der bekannten Biegeelementstruktur kostenintensiv und zeitaufwendig.Furthermore is the production of semiconductor devices with the known bending element structure costly and time consuming.

Aufgabe der Erfindung ist es, ein Halbleiterbauteil anzugeben, dass die Nachteile im Stand der Technik überwindet und eine kostengünstige Verbesserung im Aufbau des Halbleiterbauteils ermöglicht, durch welche die Zuverlässigkeitsprobleme überwunden werden und die Gefahren von Mikrorissbildungen bis hin zum Abriss von elektrischen Verbindungen innerhalb eines Kunststoffgehäuses vermindert werden. Darüber hinaus ist es Aufgabe der Erfindung ein kostengünstiges Verfahren anzugeben, mit dem ein derartiges gegen thermische Spannungen besser geschütztes Halbleiterbauteil auf einfache Weise hergestellt werden kann.task The invention is to provide a semiconductor device that the Overcomes disadvantages in the prior art and a cost-effective Improvement in the design of the semiconductor device allows, through which overcome the reliability problems and the dangers of microcracking up to demolition reduced by electrical connections within a plastic housing become. About that It is another object of the invention to provide a cost-effective method, with such a better protected against thermal stress semiconductor device can be easily produced.

Diese Aufgabe wird mit dem Gegenstand der unabhängigen Ansprüche gelöst. Vorteilhafte Weiterbildungen der Erfindung ergeben sich aus den abhängigen Ansprüchen.These The object is achieved with the subject matter of the independent claims. advantageous Further developments of the invention will become apparent from the dependent claims.

Erfindungsgemäß wird ein Halbleiterbauteil mit einem Kunststoffgehäuse und in Kunststoff eingebetteten Außenkontakten geschaffen. Die Außenkontakte sind mindestens auf der Unterseite des Kunststoffgehäuses frei zugänglich und in einem unteren Randkantenbereich angeordnet. Zwischen dem Randkanten bereich mit frei zugänglichen Außenkontaktflächen der Außenkontakte und einem zentralen Bereich des Kunststoffgehäuses, in dem ein Halbleiterchip angeordnet ist, weist das Kunststoffgehäuse in der Kunststoffgehäusemasse mindestens eine Dehnungsfuge auf.According to the invention is a Semiconductor component with a plastic housing and embedded in plastic external contacts created. The external contacts are free at least on the underside of the plastic housing accessible and arranged in a lower marginal edge region. Between the Marginal edges area with freely accessible External contact surfaces of external contacts and a central portion of the plastic housing in which a semiconductor chip is arranged, has the plastic housing in the plastic housing composition at least one expansion joint.

Dieses Halbleiterbauteil hat den Vorteil, dass die kompakte Kunststoffgehäusemasse mit eingebetteten Außenkontakten auf der Unterseite und einem eingebetteten Halbleiterchip in einem zentralen Bereich durch die erfindungsgemäßen Dehnungsfugen mechanisch in einen Bereich mit Außenkontakten und einen Bereich, der ein starres Halbleiterchip trägt, gegliedert wird.This Semiconductor component has the advantage that the compact plastic housing composition with embedded external contacts on the bottom and an embedded semiconductor chip in one central area through the expansion joints according to the invention mechanically in an area with external contacts and a region that carries a rigid semiconductor chip is divided.

Beim Auftreten thermischer Spannungen, wenn beispielsweise ein derartiges Halbleiterbauteil mit seinen auf der Unterseite angeordneten Außenkontaktflächen auf einer übergeordneten Schaltungsplatine oberflächenmontiert wird, oder wenn eine übergeordnete Schaltungsplatine mit aufgebrachten erfindungsgemäßen Halbleiterbauteilen thermischen Beanspruchungen ausgesetzt wird, können die Randkantenbereiche mit den oberflächenmontierten Außenkontaktflächen gegenüber dem zentralen Bereich – wie sonst übliche Flachdrahtbeinchen eines Halbleiterbauteils mit integrierter Schaltung – nachgeben. Ein weiterer Vorteil ist, dass diese Dehnungsfugen auch nachträglich, d.h. nach Fertigstellung des Kunststoffgehäuses eingebracht werden können. Von besonderem Vorteil ist, dass diese Dehnungsfugen für eine Mehrzahl von Halbleiterbauteilen eingebracht werden können bevor beispielsweise die Halbleiterbauteile aus einem Flachleiterrahmen herausgestanzt werden.At the Occurrence of thermal stresses, for example, if such Semiconductor device with its arranged on the bottom outer contact surfaces a parent Circuit board surface mounted is, or if a parent Circuit board with applied semiconductor components according to the invention Thermal stresses is exposed, the marginal edge areas with the surface mounted external contact surfaces opposite to the central area - like otherwise usual Flat-wire legs of a semiconductor device with integrated circuit - give way. Another advantage is that these expansion joints can also be retrofitted, i. can be introduced after completion of the plastic housing. From particular advantage is that these expansion joints for a plurality of semiconductor devices can be introduced before, for example, the semiconductor devices be punched out of a lead frame.

Schließlich ist es auch möglich und erweitert die Designmöglichkeiten, wenn die Dehnungsfugen beim Spritzgießen oder Dispensen bereits hergestellt werden. Dazu können die vorbereiteten Flachleiterrahmen auf eine entsprechend strukturierte Bodenplatte der Spritzgussform und/oder der Dispensform aufgesetzt werden. Die Strukturierung der Bodenplatte der Spritzgussform beziehungsweise der Dispensform wird dann als Dehnungsfuge bei Entnahme des Flachleiterrahmens mit einer Vielzahl von Halbleiterbauelementen im Bodenbereich in den einzelnen Halbleiterbauelementen gebildet.Finally is it also possible and extends the design possibilities, if the expansion joints during injection molding or dispensing already getting produced. Can do this the prepared leadframe on a correspondingly structured Bottom plate of the injection mold and / or Dispensform mounted become. The structuring of the bottom plate of the injection mold or the Dispensform is then as expansion joint with removal of the leadframe with a variety of semiconductor devices in the ground area in formed the individual semiconductor devices.

Die Wirkung derartiger Dehnungsfugen kann dadurch unterstützt werden, dass das Material der Kunststoffgehäusemasse den Erfordernissen einer Nachgiebigkeit im Bereich der Dehnungsfugen angepasst ist. Dazu kann die Wahl eines geeigneten Füllstoffes und auch ein geeigneter Füllstoffgrad beitragen, so dass im Bereich der Dehnungsfuge eine plastisch verformbare Kunststoffgehäusemasse bereitgestellt wird.The Effect of such expansion joints can be supported by that the material of the plastic housing composition meets the requirements a compliance in the expansion joints is adjusted. For this purpose, the choice of a suitable filler and also a suitable filler level contribute, so that in the area of the expansion joint a plastically deformable Plastic housing composition provided.

Darüber hinaus ist es möglich, die Dehnungsfugen mit einem gummielastischen Material aufzufüllen, so dass sich einerseits keine die Funktion der Dehnungsfuge beeinträchtigenden Lötstoffreste bei der Oberflächenmontage des Halbleiterbauteils in den Dehnungsfugen festsetzen oder sich starre und harte Partikel in den Dehnungsfugen ansammeln und somit die Funktion der Dehnungsfugen beeinträchtigen können.Furthermore Is it possible, fill the expansion joints with a rubber elastic material, so on the one hand, no impairment of the function of the expansion joint Lötstoffreste in surface mounting of the semiconductor device in the expansion joints Rigid and hard particles accumulate in the expansion joints and thus may affect the function of the expansion joints.

Die Geometrie und der Verlauf der Dehnungsfugen auf der Unterseite des Halbleiterbauteils lassen sich unterschiedlich gestalten, wobei die einzelnen Anordnungen der Dehnungsfugen Vor- und Nachteile aufweisen.The Geometry and the course of the expansion joints on the bottom of the Semiconductor devices can be designed differently, with the individual arrangements of the expansion joints advantages and disadvantages.

In einer ersten Ausführungsform der Erfindung erstreckt sich mindestens eine Dehnungsfuge in einem Randkantenbereich von einer ersten Randkante zu einer gegenüberliegenden Randkante parallel zu einer dritten Randkante. Diese Struktur hat den Vorteil, dass die Dehnungsfuge mit einer einfachen Sägetechnik eingebracht werden kann, indem ein Sägeblatt parallel zu der dritten Randkante von der ersten Randkante zu der gegenüberliegenden Randkante geführt wird.In a first embodiment The invention extends at least one expansion joint in one Marginal edge region from a first marginal edge to an opposite edge Edge edge parallel to a third edge. This structure has the Advantage that the expansion joint with a simple sawing technique can be introduced by placing a saw blade parallel to the third Edge edge is guided from the first peripheral edge to the opposite edge edge.

In einer weiteren Ausführungsform der Erfindung kreuzen sich die Dehnungsfugen der Randkantenbereiche. Dieses ist immer dann von Vorteil, wenn nicht nur ein einzelner Randkantenbereich mit Außenkontaktflächen belegt ist oder wenn nur zwei einander gegenüberliegende Randkantenbereiche mit Außenkontaktflächen belegt sind, sondern wenn drei oder vier Randkantenbereiche Außenkontaktflächen aufweisen.In a further embodiment According to the invention, the expansion joints of the marginal edge regions intersect. This is always an advantage, if not just an individual Edge edge area occupied by external contact surfaces or if only two opposing marginal edge areas occupied by external contact surfaces but when three or four marginal edge regions have external contact surfaces.

In einer weiteren bevorzugten Ausführungsform der Erfindung wird der zentrale Bereich von einer geschlossenen Dehnungsfuge umgeben. Eine derartige geschlossene Dehnungsfuge kann vorzugsweise mit entsprechenden Formstücken eingebracht werden. Mit Formstücken ist es möglich, den Verlauf der Dehnungsfugen beliebig zu gestalten. Dabei können die Formstücke Teil einer Bodenplatte, einer Spritzgussform oder einer Dispensform sein, oder sie können als Einlegeformstücke vor einem Spritzgießen oder einem Dispensen an geeigneten Stellen positioniert werden.In a further preferred embodiment the invention is the central area of a closed Surrounding expansion joint. Such a closed expansion joint can preferably be introduced with appropriate fittings. With fittings Is it possible, to make the course of the expansion joints as desired. The can fittings Part of a base plate, an injection mold or a Dispensform be, or you can as insert fittings before injection molding or dispensing at appropriate locations.

In einer weiteren vorteilhaften Ausführungsform der Erfindung sind zusätzliche Dehnungsfugen zwischen den Außenkontaktflächen angeordnet. Durch diese quer zu den Dehnungsfugen zwischen dem Randkantenbereich und dem zentralen Bereich angeordneten Dehnungsfugen ergibt sich eine Nachgiebigkeit jedes einzelnen Außenkontaktes, da er ringsherum von einer Dehnungsfuge umgeben ist. Diese Möglichkeit kann noch weiter gesteigert werden, wenn derartige Dehnungsfugen, die zwischen den Außenkontaktflächen angeordnet sind, die gesamte Kunststoffgehäusehöhe durchdringen bzw. durchtrennen. In diesem Fall entsteht ein aus Kunststoffgehäusemasse hergestelltes "Pseudobeinchen", das ähnlich nachgiebige Eigenschaften aufweist wie die Flachdrahtbeinchen herkömmlicher integrierter Halbleiterbauteile.In a further advantageous embodiment of the invention additional Expansion joints between the outer contact surfaces arranged. By this transverse to the expansion joints between the marginal edge region and the expansion joints arranged in the central area results in a Indulgence of each external contact as he around surrounded by an expansion joint. This possibility can be even further be increased when such expansion joints between the External contact surfaces arranged are, penetrate the entire plastic housing height or sever. In this case, a plastic housing compound is formed made "pseudobeinchen", the similar yielding Has properties as the Flachdrahtbeinchen conventional integrated semiconductor devices.

In einer weiteren bevorzugten Ausführungsform der Erfindung ist der Halbleiterchip in der Kunststoffgehäusemasse auf einer Chipinsel eines Flachleiteranschlusses angeordnet. Darüber hinaus weisen die Außenkontakte in der Kunststoffgehäusemasse eingebettete Flachleiterstücke auf, die mindestens eine von Kunststoffgehäusemasse freie Außenkontaktfläche auf der Unterseite besitzen. Dabei weisen die Dehnungsfugen auf der Unterseite des Kunststoffgehäuses eine Tiefe auf, die größer ist, als die Dicke der Flachleiterstücke beziehungsweise des Flachleiteranschlusses für das Aufbringen des Halbleiterchips. Derart tiefe Dehnungsfugen fördern die Nachgiebigkeit der in dem Randkantenbereich angeordneten Außenkontakte.In a further preferred embodiment The invention relates to the semiconductor chip in the plastic housing composition arranged on a chip island of a flat conductor connection. Furthermore assign the external contacts in the plastic housing compound embedded flat conductor pieces on, the at least one plastic housing compound free outer contact surface own the bottom. In this case, the expansion joints on the Bottom of the plastic housing a depth that's bigger as the thickness of the flat conductor pieces or the flat conductor connection for the application of the semiconductor chip. To promote such deep expansion joints the resilience of the arranged in the peripheral edge region external contacts.

Weiterhin ist es möglich, dass der Halbleiterchip in einer Kunststoffgehäusemasse auf einem Verdrahtungssubstrat angeordnet ist, wobei das Verdrahtungssubstrat Außenkontaktflächen auf der Unterseite und Kontaktanschlussflächen auf der Oberseite aufweist, und wobei der Halbleiterchip über Bondverbindungselemente mit den Kontaktanschlussflächen elektrisch in Verbindung steht. In diesem Fall ist es auch möglich, dass die Dehnungsfugen das Verdrahtungssubstrat vollständig durchdringen und bis in die Kunststoffgehäusemasse reichen und damit eine Tiefe aufweisen, die größer ist als die Dicke des Verdrahtungssubstrats. Diese Ausführungsform der Erfindung verbessert ebenfalls die Nachgiebigkeit der Außenkontakte des Halbleiterbauteils.Farther Is it possible, that the semiconductor chip in a plastic package on a wiring substrate is arranged, wherein the wiring substrate on external contact surfaces the underside and contact pads on the top, and wherein the semiconductor chip via bond connection elements with the contact pads electrically connected. In this case it is also possible that the expansion joints completely penetrate the wiring substrate and into the plastic housing compound rich and thus have a depth that is greater than the thickness of the wiring substrate. This embodiment of the Invention also improves the resilience of the external contacts of the semiconductor device.

Bei Halbleiterbauteilen, die einen Halbleiterchip mit Flipchipkontakten aufweisen, wird ein Verdrahtungssubstrat eingesetzt, das auf seiner Unterseite die Außenkontaktflächen aufweist und auf seiner Oberseite nicht vereinzelte Kontaktanschlussflächen, sondern vielmehr eine Verdrahtungsstruktur besitzt. Diese Verdrahtungsstruktur könnte beim Einbringen von Dehnungsfugen gefährdet sein. Deshalb ist in diesen Fällen die Tiefe der Dehnungsfugen geringer als die Dicke des Verdrahtungssubstrats.In semiconductor devices having a semiconductor chip with flip-chip contacts, a wiring substrate is used, which has the outer contact surfaces on its underside and on its upper side not sporadic contact pads, but rather has a wiring structure. This wiring structure could be compromised when introducing expansion joints. Therefore, in these cases, the depth of the expansion joints ge less than the thickness of the wiring substrate.

Ein Verfahren zur Herstellung mehrerer Halbleiterbauteile mit einem Kunststoffgehäuse und teilweise in Kunststoff eingebetteten Außenkontakten weist die nachfolgenden Verfahrenschritte auf. Zunächst wird ein Schaltungsträger zur Herstellung mehrerer Halbleiterbauteile in Halbleiterbauteilpositionen bereitgestellt. Dabei weisen die Halbleiterbauteilpositionen eine zentrale Chipanschlussfläche und die Chipanschlussfläche umgebende Außenkontaktkörper auf. Als nächster Schritt werden Halbleiterchips auf der Chipanschlussfläche der Halbleiterbauteilpositionen fixiert. Danach kann ein Formköper zwischen der Chipanschlussfläche und den Außenkontaktkörpern eingebracht werden, wobei der Formkörper in seinem Querschnitt und seiner Größe den in der Kunststoffmasse vorgesehenen Dehnungsfugen entspricht. Dieser Formkörper kann auch Teil einer Grundplatte einer Spritzgussform und/oder einer Dispensform sein, so dass die Dehnungsfugen automatisch beim Spritzgießen beziehungsweise beim Dispensen in die Kunststoffgehäusemasse eingeprägt werden.One Method for producing a plurality of semiconductor components with a Plastic housing and partially embedded in plastic external contacts has the following Procedural steps on. First becomes a circuit carrier for producing a plurality of semiconductor devices in semiconductor device positions provided. In this case, the semiconductor device positions have a central chip interface and the chip pad surrounding external contact body on. Next Stepping semiconductor chips on the chip pad of the Fixed semiconductor device positions. After that, a formed body between the chip interface and the outer contact bodies introduced be, wherein the shaped body in its cross section and its size in the plastic mass provided expansion joints corresponds. This shaped body can also part of a base plate of an injection mold and / or a Dispensform be, so that the expansion joints automatically during injection molding respectively be impressed during dispensing in the plastic housing composition.

Nun können die Verbindungselemente zwischen dem Halbleiterchip und den Außenkontaktkörpern durch Anbringen von Verbindungselementen elektrisch miteinander verbunden werden. Danach erfolgt ein Einbetten der Halbleiterchips, der Verbindungselemente, des Formkörpers und der Außenkontaktkörper in eine Kunststoffgehäusemasse unter Freilassen von Außenkontaktflächen der Außenkontaktkörper und einer Seite des Formkörpers, der auf der Unterseite in den Halbleiterbauteilpositionen angeordnet ist. Nach dem Einbetten kann der Formkörper unter Ausbildung von Dehnungsfugen von der Unterseite des Kunststoffgehäuses entfernt werden. Dies geschieht nach oder auch noch vor dem Auftrennen des Schaltungsträgers in einzelne Halbleiterbauteile.Now can the connecting elements between the semiconductor chip and the external contact bodies Attaching connecting elements electrically connected to each other become. Thereafter, an embedding of the semiconductor chips, the connecting elements, of the molding and the external contact body in a plastic housing compound under release of external contact surfaces of External contact body and one side of the molding, arranged on the bottom in the semiconductor device positions is. After embedding, the molded body with the formation of expansion joints be removed from the bottom of the plastic housing. This happens after or even before the separation of the circuit board in individual semiconductor components.

Dieses Verfahren hat den Vorteil, dass die Halbleiterbauteile kostengünstig hergestellt und kostengünstig mit Dehnungsfugen ausgestattet werden können, da lediglich die Bodenplatte der Spritzgussform und/oder der Dispensform entsprechend mit kleinem bandförmigen, auf einer Schmalseite stehenden Formkörper auszustatten sind. Das Einbringen von Formkörpern ermöglicht es auch, nicht nur zwischen der Chipanschlussfläche und den Außenkontaktkörpern, sondern auch rund um die Außenkontakte Formkörper zu positionieren, so dass jeder Außenkontakt individuell in Kunststoffgehäusemasse eingebettet werden kann und wie ein Flachdrahtbeinchen herkömmlicher Bauart nachgiebig wird.This Method has the advantage that the semiconductor devices manufactured inexpensively and cost-effective can be equipped with expansion joints, as only the bottom plate the injection mold and / or the Dispensform according to small ribbon-like, Equipped on a narrow side moldings are. The Introduction of moldings allows it also, not only between the chip pad and the outer contact bodies, but also around the external contacts moldings to position so that each external contact is embedded individually in plastic housing compound can be and yield like a Flachdrahtbeinchen conventional design becomes.

Das Entfernen des Formkörpers unter Ausbilden von Dehnungsfugen auf der Unterseite des Kunststoffgehäuses kann mittels Ätztechnik, Lösungsmitteln oder Veraschungstechnik erfolgen, wenn der Formkörper ein selbst tragender Körper ist und nicht eine Struktur einer Bodenplatte einer Spritzgussform ist. Dabei ist die Veraschungstechnik von Vorteil, zumal sie es er möglicht, durch Plasmazerstäubung gleichzeitig die Unterseite des Halbleiterbauteils zu polieren und auch Außenkontaktflächen zu reinigen und freizulegen.The Removing the molding forming expansion joints on the underside of the plastic housing by etching, solvents or ashing technique take place when the shaped body is a self-supporting body and is not a structure of a bottom plate of an injection mold. In this case, the ashing technology is advantageous, especially since it enables it, by plasma atomization at the same time to polish the bottom of the semiconductor device and also external contact surfaces too clean and expose.

Es ergibt sich eine andere Kostenstruktur, wenn nachträglich die Dehnungsfugen einzusägen sind oder durch Laserablation einzubringen sind, weil dazu ein zusätzlicher Fertigungsschritt mit zusätzlichen Werkzeugen erforderlich wird. Die Kosten beim Sägeschritt können dadurch verringert werden, dass Multi-Blade-Sägen für das Einbringen von Dehnungsnuten eingesetzt werden. Insbesondere sind diese Multi-Blade-Sägen in vorteilhafter Weise einsetzbar, wenn Dehnungsfugen auch zwischen Außenkontaktflächen in die Kunststoffgehäusemasse einzubringen sind, da mit einem einzigen Sägeschnitt jeder Randkantenbereich mit entsprechenden Dehnungsfugen zwischen den Außenkontaktflächen versehen werden kann.It This results in a different cost structure, if subsequently the Saw expansion joints are or by laser ablation are because an additional Production step with additional Tools is required. The costs of the sawing step can be reduced thereby that multi-blade saws for the Insertion of expansion grooves can be used. In particular, these are Multi-blade saws used advantageously, if expansion joints also between External contact surfaces in to introduce the plastic housing compound are there with a single saw cut each Edge edge area with corresponding expansion joints between the Provided external contact surfaces can be.

Anstelle der Sägetechnik ist auch die Möglichkeit gegeben, das Einbringen von Dehnungsfugen in die Kunststoffgehäusemasse mit einer Laserablation zu erreichen. Die Laserablation hat den Vorteil, dass auch unterschiedliche Materialien, wie ein Verdrahtungssubstrat und eine Kunststoffgehäusemasse, bis zu einer vorgegebenen Tiefe abgetragen werden können.Instead of the sawing technique is also the possibility given, the introduction of expansion joints in the plastic housing composition to achieve with a laser ablation. The laser ablation has the Advantage that also different materials, such as a wiring substrate and a plastic housing compound, can be removed to a predetermined depth.

Bei dem Zusammenbau des Halbleiterbauteils mit Dehnungsfugen kann der Halbleiterchip auf eine Chipanschlussfläche geklebt oder gelötet werden. Dabei wird häufig ein elektrisch leitender Klebstoff verwand.at the assembly of the semiconductor device with expansion joints of the Semiconductor chip glued or soldered to a chip pad. It becomes common an electrically conductive adhesive.

Das Anbringen von Verbindungselementen zwischen dem Halbleiterchip und den Außenkontaktkörpern kann vorzugsweise mittels Bondtechnik erfolgen. Dazu werden Bonddrähte auf entsprechenden Kontaktflächen der aktiven Oberseite des Halbleiterchips fixiert und mit entsprechenden Kontaktanschlussflächen auf den Oberseiten der Außenkontaktkörper formschlüssig verbunden. Beim anschließenden Einbetten der Verbindungselemente in einer Kunststoffgehäusemasse wird auch die Oberseite dieser Außenkontaktkörper vollständig in eine Kunststoffgehäusemasse und damit auch die Verbindung zu dem Verbindungselement eingebettet.The Attaching connecting elements between the semiconductor chip and the outer contact bodies can preferably by means of bonding technology. These are bonding wires on corresponding contact surfaces the active top of the semiconductor chip fixed and with corresponding Contact pads positively connected on the upper sides of the outer contact body. In the subsequent Embedding the fasteners in a plastic housing compound Also, the top of this outer contact body is completely in a plastic housing composition and thus also embedded the connection to the connection element.

Eine etwas andere Technik erfordert das Anbringen von Verbindungselementen zwischen einem Halbleiterchip, der Flipchipkontakte aufweist, und einem Verdrahtungssubstrat. Dazu weist das Verdrahtungssubstrat eine Verdrahtungsstruktur auf, die jedoch bei einem nachträglichen Einbringen von Dehnungsfugen nicht zerstört werden kann. Somit ist hier die Tiefe der Dehnungsfugen auf die Dicke des Verdrahtungssubstrats abzustimmen und wird geringer gehalten als die Dicke des Verdrahtungssubstrats.A somewhat different technique requires attaching connectors between a semiconductor die having flip chip contacts and a wiring substrate. For this purpose, the wiring substrate has a wiring structure, which, however, in a subsequent introduction of Deh can not be destroyed. Thus, here, the depth of the expansion joints is tuned to the thickness of the wiring substrate and kept smaller than the thickness of the wiring substrate.

Die Erfindung wird nun anhand der beigefügten Figuren näher erläutert.The The invention will now be described with reference to the accompanying figures.

1 zeigt einen schematischen Querschnitt durch ein Halbleiterbauteil mit oberflächenmontierbaren Außenkontakten, eingebettet in eine Kunststoffgehäusemasse vor dem Einbringen von Dehnungsfugen; 1 shows a schematic cross section through a semiconductor device with surface mountable external contacts embedded in a plastic housing material prior to the introduction of expansion joints;

2 zeigt einen schematischen Querschnitt durch das Halbleiterbauteil gemäß 1 nach Einbringen von Dehnungsfugen in die Kunststoffgehäusemasse gemäß einer ersten Ausführungsform der Erfindung; 2 shows a schematic cross section through the semiconductor device according to 1 after introduction of expansion joints in the plastic housing composition according to a first embodiment of the invention;

3 zeigt eine schematische Untersicht auf das Halbleiterbauteil gemäß der ersten Ausführungsform der Erfindung; 3 shows a schematic bottom view of the semiconductor device according to the first embodiment of the invention;

4 zeigt einen schematischen Querschnitt durch ein Halbleiterbauteil gemäß der zweiten Ausführungsform der Erfindung; 4 shows a schematic cross section through a semiconductor device according to the second embodiment of the invention;

5 zeigt eine schematische Untersicht auf das Halbleiterbauteil gemäß 4; 5 shows a schematic bottom view of the semiconductor device according to 4 ;

6 zeigt einen schematischen Querschnitt durch ein Halbleiterbauteil einer dritten Ausführungsform der Erfindung; 6 shows a schematic cross section through a semiconductor device of a third embodiment of the invention;

7 zeigt eine Untersicht auf das Halbleiterbauteil gemäß der 6; 7 shows a bottom view of the semiconductor device according to the 6 ;

8 zeigt einen schematischen Querschnitt durch ein Halbleiterbauteil gemäß einer vierten Ausführungsform der Erfindung; 8th shows a schematic cross section through a semiconductor device according to a fourth embodiment of the invention;

9 zeigt eine schematische Untersicht auf das Halbleiterbauteil gemäß 8; 9 shows a schematic bottom view of the semiconductor device according to 8th ;

10 zeigt einen schematischen Querschnitt durch ein Halbleiterbauteil einer fünften Ausführungsform der Erfindung; 10 shows a schematic cross section through a semiconductor device of a fifth embodiment of the invention;

11 zeigt einen schematischen Querschnitt durch ein Halbleiterbauteil gemäß einer sechsten Ausführungsform der Erfindung; 11 shows a schematic cross section through a semiconductor device according to a sixth embodiment of the invention;

12 zeigt eine schematische Untersicht auf die Halbleiterbauteile gemäß 10 und 11. 12 shows a schematic bottom view of the semiconductor devices according to 10 and 11 ,

1 zeigt einen schematischen Querschnitt durch ein Halbleiterbauteil 1 mit oberflächenmontierbaren Außenkontakten 8, die in eine Kunststoffgehäusemasse 15 eines Kunststoffgehäuses 7 eingebettet sind. Die Kunststoffgehäusemasse 7 bettet die Kontakte 8 nur teilweise ein, so dass auf der Unterseite 9 des Kunststoffgehäuses eine Außenkontaktfläche 11 frei bleibt. Die Außenkontakte 8 bleiben auch frei von Kunststoffgehäusemasse an den in 1 gezeigten Randkanten 16 und 18 sowie Randseiten 37 und 39 des Kunststoffgehäuses 7. 1 shows a schematic cross section through a semiconductor device 1 with surface-mountable external contacts 8th in a plastic housing compound 15 a plastic housing 7 are embedded. The plastic housing compound 7 embeds the contacts 8th only partially, so on the bottom 9 the plastic housing has an external contact surface 11 remains free. The external contacts 8th stay free of plastic housing compound to the in 1 shown marginal edges 16 and 18 as well as border sides 37 and 39 of the plastic housing 7 ,

Die Außenkontaktkörper 36 sind formschlüssig in den Randkantenbereichen 10 der Kunststoffgehäusemasse 15 verankert. Sie werden aus Enden von Flachleitern eines Flachleiterrahmens gebildet, der mehrere Halbleiterbauteilpositionen aufweist. Nach Aufbau der Halbleiterbauteile können dann aus dem Flachleiterrahmen einzelne Halbleiterbauteile herausgestanzt werden. Ein zentraler Bereich 12 des Halbleiterbauteils 1 weist eine Chipinsel 22 auf einem Flachleiteranschluss 23 auf, auf der ein Halbleiterchip 13 mit seiner Rückseite 41 fixiert ist. Über die Chipanschlussfläche 35 besteht auch eine elektrische Verbindung zu dem Flachleiteranschluss 23 der Chipinsel 22. Auf der Oberseite 42 weist der Halbleiterchip 13 Kontaktflächen 43 auf, die über Bondverbindungselemente 29 aus einem Bonddraht 30 mit Kontaktanschlussflächen 44 der Oberseiten 45 der Außenkontaktkörper 36 elektrisch in Verbindung stehen.The external contact body 36 are positively in the marginal edge areas 10 the plastic housing compound 15 anchored. They are formed from ends of flat conductors of a lead frame having a plurality of semiconductor device positions. After the semiconductor components have been assembled, individual semiconductor components can then be punched out of the leadframe. A central area 12 of the semiconductor device 1 has a chip island 22 on a flat conductor connection 23 on top of which a semiconductor chip 13 with his back 41 is fixed. About the chip interface 35 There is also an electrical connection to the flat conductor connection 23 the chip island 22 , On the top 42 has the semiconductor chip 13 contact surfaces 43 on that over bond fasteners 29 from a bonding wire 30 with contact pads 44 the tops 45 the external contact body 36 communicate electrically.

Ein derartiges Halbleiterbauteil 1 ist bei hybriden Aufbauten beziehungsweise Modulen für unterschiedliche Aufgaben auf einem Träger beziehungsweise einer Schaltungsplatine befestigt.Such a semiconductor device 1 is mounted in hybrid structures or modules for different tasks on a support or a circuit board.

Aufgrund ihrer Aufgaben weist das Halbleiterbauteil 1 und der Träger unterschiedliche Materialien auf, welche in der Regel unterschiedliche thermische Ausdehnungskoeffizienten haben. Dabei kommt es zu mechanischen Spannungen zwischen den Komponenten wie dem Halbleiterbauteil und dem Träger. Diese werden je nach dem weiteren mechanischen Aufbau von dem Verbindungsmaterial für die Oberflächenmontage, z.B. vom Lot, aufgenommen. Wechselnde mechanische Spannungszustände führen mit der Zeit zu einer Zerstörung der Verbindung.Because of its tasks, the semiconductor device 1 and the carrier on different materials, which usually have different thermal expansion coefficients. This results in mechanical stresses between the components such as the semiconductor device and the carrier. These are recorded depending on the further mechanical structure of the bonding material for surface mounting, for example, the solder. Alternating mechanical stress states lead over time to a destruction of the connection.

Auch das Halbleiterbauteil selbst besteht aus unterschiedlichen Materialien mit verschiedenen Ausdehnungskoeffizienten der zusammengebauten Komponenten. Wobei der Ausdehnungskoeffizient des hier als Flachleiter eingesetzten Kupfers ungefähr 16 ppm/°K und der hier in die Kunststoffgehäusemasse eingebettete Siliziumhalbleiterchip einen thermischen Ausdehnungskoeffizienten von nur 3-4 ppm/°K aufweist. Deshalb wird versucht die Verbindung zwischen dem Kupferschaltungsträger für den Siliziumhalbleiterchip zu stärken. Dazu wird das Material des Lötvorgangs optimiert, was jedoch mit einem hohen Aufwand an Kosten verbunden ist. Bei herkömmlichen Halbleiterbauelementen mit einem Kunststoffgehäuse und herausragenden Beinchen aus Flachdraht wird das Problem der zuverlässigen elektrischen Verbindungen zwischen den aus Flachdraht bestehenden Leitungen und einer übergeordneten Schaltungsplatine durch die Nachgiebigkeit dieser Beinchen aus Flachdrähten bewirkt. Bei dem hier in 1 gezeigten QFN-Halbleiterbauteil, das zum großen Teil eingebettete Außenkontaktkörper 36 aufweist, ist dies nicht ohne weiteres möglich.Also, the semiconductor device itself consists of different materials with different coefficients of expansion of the assembled components. Where the coefficient of expansion of the copper used here as a flat conductor about 16 ppm / ° K and embedded here in the plastic housing composition silicon semiconductor chip has a coefficient of thermal expansion of only 3-4 ppm / ° K. Therefore, an attempt is made to strengthen the connection between the copper circuit carrier for the silicon semiconductor chip. For this, the material of the soldering process is optimized, but this is associated with a high cost of costs. In conventional semiconductor devices with a Plastic housing and protruding legs of flat wire, the problem of reliable electrical connections between the flat wire lines and a parent circuit board caused by the flexibility of these legs of flat wires. At the here in 1 shown QFN semiconductor device, the largely embedded external contact body 36 this is not readily possible.

Um diese Probleme zu mildern, zeigt die 2 das gleiche Halbleiterbauteil 1, jedoch nun mit den erfindungsgemäßen Dehnungsfugen 14, die exakt zwischen den Außenkontaktkörpern 36 und dem zentralen Bereich 12 mit Schaltungsträger 34 und dem darauf angeordneten Halbleiterchip 13 angeordnet sind. Dadurch entstehen im Randkantenbereich 10 des Halbleiterbauteils 1 sogenannte "Pseudobeinchen", welche eine ähnliche Nachgiebigkeit gegenüber thermischen Spannungen aufweisen, wie die herkömmlichen Flachdrahtbeinchen von integrierten Schaltungen.To mitigate these problems, shows the 2 the same semiconductor device 1 , but now with the expansion joints according to the invention 14 that is exactly between the outer contact bodies 36 and the central area 12 with circuit carrier 34 and the semiconductor chip arranged thereon 13 are arranged. This results in the marginal edge area 10 of the semiconductor device 1 so-called "pseudobeads" which have a similar compliance to thermal stresses as the conventional flat-wire legs of integrated circuits.

Eine derartige Dehnungsfuge 14 kann in zweierlei Weise eingebracht werden, einerseits durch nachträgliches Sägen und andererseits durch Einlegen eines Formteils, das nach dem Herstellen des Kunststoffgehäuses 7 aus der Dehnungsfuge 14 entfernt wird.Such expansion joint 14 can be introduced in two ways, on the one hand by subsequent sawing and on the other hand by inserting a molded part, which after the manufacture of the plastic housing 7 from the expansion joint 14 Will get removed.

3 zeigt eine schematische Untersicht auf das Halbleiterbauteil 1 gemäß der ersten Ausführungsform der Erfindung. In dieser Untersicht wird gezeigt, dass es bei QFN-Halbleiterbauteilen problemlos möglich ist, nachträglich, d.h. nach dem Spritzgussvorgang des Kunststoffgehäuses 7, Dehnungsfugen 14 parallel zu den Randkanten 16, 17, 18 und 19 durch Sägen einzubringen, wobei die in 2 gezeigte Tiefe t der Sägenut größer ist als die Dicke d der Flachleiterstücke 24, aus denen die Außenkontaktkörper 36 hergestellt sind. Außerdem ist der Zwischenraum zwischen Außenkontaktstücken 8 und der Halbleiterchipinsel 22 groß genug, um eine entsprechend breite Dehnungsfuge 14 mit der entsprechenden Tiefe t einzubringen. Diese Tiefe t muss für einen ganzen Satz Halbleiterbauteile auf einem Flachleiterrahmen nur einmal eingestellt werden, und dann kann bereits das Einsägen geradlinig durchgeführt werden. Die Spuren der eingesägten Dehnungsfugen 14 sind auch auf den Randseiten 37, 38, 39 und 40 sichtbar. 3 shows a schematic bottom view of the semiconductor device 1 according to the first embodiment of the invention. In this sub-view is shown that it is easily possible with QFN semiconductor devices, subsequently, ie after the injection molding of the plastic housing 7 , Expansion joints 14 parallel to the edges 16 . 17 . 18 and 19 by sawing, the in 2 shown depth t of the saw groove is greater than the thickness d of the flat conductor pieces 24 , from which the external contact body 36 are made. In addition, the gap between external contact pieces 8th and the semiconductor chip island 22 big enough to have a correspondingly wide expansion joint 14 with the corresponding depth t. This depth t only needs to be set once for a whole set of semiconductor devices on a leadframe, and then the sawing can be done in a straight line. The traces of the sawed expansion joints 14 are also on the margins 37 . 38 . 39 and 40 visible, noticeable.

4 zeigt einen schematischen Querschnitt durch ein Halbleiterbauteil 2 gemäß einer zweiten Ausführungsform der Erfindung. Komponenten mit gleichen Funktionen wie in den 1 bis 3 werden mit gleichen Bezugszeichen gekennzeichnet und nicht extra erörtert. Auch in dieses Halbleiterbauteil 2 wurden Dehnungsfugen 14 zwischen den Randkantenbereichen 10 mit den Außenkontaktkörpern 36 und einem zentralen Bereich 12 mit dem Halbleiterchip 13 entweder durch Einlegen eines Formstückes oder durch Einsägen nach der Fertigstellung des Kunststoffgehäuses 7 eingebracht. Sowohl bei der Säge- als auch bei der Formstückvariante erlauben es die "Pseudobeinchen", die dabei entstehen, sich elastisch gegenüber dem übrigen Kunststoffkörper zu bewegen und damit die bei thermischer Belastung auftretenden Spannungen analog wie bei herkömmlichen Flachdrahtbeinchen durch elastische Verformung aufzunehmen. 4 shows a schematic cross section through a semiconductor device 2 according to a second embodiment of the invention. Components with the same functions as in the 1 to 3 are denoted by like reference numerals and will not be discussed separately. Also in this semiconductor device 2 were expansion joints 14 between the marginal edge areas 10 with the external contact bodies 36 and a central area 12 with the semiconductor chip 13 either by inserting a fitting or by sawing after the completion of the plastic housing 7 brought in. Both in the saw and in the fitting variant, the "pseudo-bits" that arise during this move elastically with respect to the rest of the plastic body and thus absorb the stresses occurring under thermal stress analogously to conventional flat-wire legs by elastic deformation.

Diese elastische Verformung wird hier lediglich in der Kunststoffgehäusemasse vollzogen. Dabei sorgt die anspruchsvolle Verankerung der QFN-Außenkontaktkörper 8 dafür, dass die Außenkontaktkörper 8 in der Kunststoffgehäusemasse 15 verbleiben und nicht ausbrechen. Der Unterschied bei dieser Querschnittsansicht des Halbleiterbauteils 2 gegenüber dem in 2 gezeigten Halbleiterbauteil 1 der ersten Ausführungsform der Erfindung besteht darin, dass die Dehnungsfuge 14 mit einer gummielastischen Masse 33 aufgefüllt ist. Damit wird sichergestellt, dass bei der Oberflächenmontage kein Lötzinn die Funktion der Dehnungsfuge 14 blockiert.This elastic deformation is performed here only in the plastic housing composition. The sophisticated anchoring of the QFN outer contact bodies ensures this 8th for the external contact body 8th in the plastic housing compound 15 stay and do not break out. The difference in this cross-sectional view of the semiconductor device 2 opposite to the 2 shown semiconductor device 1 The first embodiment of the invention is that the expansion joint 14 with a rubber-elastic mass 33 is filled up. This ensures that in the surface mounting no solder tin the function of the expansion joint 14 blocked.

5 zeigt eine schematische Untersicht auf das Halbleiterbauteil 2 gemäß 4, wobei sich die Untersicht in keiner Weise von der in 3 gezeigten Untersicht unterschei det, so dass auf eine erneute Erläuterung zur Vermeidung von Wiederholungen verzichtet wird. 5 shows a schematic bottom view of the semiconductor device 2 according to 4 , wherein the bottom view in no way from the in 3 Sub-view shown differs det, so that a further explanation to avoid repetition is omitted.

6 zeigt einen schematischen Querschnitt durch ein Halbleiterbauteil 3 gemäß der dritten Ausführungsform der Erfindung. Komponenten mit gleichen Funktionen wie in vorherigen Figuren werden mit gleichen Bezugszeichen gekennzeichnet und nicht extra erörtert. Der Unterschied zu den vorherigen Ausführungsformen besteht darin, dass hier zusätzlich zu den Dehnungsfugen 14 zwischen dem Randkantenbereich 10 und dem zentralen Bereich 12 Querfugen 21 als Dehnungsfugen eingebracht sind, wobei in dem Querschnitt der 6 eine gestrichelte Linie 46 den Radius eines Sägeblattes andeutet, das von den Randseiten 37 beziehungsweise 39 aus in Richtung auf die Dehnungsfuge 14 in die Kunststoffgehäusemasse 15 des Kunststoffgehäuses 7 hinein gefahren wurde. Derartige zusätzliche Querfugen 21 als Dehnungsfugen können mit einer Multi-Blade-Säge gleichzeitig zwischen einer Mehrzahl von Außenkontaktkörpern 8 in die Kunststoffgehäusemasse 15 eingebracht werden. Mit dieser zusätzlichen Maßnahme nähern sich die Außenkontakte 8 eines QFN-Gehäuses in ihren Eigenschaften noch stärker den Eigenschaften von Flachdrahtbeinchen herkömmlicher integrierter Halbleiterbauteile. Dieses wird besonders deutlich mit der nächsten Figur. 6 shows a schematic cross section through a semiconductor device 3 according to the third embodiment of the invention. Components having the same functions as in previous figures are identified by the same reference numerals and will not be discussed separately. The difference from the previous embodiments is that here in addition to the expansion joints 14 between the marginal edge region 10 and the central area 12 Querfugen 21 are introduced as expansion joints, wherein in the cross section of 6 a dashed line 46 indicates the radius of a saw blade, that of the edge sides 37 respectively 39 out in the direction of the expansion joint 14 in the plastic housing compound 15 of the plastic housing 7 was driven into it. Such additional transverse joints 21 as expansion joints can simultaneously with a multi-blade saw between a plurality of external contact bodies 8th in the plastic housing compound 15 be introduced. With this additional measure, the external contacts are approaching 8th a QFN housing in their properties even more the properties of Flachdrahtbeinchen conventional semiconductor integrated components. This becomes particularly clear with the next figure.

7 zeigt eine Untersicht auf das Halbleiterbauteil 4 gemäß 6, wobei nun Dehnungsfugen rund um jeden Außenkontakt 8 geführt sind. 7 shows a bottom view of the semiconductor device 4 according to 6 , where now expansion joints around each external contact 8th are guided.

8 zeigt einen schematischen Querschnitt durch ein Halbleiterbauteil 4 gemäß einer vierten Ausführungsform der Erfindung, wobei diese Querschnittsansicht der 2 entspricht, so dass sich eine Erläuterung erübrigt. Erst mit der zugehörigen Unteransicht in 9 werden die Unterschiede zu den vorhergehenden Ausführungsformen deutlich. 8th shows a schematic cross section through a semiconductor device 4 according to a fourth embodiment of the invention, this cross-sectional view of 2 corresponds, so that an explanation is unnecessary. Only with the associated lower view in 9 the differences to the previous embodiments are clear.

9 zeigt eine schematische Untersicht auf das Halbleiterbauteil 4 gemäß 8. In dieser Ausführungsform der Erfindung ist eine umlaufende Dehnungsfuge 20 um den zentralen Bereich 12 angeordnet, während weitere Dehnungsfugen in den Eckbereichen des Halbleiterbauteils dafür sorgen, dass diese Eckbereiche nicht ausbrechen. Außerdem kann diese Art der Dehnungsfugen dadurch erweitert werden, dass noch zusätzlich Dehnungsfugen um jeden Außenkontakt herum eingebracht werden. 9 shows a schematic bottom view of the semiconductor device 4 according to 8th , In this embodiment of the invention is a circumferential expansion joint 20 around the central area 12 arranged, while further expansion joints in the corner regions of the semiconductor device ensure that these corner areas do not break out. In addition, this type of expansion joints can be extended by additionally introducing expansion joints around each external contact.

Derartige insbesondere geschlossene Dehnungsfugen 20 können durch Einlegen von Formstücken auf die Bodenplatte einer Spritzgussform erreicht werden. Sind diese Formstücke nicht einstückig mit der Bodenplatte verbunden, so können die Formstücke auch nachträglich aus der Kunststoffgehäusemasse 15 entweder herausgeätzt oder herausgelöst werden, je nachdem ob die Formstücke aus einem lösbaren Kunststoff oder einem ätzbaren Metall bestehen.Such particular closed expansion joints 20 can be achieved by inserting fittings on the bottom plate of an injection mold. Are these fittings not integrally connected to the bottom plate, the fittings can also be retrofitted from the plastic housing composition 15 either etched out or removed, depending on whether the fittings are made of a detachable plastic or an etchable metal.

10 zeigt einen schematischen Querschnitt durch ein Halbleiterbauteil 5 einer fünften Ausführungsform der Erfindung. Der Unterschied zu den bisherigen Halbleiterbauteilen besteht darin, dass hier kein Flachleiterrahmen als Schaltungsträger 34 eingesetzt ist sondern ein Verdrahtungssubstrat 25 zum Einsatz kommt. Da auch hier die Verbindung zwischen einer Kontaktanschlussfläche 26 auf der Oberseite 28 des Verdrahtungssubstrats 25 über ein Bondverbindungselement 29 mit der Kontaktfläche 43 des Halbleiterchips 13 vorhanden ist, kann die Tiefe t der Dehnungsfuge 14 größer sein als die Dicke D des Verdrahtungssubstrats. Die Außenkontakte 8 auf der Unterseite 27 des Verdrahtungssubstrats 25 sind über Durchkontakte 47 mit den Kontaktanschlussflächen 26 verbunden. 10 shows a schematic cross section through a semiconductor device 5 a fifth embodiment of the invention. The difference to the previous semiconductor components is that here no leadframe as a circuit carrier 34 is used but a wiring substrate 25 is used. Here, too, the connection between a contact pad 26 on the top 28 of the wiring substrate 25 via a bond connection element 29 with the contact surface 43 of the semiconductor chip 13 is present, the depth t of the expansion joint 14 greater than the thickness D of the wiring substrate. The external contacts 8th on the bottom 27 of the wiring substrate 25 are over contacts 47 with the contact pads 26 connected.

Demgegenüber zeigt 11 einen schematischen Querschnitt durch ein Halbleiterbauteil 6 einer sechsten Ausführungsform der Erfindung, bei dem die Tiefe t der Dehnungsfuge 14 äußerst begrenzt ist. Dieses liegt daran, dass der Halbleiterchip 13 über Flipchipkontakte 31 mit einer Verdrahtungsstruktur 32 auf der Oberseite 28 des Verdrahtungssubstrats 25 elektrisch verbunden ist. Somit kann bei einem nachträglichen Einbringen der Dehnungsfuge 14 durch Sägen in das Verdrahtungssubstrat 25 die Tiefe t der Dehnungsfuge 14 nicht die Dicke D des Verdrahtungssubstrats 25 überschreiten, sondern muss geringer sein, um die Verdrahtungsstruktur 32 auf der Oberseite 28 des Verdrahtungssubstrats 25 zu schonen.In contrast, shows 11 a schematic cross section through a semiconductor device 6 a sixth embodiment of the invention, wherein the depth t of the expansion joint 14 is extremely limited. This is because the semiconductor chip 13 via flipchip contacts 31 with a wiring structure 32 on the top 28 of the wiring substrate 25 electrically connected. Thus, in a subsequent introduction of the expansion joint 14 by sawing into the wiring substrate 25 the depth t of the expansion joint 14 not the thickness D of the wiring substrate 25 but must be lower to the wiring structure 32 on the top 28 of the wiring substrate 25 to protect.

12 zeigt eine schematische Untersicht auf die Halbleiterbauteile gemäß 10 und 11, wobei diese schematische Untersicht sich nicht von der in 3 gezeigten schematischen Untersicht unterscheidet und folglich auf eine erneute Erörterung verzichtet wird. 12 shows a schematic bottom view of the semiconductor devices according to 10 and 11 , this schematic bottom view does not differ from the in 3 shows a different schematic bottom view and therefore renouncing a further discussion.

11
Halbleiterbauteil (1. Ausführungsform)Semiconductor device (1st embodiment)
22
Halbleiterbauteil (2. Ausführungsform)Semiconductor device (2nd embodiment)
33
Halbleiterbauteil (3. Ausführungsform)Semiconductor device (3rd embodiment)
44
Halbleiterbauteil (4. Ausführungsform)Semiconductor device (4th embodiment)
55
Halbleiterbauteil (5. Ausführungsform)Semiconductor device (5th embodiment)
66
Halbleiterbauteil (6. Ausführungsform)Semiconductor device (6th Embodiment)
77
KunststoffgehäusePlastic housing
88th
Außenkontaktoutside Contact
99
Unterseite des Kunststoffgehäusesbottom of the plastic housing
1010
RandkantenbereichMarginal edge region
1111
AußenkontaktflächeExternal contact area
1212
zentraler Bereichcentrally Area
1313
HalbleiterchipSemiconductor chip
1414
Dehnungsfugeexpansion
1515
KunststoffgehäusemassePlastic housing composition
1616
erste Randkantefirst edge
1717
zweite Randkantesecond edge
1818
dritte Randkantethird edge
1919
vierte Randkantefourth edge
2020
geschlossene Dehnungsfugeclosed expansion
2121
Querfuge zwischen Außenkontaktentransverse joint between external contacts
2222
Chipinselchip island
2323
FlachleiteranschlussBeam lead
2424
FlachleiterstückeLead pieces
2525
Verdrahtungssubstratwiring substrate
2626
KontaktanschlussflächeContact pad
2727
Unterseite des Verdrahtungssubstratsbottom of the wiring substrate
2828
Oberseite des Verdrahtungssubstratstop of the wiring substrate
2929
BondverbindungselementBond connecting element
3030
Bonddrahtbonding wire
3131
FlipchipkontaktFlipchipkontakt
3232
Verdrahtungsstrukturwiring structure
3333
gummielastisches Materialelastomeric material
3434
Schaltungsträgercircuit support
3535
ChipanschlussflächeChip pad
3636
AußenkontaktkörperExternal contact body
3737
Randseite des Kunststoffgehäusesedge side of the plastic housing
3838
Randseite des Kunststoffgehäusesedge side of the plastic housing
3939
Randseite des Kunststoffgehäusesedge side of the plastic housing
4040
Randseite des Kunststoffgehäusesedge side of the plastic housing
4141
Rückseite des Halbleiterchipsback of the semiconductor chip
4242
Oberseite des Halbleiterchipstop of the semiconductor chip
4343
Kontaktfläche des HalbleiterchipsContact surface of the Semiconductor chips
4444
Kontaktanschlussfläche des AußenkontaktkörpersContact surface of the External contact body
4545
Oberseite des Außenkontaktkörperstop of the external contact body
4646
gestrichelte Liniedashed line
4747
Durchkontaktby contact
DD
Dicke des Verdrahtungssubstratsthickness of the wiring substrate
dd
Dicke der Flachleiterstückethickness the flat conductor pieces
tt
Tiefe der Dehnungsfugedepth the expansion joint

Claims (22)

Halbleiterbauteil mit einem Kunststoffgehäuse (7) und mit in Kunststoff eingebetteten Außenkontakten (8), wobei die Außenkontakte (8) mindestens auf der Unterseite (9) des Kunststoffgehäuses (7) frei zugänglich sind und im unteren Randkantenbereich (10) angeordnet sind, und wobei zwischen dem Randkantenbereich (10) mit frei zugänglichen Außenkontaktflächen (11) der Außenkontakte (8) und einem zentralen Bereich (12) des Kunststoffgehäuses (7), in dem ein Halbleiterchip (13) angeordnet ist, eine Dehnungsfuge (14) in der Kunststoffgehäusemasse (15) auf der Unterseite des Gehäuses (7) angeordnet ist.Semiconductor component with a plastic housing ( 7 ) and with embedded in plastic external contacts ( 8th ), whereby the external contacts ( 8th ) at least on the underside ( 9 ) of the plastic housing ( 7 ) are freely accessible and in the lower marginal edge area ( 10 ) are arranged, and wherein between the marginal edge region ( 10 ) with freely accessible external contact surfaces ( 11 ) of external contacts ( 8th ) and a central area ( 12 ) of the plastic housing ( 7 ), in which a semiconductor chip ( 13 ), an expansion joint ( 14 ) in the plastic housing compound ( 15 ) on the underside of the housing ( 7 ) is arranged. Halbleiterbauteil nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass sich mindestes eine Dehnungsfuge (14) in einem Randkantenbereich (10) von einer ersten Randkante (16) zu einer gegenüberliegenden Randkante (18) parallel zu einer dritten Randkante (17) erstreckt.Semiconductor component according to claim 1, characterized in that at least one expansion joint ( 14 ) in a marginal edge region ( 10 ) from a first edge ( 16 ) to an opposite edge ( 18 ) parallel to a third edge ( 17 ). Halbleiterbauteil nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, dass sich Dehnungsfugen (14) der Randkantenbereiche (10) kreuzen.Semiconductor component according to claim 2, characterized in that expansion joints ( 14 ) of the marginal edge areas ( 10 ). Halbleiterbauteil nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass eine geschlossene Dehnungsfuge (20) den zentralen Bereich (12) umgibt.Semiconductor component according to one of the preceding claims, characterized in that a closed expansion joint ( 20 ) the central area ( 12 ) surrounds. Halbleiterbauteil nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, dass zusätzliche Dehnungsfugen (21) zwischen den Außenkontaktflächen (11) angeordnet sind.Semiconductor component according to one of claims 1 to 3, characterized in that additional expansion joints ( 21 ) between the external contact surfaces ( 11 ) are arranged. Halbleiterbauteil nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, dass der Halbleiterchip (13) in der Kunststoffgehäusemasse (15) auf einer Chipinsel (22) eines Flachleiteranschlusses (23) angeordnet ist, und wobei die Außenkontakte (8) in Kunststoffgehäusemasse (15) eingebettete Flachleiterstücke (24) aufweisen, die mindestens eine von Kunststoffgehäusemasse (15) freie Außenkontaktfläche (11) auf der Unterseite (9) besitzen, und wobei die Dehnungsfugen (14) auf der Unterseite des Kunststoffgehäuses (7) eine Tiefe (t) aufweisen, die größer ist, als die Dicke (d) der Flachleiterstücke (24).Semiconductor component according to one of Claims 1 to 3, characterized in that the semiconductor chip ( 13 ) in the plastic housing compound ( 15 ) on a chip island ( 22 ) of a flat conductor connection ( 23 ), and wherein the external contacts ( 8th ) in plastic housing composition ( 15 ) embedded flat conductor pieces ( 24 ) comprising at least one of plastic housing material ( 15 ) free external contact surface ( 11 ) on the bottom ( 9 ), and wherein the expansion joints ( 14 ) on the underside of the plastic housing ( 7 ) have a depth (t) which is greater than the thickness (d) of the flat conductor pieces ( 24 ). Halbleiterbauteil nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, dass der Halbleiterchip (13) in der Kunststoffgehäusemasse (15) auf einem Verdrahtungssubstrat (25) angeordnet ist, wobei das Verdrahtungssubstrat (25) Außenkontaktflächen (11) auf der Unterseite (27) und Kontaktanschlussflächen (26) auf der Oberseite (28) aufweist, und wobei der Halbleiterchip (13) über Bondverbindungselemente (29) mit den Kontaktanschlussflächen (26) elektrisch in Verbindung steht, und wobei die Dehnungsfugen (14) das Verdrahtungssubstrat (25) durchdringen und eine Tiefe (t) aufweisen, die größer ist als die Dicke (D) des Verdrahtungssubstrats (25).Semiconductor component according to Claim 6, characterized in that the semiconductor chip ( 13 ) in the plastic housing compound ( 15 ) on a wiring substrate ( 25 ), wherein the wiring substrate ( 25 ) External contact surfaces ( 11 ) on the bottom ( 27 ) and contact pads ( 26 ) on the top ( 28 ), and wherein the semiconductor chip ( 13 ) via bond connectors ( 29 ) with the contact pads ( 26 ) is electrically connected, and wherein the expansion joints ( 14 ) the wiring substrate ( 25 ) and have a depth (t) greater than the thickness (D) of the wiring substrate ( 25 ). Halbleiterbauteil nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, dass der Halbleiterchip (13) Flipchipkontakte (31) aufweist und in der Kunststoffgehäusemasse (15) auf einem Verdrahtungssubstrat (25) angeordnet ist, wobei das Verdrahtungssubstrat (25) Außenkontaktflächen (11) auf der Unterseite (27) und eine Verdrahtungsstruktur (32) auf der Oberseite (28) aufweist, und wobei die Dehnungsfugen (14) in dem Verdrahtungssubstrat (25) angeordnet sind und eine Tiefe (t) aufweisen, die geringer ist als die Dicke (D) des Verdrahtungssubstrats (25).Semiconductor component according to one of Claims 1 to 3, characterized in that the semiconductor chip ( 13 ) Flip-chip contacts ( 31 ) and in the plastic housing composition ( 15 ) on a wiring substrate ( 25 ), wherein the wiring substrate ( 25 ) External contact surfaces ( 11 ) on the bottom ( 27 ) and a wiring structure ( 32 ) on the top ( 28 ), and wherein the expansion joints ( 14 ) in the wiring substrate ( 25 ) are arranged and have a depth (t) which is less than the thickness (D) of the wiring substrate ( 25 ). Halbleiterbauteil nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, dass die Dehnungsfugen (14) mit gummielastischem Material (33) aufgefüllt sind.Semiconductor component according to claim 8, characterized in that the expansion joints ( 14 ) with rubber-elastic material ( 33 ) are filled. Verfahren zur Herstellung mehrerer Halbleiterbauteile (1) mit einem Kunststoffgehäuse (7) und teilweise in Kunststoff eingebetteten Außenkontakten (8), wobei das Verfahren folgende Verfahrensschritte aufweist: – Bereitstellen eines Schaltungsträgers (34) zur Herstellung mehrerer Halbleiterbauteile (1), wobei die Halbleiterbauteilpositionen eine zentrale Chipanschlussfläche (35) und die Chipanschlussfläche (35) umgebende Außenkontaktkörper (36) aufweist; – Fixieren eines Halbleiterchips (13) auf der Chipanschlussfläche (35); – Einbringen eines Formköpers zwischen der Chipanschlussfläche (35) und den Außenkontaktkörpern (36), wobei der Formkörper in seinem Querschnitt und seiner Größe den in der Kunststoffgehäusemasse vorgesehenen Dehnungsfugen (14) entspricht; – Anbringen von Verbindungselementen (29, 31) zwischen dem Halbleiterchip (13) und den Außenkontaktkörpern (36); – Einbetten der Halbleiterchips (13), der Verbindungselemente (29, 33), des Formkörpers und der Außenkontaktkörper (36) in eine Kunststoffgehäusemasse (15) unter Freilassen von Außenkontaktflächen (11) der Außenkontaktkörper (36) und einer Seite des Formkörpers auf der Unterseite (9) in den Halbleiterbauteilpositionen; – Entfernen des Formkörpers unter Ausbilden von Dehnungsfugen (14) auf der Unterseite (9) des Kunststoffgehäuses (7); – Auftrennen des Schaltungsträgers (34) in einzelne Halbleiterbauteile (1).Method for producing a plurality of semiconductor components ( 1 ) with a plastic housing ( 7 ) and partially embedded in plastic external contacts ( 8th ), the method comprising the following steps: - providing a circuit carrier ( 34 ) for producing a plurality of semiconductor components ( 1 ), wherein the semiconductor device positions a central chip pad ( 35 ) and the chip pad ( 35 ) surrounding external contact bodies ( 36 ) having; Fixing a semiconductor chip ( 13 ) on the chip pad ( 35 ); - introducing a molded body between the chip pad ( 35 ) and the outer contact bodies ( 36 ), wherein the shaped body in its cross-section and its size provided for in the plastic housing composition expansion joints ( 14 ) corresponds; - attaching connecting elements ( 29 . 31 ) between the semiconductor chip ( 13 ) and the outer contact bodies ( 36 ); Embedding the semiconductor chips ( 13 ), the connecting elements ( 29 . 33 ), the shaped body and the outer contact body ( 36 ) in a plastic housing compound ( 15 ) leaving external contact surfaces ( 11 ) the external contact body ( 36 ) and one side of the molding on the underside ( 9 ) in the semiconductor device positions; Removing the shaped body while forming expansion joints ( 14 ) on the bottom ( 9 ) of Plastic housing ( 7 ); - Separation of the circuit carrier ( 34 ) into individual semiconductor components ( 1 ). Verfahren zur Herstellung mehrerer Halbleiterbauteile (1) mit einem Kunststoffgehäuse (7) und teilweise eingebetteten Außenkontakten (8), wobei das Verfahren folgende Verfahrensschritte aufweist: – Bereitstellen eines Schaltungsträgers (34) zur Herstellung mehrerer Halbleiterbauteile (1), wobei die Halbleiterbauteilpositionen eine zentrale Chipanschlussfläche (35) und die Chipanschlussfläche (35) umgebende Außenkontaktkörper (36) aufweist; – Fixieren eines Halbleiterchips (13) auf der Chipanschlussfläche (35); – Anbringen von Verbindungselementen (29, 33) zwischen dem Halbleiterchip (13) und den Außenkontaktkörpern (36); – Einbetten der Halbleiterchips (13), der Verbindungselemente (29, 33) und der Außenkontaktkörper (36) in eine Kunststoffgehäusemasse (15) unter Freilassen von Außenkontaktflächen (11) der Außenkontaktkörper (36) auf der Unterseite (9) in den Halbleiterbauteilpositionen; – Einbringen von Dehnungsfugen (14) in die Kunststoffgehäusemasse (15) in Randkantenbereichen (10) der Halbleiterbauteilpositionen auf der Unterseite (9) des Schaltungsträgers (34) zwischen Außenkontaktflächen (11) und einem zentralen Bereich (12), der einen Halbleiterchip (13) aufweist; – Auftrennen des Schaltungsträgers (34) in einzelne Halbleiterbauteile (1).Method for producing a plurality of semiconductor components ( 1 ) with a plastic housing ( 7 ) and partially embedded external contacts ( 8th ), the method comprising the following steps: - providing a circuit carrier ( 34 ) for producing a plurality of semiconductor components ( 1 ), wherein the semiconductor device positions a central chip pad ( 35 ) and the chip pad ( 35 ) surrounding external contact bodies ( 36 ) having; Fixing a semiconductor chip ( 13 ) on the chip pad ( 35 ); - attaching connecting elements ( 29 . 33 ) between the semiconductor chip ( 13 ) and the outer contact bodies ( 36 ); Embedding the semiconductor chips ( 13 ), the connecting elements ( 29 . 33 ) and the external contact body ( 36 ) in a plastic housing compound ( 15 ) leaving external contact surfaces ( 11 ) the external contact body ( 36 ) on the bottom ( 9 ) in the semiconductor device positions; - introduction of expansion joints ( 14 ) in the plastic housing compound ( 15 ) in marginal edge regions ( 10 ) of the semiconductor component positions on the underside ( 9 ) of the circuit carrier ( 34 ) between external contact surfaces ( 11 ) and a central area ( 12 ), which has a semiconductor chip ( 13 ) having; - Separation of the circuit carrier ( 34 ) into individual semiconductor components ( 1 ). Verfahren nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet, dass beim Einbringen eines Formköpers zwischen der Chipanschlussfläche (35) und den Außenkontaktkörpern (36) ein Einlegeband mit seiner schmalen Querseite zwischen die Außenkontakte (8) und dem zentralen Bereich (12) auf der Unterseite (9) des Schaltungsträgers (34) positioniert wird.A method according to claim 10, characterized in that when introducing a molded body between the chip pad ( 35 ) and the outer contact bodies ( 36 ) an insert belt with its narrow transverse side between the external contacts ( 8th ) and the central area ( 12 ) on the bottom ( 9 ) of the circuit carrier ( 34 ) is positioned. Verfahren nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet, dass beim Einbringen eines Formköpers zwischen der Chipanschlussfläche (35) und den Außenkontaktkörpern (36), ein Einlegeband mit seiner schmalen Querseite rund um die Außenkontakte (8) positioniert wird.A method according to claim 10, characterized in that when introducing a molded body between the chip pad ( 35 ) and the outer contact bodies ( 36 ), an insert belt with its narrow transverse side around the external contacts ( 8th ) is positioned. Verfahren nach einem der Ansprüche 10, 12 oder 13, dadurch gekennzeichnet, dass das Entfernen des Formkörpers unter Ausbilden von Dehnungsfugen (14) auf der Unterseite (9) des Kunststoffge häuses (7) mittels Ätztechnik, Lösungsmittel oder Veraschungstechnik erfolgt.Method according to one of claims 10, 12 or 13, characterized in that the removal of the shaped body to form expansion joints ( 14 ) on the bottom ( 9 ) of the Kunststoffge housing ( 7 ) by means of etching, solvent or ashing technique. Verfahren nach Anspruch 11, dadurch gekennzeichnet, dass das Einbringen von Dehnungsfugen (14) in die Kunststoffgehäusemasse (15) mittels Sägetechnik erfolgt.A method according to claim 11, characterized in that the introduction of expansion joints ( 14 ) in the plastic housing compound ( 15 ) by means of sawing technology. Verfahren nach Anspruch 11 oder Anspruch 15, dadurch gekennzeichnet, dass das Einbringen von Dehnungsfugen (14) in die Kunststoffgehäusemasse (15) mittels Multi-Blade-Sägetechnik erfolgt.A method according to claim 11 or claim 15, characterized in that the introduction of expansion joints ( 14 ) in the plastic housing compound ( 15 ) by means of multi-blade sawing technology. Verfahren nach Anspruch 11, dadurch gekennzeichnet, dass das Einbringen von Dehnungsfugen (14) in die Kunststoffgehäusemasse (15) mittels Laserablation erfolgt.A method according to claim 11, characterized in that the introduction of expansion joints ( 14 ) in the plastic housing compound ( 15 ) by means of laser ablation. Verfahren nach einem der Ansprüche 10 bis 17, dadurch gekennzeichnet, dass der Halbleiterchip (15) auf die Chipanschlussfläche (35) geklebt oder gelötet wird.Method according to one of claims 10 to 17, characterized in that the semiconductor chip ( 15 ) on the chip pad ( 35 ) is glued or soldered. Verfahren nach einem der Ansprüche 10 bis 18, dadurch gekennzeichnet, dass das Anbringen von Verbindungselementen (29) zwischen dem Halbleiterchip (13) und den Außenkontaktkörpern (36) mittels Bondtechnik erfolgt.Method according to one of claims 10 to 18, characterized in that the attachment of connecting elements ( 29 ) between the semiconductor chip ( 13 ) and the outer contact bodies ( 36 ) by means of bonding technique. Verfahren nach einem der Ansprüche 10 bis 18, dadurch gekennzeichnet, dass das Anbringen von Verbindungselementen (33) zwischen dem Halbleiterchip (13) durch das Aufbringen von Flipchipkontakten (33) eines Halbleiterchips (13) auf eine Verdrahtungsstruktur (32) eines als Schaltungsträger (34) eingesetzten Verdrahtungssubstrats (25) erfolgt.Method according to one of claims 10 to 18, characterized in that the attachment of connecting elements ( 33 ) between the semiconductor chip ( 13 ) by the application of flip-chip contacts ( 33 ) of a semiconductor chip ( 13 ) to a wiring structure ( 32 ) one as a circuit carrier ( 34 ) used wiring substrate ( 25 ) he follows. Verfahren nach einem der Ansprüche 10 bis 19, dadurch gekennzeichnet, dass das Einbetten der Halbleiterchips (13), der Verbindungselemente (29, 33) und der Außenkontaktkörper (36) in eine Kunststoffgehäusemasse (15) mittels Spritzgusstechnik erfolgt.Method according to one of claims 10 to 19, characterized in that the embedding of the semiconductor chips ( 13 ), the connecting elements ( 29 . 33 ) and the external contact body ( 36 ) in a plastic housing compound ( 15 ) by means of injection molding. Verfahren nach einem der Ansprüche 10 bis 20, dadurch gekennzeichnet, dass das Einbetten der Halbleiterchips (13), der Verbindungselemente (29, 33) und der Außenkontaktkörper (36) in eine Kunststoffgehäusemasse (15) mittels Dispenstechnik erfolgt.Method according to one of claims 10 to 20, characterized in that the embedding of the semiconductor chips ( 13 ), the connecting elements ( 29 . 33 ) and the external contact body ( 36 ) in a plastic housing compound ( 15 ) is done by Dispenstechnik.
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