DE102006054545A1 - Hard mask layer structuring method, involves creating structures in resist layers, respectively, transferring structures into hard mask layer in single etching step, and forming hard mask - Google Patents

Hard mask layer structuring method, involves creating structures in resist layers, respectively, transferring structures into hard mask layer in single etching step, and forming hard mask Download PDF

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Abstract

The method involves applying a resist layer (500) on a substrate (200) over a hard mask layer (300), and creating a structure in the resist layer. Another resist layer is applied on the structure, and another structure is created in the latter resist layer. The structures are transferred into the hard mask layer in a single etching step, and a hard mask is formed. The hard mask layer is made of amorphous silicon or silicon oxynitride. The resist layers are made of the material such as methacrylate derivative, polyhydroxy styrol derivative or novolak. Independent claims are also included for the following: (1) a method for structuring a substrate (2) a layer arrangement comprising a structured hard mask.

Description

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Strukturierung einer Hartmaskenschicht.The The invention relates to a method for patterning a hardmask layer.

Bei der Strukturierung von Hartmaskenschichten, deren Struktur dann in ein Substrat übertragen werden kann, besteht das Problem, dass bestimmte Belichtungsmethoden Strukturen in einer zu groben Auflösung erzeugen können, während andere Belichtungsmethoden einen zu geringen Durchsatz haben und somit die Strukturierung von großen Flächen sehr teuer machen. Möchte man verschiedene Belichtungsmethoden für die Strukturierung eines Substrats verwenden, besteht ein weiteres Problem in den hohen Kosten, die durch die Verwendung von mehreren Hartmaskenschichten und das Erzeugen jeder Struktur in einer einzelnen Hartmaskenschicht entstehen.at the structuring of hard mask layers, their structure then transferred to a substrate can be, the problem is that certain exposure methods Structures in a too coarse resolution can generate while others Exposure methods have too low a throughput and thus the structuring of large areas very much expensive. Would like to different methods of exposure for structuring a Substrate, there is another problem in the high cost, through the use of multiple hardmask layers and the Creating each structure in a single hardmask layer will arise.

Aufgabe der Erfindung ist es, ein Verfahren zur Strukturierung einer Hartmaskenschicht bereitzustellen, das die oben genannten Nachteile vermindert.task The invention is a method for patterning a hardmask layer to provide that reduces the above-mentioned disadvantages.

Diese Aufgabe wird durch ein Verfahren gemäß Anspruch 1 gelöst. Besonders vorteilhafte Ausgestaltungen des Verfahrens sowie Schichtanordnungen, die durch diese Verfahren erhältlich sind, sind Gegenstand weiterer Ansprüche.These The object is achieved by a method according to claim 1. Especially advantageous embodiments of the method and layer arrangements, which can be obtained by these methods are the subject of further claims.

In einer vorteilhaften Ausführungsform der Erfindung weist das Verfahren zur Strukturierung einer Hartmaskenschicht auf einem Substrat folgende Verfahrensschritte auf: In einem Verfahrensschritt A) wird eine erste Resistschicht auf dem Substrat über der Hartmaskenschicht aufgebracht, dann wird in einem Verfahrensschritt B) in der ersten Resistschicht eine erste Struktur erzeugt. Weiterhin wird in einem Verfahrensschritt C) eine zweite Resistschicht auf der ersten Struktur aufgebracht und in einem Verfahrensschritt D) eine zweite Struktur in der zweiten Resistschicht erzeugt. Schließlich werden in einem Verfahrensschritt E) die erste und zweite Struktur in die Hartmaskenschicht zur Bildung einer strukturierten Hartmaske übertragen. Der Vorteil dieses Verfahrens ist, dass nur eine einzige Hartmaskenschicht verwendet wird, obwohl zwei Strukturen in ihr erzeugt werden. Das macht das Verfahren kostengünstiger und weniger komplex. Vorteilhafterweise kann die Hartmaskenschicht mehrere Schichten umfassen.In an advantageous embodiment The invention relates to the method for structuring a hard mask layer on a substrate, the following process steps: In a process step A), a first resist layer on the substrate over the Applied hard mask layer, then in one step B) generates a first structure in the first resist layer. Farther is in a process step C), a second resist layer on the applied first structure and in a method step D) a second structure is generated in the second resist layer. Finally in a method step E) the first and second structure in the hard mask layer transferred to form a patterned hard mask. The advantage of this Method is that uses only a single hardmask layer although two structures are created in it. That does that Process more cost-effective and less complex. Advantageously, the hard mask layer include several layers.

Ein weiteres vorteilhaftes Merkmal einer weiteren vorteilhaften Ausführungsform ist ein Verfahren, bei dem die erste und zweite Struktur in einem einzigen Ätzschritt in die Hartmaskenschicht übertragen werden. Das hat den Vorteil, dass sowohl Kosten als auch Zeit in dem Verfahren zur Strukturierung der Hartmaskenschicht gespart werden.One further advantageous feature of a further advantageous embodiment is a method in which the first and second structures are in a single etching step transferred into the hard mask layer become. This has the advantage that both costs and time in the process for structuring the hard mask layer can be saved.

Weiterhin ist es vorteilhaft, wenn zur Erzeugung der ersten und zweiten Struktur in den Verfahrensschritten B) und D) in den jeweiligen Resistschichten Strahlen verwendet werden. Dabei ist es günstig, wenn die jeweiligen Resistschichten durch Masken hindurch bestrahlt werden. Die Bestrahlung der jeweiligen Resistschichten durch Masken hindurch hat den Vorteil, dass die gewünschten Strukturen individuell in beide Resistschichten übertragen werden können. Die Verwendung von Strahlen ist ein besonders vorteilhaftes Verfahren zur Erzeugung von Strukturen, da die gewünschten Strukturen besonders exakt in die jeweiligen Resistschichten übertragen werden können.Farther it is advantageous if for generating the first and second structure in process steps B) and D) in the respective resist layers Rays are used. It is advantageous if the respective Resist layers are irradiated through masks. The irradiation of the respective resist layers through masks has the advantage that the desired Structures can be transferred individually in both resist layers. The Use of rays is a particularly advantageous method for the creation of structures, since the desired structures are particularly can be transferred exactly into the respective resist layers.

In einer vorteilhaften Ausführungsform der Erfindung werden in den Verfahrensschritten B) und D) zur Erzeugung der ersten und zweiten Struktur unterschiedliche Strahlen verwendet. Vorteilhafterweise werden in der ersten und zweiten Resistschicht eine erste und zweite Struktur erzeugt, die unterschiedliche Auflösungen aufweisen. Dabei ist es vorteilhaft, wenn die Auflösung der ersten und zweiten Struktur deren Dimensionen und den Abstand zwischen benachbarten in einem Verfahrensschritt erzeugten Strukturen umfasst. Der Vorteil der Verwendung unterschiedlicher Strahlen zur Erzeugung der ersten und zweiten Struktur liegt darin, dass je nach Art der Strahlung unterschiedliche Auflösungen an Strukturen erzeugt werden können. Da die erste und zweite Struktur später in die Hartmaskenschicht übertragen werden, kann somit eine sehr vielfältige Gesamtstruktur erzeugt werden, da die Abstände der in den verschiedenen Verfahrensschritten erzeugten Strukturen variieren können sowie auch die Ausmaße, wie die Höhe und Breite der in den verschiedenen Verfahrensschritten erzeugten Strukturen. Die erste und zweite Struktur kann dabei räumlich getrennt voneinander oder direkt nebeneinander in der Hartmaske vorhanden sein.In an advantageous embodiment of the invention in the process steps B) and D) for the production the first and second structure uses different beams. Advantageously, in the first and second resist layers generates a first and second structure having different resolutions. It is advantageous if the resolution of the first and second Structure whose dimensions and the distance between adjacent ones comprises structures produced in a method step. The advantage the use of different beams to produce the first and second structure is that different depending on the type of radiation resolutions can be generated on structures. Since the first and second structures are later transferred to the hardmask layer, can thus be a very diverse Forest, because the distances in the different Process steps generated structures can vary as well also the dimensions, like the height and width of the generated in the various process steps Structures. The first and second structure can be spatially separated from each other or directly next to each other in the hard mask be.

In einer vorteilhaften Ausführungsform der Erfindung wird die erste Struktur in der ersten Resistschicht im Verfahrensschritt B) durch Bestrahlung mit elektrisch geladenen Partikeln, beispielsweise Elektronen, oder durch sichtbare oder UV-Strahlung erzeugt. Der Vorteil dabei ist, dass durch die sichtbare oder UV-Strahlung unkritische Dimensionen, das heißt grobe Strukturen erzeugt werden können oder aber, bei Bestrahlung mit elektrisch geladenen Partikeln, wie beispielsweise Elektronenstrahlung, sehr feine Strukturen und Muster erzeugt werden können. Mit anderen Worten, ist die Auflösung der mittels sichtbaren oder UV-Strahlen erzeugten Strukturen geringer als die Auflösung der mittels Bestrahlung mit elektrisch geladenen Partikeln erhaltenen Strukturen. Hohe Auflösungen umfassen vorteilhafterweise Strukturen, die kleiner als 70 nm sind.In an advantageous embodiment The invention provides the first structure in the first resist layer in process step B) by irradiation with electrically charged Particles, for example electrons, or by visible or Generates UV radiation. The advantage here is that through the visible or UV radiation uncritical dimensions, that is coarse structures generated can be or, when irradiated with electrically charged particles, such as For example, electron radiation, very fine structures and patterns can be generated. With In other words, the resolution is the structures produced by visible or UV rays lower as the resolution obtained by irradiation with electrically charged particles Structures. High resolutions advantageously include structures that are smaller than 70 nm.

Weiterhin ist es vorteilhaft, wenn die zweite Struktur im Verfahrensschritt D) durch Bestrahlung der zweiten Resistschicht mit elektrisch geladenen Partikeln, beispielsweise Elektronen, oder durch sichtbare Strahlung oder UV-Strahlung erzeugt wird. Das hat die bereits oben genannten Vorteile der vielfältigen Möglichkeiten zur Erzeugung von Strukturen von unterschiedlicher Auflösung.Furthermore, it is advantageous if the second Structure in process step D) is generated by irradiation of the second resist layer with electrically charged particles, for example electrons, or by visible radiation or UV radiation. This has the already mentioned advantages of the manifold possibilities for the generation of structures of different resolution.

Weiterhin ist es vorteilhaft, wenn die Verfahrensschritte B) und/oder D) unter Verwendung von Bestrahlung mit elektrisch geladenen Partikeln ohne Maske erfolgen. Das hat zum Vorteil, dass durch Weglassen der Maske die Verfahrenskosten gesenkt werden.Farther It is advantageous if the process steps B) and / or D) under Use of irradiation with electrically charged particles without mask respectively. This has the advantage that by omitting the mask the Procedural costs are lowered.

In einem weiteren Ausführungsbeispiel ist es vorteilhaft, wenn eine anti-reflektierende Beschichtung in einem Verfahrensschritt A1) vor dem Verfahrensschritt A) auf die Hartmaskenschicht oder in einem Verfahrensschritt B1) vor dem Verfahrensschritt C) auf der ersten Struktur aufgebracht wird. Dabei verhindert oder vermindert die anti-reflektierende Beschichtung günstigerweise störende optische Effekte bei Bestrahlung mit sichtbarer und UV-Strahlung. Das hat zum Vorteil, dass bei einer Bestrahlung keine oder weniger Interferenzen durch reflektierte Strahlen entstehen können, und dadurch die Resistschichten vor unerwünschten stehenden Wellen in den Resistschichten geschützt sind, die mit der Strukturierung der Resistschichten interferieren können. Die antireflektierende Schicht stört vorteilhafterweise nicht, wenn andere Belichtungsmethoden zur Strukturierung verwendet werden.In a further embodiment It is advantageous if an anti-reflective coating in a method step A1) before the method step A) on the Hard mask layer or in a process step B1) before process step C) is applied on the first structure. This prevents or desirably reduces the anti-reflective coating disturbing optical effects on irradiation with visible and UV radiation. The has the advantage that when irradiated no or less interference can be caused by reflected rays, and thereby the resist layers against unwanted standing waves are protected in the resist layers, with the structuring the resist layers can interfere. The antireflective Layer disturbs advantageously not if other exposure methods for structuring be used.

In einer weiteren Ausführungsform ist es vorteilhaft, wenn die erste und zweite Struktur vor der Übertragung in die Hartmaskenschicht nach dem Verfahrensschritt D) in einem Verfahrensschritt D1) in die anti-reflektierende Schicht übertragen werden. Dabei ist es besondert vorteilhaft, wenn die Übertragung im Verfahrensschritt D1) in einem Ätzschritt erfolgt. Der Vorteil hierbei ist, dass ein weiterer Verfahrensschritt eingespart wird, wenn beide Strukturen gleichzeitig in die anti-reflektierende Schicht übertragen werden. Die strukturierte anti-reflektierende Schicht kann dann als Maske für die Strukturierung der darunter befindlichen Hartmaskenschicht dienen.In a further embodiment It is advantageous if the first and second structure before the transfer in the hard mask layer after process step D) in one Process step D1) transferred to the anti-reflective layer become. It is particularly advantageous if the transmission in method step D1) in an etching step. The advantage this is that a further process step is saved, when both structures transmit simultaneously into the anti-reflective layer become. The structured anti-reflective layer can then as a mask for serve the structuring of the underlying hard mask layer.

In einer weiteren vorteilhaften Ausführungsform wird für die Erzeugung der ersten Struktur im Verfahrensschritt B) eine andere Strahlung, also eine Strahlung von anderer Wellenlänge, gewählt, als für die Erzeugung der zweiten Struktur im Verfahrensschritt D). Vorteilhafterweise wird eine Struktur durch die Bestrahlung mit elektrisch geladenen Partikeln, beispielsweise Elektronen, die andere Struktur durch Bestrahlung mit sichtbaren oder UV-Strahlen erzeugt. Das hat den Vorteil, dass die erste und zweite Struktur deutlich unterschiedliche Auflösungen haben können, was zu einer vielfältigen Gesamtstruktur führt, die später in die Hartmaskenschicht übertragen wird.In A further advantageous embodiment is for the generation the first structure in process step B) another radiation, So a radiation of different wavelength, chosen, as for the generation of the second Structure in process step D). Advantageously, a structure by the irradiation with electrically charged particles, for example Electrons, the other structure by irradiation with visible or UV rays generated. This has the advantage that the first and second structure may have significantly different resolutions, which to a diverse Forest leads, The later is transferred into the hard mask layer.

Ein weiteres vorteilhaftes Merkmal einer weiteren Ausführungsform ist die Bestrahlung der ersten und zweiten Resistschicht in den Verfahrensschritten B) und D) mit sichtbarer oder UV-Strahlung. Das bedeutet, sowohl die erste als auch die zweite Struktur werden mit der gleichen Strahlungs methode erzeugt. Hierbei kann es von Vorteil sein, die Masken, die zur Strukturierung der ersten und zweiten Resistschicht verwendet werden, in den beiden Bestrahlungsschritten gegeneinander zu verschieben, bzw. kammartig ineinander zu verschieben. Das kann z. B. dazu führen, dass der Abstand benachbarter, im Verfahrensschritt B) erzeugter erster Strukturen größer ist, als der Abstand einer ersten im Schritt B) erzeugten Struktur zu einer in einem weiteren Verfahrensschritt D) erzeugten benachbarten zweiten Struktur in der durch die Überlagerung der ersten und zweiten Struktur gebildeten Gesamtstruktur, so dass die Gesamtstruktur eine gegenüber der ersten und zweiten Struktur erhöhte Gesamtauflösung aufweist. Das führt zu einer feineren Gesamtstruktur als sie durch einen einzelnen Strukturierungsschritt, der mit sichtbarer oder UV-Strahlung durchgeführt wird, möglich wäre. Mit anderen Worten ist der Abstand zwischen zwei benachbarten Strukturen in einer in einem Verfahrensschritt erzeugten Struktur größer als der Abstand zwischen zwei benachbarten durch unterschiedliche Verfahren erzeugten Strukturen in der Gesamtstruktur.One Another advantageous feature of another embodiment is the irradiation of the first and second resist layers in the Process steps B) and D) with visible or UV radiation. This means becoming both the first and the second structure generated with the same radiation method. This can be done by Be an advantage, the masks used to structure the first and second resist layer can be used in the two irradiation steps to move against each other, or to move in a comb-like manner. This can z. B. cause that the distance between adjacent, produced in step B) first structures is larger, as the distance of a first structure generated in step B) an adjacent generated in a further process step D) second structure in by the superposition of the first and second structure formed forest, so that the forest one opposite the first and second structure has increased overall resolution. Leading to a finer overall structure than through a single structuring step, which is carried out with visible or UV radiation would be possible. In other words the distance between two neighboring structures in one in one Process step generated structure larger than the distance between two adjacent structures generated by different methods in the forest.

Vorteilhafterweise wird bei Verwendung von sichtbarer oder UV-Strahlung ein Wellenlängenbereich gewählt, der vorteilhafterweise E-UV, i-line, D-UV und ArF umfasst. Günstigerweise umfasst E-UV eine Wellenlänge von 13,5 nm, i-line eine Wellenlänge von 365 nm, D-UV eine Wellenlänge von 248 nm und ArF eine Wellenlänge von 193 nm. Der Vorteil dieser Wellenlängenbereiche ist, dass damit unkritische und kritische Auflösungen bei Strukturen, also grobe und feine Strukturen erzeugt werden können.advantageously, becomes a wavelength range when using visible or UV radiation selected which advantageously comprises E-UV, i-line, D-UV and ArF. conveniently, E-UV includes a wavelength of 13.5 nm, i-line one wavelength of 365 nm, D-UV one wavelength of 248 nm and ArF a wavelength of 193 nm. The advantage of these wavelength ranges is that they are uncritical and critical resolutions in structures, ie coarse and fine structures can be generated.

In einer weiteren Ausführungsform werden störende optische Effekte durch die in den Verfahrensschritten B) und/oder D) zur Strukturierung der ersten und/oder zweiten Resistschicht verwendete sichtbare oder UV-Strahlung von der antireflektierenden Beschichtung verhindert oder vermindert. Das hat zum Vorteil, dass keine reflektierte Strahlung mit der primären Strahlung interferieren und damit die Erzeugung der gewünschten Struktur beeinträchtigen kann.In a further embodiment be disturbing optical effects by the in the process steps B) and / or D) for structuring the first and / or second resist layer used visible or UV radiation from the antireflective Coating prevented or reduced. This has the advantage that no reflected radiation will interfere with the primary radiation and thus the generation of the desired Structure can affect.

In einer weiteren Ausführungsform der Erfindung werden die erste Resistschicht nach der Bestrahlung im Verfahrensschritt B) und die zweite Resistschicht nach der Bestrahlung im Verfahrensschritt D) entwickelt. Dabei können die durch die Bestrahlung erzeugten Strukturen freigelegt werden. Weiterhin ist es vorteilhaft, wenn bei der Entwicklung der zweiten Resistschicht die Struktur der ersten Resistschicht freigelegt wird. Das hat zum Vorteil, dass beide Strukturen benachbart zueinander in einer Ebene vorhanden bevorzugt auf der gleichen Schicht, z.B. der Hartmaskenschichten oder der antireflektierenden Schicht vorhanden sein können und somit als gemeinsame Maske für die Übertragung der ersten und zweiten Struktur in die darunter liegenden Schichten dienen können.In a further embodiment of the invention, the first resist layer after the irradiation in method step B) and the second resist layer after the irradiation in the method step D) developed. In this case, the structures generated by the irradiation can be exposed. Furthermore, it is advantageous if during the development of the second resist layer the structure of the first resist layer is exposed. This has the advantage that both structures adjacent to one another in one plane can preferably be present on the same layer, eg the hard mask layers or the antireflecting layer, and thus serve as a common mask for the transmission of the first and second structure into the underlying layers ,

In einer weiteren vorteilhaften Ausführungsform wird in den Verfahrensschritten B) und/oder D) in der ersten und/oder zweiten Resistschicht eine Struktur erzeugt, indem ein strukturiertes Gegenstück, z.B. ein Stempel auf die erste und/oder zweite Resistschicht gedrückt wird. Das hat zum Vorteil, dass die Strukturierung der ersten und/oder zweiten Resistschicht strahlungslos durchgeführt werden kann. Vorteilhafterweise wird die erste und/oder zweite Resistschicht und das strukturierte Gegenstück während der Verfahrensschritte B) und/oder D) erhitzt. Das hat zum Vorteil, dass die erste und/oder zweite Struktur leichter erzeugt werden kann.In A further advantageous embodiment is in the process steps B) and / or D) in the first and / or second resist layer, a structure generated by having a structured counterpart, e.g. a stamp on the first and / or second resist layer is pressed. This has the advantage that the structuring of the first and / or second resist layer without radiation carried out can be. Advantageously, the first and / or second resist layer and the structured counterpart while the process steps B) and / or D) heated. This has the advantage that the first and / or second structure are more easily generated can.

In einer weiteren vorteilhaften Ausführungsform umfasst die erste Resistschicht eine Resistschicht mit negativem Kontrast. Das heißt, dass bei der Bestrahlung der Resistschicht nach der Entwicklung nur die Bereiche bestehen bleiben, die der Bestrahlung ausgesetzt waren. Die nicht bestrahlten Bereiche, die unter den Masken liegen, werden bei der Entwicklung entfernt. Der Vorteil dabei ist, dass die Bereiche, die bestehen bleiben, auch bei einer zweiten Bestrahlung, beispielsweise die Bestrahlung zur Strukturierung der zweiten Resistschicht, bestehen bleiben. Vorteilhafterweise werden als Material für die Resistschicht mit negativem Kontrast Polyhydroxystyrolderivate, Methacrylatderivate, Novolake und Mischungen daraus verwendet. Vorteilhafterweise weist das Material für die Resistschicht mit negativem Kontrast Bestandteile auf, die bei Belichtung vernetzen. Vorteilhafterweise vernetzt das belichtete Material der Resistschicht mit negativem Kontrast.In In a further advantageous embodiment, the first comprises Resist layer a resist layer with negative contrast. It means that upon irradiation of the resist layer after development, only the Remain areas that were exposed to the irradiation. The unirradiated areas that are under the masks will be removed during development. The advantage is that the areas which persist, even with a second irradiation, for example the irradiation for structuring the second resist layer consist stay. Advantageously, as the material for the resist layer with negative contrast polyhydroxystyrene derivatives, methacrylate derivatives, Novolak and mixtures thereof used. Advantageously the material for the resist layer has negative contrast components on it Network exposure. Advantageously, the exposed material cross-links the resist layer with negative contrast.

Weiterhin ist es vorteilhaft, wenn die zweite Resistschicht eine Resistschicht mit negativem oder positivem Kontrast umfasst. Dabei ist es vorteilhaft, wenn die Materialien für die Resistschicht mit positivem Kontrast aus einer Gruppe ausgewählt sind, die Polyhydroxystyrolderivate, Methacrylatderivate, Novolake und Mischungen daraus umfasst. Der Vorteil der Verwendung von Resistschichten mit positivem Kontrast besteht darin, dass die Bereiche, die während der Bestrahlung von den Masken bedeckt sind, nach der Entwicklung bestehen bleiben, während die Bereiche, die belichtet wurden entfernt werden.Farther it is advantageous if the second resist layer is a resist layer with negative or positive contrast. It is advantageous if the materials for the positive contrast resist layer is selected from a group, the polyhydroxystyrene derivatives, methacrylate derivatives, novolaks and Mixtures thereof. The advantage of using resist layers with positive contrast is that the areas that during the Irradiation of the masks are covered, after the development exist stay while the areas that were exposed were removed.

Weiterhin ist es vorteilhaft, wenn im Verfahrensschritt B) und/oder D) unter Verwendung eines strukturieren Gegenstücks eine Resistschicht vorhanden ist, die thermisch vernetzbar ist.Farther it is advantageous if in step B) and / or D) under Using a patterned counterpart, a resist layer is present is that is thermally crosslinkable.

Weiterhin ist es vorteilhaft, wenn das Material der Resistschicht bei Erhitzung vernetzt. Das hat zum Vorteil, dass die im Verfahrensschritt B) und/oder) D) erzeugte Struktur unter Verwendung eines strukturierten Gegenstücks bei gleichzeitiger Erhitzung vernetzt.Farther it is advantageous if the material of the resist layer on heating networked. This has the advantage that in process step B) and / or) D), using a structured counterpart crosslinked at the same time as heating.

Der Grund, warum Resistschichten mit negativem oder positivem Kontrast unterschiedliches Verhalten bei Bestrahlung zeigen, kann z. B. in den speziellen funktionellen Gruppen der oben genannten Materialien für die Resistschichten liegen. Bei Resistschichten mit positivem Kontrast findet bei Belichtung ein photochemischer Abbau oder eine photochemische Umwandlung statt, z. B. eine Spaltung von unpolaren, nicht in einer Entwicklerlösung löslichen Gruppen zu polaren, in der Entwicklerlösung löslichen Gruppen (z. B. Esterspaltung zu den entsprechenden Säuren) der dazu führt, dass die belichteten Bereiche in einer Entwicklerlösung leicht löslich werden. Bei der darauf folgenden Entwicklung werden die leicht löslichen Bereiche leicht entfernt. Bei Resistschichten mit negativem Kontrast findet bei Belichtung eine Vernetzung oder eine Photopolymerisation statt, z. B. durch Vernetzung von funktionellen Gruppen des Materials der Resistschicht mit negativem Kontrast. Das macht die belichteten Bereiche schwer- oder unlöslich, so dass sie in der folgenden Entwicklung im Gegensatz zu den nicht belichteten Bereichen nicht entfernt werden können.Of the Reason why resist layers with negative or positive contrast show different behavior when irradiated, z. In the special functional groups of the above mentioned materials for the Resist layers lie. For resist layers with positive contrast When exposed to photochemical degradation or photochemical Conversion instead, z. B. a cleavage of non-polar, not in one developer solution soluble groups to polar, in the developer solution soluble Groups (eg, ester cleavage to the corresponding acids) of the causes that the exposed areas in a developer solution easily soluble become. In the subsequent development, the easily soluble Areas easily removed. For resist layers with negative contrast when exposed to light crosslinking or photopolymerization instead, z. B. by crosslinking of functional groups of the material the resist layer with negative contrast. That's what the exposed ones do Areas difficult or insoluble, so they are not in the following development unlike the ones exposed areas can not be removed.

In einer weiteren vorteilhaften Ausführungsform ist das Material der Hartmaskenschicht Silizium- und/oder Sauerstoffhaltig. Vorteilhafterweise ist das Material der Hartmaskenschicht aus einer Gruppe ausgewählt, die Siliziumoxynitrid oder amorphes Silizium oder spin-an-glass umfasst. Der Vor teil bei solchen Materialien ist, dass sie ätzresistent sind und somit während der Übertragung der Strukturen in dem Verfahrensschritt E) in ein Substrat stabil sind.In Another advantageous embodiment is the material the hard mask layer containing silicon and / or oxygen. advantageously, For example, the material of the hardmask layer is selected from a group consisting of Silicon oxynitride or amorphous silicon or spin-on-glass. The advantage of such materials is that they are etch resistant are and thus during the transmission the structures in the process step E) in a substrate stable are.

Vorteilhafterweise umfasst das Material der antireflektierenden Beschichtung Acrylatderivate und Methacrylatderivate. Diese Materialien eignen sich besonders gut für Verhinderung oder Verminderung von störenden optischen Effekten bei Bestrahlung mit sichtbarer und UV-Strahlung.advantageously, For example, the antireflective coating material comprises acrylate derivatives and methacrylate derivatives. These materials are particularly suitable good for Prevent or reduce disturbing optical effects Irradiation with visible and UV radiation.

In einer weiteren vorteilhaften Ausführungsform der Erfindung wird in einem Verfahren zur Strukturierung eines Substrats das oben beschriebene Verfahren angewendet, wobei nach der Übertragung der ersten und zweiten Struktur in die Hartmaskenschicht in einem Verfahrensschritt F) die Struktur der Hartmaske in ein darunter liegendes Substrat übertragen wird. Der Vorteil dabei ist, dass in einem Verfahrensschritt zwei Strukturen in das Substrat übertragen werden können. Somit erhält das Substrat in einem schnellen und kostengünstigen Verfahren eine vielgestaltige Gesamtstruktur. Der Vorteil der Verwendung einer Hartmaske ist, dass sie wesentlich stabiler gegenüber dem Ätzmedium ist, als die Masken, die zur Strukturierung der ersten und zweiten Resistschicht verwendet werden. Dadurch kann die Gesamtstruktur besser in das Substrat übertragen werden.In a further advantageous embodiment of the invention, the method described above is used in a method for structuring a substrate, wherein the structure of the hard mask is transferred into an underlying substrate after the first and second structures have been transferred into the hard mask layer in a method step F) will wear. The advantage here is that two structures can be transferred into the substrate in one process step. Thus, the substrate acquires a diverse overall structure in a rapid and inexpensive process. The advantage of using a hardmask is that it is much more stable to the etch medium than the masks used to pattern the first and second resist layers. This allows the entire structure to be better transferred to the substrate.

Die Erfindung betrifft weiterhin eine Schichtanordnung, die ein Substrat und eine strukturierte Hartmaske auf dem Substrat umfasst. Dabei weist die strukturierte Hartmaske eine erste und zweite Struktur auf, die unterschiedliche Auflösungen aufweisen. Die strukturierte Hartmaske ist vorteilhafterweise nach einem der oben beschriebenen Verfahren erhältlich.The The invention further relates to a layer arrangement comprising a substrate and a patterned hardmask on the substrate. there For example, the patterned hard mask has first and second structures on, the different resolutions exhibit. The structured hard mask is advantageously after obtainable by any of the methods described above.

Das hat den Vorteil, dass die Hartmaske eine vielseitige Gesamtstruktur hat, die in das Substrat übertragen werden kann.The has the advantage that the hard mask has a versatile overall structure that has transferred to the substrate can be.

In einer weiteren günstigen Ausführungsform umfasst das Substrat mehrere Schichten. Das hat den Vorteil, dass die Struktur der Hartmaske in mehrere Schichten des Substrats übertragen werden kann.In another cheap Embodiment comprises the substrate has several layers. This has the advantage that the structure the hard mask transferred into multiple layers of the substrate can be.

Die Erfindung betrifft weiterhin eine Schichtanordnung, die ein Substrat, eine Hartmaskenschicht auf dem Substrat und eine erste und zweite Struktur auf der Hartmaskenschicht umfasst. Die erste und zweite Struktur weist dabei unterschiedliche Auflösungen auf und beide Strukturen sind nach einem der oben beschriebenen Verfahren erhältlich. Der Vorteil dabei ist, dass die erste und zweite Struktur in die Hartmaskenschicht übertragen werden können. Zusätzlich kann zwischen der Hartmaskenschicht und der ersten und zweiten Struktur eine anti-reflektierende Schicht vorhanden sein, in die ebenfalls die erste und zweite Struktur übertragen werden kann. Die anti-reflektierende Schicht kann störende optische Effekte durch die zur Erzeugung der ersten und zweiten Struktur verwendete sichtbare oder UV-Strahlung verhindern oder vermindern und sorgt damit dafür, dass die Strukturen nach dem gewünschten Muster erzeugt werden und keine interferierenden Strahlen die Muster zerstören. Da die erste und zweite Struktur unterschiedliche Auflösungen haben, wird die Hartmaskenschicht und das Substrat eine vielseitige Gesamtstruktur erhalten.The The invention further relates to a layer arrangement comprising a substrate, a hardmask layer on the substrate and a first and second Structure on the hard mask layer comprises. The first and second Structure has different resolutions and both structures are available by any of the methods described above. The advantage here is that the first and second structures are transferred into the hardmask layer can be. additionally may be between the hardmask layer and the first and second structures an anti-reflective layer may be present in the as well transmit the first and second structure can be. The anti-reflective layer can be disturbing optical Effects by the generation of the first and second structure used to prevent or reduce visible or UV radiation and thus ensures that the structures according to the desired Patterns are generated and no interfering rays are the patterns to destroy. Since the first and second structures have different resolutions, The hard mask layer and the substrate become a versatile overall structure receive.

In einer weiteren günstigen Ausführungsform umfasst das Substrat mehrere Schichten. Das hat den Vorteil, dass die Struktur der Hartmaske in mehrere Schichten des Substrats übertra gen werden kann. Weiterhin ist es vorteilhaft, wenn die Hartmaskenschicht mehrere Schichten umfasst.In another cheap Embodiment comprises the substrate has several layers. This has the advantage that the structure the hard mask in several layers of the substrate transmis conditions can be. Furthermore, it is advantageous if the hard mask layer includes several layers.

In einer vorteilhaften Ausführungsform ist das Material der Hartmaskenschicht Silizium- und/oder Sauerstoffhaltig. Besonders vorteilhaft ist das Material der Hartmaskenschicht aus einer Gruppe ausgewählt, die Siliziumoxynitrid und amorphes Silizium umfasst. Diese Materialien haben den Vorteil, ätzresistent zu sein.In an advantageous embodiment the material of the hard mask layer is silicon and / or oxygen-containing. Particularly advantageous is the material of the hard mask layer a group selected, which includes silicon oxynitride and amorphous silicon. These materials have the advantage of being etch resistant to be.

Das Material der anti-reflektierenden Beschichtung umfasst vorteilhafterweise Acrylatderivate und Methacrylatderivate. Vorteilhafterweise verhindert oder vermindert die antireflektierende Schicht störende optische Effekte durch Bestrahlung mit sichtbarer oder UV-Strahlung. Das hat zum Vorteil, dass keine reflektierte Strahlung mit der primären Strahlung interferieren und damit die Erzeugung der gewünschten Struktur beeinträchtigen kann.The Material of the anti-reflective coating advantageously comprises Acrylate derivatives and methacrylate derivatives. Advantageously prevented or the antireflecting layer reduces spurious optical Effects by irradiation with visible or UV radiation. The has the advantage that no reflected radiation with the primary radiation interfere and thus interfere with the generation of the desired structure can.

In einer weiteren vorteilhaften Ausführungsform umfasst das Material der ersten Struktur Polyhydroxystyrolderivate, Methacrylatderivate, Novolake oder Mischungen daraus. Vorteilhafterweise ist das Material der zweiten Struktur aus einer Gruppe ausgewählt, die Polyhydroxystyrolderivate, Methacrylatderivate, Novolake und Mischungen daraus umfasst. Diese Materialien sind besonders geeignet für das Verfahren, mit dem die erste und zweite Struktur hergestellt werden.In In another advantageous embodiment, the material comprises the first structure polyhydroxystyrene derivatives, methacrylate derivatives, Novolak or mixtures thereof. Advantageously, the material the second structure selected from a group comprising polyhydroxystyrene derivatives, Methacrylate derivatives, novolaks and mixtures thereof. These Materials are particularly suitable for the process by which the first and second structure are produced.

Weiterhin ist vorteilhafterweise das Material der ersten Struktur oder das Material der ersten und zweiten Struktur vernetzt. Die Vernetzung hat den Vorteil, dass die Strukturen schwer löslich sind und somit bei der Entwicklung nach dem Strukturierungsverfahren, mit dem die Strukturen hergestellt wurden, auf der Schichtanordnung bestehen bleiben, um in darunter liegende Schichten übertragen werden zu können. Vorteilhafterweise ist das vernetzte Material der ersten Struktur auch unlöslich gegenüber Lösungsmitteln, die zum Aufbringen der zweiten Resistschicht im Verfahrensschritt C) verwendet werden.Farther is advantageously the material of the first structure or the Networked material of the first and second structure. The networking has the advantage that the structures are difficult to dissolve and thus in the Development according to the structuring method with which the structures were made to persist on the sandwich to transferred to underlying layers to be able to. Advantageously, the crosslinked material is the first structure also insoluble across from solvents for applying the second resist layer in the process step C) are used.

Anhand der Figuren und der Ausführungsbeispiele soll die Erfindung noch näher erläutert werden:Based the figures and the embodiments should the invention even closer explained become:

1 zeigt die schematische Seitenansicht auf eine zu strukturierende Schichtanordnung während des Verfahrensschritts B) einer Variante eines erfindungsgemäßen Verfahrens. 1 shows the schematic side view of a layer structure to be structured during the process step B) a variant of a method according to the invention.

2 zeigt die schematische Seitenansicht auf eine zu strukturierende Schichtanordnung mit einer ersten Struktur nach dem Verfahrensschritt B). 2 shows the schematic side view of a layer structure to be structured with a first structure after process step B).

3 zeigt die schematische Seitenansicht auf eine zu strukturierende Schichtanordnung nach dem Verfahrensschritt C) während des Verfahrenschrittes D). 3 shows the schematic side view of a layer structure to be structured after the process step C) during the process step D).

4 zeigt die schematische Seitenansicht auf eine zu strukturierende Schichtanordnung mit einer ersten und zweiten Struktur nach dem Verfahrensschritt D). 4 shows the schematic side view of a layer structure to be structured with a first and second structure after process step D).

5 zeigt die schematische Seitenansicht auf eine zu strukturierende Schichtanordnung mit einer ersten und zweiten Struktur nach dem Verfahrensschritt D1). 5 shows the schematic side view of a layer structure to be structured with a first and second structure after the process step D1).

6 zeigt die schematische Seitenansicht auf eine zu strukturierende Schichtanordnung mit einer ersten und zweiten Struktur nach dem Verfahrensschritt E). 6 shows the schematic side view of a layer structure to be structured with a first and second structure after the process step E).

7 zeigt die schematische Seitenansicht auf eine weitere Variante des erfindungsgemäßen Verfahrens während des Verfahrensschrittes B). 7 shows the schematic side view of a further variant of the method according to the invention during process step B).

8 zeigt die schematische Seitenansicht auf eine zu strukturierende Schichtanordnung mit einer ersten Struktur nach dem Verfahrensschritt B) in einer weiteren Variante des erfindungsgemäßen Verfahrens. 8th shows the schematic side view of a layer structure to be structured with a first structure after process step B) in a further variant of the method according to the invention.

9 zeigt die schematische Seitenansicht auf eine zu strukturierende Schichtanordnung nach dem Verfahrensschritt C) während des Verfahrenschrittes D) in einer weiteren Variante des erfindungsgemäßen Verfahrens. 9 shows the schematic side view of a layer structure to be structured after the process step C) during the process step D) in a further variant of the method according to the invention.

10 zeigt die schematische Seitenansicht auf eine zu strukturierende Schichtanordnung mit einer ersten und zweiten Struktur nach dem Verfahrensschritt D) in einer weiteren Variante des erfindungsgemäßen Verfahrens. 10 shows the schematic side view of a layer structure to be structured with a first and second structure after the process step D) in a further variant of the method according to the invention.

1 zeigt eine schematische Seitenansicht auf eine zu strukturierende Schichtanordnung, die mit dem erfindungsgemäßen Verfahren strukturiert werden kann. Die Schichtanordnung umfasst ein Substrat 200. Auf dem Substrat ist eine Hartmaskenschicht 300 vorhanden, auf der Hartmaskenschicht 300 eine anti-reflektierende Schicht 400. Die Hartmaskenschicht 300 kann mehrere Schichten umfassen. Auf dieser Schichtenfolge ist weiterhin eine erste Resistschicht 500 vorhanden. Zur folgenden Strukturierung der Resistschicht im Verfahrensschritt B) ist weiterhin über der Resistschicht eine erste Maske 510 vorhanden, die das gewünschte Muster für die erste Resistschicht hat. Die erste Resistschicht ist vorteilhafterweise aus einem Material, das aus einer Gruppe ausgewählt ist, die Polyhydroxystyrolderivate, Novolake und Methacrylatderivate umfasst. Die funktionellen Gruppen dieser Materialien sind so gewählt, dass das bei der Strukturierung belichtete Material vernetzt und für einen Entwickler unlöslich wird, mit anderen Worten umfasst das Material der ersten Resistschicht eine Resistschicht mit negativem Kontrast. Weiterhin umfasst das Material der anti-reflektierenden Schicht 400 Acrylat- oder Methacrylatderivate. Diese Materialien können störende optische Effekte bei Bestrahlung mit sichtbarer und UV-Strahlung verhindern oder vermindern und sorgen somit dafür, dass die Strahlen während der Bestrahlung nicht interferieren. Das Material der Hartmaskenschicht umfasst Siliziumoxynitrid oder amorphes Silizium, welche ätzresistent sind. Diese Schichtanordnung wird durch die Maske 510 hindurch mit sichtbarer oder UV-Strahlung oder mit elektrisch geladenen Partikeln, beispielsweise Elektronen bestrahlt. Im Falle einer Bestrahlung mit elektrisch geladenen Partikeln ist dabei nicht unbedingt eine Maske nötig. Die Bestrahlung ist durch Pfeile angedeutet. Bei der Bestrahlung vernetzt das belichtete Material der ersten Resistschicht 500, während das unbelichtete Material unvernetzt bleibt. Alternativ kann auf die erste Resistschicht 500 auch ein strukturiertes Gegenstück, z. B. ein Stempel gedrückt werden, während die Schichtenfolge sowie das Gegenstück erhitzt werden. Die erste Resistschicht, in die die Struktur 520 gedrückt wird, vernetzt dabei unter der Erhitzung. Die nicht-reflektierende Schicht 400 kann auch erst aufgebracht werden, nach dem die erste Struktur erzeugt wurde, wenn nur die zweite Struktur mit sichtbarer oder UV-Strahlung erzeugt wird. 1 shows a schematic side view of a layer structure to be structured, which can be patterned by the method according to the invention. The layer arrangement comprises a substrate 200 , On the substrate is a hardmask layer 300 present, on the hardmask layer 300 an anti-reflective layer 400 , The hard mask layer 300 can span multiple layers. On this layer sequence is still a first resist layer 500 available. For the following structuring of the resist layer in method step B), a first mask is furthermore present above the resist layer 510 present, which has the desired pattern for the first resist layer. The first resist layer is advantageously of a material selected from a group comprising polyhydroxystyrene derivatives, novolacs and methacrylate derivatives. The functional groups of these materials are chosen such that the material exposed in patterning crosslinks and becomes insoluble to a developer, in other words, the material of the first resist layer comprises a negative contrast resist layer. Furthermore, the material comprises the anti-reflective layer 400 Acrylate or methacrylate derivatives. These materials can prevent or reduce spurious optical effects when exposed to visible and UV radiation, thus ensuring that the rays do not interfere during irradiation. The material of the hardmask layer includes silicon oxynitride or amorphous silicon, which are etch resistant. This layer arrangement is through the mask 510 through with visible or UV radiation or with electrically charged particles, such as electrons irradiated. In the case of irradiation with electrically charged particles, a mask is not necessarily required. The irradiation is indicated by arrows. Upon irradiation, the exposed material cross-links the first resist layer 500 while the unexposed material remains uncrosslinked. Alternatively, to the first resist layer 500 also a structured counterpart, z. B. a stamp are pressed while the layer sequence and the counterpart are heated. The first resist layer into which the structure 520 is pressed while networking under heating. The non-reflective layer 400 can also be applied only after the first structure has been produced, if only the second structure is produced with visible or UV radiation.

In 2 sieht man die Schichtenfolge aus 1 nach der Bestrahlung und Entwicklung der ersten Resistschicht 500, also nach dem Verfahrensschritt B). In den Bereichen, wo die sichtbare oder UV-Strahlung oder die Bestrahlung mit elektrisch geladenen Partikeln auf die erste Resistschicht getroffen ist, ist das Material vernetzt und im darauf folgenden Entwicklungsschritt nicht entfernt worden. Das lösliche Material der unbelichteten Bereiche der ersten Resistschicht wurde bei der Entwicklung entfernt. Zurück bleibt die erste Struktur 520, mit einer Breite a1, sowie einem Abstand zwischen benachbarten Strukturen c1.In 2 you can see the layer sequence 1 after irradiation and development of the first resist layer 500 , ie after process step B). In areas where the visible or UV radiation or the irradiation with electrically charged particles has hit the first resist layer, the material has been crosslinked and not removed in the subsequent development step. The soluble material of the unexposed areas of the first resist layer was removed during development. The first structure remains 520 , with a width a 1 , and a distance between adjacent structures c 1 .

In 3 ist die Seitenansicht der Schichtenfolge aus den vorherigen Figuren zu sehen. Über der ersten Struktur 520 ist die zweite Resistschicht 600 vorhanden, die in dem Verfahrensschritt C) aufgebracht wurde und die die erste Struktur 520 sowie die darunter liegende anti-reflektierende Schicht 400 bedeckt. Über der zweiten Resistschicht ist die zweite Maske 610 vorhanden. Falls nur die zweite Resistschicht mit sichtbarer oder UV-Strahlung strukturiert wird, ist es auch möglich, die anti-reflektierende Schicht erst nach dem Verfahrensschritt B) auf die Schichtenfolge aufzubringen. Diese Schichtenfolge wird nun im Verfahrensschritt D) mit sichtbarer oder UV-Strahlung oder mit elektrisch geladenen Partikeln, beispielsweise Elektronen, angedeutet durch die Pfeile, bestrahlt. Die Bestrahlungsmethode kann entweder die gleiche sein, wie bei der Bestrahlung der ersten Resistschicht oder unterschiedlich von der Bestrahlung der ersten Resistschicht sein. Die Wahl der Bestrahlungsmethoden für die erste und zweite Resistschicht ist abhängig von den gewünschten Auflösungen, die die erste und zweite Struktur erhalten sollen. In dem Beispiel in den 1 bis 6 hat die zweite Struktur ein grobes Muster während die erste Struktur ein feines Mus ter bzw. eine hohe Auflösung aufweist. Das bedeutet, die Breite a2 der zweiten Struktur soll größer sein als die Breite a1 der ersten Struktur. Zudem soll der Abstand zwischen den benachbarten ersten Strukturen c1 kleiner sein als der Abstand zwischen den benachbarten zweiten Strukturen c2. In diesem Fall ist es vorteilhaft, für die Strukturierung der ersten Resistschicht die Bestrahlung mit elektrisch geladenen Partikeln, z. B. Elektronen zu wählen, und für die Strukturierung der zweiten Resistschicht die Bestrahlung mit sichtbarer oder UV-Strahlung zu verwenden. Im Falle einer Bestrahlung mit elektrisch geladenen Partikeln ist keine Maske 610 nötig. Alternativ kann auf die zweite Resistschicht 600 auch ein strukturiertes Gegenstück gedrückt werden, während die Schichtenfolge sowie das Gegenstück erhitzt werden. Die zweite Resistschicht, in die die Struktur 620 gedrückt wird, vernetzt dabei unter der Erhitzung.In 3 is the side view of the layer sequence seen from the previous figures. About the first structure 520 is the second resist layer 600 present in step C) and having the first structure 520 and the underlying anti-reflective coating 400 covered. Over the second resist layer is the second mask 610 available. If only the second resist layer is patterned with visible or UV radiation, it is also possible to apply the anti-reflective layer to the layer sequence only after process step B). This layer sequence is then irradiated in process step D) with visible or UV radiation or with electrically charged particles, for example electrons, indicated by the arrows. The method of irradiation may be either the same as in the irradiation the first resist layer or different from the irradiation of the first resist layer. The choice of the irradiation methods for the first and second resist layers depends on the desired resolutions which are to be obtained for the first and second structures. In the example in the 1 to 6 the second structure has a rough pattern while the first structure has a fine pattern or a high resolution. This means that the width a 2 of the second structure should be greater than the width a 1 of the first structure. In addition, the distance between the adjacent first structures c 1 should be smaller than the distance between the adjacent second structures c 2 . In this case, it is advantageous for the structuring of the first resist layer, the irradiation with electrically charged particles, for. For example, to select electrons, and to use for the structuring of the second resist layer, the irradiation with visible or UV radiation. In the case of irradiation with electrically charged particles is not a mask 610 necessary. Alternatively, to the second resist layer 600 Also, a structured counterpart are pressed while the layer sequence and the counterpart are heated. The second resist layer into which the structure 620 is pressed while networking under heating.

In 4 sieht man die Seitenansicht der Schichtenfolge aus den vorherigen Strukturen nach der im Verfahrensschritt D) durchgeführten Bestrahlung und Entwicklung der zweiten Resistschicht 600. Bei der Entwicklung wird die erste Struktur 520 sowie die zweite Struktur 620 freigelegt. Das Material der zweiten Resistschicht ist aus einer Gruppe ausgewählt, die Polyhydroxystyrolderivate, Novolake und Methacrylatderivate umfasst. Das Material kann eine Resistschicht mit negativem Kontrast sein, deren belichtete Bereiche vernetzen und somit unlöslich werden. Es kann auch eine Resistschicht mit positivem Kontrast sein, deren Material bei Belichtung derartige chemische Reaktionen eingeht, dass es dadurch leicht löslich wird. Je nach dem, welcher Bereich durch Belichtung löslich wird oder ohne Belichtung löslich bleibt, wird entweder der belichtete oder unbelichtete Bereich der Resistschicht bei der Entwicklung entfernt. In dem Beispiel in 4 handelt es sich bei der zweiten Resistschicht um eine Resistschicht mit positivem Kontrast, das heißt, die bei der Bestrahlung unbelichteten Bereiche bleiben als zweite Struktur 620 neben der ersten Struktur bestehen.In 4 one sees the side view of the layer sequence from the previous structures after the irradiation carried out in method step D) and development of the second resist layer 600 , In the development becomes the first structure 520 as well as the second structure 620 exposed. The material of the second resist layer is selected from a group comprising polyhydroxystyrene derivatives, novolacs and methacrylate derivatives. The material may be a negative contrast resist layer whose exposed areas crosslink and thus become insoluble. It can also be a resist layer with positive contrast, the material undergoes such chemical reactions upon exposure that it is easily soluble. Depending on which area becomes soluble by exposure or remains soluble without exposure, either the exposed or unexposed area of the resist layer is removed during development. In the example in 4 If the second resist layer is a resist layer with positive contrast, that is, the unexposed in the irradiation areas remain as a second structure 620 exist next to the first structure.

In 5 ist die Seitenansicht der Schichtenfolge der vorherigen Figuren gezeigt. Die erste Struktur 520 und die zweite Struktur 620 wurden im Verfahrensschritt D1) in einem einzigen Ätzschritt in die anti-reflektierende Schicht 400 übertragen. Die anti-reflektierende Schicht weist nun eine Gesamtstruktur 420 auf, die sich aus der ersten und zweiten Struktur zusammensetzt, die unterschiedliche Auflösungen aufweisen. Das heißt, die erste Struktur hat eine höhere Auflösung mit einer kleineren Breite a1 der einzelnen Strukturen sowie einem kleineren Abstand zwischen benachbarten Strukturen c1 als die zweite Struktur mit einer größeren Breite a2 der einzelnen Strukturen sowie einem größeren Abstand zwischen den Strukturen c2.In 5 the side view of the layer sequence of the previous figures is shown. The first structure 520 and the second structure 620 were in the process step D1) in a single etching step in the anti-reflective layer 400 transfer. The anti-reflective layer now has a total structure 420 which is composed of the first and second structures having different resolutions. That is, the first structure has a higher resolution with a smaller width a 1 of the individual structures and a smaller distance between adjacent structures c 1 than the second structure with a larger width a 2 of the individual structures and a larger distance between the structures c 2 ,

In 6 ist die Seitenansicht der Schichtenfolge der vorherigen Figuren gezeigt. Die Gesamtstruktur 420 wurde im Verfahrensschritt E) in einem einzigen Ätzschritt in die Hartmaskenschicht 300 übertragen und erzeugt somit eine Hartmaske 320, die verschiedene Auflösungen aufweist. Die strukturierte Hartmaske dient nun dazu, eine oder mehrere Schichten des darunter liegenden Substrats zu strukturieren.In 6 the side view of the layer sequence of the previous figures is shown. The forest 420 was in process step E) in a single etching step in the hard mask layer 300 transmit and thus creates a hard mask 320 that has different resolutions. The patterned hardmask is now used to pattern one or more layers of the underlying substrate.

In den 7 bis 10 ist eine weitere Variante des erfindungsgemäßen Verfahrens gezeigt. Hier werden beide Resistschichten 500 und 600 mit sichtbaren oder UV-Strahlen strukturiert. Eine hohe Auflösung der Strukturen wird durch geeignete Platzierung der Masken 510 und 610 erreicht.In the 7 to 10 a further variant of the method according to the invention is shown. Here are both resist layers 500 and 600 structured with visible or UV rays. A high resolution of the structures is achieved by appropriate placement of the masks 510 and 610 reached.

In 7 ist die Seitenansicht der Schichtenfolge aus 1 gezeigt. Die Maske 510 hat eine Auflösung, die durch Bestrahlung mit sichtbaren oder UV-Strahlen, die durch Pfeile angedeutet sind, im Verfahrensschritt B) an der Auflösungsgrenze in der ersten Resistschicht 500 erzeugt werden kann. Die erste Resistschicht ist eine Resistschicht mit negativem Kontrast, deren Material vorzugsweise aus einer Gruppe ausgewählt ist, die Polyhydroxystyrolderivate, Novolake und Methacrylatderivate umfasst. Die funktionellen Gruppen dieser Materialien sind so gewählt, dass das bei der Strukturierung belichtete Material vernetzt und für einen Entwickler unlöslich wird.In 7 is the side view of the layer sequence 1 shown. The mask 510 has a resolution by irradiation with visible or UV rays indicated by arrows in step B) at the resolution limit in the first resist layer 500 can be generated. The first resist layer is a negative contrast resist layer whose material is preferably selected from a group comprising polyhydroxystyrene derivatives, novolacs and methacrylate derivatives. The functional groups of these materials are selected so that the material exposed in the patterning becomes crosslinked and becomes insoluble by a developer.

In 8 ist die Seitenansicht der Schichtenfolge nach dem Verfahrensschritt B) zu sehen. Die erste Struktur 520 hat eine Breite a1 sowie einen an der Auflösungsgrenze des lithographischen Verfahrens befindlichen Abstand c1 zwischen den benachbarten Strukturen.In 8th is the side view of the layer sequence after step B) to see. The first structure 520 has a width a 1 and a distance c 1 between adjacent structures at the resolution limit of the lithographic process.

In 9 ist die Seitenansicht der Schichtenfolge gezeigt, bei der über der ersten Struktur 510 im Verfahrensschritt C) eine zweite Resistschicht 600 aufgebracht wurde. Im Verfahrensschritt D) wird auch sie strukturiert. Dabei wird die zweite Resistschicht 600 durch die Maske 610 hindurch mit sichtbarer oder UV-Strahlung bestrahlt, was durch Pfeile angedeutet wird. In dem Beispiel in 9 handelt es sich bei der zweiten Resistschicht ebenfalls um eine Resistschicht mit negativem Kontrast, die bei Belichtung vernetzt und für einen Entwickler unlöslich wird und die Materialien umfasst, die aus einer Gruppe ausgewählt sind, die Polyhydroxystyrolderivate, Novolake und Methacrylatderivate umfasst. Die zweite Resistschicht kann jedoch auch eine Resistschicht mit positivem Kontrast sein. Dementsprechend müsste dann eine geeignete Maske 610 zur Strukturierung der zweiten Resistschicht 600 verwendet werden.In 9 the side view of the layer sequence is shown, in which over the first structure 510 in method step C), a second resist layer 600 was applied. In method step D), it is also structured. In this case, the second resist layer 600 through the mask 610 irradiated with visible or UV radiation, which is indicated by arrows. In the example in 9 Similarly, the second resist layer is also a negative contrast resist layer which becomes crosslinked upon exposure and insolubilized to a developer comprising the materials selected from a group comprising polyhydroxystyrene derivatives, novolacs, and methacrylate derivatives. However, the second resist layer may also have a resist layer with po be a positive contrast. Accordingly, then would have a suitable mask 610 for structuring the second resist layer 600 be used.

In 10 ist die Seitenansicht der Schichtenfolge gezeigt, bei der schließlich die erste und zweite Struktur auf der Schichtenfolge nach dem Verfahrensschritt D) vorhanden ist. Die erste Struktur 520 ist kammartig in die zweite Struktur 620 ineinander geschoben, so dass der Abstand zwischen benachbarten ersten und zweiten Strukturen c3 wesentlich kleiner ist, als es der Abstand (c1 und C2) zwischen den in einem Verfahrensschritt hergestellten benachbarten Strukturen wäre. Damit kann durch dieses Ausführungsbeispiel die Auflösungsgrenze der durch die sichtbaren oder UV-Strahlung erzeugten Strukturen erhöht werden, sodass man eine Gesamtstruktur mit erhöhter Auflösung erhält.In 10 the side view of the layer sequence is shown, in which finally the first and second structure on the layer sequence after the method step D) is present. The first structure 520 is comb-like in the second structure 620 pushed into each other, so that the distance between adjacent first and second structures c 3 is substantially smaller than the distance (c 1 and C 2 ) between the produced in a process step adjacent structures. Thus, by this embodiment, the resolution limit of the structures produced by the visible or UV radiation can be increased, so that one obtains an overall structure with increased resolution.

Die Erfindung ist nicht durch die Beschreibung anhand der Ausführungsbeispiele beschränkt. Vielmehr umfasst die Erfindung jedes neue Merkmal sowie jede Kombination von Merkmalen, was insbesondere jede Kombination von Merkmalen in den Patentansprüchen beinhaltet, auch wenn dieses Merkmal oder diese Kombination selbst nicht explizit in den Patentansprüchen oder Ausführungsbeispielen angegeben ist.The The invention is not by the description based on the embodiments limited. Much more For example, the invention includes every novel feature as well as every combination of features, in particular any combination of features in the claims includes, even if this feature or this combination itself not explicitly stated in the patent claims or exemplary embodiments is.

Claims (48)

Verfahren zur Strukturierung einer Hartmaskenschicht (300) auf einem Substrat (200), mit den Verfahrensschritten A) Aufbringen einer ersten Resistschicht (500) auf dem Substrat (200) über der Hartmaskenschicht (300), B) Erzeugen einer ersten Struktur (520) in der ersten Resistschicht (500), C) Aufbringen einer zweiten Resistschicht (600) auf der ersten Struktur (520), D) Erzeugen einer zweiten Struktur (620) in der zweiten Resistschicht (600), E) Übertragen der ersten (520) und zweiten (620) Struktur in die Hartmaskenschicht (300), wobei eine Hartmaske (320) gebildet wird.Method for structuring a hard mask layer ( 300 ) on a substrate ( 200 ), with the method steps A) applying a first resist layer ( 500 ) on the substrate ( 200 ) over the hardmask layer ( 300 ), B) generating a first structure ( 520 ) in the first resist layer ( 500 ), C) applying a second resist layer ( 600 ) on the first structure ( 520 ), D) generating a second structure ( 620 ) in the second resist layer ( 600 ), E) transmitting the first ( 520 ) and second ( 620 ) Structure in the hardmask layer ( 300 ), whereby a hard mask ( 320 ) is formed. Verfahren nach Anspruch 1, wobei im Verfahrensschritt E) die erste (520) und zweite (620) Struktur in einem einzigen Ätzschritt in die Hartmaskenschicht (300) übertragen wird.Method according to claim 1, wherein in method step E) the first ( 520 ) and second ( 620 ) Structure in a single etching step in the hard mask layer ( 300 ) is transmitted. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei die Hartmaskenschicht (300) mehrere Schichten umfasst.Method according to one of the preceding claims, wherein the hardmask layer ( 300 ) comprises several layers. Verfahren nach Anspruch 1, wobei in den Verfahrensschritten B) und D) zur Erzeugung der ersten (520) und zweiten Struktur (620) in den jeweiligen Resistschichten (500, 600) Strahlen verwendet werden.The method of claim 1, wherein in steps B) and D) for generating the first ( 520 ) and second structure ( 620 ) in the respective resist layers ( 500 . 600 ) Rays are used. Verfahren nach dem vorhergehenden Anspruch, wobei in den Verfahrensschritten B) und/oder D) die jeweiligen Resistschichten (500, 600) durch Masken (510, 610) hindurch bestrahlt werden.Method according to the preceding claim, wherein in process steps B) and / or D) the respective resist layers ( 500 . 600 ) through masks ( 510 . 610 ) are irradiated through. Verfahren nach einem der Ansprüche 4 oder 5, wobei in den Verfahrensschritten B) und D) unterschiedliche Strahlen verwendet werden.Method according to one of claims 4 or 5, wherein in the Process steps B) and D) uses different beams become. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche 4 bis 6, wobei die in den Verfahrensschritten B) und D) erzeugte erste (520) und zweite (620) Struktur unterschiedliche Auflösungen aufweisen.Method according to one of the preceding claims 4 to 6, wherein the first () produced in the method steps B) and D) ( 520 ) and second ( 620 ) Structure have different resolutions. Verfahren nach dem vorhergehenden Anspruch, wobei die Auflösung der ersten und zweiten Struktur die Dimension der ersten und zweiten Struktur und den Abstand zwischen benachbarten in einem Verfahrensschritt erzeugten Strukturen umfasst.A method according to the preceding claim, wherein the resolution the first and second structures the dimension of the first and second Structure and the distance between adjacent ones in one process step includes generated structures. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei im Verfahrensschritt B) die erste Struktur (520) durch Bestrahlung der ersten Resistschicht (500) mit elektrisch geladenen Partikeln oder durch sichtbare Strahlung oder UV-Strahlung erzeugt wird.Method according to one of the preceding claims, wherein in method step B) the first structure ( 520 ) by irradiation of the first resist layer ( 500 ) is generated with electrically charged particles or by visible radiation or UV radiation. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei im Verfahrensschritt D) die zweite Struktur (620) durch Bestrahlung der zweiten Resistschicht (600) mit elektrisch geladenen Partikeln oder durch sichtbare Strahlung oder UV-Strahlung erzeugt wird.Method according to one of the preceding claims, wherein in method step D) the second structure ( 620 ) by irradiation of the second resist layer ( 600 ) is generated with electrically charged particles or by visible radiation or UV radiation. Verfahren nach einem der Ansprüche 9 oder 10, wobei die Verfahrensschritte B) und/oder D) unter Verwendung von Bestrahlung mit elektrisch geladenen Partikeln ohne Masken (510, 610) erfolgen.Method according to one of claims 9 or 10, wherein the method steps B) and / or D) using irradiation with electrically charged particles without masks ( 510 . 610 ) respectively. Verfahren nach einem der Ansprüche 9 bis 11, wobei in den Verfahrenschritten B) und D) eine Struktur durch elektrisch geladene Teilchen und die andere Struktur durch UV-Strahlung oder sichtbare Strahlung erzeugt wird.Method according to one of claims 9 to 11, wherein in the Process steps B) and D) a structure by electrically charged Particles and the other structure by UV radiation or visible radiation is produced. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche 1 bis 10, wobei in den Verfahrensschritten B) und D) die erste (520) und zweite (620) Struktur durch Bestrahlung der ersten und zweiten Resistschicht durch sichtbare Strahlung oder UV-Strahlung erzeugt wird.Method according to one of the preceding claims 1 to 10, wherein in the method steps B) and D) the first ( 520 ) and second ( 620 ) Structure is produced by irradiation of the first and second resist layers by visible radiation or UV radiation. Verfahren nach einem der Ansprüche 9, 10, 12 oder 13, wobei der Wellenlängenbereich für die optische Strahlung oder UV-Strahlung vorzugsweise aus einer Gruppe ausgewählt ist, E-UV, DUV, ArF und i-line umfasst.Method according to one of claims 9, 10, 12 or 13, wherein the wavelength range for the optical Radiation or UV radiation is preferably selected from a group, E-UV, DUV, ArF and i-line includes. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei vor dem Verfahrensschritt A) auf der Hartmaskenschicht (300) in einem Verfahrensschritt A1) oder vor dem Verfahrensschritt C) in einem Verfahrensschritt B1) eine anti-reflektierende Beschichtung (400) erzeugt wird.Method according to one of the preceding claims, wherein before the method step A) on the hard mask layer ( 300 ) in a method step A1) or before method step C) in a method step B1) an anti-reflective coating ( 400 ) is produced. Verfahren nach dem vorhergehenden Anspruch, wobei im Verfahrenschritt B) und/oder D) sichtbare Strahlung oder UV-Strahlung verwendet wird und störende optische Effekte von der anti-reflektierenden Beschichtung (400) verhindert oder vermindert werden.Method according to the preceding claim, wherein in step B) and / or D) visible radiation or UV radiation is used and disturbing optical effects of the anti-reflective coating ( 400 ) can be prevented or reduced. Verfahren nach einem der Ansprüche 15 oder 16, wobei die erste (520) und zweite (620) Struktur vor dem Verfahrensschritt E) in einem Verfahrensschritt D1) in die antireflektierende Beschichtung (400) übertragen wird.Method according to one of claims 15 or 16, wherein the first ( 520 ) and second ( 620 ) Structure before process step E) in a process step D1) in the antireflective coating ( 400 ) is transmitted. Verfahren nach dem vorhergehenden Anspruch, wobei die Übertragung im Verfahrensschritt D1) in einem Ätzschritt erfolgt.A method according to the preceding claim, wherein the transfer in method step D1) in an etching step. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche 9 bis 14 und 17 bis 18, wobei nach der Bestrahlung im Verfahrensschritt B) die erste Resistschicht (500) und nach der Bestrahlung im Verfahrensschritt D) die zweite Resistschicht (600) entwickelt wird.Method according to one of the preceding claims 9 to 14 and 17 to 18, wherein after the irradiation in step B) the first resist layer ( 500 ) and after the irradiation in method step D) the second resist layer ( 600 ) is developed. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche 1 bis 3, wobei in den Verfahrensschritten B) und/oder D) die erste und/oder zweite Struktur durch Aufdrücken eines strukturieren Gegenstücks auf die erste und/oder zweite Resistschicht erzeugt wird.Method according to one of the preceding claims 1 to 3, wherein in steps B) and / or D) the first and / or second structure by pressing of a structuring counterpart the first and / or second resist layer is generated. Verfahren nach dem vorhergehenden Anspruch, wobei während des Verfahrensschrittes B) und/oder D) die erste und/oder zweite Resistschicht und das strukturierte Gegenstück erhitzt werden.A method according to the preceding claim, wherein while of process step B) and / or D) the first and / or second Resist layer and the structured counterpart are heated. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei im Verfahrensschritt D) die Struktur (520) der ersten Resistschicht bei der Entwicklung der bestrahlten zweiten Resistschicht (600) freigelegt wird.Method according to one of the preceding claims, wherein in step D) the structure ( 520 ) of the first resist layer in the development of the irradiated second resist layer ( 600 ) is exposed. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei die erste Resistschicht (500) eine Resistschicht mit negativem Kontrast umfasst.Method according to one of the preceding claims, wherein the first resist layer ( 500 ) comprises a negative contrast resist layer. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei die zweite Resistschicht (600) eine Resistschicht mit positivem oder negativem Kontrast umfasst.Method according to one of the preceding claims, wherein the second resist layer ( 600 ) comprises a positive or negative contrast resist layer. Verfahren nach Anspruch 24, wobei das Material der Resistschicht mit positivem Kontrast aus einer Gruppe ausgewählt ist, die Polyhydroxystyrolderivate, Methacrylatderivate, Novolake und Mischungen daraus umfasst.The method of claim 24, wherein the material of the Resist layer with positive contrast is selected from a group, the polyhydroxystyrene derivatives, methacrylate derivatives, novolaks and Mixtures thereof. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche 23 und 24, wobei das Material der Resistschicht mit negativem Kontrast aus einer Gruppe ausgewählt ist, die Polyhydroxystyrolderivate, Methacrylatderivate, Novolake und Mischungen daraus umfasst.Method according to one of the preceding claims 23 and 24, wherein the material of the resist layer with negative contrast selected from a group is the polyhydroxystyrene derivatives, methacrylate derivatives, novolacs and mixtures thereof. Verfahren nach dem vorhergehenden Anspruch, wobei das bei der Bestrahlung belichtete Material der Resistschicht mit negativem Kontrast vernetzt.A method according to the preceding claim, wherein the exposed during irradiation material of the resist layer with networked negative contrast. Verfahren nach einem der Ansprüche 20 oder 21, wobei im Verfahrensschritt B) und/oder D) die erste und/oder zweite Resistschicht eine thermisch vernetzbare Resistschicht umfasst.Method according to one of claims 20 or 21, wherein in the process step B) and / or D) the first and / or second resist layer is a thermally crosslinkable Resist layer includes. Verfahren nach dem vorhergehenden Anspruch, wobei die thermisch vernetzbare Resistschicht im Verfahrensschritt B) und/oder D) bei Erhitzen vernetzt.A method according to the preceding claim, wherein the thermally crosslinkable resist layer in process step B) and / or D) crosslinked on heating. Verfahren nach Anspruch 27, wobei die Vernetzung durch funktionelle, vernetzbare Gruppen in dem Material der Resistschicht mit negativem Kontrast erzeugt wird.The method of claim 27, wherein the crosslinking by functional, crosslinkable groups in the material of the resist layer is generated with negative contrast. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei das Material der Hartmaskenschicht (300) Silizium- und/oder sauerstoffhaltig ist.Method according to one of the preceding claims, wherein the material of the hard mask layer ( 300 ) Is silicon and / or oxygen-containing. Verfahren nach dem vorhergehenden Anspruch, wobei das Material der Hartmaskenschicht (300) aus einer Gruppe ausgewählt ist, die Siliziumoxynitrid und amorphes Silizium umfasst.Method according to the preceding claim, wherein the material of the hard mask layer ( 300 ) is selected from a group comprising silicon oxynitride and amorphous silicon. Verfahren nach einem der Ansprüche 15 bis 18, wobei das Material der anti-reflektierenden Beschichtung (400) ausgewählt ist aus einer Gruppe, die Acrylatderivate und Methacrylatderivate umfasst.Method according to one of claims 15 to 18, wherein the material of the anti-reflective coating ( 400 ) is selected from a group comprising acrylate derivatives and methacrylate derivatives. Verfahren zur Strukturierung eines Substrats umfassend ein Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei in einem auf den Verfahrensschritt E) folgenden Verfahrensschritt F) die Struktur der Hartmaske (320) in ein darunter liegendes Substrat (200) übertragen wird.Method for structuring a substrate comprising a method according to one of the preceding claims, wherein in a method step F) following the method step E), the structure of the hard mask (FIG. 320 ) into an underlying substrate ( 200 ) is transmitted. Schichtanordnung umfassend – ein Substrat (200) und – eine strukturierte Hartmaske (320) auf dem Substrat, wobei die strukturierte Hartmaske eine erste und zweite Struktur mit unterschiedlichen Auflösungen aufweist, wobei die erste und zweite Struktur nach einem Verfahren gemäß einer der Ansprüche 1 bis 33 erhältlich ist.Layer arrangement comprising - a substrate ( 200 ) and - a structured hard mask ( 320 ) on the substrate, the patterned hard mask having first and second structures of different resolutions, the first and second structures being by a method according to any of claims 1 to 33 is available. Schichtanordnung nach dem vorhergehenden Anspruch, wobei das Substrat (200) mehrere Schichten umfasst.Layer arrangement according to the preceding claim, wherein the substrate ( 200 ) comprises several layers. Schichtanordnung, aufweisend – ein Substrat (200), – eine Hartmaskenschicht (300) auf dem Substrat, – eine erste (520) und eine zweite (620) Struktur auf der Hartmaskenschicht, wobei die erste und zweite Struktur unterschiedliche Auflö sungen aufweisen, und nach einem Verfahren gemäß einer der Ansprüche 1 bis 33 erhältlich sind.Layer arrangement comprising - a substrate ( 200 ), - a hardmask layer ( 300 ) on the substrate, - a first ( 520 ) and a second ( 620 ) Structure on the hard mask layer, wherein the first and second structures have different resolutions, and are obtainable by a method according to any one of claims 1 to 33. Schichtanordnung nach dem vorhergehenden Anspruch, wobei das Substrat (200) mehrere Schichten umfasst.Layer arrangement according to the preceding claim, wherein the substrate ( 200 ) comprises several layers. Schichtanordnung nach Anspruch 37, wobei die Hartmaskenschicht (300) mehrere Schichten umfasst.A layer arrangement according to claim 37, wherein the hardmask layer ( 300 ) comprises several layers. Schichtanordnung nach Anspruch 37, wobei das Material der Hartmaskenschicht (300) Silizium- und/oder Sauerstoffhaltig ist.A layer arrangement according to claim 37, wherein the material of the hardmask layer ( 300 ) Contains silicon and / or oxygen. Schichtanordnung nach dem vorhergehenden Anspruch, wobei das Material der Hartmaskenschicht (300) aus einer Gruppe ausgewählt ist, die amorphes Silizium und Siliziumoxynitrid umfasst.Layer arrangement according to the preceding claim, wherein the material of the hard mask layer ( 300 ) is selected from a group comprising amorphous silicon and silicon oxynitride. Schichtanordnung nach einem der Ansprüche 37 bis 41, wobei auf der Hartmaskenschicht eine anti-reflektierende Schicht vorhanden ist.Layer arrangement according to one of claims 37 to 41, wherein on the hard mask layer, an anti-reflective layer is available. Schichtanordnung nach dem vorhergehenden Anspruch, wobei das Material der anti-reflektierenden Beschichtung (400) ausgewählt ist aus einer Gruppe, die Acrylatderivate und Methacrylatderivate umfasst.Layer arrangement according to the preceding claim, wherein the material of the anti-reflective coating ( 400 ) is selected from a group comprising acrylate derivatives and methacrylate derivatives. Schichtanordnung nach einem der Ansprüche 42 oder 43, wobei die anti-reflektierende Beschichtung (400) störende optische Effekte durch Bestrahlung mit sichtbarer Strahlung und UV-Strahlung verhindert oder vermindert.Layer arrangement according to one of claims 42 or 43, wherein the anti-reflective coating ( 400 ) prevents or reduces disturbing optical effects by irradiation with visible radiation and UV radiation. Schichtanordnung nach einem der Ansprüche 37 bis 44, wobei das Material der ersten Struktur (520) aus einer Gruppe ausgewählt ist, die Polyhydroxystyrolderivate, Methacrylatderivate, Novolake und Mischungen daraus umfasst.Layer arrangement according to one of claims 37 to 44, wherein the material of the first structure ( 520 ) is selected from a group comprising polyhydroxystyrene derivatives, methacrylate derivatives, novolaks and mixtures thereof. Schichtanordnung nach einem der Ansprüche 37 bis 45, wobei das Material der zweiten Struktur (620) aus einer Gruppe ausgewählt ist, die Polyhydroxystyrolderivate, Methacrylatderivate, Novolake und Mischungen daraus umfasst.Layer arrangement according to one of claims 37 to 45, wherein the material of the second structure ( 620 ) is selected from a group comprising polyhydroxystyrene derivatives, methacrylate derivatives, novolaks and mixtures thereof. Schichtanordnung nach Anspruch 45, wobei das Material der ersten Struktur (520) vernetzt ist.A layer arrangement according to claim 45, wherein the material of the first structure ( 520 ) is networked. Schichtanordnung nach einem der Ansprüche 45 oder 46, wobei das Material der ersten (520) und der zweiten (620) Struktur vernetzt ist.Layer arrangement according to one of claims 45 or 46, wherein the material of the first ( 520 ) and the second ( 620 ) Structure is networked.
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WO2005117089A2 (en) * 2004-05-25 2005-12-08 Freescale Semiconductor, Inc. Decoupled complementary mask patterning transfer method
US20060038259A1 (en) * 2004-08-19 2006-02-23 Patrick Thomas Silicon pillars for vertical transistors

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KR 20050089366 A (abstract). World Patents Index (online). WPI/Thomson. (recherchiert am 13.07.2007 ) In: Epoque/WPI. Accession No. 2006-655216 *
KR 20050089366 A in Form der Online-Übersetzung im Internet *

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