DE102006061941A1 - Optoelectronic arrangement, has power light emitting diode, where radiation is emitted from power light emitting diode, and adjusting light emitting diode, where another radiation is emitted from adjusting light emitting diode - Google Patents

Optoelectronic arrangement, has power light emitting diode, where radiation is emitted from power light emitting diode, and adjusting light emitting diode, where another radiation is emitted from adjusting light emitting diode Download PDF

Info

Publication number
DE102006061941A1
DE102006061941A1 DE102006061941A DE102006061941A DE102006061941A1 DE 102006061941 A1 DE102006061941 A1 DE 102006061941A1 DE 102006061941 A DE102006061941 A DE 102006061941A DE 102006061941 A DE102006061941 A DE 102006061941A DE 102006061941 A1 DE102006061941 A1 DE 102006061941A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
radiation
optoelectronic device
led
emission spectrum
power
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
DE102006061941A
Other languages
German (de)
Inventor
Ewald Karl Michael Dr. Guenther
Reiner Dr. Windisch
Monika Rose
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Ams Osram International GmbH
Original Assignee
Osram Opto Semiconductors GmbH
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Osram Opto Semiconductors GmbH filed Critical Osram Opto Semiconductors GmbH
Priority to DE102006061941A priority Critical patent/DE102006061941A1/en
Priority to EP07856113A priority patent/EP2054937A1/en
Priority to CNA2007800489942A priority patent/CN101573793A/en
Priority to KR1020097015959A priority patent/KR20090099000A/en
Priority to PCT/DE2007/002264 priority patent/WO2008080383A1/en
Priority to TW096149654A priority patent/TWI396272B/en
Publication of DE102006061941A1 publication Critical patent/DE102006061941A1/en
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
    • H01L25/0753—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21—LIGHTING
    • F21K—NON-ELECTRIC LIGHT SOURCES USING LUMINESCENCE; LIGHT SOURCES USING ELECTROCHEMILUMINESCENCE; LIGHT SOURCES USING CHARGES OF COMBUSTIBLE MATERIAL; LIGHT SOURCES USING SEMICONDUCTOR DEVICES AS LIGHT-GENERATING ELEMENTS; LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • F21K9/00—Light sources using semiconductor devices as light-generating elements, e.g. using light-emitting diodes [LED] or lasers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67144—Apparatus for mounting on conductive members, e.g. leadframes or conductors on insulating substrates
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21—LIGHTING
    • F21Y—INDEXING SCHEME ASSOCIATED WITH SUBCLASSES F21K, F21L, F21S and F21V, RELATING TO THE FORM OR THE KIND OF THE LIGHT SOURCES OR OF THE COLOUR OF THE LIGHT EMITTED
    • F21Y2113/00—Combination of light sources
    • F21Y2113/10—Combination of light sources of different colours
    • F21Y2113/13—Combination of light sources of different colours comprising an assembly of point-like light sources
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21—LIGHTING
    • F21Y—INDEXING SCHEME ASSOCIATED WITH SUBCLASSES F21K, F21L, F21S and F21V, RELATING TO THE FORM OR THE KIND OF THE LIGHT SOURCES OR OF THE COLOUR OF THE LIGHT EMITTED
    • F21Y2115/00—Light-generating elements of semiconductor light sources
    • F21Y2115/10—Light-emitting diodes [LED]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/16—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits
    • H01L25/167—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits comprising optoelectronic devices, e.g. LED, photodiodes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/19—Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/191—Disposition
    • H01L2924/19101—Disposition of discrete passive components
    • H01L2924/19105—Disposition of discrete passive components in a side-by-side arrangement on a common die mounting substrate

Abstract

The optoelectronic arrangement (1) has a power light emitting diode (10). A radiation (SL) is emitted with an emission spectrum (EL) from the power light emitting diode. An adjusting light emitting diode (20) emits another radiation (SE) with another emission spectrum (EE). An overall radiation (SO) of the optoelectronic arrangement has both radiations. An independent claim is also included for a method for operating an opto-electronic arrangement, which involves releasing a radiation with an emission spectrum by a power light emitting diode.

Description

Die Erfindung betrifft eine optoelektronische Anordnung und ein Verfahren zum Betrieb einer optoelektronischen Anordnung.The The invention relates to an optoelectronic device and a method for operating an optoelectronic device.

Optoelektronische Anordnungen können mehrere Leuchtdioden umfassen. Ein Emissionsspektrum der optoelektronischen Anordnung resultiert aus den Emissionsspektren der einzelnen Leuchtdioden. Aufgrund von Streuungen der Emissionsspektren der Leuchtdioden bei einer Serienfertigung kann es aufwändig sein, Farbkoordinaten der Strahlung der optoelektronischen Anordnung in einem vorgegebenen Intervall zu erzielen.Optoelectronic Arrangements may include multiple light emitting diodes. An emission spectrum the optoelectronic arrangement results from the emission spectra the individual light-emitting diodes. Due to scattering of the emission spectra The light-emitting diodes in mass production can be expensive be, color coordinates of the radiation of the optoelectronic device to achieve in a given interval.

Aus dem Dokument WO 2006/002607 ist eine Leuchtdiodenanordnung bekannt, welche zwei Leuchtdioden umfasst. Die beiden Leuchtdioden sind antiparallel zueinander geschaltet. Die Leuchtdiodenanordnung umfasst eine Vorrichtung, welche den beiden Leuchtdioden einen Strom mit wechselnder Richtung bereitstellt.From the document WO 2006/002607 a light emitting diode array is known which comprises two light emitting diodes. The two LEDs are connected in anti-parallel to each other. The light-emitting diode arrangement comprises a device which provides the two light-emitting diodes with a current of alternating direction.

Das Dokument US 5,861,990 beschreibt eine Anordnung zur kombinierten optischen Streuung und Konzentration, bei dem eine erste Oberfläche eines Materials Licht aus einem Bereich von Einfallswinkeln empfängt und eine zweite Oberfläche des Materials Licht in einem Bereich von Abstrahlwinkeln abgibt.The document US 5,861,990 describes a combined optical scattering and concentration arrangement in which a first surface of a material receives light from a range of angles of incidence and a second surface of the material emits light in a range of angles of radiation.

Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es, eine optoelektronische Anordnung und ein Verfahren zum Betrieb einer optoelektronischen Anordnung anzugeben, welche eine flexible Ein stellung einer Strahlung der optoelektronischen Anordnung ermöglichen.task The present invention is an optoelectronic device and a method for operating an optoelectronic device indicate which flexible attitude of radiation of the optoelectronic arrangement allow.

Diese Aufgabe wird mit dem Gegenstand des Patentanspruchs 1 und dem Verfahren gemäß Patentanspruch 23 gelöst. Weiterbildungen und Ausgestaltungen sind jeweils Gegenstand der abhängigen Ansprüche.These The object is with the subject of claim 1 and the method solved according to claim 23. further developments and embodiments are each subject of the dependent Claims.

Eine erfindungsgemäße optoelektronische Anordnung umfasst eine Leistungsleuchtdiode und eine Einstell-Leuchtdiode. Von der Leistungsleuchtdiode ist eine erste Strahlung bereitstellbar. Von der Einstell-Leuchtdiode ist eine zweite Strahlung abgebbar. Die erste Strahlung weist ein erstes Emissionsspektrum und die zweite Strahlung ein zweites Emissionsspektrum auf. Eine Gesamtstrahlung der optoelektronischen Anordnung umfasst die erste Strahlung und die zweite Strahlung.A Optoelectronic device according to the invention comprises a power light emitting diode and a tuning LED. Of the Power LED is a first radiation available. From the setting LED is a second radiation can be emitted. The first radiation has a first emission spectrum and the second Radiation on a second emission spectrum. A total radiation the optoelectronic device comprises the first radiation and the second radiation.

Mit Vorteil wird der Hauptanteil der Gesamtstrahlung der optoelektronischen Anordnung mittels der Leistungsleuchtdiode realisiert. Um eine vorgebbare Gesamtstrahlung zu erzielen, wird zu der ersten Strahlung die zweite Strahlung, welche von der Einstell-Leuchtdiode bereitgestellt ist, dazu addiert.With Advantage is the main part of the total radiation of the optoelectronic Arrangement realized by means of the power LED. To a predefinable Achieving overall radiation becomes second to the first radiation Radiation provided by the adjustment LED, added to it.

Bevorzugt unterscheidet sich das zweite Emissionsspektrum von dem ersten Emissionsspektrum. Das erste Emissionsspektrum kann eine erste Wellenlänge umfassen, die verschieden zu den von dem zweiten Emissionsspektrum umfassten Wellenlängen ist. Das zweite Emissionsspektrum kann eine zweite Wellenlänge umfassen, die verschieden zu den von dem ersten Emissionsspektrum umfassten Wellenlängen ist. Alternativ umfassen das erste und das zweite Emissionsspektrum dieselben Wellenlängen, wobei sich eine erste Intensitätsverteilung im ersten Emissi onsspektrum von einer zweiten Intensitätsverteilung im zweiten Emissionsspektrum unterscheidet.Prefers the second emission spectrum differs from the first emission spectrum. The first emission spectrum may be a first wavelength which are different from those of the second emission spectrum covered wavelengths is. The second emission spectrum may comprise a second wavelength, different to the wavelengths covered by the first emission spectrum is. Alternatively, the first and second emission spectra comprise the same wavelengths, with a first intensity distribution in the first emissi onsspektrum of a second intensity distribution differs in the second emission spectrum.

In einer Ausführungsform ist die Einstell-Leuchtdiode dazu eingesetzt, ein Emissionsspektrum der Gesamtstrahlung genau einzustellen.In In one embodiment, the adjustment LED is to used to accurately set an emission spectrum of the total radiation.

Als Strahlung wird bevorzugt eine elektromagnetische Strahlung verstanden.When Radiation is preferably understood as electromagnetic radiation.

Die Einstell-Leuchtdiode kann im englischen als tuning light emitting diode bezeichnet sein.The Setting LED can in English as a tuning light be designated diode.

In einer Ausführungsform werden die Farbkoordinaten der Gesamtstrahlung der optoelektronischen Anordnung in einem vorgebbaren Intervall dadurch erzielt, dass zu der ersten Strahlung die zweite Strahlung beigemischt wird. Dabei sind mit den Farbkoordinaten eine X-Koordinate und eine Y-Koordinate in einem CIE-Diagramm, englisch CIE chromaticity diagram, bezeichnet. Mit Vorteil werden somit die Farbkoordinaten, die allein durch einen Betrieb der Leistungsleuchtdiode erzielt werden und die nicht im vorgegebenen Intervall liegen, mittels der von der Einstell-Leuchtdiode emittierten zweiten Strahlung so verschoben, dass die Summe aus der ersten und der zweiten Strahlung Farbkoordinaten im vorgegebenen Intervall ergibt.In In one embodiment, the color coordinates of the total radiation the optoelectronic device in a predetermined interval achieved in that the second radiation to the first radiation is added. The color coordinates are an X-coordinate and a Y coordinate in a CIE diagram, English CIE chromaticity diagram, designated. Advantageously, therefore, the color coordinates alone be achieved by operation of the power light emitting diode and which are not in the specified interval, by means of the setting LED emitted second radiation shifted so that the sum of the first and the second radiation color coordinates in the predetermined interval results.

In einer Ausführungsform weist ein erster Halbleiterkörper, englisch als die oder chip bezeichnet, die Leistungsleuchtdiode und ein zweiter Halbleiterkörper die Einstell-Leuchtdiode auf.In In one embodiment, a first semiconductor body, English as the or chip refers to the power light emitting diode and a second semiconductor body, the adjustment LED on.

In einer Weiterbildung weist der erste Halbleiterkörper eine erste Strahlungsaustrittsfläche, aus der die erste Strahlung mit dem ersten Emissionsspektrum austritt, und der zweite Halbleiterkörper eine zweite Strahlungsaustrittsfläche, aus der die zweite Strahlung mit dem zweiten Emissionsspektrum austritt, auf. In einer Ausführungsform ist die erste Strahlungsaustrittsfläche mindestens um den Faktor 4 größer als die zweite Strahlungsaustrittsfläche. Bevorzugt ist die erste Strahlungsaustrittsfläche um den Faktor 5 größer als die zweite Strahlungsaustrittsfläche. Ein Intensitätsverhältnis der ersten Strahlung zu der zweiten Strahlung ist eine Funktion des Flächenverhältnisses der ersten Strahlungsaustrittsfläche zu der zweiten Strahlungsaustrittsfläche.In one development, the first semiconductor body has a first radiation exit area, from which the first radiation exits with the first emission spectrum, and the second semiconductor body has a second radiation exit area, from which the second radiation exits with the second emission spectrum. In one embodiment, the first radiation exit area is at least a factor of 4 larger than the second radiation exit area. The first radiation exit area is preferably larger by a factor of 5 than the second radiation exit exit surface. An intensity ratio of the first radiation to the second radiation is a function of the area ratio of the first radiation exit surface to the second radiation exit surface.

In einer Ausführungsform umfasst die optoelektronische Anordnung einen Träger, auf dem der erste und der zweite Halbleiterkörper befestigt sind. Der Träger kann als Gehäuse für den ersten und den zweiten Halbleiterkörper ausgebildet sein.In An embodiment comprises the optoelectronic device a carrier on which the first and the second semiconductor body are attached. The carrier can be used as a housing for formed the first and the second semiconductor body be.

In einer Weiterbildung werden eine erste elektrische Leistung der Leistungsleuchtdiode und eine zweite elektrische Leistung der Einstell-Leuchtdiode zugeleitet. In einer Ausführungsform ist ein Betrag der ersten elektrischen Leistung um mindestens den Faktor 4 größer als die zweite elektrische Leistung. Bevorzugt ist der Betrag der ersten elektrischen Leistung um den Faktor 5 größer als der Betrag der zweiten elektrischen Leistung. Mit dem Verhältnis der ersten elektrischen Leistung zu der zweiten elektrischen Leistung ist ein Intensitätsverhältnis der ersten Strahlung zu der zweiten Strahlung einstellbar. In einer bevorzugten Ausführungsform ist die erste Strahlung betragsgemäß größer als die zweite Strahlung.In In a further development, a first electrical power of the power LED and a second electrical power of the adjustment LED supplied. In one embodiment, an amount of the first electrical Performance by at least a factor of 4 greater than the second electric power. Preferably, the amount of the first electrical power by a factor of 5 greater than the amount of the second electric power. With the ratio the first electric power to the second electric power is an intensity ratio of the first radiation adjustable to the second radiation. In a preferred embodiment the first radiation is larger in magnitude as the second radiation.

In einer Ausführungsform sind das zweite Emissionsspektrum und die zweite elektrische Leistung derart vorgesehen, dass die Farbkoordinaten der Gesamtstrahlung der optoelektronischen Anordnung innerhalb des vorgegebenen Intervalls im CIE-Diagramm sind.In One embodiment is the second emission spectrum and the second electric power is provided such that the Color coordinates of the total radiation of the optoelectronic device within the given interval in the CIE diagram.

In einer Ausführungsform umfasst die optoelektronische Anordnung mindestens eine weitere Einstell-Leuchtdiode. Die mindestens eine weitere Einstell-Leuchtdiode ist dazu vorgesehen, mindestens eine weitere Strahlung zu emittieren. Die mindestens eine weitere Strahlung weist mindestens ein weiteres Emissionsspektrum auf. Somit umfasst die Gesamtstrahlung der optoelektronischen Anordnung zusätzlich auch die mindestens eine weitere Strahlung.In An embodiment comprises the optoelectronic device at least one other setting LED. The at least one another setting LED is provided, at least one emit more radiation. The at least one more radiation has at least one more emission spectrum. Thus includes the total radiation of the optoelectronic device in addition also the at least one further radiation.

Bevorzugt unterscheidet sich das mindestens eine weitere Emissionsspektrum von dem ersten Emissionsspektrum und ebenfalls von dem zweiten Emissionsspektrum.Prefers differs the at least one other emission spectrum from the first emission spectrum and also from the second emission spectrum.

Die weitere Einstell-Leuchtdiode kann bevorzugt zur genaueren Feineinstellung des Emissionsspektrums der Gesamtstrahlung der optoelektronischen Anordnung eingesetzt sein. Mit Vorteil sind somit durch die Beimischung der zweiten Strahlung der Einstell-Leuchtdiode und der mindestens einen weiteren Strahlung der mindestens einen weiteren Einstell-Leuchtdiode zu der ersten Strahlung die Farbkoordinaten der Gesamtstrahlung der optoelektronischen Anordnung im vorgegebenen Intervall noch genauer einstellbar.The another setting LED may be preferred for more precise fine adjustment the emission spectrum of the total radiation of the optoelectronic Arrangement used. With advantage are thus by the admixture the second radiation of the adjustment LED and the at least a further radiation of the at least one further setting LED to the first radiation the color coordinates of the total radiation the optoelectronic arrangement in the predetermined interval even more accurate adjustable.

In einer Ausführungsform umfasst mindestens ein weiterer Halbleiterkörper die mindestens eine weitere Einstell-Leuchtdiode. Der mindestens eine weitere Halbleiterkörper weist mindestens eine weitere Strahlungsaustrittsfläche auf.In An embodiment comprises at least one further semiconductor body the at least one further setting LED. The at least one further semiconductor body has at least one further Radiation exit surface on.

Dabei ist in einer Ausführungsform die erste Strahlungsaustrittsfläche des ersten Halbleiterkörpers mindestens um den Faktor 4 größer als die mindestens eine weitere Strahlungsaustrittsfläche.there In one embodiment, the first radiation exit surface of the first semiconductor body by at least a factor of 4 larger than the at least one further radiation exit surface.

In einer Ausführungsform wird der mindestens einen weiteren Einstell-Leuchtdiode mindestens eine weitere elektrische Leistung zugeführt. Bevorzugt ist die erste elektrische Leistung um mindestens den Faktor 4 größer als die mindestens eine weitere elektrische Leistung. Durch die Wahl des mindestens einen weiteren Emissionsspektrums und des ersten Emissionsspektrums können Farbkoordinaten innerhalb des vorgegebenen Intervalls im CIE-Diagramm erzielt werden.In an embodiment, the at least one further Setting LED at least one more electrical power fed. The first electrical power is preferred by at least a factor of 4 greater than the minimum another electric power. By choosing the at least one further emission spectrum and the first emission spectrum can Color coordinates within the specified interval in the CIE diagram achieved become.

In einer Ausführungsform umfasst die optoelektronische Anordnung mindestens eine weitere Leistungsleuchtdiode. Die mindestens eine weitere Leistungsleuchtdiode stellt mindestens eine zusätzliche Strahlung bereit. Die mindestens eine zusätzliche Strahlung weist mindestens ein zusätzliches Emissionsspektrum auf. Mit Vorteil wird der Hauptanteil der Gesamtstrahlung der optoelektronischen Anordnung mittels zweier oder mehr Leistungsleuchtdioden bereitgestellt. Zur feineren Einstellung der Farbkoordinaten im CIE-Diagramm können die Einstell-Leuchtdiode beziehungsweise die Einstell-Leuchtdioden dienen.In An embodiment comprises the optoelectronic device at least one additional power LED. The at least one another power LED provides at least one additional Radiation ready. The at least one additional radiation has at least one additional emission spectrum. Advantageously, the majority of the total radiation of the optoelectronic Arrangement provided by means of two or more power LEDs. For finer adjustment of the color coordinates in the CIE diagram can the setting LED or the setting LEDs serve.

Bevorzugt sind die Leistungs- und die Einstell-Leuchtdiode und gegebenenfalls die weiteren Leistungs- und/oder Einstell-Leuchtdioden polaritätsgleich parallel geschaltet.Prefers are the power and the setting LED and if necessary the other power and / or setting LEDs polarity equal connected in parallel.

In einer Ausführungsform umfasst die optoelektronische Anordnung eine Vorrichtung zur optischen Durchmischung, die der Leistungs- und der Einstell-Leuchtdiode und gegebenenfalls den weiteren Leistungs- und/oder Einstell-Leuchtdioden in Abstrahlrichtung nachgeordnet ist. Die erste und die zweite Strahlung werden der Vorrichtung zur optischen Durchmischung zugeleitet. Die erste und die zweite Strahlung werden in der Vorrichtung zur optischen Durchmischung mehrfach intern reflektiert und dadurch gemischt. Die optoelektronische Anordnung stellt somit die Gesamtstrahlung aufgrund einer Mischung der ersten und der zweiten Strahlung sowie gegebenenfalls der Strahlung weiterer Einstell- und Leistungsleuchtdioden ausgangsseitig bereit. Mit Vorteil wird somit erreicht, dass die in verschiedene Richtungen von der optoelektronischen Anordnung abgegebenen Strahlungen näherungsweise das gleiche Emissionsspektrum aufweisen. Mittels der Vorrichtung zur optischen Durchmischung wird somit eine Winkelunabhängigkeit des Emissionsspektrums der Gesamtstrahlung erzielt. Dabei kann die Intensität der Gesamtstrahlung winkelabhängig sein.In one embodiment, the optoelectronic arrangement comprises a device for optical mixing, which is arranged downstream of the power and the setting LED and optionally the other power and / or setting LEDs in the emission direction. The first and the second radiation are supplied to the device for optical mixing. The first and the second radiation are multiply internally reflected in the device for optical mixing and thereby mixed. The optoelectronic arrangement thus provides the total radiation on the output side due to a mixture of the first and the second radiation and optionally the radiation of further adjustment and power LEDs. It is thus advantageously achieved that the radiations emitted by the optoelectronic device in different directions have approximately the same emission spectrum. By means of the Vor direction for optical mixing thus an angular independence of the emission spectrum of the total radiation is achieved. The intensity of the total radiation can be angle-dependent.

In einer Ausführungsform umfasst die Vorrichtung zur optischen Durchmischung eine Anordnung zur kombinierten optischen Streuung und Konzentration, bei dem eine erste Oberfläche eines Materials Licht aus einem Bereich von Einfallswinkeln empfängt und eine zweite Oberfläche des Materials Licht in einem Bereich von Abstrahlwinkeln abgibt.In According to one embodiment, the device comprises for optical Mixing a combined optical scattering arrangement and concentration at which a first surface of a Material receives light from a range of angles of incidence and a second surface of the material light in one Range of emission angles.

In einer Weiterbildung umfasst die optoelektronische Anordnung mindestens einen Leuchtstoff. Der Leuchtstoff ist der Leistungs- und der Einstell-Leuchtdiode und gegebenenfalls den weiteren Leistungs- und/oder Einstell-Leuchtdioden in Abstrahlrichtung nachgeordnet. Der Leuchtstoff kann in einer Vergussmasse eingebracht sein, die auf die Leistungsleuchtdiode und die Einstell-Leuchtdiode sowie gegebenenfalls weitere Einstell- und Leistungsleuchtdioden aufgebracht ist. In einer Ausführungsform umfasst die Vorrichtung zur optischen Durchmischung den mindestens einen Leuchtstoff.In In a further development, the optoelectronic arrangement comprises at least a phosphor. The phosphor is the power and set LED and optionally the other power and / or setting LEDs downstream in the emission direction. The phosphor can in one Grout be introduced on the power light emitting diode and the adjustment LED as well as other adjustment and power LEDs is applied. In one embodiment For example, the optical mixing device comprises the at least one a phosphor.

Mittels des Leuchtstoffes kann die erste Strahlung und/oder die zweite Strahlung und/oder eine weitere Strahlung, die gegebenenfalls von den weiteren Leistungs- und/oder Einstell-Leuchtdioden emittiert wird, mindestens bei einer Wellenlänge zumindest teilweise konvertiert werden. Typischerweise absorbiert der Leuchtstoff zumindest einen Teil der von der Leuchtdiode emittierten Strahlung und emittiert daraufhin bevorzugt Strahlung einer größeren Wellenlänge als die Wellenlänge der Strahlung, die ursprünglich von der Leuchtdiode emittiert wurde. Eine resultierende Strahlung ergibt sich durch Mischung des wellenlängenkonvertierten Anteils der Strahlung mit der von der Leuchtdiode ursprünglich ausgesandten Strahlung. Der Leuchtstoff dient mit Vorteil zur Einstellung des Emissionsspektrums der Gesamtstrahlung der optoelektronischen Anordnung.through of the phosphor may be the first radiation and / or the second radiation and / or another radiation, optionally of the others Power and / or setting LEDs is emitted, at least be at least partially converted at one wavelength. Typically, the phosphor absorbs at least a portion of the light emitted by the light emitting diode and then emits preferentially Radiation of a larger wavelength as the wavelength of the radiation, originally was emitted from the light emitting diode. A resulting radiation results from mixing the wavelength-converted Proportion of radiation with the originally emitted by the LED Radiation. The phosphor is used with advantage for setting the Emission spectrum of the total radiation of the optoelectronic device.

Die Leistungsleuchtdiode und/oder die Einstell-Leuchtdiode beziehungsweise die weiteren Leistungsleuchtdioden und/oder die weiteren Einstell-Leuchtdioden können als Dünnfilm-Leuchtdioden-Chip realisiert sein.The Power LED and / or the setting LED or the further power LEDs and / or the other adjustment LEDs can be realized as a thin-film light-emitting diode chip be.

Ein Dünnfilm-Leuchtdioden-Chip zeichnet sich insbesondere durch folgende charakteristische Merkmale aus:

  • – an einer zu einem Trägerelement hin gewandten ersten Hauptfläche einer strahlungserzeugenden Epitaxieschichtenfolge ist eine reflektierende Schicht aufgebracht oder ausgebildet, die zumindest einen Teil der in der Epitaxieschichtenfolge erzeugten elektromagnetischen Strahlung in diese zurückreflektiert;
  • – die Epitaxieschichtenfolge weist eine Dicke im Bereich von 20 μm oder weniger, insbesondere im Bereich von 10 μm auf; und
  • – die Epitaxieschichtenfolge enthält mindestens eine Halbleiterschicht mit zumindest einer Fläche, die eine Durchmischungsstruktur aufweist, die im Idealfall zu einer annähernd ergodischen Verteilung des Lichtes in der epitaktischen Epitaxieschichtenfolge führt, das heißt sie weist ein möglichst ergodisch stochastisches Streuverhalten auf.
A thin-film light-emitting diode chip is characterized in particular by the following characteristic features:
  • On a first main surface of a radiation-generating epitaxial layer sequence which faces toward a carrier element, a reflective layer is applied or formed which reflects back at least part of the electromagnetic radiation generated in the epitaxial layer sequence;
  • - The epitaxial layer sequence has a thickness in the range of 20 microns or less, in particular in the range of 10 microns; and
  • The epitaxial layer sequence contains at least one semiconductor layer with at least one surface which has a thorough mixing structure which, in the ideal case, leads to an approximately ergodic distribution of the light in the epitaxial epitaxial layer sequence, that is to say it has as ergodically stochastic scattering behavior as possible.

Ein Grundprinzip eines Dünnschicht-Leuchtdiodenchips ist beispielsweise in I. Schnitzer et al., Appl. Phys. Lett. 63 (16), 18. Oktober 1993, 2174–2176 beschrieben, deren Offenbarungsgehalt insofern hiermit durch Rückbezug aufgenommen wird.A basic principle of a thin-film light-emitting diode chip is, for example, in I. Schnitzer et al., Appl. Phys. Lett. 63 (16), 18 October 1993, 2174-2176 described, the disclosure of which is hereby incorporated by reference.

Ein Dünnfilm-Leuchtdioden-Chip ist in guter Näherung ein Lambert'scher Oberflächenstrahler und eignet sich von daher besonders gut für die Anwendung in einem Scheinwerfer.One Thin-film light-emitting diode chip is in good approximation a Lambert surface radiator and is suitable from therefore especially good for use in a headlight.

Die Leistungsleuchtdiode und die Einstell-Leuchtdiode beziehungsweise die weiteren Leistung- und/oder die weiteren Einstell-Leuchtdioden können je nach Wellenlänge auf der Basis von verschiedenen Halbleitermaterialsystemen hergestellt sein. Für eine langwellige Strahlung ist zum Beispiel ein Halbleiterkörper auf der Basis von InxGayAl1-x-yAs, für sichtbare rote bis gelbe Strahlung zum Beispiel ein Halbleiterkörper auf Basis von InxGayAl1-x-yP und für kurzwellige sichtbare, insbesondere grüne bis blaue Strahlung oder UV-Strahlung zum Beispiel ein Halbleiterkörper auf der Basis von InxGayAl1-x-yN geeignet, wobei 0 ≤ x ≤ 1 und 0 ≤ y ≤ 1 gilt.Depending on the wavelength, the power light-emitting diode and the setting light-emitting diode or the further power and / or the further setting light-emitting diodes can be produced on the basis of different semiconductor material systems. For a long-wave radiation, for example, a semiconductor body based on In x Ga y Al 1-xy As, for visible red to yellow radiation, for example, a semiconductor body based on In x Ga y Al 1-xy P and for short-wave visible, In particular, green to blue radiation or UV radiation, for example, a semiconductor body based on In x Ga y Al 1-xy N suitable, where 0 ≤ x ≤ 1 and 0 ≤ y ≤ 1 applies.

Bevorzugt umfasst die Epitaxieschichtenfolge wenigstens eine aktive Zone, die zur Erzeugung elektromagnetischer Strahlung geeignet ist. Dazu kann die aktive Zone beispielsweise einen pn-Übergang, eine Doppelheterostruktur, eine Einfach-Quantentopf- oder besonders bevorzugt eine Mehrfach-Quantentopfstruktur, abgekürzt MQW, aufweisen.Prefers the epitaxial layer sequence comprises at least one active zone, which is suitable for generating electromagnetic radiation. This can the active zone, for example, a pn junction, a Double heterostructure, a single quantum well or more preferred a multiple quantum well structure, abbreviated MQW.

Die Bezeichnung Quantentopfstruktur umfasst im Rahmen der Anmeldung insbesondere jegliche Struktur, bei der Ladungsträger durch Einschluss, englisch confinement, eine Quantisierung ihrer Energiezustände erfahren können. Insbesondere beinhaltet die Bezeichnung Quantentopfstruktur keine Angabe über die Dimensionalität der Quantisierung. Sie umfasst somit unter anderem Quantentröge, Quantendrähte und Quantenpunkte und jede Kombination dieser Strukturen.The Designation Quantum well structure includes in the context of the application in particular, any structure in which charge carriers through Inclusion, English confinement, a quantization of their energy states can learn. In particular, the name includes Quantum well structure no information about the dimensionality the quantization. It thus includes, among other things, quantum wells, Quantum wires and quantum dots and any combination of these Structures.

Erfindungsgemäß umfasst ein Verfahren zum Betrieb einer optoelektronischen Anordnung das Bereitstellen einer ersten Strahlung mittels einer Leistungsleuchtdiode. Die erste Strahlung weist ein erstes Emissionsspektrum auf. Weiter wird eine zweite Strahlung mittels einer Einstell-Leuchtdiode bereitgestellt. Die zweite Strahlung umfasst ein zweites Emissionsspektrum. Durch die zweite Strahlung wird ein Emissionsspektrum einer Gesamtstrahlung der optoelektronischen Anordnung genauer eingestellt.According to the invention, a method comprises for operating an optoelectronic device, the provision of a first radiation by means of a power light emitting diode. The first radiation has a first emission spectrum. Furthermore, a second radiation is provided by means of a setting LED. The second radiation comprises a second emission spectrum. By the second radiation, an emission spectrum of a total radiation of the optoelectronic device is set more accurately.

Mit Vorteil kann ein Hauptanteil der Gesamtstrahlung von der Leistungsleuchtdiode und ein kleinerer Anteil von der Einstell-Leuchtdiode bereitgestellt werden.With Advantage may be a major portion of the total radiation from the power light emitting diode and a smaller portion provided by the adjustment LED become.

In einer Ausführungsform werden die erste und die zweite Strahlung im Wesentlichen gleichzeitig emittiert.In In one embodiment, the first and second radiation essentially emitted at the same time.

In einer Ausführungsform werden eine erste elektrische Leistung der Leistungsleuchtdiode und eine zweite elektrische Leistung der Einstell-Leuchtdiode zugeführt. In einer Ausführungsform beträgt die erste elektrische Leistung mindestens das Vierfache der zweiten elektrischen Leistung. Bevorzugt beträgt die erste elektrische Leistung das Fünffache der zweiten elektrischen Leistung. Durch ein Verhältnis zwischen der ersten Leistung und der zweiten Leistung kann ein Verhältnis der ersten Strahlung und der zweiten Strahlung eingestellt werden. Somit ist ein Emissionsspektrum der Gesamtstrahlung der optoelektronischen Anordnung genau einstellbar.In In one embodiment, a first electrical power the power light emitting diode and a second electric power of the Adjustment LED supplied. In one embodiment the first electric power is at least four times the second electric power. Preferably, the first electric power five times the second electric Power. By a ratio between the first performance and the second power can be a ratio of the first Radiation and the second radiation can be adjusted. Thus is an emission spectrum of the total radiation of the optoelectronic Arrangement precisely adjustable.

In einer Ausführungsform werden die erste und die zweite elektrische Leistung im Wesentlichen gleichzeitig der Leistungsleuchtdiode beziehungsweise der Einstell-Leuchtdiode zugeführt. Die beiden elektrischen Leistungen können jeweils konstant sein.In In one embodiment, the first and second electrical Power substantially simultaneously the power LED respectively fed to the setting LED. The two electric ones Benefits can be constant.

In einer anderen Ausführungsform wird der Leistungsleuchtdiode ein pulsweitenmodulierter erster Strom und der Einstell-Leuchtdiode ein pulsweitenmodulierter zweiter Strom zugeleitet. Die erste und die zweite elektrische Leistung sind daher nicht konstant, sondern getaktet. Die Modulation der beiden Ströme kann näherungsweise gleich sein. Daher können die beiden Leistungen im Wesentlichen gleichzeitig der Leistungsleuchtdiode beziehungsweise der Einstell-Leuchtdiode zugeführt werden. Alternativ kann der erste Strom verschieden zu dem zweiten Strom moduliert sein.In In another embodiment, the power LED becomes a pulse width modulated first current and the adjustment LED fed a pulse width modulated second current. The first and the second electric power is therefore not constant but clocked. The modulation of the two currents can be approximated be equal. Therefore, the two services can be essentially the same time the power LED or the setting LED be supplied. Alternatively, the first stream may be different be modulated to the second current.

Die erste und/oder die zweite elektrische Leistung können zeitlich variabel sein. Somit können Änderungen der Farbkoordinaten im Betrieb möglich sein. Mit Vorteil sind somit unterschiedliche Farbkoordinaten im Betrieb einstellbar.The first and / or second electrical power can be timed be variable. Thus, changes in the color coordinates be possible during operation. With advantage are thus different Color coordinates adjustable during operation.

Mit zeitlich variablen Werten für die erste und/oder die zweite elektrische Leistung können auch langfristige Abweichungen der Farbkoordinaten von den ursprünglichen Farbkoordinaten kompensiert werden. Derartige langfristige Abweichungen können durch eine unterschiedliche Degradation bei einzelnen Wellenlängen in den Emissionsspektren der Leistungs- und/oder Einstell-Leuchtdiode hervorgerufen sein.With time-variable values for the first and / or the second Electric power can also cause long-term deviations the color coordinates of the original color coordinates be compensated. Such long-term deviations can by a different degradation at individual wavelengths in the emission spectra of the power and / or adjustment LED be caused.

Die Erfindung wird nachfolgend an mehreren Ausführungsbeispielen anhand der Figuren näher erläutert. Funktions- beziehungsweise wirkungsgleiche Bauelemente und Komponenten tragen gleiche Bezugszeichen. Insoweit sich Bauelemente oder Komponenten in ihrer Funktion entsprechen, wird deren Beschreibung nicht in jeder der folgenden Figuren wiederholt.The The invention will be described in more detail below explained in more detail with reference to FIGS. functional or carry the same effect components and components same reference numerals. As far as components or components in their function, their description is not in each of the following figures repeated.

Es zeigenIt demonstrate

1A und 1B eine beispielhafte Ausführungsform einer erfindungsgemäßen optoelektronischen Anordnung als Querschnitt und in Aufsicht, 1A and 1B an exemplary embodiment of an optoelectronic device according to the invention as a cross section and in supervision,

2 eine alternative beispielhafte Ausführungsform einer erfindungsgemäßen optoelektronischen Anordnung in Aufsicht, 2 an alternative exemplary embodiment of an optoelectronic device according to the invention in supervision,

3 eine alternative beispielhafte Ausführungsform einer erfindungsgemäßen optoelektronischen Anordnung als schematische Aufsicht und 3 an alternative exemplary embodiment of an optoelectronic device according to the invention as a schematic plan view and

4 eine weitere beispielhafte Ausführungsform einer erfindungsgemäßen optoelektronischen Anordnung als schematische Aufsicht. 4 a further exemplary embodiment of an optoelectronic device according to the invention as a schematic plan view.

1A zeigt eine beispielhafte Ausführungsform einer erfindungsgemäßen optoelektronischen Anordnung als Querschnitt. Die optoelektronische Anordnung 1 umfasst eine Leistungsleuchtdiode 10, eine Einstell-Leuchtdiode 20 und einen Träger 2. Die Leistungsleuchtdiode 10 und die Einstell-Leuchtdiode 20 sind auf dem Träger 2 angeordnet. Die Leistungsleuchtdiode 10 weist einen ersten Halbleiterkörper 11 und die Einstell-Leuchtdiode 20 einen zweiten Halbleiterkörper 21 auf. Der erste Halbleiterkörper 11 umfasst eine erste Strahlungsaustrittsfläche FL. Entsprechend umfasst der zweite Halbleiterkörper 21 eine zweite Strahlungsaustrittsfläche FE. 1A shows an exemplary embodiment of an optoelectronic device according to the invention as a cross section. The optoelectronic arrangement 1 includes a power LED 10 , a setting LED 20 and a carrier 2 , The power light emitting diode 10 and the adjustment LED 20 are on the carrier 2 arranged. The power light emitting diode 10 has a first semiconductor body 11 and the adjustment LED 20 a second semiconductor body 21 on. The first semiconductor body 11 includes a first radiation exit surface FL. Accordingly, the second semiconductor body comprises 21 a second radiation exit surface FE.

Der Träger 2 umfasst eine erste Anschlussfläche 31, auf der die Leistungsleuchtdiode 10 angeordnet ist, sowie eine zweite Anschlussfläche 32, auf der die Einstell-Leuchtdiode 20 angeordnet ist. Der erste Halbleiterkörper 11 ist elektrisch leitend mit der ersten Anschlussfläche 31 und der zweite Halbleiterkörper 21 ist elektrisch leitend mit der zweiten Anschlussfläche 32 verbunden. Darüber hinaus umfasst der Träger 2 eine dritte und eine vierte Anschlussfläche 33, 34. Der erste Halbleiterkörper 11 ist mit der dritten Anschlussfläche 33 und der zweite Halbleiterkörper 21 mit der vierten Anschlussfläche 34 gekoppelt. Dazu ist ein Anschlussbereich auf der ersten Strahlungsaustrittsfläche FL mittels eines Bonddrahtes 35 mit der dritten Anschlussfläche 33 sowie ein Anschlussbereich auf der zweiten Strahlungsaustrittsfläche FE mittels eines weiteren Bonddrahtes 35 mit der vierten Anschlussfläche 34 verbunden. Die Leistungsleuchtdiode 10 ist nahe einem Mittelpunkt oder einer Symmetrieachse 7 der optoelektronischen Anordnung 1 angeordnet. Infolgedessen ist die Einstell-Leuchtdiode 20 beabstandet von der Symmetrieachse 7 angeordnet. Die optoelektronische Anordnung 1 umfasst darüber hinaus eine Vorrichtung 5 zur optischen Durchmischung. Die Vorrichtung 5 zur optischen Durchmischung ist auf dem Träger 2 angeordnet.The carrier 2 includes a first pad 31 on which the power light emitting diode 10 is arranged, and a second pad 32 on which the adjustment LED 20 is arranged. The first semiconductor body 11 is electrically conductive with the first pad 31 and the second semiconductor body 21 is electrically conductive with the second pad 32 connected. In addition, the carrier includes 2 a third and a fourth Anschlußflä che 33 . 34 , The first semiconductor body 11 is with the third pad 33 and the second semiconductor body 21 with the fourth pad 34 coupled. For this purpose, a connection region on the first radiation exit surface FL is by means of a bonding wire 35 with the third interface 33 and a connection region on the second radiation exit surface FE by means of another bonding wire 35 with the fourth pad 34 connected. The power light emitting diode 10 is near a midpoint or a symmetry axis 7 the optoelectronic device 1 arranged. As a result, the adjustment LED is 20 spaced from the axis of symmetry 7 arranged. The optoelectronic arrangement 1 also includes a device 5 for optical mixing. The device 5 for optical mixing is on the support 2 arranged.

Der Leistungsleuchtdiode 10 wird eine erste elektrische Leistung PL zugeleitet. Entsprechend wird der Einstell-Leuchtdiode 20 eine zweite elektrische Leistung PE zugeführt. Die Zuführung der ersten elektrischen Leistung PL wird mittels der ersten Anschlussfläche 31 beziehungsweise der dritten Anschlussfläche 33 und dem Bonddraht 35 realisiert. Entsprechend wird die Zuführung der zweiten elektrischen Leistung PE mittels der zweiten Anschlussfläche 32 und der vierten Anschlussfläche 34 sowie dem weiteren Bonddraht 35 durchgeführt. Die Leistungsleuchtdiode 10 gibt eine erste Strahlung SL ab. Die erste Strahlung SL weist ein erstes Emissionsspektrum EL auf. In ähnlicher Weise gibt die Einstell-Leuchtdiode 20 eine zweite Strahlung SE ab. Die zweite Strahlung SE umfasst ein zweites Emissionsspektrum EE. Die erste Strahlung SL wird an der ersten Strahlungsaustrittsfläche FL und die zweite Strahlung SE wird an der zweiten Strahlungsaustrittsfläche SE abgestrahlt. Die Emission der ersten Strahlung SL wird in Abhängigkeit von der ersten elektrischen Leistung PL und die Emission der zweiten Strahlung SE wird in Abhängigkeit von der zweiten elektrischen Leistung PE durchgeführt. Die erste und die zweite Strahlung SL, SE werden derart bereitgestellt, dass die optoelektronische Anordnung 1 eine Gesamtstrahlung SO aufweist. Die Gesamtstrahlung SO ist eine Summe aus der ersten und der zweiten Strahlung SE, SL. Die erste Strahlung SL ist betragsmäßig größer als die zweite Strahlung SE. Mittels der Vorrichtung 5 zur optischen Durchmischung werden die erste und die zweite Strahlung SL, SE gemischt. Dadurch wird erreicht, dass die Gesamtstrahlung SO der optoelektronischen Anordnung 1 in jeder Strahlungsrich tung näherungsweise das gleiche Emissionsspektrum aufweist. Die Gesamtintensität der Gesamtstrahlung ist richtungsabhängig.The power LED 10 a first electric power PL is supplied. Accordingly, the setting LED becomes 20 a second electrical power PE supplied. The supply of the first electrical power PL is by means of the first connection surface 31 or the third pad 33 and the bonding wire 35 realized. Accordingly, the supply of the second electrical power PE by means of the second connection surface 32 and the fourth pad 34 and the other bonding wire 35 carried out. The power light emitting diode 10 emits a first radiation SL. The first radiation SL has a first emission spectrum EL. Similarly, the adjustment LED 20 a second radiation SE. The second radiation SE comprises a second emission spectrum EE. The first radiation SL is emitted at the first radiation exit surface FL and the second radiation SE is emitted at the second radiation exit surface SE. The emission of the first radiation SL is performed in dependence on the first electrical power PL and the emission of the second radiation SE is performed in dependence on the second electrical power PE. The first and the second radiation SL, SE are provided such that the optoelectronic device 1 has a total radiation SO. The total radiation SO is a sum of the first and the second radiation SE, SL. The first radiation SL is greater in magnitude than the second radiation SE. By means of the device 5 For optical mixing, the first and the second radiation SL, SE are mixed. This ensures that the total radiation SO of the optoelectronic device 1 in each radiation direction has approximately the same emission spectrum. The total intensity of the total radiation is directional.

Mit Vorteil wird mittels der Zumischung der zweiten Strahlung SE zu der ersten Strahlung SL erreicht, dass die Gesamtstrahlung SO ein Emissionsspektrum EO in einem vorgebbaren Bereich aufweist.With Advantage is due to the admixture of the second radiation SE to the first radiation SL reaches the total radiation SO Emission spectrum EO in a predetermined range has.

Mit der Vorrichtung 5 zur optischen Durchmischung wird vorteilhafterweise kompensiert, dass die Leistungsleuchtdiode 10 und die Einstell-Leuchtdiode 20 nicht zugleich in der Symmetrieachse 7 oder im Mittelpunkt der optoelektronischen Anordnung 1 angeordnet sein können.With the device 5 for optical mixing is advantageously compensated that the power light emitting diode 10 and the adjustment LED 20 not at the same time in the axis of symmetry 7 or in the center of the optoelectronic device 1 can be arranged.

In einer alternativen Ausführungsform umfasst die optoelektronische Anordnung 1 zusätzlich einen Leuchtstoff 6. Der Leuchtstoff 6 ist derart in die optoelektronische Anordnung 1 eingebracht, dass er in einem Strahlgang der ersten und der zweiten Strahlung SL, SE angeordnet ist. Der Leuchtstoff 6 dient zur Einstellung des Emissionsspektrums EO der Gesamtstrahlung SO der optoelektronischen Anordnung 1. Mit Vorteil kann somit das Emissionsspektrum EO der Gesamtstrahlung SO gegenüber dem ersten und dem zweiten Emissionsspektrum EL, EE verändert sein. Durch den Leuchtstoff 6 ist das Emissionsspektrum EO gegenüber dem ersten und dem zweiten Emissionsspektrum EL, EE verbreitert.In an alternative embodiment, the optoelectronic device comprises 1 in addition a phosphor 6 , The phosphor 6 is so in the optoelectronic device 1 introduced, that it is arranged in a beam path of the first and the second radiation SL, SE. The phosphor 6 serves to adjust the emission spectrum EO of the total radiation SO of the optoelectronic device 1 , Advantageously, therefore, the emission spectrum EO of the total radiation SO compared to the first and the second emission spectrum EL, EE be changed. Through the phosphor 6 the emission spectrum EO is widened compared to the first and the second emission spectrum EL, EE.

1B zeigt eine beispielhafte Ausführungsform der erfindungsgemäßen optoelektronischen Anordnung 1, die in 1A als Querschnitt gezeigt ist, in Aufsicht. 1B shows an exemplary embodiment of the optoelectronic device according to the invention 1 , in the 1A shown as a cross section, in supervision.

Die erste und die dritte Anschlussflächen 31, 33 dienen zur elektrisch leitenden Verbindung der Leistungsleuchtdiode 10 mit zwei externen Anschlüssen 47, 48 der optoelektronischen Anordnung 1. Entsprechend dienen die zweite und die vierte Anschlussflächen 32, 34 zur elektrisch leitenden Verbindung der Einstell-Leuchtdiode 20 mit zwei weiteren externen Anschlüssen 49, 50 der optoelektronischen Anordnung 1.The first and third pads 31 . 33 serve for the electrically conductive connection of the power light emitting diode 10 with two external connections 47 . 48 the optoelectronic device 1 , Accordingly, the second and the fourth pads serve 32 . 34 to the electrically conductive connection of the setting LED 20 with two other external connections 49 . 50 the optoelectronic device 1 ,

In einer alternativen, nicht gezeigten Ausführungsform umfasst die optoelektronische Anordnung 1 mindestens eine weitere Einstell-Leuchtdiode.In an alternative, not shown embodiment, the optoelectronic device comprises 1 at least one other setting LED.

In einer alternativen, nicht gezeigten Ausführungsform weist die optoelektronische Anordnung 1 mindestens eine weitere Leistungsleuchtdiode auf.In an alternative, not shown embodiment, the optoelectronic device 1 at least one more power LED.

2 zeigt eine beispielhafte Ausführungsform einer erfindungsgemäßen optoelektronischen Anordnung in Aufsicht. Die optoelektronische Anordnung 1 gemäß 2 ist eine Weiterbildung der optoelektronischen Anordnung 1 gemäß 1A und 1B. Die optoelektronische Anordnung 1 gemäß 2 umfasst einen ersten und einen zweiten Vorwiderstand 37, 38, die auf dem Träger 2 angeordnet sind. Der Träger 2 umfasst einen ersten und einen zweiten elektrischen Anschluss 3, 4. Die erste Anschlussfläche 31 und die zweite Anschlussfläche 32 sind mit dem ersten elektrischen Anschluss 3 verbunden. Die Leistungsleuchtdiode 10 ist über den ersten Vorwiderstand 37 mit dem zweiten elektrischen Anschluss 4 verbunden. Entsprechend ist die Einstell-Leuchtdiode 20 über den zweiten Vorwiderstand 38 mit dem zweiten elektrischen Anschluss 4 verbunden. Dazu ist der erste Vorwiderstand 37 zwischen der dritten Anschlussfläche 33 und dem zweiten elektrischen Anschluss 4 angeordnet. Entsprechend ist der zweite Vorwider stand 38 zwischen der vierten Anschlussfläche 34 und dem zweiten elektrischen Anschluss 4 angeordnet. Der erste und der zweite elektrische Anschluss 3, 4 dienen als externe Anschlüsse der optoelektronischen Anordnung 1. Die optoelektronische Anordnung 1 umfasst somit eine Parallelschaltung aus einer ersten Serienschaltung, umfassend die Leistungsleuchtdiode 10 und den ersten Vorwiderstand 37, sowie einer zweiten Serienschaltung, umfassend die Einstell-Leuchtdiode 20 und den zweiten Vorwiderstand 38. 2 shows an exemplary embodiment of an optoelectronic device according to the invention in a plan view. The optoelectronic arrangement 1 according to 2 is a development of the optoelectronic device 1 according to 1A and 1B , The optoelectronic arrangement 1 according to 2 includes a first and a second series resistor 37 . 38 on the carrier 2 are arranged. The carrier 2 includes a first and a second electrical connection 3 . 4 , The first connection surface 31 and the second pad 32 are with the first electrical connection 3 connected. The power light emitting diode 10 is about the first series resistor 37 with the second electrical connection 4 connected. Accordingly, the setting LED is 20 over the second series resistor 38 with the second electrical connection 4 connected. This is the first series resistor 37 between the third pad 33 and the second electrical connection 4 arranged. Accordingly, the second Vorwider stood 38 between the fourth pad 34 and the second electrical connection 4 arranged. The first and the second electrical connection 3 . 4 serve as external connections of the optoelectronic device 1 , The optoelectronic arrangement 1 thus comprises a parallel connection of a first series circuit, comprising the power light emitting diode 10 and the first series resistor 37 , and a second series circuit comprising the adjustment LED 20 and the second series resistor 38 ,

Die Summe aus der ersten und der zweiten elektrischen Leistung PL, PE wird mittels des ersten und des zweiten elektrischen Anschlusses 3, 4 der optoelektronischen Anordnung 1 zugeführt. Mittels des ersten und des zweiten Vorwiderstandes 37, 38 kann somit eine Aufteilung der gesamten elektrischen Leistung auf die erste elektrische Leistung PL und auf die zweite elektrische Leistung PE durchgeführt werden. Mittels der Einstellung der ersten beziehungsweise der zweiten elektrischen Leistung PL, PE ist die Strahlungsleistung der ersten Strahlung SL beziehungsweise der zweiten Strahlung SE einstellbar. Dadurch kann eine Intensitätsverteilung im Emissionsspektrum EO der Gesamtstrahlung SO fein eingestellt werden.The sum of the first and the second electrical power PL, PE is by means of the first and the second electrical connection 3 . 4 the optoelectronic device 1 fed. By means of the first and the second series resistor 37 . 38 Thus, a division of the total electrical power to the first electric power PL and the second electric power PE can be performed. By means of the setting of the first or the second electrical power PL, PE, the radiation power of the first radiation SL and the second radiation SE is adjustable. As a result, an intensity distribution in the emission spectrum EO of the total radiation SO can be finely adjusted.

In einer alternativen, nicht gezeigten Ausführungsform umfasst die optoelektronische Anordnung 1 mindestens eine weitere Serienschaltung, aufweisend eine weitere Einstell-Leuchtdiode und einen weiteren Vorwiderstand. Die mindestens eine weitere Serienschaltung ist zwischen den ersten und den zweiten elektrischen Anschluss 3, 4 geschaltet.In an alternative, not shown embodiment, the optoelectronic device comprises 1 at least one further series circuit, comprising a further adjustment LED and a further series resistor. The at least one further series connection is between the first and the second electrical connection 3 . 4 connected.

In einer alternativen, nicht gezeigten Ausführungsform weist die optoelektronische Anordnung 1 mindestens eine zusätzliche Serienschaltung auf, umfassend eine weitere Leistungsleuchtdiode und einen weiteren Vorwiderstand. Die mindestens eine zusätzliche Serienschaltung ist zwischen den ersten und den zweiten elektrischen Anschluss 3, 4 geschaltet.In an alternative, not shown embodiment, the optoelectronic device 1 at least one additional series circuit, comprising a further power light emitting diode and a further series resistor. The at least one additional series connection is between the first and the second electrical connection 3 . 4 connected.

3 zeigt eine beispielhafte Ausführungsform einer erfindungsgemäßen optoelektronischen Anordnung als schematische Aufsicht. Die optoelektronische Anordnung gemäß 3 ist eine Weiterbildung der in 1A, 1B und 2 gezeigten optoelektronischen Anordnungen. Gemäß 3 umfasst die optoelektronische Anordnung 1 die Leistungsleuchtdiode 10 sowie die erste Einstell-Leuchtdiode 20. Darüber hinaus umfasst die optoelektronische Anordnung 1 eine zweite, eine dritte und eine vierte Einstell-Leuchtdiode 22, 24, 26. Die Leistungsleuchtdiode 10 und die vier Einstell-Leuchtdioden 20, 22, 24, 26 sind symmetrisch bezüglich der Symmetrieachse 7 angeordnet. Die vier Einstell-Leuchtdioden 20, 22, 24, 26 sind auf einem Kreisbogen 8 gleichverteilt angeordnet. Der Kreisbogen 8 hat die Symmetrieachse 7 als Mittelpunkt. Die zweite Einstell-Leuchtdiode 22 weist einen dritten Halbleiterkörper 23 mit einer dritten Strahlungsaustrittsfläche FE1 auf. Entsprechend weist die dritte Einstell-Leuchtdiode 24 einen vierten Halbleiterkörper 25 mit einer vierten Strahlungsaustrittsfläche FE2 auf. In ähnlicher Weise umfasst die vierte Einstell-Leuchtdiode 26 einen fünften Halbleiterkörper 27 mit einer fünften Strahlungsaustrittsfläche FE3. 3 shows an exemplary embodiment of an optoelectronic device according to the invention as a schematic plan view. The optoelectronic device according to 3 is a further education of in 1A . 1B and 2 shown optoelectronic arrangements. According to 3 includes the optoelectronic device 1 the power light emitting diode 10 as well as the first setting LED 20 , In addition, the optoelectronic device includes 1 a second, a third and a fourth adjustment LED 22 . 24 . 26 , The power light emitting diode 10 and the four setting LEDs 20 . 22 . 24 . 26 are symmetrical with respect to the axis of symmetry 7 arranged. The four setting LEDs 20 . 22 . 24 . 26 are on a circular arc 8th arranged equally distributed. The circular arc 8th has the symmetry axis 7 as the center. The second setting LED 22 has a third semiconductor body 23 with a third radiation exit surface FE1. Accordingly, the third adjustment LED 24 a fourth semiconductor body 25 with a fourth radiation exit surface FE2. Similarly, the fourth adjustment LED comprises 26 a fifth semiconductor body 27 with a fifth radiation exit surface FE3.

Die Leistungsleuchtdiode 10 gibt in Abhängigkeit der ersten elektrischen Leistung PL die erste Strahlung SL ab. Die Einstell-Leuchtdiode 20 strahlt in Abhängigkeit der zweiten elektrischen Leistung PE die zweite Strahlung SE ab. Entsprechend wird der zweiten Einstell-Leuchtdiode 22 eine dritte elektrische Leistung PE1 zugeführt. Die zweite Einstell- Leuchtdiode 22 gibt eine dritte Strahlung SE1 ab. Die dritte Strahlung SE1 umfasst ein drittes Emissionsspektrum EE1. In analoger Weise wird der dritten Einstell-Leuchtdiode 24 eine vierte elektrische Leistung PE2 zugeleitet. Die dritte Einstell-Leuchtdiode 24 gibt eine vierte Strahlung SE2 ab. Die vierte Strahlung SE2 umfasst ein viertes Emissionsspektrum EE2. In ähnlicher Weise wird der vierten Einstell-Leuchtdiode 26 eine fünfte elektrische Leistung PE3 zugeleitet. Die vierte Einstell-Leuchtdiode 26 emittiert eine fünfte Strahlung SE3. Die fünfte Strahlung SE3 umfasst ein fünftes Emissionsspektrum EE3. Die Gesamtstrahlung SO der optoelektronischen Anordnung 1 ist eine Funktion der ersten bis fünften Strahlung SL, SE, SE1, SE2, SE3. Die Gesamtstrahlung SO der optoelektronischen Anordnung 1 ist eine Summation der ersten bis fünften Strahlung SL, SE, SE1, SE2, SE3. Das Emissionsspektrum EO der Gesamtstrahlung SO hängt von dem ersten bis fünften Emissionsspektrum EL, EE, EE1, EE2, EE3 ab. Eine Intensitätsverteilung im Emissionsspektrum EO der Gesamtstrahlung SO ist eine Funktion der Intensitätsverteilungen in den fünf Emissionsspektren EL, EE, EE1, EE2, EE3.The power light emitting diode 10 As a function of the first electrical power PL, the first radiation SL is emitted. The setting LED 20 radiates the second radiation SE as a function of the second electrical power PE. Accordingly, the second adjusting LED becomes 22 a third electric power PE1 supplied. The second adjustment LED 22 emits a third radiation SE1. The third radiation SE1 comprises a third emission spectrum EE1. In an analogous manner, the third setting LED 24 supplied a fourth electrical power PE2. The third adjustment LED 24 emits a fourth radiation SE2. The fourth radiation SE2 comprises a fourth emission spectrum EE2. Similarly, the fourth adjustment LED becomes 26 a fifth electric power PE3 supplied. The fourth setting LED 26 emits a fifth radiation SE3. The fifth radiation SE3 comprises a fifth emission spectrum EE3. The total radiation SO of the optoelectronic device 1 is a function of the first to fifth radiation SL, SE, SE1, SE2, SE3. The total radiation SO of the optoelectronic device 1 is a summation of the first to fifth radiation SL, SE, SE1, SE2, SE3. The emission spectrum EO of the total radiation SO depends on the first to fifth emission spectrum EL, EE, EE1, EE2, EE3. An intensity distribution in the emission spectrum EO of the total radiation SO is a function of the intensity distributions in the five emission spectra EL, EE, EE1, EE2, EE3.

Mit Vorteil kann mittels der vier Einstell-Leuchtdioden 20, 22, 24, 26 das Emissionsspektrum EO der Gesamtstrahlung SO fein eingestellt werden.Advantageously, by means of the four adjustment LEDs 20 . 22 . 24 . 26 the emission spectrum EO of the total radiation SO be finely adjusted.

In einer alternativen Ausführungsform ist ein Leuchtstoff 6 vorgesehen, der einen Teil der von der Leistungsleuchtdiode 10 und/oder den vier Einstell-Leuchtdioden 20, 22, 24, 26 bereitgestellten Strahlung SL, SE, SE1, SE2, SE3 umwandelt. Mit Vorteil ist somit das Emissionsspektrum EO der Gesamtstrahlung SO gegenüber einer reinen Addition der fünf Emissionsspektren EL, EE, EE1, EE2, EE3 variiert werden.In an alternative embodiment, a phosphor is 6 provided, which is part of the power LED 10 and / or the four ones Vice-emitting diodes 20 . 22 . 24 . 26 provided radiation SL, SE, SE1, SE2, SE3 converts. Advantageously, the emission spectrum EO of the total radiation SO is thus varied compared to a pure addition of the five emission spectra EL, EE, EE1, EE2, EE3.

In einer alternativen, nicht gezeigten Ausführungsform sind die vier Einstell-Leuchtdioden 20, 22, 24, 26 auf einer Ellipse gleichverteilt angeordnet.In an alternative embodiment, not shown, the four tuning LEDs are 20 . 22 . 24 . 26 arranged evenly distributed on an ellipse.

In einer alternativen, nicht gezeigten Ausführungsform umfasst die optoelektronische Anordnung 1 mindestens eine weitere Einstell-Leuchtdiode.In an alternative, not shown embodiment, the optoelectronic device comprises 1 at least one other setting LED.

In einer alternativen, nicht gezeigten Ausführungsform weist die optoelektronische Anordnung 1 mindestens eine weitere Leistungsleuchtdiode auf.In an alternative, not shown embodiment, the optoelectronic device 1 at least one more power LED.

4 zeigt eine beispielhafte Ausführungsform einer erfindungsgemäßen optoelektronischen Anordnung, die eine Weiterbildung der optoelektronischen Anordnung gemäß den 1A, 1B und 2 darstellt. Die optoelektronische Anordnung 1 gemäß 4 umfasst die Leistungsleuchtdiode 10 sowie eine weitere Leistungsleuchtdiode 12. Die Leistungsleuchtdiode 10 und die weitere Leistungsleuchtdiode 12 sind benachbart angeordnet. Die weitere Leistungsleuchtdiode 12 weist einen weiteren Halbleiterkörper 13 auf. Der weitere Halbleiterkörper 13 umfasst eine weitere Strahlungsaustrittsfläche FL1. Die optoelektronische Anordnung 1 umfasst darüber hinaus die Einstell-Leuchtdiode 20 sowie die zweite Einstell-Leuchtdiode 22. Die Leistungsleuchtdiode 10 und die weitere Leistungsleuchtdiode 12 sind zwischen der Einstell-Leuchtdiode 20 und der zweiten Einstell-Leuchtdiode 22 angeordnet. Die vier Leuchtdioden 10, 12, 20, 22 sind auf einer Gerade 9 angeordnet. Die Anordnung der vier Leuchtdioden 10, 12, 20, 22 ist symmetrisch bezüglich der Symmetrieachse 7. 4 shows an exemplary embodiment of an optoelectronic device according to the invention, which is a development of the optoelectronic device according to the 1A . 1B and 2 represents. The optoelectronic arrangement 1 according to 4 includes the power light emitting diode 10 and another power LED 12 , The power light emitting diode 10 and the additional power LED 12 are arranged adjacent. The additional power LED 12 has a further semiconductor body 13 on. The further semiconductor body 13 comprises a further radiation exit surface FL1. The optoelectronic arrangement 1 also includes the adjustment LED 20 and the second setting LED 22 , The power light emitting diode 10 and the additional power LED 12 are between the setting LED 20 and the second adjustment LED 22 arranged. The four light-emitting diodes 10 . 12 . 20 . 22 are on a straight line 9 arranged. The arrangement of the four LEDs 10 . 12 . 20 . 22 is symmetrical with respect to the axis of symmetry 7 ,

Der weiteren Leistungsleuchtdiode 12 wird eine weitere elektrische Leistung PL1 zugeführt. Die weitere Leistungsleuchtdi ode 12 gibt an der weiteren Strahlungsaustrittsfläche FL1 eine weitere Strahlung SL1 ab. Die weitere Strahlung SL1 umfasst ein weiteres Emissionsspektrum EL1. Das Emissionsspektrum EO der Gesamtstrahlung SO ist somit im Wesentlichen eine Funktion des ersten Emissionsspektrums EL sowie des weiteren Emissionsspektrums EL1, welches mittels des zweiten und des dritten Emissionsspektrums EE, EE1 feiner eingestellt wird.The other power LED 12 a further electric power PL1 is supplied. The additional power light di ode 12 At the further radiation exit surface FL1, another radiation SL1 is emitted. The further radiation SL1 comprises a further emission spectrum EL1. The emission spectrum EO of the total radiation SO is thus essentially a function of the first emission spectrum EL and of the further emission spectrum EL1, which is set finer by means of the second and the third emission spectrum EE, EE1.

Mit Vorteil wird somit das Emissionsspektrum EO der Gesamtstrahlung SO in Abhängigkeit von der ersten Strahlung SL und der weiteren Strahlung SL1 zweier Leistungsleuchtdioden bereitgestellt.With The advantage is therefore the emission spectrum EO of the total radiation SO as a function of the first radiation SL and the further radiation SL1 provided two power LEDs.

In einer alternativen Ausführungsform umfasst die optoelektronische Anordnung 1 mindestens eine weitere Einstell-Leuchtdiode. In einer alternativen Ausführungsform weist die optoelektronische Anordnung 1 mindestens eine weitere Leistungsleuchtdiode auf.In an alternative embodiment, the optoelectronic device comprises 1 at least one other setting LED. In an alternative embodiment, the optoelectronic device 1 at least one more power LED.

Die Erfindung ist nicht durch die Beschreibung anhand der Ausführungsbeispiele beschränkt. Vielmehr umfasst die Erfindung jedes neue Merkmal sowie jede Kombination von Merkmalen, was insbesondere jede Kombination von Merkmalen in den Patentansprüchen beinhaltet, auch wenn dieses Merkmal oder diese Kombination selbst nicht explizit in den Patentansprüchen oder Ausführungsbeispielen angegeben ist.The The invention is not by the description based on the embodiments limited. Rather, the invention includes every new feature as well any combination of features, especially any combination includes features in the claims, also if this feature or combination itself is not explicit specified in the patent claims or exemplary embodiments is.

ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNGQUOTES INCLUDE IN THE DESCRIPTION

Diese Liste der vom Anmelder aufgeführten Dokumente wurde automatisiert erzeugt und ist ausschließlich zur besseren Information des Lesers aufgenommen. Die Liste ist nicht Bestandteil der deutschen Patent- bzw. Gebrauchsmusteranmeldung. Das DPMA übernimmt keinerlei Haftung für etwaige Fehler oder Auslassungen.This list The documents listed by the applicant have been automated generated and is solely for better information recorded by the reader. The list is not part of the German Patent or utility model application. The DPMA takes over no liability for any errors or omissions.

Zitierte PatentliteraturCited patent literature

  • - WO 2006/002607 [0003] WO 2006/002607 [0003]
  • - US 5861990 [0004] US 5861990 [0004]

Zitierte Nicht-PatentliteraturCited non-patent literature

  • - I. Schnitzer et al., Appl. Phys. Lett. 63 (16), 18. Oktober 1993, 2174–2176 [0033] I. Schnitzer et al., Appl. Phys. Lett. 63 (16), 18 October 1993, 2174-2176 [0033]

Claims (24)

Optoelektronische Anordnung, umfassend – eine Leistungsleuchtdiode (10), von der eine erste Strahlung (SL) mit einem ersten Emissionsspektrum (EL) abstrahlbar ist, und – eine Einstell-Leuchtdiode (20), von der eine zweite Strahlung (SE) mit einem zweiten Emissionsspektrum (EE) derart abstrahlbar ist, dass eine Gesamtstrahlung (SO) der optoelektronischen Anordnung (1) die erste Strahlung (SL) und die zweite Strahlung (SE) umfasst.Optoelectronic assembly comprising - a power LED ( 10 ), from which a first radiation (SL) with a first emission spectrum (EL) can be emitted, and - a setting LED ( 20 ), from which a second radiation (SE) with a second emission spectrum (EE) can be emitted in such a way that a total radiation (SO) of the optoelectronic device (SE) 1 ) comprises the first radiation (SL) and the second radiation (SE). Optoelektronische Anordnung nach Anspruch 1, bei der sich das zweite Emissionsspektrum (EE) von dem ersten Emissionsspektrum (EL) unterscheidet.Optoelectronic device according to claim 1, wherein the second emission spectrum (EE) from the first emission spectrum (EL) is different. Optoelektronische Anordnung nach Anspruch 1 oder 2, bei der die Einstell-Leuchtdiode (20) zur Feineinstellung eines Emissionsspektrums (EO) der Gesamtstrahlung (SO) der optoelektronischen Anordnung (1) vorgesehen ist.Optoelectronic device according to Claim 1 or 2, in which the adjustment LED ( 20 ) for finely adjusting an emission spectrum (EO) of the total radiation (SO) of the optoelectronic device ( 1 ) is provided. Optoelektronische Anordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 3, bei der mittels Beimischung der zweiten Strahlung (SE) zu der ersten Strahlung (SL) die Farbkoordinaten der Gesamtstrahlung (SO) der optoelektronischen Anordnung (1) in einem vorgebbaren Intervall einstellbar sind.Optoelectronic device according to one of Claims 1 to 3, in which the color coordinates of the total radiation (SO) of the optoelectronic device (SE) are mixed with the first radiation (SL) by admixing the second radiation (SE). 1 ) are adjustable in a predetermined interval. Optoelektronische Anordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 4, bei der ein erster Halbleiterkörper (11) die Leistungsleuchtdiode (10) und ein zweiter Halbleiterkörper (21) die Einstell-Leuchtdiode (20) umfasst.Optoelectronic device according to one of Claims 1 to 4, in which a first semiconductor body ( 11 ) the power light emitting diode ( 10 ) and a second semiconductor body ( 21 ) the adjustment LED ( 20 ). Optoelektronische Anordnung nach Anspruch 5, bei der eine erste Strahlungsaustrittsfläche (FL) des ersten Halbleiterkörpers (11) mindestens um den Faktor 4 größer als eine zweite Strahlungsaustrittsfläche (FE) des zweiten Halbleiterkörpers (21) ist.Optoelectronic device according to claim 5, in which a first radiation exit surface (FL) of the first semiconductor body (FIG. 11 ) at least by a factor of 4 greater than a second radiation exit surface (FE) of the second semiconductor body ( 21 ). Optoelektronische Anordnung nach Anspruch 5 oder 6, umfassend einen Träger (2), auf dem der erste Halbleiterkörpers (11) und der zweite Halbleiterkörper (21) angeordnet sind.Optoelectronic assembly according to claim 5 or 6, comprising a support ( 2 ) on which the first semiconductor body ( 11 ) and the second semiconductor body ( 21 ) are arranged. Optoelektronische Anordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 7, umfassend einen ersten Vorwiderstand (37), der in Serie zu der Leistungsleuchtdiode (10) geschaltet ist, und einen zweiten Vorwiderstand (38), der in Serie zu der Einstell-Leuchtdiode (20) geschaltet ist, wobei die beiden Serienschaltungen zueinander parallel geschaltet sind.Optoelectronic device according to one of Claims 1 to 7, comprising a first series resistor ( 37 ) connected in series with the power LED ( 10 ), and a second series resistor ( 38 ) in series with the adjustment LED ( 20 ) is connected, wherein the two series circuits are connected in parallel to each other. Optoelektronische Anordnung nach Anspruch 7 und 8, bei der der erste und der zweite Vorwiderstand (37, 38) auf dem Träger (2) angeordnet sind und der Träger (2) einen ersten und einen zweiten elektrischen Anschluss (3, 4) umfasst, zwischen denen die erste Serienschaltung, umfassend den ersten Vorwiderstand (37) und die Leistungsleuchtdiode (10), geschaltet ist und zwischen denen die zweite Serienschaltung, umfassend den zweiten Vorwiderstand (38) und die Einstell-Leuchtdiode (20), geschaltet ist.Optoelectronic assembly according to claim 7 and 8, wherein the first and the second series resistor ( 37 . 38 ) on the support ( 2 ) and the carrier ( 2 ) a first and a second electrical connection ( 3 . 4 ) between which the first series circuit comprising the first series resistor ( 37 ) and the power light emitting diode ( 10 ), and between which the second series circuit, comprising the second series resistor ( 38 ) and the adjustment LED ( 20 ), is switched. Optoelektronische Anordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 9, bei der eine erste elektrische Leistung (PL), welche der Leistungsleuchtdiode (10) zugeleitet ist, um mindestens den Faktor 4 größer als eine zweite elektrische Leistung (PE) ist, welche der Einstell-Leuchtdiode (20) zugeleitet ist.Optoelectronic device according to one of claims 1 to 9, wherein a first electrical power (PL), which of the power light emitting diode ( 10 ) is at least a factor of 4 greater than a second electrical power (PE), which of the adjustment LED ( 20 ). Optoelektronische Anordnung nach Anspruch 10, bei der das zweite Emissionsspektrum (EE) der Einstell-Leuchtdiode (20) und die zweite elektrische Leistung (PE) derart eingestellt ist, dass die Farbkoordinaten der Gesamtstrahlung (SO) der optoelektronischen Anordnung (1) in einem vorgebbaren Intervall sind.Optoelectronic device according to Claim 10, in which the second emission spectrum (EE) of the adjustment LED ( 20 ) and the second electrical power (PE) is set such that the color coordinates of the total radiation (SO) of the optoelectronic device ( 1 ) are within a predetermined interval. Optoelektronisches Anordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 11, umfassend mindestens eine weitere Einstell-Leuchtdiode (22, 24, 26), von der mindestens eine weitere Strahlung (SE1, SE2, SE3) mit mindestens einem weiteren Emissionsspektrum (EE1, EE2, EE3) derart abstrahlbar ist, dass die Gesamtstrahlung (SO) der optoelektronischen Anordnung (1) die mindestens eine weitere Strahlung (SE1, SE2, SE3) umfasst.Optoelectronic device according to one of claims 1 to 11, comprising at least one further setting LED ( 22 . 24 . 26 ), from which at least one further radiation (SE1, SE2, SE3) with at least one further emission spectrum (EE1, EE2, EE3) can be emitted in such a way that the total radiation (SO) of the optoelectronic device ( 1 ) comprising at least one further radiation (SE1, SE2, SE3). Optoelektronische Anordnung nach Anspruch 12, bei der sich das mindestens eine weitere Emissionsspektrum (EE1, EE2, EE3) von dem ersten Emissionsspektrum (EL) und von dem zweiten Emissionsspektrum (EE) unterscheidet.An optoelectronic device according to claim 12, wherein the at least one further emission spectrum (EE1, EE2, EE3) from the first emission spectrum (EL) and from the second emission spectrum (EE) is different. Optoelektronische Anordnung nach Anspruch 12 oder 13, bei der die mindestens eine weitere Einstell-Leuchtdiode (22, 24, 26) zur Feineinstellung eines Emissionsspektrums der Gesamtstrahlung (SO) der optoelektronischen Anordnung (1) vorgesehen ist.Optoelectronic device according to claim 12 or 13, wherein the at least one further adjustment LED ( 22 . 24 . 26 ) for fine adjustment of an emission spectrum of the total radiation (SO) of the optoelectronic device ( 1 ) is provided. Optoelektronische Anordnung nach einem der Ansprüche 12 bis 14, bei der mittels Beimischung der zweiten Strahlung (SE) der Einstell-Leuchtdiode (20) und der mindestens einen weiteren Strahlung (SE1, SE2, SE3) der mindestens einen weiteren Einstell-Leuchtdiode (22, 24, 26) zu der ersten Strahlung (SL) der Leistungsleuchtdiode (10) die Farbkoordinaten der Gesamtstrahlung (SO) der optoelektronischen Anordnung (1) in einem vorgebbaren Intervall einstellbar sind.Optoelectronic arrangement according to one of claims 12 to 14, in which by means of the admixing of the second radiation (SE) of the adjustment light-emitting diode ( 20 ) and the at least one further radiation (SE1, SE2, SE3) of the at least one further adjustment LED ( 22 . 24 . 26 ) to the first radiation (SL) of the power LED ( 10 ) the color coordinates of the total radiation (SO) of the optoelectronic device ( 1 ) are adjustable in a predetermined interval. Optoelektronisches Anordnung nach einem der Ansprüche 12 bis 15, bei der mindestens ein weiterer Halbleiterkörper (23, 25, 27) die mindestens eine weitere Einstell-Leuchtdiode (22, 24, 26) umfasst.Optoelectronic device according to one of Claims 12 to 15, in which at least one further semiconductor body ( 23 . 25 . 27 ) the at least another setting LED ( 22 . 24 . 26 ). Optoelektronisches Anordnung nach Anspruch 16, sofern auf Anspruch 6 rückbezogen, bei der die erste Strahlungsaustrittsfläche (FL) des ersten Halbleiterkörpers (11) mindestens um den Faktor 4 größer als mindestens eine weitere Strahlungsaustrittsfläche (FE1, FE2, FE3) des mindestens einen weiteren Halbleiterkörpers (23, 25, 27) ist.Optoelectronic device according to claim 16, if dependent on claim 6, in which the first radiation exit surface (FL) of the first semiconductor body (FIG. 11 ) at least by a factor of 4 greater than at least one further radiation exit surface (FE1, FE2, FE3) of the at least one further semiconductor body ( 23 . 25 . 27 ). Optoelektronisches Anordnung nach einem der Ansprüche 12 bis 17, sofern auf Anspruch 10 rückbezogen, bei der die erste elektrische Leistung (PL) um mindestens den Faktor 4 größer als eine weitere elektrische Leistung (PE1, PE2, PE3) ist, welcher der mindestens einen weiteren Einstell-Leuchtdiode (22, 24, 26) zugeleitet ist.Optoelectronic device according to one of Claims 12 to 17, if dependent on Claim 10, in which the first electrical power (PL) is at least a factor of 4 greater than a further electrical power (PE1, PE2, PE3), which of the at least one further Adjustment LED ( 22 . 24 . 26 ). Optoelektronisches Anordnung nach Anspruch 18, bei der das mindestens eine weitere Emissionsspektrum (EE1, EE2, EE3) der mindestens einen weiteren Einstell-Leuchtdiode (22, 24, 26) derart vorgesehen ist und die mindestens eine weitere elektrische Leistung (PE1, PE2, PE3) derart eingestellt ist, dass die Farbkoordinaten der optoelektronischen Anordnung (1) in einem vorgebbaren Intervall sind.Optoelectronic device according to claim 18, in which the at least one further emission spectrum (EE1, EE2, EE3) of the at least one further adjustment LED ( 22 . 24 . 26 ) is provided and the at least one further electrical power (PE1, PE2, PE3) is set such that the color coordinates of the optoelectronic device ( 1 ) are within a predetermined interval. Optoelektronisches Anordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 19, umfassend mindestens eine weitere Leistungsleuchtdiode (12), von der mindestens eine zusätzliche Strahlung (SL1) mit mindestens einem zusätzlichen Emissionsspektrum (EL1) abstrahlbar ist.Optoelectronic device according to one of Claims 1 to 19, comprising at least one further power LED ( 12 ), from which at least one additional radiation (SL1) with at least one additional emission spectrum (EL1) can be emitted. Optoelektronisches Anordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 20, umfassend eine Vorrichtung (5) zur optischen Durchmischung der ersten Strahlung (SL) und der zweiten Strahlung (SE).Optoelectronic device according to one of Claims 1 to 20, comprising a device ( 5 ) for the optical mixing of the first radiation (SL) and the second radiation (SE). Optoelektronisches Anordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 21, umfassend mindestens einen Leuchtstoff (6) zur Einstellung eines Emissionsspektrums (EO) der Gesamtstrahlung (SO) der optoelektronischen Anordnung (1).Optoelectronic device according to one of claims 1 to 21, comprising at least one phosphor ( 6 ) for setting an emission spectrum (EO) of the total radiation (SO) of the optoelectronic device ( 1 ). Verfahren zum Betrieb einer optoelektronischen Anordnung, umfassend: – Abgeben einer ersten Strahlung (SL) mit einem ersten Emissionsspektrum (SL) mittels einer Leistungsleuchtdiode (10) und – Feineinstellen eines Emissionsspektrums (EOA) einer Gesamtstrahlung (SO) der optoelektronischen Anordnung (1) durch Abgeben einer zweiten Strahlung (SE) mit einem zwei ten Emissionsspektrum (SE) mittels einer Einstell-Leuchtdiode (20).Method for operating an optoelectronic device, comprising: emitting a first radiation (SL) with a first emission spectrum (SL) by means of a power LED ( 10 ) and - fine adjustment of an emission spectrum (EOA) of a total radiation (SO) of the optoelectronic device ( 1 ) by emitting a second radiation (SE) with a second emission spectrum (SE) by means of a setting LED ( 20 ). Verfahren nach Anspruch 23, bei dem eine erste elektrische Leistung (PL) der Leistungsleuchtdiode (10) und eine zweite elektrische Leistung (PE) der Einstell-Leuchtdiode (20) zugeleitet wird und ein Betrag der ersten elektrischen Leistung (PL) mindestens das Vierfache eines Betrages der zweiten elektrischen Leistung (PE) ist.Method according to Claim 23, in which a first electrical power (PL) of the power LED ( 10 ) and a second electrical power (PE) of the adjustment LED ( 20 ) and an amount of the first electric power (PL) is at least four times an amount of the second electric power (PE).
DE102006061941A 2006-12-29 2006-12-29 Optoelectronic arrangement, has power light emitting diode, where radiation is emitted from power light emitting diode, and adjusting light emitting diode, where another radiation is emitted from adjusting light emitting diode Withdrawn DE102006061941A1 (en)

Priority Applications (6)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102006061941A DE102006061941A1 (en) 2006-12-29 2006-12-29 Optoelectronic arrangement, has power light emitting diode, where radiation is emitted from power light emitting diode, and adjusting light emitting diode, where another radiation is emitted from adjusting light emitting diode
EP07856113A EP2054937A1 (en) 2006-12-29 2007-12-14 Optoelectronic arrangement and method for operating such an optoelectronic arrangement
CNA2007800489942A CN101573793A (en) 2006-12-29 2007-12-14 Optoelectronic arrangement and method for operating such an optoelectronic arrangement
KR1020097015959A KR20090099000A (en) 2006-12-29 2007-12-14 Optoelectronic arrangement and method for operating such an optoelectronic arrangement
PCT/DE2007/002264 WO2008080383A1 (en) 2006-12-29 2007-12-14 Optoelectronic arrangement and method for operating such an optoelectronic arrangement
TW096149654A TWI396272B (en) 2006-12-29 2007-12-24 Optoelectronic device and method for operating an optoelectronic device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102006061941A DE102006061941A1 (en) 2006-12-29 2006-12-29 Optoelectronic arrangement, has power light emitting diode, where radiation is emitted from power light emitting diode, and adjusting light emitting diode, where another radiation is emitted from adjusting light emitting diode

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE102006061941A1 true DE102006061941A1 (en) 2008-07-03

Family

ID=39312968

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE102006061941A Withdrawn DE102006061941A1 (en) 2006-12-29 2006-12-29 Optoelectronic arrangement, has power light emitting diode, where radiation is emitted from power light emitting diode, and adjusting light emitting diode, where another radiation is emitted from adjusting light emitting diode

Country Status (6)

Country Link
EP (1) EP2054937A1 (en)
KR (1) KR20090099000A (en)
CN (1) CN101573793A (en)
DE (1) DE102006061941A1 (en)
TW (1) TWI396272B (en)
WO (1) WO2008080383A1 (en)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2010013893A1 (en) 2008-07-29 2010-02-04 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Warm white light emitting apparatus and back light module comprising the same

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102009015963A1 (en) 2009-04-02 2010-10-07 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelectronic component

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5861990A (en) 1996-03-08 1999-01-19 Kaiser Optical Systems Combined optical diffuser and light concentrator
US20020070681A1 (en) * 2000-05-31 2002-06-13 Masanori Shimizu Led lamp
US20030063462A1 (en) * 2001-05-24 2003-04-03 Masanori Shimizu Illumination light source
US20040217364A1 (en) * 2003-05-01 2004-11-04 Cree Lighting Company, Inc. Multiple component solid state white light
EP1526057A2 (en) * 2003-10-02 2005-04-27 Pintsch Bamag Antriebs- und Verkehrstechnik GmbH LED signal light for railway vehicles
WO2005112137A1 (en) * 2004-05-13 2005-11-24 Seoul Opto-Device Co., Ltd. Light emitting device including rgb light emitting diodes and phosphor
WO2006002607A2 (en) 2004-06-30 2006-01-12 Osram Opto Semiconductors Gmbh Light-emitting diode arrangement, optical recording device and method for the pulsed operation of at least one light-emitting diode

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5381309A (en) * 1993-09-30 1995-01-10 Honeywell Inc. Backlit display with enhanced viewing properties
CN100477210C (en) * 2001-09-13 2009-04-08 卢西雅股份公司 Led-luminous panel and carrier plate
US20070001177A1 (en) * 2003-05-08 2007-01-04 Koninklijke Philips Electronics N.V. Integrated light-emitting diode system
US7514867B2 (en) * 2004-04-19 2009-04-07 Panasonic Corporation LED lamp provided with optical diffusion layer having increased thickness and method of manufacturing thereof
TWI228841B (en) * 2004-04-29 2005-03-01 Lite On Technology Corp Luminescence method and apparatus for color temperature adjustable white light

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5861990A (en) 1996-03-08 1999-01-19 Kaiser Optical Systems Combined optical diffuser and light concentrator
US20020070681A1 (en) * 2000-05-31 2002-06-13 Masanori Shimizu Led lamp
US20030063462A1 (en) * 2001-05-24 2003-04-03 Masanori Shimizu Illumination light source
US20040217364A1 (en) * 2003-05-01 2004-11-04 Cree Lighting Company, Inc. Multiple component solid state white light
EP1526057A2 (en) * 2003-10-02 2005-04-27 Pintsch Bamag Antriebs- und Verkehrstechnik GmbH LED signal light for railway vehicles
WO2005112137A1 (en) * 2004-05-13 2005-11-24 Seoul Opto-Device Co., Ltd. Light emitting device including rgb light emitting diodes and phosphor
WO2006002607A2 (en) 2004-06-30 2006-01-12 Osram Opto Semiconductors Gmbh Light-emitting diode arrangement, optical recording device and method for the pulsed operation of at least one light-emitting diode

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
I. Schnitzer et al., Appl. Phys. Lett. 63 (16), 18. Oktober 1993, 2174-2176

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2010013893A1 (en) 2008-07-29 2010-02-04 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Warm white light emitting apparatus and back light module comprising the same
EP2308108A1 (en) * 2008-07-29 2011-04-13 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Warm white light emitting apparatus and back light module comprising the same
EP2308108A4 (en) * 2008-07-29 2013-05-29 Seoul Semiconductor Co Ltd Warm white light emitting apparatus and back light module comprising the same

Also Published As

Publication number Publication date
TWI396272B (en) 2013-05-11
CN101573793A (en) 2009-11-04
WO2008080383A1 (en) 2008-07-10
KR20090099000A (en) 2009-09-18
EP2054937A1 (en) 2009-05-06
TW200837924A (en) 2008-09-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE102006021648B4 (en) AC voltage light emitting device and manufacturing process therefor
DE112009002311B4 (en) Light source device and optoelectronic component
DE102007057710B4 (en) Radiation-emitting component with conversion element
DE102009037186A1 (en) Radiation-emitting semiconductor component
EP2668821B1 (en) Lighting module for emitting mixed light
DE102006051745A1 (en) LED semiconductor body and use of an LED semiconductor body
DE102008051050A1 (en) Opto-electronic semiconductor module for e.g. projection application, has semiconductor segments characterized by operating voltages, where one of voltage range includes weighted sum of natural numbers with different voltage ranges
DE102008020158A1 (en) Beveled LED chip with transparent substrate
EP1886360A1 (en) Light-emitting diode chip comprising a contact structure
DE112014002897B4 (en) Arrangement and method for generating mixed light
DE10322705B4 (en) Manufacturing Method for LED with Thick III-V Semiconductor Epitaxial Layer and Such LED
DE112014006440T5 (en) Backlight module with a multi-junction technology LED and backlight unit comprising same
WO2009094976A1 (en) Lighting device for back-lighting a display and a display with one such lighting device
DE112016002539T5 (en) LED
EP2342765A2 (en) Luminescent diode chip
DE102007054800A1 (en) Luminescence conversion film for e.g. luminescence diode chip, has luminescence conversion material with fluorescent substance that is in form of organic particles, where film exhibits specific transparency to visible wavelength range
DE102006061941A1 (en) Optoelectronic arrangement, has power light emitting diode, where radiation is emitted from power light emitting diode, and adjusting light emitting diode, where another radiation is emitted from adjusting light emitting diode
DE102008022542A1 (en) Radiation-emitting component for use in illumination device, has conversion layers including conversion elements for converting portions of primary radiation sent by LED chip into secondary radiation, respectively
DE19532204C2 (en) Semiconductor material with a heterojunction
DE202004011869U1 (en) Light-emitting diode device, has e.g. pulse-width modulator for supplying current to two antiparallel-connected LEDs
DE102015105693A1 (en) Radiation-emitting semiconductor component
DE102017117411B4 (en) Leadframe composite and manufacturing process for optoelectronic semiconductor components
WO2019115521A1 (en) Light-emitting semiconductor component
DE102018124473A1 (en) OPTOELECTRONIC COMPONENT, METHOD FOR CONTROLLING AN OPTOELECTRONIC COMPONENT AND LIGHTING DEVICE
DE112015000595B4 (en) Surface mount multichip device

Legal Events

Date Code Title Description
OM8 Search report available as to paragraph 43 lit. 1 sentence 1 patent law
ON Later submitted papers
R005 Application deemed withdrawn due to failure to request examination

Effective date: 20131231