DE102006061941A1 - Optoelectronic arrangement, has power light emitting diode, where radiation is emitted from power light emitting diode, and adjusting light emitting diode, where another radiation is emitted from adjusting light emitting diode - Google Patents
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Abstract
Description
Die Erfindung betrifft eine optoelektronische Anordnung und ein Verfahren zum Betrieb einer optoelektronischen Anordnung.The The invention relates to an optoelectronic device and a method for operating an optoelectronic device.
Optoelektronische Anordnungen können mehrere Leuchtdioden umfassen. Ein Emissionsspektrum der optoelektronischen Anordnung resultiert aus den Emissionsspektren der einzelnen Leuchtdioden. Aufgrund von Streuungen der Emissionsspektren der Leuchtdioden bei einer Serienfertigung kann es aufwändig sein, Farbkoordinaten der Strahlung der optoelektronischen Anordnung in einem vorgegebenen Intervall zu erzielen.Optoelectronic Arrangements may include multiple light emitting diodes. An emission spectrum the optoelectronic arrangement results from the emission spectra the individual light-emitting diodes. Due to scattering of the emission spectra The light-emitting diodes in mass production can be expensive be, color coordinates of the radiation of the optoelectronic device to achieve in a given interval.
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Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es, eine optoelektronische Anordnung und ein Verfahren zum Betrieb einer optoelektronischen Anordnung anzugeben, welche eine flexible Ein stellung einer Strahlung der optoelektronischen Anordnung ermöglichen.task The present invention is an optoelectronic device and a method for operating an optoelectronic device indicate which flexible attitude of radiation of the optoelectronic arrangement allow.
Diese Aufgabe wird mit dem Gegenstand des Patentanspruchs 1 und dem Verfahren gemäß Patentanspruch 23 gelöst. Weiterbildungen und Ausgestaltungen sind jeweils Gegenstand der abhängigen Ansprüche.These The object is with the subject of claim 1 and the method solved according to claim 23. further developments and embodiments are each subject of the dependent Claims.
Eine erfindungsgemäße optoelektronische Anordnung umfasst eine Leistungsleuchtdiode und eine Einstell-Leuchtdiode. Von der Leistungsleuchtdiode ist eine erste Strahlung bereitstellbar. Von der Einstell-Leuchtdiode ist eine zweite Strahlung abgebbar. Die erste Strahlung weist ein erstes Emissionsspektrum und die zweite Strahlung ein zweites Emissionsspektrum auf. Eine Gesamtstrahlung der optoelektronischen Anordnung umfasst die erste Strahlung und die zweite Strahlung.A Optoelectronic device according to the invention comprises a power light emitting diode and a tuning LED. Of the Power LED is a first radiation available. From the setting LED is a second radiation can be emitted. The first radiation has a first emission spectrum and the second Radiation on a second emission spectrum. A total radiation the optoelectronic device comprises the first radiation and the second radiation.
Mit Vorteil wird der Hauptanteil der Gesamtstrahlung der optoelektronischen Anordnung mittels der Leistungsleuchtdiode realisiert. Um eine vorgebbare Gesamtstrahlung zu erzielen, wird zu der ersten Strahlung die zweite Strahlung, welche von der Einstell-Leuchtdiode bereitgestellt ist, dazu addiert.With Advantage is the main part of the total radiation of the optoelectronic Arrangement realized by means of the power LED. To a predefinable Achieving overall radiation becomes second to the first radiation Radiation provided by the adjustment LED, added to it.
Bevorzugt unterscheidet sich das zweite Emissionsspektrum von dem ersten Emissionsspektrum. Das erste Emissionsspektrum kann eine erste Wellenlänge umfassen, die verschieden zu den von dem zweiten Emissionsspektrum umfassten Wellenlängen ist. Das zweite Emissionsspektrum kann eine zweite Wellenlänge umfassen, die verschieden zu den von dem ersten Emissionsspektrum umfassten Wellenlängen ist. Alternativ umfassen das erste und das zweite Emissionsspektrum dieselben Wellenlängen, wobei sich eine erste Intensitätsverteilung im ersten Emissi onsspektrum von einer zweiten Intensitätsverteilung im zweiten Emissionsspektrum unterscheidet.Prefers the second emission spectrum differs from the first emission spectrum. The first emission spectrum may be a first wavelength which are different from those of the second emission spectrum covered wavelengths is. The second emission spectrum may comprise a second wavelength, different to the wavelengths covered by the first emission spectrum is. Alternatively, the first and second emission spectra comprise the same wavelengths, with a first intensity distribution in the first emissi onsspektrum of a second intensity distribution differs in the second emission spectrum.
In einer Ausführungsform ist die Einstell-Leuchtdiode dazu eingesetzt, ein Emissionsspektrum der Gesamtstrahlung genau einzustellen.In In one embodiment, the adjustment LED is to used to accurately set an emission spectrum of the total radiation.
Als Strahlung wird bevorzugt eine elektromagnetische Strahlung verstanden.When Radiation is preferably understood as electromagnetic radiation.
Die Einstell-Leuchtdiode kann im englischen als tuning light emitting diode bezeichnet sein.The Setting LED can in English as a tuning light be designated diode.
In einer Ausführungsform werden die Farbkoordinaten der Gesamtstrahlung der optoelektronischen Anordnung in einem vorgebbaren Intervall dadurch erzielt, dass zu der ersten Strahlung die zweite Strahlung beigemischt wird. Dabei sind mit den Farbkoordinaten eine X-Koordinate und eine Y-Koordinate in einem CIE-Diagramm, englisch CIE chromaticity diagram, bezeichnet. Mit Vorteil werden somit die Farbkoordinaten, die allein durch einen Betrieb der Leistungsleuchtdiode erzielt werden und die nicht im vorgegebenen Intervall liegen, mittels der von der Einstell-Leuchtdiode emittierten zweiten Strahlung so verschoben, dass die Summe aus der ersten und der zweiten Strahlung Farbkoordinaten im vorgegebenen Intervall ergibt.In In one embodiment, the color coordinates of the total radiation the optoelectronic device in a predetermined interval achieved in that the second radiation to the first radiation is added. The color coordinates are an X-coordinate and a Y coordinate in a CIE diagram, English CIE chromaticity diagram, designated. Advantageously, therefore, the color coordinates alone be achieved by operation of the power light emitting diode and which are not in the specified interval, by means of the setting LED emitted second radiation shifted so that the sum of the first and the second radiation color coordinates in the predetermined interval results.
In einer Ausführungsform weist ein erster Halbleiterkörper, englisch als die oder chip bezeichnet, die Leistungsleuchtdiode und ein zweiter Halbleiterkörper die Einstell-Leuchtdiode auf.In In one embodiment, a first semiconductor body, English as the or chip refers to the power light emitting diode and a second semiconductor body, the adjustment LED on.
In einer Weiterbildung weist der erste Halbleiterkörper eine erste Strahlungsaustrittsfläche, aus der die erste Strahlung mit dem ersten Emissionsspektrum austritt, und der zweite Halbleiterkörper eine zweite Strahlungsaustrittsfläche, aus der die zweite Strahlung mit dem zweiten Emissionsspektrum austritt, auf. In einer Ausführungsform ist die erste Strahlungsaustrittsfläche mindestens um den Faktor 4 größer als die zweite Strahlungsaustrittsfläche. Bevorzugt ist die erste Strahlungsaustrittsfläche um den Faktor 5 größer als die zweite Strahlungsaustrittsfläche. Ein Intensitätsverhältnis der ersten Strahlung zu der zweiten Strahlung ist eine Funktion des Flächenverhältnisses der ersten Strahlungsaustrittsfläche zu der zweiten Strahlungsaustrittsfläche.In one development, the first semiconductor body has a first radiation exit area, from which the first radiation exits with the first emission spectrum, and the second semiconductor body has a second radiation exit area, from which the second radiation exits with the second emission spectrum. In one embodiment, the first radiation exit area is at least a factor of 4 larger than the second radiation exit area. The first radiation exit area is preferably larger by a factor of 5 than the second radiation exit exit surface. An intensity ratio of the first radiation to the second radiation is a function of the area ratio of the first radiation exit surface to the second radiation exit surface.
In einer Ausführungsform umfasst die optoelektronische Anordnung einen Träger, auf dem der erste und der zweite Halbleiterkörper befestigt sind. Der Träger kann als Gehäuse für den ersten und den zweiten Halbleiterkörper ausgebildet sein.In An embodiment comprises the optoelectronic device a carrier on which the first and the second semiconductor body are attached. The carrier can be used as a housing for formed the first and the second semiconductor body be.
In einer Weiterbildung werden eine erste elektrische Leistung der Leistungsleuchtdiode und eine zweite elektrische Leistung der Einstell-Leuchtdiode zugeleitet. In einer Ausführungsform ist ein Betrag der ersten elektrischen Leistung um mindestens den Faktor 4 größer als die zweite elektrische Leistung. Bevorzugt ist der Betrag der ersten elektrischen Leistung um den Faktor 5 größer als der Betrag der zweiten elektrischen Leistung. Mit dem Verhältnis der ersten elektrischen Leistung zu der zweiten elektrischen Leistung ist ein Intensitätsverhältnis der ersten Strahlung zu der zweiten Strahlung einstellbar. In einer bevorzugten Ausführungsform ist die erste Strahlung betragsgemäß größer als die zweite Strahlung.In In a further development, a first electrical power of the power LED and a second electrical power of the adjustment LED supplied. In one embodiment, an amount of the first electrical Performance by at least a factor of 4 greater than the second electric power. Preferably, the amount of the first electrical power by a factor of 5 greater than the amount of the second electric power. With the ratio the first electric power to the second electric power is an intensity ratio of the first radiation adjustable to the second radiation. In a preferred embodiment the first radiation is larger in magnitude as the second radiation.
In einer Ausführungsform sind das zweite Emissionsspektrum und die zweite elektrische Leistung derart vorgesehen, dass die Farbkoordinaten der Gesamtstrahlung der optoelektronischen Anordnung innerhalb des vorgegebenen Intervalls im CIE-Diagramm sind.In One embodiment is the second emission spectrum and the second electric power is provided such that the Color coordinates of the total radiation of the optoelectronic device within the given interval in the CIE diagram.
In einer Ausführungsform umfasst die optoelektronische Anordnung mindestens eine weitere Einstell-Leuchtdiode. Die mindestens eine weitere Einstell-Leuchtdiode ist dazu vorgesehen, mindestens eine weitere Strahlung zu emittieren. Die mindestens eine weitere Strahlung weist mindestens ein weiteres Emissionsspektrum auf. Somit umfasst die Gesamtstrahlung der optoelektronischen Anordnung zusätzlich auch die mindestens eine weitere Strahlung.In An embodiment comprises the optoelectronic device at least one other setting LED. The at least one another setting LED is provided, at least one emit more radiation. The at least one more radiation has at least one more emission spectrum. Thus includes the total radiation of the optoelectronic device in addition also the at least one further radiation.
Bevorzugt unterscheidet sich das mindestens eine weitere Emissionsspektrum von dem ersten Emissionsspektrum und ebenfalls von dem zweiten Emissionsspektrum.Prefers differs the at least one other emission spectrum from the first emission spectrum and also from the second emission spectrum.
Die weitere Einstell-Leuchtdiode kann bevorzugt zur genaueren Feineinstellung des Emissionsspektrums der Gesamtstrahlung der optoelektronischen Anordnung eingesetzt sein. Mit Vorteil sind somit durch die Beimischung der zweiten Strahlung der Einstell-Leuchtdiode und der mindestens einen weiteren Strahlung der mindestens einen weiteren Einstell-Leuchtdiode zu der ersten Strahlung die Farbkoordinaten der Gesamtstrahlung der optoelektronischen Anordnung im vorgegebenen Intervall noch genauer einstellbar.The another setting LED may be preferred for more precise fine adjustment the emission spectrum of the total radiation of the optoelectronic Arrangement used. With advantage are thus by the admixture the second radiation of the adjustment LED and the at least a further radiation of the at least one further setting LED to the first radiation the color coordinates of the total radiation the optoelectronic arrangement in the predetermined interval even more accurate adjustable.
In einer Ausführungsform umfasst mindestens ein weiterer Halbleiterkörper die mindestens eine weitere Einstell-Leuchtdiode. Der mindestens eine weitere Halbleiterkörper weist mindestens eine weitere Strahlungsaustrittsfläche auf.In An embodiment comprises at least one further semiconductor body the at least one further setting LED. The at least one further semiconductor body has at least one further Radiation exit surface on.
Dabei ist in einer Ausführungsform die erste Strahlungsaustrittsfläche des ersten Halbleiterkörpers mindestens um den Faktor 4 größer als die mindestens eine weitere Strahlungsaustrittsfläche.there In one embodiment, the first radiation exit surface of the first semiconductor body by at least a factor of 4 larger than the at least one further radiation exit surface.
In einer Ausführungsform wird der mindestens einen weiteren Einstell-Leuchtdiode mindestens eine weitere elektrische Leistung zugeführt. Bevorzugt ist die erste elektrische Leistung um mindestens den Faktor 4 größer als die mindestens eine weitere elektrische Leistung. Durch die Wahl des mindestens einen weiteren Emissionsspektrums und des ersten Emissionsspektrums können Farbkoordinaten innerhalb des vorgegebenen Intervalls im CIE-Diagramm erzielt werden.In an embodiment, the at least one further Setting LED at least one more electrical power fed. The first electrical power is preferred by at least a factor of 4 greater than the minimum another electric power. By choosing the at least one further emission spectrum and the first emission spectrum can Color coordinates within the specified interval in the CIE diagram achieved become.
In einer Ausführungsform umfasst die optoelektronische Anordnung mindestens eine weitere Leistungsleuchtdiode. Die mindestens eine weitere Leistungsleuchtdiode stellt mindestens eine zusätzliche Strahlung bereit. Die mindestens eine zusätzliche Strahlung weist mindestens ein zusätzliches Emissionsspektrum auf. Mit Vorteil wird der Hauptanteil der Gesamtstrahlung der optoelektronischen Anordnung mittels zweier oder mehr Leistungsleuchtdioden bereitgestellt. Zur feineren Einstellung der Farbkoordinaten im CIE-Diagramm können die Einstell-Leuchtdiode beziehungsweise die Einstell-Leuchtdioden dienen.In An embodiment comprises the optoelectronic device at least one additional power LED. The at least one another power LED provides at least one additional Radiation ready. The at least one additional radiation has at least one additional emission spectrum. Advantageously, the majority of the total radiation of the optoelectronic Arrangement provided by means of two or more power LEDs. For finer adjustment of the color coordinates in the CIE diagram can the setting LED or the setting LEDs serve.
Bevorzugt sind die Leistungs- und die Einstell-Leuchtdiode und gegebenenfalls die weiteren Leistungs- und/oder Einstell-Leuchtdioden polaritätsgleich parallel geschaltet.Prefers are the power and the setting LED and if necessary the other power and / or setting LEDs polarity equal connected in parallel.
In einer Ausführungsform umfasst die optoelektronische Anordnung eine Vorrichtung zur optischen Durchmischung, die der Leistungs- und der Einstell-Leuchtdiode und gegebenenfalls den weiteren Leistungs- und/oder Einstell-Leuchtdioden in Abstrahlrichtung nachgeordnet ist. Die erste und die zweite Strahlung werden der Vorrichtung zur optischen Durchmischung zugeleitet. Die erste und die zweite Strahlung werden in der Vorrichtung zur optischen Durchmischung mehrfach intern reflektiert und dadurch gemischt. Die optoelektronische Anordnung stellt somit die Gesamtstrahlung aufgrund einer Mischung der ersten und der zweiten Strahlung sowie gegebenenfalls der Strahlung weiterer Einstell- und Leistungsleuchtdioden ausgangsseitig bereit. Mit Vorteil wird somit erreicht, dass die in verschiedene Richtungen von der optoelektronischen Anordnung abgegebenen Strahlungen näherungsweise das gleiche Emissionsspektrum aufweisen. Mittels der Vorrichtung zur optischen Durchmischung wird somit eine Winkelunabhängigkeit des Emissionsspektrums der Gesamtstrahlung erzielt. Dabei kann die Intensität der Gesamtstrahlung winkelabhängig sein.In one embodiment, the optoelectronic arrangement comprises a device for optical mixing, which is arranged downstream of the power and the setting LED and optionally the other power and / or setting LEDs in the emission direction. The first and the second radiation are supplied to the device for optical mixing. The first and the second radiation are multiply internally reflected in the device for optical mixing and thereby mixed. The optoelectronic arrangement thus provides the total radiation on the output side due to a mixture of the first and the second radiation and optionally the radiation of further adjustment and power LEDs. It is thus advantageously achieved that the radiations emitted by the optoelectronic device in different directions have approximately the same emission spectrum. By means of the Vor direction for optical mixing thus an angular independence of the emission spectrum of the total radiation is achieved. The intensity of the total radiation can be angle-dependent.
In einer Ausführungsform umfasst die Vorrichtung zur optischen Durchmischung eine Anordnung zur kombinierten optischen Streuung und Konzentration, bei dem eine erste Oberfläche eines Materials Licht aus einem Bereich von Einfallswinkeln empfängt und eine zweite Oberfläche des Materials Licht in einem Bereich von Abstrahlwinkeln abgibt.In According to one embodiment, the device comprises for optical Mixing a combined optical scattering arrangement and concentration at which a first surface of a Material receives light from a range of angles of incidence and a second surface of the material light in one Range of emission angles.
In einer Weiterbildung umfasst die optoelektronische Anordnung mindestens einen Leuchtstoff. Der Leuchtstoff ist der Leistungs- und der Einstell-Leuchtdiode und gegebenenfalls den weiteren Leistungs- und/oder Einstell-Leuchtdioden in Abstrahlrichtung nachgeordnet. Der Leuchtstoff kann in einer Vergussmasse eingebracht sein, die auf die Leistungsleuchtdiode und die Einstell-Leuchtdiode sowie gegebenenfalls weitere Einstell- und Leistungsleuchtdioden aufgebracht ist. In einer Ausführungsform umfasst die Vorrichtung zur optischen Durchmischung den mindestens einen Leuchtstoff.In In a further development, the optoelectronic arrangement comprises at least a phosphor. The phosphor is the power and set LED and optionally the other power and / or setting LEDs downstream in the emission direction. The phosphor can in one Grout be introduced on the power light emitting diode and the adjustment LED as well as other adjustment and power LEDs is applied. In one embodiment For example, the optical mixing device comprises the at least one a phosphor.
Mittels des Leuchtstoffes kann die erste Strahlung und/oder die zweite Strahlung und/oder eine weitere Strahlung, die gegebenenfalls von den weiteren Leistungs- und/oder Einstell-Leuchtdioden emittiert wird, mindestens bei einer Wellenlänge zumindest teilweise konvertiert werden. Typischerweise absorbiert der Leuchtstoff zumindest einen Teil der von der Leuchtdiode emittierten Strahlung und emittiert daraufhin bevorzugt Strahlung einer größeren Wellenlänge als die Wellenlänge der Strahlung, die ursprünglich von der Leuchtdiode emittiert wurde. Eine resultierende Strahlung ergibt sich durch Mischung des wellenlängenkonvertierten Anteils der Strahlung mit der von der Leuchtdiode ursprünglich ausgesandten Strahlung. Der Leuchtstoff dient mit Vorteil zur Einstellung des Emissionsspektrums der Gesamtstrahlung der optoelektronischen Anordnung.through of the phosphor may be the first radiation and / or the second radiation and / or another radiation, optionally of the others Power and / or setting LEDs is emitted, at least be at least partially converted at one wavelength. Typically, the phosphor absorbs at least a portion of the light emitted by the light emitting diode and then emits preferentially Radiation of a larger wavelength as the wavelength of the radiation, originally was emitted from the light emitting diode. A resulting radiation results from mixing the wavelength-converted Proportion of radiation with the originally emitted by the LED Radiation. The phosphor is used with advantage for setting the Emission spectrum of the total radiation of the optoelectronic device.
Die Leistungsleuchtdiode und/oder die Einstell-Leuchtdiode beziehungsweise die weiteren Leistungsleuchtdioden und/oder die weiteren Einstell-Leuchtdioden können als Dünnfilm-Leuchtdioden-Chip realisiert sein.The Power LED and / or the setting LED or the further power LEDs and / or the other adjustment LEDs can be realized as a thin-film light-emitting diode chip be.
Ein Dünnfilm-Leuchtdioden-Chip zeichnet sich insbesondere durch folgende charakteristische Merkmale aus:
- – an einer zu einem Trägerelement hin gewandten ersten Hauptfläche einer strahlungserzeugenden Epitaxieschichtenfolge ist eine reflektierende Schicht aufgebracht oder ausgebildet, die zumindest einen Teil der in der Epitaxieschichtenfolge erzeugten elektromagnetischen Strahlung in diese zurückreflektiert;
- – die Epitaxieschichtenfolge weist eine Dicke im Bereich von 20 μm oder weniger, insbesondere im Bereich von 10 μm auf; und
- – die Epitaxieschichtenfolge enthält mindestens eine Halbleiterschicht mit zumindest einer Fläche, die eine Durchmischungsstruktur aufweist, die im Idealfall zu einer annähernd ergodischen Verteilung des Lichtes in der epitaktischen Epitaxieschichtenfolge führt, das heißt sie weist ein möglichst ergodisch stochastisches Streuverhalten auf.
- On a first main surface of a radiation-generating epitaxial layer sequence which faces toward a carrier element, a reflective layer is applied or formed which reflects back at least part of the electromagnetic radiation generated in the epitaxial layer sequence;
- - The epitaxial layer sequence has a thickness in the range of 20 microns or less, in particular in the range of 10 microns; and
- The epitaxial layer sequence contains at least one semiconductor layer with at least one surface which has a thorough mixing structure which, in the ideal case, leads to an approximately ergodic distribution of the light in the epitaxial epitaxial layer sequence, that is to say it has as ergodically stochastic scattering behavior as possible.
Ein
Grundprinzip eines Dünnschicht-Leuchtdiodenchips ist beispielsweise
in
Ein Dünnfilm-Leuchtdioden-Chip ist in guter Näherung ein Lambert'scher Oberflächenstrahler und eignet sich von daher besonders gut für die Anwendung in einem Scheinwerfer.One Thin-film light-emitting diode chip is in good approximation a Lambert surface radiator and is suitable from therefore especially good for use in a headlight.
Die Leistungsleuchtdiode und die Einstell-Leuchtdiode beziehungsweise die weiteren Leistung- und/oder die weiteren Einstell-Leuchtdioden können je nach Wellenlänge auf der Basis von verschiedenen Halbleitermaterialsystemen hergestellt sein. Für eine langwellige Strahlung ist zum Beispiel ein Halbleiterkörper auf der Basis von InxGayAl1-x-yAs, für sichtbare rote bis gelbe Strahlung zum Beispiel ein Halbleiterkörper auf Basis von InxGayAl1-x-yP und für kurzwellige sichtbare, insbesondere grüne bis blaue Strahlung oder UV-Strahlung zum Beispiel ein Halbleiterkörper auf der Basis von InxGayAl1-x-yN geeignet, wobei 0 ≤ x ≤ 1 und 0 ≤ y ≤ 1 gilt.Depending on the wavelength, the power light-emitting diode and the setting light-emitting diode or the further power and / or the further setting light-emitting diodes can be produced on the basis of different semiconductor material systems. For a long-wave radiation, for example, a semiconductor body based on In x Ga y Al 1-xy As, for visible red to yellow radiation, for example, a semiconductor body based on In x Ga y Al 1-xy P and for short-wave visible, In particular, green to blue radiation or UV radiation, for example, a semiconductor body based on In x Ga y Al 1-xy N suitable, where 0 ≤ x ≤ 1 and 0 ≤ y ≤ 1 applies.
Bevorzugt umfasst die Epitaxieschichtenfolge wenigstens eine aktive Zone, die zur Erzeugung elektromagnetischer Strahlung geeignet ist. Dazu kann die aktive Zone beispielsweise einen pn-Übergang, eine Doppelheterostruktur, eine Einfach-Quantentopf- oder besonders bevorzugt eine Mehrfach-Quantentopfstruktur, abgekürzt MQW, aufweisen.Prefers the epitaxial layer sequence comprises at least one active zone, which is suitable for generating electromagnetic radiation. This can the active zone, for example, a pn junction, a Double heterostructure, a single quantum well or more preferred a multiple quantum well structure, abbreviated MQW.
Die Bezeichnung Quantentopfstruktur umfasst im Rahmen der Anmeldung insbesondere jegliche Struktur, bei der Ladungsträger durch Einschluss, englisch confinement, eine Quantisierung ihrer Energiezustände erfahren können. Insbesondere beinhaltet die Bezeichnung Quantentopfstruktur keine Angabe über die Dimensionalität der Quantisierung. Sie umfasst somit unter anderem Quantentröge, Quantendrähte und Quantenpunkte und jede Kombination dieser Strukturen.The Designation Quantum well structure includes in the context of the application in particular, any structure in which charge carriers through Inclusion, English confinement, a quantization of their energy states can learn. In particular, the name includes Quantum well structure no information about the dimensionality the quantization. It thus includes, among other things, quantum wells, Quantum wires and quantum dots and any combination of these Structures.
Erfindungsgemäß umfasst ein Verfahren zum Betrieb einer optoelektronischen Anordnung das Bereitstellen einer ersten Strahlung mittels einer Leistungsleuchtdiode. Die erste Strahlung weist ein erstes Emissionsspektrum auf. Weiter wird eine zweite Strahlung mittels einer Einstell-Leuchtdiode bereitgestellt. Die zweite Strahlung umfasst ein zweites Emissionsspektrum. Durch die zweite Strahlung wird ein Emissionsspektrum einer Gesamtstrahlung der optoelektronischen Anordnung genauer eingestellt.According to the invention, a method comprises for operating an optoelectronic device, the provision of a first radiation by means of a power light emitting diode. The first radiation has a first emission spectrum. Furthermore, a second radiation is provided by means of a setting LED. The second radiation comprises a second emission spectrum. By the second radiation, an emission spectrum of a total radiation of the optoelectronic device is set more accurately.
Mit Vorteil kann ein Hauptanteil der Gesamtstrahlung von der Leistungsleuchtdiode und ein kleinerer Anteil von der Einstell-Leuchtdiode bereitgestellt werden.With Advantage may be a major portion of the total radiation from the power light emitting diode and a smaller portion provided by the adjustment LED become.
In einer Ausführungsform werden die erste und die zweite Strahlung im Wesentlichen gleichzeitig emittiert.In In one embodiment, the first and second radiation essentially emitted at the same time.
In einer Ausführungsform werden eine erste elektrische Leistung der Leistungsleuchtdiode und eine zweite elektrische Leistung der Einstell-Leuchtdiode zugeführt. In einer Ausführungsform beträgt die erste elektrische Leistung mindestens das Vierfache der zweiten elektrischen Leistung. Bevorzugt beträgt die erste elektrische Leistung das Fünffache der zweiten elektrischen Leistung. Durch ein Verhältnis zwischen der ersten Leistung und der zweiten Leistung kann ein Verhältnis der ersten Strahlung und der zweiten Strahlung eingestellt werden. Somit ist ein Emissionsspektrum der Gesamtstrahlung der optoelektronischen Anordnung genau einstellbar.In In one embodiment, a first electrical power the power light emitting diode and a second electric power of the Adjustment LED supplied. In one embodiment the first electric power is at least four times the second electric power. Preferably, the first electric power five times the second electric Power. By a ratio between the first performance and the second power can be a ratio of the first Radiation and the second radiation can be adjusted. Thus is an emission spectrum of the total radiation of the optoelectronic Arrangement precisely adjustable.
In einer Ausführungsform werden die erste und die zweite elektrische Leistung im Wesentlichen gleichzeitig der Leistungsleuchtdiode beziehungsweise der Einstell-Leuchtdiode zugeführt. Die beiden elektrischen Leistungen können jeweils konstant sein.In In one embodiment, the first and second electrical Power substantially simultaneously the power LED respectively fed to the setting LED. The two electric ones Benefits can be constant.
In einer anderen Ausführungsform wird der Leistungsleuchtdiode ein pulsweitenmodulierter erster Strom und der Einstell-Leuchtdiode ein pulsweitenmodulierter zweiter Strom zugeleitet. Die erste und die zweite elektrische Leistung sind daher nicht konstant, sondern getaktet. Die Modulation der beiden Ströme kann näherungsweise gleich sein. Daher können die beiden Leistungen im Wesentlichen gleichzeitig der Leistungsleuchtdiode beziehungsweise der Einstell-Leuchtdiode zugeführt werden. Alternativ kann der erste Strom verschieden zu dem zweiten Strom moduliert sein.In In another embodiment, the power LED becomes a pulse width modulated first current and the adjustment LED fed a pulse width modulated second current. The first and the second electric power is therefore not constant but clocked. The modulation of the two currents can be approximated be equal. Therefore, the two services can be essentially the same time the power LED or the setting LED be supplied. Alternatively, the first stream may be different be modulated to the second current.
Die erste und/oder die zweite elektrische Leistung können zeitlich variabel sein. Somit können Änderungen der Farbkoordinaten im Betrieb möglich sein. Mit Vorteil sind somit unterschiedliche Farbkoordinaten im Betrieb einstellbar.The first and / or second electrical power can be timed be variable. Thus, changes in the color coordinates be possible during operation. With advantage are thus different Color coordinates adjustable during operation.
Mit zeitlich variablen Werten für die erste und/oder die zweite elektrische Leistung können auch langfristige Abweichungen der Farbkoordinaten von den ursprünglichen Farbkoordinaten kompensiert werden. Derartige langfristige Abweichungen können durch eine unterschiedliche Degradation bei einzelnen Wellenlängen in den Emissionsspektren der Leistungs- und/oder Einstell-Leuchtdiode hervorgerufen sein.With time-variable values for the first and / or the second Electric power can also cause long-term deviations the color coordinates of the original color coordinates be compensated. Such long-term deviations can by a different degradation at individual wavelengths in the emission spectra of the power and / or adjustment LED be caused.
Die Erfindung wird nachfolgend an mehreren Ausführungsbeispielen anhand der Figuren näher erläutert. Funktions- beziehungsweise wirkungsgleiche Bauelemente und Komponenten tragen gleiche Bezugszeichen. Insoweit sich Bauelemente oder Komponenten in ihrer Funktion entsprechen, wird deren Beschreibung nicht in jeder der folgenden Figuren wiederholt.The The invention will be described in more detail below explained in more detail with reference to FIGS. functional or carry the same effect components and components same reference numerals. As far as components or components in their function, their description is not in each of the following figures repeated.
Es zeigenIt demonstrate
Der
Träger
Der
Leistungsleuchtdiode
Mit Vorteil wird mittels der Zumischung der zweiten Strahlung SE zu der ersten Strahlung SL erreicht, dass die Gesamtstrahlung SO ein Emissionsspektrum EO in einem vorgebbaren Bereich aufweist.With Advantage is due to the admixture of the second radiation SE to the first radiation SL reaches the total radiation SO Emission spectrum EO in a predetermined range has.
Mit
der Vorrichtung
In
einer alternativen Ausführungsform umfasst die optoelektronische
Anordnung
Die
erste und die dritte Anschlussflächen
In
einer alternativen, nicht gezeigten Ausführungsform umfasst
die optoelektronische Anordnung
In
einer alternativen, nicht gezeigten Ausführungsform weist
die optoelektronische Anordnung
Die
Summe aus der ersten und der zweiten elektrischen Leistung PL, PE
wird mittels des ersten und des zweiten elektrischen Anschlusses
In
einer alternativen, nicht gezeigten Ausführungsform umfasst
die optoelektronische Anordnung
In
einer alternativen, nicht gezeigten Ausführungsform weist
die optoelektronische Anordnung
Die
Leistungsleuchtdiode
Mit
Vorteil kann mittels der vier Einstell-Leuchtdioden
In
einer alternativen Ausführungsform ist ein Leuchtstoff
In
einer alternativen, nicht gezeigten Ausführungsform sind
die vier Einstell-Leuchtdioden
In
einer alternativen, nicht gezeigten Ausführungsform umfasst
die optoelektronische Anordnung
In
einer alternativen, nicht gezeigten Ausführungsform weist
die optoelektronische Anordnung
Der
weiteren Leistungsleuchtdiode
Mit Vorteil wird somit das Emissionsspektrum EO der Gesamtstrahlung SO in Abhängigkeit von der ersten Strahlung SL und der weiteren Strahlung SL1 zweier Leistungsleuchtdioden bereitgestellt.With The advantage is therefore the emission spectrum EO of the total radiation SO as a function of the first radiation SL and the further radiation SL1 provided two power LEDs.
In
einer alternativen Ausführungsform umfasst die optoelektronische
Anordnung
Die Erfindung ist nicht durch die Beschreibung anhand der Ausführungsbeispiele beschränkt. Vielmehr umfasst die Erfindung jedes neue Merkmal sowie jede Kombination von Merkmalen, was insbesondere jede Kombination von Merkmalen in den Patentansprüchen beinhaltet, auch wenn dieses Merkmal oder diese Kombination selbst nicht explizit in den Patentansprüchen oder Ausführungsbeispielen angegeben ist.The The invention is not by the description based on the embodiments limited. Rather, the invention includes every new feature as well any combination of features, especially any combination includes features in the claims, also if this feature or combination itself is not explicit specified in the patent claims or exemplary embodiments is.
ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNGQUOTES INCLUDE IN THE DESCRIPTION
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