DE102008011757B4 - Method for maintaining lowest doping levels in semiconductor fabrication - Google Patents

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Abstract

Verfahren zur Aufrechterhaltung niedrigster Dotierstoffkonzentration in der Halbleiterfertigung durch Verhindern einer Kontamination mit Dotierstoff von außen, bei dem – ein Substrat (1) aus Halbleitermaterial mit einem dotierten Bereich einer Dotierstoffkonzentration von höchstens 1013 cm–3 versehen wird, – eine ganzflächige Oxidschicht (7) aufgebracht wird, mit der der dotierte Bereich bedeckt wird, – eine ganzflächige Nitridschicht (8) auf die Oxidschicht (7) aufgebracht wird und – das Substrat einer erhöhten Temperatur ausgesetzt wird, so dass ein Ausheilen oder Eintreiben von Dotierstoff erfolgt, wobei die Dotierstoffkonzentration in dem dotierten Bereich auf 1013 cm–3 begrenzt bleibt.Method for maintaining the lowest dopant concentration in semiconductor production by preventing contamination with dopant from the outside, in which - a substrate (1) made of semiconductor material is provided with a doped region with a dopant concentration of at most 1013 cm -3, - a full-surface oxide layer (7) is applied with which the doped region is covered, - a full-area nitride layer (8) is applied to the oxide layer (7) and - the substrate is exposed to an elevated temperature, so that dopant is cured or driven in, the dopant concentration in the doped area remains limited to 1013 cm – 3.

Description

Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zur Aufrechterhaltung niedrigster Dotierlevel bei der Herstellung von Halbleiterbauelementen mit Bereichen niedriger Dotierstoffkonzentration, insbesondere mit einer Dotierstoffkonzentration von weniger als 1013 cm–3.The present invention relates to a method for maintaining lowest doping levels in the manufacture of semiconductor devices having low dopant concentration regions, in particular having a dopant concentration of less than 10 13 cm -3 .

Bei der Integration von Bauelementen in integrierten Schaltungen auf einem Halbleiterchip werden mitunter Bereiche von Dotierstoffkonzentrationen bis höchstens 1013 cm–3 benötigt. Üblicherweise bei der Herstellung von Halbleiterchips verwendete Wafer, zum Beispiel aus Silizium, können eine sehr hohe Grunddotierung von typisch etwa 1019 cm–3 aufweisen. Bei CMOS-Prozessen und BiCMOS-Prozessen werden dotierte Wannen beider Vorzeichen der Leitfähigkeit implantiert. Die Implantate werden bei erhöhter Temperatur in eigens dafür vorgesehenen Öfen ausgeheilt, wobei eine Diffusion des Dotierstoffes auftritt und der Dotierstoff in den Wafer eingetrieben wird. Vor diesem Verfahrensschritt wird ein vorzugsweise ebenfalls thermischer Oxidationsschritt durchgeführt, mit dem eine dünne oberflächliche Oxidschicht auf dem Halbleiterwafer hergestellt wird, die ein Ausdiffundieren des Dotierstoffes in die Gasphase und damit eine Verarmung der oberflächennahen Waferbereiche an Dotierstoff verhindern soll.When integrating components in integrated circuits on a semiconductor chip, sometimes ranges of dopant concentrations up to at most 10 13 cm -3 are required. Wafers commonly used in the manufacture of semiconductor chips, for example silicon, may have a very high fundamental doping of typically about 10 19 cm -3 . In CMOS processes and BiCMOS processes, doped wells of both signs of conductivity are implanted. The implants are annealed at elevated temperature in dedicated ovens where diffusion of the dopant occurs and the dopant is driven into the wafer. Prior to this process step, a preferably likewise thermal oxidation step is carried out, with which a thin surface oxide layer is produced on the semiconductor wafer, which is intended to prevent outdiffusion of the dopant into the gas phase and thus a depletion of the near-surface wafer regions to dopant.

Wenn die Implantate eines Wafers mit niedrig dotierten Bereichen auf diese Weise ausgeheilt werden, genügt die oberseitige Oxidschicht nicht, die Dotierstoffkonzentration in den niedrig dotierten Bereichen auf Werten unterhalb von 1013 cm–3 zu halten. Wenn der Ofen kostengünstig betrieben wird und Wafer mit niedrig dotierten Bereichen zusammen mit üblichen Wafern mit Dotierstoffkonzentrationen von typisch etwa 1015 cm–3 ausgeheilt werden, machen sich unterschiedliche Kontaminationsquellen, die nicht beseitigt werden können, negativ bemerkbar. Im Ergebnis besitzen alle Wafer an den Oberseiten nur dotierte Bereiche, in denen die Dotierstoffkonzentrationen mindestens 1015 cm–3 betragen, was nicht für alle vorgesehenen Anwendungen geeignet ist.When the implants of a wafer are annealed with low doped regions in this manner, the top-side oxide layer is not sufficient to maintain the dopant concentration in the lightly doped regions on values below 10 13 cm -3. If the furnace is operated cost-effectively and wafers with low doped areas are annealed together with conventional wafers with doping concentrations of typically about 10 15 cm -3 , different sources of contamination that can not be eliminated, adversely affect. As a result, all wafers on the tops have only doped areas in which the dopant concentrations are at least 10 15 cm -3 , which is not suitable for all intended applications.

In der US 6 491 752 A ist ein Verfahren zur Herstellung eines Epi-Substrates beschrieben, bei dem ein hoch n-leitend dotiertes Substrat hergestellt wird, auf dem eine n-leitende Epitaxieschicht einer um mindestens drei Größenordnungen geringeren Dotierstoffkonzentration aufgewachsen wird.In the US Pat. No. 6,491,752 A describes a method for producing an epi substrate, in which a highly n-type doped substrate is produced, on which an n-type epitaxial layer of at least three orders of magnitude lower dopant concentration is grown.

In der US 2003/0 059 985 A1 ist die Verwendung einer auf einer Epitaxieschicht hergestellten Oxid-Nitrid-Schichtfolge als Schutzschicht über einem dotierten Bereich einer Dotierstoffkonzentration von 1015 cm–3 bis 2 × 1016 cm–3 beschrieben. Die Schutzschicht dient zur Abdeckung von PN-Übergängen.In the US 2003/0 059 985 A1 describes the use of an oxide-nitride layer sequence produced on an epitaxial layer as a protective layer over a doped region of a dopant concentration of 10 15 cm -3 to 2 × 10 16 cm -3 . The protective layer is used to cover PN junctions.

In der US 2003/0 008 524 A1 ist ein Verfahren beschrieben, bei dem auf einem Siliziumsubstrat ein Pad-Oxid und darauf eine Implantationsmaske aus Nitrid hergestellt wird.In the US 2003/0 008 524 A1 For example, a method is described in which a pad oxide and, subsequently, a nitride implantation mask are produced on a silicon substrate.

In der US 6 048 769 A ist ein CMOS-Verfahren beschrieben, bei dem ein Gate-Oxid an Grenzflächen zum Halbleitermaterial des Substrates und zum Polysilizium der Gate-Elektrode mit Stickstoffatomen angereichert wird. Ein RTA-Temperschritt wird zum Nitridieren der Oxidschicht in einer ammoniakhaltigen Atmosphäre durchgeführt.In the US 6 048 769 A describes a CMOS method in which a gate oxide is enriched at interfaces with the semiconductor material of the substrate and the polysilicon of the gate electrode with nitrogen atoms. An RTA annealing step is performed to nitride the oxide layer in an ammonia-containing atmosphere.

In der US 5 279 976 A ist ein Verfahren beschrieben, das von einem Substrat mit einer Oberflächenkonzentration des Dotierstoffes von 1017 cm–3 ausgeht und bei dem auf einer Polysiliziumschicht einer Dotierstoffkonzentration von 1016 cm–3 eine Oxid-Nitrid-Schicht aufgebracht wird. Aus der Polysiliziumschicht wird Dotierstoff zur Herstellung von LDD-Bereichen ausdiffundiert.In the US 5 279 976 A describes a method that starts from a substrate with a surface concentration of the dopant of 10 17 cm -3 and in which an oxide-nitride layer is applied to a polysilicon layer having a dopant concentration of 10 16 cm -3 . Dopant is diffused out of the polysilicon layer to produce LDD regions.

Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es, ein Verfahren zur Aufrechterhaltung niedrigster Dotierlevel in der Halbleiterfertigung anzugeben, mit dem es möglich ist, niedrig dotierte Bereiche während eines thermischen Ausheilschrittes auf Werten der Dotierstoffkonzentration von höchstens 1013 cm–3 zu halten.The object of the present invention is to specify a method for maintaining the lowest doping levels in semiconductor production, with which it is possible to keep low-doped regions at values of the dopant concentration of at most 10 13 cm -3 during a thermal annealing step.

Diese Aufgabe wird mit dem Verfahren mit den Merkmalen des Anspruches 1 gelöst. Ausgestaltungen ergeben sich aus den abhängigen Ansprüchen.This object is achieved by the method having the features of claim 1. Embodiments emerge from the dependent claims.

Die Beseitigung des Kontaminationsproblems gelingt mit einer Abfolge von Verfahrensschritten, in denen zuerst auf der mit den Bereichen niedriger Dotierstoffkonzentration versehenen Oberseite des Wafers eine Oxidschicht ausgebildet wird und anschließend eine Nitridschicht auf die Oxidschicht abgeschieden wird. Danach erfolgt der Verfahrensschritt bei erhöhter Temperatur zum Eintreiben beziehungsweise Ausheilen des Dotierstoffes, während dessen die Bereiche niedriger Dotierstoffkonzentration von der Oxidschicht und der Nitridschicht geschützt bleiben. Nach dem Temperschritt können die Nitridschicht und die Oxidschicht entfernt werden.The elimination of the contamination problem succeeds with a sequence of method steps in which an oxide layer is first formed on the upper side of the wafer provided with the regions of low dopant concentration, and then a nitride layer is deposited on the oxide layer. Thereafter, the process step is carried out at elevated temperature for driving or annealing the dopant, during which the regions of low dopant concentration remain protected by the oxide layer and the nitride layer. After the annealing step, the nitride layer and the oxide layer can be removed.

Das geschieht zum Beispiel durch eine trocken- oder nasschemische Rückätzung.This happens, for example, by a dry or wet chemical etching back.

Es folgt eine genauere Beschreibung von Beispielen des Verfahrens anhand der beigefügten Figuren.The following is a more detailed description of examples of the method with reference to the attached figures.

Die 1 zeigt einen Querschnitt eines Halbleiterwafers nach dem Herstellen der dotierten Bereiche. The 1 shows a cross section of a semiconductor wafer after the production of the doped regions.

Die 2 zeigt einen Querschnitt gemäß der 1 nach dem Herstellen einer Oxidschicht.The 2 shows a cross section according to the 1 after producing an oxide layer.

Die 3 zeigt einen Querschnitt gemäß der 2 nach dem Herstellen einer Nitridschicht.The 3 shows a cross section according to the 2 after producing a nitride layer.

Die 1 zeigt einen Querschnitt durch einen Halbleiterwafer, zum Beispiel ein Substrat 1 aus Silizium, das wie üblich mit einer Oxidverkapselung 5 versehen sein kann. An einer Oberseite 6 des Wafers befindet sich ein dotierter Bereich niedriger Dotierstoffkonzentration. Dieser Bereich kann zum Beispiel durch Aufwachsen einer Epitaxieschicht 2 hergestellt werden. Die Epitaxieschicht wird während des Aufwachsens, das heißt, in situ, niedrig dotiert oder nach dem Aufwachsen durch Implantation von Dotierstoff mit einer niedrigen Dotierstoffkonzentration versehen. Als niedrige Dotierstoffkonzentration gilt in diesem Zusammenhang eine Konzentration von höchstens 1013 Dotierstoffatomen pro cm3, im Folgenden und in den Ansprüchen kurz als 1013 cm–3 bezeichnet.The 1 shows a cross section through a semiconductor wafer, for example, a substrate 1 made of silicon, which as usual with an oxide encapsulation 5 can be provided. On a top 6 of the wafer is a doped region of low dopant concentration. This area can be, for example, by growing an epitaxial layer 2 getting produced. The epitaxial layer is low doped during growth, that is, in situ, low doped, or provided with a low dopant concentration after implantation of dopant. In this context, a concentration of at most 10 13 dopant atoms per cm 3 , referred to below and in the claims as 10 13 cm -3 for short, applies as low dopant concentration.

An der Oberseite 6 des Wafers oder an der Oberseite der Epitaxieschicht 2 sind dotierte Bereiche als n-Wannen 3 und p-Wannen 4 mit einer zum Beispiel für CMOS-Prozesse üblichen Dotierstoffkonzentration hergestellt.At the top 6 of the wafer or at the top of the epitaxial layer 2 are doped regions as n-wells 3 and p-tubs 4 produced with a typical for CMOS processes dopant concentration.

In dem dargestellten Beispiel ist das Substrat 1 an Oberflächen mit einer Oxidverkapselung 5 versehen, die jedoch an der bearbeiteten Oberseite 6 entfernt wird und keinen ausreichenden Schutz der niedrig dotierten Bereiche vor Kontamination mit Dotierstoff bietet. In einem herkömmlichen thermischen Ausheilschritt wäre es nicht zu vermeiden, dass Dotierstoffatome von hoch dotierten Bereichen weiterer Wafer oder von sonstigen Kontaminationsquellen des Ofens in den niedrig dotierten Bereich, zum Beispiel in die Epitaxieschicht 2, gelangen, so dass schließlich an der gesamten Oberseite eine Dotierstoffkonzentration vorhanden wäre, die außerhalb der Wannen 3, 4 höher als gewünscht ist. Um das zu vermeiden, werden vor dem Ausheilschritt die nachfolgend beschriebenen zusätzlichen Prozessschritte ausgeführt, mit denen zunächst an der Oberseite 6 des Wafers beziehungsweise der Oberseite der Epitaxieschicht 2 eine Oxidschicht ausgebildet wird.In the example shown, the substrate 1 on surfaces with an oxide encapsulation 5 provided, however, on the machined top 6 is removed and does not provide adequate protection of the low doped regions from contamination with dopant. In a conventional thermal annealing step, it would be unavoidable that dopant atoms from highly doped regions of further wafers or other contamination sources of the furnace into the low-doped region, for example into the epitaxial layer 2 , so that eventually on the entire top a dopant concentration would be present, the outside of the tubs 3 . 4 higher than desired. To avoid this, the additional process steps described below are carried out before the annealing step, with which initially at the top 6 of the wafer or the top of the epitaxial layer 2 an oxide layer is formed.

Die 2 zeigt einen Querschnitt gemäß der 1 nach dem Herstellen einer oberseitigen ganzflächigen Oxidschicht 7. Diese Oxidschicht 7 kann bei Verwendung eines Siliziumsubstrates ein Oxid des Siliziums, insbesondere Siliziumdioxid, sein. Die Oxidschicht 7 wird vorzugsweise thermisch durch Oxidation des Halbleitermateriales bei erhöhter Temperatur ausgebildet, wobei jedoch vermieden wird, dass der Dotierstoff in unerwünschtem Ausmaß diffundiert. Die Dicke der Oxidschicht 7 kann zum Beispiel im Bereich von 15 nm bis 25 nm liegen und liegt bevorzugt im Bereich von 18 nm bis 22 nm, typisch zum Beispiel bei etwa 20 nm.The 2 shows a cross section according to the 1 after producing an upper-side, full-surface oxide layer 7 , This oxide layer 7 may be an oxide of silicon, in particular silicon dioxide, when using a silicon substrate. The oxide layer 7 is preferably formed thermally by oxidation of the semiconductor material at elevated temperature, but avoiding that the dopant diffuses to an undesirable extent. The thickness of the oxide layer 7 For example, it may be in the range of 15 nm to 25 nm, and is preferably in the range of 18 nm to 22 nm, typically about 20 nm.

Die 3 zeigt einen Querschnitt gemäß der 2 nach dem Aufbringen einer ganzflächigen Nitridschicht 8 auf der Oxidschicht 7. Die Nitridschicht 8 kann, insbesondere bei Verwendung einer Oxidschicht aus Siliziumoxid, vorzugsweise Siliziumnitrid sein. Die Nitridschicht 8 kann durch Abscheiden von Nitrid zum Beispiel mittels CVD (chemical vapor deposition) hergestellt werden, wobei LPCVD (low-pressure chemical vapor deposition) bevorzugt eingesetzt werden kann. Grundsätzlich sind aber auch andere Abscheideprozesse geeignet. Die Dicke der Nitridschicht 8 kann zum Beispiel im Bereich von 125 nm bis 175 nm liegen und liegt bevorzugt im Bereich von 140 nm bis 160 nm, typisch zum Beispiel bei etwa 150 nm.The 3 shows a cross section according to the 2 after application of a full-surface nitride layer 8th on the oxide layer 7 , The nitride layer 8th may be, in particular when using an oxide layer of silicon oxide, preferably silicon nitride. The nitride layer 8th can be prepared by deposition of nitride, for example by means of CVD (chemical vapor deposition), wherein LPCVD (low-pressure chemical vapor deposition) can be preferably used. In principle, however, other deposition processes are also suitable. The thickness of the nitride layer 8th may be in the range of 125 nm to 175 nm, for example, and is preferably in the range of 140 nm to 160 nm, typically about 150 nm.

Es wurde nachgewiesen, dass mit der Doppelschicht bestehend aus einer ganzflächigen Oxidschicht und einer darauf aufgebrachten wesentlich dickeren ganzflächigen Nitridschicht eine wirkungsvolle Abschirmung der niedrig dotierten Bereiche an der Oberseite des Wafers oder in der niedrig dotierten Epitaxieschicht gegen Kontaminationen erzielt werden kann. Mit Verwendung nur einer Oxidschicht oder nur einer Nitridschicht kann diese Wirkung nicht in dem erwünschten Umfang erreicht werden. Die Verwendung beider Schichten ermöglicht es jedoch, die Dotierstoffkonzentration in Oberflächenbereichen des Wafers oder in der Epitaxieschicht auf Werten von weniger als 1013 cm–3 zu halten. Das gilt auch dann, wenn als Substrat 1 ein hoch dotierter Wafer verwendet wird, dessen Dotierstoffkonzentration einen üblichen Wert von typisch etwa 1019 cm–3 aufweist, und nur die relativ dünne Epitaxieschicht 2 mit einer niedrigen Dotierstoffkonzentration von typisch 1013 cm–3 versehen wird. Die Oxidschicht 7 und die Nitridschicht 8 mit Dicken in den angegebenen Bereichen können vorteilhaft in Verbindung mit einer Epitaxieschicht 2 einer Dicke von typisch 10 μm bis 15 μm eingesetzt werden.It has been demonstrated that effective shielding of the low-doped regions on the upper side of the wafer or in the low-doped epitaxial layer against contamination can be achieved with the double layer consisting of a full-area oxide layer and a substantially thicker all-surface nitride layer applied thereto. By using only one oxide layer or only one nitride layer, this effect can not be achieved to the extent desired. The use of both layers, however, makes it possible to keep the dopant concentration in surface areas of the wafer or in the epitaxial layer to values of less than 10 13 cm -3 . This is true even if as a substrate 1 a highly doped wafer is used whose dopant concentration has a typical value of typically about 10 19 cm -3 , and only the relatively thin epitaxial layer 2 is provided with a low dopant concentration of typically 10 13 cm -3 . The oxide layer 7 and the nitride layer 8th Thicknesses in the ranges given may be advantageous in conjunction with an epitaxial layer 2 a thickness of typically 10 microns to 15 microns are used.

Die in den Figuren dargestellten dotierten Wannen 3, 4 sind nur zur Veranschaulichung als Beispiele eingezeichnet; derartige höher dotierte Bereiche können in beliebiger Ausgestaltung und Anzahl, auch ineinander verschachtelt, vorgesehen sein. In dem Temperschritt wird höchstens so viel Dotierstoff aus den dotierten Wannen ausdiffundieren, dass die niedrig dotierten Bereiche wie vorgesehen erhalten bleiben, da eine Kontamination von außen durch die Kombination der Oxidschicht 7 und der Nitridschicht 8 wirkungsvoll verhindert wird. Auch eine Ausdiffusion des Dotierstoffes aus dem Substrat 1 bis zur Oberseite 6 kann durch eine geeignete Wahl der Dicke der niedrig dotierten Bereiche, insbesondere durch die Wahl der Dicke einer niedrig dotierten Epitaxieschicht 2, verhindert werden.The doped wells shown in the figures 3 . 4 are shown as examples only for the purpose of illustration; such higher-doped regions can be provided in any desired configuration and number, also nested one inside the other. In the annealing step, at most so much dopant will diffuse out of the doped wells that the low-doped regions will be retained as intended, since contamination from the outside by the combination of the oxide layer 7 and the nitride layer 8th effectively prevented. Also, an outdiffusion of the dopant from the substrate 1 up to the top 6 can be achieved by a suitable choice of the thickness of the low-doped regions, in particular by the choice of the thickness of a low-doped epitaxial layer 2 , be prevented.

Das beschriebene Verfahren ermöglicht es, Halbleiterwafer mit Bereichen unterschiedlicher Dotierstoffkonzentrationen an der Oberseite derart zu schützen, dass für besondere Anwendungen, zum Beispiel zur Integration von PIN-Fotodioden, niedrigst dotierte Bereiche an der Oberseite des Substrates erhalten bleiben. Die Dotierstoffkonzentration kann dadurch in einem ursprünglich entsprechend niedrig dotierten Bereich einer Epitaxieschicht insbesondere auf Werten unterhalb 1013 cm–3 gehalten werden. Wenn entweder die Oxidschicht 7 oder die Nitridschicht 8 weggelassen wird und nur wie bisher üblich eine Nitridschicht beziehungsweise eine Oxidschicht einer typischen Dicke von etwa 140 nm oder 150 nm verwendet wird, erhält man als Folge des Temperschrittes an der Oberseite des Wafers einen typisch etwa 2 μm dicken Bereich, in dem die Dotierstoffkonzentration mindestens 1014 cm–3 beträgt. Die gewünschten Ergebnisse werden daher nur bei Verwendung der erfindungsgemäßen doppelten Schutzschicht erzielt.The method described makes it possible to protect semiconductor wafers with regions of different dopant concentrations at the top in such a way that, for particular applications, for example for the integration of PIN photodiodes, the lowest-doped regions are retained on the top side of the substrate. The dopant concentration can thereby be kept in an originally correspondingly low-doped region of an epitaxial layer, in particular to values below 10 13 cm -3 . If either the oxide layer 7 or the nitride layer 8th is omitted and only as usual a nitride layer or an oxide layer of a typical thickness of about 140 nm or 150 nm is used, obtained as a result of the annealing step at the top of the wafer is typically about 2 microns thick area in which the dopant concentration at least 10th 14 cm -3 . The desired results are therefore achieved only when using the double protective layer according to the invention.

BezugszeichenlisteLIST OF REFERENCE NUMBERS

11
Substratsubstratum
22
Epitaxieschichtepitaxial layer
33
n-Wannen-well
44
p-Wannep-well
55
OxidverkapselungOxidverkapselung
66
Oberseitetop
77
Oxidschichtoxide
88th
Nitridschichtnitride

Claims (9)

Verfahren zur Aufrechterhaltung niedrigster Dotierstoffkonzentration in der Halbleiterfertigung durch Verhindern einer Kontamination mit Dotierstoff von außen, bei dem – ein Substrat (1) aus Halbleitermaterial mit einem dotierten Bereich einer Dotierstoffkonzentration von höchstens 1013 cm–3 versehen wird, – eine ganzflächige Oxidschicht (7) aufgebracht wird, mit der der dotierte Bereich bedeckt wird, – eine ganzflächige Nitridschicht (8) auf die Oxidschicht (7) aufgebracht wird und – das Substrat einer erhöhten Temperatur ausgesetzt wird, so dass ein Ausheilen oder Eintreiben von Dotierstoff erfolgt, wobei die Dotierstoffkonzentration in dem dotierten Bereich auf 1013 cm–3 begrenzt bleibt.Method for maintaining lowest dopant concentration in semiconductor fabrication by preventing contamination with dopant from the outside, in which - a substrate ( 1 ) of semiconductor material having a doped region of a dopant concentration of at most 10 13 cm -3 is provided, - a full-surface oxide layer ( 7 ) covering the doped region, - a whole-area nitride layer ( 8th ) on the oxide layer ( 7 ), and - exposing the substrate to an elevated temperature such that dopant anneals or comminution occurs, with the dopant concentration in the doped region being limited to 10 13 cm -3 . Verfahren nach Anspruch 1, bei dem nach dem Verfahrensschritt, der bei erhöhter Temperatur erfolgt, die Nitridschicht (8) und die Oxidschicht (7) entfernt werden.Process according to Claim 1, in which, after the step which takes place at elevated temperature, the nitride layer ( 8th ) and the oxide layer ( 7 ) are removed. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, bei dem vor dem Herstellen der Oxidschicht (7) auf einer Oberseite (6) des Substrates (1) eine Epitaxieschicht (2) aufgewachsen und zur Ausbildung des dotierten Bereiches mit einer Dotierstoffkonzentration von höchstens 1013 cm–3 versehen wird und die Oxidschicht (7) auf der Oberseite der Epitaxieschicht ausgebildet wird.Method according to claim 1 or 2, wherein prior to the production of the oxide layer ( 7 ) on a top side ( 6 ) of the substrate ( 1 ) an epitaxial layer ( 2 ) is grown and provided to form the doped region with a dopant concentration of at most 10 13 cm -3 and the oxide layer ( 7 ) is formed on the top of the epitaxial layer. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 3, bei dem in dem dotierten Bereich einer Dotierstoffkonzentration von höchstens 1013 cm–3 mindestens eine n-Wanne (3) und eine p-Wanne (4) mit Dotierstoffkonzentrationen hergestellt werden, die für CMOS-Prozesse oder BiCMOS-Prozesse vorgesehen sind.Method according to one of claims 1 to 3, wherein in the doped region of a dopant concentration of at most 10 13 cm -3 at least one n-well ( 3 ) and a p-tub ( 4 ) with dopant concentrations intended for CMOS processes or BiCMOS processes. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 4, bei dem die Oxidschicht (7) 15 nm bis 25 nm dick hergestellt wird.Method according to one of claims 1 to 4, wherein the oxide layer ( 7 ) Is made 15 nm to 25 nm thick. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 4, bei dem die Oxidschicht (7) 18 nm bis 22 nm dick hergestellt wird.Method according to one of claims 1 to 4, wherein the oxide layer ( 7 ) Is made 18 nm to 22 nm thick. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 6, bei dem die Nitridschicht (8) 125 nm bis 175 nm dick hergestellt wird.Method according to one of Claims 1 to 6, in which the nitride layer ( 8th ) 125 nm to 175 nm thick. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 6, bei dem die Nitridschicht (8) 140 nm bis 160 nm dick hergestellt wird.Method according to one of Claims 1 to 6, in which the nitride layer ( 8th ) 140 nm to 160 nm thick. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 8, bei dem eine PIN-Fotodiode in den dotierten Bereich einer Dotierstoffkonzentration von höchstens 1013 cm–3 integriert wird.Method according to one of claims 1 to 8, wherein a PIN photodiode is integrated in the doped region of a dopant concentration of at most 10 13 cm -3 .
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