DE102008050868A1

DE102008050868A1 - Fluid i.e. ultra-pure water, temperature stabilizing device for use during manufacturing of chips from silicon wafers, has reservoir lying in flow path of fluid and containing volume of fluid, where supplied fluid passes through reservoir

Info

Publication number: DE102008050868A1
Application number: DE200810050868
Authority: DE
Inventors: Ralph Fernandes De Oliveira; Reinhard Möller; Anurag Sinha; Arthur Kobylinski; Felix Alexander Teufel
Original assignee: M+W Zander Products GmbH
Current assignee: M+W Zander Products GmbH
Priority date: 2008-09-30
Filing date: 2008-09-30
Publication date: 2010-04-08

Abstract

The device has a lithography device attached to a fluid treatment unit by a line. A reservoir (1) lies in a flow path of the fluid and contains a volume of the fluid, where the supplied fluid passes through the reservoir. The reservoir includes an inlet (4) attached to a supply line (6). The inlet of the reservoir is connected to an immersion pipe (7), which extends inside a reservoir housing (2). The immersion pipe ends with a distance to a base (8) and a cover (3) of the reservoir housing. An inner wall (11) of the reservoir housing is free of edges. An independent claim is also included for a method for stabilizing temperature of fluid during manufacturing of chips.

Description

Die Erfindung betrifft eine Einrichtung zur Temperaturstabilisierung von Flüssigkeiten, vorzugsweise von ultrareinem Wasser, bei der Herstellung von Chips nach dem Oberbegriff des Anspruches 1 sowie ein Verfahren zur Temperaturstabilisierung solcher Flüssigkeiten nach dem Oberbegriff des Anspruches 11.The The invention relates to a device for temperature stabilization of liquids, preferably of ultrapure water, in the manufacture of chips according to the preamble of claim 1 and a method for temperature stabilization such liquids according to the preamble of claim 11.

Bei der Herstellung von Chips aus Wafern ist es bekannt, mit Hilfe von Laserstrahlen, die eine Linsenstruktur durchlaufen, den Wafer zu belichten. Um die Tiefenschärfe und die Verwendung von Linsen mit einer höheren nummerischen Apertur zu ermöglichen, wird der Bereich zwischen der letzten Linse und dem zu belichtenden Wafer mit ultrareinem Wasser gefüllt. Um eine zuverlässige Belichtung des Wafers zu gewährleisten, muss die Temperatur des ultrareinen Wassers mit hoher Genauigkeit den gewünschten Werten entsprechen. Hierzu werden sehr aufwändig gestaltete Einrichtungen eingesetzt, die mit Wärmeübertragern arbeiten, mit deren Hilfe die Temperatur des ultrareinen Wassers möglichst bei der erforderlichen Solltemperatur gehalten wird.at The production of chips from wafers is known with the help of Laser beams, which undergo a lens structure, the wafer to expose. To the depth of field and the use of lenses with a higher numerical aperture to enable becomes the area between the last lens and the one to be exposed Wafers filled with ultrapure water. To be a reliable To ensure exposure of the wafer must the temperature of the ultrapure water with high accuracy the wished Correspond to values. These are very elaborately designed facilities used with heat exchangers work, with the help of which the temperature of the ultrapure water preferably is maintained at the required set temperature.

Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, die gattungsgemäße Einrichtung und das gattungsgemäße Verfahren so auszubilden, dass mit geringem apparativem Aufwand die Temperatur der Flüssigkeit bei der Belichtung von Wafern genau eingehalten werden kann.Of the Invention is the object of the generic device and the generic method form so that with little equipment expense, the temperature the liquid can be accurately maintained during the exposure of wafers.

Diese Aufgabe wird bei der gattungsgemäßen Einrichtung erfindungsgemäß mit den kennzeichnenden Merkmalen des Anspruches 1 und beim gattungsgemäßen Verfahren erfindungsgemäß mit den kennzeichnenden Merkmalen des Anspruches 11 gelöst.These Task is in the generic device according to the invention with the characterizing features of claim 1 and the generic method according to the invention with the characterizing features of claim 11 solved.

Bei der erfindungsgemäßen Einrichtung wird die Flüssigkeit, die vorzugsweise ultrareines Wasser ist, durch wenigstens einen Speicher geleitet. Er enthält die gleiche Flüssigkeit. Da das Speichervolumen so bemessen ist, dass eine wesentliche Verweilzeit der Flüssigkeit erreicht wird, bildet der Speicher mit dem Flüssigkeitsvolumen eine thermische Masse, die dafür sorgt, dass ohne großen apparativen Aufwand die Flüssigkeit, die nach Durchströmen des Speichers dem Behandlungsort zugeführt wird, eine gewünschte mittlere Temperatur mit nur sehr geringen Schwankungen aufweist. Mit Hilfe des Speichers ist es möglich, auf einfache Weise die Temperatur der Flüssigkeit zuverlässig innerhalb der für die Behandlung notwendigen engen Temperaturgrenzen zu halten.at the device according to the invention becomes the liquid, which is preferably ultrapure water, by at least one Memory directed. He contains the same liquid. Since the storage volume is such that a substantial residence time of liquid is reached, the memory forms a thermal volume with the liquid volume Mass for that ensures that without big equipment expenditure the liquid, the after flowing through the memory is supplied to the treatment site, a desired mean Temperature with only very small fluctuations. With help of the memory it is possible In a simple way, the temperature of the liquid reliably within the for to keep the treatment necessary tight temperature limits.

Beim erfindungsgemäßen Verfahren wird die Flüssigkeit dem gespeicherten Flüssigkeitsvolumen zugeführt. Das gespeicherte Flüssigkeitsvolumen wirkt als thermische Masse, die in Kombination mit dem Mischvorgang dazu führt, dass die Temperatur der Flüssigkeit mit hoher Genauigkeit auf dem gewünschten Wert gehalten bzw. auf ihn eingestellt werden kann.At the inventive method becomes the liquid supplied to the stored liquid volume. The stored liquid volume acts as a thermal mass, in combination with the mixing process leads, that the temperature of the liquid held with high accuracy at the desired value or can be adjusted to him.

Weitere Merkmale der Erfindung ergeben sich aus den weiteren Ansprüchen, der Beschreibung und den Zeichnungen.Further Features of the invention will become apparent from the other claims, the Description and the drawings.

Die Erfindung wird anhand einiger in den Zeichnungen dargestellter Ausführungsformen näher erläutert. Es zeigenThe The invention will be described with reference to some embodiments shown in the drawings explained in more detail. It demonstrate

1 in vereinfachter und schematischer Darstellung einen Speicher einer erfindungsgemäßen Einrichtung zur Behandlung von ultrareinem Wasser, 1 in a simplified and schematic representation of a memory of a device according to the invention for the treatment of ultrapure water,

2 in Seitenansicht eine zweite Ausführungsform eines Speichers, 2 in side view a second embodiment of a memory,

3 einen Längsschnitt durch den Speicher gemäß 2, 3 a longitudinal section through the memory according to 2 .

4 in schematischer Darstellung eine erfindungsgemäße Einrichtung mit Speichern gemäß den 1 bis 3, 4 a schematic representation of an inventive device with storage according to the 1 to 3 .

5 in einem Diagramm die zeitliche Temperaturabhängigkeit zweier Flüssigkeiten bei Einsatz der erfindungsgemäßen Einrichtung, 5 in a diagram, the temporal temperature dependence of two liquids when using the device according to the invention,

6 bis 8 in Darstellungen gemäß den 1 bis 3 eine weitere Ausführungsform eines Speichers der erfindungsgemäßen Einrichtung. 6 to 8th in representations according to the 1 to 3 a further embodiment of a memory of the device according to the invention.

Die im Folgenden beschriebene Einrichtung wird vorteilhaft bei der Halbleiterlithografie eingesetzt, um auf Silizium-Wafern elektronische Schaltmuster zu belichten. Die Belichtung wird mit Hilfe von Masken durchgeführt, durch die eine optische Projektion erfolgt. Bei der Herstellung von Chips werden üblicherweise mehr als 100 Schritte einschließlich der Lithografie durchgeführt, wobei Hunderte von Kopien eines integrierten Schaltkreises auf einem einzigen Wafer hergestellt werden. Ein Chip enthält üblicherweise 30 Schichten, die mit verschiedenen Prozessschritten auf dem Wafer hergestellt werden. Die eingesetzten Lithografiemaschinen arbeiten nach dem Tauchlithografie-Verfahren. Hierbei wird ein Laserstrahl durch Linsen auf den Wafer gerichtet. Zwischen der letzten Linse und dem Wafer befindet sich ultrareines Wasser als Flüssigkeit, welches die Tiefenschärfe verbessert und den Einsatz von Linsen mit einer höheren numerischen Apertur ermöglicht. Das zur Herstellung der Chips eingesetzte Tauchlithografie-Verfahren erfordert stabile thermische Bedingungen während der Belichtung des Wafers, insbesondere der Temperatur der Flüssigkeit zwischen der Linse und dem Wafer. Hierbei ist zu berücksichtigen, dass der Brechungsindex der Flüssigkeit mit deren Temperatur zusammenhängt. Eine thermisch in stabile Flüssigkeit kann zu Defekten im Chip führen, so dass er unbrauchbar ist.The device described below is advantageously used in semiconductor lithography in order to expose electronic switching patterns on silicon wafers. Exposure is performed using masks through which an optical projection is made. In the manufacture of chips, typically more than 100 steps including lithography are performed, producing hundreds of copies of an integrated circuit on a single wafer. A chip usually contains 30 layers, which are produced with different process steps on the wafer. The lithography machines used work by the dip lithography method. Here, a laser beam is directed through lenses on the wafer. There is ultrapure water as a liquid between the last lens and the wafer, which enhances the depth of field and allows the use of lenses with a higher numerical aperture. The immersion lithography process used to make the chips requires stable thermal conditions during exposure of the wafer, particularly the temperature of the liquid between the lens and the wafer. It should be noted that the refractive index of the liquid is related to their temperature. A thermally stable liquid can lead to defects in the chip, so that it is unusable.

Die Flüssigkeit, vorzugsweise ultrareines Wasser, hat eine thermische Stabilität DT_s. Sie ist definiert als DTs = (T3 – T2)/(t2 – t1). The liquid, preferably ultrapure water, has a thermal stability DT _s . It is defined as DT s = (T 3 - T 2 ) / (T 2 - t 1 ).

Es bedeuten

T = Temperatur
t = Zeit.

It means

T = temperature
t = time.

In der angegebenen Gleichung bezeichnen T₂ und T₃ die jeweiligen Temperaturen des Mediums zu den Zeiten t₁ und t₂. Im beschriebenen Anwendungsfall der Lithografie müssen die Temperaturschwankungen der Flüssigkeit in einem Sub-Millikelvinbereich gehalten werden, zum Beispiel in einem Bereich von 1 bis 5 mK/min.In the given equation, T ₂ and T ₃ denote the respective temperatures of the medium at times t ₁ and t ₂ . In the described application of lithography, the temperature fluctuations of the liquid must be kept in a sub-millikelvin range, for example in a range of 1 to 5 mK / min.

Ein weiteres thermisches Kriterium ist die Temperatur T der Flüssigkeit. Diese Flüssigkeitstemperatur muss innerhalb zweier Temperaturgrenzbereiche liegen, die durch T₁ (untere Grenze) und T₄ (obere Grenze) bestimmt sind. Solch ein Temperaturbereich kann beispielsweise 20,000°C bis 20,200°C sein. Dieser Temperaturbereich darf während der Betriebszeit der Maschine nicht verlassen werden.Another thermal criterion is the temperature T of the liquid. This liquid temperature must be within two temperature limits defined by T ₁ (lower limit) and T ₄ (upper limit). Such a temperature range may be, for example, 20,000 ° C to 20,200 ° C. This temperature range must not be left during the operating time of the machine.

Als drittes Kriterium ist, sofern in der Maschine verschiedene Flüssigkeitskreisläufe eingesetzt werden, ein Temperaturfenster einzuhalten. Wenn zwei Flüssigkeitsströme beispielsweise die absoluten oder relativen Temperaturen T_f1 und T_f2 haben, dann wird dieses Temperaturfenster T_o wie folgt definiert: To = (Tf2 – Tf1) As a third criterion, if different fluid circuits are used in the machine, a temperature window must be observed. For example, if two liquid _streams have the absolute or relative temperatures T _f1 and T _f2 , then this temperature window T _o is defined as follows: T O = (T f2 - T f1 )

Dieses Temperaturfenster, also der Temperaturunterschied zwischen beiden Medien, muss sehr klein gehalten werden, damit die Fertigung der Chips nicht beeinträchtigt wird.This Temperature window, so the temperature difference between the two Media, must be kept very small, hence the production of the chips not impaired becomes.

Die Temperaturstabilisierung des Mediums wird durch die Kombination einer thermischen Masse und einer Flüssigkeitsmischfunktion erreicht. Diese Kombination erlaubt es, die Amplitude und die Frequenz einer Störung zu berücksichtigen.The Temperature stabilization of the medium is through the combination a thermal mass and a liquid mixing function achieved. This combination allows the amplitude and frequency of a disorder to take into account.

Ein Beispiel einer thermischen Masse wird anhand von 1 erläutert. In diesem Falle wird die thermische Masse durch einen Speicher 1 gebildet, der ein Gehäuse 2 aufweist. In seinem oberen Bereich, vorzugsweise im Deckel 3, sind ein Einlass 4 und ein Auslass 5 vorgesehen. An den Einlass 4 ist eine Zuführleitung 6 angeschlossen, über die die Flüssigkeit, mit der die Lithografiemaschine arbeitet, in das Gehäuse 2 eingeleitet wird. Innerhalb des Gehäuses 2 schließt an den Einlass 4 ein Tauchrohr 7 an, das sich axial bis nahe zum Boden 8 des Gehäuses 2 erstreckt. Das Tauchrohr 7 endet mit geringem Abstand vom Boden 8. Die Austrittsöffnung 9 des Tauchrohres 7 ist gegen den Boden 8 gerichtet. An den Auslass 5 schließt eine Auslassleitung 10 an.An example of a thermal mass is based on 1 explained. In this case, the thermal mass is through a memory 1 formed, which is a housing 2 having. In its upper area, preferably in the lid 3 , are an inlet 4 and an outlet 5 intended. To the inlet 4 is a supply line 6 connected, over which the liquid, with which the lithography machine works, into the housing 2 is initiated. Inside the case 2 closes at the inlet 4 a dip tube 7 which is axially close to the ground 8th of the housing 2 extends. The dip tube 7 ends at a small distance from the ground 8th , The outlet opening 9 of the dip tube 7 is against the ground 8th directed. At the outlet 5 closes an outlet pipe 10 at.

Die Strömungsquerschnitte der Zuführleitung 6 und der Auslassleitung 10 sind vorzugsweise so gewählt, dass in beiden Leitungen die gleiche Strömungsgeschwindigkeit herrscht. Das Volumen des Gehäuses 2 ist auf die Menge der durchströmenden Flüssigkeit in den Leitungen 6, 10 sowie auf die thermische Instabilität am Einlass 4 und am Auslass 5 abgestimmt. Wenn eine höhere Durchsatzmenge vorliegt, muss das Volumen des Gehäuses 2 erhöht werden, damit die Verweilzeit der Flüssigkeit im Speicher 1 gleich bleibt.The flow cross sections of the supply line 6 and the outlet pipe 10 are preferably chosen so that in both lines, the same flow rate prevails. The volume of the case 2 is due to the amount of liquid flowing through in the pipes 6 . 10 as well as the thermal instability at the inlet 4 and at the outlet 5 Voted. If there is a higher flow rate, the volume of the housing must be 2 be increased, thus the residence time of the liquid in the memory 1 stays the same.

Der Speicher 1 ist vollständig mit der Flüssigkeit gefüllt. Das Tauchrohr 7 sowie der Boden 8 des Gehäuses 2 sowie der Querschnitt des Gehäuses 2 sind so ausgebildet, dass turbulente Strömungsbedingungen mit einer Reynoldszahl > 2300 vorherrschen. Die Turbulenzen innerhalb der thermischen Masse und damit innerhalb des Flüssigkeitsvolumens im Speicher 1 gewährleisten ein ausreichendes Vermischen der Flüssigkeit.The memory 1 is completely filled with the liquid. The dip tube 7 as well as the ground 8th of the housing 2 as well as the cross section of the housing 2 are designed so that turbulent flow conditions with a Reynolds number> 2300 prevail. The turbulence within the thermal mass and thus within the liquid volume in the memory 1 ensure a sufficient mixing of the liquid.

Um ein Bakterienwachstum innerhalb des Speichers 1 zu vermeiden, ist die Innenwandung 11 des Gehäuses 2 ohne scharfe Kanten und Ecken ausgebildet. Dementsprechend ist der Übergang von der Innenseite des Deckels 3 und des Bodens 8 in die Seitenwand des Gehäuses 2 abgerundet ausgebildet.To bacterial growth within the store 1 To avoid is the inner wall 11 of the housing 2 designed without sharp edges and corners. Accordingly, the transition from the inside of the lid 3 and the soil 8th in the side wall of the housing 2 rounded.

Im Boden 8 befindet sich ein Auslass 12, an den eine Auslassleitung 13 angeschlossen ist, in der sich ein Auslassventil 14 befindet. Damit kann bei Bedarf die Flüssigkeit im Gehäuse 2 durch Öffnen des Auslassventils 14 abgelassen werden.In the ground 8th there is an outlet 12 to which an outlet pipe 13 connected, in which there is an exhaust valve 14 located. Thus, if necessary, the liquid in the housing 2 by opening the exhaust valve 14 be drained.

Hochfrequente Temperaturfluktuationen, die im Bereich von mK/s liegen, werden durch die thermische Masse, das heißt die Wärmekapazität des Speichers 1 absorbiert. Im mittleren Frequenzbereich liegende Instabilitäten, die im Bereich von mK/min liegen, werden durch die spezifische Verweilzeit der Flüssigkeit im Speicher 1 absorbiert. Die Berechnung der notwendigen Verweilzeit wird unten näher beschrieben.High-frequency temperature fluctuations, which are in the range of mK / s, are due to the thermal mass, that is, the heat capacity of the memory 1 absorbed. Mid-frequency instabilities, which are in the range of mK / min, are due to the specific residence time of the liquid in the reservoir 1 absorbed. The calculation of the necessary residence time will be described below.

Niederfrequente Instabilitäten im Bereich von mK/5 min werden durch wenigstens einen Wärmetauscher aufgefangen bzw. kompensiert, der in noch zu beschreibender Weise in der Einrichtung vorgesehen ist.low instabilities in the range of mK / 5 min be through at least one heat exchanger caught or compensated, in the manner to be described is provided in the facility.

Die Flüssigkeit, die über die Zuführleitung 6 dem Speicher 1 zugeführt wird, hat eine Temperatur T₁ sowie eine thermische Stabilität DT_s1. Die durch die Auslassleitung 10 strömende Flüssigkeit hat die Temperatur T₂ sowie die thermische Stabilität DT_s2.The liquid flowing through the supply line 6 the memory 1 is supplied, has a temperature T ₁ and a thermal stability DT _s1 . The through the outlet pipe 10 flowing liquid has the temperature T ₂ and the thermal stability DT _s2 .

Die Kompensation hochfrequenter Instabilitäten wird hauptsächlich durch die Wärmekapazität des Speichers bestimmt. Die Verweilzeit der Flüssigkeit im Speicher 1 ist der Hauptparameter für die Kompensation sinusförmiger Instabilitäten im mittleren Frequenzbereich. Die Verweilzeit Δt_V kann nach folgender Beziehung berechnet werden:

The compensation of high-frequency instabilities is mainly determined by the heat capacity of the memory. The residence time of the liquid in the store 1 is the main parameter for the compensation of sinusoidal instabilities in the middle frequency range. The residence time Δt _V can be calculated according to the following relationship:

Hierbei bedeuten

t = Zeit
V_tm = Volumen des Speichers 1
= Volumenstrom der Flüssigkeit

Mean here

t = time
V _tm = volume of the memory 1
= Volume flow of the liquid

Für sinusförmige Instabilitäten im mittleren Frequenzbereich muss die Verweilzeit wenigstens doppelt so hoch sein wie die Dauer der Instabilität: ΔtV > 2·ΔtInstabilität For sinusoidal instabilities in the mid-frequency range, the residence time must be at least twice the duration of the instability: .delta.t V > 2 · Δt instability

Hierbei bedeutet

Δt = Periode.

This means

Δt = period.

Die 2 und 3 zeigen ein konkretes Ausführungsbeispiel eines Speichers 1. Er hat die Seitenwand 15, die den Boden 8 mit der Decke 3 verbindet. Innenseitig erfolgt der Übergang zwischen der Innenseite 11 der Seitenwand 15 und der Innenseite des Deckels 3 und des Bodens 8 stetig gekrümmt. Am Deckel 3 ist der Einlass 4 in Form eines Anschlussstutzens vorgesehen, an den die Zuführleitung 6 von außen angeschlossen werden kann. Innenseitig wird an den Einlass 4 das Tauchrohr 7 angeschlossen.The 2 and 3 show a concrete embodiment of a memory 1 , He has the side wall 15 that the ground 8th with the ceiling 3 combines. On the inside, the transition between the inside takes place 11 the side wall 15 and the inside of the lid 3 and the soil 8th steadily curved. On the lid 3 is the inlet 4 provided in the form of a connecting piece, to which the supply line 6 can be connected from the outside. Inside is at the inlet 4 the dip tube 7 connected.

Der Deckel 3 ist außerdem mit dem Auslass 5 in Form eines Auslassstutzens versehen, an den die Auslassleitung 10 angeschlossen wird.The lid 3 is also with the outlet 5 provided in the form of an outlet, to which the outlet 10 is connected.

Innerhalb des Gehäuses 2 befindet sich das Tauchrohr 7, das an den Einlass 4 angeschlossen ist. Das Tauchrohr 7 endet mit Abstand vom Boden 8. Dieser Abstand ist so gewählt, dass kein Druckverlust auftritt.Inside the case 2 is the dip tube 7 that at the inlet 4 connected. The dip tube 7 ends at a distance from the ground 8th , This distance is chosen so that no pressure loss occurs.

Im Boden 8 befindet sich der Auslass 12, über den die Flüssigkeit im Speicher 1 durch Öffnen des Auslassventils 14 (1) abgelassen werden kann.In the ground 8th is the outlet 12 over which the liquid in the store 1 by opening the exhaust valve 14 ( 1 ) can be drained.

Das Tauchrohr 7 erstreckt sich mit Abstand zur Längsachse innerhalb des Gehäuses 2. Dadurch tritt die Flüssigkeit an der Austrittsöffnung 9 außermittig in die Flüssigkeit im Speicher 1 ein. Dadurch erfolgt die Vermischung der über das Tauchrohr 7 eingeführten Flüssigkeit mit der im Speicher 1 befindlichen Flüssigkeit in ausreichendem Maße, um auf diese Weise Temperaturunterschiede durch entsprechende Vermischung zuverlässig ausgleichen zu können.The dip tube 7 extends at a distance from the longitudinal axis within the housing 2 , As a result, the liquid occurs at the outlet opening 9 off-center into the liquid in the store 1 one. As a result, the mixing takes place via the dip tube 7 introduced liquid with the in the store 1 located sufficiently liquid to compensate in this way, temperature differences by appropriate mixing can be reliably.

Bei der beschriebenen Vorgehensweise erfolgt die Einhaltung der thermischen Bedingungen durch die Kombination der Wärmekapazität des Speichers 1 mit dem kontrollierten Mischprozess. Die Wärmekapazität c_S [kJ/kg·K] ergibt sich hauptsächlich durch das Flüssigkeitsvolumen und die Masse des Gehäuses 2. Der Mischprozess findet unter turbulenten Bedingungen statt, so dass die Flüssigkeitstemperatur im Speicher 1 homogen bleibt.In the procedure described, compliance with the thermal conditions is achieved by the combination of the heat capacity of the memory 1 with the controlled mixing process. The heat capacity c _S [kJ / kg · K] is mainly due to the liquid volume and the mass of the housing 2 , The mixing process takes place under turbulent conditions, so that the liquid temperature in the store 1 remains homogeneous.

Es ist bekannt, die Temperatur eines strömenden Mediums durch Wärmeabgabe oder Wärmeaufnahme beispielsweise über Wärmeübertrager von einer äußeren Wärmequelle oder Wärmesenke auf einen gewünschten Wert zu stabilisieren. Ein Nachteil einer solchen Ausbildung ist, dass große Flächen zur Übertragung der Wärme notwendig sind und zeitliche Temperaturinstabilitäten der äußeren Wärmequelle bzw. Wärmesenke mindestens in gedämpfter Form mit übertragen werden. Mit der beschriebenen Vorgehensweise ist dies jedoch sehr einfach und mit hoher Genauigkeit möglich, indem in einem ersten Schritt die Temperatur des Mediums mittels wärme übertragender Elemente 22, 23, 30 durch Wärmezufuhr oder Wärmeabgabe innerhalb eines engen Temperaturbereichs temperiert wird und in einem zweiten Schritt die noch vorhandenen zeitlichen Temperaturschwankungen durch die Mischung der Flüssigkeit in einem Speicher 1 geglättet werden.It is known to stabilize the temperature of a flowing medium by heat release or heat absorption, for example via heat exchangers from an external heat source or heat sink to a desired value. A disadvantage of such a design is that large areas are necessary for the transfer of heat and temporal temperature instabilities of the outer heat source or heat sink are transmitted at least in a damped form. However, with the procedure described, this is possible very simply and with high accuracy, in a first step, the temperature of the medium by means of heat transferring elements 22 . 23 . 30 is tempered by heat or heat within a narrow temperature range and in a second step, the remaining temporal temperature fluctuations by the mixture of the liquid in a memory 1 be smoothed.

4 zeigt schematisch eine Einrichtung, bei der die beschriebene Kombination der Verfahrensschritte eingesetzt wird. Die anhand dieses Ausführungsbeispieles angegebenen Werte sind jeweils nur beispielhaft zu verstehen. 4 schematically shows a device in which the combination of the method steps described is used. The values given on the basis of this exemplary embodiment are only to be understood as examples.

Die Einrichtung hat zwei durch eine gestrichelte Linie gekennzeichnete Einheiten 16, 17, die an ein Tauchlithografiegerät 18 angeschlossen sind. Innerhalb des Werkzeuges 18 befinden sich ebenfalls zwei Einheiten 19, 20, die mit den Einheiten 16 und 17 leitungsverbunden sind.The device has two units indicated by a dashed line 16 . 17 connected to a diving lithography device 18 are connected. Inside the tool 18 There are also two units 19 . 20 that with the units 16 and 17 are connected by line.

Der Einheit 17 wird über eine Zuführleitung 21 eine Flüssigkeit 1 zugeführt. Sie hat beispielsweise eine Temperatur zwischen 18 und 24°C und eine thermische Stabilität DT_s von ±100 mK/10 min. Die Einheit 17 hat zwei wärmeübertragende Elemente 22, 23. Sie sind an eine Heiz/Kühleinheit 24 angeschlossen. Die wärmeübertragenden Elemente 22, 23 haben jeweils eine Auslassleitung 25, die an eine gemeinsame Zuführleitung 26 angeschlossen sind, über welche die wärmeübertragenden Elemente 22, 23 mit der Heiz/Kühleinheit 24 leitungsverbunden sind.The unit 17 is via a supply line 21 a liquid 1 fed. It has for example a temperature between 18 and 24 ° C and a thermal stability DT _s of ± 100 mK / 10 min. The unit 17 has two heat transferring elements 22 . 23 , You are at a heating / cooling unit 24 connected. The heat transferring elements 22 . 23 each have an outlet line 25 connected to a common supply line 26 are connected, via which the heat-transmitting elements 22 . 23 with the heating / cooling unit 24 are connected by line.

Die Heiz/Kühleinheit 24 hat außerdem wenigstens eine Auslassleitung 27, an die zwei zu den wärmeübertragenden Elementen 22, 23 führende Zuführleitungen 28 anschließen.The heating / cooling unit 24 also has at least one outlet conduit 27 , to the two to the heat-transmitting elements 22 . 23 leading supply lines 28 connect.

Die über die Zuführleitung 21 zugeführte Flüssigkeit 1 hat nach Durchlaufen der wärmeübertragenden Elemente 22, 23 und der Heiz/Kühleinheit 24 bei der Übergabe von der Auslassleitung 27 in die beiden Zuführleitungen 28 eine Temperatur von beispielsweise 21,1°C sowie eine Temperaturstabilität von beispielsweise DT_s von ±10 mK/5 min.The over the supply line 21 supplied liquid 1 has after passing through the heat transferring elements 22 . 23 and the heating / cooling unit 24 when transferring from the outlet pipe 27 in the two supply lines 28 a temperature of for example 21.1 ° C and a temperature stability of, for example, DT _s of ± 10 mK / 5 min.

Die Flüssigkeit gelangt in eine Auslassleitung 29, mit der sie dem Tauchlithografiegerät 18 zugeführt wird. Die Flüssigkeit hat in der Auslassleitung 29 eine Temperatur von beispielsweise 21,1°C sowie eine thermische Stabilität DT_s von beispielsweise ±50 mK/5 min.The liquid enters an outlet line 29 with which she submits to the diving lithography device 18 is supplied. The liquid has in the outlet pipe 29 a temperature of, for example 21.1 ° C and a thermal stability DT _s, for example, ± 50 mK / 5 min.

Die andere Einheit 16 ist in gleicher Weise wie die Einheit 17 ausgebildet, so dass sie nicht näher erläutert wird. Über die Zuführleitung 21' strömt eine zweite Flüssigkeit 2, vorzugsweise ultrareines Wasser, zu. Sie hat eine Temperatur von beispielsweise 16 bis 27°C und eine thermische Stabilität DT_s von ±200 mK/10 min. Die Flüssigkeit hat am Übergang von der Auslassleitung 27 in die Zuführleitungen 28 eine Temperatur von 21°C und eine thermische Stabilität DT_s von zum Beispiel ±10 mK/5 min. Über die Auslassleitung 29' strömt die Flüssigkeit aus der Einheit 16 zur Einheit 19 im Gerät 18. In der Auslassleitung 29' hat die Flüssigkeit 2 eine Temperatur von beispielsweise 21,3°C und eine thermische Stabilität DT_s von beispielsweise ±70 mK/5 min.The other unit 16 is the same as the unit 17 trained so that it is not explained in detail. About the feed line 21 ' a second liquid flows 2 , preferably ultrapure water, too. It has a temperature of for example 16 to 27 ° C and a thermal stability DT _s of ± 200 mK / 10 min. The liquid has at the transition from the outlet pipe 27 in the supply lines 28 a temperature of 21 ° C and a thermal stability DT _s of, for example ± 10 mK / 5 min. Via the outlet pipe 29 ' the liquid flows out of the unit 16 to unity 19 in the device 18 , In the outlet pipe 29 ' has the liquid 2 a temperature of for example 21.3 ° C and a thermal stability DT _s of, for example, ± 70 mK / 5 min.

Die beiden Flüssigkeiten 1 und 2 werden über die Auslassleitungen 29, 29' dem Tauchlithografiegerät 18 zugeführt, das für die beiden Flüssigkeiten 1, 2 zur weiteren Temperaturstabilisierung eine Einheit 19 bzw. 20 aufweist. Die beiden Einheiten 19, 20 sind vorteilhaft gleich ausgebildet, so dass im Folgenden nur die Einheit 20 näher erläutert wird. Sie hat wenigstens ein Heizelement 30, das in der Auslassleitung 29 liegt und dem wenigstens ein Speicher 1 nachgeschaltet ist. Die Temperatur der Flüssigkeit in der Auslassleitung 29 wird durch einen Temperatursensor 31 erfasst, der im Bereich zwischen dem Heizelement 30 und dem Speicher 1 angeordnet und an eine Steuerung/Regelung 32 angeschlossen ist. Der Temperatursensor 31 erzeugt ein Temperatursignal, das der Steuerung 32 zugeführt wird. Sie steuert bzw. regelt das Heizelement 30 bei Bedarf.The two liquids 1 and 2 be over the outlet pipes 29 . 29 ' the diving lithography device 18 fed to the two liquids 1 . 2 for further temperature stabilization one unit 19 respectively. 20 having. The two units 19 . 20 are advantageously the same design, so that in the following only the unit 20 is explained in more detail. It has at least one heating element 30 that in the outlet pipe 29 lies and the at least one memory 1 is downstream. The temperature of the liquid in the outlet pipe 29 is through a temperature sensor 31 detected in the area between the heating element 30 and the memory 1 arranged and connected to a control / regulation 32 connected. The temperature sensor 31 generates a temperature signal to the controller 32 is supplied. It controls or regulates the heating element 30 if necessary.

Die Flüssigkeit wird durch den Speicher 1 in der anhand der 1 bis 3 beschriebenen Weise geführt. Beim Austritt der Flüssigkeit aus dem Speicher 1 hat sie eine Temperatur von zum Beispiel 21,6°C und eine thermische Stabilität DT_s von zum Beispiel ±2 mK/min.The liquid is passing through the store 1 in the basis of the 1 to 3 described manner out. When the liquid exits the reservoir 1 it has a temperature of, for example, 21.6 ° C and a thermal stability DT _s of, for example ± 2 mK / min.

In gleicher Weise durchläuft die Flüssigkeit 2 in der Auslassleitung 29' das Heizelement 30 und den Speicher 1 in der Einheit 19 des Gerätes 18. Die Flüssigkeit hat beim Austritt aus dem Speicher 1 ebenfalls eine Temperatur von beispielsweise 21,6°C und eine thermische Stabilität DT_s von beispielsweise ±2 mK/min.In the same way, the liquid passes through 2 in the outlet pipe 29 ' the heating element 30 and the memory 1 in the unit 19 of the device 18 , The liquid has on exit from the store 1 likewise a temperature of, for example, 21.6 ° C. and a thermal stability DT _s of, for example, ± 2 mK / min.

Der Einsatz der Speicher 1 gewährleistet somit, dass die beiden Flüssigkeiten 1, 2, die über die Leitungen 21, 21' zugeführt haben, beim Austritt aus den Einheiten 19, 20 des Gerätes 18 gleiche Temperatur und gleiche thermische Stabilität aufweisen, obwohl die Temperatur und die thermische Stabilität der beiden Flüssigkeiten beim Austritt aus den wärmeübertragenden Elementen 23 unterschiedlich ist.The use of memory 1 thus ensures that the two fluids 1 . 2 that over the wires 21 . 21 ' have fed when exiting the units 19 . 20 of the device 18 have the same temperature and the same thermal stability, although the temperature and the thermal stability of the two liquids at the exit from the heat-transferring elements 23 is different.

Die beiden Flüssigkeiten 1, 2 werden über die Leitungen 33, 33' der Bearbeitungsstelle 34 zugeführt, an der der Wafer mit den beiden Flüssigkeiten in Kontakt kommt.The two liquids 1 . 2 be over the wires 33 . 33 ' the processing point 34 supplied, at which the wafer comes into contact with the two liquids.

Da die Heizelemente 30 zusammen mit dem Speicher 1 sehr geringe Abmessungen haben, verglichen mit einem Wärmeübertrager bei den herkömmlichen Systemen, kann die Bearbeitungsstelle 34 sehr nahe am Gerät 18 vorgesehen werden. Mit einer solchen Einrichtung lässt sich die Temperatur der bei der Belichtung der Wafer eingesetzten Flüssigkeiten mit hoher Genauigkeit steuern, ohne dass die Einrichtung konstruktiv aufwändig ausgebildet sein muss.Because the heating elements 30 along with the store 1 have very small dimensions, compared to a heat exchanger in the conventional systems, the processing point 34 very close to the device 18 be provided. With such a device, the temperature of the liquids used in the exposure of the wafer can be controlled with high accuracy, without the device must be structurally complex.

Wie die beispielhaft angegebenen Temperaturen und thermischen Stabilitäten zeigen, lassen sich diese Werte der beiden Flüssigkeiten mit sehr hoher Genauigkeit so einstellen, dass an der Bearbeitungsstelle 34 die gewünschten Bedingungen herrschen.As the temperatures and thermal stabilities indicated by way of example show, these values of the two liquids can be adjusted with very high accuracy so that at the processing point 34 the desired conditions prevail.

5 zeigt eine bevorzugte Möglichkeit, wie die Temperatur der beiden Flüssigkeiten 1, 2 im Bereich der Bearbeitungsstelle 34 eingestellt werden kann. Die Verfahrensstrategie bei diesem Ausführungsbeispiel besteht darin, die Temperatur der Flüssigkeiten 1, 2 nach Durchströmen der Einheiten 16, 17 unterhalb der Temperatur zu halten, die die Flüssigkeiten an der Bearbeitungsstelle 34 haben sollen. Die Temperatur wird dementsprechend erst durch die Heizelemente 30 auf die an der Bearbeitungsstelle 34 gewünschte Temperatur erhöht. 5 shows a preferred way, such as the temperature of the two liquids 1 . 2 in the area of the processing station 34 can be adjusted. The process strategy in this embodiment is to measure the temperature of the liquids 1 . 2 after flowing through the units 16 . 17 below the temperature that hold the liquids at the processing point 34 should have. The temperature is accordingly only by the heating elements 30 on the at the processing point 34 desired temperature increased.

Der Vorteil einer solchen Verfahrensstrategie besteht in der geringeren Komplexität des Systems und der hohen Genauigkeit. Es sind insbesondere keine sekundären Kreisläufe zum Heizen und Kühlen der Flüssigkeiten im Lithografiegerät erforderlich.The advantage of such a process strategy is the lower complexity of the system and the high accuracy. In particular, there are no secondary circuits for heating and cooling the fluids in the lithographic device required.

In 5 ist der Verlauf der Temperatur der Flüssigkeiten 1, 2 gegen die Zeit in den einzelnen Einheiten aufgetragen.In 5 is the course of the temperature of the liquids 1 . 2 plotted against time in the individual units.

In den Zuführleitungen 21, 21', in denen die Flüssigkeiten 1, 2 zum Einlass der Einheiten 16, 17 gefördert werden, ist der Temperaturverlauf der Flüssigkeiten nicht stabilisiert, so dass sich sehr große Temperaturänderungen ergeben. Sobald die Flüssigkeiten 1, 2 in die Einheiten 16, 17 gelangen, erfolgt eine Angleichung der Temperaturen der Flüssigkeiten 1, 2. Die Temperaturen der beiden Flüssigkeiten 1, 2 werden so eingestellt, dass sie unterhalb der an der Bearbeitungsstelle 34 gewünschten Temperatur liegen. Diese einzustellende Temperatur an der Bearbeitungsstelle 34 liegt im Temperaturfenster 35 (T4 – T1). In diesem Temperaturfenster 35 muss die Temperatur der Flüssigkeiten im Tauchlithografiegerät 18 liegen. Die beiden Flüssigkeiten 1, 2 werden mittels der Auslassleitungen 29, 29' (4) den Einheiten 19, 20 des Gerätes 18 zugeführt. Die Flüssigkeiten werden in den Einheiten 19, 20 durch die Heizelemente 30 erwärmt. Dadurch steigt die Temperatur der Flüssigkeiten 1, 2 an. Die durch die Heizelemente 30 erzeugte Temperaturerhöhung erfolgt im Bereich 36. In diesem Zeitraum wird die Temperatur der beiden Flüssigkeiten 1, 2 bereits so eingestellt, dass deren Mittelwerte innerhalb des Temperaturfensters 35 liegen.In the supply lines 21 . 21 ' in which the liquids 1 . 2 to the inlet of the units 16 . 17 promoted, the temperature profile of the liquids is not stabilized, so that there are very large changes in temperature. Once the fluids 1 . 2 into the units 16 . 17 reach an alignment of the temperatures of the liquids 1 . 2 , The temperatures of the two liquids 1 . 2 are set so that they are below the at the processing point 34 desired temperature. This temperature to be set at the processing point 34 lies in the temperature window 35 (T4 - T1). In this temperature window 35 must the temperature of the liquids in the immersion lithography device 18 lie. The two liquids 1 . 2 be by means of the outlet pipes 29 . 29 ' ( 4 ) the units 19 . 20 of the device 18 fed. The liquids are in the units 19 . 20 through the heating elements 30 heated. This increases the temperature of the liquids 1 . 2 at. The through the heating elements 30 generated temperature increase takes place in the area 36 , In this period, the temperature of the two liquids 1 . 2 already set so that their averages within the temperature window 35 lie.

Die Flüssigkeiten durchströmen nach dem Heizelement 30 den Speicher 1. Er bewirkt, dass in dem Zeitfenster 37 die Temperaturschwankungen der beiden Flüssigkeiten weiter geglättet werden. Durch die Wirkung der Speicher 1 erfolgt somit eine Temperaturstabilisierung der Flüssigkeiten 1, 2. Beim Austritt der Flüssigkeiten aus den Einheiten 19, 20 haben die Flüssigkeiten gleiche oder zumindest nahezu gleiche Temperatur, die auch unter Berücksichtigung der zeitlichen Schwankungen innerhalb des engen Spezifikationsbereiches 35 liegt.The liquids flow through to the heating element 30 the memory 1 , He causes in the time window 37 the temperature fluctuations of the two liquids are further smoothed. By the effect of memory 1 Thus, a temperature stabilization of the liquids 1 . 2 , When the liquids leave the units 19 . 20 the liquids have the same or at least almost the same temperature, which also taking into account the temporal fluctuations within the narrow specification range 35 lies.

In 5 ist der Temperaturbereich T6 – T5 angegeben, der den zulässigen Temperaturbereich bei Verwendung von ultrareinem Wasser in einer Halbleiterfabrik entsprechend den ITRS-Richtlinien angibt. In diesem Temperaturbereich liegen die Temperaturen der beiden Flüssigkeiten 1, 2 bei ihrem Eintritt und bei ihrem Austritt aus den Einheiten 16, 17. Innerhalb dieses Temperaturbereiches befindet sich das sehr schmale Temperaturfenster 35.In 5 the temperature range T6 - T5 is given, which indicates the permissible temperature range when using ultrapure water in a semiconductor factory according to the ITRS guidelines. In this temperature range are the temperatures of the two liquids 1 . 2 on their entry and exit from the units 16 . 17 , Within this temperature range is the very narrow temperature window 35 ,

Die beschriebene präzise Temperaturregelung lässt sich durch den Heizvorgang sehr einfach durchführen. Grundsätzlich ist es aber auch möglich, die präzise Temperaturregelung mittels eines Kühlvorganges durchzuführen. So ist es zum Beispiel möglich, die Flüssigkeiten zunächst über den Sollwert zu erhitzen und danach durch einen Abkühlvorgang die exakte Temperaturregelung vorzunehmen.The described precisely Temperature control leaves to perform very easily by the heating process. Basically but it is also possible, the precise Temperature control by means of a cooling process to perform. So is it possible, for example, the liquids first over the To heat setpoint and then by a cooling process the exact temperature control make.

Aufgrund der kompakten Gestaltung der Einrichtung können die Wärmeverluste am Übergang von den Einheiten 16, 17 zum Werkzeug 18 gering gehalten werden.Due to the compact design of the device, the heat losses at the junction of the units 16 . 17 to the tool 18 be kept low.

Wie das beschriebene Ausführungsbeispiel zeigt, kann durch Einsatz des Speichers 1 die zur Stabilisierung der Temperatur eingesetzte Einrichtung optimal an die spezifischen Einsatzbedingungen angepasst werden. Im Ge rät 18, mit dem das Tauchlithografie-Verfahren durchgeführt wird, sind Wärmeübertrager mit Sekundärkreislauf nicht erforderlich. Der Einsatz solcher Wärmeübertrager kann auf die Einheiten 16, 17 beschränkt werden. Da der Speicher 1 kompakt in seinen Abmessungen ist, kann er sehr nahe an der Bearbeitungsstelle 34 angeordnet werden. Die Einrichtung mit dem Speicher 1 weist eine sehr hohe thermische Wirksamkeit auf und ermöglicht die Kompensation hochfrequenter Instabilitäten. Aufgrund des Speichers 1 können auch größere Flüssigkeitsmengen behandelt werden.As the described embodiment shows, by using the memory 1 the device used to stabilize the temperature can be optimally adapted to the specific conditions of use. In the council 18 , with which the immersion lithography process is performed, heat exchangers with secondary circuit are not required. The use of such heat exchangers can affect the units 16 . 17 be limited. Because of the memory 1 compact in its dimensions, it can be very close to the machining point 34 to be ordered. The device with the memory 1 has a very high thermal efficiency and enables the compensation of high-frequency instabilities. Because of the memory 1 also larger amounts of liquid can be treated.

Da der Speicher 1 keine aktiv tätigen Komponenten aufweist und im Werkzeug 18 keine Wärmeübertrager mit Sekundär-Wasserkreisläufen erforderlich sind, kann die gesamte Einrichtung konstruktiv sehr einfach und damit auch kostengünstig gehalten werden.Because of the memory 1 has no active components and in the tool 18 no heat exchanger with secondary water circuits are required, the entire device can be structurally very simple and therefore kept low cost.

Anhand der 6 bis 8 wird eine Ausführungsform beschrieben, die grundsätzlich dem Ausführungsbeispiel gemäß den 1 bis 3 entspricht, bei dem jedoch der Einlass 4 und der Auslass 5 im Bodenbereich 8 des Gehäuses 2 und der Auslass 12 im Deckenbereich 3 vorgesehen sind. Das an den Auslass 4 anschließende Tauchrohr 7 verläuft innerhalb des Gehäuses 2 des Speichers 1 axial aufwärts und endet mit geringem Abstand vom Deckenbereich 3. Die Austrittsöffnung 9 des Tauchrohres 7 ist somit gegen die Decke 3 gerichtet. In der an den Auslass 12 anschließenden Auslassleitung 13 sitzt das Auslassventil 14.Based on 6 to 8th an embodiment is described, which in principle the embodiment according to the 1 to 3 but with the inlet 4 and the outlet 5 in the ground area 8th of the housing 2 and the outlet 12 in the ceiling area 3 are provided. That at the outlet 4 subsequent dip tube 7 runs inside the housing 2 of the memory 1 axially upwards and ends at a small distance from the ceiling area 3 , The outlet opening 9 of the dip tube 7 is thus against the ceiling 3 directed. In the at the outlet 12 subsequent outlet line 13 sits the exhaust valve 14 ,

Im Unterschied zum Ausführungsbeispiel nach den 1 bis 3 strömt somit die Flüssigkeit über die Zuführleitung 6 und den Einlass 4 im Tauchrohr 7 nach oben und tritt an der Austrittsöffnung 9 aus. An den Auslass 8 schließt die Auslassleitung 10 an.In contrast to the embodiment of the 1 to 3 Thus, the liquid flows through the supply line 6 and the inlet 4 in the dip tube 7 upwards and occurs at the outlet opening 9 out. At the outlet 8th closes the outlet pipe 10 at.

Die 7 und 8 zeigen eine konkrete Ausführungsform des Speichers gemäß 6. Diese konkrete Ausführungsform gemäß den 7 und 8 entspricht vollständig der Ausführungsform gemäß den 2 bis 3 mit dem einzigen Unterschied, dass der Einlass 4 und der Auslass 5 im Boden 8 und der Auslass 12 in der Decke 3 des Gehäuses 2 des Speichers 1 vorgesehen sind. Das Tauchrohr 7 verläuft in der beschriebenen Weise vom Einlass 4 axial und außermittig innerhalb des Gehäuses 2 aufwärts und endet mit Abstand von der Decke 3 des Gehäuses 2. Im Übrigen ist diese Ausführungsform gleich ausgebildet wie die Ausführungsform gemäß den 2 und 3. Die anhand der 1 bis 5 beschriebene Wirkungsweise tritt in gleicher Form auch bei der Ausführungsform gemäß den 6 bis 8 auf.The 7 and 8th show a concrete embodiment of the memory according to 6 , This concrete embodiment according to the 7 and 8th fully corresponds to the embodiment according to the 2 to 3 with the only difference being that the inlet 4 and the outlet 5 in the ground 8th and the outlet 12 in the ceiling 3 of the hous ses 2 of the memory 1 are provided. The dip tube 7 runs from the inlet in the manner described 4 axially and eccentrically within the housing 2 upwards and ends at a distance from the ceiling 3 of the housing 2 , Incidentally, this embodiment is the same as the embodiment according to FIGS 2 and 3 , The basis of the 1 to 5 described effect occurs in the same form in the embodiment according to the 6 to 8th on.

Claims

Device for the temperature stabilization of liquids, preferably of ultrapure water, in the production of chips, comprising at least one lithography device which is connected via at least one line to at least one treatment unit for the liquid, characterized in that at least one memory (in the flow path of the liquid 1 ), which contains a volume of liquid and is flowed through by the supplied liquid.

Device according to claim 1, characterized in that the memory ( 1 ) at least one inlet ( 4 ), to which the supply line ( 6 . 29 . 29 ' ) connected.

Device according to claim 2, characterized in that at the inlet ( 4 ) of the memory ( 1 ) within the storage enclosure ( 2 ) extending dip tube ( 7 ).

Device according to claim 2 or 3, characterized in that the inlet ( 4 ) in the ceiling area ( 3 ) or in the ground area ( 8th ) of the storage enclosure ( 2 ) is provided.

Device according to claim 3 or 4, characterized in that the dip tube ( 7 ) at a distance from the ground ( 8th ) / Ceiling area ( 3 ) of the storage enclosure ( 2 ) ends.

Device according to one of claims 3 to 5, characterized in that the dip tube ( 7 ) from the ceiling area ( 3 ) or floor area ( 8th ) over more than half the length of the storage enclosure ( 2 ).

Device according to one of claims 1 to 6, characterized in that the inner wall ( 11 ) of the storage enclosure ( 2 ) is free of edges.

Device according to one of claims 1 to 7, characterized in that the memory ( 1 ) with at least one outlet ( 5 ) is provided for the liquid.

Device according to claim 8, characterized in that the outlet ( 5 ) in the ceiling area ( 3 ) or in the ground area ( 8th ) of the storage enclosure ( 2 ) is provided.

Device according to one of claims 1 to 9, characterized in that the memory ( 1 ) within the lithographic apparatus ( 18 ) is arranged.

Process for the temperature stabilization of liquids for use in the manufacture of chips, in particular with a Device according to one of the claims 1 to 10, wherein the liquid, preferably ultra-pure water, a heat treatment is subjected, characterized in that the liquid a stored volume of liquid supplied in which a substantial residence time of the supplied liquid is achieved that the supplied liquid with the stored liquid volume is mixed, and that the liquid is removed after mixing.

A method according to claim 11, characterized in that the liquid after the heat treatment with the volume of liquid in the memory ( 1 ) is mixed.

A method according to claim 11 or 12, characterized in that the withdrawn liquid to the treatment site ( 34 ) is forwarded.

Method according to one of claims 11 to 13, characterized that the liquid is supplied in at least two separate strands.

Method according to one of claims 11 to 14, characterized in that the liquid by supplying and mixing with the liquid volume on a narrow temperature window ( 35 ) is set.