DE102009008577A1

DE102009008577A1 - Method for manufacturing magnetic field sensor arrangement, involves positioning magnetic field source together with housing part relative to chip housing, and forming mechanical connection between housing part and chip housing

Info

Publication number: DE102009008577A1
Application number: DE200910008577
Authority: DE
Inventors: Carsten Dipl.-Phys. Kentsch
Original assignee: TDK Micronas GmbH
Current assignee: TDK Micronas GmbH
Priority date: 2009-02-12
Filing date: 2009-02-12
Publication date: 2010-08-19
Anticipated expiration: 2029-02-13
Also published as: DE102009008577B4

Abstract

The method involves fixing a chip housing (7) relative to a magnetic field source in an assembly position, where the magnetic field source is provided as a permanent magnet. The magnetic field source is covered with a thermally isolating housing part. The magnetic field source together with the housing part is positioned relative to the chip housing in the assembly position. A mechanical connection is formed between the housing part and the chip housing for fixing in the assembly position under thermal effect. An independent claim is also included for a magnetic field sensor arrangement comprising a semiconductor chip.

Description

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Herstellen einer Magnetfeldsensoranordnung, wobei ein Halbleiterchip, in den mindestens ein Magnetfeldsensor integriert ist, und wenigstens eine Magnetfeldquelle bereitgestellt werden, wobei der Halbleiterchip mit einem Chipgehäuse umkapselt wird, wobei der mit dem Chipgehäuse umkapselte Halbleiterchip und die Magnetfeldquelle in eine Montagestellung relativ zueinander gebracht werden, in der ein von der wenigstens einen Magnetfeldquelle erzeugtes Magnetfeld mit Hilfe des mindestens einen Magnetfeldsensors messbar ist, und wobei das Chipgehäuse in der Montagestellung relativ zu der Magnetfeldquelle fixiert wird. Außerdem betrifft die Erfindung eine Magnetfeldsensoranordnung mit einem Halbleiterchip, in den mindestens ein Magnetfeldsensor integriert ist, und wenigstens einer Magnetfeldquelle, wobei der Magnetfeldsensor und die Magnetfeldquelle derart relativ zueinander angeordnet und fixiert sind, dass ein von der Magnetfeldquelle erzeugtes Magnetfeld mit Hilfe des Magnetfeldsensors messbar ist, und wobei der Halbleiterchip mit einem Chipgehäuse umkapselt ist.The Invention relates to a method for producing a magnetic field sensor arrangement, wherein a semiconductor chip into which at least one magnetic field sensor is integrated, and at least one magnetic field source provided be, wherein the semiconductor chip with a chip package encapsulated, wherein the encapsulated with the chip housing Semiconductor chip and the magnetic field source in a mounting position be brought relative to each other, in which one of the at least a magnetic field generated magnetic field by means of at least a magnetic field sensor is measurable, and wherein the chip housing is fixed in the mounting position relative to the magnetic field source. Moreover, the invention relates to a magnetic field sensor arrangement with a semiconductor chip, in which at least one magnetic field sensor is integrated, and at least one magnetic field source, wherein the magnetic field sensor and the magnetic field source are arranged relative to each other and are fixed, that a magnetic field generated by the magnetic field with Help the magnetic field sensor is measurable, and wherein the semiconductor chip Encapsulated with a chip housing.

Aus US 5 963 028 ist ein Verfahren der eingangs genannten Art bekannt, bei dem ein Halbleiterchip, in den ein Magnetfeldsensor integriert ist, mit einem Chipgehäuse umkapselt wird. Dabei wird üblicherweise der Halbleiterchip in eine Spritzgussform eingebracht, in welcher er mit einer durch Druck- und Wärmeeinwirkung verflüssigten Vergussmasse umspritz wird. Nach dem Erstarren der Vergussmasse wird der mit dem Chipgehäuse umkapselte Halbleiterchip aus der Spritzgussform entnommen. In einem weiteren Verfahrensschritt wird das Chipgehäuse mit seiner Rückseite gegen die Oberfläche eines bereitgestellten Permanentmagneten positioniert und die so erhaltene Anordnung wird mit einer weiteren Vergussmasse umspritzt, die das Chipgehäuse und den Permanentmagneten vollständig umkapselt. Danach wird die Vergussmasse verfestigt. Durch die Vergussmasse sind das Chipgehäuse und der darin befindliche Halbleiterchip sowie der Permanentmagnet vor mechanischer Beschädigung geschützt, wenn sie in einer rauen Umgebung, wie z. B. einem Kraftfahrzeug angeordnet sind. Um eine gute mechanische Verbindung zwischen dem Halbleiterchip und der Vergussmasse zu erreichen, ist es vorteilhaft, wenn bei den Spritzgießprozessen relativ hohe Temperaturen zur Anwendung kommen. Andererseits darf die Temperatur aber auch nicht so hoch gewählt werden, dass dieser bis über die Curie-Temperatur erwärmt wird, weil dann die Magnetisierung des Permanentmagneten geschädigt wird.Out US 5,963,028 a method of the aforementioned type is known, in which a semiconductor chip, in which a magnetic field sensor is integrated, is encapsulated with a chip housing. In this case, the semiconductor chip is usually introduced into an injection mold in which it is overmolded with a casting compound liquefied by pressure and heat. After solidification of the potting compound, the semiconductor chip encapsulated with the chip housing is removed from the injection mold. In a further method step, the chip housing is positioned with its rear side against the surface of a provided permanent magnet and the arrangement thus obtained is encapsulated with a further potting compound which completely encapsulates the chip housing and the permanent magnet. Thereafter, the potting compound is solidified. By the potting compound, the chip housing and the semiconductor chip therein and the permanent magnet are protected from mechanical damage when in a harsh environment such. B. are arranged a motor vehicle. In order to achieve a good mechanical connection between the semiconductor chip and the potting compound, it is advantageous if relatively high temperatures are used in the injection molding processes. On the other hand, the temperature must not be so high that it is heated above the Curie temperature, because then the magnetization of the permanent magnet is damaged.

Es besteht deshalb die Aufgabe, ein Verfahren und eine Magnetfeldsensoranordnung der eingangs genannten Art zu schaffen, die bei der Herstellung der Magnetfeldsensoranordnung eine geringe thermische Belastung der Magnetfeldquelle ermöglichen.It There is therefore the object, a method and a magnetic field sensor arrangement of the type mentioned in the production the magnetic field sensor arrangement a low thermal load allow the magnetic field source.

Diese Aufgabe wird bezüglich des Verfahrens dadurch gelöst, dass die wenigstens eine Magnetfeldquelle mit einem thermisch isolierenden Gehäuseteil umhüllt wird, dass die Magnetfeldquelle zusammen mit dem Gehäuseteil in der Montagestellung relativ zum Chipgehäuse positioniert wird, und dass zum Fixieren in der Montagestellung unter Wärmeeinwirkung eine mechanische Verbindung zwischen dem Gehäuseteil und dem Chipgehäuse hergestellt wird.These Task is solved with respect to the method thereby that the at least one magnetic field source with a thermally insulating Housing part is wrapped that the magnetic field source relative to the housing part in the mounting position relative is positioned to the chip housing, and that for fixing in the mounting position under the action of heat a mechanical Connection between the housing part and the chip housing will be produced.

In vorteilhafter Weise wird die Magnetfeldquelle durch das thermisch isolierende Gehäuseteil gegen die beim Herstellen der mechanischen Verbindung auftretende Wärme isoliert, so dass im Bereich der mechanischen Verbindung eine relativ hohe Temperatur zur Anwendung kommen kann, ohne dass die Magnetfeldquelle thermisch geschädigt wird. Die Magnetfeldquelle kann kostengünstiger mit dem Gehäuseteil umhüllt werden als der Halbleiterchip mit dem Chipgehäuse, weil die Anforderungen an die Umhüllung bei der Magnetfeldquelle kleiner sind als beim Halbleiterchip. Vorteilhaft ist außerdem, dass der mit dem Chipgehäuse umhüllte Halbleiterchip getestet werden kann, bevor das Chipgehäuse mit dem Gehäuseteil verbunden wird. Es wird also nichts an der Magnetfeldquelle verbaut, was defekt ist.In Advantageously, the magnetic field source by the thermal insulating housing part against the in the manufacture of mechanical Connection occurring heat isolated, so that in the field of mechanical connection a relatively high temperature for use can come without the magnetic field source being thermally damaged becomes. The magnetic field source can be cheaper with the Housing part are wrapped as the semiconductor chip with the chip housing, because the requirements for the cladding are smaller in the magnetic field source than in the semiconductor chip. Advantageous is also that of the wrapped with the chip housing Semiconductor chip can be tested before the chip package is connected to the housing part. So it will not work installed at the magnetic field source, which is defective.

Bei einer bevorzugten Ausgestaltung der Erfindung wird der Halbleiterchip dadurch mit dem Chipgehäuse umkapselt, dass er mit einer fließfähigen ersten Vergussmasse umspritzt und diese danach verfestigt wird und/oder dass die wenigstens eine Magnetfeldquelle dadurch mit dem Gehäuseteil umhüllt wird, dass sie mit einer fließfähigen zweiten Vergussmasse umspritzt und diese danach verfestigt wird. Das Chipgehäuse und/oder Gehäuseteil können dann mittels eines in der Halbleiterfertigungstechnik üblichen Spritzgussprozesses kostengünstig aus einer geeigne ten Vergussmasse oder einer Pressmasse hergestellt werden. Die Vergussmasse kann beispielsweise Glaspartikel und/oder ein mehrkomponentiges Harz enthalten.at A preferred embodiment of the invention is the semiconductor chip encapsulated with the chip housing, that he with a flowable first encapsulating compound and this is then solidified and / or that the at least one magnetic field source is wrapped with the housing part, that with a flowable second potting compound overmolded and this is then solidified. The chip housing and / or housing part can then by means of a In the semiconductor manufacturing technology usual injection molding process inexpensive from a appro priate potting compound or a molding compound getting produced. The potting compound, for example, glass particles and / or a multi-component resin.

Vorteilhaft ist, wenn das Gehäuseteil und das Chipgehäuse zum Herstellen der mechanischen Verbindung mit einer fließfähigen dritten Vergussmasse in Kontakt gebracht und diese danach verfestigt wird. Es kann also auch das äußere Chipgehäuse durch Spritzgießen hergestellt werden.Advantageous is when the housing part and the chip housing for making the mechanical connection with a flowable third potting compound brought into contact and then solidified becomes. It can therefore also the outer chip housing be made by injection molding.

Zweckmäßigerweise wird die dritte Vergussmasse derart auf das Chipgehäuse und das Gehäuseteil aufgebracht, dass sie das Chipgehäuse und das Gehäuseteil jeweils formschlüssig umgrenzt und deren Gehäuseaußenflächen vorzugsweise vollständig bedeckt. Der Halbleiterchip und die Magnetfeldquelle sind dann noch besser vor mechanischer Beschädigung und/oder dem Kontakt mit Feuchtigkeit oder aggressiven Medien geschützt.Conveniently, the third potting compound is applied to the chip housing and the housing part in such a way that it bounds the chip housing and the housing part in each case in a form-fitting manner, and the housing exterior surfaces are preferably completely connected covered over. The semiconductor chip and the magnetic field source are then even better protected against mechanical damage and / or contact with moisture or aggressive media.

Bei einer bevorzugten Ausgestaltung der Erfindung wird die mindestens eine Magnetfeldquelle als Permanentmagnet bereit gestellt. Dabei ermöglicht das den Permanentmagnet umgrenzende Gehäuseteil bei der Montage eine einfache Handhabung und eine genaue Positionierung des Permanentmagneten. Als Magnetfeldquelle kann aber auch ein Elektromagnet mit einer Spule bereit gestellt werden, die mit einer Stromquelle verbunden wird.at In a preferred embodiment of the invention, the at least a magnetic field source provided as a permanent magnet. there allows the permanent magnet surrounding housing part Easy handling and precise positioning during assembly of the permanent magnet. As a magnetic field source but can also be an electromagnet be provided with a coil that is connected to a power source is connected.

Vorteilhaft ist, wenn die erste Vergussmasse auf eine erste Temperatur erwärmt wird, bevor oder während der Halbleiterchip mit der ersten Vergussmasse umkapselt wird, wenn die erste Vergussmasse nach dem Umkapseln des Halbleiterchips durch Abkühlen verfestigt wird, wenn die zweite Vergussmasse auf eine zweite Temperatur erwärmt wird, bevor oder während die wenigstens eine Magnetfeldquelle mit der zweiten Vergussmasse umkapselt wird, wenn die zweite Vergussmasse nach dem Umkapseln der wenigstens eine Magnetfeldquelle durch Abkühlen verfestigt wird, und wenn die zweite Temperatur niedriger gewählt wird als die erste Temperatur. Für das Umkapseln des Halbleiterchips wird also eine höhere Temperatur gewählt, so dass die erste Vergussmasse entsprechend dünnflüssig ist und den Halbleiterchip gut umfließen kann. Beim Umkapseln der Magnetfeldquelle wird dagegen eine niedrigere Temperatur gewählt, damit die Magnetfeldquelle möglichst wenig thermisch belastet wird.Advantageous is when the first potting compound heats to a first temperature is before or while the semiconductor chip with the first Encapsulation compound is encapsulated when the first potting compound after the Encapsulating the semiconductor chip solidified by cooling when the second potting compound is heated to a second temperature is before or while the at least one magnetic field source is encapsulated with the second potting compound when the second potting compound after encapsulation of the at least one magnetic field source by cooling is solidified, and when the second temperature is lower is considered the first temperature. For the encapsulation of the semiconductor chip Thus, a higher temperature is chosen so that the first potting compound correspondingly thin is and can flow around the semiconductor chip well. When encapsulating the Magnetic field source, however, a lower temperature is selected, so that the magnetic field source as little as possible thermally stressed becomes.

Bei einer bevorzugten Ausgestaltung des Verfahrens wird die dritte Vergussmasse auf eine dritte Temperatur erwärmt bevor oder während das Chipgehäuse über die dritte Vergussmasse mit dem Gehäuseteil verbunden wird, wobei die dritte Vergussmasse danach durch Abkühlen verfestigt wird, und wobei die dritte Temperatur höher gewählt wird als die zweite Temperatur. Die dritte Vergussmasse ist dann entsprechend dünnflüssig und kann das Chipgehäuse und das Gehäuseteil gut umfließen.at A preferred embodiment of the method is the third potting compound heated to a third temperature before or during the chip housing over the third potting compound with the housing part is connected, wherein the third potting compound is then solidified by cooling, and wherein the third Temperature is higher than the second temperature. The third potting compound is then correspondingly thin and the chip housing and the housing part can be good Reflow.

Bezüglich der Magnetfeldsensoranordnung wird die vorstehend genannte Aufgabe dadurch gelöst, dass die Magnetfeldquelle von einem thermisch isolierenden Gehäuseteil umhüllt ist, und dass das Gehäuseteil über eine mechanische Verbindung mit dem Chipgehäuse verbunden und relativ zu diesem fixiert ist.In terms of The magnetic field sensor arrangement becomes the above object solved by the fact that the magnetic field source of a thermally insulating Housing part is wrapped, and that the housing part over a mechanical connection is connected to the chip housing and is fixed relative to this.

Vorteilhaft ist, wenn der Magnetfeldsensor mit dem Chipgehäuse und/oder die wenigstens eine Magnetfeldquelle mit dem Gehäuseteil umspritzt sind. Das Chipgehäuse und/oder das Gehäuseteil bestehen dabei vorzugsweise aus Kunststoff.Advantageous is when the magnetic field sensor with the chip housing and / or the at least one magnetic field source with the housing part are overmoulded. The chip housing and / or the housing part are made preferably made of plastic.

Weitere vorteilhafte Ausgestaltungen der Erfindung sind in den Unteransprüchen beschrieben.Further advantageous embodiments of the invention are in the subclaims described.

Nachfolgend werden Ausführungsbeispiele der Erfindung anhand der Zeichnung näher erläutert. Es zeigtfollowing Embodiments of the invention with reference to the drawing explained in more detail. It shows

1 einen Halbleiterchip, der mit einem Chipgehäuse umkapselt ist, wobei das Chipgehäuse und mit dem Halbleiterchip verbundene Anschlusskontakte transparent dargestellt sind, 1 a semiconductor chip which is encapsulated with a chip housing, wherein the chip housing and connection contacts connected to the semiconductor chip are shown transparently,

2 einen Permanentmagneten, der in einem thermisch isolierenden Gehäuseteil angeordnet ist, wobei das Gehäuseteil transparent dargestellt ist, 2 a permanent magnet, which is arranged in a thermally insulating housing part, wherein the housing part is shown transparent,

3 den mit dem Chipgehäuse umkapselten Halbleiterchip und den mit dem Gehäuseteil umhüllten Permanentmagneten in Montagestellung, 3 the semiconductor chip encapsulated with the chip housing and the permanent magnet enveloped with the housing part in the assembled position,

4 die in 3 gezeigte Anordnung nachdem sie mit einer Vergussmasse umspritzt wurde, und 4 in the 3 shown arrangement after it was overmoulded with a potting compound, and

5 eine Magnetfeldsensoranordnung, die als Magnetfeldquelle eine Spule aufweist. 5 a magnetic field sensor arrangement which has a coil as a magnetic field source.

Bei einem Verfahren zum Herstellen einer Magnetfeldsensoranordnung 1 werden ein Halbleiterchip 2 und eine Magnetfeldquelle 3 bereitgestellt. In den Halbleiterchip 2 ist mindestens ein Magnetfeldsensor 4 integriert, der einen Hall-Sensor und/oder einen magnetoresistiven Sensor umfassen kann. Der Halbleiterchip 2 wird auf einem Frame angeordnet, der erste elektrische Anschlusskontakte 5 aufweist. Danach werden auf dem Halbleiterchip 2 befindliche Kontaktstellen über Bonddrähte 6 mit den ersten Anschlusskontakten 5 verbunden.In a method of manufacturing a magnetic field sensor arrangement 1 become a semiconductor chip 2 and a magnetic field source 3 provided. In the semiconductor chip 2 is at least one magnetic field sensor 4 integrated, which may include a Hall sensor and / or a magnetoresistive sensor. The semiconductor chip 2 is arranged on a frame, the first electrical connection contacts 5 having. After that, on the semiconductor chip 2 located contact points via bonding wires 6 with the first connection contacts 5 connected.

Über die Anschlusskontakte 5 kann der Halbleiterchip 2 mit Strom versorgt werden und es können Messwerte aus dem Halbleiterchip 2 ausgelesen werden. Ferner besteht die Möglichkeit, den Halbleiterchip 2 über die Anschlusskontakte 5 zu parametrieren.About the connection contacts 5 can the semiconductor chip 2 be powered and it can readings from the semiconductor chip 2 be read out. It is also possible, the semiconductor chip 2 via the connection contacts 5 to parameterize.

Zum Umkapseln des Halbleiterchips 2 mit einem Chipgehäuse 7 wird der auf dem Frame befindliche Halbleiterchip 2 in eine erste Spritzgussfom eingelegt und mit einer auf eine erste Temperatur erwärmten ersten Vergussmasse umspritzt. Die erste Vergussmasse wird durch Abkühlen verfestigt und danach wird das so erhaltene erste Bauelement 8 aus der ersten Spritzgussfom entnommen. In 1 ist erkennbar, dass die ersten Anschlusskontakte 5 mit ihren von den Bonddrähten 6 entfernten freien Endbereichen aus dem Chipgehäuse 7 herausragen. Bei Bedarf kann das erste Bauelement 8 nun einem Funktionstest unterzogen werden.For encapsulating the semiconductor chip 2 with a chip housing 7 becomes the semiconductor chip on the frame 2 placed in a first Spritzgussfom and molded with a heated to a first temperature first potting compound. The first potting compound is solidified by cooling and then the first component thus obtained 8th taken from the first Spritzgussfom. In 1 it can be seen that the first connection contacts 5 with theirs from the bond wires 6 removed free end portions of the chip housing 7 protrude. If necessary, the first component 8th now be subjected to a functional test.

In einem weiteren Verfahrensschritt wird die Magnetfeldquelle 3 mit einem thermisch isolierenden Gehäuseteil 9 umhüllt. Die Magnetfeldquelle 3 wird dazu in eine zweite Spritzgussfom eingelegt und mit einer auf eine zweite Temperatur erwärmten zweiten Vergussmasse umspritzt. Die zweite Temperatur wird niedriger gewählt als die erste Temperatur. Die zweite Vergussmasse wird durch Abkühlen verfestigt und danach wird das so erhaltene zweite Bauelement 10 aus der zweiten Spritz gussfom entnommen. In 2 ist erkennbar, dass die Magnetfeldquelle 3 vollständig von dem Gehäuseteil 9 umkapselt ist.In a further method step, the magnetic field source 3 with a thermally insulating housing part 9 envelops. The magnetic field source 3 is placed in a second Spritzgussfom and overmoulded with a heated to a second temperature second potting compound. The second temperature is chosen lower than the first temperature. The second potting compound is solidified by cooling and then the second component thus obtained 10 taken from the second injection gussfom. In 2 it can be seen that the magnetic field source 3 completely from the housing part 9 encapsulated.

In einem weiteren Verfahrensschritt werden das erste Bauelement 8 und das zweite Bauelement 8 in eine dritte Spritzgussfom eingelegt und dort in eine Montagestellung gebracht, in der das Chipgehäuse 7 in gerader Verlängerung der Erstreckungsebene des Halbleiterchips 2 seitlich neben dem Gehäuseteil 9 angeordnet ist (3).In a further method step, the first component 8th and the second component 8th placed in a third Spritzgussfom and there brought into a mounting position in which the chip housing 7 in a straight extension of the plane of extent of the semiconductor chip 2 laterally next to the housing part 9 is arranged ( 3 ).

In der Montagestellung ist die Magnetfeldquelle 3 mit ihrer Magnetisierungsrichtung etwa rechtwinklig zur Erstreckungsebene des Halbleiterchips 2 angeordnet. Der Abstand zwischen dem Halbleiterchip 2 und der Magnetfeldquelle 3 wird derart gewählt, dass ein von der Magnetfeldquelle erzeugtes Magnetfeld mit Hilfe des mindestens einen Magnetfeldsensors 4 messbar ist.In the mounting position is the magnetic field source 3 with its magnetization direction approximately at right angles to the plane of extent of the semiconductor chip 2 arranged. The distance between the semiconductor chip 2 and the magnetic field source 3 is selected such that a magnetic field generated by the magnetic field source using the at least one magnetic field sensor 4 is measurable.

In der Montagestellung werden das Chipgehäuse 7 und das Gehäuseteil 9 mit einer auf eine dritte Temperatur erwärmten Vergussmasse 11 umspritzt. Die dritte Temperatur ist höher als die zweite Temperatur und wird derart gewählt, dass die Magnetfeldquelle 3 durch die Wärmeeinwirkung nicht geschädigt wird.In the mounting position, the chip housing 7 and the housing part 9 with a casting compound heated to a third temperature 11 molded. The third temperature is higher than the second temperature and is chosen such that the magnetic field source 3 is not damaged by the heat.

Die dritte Vergussmasse 11 wird durch Abkühlen verfestigt und danach wird die so erhaltene Magnetfeldsensoranordnung 1 aus der dritten Spritzgussfom entnommen. In 4 ist erkennbar, dass das Chipgehäuse 7 und das Gehäuseteil 9 vollständig von der dritten Vergussmasse 11 umkapselt sind und dass die von den Bonddrähten 6 entfernten freien Endbereiche der ersten Anschlusskontakte 5 aus der dritten Vergussmasse 11 herausragen. Durch die dritte Vergussmasse 11 werden das erste Bauelement 8 und das zweite Bauelement 10 mechanisch miteinander verbunden und in der Montagestellung relativ zueinander fixiert.The third potting compound 11 is solidified by cooling and then the magnetic field sensor array thus obtained 1 taken from the third Spritzgussfom. In 4 it can be seen that the chip housing 7 and the housing part 9 completely from the third potting compound 11 are encapsulated and that of the bond wires 6 removed free end portions of the first connection contacts 5 from the third potting compound 11 protrude. Through the third potting compound 11 become the first component 8th and the second component 10 mechanically connected to each other and fixed in the mounting position relative to each other.

Bei dem in 1–4 gezeigten Ausführungsbeispiel ist die Magnetfeldquelle 3 als Permanentmagnet ausgestaltet Die zweite und dritte Temperatur werden derart gewählt, dass die Magnetfeldquelle 3 nicht über die Curie-Temperatur des magnetischen Werkstoffs der Magnetfeldquelle 3 erwärmt wird.At the in 1 - 4 The embodiment shown is the magnetic field source 3 designed as a permanent magnet The second and third temperature are chosen such that the magnetic field source 3 not above the Curie temperature of the magnetic material of the magnetic field source 3 is heated.

Bei dem in 5 gezeigten Ausführungsbeispiel ist die Magnetfeldquelle 3 als Elektromagnet mit einer von einem elektrischen Strom durchflossenen Spule ausgestaltet. Drahtenden 12 der Spule sind mit zweiten Anschlusskontakten 13 verbunden, die mit ihren von den Drahtenden 12 entfernten freien Endbereichen aus der dritten Vergussmasse 11 herausragen. Über die zweiten Anschlusskontakte 13 ist die Magnetfeldquelle 3 mit einer externen Stromquelle verbindbar.At the in 5 The embodiment shown is the magnetic field source 3 configured as an electromagnet with a coil through which an electric current flows. wire ends 12 the coil are with second connection contacts 13 connected with theirs from the wire ends 12 removed free end portions of the third potting compound 11 protrude. Via the second connection contacts 13 is the magnetic field source 3 connectable to an external power source.

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Zitierte PatentliteraturCited patent literature

US 5963028 [0002]

Claims

Method for producing a magnetic field sensor arrangement ( 1 ), wherein a semiconductor chip ( 2 ) into which at least one magnetic field sensor ( 4 ) and at least one magnetic field source ( 3 ), wherein the semiconductor chip ( 2 ) with a chip housing ( 7 ) is encapsulated, with the chip housing ( 7 ) encapsulated semiconductor chip ( 2 ) and the magnetic field source ( 3 ) are arranged in a mounting position relative to each other, in which one of the at least one magnetic field source ( 3 ) generated magnetic field by means of at least one magnetic field sensor ( 4 ) is measurable, and wherein the chip housing ( 7 ) in the mounting position relative to the magnetic field source ( 3 ), characterized in that the at least one magnetic field source ( 3 ) with a thermally insulating housing part ( 9 ) is wrapped around the magnetic field source ( 3 ) together with the housing part ( 9 ) in the mounting position relative to the chip housing ( 7 ) is positioned, and that for fixing in the mounting position under the action of heat, a mechanical connection between the housing part ( 9 ) and the chip housing ( 7 ) will be produced.

Method according to claim 1, characterized in that the semiconductor chip ( 2 ) thereby with the chip housing ( 7 ) is encapsulated in that it is encapsulated with a flowable first potting compound and this is then solidified and / or that the at least one magnetic field source ( 3 ) thereby with the housing part ( 9 ) is wrapped around that it is overmolded with a flowable second potting compound and this is then solidified.

A method according to claim 1 or 2, characterized in that for the manufacture of the mechanical connection, the housing part ( 9 ) and the chip housing ( 7 ) with a flowable third potting compound ( 11 ) and then solidified.

Method according to one of claims 1 to 3, characterized in that the third potting compound ( 11 ) on the chip housing ( 7 ) and the housing part ( 9 ) is applied, that they the chip housing ( 7 ) and the housing part ( 9 ) in each case positively bounded and the housing outer surfaces preferably completely covered.

Method according to one of claims 1 to 4, characterized in that the at least one magnetic field source ( 3 ) is provided as a permanent magnet.

Method according to one of claims 1 to 5, characterized in that the first potting compound is heated to a first temperature before or during the semiconductor chip ( 2 ) is encapsulated with the first potting compound, that the first potting compound after the encapsulation of the semiconductor chip ( 2 ) is solidified by cooling, that the second potting compound is heated to a second temperature, before or while the at least one magnetic field source ( 3 ) is encapsulated with the second potting compound, that the second potting compound after encapsulation of the at least one magnetic field source ( 3 ) is solidified by cooling, and that the second temperature is lower than the first temperature.

Method according to one of claims 1 to 6, characterized in that the third potting compound ( 11 ) is heated to a third temperature before or while the chip housing ( 7 ) via the third potting compound ( 11 ) with the housing part ( 9 ), that the third potting compound ( 11 ) is then solidified by cooling, and that the third temperature is set higher than the second temperature.

Magnetic field sensor arrangement ( 1 ) with a semiconductor chip ( 2 ) into which at least one magnetic field sensor ( 4 ) and at least one magnetic field source ( 3 ), wherein the magnetic field sensor ( 4 ) and the magnetic field source ( 3 ) are arranged and fixed relative to each other such that one of the magnetic field source ( 3 ) generated magnetic field by means of the magnetic field sensor ( 4 ) is measurable, and wherein the semiconductor chip ( 2 ) with a chip housing ( 7 ) is encapsulated, characterized in that the magnetic field source ( 3 ) of a thermally insulating housing part ( 9 ), and that the housing part ( 9 ) via a mechanical connection to the chip housing ( 7 ) is connected and fixed relative to this.

Magnetic field sensor arrangement ( 1 ) according to claim 8, characterized in that the magnetic field sensor ( 4 ) are encapsulated with the chip housing and / or the at least one magnetic field source with the housing part.

Magnetic field sensor arrangement ( 1 ) according to claim 8 or 9, characterized in that the connecting element is a solidified potting compound ( 11 ) or a solidified adhesive.

Magnetic field sensor arrangement ( 1 ) according to claim 10, characterized in that the potting compound ( 11 ) the chip housing ( 7 ) and the housing part ( 9 ) each form-fitting bounded and the housing outer surfaces of the chip housing ( 7 ) and the housing part ( 9 ) is preferably completely covered.