DE102009045694A1 - Beleuchtungsoptik für die Mikrolithographie sowie Beleuchtungssystem und Projektionsbelichtungsanlage mit einer derartigen Beleuchtungsoptik - Google Patents
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Abstract
Eine Beleuchtungsoptik für die Mikrolithographie dient zur Führung eines Beleuchtungs-Bündels von einer Strahlungsquelle hin zu einem Objektfeld (5) in einer Objektebene. Ein Feldfacettenspiegel (17) hat eine Mehrzahl von Feldfacetten (23) zur Vorgabe definierter Beleuchtungsverhältnisse im Objektfeld (5). Dem Feldfacettenspiegel (17) ist eine Folgeoptik zur Überführung des Beleuchtungslichts in das Objektfeld (5) nachgeordnet. Die Folgeoptik hat einen Pupillenfacettenspiegel mit einer Mehrzahl von Pupillenfacetten (31, 31). Einige der Feldfacetten (23) sind in Einzelspiegel (29) unterteilt, die Einzelspiegel-Ausleuchtungskanäle (30) vorgeben. Letztere beleuchten Objektfeldabschnitte (32), die kleiner sind als das Objektfeld (5). Zumindest einige der Einzelspiegel (29) sind als Korrektur-Einzelspiegel (29) ausgeführt. Letztere sind zwischen mindestens zwei Kippstellungen verkippbar, wobei in einer Grund-Kippstellung eine Zentralbereichs-Beleuchtung und in einer Korrektur-Kippstellung eine Umgebungsbereichs-Beleuchtung des Objektfeldes (5) erfolgt. Es resultiert eine Beleuchtungsoptik, mit der eine Korrektur von unerwünschten Variationen von Beleuchtungsparametern, insbesondere einer Beleuchtungsintensitätsverteilung über das Objektfeld, ohne Lichtverlust möglich ist.
Description
- Die Erfindung betrifft eine Beleuchtungsoptik für die Mikrolithographie, insbesondere für die EUV-Mikrolithographie, mit einem Feldfacettenspiegel und einer eine Puppillenfacettenspiegel aufweisenden Folgeoptik. Ferner betrifft die Erfindung ein Beleuchtungssystem mit einer derartigen Beleuchtungsoptik und eine Projektionsbelichtungsanlage mit einem derartigen Beleuchtungssystem. Weiterhin betrifft die Erfindung ein Verfahren zur Beleuchtungskorrektur unter Einsatz einer derartigen Beleuchtungsoptik. Schließlich betrifft die Erfindung ein Verfahren zur Herstellung eines mikro- bzw. nanostrukturierten Bauelements und ein mit dem Verfahren hergestelltes Bauelement.
- Eine Projektionsbelichtungsanlage mit einer derartigen Beleuchtungsoptik ist bekannt aus der
WO 2009/100 856 A1 US 7,551,263 B2 . - Es ist eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung, eine Beleuchtungsoptik der eingangs genannten Art derart weiterzubilden, dass eine Korrektur von unerwünschten Variationen von Beleuchtungsparametern, insbesondere einer Beleuchtungsintensitätsverteilung über das Objektfeld, möglich ist.
- Diese Aufgabe ist erfindungsgemäß gelöst durch eine Beleuchtungsoptik mit den im Anspruch 1 angegebenen Merkmalen.
- Erfindungsgemäß wurde erkannt, dass es möglich ist, eine Beeinflussung einer Beleuchtungsintensitätsverteilung über das Objektfeld nicht nur durch Ausblenden einzelner Einzelspiegel möglich ist, sondern dass Beleuchtungslicht, welches aufgrund einer Verkippung von Korrektur-Einzelspiegeln der Feldfacetten nicht mehr über den an sich dieser Feldfacette zugeordneten Grund-Einzelspiegel-Ausleuchtungskanal hin zum Objektfeld geführt wird, dennoch zur Beleuchtung des Objektfeldes genutzt werden kann. Es wurde erkannt, dass es durchaus möglich ist, neben dem eigentlichen Feldfacettenbild in der Objektebene auch benachbarte und zum Beispiel direkt angrenzende Bereiche in der Objektebene zur Beleuchtung bei der Mikrolithographie zu nutzen. Ein Nutzbereich des Objektfeldes umfasst neben dem Zentralbereich also auch den Umgebungsbereich des Objektfeldes. Beleuchtungslicht, welches über in der Korrektur-Kippstellung vorliegende Korrektur-Einzelspiegel, also über die Korrektur-Einzelspiegel-Ausleuchtungskanäle, geführt wird, trägt also anders als bei ausgeblendeten Einzelspiegeln weiterhin zur Objektfeldbeleuchtung bei. Es resultiert eine Beleuchtungsoptik einerseits mit einer flexiblen Möglichkeit zur Korrektur bzw. Kompensation unerwünschter Variationen von Beleuchtungsparametern, insbesondere der Uniformität der Beleuchtung über die Objektfeldhöhe, wobei andererseits effizient das gesamte auf alle Einzelspiegel einer Feldfacette auftreffende Beleuchtungslicht weiterhin genutzt wird. Dies kann zu einer Korrektur von Beleuchtungsparametern, insbesondere zu einer Korrektur der Beleuchtungsintensitätsverteilung über das Objektfeld, ohne Lichtverlust genutzt werden. Die Vorteile der Beleuchtungsoptik kommen besonders beim Einsatz für die EUV-Mikrolithographie zum Tragen.
- Eine Ausgestaltung nach Anspruch 2 kann elegant Pupillenfacetten, die im Normalfall ohnehin zur Objektfeldbeleuchtung benachbarter Feldfacetten vorhanden sind, zur Beleuchtungslichtführung von in der Korrektur-Kippstellung umgestellten Korrektur-Einzelspiegeln einer bestimmten Feldfacette nutzen. Zusätzliche Spiegelelemente zur Führung des Beleuchtungslichts, welches über die Korrektur-Einzelspiegel in der Korrektur-Kippstellung abgelenkt wird, sind dann nicht erforderlich.
- Ein Versatz von Feldfacetten nach Anspruch 3 führt bei einer überlagernden Abbildung der zueinander versetzten Feldfacetten in das Objektfeld zur Möglichkeit, diesen Versatz für die Beleuchtungslicht-Bündelführung über die Korrektur-Einzelspiegel-Ausleuchtungskanäle zu nutzen. Hierüber lässt sich die Uniformität der Objektfeldbeleuchtung über die Feldhöhe beeinflussen.
- Mehrere nach Anspruch 4 angeordnete Korrektur-Einzelspiegel ermöglichen auch größere Nettoverschiebungen einer Beleuchtungsintensität über die Objektfeldhöhe.
- Randseitig nach Anspruch 5 angeordnete Korrektur-Einzelspiegel erleichtern die Nutzung von Korrektur-Pupillenfacetten, die benachbarten Feldfacetten zugeordnet sind. Die in der Korrektur-Kippstellung vorliegenden Korrektur-Einzelspiegel können dann in Bereiche des Objektfeldes abgebildet werden, die an den Zentralbereich unmittelbar angrenzen.
- Aspektverhältnisse und ein Versatz-Grenzlinienverlauf nach Anspruch 6 haben sich in der Praxis der Projektionsbelichtung bewährt. Anstelle von rechteckigen Feldfacetten sind auch gebogene Feldfacetten mit einem entsprechenden Aspektverhältnis möglich, die dann ebenfalls aus Einzelspiegeln und auch aus Korrektur-Einzelspiegeln aufgebaut sein können.
- Eine Ausgestaltung des Nutzbereiches des beleuchteten Objektfeldes nach Anspruch 7 ermöglicht eine flexible Objektfeldbeleuchtung und entsprechend eine flexible Korrektur von Beleuchtungsparametern. Je nach einer erforderlichen Korrektur oder Kompensation von Beleuchtungsparametern können die Umgebungsabschnitte um den Zentralbereich wahlweise und auch bereichsweise durch entsprechende Auswahl und Ansteuerung von Korrektur-Einzelspiegeln ausgeleuchtet werden.
- Die Vorteile eines optischen Systems nach Anspruch 8 und einer Projektionsbelichtungsanlage nach Anspruch 9 entsprechen denen, die vorstehend unter Bezugnahme auf die erfindungsgemäße Beleuchtungsoptik bereits erläutert wurden. Eine EUV-Strahlungsquelle führt zur Möglichkeit einer hohen Strukturauflösung bei der Projektionsbelichtung.
- Bei einer Projektionsbelichtungsanlage nach Anspruch 10 ist eine Korrektur eines Verlaufs der Beleuchtungsintensität über das Objektfeld senkrecht zur Scanrichtung, also über die Objektfeldhöhe, möglich. Abschnitte des Umgebungsbereiches des Objektfeldes können in der Verlagerungsrichtung vor oder nach dem Zentralbereich des Objektfeldes angeordnet sein.
- Bei einem Beleuchtungskorrekturverfahren nach Anspruch 11 kann eine Bereitstellung ausgewählter Korrektur-Einzelspiegel durch eine Berechnung anhand der gemessenen Ist-Intensitätsverteilung der Objektfeldbeleuchtung erfolgen. Alternativ ist es möglich, die Bereitstellung aufgrund einer vorher erzeugten Kalibriertabelle vorzunehmen, in der die der jeweils ermittelten Intensitätsverteilung zugeordneten Anordnungen der Korrektur-Einzelspiegel und Zuordnungen der Korrektur-Einzelspiegel zu den Korrektur-Pupillenfacetten abgelegt sind. Eine Intensitätsverteilung der Beleuchtung des Objektfeldes kann entweder direkt gemessen oder in abgeleiteter Form gemessen werden. Eine Messung in abgeleiteter Form kann beispielsweise über eine Messung der Intensitätsverteilung des Objektfeldes in einer von der Objektebene beabstandeten Ebene erfolgen. Alternativ oder zusätzlich ist es möglich, die Intensitätsverteilung der Objektfeldbeleuchtung abgeleitet über eine Messung anderer Parameter zu ermitteln, beispielsweise über eine Messung einer Lichtverteilung von Justierstrahlung oder mitgeführter Strahlung anderer Wellenlängen oder über eine Messung indirekter Parameter wie beispielsweise der Erwärmung bestimmter Bauteile oder über eine Streulichtmessung. Bei der Beleuchtungskorrektur kann zwischen verschiedenen Kippzuständen der Korrektur-Einzelspiegel gewählt und gegebenenfalls während der Projektionsbelichtung gewechselt werden.
- Die Vorteile eines Herstellungsverfahrens nach Anspruch 12 oder 13 entsprechen denjenigen, die vorstehend im Zusammenhang mit der erfindungsgemäßen Beleuchtungsoptik, der erfindungsgemäßen Projektionsbelichtungsanlage und dem erfindungsgemäßen Beleuchtungskorrekturverfahren bereits erläutert wurden. Es lassen sich mikrostrukturierte Bauteile nach Anspruch 14 mit hohen Integrationsdichten bis hin in den Sub-Mikrometer-Bereich realisieren.
- Ein Ausführungsbeispiel der Erfindung wird nachfolgend anhand der Zeichnung näher erläutert. In dieser zeigen:
-
1 schematisch einen Meridionalschnitt durch eine Projektionsbelichtungsanlage für die EUV-Projektions-Lithographie; -
2 schematisch in einer entfalteten Darstellung Abbildungsverhältnisse bei der Abbildung benachbarter Feldfacetten eines Feldfacettenspiegels einer Beleuchtungsoptik eines optischen Systems der Projektionsbelichtungsanlage, wobei die Feldfacetten in ein Objektfeld in einer Objektfeldebene einerseits über Grund-Einzelspiegel-Ausleuchtungskanäle in einen Zentralbereich des Objektfeldes und andererseits über Korrektur-Einzelspiegel-Ausleuchtungskanäle in einen Umgebungsbereich des Objektfeldes abgebildet werden. -
1 zeigt schematisch in einem Meridionalschnitt eine Projektionsbelichtungsanlage1 für die Mikrolithographie. Ein Beleuchtungssystem2 der Projektionsbelichtungsanlage1 hat neben einer Strahlungsquelle3 eine Beleuchtungsoptik4 zur Belichtung eines Objektfeldes5 in einer Objektebene6 . Belichtet wird hierbei ein im Objektfeld5 angeordnetes Retikel7 , das von einem lediglich ausschnittsweise dargestellten Retikelhalter8 gehalten ist. Eine Projektionsoptik9 dient zur Abbildung des Objektfeldes5 in ein Bildfeld10 in einer Bildebene11 . Abgebildet wird eine Struktur auf dem Retikel7 auf eine lichtempfindliche Schicht eines im Bereich des Bildfeldes10 in der Bildebene11 angeordneten Wafers12 , der von einem ebenfalls schematisch dargestellten Waferhalter13 gehalten ist. - Bei der Strahlungsquelle
3 handelt es sich um eine EUV-Strahlungsquelle mit einer emittierten Nutzstrahlung im Bereich zwischen 5 nm und 30 nm. Es kann sich dabei um eine Plasmaquelle, beispielsweise um eine GDPP-Quelle (Plasmaerzeugung durch Gasentladung, gasdischarge-produced plasma) oder um eine LPP-Quelle (Plasmaerzeugung durch Laser, laser-produced plasma) handeln. Auch eine Strahlungsquelle, die auf einem Synchrotron basiert, ist für die Strahlungsquelle3 einsetzbar. Informationen zu einer derartigen Strahlungsquelle findet der Fachmann beispielsweise aus derUS 6,859,515 B2 . EUV-Strahlung14 , die von der Strahlungsquelle3 ausgeht, wird von einem Kollektor15 gebündelt. Ein entsprechender Kollektor ist aus derEP 1 225 481 A bekannt. Nach dem Kollektor15 propagiert die EUV-Strahlung14 durch eine Zwischenfokusebene16 , bevor sie auf einen Feldfacettenspiegel17 trifft. Der Feldfacettenspiegel17 ist in einer Ebene der Beleuchtungsoptik4 angeordnet, die zur Objektebene6 optisch konjugiert ist. - Die EUV-Strahlung
14 wird nachfolgend auch als Beleuchtungslicht oder als Abbildungslicht bezeichnet. - Nach dem Feldfacettenspiegel
17 wird die EUV-Strahlung14 von einem Pupillenfacettenspiegel18 reflektiert. Der Pupillenfacettenspiegel18 ist in einer Pupillenebene der Beleuchtungsoptik4 angeordnet, die zu einer Pupillenebene der Projektionsoptik9 optisch konjugiert ist. Mit Hilfe des Pupillenfacettenspiegels18 und einer abbildenden optischen Baugruppe in Form einer Übertragungsoptik19 mit in der Reihenfolge des Strahlengangs bezeichneten Spiegeln20 ,21 und22 werden nachfolgend noch näher beschriebene Feldfacetten23 (vgl.2 ) des Feldfacettenspiegels17 in das Objektfeld5 abgebildet. Der letzte Spiegel22 der Übertragungsoptik19 ist ein Spiegel für streifenden Einfall („Grazing Incidence-Spiegel”). Der Pupillenfacettenspiegel18 und die Übertragungsoptik19 bilden eine Folgeoptik zur Überführung des Beleuchtungslichts14 in das Objektfeld5 . Auf die Übertragungsoptik19 kann insbesondere dann verzichtet werden, wenn der Pupillenfacettenspiegel18 in einer Eintrittspupille der Projektionsoptik9 angeordnet ist. - Zur Erleichterung der Beschreibung von Lagebeziehungen ist in der
1 ein kartesisches xyz-Koordinatensystem als globales Koordinatensystem für die Beschreibung der Lageverhältnisse von Komponenten der Projektionsbelichtungsanlage1 zwischen der Objektebene6 und der Bildebene11 eingezeichnet. Die x-Achse verläuft in der1 senkrecht zur Zeichenebene in diese hinein. Die y-Achse verläuft in der1 nach rechts. Die z-Achse verläuft in der1 nach unten, also senkrecht zur Objektebene6 und zur Bildebene11 . - Der Retikelhalter
8 und der Waferhalter13 sind beide gesteuert so verlagerbar, dass bei der Projektionsbelichtung das Retikel7 und der Wafer12 in einer Verlagerungsrichtung, nämlich in der y-Richtung, einerseits durch das Objektfeld5 und andererseits durch das Bildfeld10 gescannt werden. Die Verlagerungsrichtung y wird nachfolgend auch als Scanrichtung bezeichnet. -
2 zeigt schematisch Abbildungsverhältnisse hinsichtlich der Abbildung ausgewählter der Feldfacetten23 in das Objektfeld5 . Die Darstellung nach2 ist entfaltet, das heißt Strahlengänge zwischen den Feldfacetten23 und dem Objektfeld5 erscheinen ohne Umlenkung. Zudem ist die Darstellung nach2 so, dass eine Trägerebene des Feldfacettenspiegels17 und die Objektebene6 zusammenzufallen scheinen, obwohl diese beiden Ebenen (vgl.1 ) natürlich nicht zusammenfallen. Entsprechend ist in der2 die Folgeoptik18 ,19 weggelassen. Zur Erleichterung der Beschreibung von Lagebeziehungen ist in der2 ebenfalls ein kartesisches x-y-Koordinatensystem als lokales Koordinatensystem des Feldfacettenspiegels17 und des Objektfeldes5 eingezeichnet. Die x-Richtung und die y-Richtung des Koordinatensystems nach2 entsprechen beim Objektfeld5 der x-Richtung und der y-Richtung nach1 . - Das Objektfeld
5 hat einen Nutzbereich mit einem inneren Zentralbereich24 und einem Umgebungsbereich25 . Die Bereiche24 ,25 sind für die Projektionsbelichtung genutzte Bereiche des Objektfeldes5 . - Der Objektfeld-Zentralbereich
24 ist in der2 durchgezogen dargestellt und hat ein Aspektverhältnis zwischen einer größeren Felddimension x und einer kleineren Felddimension y, das größer ist als 1 und beim dargestellten Ausführungsbeispiel 12:5 beträgt. Auch andere x-y-Aspektverhältnisse, beispielsweise 25/4 oder 104/8, sind möglich. Ein x-y-Aspektverhältnis der Feldfacetten23 entspricht dem x-y-Aspektverhältnis des Objektfeldes5 . - Der Objektfeld-Umgebungsbereich
25 ist unterteilt in zwei Umgebungsabschnitte26 ,27 , die sich in der2 direkt oberhalb und unterhalb an den Zentralbereich24 des Objektfeldes5 anschließen. - Der Objektfeld-Umgebungsabschnitt
26 schließt sich an den Objektfeld-Zentralbereich24 in positiver Scanrichtung y an. Der Objektfeld-Umgebungsabschnitt27 schließt sich an den Zentralbereich24 in negativer Scanrichtung y an. - In der
2 links oben ist ein Ausschnitt aus dem Feldfacettenspiegel17 mit sechs Feldfacetten23 dargestellt. Dargestellt sind drei Gruppen zu je zwei in der x-Richtung einander direkt benachbarten Feldfacetten23 . Diese Feldfacetten-Gruppen sind in der x-Richtung versetzt zueinander und über Versatz-Grenzlinien28 , die parallel zur x-Richtung verlaufen, voneinander getrennt angeordnet. Die Feldfacetten innerhalb dieser Gruppen werden nachfolgend mit23x/y bezeichnet, wobei x die Zeilenposition und y die Spaltenposition der jeweiligen Feldfacette23 bezeichnet. Nachfolgend werden Zeilen von oben nach unten und Spalten von links nach rechts durchnummeriert. - Jede der Feldfacetten
23 ist in eine Mehrzahl von Einzelspiegeln29 unterteilt. Eine gesamte Reflexionsfläche der jeweiligen Feldfacette23 ist dabei zeilen- und spaltenweise unterteilt in ein Raster aus den Einzelspiegeln29 . Im dargestellten Ausführungsbeispiel ist jede Feldfacette23 unterteilt in zwölf nebeneinander liegende Spalten zu je fünf Einzelspiegeln29 , weist also fünf Zeilen und zwölf Spalten auf. Die Einzelspiegel29 einer jeweiligen Feldfacette23 werden nachfolgend mit29x/y bezeichnet, wobei x die Zeilenposition und y die Spaltenposition des jeweiligen Einzelspiegels29 der Feldfacette23 bezeichnet. - Eine solche Unterteilung von Feldfacetten in Einzelspiegel ist bekannt aus der
WO 2009/100 856 A1 - Beim Feldfacettenspiegel
17 müssen nicht alle der Feldfacetten23 in Einzelspiegel29 unterteilt sein. Es muss auch nicht notwendig die gesamte Reflexionsfläche einer der Feldfacetten23 in Einzelspiegel29 unterteilt sein. - Die Einzelspiegel
29 geben Einzelspiegel-Ausleuchtungskanäle30 zur Führung von auf die Einzelspiegel29 auftreffenden Unteranteilen des auf den Feldfacettenspiegel17 auftreffenden Bündels des Beleuchtungslichts14 vor. Ein derartiger Ausleuchtungskanal30 ist in der2 für den Einzelspiegel291/11 , also für den Einzelspiegel29 in der ersten Zeilen und der elften Spalte der in der2 links oben dargestellten Feldfacette23 , gestrichelt dargestellt. - Der Pupillenfacettenspiegel
18 hat eine Mehrzahl von Pupillenfacetten31 . Die Anzahl der Pupillenfacetten31 ist mindestens so groß wie die Anzahl der Feldfacetten23 . Die Feldfacetten23 sind den Pupillenfacetten31 jeweils individuell zugeordnet, so dass Anteile des Bündels des Beleuchtungslichts14 , die auf jeweils eine der Feldfacetten23 treffen, über die zugeordnete Pupillenfacette31 weiter zum Objektfeld5 zur Abbildung der Feldfacette23 in das Objektfeld5 geführt werden. Der Einzelspiegel-Ausleuchtungskanal30 des Einzelspiegels291/11 wird von der in der2 oben dargestellten Pupillenfacette311 reflektiert und hin zum Objektfeld5 in ein Objektfeldabschnitt32 im Zentralbereich24 des Objektfeldes5 abgebildet. - Der Zentralbereich
24 des Objektfeldes5 ist zur Veranschaulichung in der2 ebenfalls in Rasterelemente in fünf Zeilen und zwölf Spalten unterteilt, wobei jedes der Rasterelemente einem der Objektfeldabschnitte32 entspricht. Aufgrund des im Ausführungsbeispiel negativen Abbildungsmaßstabs bei der Abbildung der Feldfacetten23 in die Objektebene6 wird der Einzelspiegel291/11 abgebildet in das Objektfeldabschnitt325/2 , also in das Objektfeldabschnitt32 , das in der fünften Zeile und in der zweiten Spalte des Zentralbereichs24 des Objektfelds5 angeordnet ist. - Die Einzelspiegel-Ausleuchtungskanäle
30 der Einzelspiegel29 beleuchten im Zentralbereich24 des Objektfeldes5 also die Objektfeldabschnitte32 , die kleiner sind als das Objektfeld5 . - Die Umgebungsabschnitte
26 und27 sind jeweils einzeilig. Objektfeldabschnitte innerhalb der Umgebungsabschnitte26 ,27 können daher durch einen einzigen Index beschrieben werden, der die Spaltenposition des Objektfeldabschnitts innerhalb des jeweiligen Umgebungsabschnitts26 ,27 repräsentiert. Diese Spaltennummerierung ist für den Objektfeldabschnitt26 in der2 dargestellt. - Einige der Einzelspiegel
29 der Feldfacetten23 des Feldfacettenspiegels17 sind als Korrektur-Einzelspiegel29K ausgeführt. Im in der2 dargestellten Ausführungsbeispiel sind drei Korrektur-Einzelspiegel29K aktiv, nämlich die Korrektur-Einzelspiegel29K5/5 ,29K5/6 und29K5/7 . Die in der2 links oben dargestellte Feldfacette231/1 hat also drei aktive Korrektur-Einzelspiegel29K , die an einem Rand der Feldfacette23 angeordnet sind. Die aktiven Korrektur-Einzelspiegel29 sind einander direkt benachbart parallel zur Versatz-Grenzlinie28 angeordnet. - Jeder der Korrektur-Einzelspiegel
29K ist zur individuellen Ablenkung von auftreffendem Beleuchtungslicht14 jeweils mit einem Aktor bzw. Aktuator verbunden. Näheres zur Ausgestaltung von Aktuatoren für die Einzelspiegel eines Feldfacettenspiegels ist in derWO 2009/100 856 A1 - Die aktiven Korrektur-Einzelspiegel
29K der Feldfacette23 werden nicht wie alle anderen Einzelspiegel29 dieser Feldfacette231/1 über Einzelspiegel-Ausleuchtungskanäle30 hin zum Objektfeld5 geführt, die durch die Pupillenfacette311 verlaufen, sondern über Korrektur-Einzelspiegel-Ausleuchtungskanäle33 , die über die in der2 unten dargestellte Pupillenfacette312 geführt werden. Einer dieser Korrektur-Einzelspiegel-Ausleuchtungskanäle33 ist in der2 gestrichelt dargestellt. - Die Korrektur-Einzelspiegel
29K , sind zwischen zwei Kippstellungen verkippbar ausgestaltet. In einer nicht aktiven Grund-Kippstellung der Korrektur-Einzelspiegel29K erfolgt eine Beleuchtung des Zentralbereiches24 des Objektfeldes5 über einen Grund-Einzelspiegel-Ausleuchtungskanal30 . In einer aktiven Korrektur-Kippstellung der Korrektur-Einzelspiegel29K erfolgt eine Beleuchtung eines der Umgebungsabschnitte26 ,27 des Objektfeld-Umgebungsbereichs25 über den jeweiligen Korrektur-Einzelspiegel-Ausleuchtungskanal33 . - Die Beleuchtung in der Grund-Kippstellung erfolgt über die jeweils der Feldfacette
23 individuell zugeordnete Grund-Pupillenfacette, im Falle der Feldfacette231/1 also über die Pupillenfacette311 . In der Korrektur-Kippstellung erfolgt die Beleuchtung über eine sich von der Grund-Pupillenfacette unterscheidende Korrektur-Pupillenfacette, im Falle der in der2 aktiven Korrektur-Einzelspiegel29K also über die Pupillenfacette312 , die der benachbarten Feldfacette232/1 zugeordnet ist. - Aufgrund der Umstellung der drei in der
2 aktiven Korrektur-Einzelspiegel29K werden diese nicht mehr über die Grund-Pupillenfacette311 auf die Objektfeld-Abschnitte321/7 und321/8 des Zentralbereichs24 abgebildet, was in der2 durch Auskreuzen dieser Objektfeldabschnitte verdeutlicht ist. Stattdessen erfolgt eine Abbildung der Korrektur-Einzelspiegel29K in die Objektfeldabschnitte277 ,278 und279 des Umgebungsabschnitts27 . - Die in der
2 unterhalb der Feldfacette231/1 angeordnete Feldfacette232/1 ist um eine Einzelspiegel-Breite in positiver x-Richtung längs der Versatz-Grenzlinie28 versetzt angeordnet. Diese Feldfacette232/1 wird über die in der2 unten dargestellte Pupillenfacette312 in den Zentralbereich24 des Objektfelds5 abgebildet. - Aufgrund des Versatzes der Feldfacette
232/1 gegenüber der Feldfacette231/1 erfolgt die Abbildung der drei aktiven Korrektur-Einzelspiegel29 über die der Feldfacette232/1 zugeordnete Pupillenfacette312 ebenfalls in der x-Richtung versetzt, und zwar aufgrund des Abbildungsmaßstabes um die Breite eines Objektfeldabschnittes32 in positiver x-Richtung versetzt. - Aufgrund der Aktivierung der drei Korrektur-Einzelspiegel
29K ist netto und integriert über die Scanrichtung y eine Verschiebung der Ausleuchtung eines Objektfeldabschnitts32 in der sechsten Spalte des Objektfelds5 hin zu einer zusätzlichen Ausleuchtung des Objektfeldabschnitts279 in der neunten Spalte des Objektfeldes geschehen. Diese Verschiebung ist in der2 durch einen Pfeil34 verdeutlicht. Diese Verschiebung34 kann zur Korrektur bzw. zur Kompensation einer Beleuchtungsintensität über die Objektfeldhöhe, also über die x-Dimension des Objektfeldes5 , genutzt werden. - Durch Aktivierung anderer Korrektur-Einzelspiegel
29K bzw. anderer Gruppen von Korrektur-Einzelspiegeln29K lassen sich andere Verschiebungen34 erzeugen. Wenn beispielsweise nur der Korrektur-Einzelspiegel29K5/5 aktiviert wird, führt dies zu einem Verlust der Beleuchtung des Objektfeldabschnitts321/8 und zu einer zusätzlichen Beleuchtung des Objektfeldabschnitts279 , also zu einer Verschiebung34 einer Beleuchtung von Abschnitten des Objektfeldes5 von der achten auf die neunte Spalte. Entsprechend lassen sich andere Verschiebungen erzeugen. - Die Nettoverschiebung aufgrund der Nutzung einer weiteren Pupillenfacette
31 für eine bestimmte Feldfacette23 , die nicht die Grund-Pupillenfacette dieser bestimmten Feldfacette23 , sondern die Grund-Pupillenfacette einer benachbarten Feldfacette23 darstellt, hängt vom Versatz der benachbarten Feldfacetten23 zueinander ab. Diese weitere Pupillenfacette31 wird auch als Korrektur-Pupillenfacette bezeichnet. Im in der2 dargestellten Ausführungsbeispiel ist der Versatz zwischen den Feldfacetten231/1 und232/1 eine Spiegelbreite in positiver x-Richtung. Wäre dieser Versatz ein anderer, beispielsweise zwei Einzelspiegelbreiten in positiver x-Richtung oder eine Einzelspiegelbreite in negativer x-Richtung, würde entsprechend die Möglichkeit einer Verschiebung34 um zwei Objektfeldabschnittsbreiten in positiver x-Richtung oder um eine Objektfeldabschnittsbreite in negativer x-Richtung resultieren. Über die Auswahl des Versatzes benachbarter Feldfacetten, deren Pupillenfacetten wechselweise zur Korrekturbeleuchtung genutzt werden, kann also die Richtung und die Größe der Verschiebung34 vorgegeben werden. - Bei der in der
2 dargestellten Situation lässt sich umgekehrt durch Aktivierung von Korrektur-Einzelspiegeln29K der Feldfacette232/1 , die über die Pupillenfacette311 in den Umgebungsabschnitt26 des Objektfelds5 abgebildet werden, ein Versatz34 in negativer x-Richtung erzeugen. Es kommen dabei Korrektur-Einzelspiegel29K der Feldfacette232/1 aus der obersten Einzelspiegel-Zeile der Feldfacette232/1 zum Einsatz. - Eine Beleuchtungskorrektur wird mit Hilfe der Beleuchtungsoptik
4 folgendermaßen durchgeführt: Zunächst wird mit Hilfe eines entsprechenden Detektors eine Intensitätsverteilung der Beleuchtung des Objektfeldes5 über die Feldhöhe x ermittelt. Anhand dieses Messergebnisses werden zu aktivierende Korrektur-Einzelspiegel29K ausgewählt, so dass eine gemessene Ist-Uniformität in eine vorgegebene Soll-Uniformität innerhalb vorgegebener Toleranzgrenzen überführt werden kann. -
- Im Anschluss hieran findet dann die Projektionsbelichtung statt, bei der das Retikel
7 und der Wafer12 , der eine für das Beleuchtungslicht14 lichtempfindliche Beschichtung trägt, bereitgestellt werden und anschließend zumindest ein Abschnitt des Retikels7 auf den Wafer12 mit Hilfe der Projektionsbelichtungsanlage1 projiziert wird. Schließlich wird die mit dem Beleuchtungslicht-Bündel14 belichtete lichtempfindliche Schicht auf dem Wafer12 entwickelt. Auf diese Weise wird das mikro- bzw. nanostrukturierte Bauteil, beispielsweise ein Halbleiterchip, hergestellt. - Über die verschiedenen Varianten der Anordnung der vorstehend erläuterten Korrektur-Einzelspiegel
29K kann deren Bündelführungswirkung dynamisch gesteuert werden. Hierzu können die Korrektur-Einzelspiegel29K von einer Steuereinrichtung der Projektionsbelichtungsanlage angesteuert werden. Diese Ansteuerung kann dabei auf Basis von Messungen des Intensitätsverlaufs über die lange Felddimension, also die x-Richtung, im Objekt- oder auch im Bildfeld erfolgen. - ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
- Diese Liste der vom Anmelder aufgeführten Dokumente wurde automatisiert erzeugt und ist ausschließlich zur besseren Information des Lesers aufgenommen. Die Liste ist nicht Bestandteil der deutschen Patent- bzw. Gebrauchsmusteranmeldung. Das DPMA übernimmt keinerlei Haftung für etwaige Fehler oder Auslassungen.
- Zitierte Patentliteratur
-
- WO 2009/100856 A1 [0002, 0032, 0040]
- US 7551263 B2 [0002]
- US 6859515 B2 [0020]
- EP 1225481 A [0020]
Claims (14)
- Beleuchtungsoptik (
4 ) für die Mikrolithographie zur Führung eines Beleuchtungslicht-Bündels (14 ) von einer Strahlungsquelle (3 ) hin zu einem Objektfeld (5 ) in einer Objektebene (6 ) – mit einem Feldfacettenspiegel (17 ) mit einer Mehrzahl von Feldfacetten (23 ) zur Vorgabe definierter Beleuchtungsverhältnisse im Objektfeld (5 ), – mit einer dem Feldfacettenspiegel (17 ) nachgeordneten Folgeoptik (18 ,19 ) zur Überführung des Beleuchtungslichts (14 ) in das Objektfeld (5 ), – wobei die Folgeoptik (18 ,19 ) einen Pupillenfacettenspiegel (18 ) mit einer Mehrzahl von Pupillenfacetten (31 ) aufweist, wobei die Feldfacetten (23 ) den Pupillenfacetten (31 ) jeweils individuell zugeordnet sind, so dass Anteile des Beleuchtungslicht-Bündels (14 ), die auf jeweils eine der Feldfacetten (23 ) treffen, über die zugeordnete Pupillenfacette (31 ) weiter zum Objektfeld (5 ) geführt werden, – wobei zumindest einige der Feldfacetten (23 ) in Einzelspiegel (29 ) unterteilt sind, die Einzelspiegel-Ausleuchtungskänale (30 ,33 ) zur Führung von auf die Einzelspiegel (29 ) auftreffenden Unteranteilen des Beleuchtungslicht-Bündels (14 ) vorgeben, – wobei die Einzelspiegel (29 ) eine Spiegelfläche derart aufweisen, dass die Einzelspiegel-Ausleuchtungskanäle (30 ,33 ) im Objektfeld (5 ) Objektfeldabschnitte (32 ) beleuchten, die kleiner sind als das Objektfeld (5 ), – wobei zumindest einige der Einzelspiegel (29 ) als Korrektur-Einzelspiegel (29K ) ausgeführt sind, – wobei die Korrektur-Einzelspiegel (29K ) zwischen mindestens zwei Kippstellungen verkippbar ausgestaltet sind, wobei – in einer Grund-Kippstellung der Korrektur-Einzelspiegel (29K ) eine Beleuchtung eines Zentralbereiches (24 ) des Objektfeldes (5 ) über einen Grund-Einzelspiegel-Ausleuchtungskanal (30 ) der Korrektur-Einzelspiegel (29K ) erfolgt, – in einer Korrektur-Kippstellung der Korrektur-Einzelspiegel (29K ) eine Beleuchtung eines Umgebungsbereiches (25 ) des Objektfeldes (5 ), der dem Zentralbereich (24 ) in der Objektebene (6 ) benachbart ist, über einen Korrektur-Einzelspiegel-Ausleuchtungskanal (33 ) der Korrektur-Einzelspiegel (29K ) erfolgt. - Beleuchtungsoptik nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die Korrektur-Einzelspiegel (
29K ) zwischen den beiden Kippstellungen derart verkippbar ausgestaltet sind, dass – in der Grund-Kippstellung der Korrektur-Einzelspiegel (29K ) eine Beleuchtung des Zentralbereiches (24 ) des Objektfeldes (5 ) über den Grund-Einzelspiegel-Ausleuchtungskanal (30 ) der Korrektur-Einzelspiegel (29K ) und eine individuell zugeordnete Grund-Pupillenfacette (311 ) des Pupillenfacettenspiegels (18 ) erfolgt, – in der Korrektur-Kippstellung der Korrektur-Einzelspiegel (29K ) eine Beleuchtung des Umgebungsbereichs (25 ) des Objektfeldes (5 ), der dem Zentralbereich (24 ) in der Objektebene (6 ) benachbart ist, über den Korrektur-Einzelspiegel-Ausleuchtungskanal (33 ) der Korrektur-Einzelspiegel (29K ) und eine Korrektur-Pupillenfacette (312 ) des Pupillenfacettenspiegel (18 ) erfolgt, die sich von der Grund-Pupillenfacette (311 ) unterscheidet. - Beleuchtungsoptik nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, dass zumindest einige der Feldfacetten (
231/1 ,232/1 ) einander benachbart und über eine Versatz-Grenzlinie (28 ) getrennt auf dem Feldfacettenspiegel (17 ) angeordnet sind, wobei eine Feldfacette (232/1 ), deren Einzelspiegel (29 ) in einer Grundstellung der Korrektur-Pupillenfacette (312 ) über Grund-Einzelspiegel-Ausleuchtungskanäle zugeordnet sind, zu derjenigen Feldfacette (231/1 ), die Korrektur-Einzelspiegel (29K ) aufweist, die diese Korrektur-Pupillenfacette (312 ) in der Korrektur-Kippstellung über Korrektur-Einzelspiegel-Ausleuchtungskanäle nutzen, längs der Grenzlinie (28 ) versetzt angeordnet ist. - Beleuchtungsoptik nach Anspruch 3, gekennzeichnet durch eine Mehrzahl von parallel zu der Versatz-Grenzlinie (
28 ) direkt benachbart zueinander angeordneten Korrektur-Einzelspiegeln (29K ). - Beleuchtungsoptik nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, dass zumindest einige der Korrekturbeleuchtungs-Einzelspiegel (
29K ) an einem Rand der Feldfacette (23 ) angeordnet sind. - Beleuchtungsoptik nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, dass das Objektfeld (
5 ) ein Aspektverhältnis zwischen einer größeren Felddimension (x) und einer kleineren Felddimension (y) hat, welches größer ist als 1, wobei die Feldfacetten (23 ) ein entsprechendes Aspektverhältnis aufweisen und wobei die Versatz-Grenzlinien (28 ) zwischen den Feldfacetten (23 ) im Wesentlichen längs der größeren Felddimension (x) verlaufen. - Beleuchtungsoptik nach einem der Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, dass die Korrektur-Einzelspiegel (
29K ) zwischen den beiden Kippstellungen derart verkippbar ausgestaltet sind, dass in der Korrektur-Kippstellung der Korrektur-Einzelspiegel (29K ) zwei Abschnitte (26 ,27 ) des Umgebungsbereichs (25 ) des Objektfeldes (5 ) beleuchtbar sind, die den Zentralbereich (24 ) des Objektfeldes (5 ) zwischen sich aufnehmen. - Optisches System – mit einer Beleuchtungsoptik (
4 ) nach einem der Ansprüche 1 bis 7, – mit einer Projektionsoptik (9 ) zum Projizieren des Objektfeldes (5 ) auf ein Bildfeld (10 ). - Projektionsbelichtungsanlage – mit einem optischen System nach Anspruch 8, – mit einer EUV-Strahlungsquelle (
3 ) zur Erzeugung des Beleuchtungslicht-Bündels (14 ). - Projektionsbelichtungsanlage nach Anspruch 9, gekennzeichnet durch einen Retikelhalter (
8 ), der gesteuert so verlagerbar ist, dass bei der Projektionsbelichtung ein Retikel (7 ) in einer Verlagerungsrichtung (y) durch das Objektfeld (5 ) gescannt wird, wobei sich der von den Korrektur-Einzelspiegeln (29K ) in der Korektur-Kippstellung beleuchtete Umgebungsbereich (25 ) des Objektfeldes (5 ) längs der Verlagerungsrichtung (y) an den Zentralbereich (24 ) des Objektfeldes (5 ) anschließt. - Verfahren zur Beleuchtungskorrektur unter Einsatz einer Beleuchtungsoptik (
4 ) nach einem der Ansprüche 1 bis 7 mit folgenden Schritten: – Ermitteln einer Ist-Intensitätsverteilung einer Beleuchtung des Objektfeldes (5 ) mit dem Beleuchtungslicht-Bündel (14 ) der Strahlungsquelle (3 ), – Vorgeben einer gewünschten Soll-Intensitätsverteilung, – Bereitstellung einer Kippstellung ausgewählter Korrektur-Einzelspiegel (29K ), so dass sich die gewünschte Soll-Intensitätsverteilung ergibt. - Verfahren zur Herstellung eines mikrostrukturierten Bauelements mit folgenden Verfahrensschritten: – Bereitstellen eines Retikels (
7 ), – Bereitstellen eines Wafers (12 ) mit einer für das Beleuchtungslicht-Bündel (14 ) lichtempfindlichen Beschichtung, – Projizieren zumindest eines Abschnitts des Retikels auf den Wafer (12 ) mithilfe der Projektionsbelichtungsanlage nach Anspruch 9 oder 10, – Entwickeln der mit dem Beleuchtungslicht-Bündel (14 ) belichteten lichtempfindlichen Schicht auf dem Wafer (12 ). - Verfahren nach Anspruch 12, dadurch gekennzeichnet, dass vor dem Projizieren eine Beleuchtungskorrektur nach Anspruch 11 durchgeführt wird.
- Bauteil, hergestellt nach dem Verfahren nach Anspruch 13.
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---|---|
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Cited By (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102011076145A1 (de) * | 2011-05-19 | 2012-11-22 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Verfahren zum Zuordnen einer Pupillenfacette eines Pupillenfacettenspiegels einer Beleuchtungsoptik einer Projektionsbelichtungsanlage zu einer Feldfacette eines Feldfacettenspiegels der Beleuchtungsoptik |
DE102012207511A1 (de) | 2012-05-07 | 2013-05-08 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Facettenspiegel |
DE102012207572A1 (de) | 2012-05-08 | 2013-05-08 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Beleuchtungsoptik |
DE102012201235A1 (de) * | 2012-01-30 | 2013-08-01 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Verfahren zum Einstellen einer Beleuchtungsgeometrie für eine Be-leuchtungsoptik für die EUV-Projektionslithographie |
DE102012213515A1 (de) | 2012-08-01 | 2014-02-06 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Verfahren zum Betreiben einer mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage |
DE102012220596A1 (de) | 2012-11-13 | 2014-05-15 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Verfahren zum Zuordnen einer Pupillenfacette eines Pupillenfacettenspiegels einer Beleuchtungsoptik einer Projektionsbelichtungsanlage zu einer Feldfacette eines Feldfacettenspiegels der Beleuchtungsoptik |
DE102014217608A1 (de) | 2014-09-03 | 2014-11-20 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Verfahren zum Zuordnen einer zweiten Facette eines im Strahlengang zweiten facettierten Elements einer Beleuchtungsoptik |
DE102013218749A1 (de) * | 2013-09-18 | 2015-03-19 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Beleuchtungssystem sowie Beleuchtungsoptik für die EUV-Projektionslithografie |
WO2015124555A1 (de) * | 2014-02-21 | 2015-08-27 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Spiegel-array |
DE102014217611A1 (de) * | 2014-09-03 | 2016-03-03 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Beleuchtungsoptik für die Projektionslithografie |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102012205181B4 (de) * | 2012-03-30 | 2015-09-24 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Messvorrichtung zum Vermessen einer Beleuchtungseigenschaft |
NL2015073A (en) * | 2014-07-15 | 2016-04-12 | Asml Netherlands Bv | Lithography apparatus and method of manufacturing devices. |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP1225481A2 (de) | 2001-01-23 | 2002-07-24 | Carl Zeiss Semiconductor Manufacturing Technologies Ag | Kollektor für Beleuchtungssysteme mit einer Wellenlänge 193 nm |
US20030038225A1 (en) * | 2001-06-01 | 2003-02-27 | Mulder Heine Melle | Lithographic apparatus, device manufacturing method, device manufactured thereby, control system, computer program, and computer program product |
US6859515B2 (en) | 1998-05-05 | 2005-02-22 | Carl-Zeiss-Stiftung Trading | Illumination system, particularly for EUV lithography |
US20050174650A1 (en) * | 2002-04-30 | 2005-08-11 | Frank Melzer | Lighting system, particularly for use in extreme ultraviolet (euv) lithography |
US7551263B2 (en) | 2003-10-18 | 2009-06-23 | Carl Zeiss Smt Ag | Device for adjusting the illumination dose on a photosensitive layer |
WO2009100856A1 (en) | 2008-02-15 | 2009-08-20 | Carl Zeiss Smt Ag | Facet mirror for use in a projection exposure apparatus for microlithography |
DE102008009600A1 (de) * | 2008-02-15 | 2009-08-20 | Carl Zeiss Smt Ag | Facettenspiegel zum Einsatz in einer Projektionsbelichtungsanlage für die Mikro-Lithographie |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE10053587A1 (de) * | 2000-10-27 | 2002-05-02 | Zeiss Carl | Beleuchtungssystem mit variabler Einstellung der Ausleuchtung |
DE19935404A1 (de) * | 1999-07-30 | 2001-02-01 | Zeiss Carl Fa | Beleuchtungssystem mit mehreren Lichtquellen |
US6870554B2 (en) * | 2003-01-07 | 2005-03-22 | Anvik Corporation | Maskless lithography with multiplexed spatial light modulators |
JP2007150295A (ja) * | 2005-11-10 | 2007-06-14 | Carl Zeiss Smt Ag | ラスタ要素を有する光学装置、及びこの光学装置を有する照射システム |
US7999939B2 (en) * | 2007-08-17 | 2011-08-16 | Asml Holding N.V. | Real time telecentricity measurement |
JP5326259B2 (ja) * | 2007-11-08 | 2013-10-30 | 株式会社ニコン | 照明光学装置、露光装置、およびデバイス製造方法 |
-
2009
- 2009-10-14 DE DE102009045694A patent/DE102009045694B4/de not_active Expired - Fee Related
-
2010
- 2010-09-30 US US12/894,611 patent/US7969556B2/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6859515B2 (en) | 1998-05-05 | 2005-02-22 | Carl-Zeiss-Stiftung Trading | Illumination system, particularly for EUV lithography |
EP1225481A2 (de) | 2001-01-23 | 2002-07-24 | Carl Zeiss Semiconductor Manufacturing Technologies Ag | Kollektor für Beleuchtungssysteme mit einer Wellenlänge 193 nm |
US20030038225A1 (en) * | 2001-06-01 | 2003-02-27 | Mulder Heine Melle | Lithographic apparatus, device manufacturing method, device manufactured thereby, control system, computer program, and computer program product |
US20050174650A1 (en) * | 2002-04-30 | 2005-08-11 | Frank Melzer | Lighting system, particularly for use in extreme ultraviolet (euv) lithography |
US7551263B2 (en) | 2003-10-18 | 2009-06-23 | Carl Zeiss Smt Ag | Device for adjusting the illumination dose on a photosensitive layer |
WO2009100856A1 (en) | 2008-02-15 | 2009-08-20 | Carl Zeiss Smt Ag | Facet mirror for use in a projection exposure apparatus for microlithography |
DE102008009600A1 (de) * | 2008-02-15 | 2009-08-20 | Carl Zeiss Smt Ag | Facettenspiegel zum Einsatz in einer Projektionsbelichtungsanlage für die Mikro-Lithographie |
Cited By (21)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102011076145A8 (de) * | 2011-05-19 | 2013-02-07 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Verfahren zum Zuordnen einer Pupillenfacette eines Pupillenfacettenspiegels einer Beleuchtungsoptik einer Projektionsbelichtungsanlage zu einer Feldfacette eines Feldfacettenspiegels der Beleuchtungsoptik |
DE102011076145B4 (de) * | 2011-05-19 | 2013-04-11 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Verfahren zum Zuordnen einer Pupillenfacette eines Pupillenfacettenspiegels einer Beleuchtungsoptik einer Projektionsbelichtungsanlage zu einer Feldfacette eines Feldfacettenspiegels der Beleuchtungsoptik |
DE102011076145A1 (de) * | 2011-05-19 | 2012-11-22 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Verfahren zum Zuordnen einer Pupillenfacette eines Pupillenfacettenspiegels einer Beleuchtungsoptik einer Projektionsbelichtungsanlage zu einer Feldfacette eines Feldfacettenspiegels der Beleuchtungsoptik |
DE102012201235A1 (de) * | 2012-01-30 | 2013-08-01 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Verfahren zum Einstellen einer Beleuchtungsgeometrie für eine Be-leuchtungsoptik für die EUV-Projektionslithographie |
US8514372B1 (en) | 2012-01-30 | 2013-08-20 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Method for setting an illumination geometry for an illumination optical unit for EUV projection lithography |
DE102012201235B4 (de) * | 2012-01-30 | 2013-08-29 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Verfahren zum Einstellen einer Beleuchtungsgeometrie für eine Be-leuchtungsoptik für die EUV-Projektionslithographie |
KR101388406B1 (ko) * | 2012-01-30 | 2014-04-22 | 칼 짜이스 에스엠티 게엠베하 | Euv 투영 리소그래피용 조명 광학 유닛에 대한 조명 기하구조 설정 방법 |
DE102012207511A1 (de) | 2012-05-07 | 2013-05-08 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Facettenspiegel |
DE102012207572A1 (de) | 2012-05-08 | 2013-05-08 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Beleuchtungsoptik |
US9665010B2 (en) | 2012-08-01 | 2017-05-30 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Method for operating a microlithographic projection exposure apparatus |
DE102012213515A1 (de) | 2012-08-01 | 2014-02-06 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Verfahren zum Betreiben einer mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage |
DE102012220596A1 (de) | 2012-11-13 | 2014-05-15 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Verfahren zum Zuordnen einer Pupillenfacette eines Pupillenfacettenspiegels einer Beleuchtungsoptik einer Projektionsbelichtungsanlage zu einer Feldfacette eines Feldfacettenspiegels der Beleuchtungsoptik |
WO2014075917A1 (en) | 2012-11-13 | 2014-05-22 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Method for assigning a pupil facet of a pupil facet mirror of an illumination optical unit of a projection exposure apparatus to a field facet of a field facet mirror of the illumination optical unit |
US9791785B2 (en) | 2012-11-13 | 2017-10-17 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Method for assigning a pupil facet of a pupil facet mirror of an illumination optical unit of a projection exposure apparatus to a field facet of a field facet mirror of the illumination optical unit |
DE102013218749A1 (de) * | 2013-09-18 | 2015-03-19 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Beleuchtungssystem sowie Beleuchtungsoptik für die EUV-Projektionslithografie |
US9921484B2 (en) | 2013-09-18 | 2018-03-20 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Illumination system and illumination optical unit for EUV projection lithography |
WO2015124555A1 (de) * | 2014-02-21 | 2015-08-27 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Spiegel-array |
DE102014217608A1 (de) | 2014-09-03 | 2014-11-20 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Verfahren zum Zuordnen einer zweiten Facette eines im Strahlengang zweiten facettierten Elements einer Beleuchtungsoptik |
DE102014217611A1 (de) * | 2014-09-03 | 2016-03-03 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Beleuchtungsoptik für die Projektionslithografie |
WO2016034424A1 (de) * | 2014-09-03 | 2016-03-10 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Beleuchtungsoptik für die projektionslithografie |
US9977335B2 (en) | 2014-09-03 | 2018-05-22 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Illumination optical unit for projection lithography |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20110085151A1 (en) | 2011-04-14 |
DE102009045694B4 (de) | 2012-03-29 |
US7969556B2 (en) | 2011-06-28 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
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OP8 | Request for examination as to paragraph 44 patent law | ||
R018 | Grant decision by examination section/examining division | ||
R020 | Patent grant now final |
Effective date: 20120630 |
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R119 | Application deemed withdrawn, or ip right lapsed, due to non-payment of renewal fee |