DE102011077644A1 - Illuminating device for e.g. video projector, has bonding wires which are provided between contact surface of n-polarized semiconductor light-emitting chip and front-side surface of metallization region - Google Patents

Illuminating device for e.g. video projector, has bonding wires which are provided between contact surface of n-polarized semiconductor light-emitting chip and front-side surface of metallization region Download PDF

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Abstract

The illuminating device (L1) has an electrically insulating substrate (1) having metallization portion which is provided with p-polarized semiconductor light-emitting chip and n-polarized semiconductor light-emitting chip (4). The bonding wires (6) are provided between contact surface (5) of n-polarized semiconductor light-emitting chip and front-side surface of metallization region (3). The semiconductor light-emitting chips are formed of indium-gallium-nitride or aluminum-gallium-indium-phosphorous. The ceramic phosphor plates are formed in light-emitting chips.

Description

Die Erfindung betrifft eine Leuchtvorrichtung, aufweisend ein elektrisch isolierendes Substrat mit mindestens einem Metallisierungsbereich, wobei die Leuchtvorrichtung mit mehreren Halbleiterleuchtchips bestückt ist, welche mit ihrer elektrisch kontaktierenden Rückseite auf einem Metallisierungsbereich aufliegen. Die Erfindung ist besonders vorteilhaft anwendbar für Vorrichtungen mit einer begrenzten Etendue. Die Erfindung ist beispielsweise anwendbar bei einer Allgemeinbeleuchtung, einer Bühnenbeleuchtung, für Projektoren (z.B. für Computer, Videoprojektoren oder mobile Projektoren, z.B. als einem Teil einen Handheldgeräts) als auch zur Lichteinkopplung in Lichtleiter, insbesondere für Endoskope.The invention relates to a lighting device, comprising an electrically insulating substrate having at least one metallization region, wherein the lighting device is equipped with a plurality of semiconductor light chips, which rest with their electrically contacting back on a metallization region. The invention is particularly advantageously applicable to devices with a limited etendue. The invention is applicable, for example, to general lighting, stage lighting, to projectors (e.g., for computers, video projectors or mobile projectors, e.g., as a part of a handheld device), as well as to light coupling into optical fibers, particularly endoscopes.

Es ist eine Leuchtvorrichtung der oben genannten Art bekannt, bei der mehrere identische LED-Chips auf einem jeweiligen Metallisierungsbereich aufliegen. Diese LED-Chips sind üblicherweise in Reihe geschaltet, wobei eine oberseitige Kontaktfläche des LED-Chips mit einem Metallisierungsbereich eines benachbarten LED-Chips mit einem Bonddraht verdrahtet ist. Bei einer Bestückung mit einer hohen Packungsdichte müssen jedoch verschiedene Dimensionierungen eingehalten werden, beispielsweise ein Mindestabstand zwischen benachbarten Metallisierungsbereichen (typischerweise mindestens 150 Mikrometer), um eine ausreichende elektrische Isolierung zu gewährleisten, und eine Mindestgröße des Metallisierungsbereichs, um erstens eine Bestückungenauigkeit berücksichtigen zu können und um zweitens eine ausreichende Fläche zur Verdrahtung mit anderen LED-Chips zu erlauben. Deshalb, und weil die oberseitigen Kontaktflächen der LED-Chips und die Metallisierungsbereiche auf einer unterschiedlichen Höhe liegen (die unterschiedliche Höhe definiert einen lateralen Mindestabstand zwischen der oberseitigen Kontaktfläche und dem damit verdrahteten Metallisierungsbereich), ist eine Packungsdichte begrenzt.It is known a lighting device of the above type, in which a plurality of identical LED chips rest on a respective Metallisierungsbereich. These LED chips are usually connected in series, wherein an upper-side contact surface of the LED chip is wired to a metallization region of an adjacent LED chip with a bonding wire. However, in a high density package, various sizing needs to be maintained, such as a minimum spacing between adjacent metallization areas (typically at least 150 microns) to provide adequate electrical isolation, and a minimum metallization area to accommodate, firstly, placement inaccuracies second, to allow sufficient area for wiring with other LED chips. Therefore, and because the top contact surfaces of the LED chips and the metallization regions are at a different height (the different height defines a lateral minimum distance between the top side contact surface and the metallization region wired thereto), a packing density is limited.

Die Aufgabe der Erfindung besteht darin, eine Leuchtvorrichtung der eingangs genannten Art mit einer höheren Packungsdichte oder Füllfaktor bereitzustellen.The object of the invention is to provide a lighting device of the type mentioned above with a higher packing density or fill factor.

Diese Aufgabe wird gemäß den Merkmalen der unabhängigen Patentansprüche gelöst. Weiterbildungen der Erfindung ergeben sich auch aus den abhängigen Ansprüchen.This object is achieved according to the features of the independent claims. Further developments of the invention will become apparent from the dependent claims.

Die Aufgabe wird gelöst durch eine Leuchtvorrichtung, aufweisend ein elektrisch isolierendes Substrat mit mindestens einem Metallisierungsbereich, wobei der mindestens eine Metallisierungsbereich bestückt ist mit mindestens einem p-gepolten Halbleiterleuchtchip, welcher als Kathode eine mit einem Metallisierungsbereich elektrisch verbindbare rückseitige Kontaktfläche und als Anode eine vorderseitige Kontaktfläche aufweist, und mit mindestens einem n-gepolten Halbleiterleuchtchip, welcher als Anode einen mit einem Metallisierungsbereich elektrisch verbindbaren rückseitigen Boden und als Kathode eine vorderseitige Kontaktfläche aufweist, wobei der mindestens eine Metallisierungsbereich jeweils sowohl mit einem p-gepolten Halbleiterleuchtchip als auch mit einem n-gepolten Halbleiterleuchtchip bestückt ist.The object is achieved by a lighting device comprising an electrically insulating substrate having at least one metallization region, the at least one metallization region being populated with at least one p-polarized semiconductor luminescent chip, which has as cathode a back contact surface which can be electrically connected to a metallization region and as an anode a front contact surface and at least one n-poled semiconductor luminescent chip having as anode an electrically connectable back ground to a metallization region and as cathode a front side contact surface, wherein the at least one metallization each with both a p-poled semiconductor luminescent chip and with an n-poled Semiconductor light chip is populated.

Während bei den bekannten Leuchtvorrichtungen für jede der Halbleiterleuchtchips ein technologisch bedingter Mindestabstand für zugehörige Metallisierungsbereiche eingehalten werden muss, entfällt dies bei der vorliegenden Leuchtvorrichtung für die beiden auf einem gemeinsamen Metallisierungsbereich angeordneten Halbleiterleuchtchips. Bei diesen braucht nur noch ein (kleinerer) gegenseitiger Bestückungsabstand eingehalten zu werden, um eine Berührung der Halbleiterleuchtchips zu vermeiden, was eine Packungsdichte der Leuchtvorrichtung steigert. Der Flächenbedarf wird weiter dadurch reduziert, dass der Metallisierungsbereich keinen freiliegenden Kontaktierungsbereich neben den Halbleiterleuchtchips mehr aufzuweisen braucht.While in the known lighting devices for each of the semiconductor luminescent chips, a technologically-related minimum distance for associated metallization areas must be maintained, this is omitted in the present luminous device for the two semiconductor luminescent chips arranged on a common metallization region. In these, only a (smaller) mutual insertion distance needs to be maintained in order to avoid contact of the semiconductor luminescent chips, which increases a packing density of the lighting device. The area requirement is further reduced by the fact that the metallization area no longer needs to have any exposed contacting area in addition to the semiconductor luminescent chips.

Bei dieser Leuchtvorrichtung sind die beiden gepaarten Halbleiterleuchtchips folglich mittels des Metallisierungsbereichs zueinander elektrisch in Reihe geschaltet. Über ihre oberseitigen Kontaktflächen sind die Halbleiterleuchtchips extern bezüglich des Metallisierungsbereichs kontaktierbar, z.B. mit einem anderen Halbleiterleuchtchip oder mit einem elektrischen Anschluss.In this luminous device, the two paired semiconductor luminescent chips are consequently connected electrically in series to one another by means of the metallization region. Via their upper-side contact surfaces, the semiconductor luminescent chips are externally contactable with respect to the metallization region, e.g. with another semiconductor light chip or with an electrical connection.

Die Halbleiterleuchtchips emittieren ihr Primärlicht insbesondere vorderseitig bzw. in einen vorderseitigen Halbraum. Die rückseitige Kontaktfläche entspricht insbesondere ihrer Auflagefläche auf dem Metallisierungsbereich.The semiconductor luminescent chips emit their primary light in particular on the front side or in a front half space. The rear contact surface corresponds in particular to its contact surface on the metallization region.

Die Halbleiterleuchtchips können Leuchtdioden(LED)-Chips, Laserdiodenchips oder andere Halbleiterleuchtchips sein.The semiconductor luminescent chips may be light emitting diode (LED) chips, laser diode chips or other semiconductor luminescent chips.

Es ist eine Ausgestaltung, dass die Halbleiterleuchtchips LED-Nacktchips sind. So wird eine besonders einfache und preiswerte Leuchtvorrichtung mit einer hohen Packungsdichte bereitgestellt. Bei den LED-Nacktchips ("Die" oder "Bare Die") kann die Anode in Form einer p-dotierten Halbleiterschicht bereitgestellt werden und die Kathode in Form einer n-dotierten Halbleiterschicht. Dazu braucht der LED-Nacktchip nach seiner Vereinzelung insbesondere nicht weiter behandelt zu werden. Folglich kann ein p-gepolter LED-Nacktchip insbesondere mit seiner n-dotierten Schicht als rückseitiger Kontaktfläche auf dem Metallisierungsbereich aufliegen, und seine n-dotierte Schicht kann als die vorderseitige Kontaktfläche dienen ("p-up"). Analog kann ein n-gepolter LED-Nacktchip insbesondere mit seiner p-dotierten Schicht als rückseitiger Kontaktfläche auf dem Metallisierungsbereich aufliegen, und seine n-dotierte Schicht kann als die vorderseitige Kontaktfläche dienen ("n-up").It is an embodiment that the semiconductor luminescent chips are LED bare chips. Thus, a particularly simple and inexpensive lighting device is provided with a high packing density. In the case of the LED dies ("die" or "bare die"), the anode may be provided in the form of a p-doped semiconductor layer and the cathode in the form of an n-doped semiconductor layer. For this purpose, the LED nude chip does not need to be treated further after being singulated. Consequently, a p-polarized LED die, in particular with its n-doped layer as the back contact surface, can rest on the metallization region, and its n-doped layer can serve as the front-side contact surface ("p-up"). Analogously, an n-polarized LED die, in particular with its p-doped layer as the rear contact surface, can rest on the metallization region, and its n-doped layer can serve as the front-side contact surface ("n-up").

Die LED-Nacktchips können insbesondere mittels einer Nacktchipmontage (COB; "Chip on Board") auf dem Metallisierungsbereich angeordnet werden. In particular, the LED dies can be arranged on the metallization area by means of a chip on board (COB).

Es ist noch eine Ausgestaltung, dass der mindestens eine p-gepolte Halbleiterleuchtchip und der mindestens eine n-gepolte Halbleiterleuchtchip InGaN-Chips sind. Unter einem InGaN-Chip kann insbesondere ein Halbleiterleuchtchip mit InGaN als Halbleitermaterial verstanden werden.It is yet an embodiment that the at least one p-poled semiconductor luminescent chip and the at least one n-poled semiconductor luminescent chip are InGaN chips. In particular, a semiconductor luminescent chip with InGaN as a semiconductor material can be understood as an InGaN chip.

Es ist noch eine weitere Ausgestaltung, dass der mindestens eine p-gepolte Halbleiterleuchtchip ein InGaN-Chip ist und der mindestens eine n-gepolte Halbleiterleuchtchip ein AlGaInP-Chip ist.In yet another embodiment, the at least one p-polarized semiconductor luminescent chip is an InGaN chip and the at least one n-polarized semiconductor luminescent chip is an AlGaInP chip.

Unter einem AlGaInP-Chip kann insbesondere ein Halbleiterleuchtchip mit AlGaInP als Halbleitermaterial verstanden werden. Ein InGaN-Chip kann insbesondere blaues oder grünes Licht emittieren. Ein AlGaInP-Chip kann insbesondere bernsteinfarbenes oder rotes Licht emittieren. Hierdurch wird insbesondere bei Dünnschichtchips eine einfache Montage und Kontaktierung der Halbleiterleuchtchips ermöglicht.An AlGaInP chip can be understood in particular to be a semiconductor luminescent chip with AlGaInP as the semiconductor material. In particular, an InGaN chip can emit blue or green light. In particular, an AlGaInP chip can emit amber or red light. As a result, in particular with thin-film chips, a simple assembly and contacting of the semiconductor luminescent chips is made possible.

Es ist noch eine Ausgestaltung, dass die Leuchtvorrichtung mehrere bestückte Metallisierungsbereiche aufweist, wobei die oberseitige Kontaktfläche eines p-gepolten Halbleiterleuchtchips zumindest eines Metallisierungsbereichs und die oberseitige Kontaktfläche eines n-gepolten Halbleiterleuchtchips zumindest eines anderen Metallisierungsbereichs miteinander elektrisch leitend verbunden sind.It is yet an embodiment that the lighting device has a plurality of populated metallization regions, wherein the upper-side contact surface of a p-poled Halbleiterleuchtchips at least one metallization region and the upper-side contact surface of an n-poled Halbleiterleuchtchips at least one other Metallisierungsbereichs are electrically connected to each other.

Die Metallisierungsbereiche sind zueinander beabstandet auf dem Substrat angeordnet.The metallization regions are arranged at a distance from each other on the substrate.

Es ist ferner eine Ausgestaltung, dass oberseitige Kontaktflächen der Halbleiterleuchtchips mittels eines Bonddrahts miteinander elektrisch leitend verbunden sind. Diese Verbindung ist besonders einfach herstellbar. Dadurch, dass sich die Kontaktflächen auf zumindest in etwa gleicher Höhe befinden, kann der Bonddraht nun (anstelle einen Bonddraht wie bisher von einer höher gelegenen Kontaktfläche auf einen tiefer gelegenen Metallisierungsbereich führen zu müssen) mit seinen Enden auf etwa gleicher Höhe angebondet werden. Wegen des Wegfalls des Höhenunterschieds und des Wegfalls eines bisher auf dem Metallisierungsbereich vorzusehenden Kontaktbereichs neben einem Halbleiterleuchtchip verringert sich der erforderliche Mindestabstand zwischen den Halbleiterleuchtchips weiter.It is also an embodiment that upper-side contact surfaces of the semiconductor luminescent chips are electrically conductively connected to one another by means of a bonding wire. This connection is particularly easy to produce. Due to the fact that the contact surfaces are at at least approximately the same height, the bonding wire can now be bonded to its ends at approximately the same height (instead of having to guide a bonding wire from a higher contact surface to a lower metallization region). Because of the omission of the height difference and the omission of a previously provided on the metallization area contact area next to a semiconductor light chip, the required minimum distance between the semiconductor luminescent chips further reduced.

Es ist auch eine Ausgestaltung, dass oberseitige Kontaktflächen der Halbleiterleuchtchips mittels eines in einer planaren Verbindungstechnologie hergestellten, elektrisch leitfähigen Verbindungselements miteinander elektrisch leitend verbunden sind. Durch die planare PI-Verbindungstechnologie (engl. "planar interconnect (PI) technology", z.B. SiPLIT, "Siemens Planar Interconnect Technology") wird ein noch engerer Abstand der Halbleiterleuchtchips als beim Drahtbonden ermöglicht. Die Planarität kann insbesondere durch die erforderliche dielektrische Durchschlagstärke und die Dicke des Verbindungselements ("Interconnect") untereinander definiert werden. Für geringe Ströme kann die Gesamtdicke des planaren Verbindungselements untereinander bis zu einer Dicke interner Chipverbindungsschichten verringert werden.It is also an embodiment that upper-side contact surfaces of the semiconductor luminescent chips are connected to one another in an electrically conductive manner by means of an electrically conductive connecting element produced in a planar connection technology. Planar interconnect (PI) technology, such as SiPLIT, Siemens Planar Interconnect Technology, provides even closer spacing of the semiconductor chips than wire bonding. The planarity can be defined in particular by the required dielectric breakdown strength and the thickness of the connecting element ("interconnect") with each other. For low currents, the overall thickness of the planar connector may be reduced to each other to a thickness of internal chip interconnect layers.

Die PI-Verbindungstechnologie kann insbesondere einen oder mehrere der folgenden Ablaufschritte umfassen:In particular, the PI connection technology may include one or more of the following steps:

Zunächst kann Isoliermaterial zwischen die Halbleiterleuchtchips eingebracht werden, z.B. mittels eines Dispensierens oder mittels einer Laminierung eines fotolithografisch strukturierbaren Harzes. Dies kann beispielsweise ähnlich zu durch eine Lotmaske definierten Feldern auf einer Leiterplatte geschehen. Das Isoliermaterial kann entweder dauerhaft verbleiben oder wieder entfernt werden, z.B. entfernt im Sinne einer Opferschicht, die nach einer Herstellung der elektrischen Verbindung(en) wieder entfernt wird.First, insulating material may be introduced between the semiconductor luminescent chips, e.g. by means of dispensing or by lamination of a photolithographically structurable resin. This can be done, for example, similar to defined by a solder mask fields on a circuit board. The insulating material may either remain permanently or be removed, e.g. removed in the sense of a sacrificial layer, which is removed after a preparation of the electrical connection (s) again.

Folgend können planare leitfähige Schichten (z.B. Streifen) erzeugt werden, z.B. durch Aufsputtern oder mittels einer Galvanisierung oder Galvanotechnik. Die planaren leitfähige Schichten verbinden zumindest zwei oberseitige Kontaktflächen der Halbleiterleuchtchips. Eine Strukturierung der leitfähigen Schichten kann beispielsweise erreicht werden durch eine Verwendung eines lithografisch strukturierten Fotolacks (z.B. eines Trockenfilm-Fotolacks oder eines aufgesprühten (nassen) Photolacks).Subsequently, planar conductive layers (e.g., stripes) may be produced, e.g. by sputtering or by means of a galvanization or electroplating technique. The planar conductive layers connect at least two upper-side contact surfaces of the semiconductor luminescent chips. Patterning of the conductive layers can be accomplished, for example, by use of a lithographically patterned photoresist (e.g., a dry film photoresist or a sprayed (wet) photoresist).

Es ist eine Weiterbildung, dass die Halbleiterleuchtchips elektrisch in Reihe angeordnet sind, insbesondere mit abwechselnd in Reihe angeordneten p-gepolten Halbleiterleuchtchips und n-gepolten Halbleiterleuchtchips. Bei einer solchen Anordnung ist ein elektrisch trennender Abstand zueinander benachbarter Metallisierungsbereiche nur noch nach jeweils zwei Halbleiterleuchtchips erforderlich, so dass der Raumbedarf weiter reduzierbar ist. Dadurch ist eine solche Anordnung besonders einfach verdrahtbar.It is a development that the Halbleiterleuchtchips are arranged electrically in series, in particular with alternately arranged in series p-poled Halbleiterleuchtchips and n-poled Halbleiterleuchtchips. In such an arrangement, an electrically separating distance of adjacent metallization regions is required only after every two semiconductor luminescent chips, so that the space requirement can be further reduced. As a result, such an arrangement is particularly easy to wire.

Es ist auch noch eine Ausgestaltung, dass ein Abstand zwischen dem p-gepolten Halbleiterleuchtchip und dem n-gepolten Halbleiterleuchtchip auf demselben Metallisierungsbereich kleiner als 150 µm, insbesondere kleiner als 110 µm, ist. So kann eine hohe Packungsdichte ohne einen technischen Mehraufwand erreicht werden. Dies gilt insbesondere bei einem Abstand von etwa 150 µm zwischen zwei zueinander benachbarten Metallisierungsbereichen, einer Bestückungsgenauigkeit der Halbleiterleuchtchips von etwa 50 µm und einem Abstand benachbarter Kontaktflächen von etwa 300 µm. It is also an embodiment that a distance between the p-polarized semiconductor luminescent chip and the n-poled semiconductor luminescent chip on the same metallization region is smaller than 150 μm, in particular smaller than 110 μm. Thus, a high packing density can be achieved without any additional technical effort. This is especially true at a distance of about 150 microns between two adjacent metallization regions, a placement accuracy of the semiconductor luminescent chips of about 50 microns and a distance of adjacent contact surfaces of about 300 microns.

Es ist außerdem eine Ausgestaltung, dass zumindest einem der Halbleiterleuchtchips mindestens ein Leuchtstoff direkt nachgeschaltet ist. So kann eine kompakte und verlustarme Bauform auch für Konversions-LED-Anordnungen oder Konversions-Halbleiterleuchtchips erreicht werden. Unter einem Konversions-Halbleiterleuchtchip kann allgemein ein Halbleiterleuchtchip verstanden werden, welchem direkt/unmittelbar mindestens ein Leuchtstoff nachgeschaltet ist.It is also an embodiment that at least one of the semiconductor luminescent chips at least one phosphor is connected directly downstream. Thus, a compact and low-loss design can also be achieved for conversion LED arrays or conversion semiconductor luminescent chips. A conversion semiconductor light chip can generally be understood to mean a semiconductor light chip, to which directly / directly at least one phosphor downstream is connected.

Ein Leuchtstoff (engl. häufig auch als "Phosphor" bezeichnet) ist insbesondere ein wellenlängenumwandelnder Stoff, welcher ein von den Halbleiterleuchtchips emittiertes Primärlicht zumindest teilweise in Licht anderer Wellenlänge, insbesondere längerer Wellenlänge ("down converting") umwandelt. Dadurch kann mittels des Halbleiterleuchtchips insbesondere ein Mischlicht aus einem wellenlängenumgewandelten (Konversions-)Lichtanteil und einem nicht-wellenlängenumgewandelten Primärlichtanteil erzeugt werden. Insbesondere kann das Primärlicht blaues Licht sein und der Leuchtstoff eine teilweise Wellenlängenumwandlung in gelbes Licht durchführen, so dass insbesondere weißes Mischlicht erzeigt werden kann.A luminescent substance (also frequently referred to as "phosphor") is, in particular, a wavelength-converting substance which at least partially converts a primary light emitted by the semiconductor luminescent chips into light of a different wavelength, in particular a longer wavelength ("down-converting"). As a result, by means of the semiconductor light chip in particular a mixed light of a wavelength-converted (conversion) light component and a non-wavelength-converted primary light component can be generated. In particular, the primary light can be blue light and the phosphor can perform a partial wavelength conversion to yellow light, so that in particular white mixed light can be produced.

Der Leuchtstoff kann beispielsweise als Füllmaterial in einem Vergussmaterial vorhanden sein, wobei die eine Emitterfläche des Halbleiterleuchtchips mit diesem Vergussmaterial vergossen ist.The phosphor may be present, for example, as a filling material in a potting material, wherein the one emitter surface of the semiconductor luminescent chip is potted with this potting material.

Es ist noch eine weitere Ausgestaltung, dass der mindestens eine Leuchtstoff als eine dünne Platte auf mindestens einen Halbleiterleuchtchip aufgeklebt ist. Dies vereinfacht eine Herstellung der Leuchtvorrichtung. Diese Ausgestaltung wird insbesondere dadurch ermöglicht, dass die Halbleiterleuchtchips eine im Wesentlichen gleiche Höhe aufweisen.It is yet another embodiment that the at least one phosphor is glued as a thin plate on at least one semiconductor luminescent chip. This simplifies production of the lighting device. This embodiment is made possible in particular by the fact that the semiconductor luminescent chips have a substantially identical height.

Eine dünne Leuchtstoffplatte oder Leuchtstoffplättchen kann auf jeweils einen Halbleiterleuchtchip aufgebracht, insbesondere aufgeklebt, sein. Alternativ mag eine Leuchtstoffplatte auf mehrere Halbleiterleuchtchips aufgebracht sein.A thin phosphor plate or phosphor plate can be applied to a respective semiconductor light chip, in particular adhesively bonded. Alternatively, a phosphor plate may be applied to a plurality of semiconductor luminescent chips.

Es ist außerdem noch eine Ausgestaltung, dass der Leuchtstoff ein keramischer Leuchtstoff ist. Ein solcher Leuchtstoff ist besonders temperaturbeständig. Ein solcher Leuchtstoff kann z.B. LuAG:Ce, YAG:Ce oder (Ba,Sr)-SiON für eine grün-gelbe Lichtfarbe und z.B. (Ca,Sr,Ba)2Si5N8:Eu2+ oder (Sr,Ca):AlSiN:Eu2+ zur Rotumwandlung aufweisen. Ein keramischer Leuchtstoff ist zudem mechanisch stabil und kann zu einem selbsttragenden Körper verarbeitet werden, was seine Handhabung erleichtert.It is also an embodiment that the phosphor is a ceramic phosphor. Such a phosphor is particularly temperature resistant. Such a phosphor may be, for example, LuAG: Ce, YAG: Ce or (Ba, Sr) -SiON for a green-yellow light color and eg (Ca, Sr, Ba) 2 Si 5 N 8 : Eu 2+ or (Sr, Ca) : AlSiN: show Eu 2+ for red-conversion. A ceramic phosphor is also mechanically stable and can be processed into a self-supporting body, which facilitates its handling.

Es ist noch eine Ausgestaltung, dass zumindest einem der Halbleiterleuchtchips ein Leuchtstoff beabstandet nachgeschaltet ist. Ein solcher beabstandeter Leuchtstoff ("Remote Phosphor") kann einen Vorteil bezüglich einer Aufbringung und einer mechanischen Festigkeit aufweisen. Der beabstandete Leuchtstoff kann beispielsweise auf einem geeigneten Träger aufgebracht sein. Die beabstandete Anordnung kann eine bessere Entwärmung der Halbleiterleuchtchips ermöglichen und erlaubt zudem eine größere Auswahl an Leuchtstoffen.It is still an embodiment that at least one of the semiconductor luminescent chips is arranged downstream of a phosphor. Such a remote phosphor ("remote phosphor") may have an advantage in terms of application and mechanical strength. The spaced phosphor can be applied, for example, on a suitable carrier. The spaced arrangement may allow for better cooling of the semiconductor luminescent chips and also allows a wider choice of phosphors.

Es ist noch eine weitere Ausgestaltung, dass zumindest zwei Halbleiterleuchtchips unterschiedliche Leuchtstoffe nachgeschaltet sind. So lässt sich von der Leuchtvorrichtung auf besonders einfache Weise mit Halbleiterleuchtchips mit gleichem oder unterschiedlichem Halbleiteraufbau Licht unterschiedlicher Farbe, ggf. als Mischlicht, abstrahlen. Auch mag zumindest einem Halbleiterleuchtchip, insbesondere einer Art von Halbleiterleuchtchips, mindestens ein Leuchtstoff nachgeschaltet sein und mindestens einem anderen Halbleiterleuchtchip, insbesondere einer anderen Art von Halbleiterleuchtchips, kein Leuchtstoff nachgeschaltet sein.It is yet a further embodiment that at least two semiconductor luminescent chips different phosphors are connected downstream. Thus, light of different color, possibly as mixed light, can be emitted by the lighting device in a particularly simple manner with semiconductor light chips having the same or different semiconductor structure. Also, at least one semiconductor luminescent chip, in particular one type of semiconductor luminescent chip, may be followed by at least one phosphor and at least one other semiconductor luminescent chip, in particular a different type of semiconductor luminescent chip, may not be followed by a luminescent substance.

Es ist auch eine Ausgestaltung, dass die Halbleiterleuchtchips als Dünnschichtchips ausgebildet sind, z.B. als sog. "ThinGaN"-Chips. So wird eine besonders einfache Kontaktierungsmöglichkeit bei einer großen Emitterfläche und einer kompakten Bauweise ermöglicht.It is also an embodiment that the semiconductor luminescent chips are formed as thin-film chips, e.g. as so-called "ThinGaN" chips. Thus, a particularly simple contacting possibility is possible with a large emitter surface and a compact design.

Die Leuchtvorrichtung kann insbesondere ein Package sein. Das Package kann als ein einzeln montierbares, insbesondere bestückbares, Bauteil ausgestaltet sein, z.B. als ein SMD-Bauteil.The lighting device may in particular be a package. The package can be configured as a component which can be mounted individually, in particular can be fitted, e.g. as an SMD component.

Die Erfindung ist beispielsweise anwendbar bei einer Allgemeinbeleuchtung, einer Bühnenbeleuchtung, für Projektoren (z.B. für Computer, Videoprojektoren oder mobile Projektoren, z.B. als einem Teil einen Handheldgeräts) als auch zur Lichteinkopplung in Lichtleiter, insbesondere für Endoskope und mag auch solche Vorrichtungen als eigenständige Erfindungen umfassen. Die Leuchtvorrichtung kann also beispielsweise ein Projektor oder ein Endoskop sein.The invention is applicable, for example, in general lighting, stage lighting, for projectors (eg for computers, video projectors or mobile projectors, eg as a part of a handheld device) as well as for light coupling in light guides, in particular for endoscopes and may also include such devices as independent inventions , The lighting device may thus be, for example, a projector or an endoscope.

Die oben beschriebenen Eigenschaften, Merkmale und Vorteile dieser Erfindung sowie die Art und Weise, wie diese erreicht werden, werden klarer und deutlicher verständlich im Zusammenhang mit der folgenden schematischen Beschreibung eines Ausführungsbeispiels, das im Zusammenhang mit den Zeichnungen näher erläutert wird. Dabei können zur Übersichtlichkeit gleiche oder gleichwirkende Elemente mit gleichen Bezugszeichen versehen sein. The above-described characteristics, features and advantages of this invention, as well as the manner in which they are achieved, will become clearer and more clearly understood in connection with the following schematic description of an embodiment which will be described in detail in conjunction with the drawings. In this case, the same or equivalent elements may be provided with the same reference numerals for clarity.

1 zeigt in Draufsicht eine bekannte Leuchtvorrichtung; 1 shows in plan view a known lighting device;

2 zeigt in Draufsicht eine erfindungsgemäße Leuchtvorrichtung. 2 shows a top view of a lighting device according to the invention.

1 zeigt in Draufsicht eine bekannte Leuchtvorrichtung L1. Die Leuchtvorrichtung L1 weist ein elektrisch isolierendes Substrat 1, z.B. eine Keramikplatte, mit mehreren an dessen Vorderseite 2 aufgebrachten Metallisierungsbereichen 3 auf. Die Metallisierungsbereiche 3 sind identisch geformt und im Wesentlichen matrixförmig angeordnet, wobei die Metallisierungsbereiche 3 jeweils mit einem Halbleiterleuchtchip in Form eines n-gepolten LED-Nacktchips 4 bestückt sind. Die n-gepolten LED-Nacktchips 4 liegen hier als InGaN-Dünnschichtchips vor. Die Bestückung erfolgt mittels einer Nacktchipmontage (Chip-on-Board-Montage), bei welcher eine p-dotierte Halbleiterschicht als eine rückseitige Kontaktfläche (Anode) dient und auf dem jeweiligen Metallisierungsbereich 3 aufliegt. Die vorderseitige n-dotierte Halbleiterschicht ("n-up") dient als Kontaktfläche 5 (Kathode) für eine Verdrahtung des LED-Nacktchips 4. Von den LED-Nacktchips 4 wird Licht in einen vorderen Halbraum gestrahlt. 1 shows in plan view a known lighting device L1. The lighting device L1 has an electrically insulating substrate 1 , for example, a ceramic plate, with several at the front 2 applied metallization areas 3 on. The metallization areas 3 are identically shaped and arranged substantially in a matrix, the metallization areas 3 each with a semiconductor luminescent chip in the form of an n-polarized LED nude chip 4 are equipped. The n-polarized LED nude chips 4 are here as InGaN thin-film chips. The assembly takes place by means of a chip mounting (chip-on-board assembly), in which a p-doped semiconductor layer serves as a back-side contact surface (anode) and on the respective metallization region 3 rests. The front-side n-doped semiconductor layer ("n-up") serves as a contact surface 5 (Cathode) for a wiring of the LED nude chip 4 , From the LED naked chips 4 Light is blasted into an anterior half space.

Die Verdrahtung erfolgt durch Bonddrähte 6 zwischen einer Kontaktfläche 5 eines n-gepolten LED-Nacktchips 4 und einer vorderseitig freien Fläche eines benachbarten Metallisierungsbereichs 3. Dadurch werden die n-gepolten LED-Nacktchips 4 elektrisch in Reihe geschaltet. Ein externer elektrischer Anschluss kann über eine Verdrahtung einer Kontaktfläche 5 eines endständigen n-gepolten LED-Nacktchips 4 mit einem Anschluss-Kontaktfeld 7 und über eine Verlängerung 8 eines Metallisierungsbereichs 3 des anderen endständigen LED-Nacktchips 4 erfolgen.The wiring is done by bonding wires 6 between a contact surface 5 an n-polarized LED nude chip 4 and a front-side free surface of an adjacent metallization region 3 , This will make the n-polarized LED nude chips 4 electrically connected in series. An external electrical connection can be via a wiring of a contact surface 5 a terminal n-polarized LED nude chip 4 with a connection contact field 7 and about an extension 8th a metallization region 3 the other terminal LED nude chips 4 respectively.

Eine Packungsdichte oder ein Füllfaktor wird durch mehrere Faktoren begrenzt, nämlich durch einen zur elektrischen Isolierung benötigten Abstand zwischen den Metallisierungsbereichen 3 von mindestens 150 Mikrometern, durch eine Bestückungsgenauigkeit von ca. 50 Mikrometern und durch einen seitlichen Mindestabstand zwischen einer vorderseitigen Kontaktfläche 5 und einem damit verdrahteten Metallisierungsbereich 3 von mindestens ca. 300 Mikrometern. Darüber hinaus muss die freie Fläche der Metallisierungsbereiche 3 zur Verdrahtung vorgesehen sein. Insgesamt ergibt sich so für die gezeigte Leuchtvorrichtung L1 bei einer von den ungefähr matrixförmig angeordneten n-gepolten LED-Nacktchips 4 belegten Fläche (einschließlich der Zwischenräume) von ca. 25,4 Quadratmillimetern eine Packungsdichte von ca. 63%.A packing density or fill factor is limited by several factors, namely a distance between the metallization regions required for electrical insulation 3 of at least 150 microns, by a placement accuracy of about 50 microns and by a lateral minimum distance between a front-side contact surface 5 and a metallization region wired thereto 3 of at least about 300 microns. In addition, the free area of the metallization areas must be 3 be provided for wiring. Overall, this results for the lighting device L1 shown in one of the approximately matrix-shaped arranged n-polarized LED nude chips 4 occupied area (including the gaps) of about 25.4 square millimeters, a packing density of about 63%.

2 zeigt in Draufsicht eine erfindungsgemäße Leuchtvorrichtung L2. Die Leuchtvorrichtung L2 unterscheidet sich von der Leuchtvorrichtung L1 dadurch, dass sie mehrere, vergrößerte Metallisierungsbereiche 9 aufweist, welche jeweils mit einem n-gepolten LED-Nacktchips 4 als auch mit einem p-gepolten LED-Nacktchip 10 bestückt sind. Bei den p-gepolten LED-Nacktchips 10 dient eine n-dotierte Halbleiterschicht als eine rückseitige Kontaktfläche (Kathode). Als die Kontaktfläche 5 (Anode) dient nun eine vorderseitige p-dotierte Halbleiterschicht ("p-up"). Von den p-gepolten LED-Nacktchips 10 wird Licht in einen vorderen Halbraum gestrahlt. Beide LED-Nacktchips 4, 10 können InGaN-Chips sein. Alternativ mögen z.B. die p-gepolten LED-Nacktchips 10 InGaN-Chips sein und die n-gepolten LED-Nacktchips 4 AlGaInP-Chips sein. 2 shows in plan view a lighting device L2 according to the invention. The lighting device L2 differs from the lighting device L1 in that it has a plurality of enlarged metallization regions 9 each having an n-polarized LED nude chip 4 as well as with a p-polarized LED nude chip 10 are equipped. For the p-polarized LED nude chips 10 An n-type semiconductor layer serves as a back contact surface (cathode). As the contact surface 5 (Anode) is now a front-side p-doped semiconductor layer ("p-up"). From the p-polarized LED nude chips 10 Light is blasted into an anterior half space. Both LED nude chips 4 . 10 can be InGaN chips. Alternatively, for example, like the p-polarized LED nude chips 10 InGaN chips and the n-polarized LED nude chips 4 AlGaInP chips.

Die n-gepolten LED-Nacktchips 4 und die p-gepolten LED-Nacktchips 10 eines gemeinsamen Metallisierungsbereichs 9 sind also bereits durch den Metallisierungsbereich 9 elektrisch verbunden und brauchen nicht gesondert verdrahtet zu werden. Dadurch kann ein Abstand zwischen diesen beiden LED-Nacktchips 4, 10 verringert werden. Entsprechend kann auch der Metallisierungsbereich 9 um die nicht mehr benötigten Kontaktierungsfreiflächen verkürzt werden. Ein weiterer Vorteil ist, dass die LED-Nacktchips 4, 10 beliebig zueinander verdreht sein können, ohne die elektrische Verbindung zwischen ihnen anpassen zu brauchen.The n-polarized LED nude chips 4 and the p-polarized LED nude chips 10 a common metallization region 9 So they are already through the metallization area 9 electrically connected and need not be wired separately. This can be a distance between these two LED nude chips 4 . 10 be reduced. Accordingly, the metallization region 9 be shortened by the no longer required Kontaktierungsfreiflächen. Another advantage is that the LED naked chips 4 . 10 can be rotated arbitrarily to each other without having to adjust the electrical connection between them.

Zur elektrischen Kontaktierung von LED-Nacktchips 4, 10 verschiedener Metallisierungsbereiche 9 können vorderseitige Kontaktflächen 5 benachbarter, gegenpoliger LED-Nacktchips 4 bzw. 10 benachbarter Metallisierungsbereiche 9 miteinander über Bonddrähte 6 verdrahtet sein. So kann insbesondere eine elektrische Reihenschaltung der abwechselnd angeordneten LED-Nacktchips 4 und 10 erreicht werden.For electrical contacting of LED nude chips 4 . 10 different metallization areas 9 can front contact surfaces 5 adjacent, opposite polarity LED nude chips 4 respectively. 10 adjacent metallization areas 9 with each other via bonding wires 6 be wired. Thus, in particular, an electrical series connection of the alternately arranged LED nude chips 4 and 10 be achieved.

Da die Kontaktflächen 5 der LED-Nacktchips 4 und 10 zumindest annähernd auf einer Höhe liegen, kann eine Bondlänge verkürzt werden und die Metallisierungsbereiche 9 noch weiter aneinander herangeführt werden.Because the contact surfaces 5 the LED nude chips 4 and 10 at least approximately at a height, a bond length can be shortened and the metallization areas 9 still be brought closer to each other.

Bei den hier ebenfalls zumindest annähernd matrixförmig angeordneten sechzehn LED-Nacktchips 4 und 10 wird eine Flächenbelegung von nur 21,1 Quadratmillimetern benötigt, was einer Packungsdichte von ca. 76% entspricht. Gegenüber der Leuchtvorrichtung L1 kann also eine Erhöhung der Packungsdichte von ca. 20% erreicht werden.In the here also at least approximately arranged in matrix form sixteen LED nude chips 4 and 10 a surface coverage of only 21.1 square millimeters is needed, which corresponds to a packing density of about 76%. Compared to the lighting device L1, therefore, an increase in the packing density of about 20% can be achieved.

Ein externer elektrischer Anschluss erfolgt hier über eine Verdrahtung der Kontaktflächen 5 der endständigen LED-Nacktchips 4, 10 mit einem jeweiligen Anschluss-Kontaktfeld 7.An external electrical connection is made here via a wiring of the contact surfaces 5 the terminal LED nude chips 4 . 10 with a respective connection contact field 7 ,

Zumindest einem oder einer Art der LED-Nacktchips 4, 10 kann mindestens ein Leuchtstoff direkt oder beabstandet ("remote") nachgeschaltet sein. Hier sind die n-gepolten LED-Nacktchips 4 vorderseitig mit einem dünnen keramischen Leuchtstoffplättchen 11 beklebt. Die Leuchtstoffplättchen 11 weisen einen ersten Leuchtstoff auf. Dadurch kann das von den Emitterbereichen der n-gepolten LED-Nacktchips 4 abgestrahlte Primärlicht ganz oder teilweise wellenlängenumgewandelt werden. Die p-gepolten LED-Nacktchips 10 sind vorderseitig ebenfalls jeweils mit einem dünnen keramischen Leuchtstoffplättchen 12 beklebt, welches jedoch einen zweiten Leuchtstoff aufweist. Dadurch kann das von den Emitterbereichen der p-gepolten LED-Nacktchips 10 abgestrahlte Primärlicht ganz oder teilweise wellenlängenumgewandelt werden, und zwar in Licht einer anderen Wellenlänge als dem der Leuchtstoffplättchen 11.At least one or a kind of LED nude chips 4 . 10 At least one phosphor can be connected directly or at a distance ("remote"). Here are the n-polarized LED nude chips 4 front side with a thin ceramic phosphor plate 11 pasted. The phosphor tiles 11 have a first phosphor. This can be done by the emitter areas of the n-polarized LED nude chips 4 radiated primary light wholly or partially wavelengths are converted. The p-polarized LED nude chips 10 are also each front with a thin ceramic phosphor plate 12 glued, but which has a second phosphor. This can be done by the emitter areas of the p-polarized LED nude chips 10 radiated primary light wholly or partially wavelength converted, in light of a different wavelength than that of the phosphor laminae 11 ,

Die Leuchtvorrichtung L2 kann geeignet vereinzelt und zu einem Package P gehäust werden.The lighting device L2 can be suitably singulated and packaged in a package P.

Obwohl die Erfindung im Detail durch das gezeigte Ausführungsbeispiel näher illustriert und beschrieben wurde, so ist die Erfindung nicht darauf eingeschränkt und andere Variationen können vom Fachmann hieraus abgeleitet werden, ohne den Schutzumfang der Erfindung zu verlassen.While the invention has been further illustrated and described in detail by the illustrated embodiment, the invention is not so limited and other variations can be derived therefrom by those skilled in the art without departing from the scope of the invention.

So können die oberseitige Kontaktflächen 5 auch mittels Verbindungselementen elektrisch kontaktiert werden, welche mittels einer planaren Verbindungstechnologie hergestellt worden sind.So can the top-side contact surfaces 5 also be electrically contacted by means of connecting elements, which have been produced by means of a planar connection technology.

Claims (15)

Leuchtvorrichtung (L2), aufweisend ein elektrisch isolierendes Substrat (1) mit mindestens einem Metallisierungsbereich (9), wobei der mindestens eine Metallisierungsbereich (9) bestückt ist mit – mindestens einem p-gepolten Halbleiterleuchtchip (10), welcher als Kathode eine mit einem Metallisierungsbereich (9) elektrisch verbindbare rückseitige Kontaktfläche und als Anode eine vorderseitige Kontaktfläche (5) aufweist, und mit – mindestens einem n-gepolten Halbleiterleuchtchip (4), welcher als Anode einen mit einem Metallisierungsbereich (9) elektrisch verbindbaren rückseitigen Boden und als Kathode eine vorderseitige Kontaktfläche (5) aufweist, wobei – der mindestens eine Metallisierungsbereich (9) jeweils sowohl mit einem p-gepolten Halbleiterleuchtchip (10) als auch mit einem n-gepolten Halbleiterleuchtchip (4) bestückt ist.Lighting device (L2), comprising an electrically insulating substrate ( 1 ) with at least one metallization region ( 9 ), wherein the at least one metallization region ( 9 ) is equipped with - at least one p-polarized semiconductor luminescent chip ( 10 ), which as a cathode one with a metallization region ( 9 ) electrically connectable back contact surface and as anode a front-side contact surface ( 5 ), and with - at least one n-polarized semiconductor luminescent chip ( 4 ), which as an anode has a metallization region ( 9 ) electrically connectable back ground and as cathode a front-side contact surface ( 5 ), wherein - the at least one metallization region ( 9 ) each with both a p-polarized semiconductor luminescent chip ( 10 ) as well as with an n-polarized semiconductor light chip ( 4 ) is equipped. Leuchtvorrichtung (L2) nach Anspruch 1, wobei die Halbleiterleuchtchips (4, 10) LED-Nacktchips sind.Lighting device (L2) according to claim 1, wherein the semiconductor luminescent chips ( 4 . 10 ) LED naked chips are. Leuchtvorrichtung (L2) nach Anspruch 2, wobei der mindestens eine p-gepolte Halbleiterleuchtchip (10) und der mindestens eine n-gepolte Halbleiterleuchtchip (4) InGaN-Chips sind.A lighting device (L2) according to claim 2, wherein the at least one p-poled semiconductor light chip ( 10 ) and the at least one n-poled semiconductor luminescent chip ( 4 ) InGaN chips are. Leuchtvorrichtung (L2) nach Anspruch 2, wobei der mindestens eine p-gepolte Halbleiterleuchtchip (10) ein InGaN-Chip ist und der mindestens eine n-gepolte Halbleiterleuchtchip (4) ein AlGaInP-Chip ist.A lighting device (L2) according to claim 2, wherein the at least one p-poled semiconductor light chip ( 10 ) is an InGaN chip and the at least one n-poled semiconductor luminescent chip ( 4 ) is an AlGaInP chip. Leuchtvorrichtung (L2) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, aufweisend mehrere bestückte Metallisierungsbereiche (9), wobei die oberseitige Kontaktfläche (5) eines p-gepolten Halbleiterleuchtchips (10) zumindest eines Metallisierungsbereichs (9) und die oberseitige Kontaktfläche (5) eines n-gepolten Halbleiterleuchtchips (4) zumindest eines anderen Metallisierungsbereichs (9) miteinander elektrisch leitend verbunden sind.Lighting device (L2) according to one of the preceding claims, comprising a plurality of populated metallization regions ( 9 ), wherein the top-side contact surface ( 5 ) of a p-polarized semiconductor light chip ( 10 ) at least one metallization region ( 9 ) and the top side contact surface ( 5 ) of an n-polarized semiconductor light chip ( 4 ) at least one other metallization region ( 9 ) are electrically connected to each other. Leuchtvorrichtung (L2) nach Anspruch 5, wobei oberseitige Kontaktflächen (5) der Halbleiterleuchtchips (4, 10) mittels eines Bonddrahts (6) miteinander elektrisch leitend verbunden sind.Lighting device (L2) according to claim 5, wherein top-side contact surfaces ( 5 ) of the semiconductor light chips ( 4 . 10 ) by means of a bonding wire ( 6 ) are electrically connected to each other. Leuchtvorrichtung (L2) nach einem der Ansprüche 5 oder 6, wobei oberseitige Kontaktflächen (5) der Halbleiterleuchtchips (4, 10) mittels eines in einer planaren Verbindungstechnologie hergestellten, elektrisch leitfähigen Verbindungselements miteinander elektrisch leitend verbunden sind.Lighting device (L2) according to one of claims 5 or 6, wherein top-side contact surfaces ( 5 ) of the semiconductor light chips ( 4 . 10 ) are electrically connected to one another by means of an electrically conductive connecting element produced in a planar connection technology. Leuchtvorrichtung (L2) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei ein Abstand zwischen dem p-gepolten Halbleiterleuchtchip (10) und dem n-gepolten Halbleiterleuchtchip (4) auf demselben Metallisierungsbereich (9) kleiner als 150 µm, insbesondere kleiner als 110 µm, ist.Lighting device (L2) according to one of the preceding claims, wherein a distance between the p-poled semiconductor luminescent chip ( 10 ) and the n-polarized semiconductor light chip ( 4 ) on the same metallization area ( 9 ) is smaller than 150 μm, in particular smaller than 110 μm. Leuchtvorrichtung (L2) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei zumindest einem der Halbleiterleuchtchips (4, 10) mindestens ein Leuchtstoff (11, 12) direkt nachgeschaltet ist.Lighting device (L2) according to one of the preceding claims, wherein at least one of the semiconductor luminescent chips ( 4 . 10 ) at least one phosphor ( 11 . 12 ) is directly downstream. Leuchtvorrichtung (L2) nach Anspruch 9, wobei der mindestens eine Leuchtstoff (11, 12) als eine dünne Platte auf mindestens einen Halbleiterleuchtchip (4, 10) aufgeklebt ist.Lighting device (L2) according to claim 9, wherein the at least one phosphor ( 11 . 12 ) as one thin plate on at least one semiconductor luminescent chip ( 4 . 10 ) is glued. Leuchtvorrichtung (L2) nach Anspruch 10, wobei der Leuchtstoff (11, 12) ein keramischer Leuchtstoff ist. Lighting device (L2) according to claim 10, wherein the phosphor ( 11 . 12 ) is a ceramic phosphor. Leuchtvorrichtung (L2) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei zumindest einem der Halbleiterleuchtchips ein Leuchtstoff beabstandet nachgeschaltet ist.Lighting device (L2) according to one of the preceding claims, wherein at least one of the semiconductor luminescent chips, a phosphor is spaced downstream. Leuchtvorrichtung (L2) nach einem der Ansprüche 9 bis 12, wobei zumindest zwei Halbleiterleuchtchips (4, 10) unterschiedliche Leuchtstoffe (11, 12) nachgeschaltet sind.Lighting device (L2) according to one of claims 9 to 12, wherein at least two semiconductor luminescent chips ( 4 . 10 ) different phosphors ( 11 . 12 ) are connected downstream. Leuchtvorrichtung (L2) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei der die Leuchtvorrichtung (L2) ein Package ist.Lighting device (L2) according to one of the preceding claims, wherein the lighting device (L2) is a package. Leuchtvorrichtung (L2) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei der die Leuchtvorrichtung (L2) ein Projektor oder ein Endoskop ist.Lighting device (L2) according to one of the preceding claims, wherein the lighting device (L2) is a projector or an endoscope.
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