DE102012109146A1

DE102012109146A1 - Ring light module and method for producing a ring light module

Info

Publication number: DE102012109146A1
Application number: DE102012109146.3A
Authority: DE
Inventors: Christian Gärtner; Thomas Schlereth; Roland Schulz; Albert Schneider; Markus Kirsch; Tony Albrecht; Michael Bestele; Jan Marfeld; Stephan Kaiser
Original assignee: Osram Opto Semiconductors GmbH
Current assignee: Ams Osram International GmbH
Priority date: 2012-09-27
Filing date: 2012-09-27
Publication date: 2014-03-27
Also published as: WO2014048797A3; WO2014048797A2

Abstract

In mindestens einer Ausführungsform umfasst das Ringlichtmodul (1) mehrere lichtemittierende, optoelektronische Halbleiterbauteile (2), die je eine Hauptemissionsrichtung (20) aufweisen. Das Ringlichtmodul (1) beinhaltet einen Reflektor (3), der eine gekrümmte Reflexionsfläche aufweist (30). Es sind die Halbleiterbauteile (2) an einem Träger (4) angebracht. Die Halbleiterbauteile (2) sind, in Draufsicht auf die Reflexionsfläche (30) gesehen, entlang einer Anordnungslinie (42) ringförmig um die Reflexionsfläche (42) herum angeordnet. In einem Zentrum (44) weist der Reflektor (3) eine maximale Höhe auf, bezogen auf eine Bodenseite (40) des Ringlichtmoduls (1). Das Zentrum (44) befindet sich in einer geometrischen Mitte einer von der Anordnungslinie (42) umschlossenen Innenfläche. In Draufsicht auf die Reflexionsfläche (30) gesehen, weisen die Hauptemissionsrichtungen (20), mit einer Toleranz von höchstens 15°, je zu dem Zentrum (44) hin. Entlang der Anordnungslinie (42) sind die Halbleiterbauteile (2) dicht angeordnet.In at least one embodiment, the ring light module (1) comprises a plurality of light-emitting, optoelectronic semiconductor components (2), each having a main emission direction (20). The ring light module (1) includes a reflector (3) having a curved reflecting surface (30). The semiconductor components (2) are attached to a carrier (4). The semiconductor devices (2), viewed in plan view of the reflection surface (30), are arranged along an arrangement line (42) in an annular manner around the reflection surface (42). In a center (44), the reflector (3) has a maximum height with respect to a bottom side (40) of the ring light module (1). The center (44) is located in a geometric center of an inner surface enclosed by the arrangement line (42). Seen in plan view of the reflection surface (30), the main emission directions (20), with a tolerance of at most 15 °, each towards the center (44). Along the arrangement line (42), the semiconductor devices (2) are arranged densely.

Description

Es wird ein Ringlichtmodul angegeben. Darüber hinaus wird ein Verfahren zur Herstellung eines solchen Ringlichtmoduls angegeben.A ring light module is specified. In addition, a method for producing such a ring light module is specified.

Die Druckschrift DE 10 2010 046 255 A1 betrifft eine Beleuchtungsvorrichtung mit ringförmig angeordneten Leuchtdioden.The publication DE 10 2010 046 255 A1 relates to a lighting device with annularly arranged LEDs.

Eine zu lösende Aufgabe besteht darin, ein Ringlichtmodul anzugeben, das eine hohe Leuchtdichte und eine hohe Abstrahlhomogenität aufweist.An object to be solved is to specify a ring light module which has a high luminance and a high emission homogeneity.

Diese Aufgabe wird unter anderem durch ein Ringlichtmodul und durch ein Verfahren mit den Merkmalen der unabhängigen Patentansprüche gelöst. Bevorzugte Weiterbildungen sind Gegenstand der abhängigen Ansprüche.This object is achieved inter alia by a ring light module and by a method having the features of the independent patent claims. Preferred developments are the subject of the dependent claims.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform umfasst das Ringlichtmodul mehrere lichtemittierende, optoelektronische Halbleiterbauteile. Bei den Halbleiterbauteilen handelt es sich bevorzugt um Leuchtdioden. Insbesondere emittieren die Halbleiterbauteile sichtbares Licht, beispielsweise im blauen, grünen und/oder roten Spektralbereich. Bei den Halbleiterbauteilen kann es sich auch um gelbes oder weißes Licht emittierende Leuchtdioden handeln.In accordance with at least one embodiment, the ring light module comprises a plurality of light-emitting, optoelectronic semiconductor components. The semiconductor components are preferably light emitting diodes. In particular, the semiconductor components emit visible light, for example in the blue, green and / or red spectral range. The semiconductor components may also be yellow or white light-emitting LEDs.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform weisen die Halbleiterbauteile jeweils eine, insbesondere genau eine Hauptemissionsrichtung auf. Die Hauptemissionsrichtung ist diejenige Richtung, entlang der eine maximale Intensität abgestrahlt wird. In accordance with at least one embodiment, the semiconductor components each have one, in particular exactly one, main emission direction. The main emission direction is the direction along which a maximum intensity is radiated.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform weisen die Emissionsrichtungen in voneinander verschiedene Richtungen. Beispielsweise zeigen jeweils benachbarte Halbleiterbauteile in voneinander verschiedene Emissionsrichtungen. Es ist möglich, dass jeweils genau zwei Halbleiterbauteile eine antiparallele Hauptemissionsrichtung aufweisen und dass jeweils keine zwei Hauptemissionsrichtungen in dieselbe Richtung weisen. Mit anderen Worten können die Hauptemissionsrichtungen der Halbleiterbauteile paarweise voneinander verschieden sein.In accordance with at least one embodiment, the emission directions have mutually different directions. By way of example, adjacent semiconductor components in each case show different directions of emission. It is possible that exactly two semiconductor components each have an antiparallel main emission direction and that in each case no two main emission directions point in the same direction. In other words, the main emission directions of the semiconductor devices may be different from each other in pairs.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform beinhaltet das Ringlichtmodul einen oder mehrere Reflektoren. Der mindestens eine Reflektor weist eine gekrümmte Reflexionsfläche auf. Mit anderen Worten liegt die Reflexionsfläche nicht in einer Ebene. Der Reflektor sowie die Reflexionsfläche können entlang unterschiedlicher Raumrichtungen gekrümmt sein und/oder mehr als eine Krümmung aufweisen. In accordance with at least one embodiment, the ring light module includes one or more reflectors. The at least one reflector has a curved reflection surface. In other words, the reflection surface is not in a plane. The reflector and the reflection surface may be curved along different spatial directions and / or have more than one curvature.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform weist das Ringlichtmodul einen Träger auf. Die Halbleiterbauteile sind an dem Träger angebracht, beispielsweise über ein Löten oder über ein Kleben. Es umfasst der Träger insbesondere elektrische Leiterbahnen und elektrische Anschlussstellen zu einer Bestromung und Ansteuerung der Halbleiterbauteile. Weiterhin weist der Träger bevorzugt eine hohe thermische Leitfähigkeit auf. Es ist der Träger beispielsweise eine Metallkernplatine, eine flexible Leiterplatte oder ein Leiterrahmen oder es umfasst der Träger zumindest eine der genannten Komponenten.In accordance with at least one embodiment, the ring light module has a carrier. The semiconductor devices are attached to the carrier, for example via soldering or gluing. In particular, the carrier comprises electrical conductor tracks and electrical connection points for energizing and driving the semiconductor components. Furthermore, the carrier preferably has a high thermal conductivity. It is the carrier, for example, a metal core board, a flexible printed circuit board or a lead frame or it comprises the carrier at least one of said components.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform sind die Halbleiterbauteile, in Draufsicht auf die Reflexionsfläche gesehen, entlang einer Anordnungslinie um die Reflexionsfläche herum angeordnet. Bevorzugt liegt die gesamte Reflexionsfläche innerhalb der Anordnungslinie, jedoch liegt bevorzugt mindestens ein Anteil von 50% oder von 80% der Reflexionsfläche, in Draufsicht gesehen, innerhalb der Anordnungslinie. Es ist möglich, dass die Anordnungslinie, in Draufsicht gesehen, ringförmig geformt ist. Insbesondere bildet die Anordnungslinie einen geschlossenen Ring. Ebenso kann die Anordnungslinie auch als spiralförmiger Ring gestaltet sein. In accordance with at least one embodiment, the semiconductor components, viewed in plan view of the reflection surface, are arranged along an arrangement line around the reflection surface. Preferably, the entire reflection surface lies within the arrangement line, but preferably at least a proportion of 50% or 80% of the reflection surface, seen in plan view, is within the arrangement line. It is possible that the arrangement line, seen in plan view, is annular in shape. In particular, the arrangement line forms a closed ring. Likewise, the arrangement line can also be designed as a spiral ring.

Beispielsweise verläuft die Anordnungslinie durch geometrische Mittelpunkte der Halbleiterbauteile, in Draufsicht gesehen. Bei der Anordnungslinie kann es sich um eine fiktive Linie handeln. Es ist möglich, dass die Anordnungslinie in einer Ebene verläuft oder eine dreidimensionale Kurve, etwa eine Spirale, ist.For example, the arrangement line runs through geometric centers of the semiconductor components, seen in plan view. The placement line may be a fictitious line. It is possible that the arrangement line is in a plane or is a three-dimensional curve, such as a spiral.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform weist der Reflektor in einem Zentrum eine maximale Höhe auf. Die Höhe ist hierbei insbesondere auf eine Bodenseite des Ringlichtmoduls bezogen. Die Bodenseite liegt dabei einer Strahlungshauptseite des Ringlichtmoduls gegenüber.In accordance with at least one embodiment, the reflector has a maximum height in a center. The height is in this case based in particular on a bottom side of the ring light module. The bottom side lies opposite a main radiation side of the ring light module.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform liegt das Zentrum in einer geometrischen Mitte einer von der Anordnungslinie umschlossenen Innenfläche. Dass sich das Zentrum in der geometrischen Mitte der Innenfläche befindet, kann bedeuten, dass in Draufsicht auf die Reflexionsfläche gesehen das Zentrum in einem Abstand von höchstens 10% oder von höchstens 5% oder von höchstens 2% eines mittleren Durchmessers der Innenfläche zur geometrischen Mitte befindet. Mit anderen Worten ist es nicht zwingend notwendig, dass das Zentrum und die geometrische Mitte der Innenfläche exakt zusammenfallen. Bevorzugt ist dies jedoch der Fall.In accordance with at least one embodiment, the center lies in a geometric center of an inner surface enclosed by the arrangement line. The fact that the center is in the geometric center of the inner surface may mean that the center is at a distance of at most 10% or at most 5% or at most 2% of a mean diameter of the inner surface to the geometric center when viewed from the reflection surface , In other words, it is not absolutely necessary that the center and the geometric center of the inner surface coincide exactly. However, this is preferably the case.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform weisen die Hauptemissionsrichtungen der Halbleiterbauteile, in Draufsicht auf die Reflexionsfläche gesehen, je zu dem Zentrum. Dass die Hauptemissionsrichtungen zum Zentrum weisen, kann bedeuten, dass die Hauptemissionsrichtungen mit einer Toleranz von höchstens 15° oder von höchstens 10° oder von höchstens 5° oder exakt auf das Zentrum hin zeigen.In accordance with at least one embodiment, the main emission directions of the semiconductor components, viewed in plan view of the reflection surface, each point to the center. The fact that the main emission directions point to the center may mean that the main emission directions have a tolerance of not more than 15 ° or not more than 10 ° or of at most 5 ° or pointing exactly to the center.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform sind die Halbleiterbauteile entlang der Anordnungslinie dicht angeordnet. Dicht angeordnet kann bedeuten, dass ein Abstand zwischen benachbarten Halbleiterbauteilen entlang der Anordnungslinie höchstens ein 1,5-Faches oder höchstens ein 1,0-Faches einer mittleren Kantenlänge der Halbleiterbauteile oder eines mittleren Durchmessers der Halbleiterbauteile beträgt. Mit anderen Worten ist dann ein Abstand zwischen benachbarten Halbleiterbauteilen kleiner oder in derselben Größenordnung wie Abmessungen der Halbleiterbauteile, in Draufsicht auf die Halbleiterbauteile gesehen. According to at least one embodiment, the semiconductor devices are densely arranged along the array line. Densely arranged, a spacing between adjacent semiconductor devices along the array line may be at most 1.5 times or at most 1.0 times a mean edge length of the semiconductor devices or a mean diameter of the semiconductor devices. In other words, a distance between adjacent semiconductor components is smaller or of the same order of magnitude as dimensions of the semiconductor components, seen in plan view of the semiconductor components.

In mindestens einer Ausführungsform umfasst das Ringlichtmodul mehrere lichtemittierende, optoelektronische Halbleiterbauteile, die je eine Hauptemissionsrichtung aufweisen. Das Ringlichtmodul beinhaltet ferner einen Reflektor, der eine gekrümmte Reflexionsfläche aufweist. Die Reflexionsfläche ist dazu eingerichtet, die von den Halbleiterbauteilen im Betrieb emittierte Strahlung zu reflektieren. Es sind die Halbleiterbauteile an einem Träger angebracht. Die Halbleiterbauteile sind, in Draufsicht auf die Reflexionsfläche gesehen, entlang einer Anordnungslinie ringförmig um die Reflexionsfläche herum angeordnet. In einem Zentrum weist der Reflektor eine maximale Höhe auf, bezogen auf eine Bodenseite des Ringlichtmoduls. Die Bodenseite liegt dabei einer Strahlungshauptseite des Ringlichtmoduls gegenüber. Das Zentrum befindet sich in einer geometrischen Mitte einer von der Anordnungslinie umschlossenen Innenfläche, in Draufsicht auf die Reflexionsfläche gesehen und mit einer Toleranz von höchstens 10% eines mittleren Durchmessers der Innenfläche. In Draufsicht auf die Reflexionsfläche gesehen, weisen die Hauptemissionsrichtungen, mit einer Toleranz von höchstens 15°, je zu dem Zentrum hin. Entlang der Anordnungslinie sind die Halbleiterbauteile dicht angeordnet. In at least one embodiment, the ring light module comprises a plurality of light-emitting, optoelectronic semiconductor components, each having a main emission direction. The ring light module further includes a reflector having a curved reflecting surface. The reflective surface is configured to reflect the radiation emitted by the semiconductor devices during operation. The semiconductor devices are attached to a carrier. The semiconductor devices, seen in plan view of the reflection surface, are arranged along an arrangement line in an annular manner around the reflection surface. In a center, the reflector has a maximum height with respect to a bottom side of the ring light module. The bottom side lies opposite a main radiation side of the ring light module. The center is located in a geometric center of an inner surface enclosed by the arrangement line, seen in plan view of the reflection surface and with a tolerance of at most 10% of a mean diameter of the inner surface. Viewed in plan view of the reflection surface, the main emission directions, with a tolerance of at most 15 °, each towards the center. Along the array line, the semiconductor devices are densely arranged.

Um einen hohen Lichtstrom zu erreichen, ist eine Skalierung einzelner Halbleiterbauteile wie Leuchtdioden hin zu größeren optischen Ausgangsleistungen nur bis zu einem bestimmten Maß technisch sinnvoll. Um eine höhere Lichtleistung zu erreichen, werden dann mehrere Halbleiterbauteile zu Halbleitermodulen gebündelt. Da ein solches Modul aus mehreren, näherungsweise punktförmigen Lichtquellen zusammengesetzt ist, ist für viele Anwendungen eine Homogenisierung der Abstrahlcharakteristik erforderlich. Insbesondere soll das von dem Modul abgestrahlte Licht hinsichtlich der Lichtfarbe und der Leuchtdichte möglichst homogen sein und über einen möglichst großen Bereich monoton verlaufen und möglichst wenig unstetige Stellen oder scharfe Knicke aufweisen. Ferner soll das Modul möglichst geringe geometrische Abmessungen aufweisen, um einen hohen Lichtstrom und eine hohe Effizienz zu ermöglichen. In order to achieve a high luminous flux, a scaling of individual semiconductor components such as light-emitting diodes towards larger optical output powers is technically meaningful only up to a certain extent. In order to achieve a higher light output, then several semiconductor components are bundled to form semiconductor modules. Since such a module is composed of several, approximately punctiform light sources, a homogenization of the radiation pattern is required for many applications. In particular, the light emitted by the module should be as homogeneous as possible in terms of light color and luminance and be monotone over the largest possible area and should have as few unsteady points or sharp bends as possible. Furthermore, the module should have the smallest possible geometric dimensions to allow a high luminous flux and high efficiency.

Bei herkömmlichen Modulen wird diese Homogenisierung insbesondere über diffuse optische Elemente erzielt. Ein Diffusormaterial kann hierbei einem Volumenverguss beigegeben sein oder sich beispielsweise in Diffusorplatten befinden, sodass eine Durchmischung des von den einzelnen Halbleiterbauteilen emittierten Lichts zu einem homogenen Erscheinungsbild stattfindet. Hierbei tritt jedoch in der Regel eine Mehrfachstreuung in dem Diffusormaterial auf, was zu einem Effizienzverlust führen kann und außerdem einen Abstrahlwinkel des Moduls in der Regel vergrößert. Um eine Richtwirkung trotz Einsatz eines Diffusors aufrecht zu erhalten, sind in der Regel vergleichsweise aufwändige Reflektoren zu verwenden, die ebenso zu einem Effizienzverlust führen können. Diese genannten Schwierigkeiten treten insbesondere bei planar angeordneten Halbleiterbauteilen auf, deren Emissionsrichtungen parallel zueinander orientiert sind.In conventional modules, this homogenization is achieved in particular via diffuse optical elements. A diffuser material may in this case be added to a volume encapsulation or be located, for example, in diffuser plates, so that a thorough mixing of the light emitted by the individual semiconductor components takes place to a homogeneous appearance. In this case, however, as a rule, a multiple scattering occurs in the diffuser material, which can lead to a loss of efficiency and also increases a radiation angle of the module in the rule. In order to maintain a directivity despite the use of a diffuser, comparatively complex reflectors are generally to be used, which can also lead to a loss of efficiency. These difficulties mentioned occur in particular in the case of planar semiconductor components whose emission directions are oriented parallel to one another.

Durch die Anordnung der Halbleiterbauteile entlang der ringförmigen Anordnungslinie und durch den nicht planaren Reflektor ist eine Homogenisierung der Abstrahlung des Ringlichtmoduls erzielbar, ohne dass ein separater Diffusor notwendig ist. Ferner bleibt eine Richtungscharakteristik der Abstrahlung der Halbleiterbauteile erhalten und wird nicht durch einen Diffusor aufgeweitet. Weiterhin ist eine kompakte Anordnung mit einer hohen Leuchtdichte möglich. The arrangement of the semiconductor components along the annular array line and the non-planar reflector homogenization of the radiation of the ring light module can be achieved without a separate diffuser is necessary. Further, a directional characteristic of the radiation of the semiconductor devices is maintained and is not expanded by a diffuser. Furthermore, a compact arrangement with a high luminance is possible.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform handelt es sich bei der Reflexionsfläche um eine spekular oder um eine diffus reflektierende Fläche. Diffus reflektierend kann hierbei bedeuten, dass eine Streuung lediglich in einen kleinen Winkelbereich hinein erfolgt, sodass durch die diffuse Streuung an der Reflexionsfläche keine signifikante Änderung einer Abstrahlwinkelcharakteristik auftritt. Kleiner Winkelbereich kann bedeuten, dass ein Öffnungswinkel eines Streukegels höchstens 4° oder höchstens 6° beträgt.In accordance with at least one embodiment, the reflection surface is a specular surface or a diffusely reflecting surface. In this case, diffusely reflecting may mean that scattering takes place only in a small angular range, so that due to the diffuse scattering at the reflection surface, no significant change in a radiation angle characteristic occurs. Small angle range can mean that an opening angle of a scattering cone is at most 4 ° or at most 6 °.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform sind die Halbleiterbauteile entlang der Anordnungslinie derart dicht angeordnet, dass ein Abstand zwischen benachbarten Halbleiterbauteilen entlang der Anordnungslinie höchstens 300% oder höchstens 200% oder höchstens 75% der mittleren Kantenlänge oder des mittleren Durchmessers der Halbleiterbauteile beträgt. Die mittlere Kantenlänge oder der mittlere Durchmesser wird hierbei insbesondere in einer Ebene senkrecht zu der Hauptemissionsrichtung bestimmt. Alternativ oder zusätzlich liegt der mittlere Abstand bei höchstens 3,5 mm oder bei höchstens 5,5 mm.According to at least one embodiment, the semiconductor devices along the array line are arranged so dense that a distance between adjacent semiconductor devices along the array line is at most 300% or at most 200% or at most 75% of the mean edge length or mean diameter of the semiconductor devices. The average edge length or the mean diameter is determined here in particular in a plane perpendicular to the main emission direction. Alternatively or additionally, the mean distance is at most 3.5 mm or at most 5.5 mm.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform sind alle Halbleiterbauteile baugleich. In diesem Fall weisen alle Halbleiterbauteile, im Rahmen der Herstellungstoleranzen, gleiche geometrische Abmessungen auf und emittieren im bestimmungsgemäßen Gebrauch bevorzugt Licht einer gleichen spektralen Zusammensetzung und einer gleichen räumlichen Abstrahlcharakteristik. According to at least one embodiment, all semiconductor components are identical. In this case, all semiconductor components, within the manufacturing tolerances, the same geometric dimensions and emit in normal use preferably light of the same spectral composition and a same spatial radiation characteristics.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform unterscheiden sich die räumliche Abstrahlcharakteristika der Halbleiterbauteile voneinander. Beispielsweise umfasst das Ringlichtmodul dann Halbleiterbauteile mit einer ersten, räumlich engeren Abstrahlcharakteristik und andere Halbleiterbauteile mit einer anderen, räumlich breiteren Abstrahlcharakteristik.In accordance with at least one embodiment, the spatial radiation characteristics of the semiconductor components differ from each other. By way of example, the ring light module then comprises semiconductor components having a first, spatially narrower emission characteristic and other semiconductor components having a different, spatially broader emission characteristic.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform umfasst das Ringlichtmodul eine Abdeckplatte. Die Abdeckplatte ist bevorzugt an der Strahlungshauptseite angebracht. Über die Abdeckplatte ist ein Schutz der Halbleiterbauteile sowie des Ringlichtmoduls vor äußeren Einflüssen erzielbar. Die Abdeckplatte ist bevorzugt klarsichtig und strahlungsdurchlässig für die im Ringlichtmodul erzeugte Strahlung. Es ist möglich, dass die Abdeckplatte mit optisch wirksamen Beschichtungen wie Antireflexionsschichten oder Filterschichten versehen ist.In accordance with at least one embodiment, the ring light module comprises a cover plate. The cover plate is preferably attached to the main radiation side. About the cover plate protection of the semiconductor devices and the ring light module against external influences can be achieved. The cover plate is preferably clear and radiation-permeable to the radiation generated in the ring light module. It is possible that the cover plate is provided with optically effective coatings such as antireflection layers or filter layers.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform beinhaltet das Ringlichtmodul eines oder mehrere Konversionsmittel. Das mindestens eine Konversionsmittel ist zu einer teilweisen oder vollständigen Wellenlängenkonversion der von den Halbleiterbauteilen emittierten Strahlung eingerichtet. Alternativ oder zusätzlich können auch die Halbleiterbauteile selbst ein Konversionsmittel umfassen.In accordance with at least one embodiment, the ring light module includes one or more conversion means. The at least one conversion means is set up for a partial or complete wavelength conversion of the radiation emitted by the semiconductor components. Alternatively or additionally, the semiconductor components may themselves comprise a conversion means.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform ist das Konversionsmittel als Schicht an der Abdeckplatte und/oder auf der Reflexionsfläche des Reflektors aufgebracht. Die Halbleiterbauteile stehen hierbei bevorzugt nicht in unmittelbarem Kontakt zu dem Konversionsmittel an der Abdeckplatte und/oder an der Reflexionsfläche. Mit anderen Worten sind die Halbleiterbauteile dann von dem Konversionsmittel beabstandet angeordnet.According to at least one embodiment, the conversion agent is applied as a layer on the cover plate and / or on the reflection surface of the reflector. The semiconductor components are preferably not in direct contact with the conversion agent on the cover plate and / or on the reflection surface. In other words, the semiconductor devices are then spaced from the conversion means.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform ist die Reflexionsfläche konvex gekrümmt, von den Halbleiterbauteilen aus gesehen. Beispielsweise weist die Reflexionsfläche dann eine hyperbelförmige oder parabelförmige Krümmung auf, im Querschnitt gesehen. Es ist in diesem Fall möglich, dass sich die Halbleiterbauteile in oder nahe einem Brennpunkt der Reflexionsfläche befinden. Insbesondere ist die Reflexionsfläche dann zu einer Fokussierung oder zu einer Parallelisierung der von den Halbleiterbauteilen emittierten Strahlung eingerichtet. In accordance with at least one embodiment, the reflection surface is convexly curved, as viewed from the semiconductor components. For example, the reflection surface then has a hyperbolic or parabolic curvature, seen in cross-section. It is possible in this case that the semiconductor devices are located in or near a focal point of the reflection surface. In particular, the reflection surface is then set up to focus or to parallelize the radiation emitted by the semiconductor components.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform ist die Reflexionsfläche konkav geformt. Durch die Reflexionsfläche kann dann eine Strahlungsaufweitung und eine Vergrößerung eines Abstrahlwinkels erzielt werden.In accordance with at least one embodiment, the reflection surface is concave. By the reflection surface then a radiation expansion and an increase of a radiation angle can be achieved.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform sind die Halbleiterbauteile in mindestens zwei Reihen um die Reflexionsfläche herum angeordnet. Die Reihen können, in Richtung senkrecht zur Bodenseite, übereinander folgen und in Draufsicht auf die Bodenseite deckungsgleich verlaufen. Ebenso ist es möglich, dass die Reihen oder zumindest zwei der Reihen voneinander verschiedene mittlere Durchmesser aufweisen und, in Draufsicht gesehen, nicht deckungsgleich verlaufen. Weiter ist es möglich, dass die Reihen, in Draufsicht gesehen, verdreht zueinander angeordnet sind. Die Halbleiterbauteile benachbarter Reihen können dann, in Draufsicht, auf Lücke angeordnet sein.In accordance with at least one embodiment, the semiconductor components are arranged in at least two rows around the reflection surface. The rows can, in the direction perpendicular to the bottom side, follow one another and run congruently in plan view of the bottom side. Likewise, it is possible for the rows or at least two of the rows to have mutually different average diameters and, viewed in plan view, not to coincide. Further, it is possible that the rows, seen in plan view, are twisted to each other. The semiconductor components of adjacent rows can then be arranged in a plan view, with a gap.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform weisen die Hauptemissionsrichtungen von mindestens einem Teil der Halbleiterbauteile, von allen Halbleiterbauteilen oder von den Halbleiterbauteilen in wenigstens einer der Reihen hin zu der Bodenseite. Ein Winkel zwischen der Hauptemissionsrichtung und der Bodenseite ist dann kleiner als 90°. Beispielsweise liegt dieser Winkel zwischen 70° und 90°. Ebenso kann dieser Winkel zwischen einschließlich 45° und > 90° liegen. Alternativ ist es möglich, dass die Hauptemissionsrichtungen der Halbleiterbauteile oder eines Teils der Halbleiterbauteile von der Bodenseite weg weisen. Der Winkel zwischen der Bodenseite und den Hauptemissionsrichtungen liegt dann bevorzugt zwischen einschließlich 90° und 105° oder zwischen einschließlich 90° und 135°. In accordance with at least one embodiment, the main emission directions of at least a portion of the semiconductor devices, of all semiconductor devices, or of the semiconductor devices in at least one of the rows are toward the bottom side. An angle between the main emission direction and the bottom side is then smaller than 90 °. For example, this angle is between 70 ° and 90 °. Likewise, this angle can be between 45 ° and> 90 °. Alternatively, it is possible that the main emission directions of the semiconductor devices or a part of the semiconductor devices face away from the bottom side. The angle between the bottom side and the main emission directions is then preferably between 90 ° and 105 ° or between 90 ° and 135 ° inclusive.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform ist der Reflektor aus einem strahlungsdurchlässigen oder halb strahlungsdurchlässigen Material gebildet. Mit anderen Worten kann der Reflektor dann semi-transparent sein. Ein Teil der von den Halbleiterbauteilen emittierten Strahlung kann dann den Reflektor durchlaufen. Beispielsweise weist der Reflektor an der Reflexionsfläche einen Reflexionsgrad zwischen einschließlich 30% und 80% oder zwischen einschließlich 50% und 70% auf. In accordance with at least one embodiment, the reflector is formed from a radiation-transmissive or semi-radiation-permeable material. In other words, the reflector can then be semi-transparent. A portion of the radiation emitted by the semiconductor components can then pass through the reflector. For example, at the reflecting surface, the reflector has a reflectance of between 30% and 80% inclusive, or between 50% and 70% inclusive.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform ist der Reflektor chromatisch selektiv reflektierend. Mit anderen Worten kann dann Strahlung in einem bestimmten Spektralbereich von dem Reflektor an der Reflexionsfläche reflektiert werden und Strahlung in einem hiervon verschiedenen Spektralbereich durchdringt wenigstens zum Teil den Reflektor. Für den letztgenannten Teil der Strahlung wirkt der Reflektor dann bevorzugt refraktiv. In accordance with at least one embodiment, the reflector is chromatically selectively reflective. In other words, radiation in a certain spectral range can then be reflected by the reflector at the reflection surface and radiation in a different spectral range at least partially penetrates the reflector. For the latter part of the radiation, the reflector then preferably acts refractive.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform ist der Reflektor für zumindest einen Teil der von dem Halbleiterbauteil emittierten Strahlung totalreflektierend gestaltet. Beispielsweise erfährt dann mehr als 50% oder mehr als 70% der auf den Reflektor auftreffenden, von den Halbleiterbauteilen emittierten Strahlung eine Totalreflexion an der Reflexionsfläche. Es ist möglich, dass ein bestimmter Teil der Strahlung, die in einem bestimmten Winkelbereich auf die Reflexionsfläche auftrifft, in den Reflektor eindringt. Insbesondere für solche Strahlung kann in dem Reflektor eine weitere, innen liegende Reflexionsfläche vorgesehen sein. In accordance with at least one embodiment, the reflector is designed to be totally reflective for at least part of the radiation emitted by the semiconductor component. For example, then experiences more than 50% or more than 70% of the incident on the reflector, emitted by the semiconductor devices radiation total reflection at the reflection surface. It is possible that a certain part of the radiation, which impinges on the reflection surface in a certain angular range, penetrates into the reflector. In particular, for such radiation may be provided in the reflector, a further, inner reflection surface.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform ist die Reflexionsfläche aus mindestens zwei Facetten gebildet. Die Facetten sind bevorzugt durch eine Kante oder einen Knick, also eine insbesondere nicht differenzierbare Stelle, voneinander getrennt. Es ist möglich, dass einzelne der Facetten bestimmten Halbleiterbauteilen oder Reihen von Halbleiterbauteilen zugeordnet sind. Durch die Facettierung der Reflexionsfläche ist eine verbesserte Einstellung einer Abstrahlcharakteristik des Ringlichtmoduls erzielbar. Ist die Reflexionsfläche nicht facettiert, so handelt es sich bei der Reflexionsfläche, insbesondere im Querschnitt gesehen, um eine stetige und differenzierbare, also glatte, Fläche.In accordance with at least one embodiment, the reflection surface is formed from at least two facets. The facets are preferably separated from one another by an edge or a bend, that is to say a particular non-differentiable point. It is possible that individual ones of the facets are associated with particular semiconductor devices or rows of semiconductor devices. By faceting the reflection surface, an improved setting of a radiation characteristic of the ring light module can be achieved. If the reflection surface is not faceted, then the reflection surface, in particular seen in cross section, is a continuous and differentiable, ie smooth, surface.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Ringlichtmoduls sind die Halbleiterbauteile, relativ zu der Reflexionsfläche, verschiebbar gelagert. Es können hierbei die Halbleiterbauteile bewegbar gelagert sein oder auch die Reflexionsfläche kann verschoben oder in ihrer Form verändert werden. Dies ist beispielsweise durch eine Mechanik realisierbar oder durch pneumatische oder hydraulische Vorrichtungen. Ebenso ist eine temperaturabhängige Veränderung des Abstands von Halbleiterbauteilen zur Reflexionsfläche, etwa über Bimetalle, erzielbar. Auch können Aktuatoren wie Piezoaktuatoren verwendet werden. Insbesondere kann die Reflexionsfläche von konkav auf konvex gekrümmt und umgekehrt umschaltbar sein.In accordance with at least one embodiment of the ring light module, the semiconductor components are displaceably mounted relative to the reflection surface. In this case, the semiconductor components may be movably mounted or else the reflection surface may be displaced or changed in shape. This can be realized for example by a mechanism or by pneumatic or hydraulic devices. Likewise, a temperature-dependent change in the distance of semiconductor components to the reflection surface, for example via bimetals, can be achieved. Actuators such as piezoactuators can also be used. In particular, the reflection surface can be curved from concave to convex and vice versa.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform umfasst das Ringlichtmodul mindestens fünf oder mindestens sechs oder mindestens acht oder mindestens zwölf der Halbleiterbauteile. Alternativ oder zusätzlich liegt die Anzahl der Halbleiterbauteile bei höchstens 32 oder bei höchstens 25.In accordance with at least one embodiment, the ring light module comprises at least five or at least six or at least eight or at least twelve of the semiconductor components. Alternatively or additionally, the number of semiconductor devices is at most 32 or at most 25.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform liegt ein mittlerer Durchmesser der Innenfläche, die von der Anordnungslinie umschlossen ist, bei mindestens 5 mm oder bei mindestens 8 mm. Der mittlere Durchmesser kann höchstens 50 mm oder höchstens 35 mm betragen. Alternativ oder zusätzlich kann der Reflektor eine maximale Höhe, bezogen auf die Bodenseite, von mindestens 2 mm oder von mindestens 4 mm aufweisen. Ebenso kann die maximale Höhe bei höchstens 50 mm oder bei höchstens 30 mm oder bei höchstens 15 mm oder bei höchstens 9 mm liegen. According to at least one embodiment, an average diameter of the inner surface enclosed by the arrangement line is at least 5 mm or at least 8 mm. The mean diameter can be at most 50 mm or at most 35 mm. Alternatively or additionally, the reflector may have a maximum height, with respect to the bottom side, of at least 2 mm or of at least 4 mm. Likewise, the maximum height may be no more than 50 mm or no more than 30 mm, no more than 15 mm or not more than 9 mm.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform ist mindestens eines der Halbleiterbauteile oder sind die meisten Halbleiterbauteile oder sind alle Halbleiterbauteile dazu eingerichtet, im bestimmungsgemäßen Gebrauch je einen Lichtstrom von mindestens 35 lm oder von mindestens 50 lm oder von mindestens 60 lm zu erzeugen. In accordance with at least one embodiment, at least one of the semiconductor components or most of the semiconductor components or all semiconductor components are adapted to produce a luminous flux of at least 35 lm or at least 50 lm or at least 60 lm during normal use.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform trifft mindestens 50% oder mindestens 75% oder mindestens 90% des von den Halbleiterbauteilen emittierten Lichts auf die Reflexionsfläche. Das heißt, die Abstrahlcharakteristik des Ringlichtmoduls wird dann im Wesentlichen durch den Reflektor bestimmt und ein unmittelbar von den Halbleiterbauteilen emittierter Strahlungsanteil, der das Ringlichtmodul ohne Reflexion an dem Reflektor verlässt, macht bevorzugt nur einen untergeordneten Anteil aus.In accordance with at least one embodiment, at least 50% or at least 75% or at least 90% of the light emitted by the semiconductor components strikes the reflection surface. That is, the radiation characteristic of the ring light module is then determined substantially by the reflector and a radiation component emitted directly by the semiconductor components and leaving the ring light module without reflection at the reflector preferably constitutes only a minor portion.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform weist die Reflexionsfläche für die von den Halbleiterbauteilen emittierte Strahlung einen Reflexionsgrad von mindestens 85% oder mindestens 90% auf. Es ist möglich, dass die Reflexionsfläche mit einer Metallbeschichtung, etwa mit Silber oder mit Aluminium, versehen ist. In accordance with at least one embodiment, the reflection surface for the radiation emitted by the semiconductor components has a reflectance of at least 85% or at least 90%. It is possible that the reflective surface is provided with a metal coating, such as silver or aluminum.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform ist die Reflexionsfläche rotationssymmetrisch geformt. Das Ringlichtmodul weist dann beispielsweise eine scheibenförmige oder zylinderförmige äußere Gestalt auf. Eine Rotationsachse verläuft bevorzugt durch das Zentrum des Reflektors und der Reflexionsfläche. Die Halbleiterbauteile sind bevorzugt ebenfalls rotationssymmetrisch angeordnet.In accordance with at least one embodiment, the reflection surface is rotationally symmetrical. The ring light module then has, for example, a disk-shaped or cylindrical outer shape. A rotation axis preferably passes through the center of the reflector and the reflection surface. The semiconductor components are preferably also arranged rotationally symmetrical.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform ist an der Strahlungshauptseite des Ringlichtmoduls eine Linse angebracht. Die Linse ist insbesondere aus einem strahlungsdurchlässigen und klarsichtigen Material gebildet. Eine dem Reflektor abgewandte Linsenoberseite weist bevorzugt ein zentrales Minimum auf und eine dem Reflektor zugewandte Linsenunterseite kann ein umlaufendes, ringförmiges Minimum aufzeigen.In accordance with at least one embodiment, a lens is attached to the main radiation side of the ring light module. The lens is formed in particular from a radiation-transparent and transparent material. A lens top facing away from the reflector preferably has a central minimum, and a lens underside facing the reflector can exhibit a circumferential, annular minimum.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform wirkt die Linse sowohl durch Reflexion als auch durch Refraktion strahlformend. Es ist möglich, dass ein Teil der von den Halbleiterbauteilen emittierten Strahlung an der Linsenunterseite in Richtung weg von der Linsenoberseite gelenkt wird, wobei dieser Teil der Strahlung die Linse nicht durchläuft.In accordance with at least one embodiment, the lens is beam-forming both by reflection and by refraction. It is possible that a portion of the radiation emitted by the semiconductor devices is directed to the lens bottom in the direction away from the lens top, with that portion of the radiation not passing through the lens.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform sind die Hauptemissionsrichtungen der Halbleiterbauteile parallel oder senkrecht zu Befestigungsseiten der Halbleiterbauteile orientiert. In dem Fall, dass die Hauptemissionsrichtungen parallel zu den Befestigungsseiten ausgerichtet sind, handelt es sich bei den Halbleiterbauteilen um so genannte side looker. In accordance with at least one embodiment, the main emission directions of the semiconductor components are oriented parallel or perpendicular to attachment sides of the semiconductor components. In the case that the main emission directions are aligned parallel to the attachment sides, the semiconductor devices are so-called side-lookers.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform verfügen die Halbleiterbauteile über einen gemeinsamen Leiterrahmen. Beispielsweise sind die Halbleiterbauteile dann aus einem gemeinsamen Leiterrahmenverbund heraus gefertigt. Über den Leiterrahmen können die Halbleiterbauteile elektrisch parallel oder auch elektrisch in Serie geschaltet sein. Es ist möglich, dass der Leiterrahmen dann von einem Vergusskörper umgeben ist, in dem auch die Halbleiterbauteile teilweise oder vollständig eingeschlossen sein können. In diesem Fall kann es sich bei den Halbleiterbauteilen um ungehauste Leuchtdiodenchips handeln, die unmittelbar auf den Leiterrahmen montiert und unmittelbar von dem Verguss umgeben sind.In accordance with at least one embodiment, the semiconductor components have a common leadframe. By way of example, the semiconductor components are then produced from a common leadframe composite. About the lead frame, the semiconductor devices may be electrically connected in parallel or electrically in series. It is possible that the leadframe is then surrounded by a potting body, in which the semiconductor components may be partially or completely enclosed. In this case, the semiconductor components may be unfired LED chips that are mounted directly on the lead frame and immediately surrounded by the potting.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform ist das Ringlichtmodul zu einer Abstrahlung an zwei einander gegenüberliegenden Hauptseiten eingerichtet. Beispielsweise sind dann zwei der Reflektoren des Ringlichtmoduls antiparallel zueinander orientiert und, in Draufsicht auf eine der Hauptseiten gesehen, bevorzugt deckungsgleich übereinander angeordnet. Die beiden Reflektoren können gleich oder unterschiedlich voneinander geformt sein, etwa mit voneinander verschiedenen, mittleren Krümmungen.In accordance with at least one embodiment, the ring light module is arranged to emit radiation on two opposite main sides. For example, two of the reflectors of the ring light module are then oriented antiparallel to each other and, viewed in plan view on one of the main sides, preferably arranged congruently one above the other. The two reflectors can be shaped the same or different from each other, for example, with mutually different, average curvatures.

Darüber hinaus wird ein Verfahren zur Herstellung eines Ringlichtmoduls angegeben. Bei dem Ringlichtmodul kann es sich um ein Modul handeln, wie in einer oder mehrerer der oben genannten Ausführungsformen angegeben. Merkmale des Verfahrens sind daher auch für das Ringlichtmodul offenbart und umgekehrt.In addition, a method for producing a ring light module is specified. The ring light module may be a module as indicated in one or more of the above embodiments. Features of the method are therefore also disclosed for the ring light module and vice versa.

In mindestens einer Ausführungsform umfasst das Verfahren mindestens die folgenden Schritte, insbesondere in der angegebenen Reihenfolge:

– Befestigen der Halbleiterbauteile auf dem Träger, und
– Anbringen des Reflektors an dem Träger, wobei der Träger eine Metallkernplatine, einen Leiterrahmen und/oder eine flexible Leiterplatte umfasst oder ist.

In at least one embodiment, the method comprises at least the following steps, in particular in the order given:

- Fixing the semiconductor devices on the carrier, and
- Attaching the reflector to the carrier, wherein the carrier comprises a metal core board, a lead frame and / or a flexible circuit board or is.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens wird der Träger, nach dem Befestigen der Halbleiterbauteile, zu der Anordnungslinie aufgerollt oder aufgebogen. Bei dem Teil des Trägers, auf dem die Halbleiterbauteile angebracht sind, handelt es sich dann beispielsweise um einen Leiterplattenstreifen, der zu einem Ring geformt wird.In accordance with at least one embodiment of the method, after the semiconductor components have been attached, the carrier is rolled up or bent up to the arrangement line. The part of the carrier on which the semiconductor devices are mounted is then, for example, a strip of printed circuit board which is formed into a ring.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform wird der Träger, nach dem Befestigen der Halbleiterbauteile, stellenweise umgeknickt oder umgebogen. Durch das Umknicken oder Umbiegen können die Bodenseite und Seitenwände des Ringlichtmoduls ausgebildet werden. Es ist möglich, dass die Seitenwände segmentiert sind und aus mehreren umgebogenen Teilen gebildet werden oder auch, dass die Bodenseite segmentiert ist. Die Schritte des Aufrollens und des Umbiegens können miteinander kombiniert sein.In accordance with at least one embodiment, after the semiconductor components have been attached, the carrier is locally folded or bent over. By bending or bending the bottom side and side walls of the ring light module can be formed. It is possible that the side walls are segmented and formed from several bent parts or also that the bottom side is segmented. The steps of reeling and bending may be combined.

Nachfolgend wird ein hier beschriebenes Ringlichtmodul sowie ein hier beschriebenes Verfahren unter Bezugnahme auf die Zeichnung anhand von Ausführungsbeispielen näher erläutert. Gleiche Bezugszeichen geben dabei gleiche Elemente in den einzelnen Figuren an. Es sind dabei jedoch keine maßstäblichen Bezüge dargestellt, vielmehr können einzelne Elemente zum besseren Verständnis übertrieben groß dargestellt sein.Hereinafter, a ring light module described herein and a method described herein with reference to the drawings using exemplary embodiments will be explained in more detail. The same reference numerals indicate the same elements in the individual figures. However, there are no scale relationships shown, but individual elements can be shown exaggerated for better understanding.

Es zeigen:Show it:

1 bis 8 und 14 bis 16 schematische Darstellungen von Ausführungsbeispielen von hier beschriebenen Ringlichtmodulen, und 1 to 8th and 14 to 16 schematic representations of embodiments of ring light modules described herein, and

9 bis 13 schematische Darstellungen von Ausführungsbeispielen von hier beschriebenen Verfahren zur Herstellung von hier beschriebenen Ringlichtmodulen. 9 to 13 schematic representations of embodiments of methods described herein for the production of ring light modules described herein.

In 1A ist in einer Schnittdarstellung und in 1B in einer perspektivischen Darstellung ein Ausführungsbeispiel eines Ringlichtmoduls 1 gezeigt. Das Ringlichtmodul 1 umfasst einen Träger 4, an dem mehrere optoelektronische Halbleiterbauteile, bevorzugt Leuchtdioden, angebracht sind. Hauptemissionsrichtungen 20 der Leuchtdioden 2 weisen jeweils zu einem Zentrum 44 des Ringlichtmoduls 1. Die Hauptemissionsrichtungen 20 sind verschieden voneinander orientiert. In 1A is in a sectional view and in 1B in a perspective view of an embodiment of a ring light module 1 shown. The ring light module 1 includes a carrier 4 , to which a plurality of optoelectronic semiconductor components, preferably light-emitting diodes, are attached. Main directions of emission 20 the light-emitting diodes 2 each point to a center 44 of the ring light module 1 , The main emission directions 20 are different from each other.

Ferner beinhaltet das Ringlichtmodul 1 einen Reflektor 3 mit einer Reflexionsfläche 30. In dem Zentrum 44 weist der Reflektor 3 eine maximale Höhe auf, bezogen auf eine Bodenseite 40 des Ringlichtmoduls 1, die einer Strahlungshauptseite 45 gegenüberliegt. An der Strahlungshauptseite 45 wird bevorzugt die gesamte, im Ringlichtmodul 1 erzeugte Strahlung emittiert.Furthermore, the ring light module includes 1 a reflector 3 with a reflection surface 30 , In the center 44 has the reflector 3 a maximum height, based on a bottom side 40 of the ring light module 1 that a main radiation side 45 opposite. At the main radiation side 45 is preferred the entire, in the ring light module 1 emitted radiation emitted.

Die Halbleiterbauteile 2 sind entlang einer kreisförmigen, geschlossenen Anordnungslinie 42 angeordnet, in 1 durch eine Strich-Linie symbolisiert. Die Anordnungslinie 42 schließt den Reflektor 3, in Draufsicht gesehen, im Wesentlichen ein. Gemäß 1 ist die Reflexionsfläche 30 glatt und konvex geformt, aus Sicht der Halbleiterbauteile 2. Die Halbleiterbauteile 2 befinden sich näherungsweise in einem Brennpunkt der Reflexionsfläche 30. Durch die so geformte Reflexionsfläche 30 wird eine Strahlbündelung erzielt. The semiconductor components 2 are along a circular, closed array line 42 arranged in 1 symbolized by a dash line. The arrangement line 42 closes the reflector 3 , seen in plan view, a substantially. According to 1 is the reflection surface 30 smooth and convex shaped, from the perspective of semiconductor devices 2 , The Semiconductor components 2 are approximately in a focal point of the reflection surface 30 , Through the reflection surface thus formed 30 a beam is achieved.

Über die ringförmig angeordneten Halbleiterbauteile 2 ist eine hohe Leuchtdichte erzielbar. Durch den Reflektor 3 ist eine Homogenisierung der von den Halbleiterbauteilen 2 emittierten Strahlung erreichbar. About the ring-shaped semiconductor components 2 is a high luminance achievable. Through the reflector 3 is a homogenization of the semiconductor devices 2 emitted radiation reached.

Ein weiteres Ausführungsbeispiel des Ringlichtmoduls 1 ist in 2 gezeigt, siehe die Vorderansicht gemäß 2A, die Schnittdarstellungen gemäß 2B und gemäß 2C, die Draufsicht gemäß 2D und die perspektivische Darstellung gemäß 2E.Another embodiment of the ring light module 1 is in 2 shown, see the front view according to 2A , the sectional views according to 2 B and according to 2C , according to the top view 2D and the perspective view according to 2E ,

Im Vergleich zu 1 umfasst das Ringlichtmodul 1 gemäß 2 eine größere Anzahl von Halbleiterbauteilen 2. Die Reflexionsfläche 30 ist als Kegelmantel geformt und weist, im Querschnitt gesehen, eine dreieckige Form auf. Eine von den Halbleiterbauteilen 2 emittierte Strahlung R wird an der Reflexionsfläche 30 reflektiert. Compared to 1 includes the ring light module 1 according to 2 a larger number of semiconductor devices 2 , The reflection surface 30 is formed as a conical shell and has, seen in cross-section, a triangular shape. One of the semiconductor components 2 emitted radiation R is at the reflection surface 30 reflected.

Es ist möglich, dass der Reflektor 3 aus einem strahlungsdurchlässigen Material gebildet ist, vergleiche 2C, und über Totalreflexion wirkt. In diesem Fall kann an der Bodenseite 40 optional eine zusätzliche reflektierende Schicht, beispielsweise eine Metallbeschichtung, vorgesehen sein, die in 2 nicht gezeichnet ist. It is possible that the reflector 3 is formed of a radiation-transparent material, cf. 2C , and about total reflection acts. In this case can be at the bottom side 40 Optionally, an additional reflective layer, for example a metal coating, may be provided, which in 2 not drawn.

In 3 sind in schematischen Schnittdarstellungen weitere Ausführungsbeispiele des Ringlichtmoduls 1 gezeigt. Die Ringlichtmodule 1 weisen jeweils bevorzugt einen Kühlkörper 8 etwa mit Kühlrippen auf, der thermisch bevorzugt in unmittelbarem Kontakt zu dem Träger 4 steht und zu einer Entwärmung der Halbleiterbauteile 2 eingerichtet ist. Der Träger 4 umfasst ein gut wärmeleitfähiges Material wie Kupfer und ist beispielsweise aus einer Metallkernplatine hergestellt. In 3 are schematic sectional views of further embodiments of the ring light module 1 shown. The ring light modules 1 each preferably have a heat sink 8th approximately with cooling fins, the thermally preferably in direct contact with the carrier 4 stands and to a cooling of the semiconductor devices 2 is set up. The carrier 4 includes a good thermal conductivity material such as copper and is made for example of a metal core board.

Gemäß 3A ist der Reflektor 3 als Kegel ausgebildet und im Querschnitt gesehen dreieckig geformt. Der Reflektor 3 liegt vollständig innerhalb eines von dem Träger 4 umschlossenen Volumens. Zwischen gegenüberliegenden Halbleiterbauteilen 2 besteht keine direkte, nicht von dem Reflektor 3 unterbrochene Sichtlinie, wie bevorzugt auch in den anderen Ausführungsbeispielen.According to 3A is the reflector 3 formed as a cone and seen triangular in cross section. The reflector 3 lies completely within one of the carrier 4 enclosed volume. Between opposed semiconductor devices 2 There is no direct, not from the reflector 3 interrupted line of sight, as preferred in the other embodiments.

Beim Ausführungsbeispiel gemäß 3B ist der Reflektor 3 als Kegelstumpf geformt und weist im Querschnitt eine trapezförmige Gestalt auf. According to the embodiment 3B is the reflector 3 shaped as a truncated cone and has a trapezoidal shape in cross section.

In 3C ist ein Reflektor 3 mit einer aus Sicht der Halbleiterbauteile 2 konkaven Form gezeigt. In 3D weist der Reflektor 3 aus Sicht der Halbleiterbauteile 2 eine konvexe Form auf.In 3C is a reflector 3 with a view from the semiconductor devices 2 concave shape shown. In 3D has the reflector 3 from the perspective of semiconductor devices 2 a convex shape.

Beim Ausführungsbeispiel, wie in 3E gezeigt, ist die Reflexionsfläche 30 durch eine Vielzahl von Facetten 35 gebildet. Die Facetten 35 sind durch Kanten voneinander getrennt. In the embodiment, as in 3E shown is the reflection surface 30 through a variety of facets 35 educated. The facets 35 are separated by edges.

Optional, wie auch in allen anderen Ausführungsbeispielen, kann an der Lichtaustrittsseite 45 eine Abdeckplatte 6 vorgesehen sein. Ferner optional kann an der Abdeckplatte 6 ein Konversionsmittel 7 zur teilweisen Wellenlängenkonversion der von den Halbleiterbauteilen 2 erzeugten Strahlung vorhanden sein, wie auch in allen anderen Ausführungsbeispielen möglich.Optionally, as in all other embodiments, can at the light exit side 45 a cover plate 6 be provided. Further optionally, on the cover plate 6 a conversion agent 7 for partial wavelength conversion of the semiconductor devices 2 be generated radiation, as in all other embodiments possible.

In 3F sind die Halbleiterbauteile 2 in zwei Reihen angeordnet, die in Richtung senkrecht zur Bodenseite 40 übereinander liegen. Eine entsprechende Anordnung der Halbleiterbauteile 2 in mehreren Reihen oder auch spiralförmig entlang der Seitenwände 48 des Trägers 4 kann auch in allen anderen Ausführungsbeispielen vorliegen. Der Reflektor 3 überragt gemäß 3F den Träger 4, in Richtung weg von der Bodenseite 40. In 3F are the semiconductor devices 2 arranged in two rows, which are perpendicular to the bottom side 40 lie one above the other. A corresponding arrangement of the semiconductor components 2 in several rows or even spirally along the side walls 48 of the carrier 4 can also be present in all other embodiments. The reflector 3 surmounted according to 3F the carrier 4 , in the direction away from the bottom side 40 ,

Optional ist die Reflexionsseite 30 mit dem Konversionsmittel 7 beschichtet. Anders als gezeichnet ist es möglich, dass sich das Konversionsmittel 7 nur auf bestimmte Teilbereiche der Reflexionsfläche 30 erstreckt. Ein auf dem Reflektor 3 aufgebrachtes Konversionsmittel 7 kann auch in allen anderen Ausführungsbeispielen vorhanden sein.Optional is the reflection side 30 with the conversion agent 7 coated. Other than drawn, it is possible that the conversion agent 7 only on certain subregions of the reflection surface 30 extends. One on the reflector 3 applied conversion agent 7 can also be present in all other embodiments.

Auch das Ringlichtmodul 1 gemäß 3G weist zwei Facetten 35 auf. Es ist möglich, dass jede der Facetten 35 genau einer der Reihen der Halbleiterbauteile 2 zugeordnet ist. Anders als gezeichnet können die Facetten, im Querschnitt gesehen, nicht nur gerade verlaufende Flächen, sondern auch gekrümmt verlaufende Flächen aufweisen. Also the ring light module 1 according to 3G has two facets 35 on. It is possible that each of the facets 35 exactly one of the rows of semiconductor devices 2 assigned. Unlike drawn, the facets, viewed in cross-section, not only straight surfaces, but also have curved surfaces.

Beim Ausführungsbeispiel gemäß 4A ist der Reflektor 3 semi-transparent. Nur ein Teil der Strahlung R wird an der Reflexionsfläche 30 reflektiert. Ein anderer Teil der Strahlung R durchläuft den Reflektor 3 und wird an der Reflexionsfläche 30 insgesamt zwei Mal gebrochen. According to the embodiment 4A is the reflector 3 semitransparent. Only part of the radiation R is at the reflection surface 30 reflected. Another part of the radiation R passes through the reflector 3 and will be at the reflection surface 30 a total of twice broken.

Gemäß 4B ist der Reflektor 3 als spektral abhängig reflektierender Spiegel ausgeführt. Eine Strahlung R1 mit einer ersten spektralen Zusammensetzung wird an der Reflexionsfläche 30 reflektiert. Eine Strahlung R2 mit einer anderen spektralen Zusammensetzung durchläuft den Reflektor 3 und erfährt eine Brechung an der Reflexionsfläche 30. Semitransparente und/oder dichroitische Reflektoren 3 können auch bei den anderen geometrischen Formen des Reflektors 3, vergleiche beispielsweise 3, Verwendung finden.According to 4B is the reflector 3 designed as a spectrally dependent reflecting mirror. A radiation R1 having a first spectral composition becomes at the reflection surface 30 reflected. A radiation R2 with a different spectral composition passes through the reflector 3 and undergoes a refraction at the reflection surface 30 , Semitransparent and / or dichroic reflectors 3 can also be at the other geometric Shapes of the reflector 3 , compare for example 3 , Find use.

In 5 ist dargestellt, dass das Ringlichtmodul 1 einen Reflektor 3 mit einer veränderlichen Reflexionsfläche 30a, 30b aufweist. Beispielsweise abhängig von einer Temperatur oder von einem Gasdruck innerhalb des Reflektors 3 kann der Reflektor 3 eine konvexe, Licht sammelnde Reflexionsfläche 30a aufweisen oder eine Licht verteilend wirkende, konkave Reflexionsfläche 30b. In 5 is shown that the ring light module 1 a reflector 3 with a variable reflection surface 30a . 30b having. For example, depending on a temperature or a gas pressure within the reflector 3 can the reflector 3 a convex, light collecting reflection surface 30a or a light-distributing, concave reflection surface 30b ,

Im Ausführungsbeispiel gemäß 6 ist gezeigt, dass der Reflektor 3 im Querschnitt gesehen kosinusförmig ausgebildet ist. Die Reflexionsfläche 30 weist in dem Zentrum 44, in dem der Reflektor 3 eine maximale Höhe aufweist, keine Spitze auf, sondern verläuft rund. In the embodiment according to 6 is shown that the reflector 3 Seen in cross section is cosinusoidal. The reflection surface 30 points in the center 44 in which the reflector 3 has a maximum height, no top on, but runs around.

Im Vergleich zu 6A weist der Reflektor 3 gemäß 6B eine stärkere Krümmung auf. Die Hauptemissionsrichtungen 20 der Halbleiterbauteile 2 weisen von der Bodenseite 40 weg. Anders als dargestellt ist es wie auch in allen anderen Ausführungsbeispielen möglich, dass die Hauptemissionsrichtungen 20 zu der Bodenseite 40 hin weisen oder parallel zur Bodenseite verlaufen. Compared to 6A has the reflector 3 according to 6B a stronger curvature. The main emission directions 20 the semiconductor components 2 pointing from the bottom side 40 path. Other than illustrated, it is possible, as in all other embodiments, that the main emission directions 20 to the bottom side 40 point or parallel to the bottom side.

In 7 sind zwei Träger 4a, 4b mit den zugehörigen, nicht gezeichneten Reflektoren und Halbleiterbauteilen antiparallel aufeinander gestapelt. Hierdurch ist es möglich, dass eine beidseitige und/oder omnidirektionale Emission der Strahlung R erzielt wird. In 7 are two carriers 4a . 4b with the associated, not shown reflectors and semiconductor devices stacked antiparallel to each other. This makes it possible that a bilateral and / or omnidirectional emission of the radiation R is achieved.

Beim Ausführungsbeispiel gemäß 8 ist dem Reflektor 3 eine Linse 5 nachgeordnet. Die Linse wirkt sowohl refraktiv als auch reflektiv. Hierdurch ist es möglich, dass ein Teil der Strahlung R entgegen der Hauptemissionsrichtung des Reflektors 3 und/oder der Halbleiterbauteile 2 geführt wird. According to the embodiment 8th is the reflector 3 a lens 5 downstream. The lens is both refractive and reflective. This makes it possible that a portion of the radiation R opposite to the main emission direction of the reflector 3 and / or the semiconductor devices 2 to be led.

In 9 ist ein Herstellungsverfahren für das Ringlichtmodul 1 illustriert. Gemäß 9A wird der streifenförmige Träger 4 bereitgestellt. Ferner werden die Halbleiterbauteile 2 bereitgestellt. Bei den Halbleiterbauteilen 2 kann es sich um Leuchtdioden mit einem gehausten Leuchtdiodenchip handeln. Die Halbleiterbauteile 2 weisen dann bevorzugt einen Zwischenträger 27 mit einer Montageseite 24 auf sowie einen linsenförmigen Vergusskörper 28. Der Vergusskörper 28 kann rotationssymmetrisch oder, in Draufsicht auf die Montageseite 24 gesehen, auch ellipsoid geformt sein. Die Hauptemissionsrichtung 20 ist senkrecht zur Montageseite 24 orientiert. Abweichend hiervon ist es auch möglich, dass Leuchtdiodenchips im ungehausten Zustand auf den Träger 4 montiert werden, vergleiche auch 9B. In 9 is a manufacturing method for the ring light module 1 illustrated. According to 9A becomes the strip-shaped carrier 4 provided. Further, the semiconductor devices become 2 provided. For the semiconductor components 2 it may be light emitting diodes with a gehausten LED chip. The semiconductor components 2 then preferably have an intermediate carrier 27 with a mounting side 24 on and a lenticular potting 28 , The potting body 28 can be rotationally symmetrical or, in plan view of the mounting side 24 seen to be ellipsoidal. The main emission direction 20 is perpendicular to the mounting side 24 oriented. Notwithstanding this, it is also possible that LED chips in the uncausaged state on the carrier 4 be mounted, compare too 9B ,

Gemäß 9C wird der Träger 4 mit den Halbleiterbauteilen 2 zu einem Ring aufgerollt. Nachfolgend wird, siehe 9D, der Reflektor 3 angebracht. Hieraus ergibt sich dann ein Ringlichtmodul 1, wie beispielsweise in Verbindung mit 1B dargestellt. According to 9C becomes the carrier 4 with the semiconductor components 2 rolled up into a ring. The following will be, see 9D , the reflector 3 appropriate. This results in a ring light module 1 , such as in conjunction with 1B shown.

Beim Verfahren gemäß 10 werden die Halbleiterbauteile 2 auf dem planaren Träger 4 montiert. Der Träger 4 weist einen zentralen Bereich für die Bodenseite 40 und sternförmig angeordnete Bereiche für die Seitenwände 48 auf. In einem weiteren Verfahrensschritt, vergleiche die 10B bis 10D, werden die Bereiche für die Seitenwände 48 umgeklappt, sodass sich das Ringlichtmodul 1 ergibt. In the method according to 10 become the semiconductor components 2 on the planar support 4 assembled. The carrier 4 has a central area for the bottom side 40 and star-shaped areas for the side walls 48 on. In a further process step, compare the 10B to 10D , the areas for the sidewalls become 48 folded down, so that the ring light module 1 results.

Anders als in 10A dargestellt, können die Bereiche für die Seitenwände 48 nicht nur rechteckig sondern auch trapezförmig oder dreieckig geformt sein. Entsprechend können die Hauptemissionsrichtungen 20 der Halbleiterbauteile zu der Bodenseite 40 hinweisen, siehe 10B, oder von der Bodenseite 40 wegweisen, vergleiche 10C.Unlike in 10A shown, the areas for the side walls 48 not only rectangular but also trapezoidal or triangular shaped. Accordingly, the main emission directions 20 the semiconductor devices to the bottom side 40 point out, see 10B , or from the bottom side 40 pointing the way, compare 10C ,

Ein weiteres Ausführungsbeispiel des Herstellungsverfahrens ist in 11 gezeigt. Gemäß 11A werden die Halbleiterbauteile 2 auf den streifenförmigen Träger 4 aufgebracht. Die Bereiche für die Bodenseite 40 sind dreieckförmig an den Streifen für die Seitenwände 48 angebracht. In 11B ist zu sehen, dass die Bereiche für die Bodenseite 40 umgeklappt werden und der Bereich für die Seitenwände 48 aufgerollt wird. Zur Vereinfachung der Darstellung ist der Reflektor in 11B nicht gezeigt.Another embodiment of the manufacturing process is in 11 shown. According to 11A become the semiconductor components 2 on the strip-shaped carrier 4 applied. The areas for the bottom side 40 are triangular on the strips for the sidewalls 48 appropriate. In 11B you can see that the areas for the bottom side 40 be folded down and the area for the side walls 48 being rolled up. To simplify the illustration, the reflector is in 11B Not shown.

Beim Ausführungsbeispiel des Verfahrens gemäß 12 werden seitlich emittierende Halbleiterbauteile 2 bereitgestellt, vergleiche 12A. Der Träger 4 ist ringförmig oder plattenartig gestaltet, siehe ebenfalls 12A. Gemäß 12B werden die Halbleiterbauteile 2, deren Hauptemissionsrichtung 20 parallel zu der Montageseite 24 orientiert ist, auf den Träger 4 aufgebracht. In 12B ist der Reflektor nicht gezeichnet. In the embodiment of the method according to 12 become laterally emitting semiconductor devices 2 provided, compare 12A , The carrier 4 is designed ring-shaped or plate-like, see also 12A , According to 12B become the semiconductor components 2 , their main emission direction 20 parallel to the mounting side 24 is oriented to the wearer 4 applied. In 12B the reflector is not drawn.

In 13 ist schematisch gezeigt, dass der Träger 4 durch einen Leiterrahmen 27 gebildet ist. Die Halbleiterbauteile 2, die auf den Leiterrahmen 27 montiert sind, sind in 13 nicht gezeichnet. Entsprechend der für die Anordnungslinie 42 notwendigen Länge wird der Leiterrahmen 27 vereinzelt, symbolisiert durch die Strich-Linien.In 13 is shown schematically that the carrier 4 through a ladder frame 27 is formed. The semiconductor components 2 on the ladder frame 27 are mounted in are 13 not drawn. According to the arrangement line 42 necessary length becomes the lead frame 27 isolated, symbolized by the dash lines.

Das Ringlichtmodul gemäß 14, siehe die Schnittdarstellung in 14A, weist einen konvex geformten Reflektor 3 auf. Hieraus ergibt sich eine enge Abstrahlcharakteristik, siehe 14B. In 14B ist entlang eines Emissionswinkels φ der Lichtstrom Φ aufgetragen. Ein Abstrahlwinkel liegt hierbei bei ungefähr 60°, bezogen auf die volle Breite auf halber Höhe des Maximums, kurz FWHM. The ring light module according to 14 , see the sectional view in 14A , has a convex shaped reflector 3 on. This results in a narrow emission characteristic, see 14B , In 14B the luminous flux Φ is plotted along an emission angle φ. An emission angle is included here about 60 °, based on the full width at half height of the maximum, short FWHM.

Das Ringlichtmodul 1 gemäß 15A weist einen konkav geformten Reflektor 3 auf. Hieraus resultiert eine breitere Abstrahlcharakteristik, siehe 15B, mit einem Abstrahlwinkel von ungefähr 140° FWHM. The ring light module 1 according to 15A has a concave shaped reflector 3 on. This results in a broader radiation characteristic, see 15B , with a beam angle of approximately 140 ° FWHM.

Beim Ausführungsbeispiel gemäß der 16A und 16B werden mehrere, insbesondere baugleiche Träger 4 mit den zugehörigen Halbleiterbauteilen 2 auf den Reflektor 3 montiert, sodass die Halbleiterbauteile 2 in mehreren Reihen übereinander angeordnet sind. Abweichend hiervon ist es möglich, dass die einzelnen Reihen der Halbleiterbauteile 2 unterschiedlich voneinander geformt sind. In the embodiment according to the 16A and 16B become several, in particular identical carriers 4 with the associated semiconductor components 2 on the reflector 3 mounted so that the semiconductor components 2 arranged in several rows one above the other. Deviating from this, it is possible that the individual rows of the semiconductor devices 2 are shaped differently from each other.

Auch bei einem solchen Ringlichtmodul 1 ergibt sich eine bezüglich des Emissionswinkels enge Abstrahlcharakteristik, vergleiche 16C. Ein Emissionswinkel liegt bei ungefähr 80° FWHM.Even with such a ring light module 1 results in a narrow emission characteristic with respect to the emission angle, cf. 16C , An emission angle is about 80 ° FWHM.

Die hier beschriebene Erfindung ist nicht durch die Beschreibung anhand der Ausführungsbeispiele beschränkt. Vielmehr umfasst die Erfindung jedes neue Merkmal sowie jede Kombination von Merkmalen, was insbesondere jede Kombination von Merkmalen in den Patentansprüchen beinhaltet, auch wenn dieses Merkmal oder diese Kombination selbst nicht explizit in den Patentansprüchen oder Ausführungsbeispielen angegeben ist.The invention described here is not limited by the description based on the embodiments. Rather, the invention encompasses any novel feature as well as any combination of features, including in particular any combination of features in the claims, even if this feature or combination itself is not explicitly stated in the claims or exemplary embodiments.

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Zitierte PatentliteraturCited patent literature

DE 102010046255 A1 [0002]

Claims

Ring light module ( 1 ) with - a plurality of light-emitting, optoelectronic semiconductor components ( 2 ), each having a main emission direction ( 20 ), - a reflector ( 3 ), which has a curved reflection surface ( 30 ), and - a carrier ( 4 ), on which the semiconductor components ( 2 ), wherein - the semiconductor devices ( 2 ), in plan view of the reflection surface ( 30 ), along an arrangement line ( 42 ) annularly around the reflection surface ( 30 ) are arranged around, - in a center ( 44 ) the reflector ( 3 ) has a maximum height relative to a bottom side ( 40 ) of the ring light module ( 1 ), - the bottom side ( 40 ) of a radiation main side ( 45 ), - the Center ( 44 ) in a geometric center of one of the arrangement line ( 42 enclosed inner surface is, in plan view of the reflection surface ( 30 ) and with a tolerance of at most 10% of a mean diameter of the inner surface, - the main emission directions ( 20 ), in plan view of the reflection surface ( 30 ), depending on the center ( 44 ), and - along the arrangement line ( 42 ) the semiconductor components ( 2 ) are arranged tightly.

Ring light module ( 1 ) according to the preceding claim, in which a distance between adjacent semiconductor components ( 2 ) along the closed array line ( 42 ) at most 200% of a mean edge length of the semiconductor components ( 2 ), wherein all semiconductor components ( 2 ) are identical.

Ring light module ( 1 ) according to one of the preceding claims, in which the semiconductor components ( 2 ) in at least two rows around the reflection surface ( 30 ) are arranged around.

Ring light module ( 1 ) according to one of the preceding claims, wherein the main emission directions ( 20 ) of at least part of the semiconductor components ( 2 ) towards the bottom side ( 40 ) point.

Ring light module ( 1 ) according to one of the preceding claims, in which the reflection surface ( 30 ) is concavely curved.

Ring light module ( 1 ) according to one of the preceding claims, in which the reflector ( 4 ) is semitransparent and / or chromatically selectively reflective.

Ring light module ( 1 ) according to one of the preceding claims, in which the reflection surface ( 30 ) of at least two facets ( 35 ), the facets ( 35 ) are separated by edges.

Ring light module ( 1 ) according to one of the preceding claims, in which the semiconductor components ( 2 ), relative to the reflection surface ( 30 ), are displaceable.

Ring light module ( 1 ) according to one of the preceding claims, comprising between eight and 32 of the semiconductor components ( 2 ), wherein - the mean diameter of the inner surface is between 5 mm and 50 mm inclusive, - the maximum height of the reflector ( 3 ) is between 2 mm and 50 mm inclusive, - the semiconductor components ( 2 ) are designed to produce a luminous flux of at least 50 lm each during normal use, - at least 50% of that of the semiconductor components ( 2 ) generated radiation on the reflection surface ( 30 ), - a proportion of at least 80% of that on the reflecting surface ( 30 ), from the semiconductor devices ( 2 ) after only a single reflection at the reflection surface ( 30 ) to the main radiation side ( 45 ), and - the reflection surface ( 30 ) is rotationally symmetrical.

Ring light module ( 1 ) according to one of the preceding claims, wherein the main radiation side ( 45 ) a lens ( 5 ), wherein - the lens ( 5 ) is permeable to radiation, - a reflector ( 3 ) facing away from the lens top ( 50 ) a central minimum ( 51 ), - a reflector ( 3 ) facing lens underside ( 55 ) a circulating minimum ( 56 ), - the lens ( 5 ) is jet-forming both by refraction and by reflection, and - by the lens ( 5 ) a part of the semiconductor components ( 2 ) emitted radiation in the direction away from the lens top side ( 50 ) and this part of the radiation is the lens ( 5 ) does not go through.

Ring light module ( 1 ) according to one of the preceding claims, in which on a cover plate ( 6 ) on the main radiation side ( 45 ) and / or on the reflection surface ( 30 ) a conversion means ( 7 ) to an at least partial wavelength conversion of the semiconductor components ( 2 ) emitted radiation is mounted, wherein the conversion means ( 7 ) of the semiconductor components ( 2 ) is arranged at a distance.

Ring light module ( 1 ) according to one of the preceding claims, in which the main emission directions ( 20 ) of the semiconductor components ( 2 ) parallel to mounting sides ( 24 ) of the semiconductor components ( 2 ) are oriented.

Ring light module ( 1 ) according to one of the preceding claims, in which the semiconductor components ( 2 ) via a common lead frame ( 27 ) feature.

Ring light module ( 1 ) according to one of the preceding claims, which is arranged for emission on two mutually opposite main sides.

Method for producing a ring light module ( 1 ) according to one of the preceding claims, comprising the steps of: - fixing the semiconductor components ( 2 ) on the support ( 4 ), and - attaching the reflector ( 3 ) to the carrier ( 4 ), the carrier ( 4 ) a metal core board, a lead frame ( 27 ) and / or a flexible printed circuit board.

Method according to the preceding claim, in which, after fixing the semiconductor components, the carrier ( 4 ) to the order line ( 42 ) is rolled up.

Method according to Claim 15 or 16, in which, after fixing the semiconductor components, the support ( 4 ) is bent or bent in places, so that the bottom side ( 40 ) and side walls ( 48 ) of the ring light module ( 1 ) train.