DE102012212333A1 - Verfahren und vorrichtung zum bestimmen eines masses einer dicke eines polierkissens einer poliermaschine - Google Patents
Verfahren und vorrichtung zum bestimmen eines masses einer dicke eines polierkissens einer poliermaschine Download PDFInfo
- Publication number
- DE102012212333A1 DE102012212333A1 DE102012212333A DE102012212333A DE102012212333A1 DE 102012212333 A1 DE102012212333 A1 DE 102012212333A1 DE 102012212333 A DE102012212333 A DE 102012212333A DE 102012212333 A DE102012212333 A DE 102012212333A DE 102012212333 A1 DE102012212333 A1 DE 102012212333A1
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- thickness
- polishing pad
- carrier
- polishing
- detector
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Ceased
Links
Images
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
- B24B37/005—Control means for lapping machines or devices
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B49/00—Measuring or gauging equipment for controlling the feed movement of the grinding tool or work; Arrangements of indicating or measuring equipment, e.g. for indicating the start of the grinding operation
- B24B49/10—Measuring or gauging equipment for controlling the feed movement of the grinding tool or work; Arrangements of indicating or measuring equipment, e.g. for indicating the start of the grinding operation involving electrical means
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B49/00—Measuring or gauging equipment for controlling the feed movement of the grinding tool or work; Arrangements of indicating or measuring equipment, e.g. for indicating the start of the grinding operation
- B24B49/12—Measuring or gauging equipment for controlling the feed movement of the grinding tool or work; Arrangements of indicating or measuring equipment, e.g. for indicating the start of the grinding operation involving optical means
Abstract
Eine Vorrichtung zum Bestimmen eines Maßes einer Dicke eines Polierkissens einer Poliermaschine umfasst einen Detektor und einen Bestimmer. Der Detektor ist konfiguriert, um eine Position eines Trägers eines zu polierenden Elements in einer Druckrichtung zu erfassen, während das Element durch den Träger mit einem definierten Druck in der Druckrichtung gegen das Polierkissen gedrückt wird. Der Detektor ist ferner konfiguriert, um ein Signal auszugeben, das die Position des Trägers anzeigt. Der Bestimmer ist konfiguriert, um das Maß der Dicke des Polierkissens basierend auf dem Signal zu bestimmen, das die Position des Trägers anzeigt.
Description
- Ausführungsbeispiele der vorliegenden Erfindung beziehen sich auf ein Verfahren und eine Vorrichtung zum Bestimmen eines Maßes einer Dicke eines Polierkissens einer Poliermaschine und auf eine Poliermaschine.
- Eine Poliermaschine wird verwendet, um ein Element, z. B. einen Wafer, zu polieren, um eine ebene Oberfläche des Elements bereitzustellen. Zu diesem Zweck wird die Oberfläche des Elements durch Verwenden eines Polierkissens abgeschliffen und geebnet. Bei dem Prozess des Polierens des Elements wird das Element relativ parallel zu dem Polierkissen bewegt und/oder gedreht, während das Element durch einen Träger der Poliermaschine gegen das Polierkissen gedrückt wird. Der Polierprozess oder genauer gesagt, mehrere Polierprozesse bewirken ein Abschleifen des Polierkissens, das ein Verschleißteil der Poliermaschine darstellt. Daher wird ein Polierkissen ersetzt, wenn eine bestimmte Anzahl von Elementen poliert wurden oder wenn eine minimale Restdicke des Polierkissens erreicht ist. Aufgrund der geringen Kissendicke, z. B. 1200 μm, ist es eine schwierige Aufgabe, die Dicke des Polierkissens genau zu bestimmen und zu überwachen.
- Ein Ausführungsbeispiel schafft eine Vorrichtung zum Bestimmen eines Maßes einer Dicke eines Polierkissens einer Poliermaschine. Die Vorrichtung weist einen Detektor auf, der konfiguriert ist, um eine Position eines Trägers eines zu polierenden Elements in einer Druckrichtung zu erfassen, während das Element durch den Träger mit einem definierten Druck in der Druckrichtung gegen das Polierkissen gedrückt wird, und um ein Signal auszugeben, das die Position des Trägers anzeigt. Die Vorrichtung weist ferner einen Bestimmer auf, der konfiguriert ist, um das Maß der Dicke des Polierkissens basierend auf dem Signal zu bestimmen, das die Position des Trägers anzeigt.
- Ein weiteres Ausführungsbeispiel schafft eine Vorrichtung zum Bestimmen eines Maßes einer Dicke eines Polierkissens einer Poliermaschine. Die Vorrichtung weist einen Detektor auf, der konfiguriert ist, um eine Position eines Trägers eines zu polierenden Elements in einer Polierrichtung zu erfassen, während das Element durch den Träger mit einem definierten Druck in der Druckrichtung gegen das Polierkissen gedrückt wird, wobei der Detektor konfiguriert ist, um ein Signal auszugeben, das die Position des Trägers anzeigt. Die Vorrichtung weist ferner einen Bestimmer auf, der konfiguriert ist, um das Maß der Dicke des Polierkissens basierend auf dem Signal zu bestimmen, das die Position des Trägers anzeigt, und auf der Basis von Kalibrierungsdaten, die im Voraus erhalten werden unter Verwendung des Polierkissens einer bekannten Dicke, eines vorbestimmten Drucks und einer vorbestimmten Dicke des Elements, wobei der Bestimmer konfiguriert ist, um ein Alarmsignal auszugeben, falls die bestimmte Dicke des Polierkissens unter einen Schwellenwert fällt.
- Ein weiteres Ausführungsbeispiel schafft eine Poliermaschine zum Polieren eines Elements. Die Poliermaschine weist eine Auflage auf, auf der ein Polierkissen befestigt ist, und einen Träger des zu polierenden Elements. Der Träger ist konfiguriert, um sich in einer Druckrichtung zu bewegen und um das Element mit einem definierten Druck in der Druckrichtung gegen das Polierkissen zu drücken, und um das Element relativ parallel zu einem Polierkissen zu bewegen und/oder zu drehen. Die Poliermaschine weist einen Detektor auf, der konfiguriert ist, um eine Position des Trägers zu erfassen, während das Element durch den Träger mit dem definierten Druck in der Druckrichtung gegen das Polierkissen gedrückt wird, und um ein Signal auszugeben, das die Position des Trägers anzeigt. Die Poliermaschine weist ferner einen Bestimmer auf, der konfiguriert ist, um das Maß der Dicke des Polierkissens basierend auf dem Signal zu bestimmen, das eine Position eines Trägers anzeigt.
- Ein weiteres Ausführungsbeispiel schafft ein Verfahren zum Bestimmen eines Maßes einer Dicke eines Polierkissens einer Poliermaschine. Das Verfahren weist folgende Schritte auf: Erfassen einer Position eines Trägers eines zu polierenden Elements in einer Druckrichtung, während das Element durch den Träger mit einem definierten Druck in der Druckrichtung gegen das Polierkissen gedrückt wird; Ausgeben eines Signals, das die Position des Trägers anzeigt. Das Dickemaß des Polierkissens wird basierend auf dem Signal bestimmt, das die Position eines Trägers anzeigt.
- Bevorzugte Ausführungsbeispiele der vorliegenden Erfindung werden nachfolgend Bezug nehmend auf beiliegende Zeichnungen näher erläutert. Es zeigen:
-
1 ein schematisches Blockdiagramm eines Detektors und eines Bestimmers, die an eine Poliermaschine gemäß einem Ausführungsbeispiel angelegt sind; -
2a zeigt ein schematisches Diagramm eines Drucks, der durch einen Träger ausgeübt wird und eine nachfolgende Komprimierung eines Polierkissens, um den Einfluss des Drucks auf eine Bestimmung eines Maßes einer Dicke des Polierkissens darzustellen; -
2b eine schematische Ansicht einer Poliermaschine mit fünf Trägern, um den Einfluss einer Anzahl von Trägern darzustellen, die bei einer Bestimmung eines Maßes einer Dicke eines Polierkissens verwendet werden; -
2c eine schematische mehrdimensionale Tabelle, um eine Beziehung eines Maßes einer Dicke mit einem Signal darzustellen, das eine Position eines Träges abhängig von Einflussfaktoren anzeigt; -
3 ein Diagramm einer Mehrzahl von Signalen, die die Position eines Trägers zeitlich aufeinanderfolgend darstellen, aufgezeichnet über der Zeit während eines Polierprozesses; -
4 ein schematisches Diagramm von bestimmten Dickemaßen von sieben Polierkissen, aufgezeichnet über der Zeit; -
5a eine schematische Ansicht eines Ausführungsbeispiels mit einem optischen Detektor und einem Bestimmer, die an eine Poliermaschine angelegt sind; und -
5b ein schematisches Diagramm eines Signals, das eine Position eines Trägers anzeigt, der durch den optischen Detektor erfasst wird, gemäß dem Ausführungsbeispiel von5a . -
1 zeigt ein Ausführungsbeispiel einer Vorrichtung10 zum Bestimmen eines Maßes einer Dicke t eines Polierkissens12 einer Poliermaschine14 . Die Vorrichtung10 weist einen Detektor16 und einen Bestimmer18 auf. Der Detektor16 ist konfiguriert, um eine Position20 eines Trägers22 der Poliermaschine14 in einer Druckrichtung24 zu erfassen, und um ein Signal26 auszugeben, das die Position20 des Trägers22 anzeigt. Die Vorrichtung10 ist bei diesem Ausführungsbeispiel an die Poliermaschine14 angelegt, die eine Auflage28 aufweist, auf der das Polierkissen12 befestigt ist. Die Poliermaschine14 weist ferner den Träger22 eines zu polierenden Elements30 auf, der durch den Träger22 mit einem definierten Druck t1, z. B. 1600 N, in der Druckrichtung24 gegen das Polierkissen12 gedrückt wird. Der Träger22 , der das Element30 hält, ist relativ zu der Auflage28 in der Druckrichtung24 senkrecht zu der Auflage28 bewegbar und kann somit in der Druckrichtung24 unterschiedliche Positionen20 haben. - Nachfolgend wird die Funktion der Vorrichtung
10 zum Bestimmen des Maßes der Dicke t basierend auf der Position20 des Trägers22 beschrieben. Die Dicke t des Polierkissens12 ist die Ausdehnung desselben in der Druckrichtung24 . - Die Position
20 des Trägers22 in der Druckrichtung24 hängt von der Dicke t des Polierkissens12 ab, während das Element30 durch den Träger22 mit dem definierten Druck t1 gedrückt wird. Der Detektor16 erfasst die Position20 und gibt das Signal26 , das die Position20 angibt, beispielsweise eine Spannung, an den Bestimmer18 aus. Der Bestimmer18 bestimmt auf der Basis des Signals26 das Maß der Dicke t unter der Annahme einer bekannten oder konstanten Dicke des Elements30 . Die Messung kann ein absoluter oder ein relativer Wert der Dicke t sein. Es ist vorteilhaft, dass das Maß der Dicke t des Polierkissens12 und somit ein Abschleifen des Polierkissens12 während des Polierprozesses des Elements30 erfasst und/oder überwacht werden kann. So kann das Polierkissen12 zum vollen Ausmaß verwendet werden, oder anders ausgedrückt, bis zu der minimalen vordefinierten Restdicke t. Außerdem kann die Vorrichtung10 bei verschiedenen Arten bestehender Poliermaschinen angewendet werden. - Ausführungsbeispiele basieren auf der Erkenntnis, dass es möglich ist, ein Maß der Dicke t eines Polierkissens indirekt zu bestimmen durch Erfassen der Position eines Trägers, der ein zu polierendes Element gegen das Polierkissen drückt. Die Position des Trägers kann unter Verwendung geeigneter Detektoren, wie z. B. eines laserbasierten optischen Sensors oder eines kapazitiven Wandlers auf einfache Weise erfasst werden. Folglich kann die Dicke t des Polierkissens auf zuverlässige Weise bestimmt werden, selbst während eines Polierprozesses, ohne die Dicke t des Polierkissens direkt messen zu müssen.
- Bei Ausführungsbeispielen werden Bedingungen während des Bestimmens des Maßes der Dicke t des Polierkissens gesteuert, um Bedingungen zu entsprechen, während Kalibrierungsdaten erhalten werden, so dass das Maß der Dicke t des Polierkissens von dem Ausgangssignal des Detektors direkt abgeleitet werden kann durch Zugreifen auf die Kalibrierungsdaten unter Verwendung des Ausgangssignals des Detektors.
- Bei anderen Ausführungsbeispielen werden Kalibrierungsdaten für unterschiedliche Bedingungen erhalten, d. h. Einflussfaktoren, wie z. B. unterschiedliche Drücke, eine unterschiedliche Anzahl von Elementen, die gegen das Polierkissen gedrückt werden, und/oder unterschiedliche Dicken des zu polierenden Elements. Bei solchen Ausführungsbeispielen können basierend auf den Kalibrierungsdaten Nachschlagtabellen erzeugt werden und auf dieselben wird zugegriffen basierend auf einer oder mehreren der aktuellen Bedingungen, die vorliegen, wenn die Dicke t des Polierkissens bestimmt wird. Geeignete Sensoren zum Erfassen der tatsächlichen Bedingungen können vorgesehen sein. Bei anderen Ausführungsbeispielen können die tatsächlichen Bedingungen durch einen Betreiber in das Gerät eingegeben werden. Das Zugreifen auf die Nachschlagtabelle, um die tatsächlichen Bedingungen zu berücksichtigen, kann so gesehen werden, dass ein oder mehrere Korrekturfaktoren berücksichtigt werden beim Bestimmen des Maßes der Dicke t des Polierkissens.
- Mit Bezugnahme auf
2a bis2c werden Einflussfaktoren für die Bestimmung des Maßes der Dicke t des Polierkissens beschrieben. Die Einflussfaktoren können der Druck p sein, mit dem das Element gegen das Polierkissen gedrückt wird, eine tatsächliche Dicke des zu polierenden Elements, eine Charakteristik des verwendeten Trägers, z. B. eine Dicke des Trägers, und eine Anzahl von Elementen, die durch jeweilige Träger parallel an das Polierkissen gedrückt werden. -
2a zeigt beispielhaft eine Komprimierung des Polierkissens abhängig von dem Druck p, mit dem das Element durch den Träger einer Poliermaschine gegen das Polierkissen gedrückt wird. Das Diagramm zeigt eine Kurve32 gemessener Punkte der Polierkissenkomprimierung aufgezeichnet über den Druck p. Die Kurve32 , die durch ein Experiment erhalten wird, zeigt eine im Wesentlichen lineare Abhängigkeit von den zwei Messparametern von einem Bestimmtheitsmaß von 99,3%, wie es durch eine lineare Kurve34 dargestellt ist. Die folgende Beschreibung fährt fort unter der Annahme einer linearen Abhängigkeit von dem Druck p und der Position des Trägers auf deren Basis die Dicke t des Polierkissens bestimmt wird. Die Komprimierung des Polierkissens verursacht durch den Druck p ergibt sich aus einer elastischen Deformation des Polierkissens und hat keine Auswirkung auf die Dicke t, aber auf ihre Bestimmung. - Die Abhängigkeit von dem Druck p beeinflusst die Bestimmung des Maßes der Dicke t. Somit wird gemäß Ausführungsbeispielen der definierte Druck p1 gesteuert, um einem vorbestimmten Druck p2 zu entsprechen, mit dem das Element gegen das Polierkissen gedrückt wurde, als Kalibrierungsdaten erhalten wurden. Somit erfasst der Detektor die Position des Trägers, wenn Bedingungen bezüglich des Drucks p Bedingungen während des Erhaltens der Kalibrierungsdaten entsprechen, d. h. wenn der definierte Druck p1 gleich dem vorbestimmten Druck p2 ist. Bei anderen Ausführungsbeispielen kann der Bestimmer einen Korrekturfaktor verwenden, der eine Differenz zwischen dem definierten Druck p1 und dem vorbestimmten Druck p2 beim Bestimmen der Dicke des Polierkissens reflektiert.
- Die tatsächliche Dicke des zu polierenden Elements oder des Elements, das poliert wird, ist ein weiterer Faktor, der die Bestimmung des Maßes der Dicke t direkt beeinflusst. Gemäß Ausführungsbeispielen entspricht die tatsächliche Dicke des Elements einer vorbestimmten Dicke eines Elements, das verwendet wird, während die Kalibrierungsdaten erhalten werden. Bei anderen Ausführungsbeispielen kann der Bestimmer, wenn die Dicke t des Polierkissens bestimmt wird, einen Korrekturfaktor verwenden, der eine Differenz zwischen der tatsächlichen Dicke des Elements zu dem Zeitpunkt zu dem die Dicke t des Polierkissens bestimmt wird, und der vorbestimmten Dicke reflektiert.
-
2b zeigt schematisch eine Poliermaschine40 mit fünf Trägern für fünf zu polierende Elemente. Die Poliermaschine40 entspricht im Wesentlichen der Poliermaschine14 , die mit Bezug auf1 gezeigt ist, aber im Gegensatz dazu hat die Poliermaschine40 fünf bewegbare Träger42a ,42b ,42c ,42d ,42e . Jeder Träger42a ,42b ,42c ,42d ,42e weist einen jeweiligen Abwärtskraftzylinder44a ,44b ,44c ,44d und44e auf, der konfiguriert ist, um ein Element46a ,46b ,46c ,46d ,46e mit dem definierten Druck p1 in der Druckrichtung24 gegen das Polierkissen12 zu drücken. Der Detektor16 ist dem Träger42b zugeordnet, um die Position20 des Trägers42b wie oben beschrieben zu erfassen. - Die Position
20 des Trägers42b , die durch den Detektor16 erfasst wird, hängt von einer Anzahl und/oder einer Position von Trägern42a ,42b ,42c ,42d ,42e ab, die parallel verwendet werden, oder anders ausgedrückt von einer Anzahl und/oder einer Position von Elementen, die parallel gegen das Polierkissen12 gedrückt werden. Der Hintergrund hiervon ist, dass eine Lastverteilung auf das Polierkissen12 variiert abhängig von einer jeweiligen Trägerkonfiguration, d. h. abhängig von der Anzahl von Trägern, die tatsächlich verwendet werden oder abhängig von der Position von Trägern, die tatsächlich verwendet werden. Die Lastverteilung unterscheidet sich beispielsweise, falls Träger mit einem geringen Abstand zueinander (z. B. Träger42b und42c ) oder Träger mit einem größeren Abstand zueinander (z. B. Träger42b und42d ) verwendet werden. Bei Ausführungsbeispielen erfasst der Detektor16 die Position20 des Trägers42b , während die Bedingungen bezüglich der Anzahl und/oder der Position der Träger42a ,42b ,42c ,42d ,42e , die verwendet werden, und der Anzahl und/oder der Position der zu polierenden Elemente46a ,46b ,46c ,46d ,46e den Bedingungen entsprechen, während die Kalibrierungsdaten erhalten werden. Bei anderen Ausführungsbeispielen kann der Bestimmer, wenn er die Dicke t des Polierkissens bestimmt, einen Korrekturfaktor verwenden, der eine Differenz zwischen der Anzahl und/oder der Position der Träger (oder Elemente), die tatsächlich verwendet werden, und der Anzahl und/oder der Position der Träger (oder Elemente), die während des Erhaltens der Kalibrierungsdaten verwendet wurden, reflektiert. - Ferner hat der Träger selbst einen Einfluss auf die Bestimmung des Maßes der Dicke t des Polierkissens, aufgrund beispielsweise einer Dicke des Trägers oder seiner geometrischen Toleranzen. Somit können die Kalibrierungsdaten erhalten werden nach jeder Änderung des Trägers, um vergleichbare Bedingungen bezüglich des Trägers während der Bestimmung der Dicke t und des Erhaltens der Kalibrierungsdaten sicherzustellen.
-
2c zeigt eine mehrdimensionale Tabelle der Dicke t abhängig von dem Signal, das die Position des Trägers anzeigt, und abhängig von oben erörterten Einflussfaktoren, wie z. B. dem definierten Druck p1 und der Anzahl von Elementen (siehe46a ,46b ,46c ,46d ,46e ), die parallel gegen das Polierkissen gedrückt werden. In einem Bereich47 der Tabelle sind die Signale, die die Position anzeigen (siehe Spalte48a ) jeweiligen Werten der Dicke t (siehe Spalte49a ) zugewiesen. In jeder Zeile stimmt ein Signal, z. B. Signal48a_3 mit einem jeweiligen absoluten Wert der Dicke t, z. B.49a_3 überein, für den Fall der Verwendung eines Trägers. In einer zweiten Dimension sind die Signale (siehe Spalte48a ) den jeweiligen Werten der Dicke t (siehe Spalte49a ,49b ,49c ,49d und49e ) zugeordnet, abhängig von der Anzahl von verwendeten Trägern. In einer dritten Dimension sind die jeweiligen Signale (siehe Spalte48a ,48b ,48c ,48d und48e ) dem definierten Druck p1 zugewiesen, mit dem das Element während der Bestimmung des Maßes der Dicke t gegen das Polierkissen gedrückt wird. Der definierte Druck p1 wird beschrieben durch einen Wert, der von dem vorbestimmten Druck p2 abhängt. Die mehrdimensionale Tabelle kann weitere Abmessungen aufweisen, wie z. B. zum Korrigieren eines Einflusses der tatsächlichen Dicke des Elements, die sich von der vordefinierten Dicke unterscheiden kann. - Das Erhalten der Werte einer Tabelle, die die Werte der Dicke t den Ausgangssignalen des Detektors, den jeweiligen Drücken p, der Anzahl von verwendeten Trägern und/oder der Dicke des Elements zuweisen, können Teil des Erhaltens der Kalibrierungsdaten unter Verwendung eines Polierkissens einer bekannten Dicke t sein. Bei diesem Ausführungsbeispiel haben das Ausgangssignal des Detektors, die Werte der Dicke t und der Druck p eine lineare Abhängigkeit, wie es oben beschrieben ist. Die Abhängigkeit zwischen dem Ausgangssignal des Detektors, dem Wert der Dicke t, der Anzahl der Träger und/oder dem Druck p kann linear oder nicht linear sein.
- Die beschriebene Zuordnung, die die Kalibrierungstabelle verwendet, entspricht der Bestimmung der Dicke t durch Anlegen von einem oder mehreren Korrekturfaktoren, wobei ein erster Korrekturfaktor von einer Differenz zwischen dem definierten Druck p1 und dem vorbestimmten Druck p2 abhängt, ein zweiter Korrekturfaktor von einer Differenz zwischen der tatsächlichen Dicke des zu polierenden Elements und der vorbestimmten Dicke abhängt, und ein dritter Korrekturfaktor von einer Anzahl an Elementen abhängt, die durch die jeweiligen Träger (siehe
42a ,42b ,42c ,42d und42d ) parallel an das Polierkissen gedrückt werden. Gemäß einem Ausführungsbeispiel ist der Bestimmer konfiguriert, um das Maß der Dicke t durch Verwenden einer solchen mehrdimensionalen Nachschlagtabelle zu bestimmen. Es ist vorteilhaft, dass die Dicke t des Polierkissens unter unterschiedlichen Bedingungen bestimmt werden kann, z. B. einem anderen definierten Druck p1. - Bei anderen Ausführungsbeispielen wird die Vorrichtung gesteuert, so dass die Bedingungen allen Bedingungen des Erhaltens der Kalibrierungsdaten entsprechen, so dass die Dicke t von dem Ausgangssignal des Detektors direkt bestimmt werden kann, wie z. B. durch Verwenden einer Zuordnungstabelle mit nur einer einzigen Spalte. Bei anderen Ausführungsbeispielen werden ein oder mehrere Korrekturfaktoren verwendet abhängig davon, welche Bedingungen nicht den Bedingungen der Kalibrierung entsprechen.
-
3 zeigt ein Diagramm des Signals, das die Position des Trägers anzeigt, aufgezeichnet über der Zeit eines Polierprozesses. Hier zeigt eine Kurve50 eine Mehrzahl von Signalen, die zeitlich aufeinanderfolgend während drei Phasen des Polierprozesses erfasst werden. Die erste Phase52 ist von dem Anfang des Polierprozesses zu dem Zeitpunkt, wenn die Poliermaschine in einem stationären Zustand ist. Die zweite Phase54 stellt das Hauptintervall des Polierprozesses dar, bei dem die Poliermaschine14 in einem stationären Zustand ist. Die dritte Phase56 stellt das Intervall genau vor den Abschluss des Polierprozesses und dem Abheben des Trägers dar. - Die Kurve
50 zeigt in der ersten Phase52 und der dritten Phase56 hohe und verzerrte Werte aufgrund des Absenkens und Hochhebens des Trägers. In der zweiten Phase54 zeigt das Signal eine konstante Kurvenform mit kleinen Oszillationen. Die Oszillationen des Signals können durch Oszillationen der Poliermaschine während des Polierprozesses verursacht werden. Aufgrund der konstanten Werte in dem zweiten Intervall54 erfasst der Detektor gemäß diesem Ausführungsbeispiel die Position des Trägers zu einer vorbestimmten Zeit des Polierprozesses in diesem Intervall54 . Um die Oszillationen des Signals zu eliminieren, bestimmt der Bestimmer gemäß Ausführungsbeispielen das Maß der Dicke t basierend auf einem Mittelwert der Mehrzahl der Signalen zeitlich aufeinanderfolgend während eines weiteren Intervalls58 , das ein ordnungsgemäßer Teilsatz des Intervalls54 ist und eine Dauer von 30 Sekunden haben kann. - Das Abschleifen des zu polierenden Elements während des Intervalls
58 oder während eines einzelnen Polierprozesses ist vergleichsweise gering, so dass das Abschleifen die Bestimmung des Maßes der Dicke t nicht wesentlich beeinträchtigt oder beeinflusst. Ferner kann der Detektor die Position zu einer vorbestimmten Zeit des Polierprozesses erfassen, so dass Bestimmungen eines ersten und zweiten Maßes der Dicke t während eines ersten und eines zweiten Polierprozesses vergleichbar sind. -
4 zeigt ein Diagramm unterschiedlicher Maße der Dicke t, die durch oben beschriebene Vorrichtung und Verfahren bestimmt werden. Das Diagramm ist aufgezeichnet über der Zeit von etwa 7 Wochen und zeigt Messpunkte von sieben unterschiedlichen Polierkissen61a ,61b ,61c ,61d ,61e ,61f und61g . Jedes Polierkissen hat eine Anfangsdicke t von etwa 1200 μm und wird bis zu der erlaubten Restdicke t des Polierkissens, z. B. 800 μm oder sogar länger verwendet. - Der Wert der erlaubten Restpolierkissendicke t stellt einen Schwellenwert
60 dar. Um ein Polierkissen zur vollen Kapazität auszunutzen (bis zu der minimalen vordefinierten Restdicke t) kann der Bestimmer konfiguriert werden, um ein Alarmsignal auszugeben, falls die bestimmte Dicke t des Polierkissens unter den Schwellenwert60 fällt. Der Schwellenwert60 kann auf individueller Basis für jede Art von Polierkissen bestimmt werden. Die Anfangsdicke t des Polierkissens kann in einem begrenzten Bereich von etwa 80 μm Schwankungen unterworfen sein. Daher kann der Bestimmer nach dem Wechsel des Polierkissens auf eine bekannte Anfangsdicke t des Polierkissens kalibriert werden, um den Schwellenwert60 relativ zu der Anfangsdicke t des Polierkissens einzustellen. Dies ermöglicht es, das Alarmsignal basierend auf einem Abschleifen des Polierkissens einzustellen. - Nachfolgend wird ein bevorzugtes Ausführungsbeispiel mit einem optischen Detektor mit Bezugnahme auf
5a und5b erörtert. -
5a zeigt ein Ausführungsbeispiel, das mit dem Ausführungsbeispiel von1a vergleichbar ist, wobei der Detektor durch einen optischen Detektor62 gebildet wird. Der Detektor62 weist einen Reflektor64 auf, der einem Träger22 zugeordnet ist, so dass die Position20 des Trägers22 mit einer Position65 des Reflektors64 gekoppelt ist. Der Detektor62 weist ferner eine feste Signalquelle66 auf, beispielsweise einen Laser, und einen festen Sensor68 , z. B. einen CCD-Chip. Der Reflektor64 kann um 30 mm (dargestellt durch2b ) relativ zu der Signalquelle66 verschoben sein und kann einen Bewegungsbereich von +/– 5 mm aufweisen, dargestellt durch zwei Positionen65b und65c . Bei diesem Ausführungsbeispiel ist die Signalquelle66 angeordnet, so dass eine elektromagnetische Welle70 entlang der Druckrichtung24 zu dem Reflektor64 emittiert wird. Der Sensor68 ist abgewinkelt relativ zu der Signalquelle66 , so dass derselbe konfiguriert ist, um eine elektromagnetische Welle71a ,71b und71c zu empfangen, die durch den Reflektor64 diffus reflektiert wird. Die Signalquelle66 kann ferner eine Linse42 aufweisen, über die elektromagnetische Welle70 emittiert wird. Der Sensor68 kann ferner eine Linse74 aufweisen, über die elektromagnetische Welle71a ,71b oder71c empfangen wird. - Nachfolgend wird die Funktion des Detektors
62 dieses Ausführungsbeispiels erörtert. - Die Signalquelle
66 emittiert die elektromagnetische Welle70 , die durch den Reflektor64 zu dem Sensor68 reflektiert wird. Der Sensor68 empfangt die elektromagnetische Welle71a ,71b oder71c unter einem Einfallswinkel α, der von der Position65 des Reflektors64 abhängt. Falls der Reflektor64 beispielsweise in einer Position65a ist, reflektiert derselbe die elektromagnetische Welle70 , so dass der Sensor68 die elektromagnetische Welle71a unter einem ersten Einfallswinkel α empfängt. Analog wird die elektromagnetische Welle77b oder71c unter einem zweiten und dritten Einfallswinkel α empfangen, falls der Reflektor64 in der Position65b bzw.65c ist. Der Sensor68 ist konfiguriert, um den Einfallswinkel α zu erhalten. Bei dem Ausführungsbeispiel entspricht der erhaltene Einfallswinkel α dem elektrischen Signal26 , das durch den Detektor62 ausgegeben wird, oder genauer gesagt durch den Sensor68 des Bestimmers18 . Wie es mit Bezugnahme auf1 beschrieben ist, bestimmt der Bestimmer die Dicke t des Polierkissens12 auf der Basis des Signals26 , das den Einfallswinkel α anzeigt und somit die Position65 des Reflektors64 bzw. die Position20 des Trägers22 anzeigt. - Nachfolgend wird die Erfassung des Einfallswinkels α beschrieben.
5b zeigt schematisch ein Intensitätsspektrum, das über einen Positionsparameter x (Breite) des Sensors68 aufgezeichnet ist. Eine beispielhafte Kurve78 der empfangenen elektromagnetischen Welle71b zeigt eine maximale Intensität an einer Position79b . - Die diffus reflektierte elektromagnetische Welle
71a ,71b oder71c wird durch die Linse zu dem Sensor68 projiziert, so dass die Position x der maximalen Intensität von dem Einfallswinkel α abhängt. Beispielhaft sind drei unterschiedliche Positionen x79a ,79b und79c für den jeweils ersten, zweiten und dritten Einfallswinkel α (der jeweiligen elektromagnetischen Welle71a ,71b und71c ) dargestellt. Es ist vorteilhaft, dass der Einfallswinkel α und somit die Dicke t des Polierkissens12 exakt erhalten werden können aufgrund der klaren maximalen Intensität der Kurve78 . - Eine Alternative für die Bestimmung der Dicke t des Polierkissens auf der Basis des Einfallswinkels ist es, die Dicke t durch Verwenden eines anderen optischen Sensors zu bestimmen. Ein Ausführungsbeispiel für solch einen optischen Sensor wäre es, die Laufzeit der elektromagnetischen Welle
70 zu erhalten, die durch die feste Signalquelle66 emittiert wird, die durch den Reflektor64 direkt auf einen festen Sensor reflektiert wird. Der feste Sensor ist konfiguriert, um die Laufzeit zu erhalten, die von der Position des Reflektors abhängt, oder, genauer gesagt, von dem Abstand d zwischen der Signalquelle66 und dem Reflektor64 und dem Abstand zwischen dem Sensor und dem Reflektor64 sowie von der Lichtgeschwindigkeit. Daher bestimmt der Bestimmer18 die Position des Trägers22 auf der Basis einer Zeitdifferenz zwischen dem Zeitpunkt des Emittierens der elektromagnetischen Welle70 und dem Zeitpunkt des Empfangens der reflektierten elektromagnetischen Welle71a ,71b oder71c . - Detektoren alternativer Ausführungsbeispiele können einen elektrischen Sensor verwenden, wie z. B. einen Halleffekt-Sensor, ein Potentiometer oder einen kapazitiven Wandler.
- Ausführungsbeispiele beziehen sich auf die Poliermaschine
14 , die die Auflage28 aufweist, auf der das Polierkissen12 befestigt ist, und den bewegbaren Träger22 des zu polierenden Elements30 . Die Poliermaschine14 weist ferner den Detektor16 auf, der konfiguriert ist, um die Position20 des Trägers22 zu erfassen, während das Element30 durch den Träger22 gegen das Polierkissen gedrückt wird, und den Bestimmer18 , der konfiguriert ist, um das Maß der Dicke t des Polierkissens12 zu bestimmen (siehe1 ). Der Träger22 ist konfiguriert, um sich relativ parallel zu der Auflage28 zu drehen und/oder zu bewegen, um das Element30 zu polieren. Optional kann sich die Auflage28 drehen. Die Poliermaschine14 kann konfiguriert sein, um eine Mehrzahl von Elementen gegen das Polierkissen12 zu drücken oder kann eine Mehrzahl von Trägern aufweisen, die jeweils konfiguriert sind, um ein Element gegen das Polierkissen12 zu drücken, wie es mit Bezugnahme auf2b beschrieben ist. Ferner kann die Poliermaschine ein oder mehrere Abwärtskraftzylinder (siehe44a ,44b ,44c ,44d und44e ) aufweisen, zum Drücken des einen oder der mehreren Träger gegen das Polierkissen12 . In diesem Fall kann der Detektor16 der Poliermaschine14 konfiguriert sein, um die Position der Abwärtskraftzylinder zum Bestimmen der Dicke t des Polierkissens12 zu erfassen. - Die Poliermaschine
14 kann durch eine Steuerung gesteuert werden, die konfiguriert ist, um Werte bereitzustellen, wie z. B. den definierten Druck p1, die Dicke des Elements und die Anzahl von Elementen, die an das Polierkissen gedrückt werden. Um den definierten Druck p1 zu bestimmen, kann die Poliermaschine14 einen Drucksensor aufweisen und den erhaltenen definierten Druck p1 an den Bestimmer ausgeben. Die Werte, die durch die Steuerung bereitgestellt werden und/oder durch den Drucksensor ausgegeben werden, können durch den Bestimmer18 für die Bestimmung der Dicke t verwendet werden, wie z. B. zum Zugreifen auf eine Kalibrierungstabelle. - Bei alternativen Ausführungsbeispielen können zumindest zwei Polierkissen auf der Auflage
28 befestigt sein, so dass das Maß der Dicke t, das durch die Vorrichtung, z. B. die Vorrichtung10 , bestimmt wird, einem Maß einer Dicke von zumindest zwei Polierkissen entspricht. - Bei alternativen Ausführungsbeispielen kann die Bestimmung des Maßes der Dicke t auf der Basis einer Mehrzahl von Signalen durchgeführt werden, die Positionen einer Mehrzahl von Trägern anzeigen. Die Signale werden durch eine Mehrzahl von Detektoren ausgegeben, die jeweils konfiguriert sind, um die Position des jeweiligen Trägers zu erfassen.
- Obwohl einige Aspekte im Zusammenhang einer Vorrichtung beschrieben wurden, ist klar, dass diese Aspekte auch eine Beschreibung des entsprechenden Verfahrens darstellen zum Bestimmen des Maßes der Dicke t des Polierkissens, wo ein Block oder eine Vorrichtung einem Verfahrensschritt oder einem Merkmal eines Verfahrensschritts entspricht. Analog stellen Aspekte, die im Zusammenhang eines Verfahrensschritts beschrieben werden, auch eine Beschreibung eines entsprechenden Blocks oder Elements oder Merkmals einer entsprechenden Vorrichtung dar. Einige oder alle der Verfahrensschritte können ausgeführt werden durch (oder unter Verwendung) einer Hardware-Vorrichtung, wie z. B. eines Mikroprozessors, eines programmierbaren Computers oder einer elektronischen Schaltung. Bei einigen Ausführungsbeispielen können einige oder mehrere der wichtigsten Verfahrensschritte durch solch eine Vorrichtung ausgeführt werden.
- Ein weiteres Ausführungsbeispiel des erfindungsgemäßen Verfahrens ist daher ein Datenträger (oder ein digitales Speichermedium oder ein computerlesbares Medium), das darauf aufgezeichnet das Computerprogramm aufweist zum Durchführen von einem der hierin beschriebenen Verfahren. Der Datenträger, das digitale Speichermedium oder das aufgezeichnete Medium sind typischerweise greifbar und/oder nicht vorübergehend. Ein nicht transitorisches computerlesbares Medium weist Befehle auf, die, wenn sie durch einen Prozessor eine Vorrichtung zum Bestimmen des Maßes der Dicke des Polierkissens ausgeführt werden, bewirken, dass die Vorrichtung das oben beschriebene Verfahren durchführt.
- Abhängig von bestimmten Implementierungsanforderungen können Ausführungsbeispiele der Erfindung in Hardware oder in Software implementiert sein. Die Implementierung kann durchgeführt werden unter Verwendung eines digitalen Speichermediums, beispielsweise einer Blue Ray, einer CD, eines EPROM oder eines Flash-Speichers mit darauf gespeicherten elektronisch lesbaren Steuersignalen, die mit einem programmierbaren Computersystem zusammenwirken (oder zusammenwirken können), so dass das jeweilige Verfahren durchgeführt wird. Daher kann das digitale Speichermedium computerlesbar sein.
- Andere Ausführungsbeispiele weisen ein Computerprogramm auf zum Durchführen eines der hierin beschriebenen Verfahren, gespeichert auf einem maschinenlesbaren Träger. Anders ausgedrückt, ein Ausführungsbeispiel des erfindungsgemäßen Verfahrens ist daher ein Computerprogramm mit einem Programmcode zum Durchführen eines der hierin beschriebenen Verfahren, wenn das Computerprogramm auf einem Computer läuft.
- Ein weiteres Ausführungsbeispiel weist eine Verarbeitungseinrichtung auf, beispielsweise einen Computer oder eine programmierbare Logikvorrichtung, die konfiguriert oder angepasst ist, um eines der hierin beschriebenen Verfahren durchzuführen. Bei einigen Ausführungsbeispielen kann ein programmierbares Logikbauelement verwendet werden, um einige oder alle der Funktionalitäten der hierin beschriebenen Verfahren durchzuführen. Bei einigen Ausführungsbeispielen kann ein zellprogrammierbares Gatterarray mit einem Mikroprozessor zusammenwirken, um eines der hierin beschriebenen Verfahren durchzuführen. Allgemein werden die Verfahren vorzugsweise durch jede Hardware-Vorrichtung durchgeführt.
- Die oben beschriebenen Ausführungsbeispiele sind lediglich darstellend für die Prinzipien der vorliegenden Erfindung. Es ist klar, dass Modifikationen und Variationen der Anordnungen und der hierin beschriebenen Einzelheiten für andere Fachleute auf diesem Gebiet klar sind. Es ist daher die Absicht, dass dieselben nur durch den Schutzbereich der angehängten Patentansprüche begrenzt sind und nicht durch die spezifischen Einzelheiten, die durch die Beschreibung und Erläuterung der Ausführungsbeispiele hierin präsentiert wurden.
Claims (26)
- Vorrichtung (
10 ) zum Bestimmen eines Maßes einer Dicke (t) eines Polierkissens (12 ) einer Poliermaschine (14 ), wobei die Vorrichtung (10 ) folgende Merkmale aufweist: einen Detektor (16 ), der konfiguriert ist, um eine Position (20 ) eines Träger (22 ) s (22 ) eines zu polierenden Elements in einer Druckrichtung zu erfassen, während das Element durch den Träger (22 ) mit einem definierten Druck in der Druckrichtung gegen das Polierkissen (12 ) gedrückt wird, und um ein Signal auszugeben, das die Position (20 ) des Trägers (22 ) anzeigt; und einen Bestimmer (18 ), der konfiguriert ist, um das Maß der Dicke (t) des Polierkissens (12 ) basierend auf dem Signal zu bestimmen, das die Position (20 ) des Trägers (22 ) anzeigt. - Vorrichtung (
10 ) gemäß Anspruch 1, bei der der Bestimmer (18 ) konfiguriert ist, um das Maß der Dicke (t) des Polierkissens (12 ) zu bestimmen durch Vergleichen des Signals, das die Position (20 ) des Trägers (22 ) anzeigt, mit Kalibrierungsdaten, die im Voraus erhalten werden unter Verwendung des Polierkissens (12 ) einer bekannten Dicke (t), eines vorbestimmten Drucks und einer vorbestimmten Dicke (t) des Elements. - Vorrichtung (
10 ) gemäß Anspruch 2, bei der der Detektor (16 ) konfiguriert ist, um die Position (20 ) des Trägers (22 ) zu erfassen, während Bedingungen bezüglich zumindest entweder des definierten Drucks, des verwendeten Trägers (22 ) und des zu polierenden Elements Bedingungen während des Erhaltens der Kalibrierungsdaten entsprechen. - Vorrichtung (
10 ) gemäß Anspruch 2 oder 3, bei der Bestimmer (18 ) konfiguriert ist, um das Maß der Dicke (t) zu bestimmen unter Berücksichtigung zumindest entweder eines ersten Korrekturfaktors, der von einer Differenz zwischen dem definierten Druck und dem vorbestimmten Druck abhängt; eines zweiten Korrekturfaktors, der von einer Differenz zwischen einer tatsächlichen Dicke (t) eines zu polierenden Elements und der vorbestimmten Dicke (t) abhängt, und eines dritten Korrekturfaktors, der von einer Anzahl und/oder Position von Elementen abhängt, die durch jeweilige Träger (22 ) parallel an das Polierkissen (12 ) gedrückt werden. - Vorrichtung (
10 ) gemäß einem der Ansprüche 1 bis 4, bei der der Detektor (16 ) konfiguriert ist, um die Position (20 ) des Trägers (22 ) zu einer vorbestimmten Zeit nach dem Beginn eines Prozesses des Polierens des Elements zu erfassen. - Vorrichtung (
10 ) gemäß einem der Ansprüche 1 bis 5, bei der der Detektor (16 ) konfiguriert ist, um eine Mehrzahl von Signalen auszugeben, die die Position (20 ) des Trägers (22 ) zeitlich aufeinanderfolgend anzeigen, und wobei der Bestimmer (18 ) konfiguriert ist, um das Maß der Dicke (t) basierend auf einem Mittelwert der Mehrzahl von Signalen zu bestimmen. - Vorrichtung (
10 ) gemäß einem der Ansprüche 1 bis 6, bei der der Bestimmer (18 ) konfiguriert ist, um ein Alarmsignal auszugeben, falls die bestimmte Dicke (t) des Polierkissens (12 ) unter einen Schwellenwert fällt. - Vorrichtung (
10 ) gemäß einem der Ansprüche 1 bis 7, bei der der Detektor (16 ) folgende Merkmale aufweist: eine feste Signalquelle, die konfiguriert ist, um eine elektromagnetische Welle auszugeben; einen Reflektor, der dem Träger (22 ) zugeordnet ist, so dass die Position (20 ) des Trägers (22 ) mit einer Position des Reflektors gekoppelt ist; und einen festen Sensor, der konfiguriert ist, um einen Einfallswinkel der elektromagnetischen Welle zu erhalten, die durch den Reflektor reflektiert wird; wobei der erhaltene Einfallswinkel von der Position des Reflektors abhängt. - Vorrichtung (
10 ) gemäß Anspruch 8, bei der die Signalquelle ein Laser ist. - Vorrichtung (
10 ) gemäß Anspruch 8 oder 9, bei der der Reflektor die elektromagnetische Welle diffus reflektiert; und wobei der Sensor eine Linse und einen elektronischen Lichtsensor aufweist und wobei der Sensor konfiguriert ist, um den Einfallswinkel der reflektierten elektromagnetischen Welle zu erhalten durch Erhalten einer maximalen Intensität der reflektierten elektromagnetischen Welle, wobei die maximale Intensität durch die Linse zu dem elektronischen Lichtsensor projiziert wird. - Vorrichtung (
10 ) gemäß einem der Ansprüche 1 bis 10, bei der der Detektor (16 ) folgende Merkmale aufweist: eine feste Signalquelle, die konfiguriert ist, um eine elektromagnetische Welle auszugeben; einen Reflektor, der dem Träger (22 ) zugeordnet ist, so dass die Position (20 ) des Trägers (22 ) mit einer Position des Reflektors gekoppelt ist; und einen festen Sensor, der konfiguriert ist, um eine Laufzeit der elektromagnetischen Welle zu erhalten, die durch den Reflektor reflektiert wird; wobei die erhaltene Laufzeit von der Position des Reflektors abhängt. - Vorrichtung (
10 ) gemäß einem der Ansprüche 1 bis 12, bei der der Detektor (16 ) einen elektrischen Positionssensor aufweist. - Vorrichtung (
10 ) zum Bestimmen eines Maßes einer Dicke (t) eines Polierkissens (12 ) einer Poliermaschine (14 ), wobei die Vorrichtung (10 ) folgende Merkmale aufweist: einen Detektor (16 ), der konfiguriert ist, um eine Position (20 ) eines Trägers (22 ) eines zu polierenden Elements in einer Druckrichtung zu erfassen, während das Element durch den Träger (22 ) mit einem vordefinierten Druck in der Druckrichtung gegen das Polierkissen (12 ) gedrückt wird, wobei der Detektor (16 ) konfiguriert ist, um ein Signal auszugeben, das die Position (20 ) des Trägers (22 ) anzeigt; und einen Bestimmer (18 ), der konfiguriert ist, um das Maß der Dicke (t) des Polierkissens (12 ) basierend auf dem Signal zu bestimmen, das die Position (20 ) des Trägers (22 ) anzeigt, und auf der Basis von Kalibrierungsdaten, die im Voraus erhalten werden unter Verwendung des Polierkissens (12 ) einer bekannten Dicke (t), eines vorbestimmten Drucks und einer vorbestimmten Dicke (t) des Elements, wobei der Bestimmer (18 ) konfiguriert ist, um ein Alarmsignal auszugeben, falls die vorbestimmte Dicke (t) des Polierkissens (12 ) unter einen Schwellenwert fällt. - Vorrichtung (
10 ) gemäß Anspruch 13, bei der der Bestimmer (18 ) konfiguriert ist, um das Maß der Dicke (t) des Polierkissens (12 ) zu bestimmen, wenn der definierte Druck gleich dem vorbestimmten Druck ist und/oder die definierte Dicke (t) des Elements gleich der vorbestimmten Dicke (t) des Elements ist. - Poliermaschine (
14 ) zum Polieren eines Elements, wobei die Poliermaschine (14 ) folgende Merkmale aufweist: eine Auflage (28 ), auf der ein Polierkissen (12 ) zu befestigen ist; einen Träger (22 ) des zu polierenden Elements, wobei der Träger (22 ) konfiguriert ist, um sich in einer Druckrichtung zu bewegen, um das Element mit einem definierten Druck in der Druckrichtung gegen das Polierkissen (12 ) zu drücken, wobei die Poliermaschine (14 ) konfiguriert ist, um eine relative Bewegung oder Drehung zwischen dem Element und dem Polierkissen (12 ) parallel zu dem Polierkissen (12 ) zu bewirken; einen Detektor (16 ), der konfiguriert ist, um eine Position (20 ) des Trägers (22 ) zu erfassen, während das Element durch den Träger (22 ) mit dem definierten Druck in der Druckrichtung gegen das Polierkissen (12 ) gedrückt wird, und um ein Signal auszugeben, das die Position (20 ) des Trägers (22 ) anzeigt; und einen Bestimmer (18 ), der konfiguriert ist, um ein Maß der Dicke (t) des Polierkissens (12 ) basierend auf dem Signal zu bestimmen, das die Position (20 ) des Trägers (22 ) anzeigt. - Poliermaschine (
14 ) gemäß Anspruch 15, bei der der Träger (22 ) der Poliermaschine (14 ) konfiguriert ist, um eine Mehrzahl von Elementen gegen das Polierkissen (12 ) zu drücken; oder wobei die Poliermaschine (14 ) eine Mehrzahl von Trägern aufweist, die jeweils konfiguriert sind, um ein zu polierendes Element gegen das Polierkissen (12 ) zu drücken. - Poliermaschine (
14 ) gemäß Anspruch 15 oder 16, die ferner einen Drucksensor aufweist, der konfiguriert ist, um den definierten Druck zu bestimmen. - Poliermaschine (
14 ) gemäß einem der Ansprüche 15 bis 17, die ferner eine Steuerung aufweist, die konfiguriert ist, um die Poliermaschine (14 ) zu steuern und um zumindest entweder einen Wert des definierten Drucks, eine Dicke (t) des zu polierenden Elements und eine Anzahl und/oder eine Position von Elementen, die durch jeweilige Träger (22 ) parallel an das Polierkissen (12 ) gedrückt werden, zu steuern; und wobei der Bestimmer (18 ) konfiguriert ist, um das Maß der Dicke (t) des Polierkissens (12 ) unter Berücksichtigung des zumindest einen Werts zu bestimmen. - Poliermaschine (
14 ) gemäß einem der Ansprüche 15 bis 18, bei der der Detektor (16 ) ein elektrischer oder optischer Positionssensor ist. - Poliermaschine (
14 ) gemäß einem der Ansprüche 15 bis 19, die ferner einen oder mehrere Abwärtskraftzylinder aufweist zum Drücken des einen oder der mehreren Träger (22 ) gegen das Polierkissen (12 ), wobei der Detektor (16 ) konfiguriert ist, um eine Position des Abwärtskraftzylinders zu erfassen. - Poliermaschine (
14 ) gemäß einem der Ansprüche 15 bis 20, die ferner das Polierkissen (12 ) auf der Auflage (28 ) befestigt aufweist. - Verfahren zum Bestimmen eines Maßes einer Dicke (t) eines Polierkissens (
12 ) einer Poliermaschine (14 ), wobei das Verfahren folgende Schritte aufweist: Erfassen einer Position (20 ) eines Trägers (22 ) eines zu polierenden Elements in einer Druckrichtung, während das Element durch den Träger (22 ) mit einem definierten Druck in der Druckrichtung gegen das Polierkissen gedrückt wird; Ausgeben eines Signals, das die Position (20 ) des Trägers (22 ) anzeigt; und Bestimmen des Maßes der Dicke (t) des Polierkissens (12 ) basierend auf dem Signal, das die Position (20 ) des Trägers (22 ) anzeigt. - Verfahren gemäß Anspruch 22, das ferner das Erhalten von Kalibrierungsdaten vor der Verwendung eines Polierkissens (
12 ) einer bekannten Dicke (t) und einer Dicke (t) des Elements aufweist; und bei dem das Erfassen der Position (20 ) des Trägers (22 ) durchgeführt wird während Bedingungen bezüglich zumindest entweder eines des definierten Drucks, des verwendeten Trägers (22 ) oder des zu polierenden Elements den Bedingungen während des Erhaltens der Kalibrierungsdaten entsprechen. - Verfahren gemäß Anspruch 22 oder 23, das ferner folgende Schritte aufweist: Erhalten von Kalibrierungsdaten im Voraus unter Verwendung eines Polierkissens (
12 ) bekannter Dicke (t), eines vorbestimmten Drucks und einer vorbestimmten Dicke (t) des Elements; und Korrigieren des Signals, das die Position anzeigt basierend auf zumindest entweder einem ersten Korrekturfaktor, der von einer Differenz zwischen dem definierten Druck und dem vorbestimmten Druck abhängt, einem zweiten Korrekturfaktor, der von einer Differenz zwischen einer tatsächlichen Dicke (t) eines zu polierenden Elements und der vorbestimmten Dicke (t) abhängt, und einem dritten Korrekturfaktor, der von einer Anzahl und/oder Position von Elementen abhängt, die durch jeweilige Träger (22 ) parallel an die Polieranschlussfläche gedrückt werden. - Verfahren gemäß einem der Ansprüche 22 bis 24, bei dem das Erfassen der Position (
20 ) des Trägers (22 ) zu einem vorbestimmten Zeitpunkt nach dem Beginn eines Prozesses des Polierens des Elements durchgeführt wird. - Nicht-transitorisches computerlesbares Medium, das Anweisungen aufweist, die, wenn sie durch einen Prozessor einer Vorrichtung (
10 ) zum Bestimmen eines Maßes einer Dicke (t) eines Polierkissens (12 ) ausgeführt werden, bewirken, dass die Vorrichtung (10 ) ein Verfahren durchführt, das folgende Schritte aufweist: Erfassen einer Position (20 ) eines Trägers (22 ) eines zu polierenden Elements in einer Druckrichtung, während das Element durch den Träger (22 ) mit einem definierten Druck in der Druckrichtung gegen das Polierkissen (12 ) gedrückt wird; Ausgeben eines Signals, das die Position (20 ) des Trägers (22 ) anzeigt; und Bestimmen des Maßes der Dicke (t) des Polierkissens (12 ) basierend auf dem Signal, das die Position (20 ) des Trägers (22 ) anzeigt.
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US13/184,338 | 2011-07-15 | ||
US13/184,338 US20130017762A1 (en) | 2011-07-15 | 2011-07-15 | Method and Apparatus for Determining a Measure of a Thickness of a Polishing Pad of a Polishing Machine |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE102012212333A1 true DE102012212333A1 (de) | 2013-01-17 |
Family
ID=47425833
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE102012212333A Ceased DE102012212333A1 (de) | 2011-07-15 | 2012-07-13 | Verfahren und vorrichtung zum bestimmen eines masses einer dicke eines polierkissens einer poliermaschine |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20130017762A1 (de) |
CN (1) | CN102873632B (de) |
DE (1) | DE102012212333A1 (de) |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10088304B2 (en) * | 2015-02-12 | 2018-10-02 | Ocean Industries, LLC | Composite carrier and automated thickness measurement and calibration system and method |
TW201822953A (zh) * | 2016-09-16 | 2018-07-01 | 美商應用材料股份有限公司 | 基於溝槽深度的電磁感應監控進行的過拋光 |
CN107202542A (zh) * | 2017-08-02 | 2017-09-26 | 常州工学院 | 一种太阳能电池片的测厚装置及测厚方法 |
US11794305B2 (en) | 2020-09-28 | 2023-10-24 | Applied Materials, Inc. | Platen surface modification and high-performance pad conditioning to improve CMP performance |
CN112677016B (zh) * | 2020-12-23 | 2022-06-28 | 上海高仙自动化科技发展有限公司 | 检测方法、检测装置、智能机器人及可读存储介质 |
Family Cites Families (170)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6048588A (en) * | 1988-07-08 | 2000-04-11 | Cauldron Limited Partnership | Method for enhancing chemisorption of material |
JP3036348B2 (ja) * | 1994-03-23 | 2000-04-24 | 三菱マテリアル株式会社 | ウェーハ研磨パッドのツルーイング装置 |
JPH07285069A (ja) * | 1994-04-18 | 1995-10-31 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 枚葉式研磨におけるウェーハのテーパ自動除去研磨方法と装置 |
TW353203B (en) * | 1995-04-10 | 1999-02-21 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Apparatus for holding substrate to be polished |
TW284907B (en) * | 1995-06-07 | 1996-09-01 | Cauldron Lp | Removal of material by polarized irradiation and back side application for radiation |
US5665199A (en) * | 1995-06-23 | 1997-09-09 | Advanced Micro Devices, Inc. | Methodology for developing product-specific interlayer dielectric polish processes |
US5609718A (en) * | 1995-09-29 | 1997-03-11 | Micron Technology, Inc. | Method and apparatus for measuring a change in the thickness of polishing pads used in chemical-mechanical planarization of semiconductor wafers |
US5875559A (en) * | 1995-10-27 | 1999-03-02 | Applied Materials, Inc. | Apparatus for measuring the profile of a polishing pad in a chemical mechanical polishing system |
US5643048A (en) * | 1996-02-13 | 1997-07-01 | Micron Technology, Inc. | Endpoint regulator and method for regulating a change in wafer thickness in chemical-mechanical planarization of semiconductor wafers |
US6075606A (en) * | 1996-02-16 | 2000-06-13 | Doan; Trung T. | Endpoint detector and method for measuring a change in wafer thickness in chemical-mechanical polishing of semiconductor wafers and other microelectronic substrates |
JP3824345B2 (ja) * | 1996-04-26 | 2006-09-20 | 東京エレクトロン株式会社 | 研磨方法および研磨装置 |
US5643050A (en) * | 1996-05-23 | 1997-07-01 | Industrial Technology Research Institute | Chemical/mechanical polish (CMP) thickness monitor |
US20010012108A1 (en) * | 1996-07-26 | 2001-08-09 | Paul Holzapfel | Methods and apparatus for the in-process measurement of thin film layers |
US5948203A (en) * | 1996-07-29 | 1999-09-07 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Optical dielectric thickness monitor for chemical-mechanical polishing process monitoring |
JPH1086056A (ja) * | 1996-09-11 | 1998-04-07 | Speedfam Co Ltd | 研磨パッドの管理方法及び装置 |
US5868896A (en) * | 1996-11-06 | 1999-02-09 | Micron Technology, Inc. | Chemical-mechanical planarization machine and method for uniformly planarizing semiconductor wafers |
US5941758A (en) * | 1996-11-13 | 1999-08-24 | Intel Corporation | Method and apparatus for chemical-mechanical polishing |
JPH10166262A (ja) * | 1996-12-10 | 1998-06-23 | Nikon Corp | 研磨装置 |
US5838448A (en) * | 1997-03-11 | 1998-11-17 | Nikon Corporation | CMP variable angle in situ sensor |
JPH10329015A (ja) * | 1997-03-24 | 1998-12-15 | Canon Inc | 研磨装置および研磨方法 |
US6062958A (en) * | 1997-04-04 | 2000-05-16 | Micron Technology, Inc. | Variable abrasive polishing pad for mechanical and chemical-mechanical planarization |
TW377467B (en) * | 1997-04-22 | 1999-12-21 | Sony Corp | Polishing system, polishing method, polishing pad, and method of forming polishing pad |
US6722962B1 (en) * | 1997-04-22 | 2004-04-20 | Sony Corporation | Polishing system, polishing method, polishing pad, and method of forming polishing pad |
JP3450651B2 (ja) * | 1997-06-10 | 2003-09-29 | キヤノン株式会社 | 研磨方法及びそれを用いた研磨装置 |
US5975994A (en) * | 1997-06-11 | 1999-11-02 | Micron Technology, Inc. | Method and apparatus for selectively conditioning a polished pad used in planarizng substrates |
JP3001051B2 (ja) * | 1997-08-22 | 2000-01-17 | 日本電気株式会社 | 半導体ウェハ研磨終点検出装置 |
US6142855A (en) * | 1997-10-31 | 2000-11-07 | Canon Kabushiki Kaisha | Polishing apparatus and polishing method |
US6045434A (en) * | 1997-11-10 | 2000-04-04 | International Business Machines Corporation | Method and apparatus of monitoring polishing pad wear during processing |
JP3076291B2 (ja) * | 1997-12-02 | 2000-08-14 | 日本電気株式会社 | 研磨装置 |
US6168683B1 (en) * | 1998-02-24 | 2001-01-02 | Speedfam-Ipec Corporation | Apparatus and method for the face-up surface treatment of wafers |
JP3618541B2 (ja) * | 1998-03-23 | 2005-02-09 | 信越半導体株式会社 | 研磨布、研磨布処理方法及び研磨方法 |
US6132289A (en) * | 1998-03-31 | 2000-10-17 | Lam Research Corporation | Apparatus and method for film thickness measurement integrated into a wafer load/unload unit |
US6190243B1 (en) * | 1998-05-07 | 2001-02-20 | Ebara Corporation | Polishing apparatus |
US6106661A (en) * | 1998-05-08 | 2000-08-22 | Advanced Micro Devices, Inc. | Polishing pad having a wear level indicator and system using the same |
US6106379A (en) * | 1998-05-12 | 2000-08-22 | Speedfam-Ipec Corporation | Semiconductor wafer carrier with automatic ring extension |
US5985094A (en) * | 1998-05-12 | 1999-11-16 | Speedfam-Ipec Corporation | Semiconductor wafer carrier |
US6102779A (en) * | 1998-06-17 | 2000-08-15 | Speedfam-Ipec, Inc. | Method and apparatus for improved semiconductor wafer polishing |
US5993293A (en) * | 1998-06-17 | 1999-11-30 | Speedram Corporation | Method and apparatus for improved semiconductor wafer polishing |
US6976904B2 (en) * | 1998-07-09 | 2005-12-20 | Li Family Holdings, Ltd. | Chemical mechanical polishing slurry |
US6169931B1 (en) * | 1998-07-29 | 2001-01-02 | Southwest Research Institute | Method and system for modeling, predicting and optimizing chemical mechanical polishing pad wear and extending pad life |
US6197604B1 (en) * | 1998-10-01 | 2001-03-06 | Advanced Micro Devices, Inc. | Method for providing cooperative run-to-run control for multi-product and multi-process semiconductor fabrication |
US6186865B1 (en) * | 1998-10-29 | 2001-02-13 | Lam Research Corporation | Apparatus and method for performing end point detection on a linear planarization tool |
US6325706B1 (en) * | 1998-10-29 | 2001-12-04 | Lam Research Corporation | Use of zeta potential during chemical mechanical polishing for end point detection |
US6902659B2 (en) * | 1998-12-01 | 2005-06-07 | Asm Nutool, Inc. | Method and apparatus for electro-chemical mechanical deposition |
US6322422B1 (en) * | 1999-01-19 | 2001-11-27 | Nec Corporation | Apparatus for accurately measuring local thickness of insulating layer on semiconductor wafer during polishing and polishing system using the same |
US6690473B1 (en) * | 1999-02-01 | 2004-02-10 | Sensys Instruments Corporation | Integrated surface metrology |
US6194231B1 (en) * | 1999-03-01 | 2001-02-27 | National Tsing Hua University | Method for monitoring polishing pad used in chemical-mechanical planarization process |
US6117780A (en) * | 1999-04-22 | 2000-09-12 | Mosel Vitelic Inc. | Chemical mechanical polishing method with in-line thickness detection |
US6459945B1 (en) * | 1999-05-13 | 2002-10-01 | Advanced Micro Devices, Inc. | System and method for facilitating determining suitable material layer thickness in a semiconductor device fabrication process |
US6290584B1 (en) * | 1999-08-13 | 2001-09-18 | Speedfam-Ipec Corporation | Workpiece carrier with segmented and floating retaining elements |
US7008301B1 (en) * | 1999-08-26 | 2006-03-07 | Advanced Micro Devices, Inc. | Polishing uniformity via pad conditioning |
US6437868B1 (en) * | 1999-10-28 | 2002-08-20 | Agere Systems Guardian Corp. | In-situ automated contactless thickness measurement for wafer thinning |
US6439963B1 (en) * | 1999-10-28 | 2002-08-27 | Advanced Micro Devices, Inc. | System and method for mitigating wafer surface disformation during chemical mechanical polishing (CMP) |
US6666754B1 (en) * | 2000-01-18 | 2003-12-23 | Advanced Micro Devices, Inc. | Method and apparatus for determining CMP pad conditioner effectiveness |
US6354910B1 (en) * | 2000-01-31 | 2002-03-12 | Agere Systems Guardian Corp. | Apparatus and method for in-situ measurement of polishing pad thickness loss |
US6616513B1 (en) * | 2000-04-07 | 2003-09-09 | Applied Materials, Inc. | Grid relief in CMP polishing pad to accurately measure pad wear, pad profile and pad wear profile |
US6358116B1 (en) * | 2000-05-15 | 2002-03-19 | Intel Corporation | Thrown wafer failsafe system for chemical/mechanical planarization |
US6625513B1 (en) * | 2000-08-15 | 2003-09-23 | Applied Materials, Inc. | Run-to-run control over semiconductor processing tool based upon mirror image target |
US6652357B1 (en) * | 2000-09-22 | 2003-11-25 | Lam Research Corporation | Methods for controlling retaining ring and wafer head tilt for chemical mechanical polishing |
US6640155B2 (en) * | 2000-08-22 | 2003-10-28 | Lam Research Corporation | Chemical mechanical polishing apparatus and methods with central control of polishing pressure applied by polishing head |
US7481695B2 (en) * | 2000-08-22 | 2009-01-27 | Lam Research Corporation | Polishing apparatus and methods having high processing workload for controlling polishing pressure applied by polishing head |
US6782337B2 (en) * | 2000-09-20 | 2004-08-24 | Kla-Tencor Technologies Corp. | Methods and systems for determining a critical dimension an a presence of defects on a specimen |
US7196782B2 (en) * | 2000-09-20 | 2007-03-27 | Kla-Tencor Technologies Corp. | Methods and systems for determining a thin film characteristic and an electrical property of a specimen |
US7106425B1 (en) * | 2000-09-20 | 2006-09-12 | Kla-Tencor Technologies Corp. | Methods and systems for determining a presence of defects and a thin film characteristic of a specimen |
US7130029B2 (en) * | 2000-09-20 | 2006-10-31 | Kla-Tencor Technologies Corp. | Methods and systems for determining an adhesion characteristic and a thickness of a specimen |
US6891627B1 (en) * | 2000-09-20 | 2005-05-10 | Kla-Tencor Technologies Corp. | Methods and systems for determining a critical dimension and overlay of a specimen |
US7349090B2 (en) * | 2000-09-20 | 2008-03-25 | Kla-Tencor Technologies Corp. | Methods and systems for determining a property of a specimen prior to, during, or subsequent to lithography |
US6694284B1 (en) * | 2000-09-20 | 2004-02-17 | Kla-Tencor Technologies Corp. | Methods and systems for determining at least four properties of a specimen |
US6812045B1 (en) * | 2000-09-20 | 2004-11-02 | Kla-Tencor, Inc. | Methods and systems for determining a characteristic of a specimen prior to, during, or subsequent to ion implantation |
US6673637B2 (en) * | 2000-09-20 | 2004-01-06 | Kla-Tencor Technologies | Methods and systems for determining a presence of macro defects and overlay of a specimen |
US6919957B2 (en) * | 2000-09-20 | 2005-07-19 | Kla-Tencor Technologies Corp. | Methods and systems for determining a critical dimension, a presence of defects, and a thin film characteristic of a specimen |
WO2002036306A2 (en) * | 2000-10-31 | 2002-05-10 | Gerber Coburn Optical, Inc. | Compensation device for a lens grinding apparatus |
US6620027B2 (en) * | 2001-01-09 | 2003-09-16 | Applied Materials Inc. | Method and apparatus for hard pad polishing |
KR100432781B1 (ko) * | 2001-03-22 | 2004-05-24 | 삼성전자주식회사 | 연마패드의 측정장치 및 방법 |
US6719608B1 (en) * | 2001-04-19 | 2004-04-13 | Oluma, Inc. | Fabrication of devices with fibers engaged to grooves on substrates |
US6966816B2 (en) * | 2001-05-02 | 2005-11-22 | Applied Materials, Inc. | Integrated endpoint detection system with optical and eddy current monitoring |
CN100513076C (zh) * | 2001-05-29 | 2009-07-15 | 株式会社荏原制作所 | 抛光装置与抛光方法 |
US6857941B2 (en) * | 2001-06-01 | 2005-02-22 | Applied Materials, Inc. | Multi-phase polishing pad |
JP4131632B2 (ja) * | 2001-06-15 | 2008-08-13 | 株式会社荏原製作所 | ポリッシング装置及び研磨パッド |
EP1270148A1 (de) * | 2001-06-22 | 2003-01-02 | Infineon Technologies SC300 GmbH & Co. KG | Verfahren und Vorrichtung zum Abrichten eines Poliertuches |
JP3932836B2 (ja) * | 2001-07-27 | 2007-06-20 | 株式会社日立製作所 | 薄膜の膜厚計測方法及びその装置並びにそれを用いたデバイスの製造方法 |
US20040253809A1 (en) * | 2001-08-18 | 2004-12-16 | Yao Xiang Yu | Forming a semiconductor structure using a combination of planarizing methods and electropolishing |
US6914000B2 (en) * | 2001-09-04 | 2005-07-05 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Polishing method, polishing system and process-managing system |
US20030060127A1 (en) * | 2001-09-10 | 2003-03-27 | Kaushal Tony S. | Sensor for in-situ pad wear during CMP |
US6586337B2 (en) * | 2001-11-09 | 2003-07-01 | Speedfam-Ipec Corporation | Method and apparatus for endpoint detection during chemical mechanical polishing |
TW574085B (en) * | 2001-12-27 | 2004-02-01 | Vanguard Int Semiconduct Corp | Device and method for measuring and monitoring polishing pad |
US6866559B2 (en) * | 2002-02-04 | 2005-03-15 | Kla-Tencor Technologies | Windows configurable to be coupled to a process tool or to be disposed within an opening in a polishing pad |
US7235488B2 (en) * | 2002-08-28 | 2007-06-26 | Micron Technology, Inc. | In-situ chemical-mechanical planarization pad metrology using ultrasonic imaging |
US6821895B2 (en) * | 2003-02-20 | 2004-11-23 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd | Dynamically adjustable slurry feed arm for wafer edge profile improvement in CMP |
US6872132B2 (en) * | 2003-03-03 | 2005-03-29 | Micron Technology, Inc. | Systems and methods for monitoring characteristics of a polishing pad used in polishing micro-device workpieces |
US7106454B2 (en) * | 2003-03-06 | 2006-09-12 | Zygo Corporation | Profiling complex surface structures using scanning interferometry |
US7324214B2 (en) * | 2003-03-06 | 2008-01-29 | Zygo Corporation | Interferometer and method for measuring characteristics of optically unresolved surface features |
US7172970B2 (en) * | 2003-03-11 | 2007-02-06 | United Microelectronics Corp. | Polish method for semiconductor device planarization |
US6884147B2 (en) * | 2003-03-28 | 2005-04-26 | Yield Dynamics, Inc. | Method for chemical-mechanical polish control in semiconductor manufacturing |
WO2004090502A2 (en) * | 2003-04-01 | 2004-10-21 | Filmetrics, Inc. | Whole-substrate spectral imaging system for cmp |
EP1639630B1 (de) * | 2003-07-02 | 2015-01-28 | Ebara Corporation | Poliervorrichtung und polierverfahren |
JP4698144B2 (ja) * | 2003-07-31 | 2011-06-08 | 富士通セミコンダクター株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
US7097537B1 (en) * | 2003-08-18 | 2006-08-29 | Applied Materials, Inc. | Determination of position of sensor measurements during polishing |
US7153185B1 (en) * | 2003-08-18 | 2006-12-26 | Applied Materials, Inc. | Substrate edge detection |
US6991516B1 (en) * | 2003-08-18 | 2006-01-31 | Applied Materials Inc. | Chemical mechanical polishing with multi-stage monitoring of metal clearing |
JP4451111B2 (ja) * | 2003-10-20 | 2010-04-14 | 株式会社荏原製作所 | 渦電流センサ |
US7235154B2 (en) * | 2004-01-08 | 2007-06-26 | Strasbaugh | Devices and methods for optical endpoint detection during semiconductor wafer polishing |
DE102005000645B4 (de) * | 2004-01-12 | 2010-08-05 | Samsung Electronics Co., Ltd., Suwon | Vorrichtung und ein Verfahren zum Behandeln von Substraten |
EP1710048B1 (de) * | 2004-01-28 | 2013-06-12 | Nikon Corporation | Polierkissenflächenformmessgerät, verfahren zur verwendung eines polierkissenflächenformmessgeräts, verfahren zum messen des kegelscheitelwinkels eines polierkissens, verfahren zum messen der nuttiefe eines polierkissens, cmp-polierer und verfahren zur herstellung einer halbleitervorrichtung |
US20060166608A1 (en) * | 2004-04-01 | 2006-07-27 | Chalmers Scott A | Spectral imaging of substrates |
US7040958B2 (en) * | 2004-05-21 | 2006-05-09 | Mosel Vitelic, Inc. | Torque-based end point detection methods for chemical mechanical polishing tool which uses ceria-based CMP slurry to polish to protective pad layer |
JP4641395B2 (ja) * | 2004-08-17 | 2011-03-02 | Okiセミコンダクタ株式会社 | 半導体装置の研削方法、及び研削装置 |
US20060062897A1 (en) * | 2004-09-17 | 2006-03-23 | Applied Materials, Inc | Patterned wafer thickness detection system |
KR101214506B1 (ko) * | 2004-11-01 | 2012-12-27 | 가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼 | 폴리싱장치 |
KR101107044B1 (ko) * | 2004-12-10 | 2012-01-25 | 도요 고무 고교 가부시키가이샤 | 연마 패드 및 연마 패드의 제조 방법 |
TWI275451B (en) * | 2005-01-11 | 2007-03-11 | Asia Ic Mic Process Inc | Measurement of thickness profile and elastic modulus profile of polishing pad |
EP1853406A1 (de) * | 2005-01-21 | 2007-11-14 | Ebara Corporation | Substratpolierverfahren und -vorrichtung |
US7163435B2 (en) * | 2005-01-31 | 2007-01-16 | Tech Semiconductor Singapore Pte. Ltd. | Real time monitoring of CMP pad conditioning process |
US7261625B2 (en) * | 2005-02-07 | 2007-08-28 | Inoac Corporation | Polishing pad |
TWI386989B (zh) * | 2005-02-25 | 2013-02-21 | Ebara Corp | 研磨裝置及研磨方法 |
WO2006106790A1 (ja) * | 2005-04-01 | 2006-10-12 | Nikon Corporation | 研磨装置、この研磨装置を用いた半導体デバイス製造方法、及びこの半導体デバイス製造方法により製造された半導体デバイス |
KR101134058B1 (ko) * | 2005-05-17 | 2012-04-16 | 도요 고무 고교 가부시키가이샤 | 연마 패드 |
US8038509B2 (en) * | 2005-08-05 | 2011-10-18 | Seung-Hun Bae | Chemical mechanical polishing apparatus |
JP4808453B2 (ja) * | 2005-08-26 | 2011-11-02 | 株式会社荏原製作所 | 研磨方法及び研磨装置 |
JP4884725B2 (ja) * | 2005-08-30 | 2012-02-29 | 東洋ゴム工業株式会社 | 研磨パッド |
JP4864402B2 (ja) * | 2005-09-29 | 2012-02-01 | 株式会社東芝 | 半導体装置の製造方法 |
US7189140B1 (en) * | 2005-11-08 | 2007-03-13 | Novellus Systems, Inc. | Methods using eddy current for calibrating a CMP tool |
US20070235133A1 (en) * | 2006-03-29 | 2007-10-11 | Strasbaugh | Devices and methods for measuring wafer characteristics during semiconductor wafer polishing |
WO2007131094A2 (en) * | 2006-05-03 | 2007-11-15 | St. Lawrence Nanotechnology, Inc. | Method and apparatus for chemical mechanical polishing of large size wafer with capability of polishing individual die |
US20070269908A1 (en) * | 2006-05-17 | 2007-11-22 | Hsin-Kun Chu | Method for in-line controlling hybrid chemical mechanical polishing process |
US7840305B2 (en) * | 2006-06-28 | 2010-11-23 | 3M Innovative Properties Company | Abrasive articles, CMP monitoring system and method |
US8246417B2 (en) * | 2006-09-12 | 2012-08-21 | Ebara Corporation | Polishing apparatus and polishing method |
US8065031B2 (en) * | 2006-09-14 | 2011-11-22 | Tokyo Seimitsu Co., Ltd | Polishing end point detection method utilizing torque change and device thereof |
US7444198B2 (en) * | 2006-12-15 | 2008-10-28 | Applied Materials, Inc. | Determining physical property of substrate |
JP2008173741A (ja) * | 2007-01-22 | 2008-07-31 | Elpida Memory Inc | 研磨装置 |
JP2008305875A (ja) * | 2007-06-06 | 2008-12-18 | Renesas Technology Corp | 半導体集積回路装置の製造方法 |
TWI321503B (en) * | 2007-06-15 | 2010-03-11 | Univ Nat Taiwan Science Tech | The analytical method of the effective polishing frequency and number of times towards the polishing pads having different grooves and profiles |
US20090001339A1 (en) * | 2007-06-29 | 2009-01-01 | Tae Young Lee | Chemical Mechanical Polishing Slurry Composition for Polishing Phase-Change Memory Device and Method for Polishing Phase-Change Memory Device Using the Same |
KR20090002506A (ko) * | 2007-06-29 | 2009-01-09 | 제일모직주식회사 | 상변화 메모리 소자 연마용 cmp 슬러리 조성물 및 이를이용한 연마 방법 |
EP2169710A4 (de) * | 2007-07-10 | 2010-11-17 | Hitachi Chemical Co Ltd | Metallfilmpolierflüssigkeit und polierverfahren |
JP2009026850A (ja) * | 2007-07-18 | 2009-02-05 | Elpida Memory Inc | Cmp装置及びcmpによるウェハー研磨方法 |
JP2009033038A (ja) * | 2007-07-30 | 2009-02-12 | Elpida Memory Inc | Cmp装置及びcmpによるウェハー研磨方法 |
US8257142B2 (en) * | 2008-04-15 | 2012-09-04 | Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. | Chemical mechanical polishing method |
US8221196B2 (en) * | 2007-08-15 | 2012-07-17 | Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. | Chemical mechanical polishing pad and methods of making and using same |
US8434909B2 (en) * | 2007-10-09 | 2013-05-07 | Flex Lighting Ii, Llc | Light emitting display with light mixing within a film |
JP5042778B2 (ja) * | 2007-10-31 | 2012-10-03 | 信越半導体株式会社 | ワーク研磨用ヘッド及びこの研磨ヘッドを備えた研磨装置 |
US8870625B2 (en) * | 2007-11-28 | 2014-10-28 | Ebara Corporation | Method and apparatus for dressing polishing pad, profile measuring method, substrate polishing apparatus, and substrate polishing method |
EP2232195B1 (de) * | 2007-12-14 | 2015-03-18 | Zygo Corporation | Analyse der oberflächenstruktur unter verwendung von rasterinterferometrie |
JP5481472B2 (ja) * | 2008-05-08 | 2014-04-23 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | Cmpパッド厚みおよびプロファイル監視システム |
US20090311945A1 (en) * | 2008-06-17 | 2009-12-17 | Roland Strasser | Planarization System |
US20100015895A1 (en) * | 2008-07-15 | 2010-01-21 | Hendron Jeffrey J | Chemical mechanical polishing pad having electrospun polishing layer |
CN102089121B (zh) * | 2008-07-31 | 2015-04-08 | 信越半导体股份有限公司 | 芯片的研磨方法及双面研磨装置 |
US8221193B2 (en) * | 2008-08-07 | 2012-07-17 | Applied Materials, Inc. | Closed loop control of pad profile based on metrology feedback |
US7899571B2 (en) * | 2008-11-05 | 2011-03-01 | Texas Instruments Incorporated | Predictive method to improve within wafer CMP uniformity through optimized pad conditioning |
US8120781B2 (en) * | 2008-11-26 | 2012-02-21 | Zygo Corporation | Interferometric systems and methods featuring spectral analysis of unevenly sampled data |
JP2010219406A (ja) * | 2009-03-18 | 2010-09-30 | Tokyo Electron Ltd | 化学的機械研磨方法 |
JP5573061B2 (ja) * | 2009-09-15 | 2014-08-20 | 株式会社Sumco | 両面研磨装置の研磨布の研削方法及び研削装置 |
US20110073464A1 (en) * | 2009-09-28 | 2011-03-31 | General Electric Company | Systems and apparatus relating to electrochemical machining |
US20110073465A1 (en) * | 2009-09-28 | 2011-03-31 | General Electric Company | Systems and apparatus relating to electrochemical machining |
WO2011046017A1 (ja) * | 2009-10-14 | 2011-04-21 | 株式会社クラレ | 研磨パッド |
US20140152801A1 (en) * | 2009-10-28 | 2014-06-05 | Alentic Microscience Inc. | Detecting and Using Light Representative of a Sample |
US8647172B2 (en) * | 2010-03-12 | 2014-02-11 | Wayne O. Duescher | Wafer pads for fixed-spindle floating-platen lapping |
US8740668B2 (en) * | 2010-03-12 | 2014-06-03 | Wayne O. Duescher | Three-point spindle-supported floating abrasive platen |
US8602842B2 (en) * | 2010-03-12 | 2013-12-10 | Wayne O. Duescher | Three-point fixed-spindle floating-platen abrasive system |
CN103038567A (zh) * | 2010-04-16 | 2013-04-10 | 弗莱克斯照明第二有限责任公司 | 包括膜基光导的照明装置 |
US9028123B2 (en) * | 2010-04-16 | 2015-05-12 | Flex Lighting Ii, Llc | Display illumination device with a film-based lightguide having stacked incident surfaces |
CN102858495B (zh) * | 2010-04-20 | 2016-06-01 | 应用材料公司 | 用于经改良的研磨垫外形的闭回路控制 |
US20120009847A1 (en) * | 2010-07-06 | 2012-01-12 | Applied Materials, Inc. | Closed-loop control of cmp slurry flow |
US8694144B2 (en) * | 2010-08-30 | 2014-04-08 | Applied Materials, Inc. | Endpoint control of multiple substrates of varying thickness on the same platen in chemical mechanical polishing |
US8672730B2 (en) * | 2010-12-23 | 2014-03-18 | Exelis, Inc. | Method and apparatus for polishing and grinding a radius surface on the axial end of a cylinder |
CN102528643A (zh) * | 2010-12-30 | 2012-07-04 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 化学机械研磨设备及其研磨单元 |
JP2012157936A (ja) * | 2011-02-01 | 2012-08-23 | Fujitsu Semiconductor Ltd | 研磨パッド及び半導体装置の製造方法 |
US20120270477A1 (en) * | 2011-04-22 | 2012-10-25 | Nangoy Roy C | Measurement of pad thickness and control of conditioning |
JP5896625B2 (ja) * | 2011-06-02 | 2016-03-30 | 株式会社荏原製作所 | 研磨装置に使用される研磨パッドの研磨面を監視する方法および装置 |
JP6030041B2 (ja) * | 2013-11-01 | 2016-11-24 | 株式会社荏原製作所 | 研磨装置および研磨方法 |
-
2011
- 2011-07-15 US US13/184,338 patent/US20130017762A1/en not_active Abandoned
-
2012
- 2012-07-13 DE DE102012212333A patent/DE102012212333A1/de not_active Ceased
- 2012-07-13 CN CN201210242334.0A patent/CN102873632B/zh not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20130017762A1 (en) | 2013-01-17 |
CN102873632A (zh) | 2013-01-16 |
CN102873632B (zh) | 2016-09-07 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE102012212333A1 (de) | Verfahren und vorrichtung zum bestimmen eines masses einer dicke eines polierkissens einer poliermaschine | |
DE69632490T2 (de) | Verfahren und Vorrichtung zur In-Situ-Kontrolle und Bestimmung des Endes von chemisch-mechanischen Planiervorgängen | |
EP1961502B1 (de) | Verfahren sowie Vorrichtung zum Biegen von Werkstücken | |
CH707367A1 (de) | Verfahren zum Bearbeiten einer Folge von Werkstücken mittels mindestens eines Bearbeitungsstrahls. | |
DE4242442C2 (de) | Verfahren zum Einstellen der Klemmkraft des Niederhalters von Ziehpressen | |
DE102010055220A1 (de) | Verfahren und System zur Erfassung von Normabweichungen in der Qualität beim Kaltwalzen | |
EP1602083A1 (de) | Verfahren und prüfeinrichtung zur prüfung von wertdokumenten | |
WO1998053298A1 (de) | Verfahren und vorrichtung zur durchführung eines härtetests an prüfkörpern, insbesondere tabletten oder pillen | |
EP0377796A2 (de) | Mess- und Ausrichteinrichtung an einer Rundschleifmaschine | |
DE102015003697A1 (de) | Strahlformer mit Messung der Intensitätsverteilung eines Laserstrahls, Laseroszillator, und Laser-Bearbeitungsvorrichtung | |
DE102019111514A1 (de) | System und verfahren zum steuern eines zahnradmontageabstands unter verwendung von optischen sensoren | |
DE102012207656A1 (de) | Positionsmesseinrichtung und Verfahren zum Betreiben der Positionsmesseinrichtung | |
DE102017210692A1 (de) | Lebensdauerbestimmungsvorrichtung; Lebensdauerbestimmungsverfahren, und Programm für Schneidwerkzeug | |
EP2311583B1 (de) | Verfahren zur Bestimmung der Dicke eines Werkstückes mit einer Biegemaschine und eine solche Biegemaschine | |
DE102010017604B4 (de) | Verfahren zum optischen Messen von Strukturen eines Objekts | |
EP2834630B1 (de) | Verfahren zur prüfung eines bauteils basierend auf barkhausenrauschen | |
DE102016216842A1 (de) | Verfahren und Vorrichtung zum Betreiben eines Spektrometers | |
EP3901563B1 (de) | Verfahren und vorrichtung zur bestimmung einer messstrategie zur vermessung eines messobjekts und programm | |
DE112017007219B4 (de) | Einrichtung zur Halbleiterherstellung und Verfahren zur Halbleiterherstellung | |
DE102018109636A1 (de) | Bremssteuerungsvorrichtung, bremssteuerungsverfahren und bremssteuerungssystem | |
EP3122483A1 (de) | Verfahren zum anstellen einer richtwalze einer richtwalzanlage | |
DE102006059415A1 (de) | Verfahren und Vorrichtung zur Dickenmessung | |
DE102005019063B3 (de) | Verfahren zum Betreiben einer Exzenterschneckenpumpe | |
DE102011121270B4 (de) | Verfahren zur Beurteilung der akustischen Qualität einer Bremsscheibe | |
DE2702845A1 (de) | Elektronische steuervorrichtung fuer schleifmaschinen, basierend auf der positionsbestimmung des diamanten bezueglich des werkstuecks |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
R012 | Request for examination validly filed | ||
R002 | Refusal decision in examination/registration proceedings | ||
R003 | Refusal decision now final |