DE102013204441A1

DE102013204441A1 - Collector for converting advantage mission of radiation source in far-field, has far-field portions that are arranged separately from each other, so that far-field portions give non-contiguous, total far field

Info

Publication number: DE102013204441A1
Application number: DE201310204441
Authority: DE
Inventors: Johannes Wangler; Christoph Menke
Original assignee: Carl Zeiss SMT GmbH
Current assignee: Carl Zeiss SMT GmbH
Priority date: 2013-03-14
Filing date: 2013-03-14
Publication date: 2014-04-03

Abstract

The collector (15) is divided into several panel segments (25) with segment mirror surfaces (26) separate from each other. The segment-level surface of collector segments is designed integrally. Each one of the collector segments is designed, so that it illuminates a collector segment assigned to the far-field section. The far-field portions are arranged separately from each other, so that the far-field portions give the non-contiguous, total far field. Independent claims are included for the following: (1) illumination optics; (2) optical system; (3) projection exposure apparatus; and (4) method for producing nano-or micro-structured component.

Description

Die Erfindung betrifft einen Kollektor zur Überführung einer Nutzemission einer Strahlungsquelle in ein Fernfeld. Ferner betrifft die Erfindung eine Beleuchtungsoptik mit einem derartigen Kollektor, ein optisches System mit einer derartigen Beleuchtungsoptik, eine Projektionsbelichtungsanlage mit einem derartigen optischen System, ein Verfahren zur Herstellung eines mikro- bzw. nanostrukturierten Bauelements mit einer derartigen Projektionsbelichtungsanlage und ein mit dem Verfahren hergestelltes Bauelement.The invention relates to a collector for transferring a Nutzemission a radiation source in a far field. Furthermore, the invention relates to an illumination optical system with such a collector, an optical system with such an illumination optical system, a projection exposure apparatus with such an optical system, a method for producing a microstructured or nanostructured component with such a projection exposure apparatus and a component produced by the method.

Kollektoren der eingangs genannten Art sind bekannt aus der US 6,507,440 B1 , der DE 10 2010 063 530 A1 , der WO 2011/138259 A1 , aus der US 7,075,712 B2 , der US 7,501,641 B2 , der US 2006/0176547 A1 , der US 2006/0120429 A1 , der US 7,075,713 B2 , der EP 1 469 349 A1 , der US 2008/0266650 A1 , der WO 2007/045 434 A2 , der US 6,438,199 B1 und der US 5,339,346 A .Collectors of the type mentioned are known from the US 6,507,440 B1 , of the DE 10 2010 063 530 A1 , of the WO 2011/138259 A1 , from the US 7,075,712 B2 , of the US 7,501,641 B2 , of the US 2006/0176547 A1 , of the US 2006/0120429 A1 , of the US 7,075,713 B2 , of the EP 1 469 349 A1 , of the US 2008/0266650 A1 , of the WO 2007/045 434 A2 , of the US Pat. No. 6,438,199 B1 and the US 5,339,346 A ,

Es ist eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung, einen Kollektor der eingangs genannten Art derart weiterzubilden, dass eine effiziente Überführung der Nutzemission in ein Beleuchtungsfeld gewährleistet ist.It is an object of the present invention, a collector of the type mentioned in such a way that an efficient transfer of Nutzemission is ensured in a lighting field.

Die Aufgabe ist erfindungsgemäß gelöst durch einen Kollektor mit den im Anspruch 1 angegebenen Merkmalen.The object is achieved by a collector with the features specified in claim 1.

Durch die Ausgestaltung des Kollektors mit mehreren voneinander separaten Segment-Spiegelflächen kann der Kollektor flexibel so angeordnet sein, dass Raumwinkelbereiche um die Strahlungsquelle kollektorfrei bleiben, in denen die Nutzemission ohnehin beispielsweise von Tragelementen der Strahlungsquelle oder peripherer Zusatzinstrumente abgeschattet wird. Über die Größe und/oder über eine asphärische Flächenform der jeweiligen Kollektor-Segmente kann eine Beleuchtungsstärke des jeweils hierdurch beleuchteten Fernfeld-Abschnitts, also eine Ortsabhängigkeit der Intensität, vorgegeben werden. Über die Formgebung der Kollektor-Segmente können prinzipiell beliebig geformte Fernfeld-Abschnitte ausgeleuchtet werden. Eine äußere Kontur der Kollektor-Segmente kann sich aus der Form der Fernfeld-Abschnitte ergeben. Die Fernfeld-Abschnitte können beispielsweise rechteckig oder rund geformt sein, können aber auch andere Formen, je nach den gegebenen Randbedingungen, haben. Auch Fernfeld-Abschnitte unterschiedlicher Größen können entsprechend der Ausführung der Kollektor-Segmente ausgeleuchtet werden. Prinzipiell ist es auch möglich, zumindest einzelne der verschiedenen Fernfeld-Abschnitte überlappend auszuleuchten, um hierüber einen weiteren Freiheitsgrad für die Vorgabe einer Beleuchtungsstärke zu schaffen. Bei der Anordnungsebene des Fernfeldes handelt es sich um keine Bildebene der Strahlungsquelle, also um keine Anordnungsebene einer sekundären Lichtquelle. Nicht zusammenhängend ist das Fernfeld dann, wenn dieses mindestens zwei voneinander separate Fernfeld-Abschnitte aufweist. Eine zusammenhängende Segment-Spiegelfläche hat keine voneinander separat, also durch einen Zwischenraum getrennt ausgeführten Spiegelabschnitte. Bei der vom Kollektor zu überführenden Nutzemission kann es sich um die Nutzemission einer EUV-Strahlungsquelle handeln. Entsprechend kann der Kollektor als EUV-Kollektor so ausgeführt sein, dass er EUV-Nutzlicht in einem Wellenlängenbereich beispielsweise zwischen 5 nm und 30 nm mit geringen Verlusten sammelt. Bei dem Fernfeld, in welches die Nutzemission der EUV-Strahlungsquelle überführt wird, handelt es sich dann um ein EUV-Fernfeld. Generell können im Fernfeld weitere optische Elemente, zum Beispiel eine weitere Spiegelkomponente, angeordnet sein, die die Nutzemission in das Beleuchtungsfeld überführt. Bei diesen weiteren optischen Elementen bzw. optischen Komponenten kann es sich um eine zur Reflexion von EUV-Strahlung optimierte Komponente, also um eine EUV-Spiegelkomponente handeln. Eine Unterteilung des Kollektors in mehrere Kollektor-Segmente, die voneinander separate Fernfeld-Abschnitte ausleuchten, führt zur Möglichkeit, nur diejenigen Abschnitte der weiteren Spiegelkomponente, die im Fernfeld anordenbar ist, zu beleuchten, die tatsächlich die dorthin überführte Nutzemission in das Beleuchtungsfeld überführen können. Soweit die weitere Spiegelkomponente keine zusammenhängende Spiegelfläche aufweist, kann mit dem erfindungsgemäßen Kollektor vermieden werden, dass vom Kollektor die Nutzemission in Zwischenräume der Spiegelfläche der weiteren Spiegelkomponente geleitet wird, wo die Nutzemission verloren geht. Hierdurch kann auch eine unerwünschte thermische Belastung der weiteren Spiegelkomponente vermieden werden.Due to the design of the collector with a plurality of separate segment mirror surfaces of the collector can be arranged flexibly so that solid angle areas around the radiation source remain collector-free, in which the Nutzemission anyway shadowed for example by supporting elements of the radiation source or peripheral auxiliary instruments. By way of the size and / or an aspherical surface shape of the respective collector segments, it is possible to specify an illuminance of the respective far-field section illuminated in this way, that is to say a location-dependent intensity. In principle, arbitrarily shaped far-field sections can be illuminated via the shaping of the collector segments. An outer contour of the collector segments may result from the shape of the far-field sections. The far-field sections may, for example, be rectangular or round, but may also have other shapes, depending on the given boundary conditions. Even far-field sections of different sizes can be illuminated according to the design of the collector segments. In principle, it is also possible to illuminate at least one of the various far-field sections in an overlapping manner, in order to create an additional degree of freedom for specifying an illuminance. The arrangement plane of the far field is not an image plane of the radiation source, that is to say no arrangement plane of a secondary light source. The far field is not connected when it has at least two separate far-field sections. A contiguous segment mirror surface has no mirror sections separated from one another, that is, separated by a gap. The payload to be transferred from the collector may be the payload of an EUV radiation source. Accordingly, the collector can be designed as EUV collector so that it collects EUV useful light in a wavelength range, for example, between 5 nm and 30 nm with low losses. The far field, into which the useful emission of the EUV radiation source is transferred, is then an EUV far field. In general, further optical elements, for example a further mirror component, can be arranged in the far field, which converts the useful emission into the illumination field. These further optical elements or optical components may be a component optimized for reflection of EUV radiation, ie an EUV mirror component. Dividing the collector into a plurality of collector segments which illuminate separate far-field sections leads to the possibility of illuminating only those sections of the further mirror component which can be arranged in the far field, which can actually transfer the useful emission transferred there to the illumination field. Insofar as the further mirror component does not have a coherent mirror surface, it can be avoided with the collector according to the invention that the useful emission is guided by the collector into intermediate spaces of the mirror surface of the further mirror component, where the useful emission is lost. As a result, an undesired thermal stress of the further mirror component can be avoided.

Die Spiegelflächen der Kollektor-Segmente können als Normal Incidence Spiegelflächen und/oder als Grazing Incidence Spiegelflächen ausgeführt sein. Mindestens einige oder auch alle Spiegelflächen der Kollektor-Segmente können als in Bezug auf eine Referenzachse nicht rotationssymmetrische Spiegelflächen ausgeführt sein. Bei dieser Referenzachse handelt es sich um eine Achse, die zwischen der Strahlungsquelle und einem Zentrum des Fernfeld-Abschnitts verläuft, der von diesem Kollektor-Segment beleuchtet wird, oder um eine Achse zwischen der Strahlungsquelle und einem Zentrum des gesamten, über den Kollektor beleuchteten Fernfelds. Die Kollektor-Segmente, insbesondere die Grazing Incidence-Kollektorsegmente können so ausgeführt sein, dass sie die Nutzemission der Strahlungsquelle ausschließlich von Teilbereichen einer azimutalen Abstrahlung aufnehmen. Normal Incidence Spiegelflächen reflektieren die Nutzemission, die mit einem Einfallswinkel eintrifft, der kleiner ist 45°, der kleiner ist als 40°, der kleiner ist als 35°, der kleiner ist als 30°, der kleiner ist als 25° oder auch noch kleiner sein kann. Grazing Incidence Spiegelflächen reflektieren die Nutzemission, die mit einem Einfallswinkel eintrifft, der größer ist als 60°, der größer ist als 65°, der größer ist als 70°, der größer ist als 75° und der auch noch größer sein kann. Der Kollektor kann hybrid mit Normal Incidence Spiegelflächen und gleichzeitig mit Grazing Incidence Spiegelflächen ausgeführt sein.The mirror surfaces of the collector segments can be designed as normal incidence mirror surfaces and / or as grazing incidence mirror surfaces. At least some or all of the mirror surfaces of the collector segments may be embodied as mirror surfaces which are not rotationally symmetrical with respect to a reference axis. This reference axis is an axis that passes between the radiation source and a center of the far-field portion that is illuminated by this collector segment, or an axis between the radiation source and a center of the entire, far-field illuminated collector , The collector segments, in particular the grazing incidence collector segments can be designed so that they the useful emission of the radiation source exclusively of partial areas of a record azimuthal radiation. Normal Incidence mirror surfaces reflect the useful emission that arrives at an angle of incidence less than 45 °, which is less than 40 °, which is less than 35 °, which is less than 30 °, which is less than 25 ° or even smaller can be. Grazing Incidence mirror surfaces reflect the useful emission that arrives at an angle of incidence greater than 60 ° greater than 65 ° greater than 70 ° greater than 75 ° and which may be even greater. The collector may be hybrid with normal incidence mirror surfaces and concurrently with grazing incidence mirror surfaces.

Eine Abweichung des Aspektverhältnisses mindestens eines der Fernfeld-Abschnitte und beispielsweise aller Fernfeld-Abschnitte vom Aspektverhältnis der Kollektor-Segmente nach Anspruch 2 erhöht die Flexibilität bei der Auslegung der Kollektor-Segmente. Bei einem Beleuchtungsfeld mit hohem Aspektverhältnis kann mindestens einer der Fernfeld-Abschnitte beispielsweise ein wesentlich geringeres Aspektverhältnis und damit eine weniger extrem rechteckige Form aufweisen. Dies reduziert die Anforderungen an eine Formgebung der Kollektor-Segmente.A deviation of the aspect ratio of at least one of the far-field sections and, for example, all far-field sections from the aspect ratio of the collector segments according to claim 2 increases the flexibility in the design of the collector segments. For example, in a high aspect ratio illumination field, at least one of the far field portions may have a much lower aspect ratio and thus a less extreme rectangular shape. This reduces the requirements for shaping the collector segments.

Eine Freiformflächen-Ausgestaltung nach Anspruch 3 erhöht die Design-Freiheitsgrade. Eine Ausleuchtung vorgegeben großer Fernfeld-Abschnitte mit vorgegebener Randkontur lässt sich somit mit vorgegebener Verteilung der Beleuchtungsintensität erreichen. Die Freiformfläche kann in der Art und Weise parametrisiert werden, wie dies beispielsweise bei der Formgebung für Spiegel in Projektionsobjektiven bei Projektionsbelichtungsanlagen für die Projektions-Lithographie beispielsweise aus der US 2007/0058269 A1 bereits bekannt ist. Auch Spline-Funktionen, NURBS(nicht-uniforme rationale B-Splines)-Funktionen oder Zernicke-Funktionen können zur Parametrisierung einer solchen Freiformfläche herangezogen werden. Insbesondere können alle Segment-Spiegelflächen, also alle Kollektor-Segmente, als Freiformflächen ausgeführt sein. Alternativ zu einer Freiformfläche, die nicht über eine rotationssymmetrische mathematische Funktion parametrisiert werden kann, kann mindestens eines der Kollektor-Segmente eine Segment-Spiegelfläche aufweisen, die als rotationssymmetrische Asphäre ausgeführt ist. Die Freiformfläche kann also keine Rotationssymmetrie aufweisen und kann zudem auch keine Symmetrieebene oder maximal eine Symmetrieebene aufweisen.A freeform surface design according to claim 3 increases the design degrees of freedom. An illumination predetermined large far field sections with predetermined edge contour can thus be achieved with a predetermined distribution of the illumination intensity. The free-form surface can be parameterized in the manner, as for example in the shaping of mirrors in projection lenses in projection exposure systems for projection lithography, for example from the US 2007/0058269 A1 already known. Spline functions, NURBS (non-uniform rational B-splines) functions or Zernicke functions can also be used to parameterize such a free-form surface. In particular, all segment mirror surfaces, that is to say all collector segments, can be designed as free-form surfaces. As an alternative to a free-form surface, which can not be parameterized via a rotationally symmetrical mathematical function, at least one of the collector segments can have a segment mirror surface, which is designed as a rotationally symmetric asphere. The free-form surface can thus have no rotational symmetry and can also have no plane of symmetry or at most one plane of symmetry.

Segment-Spiegelflächen nach Anspruch 4 lassen sich mit vertretbarem Aufwand fertigen. Eine dritte Ableitung dieser Flächen kann eine monotone Funktion sein. Stetig differenzierbar soll dabei eine Grundform der Segement-Spiegelfläche sein. Ein auf diese Grundform beispielweise aufgebrachtes Gitter zur Unterdrückung von Strahlung, die von einer Nutzwellenlänge abweicht, ändert nichts an einer stetigen Differenzierbarkeit der Grundform der Segment-Spiegelfläche. Grundsätzlich können lokale Abweichungen von einer stetig differenzierbaren Grundform auftreten. Bevorzugt ist, wenn derartige lokale Abweichungen kleiner sind als 100 μm.Segment mirror surfaces according to claim 4 can be manufactured with reasonable effort. A third derivative of these surfaces may be a monotone function. In the process, a basic form of the segmented mirror surface should be permanently differentiable. An example of this basic form applied grid for the suppression of radiation, which deviates from a Nutzwellenlänge, does not change a continuous differentiability of the basic shape of the segment mirror surface. In principle, local deviations from a continuously differentiable basic form can occur. It is preferred if such local deviations are smaller than 100 μm.

Aus mehreren Sub-Spiegelflächen nach Anspruch 5 zusammengesetzte Kollektor-Segmente erhöhen die Freiheitsgrade bei der Vorgabe von Beleuchtungsparametern für die Ausleuchtung der jeweiligen Fernfeld-Abschnitte. Die Sub-Spiegelflächen, aus denen die jeweilige Segment-Spiegelfläche zusammengesetzt ist, sind jeweils den entsprechenden Fernfeld-Unterabschnitten zugeordnet. Die Ausleuchtung der Fernfeld-Abschnitte kann dann zusammengesetzt sein aus den Ausleuchtungen der jeweils den Fernfeld-Abschnitt aufbauenden Fernfeld-Unterabschnitte. Die Sub-Spiegelflächen können wiederum als Freiformflächen ausgeführt sein.Collector segments composed of a plurality of sub-mirror surfaces according to claim 5 increase the degrees of freedom in the specification of illumination parameters for the illumination of the respective far-field sections. The sub-mirror surfaces composing the respective segment mirror surface are respectively associated with the corresponding far-field sub-sections. The illumination of the far-field sections may then be composed of the illuminations of the far-field subsections respectively constituting the far-field section. The sub-mirror surfaces can in turn be designed as free-form surfaces.

Mindestens ein Kollektor-Segment mit einer Spiegelfläche für streifenden Einfall nach Anspruch 6 hat sich zur Optimierung eines Beleuchtungslicht-Durchsatzes des Kollektors als besonders geeignet herausgestellt. Ein Einfallswinkel auf der Spiegelfläche für streifenden Einfall (grazing incidence) kann größer sein als 60°, kann größer sein als 65°, kann größer sein als 70°, kann größer sein als 75° und kann auch größer sein als 80°. Eine derartige Spiegelfläche für streifenden Einfall kann so ausgeführt sein, dass sie zu keiner ausgezeichneten Achse längs des Strahlengangs des Kollektors rotationssymmetrisch ist. Die Spiegelfläche für streifenden Einfall kann so angeordnet sein, dass von einer derartigen Spiegelfläche aufgenommene Nutzemission der Strahlungsquelle ausschließlich aus Raumwinkel-Teilbereichen einer azimutalen Abstrahlung der Strahlungsquelle stammt. Aufgenommen wird dann also insbesondere Nutzemission, die nicht in Vorwärts- oder Rückwärtsrichtung emittiert wird. Insbesondere kann von der Spiegelfläche für streifenden Einfall azimutale Nutzemission, die über einen vorgegebenen Azimutwinkel abgestrahlt wird, aufgenommen werden, der kleiner ist als 180°, der kleiner ist als 90°, der kleiner ist als 60° und der beispielsweise 45° betragen kann.At least one collector segment with a grazing incidence mirror surface according to claim 6 has been found to be particularly suitable for optimizing an illuminating light throughput of the collector. An incident angle on the mirror surface for grazing incidence may be greater than 60 °, may be greater than 65 °, may be greater than 70 °, may be greater than 75 ° and may be greater than 80 °. Such a grazing incidence mirror surface may be made to be rotationally symmetric with respect to any excellent axis along the beam path of the collector. The mirror surface for grazing incidence may be arranged such that the useful emission of the radiation source recorded by such a mirror surface originates exclusively from solid angle partial regions of an azimuthal emission of the radiation source. In particular, useful emissions that are not emitted in the forward or backward direction are recorded. In particular, azimuthal useful emission emitted by the mirror surface for grazing incidence, which is radiated over a given azimuth angle, can be recorded, which is smaller than 180 °, which is smaller than 90 °, which is smaller than 60 ° and which can be for example 45 °.

Mindestens einer der Fernfeld-Unterabschnitte kann ein Aspektverhältnis aufweisen, das von einem Aspektverhältnis des Beleuchtungsfeldes um weniger als 20% abweicht. Derartige Aspektverhältnisse ergeben die Möglichkeit, beispielsweise beim Einsatz eines EUV-Feldfacettenspiegels die Feldfacetten-Unterabschnitte an die Größe und Form der Feldfacetten anzupassen. Eine sehr effiziente Beleuchtung ist die Folge. Alle Fernfeld-Unterabschnitte können ein Aspektverhältnis aufweisen, das vom Aspektverhältnis des Beleuchtungsfeldes um weniger als 20% abweicht.At least one of the far field subsections may have an aspect ratio that deviates from an aspect ratio of the illumination field by less than 20%. Such aspect ratios give the possibility, for example when using an EUV field facet mirror, to adapt the field facet subsections to the size and shape of the field facets. A very efficient lighting is the result. All far-field subsections may have an aspect ratio that deviates from the aspect ratio of the illumination field by less than 20%.

Mehr als zwei Kollektor-Segmente nach Anspruch 7 haben sich bei der Auslegung des Kollektors als besonders geeignet herausgestellt. Der Kollektor kann drei, vier, fünf, kann bis zu zehn oder kann auch mehr als zehn Kollektor-Segmente aufweisen.More than two collector segments according to claim 7 have been found in the design of the collector to be particularly suitable. The collector can be three, four, five, up to ten or even more than ten collector segments.

Die Vorteile einer Beleuchtungsoptik zur Überführung einer Nutzemission einer Strahlungsquelle in ein Beleuchtungsfeld, in dem ein auszuleuchtendes Objekt anordenbar ist, wobei die Beleuchtungsoptik einen erfindungsgemäßen Kollektor aufweist, entsprechen denen, die vorstehend unter Bezugnahme auf den Kollektor bereits erläutert wurden.The advantages of an illumination optics for transferring a useful emission of a radiation source into an illumination field in which an object to be illuminated can be arranged, the illumination optics having a collector according to the invention, correspond to those which have already been explained above with reference to the collector.

Die Beleuchtungsoptik kann einen Feldfacettenspiegel mit einer Mehrzahl von Feldfacetten aufweisen. Die Beleuchtungsoptik kann eine Übertragungsoptik zur überlagernden Abbildung der Feldfacetten in das Beleuchtungsfeld aufweisen. Die Beleuchtungsoptik kann für EUV-Wellenlängen optimiert sein.The illumination optics may comprise a field facet mirror having a plurality of field facets. The illumination optics may have transmission optics for superimposing the field facets in the illumination field. The illumination optics can be optimized for EUV wavelengths.

Die Vorteile des Kollektors kommen bei einer Beleuchtungsoptik nach Anspruch 9, insbesondere bei einer EUV-Beleuchtungsoptik, besonders zum Tragen. Es können alle Feldfacetten-Blöcke des Feldfacettenspiegels jeweils am Ort eines der Fernfeld-Abschnitte angeordnet sein, der von einem der Kollektor-Segmente ausgeleuchtet wird.The advantages of the collector come in an illumination optical system according to claim 9, in particular in an EUV illumination optics, especially for carrying. All field facet blocks of the field facet mirror can each be arranged at the location of one of the far field sections which is illuminated by one of the collector segments.

Eine Ausleuchtung nach Anspruch 10 nutzt die Unterteilung des Kollektor-Segments in Sub-Spiegelflächen aus. Die Vorteile eines optischen System nach Anspruch 11, einer Projektionsbelichtungsanlage nach Anspruch 12, eines Herstellungsverfahrens nach Anspruch 13 und eines mikro- bzw. nanostrukturierten Bauelements nach Anspruch 14 entsprechen denen, die vorstehend unter Bezugnahme auf den Kollektor und die Beleuchtungsoptik bereits erläutert wurden. Das Objektfeld kann mit dem Beleuchtungsfeld zusammenfallen. Ein Beleuchtungssystem kann neben der Beleuchtungsoptik noch insbesondere eine EUV-Strahlungsquelle aufweisen. Die EUV-Strahlungsquelle kann eine Nutzemission in einem Wellenlängenbereich zwischen 5 nm und 30 nm aufweisen. Anstelle einer EUV-Strahlungsquelle kann bei einer alternativen Projektionsbelichtungsanlage auch eine Strahlungsquelle zum Einsatz kommen, die Licht einer anderen Wellenlänge erzeugt, zum Beispiel eine UV-Strahlungsquelle.An illumination according to claim 10 utilizes the subdivision of the collector segment into sub-mirror surfaces. The advantages of an optical system according to claim 11, a projection exposure apparatus according to claim 12, a manufacturing method according to claim 13 and a microstructured or nanostructured component according to claim 14 correspond to those which have already been explained above with reference to the collector and the illumination optics. The object field may coincide with the illumination field. In addition to the illumination optics, an illumination system may in particular have an EUV radiation source. The EUV radiation source can have a useful emission in a wavelength range between 5 nm and 30 nm. Instead of an EUV radiation source, an alternative projection exposure apparatus can also use a radiation source which generates light of a different wavelength, for example a UV radiation source.

Ausführungsbeispiele der Erfindung werden nachfolgend anhand der Zeichnung näher erläutert. In dieser zeigen:Embodiments of the invention will be explained in more detail with reference to the drawing. In this show:

1 schematisch einen Meridionalschnitt durch eine Projektionsbelichtungsanlage für die EUV-Projektionslithographie mit einer EUV-Beleuchtungsoptik; 1 schematically a meridional section through a projection exposure system for the EUV projection lithography with an EUV illumination optics;

2 schematisch einen Ausschnitt eines EUV-Strahlengangs zwischen einer EUV-Strahlungsquelle der Projektionsbelichtungsanlage und einer Anordnungsebene eines auszuleuchtenden Fernfeldes, in dem ein Feldfacettenspiegel der Projektionsbelichtungsanlage angeordnet sein kann, wobei ein EUV-Kollektor zur Überführung einer Nutzemission der EUV-Strahlungsquelle in ein EUV-Fernfeld am Ort der Anordnungsebene lediglich ausschnittsweise und teilweise im Meridionalschnitt und teilweise perspektivisch angedeutet dargestellt ist, und wobei ein Fernfeld-Abschnitt, der im Meridionalschnitt an sich senkrecht zur Zeichenebene der 2 angeordnet wäre, in einer Aufsicht dargestellt ist, wobei EUV-Strahlengänge zwischen zwei Sub-Spiegelflächen des EUV-Kollektors und zwei Fernfeld-Unterabschnitten gezeigt sind; 2 schematically a section of an EUV beam path between an EUV radiation source of the projection exposure system and an array plane of a far field to be illuminated, in which a field facet mirror of the projection exposure system can be arranged, with an EUV collector for transferring a useful emission of the EUV radiation source in a EUV far field at Location of the arrangement plane is shown only partially and partially in the meridional section and partially indicated in perspective, and wherein a far-field section, the meridional section in itself perpendicular to the plane of the 2 is shown in a plan view, with EUV beam paths between two sub-mirror surfaces of the EUV collector and two far-field subsections are shown;

3 perspektivisch ein Kollektor-Segment des Kollektors und einen EUV-Strahlengang zwischen der EUV-Strahlungsquelle, dem Kollektor-Segment und einem Fernfeld-Abschnitt, in dem eine Komponente einer nachfolgenden Optik, zum Beispiel eine Feldfacette des Feldfacettenspiegels, angeordnet werden kann; 3 in perspective, a collector segment of the collector and an EUV beam path between the EUV radiation source, the collector segment and a far-field section in which a component of a subsequent optic, for example a field facet of the field facet mirror, can be arranged;

4 schematisch und perspektivisch ebenfalls einen EUV-Strahlengang zwischen der EUV-Strahlungsquelle, einer differentiellen Sub-Spiegelfläche eines Kollektor-Segments und einem differentiellen Fernfeld-Unterabschnitt, wobei mathematische Größen gezeigt sind, die zur Berechnung einer Beleuchtungsstärke für den Fernfeld-Unterabschnitt hilfreich sind; 4 also schematically and in perspective also shows an EUV beam path between the EUV radiation source, a differential sub-mirror surface of a collector segment and a far-field differential subsection, showing mathematical quantities that are helpful in calculating illuminance for the far-field subsection;

5 eine Ausführung des gesamten EUV-Fernfeldes, das vier voneinander separat angeordnete Fernfeld-Abschnitte aufweist; 5 an embodiment of the entire EUV far field, which has four far-field sections arranged separately from each other;

6 eine in vier Kollektor-Segmente unterteilte Ausführung des EUV-Kollektors, wobei die Kollektor-Segmente im Zusammenspiel mit vignettierenden Strukturen so ausgeführt sind, dass sie jeweils einen der Fernfeld-Abschnitte nach 5 ausleuchten; und 6 an embodiment of the EUV collector which is subdivided into four collector segments, wherein the collector segments, in conjunction with vignetting structures, are designed such that they respectively follow one of the far-field sections 5 illuminate; and

7 bis 9 Ausführungsbeispiele von EUV-Feldfacettenspiegeln, deren Feldfacetten gruppenweise in Feldfacetten-Blöcken angeordnet sind, die jeweils am Ort eines Fernfeld-Abschnittes angeordnet sind, die von einem zugehörigen, in Kollektor-Segmente unterteilten EUV-Kollektor nach Art des Kollektors der 6 ausgeleuchtet werden. 7 to 9 Embodiments of EUV field facet mirrors whose field facets are arranged in groups in field facet blocks, which are each arranged at the location of a far-field section, of an associated collector segments in the manner of the collector of the EUV collector 6 be lit up.

1 zeigt schematisch in einem Meridionalschnitt eine EUV-Projektionsbelichtungsanlage 1 für die Mikrolithographie. Ein Beleuchtungssystem 2 der Projektionsbelichtungsanlage 1 hat neben einer Strahlungsquelle bzw. Lichtquelle 3 eine Beleuchtungsoptik 4 zur Belichtung eines Objektfeldes bzw. Beleuchtungsfeldes 5 in einer Objektebene 6. Belichtet wird hierbei ein im Objektfeld 5 angeordnetes Retikel 7, das von einem lediglich ausschnittsweise dargestellten Retikelhalter 8 gehalten ist. Eine Projektionsoptik 9 dient zur Abbildung des Objektfeldes 5 in ein Bildfeld 10 in einer Bildebene 11. Abgebildet wird eine Struktur auf dem Retikel 7 auf eine lichtempfindliche Schicht eines im Bereich des Bildfeldes 10 in der Bildebene 11 angeordneten Wafers 12, der von einem ebenfalls schematisch dargestellten Waferhalter 13 gehalten ist. Die Beleuchtungsoptik 4 und die Projektionsoptik 9 bilden gemeinsam ein optisches System der Projektionsbelichtungsanlage 1. 1 schematically shows in a meridional section an EUV projection exposure system 1 for microlithography. A lighting system 2 the projection exposure system 1 has in addition to a radiation source or light source 3 an illumination optics 4 for the exposure of an object field or illumination field 5 in an object plane 6 , One is exposed in the object field 5 arranged reticle 7 that of a reticle holder only partially shown 8th is held. A projection optics 9 serves to represent the object field 5 in a picture field 10 in an image plane 11 , A structure is shown on the reticle 7 on a photosensitive layer in the area of the image field 10 in the picture plane 11 arranged wafers 12 , of a likewise schematically represented wafer holder 13 is held. The illumination optics 4 and the projection optics 9 together form an optical system of the projection exposure system 1 ,

Bei der Strahlungsquelle 3 handelt es sich um eine EUV-Strahlungsquelle mit einer emittierten Nutzstrahlung im Bereich zwischen 5 nm und 30 nm. Es kann sich dabei um eine Plasmaquelle, insbesondere um eine LPP-Quelle (Plasmaerzeugung durch Laser, laserproduced plasma) handeln. Bei der EUV-Strahlenquelle kann es sich auch beispielsweise um eine DPP-Quelle (Plasmaerzeugung durch Gasentladung, gas discharge produced plasma) handeln. EUV-Strahlung 14, die von der Strahlungsquelle 3 ausgeht, wird von einem Kollektor 15 aufgenommen und gebündelt, der in der 1 stark schematisch als Block dargestellt ist. Der Kollektor 15 wird nachfolgend noch näher beschrieben. Die EUV-Strahlung 14 wird nachfolgend auch als Nutzemission, als Beleuchtungslicht oder als Abbildungslicht bezeichnet. Nach dem Kollektor 15 propagiert die EUV-Strahlung 14 durch eine Zwischenfokusebene 16, bevor sie auf einen Feldfacettenspiegel 17 trifft. Eine solche Zwischenfokusebene 16 ist nicht zwingend. Ein gemeinsamer Zwischenfokus der EUV-Strahlung 14 zwischen dem Kollektor 15 und dem Feldfacettenspiegel 17 muss nicht vorhanden sein, ist aber vakuumtechnisch vorteilhaft. Anstelle eines einzigen Zwischenfokus, wie in der 1 schematisch dargestellt, können auch mehrere Zwischenfoki vorhanden sein oder auch astigmatische Foki in verschiedenen Ebenen oder auch gar kein Zwischenfokus. Der Feldfacettenspiegel 17 ist in einer Ebene 18 der Beleuchtungsoptik 4 angeordnet, die zur Objektebene 6 optisch konjugiert ist. In dieser Ebene 18 liegt ein Beleuchtungs-Fernfeld 19 der EUV-Strahlung 14 vor, welches durch die Überführung der Nutzemission 14 vom Kollektor 15 gebildet wird.At the radiation source 3 it is an EUV radiation source with an emitted useful radiation in the range between 5 nm and 30 nm. It can be a plasma source, in particular an LPP source (plasma generation by laser, laser-produced plasma). The EUV radiation source can also be, for example, a DPP source (plasma discharge by gas discharge, plasma discharge). EUV radiation 14 coming from the radiation source 3 emanating from a collector 15 recorded and bundled in the 1 is shown very schematically as a block. The collector 15 will be described in more detail below. The EUV radiation 14 is also referred to below as Nutzemission, as illumination light or as imaging light. After the collector 15 propagates the EUV radiation 14 through an intermediate focus level 16 before moving to a field facet mirror 17 meets. Such an intermediate focus level 16 is not mandatory. A common intermediate focus of EUV radiation 14 between the collector 15 and the field facet mirror 17 does not have to be present, but is vacuum-technically advantageous. Instead of a single intermediate focus, as in the 1 shown schematically, also several Zwischenfoki may be present or astigmatic foci in different levels or even no intermediate focus. The field facet mirror 17 is in a plane 18 the illumination optics 4 arranged to the object level 6 is optically conjugated. In this level 18 is an illumination far field 19 the EUV radiation 14 ago, which by the conversion of Nutzemission 14 from the collector 15 is formed.

Nach dem Feldfacettenspiegel 17 wird die EUV-Strahlung 14 von einem Pupillenfacettenspiegel 20 reflektiert. Der Pupillenfacettenspiegel 20 ist in einer Pupillenebene der Beleuchtungsoptik 4 angeordnet, die zu einer Pupillenebene der Projektionsoptik 9 optisch konjugiert ist. Mit Hilfe des Pupillenfacettenspiegels 20 abbildenden optischen Baugruppe in Form einer weiteren Übertragungsoptik 21 mit in der Reihenfolge des Strahlengangs bezeichneten Spiegeln 22, 23 und 24 werden nachfolgend noch näher beschriebene Feldfacetten des Feldfacettenspiegels 17 in das Objektfeld 5 einander überlagernd abgebildet. Der letzte Spiegel 24 der Übertragungsoptik 21 ist ein Spiegel für streifenden Einfall („Grazing Incidence-Spiegel”). Der Pupillenfacettenspiegel 20 und die Übertragungsoptik 21 bilden eine Folgeoptik zur Überführung des Beleuchtungslichts 14 in das Objektfeld 5. Auf die Übertragungsoptik 21 kann insbesondere dann verzichtet werden, wenn der Pupillenfacettenspiegel 20 in einer Eintrittspupille der Projektionsoptik 9 angeordnet ist. Der Pupillenfacettenspiegel 20 stellt dann die einzige Übertragungsoptik zur überlagernden Abbildung der Feldfacetten des Feldfacettenspiegels 17 in das Beleuchtungsfeld 5 dar.After the field facet mirror 17 becomes the EUV radiation 14 from a pupil facet mirror 20 reflected. The pupil facet mirror 20 is in a pupil plane of the illumination optics 4 arranged to a pupil plane of the projection optics 9 is optically conjugated. With the help of the pupil facet mirror 20 imaging optical assembly in the form of another transmission optics 21 with mirrors in the order of the beam path 22 . 23 and 24 will be described in more detail below field facets of the field facet mirror 17 in the object field 5 superimposed on each other. The last mirror 24 the transmission optics 21 is a grazing incidence mirror. The pupil facet mirror 20 and the transmission optics 21 form a sequential optics for the transfer of the illumination light 14 in the object field 5 , On the transmission optics 21 can be omitted, in particular, when the pupil facet mirror 20 in an entrance pupil of the projection optics 9 is arranged. The pupil facet mirror 20 then provides the only transmission optics for superimposing the field facets of the field facet mirror 17 in the lighting field 5 represents.

Zur Erleichterung der Beschreibung von Lagebeziehungen ist in der 1 ein kartesisches xyz-Koordinatensystem als globales Koordinatensystem für die Beschreibung der Lageverhältnisse von Komponenten der Projektionsbelichtungsanlage 1 zwischen der Objektebene 6 und der Bildebene 11 eingezeichnet. Die x-Achse verläuft in der 1 nach rechts. Die y-Achse verläuft in der 1 senkrecht zur Zeichenebene aus dieser heraus. Die z-Achse verläuft in der 1 nach unten, also senkrecht zur Objektebene 6 und zur Bildebene 11. Ferner ist längs des Strahlengangs der Nutzemission 14 verschiedentlich ein lokales xyz-Koordinatensystem angegeben. Die z-Achse dieser lokalen Koordinatensysteme gibt jeweils die Strahlrichtung der Nutzemission 14 an. Die y-Achse der lokalen Koordinatensysteme verläuft regelmäßig parallel zur y-Achse des globalen Koordinatensystems. Die x-Achse des lokalen Koordinatensystems ist je nach der Orientierung des lokalen Koordinatensystems gegenüber der x-Achse des globalen Koordinatensystems verkippt.To facilitate the description of positional relationships is in the 1 a Cartesian xyz coordinate system as a global coordinate system for the description of the positional relationships of components of the projection exposure apparatus 1 between the object plane 6 and the picture plane 11 located. The x-axis runs in the 1 to the right. The y-axis runs in the 1 perpendicular to the drawing plane out of this. The z-axis runs in the 1 down, that is perpendicular to the object plane 6 and to the picture plane 11 , Furthermore, along the beam path of Nutzemission 14 variously specified a local xyz coordinate system. The z-axis of these local coordinate systems respectively gives the beam direction of the useful emission 14 at. The y-axis of the local coordinate systems runs regularly parallel to the y-axis of the global coordinate system. The x-axis of the local coordinate system is tilted according to the orientation of the local coordinate system with respect to the x-axis of the global coordinate system.

Der Retikelhalter 8 und der Waferhalter 13 sind beide gesteuert so verlagerbar, dass bei der Projektionsbelichtung das Retikel 7 und der Wafer 12 in einer Verlagerungsrichtung, nämlich in der x-Richtung des globalen xyz-Koordinatensystems, einerseits durch das Objektfeld 5 und andererseits durch das Bildfeld 10 gescannt werden. Die Verlagerungsrichtung x wird nachfolgend auch als Scanrichtung bezeichnet. The reticle holder 8th and the wafer holder 13 Both are controlled so displaceable that during projection exposure the reticle 7 and the wafer 12 in a direction of displacement, namely in the x direction of the global xyz coordinate system, on the one hand by the object field 5 and on the other hand through the image field 10 be scanned. The displacement direction x is also referred to below as the scanning direction.

Der EUV-Kollektor 15 dient zur Überführung der Nutzemission 14 der EUV-Strahlungsquelle 3 in das EUV-Fernfeld 19. Im EUV-Fernfeld 19 ist der Feldfacettenspiegel 17 als weitere EUV-Spiegelkomponente angeordnet, die die Nutzemission 14 in das Beleuchtungsfeld 5 überführt.The EUV collector 15 serves to transfer the Nutzemission 14 the EUV radiation source 3 into the EUV far field 19 , In the EUV far field 19 is the field facet mirror 17 arranged as another EUV mirror component that the Nutzemission 14 in the lighting field 5 transferred.

Der EUV-Kollektor 15 ist in mehrere Kollektor-Segmente 25 mit voneinander separaten Segment-Spiegelflächen 26 unterteilt. 2 und 3 zeigen beispielhaft ein derartiges Kollektor-Segment 25 mit der Segment-Spiegelfläche 26. Die Segment-Spiegelfläche 26 ist eine Freiformfläche. Die Segment-Spiegelfläche 26 ist eine insgesamt stetig differenzierbare Fläche, deren zweite Ableitung insbesondere an jedem Punkt monoton ist. Auch eine dritte Ableitung der Flächenfunktion, mit der die Segment-Spiegelfläche 26 beschrieben werden kann, kann entsprechend gegebener Randbedingungen monoton sein.The EUV collector 15 is in several collector segments 25 with separate segment mirror surfaces 26 divided. 2 and 3 show an example of such a collector segment 25 with the segment mirror surface 26 , The segment mirror surface 26 is a freeform surface. The segment mirror surface 26 is an overall continuously differentiable surface whose second derivative is monotonic, in particular at each point. Also a third derivative of the surface function, with which the segment mirror surface 26 may be monotonic according to given constraints.

Eine Strahlablenkung der Nutzemission 14 an einem Punkt P(x; y) der Segment-Spiegelfläche 26 ergibt sich aus dem Einfallswinkel des jeweiligen Einzelstrahls der Nutzemission 14 zur Normalen auf die Spiegelfläche 26 durch diesen Punkt P(x; y). Diese Flächennormale steht senkrecht auf einer Flächentangente im Punkt P(x; y). Die Flächennormale wird also durch eine erste Ableitung der Spiegelfläche 26 im Punkt P(x; y) definiert. Betrachtet man Strahlen, die von der Strahlungsquelle 3 ausgehen und einen Abschnitt der Segment-Spiegelfläche 26 an zwei diskreten, voneinander beabstandeten Punkten P(x_i; y_i) und P(x_i+1; y_i+1) mit Tangentensteigungen mP(x_i; y_i) und mP(x_ii+1; y_i+1) treffen, werden diese beiden Strahlen auf zwei Punkte PF(x_i; y_i) und PF(x_i+1; y_i+1) des Fernfeld-Abschnitts 27 gelenkt. Gemäß der stetigen Differenzierbarkeit der Segment-Spiegefläche 26 transformiert sich die Funktion der ersten Ableitung der Segment-Spiegelfläche 26 zwischen den Punkten P(x_i; y_i) und P(x_i+1; y_i+1) in eine stetige Ortsfunktion zwischen den Punkten PF(x_i; y_i) und P(x_i+1; y_i+1) des Fernfeld-Abschnitts 27. Aufgrund jeweils vorgegebener Anschlussbedingungen und der zusätzlichen Monotonie-Forderung kann die gesamte Segment-Spiegelfläche 26 aus Sub-Spiegelflächen 26 _i zusammengesetzt werden, die zwischen den Auftreffpunkten PF(x, y) jeweils zweier Einzelstrahlen der Nutzemission 14 liegen.A beam deflection of Nutzemission 14 at a point P (x; y) of the segment mirror surface 26 results from the angle of incidence of the respective individual beam of Nutzemission 14 to the normal to the mirror surface 26 through this point P (x; y). This surface normal is perpendicular to a surface tangent at point P (x; y). The surface normal is thus determined by a first derivative of the mirror surface 26 defined at point P (x; y). Looking at rays coming from the radiation source 3 go out and take a section of the segment mirror surface 26 at two discrete, spaced apart points P (x _i ; y _i ) and P (x _{i + 1} ; y _{i + 1} ) with tangent slopes mP (x _i ; y _i ) and mP (x _{ii + 1} ; y _{i + 1} ), these two beams become two points PF (x _i ; y _i ) and PF (x _{i + 1} ; y _{i + 1} ) of the far-field section 27 directed. In accordance with the continuous differentiability of the segment surface area 26 the function of the first derivative of the segment mirror surface transforms 26 between the points P (x _i ; y _i ) and P (x _{i + 1} ; y _{i + 1} ) into a continuous positional function between the points PF (x _i ; y _i ) and P (x _{i + 1} ; y _{i + 1} ) of the far-field section 27 , Due to given connection conditions and the additional monotony requirement, the entire segment mirror surface can 26 from sub-mirror surfaces 26 _{i are} composed, between the points of impingement PF (x, y) in each case two individual beams of the useful emission 14 lie.

Die Segment-Spiegelfläche 26 des Kollektor-Segments 25 ist aus einer Folge, in der Praxis aus einer Vielzahl der Sub-Spiegelflächen 26 _i zusammengesetzt (vgl. 2). Die Segment-Spiegelfläche 26 des Kollektor-Segments 25 setzt sich bei der Ausführung nach 2 also als eine Folge von differentiellen Flächenelementen zusammen. Während das sonstige Kollektor-Segment 25 in der 2 in einem Meridionalschnitt gezeigt ist, ist eine der Sub-Spiegelflächen 26 _i, nämlich die in der 2 ganz unten dargestellte Sub-Spiegelfläche 26 ₁₄, perspektivisch angedeutet. Die Sub-Spiegelfläche 26 ₁₄ wird von ihren lokalen Koordinatenachsen x und y aufgespannt.The segment mirror surface 26 of the collector segment 25 is a sequence, in practice, of a variety of sub-mirror surfaces 26 _i composed (cf. 2 ). The segment mirror surface 26 of the collector segment 25 settles in the execution 2 that is, as a series of differential surface elements together. While the other collector segment 25 in the 2 is shown in a meridional section, is one of the sub-mirror surfaces 26 _i , namely those in the 2 at the bottom shown sub-mirror surface 26 ₁₄ , indicated in perspective. The submirror surface 26 ₁₄ is spanned by its local coordinate axes x and y.

Dargestellt sind in der 2 insgesamt vierzehn Sub-Spiegelflächen 26 _i, die in der gezeigten Meridionalebene nebeneinander angeordnet sind und mit der fortlaufenden Nummer i (i = 1, 2, ..., 14) durchnummeriert sind.Shown in the 2 a total of fourteen sub-mirror surfaces 26 _i , which are arranged side by side in the meridional plane shown and are numbered consecutively by the consecutive number i (i = 1, 2, ..., 14).

Dargestellt ist in der 2 ein Strahlengang der vom Kollektor-Segment 25 aufgenommenen Nutzemission 14 zwischen der Strahlungsquelle 3 und dem Kollektor-Segment 25. Ab dem Kollektor-Segment 25 ist sodann beispielhaft noch der Strahlengang zweier Teilstrahlen 14 ₁ und 14 ₁₄ der Nutzemission 14 dargestellt, die von den Sub-Spiegelflächen 26 ₁ und 26 ₁₄ hin zu einem Fernfeld-Abschnitt 27 des EUV-Fernfeldes 19 überführt werden. Der EUV-Teilstrahl 14 ₁ beleuchtet dabei einen Fernfeld-Unterabschnitt 27 ₁ des Fernfeld-Abschnitts 27. Der EUV-Teilstrahl 14 ₁₄ beleuchtet einen Fernfeld-Unterabschnitt 27 ₁₄ des Fernfeld-Abschnitts 27. Der Fernfeld-Abschnitt 27 ist in der 2 zur Vergrößerung der Anschaulichkeit in einer xy-Aufsicht dargestellt, also gegenüber einer Meridional-Darstellung um 90° um die y-Achse des lokalen xyz-Koordinatensystems des Kollektor-Segments 25 gedreht.Shown in the 2 a beam path from the collector segment 25 recorded user emission 14 between the radiation source 3 and the collector segment 25 , From the collector segment 25 is then still exemplary, the beam path of two partial beams 14 ₁ and 14 _{14 of} the Nutzemission 14 represented by the sub-mirror surfaces 26 ₁ and 26 ₁₄ towards a far-field section 27 of the EUV far field 19 be transferred. The EUV sub-beam 14 ₁ illuminates a far-field subsection 27 _{1 of} the far-field section 27 , The EUV sub-beam 14 ₁₄ illuminates a far-field subsection 27 _{14 of} the far-field section 27 , The far-field section 27 is in the 2 in order to increase the clarity in an xy-top view, that is, in relation to a meridional representation by 90 ° about the y-axis of the local xyz-coordinate system of the collector segment 25 turned.

Die gesamte Segment-Spiegelfläche 26 des Kollektor-Segments 25 nach 2 beleuchtet den gesamten, zusammenhängenden Fernfeld-Abschnitt 27, wobei dieser aus einer Mehrzahl von aneinander angrenzenden Fernfeld-Unterabschnitten 27 _i nach Art der Fernfeld-Unterabschnitte 27 ₁, 27 ₁₄ zusammengesetzt wird, die jeweils von einer der Sub-Spiegelflächen 26 _i beleuchtet werden.The entire segment mirror surface 26 of the collector segment 25 to 2 illuminates the entire, contiguous far-field section 27 this one of a plurality of adjacent far-field sub-sections 27 _i by type of far-field subsections 27 ₁ , 27 _{14 is} composed, each of one of the sub-mirror surfaces 26 _i are illuminated.

In der 2 ist ferner eine Referenzachse 28 des Kollektor-Segments 25 dargestellt. Diese verläuft zwischen der Strahlungsquelle 3 und einem Zentrum 29 des Fernfeld-Abschnitts 27, der von diesem Kollektor-Segment 25 beleuchtet wird. Die z-Achse des lokalen Koordinatensystems des Kollektor-Segments 25 verläuft längs der Referenzachse 28.In the 2 is also a reference axis 28 of the collector segment 25 shown. This runs between the radiation source 3 and a center 29 of the far-field section 27 that of this collector segment 25 is illuminated. The z-axis of the local coordinate system of the collector segment 25 runs along the reference axis 28 ,

Ein x/y-Aspektverhältnis des Fernfeld-Abschnitts 27 kann von einem entsprechenden x/y-Aspektverhältnis des Beleuchtungsfeldes 5 um mehr als 50% abweichen. Das Beleuchtungsfeld 5 hat beispielsweise ein x/y-Aspektverhältnis von 1/13. Der Fernfeld-Abschnitt 27 der Ausführung nach 2 hat ein x/y-Aspektverhältnis von 3/13.An x / y aspect ratio of the far-field section 27 may be from a corresponding x / y aspect ratio of the illumination field 5 deviate by more than 50%. The lighting field 5 for example, has an x / y aspect ratio of 1/13. The far-field section 27 according to the execution 2 has an x / y aspect ratio of 3/13.

Die nicht im einzelnen dargestellten Fernfeld-Unterabschnitte 27 ₂ bis 27 ₁₃ liegen aufgereiht längs der y-Achse des lokalen Koordinatensystems des Fernfeld-Abschnitts 27 zwischen den Fernfeld-Unterabschnitten 27 ₁ und 27 ₁₄ und bilden somit eine längs dieser y-Achse verlaufende, mittlere Fernfeld-Spalte 27 ² des Fernfeld-Abschnitts 27. In der x-Richtung direkt an diese Fernfeld-Spalte 27 ² angrenzende Fernfeld-Spalten 27 ¹ und 27 ³ werden von Sub-Spiegelflächen 26 ^j des Kollektor-Segments 25 ausgeleuchtet, die vor bzw. hinter der Zeichenebene der 2 angeordnet sind.The far-field sub-sections, not shown in detail 27 ₂ to 27 ₁₃ are lined up along the y-axis of the local coordinate system of the far-field section 27 between the far-field subsections 27 ₁ and 27 ₁₄ and thus form an along this y-axis extending, middle far-field column 27 ^{2 of} the far-field section 27 , In the x direction directly to this far field column 27 ² adjacent far-field columns 27 ¹ and 27 ³ are from sub-mirror surfaces 26 ^{j of} the collector segment 25 illuminated, in front of or behind the plane of the 2 are arranged.

Die Sub-Spiegelflächen 26 ^j _i sind also so ausgeführt, dass sie jeweils einen Fernfeld-Unterabschnitt 27 ^j _i des von der gesamten Segment-Spiegelfläche 26 ausgeleuchteten Fernfeld-Abschnitts 27 ausleuchten.The sub-mirror surfaces 26 ^j _i are thus designed so that they each have a far-field subsection 27 ^j _i of the entire segment mirror surface 26 illuminated far-field section 27 illuminate.

Insgesamt hat der EUV-Kollektor 15 mehrere derartiger Kollektor-Segmente 25 mit voneinander separaten Segment-Spiegelflächen 26, beispielsweise zwei Kollektor-Segmente 25, mehr als zwei Kollektor-Segmente 25, z. B. drei, vier oder fünf Kollektor-Segmente 25, bis zu zehn Kollektor-Segmente 25 oder mehr als zehn Kollektor-Segmente 25.Overall, the EUV collector has 15 several such collector segments 25 with separate segment mirror surfaces 26 For example, two collector segments 25 , more than two collector segments 25 , z. B. three, four or five collector segments 25 , up to ten collector segments 25 or more than ten collector segments 25 ,

3 zeigt eine Ausführung eines kompletten Kollektor-Segmentes 15 nach 2 sowie Einzelstrahlen eines Strahlengangs eines Teilstrahls der Nutzemission 14 zwischen der Lichtquelle 3 und einem Fernfeld-Abschnitt 27. 3 zeigt die Ausführung eines Kollektor-Segments 25 nach 2 in einer perspektivischen Darstellung. Komponenten und Größen sowie Funktionen, die denjenigen entsprechen, die vorstehend unter Bezugnahme auf die 1 und 2 bereits erläutert wurden, tragen die gleichen Bezugsziffern und werden nicht nochmals im Einzelnen diskutiert. 3 shows an embodiment of a complete collector segment 15 to 2 and individual beams of a beam path of a sub-beam of Nutzemission 14 between the light source 3 and a far-field section 27 , 3 shows the execution of a collector segment 25 to 2 in a perspective view. Components and sizes and functions similar to those described above with reference to 1 and 2 already described, bear the same reference numbers and will not be discussed again in detail.

Der EUV-Teilstrahl 14 _i wird von der Sub-Spiegelfläche 26 _i hin zu einem Fernfeld-Unterabschnitt des Fernfeld-Abschnitts 27 reflektiert. Der Fernfeld-Unterabschnitt ist ein Rechteckfeld mit einem x/y-Aspektverhältnis, das vom Aspektverhältnis des Beleuchtungsfeldes 5 um weniger als 20% abweicht. Beim Ausführungsbeispiel nach 3 ist das x/y-Aspektverhältnis des Fernfeld-Unterabschnitts 1/13, also genauso groß wie das x/y-Aspektverhältnis des Beleuchtungsfeldes 5.The EUV sub-beam 14 _i is from the sub-mirror surface 26 _i to a far-field subsection of the far-field section 27 reflected. The far-field subsection is a rectangular field having an x / y aspect ratio, which is the aspect ratio of the illumination field 5 deviates by less than 20%. According to the embodiment 3 is the x / y aspect ratio of the far field subsection 1/13, which is the same as the x / y aspect ratio of the illumination field 5 ,

Die Sub-Spiegelfläche 26 _i ist als Freiformfläche ausgeführt, ist also nicht durch eine rotationssymmetrische Funktion beschreibbar. Die Sub-Spiegelfläche 26 _i führt eine anamorphotische Strahltransformation des Teilstrahls 14 _i, also eines aufgenommenen Raumwinkelsegments der gesamten Nutzemission 14, auf den Fernfeld-Unterabschnitt durch.The submirror surface 26 _i is designed as a free-form surface, so it is not described by a rotationally symmetric function. The submirror surface 26 _i performs an anamorphic beam transformation of the sub-beam 14 _i , ie a recorded solid angle segment of the entire Nutzemission 14 , on the far-field subsection.

4 zeigt ebenfalls schematisch eine Transformation eines von der Lichtquelle 3 in ein differentielles Raumwinkelelement abgestrahlten Teilstrahls 14 _i der Nutzemission 14, der von der Sub-Spiegelfläche 26i der Segment-Spiegelfläche 26 eines der Kollektor-Segmente 25 auf einen Fernfeld-Unterabschnitt 27 _i des Fernfeld-Abschnitts 27 gelenkt wird. In der 4 sind mehrere mathematische Größen anschaulich dargestellt, die zur Berechnung einer Beleuchtungsstärke E des Fernfeld-Unterabschnitts 27 _i mit der Nutzemission 14 hilfreich sind. Die Beleuchtungsstärke E ist die Beleuchtungsenergie pro Zeit und pro Fläche des Fernfeld-Unterabschnitts 27 _i. 4 also schematically shows a transformation of one of the light source 3 in a differential spatial angle element emitted partial beam 14 _i the Nutzemission 14 that of the sub-mirror surface 26i the segment mirror surface 26 one of the collector segments 25 on a far-field subsection 27 _{i of} the far-field section 27 is steered. In the 4 several mathematical quantities are shown graphically, which are used to calculate an illuminance E of the far-field subsection 27 _i with the payload 14 are helpful. Illuminance E is the illumination energy per unit time and per area of the far-field subsection 27 _i .

Von der Lichtquelle 3 ausgehend trifft der Teilstrahl 14 _i auf die Sub-Spiegelfläche 26 _i, die in der 4 als differentielles Flächenstück auch als dF_Kollek bezeichnet ist. Die differentielle Sub-Spiegelfläche 26 _i nimmt dabei ein differentielles Raumwinkelelement dΩ, aufgespannt von dφ und dθ, der gesamten Nutzemission 14 auf. Von der Sub-Spiegelfläche 26 _i wird der Teilstrahl 14 _i auf das differentielle Flächenstück des Fernfeld-Unterabschnitts 27 _i reflektiert, der auch als dF_Det bezeichnet ist.From the light source 3 starting from the partial beam 14 _i on the sub-mirror surface 26 _i who in the 4 as a differential surface piece is also referred to as dF _Kollek . The differential sub-mirror surface 26 _i takes a differential solid angle element dΩ, spanned by dφ and dθ, of the total useful emission 14 on. From the sub-mirror surface 26 _i becomes the sub-beam 14 _i to the differential surface element of the far-field subsection 27 _i reflected, which is also referred to as dF _Det.

Es gelten folgende Beziehungen: dΦ = I dΩ Strahlungsleistung dΩ = sinθdθdφ Differentielles Raumwinkelelement dΦ = I(θ, φ)sinθdθdφ E = dΦ/dF_Det Beleuchtungsstärke dF_Det = dy_1-2·dx_1-2 Differentielles Flächenelement (Fernfeld-Unterabschnitt) E = I(θ, φ)sinθdθdφ/dy_1-2·dx_1-2 Formel (1) The following relationships apply: dΦ = I dΩ radiant power dΩ = sinθdθdφ Differential solid angle element dΦ = I (θ, φ) sinθdθdφ E = dΦ / dF _Det illuminance dF _Det = dy _1-2 · dx _1-2 Differential surface element (Far field subsegment) E = I (θ, φ) sinθdθdφ / dy _1-2 · dx _1-2 Formula 1)

dΦ steht dabei für die gesamte Intensität des Teilstrahls 14 _i. dy_1-2 steht dabei für die Erstreckung des Fernfeld-Unterabschnitts 27 _i in der y-Richtung und dx_1-2 steht für die Erstreckung des Fernfeld-Unterabschnitts 27 _i in der x-Richtung.dΦ stands for the entire intensity of the partial beam 14 _i . dy _1-2 stands for the extent of the far-field subsection 27 _i in the y-direction and dx _1-2 stands for the extension of the far-field subsection 27 _i in the x direction.

Bei fester Vorgabe des Eingangsraumwinkels dΩ lässt sich über eine Veränderung einer Zielfläche des Fernfeld-Unterabschnitts 27 _i, die durch die betrachtete Sub-Spiegelfläche 26 _i ausgeleuchtet wird, die Beleuchtungsstärke E nach Formel (1) steuern. Wegen der notwendigen Anschlussbedingungen für die Raumwinkelsegmente dΩ, die von den verschiedenen Sub-Spiegelflächen 26 _i aufgenommen werden, und der Fernfeld-Unterabschnitte 27 _i, die den gesamten Fernfeld-Abschnitt 27 zusammensetzen müssen, kann eine glatte gesamte Segment-Spiegelfläche 26, also eine stetige und stetig differenzierbare Segment-Spiegelfläche 26, vorgegeben werden, die sich aus aneinander angrenzenden Sub-Spiegelflächen 26 _i zusammensetzt.With a fixed specification of the input space angle dΩ can be about a change in a target area of the far-field subsection 27 _i , passing through the considered sub-mirror surface 26 _{i is} illuminated, the illuminance E according to formula (1) control. Because of the necessary connection conditions for the solid angle segments dΩ, that of the different sub-mirror surfaces 26 _i , and the far-field subsections 27 _i , covering the entire far-field section 27 can have a smooth entire segment mirror surface 26 , ie a continuous and continuously differentiable segment mirror surface 26 , which are made up of adjoining sub-mirror surfaces 26 _i composed.

5 zeigt ein Beispiel für ein nicht zusammenhängendes Fernfeld am Beispiel eines EUV-Fernfeldes 19. Das gesamte EUV-Fernfeld 19 ist unterteilt in insgesamt vier Fernfeld-Abschnitte 27, 27a, 27b und 27c. Diese Fernfeld-Abschnitte 27, 27a, 27b, 27c sind voneinander separat angeordnet und ergeben das nicht zusammenhängende gesamte EUV-Fernfeld 19. Zwischen den Fernfeld-Abschnitten 27, 27a, 27b, 27c sind Zwischenräume bzw. Lücken 30, die nicht mit der Nutzemission 14 ausgeleuchtet werden. 5 shows an example of a non-contiguous far field using the example of an EUV far field 19 , The entire EUV far field 19 is divided into four far-field sections 27 . 27a . 27b and 27c , These far-field sections 27 . 27a . 27b . 27c are arranged separately from one another and yield the discontinuous whole EUV far field 19 , Between the far-field sections 27 . 27a . 27b . 27c are gaps or gaps 30 that does not coincide with the payload 14 be lit up.

6 zeigt schematisch eine Ausführung des EUV-Kollektors 15, mit dem das gesamte EUV-Fernfeld 19 nach 5 ausgeleuchtet werden kann. Der EUV-Kollektor 15 hat insgesamt vier Kollektor-Segmente 25, 25a, 25b, 25c, die jeweils einen der Fernfeld-Abschnitte 27, 27a, 27b, 27c ausleuchten. Die Kollektor-Segmente 25, 25a, 25b, 25c haben voneinander separate Segment-Spiegelflächen 26, 26a, 26b, 26c. 6 schematically shows an embodiment of the EUV collector 15 with which the entire EUV far-field 19 to 5 can be illuminated. The EUV collector 15 has a total of four collector segments 25 . 25a . 25b . 25c , each one of the far-field sections 27 . 27a . 27b . 27c illuminate. The collector segments 25 . 25a . 25b . 25c have separate segment mirror surfaces 26 . 26a . 26b . 26c ,

Die Kollektor-Segmente 25, 25a, 25b und 25c nehmen Nutzemission 14 der Strahlungsquelle 3 ausschließlich innerhalb von Teilbereichen eines Azimutwinkels um die Referenzachse 28 herum auf. Der maximale Azimutwinkel, der von den Kollektor-Segmenten 25, 25a, 25b und 25c aufgenommen wird, beträgt in der Ausführung nach 6 etwa 45°.The collector segments 25 . 25a . 25b and 25c take utility mission 14 the radiation source 3 only within partial ranges of an azimuth angle about the reference axis 28 around. The maximum azimuth angle of the collector segments 25 . 25a . 25b and 25c is included in the execution after 6 about 45 °.

Die Fernfeld-Abschnitte 27, 27a, 27b, 27c haben jeweils ein x/y-Aspektverhältnis, das vom x/y-Aspektverhältnis des Beleuchtungsfeldes 5 um mehr als 50% abweichen kann.The far-field sections 27 . 27a . 27b . 27c each have an x / y aspect ratio, that of the x / y aspect ratio of the illumination field 5 may differ by more than 50%.

In der 6 ist beispielhaft eine Sub-Spiegelfläche 26 _i eingezeichnet, die einen Fernfeld-Unterabschnitt 27 _i (vgl. 5) des Fernfeld-Abschnitts 27 ausleuchtet.In the 6 is an example of a sub-mirror surface 26 _i , which is a far-field subsection 27 _i (cf. 5 ) of the far-field section 27 illuminates.

Am Ort der Fernfeld-Abschnitte 27, 27a, 27b, 27c können Feldfacetten-Blöcke des Feldfacettenspiegels 17 angeordnet sein. Am Ort der Fernfeld-Unterabschnitte 27 _i ist jeweils eine der Feldfacetten des Feldfacettenspiegels 17 angeordnet.At the location of the far-field sections 27 . 27a . 27b . 27c may field facet blocks of the field facet mirror 17 be arranged. At the location of the far-field subsections 27 _i is one of the field facets of the field facet mirror 17 arranged.

Zwischen den Kollektor-Segmenten 25, 25a, 25b und 25c liegen vignettierende Strukturen 31 vor, an denen die Emission der Strahlungsquelle 3 abgeschattet wird. Die Kollektor-Segmente 25, 25a, 25b und 25c sind so angeordnet, dass die Nutzemission 14 an diesen vignettierenden Strukturen 31 nicht abgeschattet wird.Between the collector segments 25 . 25a . 25b and 25c lie vignetting structures 31 in front of which the emission of the radiation source 3 is shadowed. The collector segments 25 . 25a . 25b and 25c are arranged so that the Nutzemission 14 on these vignetting structures 31 is not shadowed.

Bei einer alternativen Ausgestaltung sind die Segment-Spiegelflächen 26, 26a, 26b, 26c der Kollektor-Segmente 25, 25a, 25b und 25c als Spiegelflächen für streifenden Einfall (Grazing Incidence) ausgeführt.In an alternative embodiment, the segment mirror surfaces 26 . 26a . 26b . 26c the collector segments 25 . 25a . 25b and 25c as grazing incidence mirror surfaces.

Die 7 bis 9 zeigen beispielhaft drei Ausführungsvarianten für den Feldfacettenspiegel 17 am Beispiel eines EUV-Facettenspiegels.The 7 to 9 show by way of example three embodiments for the field facet mirror 17 using the example of an EUV facet mirror.

Der Feldfacettenspiegel 17 nach 7 hat eine Vielzahl gebogen ausgeführter Feldfacetten 32. Diese sind gruppenweise in Feldfacetten-Blöcken 33 auf einem Feldfacetten-Träger 34 angeordnet. Die Feldfacetten-Blöcke 33 sind jeweils am Ort eines Fernfeld-Abschnitts 27 angeordnet, der von einem Kollektor-Segment 25 eines zugehörigen EUV-Kollektors 15 ausgeleuchtet wird. Insgesamt hat der Feldfacettenspiegel 17 nach 7 sechsundzwanzig Feldfacetten-Blöcke 3, zu denen drei, fünf oder zehn der Feldfacetten 32 gruppenweise zusammengefasst sind. Entsprechend hat der Kollektor 15 zur Ausleuchtung des Feldfacettenspiegels 17 sechsundzwanzig Kollektor-Segmente 25.The field facet mirror 17 to 7 has a variety of curved executed field facets 32 , These are in groups in field facet blocks 33 on a field facet carrier 34 arranged. The Field facet blocks 33 are each at the location of a far-field section 27 arranged by a collector segment 25 an associated EUV collector 15 is illuminated. Overall, the field facet mirror has 17 to 7 twenty-six field faceted blocks 3 to which three, five or ten of the field facets 32 grouped together. Accordingly, the collector has 15 for illuminating the field facet mirror 17 twenty-six collector segments 25 ,

Zwischen den Feldfacetten-Blöcken 33 liegen die Zwischenräume 30 vor, um die auch jeweils die Fernfeld-Abschnitte 27 voneinander beabstandet sind. Die gesamte Nutzemission 14, die vom Kollektor 15 hin zum Feldfacettenspiegel 17 reflektiert wird, gelangt also auf die Feldfacetten-Blöcke 33 und geht nicht in den Zwischenräumen 30 verloren.Between the field facet blocks 33 are the gaps 30 in front of each also the far-field sections 27 spaced apart from each other. The entire Nutzemission 14 coming from the collector 15 towards the field facet mirror 17 is reflected, so gets to the field facet blocks 33 and does not go in the gaps 30 lost.

Fernfeld-Unterabschnitte 27 _i des Kollektors 15 zur Ausleuchtung des Feldfacettenspiegels 17 nach 7 haben eine entsprechend der Feldfacetten 32 gebogene Form.Far-Subsections 27 _{i of} the collector 15 for illuminating the field facet mirror 17 to 7 have one corresponding to the field facets 32 curved shape.

Der Feldfacettenspiegel 17 nach 8 hat rechteckige Feldfacetten 32, die wiederum gruppenweise ist Feldfacetten-Blöcken 33 angeordnet sind, zwischen denen Zwischenräume 30 vorliegen.The field facet mirror 17 to 8th has rectangular field facets 32 , which in turn is group-field-field blocks 33 are arranged, between which spaces 30 available.

Zur Ausleuchtung des Feldfacettenspiegels 17 nach 8 kommt ein Kollektor 15 zum Einsatz, der so viele Kollektor-Segmente aufweist, wie der Feldfacettenspiegel 17 nach 8 Feldfacetten-Blöcke hat. Die Fernfeld-Unterabschnitte 27 _i, die von diesem Kollektor 15 ausgeleuchtet werden, sind rechteckig und an die Größe und das Aspektverhältnis der Feldfacetten 32 des Feldfacettenspiegels 17 nach 8 angepasst.For illumination of the field facet mirror 17 to 8th comes a collector 15 used, which has as many collector segments, as the field facet mirror 17 to 8th Has field faceted blocks. The far-field subsections 27 _i , from this collector 15 are illuminated, are rectangular and the size and aspect ratio of the field facets 32 of the field facet mirror 17 to 8th customized.

Der Feldfacettenspiegel 17 nach 9 hat ebenfalls rechteckige Feldfacetten 32, die ebenfalls blockweise angeordnet sind. Eine Blockanordnung ist beim Feldfacettenspiegel 17 nach 9 so, dass zwei große zusammenhängende Block-Gruppen 35, 36 mit jeweils angenähert halbkreisförmiger Kontur resultieren, wobei die Feldfacetten-Blöcke 33, die jeweils zu einer der beiden Block-Gruppen 35, 36 gehören, ohne größere Zwischenräume aneinander angrenzen. Zwischen den beiden Block-Gruppen 35, 36 liegt ein Zwischenraum 30 vor.The field facet mirror 17 to 9 also has rectangular field facets 32 , which are also arranged in blocks. A block arrangement is at the field facet mirror 17 to 9 such that two large contiguous block groups 35 . 36 each result in approximately semi-circular contour, wherein the field facet blocks 33 , each one to one of the two block groups 35 . 36 belong to each other without larger spaces adjacent to each other. Between the two block groups 35 . 36 there is a gap 30 in front.

Ein EUV-Kollektor 15 zur Ausleuchtung des Feldfacettenspiegels 17 nach 9 kann entweder zwei Kollektor-Segmente 25 aufweisen, wobei jedes der beiden Kollektor-Segmente 25 eine der Block-Gruppen 35, 36 ausleuchtet. Alternativ kann der Kollektor 15 zur Ausleuchtung des Feldfacettenspiegels 17 nach 9 eine größere Anzahl von Kollektor-Segmenten 25 aufweisen, die zur Ausleuchtung entweder genau eines Feldfacetten-Blocks 32 oder mehrerer zueinander benachbarter Feldfacetten-Blöcke 32 innerhalb einer der Block-Gruppen 35, 36 ausgebildet sind.An EUV collector 15 for illuminating the field facet mirror 17 to 9 can either have two collector segments 25 have, each of the two collector segments 25 one of the block groups 35 . 36 illuminates. Alternatively, the collector 15 for illuminating the field facet mirror 17 to 9 a larger number of collector segments 25 for illuminating either exactly one field facet block 32 or a plurality of adjacent field facet blocks 32 within one of the block groups 35 . 36 are formed.

Beim Einsatz der Projektionsbelichtungsanlage 1 mit einer der vorstehend beschriebenen Kollektorvarianten werden das Retikel 7 und der Wafer 12, der eine für das Beleuchtungslicht 14 lichtempfindliche Beschichtung trägt, bereitgestellt und anschließend wird zumindest ein Abschnitt des Retikels 7 auf den Wafer 12 mit Hilfe der Projektionsbelichtungsanlage 1 projiziert. Schließlich wird die mit dem Beleuchtungslicht-Bündel 14 belichtete lichtempfindliche Schicht auf dem Wafer 12 entwickelt. Auf diese Weise wird das mikro- bzw. nanostrukturierte Bauelement oder Bauteil, beispielsweise ein Halbleiterchip, hergestellt.When using the projection exposure system 1 with one of the collector variants described above become the reticle 7 and the wafer 12 , one for the illumination light 14 photosensitive coating is provided, and then at least a portion of the reticle 7 on the wafer 12 with the help of the projection exposure system 1 projected. Finally, the one with the illumination light bundle 14 exposed photosensitive layer on the wafer 12 developed. In this way, the microstructured or nanostructured component or component, for example a semiconductor chip, is produced.

Die vorstehenden Ausführungsbeispiele wurden im Zusammenhang mit der Führung von EUV-Beleuchtungslicht beschrieben. Genauso können diese Ausführungsbeispiele und die hierdurch verkörperten optische Konzepte auch bei der Führung von Licht anderer Wellenlängen zum Einsatz kommen, beispielsweise bei der Führung von VUV-(very deep ultraviolet)Licht, DUV-(deep ultraviolet)Licht, UV-Licht, sichtbarem Licht oder auch Licht noch größerer Wellenlängen.The above embodiments have been described in connection with the guidance of EUV illumination light. Likewise, these embodiments and the optical concepts embodied thereby may also be used in guiding light of other wavelengths, for example, in the guidance of VUV (very deep ultraviolet) light, DUV (deep ultraviolet) light, UV light, visible light or even light of longer wavelengths.

ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG QUOTES INCLUDE IN THE DESCRIPTION

Diese Liste der vom Anmelder aufgeführten Dokumente wurde automatisiert erzeugt und ist ausschließlich zur besseren Information des Lesers aufgenommen. Die Liste ist nicht Bestandteil der deutschen Patent- bzw. Gebrauchsmusteranmeldung. Das DPMA übernimmt keinerlei Haftung für etwaige Fehler oder Auslassungen.This list of the documents listed by the applicant has been generated automatically and is included solely for the better information of the reader. The list is not part of the German patent or utility model application. The DPMA assumes no liability for any errors or omissions.

Zitierte PatentliteraturCited patent literature

US 6507440 B1 [0002]
DE 102010063530 A1 [0002]
WO 2011/138259 A1 [0002]
US 7075712 B2 [0002]
US 7501641 B2 [0002]
US 2006/0176547 A1 [0002]
US 2006/0120429 A1 [0002]
US 7075713 B2 [0002]
EP 1469349 A1 [0002]
US 2008/0266650 A1 [0002]
WO 2007/045434 A2 [0002]
US 6438199 B1 [0002]
US 5339346 A [0002]
US 2007/0058269 A1 [0008]

Claims

Collector ( 15 ) for the transfer of a utility mission ( 14 ) of a radiation source ( 3 ) into a far field ( 19 ), - where the collector ( 15 ) into several collector segments ( 25 ) with separate segment mirror surfaces ( 26 ), wherein the segment mirror surface ( 26 ) each one of the collector segments ( 25 ) is connected, wherein in each case one of the collector segments ( 25 ) is designed so that it has a collector segment ( 25 ) associated far-field section ( 27 ), the far-field sections ( 27 . 27a . 27b . 27c ) are arranged separately from each other so that the far-field sections ( 27 . 27a . 27b . 27c ) the discontinuous, entire far field ( 19 ).

Collector according to claim 1, characterized in that the far-field sections ( 27 ) have an aspect ratio that depends on an aspect ratio of the collector segments ( 25 ) deviates by more than 50%.

Collector according to claim 1 or 2, characterized in that at least one of the collector segments ( 25 ) a segment mirror surface ( 26 ), which is designed as a free-form surface.

Collector according to one of claims 1 to 3, characterized in that the segment mirror surface ( 26 ) each one of the collector segments ( 25 ) is a continuously differentiable area.

Collector according to one of claims 1 to 4, characterized in that the segment mirror surface ( 26 ) at least one of the collector segments ( 25 ) from a succession of successively adjacent sub-mirror surfaces ( 26 _i ), each of the sub-mirror surfaces ( 26 _i ) is carried out such that a successive sequence of contiguous far-field subsections ( 27 _i ) of the segment mirror surface ( 26 ) illuminated far-field section ( 27 ) is illuminated.

A collector according to one of claims 1 to 5, characterized in that the segment-mirror surface ( 26 ) at least one of the collector segments ( 25 ) is arranged as a mirror surface for grazing incidence.

Collector according to one of Claims 1 to 6, characterized by more than two collector segments ( 25 ).

Illumination optics ( 4 ) for the transfer of a utility mission ( 14 ) of a radiation source ( 3 ) into a lighting field ( 5 ), in which an object to be illuminated ( 7 ) can be arranged, - with a collector ( 15 ) according to one of claims 1 to 7, - with a field facet mirror ( 17 ) with a plurality of field facets ( 32 ), - with a transmission optics ( 20 ; 20 . 21 ) for superimposing the field facets ( 32 ) in the illumination field ( 5 ).

Illumination optics according to claim 8, characterized in that the field facets ( 32 ) of the field facet mirror ( 17 ) in groups in field facet blocks ( 33 ), wherein at least some of the field facet blocks ( 33 ) at the location of one of the far-field sections ( 27 ) of one of the collector segments ( 25 ) is lit, are arranged.

Illumination optics according to one of claims 5 to 7, characterized by an arrangement such that in each case one of the facets ( 32 ) of a field facet block ( 33 ) via a sub-mirror surface ( 26 _i ) is illuminated.

Optical system with illumination optics ( 4 ) according to one of claims 8 to 10 and a projection optics ( 9 ) for mapping an object field ( 5 ), which is arranged in the illumination field, in an image field ( 10 ).

Projection exposure apparatus ( 1 ) with an optical system ( 4 . 9 ) according to claim 11 and with an EUV radiation source ( 3 ).

Process for producing a nano- or microstructured component with the following process steps: - Provision of a reticle ( 7 ), - providing a wafer ( 12 ) with one for the illumination light bundle ( 14 ) photosensitive coating, Projecting at least a portion of the reticle onto the wafer ( 12 ) using the projection exposure apparatus according to claim 12, - developing the with the illumination light bundle ( 14 ) exposed photosensitive layer on the wafer ( 12 ).

Component produced by the method according to claim 13.