DE102015006839A1 - Optoelectronic structure for the detection of electromagnetic radiation - Google Patents

Optoelectronic structure for the detection of electromagnetic radiation Download PDF

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André Gall
Matthias Hecht
Siegfried Kettlitz
Ulrich Lemmer
Sebastian Valouch
Jan Mescher
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Karlsruher Institut fuer Technologie KIT
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    • G01T1/16—Measuring radiation intensity
    • G01T1/20—Measuring radiation intensity with scintillation detectors
    • G01T1/2018—Scintillation-photodiode combinations
    • G01T1/20182—Modular detectors, e.g. tiled scintillators or tiled photodiodes

Abstract

Die vorliegende Erfindung stellt eine optoelektronische Struktur zur Detektion von mindestens einer elektromagnetischen Strahlung bereit, aufweisend: mindestens ein, für die jeweilige elektromagnetische Strahlung, transparentes und/oder transluzentes Substrat mit mindestens einer oberen und einer unteren Oberfläche, wobei die obere Oberfläche der unteren Oberfläche gegenüberliegt; wobei mindestens über einer der Oberflächen des Substrats mindestens ein Schichtenstapel in mindestens einem Bereich des Substrats derart aufgetragen ist, dass mittels zumindest eines ersten Faltens oder Falzens des Substrats entlang mindestens einer Faltlinie der Schichtenstapel zumindest teilweise von dem Substrat umschlossen ist und eine Struktur bildet; wobei sich entlang der Faltlinie ein gekrümmter Bereich im Substrat bildet; und wobei der Schichtenstapel folgende Schichten aufweist: mindestens eine erste Elektrodenschicht; mindestens eine erste elektrisch aktive Absorberschicht, wobei die Absorberschicht aus mindestens einer Schicht oder mehreren Schichten gebildet ist; und mindestens eine zweite Elektrodenschicht; wobei jeweils, zumindest teilweise, die elektrisch aktive Absorberschicht über der ersten Elektrodenschicht und die zweite Elektrodenschicht über der elektrisch aktiven Absorberschicht angeordnet ist; und wobei die Struktur dadurch gekennzeichnet ist, dass die Detektion der elektromagnetischen Strahlung derart erfolgt, dass die elektromagnetische Strahlung durch den gekrümmten Bereich des Substrats hindurch tritt und dann mittels der Absorberschicht detektiert wird.The present invention provides an optoelectronic structure for detecting at least one electromagnetic radiation, comprising: at least one, for the respective electromagnetic radiation, transparent and / or translucent substrate having at least an upper and a lower surface, the upper surface facing the lower surface ; wherein at least over one of the surfaces of the substrate, at least one layer stack is applied in at least one region of the substrate such that the layer stack is at least partially enclosed by the substrate and forms a structure by at least one first folding or folding of the substrate along at least one fold line; wherein a curved region forms in the substrate along the fold line; and wherein the layer stack comprises the following layers: at least one first electrode layer; at least one first electrically active absorber layer, wherein the absorber layer is formed from at least one layer or multiple layers; and at least one second electrode layer; wherein each, at least partially, the electrically active absorber layer over the first electrode layer and the second electrode layer is disposed over the electrically active absorber layer; and wherein the structure is characterized in that the detection of the electromagnetic radiation takes place such that the electromagnetic radiation passes through the curved region of the substrate and is then detected by means of the absorber layer.

Description

Die Erfindung betrifft eine optoelektronische Struktur zur Detektion von mindestens einer elektromagnetischen Strahlung.The invention relates to an optoelectronic structure for detecting at least one electromagnetic radiation.

Die optoelektronische Struktur kann derart gebildet werden, dass ein Schichtenstapel, zum Beispiel ein Detektorschichtenstapel, aufweisend mindestens eine erste und eine zweite Elektrodenschicht, sowie mindestens eine elektrisch aktive Absorberschicht, wobei die Absorberschicht zwischen den beiden Elektrodenschichten angeordnet ist, derart über mindestens einem Bereich eines Substrat aufgebracht beziehungsweise aufgetragen werden kann, dass mittels mindestens eines Faltens oder Falzens entlang mindestens einer Faltlinie des Substrats und des Schichtenstapel, zum Beispiel ein Detektorschichtenstapel, eine flächige Struktur mit einem gekrümmten Bereich in dem gefalteten Substrat derart gebildet werden kann, dass die flächige Struktur derart zu der einfallenden elektromagnetischen Strahlung hin orientiert werden kann, dass die elektromagnetische Strahlung durch den gekrümmten Bereich des Substrats hindurch tritt und anschließend von der Absorberschicht detektiert werden kann.The optoelectronic structure can be formed such that a layer stack, for example a detector layer stack comprising at least one first and a second electrode layer, and at least one electrically active absorber layer, wherein the absorber layer is arranged between the two electrode layers, in such a way over at least a portion of a substrate can be applied or applied so that by means of at least one fold or fold along at least one fold line of the substrate and the layer stack, for example a detector layer stack, a planar structure with a curved portion in the folded substrate can be formed such that the planar structure so to can be oriented towards the incident electromagnetic radiation, that the electromagnetic radiation passes through the curved portion of the substrate and can then be detected by the absorber layer.

Die Erfindung ist auf dem Gebiet der Photodetektoren angesiedelt, beispielsweise auf dem Gebiet von organischen Photodetektoren. Organische Materialien weisen jedoch meist nur sehr schlechte Absorptionseigenschaften auf, beispielsweise zur Detektion von Infrarotstrahlung oder Röntgenstrahlung. Deswegen sind solche Materialien nur bedingt für die Detektion solcher Spektralbereiche geeignet. Die vorliegende Erfindung kann es ermöglichen, dass eine hohe Absorption von zum Beispiel Infrarotstrahlung oder Röntgenstrahlung erzielt werden kann, und kann gleichzeitig sehr positive elektrische beziehungsweise elektronische Eigenschaften eines damit gebildeten Detektors zur Verfügung stellen. Darüber hinaus kann mittels der erfindungsgemäßen optoelektronischen Struktur eine hohe laterale Ortsauflösung erreicht werden. Außerdem kann eine derartige optoelektronische Struktur beispielsweise in einem kostengünstigen Rolle-zu-Rolle-Verfahren hergestellt werden. Weiterhin kann zum Beispiel mittels der erfindungsgemäßen optoelektronischen Struktur ein Sensorarray beziehungsweise Detektorarray bereitgestellt werden, das eine ortsaufgelöste Detektion von Röntgenstrahlung ermöglicht, wobei dabei die Szintillatorfaserplatte und auch die erforderliche optische Detektoreinheit auf einem Substrat realisiert werden kann.The invention is in the field of photodetectors, for example in the field of organic photodetectors. However, organic materials usually have only very poor absorption properties, for example for the detection of infrared radiation or X-radiation. Therefore, such materials are only conditionally suitable for the detection of such spectral regions. The present invention may allow high absorption of, for example, infrared radiation or X-radiation to be achieved and at the same time provide very positive electrical properties of a detector formed therewith. In addition, a high lateral spatial resolution can be achieved by means of the optoelectronic structure according to the invention. In addition, such an optoelectronic structure can be produced, for example, in a cost-effective roll-to-roll process. Furthermore, for example by means of the optoelectronic structure according to the invention, a sensor array or detector array can be provided which enables a spatially resolved detection of X-radiation, whereby the scintillator fiber plate and also the required optical detector unit can be realized on a substrate.

Neben der Detektion von Infrarotlicht kann die erfindungsgemäße optoelektronische Struktur ebenso zur ortsaufgelösten Detektion von Röntgenstrahlung, beispielsweise in der Radiologie, eingesetzt werden. Hierzu könnte/n ein angepasstes Szintillatormaterial oder mehrere angepasste Szintillatormaterialien beispielsweise in Form kleiner Partikel dem Absorber der aktiven Schicht beigemischt werden. Mittels der auftreffenden Röntgenstrahlung werden die Moleküle des Szintillators zum Emittieren von Licht im sichtbaren und/oder ultravioletten Spektralbereich angeregt, welches von der aktiven Schicht absorbiert und somit ortsaufgelöst detektiert werden kann.In addition to the detection of infrared light, the optoelectronic structure according to the invention can likewise be used for the spatially resolved detection of X-radiation, for example in radiology. For this purpose, an adapted scintillator material or a plurality of matched scintillator materials, for example in the form of small particles, could be added to the absorber of the active layer. By means of the incident X-radiation, the molecules of the scintillator are excited to emit light in the visible and / or ultraviolet spectral range, which can be absorbed by the active layer and thus detected in a spatially resolved manner.

Alternativ kann beispielsweise auf zumindest einer unbeschichteten Seite des Substrats oder Foliensubstrats zumindest eine Schicht oder mehrere Schichten eines angepassten Szintillatormaterials oder mehrere angepasster Szintillatormaterialien aufgebracht werden. Die eingestrahlte elektromagnetische Strahlung kann durch das Substrat und die mindestens eine Schicht hindurch dringen und von der zuvor genannten Photodetektorstruktur ortsaufgelöst detektiert werden. Die so vorprozessierte Folie oder das so vorprozessierte Substrat übernimmt hierbei die Funktion der optischen Faserplatte bei konventionellen, digitalen Röntgendetektorsystemen.Alternatively, for example, at least one or more layers of matched scintillator material or multiple matched scintillator materials may be deposited on at least one uncoated side of the substrate or film substrate. The irradiated electromagnetic radiation can penetrate through the substrate and the at least one layer and be detected in a spatially resolved manner by the aforementioned photodetector structure. The preprocessed film or the thus preprocessed substrate assumes the function of the optical fiber plate in conventional, digital X-ray detector systems.

Erfindungsgemäß kann ein zweidimensionales Array aus Photodioden beziehungsweise Photodetektoren beispielsweise in einem mehrstufigen Druckprozess oder in einem anderen Dünnschichtverfahren auf einem mechanisch flexiblen, für eine zuvor bestimmte elektromagnetische Strahlung beziehungsweise für einen zuvor definierten Spektralbereich transparenten und/oder transluzenten Substrat aufgetragen beziehungsweise aufgebracht werden. Die Struktur oder das Layout wird anschließend alternierend auf und ab gefaltet beziehungsweise gefalzt. Hierdurch kann die optische Weglänge und die Dicke beziehungsweise Schichtdicke der aktiven Schicht voneinander entkoppelt werden, d. h. getrennt voneinander angepasst werden. Mittels Variation der geometrischen Parameter des Layouts oder der Struktur kann ein solches System in seinen optischen und elektrischen beziehungsweise elektronischen Eigenschaften auf beziehungsweise für viele unterschiedliche Anwendungen angepasst werden.According to the invention, a two-dimensional array of photodiodes or photodetectors can be applied or applied, for example, in a multi-stage printing process or in another thin-film process on a mechanically flexible, transparent and / or translucent substrate for a previously determined electromagnetic radiation or for a previously defined spectral range. The structure or layout is then alternately folded up and down or folded. As a result, the optical path length and the thickness or layer thickness of the active layer can be decoupled from one another, ie. H. be adjusted separately from each other. By varying the geometric parameters of the layout or the structure, such a system can be adapted in terms of its optical and electrical or electronic properties to or for many different applications.

Somit besteht die zu lösende Aufgabe darin, eine optoelektronische Struktur oder Detektorvorrichtung bereitzustellen, welche es ermöglicht, einerseits die Weglänge für die Absorption zu vergrößern beziehungsweise verlängern und andererseits, davon entkoppelt beziehungsweise unabhängig hiervon, die Distanz zwischen den Elektroden beziehungsweise Elektrodenschichten so gering wie möglich zu bilden, wobei die Distanz zwischen den Elektroden beziehungsweise Elektrodenschichten dadurch definiert ist, dass mindestens eine optoelektronischen Absorberschicht, die beispielsweise zumindest teilweise eine organische Absorberschicht sein kann, zwischen den Elektroden beziehungsweise Elektrodenschichten angeordnet ist und wobei die Absorberschicht eine Schichtdicke aufweist, welche die Distanz zwischen den Elektroden bildet beziehungsweise definiert.Thus, the problem to be solved is to provide an optoelectronic structure or detector device which makes it possible on the one hand to increase or extend the path length for the absorption and, on the other hand, decouples or independently thereof, the distance between the electrodes or electrode layers as small as possible form, wherein the distance between the electrodes or electrode layers is defined by the fact that at least one optoelectronic absorber layer, which may be at least partially an organic absorber layer, for example, between the electrodes or electrode layers is arranged and wherein the absorber layer has a layer thickness which forms or defines the distance between the electrodes.

Der sich hieraus ergebende Vorteil gegenüber dem Stand der Technik besteht somit darin, dass hierdurch die Ausbeute der detektierbaren Photonen signifikant gesteigert werden kann.The resulting advantage over the prior art is thus that this can significantly increase the yield of detectable photons.

Die Lösung der oben genannten Aufgabe kann und wird mit der erfindungsgemäßen optoelektronischen Struktur gemäß dem ersten Patentanspruch bereitgestellt.The solution to the above object can be and is provided with the optoelectronic structure according to the invention according to the first claim.

Mit anderen Worten, kann mittels der vorliegenden Erfindung die, für die Absorption der einfallenden Photonen, nutzbare Weglänge und die Distanz zwischen den mindestens beiden erforderlichen Elektroden beziehungsweise Elektrodenschichten voneinander entkoppelt werden. Da einerseits die optoelektronische aktive Schicht in einer erfindungsgemäßen Ausführung sehr dünn appliziert werden kann, was wiederum zu sehr kurzen Distanzen der, in der aktiven Schicht photogenerierten Ladungsträger zu den Elektroden, führt, kann andererseits der erfindungsgemäße seitliche Strahlungseinfall, d. h. dass die Strahlung auf mindestens einer Seite des aktiven Schichtsystem auftrifft, beispielsweise von Infarotstrahlung oder Röntgenstrahlung, auf das aktive Schichtsystem, aus welchem die aktive Photodetektorschicht gebildet sein kann, eine wesentlich größerer nutzbare Weglänge zur Absorption innerhalb des aktiven Schichtsystems, d. h. in der einen oder den mehreren absorbierenden Schichten, in denen die einfallenden Photonen, welche in elektrische Impulse gewandelt werden, bereitgestellt werden. Insbesondere kann durch die signifikant längere nutzbare Wegstrecke für die Absorption bei der vorliegenden erfindungsgemäßen optoelektronischen Struktur die Signalausbeute gesteigert werden. Eine dementsprechend angepasste Schaltung, d. h. angepasst an die erfindungsgemäße optoelektronische Struktur, die elektrisch leitfähig an die erfindungsgemäße optoelektronische Struktur gekoppelt ist, kann dann die generierten elektrischen Impulse auswerten und somit die einfallende Strahlungsintensität in ein weiter auswertbares elektronisches beziehungsweise elektrisches Signal wandeln. Der erfindungsgemäße Aufbau der erfindungsgemäßen optoelektronischen Schichtstruktur kann dabei beispielsweise mittels Auffaltens, d. h. zum Beispiel mittels Faltens oder Falzens, des auf dem Substrat aufgebrachten Photodetektorschichtsystems, welches beispielsweise mittels eines Druckverfahrens aufgebracht sein kann, bereitgestellt werden.In other words, by means of the present invention, the path length usable for the absorption of the incident photons, and the distance between the at least two required electrodes or electrode layers can be decoupled from one another. On the one hand, the optoelectronic active layer can be applied very thinly in one embodiment according to the invention, which in turn leads to very short distances of the photogenerated in the active layer charge carriers to the electrodes, on the other hand, the lateral radiation incidence according to the invention, d. H. that the radiation impinges on at least one side of the active layer system, for example of infra-red radiation or X-radiation, on the active layer system, from which the active photodetector layer can be formed, a substantially larger usable path length for absorption within the active layer system, d. H. in the one or more absorbing layers in which the incident photons which are converted into electrical pulses are provided. In particular, the signal yield can be increased by the significantly longer usable distance for the absorption in the present optoelectronic structure according to the invention. A correspondingly adapted circuit, d. H. adapted to the optoelectronic structure according to the invention, which is electrically conductively coupled to the optoelectronic structure according to the invention, can then evaluate the generated electrical impulses and thus convert the incident radiation intensity into a further evaluable electronic or electrical signal. The inventive structure of the optoelectronic layer structure according to the invention can, for example, by Auffaltens, d. H. for example, by means of folding or folding, of the photodetector layer system applied to the substrate, which may be applied, for example, by means of a printing process.

Mittels der erfindungsgemäßen Lösung der Aufgabe können zum Beispiel großflächige, hochsensitive, kostengünstige und mechanisch flexible Sensorarrays beziehungsweise Detektorarrays zur ortsaufgelösten Detektion von Infrarotstrahlung beziehungsweise Röntgenstrahlung bereitgestellt werden. Diese erfindungsgemäße Vorrichtung beziehungsweise Struktur und der Prozess zur Herstellung hiervon erzielen gegenüber dem Stand der Technik, dass hierbei ein großer Maßstab bei der Herstellung eingesetzt werden kann bei gleichzeitig geringem Aufwand, wodurch somit eine Massenfertigung ermöglicht werden kann, beispielsweise mittels Rolle-zu-Rolle-Prozessen. Außerdem können zum Beispiel mittels etablierter Druckprozesse die Produktionskosten gering gehalten werden. Mittels des Faltens oder Falzens der erfindungsgemäßen Strukturen können hohe Aspektverhältnisse und somit hohe Sensorsensitivitäten beziehungsweise Detektorsensitivitäten erreicht werden. Da erfindungsgemäß die Elektroden an den Seiten der Sensorflächen beziehungsweise Detektorflächen angeordnet sind und somit senkrecht zur Einfallsrichtung der elektromagnetischen Strahlung, die detektiert wird, können die elektrischen beziehungsweise elektronischen Eigenschaften unabhängig von den optischen Eigenschaften des Systems angepasst werden.By means of the solution according to the invention, for example, large-area, highly sensitive, cost-effective and mechanically flexible sensor arrays or detector arrays for spatially resolved detection of infrared radiation or X-radiation can be provided. This apparatus or structure according to the invention and the process for the production thereof achieve over the prior art that a large scale can be used in the production at the same time with little effort, thus mass production can be made possible, for example by means of roll-to-roll processes. In addition, for example, the production costs can be kept low by means of established printing processes. By means of the folding or folding of the structures according to the invention, high aspect ratios and thus high sensor sensitivities or detector sensitivities can be achieved. Since according to the invention the electrodes are arranged on the sides of the sensor surfaces or detector surfaces and thus perpendicular to the direction of incidence of the electromagnetic radiation which is detected, the electrical or electronic properties can be adapted independently of the optical properties of the system.

Eine Ausführungsform der vorliegenden Erfindung bezieht sich auf eine optoelektronische Struktur, eingerichtet zur Detektion von mindestens einer elektromagnetischen Strahlung, d. h. mindestens einen Bereich aus dem elektromagnetischen Spektrum, aufweisend: mindestens ein, für die jeweilige zu detektierende elektromagnetische Strahlung, transparentes oder transluzentes Substrat mit mindestens einer oberen und einer unteren Oberfläche, wobei die obere Oberfläche der unteren Oberfläche gegenüberliegt; wobei mindestens über einer der Oberflächen des Substrats mindestens ein Schichtenstapel in mindestens einem Bereich des Substrats derart aufgetragen ist, dass mittels zumindest eines ersten Faltens des Substrats entlang mindestens einer Faltlinie auf dem Substrat der Schichtenstapel zumindest teilweise von dem Substrat umschlossen beziehungsweise umgeben ist und eine Struktur bildet, wobei die Faltlinie beispielsweise in einem Bereich gebildet werden kann, der im Wesentlichen außerhalb des Bereichs gebildet werden kann, über dem der Schichtenstapel aufgetragen ist; wobei sich mittels des Faltens entlang der Faltlinie ein gekrümmter Bereich im Substrat bildet; und wobei der Schichtenstapel folgende Schichten aufweist: mindestens eine erste Elektrodenschicht; mindestens eine erste elektrisch aktive Absorberschicht, wobei die Absorberschicht aus mindestens einer Schicht oder mehreren Schichten gebildet ist; und mindestens eine zweite Elektrodenschicht; wobei jeweils, zumindest teilweise, die elektrisch aktive Absorberschicht über der ersten Elektrodenschicht und die zweite Elektrodenschicht über der elektrisch aktiven Absorberschicht angeordnet ist; und wobei die Struktur dadurch gekennzeichnet ist, dass die Detektion der elektromagnetischen Strahlung derart erfolgt, dass die elektromagnetische Strahlung durch die Oberflächen des gekrümmten Bereichs des Substrats hindurch tritt und dann mittels der Absorberschicht detektiert wird.An embodiment of the present invention relates to an optoelectronic structure, configured for detecting at least one electromagnetic radiation, ie at least one region of the electromagnetic spectrum, comprising: at least one, for the respective electromagnetic radiation to be detected, transparent or translucent substrate having at least one upper and lower surfaces, the upper surface facing the lower surface; wherein at least over one of the surfaces of the substrate, at least one layer stack is applied in at least one region of the substrate such that the layer stack is at least partially enclosed or surrounded by the substrate by means of at least one first folding of the substrate along at least one fold line on the substrate and a structure For example, the fold line may be formed in a region that may be formed substantially outside the region over which the layer stack is applied; wherein a curved region forms in the substrate by folding along the fold line; and wherein the layer stack comprises the following layers: at least one first electrode layer; at least one first electrically active absorber layer, wherein the absorber layer is formed from at least one layer or multiple layers; and at least one second electrode layer; wherein each, at least partially, the electrically active absorber layer over the first electrode layer and the second electrode layer is disposed over the electrically active absorber layer; and wherein the structure is characterized in that the detection of the electromagnetic radiation takes place such that the electromagnetic radiation passes through the surfaces of the curved portion of the substrate and is then detected by means of the absorber layer.

Das Substrat kann beispielsweise mittels mindestens eines Materials aus der Gruppe von Substratmaterialien gebildet werden, wobei die Gruppe von Substratmaterialien aufweist: Dünnglas, Polyethylen, Polypropylen, Polyvinylchlorid, Polystyrol, Polycarbonat, Cellophan, Polylactid, Celluloseacetat, Polyimid, Polyamid, Polyethylenterephthalat, Polyethylennaphthalat, Polymethymetharcrylat, Polyetheretherketon, Keramikfolie.The substrate can be formed, for example, by means of at least one material from the group of substrate materials, the group of substrate materials comprising: thin glass, polyethylene, polypropylene, polyvinyl chloride, polystyrene, polycarbonate, cellophane, polylactide, cellulose acetate, polyimide, polyamide, polyethylene terephthalate, polyethylene naphthalate, polymethymethacrylate , Polyetheretherketone, ceramic film.

Das Substrat kann derart eingerichtet werden, dass es ermöglicht wird, das Substrat mindestens einmal beziehungsweise mehrfach zu Falten oder Falzen, zum Beispiel alternierend bezüglich der Faltrichtung beziehungsweise Falzrichtung, wobei mittels des Faltens oder Falzens im Wesentlichen das Substrat hierbei frei von Rissen und/oder Brüchen im Substrat bleibt, wobei das Material des Substrats derart eingerichtet ist, dass sich mittels Faltens oder Falzens ein gekrümmter Bereich um die mittels Faltens und/oder Falzens gebildete Faltlinie herum ausbildet. Mit anderen Worten, das Material des Substrats verhält sich gegenüber dem Falten oder Falzens des Substrats mechanisch flexibel, d. h. im Wesentlichen ohne ein Ausbilden von Materialrissen und Materialbrüchen im Substrat aufgrund von Falten oder Falzen.The substrate may be arranged to allow the substrate to be folded or folded at least once or multiple times, for example alternately with respect to the folding direction or folding direction, whereby the substrate substantially free from cracks and / or breaks by folding or folding remains in the substrate, the material of the substrate being arranged such that by means of folding or folding, a curved area is formed around the folding line formed by means of folding and / or folding. In other words, the material of the substrate behaves mechanically flexible with respect to the folding or folding of the substrate, d. H. essentially without forming material cracks and material breaks in the substrate due to wrinkles or folds.

In der vorliegenden Beschreibung und den Ansprüchen werden die beiden Begriffe Falten und Falzen synonym verwendet. Die hierin synonym verwendeten Begriffe des Faltens oder Falzens beschreiben dabei das zumindest teilweise übereinander Bringen beziehungsweise Legen von mindestens zwei Bereichen des verwendeten mindestens einen Substrats und Schichtenstapel derart, dass anschließend an das Falten oder Falzen mindestens ein Bereich der beiden übereinander gebrachten oder gelegten Bereiche über dem jeweils anderen Bereich angeordnet ist und dem Bilden mindestens einer Faltlinie. Dabei definiert jeweils die Faltlinie jenen Bereich, der sich beim übereinander Bringen oder Legen der beiden anschließend übereinander angeordneten Bereiche, ausbildet und dabei einen gekrümmten Bereich um die Faltlinie im Substrat herum ausbildet. Beschrieben wird hierin mittels der beiden synonym verwendeten Begriffe Falten und Falzen, das Herstellen mindestens einer Faltlinie im Substrat, wobei die Faltlinie ohne ein Werkzeug gebildet werden kann oder mittels eines Werkzeugs gebildet werden kann, wie zum Beispiel mittels einer Messerfaltmaschine, Rotationsfaltmaschine und/oder Zahnradfaltmaschine.In the present description and claims, the two terms folding and folding are used interchangeably. The terms of folding or folding used here synonymously describe the at least partially superposing or laying of at least two regions of the at least one substrate and layer stack used in such a way that at least one region of the two superimposed or laid regions above the folding or folding occurs each other area is arranged and forming at least one fold line. In each case, the fold line defines that region which forms when the two subsequently superimposed regions are brought into or laid on one another, thereby forming a curved region around the fold line in the substrate. It is described here by means of the two synonymously used terms folding and folding, producing at least one fold line in the substrate, wherein the fold line can be formed without a tool or can be formed by means of a tool, for example by means of a knife folding machine, rotary folding machine and / or gear folding machine ,

Die Faltlinie kann demgemäß vor dem Falten oder Falzen lediglich eine gedachte, d. h. zum Beispiel eine virtuelle Faltlinie, sein oder mittels eines zuvor gebildeten beziehungsweise vorprozessierten Bereichs auf dem Substrat. Die Faltlinie kann vor dem Falten oder Falzen beispielsweise mittels einem Dünnungsverfahren, in welchem der Bereich der Faltlinie gegenüber den nicht prozessierten Bereichen eine geringere Substratdicke aufweist, gebildet werden, beispielsweise mittels Pressen, Prägen und/oder Ätzen, und/oder einem Perforierungsverfahrens, beispielsweise einem Präge- und/oder Stanzverfahren, in dem eine Perforierung in das Substrat eingestanzt beziehungsweise eingeprägt wird. Beispielsweise mittels einem Prägewerkzeug, bei dem eine bleibende Verformung beispielsweise mit Hitze, beispielsweise mit einer Strahlungsquelle wie beispielsweise einem Laser und/oder einer fokussierten Lampe und/oder mit einem heißen Gas, wie beispielsweise Luft, Stickstoff und/oder Argon, und/oder mechanischem Druck mit beispielsweise einem Stempel, wie beispielsweise einem Messer, in das Substrat eingeprägt wird.Accordingly, the fold line may only be an imaginary one before folding or folding. H. for example, a virtual fold line, or by means of a previously formed or pre-processed area on the substrate. The fold line can be formed prior to folding or folding, for example by means of a thinning process in which the region of the fold line has a lower substrate thickness compared to the non-processed regions, for example by means of pressing, embossing and / or etching, and / or a perforation process, for example one Embossing and / or stamping method in which a perforation is punched or embossed into the substrate. For example, by means of an embossing tool, in which a permanent deformation, for example with heat, for example with a radiation source such as a laser and / or a focused lamp and / or with a hot gas, such as air, nitrogen and / or argon, and / or mechanical Printing with, for example, a stamp, such as a knife, is embossed into the substrate.

In einer Ausführungsform kann die Faltlinie zumindest teilweise benachbart zu einem Bereich auf dem Substrat angeordnet werden, der im Wesentlichen an den Bereich auf dem Substrat angrenzt, über dem der Schichtenstapel aufgebracht ist.In one embodiment, the fold line may be disposed at least partially adjacent a region on the substrate that is substantially adjacent to the region on the substrate over which the layer stack is applied.

In einer weiteren Ausführungsform kann die Faltlinie zumindest teilweise in einem Bereich auf dem Substrat angeordnet werden, der räumlich getrennt von dem Bereich auf dem Substrat ist, über dem der Schichtenstapel aufgebracht ist.In another embodiment, the fold line may be at least partially disposed in a region on the substrate that is spatially separate from the region on the substrate over which the layer stack is applied.

In einer weiteren Ausführungsform kann die Faltlinie derart entlang des Bereiches auf dem Substrat angeordnet werden, über dem der Schichtenstapel aufgebracht ist, dass der Bereich, den die Faltlinie bildet, zumindest teilweise an den Bereich angrenzt, über dem der Schichtenstapel aufgebracht ist.In a further embodiment, the fold line can be arranged along the region on the substrate over which the layer stack is applied such that the region which forms the fold line at least partially adjoins the region over which the layer stack is applied.

In einer weiteren Ausführungsform kann die Faltlinie derart entlang des Bereiches angeordnet werden, über dem der Schichtenstapel aufgebracht ist, dass der Bereich, den die Faltlinie bildet, von dem Bereich räumlich beabstandet ist, über dem der Schichtenstapel aufgebracht ist.In a further embodiment, the fold line may be arranged along the area over which the layer stack is applied such that the area which the fold line forms is spatially spaced from the area over which the layer stack is applied.

Der Schichtenstapel kann beispielsweise mittels mindestens einem Auftrageverfahrens aus der Gruppe von Auftrageverfahren über dem Substrat aufgebracht werden, wobei die Gruppe von Auftrageverfahren aufweist: ein Druckverfahren, wie zum Beispiel ein Siebdruckverfahren, ein Tiefdruckverfahren, ein Flexodruckverfahren, ein Offsetdruckverfahren, ein Inkjetdruckverfahren oder Aerosoljetdruckverfahren, ein Dünnschichtverfahren, wie zum Beispiel ein Siebdruckverfahren, ein Schlitzgießverfahren, ein Vorhangbeschichtungsverfahren, ein Rakelverfahren, ein Sprühverfahren, ein Bedampfungsverfahren, ein Sputterverfahren, ein Gasphasenabscheidungsverfahren, ein Tauchbeschichtungsverfahren, ein Walzenbeschichtungsverfahren, ein Galvanisierungsverfahren, ein Pulverbeschichtungsverfahren.The layer stack can be applied over the substrate, for example, by means of at least one application method from the group of application methods, the group of application methods comprising a printing method, such as a screen printing method, a gravure printing method, a flexographic printing method, an offset printing method, an inkjet printing method or an aerosoljet printing method Thin film method such as a screen printing method, a slot casting method, a curtain coating method, a doctor blade method, a spraying method A vapor deposition method, a sputtering method, a vapor deposition method, a dip coating method, a roll coating method, a plating method, a powder coating method.

Der Schichtenstapel kann ferner beispielsweise mittels einer der zuvor genannten Auftrageverfahren auf das Substrat schichtweise und/oder als ein Schichtverbund und/oder als Schichtenstapel, aufweisend mehrere Schichten, die wiederum zumindest teilweise jeweils ein Schichtverbund sein können, aufgetragen werden, wobei ein Schichtverbund mittels einer Vielzahl von jeweils einzelnen Schichten gebildet sein können.The layer stack can also be applied, for example, by means of one of the abovementioned application methods to the substrate in layers and / or as a layer composite and / or as a layer stack comprising a plurality of layers, which in turn may each be at least partially a composite layer, wherein a layer composite by means of a plurality each of individual layers can be formed.

Die Elektrodenschichten können mindestens ein Material aus der Gruppe von elektrisch leitfähigen Materialien aufweisen, wobei die Gruppe von elektrisch leitfähigen Materialien zum Beispiel aufweist: Kupfer, Silber, Gold, Aluminium, Poly-3,4-ethylendioxythiophen-Polystyrolsulfonat (PEDOT:PSS), Indium dotiertes Zinnoxid (ITO), Aluminiumdotiertes Zinkoxid (AZO), Indium dotiertes Zinkoxid (IZO), Wolframoxid (WO3). Darüber hinaus kann auch jede Legierung der oben genannten elektrisch leitfähigen Materialien und/oder Verbundwerkstoffe davon beziehungsweise auch weitere Werkstoffkombinationen die elektrisch leitfähig sind, hierfür eingesetzt werden.The electrode layers may comprise at least one material from the group of electrically conductive materials, the group of electrically conductive materials comprising, for example: copper, silver, gold, aluminum, poly-3,4-ethylenedioxythiophene-polystyrenesulfonate (PEDOT: PSS), indium doped tin oxide (ITO), aluminum-doped zinc oxide (AZO), indium-doped zinc oxide (IZO), tungsten oxide (WO 3 ). In addition, any alloy of the above-mentioned electrically conductive materials and / or composites thereof or other combinations of materials that are electrically conductive, are used for this purpose.

Die Absorberschicht kann mindestens ein Material aus der Gruppe von Materialien, die eine Strahlung einer elektromagnetischen Wellenlänge absorbieren und Strahlung einer anderen elektromagnetischen Wellenlänge emittieren, aufweisen, wobei die Gruppe von Materialien, die eine Strahlung einer elektromagnetischen Wellenlänge absorbieren und Strahlung einer anderen elektromagnetischen Wellenlänge emittieren, zum Beispiel aufweist: Bariumiodid (BaI2), Bariumiodid mit Cer dotiert (BaI2:Ce), Bariumfluorid (BaF2), Bismuthgermanat (Bi4Ge3O12), Cäsiumfuorid (CsF), Cäsiumiodid (CsI), Cäsiumiodid mit Thallium dotiert (CsI:Tl), Cäsiumiodid mit Natrium dotiert (CsI:Na), Cäsiumiodid mit Indium dotiert (CsI:In), Gandolinium-Oxyorthosilikat (Gd2SiO5), Gadolinium-Oxysulfid mit Terbium dotiert (Gd2O2S:Tb), Kadmium-Wolframat (CdWO4), Kadmiumsulfid mit Indium dotiert (CdS:In), Kadmiumfluorid (CdF), Kaliumiodid mit Thallium dotiert (KI:T1), Kalziumfluorid mit Europium dotiert (CaF2:Eu), Kalzium-Wolframat (CaWO4), Lanthanchlorid mit Cer dotiert (LaCl3:Ce), Lanthanbromid mit Cer dotiert (LaBr3:Ce), Lithiumiodid mit Europium dotiert (LiI:Eu), Lutetium-Oxyorthosilikat (LSO), Lutetiumiodid mit Cer dotiert (LuI3:Ce), Natriumiodid mit Thallium dotiert (NaI:Tl), Strontiumiodid (SrI), Zinkselenid mit Sauerstoff dotiert (ZnSe:O), Zinkselenid mit Tellur dotiert (ZnSe:Te), Zinksulfid mit Silber dotiert (ZnS:Ag), Yttrium-Aluminium-Granat mit Cer dotiert (Y3Al5O12:Ce), Anthracen (C14H10), Naphtalen (C10H8) und/oder Stilben (C14H12).The absorber layer may comprise at least one of a group of materials that absorb radiation of one electromagnetic wavelength and emit radiation of another electromagnetic wavelength, the group of materials that absorb radiation of one electromagnetic wavelength and emit radiation of another electromagnetic wavelength, for example: barium iodide (BaI 2 ), barium iodide doped with cerium (BaI 2 : Ce), barium fluoride (BaF 2 ), bismuth germanate (Bi 4 Ge 3 O 12 ), cesium fluoride (CsF), cesium iodide (CsI), cesium iodide with thallium doped (CsI: Tl), cesium iodide doped with sodium (CsI: Na), cesium iodide doped with indium (CsI: In), gandolinium oxyorthosilicate (Gd 2 SiO 5 ), gadolinium oxysulfide doped with terbium (Gd 2 O 2 S: Tb), cadmium tungstate (CdWO 4 ), cadmium sulfide doped with indium (CdS: In), cadmium fluoride (CdF), potassium iodide doped with thallium (KI: T1), calcium fluoride doped with europium (CaF 2 : Eu), calcium tungstate (CaWO 4 ), lanthanum chloride doped with cerium (LaCl 3 : Ce), lanthanum bromide doped with cerium (LaBr 3 : Ce), lithium iodide doped with europium (LiI: Eu), lutetium oxyorthosilicate (LSO), lutetium iodide doped with cerium (LuI 3 : Ce), sodium iodide doped with thallium (NaI: Tl), strontium iodide (SrI), zinc selenide doped with oxygen (ZnSe: O), zinc selenide doped with tellurium (ZnSe: Te), Zinc sulfide doped with silver (ZnS: Ag), yttrium aluminum garnet doped with cerium (Y 3 Al 5 O 12 : Ce), anthracene (C 14 H 10 ), naphthalene (C 10 H 8 ) and / or stilbene (C 14 H 12 ).

In einer weiteren Ausführungsform kann die Absorberschicht mindestens ein Material aus der Gruppe von Materialien, die elektromagnetische Strahlung absorbieren können und dabei einen elektrischen Stromfluss erzeugen können, aufweisen, wobei die Gruppe von Materialien, die elektromagnetische Strahlung absorbieren können und dabei einen elektrischen Stromfluss erzeugen können, zum Beispiel aufweist: Fullerene: C60, C70, ([6,6]-Phenyl-C61Buttersäuremethylester) (Abkürzung PCBM; PC61BM), ([6,6]-Phenyl-C71Buttersäuremethylester) (Abkürzung PCBM; PC71BM) und/oder Indene-C60 Bisadduct (ICBA); Polymere: Poly(3-hexylthiophen-2,5-diyl) (Abkürzung P3HT), Poly[4,8-bis(5-(2-ethylhexyl)thiophen-2-yl)benzo[1,2-b;4,5-b']dithiophene-2,6-diyl-alt-(4-(2-ethylhexyl)-3-fluorothieno[3,4-b]thiophene-)-2-carboxylate-2-6-diyl)] (Abkürzungen PTB7-Th, PBDTTT-EFT), Poly({4,8-bis[(2-ethylhexyl)oxy]benzo[1,2-b:4,5-b']dithiophene-2,6-diyl}{3-fluoro-2-[(2-ethylhexyl)carbonyl]thieno[3,4-b]thiophenediyl}) (Abkürzung: PTB7), Poly[N-9'-heptadecanyl-2,7-carbazole-alt-5,5-(4',7'-di-2-thienyl-2',1',3'-benzothiadiazole)] (Abkürzung: PCDTBT), Poly[9,9-didecanefluorene-alt-(bis-thienylene)benzothiadiazole] (Abkürzung: PF10TBT), Poly[2,7-(5,5-bis-(3,7-dimethyloctyl)-5H-dithieno[3,2-b:2',3'-d]pyran)-alt-4,7-(5,6-difluoro-2,1,3-benzothia diazole)] (Abkürzung: PDTP-DFBT) und/oder Poly[(5,6-difluoro-2,1,3-benzothiadiazol-4,7-diyl)-alt-(3,3'''-di(2-octyldodecyl)-2,2'; 5',2''; 5'',2'''-quaterthiophen-5,5'''-diyl)] (Abkürzung: PFFBT7T-2OD); Quantenpartikel: Bleisulfid (PbS), Cadmiumsulfid (CdS) und/oder Silizium (Si); Kombinationen: Gemische aus Fullerenen und Polymeren; Gemische aus Fullerenen, Polymeren und den Szintillatormaterialien und/oder Gemische aus Fullerenen, Polymeren und PbS-Nanopartikeln.In a further embodiment, the absorber layer may comprise at least one of the group of materials that can absorb electromagnetic radiation and thereby generate an electrical current flow, wherein the group of materials that can absorb electromagnetic radiation and thereby generate an electrical current flow, For example: fullerenes: C60, C70, ([6,6] -phenyl C61Buttersäuremethylester) (abbreviation PCBM; PC61BM), ([6,6] -phenyl-C71Buttersäuremethylester) (abbreviation PCBM; PC71BM) and / or indene- C60 bisadduct (ICBA); Polymers: poly (3-hexylthiophene-2,5-diyl) (abbreviation P3HT), poly [4,8-bis (5- (2-ethylhexyl) thiophen-2-yl) benzo [1,2-b; 4, 5-b '] dithiophene-2,6-diyl-alt- (4- (2-ethylhexyl) -3-fluorothieno [3,4-b] thiophene -) - 2-carboxylate-2-6-diyl)] ( Abbreviations PTB7-Th, PBDTTT-EFT), poly ({4,8-bis [(2-ethylhexyl) oxy] benzo [1,2-b: 4,5-b '] dithiophene-2,6-diyl} { 3-fluoro-2 - [(2-ethylhexyl) carbonyl] thieno [3,4-b] thiophenediyl}) (abbreviation: PTB7), poly [N-9'-heptadecanyl-2,7-carbazole-alt-5, 5- (4 ', 7'-di-2-thienyl-2', 1 ', 3'-benzothiadiazole)] (abbreviation: PCDTBT), poly [9,9-didecanofluoreno-alt- (bis-thienylene) benzothiadiazole] (Abbreviation: PF10TBT), poly [2,7- (5,5-bis- (3,7-dimethyloctyl) -5H-dithieno [3,2-b: 2 ', 3'-d] pyran) -alkanol 4,7- (5,6-difluoro-2,1,3-benzothia-diazole)] (abbreviation: PDTP-DFBT) and / or poly [(5,6-difluoro-2,1,3-benzothiadiazole-4, 7-diyl) -alt- (3,3 '' '- di (2-octyldodecyl) -2,2', 5 ', 2' ', 5' ', 2' '' - quaterthiophene-5,5 '' '-diyl)] (abbreviation: PFFBT7T-2OD); Quantum particles: lead sulfide (PbS), cadmium sulfide (CdS) and / or silicon (Si); Combinations: mixtures of fullerenes and polymers; Mixtures of fullerenes, polymers and the scintillator materials and / or mixtures of fullerenes, polymers and PbS nanoparticles.

Weitere bevorzugte Ausführungsformen und/oder Weiterbildungen der optoelektronischen Struktur werden beispielweise in den Nebenansprüchen ausgeführt.Further preferred embodiments and / or further developments of the optoelectronic structure are carried out, for example, in the dependent claims.

In einer zusätzlichen Ausführungsform kann mindesten eine der Elektrodenschichten in dem Schichtenstapel derart gebildet werden, dass die Elektrodenschicht zumindest teilweise seitlich über alle anderen Schichten des Schichtenstapels herausragen kann.In an additional embodiment, at least one of the electrode layers in the layer stack can be formed in such a way that the electrode layer can project at least partially laterally beyond all other layers of the layer stack.

Der sich daraus ergebende Vorteil besteht darin, dass es eine solche Ausführungsform ermöglicht, die Elektrodenschichten derart aus der Struktur herausragen zu lassen, dass damit sich eine einfache und schnelle elektrisch leitfähige Kopplung zu den Elektrodenschichten herstellen lässt, beispielsweise zu weiteren elektronischen Schaltungen.The resulting advantage is that such an embodiment makes it possible to project the electrode layers out of the structure in such a way that a simple and rapid electrically conductive coupling to them is achieved Can produce electrode layers, for example, to other electronic circuits.

In einer zusätzlichen Ausführungsform kann die elektrisch aktive Absorberschicht derart über der Elektrodenschicht, die über dem Substrat angeordnet ist, aufgetragen werden, dass die elektrisch aktive Absorberschicht zumindest teilweise einen Bereich über der Elektrodenschicht und zumindest teilweise einen Bereich einer zusätzlichen Fläche der Elektrodenschicht umschließen kann.In an additional embodiment, the electrically active absorber layer may be applied over the electrode layer which is arranged above the substrate in such a way that the electrically active absorber layer can at least partially enclose a region above the electrode layer and at least partially a region of an additional surface of the electrode layer.

Der sich daraus ergebende Vorteil besteht darin, dass eine solche Ausführungsform es ermöglicht, dass die Absorberschicht zusätzlich die Aufgabe einer elektrisch isolierenden Schicht übernehmen kann.The resulting advantage is that such an embodiment makes it possible that the absorber layer can additionally take over the task of an electrically insulating layer.

In einer weiteren Ausführungsform kann über mindestens einer der Oberflächen des Substrats mindestens eine erste Schicht, beispielsweise eine Filterschicht, aufgetragen werden, die der Oberfläche gegenüberliegt auf der die Schichtenstapel angeordnet sind und wobei die Schicht derart eingerichtet werden kann, dass die Schicht zumindest teilweise nur für eine zuvor bestimmte elektromagnetische Strahlung beziehungsweise für ein zuvor bestimmten elektromagnetischen Spektralbereich durchlässig, d. h. diesbezüglich transparent oder transluzent, sein kann.In a further embodiment, over at least one of the surfaces of the substrate at least a first layer, for example a filter layer, can be applied, which is opposite to the surface on which the layer stacks are arranged and wherein the layer can be arranged such that the layer at least partially only for a previously determined electromagnetic radiation or permeable to a previously determined electromagnetic spectral range, d. H. can be transparent or translucent in this regard.

Der sich daraus ergebende Vorteil einer solchen Schicht besteht darin, dass eine solche Ausführungsform es ermöglicht, dass ein einfach herzustellender und kostengünstiger Photodetektor bereitgestellt werden kann, der eine zusätzliche Filterfunktionalität gegenüber zumindest einem zuvor bestimmten Spektralbereich aus dem elektromagnetischen Spektrum bereitstellt.The consequent advantage of such a layer is that such an embodiment makes it possible to provide an easily manufactured and inexpensive photodetector which provides additional filtering functionality to at least one predetermined spectral range from the electromagnetic spectrum.

In einer weiteren Ausführungsform kann. die Schicht mindestens ein Material aus der Gruppe von Materialien aufweisen, die derart eingerichtet werden können, dass die Materialien zumindest teilweise nur für eine zuvor bestimmte elektromagnetische Strahlung durchlässig, d. h. diesbezüglich transparent oder transluzent, sind, wobei die Gruppe von Materialien, die derart eingerichtet werden können, dass die Materialien zumindest teilweise für eine zuvor bestimmte elektromagnetische Strahlung durchlässig beziehungsweise für ein zuvor bestimmten elektromagnetischen Spektralbereich, d. h. diesbezüglich transparent oder transluzent, sind, zum Beispiel aufweist: Lithiumfluorid (LiF), Magnesiumfluorid (MgF), Molybdänoxid (MoO3), Nioboxid (Nb2O5), Siliziumdioxid (SiO2), Tantaloxid (Ta2O5), Titandioxid (TiO2), Wolframoxid (WoO3) und/oder Zinkoxid (ZnO).In a further embodiment can. the layer comprises at least one material from the group of materials that can be arranged such that the materials are at least partially transmissive only to a predetermined electromagnetic radiation, ie, transparent or translucent, the set of materials being so configured can that the materials are at least partially permeable to a previously determined electromagnetic radiation or for a previously determined electromagnetic spectral range, ie in this respect transparent or translucent, for example comprising: lithium fluoride (LiF), magnesium fluoride (MgF), molybdenum oxide (MoO 3 ), Niobium oxide (Nb 2 O 5 ), silicon dioxide (SiO 2 ), tantalum oxide (Ta 2 O 5 ), titanium dioxide (TiO 2 ), tungsten oxide (WoO 3 ) and / or zinc oxide (ZnO).

In einer zusätzlichen Ausführungsform kann die elektrisch aktive Absorberschicht und/oder das Substrat und/oder mindestens eine oder mehrere zusätzlich aufgebrachte Schichten mindestens teilweise zumindest eines der Materialien aus der Gruppe von Materialien, die eine Strahlung einer elektromagnetischen Wellenlänge absorbieren und Strahlung einer anderen elektromagnetischen Wellenlänge emittieren, aufweisen, wobei die Gruppe von Materialien aufweist: BaI2, BaI2:Ce, BaF2, Bi4Ge3O12, CsF, CsI, CsI:Tl, CsI:Na, CsI:In, Gd2SiO5, Gd2O2S:Tb, CdWO4, CdS:In, CdF, KI:Tl, CaF2:Eu, CaWO4, LaCl3:Ce, LaBr3:Ce, LiI:Eu, LSO, LuI3:Ce, NaI:Tl, SrI, ZnSe:O, ZnSe:Te, ZnS:Ag, Y3Al5O12:Ce, C14H10, C10H8 und/oder C14H12 In an additional embodiment, the electrically active absorber layer and / or the substrate and / or at least one or more additionally applied layers may at least partially emit at least one of the group of materials that absorb radiation of one electromagnetic wavelength and emit radiation of another electromagnetic wavelength , wherein the group of materials comprises BaI 2 , BaI 2 : Ce, BaF 2 , Bi 4 Ge 3 O 12 , CsF, CsI, CsI: Tl, CsI: Na, CsI: In, Gd 2 SiO 5 , Gd 2 O 2 S: Tb, CdWO 4 , CdS: In, CdF, KI: Tl, CaF 2 : Eu, CaWO 4 , LaCl 3 : Ce, LaBr 3 : Ce, LiI: Eu, LSO, LuI 3 : Ce, NaI : Tl, SrI, ZnSe: O, ZnSe: Te, ZnS: Ag, Y 3 Al 5 O 12 : Ce, C 14 H 10 , C 10 H 8 and / or C 14 H 12

In einer zusätzlichen Ausführungsform kann die elektrisch aktive Absorberschicht zumindest teilweise mindestens eines der Materialien aus der Gruppe von Absorbermaterialien aufweisen, wobei die Gruppe von Absorbermaterialien aufweist: C60, C70, PCBM, PC61BM, PCBM, PC71BM und/oder ICBA, P3HT, PTB7-Th, PBDTTT-EFT, PTB7, PCDTBT, PF10TBT, PDTP-DFBT, PFFBT7T-2OD, PbS, CdS, Si, Gemische aus Fullerenen und Polymeren, Gemische aus Fullerenen, Polymeren und Szintillatormaterialien und/oder Gemische aus Fullerenen, Polymeren und PbS-Nanopartikeln, ein Gemisch aus P3HT und PCBM und/oder organische Materialien, die elektromagnetische Strahlung absorbieren können und dabei einen elektrischen Stromfluss erzeugen können.In an additional embodiment, the electrically active absorber layer may at least partially comprise at least one of the group of absorber materials, the group of absorber materials comprising: C60, C70, PCBM, PC61BM, PCBM, PC71BM and / or ICBA, P3HT, PTB7-Th , PBDTTT-EFT, PTB7, PCDTBT, PF10TBT, PDTP-DFBT, PFFBT7T-2OD, PbS, CdS, Si, mixtures of fullerenes and polymers, mixtures of fullerenes, polymers and scintillator materials and / or mixtures of fullerenes, polymers and PbS nanoparticles , a mixture of P3HT and PCBM and / or organic materials that can absorb electromagnetic radiation and thereby generate an electrical current flow.

Der sich aus den beiden zuvor genannten Ausführungsformen ergebende Vorteil besteht darin, dass sich einerseits ein mittels der beanspruchten optoelektronischen Struktur Photodetektor und andererseits ein Photovoltaikelement einfach und kostengünstig herstellen lässt.The advantage resulting from the two embodiments mentioned above is that, on the one hand, a photodetector which is claimed by means of the claimed optoelectronic structure and, on the other hand, a photovoltaic element can be produced simply and inexpensively.

In einer zusätzlichen Ausführungsform kann das Substrat eine Dicke, gebildet zwischen der unteren und der oberen Oberfläche, aufweisen, die in einem Bereich von 0,5 μm bis zu 100 μm liegt.In an additional embodiment, the substrate may have a thickness formed between the bottom and top surfaces ranging from 0.5 μm to 100 μm.

Der Vorteil einer solchen Ausführungsform besteht in einer anpassbaren Dimensionierung der damit hergestellten Struktur, wobei diese derart bereitgestellten Strukturen sowohl eine sehr kleine Dimensionierung aufweisen können, als auch demgemäß eine gesteigerte Ortsauflösung bei Detektoren bereitstellen können.The advantage of such an embodiment is an adaptable dimensioning of the structure made therewith, which structures provided in this way can both have a very small dimensioning and, accordingly, can provide increased spatial resolution in detectors.

In einer zusätzlichen Ausführungsform kann das gefaltete Substrat Falten bilden und wobei eine gebildete Falte eine Faltenhöhe zwischen zwei aufeinanderfolgende Faltlinie aufweisen kann, die in einem Bereich von 0.1 mm bis zu 2 cm liegt.In an additional embodiment, the folded substrate may form wrinkles and wherein a formed pleat may have a pleat height between two consecutive fold lines ranging from 0.1 mm to 2 cm.

Der Vorteil einer solchen Ausführungsform besteht in einer vergrößerten oder verlängerten nutzbaren Weglänge, die zur Detektion in der Absorberschicht bereitgestellt werden kann.The advantage of such an embodiment is an enlarged or extended usable path length that can be provided for detection in the absorber layer.

In einer zusätzlichen Ausführungsform kann das gefaltete Substrat mindestens zwei Pixel, gebildet mittels mindestens zweier Falten, bilden und wobei der gebildete Pixelabstand, gebildet senkrecht zur Faltrichtung und zwischen zwei Pixeln, aufweisen kann, der in einem Bereich von 1 μm bis zu 1 mm liegt.In an additional embodiment, the folded substrate may form at least two pixels formed by at least two folds, and wherein the formed pixel pitch formed perpendicular to the folding direction and between two pixels may be in a range of 1 μm to 1 mm.

Der Vorteil einer solchen Ausführungsform besteht in einer anpassbaren Dimensionierung der damit hergestellten Struktur, wobei diese derart bereitgestellten Strukturen sowohl eine sehr kleine Dimensionierung aufweisen können, als auch demgemäß eine gesteigerte Ortsauflösung bei Detektoren bereitstellen können.The advantage of such an embodiment is an adaptable dimensioning of the structure made therewith, which structures provided in this way can both have a very small dimensioning and, accordingly, can provide increased spatial resolution in detectors.

In einer zusätzlichen Ausführungsform kann die elektrisch aktive Absorberschicht eine Dicke aufweisen, die in einem Bereich von 30 nm bis zu 10 μm liegt.In an additional embodiment, the electrically active absorber layer may have a thickness ranging from 30 nm to 10 μm.

Der Vorteil einer solchen Ausführungsform besteht in einer anpassbaren Dimensionierung der damit hergestellten Struktur, wobei in den derart bereitgestellten Strukturen sowohl eine die Distanz zwischen den Elektroden verringert wird, was demgemäß wiederum eine gesteigerte Ortsauflösung bei Detektoren bereitstellt.The advantage of such an embodiment consists in an adaptable dimensioning of the structure produced therewith, wherein in the structures provided in this way both the distance between the electrodes is reduced, which in turn provides an increased spatial resolution in detectors.

In einer zusätzlichen Ausführungsform können senkrecht zu den, mittels des Faltens gebildeten Pixeln in dem Schichtenstapel mittels Strukturierens zusätzliche Pixel gebildet werden, wobei die zusätzlichen Pixel einen räumlichen Abstand zueinander aufweisen können, der in einem Bereich von 20 μm bis zu 1 cm liegt.In an additional embodiment, additional pixels can be formed perpendicular to the pixels formed by folding in the layer stack by structuring, wherein the additional pixels can have a spatial distance which lies in a range from 20 μm to 1 cm.

Der Vorteil einer solchen Ausführungsform besteht in einer gegenüber unstrukturierten optoelektronischen Strukturen gesteigerten Ortsauflösung bei solchen Detektoren.The advantage of such an embodiment is a higher resolution compared to unstructured optoelectronic structures in such detectors.

In weiteren Ausführungsformen können die Pixel beispielsweise mittels eines Dünnschichtauftragungsverfahrens vorstrukturiert werden, zum Beispiel mittels eines lithografischen Prozessierens der Schichtenstapel, wie beispielsweise mittels eines Lift-Off-Prozesses.In further embodiments, the pixels may be pre-patterned by, for example, a thin-film deposition process, for example, by lithographic processing of the layer stacks, such as by a lift-off process.

Vorteilhaft können alle Ausführungsformen der erfindungsgemäßen optoelektronischen Struktur in Kombination mit einer oder mehreren der hierin genannten und beschriebenen Ausführungsformen realisiert werden.Advantageously, all embodiments of the optoelectronic structure according to the invention can be realized in combination with one or more of the embodiments mentioned and described herein.

Weitere Ausführungsformen, sowie einige der Vorteile, die mit diesen und weiteren Ausführungsformen verbunden sind, werden durch die nachfolgende ausführliche Beschreibung unter Bezug auf die begleitenden Figuren detaillierter und besser verständlich. Die Figuren sind lediglich schematische Darstellungen einer Ausführungsform der Erfindung.Further embodiments, as well as some of the advantages associated with these and other embodiments, will become more fully and better understood from the following detailed description with reference to the accompanying drawings. The figures are merely schematic representations of an embodiment of the invention.

Figurenbeschreibungfigure description

Dabei zeigenShow

1 eine Schnittansicht einer Photodetektoranordnung, 1 a sectional view of a photodetector arrangement,

2 eine Schnittansicht gemäß einer Ausführungsform einer erfindungsgemäßen optoelektronischen Struktur, 2 a sectional view according to an embodiment of an optoelectronic structure according to the invention,

3 eine Schnittansicht gemäß einer Ausführungsform einer erfindungsgemäßen optoelektronischen Struktur, 3 a sectional view according to an embodiment of an optoelectronic structure according to the invention,

4 eine Draufsicht gemäß einer Ausführungsform einer erfindungsgemäßen optoelektronischen Struktur, und 4 a plan view according to an embodiment of an optoelectronic structure according to the invention, and

5 eine Schnittansicht gemäß einer Ausführungsform einer erfindungsgemäßen optoelektronischen Struktur. 5 a sectional view according to an embodiment of an optoelectronic structure according to the invention.

Detaillierte BeschreibungDetailed description

In 1 ist eine Photodetektoranordnung 100, gemäß dem Stand der Technik, dargestellt, die im Wesentlichen aus zwei Elektrodenschichten, 105 und 107, einer Absorptionsschicht 103 und einer elektronischen Messschaltung 101 aufgebaut ist. Des Weiteren ist in 1 die nutzbare Weglänge 104 für die Absorption von eingestrahlten Photonen 106 dargestellt, sowie die Distanz 102 zwischen den beiden Elektrodenschichten, 105 und 107. Mittels der Wechselwirkung von elektromagnetischer Strahlung 106 und dem jeweiligen Material in der Absorberschicht 103 wird die Strahlung in elektrische Impulse gewandelt, wobei diese Impulse anschließend mittels der Elektroden, 105 und 107, von der elektronischen Messschaltung 101 detektiert werden und zur weiteren Auswertung weiterverarbeitet werden können.In 1 is a photodetector array 100 , according to the prior art, which consists essentially of two electrode layers, 105 and 107 , an absorption layer 103 and an electronic measuring circuit 101 is constructed. Furthermore, in 1 the usable path length 104 for the absorption of incident photons 106 shown, as well as the distance 102 between the two electrode layers, 105 and 107 , By means of the interaction of electromagnetic radiation 106 and the respective material in the absorber layer 103 the radiation is converted into electrical impulses, these impulses then being transmitted by means of the electrodes, 105 and 107 , from the electronic measuring circuit 101 can be detected and further processed for further evaluation.

In 2 ist eine Ausführungsform einer erfindungsgemäßen optoelektronischen Struktur 200 dargestellt, die im Wesentlichen aus einem Substrat 204, zwei Elektrodenschichten, 201 und 203, sowie einer elektrisch aktiven Absorberschicht 202, aufgebaut ist.In 2 is an embodiment of an optoelectronic structure according to the invention 200 represented essentially from a substrate 204 , two electrode layers, 201 and 203 , as well as an electrically active absorber layer 202 , is constructed.

Die erfindungsgemäße optoelektronische Struktur zur Detektion von mindestens einer elektromagnetischen Strahlung 200, d. h. mindestens einem Spektralbereich elektromagnetischer Strahlung, kann beispielsweise dadurch bereitgestellt werden, dass zumindest über einem Bereich des Substrats 204, welches zumindest teilweise gegenüber der jeweiligen zu detektierenden elektromagnetischen Strahlung, d. h. beispielsweis einem zuvor definierten Spektralbereich, transparent beziehungsweise transluzent ist, d. h. für solch eine Strahlung transparent beziehungsweise transluzent, mindestens ein Schichtenstapel, 201, 202 und 203, aufgetragen wird, beispielsweise mittels mindestens einem der zuvor genannten Auftrageverfahren, wie zum Beispiel einem Druckverfahren beziehungsweise Siebdruckverfahren.The optoelectronic structure according to the invention for detecting at least one electromagnetic radiation 200 , ie at least one spectral range of electromagnetic radiation, can be provided for example by at least over a region of the substrate 204 which is at least partially transparent or translucent relative to the respective electromagnetic radiation to be detected, ie for example a previously defined spectral range, ie for such a radiation transparent or translucent, at least one layer stack, 201 . 202 and 203 is applied, for example by means of at least one of the aforementioned application methods, such as a printing process or screen printing process.

Der mindestens eine Schichtenstapel, 201, 202 und 203, kann zumindest im Wesentlichen aus mindestens drei jeweils einzelnen Schichten beziehungsweise einem Schichtverbund aufgebaut beziehungsweise stellt mindestens jeweils drei einzelne Schichten beziehungsweise jeweils einen Schichtverbund bereit, wobei auch mehr als drei Schichten oder Schichtverbünde bereitgestellt werden können, beziehungsweise die jeweiligen Schichten können wiederum auch jeweils mittels mindestens einem Schichtverbunds gebildet werden. Der Schichtenstapel, 201, 202 und 203, kann zumindest die folgenden Schichten aufweisen: mindestens eine erste Elektrodenschicht 201, mindestens eine elektrisch aktive Absorberschicht 202 und mindestens eine zweite Elektrodenschicht 203.The at least one layer stack, 201 . 202 and 203 , at least substantially composed of at least three respective individual layers or a layer composite or provides at least three individual layers or each a composite layer, wherein more than three layers or layer composites can be provided, or the respective layers can in turn also by means of at least a layer composite are formed. The layer stack, 201 . 202 and 203 , may comprise at least the following layers: at least one first electrode layer 201 , at least one electrically active absorber layer 202 and at least a second electrode layer 203 ,

Der mindestens eine Schichtenstapel, 201, 202 und 203, kann derart gebildet sein, dass über der mindestens einen Elektrodenschicht 201, die über dem Substrat 204 angeordnet ist, die mindestens eine elektrisch aktive Absorberschicht 202 angeordnet ist und dass über der mindestens einen elektrischen Absorberschicht 202 die mindestens eine zweite Elektrodenschicht 203 angeordnet ist.The at least one layer stack, 201 . 202 and 203 , may be formed such that over the at least one electrode layer 201 that over the substrate 204 is arranged, the at least one electrically active absorber layer 202 is arranged and that over the at least one electrical absorber layer 202 the at least one second electrode layer 203 is arranged.

Die beiden Elektrodenschichten, 201 und 203, können beispielsweise mittels mindestens einem der zuvor genannten elektrisch leitfähigen Materialien gebildet sein oder solche aufweisen. Die elektrisch aktive Absorberschicht 202 kann mittels mindestens einem aus der Gruppe der zuvor genannten Materialien, die entweder eine Strahlung einer elektromagnetischen Wellenlänge absorbieren und Strahlung einer anderen elektromagnetischen Wellenlänge emittieren oder die elektromagnetische Strahlung absorbieren können und dabei einen elektrischen Stromfluss erzeugen können, gebildet werden oder solche aufweisen.The two electrode layers, 201 and 203 , For example, may be formed by means of at least one of the aforementioned electrically conductive materials or having such. The electrically active absorber layer 202 may be formed by or comprise at least one of the group of the aforementioned materials which either absorb radiation of an electromagnetic wavelength and emit radiation of a different electromagnetic wavelength or which can absorb electromagnetic radiation and thereby generate an electric current flow.

Die Schichten, 201, 202 und 203, können beispielsweise derart übereinander angeordnet werden, dass beispielsweise alle Schichten, 201, 202 und 203, im Wesentlichen deckungsgleich übereinander angeordnet sind. Beispielsweise können die Schichten, 201, 202 und 203, zumindest teilweise derart übereinander angeordnet werden, dass nur jeweils Teilbereiche der Schichten, 201, 202 und 203, übereinander angeordnet sind.The layers, 201 . 202 and 203 , for example, can be arranged one above the other in such a way that, for example, all layers, 201 . 202 and 203 are arranged substantially congruently one above the other. For example, the layers, 201 . 202 and 203 be arranged at least partially in such a way that only subregions of the layers, 201 . 202 and 203 , are arranged one above the other.

Die Schichten, 201, 202 und 203, können beispielsweise derart zumindest teilweise übereinander angeordnet werden, dass beispielsweise mindestens eine der Schichten zumindest teilweise, 201, 202 und 203, über die anderen Schichten zumindest teilweise hinausragt.The layers, 201 . 202 and 203 , for example, can be arranged at least partially above one another in such a way that, for example, at least one of the layers at least partially, 201 . 202 and 203 , beyond which other layers at least partially protrude.

Die Schichten, 201, 202 und 203, können beispielsweise derart zumindest teilweise übereinander angeordnet werden, dass beispielsweise mindestens zwei der Schichten, 201, 202 und 203, zumindest teilweise über die andere Schicht hinausragt. Beispielsweise können die beiden Elektrodenschichten, 201 und 203, derart über die elektrische Absorberschicht 202 zumindest teilweise hinausragen, dass die beiden Elektrodenschichten, 201 und 203, nach außen hin elektrisch leitfähig gekoppelt werden können. In einer anderen Ausführungsform kann die elektrisch aktive Absorberschicht 202 zumindest teilweise derart über eine oder beide Elektrodenschichten, 201 und 203, hinausragen, dass der dadurch gebildete Überstand beispielsweise eine Isolierung zumindest für Teilbereiche der Elektroden bereitstellen kann.The layers, 201 . 202 and 203 , For example, at least partially can be arranged one above the other such that, for example, at least two of the layers, 201 . 202 and 203 , at least partially protrudes beyond the other layer. For example, the two electrode layers, 201 and 203 , so via the electrical absorber layer 202 protrude at least in part that the two electrode layers, 201 and 203 , can be electrically conductively coupled to the outside. In another embodiment, the electrically active absorber layer 202 at least partially so via one or both electrode layers, 201 and 203 , protrude that the supernatant formed thereby, for example, can provide insulation at least for portions of the electrodes.

Nach dem Auftragen des Schichtenstapels, 201, 202 und 203, über mindestens einem Bereich des Substrat 204 kann die optoelektronische Struktur 200 mittels mindestens einem Faltens oder Faltens gemäß einer der zuvor beschriebenen Falttechniken beziehungsweise Falztechniken entlang mindestens einer Faltlinie hergestellt beziehungsweise gebildet werden, wobei die Faltlinie wie zuvor beschrieben beispielsweise eine virtuelle oder eine vorprozessierte physische Faltlinie sein kann und wobei der Bereich des Substrats, den die Faltlinie einnimmt beziehungsweise bildet, zum Bereich mit dem Schichtenstapel, wie zuvor beschrieben, angeordnet sein kann. In einer Ausführungsform kann der Bereich des Substrats, über dem der Schichtenstapel aufgetragen wird, an den Bereich, den die Faltlinie einnimmt beziehungsweise bildet, angrenzen.After applying the layer stack, 201 . 202 and 203 over at least a portion of the substrate 204 can the opto-electronic structure 200 The folding line may be, for example, a virtual or pre-processed physical fold line, as described above, and the area of the substrate occupied by the fold line or forms, to the area with the layer stack, as described above, can be arranged. In one embodiment, the area of the substrate over which the layer stack is applied may adjoin the area occupied by the fold line.

Wie in 2 dargestellt bildet sich mittels des Faltens oder Falzens im Bereich um die Faltlinie herum ein gekrümmter Bereich in dem Substrat 204. Für den Fall, dass mittels des Faltens oder Falzens das gefaltete oder gefalzte Substrat 204 den mindestens einen Schichtenstapel, 201, 202 und 203, auf mindestens drei Seiten des Schichtenstapels umgibt beziehungsweise, umschließt, so grenzt zumindest teilweise der Schichtenstapel, 201, 202 und 203, an einer Stirnseite, wobei mit Stirnseite des Schichtenstapels die Seite definiert ist, bei der zumindest ein Teil der einzelnen Schichten des Schichtenstapels, 201, 202 und 203, als ein gestapeltes Bauelement, d. h. ein Stapel von Schichten beziehungsweise Elementen, sichtbar sind, jeweils abhängig davon, ob eine oder mehrere Schichten über jeweils andere Schichten hinausragen und diese verdecken können. Demgemäß ist die Oberseite beziehungsweise die Unterseite des Schichtenstapels, 201, 202 und 203, wobei die Oberseite der Unterseite gegenüberliegt, dadurch gekennzeichnet, dass bei diesen Seiten, Oberseite und Unterseite, zumindest im Wesentlichen nur eine der Schichten des Schichtenstapels, 201, 202 und 203, sichtbar sind, in Abhängigkeit, ob Schichten derart angeordnet sind, dass sie jeweils nur über einem Teil der darunter angeordneten Schichten aufgetragen sind. Dementsprechend umgibt beziehungsweise umschließt das Substrat 204 nach dem Falten beziehungsweise Falzen zumindest teilweise den Schichtenstapel, 201, 202 und 203, angrenzend an mindestens einer Stirnseite, Oberseite und Unterseite des Schichtenstapels, 201, 202 und 203. Mittels dieser derart gebildeten optoelektronischen Struktur 200 kann es ermöglicht werden, die optoelektronischen Struktur 200 derart gegenüber einer, der zuvor genannten, einstrahlenden elektromagnetischen. Strahlungen 205, beispielsweise eine Röntgenstrahlung oder Infrarotstrahlung beziehungsweise einen Spektralbereich hieraus, anzuordnen, dass die einfallende elektromagnetische Strahlung 205 durch eine Oberfläche des gekrümmten Bereichs des Substrats 204 hindurch tritt und auf dessen gegenüberliegenden Seite heraus tritt und auf die Stirnseite des Schichtenstapels, 201, 202 und 203, derart trifft, dass es im Wesentlichen auf die Stirnseite der Absorberschicht 202 trifft. Demgemäß wird kann die größte räumliche Ausdehnung der Absorberschicht 202 bereitgestellt werden und somit die größte beziehungsweise längste nutzbare Weglänge zur Absorption der Absorberschicht 202.As in 2 As shown, by folding or folding in the area around the fold line, a curved area is formed in the substrate 204 , In the event that by means of folding or folding the folded or folded substrate 204 the at least one layer stack, 201 . 202 and 203 , on at least three sides of the layer stack surrounds or encloses, so at least partially adjacent the layer stack, 201 . 202 and 203 , on an end face, wherein the side is defined with the end face of the layer stack, in which at least part of the individual layers of the layer stack, 201 . 202 and 203 , as a stacked device, ie a stack of layers or elements, are visible, each dependent whether one or more layers may protrude beyond each other's layers and obscure them. Accordingly, the top or the bottom of the layer stack, 201 . 202 and 203 wherein the upper side is opposite to the underside, characterized in that at these sides, upper side and lower side, at least substantially only one of the layers of the layer stack, 201 . 202 and 203 , are visible, depending on whether layers are arranged such that they are each applied only over a portion of the underlying layers. Accordingly, the substrate surrounds or encloses 204 after folding or folding at least partially the layer stack, 201 . 202 and 203 adjacent to at least one face, top and bottom of the layer stack, 201 . 202 and 203 , By means of this optoelectronic structure formed in this way 200 it can be made possible the optoelectronic structure 200 so in relation to one, the aforementioned, einstrahlenden electromagnetic. radiations 205 , For example, an X-ray or infrared radiation or a spectral range thereof, to arrange that the incident electromagnetic radiation 205 through a surface of the curved portion of the substrate 204 passes through and comes out on its opposite side and on the front side of the layer stack, 201 . 202 and 203 , such that it is substantially on the front side of the absorber layer 202 meets. Accordingly, the largest spatial extent of the absorber layer can be 202 be provided and thus the largest or longest usable path length for absorbing the absorber layer 202 ,

In 3 ist eine weitere Ausführungsform einer erfindungsgemäßen optoelektronische Struktur 300 dargestellt, die im Wesentlichen aus einem Substrat 301, den Elektrodenschichten, 302, 304, 305 und 307, sowie den elektrisch aktiven Absorberschichten 303 und 306, aufgebaut ist.In 3 is a further embodiment of an optoelectronic structure according to the invention 300 represented essentially from a substrate 301 , the electrode layers, 302 . 304 . 305 and 307 , as well as the electrically active absorber layers 303 and 306 , is constructed.

Die in 3 dargestellte Ausführungsform kann beispielsweise dadurch hergestellt beziehungsweise bereitgestellt werden, dass auf dem Substrat 301 eine Vielzahl von Bereichen mit jeweils mindestens einem Schichtenstapel, 302, 303, 304, 305, 306, 307 und 308, aufgebracht werden, wobei die Bereiche mit den Schichtenstapel, 302, 303, 304, 305, 306, 307 und 308, derart angeordnet sind, das mittels Faltens oder Falzens die Bereiche zumindest teilweise aneinander angrenzend angeordnet sind.In the 3 illustrated embodiment can be prepared or provided, for example, that on the substrate 301 a plurality of regions each having at least one layer stack, 302 . 303 . 304 . 305 . 306 . 307 and 308 , are applied, wherein the areas with the layer stacks, 302 . 303 . 304 . 305 . 306 . 307 and 308 , Are arranged such that the areas are arranged by means of folding or folding at least partially adjacent to each other.

Die Schichtenstapel, 302, 303, 304, 305, 306, 307 und 308, sind jeweils, wie zuvor beschrieben, derart eingerichtet, dass jeweils ein Schichtenstapel, 302, 303, 304, 305, 306, 307 und 308, aus mindestens einer ersten Elektrode, 302 und 307, einer ersten elektrisch aktiven Absorberschicht, 303 und 306, und mindestens einer zweiten Elektrode, 304 und 305, gebildet wird.The layer stacks, 302 . 303 . 304 . 305 . 306 . 307 and 308 are each, as described above, arranged such that in each case a layer stack, 302 . 303 . 304 . 305 . 306 . 307 and 308 , at least one first electrode, 302 and 307 , a first electrically active absorber layer, 303 and 306 , and at least one second electrode, 304 and 305 , is formed.

Jede der zuvor genannten Schichten kann jeweils mittels gleicher beziehungsweise ähnlicher Materialien gebildet werden beziehungsweise aufweisen, wie bereits zuvor beschrieben.Each of the aforementioned layers can each be formed by means of identical or similar materials or have, as already described above.

Jede der zuvor genannten Schichten kann jeweils gleich beziehungsweise ähnlich gegenüber den anderen Schichten angeordnet sein, wie bereits zuvor beschrieben.Each of the aforementioned layers may each be the same or similar to the other layers, as already described above.

Jede der zuvor genannten Schichten kann jeweils den gleichen beziehungsweise einen ähnlichen Aufbau beziehungsweise Zusammensetzung aufweisen, wie bereits zuvor beschrieben.Each of the aforementioned layers can each have the same or a similar structure or composition, as already described above.

Jede Faltlinie, kann jeweils gemäß der, zuvor beschriebenen, Faltlinien gebildet sein.Each fold line can be formed according to the fold lines described above.

Die in 3 dargestellte erfindungsgemäße optoelektronische Struktur 300 kann beispielsweise derart bereitgestellt sein, dass die Bereiche mit den Schichtenstapel, 302, 303, 304, 305, 306, 307 und 308 im Wesentlichen symmetrisch zueinander auf dem Substrat aufgetragen sind, wobei die Faltlinien zwischen den Bereichen mit den Schichtenstapel, 302, 303, 304, 305, 306, 307 und 308, angeordnet sind, dass mittels Faltens oder Falzens die Bereiche mit den Schichtenstapel, 302, 303, 304, 305, 306, 307 und 308, angrenzend aneinander angeordnet sind, wobei das Falten beziehungsweise das Falzen derart durchgeführt wird, dass jeweils die gekrümmten Bereiche um die Faltlinien herum, bei denen jeweils zwei Bereiche mit den Schichtenstapel, 302, 303, 304, 305, 306, 307 und 308, aneinander angrenzend angeordnet sind, wiederum aneinander angrenzen. Dementsprechend sind zwischen den Faltlinien, die mittels Faltens oder Falzens einen gekrümmten Bereich aufgrund der dazwischen angeordneten Schichtenstapel, 302, 303, 304, 305, 306, 307 und 308, bilden, zusätzliche Faltlinien angeordnet, wobei beim Falten oder Falzen, nur das Substrat 301 aneinander angrenzend angeordnet ist. Somit unterscheiden sich diese mindestens zuvor genannten zwei gekrümmten Bereiche im jeweiligen Radius voneinander. Darüber hinaus unterscheiden sich die zuvor genannten zwei gekrümmten Bereich dadurch, dass die gekrümmten Bereich, bei denen keine Schichtenstapel, 302, 303, 304, 305, 306, 307 und 308, zwischen dem Substrat 301 angeordnet sind, nach dem Falten oder Falzen nicht aneinander angrenzen. Das Falten beziehungsweise das Falzen entlang der Faltlinien erfolgt hierbei zum Beispiel in einer Zick-Zack-Struktur, d. h. bei jedem Falz oder jeder Falte wird alternierend die Faltrichtung beziehungsweise Falzrichtung gewechselt.In the 3 illustrated optoelectronic structure according to the invention 300 may for example be provided such that the areas with the layer stacks, 302 . 303 . 304 . 305 . 306 . 307 and 308 are applied substantially symmetrically to one another on the substrate, wherein the fold lines between the regions with the layer stacks, 302 . 303 . 304 . 305 . 306 . 307 and 308 , that are arranged by means of folding or folding the areas with the layer stacks, 302 . 303 . 304 . 305 . 306 . 307 and 308 , are arranged adjacent to each other, wherein the folding or the folding is carried out such that in each case the curved areas around the fold lines around, in each case two areas with the layer stack, 302 . 303 . 304 . 305 . 306 . 307 and 308 , adjacent to each other, in turn adjoin one another. Accordingly, between the folding lines, which by means of folding or folding, a curved portion due to the layer stacks arranged therebetween, 302 . 303 . 304 . 305 . 306 . 307 and 308 Forming, additional fold lines arranged, wherein when folding or folding, only the substrate 301 is arranged adjacent to each other. Thus, these at least two previously mentioned curved regions differ in the respective radius from each other. Moreover, the aforementioned two curved area differ in that the curved area, in which no stack of layers, 302 . 303 . 304 . 305 . 306 . 307 and 308 , between the substrate 301 are arranged, after folding or folding not adjacent to each other. The folding or folding along the fold lines takes place here, for example, in a zig-zag structure, ie at each fold or fold, the folding direction or folding direction is alternately changed.

Wie in 3 dargestellt können die Schichten auf mindestens einer Stirnseite des Schichtenstapels, 302, 303, 304, 305, 306, 307 und 308, derart eingerichtet sein, dass mindestens eine der Elektrodenschichten 305 zumindest teilweise über die anderen Schichten, 302, 303, 304, 306, 307 und 308, hinausragt und dabei einen Bereich bildet der aus über die Struktur 300 hinausragt. Hierdurch kann diese Elektrodenschicht, 305 und 308, beziehungsweise die angrenzenden Elektrodenschicht 304 aus der Struktur 300 nach außen elektrisch leitfähig gekoppelt werden. As in 3 the layers can be represented on at least one end face of the layer stack, 302 . 303 . 304 . 305 . 306 . 307 and 308 be arranged such that at least one of the electrode layers 305 at least partially over the other layers, 302 . 303 . 304 . 306 . 307 and 308 , protrudes, forming an area that looks out over the structure 300 protrudes. As a result, this electrode layer, 305 and 308 , or the adjacent electrode layer 304 out of the structure 300 be electrically conductively coupled to the outside.

Dadurch kann zum Beispiel eine solche optoelektronische Struktur 300 eine einfache und schnelle elektrische Verbindung zu weiteren elektrischen oder elektronischen Bauelementen oder Schaltungen bereitstellen.As a result, for example, such an optoelectronic structure 300 provide a simple and fast electrical connection to other electrical or electronic components or circuits.

Der überstehende oder darüber hinausragende Teil der Elektrodenschichten, 302, 304, 306 und 308, kann beispielsweise bis über den gekrümmten Bereich um die Faltlinien geführt werden, bei denen keine Schichtenstapel, 302, 303, 304, 305, 306, 307 und 308, zwischen dem Substrat 301 angeordnet sind, Darüber hinaus können die elektrisch aktiven Absorberschichten, 303 und 306, derart zwischen die Elektrodenschichten aufgetragen werden, dass zumindest teilweise eine Stirnseite mindestens einer Elektrodenschicht, 302, 304, 306, 307 und 308, mittels der Absorberschichten, 303 und 306, umgeben beziehungsweise umschlossen wird.The protruding or protruding part of the electrode layers, 302 . 304 . 306 and 308 , For example, can be performed over the curved area around the fold lines, in which no layer stacks, 302 . 303 . 304 . 305 . 306 . 307 and 308 , between the substrate 301 In addition, the electrically active absorber layers, 303 and 306 are applied between the electrode layers in such a way that at least partially an end face of at least one electrode layer, 302 . 304 . 306 . 307 and 308 , by means of the absorber layers, 303 and 306 , surrounded or enclosed.

Dadurch kann mittels der Absorberschichten, 303 und 306, eine schnelle und einfache Isolation zwischen den Elektroden bereitgestellt werden.As a result, by means of the absorber layers, 303 and 306 , a quick and easy isolation between the electrodes can be provided.

In 4 ist eine weitere Ausführungsform einer erfindungsgemäßen optoelektronische Struktur 400 dargestellt, die im Wesentlichen aus einem Substrat 401, den Schichtenstapel 406, den Faltlinien 401 und 402, der mindestens einen elektrisch leitfähigen Verbindung 404, den Elektrodenkontakten 405 und den im Wesentlichen freigelegten Bereichen 407 zwischen den Schichtenstapel aufgebaut ist.In 4 is a further embodiment of an optoelectronic structure according to the invention 400 represented essentially from a substrate 401 , the layer stack 406 , the fold lines 401 and 402 , the at least one electrically conductive connection 404 , the electrode contacts 405 and the substantially exposed areas 407 is constructed between the layer stacks.

Die Schichtenstapel 406 sind, gemäß den, zuvor bereits beschriebenen, Schichtenstapel aufgebaut und weisen die gleichen oder ähnliche Materialien auf beziehungsweise sind daraus gebildet und sind gleich oder ähnlich zueinander angeordnet.The layer stacks 406 are, according to the, previously described, stacked layers and have the same or similar materials or are formed therefrom and are the same or similar to each other.

Das Substrat 406 ist gemäß den zuvor beschriebenen Substraten gebildet, d. h. das Substrat 406 weist gleiche oder ähnliche Materialien auf beziehungsweise ist daraus gebildet.The substrate 406 is formed according to the substrates described above, ie the substrate 406 has the same or similar materials or is formed therefrom.

Die Faltlinien, 401 und 402, sind gemäß den zuvor beschriebenen Faltlinien gebildet.The fold lines, 401 and 402 are formed according to the fold lines described above.

In der Ausführungsform der erfindungsgemäßen optoelektronischen Struktur 400 kann eine Elektrodenschicht für alle beziehungsweise einen Teil der später eingesetzten Pixel der Photodiode beziehungsweise des Photodetektors des Arrays mittels der mindestens einen elektrisch leitfähigen Verbindung 404 über zum Beispiel eine Seite der Struktur 400 nach außen hin elektrisch leitfähig gekoppelt werden.In the embodiment of the optoelectronic structure according to the invention 400 For example, an electrode layer can be used for all or part of the pixels of the photodiode or of the photodetector of the array used later by means of the at least one electrically conductive connection 404 over, for example, one side of the structure 400 are electrically conductively coupled to the outside.

Die einzelnen Pixel im Array werden mittels der Schichtenstapel 506 definiert beziehungsweise festgelegt. Hierbei wird mittels der Elektrodenkontakte 405, die zwischen die Pixeln herausragen, wobei sich die den Elektrodenkontakten 405, der sich gegenüber angeordneten Pixel, zueinander versetzt angeordnet sind, eine Adressierung der einzelnen Pixel realisieren lässt.The individual pixels in the array are defined by means of the layer stacks 506 defined or defined. This is done by means of the electrode contacts 405 which protrude between the pixels, which are the electrode contacts 405 in that the pixels arranged opposite to one another are offset relative to one another, an addressing of the individual pixels can be realized.

Die Pixel in dem Array können derart über dem Substrat 403 angeordnet werden, dass jeweils benachbarte Pixel zumindest teilweise gleichmäßig voneinander räumlich getrennt angeordnet sind, d. h. dass beispielsweise die Pixel jeweils einen zuvor definierten Abstand zueinander beziehungsweise untereinander aufweisen. Dadurch können zumindest teilweise Faltlinien, 401 und 402, zwischen den Pixeln angeordnet werden. Die Faltlinien 402 stellen Faltlinien dar, bei denen nach dem Falten oder Falzen zwei Pixel gemäß 3 aneinander angrenzen. Die Faltlinien 401 stellen Faltlinien dar, bei denen nach dem Falten oder Falzen, zwei Substratbereiche 403 aneinander angrenzen.The pixels in the array may be above the substrate 403 are arranged so that each adjacent pixels are at least partially arranged evenly spaced apart from each other, ie that, for example, the pixels each have a previously defined distance from each other or with each other. As a result, at least partially folding lines, 401 and 402 , to be arranged between the pixels. The fold lines 402 represent fold lines in which after folding or folding two pixels according to 3 adjoin one another. The fold lines 401 represent fold lines where after folding or folding, two substrate areas 403 adjoin one another.

Die im Wesentlichen freigelegten Bereichen 407 sind dazu bereitgestellt, um ein Kurzschließen zwischen den einzelnen Pixeln zu verhindern. Die im Wesentlichen freigelegten Bereichen 407 sind dazu im Wesentlichen frei beziehungsweise freigelegt von zusätzlichen oder anderen Elementen.The essentially uncovered areas 407 are provided to prevent shorting between each pixel. The essentially uncovered areas 407 are essentially free or exposed to additional or other elements.

Der Vorteil der zuvor genannten Ausführungsform besteht, darin, dass sich damit großflächige erfindungsgemäße optoelektronische Strukturen verwirklichen lassen, die für eine Massenproduktion geeignet sind und somit auch kostengünstig hergestellt werden können, zum Beispiel in einem Rolle-zu-Rolle-Verfahren, wobei die einzelnen Strukturen mittels bereits genannte Strukturierungsverfahren oder beispielsweise nach einem Vereinzeln wiederum sehr kleine Dimensionen aufweisen können, was wiederum für eine hohe Ortsauflösung der Detektoren vorteilhaft ist.The advantage of the aforementioned embodiment is that large-area optoelectronic structures according to the invention can thereby be realized, which are suitable for mass production and thus can also be produced inexpensively, for example in a roll-to-roll process, wherein the individual structures can in turn have very small dimensions by means of already mentioned structuring methods or, for example, after a separation, which in turn is advantageous for a high spatial resolution of the detectors.

In 5 ist eine weitere Ausführungsform einer erfindungsgemäßen optoelektronische Struktur 500 dargestellt, die im Wesentlichen gemäß der Ausführungsform gemäß 3 mit einer zusätzlichen Schicht 501 aufgebaut ist.In 5 is a further embodiment of an optoelectronic structure according to the invention 500 illustrated substantially in accordance with the embodiment according to 3 with an extra layer 501 is constructed.

Alle Elemente außer die zusätzliche Schicht 501 der erfindungsgemäßen optoelektronische Struktur 500 sind gemäß 3 und den dort zuvor beschriebenen Ausführungen aufgebaut beziehungsweise darauf basierend gebildet.All elements except the additional layer 501 the optoelectronic structure according to the invention 500 are according to 3 and the embodiments described above built thereon or formed based on it.

Die zusätzliche Schicht 501 kann über der Seite des Substrats der optoelektronischen Struktur 500 aufgetragen werden, die im Wesentlichen freigelegt beziehungsweise frei von weiteren oder anderen Elementen beziehungsweise Strukturen ist.The additional layer 501 may be over the side of the substrate of the optoelectronic structure 500 are applied, which is substantially exposed or free of other or other elements or structures.

Die zusätzliche Schicht 501 kann über mindestens einer der Oberflächen des Substrats mindestens eine zusätzliche Schicht 501, beispielsweise eine Filterschicht, aufgetragen werden, welche der Oberfläche gegenüberliegt, auf der die Schichtenstapel angeordnet sind, und wobei die zusätzliche Schicht 501 derart eingerichtet sein kann, dass die zusätzliche Schicht 501 zumindest teilweise nur für eine zuvor bestimmte elektromagnetische Strahlung durchlässig, d. h. transparent oder transluzent für mindestens einen elektromagnetischen Spektralbereich, sein kann.The additional layer 501 may include at least one additional layer over at least one of the surfaces of the substrate 501 , For example, a filter layer are applied, which is opposite to the surface on which the layer stacks are arranged, and wherein the additional layer 501 may be configured such that the additional layer 501 at least partially transparent only for a predetermined electromagnetic radiation, ie transparent or translucent for at least one electromagnetic spectral range, can be.

Die zusätzliche Schicht 501 kann beispielsweise auf einer unbeschichteten Seite des Substrats oder Foliensubstrats, in einer Schicht oder auch mehrere Schichten eines angepassten Szintillatormaterials oder mehrerer angepasster Szintillatormaterialien aufgebracht werden. Die eingestrahlte elektromagnetische Strahlung kann durch das Substrat und die mindestens eine zusätzliche Schicht 501 hindurch dringen und von der zuvor genannten Photodetektorstruktur ortsaufgelöst detektiert werden. Die so vorprozessierte Folie oder Substrat übernimmt hierbei die Funktion der optischen Faserplatte bei konventionellen digitalen Röntgendetektorsystemen.The additional layer 501 For example, it may be applied to an uncoated side of the substrate or film substrate, in one layer, or even multiple layers of matched scintillator material or multiple matched scintillator materials. The irradiated electromagnetic radiation can pass through the substrate and the at least one additional layer 501 penetrate through and detected spatially resolved by the aforementioned photodetector structure. The preprocessed film or substrate assumes the function of the optical fiber plate in conventional digital X-ray detector systems.

BezugszeichenlisteLIST OF REFERENCE NUMBERS

105, 107, 201, 203, 302, 304, 305, 307, 406105, 107, 201, 203, 302, 304, 305, 307, 406
Elektrodenschichtelectrode layer
106, 202, 303, 306, 406106, 202, 303, 306, 406
Absorberschichtabsorber layer
104104
Optische WeglängeOptical path length
102102
Distanz zwischen den ElektrodenDistance between the electrodes
101101
Messschaltungmeasuring circuit
106, 205106, 205
Elektromagnetische StrahlungElectromagnetic radiation
204, 301, 403204, 301, 403
Substratsubstratum
308, 405308, 405
Elektrodenkontaktelectrode contact
401, 402401, 402
Faltlinienfold lines
404404
Elektrisch leitfähige VerbindungElectrically conductive connection
407407
Freigelegte BereicheUncovered areas
501501
Szintillatorschichtscintillator

Claims (11)

Optoelektronische Struktur (200) zur Detektion von mindestens einer elektromagnetischen Strahlung (205), aufweisend: • mindestens ein, für die jeweilige elektromagnetische Strahlung (205), transparentes und/oder transluzentes Substrat (204) mit mindestens einer oberen und einer unteren Oberfläche, wobei die obere Oberfläche der unteren Oberfläche gegenüberliegt; • wobei mindestens über einer der Oberflächen des Substrats (204) mindestens ein Schichtenstapel in mindestens einem Bereich des Substrats (204) derart aufgetragen ist, dass mittels zumindest eines ersten Faltens oder Falzens des Substrats (204) entlang mindestens einer Faltlinie der Schichtenstapel zumindest teilweise von dem Substrat umschlossen ist und eine Struktur bildet; • wobei sich entlang der Faltlinie ein gekrümmter Bereich im Substrat bildet; und • wobei der Schichtenstapel folgende Schichten aufweist: • mindestens eine erste Elektrodenschicht (201); • mindestens eine erste elektrisch aktive Absorberschicht (202), wobei die Absorberschicht (202) aus mindestens einer Schicht oder mehreren Schichten gebildet ist; und • mindestens eine zweite Elektrodenschicht (203); • wobei jeweils, zumindest teilweise, die elektrisch aktive Absorberschicht (202) über der ersten Elektrodenschicht (201) und die zweite Elektrodenschicht (203) über der elektrisch aktiven Absorberschicht (202) angeordnet ist; und • wobei die Struktur dadurch gekennzeichnet ist, dass • die Detektion der elektromagnetischen Strahlung (205) erfolgt derart, dass die elektromagnetische Strahlung (205) durch den gekrümmten Bereich des Substrats (204) hindurch tritt und dann mittels der Absorberschicht (202) detektiert wird.Optoelectronic structure ( 200 ) for the detection of at least one electromagnetic radiation ( 205 ), comprising: • at least one, for the respective electromagnetic radiation ( 205 ), transparent and / or translucent substrate ( 204 ) having at least one upper and one lower surface, the upper surface facing the lower surface; At least over one of the surfaces of the substrate ( 204 ) at least one layer stack in at least one region of the substrate ( 204 ) is applied in such a way that by means of at least a first folding or folding of the substrate ( 204 ) is at least partially enclosed by the substrate along at least one fold line of the layer stack and forms a structure; • wherein along the fold line forms a curved area in the substrate; and wherein the layer stack comprises the following layers: at least one first electrode layer 201 ); At least one first electrically active absorber layer ( 202 ), wherein the absorber layer ( 202 ) is formed of at least one layer or multiple layers; and at least one second electrode layer ( 203 ); Wherein in each case, at least partially, the electrically active absorber layer ( 202 ) over the first electrode layer ( 201 ) and the second electrode layer ( 203 ) over the electrically active absorber layer ( 202 ) is arranged; and • the structure being characterized in that • the detection of the electromagnetic radiation ( 205 ) takes place in such a way that the electromagnetic radiation ( 205 ) through the curved region of the substrate ( 204 ) and then by means of the absorber layer ( 202 ) is detected. Optoelektronische Struktur (200) gemäß Anspruch 1, wobei mindestens eine der Elektrodenschichten (201, 203) in dem Schichtenstapel derart gebildet ist, dass die Elektrodenschicht (201, 203) zumindest teilweise seitlich über alle anderen Schichten des Schichtenstapels herausragt.Optoelectronic structure ( 200 ) according to claim 1, wherein at least one of the electrode layers ( 201 . 203 ) is formed in the layer stack such that the electrode layer ( 201 . 203 ) projects at least partially laterally beyond all other layers of the layer stack. Optoelektronische Struktur (200) gemäß mindestens einem der vorgenannten Ansprüche, wobei die elektrisch aktive Absorberschicht (202) derart über der Elektrodenschicht (201, 203), die über dem Substrat (204) angeordnet ist, aufgetragen ist, dass die elektrisch aktive Absorberschicht (202) zumindest teilweise einen Bereich über der Elektrodenschicht (201, 203) und zumindest teilweise einen Bereich einer zusätzlichen Fläche der Elektrodenschicht (201, 203) umschließt.Optoelectronic structure ( 200 ) according to at least one of the preceding claims, wherein the electrically active absorber layer ( 202 ) above the electrode layer ( 201 . 203 ) above the substrate ( 204 ), is applied, that the electrically active absorber layer ( 202 ) at least partially a region above the electrode layer ( 201 . 203 ) and at least partially a region of an additional area of the electrode layer ( 201 . 203 ) encloses. Optoelektronische Struktur (200) gemäß mindestens einem der vorgenannten Ansprüche, • wobei über mindestens einer der Oberflächen des Substrats (204) mindestens eine erste Schicht aufgetragen ist, die der Oberfläche gegenüberliegt auf der die Schichtenstapel angeordnet sind; • und wobei die Schicht derart eingerichtet ist, dass die Schicht zumindest teilweise für eine zuvor bestimmte elektromagnetische Strahlung (205) transparent oder transluzent ist.Optoelectronic structure ( 200 ) according to at least one of the preceding claims, Wherein at least one of the surfaces of the substrate ( 204 ) at least one first layer is applied, which is opposite to the surface on which the layer stacks are arranged; And wherein the layer is arranged such that the layer is at least partially exposed to a predetermined electromagnetic radiation ( 205 ) is transparent or translucent. Optoelektronische Struktur (200) gemäß mindestens einem der vorgenannten Ansprüche, wobei die elektrisch aktive Absorberschicht (202) und/oder das Substrat (204) und/oder mindestens eine oder mehrere zusätzlich aufgebrachte Schichten mindestens teilweise zumindest eines der Materialien aus der Gruppe von Materialien, die eine Strahlung einer elektromagnetischen Wellenlänge absorbieren und Strahlung einer anderen elektromagnetischen Wellenlänge emittieren, aufweist, wobei die Gruppe von Materialien aufweist: BaI2, BaI2:Ce, BaF2, Bi4Ge3O12, CsF, CsI, CsI:Tl, CsI:Na, CsI:In, Gd2SiO5, Gd2O2S:Tb, CdWO4, CdS:In, CdF, KI:Tl, CaF2:Eu, CaWO4, LaCl3:Ce, LaBr3:Ce, LiI:Eu, LSO, LuI3:Ce, NaI:Tl, SrI, ZnSe:O, ZnSe:Te, ZnS:Ag, Y3Al5O12:Ce, C14H10, C10H8 und/oder C14H12.Optoelectronic structure ( 200 ) according to at least one of the preceding claims, wherein the electrically active absorber layer ( 202 ) and / or the substrate ( 204 ) and / or at least one or more additionally applied layers at least partially comprising at least one of the group of materials that absorb radiation of one electromagnetic wavelength and emit radiation of another electromagnetic wavelength, the group of materials comprising: BaI 2 , BaI 2 : Ce, BaF 2 , Bi 4 Ge 3 O 12 , CsF, CsI, CsI: Tl, CsI: Na, CsI: In, Gd 2 SiO 5 , Gd 2 O 2 S: Tb, CdWO 4 , CdS: In , CdF, KI: Tl, CaF 2: Eu, CaWO 4, LaCl 3: Ce, LaBr 3: Ce, LiI: Eu, LSO, LuI 3: Ce, NaI: Tl, SrI, ZnSe: O, ZnSe: Te, ZnS: Ag, Y 3 Al 5 O 12 : Ce, C 14 H 10 , C 10 H 8 and / or C 14 H 12 . Optoelektronische Struktur (200) gemäß mindestens einem der vorgenannten Ansprüche, wobei die elektrisch aktive Absorberschicht (202) zumindest teilweise mindestens eines der Materialien aus der Gruppe von Absorbermaterialien aufweist, wobei die Gruppe von Absorbermaterialien aufweist: C60, C70, PCBM, PC61BM, PCBM, PC71BM und/oder ICBA, P3HT, PTB7-Th, PBDTTT-EFT, PTB7, PCDTBT, PF10TBT, PDTP-DFBT, PFFBT7T-2OD, PbS, CdS, Si, Gemische aus Fullerenen und Polymeren, Gemische aus Fullerenen, Polymeren und Szintillatormaterialien und/oder Gemische aus Fullerenen, Polymeren und PbS-Nanopartikeln.Optoelectronic structure ( 200 ) according to at least one of the preceding claims, wherein the electrically active absorber layer ( 202 ) at least partially comprises at least one of the group of absorber materials, the group of absorber materials comprising: C60, C70, PCBM, PC61BM, PCBM, PC71BM and / or ICBA, P3HT, PTB7-Th, PBDTTT-EFT, PTB7, PCDTBT , PF10TBT, PDTP-DFBT, PFFBT7T-2OD, PbS, CdS, Si, mixtures of fullerenes and polymers, mixtures of fullerenes, polymers and scintillator materials and / or mixtures of fullerenes, polymers and PbS nanoparticles. Optoelektronische Struktur (200) gemäß mindestens einem der vorgenannten Ansprüche, wobei das Substrat (204) eine Dicke, gebildet zwischen der unteren und der oberen Oberfläche, aufweist, die in einem Bereich von 0,5 μm bis zu 100 μm liegt.Optoelectronic structure ( 200 ) according to at least one of the preceding claims, wherein the substrate ( 204 ) has a thickness formed between the lower and upper surfaces ranging from 0.5 μm to 100 μm. Optoelektronische Struktur (200) gemäß mindestens einem der vorgenannten Ansprüche, wobei das gefaltete Substrat (204) Falten bildet und wobei eine gebildete Falte eine Faltenhöhe zwischen zwei aufeinanderfolgenden Faltlinien aufweist, die in einem Bereich von 0.1 mm bis zu 2 cm liegt.Optoelectronic structure ( 200 ) according to at least one of the preceding claims, wherein the folded substrate ( 204 ) And wherein a formed pleat has a pleat height between two successive fold lines ranging from 0.1 mm to 2 cm. Optoelektronische Struktur (200) gemäß mindestens einem der vorgenannten Ansprüche, wobei das gefaltete Substrat (204) mindestens zwei Pixel, gebildet mittels mindestens zweier Falten, bildet und wobei der gebildete Pixelabstand, gebildet senkrecht zur Faltrichtung und zwischen zwei Pixeln, aufweist, der in einem Bereich von 1 μm bis zu 1 mm liegt.Optoelectronic structure ( 200 ) according to at least one of the preceding claims, wherein the folded substrate ( 204 ) has at least two pixels, formed by means of at least two folds, and wherein the formed pixel pitch, formed perpendicular to the folding direction and between two pixels, lies in a range from 1 μm to 1 mm. Optoelektronische Struktur (200) gemäß mindestens einem der vorgenannten Ansprüche, wobei die elektrisch aktive Absorberschicht (202) eine Dicke aufweist, die in einem Bereich von 30 nm bis zu 10 μm liegt.Optoelectronic structure ( 200 ) according to at least one of the preceding claims, wherein the electrically active absorber layer ( 202 ) has a thickness ranging from 30 nm to 10 μm. Optoelektronische Struktur (200) gemäß mindestens einem der vorgenannten Ansprüche, • wobei senkrecht zu den, mittels des Faltens gebildeten Pixeln in dem Schichtenstapel mittels Strukturierens zusätzliche Pixel gebildet sind; • wobei die zusätzlichen Pixel einen räumlichen Abstand zueinander aufweisen, der in einem Bereich von 20 μm bis zu 1 cm liegt.Optoelectronic structure ( 200 ) according to at least one of the preceding claims, wherein perpendicular to the pixels formed by folding in the layer stack by means of structuring additional pixels are formed; • wherein the additional pixels have a spatial distance to each other, which is in a range of 20 microns to 1 cm.
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