DE10220924A1 - Sensorschaltungsmodul und elektronische Vorrichtung unter Verwendung desselben - Google Patents
Sensorschaltungsmodul und elektronische Vorrichtung unter Verwendung desselbenInfo
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Abstract
Ein Vibrationsgyroskop, das ein Sensorschaltungsmodul ist, weist ein Gehäusesubstrat, ein Schwingelement, das auf dem Substrat angebracht ist, ein Halbleiterelement des Bärenchip-Typs, das durch Flip-Chip-Bonden angebracht ist, ein Chipteil und eine Abdeckung auf. Der Teil der Endflächen des Gehäusesubstrats, in dem keine Durchgangslöcheranschlüsse gebildet sind, ist mit einem lichtabschirmenden Beschichtungsmaterial beschichtet, das eine Lichtübertragungs-Stoppeinrichtung ist. Wünschenswerterweise ist die Farbe des lichtabschirmenden Beschichtungsmaterials möglichst dunkel und ist, falls möglich, schwarz.
Description
Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf ein Sensorschal
tungsmodul und eine elektronische Vorrichtung unter Verwen
dung desselben und spezieller auf ein Sensorschaltungsmo
dul, wie z. B. ein Vibrationsgyroskop zur Verwendung als
eine Vorrichtung zum Korrigieren eines Verwackelns einer
Videokamera, und eine elektronische Vorrichtung unter Ver
wendung desselben.
Fig. 10 ist eine auseinandergenommene perspektivische An
sicht eines Vibrationsgyroskops, das eines von Sensorschal
tungsmodulen der verwandten Technik ist. In Fig. 10 weist
ein Vibrationsgyroskop 1 ein Gehäusesubstrat 2, ein Schwin
gungselement 4, das ein Sensorelement ist, das auf dem Ge
häusesubstrat angebracht ist, ein Halbleiterelement 5 vom
Nachtchiptyp, das durch Flip-Chip-Bonden angebracht ist,
ein Chipteil 6, wie z. B. einen Chipwiderstand, einen Chip
kondensator oder dergleichen und eine Abdeckung 7 auf. Das
Gehäusesubstrat 2 ist aus Harz gefertigt. Vier Durchgangs
lochanschlüsse 3 sind auf den Endflächen des Substrats 2
vorgesehen und sind durch Teilen von jedem Durchgangsloch,
das auf dem Gehäusesubstrat 2 gebildet ist, in im wesentli
chen zwei Hälften gebildet.
Von diesen Komponenten enthält das Halbleiterelement 5 eine
integrierte Schaltung mit einer Schaltung zum Treiben des
Schwingelements 4 und eine Schaltung zum Erfassen einer Co
lioris-Kraft basierend auf einem Signal, das vom Schwing
element 4 ausgegeben wird. Die integrierte Schaltung umfaßt
eine Verstärkerschaltung mit einem hohen Verstärkungsfak
tor, da das Halbleiterelement 5 feine Signale verarbeitet.
Die Durchgangslochanschlüsse 3 werden zum Ein- und Ausgeben
eines Signals und zum Erden verwendet.
Fig. 11 ist eine perspektivische Ansicht des Halbleiterele
ments 5. In Fig. 11 weist das Halbleiterelement 5 ein Halb
leitersubstrat 5a, einen Schaltungsbildungsbereich 5b, der
in der Mitte einer Hauptfläche des Halbleitersubstrats 5a
gebildet ist, und eine Mehrzahl von Kontakthügeln 5c, die
so angeordnet sind, um den Schaltungsbildungsbereich 5b auf
der einen Hauptfläche des Halbleitersubstrats 5a zu umge
ben, auf.
Fig. 12 ist eine Draufsicht, die den Teil des Gehäusesub
strats 2 zeigt, auf dem das Halbleiterelement 5 befestigt
ist. Wie in Fig. 12 gezeigt ist, weist ein Bereich 2b des
Gehäusesubstrats 2 zum Anbringen des Halbleiterelements 5
eine Mehrzahl von Verdrahtungselektroden 2a auf, die auf
demselben gebildet sind, um einer Mehrzahl der Kontakthügel
5c des Halbleiterelements 5 zu entsprechen. Das Halbleiter
element 5 ist auf dem Bereich 2b des Gehäusesubstrats 2 im
Flip-Chip-Verfahren angebracht, wobei die eine Hauptfläche
des Halbleiterelements 5 mit dem Bereich 2b in Kontakt ge
bracht wird. Daher ist eine Mehrzahl von Kontakthügeln 5c
mit einer Mehrzahl von Verdrahtungselektroden 2a verbunden.
Es sollte beachtet werden, daß in einem Teil des Bereichs
2b des Gehäusesubstrats 2 zum Anbringen des Halbleiterele
ments 5 keine Elektroden gebildet sind, wobei der Teil des
Bereichs 2b entgegengesetzt zum Schaltungsbildungsbereich
5b des Halbleiterelements 5 angeordnet ist, um eine Erzeu
gung von Streukapazität zu verhindern.
Wenn auf das oben beschriebene Vibrationsgyroskop 1 ein ex
ternes Licht gerichtet wird, wird ein Ausgangssignal des
selben variiert. Das heißt, das das Vibrationsgyroskop 1
problematischerweise eine Funktionsstörung aufweist. Diese
wird wie folgt verursacht: wenn ein Licht in das Gehäuse
substrat 2 durch eine Endfläche desselben eintritt, durch
das Innere des Gehäusesubstrats 2 gelangt und den Schal
tungsbildungsbereich des Halbleiterelements 5, das durch
Flip-Chip-Bonden angebracht wurde, erreicht, absorbiert das
Halbleiterelement 5 das Licht, um eine elektromotorische
Kraft zu erzeugen. Speziell in dem Fall, in dem das Vibra
tionsgyroskop in einer Videokamera verwendet wird, üben ein
Blitz und eine Fernbedienung, die für die Videokamera vor
gesehen sind, und Infrarotstrahlen, die bei einer Infrarot
strahlenkommunikation verwendet werden, Einflüsse aus, so
daß das Vibrationsgyroskop leicht Funktionsstörungen auf
weisen kann. In anderen Worten, wenn ein Halbleiter, der
kein Bärenchiptyp ist, sondern mit Anschlüssen versehen und
harzgeformt ist, verwendet wird, treten die oben beschrie
benen Probleme nicht auf.
Ein Licht, das von der oberen Seite des Gehäusesubstrats 2
aufgebracht wird, wird durch die Abdeckung 7 abgeschirmt,
während ein Licht von der unteren Seite des Gehäusesub
strats 2 durch eine Elektrode, die auf der hinteren Ober
fläche des Gehäusesubstrats 2 gebildet ist, und durch eine
Elektrode, die auf der Oberfläche eines gedruckten Sub
strats gebildet ist, auf dem das Gehäusesubstrat 2 ange
bracht ist, abgeschirmt wird, wobei die Elektrode in Kon
takt mit der hinteren Oberfläche des Gehäusesubstrats 2 po
sitioniert ist. Folglich übt ein solches Licht weniger Ein
fluß auf das Halbleiterelement 5 aus.
Die oben beschriebenen Probleme werden leichthin verur
sacht, wenn ein Halbleiterelement des Nachtchip-Typs durch
Flip-Chip-Bonden angebracht ist. Außerdem, wenn das Halb
leiterelement angebracht ist, während der Schaltungsbil
dungsbereich desselben so ausgerichtet ist, daß er nach
oben gerichtet ist, und eine Verdrahtung durch Drahtbonden
gebildet ist, treten auch ähnliche Probleme aufgrund eines
Lichts auf, das in das Gehäusesubstrat durch eine Endfläche
desselben eintritt, von der Oberfläche desselben austritt
und innerhalb der Abdeckung reflektiert.
Es ist eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung, ein Sensor
schaltungsmodul mit einem Gehäusesubstrat zu schaffen, bei
dem verhindert wird, daß Licht auf einen Schaltungsbil
dungsbereich des Halbleiterelements übertragen wird.
Dies Aufgabe wird durch ein Sensorschaltungsmodul gemäß An
spruch 1 gelöst.
Folglich ist es eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung,
die oben beschriebenen Probleme zu lösen und ein Sensor
schaltungsmodul, das keine Funktionsstörungen aufweisen
kann, die durch ein externes Licht, das in ein Gehäusesub
strat über eine Endfläche desselben eintritt, verursacht
werden können, und eine elektronische Vorrichtung unter
Verwendung desselben zu schaffen.
Gemäß der vorliegenden Erfindung wird ein Sensorschaltungs
modul geschaffen, das ein Gehäusesubstrat, ein Sensorele
ment, das auf dem Gehäusesubstrat angebracht ist, und ein
Halbleiterelement vom Nachtchip-Typ aufweist, wobei das Ge
häusesubstrat mit einer Lichttransmissions-
Blockiereinrichtung versehen ist, die verhindert, daß ein
Licht zu einem Schaltungsbildungsbereich des Halbleiterele
ments durch eine Endfläche des Gehäusesubstrats übertragen
wird.
Vorzugsweise weist das Sensorschaltungsmodul ferner eine
Abdeckung zum Schützen des Sensorelements und des Halblei
terelements auf, wobei die Abdeckung auf das Gehäusesub
strat angebracht ist, um die Endflächen des Gehäusesub
strats nicht zu bedecken.
Vorzugsweise enthält das Halbleiterelement auch eine Ver
stärkerschaltung mit einem hohen Verstärkungsfaktor.
Vorzugsweise ist die Lichtübertragungs-Stoppeinrichtung ein
lichtabschirmendes Beschichtungsmaterial, mit dem die End
flächen des Gehäusesubstrats beschichtet sind.
Vorzugsweises sind die Endflächen des Gehäusesubstrats auch
im wesentlichen durch Durchgangslochanschlüsse zum Ein- und
Ausgeben eines Signals und durch Durchgangslochanschlüsse
zum Lichtabschirmen besetzt.
Vorzugsweise, weist ein Material, das das Gehäusesubstrat
bildet, wie die Lichtübertragungs-Stoppeinrichtung, einen
geringen optischen Transmissionsgrad auf.
Vorzugsweise weist das Material, das das Gehäusesubstrat
bildet, einen optischen Transmissionsgrad im Wellenlängen
bereich von 600 bis 1000 nm, der im wesentlichen gleich dem
des Wellenlängenbereichs von 400 bis 600 nm ist, auf.
Vorzugsweise ist das Halbleiterelement durch Flip-Chip-
Bonden angebracht, und wie bei der Lichtübertragungs-
Stoppeinrichtung ist eine Elektrode zum Abschirmen des
Lichts auf dem Teil des Gehäusesubstrats gebildet, der dem
Schaltungsbildungsbereich des Halbleiterelements entgegen
gesetzt ist.
Vorzugsweise ist das Halbleiterelement durch Flip-Chip-
Bonden angebracht, und wie bei der Lichtübertragungs-
Stoppeinrichtung wird ein Harz mit einer Lichtabschirmei
genschaft in einen Zwischenraum zwischen dem Gehäusesub
strat und dem Halbleiterelement gefüllt.
Gemäß der vorliegenden Erfindung wird eine elektronische
Vorrichtung unter Verwendung eines der oben beschriebenen
Sensorschaltungsmodule geschaffen.
Das Sensorschaltungsmodul der vorliegenden Erfindung, das
die oben beschriebene Konfiguration aufweist, ist dahinge
hend von Vorteil, daß verhindert wird, das das Modul Funk
tionsstörungen aufweist, die dadurch verursacht werden kön
nen, daß ein externes Licht in das Gehäusesubstrat über ei
ne Endfläche desselben eintritt.
Die elektronische Vorrichtung der vorliegenden Erfindung
ist dahingehend von Vorteil, das das Verhalten der Vorrich
tung verbessert ist.
Bevorzugte Ausführungsbeispiele der vorliegenden Erfindung
werden nachfolgend Bezug nehmend auf die beiliegenden
Zeichnungen näher erläutert. Es zeigen:
Fig. 1 eine auseinandergenommene perspektivische Ansicht
eines Vibrationsgyroskop, das ein Beispiel des
Sensorschaltungsmoduls der vorliegenden Erfindung
ist;
Fig. 2 ein Schaltplan des Vibrationsgyroskops von Fig.
1;
Fig. 3A und 3B charakteristische Diagramme, die jeweils Verände
rungen der Ausgangssignale aus dem Vibrationsgy
roskop von Fig. 1 und 10, die durch Licht bewirkt
wurden, zeigt;
Fig. 4 eine auseinandergenommene perspektivische Ansicht
eines Vibrationsgyroskop, das ein weiteres Bei
spiel des Sensorschaltungsmoduls der vorliegenden
Erfindung ist;
Fig. 5 eine auseinandergenommene perspektivische Ansicht
eines Vibrationsgyroskops, das noch ein weiteres
Beispiel des Sensorschaltungsmoduls der vorlie
genden Erfindung ist;
Fig. 6A bis 6D charakteristische Diagramme, die den optischen
Transmissionsgrad von Materialien zeigen, die ein
Gehäusesubstrat bilden, das im Sensorschaltungs
modul der vorliegenden Erfindung verwendet wird;
Fig. 7 ist eine Draufsicht, die den Teil eines Gehäuse
substrats zeigt, auf dem ein Halbleiterelement in
einem Vibrationsgyroskop angebracht werden soll,
das ein weiteres Beispiel des Sensorschaltungsmo
duls der vorliegenden Erfindung ist;
Fig. 8 eine Querschnittsansicht, die den Teil eines Vib
rationsgyroskops zeigt, der ein weiteres Beispiel
des Sensorschaltungsmodul der vorliegenden Erfin
dung ist, bei dem eine Halbleitervorrichtung auf
ein Gehäusesubstrat angebracht ist;
Fig. 9 eine perspektivische Ansicht, die ein Beispiel
der elektronischen Vorrichtung der vorliegenden
Erfindung zeigt;
Fig. 10 eine auseinandergenommene perspektivische Ansicht
eines Vibrationsgyroskops, das ein Sensorschal
tungsmodul der verwandten Technik ist;
Fig. 11 eine perspektivische Ansicht eines Halbleiterele
ments, das im Vibrationsgyroskop von Fig. 9 ver
wendet wird; und
Fig. 12 eine Draufsicht, die den Teil des Gehäusesub
strats zeigt, auf dem das Halbleiterelement im
Vibrationsgyroskop von Fig. 10 angebracht werden
soll.
Fig. 1 ist eine auseinandergenommene perspektivische An
sicht eines Vibrationsgyroskops, das ein Beispiel des Sen
sorschaltungsmoduls der vorliegenden Erfindung ist. In Fig.
1 werden Teile, die mit jenen, die in Fig. 10 gezeigt sind,
identisch sind oder diesen entsprechen, durch die gleichen
Bezugszeichen bezeichnet, und von einer erneuten Beschrei
bung wird abgesehen.
Bei dem Vibrationsgyroskop 10, das in Fig. 10 gezeigt ist,
ist der Teil der Endflächen des Gehäusesubstrats 2, in dem
die Durchgangslochanschlüsse 3 zum Aus- und Eingeben eines
Signals und Erden nicht gebildet sind, mit einem lichtab
schirmenden Beschichtungsmaterial 18 beschichtet, das eine
Lichttransmissions-Blockiereinrichtung ist. Vorzugsweise
ist die Farbe des Lichtabschirmungs-Beschichtungsmaterials
18 so dunkel wie möglich und möglichst schwarz. Außerdem
ist das lichtabschirmende Beschichtungsmaterial 18 vorzugs
weise mit einer sehr großen Dicke aufgebracht. Speziell
weist das lichtabschirmende Beschichtungsmaterial 18 für
das Vibrationsgyroskop zur Verwendung in einer Videokamera
vorzugsweise einen niedrigen Transmissionsgrad eines Infra
rotstrahls auf.
Fig. 2 ist ein Schaltplan des Vibrationsgyroskops 10, das
in Fig. 1 gezeigt ist. Bei dem Vibrationsgyroskop 10 von
Fig. 2 enthält das Schwingelement 4, das ein Sensorelement
ist, zwei Elektroden zum Erfassen und eine Elektrode zum
Treiben. Die zwei Elektroden zum Erfassen des Schwingele
ments 4 sind mit Pufferverstärkern Buf1 bzw. Buf2 verbun
den. Die Ausgänge aus den Pufferverstärkern Buf1 und Buf2
sind über eine Additionsschaltung 11 mit einer Oszillati
onsschaltung 12 verbunden. Ein Ausgang aus der Oszillati
onsschaltung 12 ist mit der Treiberelektrode des Schwing
elements 4 verbunden. Außerdem sind die Ausgänge der Puf
ferverstärker Buf1 und Buf2 jeweils mit einer BTL-Schaltung
13 verbunden. Ein Ausgang aus der BTL-Schaltung 13 ist in
zwei Teile geteilt, die jeweils mit den Erfassungselektro
den des Schwingelements 4 über die Widerstände RL bzw. RR
verbunden sind. Außerdem sind die Ausgänge aus den Puffer
verstärkern Buf1 und Buf2 mit einem Differentialverstärker
14 verbunden. Ein Ausgang aus dem Differentialverstärker 14
ist mit einer synchronen Erfassungsschaltung 15 verbunden.
Der Ausgang aus der Oszillationsschaltung 12 ist ebenfalls
mit der synchronen Erfassungsschaltung 15 verbunden. Ein
Ausgang aus der synchronen Erfassungsschaltung 15 ist mit
einem Ausgangsanschluß OUT über eine Glättungsschaltung 16
und einen Gleichstromverstärker 17 verbunden. Alle diese
Elemente ausschließlich des Schwingelements 4, eines Wider
stands R1 der synchronen Erfassungsschaltung 15, eines Kon
densators C1 der Glättungsschaltung 16 und eines Kondensa
tors C2 des Gleichstromverstärkers 17 sind auf dem Halblei
terelement 5 integriert. Das heißt, daß mehrere Verstärker
schaltungen mit hohen Verstärkungsfaktoren, wie z. B. die
Pufferverstärker Buf1 und Buf2, der BTL-Verstärker 13, der
Differentialverstärker 14 usw. auf dem Halbleiterelement 5
gebildet sind.
Der Betrieb des Vibrationsgyroskops 10, das wie vorstehend
beschrieben gebildet ist, ist einfach beschrieben. Zuerst
werden Signale, die aus den zwei Erfassungselektroden des
Schwingelements 4 ausgegeben werden, durch die Pufferver
stärker Buf1 bzw. Buf2 verstärkt und der Zusatzschaltung 11
hinzugefügt, so daß die Colioris-Kraft-Komponente ausge
schlossen ist. Das Signal wird in der Oszillationsschaltung
12 phasenjustiert und verstärkt. Anschließend wird das Sig
nal an die Treiberelektrode des Schwingelements 4 angelegt.
Folglich erfährt das Vibrationsgyroskop 10 durch die Eige
noszillation eine Biegungsschwingung. In diesem Fall wird
das Signal, dessen Phase sich entgegengesetzt zu der der
Signale verhält, die an die Treiberelektrode über die BTL-
Schaltung 13 und die Widerstände RL und RR angelegt wurden,
an die zwei Erfassungselektroden des Schwingelements 4 an
gelegt, so daß die Biegeschwingung des Schwingelements 4
effizienter ist. Für die Signale, die aus den zwei Erfas
sungselektroden des Schwingelements 4 ausgegeben werden,
wird die Antriebssignalkomponente aus denselben durch den
Differentialverstärker 14 entfernt. Die Signale werden syn
chron in der synchronen Erfassungsschaltung 15 erfaßt, in
der Glättungsschaltung 16 geglättet und durch den Gleich
stromverstärker 17 verstärkt. Auf diese Weise wird nur die
Colioris-Kraft-Komponente aus dem Ausgangsanschluß OUT aus
gegeben.
Fig. 3A und 3B zeigen eine Veränderung eines Ausgangssig
nals aus dem Vibrationsgyroskop 10, das wie vorstehend be
schrieben konfiguriert ist, wenn ein Licht, das über einen
vorbestimmten Zeitraum blinkt, auf das Vibrationsgyroskop
10 gerichtet wird. Im Vergleich dazu zeigt Fig. 1A die Ver
änderung eines Ausgangssignals aus dem Vibrationsgyroskop 1
der verwandten Technik, das in Fig. 10 gezeigt ist, und
Fig. 1B zeigt die Veränderung eines Ausgangssignals aus dem
Vibrationsgyroskop 10 von Fig. 1 gemäß der vorliegenden Er
findung. In diesem Fall werden keine Winkelgeschwindigkei
ten an die Vibrationsgyroskope 1 und 10 angelegt.
Wie in Fig. 3A und 3B zu sehen ist, ist die Differenz zwi
schen den Ausgangsspannungen aus dem Vibrationsgyroskop 1
der verwandten Technik, die sich ergibt, wenn das Licht
ein- und ausgeschaltet wird, groß, während die zwischen den
Ausgangsspannungen des Vibrationsgyroskops 10 gemäß der
vorliegenden Erfindung auf etwa ein Viertel der Differenz
des Vibrationsgyroskops 1 der verwandten Technik reduziert
wird.
Wie vorstehend beschrieben wurde, wird bei dem Vibrations
gyroskop 10 gemäß der vorliegenden Erfindung das lichtab
schirmende Beschichtungsmaterial 18 auf den Teil der End
flächen des Gehäusesubstrats 2 aufgebracht, in dem keine
Durchgangslochanschlüsse 3 gebildet sind. Daher tritt kein
Licht durch die Endflächen des Gehäusesubstrats 2 ein. Es
wird verhindert, daß sich ein Ausgangssignal aus dem Vibra
tionsgyroskop 10 verändert, was durch Licht bewirkt werden
kann, das in das Gehäusesubstrat eintritt und durch das
Halbleiterelement 5 absorbiert wird.
Fig. 4 ist eine auseinandergenommene perspektivische An
sicht, die ein Sensorschaltungsmodul gemäß einem weiteren
Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung zeigt. In
Fig. 4 werden Teile, die mit jenen, die in Fig. 10 gezeigt
sind, identisch sind oder diesen entsprechen, durch die
gleichen Bezugszeichen bezeichnet, von einer erneuten Be
schreibung wird abgesehen.
Bei einem Vibrationsgyroskop 20, das in Fig. 4 gezeigt ist,
werden die Durchgangslochanschlüsse 22, die Lichtübertra
gungs-Stoppeinrichtungen sind, in dem Teil der Endflächen
des Gehäusesubstrats 21 des Vibrationsgyroskop 20 gebildet,
in dem die Durchgangslochanschlüsse 3 zum Ein- und Ausgeben
eines Signals und zum Erden nicht gebildet sind. Daher ist
ein großer Teil der Endflächen des Gehäüsesubstrats 21
durch die Durchgangslochanschlüsse 3 und 22 besetzt. Wün
schenswerterweise sind die Durchgangslöcher 22 aus Elektro
den gefertigt, die eine Dicke aufweisen, so daß Licht nicht
durch die Durchgangslöcher 22 übertragen werden kann. Au
ßerdem sind die Durchgangslöcher 22 wünschenswerterweise in
der größtmöglichen Größe gebildet, so daß der Bereich auf
den Endflächen auf dem Gehäusesubstrats 21 ausschließlich
der Durchgangslochanschlüsse 3 und 22 möglichst weitgehend
verringert ist. Speziell die Durchgangslöcher 22 sind vor
zugsweise auf den Endflächen des Gehäusesubstrats 21 gebil
det, um in den Positionen, die sich näher an der Anbrin
gungsposition des Halbleiterelements 5 befinden, größer zu
sein.
Bei dem Vibrationsgyroskop 20, das wie oben beschrieben
konfiguriert ist, tritt kein Licht in die Endflächen des
Gehäusesubstrats 21 ein, wie es beim Vibrationsgyroskop 10,
das in Fig. 1 gezeigt ist, der Fall ist. Daher wird verhin
dert, daß sich ein Ausgangssignal aus dem Vibrationsgyro
skop 20 verändert, was durch ein Licht bewirkt werden kann,
das in das Gehäusesubstrat eintritt und im Halbleiterele
ment 5 absorbiert wird.
Es ist nicht notwendig, die Durchgangslöcher 22 mit einer
Schaltung im Vibrationsgyroskop 20 zu verbinden. Im hochoh
migen Zustand können die Durchgangslöcher 22 jedoch als An
tennen funktionieren, die sich gefährlich auf den Betrieb
des Gyroskops auswirken. Folglich kann verhindert werden,
daß die Durchgangslöcher 22, wenn diese geerdet sind, als
Antennen dienen, und diese können eine Rolle bei der elekt
romagnetischen Abschirmung spielen.
Außerdem können die Endflächen des Gehäusesubstrats 21 mit
einem lichtabschirmenden Beschichtungsmaterial beschichtet
sein, wobei die Durchgangslochanschlüsse 3 und 22 des Ge
häusesubstrats nicht im Vibrationsgyroskop 10 gebildet
sind. In diesem Fall können hohe Lichtabschirmungseffekte
erhalten werden.
Fig. 5 ist eine auseinandergenommene perspektivische An
sicht, die ein Vibrationsgyroskop zeigt, das ein weiteres
Beispiel des Sensorschaltungsmoduls der vorliegenden Erfin
dung ist. In Fig. 5 werden Teile, die mit jenen, die in
Fig. 10 gezeigt sind, identisch sind oder diesen entspre
chen, durch dieselben Bezugszeichen bezeichnet, und von ei
ner erneuten Beschreibung wird abgesehen.
Bei einem Vibrationsgyroskop 30, das in Fig. 5 gezeigt ist,
ist das Material, das ein Gehäusesubstrat 31 bildet, ein
schwarzes organisches Harzmaterial, das einen geringen op
tischen Transmissionsgrad aufweist, so daß die Übertragung
eines Lichts durch das Substrat 31 unterdrückt wird. Das
heißt, das das Material an sich, das das Gehäusesubstrat 31
bildet, eine Lichtübertragungs-Stoppeinrichtung ist.
Fig. 6A zeigt die Messungen des optischen Transmissionsgra
des des schwarzen organischen Harzmaterials (nachstehend
bezeichnet als Material A). Im Vergleich dazu zeigt Fig. 6B
die Messungen des optischen Transmissionsgrades des braunen
organischen Harzmaterials (nachstehend bezeichnet als Mate
rial B), das für das Gehäusesubstrat des Sensorschaltungs
moduls der verwandten Technik verwendet wird, das in Fig.
10 gezeigt ist. Zur Messung des optischen Transmissionsgra
des wird ein Lagenmaterial mit einer Dicke von 0,8 mm ver
wendet, und ein Licht wird auf eine Seitenoberfläche des
Lagenmaterials aufgebracht, um zu der anderen Seitenober
fläche desselben transmittiert zu werden.
Wie in Fig. 6A gezeigt ist, ist der optische Transmissions
grad des Materials A gering, d. h. im Bereich von etwa 0,3
bis 0,35 und zeigt eine relativ flache Kurve im Gesamtwel
lenlängenbereich von 400 nm bis 1000 nm.
Bei dem Vibrationsgyroskop 30, das das Gehäusesubstrat, das
aus dem oben beschriebenen Material A gefertigt ist, ent
hält, wird ein Licht, selbst wenn es in das Gehäusesubstrat
31 durch eine Endfläche desselben eintritt, schnell ge
dämpft, so daß das Licht das Halbleiterelement 5 nicht er
reicht. Daher wird das Licht, das in die Endfläche des Ge
häusesubstrats 31 eintritt, nicht durch das Halbleiterele
ment 5 absorbiert. Folglich kann verhindert werden, daß ein
Ausgangssignal aus dem Vibrationsgyroskop 30 durch das
Licht verändert wird, das in das Gehäusesubstrat 31 über
eine Endfläche desselben eintreten und durch das Halblei
terelement 5 absorbiert werden würde.
Andererseits, wie in Fig. 6B gezeigt ist, unterscheidet
sich der optische Transmissionsgrad des Materials B im Wel
lenlängenbereich von 400 nm bis 600 nm nicht wesentlich von
dem des Materials A und wird schnell auf einen Pegel von
0,6% oder mehr im Wellenlängenbereich von mehr als 600 nm
erhöht. Daher ist zu beobachten, daß das Material B kein
ausreichendes Abschirmungsverhalten für ein Licht mit einer
Wellenlänge im Wellenlängenbereich von 600 nm bis 1000 nm
aufweist.
In den meisten Fällen weisen die im allgemeinen verwendeten
Harze einen optischen Transmissionsgrad auf, der ausrei
chend niedrig und im Wellenlängenbereich von 400 bis 600 nm
einheitlich ist. Daher ist es für das Material, das das Ge
häusesubstrat des Sensorschaltungsmoduls bildet, erforder
lich, daß der optische Transmissionsgrad im Wellenlängenbe
reich von 600 nm bis 1000 nm im wesentlichen mit dem im
Wellenlängenbereich von 400 bis 600 nm identisch ist.
Die Farbe des organischen Harzes muß nicht schwarz sein,
wenn der optische Transmissionsgrad ausreichend gering ist.
Außerdem bedeutet die schwarze Farbe des Harzes nicht not
wendigerweise, daß das Harz einen geringen optischen Trans
missionsgrad aufweist. Zum Beispiel weisen einige Harzmate
rialien, die Komponenten mit Reaktionsgruppen enthalten,
die hauptsächlich auf Infrarotstrahlen sensibel ansprechen,
einen geringen optischen Transmissionsgrad auf, d. h. etwa
0,35% und zeigen eine relativ flache Kurve des optischen
Transmissionsgrades im Wellenlängenbereich von 400 nm bis
1000 nm, auch wenn die Farbe weiß ist, wie im Falle des or
ganischen Harzmaterials von Fig. 6C (nachstehend bezeichnet
als Material C). Diese Materialien können als Material für
das Gehäusesubstrat verwendet werden. Umgekehrt weisen ei
nige Harzmaterialien einen optischen Transmissionsgrad auf,
der schnell auf etwa 1% im Wellenlängenbereich von 750 nm
oder mehr erhöht werden kann, auch wenn die Farbe schwarz
ist, wie im Falle des organischen Harzmaterials (nachste
hend bezeichnet als Material D) von Fig. 6D. Diese Materi
alien können nicht als Material verwendet werden, das das
Gehäusesubstrat bildet. Hier wird speziell auf Infrarot
strahlen Bezug genommen, da Maßnahmen gegen die Infrarot
strahlen von Bedeutung sind. Dafür gibt es folgende Gründe:
Selbstverständlich hat ein Licht mit einer kurzen Wellen
länge einen niedrigen optischen Transmissionsgrad für Harz
materialien, und sichtbares Licht tritt nicht immer in z. B.
das Innere einer Videokamera ein, jedoch wirken sich
Infrarotstrahlen aus einer in sich geschlossenen Fernbedie
nung häufig gefährlich auf den Betrieb eines Vibrationsgy
roskops aus.
Außerdem können die Endflächen des Gehäusesubstrats 31 mit
einem lichtabschirmenden Beschichtungsmaterial wie im Vib
rationsgyroskop 10 beschichtet sein. Die Durchgangslochan
schlüsse können wie im Vibrationsgyroskop 20 auch in den
Endflächen gebildet sein. Daher können hohe Lichtübertra
gungs-Blockiereffekte erhalten werden.
Bei den oben beschriebenen Ausführungsbeispielen wird ver
hindert, daß ein Licht, das in die Endfläche des Gehäuse
substrats eintritt, die Nähe des Halbleiterelements er
reicht. Außerdem können der gleiche Betrieb sowie die glei
chen Wirkungen erreicht werden, indem verhindert wird, daß
ein Licht, das die Nähe des Halbleiterelements erreicht, zu
dem Schaltungsbildungsbereich gelangt.
Fig. 7 ist eine Draufsicht eines Teils des Gehäusesubstrats
eines Vibrationsgyroskop gemäß einem weiteren Beispiel des
Sensorschaltungsmoduls der vorliegenden Erfindung. Wie in
Fig. 7 gezeigt ist, wird eine Mehrzahl von Verdrahtungs
elektroden 41A gebildet, um einer Mehrzahl von Kontakthü
geln 5c des Halbleiterelements 5 zu entsprechen. Eine E
lektrode 41c, die eine Lichtübertragungs-Stoppeinrichtung
ist, ist auf einem Teil des Bereichs 41b des Gehäusesub
strats 41 gebildet, auf dem das Halbleiterelement 5 ange
bracht ist, wobei der Teil sich entgegengesetzt zum Schal
tungsbildungsbereich 5b des Halbleiterelements 5 befindet.
Zum Beispiel ist die Elektrode 41c genauso wie die Verdrah
tungselektroden 41a wünschenswerterweise aus Kupferfolie
gefertigt und geerdet.
Das Halbleiterelement 5 ist auf dem Bereich 41b des Gehäu
sesubstrats 41 angebracht, wobei eine Hauptfläche des Halb
leiterelements 5 zum Bereich 41b gerichtet ist und eine
Mehrzahl der Kontakthügel 5c mit einer Mehrzahl von Ver
drahtungselektroden 41a verbunden ist.
Wenn das Gehäusesubstrat 41, das wie oben beschrieben kon
figuriert ist, verwendet wird, wird ein Licht, das in eine
Seitenfläche des Gehäusesubstrats 41 eintritt und die Nähe
des Halbleiterelements 5 erreicht, durch die Elektrode 41c
abgeschirmt. Daher wird verhindert, daß das Licht den
Schaltungsbildungsbereich 5b des Halbleiterelements 5 er
reicht. Daher wird verhindert, daß ein Ausgangssignal aus
dem Vibrationsgyroskop durch ein Licht verändert wird, das
in das Gehäusesubstrat 41 durch eine Endfläche desselben
eintritt und durch das Halbleiterelement 5 absorbiert wird.
Eine Streukapazität wird zwischen der Elektrode 41c und dem
Schaltungsbildungsbereich 5b des Halbleiterelements 5 er
zeugt. Bezüglich der Sensormodule, wie z. B. einem Vibrati
onsgyroskop, die bei relativ niedrigen Frequenzen arbeiten,
stellt die Streukapazität jedoch im wesentlichen kein Prob
lem dar.
Außerdem können die Endflächen des Gehäusesubstrats 41 wie
beim Vibrationsgyroskop 10 mit einen lichtabschirmenden Be
schichtungsmaterial beschichtet sein. Ferner können die
Durchgangslochanschlüsse wie beim Vibrationsgyroskop 20 in
den Endflächen gebildet sein. Das Gehäusesubstrat kann wie
beim Vibrationsgyroskop 30 aus einem organischem Harzmate
rial mit einem niedrigen Lichttransmissionsgrad gefertigt
sein. In diesen Fällen können hohe Lichtübertragungs-
Stoppeffekte erreicht werden.
Bei den vorstehend beschriebenen Ausführungsbeispielen ist
das Halbleiterelement des Bärenchip-Typs im Flip-Chip-
Verfahren angebracht worden. Das Halbleiterelement kann so
angebracht sein, daß der Schaltungsbildungsbereich dessel
ben nach oben gerichtet ist und kann durch Drahtbonden ver
drahtet sein. In diesem Fall können der gleiche Betrieb und
die gleichen Effekte erzielt werden.
Fig. 8 ist eine Querschnittsansicht des Halbleiterelements,
das auf dem Gehäusesubstrat eines Vibrationsgyroskop ange
bracht ist, das ein weiteres Beispiel des Sensorschaltungs
moduls der vorliegenden Erfindung ist. In Fig. 8 werden
Teile, die mit jenen, die in Fig. 10 gezeigt sind, iden
tisch sind oder diesen entsprechen, durch dieselben Bezugs
zeichen bezeichnet und von einer erneuten Beschreibung wird
abgesehen.
Wie in Fig. 8 gezeigt ist, ist das Halbleiterelement 5 auf
dem Gehäusesubstrat 2 durch Flip-Chip-Bonden angebracht
worden. Ein Harz 45 mit einer Lichtabschirmungseigenschaft,
das eine Lichtübertragungs-Stoppeinrichtung ist, wird in
einen Zwischenraum zwischen dem Halbleiterelement 5 und dem
Gehäusesubstrat 2 gefüllt. Das Harz 45 wird als Unterfül
lungsharz bezeichnet, da es unter das Halbleiterelement 5
eingefüllt wird. Wünschenswerterweise ist die Farbe des
Harzes 45 möglichst dunkel und, wenn möglich, schwarz. Die
Farbe muß nicht schwarz sein, vorausgesetzt der optische
Transmissionsgrad ist niedrig. Speziell im Fall von Video
kameras, die häufig mit Fernbedienungen, die Infrarotstrah
len verwenden, verwendet werden, ist der Transmissionsgrad
eines Infrarotstrahls wünschenswerterweise niedrig.
Wenn das Unterfüllungsharz 45 im Zwischenraum zwischen dem
Halbleiterelement 5 und dem Gehäusesubstrat 2, wie vorste
hend beschrieben wurde, vorgesehen ist, wird ein Licht, das
in eine Endfläche des Gehäusesubstrats 2 eintritt und die
Nähe des Halbleiterelements 5 erreicht, durch das Unterfül
lungsharz 45 abgeschirmt. Daher erreicht das Licht nicht
den Schaltungsbildungsbereich 5b. Folglich wird verhindert,
daß sich ein Ausgangssignal aus dem Vibrationsgyroskop ver
ändert, was durch ein Licht bewirkt wird, das in die End
fläche des Gehäusesubstrats 2 eintritt und durch das Halb
leiterelement 5 absorbiert wird.
Außerdem können die Endflächen des Gehäusesubstrats 2 mit
einem lichtabschirmenden Beschichtungsmaterial wie beim
Vibrationsgyroskop 10 beschichtet werden. Ferner können die
Durchgangslochanschlüsse wie beim Vibrationsgyroskop 20 in
den Endflächen gebildet sein. Das Gehäusesubstrat kann auch
aus einem organischem Harzmaterial mit einem geringen
Lichttransmissionsgrad wie beim Vibrationsgyroskop 30 ge
fertigt sein. Eine Elektrode, die eine Lichtübertragungs-
Stoppeinrichtung ist, kann in dem Teil des Gehäusesubstrats
gebildet sein, der wie beim Vibrationsgyroskop 40 dem
Schaltungsbildungsbereich des Halbleiterelements entgegen
gesetzt ist. In diesen Fällen können hohe Lichtübertra
gungs-Stoppeffekte erreicht werden.
Bei den vorstehend beschriebenen Ausführungsbeispielen ist
das Gehäusesubstrat aus einem organischem Harzmaterial ge
fertigt. Das Material, das das Gehäusesubstrat bildet, ist
jedoch nicht auf ein organisches Harzmaterial beschränkt.
Es können andere Materialien, wie z. B. Keramik oder der
gleichen, verwendet werden.
Bei jedem der vorstehend beschriebenen Ausführungsbeispiele
wird das Vibrationsgyroskop als das Sensorschaltungsmodul
der vorliegenden Erfindung behandelt. Das Sensorschaltungs
modul der vorliegenden Erfindung ist jedoch nicht auf das
Vibrationsgyroskop beschränkt und kann eine Vorrichtung
sein, die ein Sensorelement, wie z. B. einen Beschleuni
gungssensor, einen Magnetsensor, einen Infrarotstrahlensen
sor oder dergleichen, und ein Halbleiterelement des Bären
chip-Typs mit einer Verstärkerschaltung mit einem hohen
Verstärkungsschalter, in dem ein feines Signal, das aus dem
Sensorelement ausgegeben wird, verstärkt wird, enthält. Es
kann verhindert werden, daß bei der Vorrichtung eine Funk
tionsstörung auftritt, die durch ein externes Licht bewirkt
werden kann, ähnlich wie beim Vibrationsgyroskop der vor
stehenden Ausführungsbeispiele.
Fig. 9 ist eine perspektivische Ansicht einer Videokamera,
die ein Beispiel der elektronischen Vorrichtung der vorlie
genden Erfindung ist. Wie in Fig. 9 gezeigt ist, enthält
eine Videokamera 50 das Vibrationsgyroskop 10 zum Korrigie
ren des Verwackelns einer Kamera, welches das Sensorschal
tungsmodul der vorliegenden Erfindung ist.
Gemäß der Videokamera 50, die wie vorstehend beschrieben
konfiguriert ist, können jederzeit exakte Informationen
über die Winkelgeschwindigkeit eingeholt werden, da die Ka
mera 50 mit dem Sensorschaltungsmodul der vorliegenden Er
findung versehen ist. Daher wird das Verhalten der Kamera
verbessert.
Die elektronische Vorrichtung der vorliegenden Erfindung
ist nicht auf die Videokamera beschränkt und kann eine
elektronische Vorrichtung, die z. B. ein Vibrationsgyroskop
verwendet, wie eine digitale Kamera mit einem Vibrationsgy
roskop zum Korrigieren des Verwackelns einer Kameras, ein
Navigationssystem mit einem Vibrationsgyroskop zum Positi
onserfassen, ein System zum Erfassen des Wendens eines
Kraftfahrzeugs oder dergleichen sein. Außerdem kann die
elektronische Vorrichtung der vorliegenden Erfindung eine
Vorrichtung sein, die ein anderes Sensorschaltungsmodul als
ein Vibrationsgyroskops verwendet.
Es wird verhindert, daß das Sensorschaltungsmodul der vor
liegenden Erfindung Funktionsstörungen aufweist, die durch
ein externes Licht bewirkt werden können, das in das Modul
über eine Endfläche des Gehäusesubstrats eintritt, da das
Modul das Gehäusesubstrat, das Sensorelement, das auf dem
Gehäusesubstrat angebracht ist, das Halbleiterelement des
Bärenchip-Typs und die Lichtübertragungs-Stoppeinrichtung
aufweist, um zu verhindern, daß ein externes Licht in den
Schaltungsbildungsbereich des Halbleiterelements durch eine
Endfläche des Gehäusesubstrats übertragen wird.
Die elektronische Vorrichtung der vorliegenden Erfindung
verwendet das Sensorschaltungsmodul der vorliegenden Erfin
dung. Daher können jederzeit exakte Sensorinformationen
eingeholt werden, und das Verhalten der Vorrichtung wird
verbessert.
Claims (10)
1. Sensorschaltungsmodul, das ein Gehäusesubstrat (21;
31; 41), ein Sensorelement (4), das auf dem Gehäuse
substrat angebracht ist, und ein Halbleiterelement (5)
des Nachtchip-Typs aufweist,
wobei das Gehäusesubstrat (2; 21; 31; 41) mit einer
Lichttransmissions-Blockiereinrichtung (18; 22) verse
hen ist, zum Verhindern, daß Licht in einen Schal
tungsbildungsbereich (5b) des Halbleiterelements (5)
durch eine Endfläche des Gehäusesubstrats (2; 21; 31; 41)
übertragen wird.
2. Sensorschaltungsmodul gemäß Anspruch 1, das ferner ei
ne Abdeckung (7) zum Schützen des Sensorelements (4)
und des Halbleiterelements (5) aufweist, wobei die Ab
deckung auf dem Gehäusesubstrat (2, 21, 31, 41) ange
bracht ist und nicht die Endflächen des Gehäusesub
strats bedeckt.
3. Sensorschaltungsmodul gemäß Anspruch 1 oder 2, bei dem
das Halbleiterelement (5) eine Verstärkerschaltung mit
einem hohen Verstärkungsfaktor enthält.
4. Sensorschaltungsmodul gemäß einem der Ansprüche 1 bis
3, bei dem die Lichttransmissions-Blockiereinrichtung
ein lichtabschirmendes Beschichtungsmaterial ist, mit
dem die Endflächen des Gehäusesubstrats beschichtet
sind.
5. Sensorschaltungsmodul gemäß einem der Ansprüche 1 bis
4, bei dem die Endflächen des Gehäusesubstrats (21) im
wesentlichen mit Durchgangslochanschlüssen (3, 22) zum
Ein- und Ausgeben eines Signals und Durchgangslochan
schlüssen zum Lichtabschirmen besetzt ist.
6. Sensorschaltungsmodul gemäß einem der Ansprüche 1 bis
3, bei dem als die Lichttransmissions-
Blockiereinrichtung ein Material, das das Gehäusesub
strat (31) bildet, einen niedrigen optischen Transmis
sionsgrad aufweist.
7. Sensorschaltungsmodul gemäß einem der Ansprüche 1 bis
6, bei dem das Material, das das Gehäusesubstrat (2,
21, 31, 41) bildet, einen optischen Transmissionsgrad
im Wellenlängenbereich von 600 bis 1000 nm aufweist,
der im wesentlichen gleich dem im Wellenlängenbereich
von 400 nm bis 600 nm ist.
8. Sensorschaltungsmodul gemäß einem der Ansprüche 1 bis
7, bei dem das Halbleiterelement (5) durch Flip-Chip-
Bonden angebracht ist, und als die Lichttransmissions-
Blockiereinrichtung, eine Elektrode (41c) zum Lichtab
schirmen auf dem Teil des Gehäusesubstrats (41) gebil
det ist, der dem Schaltungsbildungsbereich (5b) des
Halbleiterelements (5) gegenüberliegt.
9. Sensorschaltungsmodul gemäß einem der Ansprüche 1 bis
8, bei dem das Halbleiterelement (5) durch Flip-Chip-
Bonden angebracht ist, und als die Lichttransmissions-
Blockiereinrichtung ein Harz (45) mit einer lichtab
schirmenden Eigenschaft in einen Zwischenraum zwischen
dem Gehäusesubstrat (2) und dem Halbleiterelement ge
füllt (5) ist.
10. Elektronische Vorrichtung unter Verwendung eines Sen
sorelements, nach einem der Ansprüche 1 bis 9.
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