DE10234943A1 - Bearbeitungsvorrichtung für Wafer und Verfahren zu ihrer Bearbeitung - Google Patents

Bearbeitungsvorrichtung für Wafer und Verfahren zu ihrer Bearbeitung Download PDF

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    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/68Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for positioning, orientation or alignment

Abstract

Die Erfindung ist gerichtet auf eine Vorrichtung zum Bearbeiten von Halbleiterwafern (3), aufweisend eine Waferunterstützung mit einem ersten Positioniersystem, das die Waferunterstützung coaxial mit einem Wafer (3) drehen kann; zumindest eine Bearbeitungsvorrichtung (1), die mit einem zweiten Positioniersystem so bewegt werden kann, dass ein von der Bearbeitungsvorrichtung ausgehendes Bearbeitungswerkzeug (2) radial über den Wafer geführt werden kann; und zumindest eine Positionsbestimmungsvorrichtung zur Bestimmung einer Waferposition anhand von Merkmalen des Wafers (3). Auffinden von Aligmentmarken des Wafers (3) und Anfahren zu bearbeitender Punkte wie Laserfuses erfolgt durch Drehen des Wafers (3) und Bewegen zumindest einer Bearbeitungsvorrichtung (1) in radialer Richtung über dem Wafer (3).

Description

  • Auf vielen Halbleiterchips werden derzeit sogenannte „Laserfuses" (Lasersicherungen) verwendet. Hierbei handelt es sich um drahtartige Halbleiterstrukturen auf den Chips, die mittels eines Laserstrahls zerstört und damit elektrisch geöffnet werden können. Die auch als "Links" bezeichneten Sicherungen werden eingesetzt, um z.B. Speicherchips zu reparieren, bestimmte Funktionen zu programmieren, Betriebsspannungen und Frequenzen einzustellen oder auch um Chips mit bestimmten Identifikationsmerkmalen zu versehen. Gerade bei teuren Halbleiterchips werden mitunter Reserveflächen vorgesehen, in denen Strukturen redundant vorgesehen sind, so dass beim Ausfall von Strukturen durch entsprechendes Öffnen von Laserfuses eine redundante Struktur aktiviert werden kann. Für den Prozess des Öffnens der Laserfuses setzen derzeit fast alle Halbleiterhersteller spezielle Anlagen ein, die über Dioden-gepumpte Laser verfügen. Über ein spezielles optisches System und ein komplexes Strahlpositionierungssystem wird der fokussierte Laserstrahl über die zu öffnenden Laserfuses positioniert und diese dann durch einen Laserpuls von nur wenigen ns Länge geöffnet. Nach einer Wiederaufladephase, die im μs-Bereich liegt, kann der Laser dann die nächste Sicherung öffnen.
  • Aus dem Stand der Technik sind bislang zwei Systeme bekannt, die zum Öffnen der Sicherungen verwendet werden. Bei einem der Systeme wird die Laserenergie über ein linearmotorgetriebenes Positionierungssystem auf die zu öffnende Fuse gebracht. Dabei liegt der Wafer auf einem Chuck auf, der in einer Dimension mittels eines Linearmotors bewegt werden kann. Eine Laserabstrahlvorrichtung kann in einer zur ersten Dimension orthogonalen zweiten Dimension durch eine linearmotorgetriebene Optik über den Wafer bewegt werden. Durch die Kombi nation beider Linearmotoren wird die gesamte Fläche des Wafers abgedeckt. Beim anderen System wird der Laserstrahl über ein zweiachsiges Galvanometersystem auf dem Wafer positioniert. Zusätzlich bewegt sich der Wafer in großen Schritten unter den Galvanoelementen des Systems, da diese jeweils nur einen kleinen rechteckigen Bereich auf dem Wafer abdecken können.
  • Die grundsätzliche Vorgehensweise beim Öffnen der Laserfuses ist bei beiden Systemen gleich. und umfasst einen mehrstufigen Prozess, der im Folgenden beschrieben wird.
  • Zuerst wird ein sogenanntes Wafer alignment durchgeführt, bei dem mit Hilfe von beispielsweise optisch abgetasteten Markierungen auf dem Wafer dessen Positionierung festgestellt und der Wafer in Übereinstimmung mit Vorgaben des das System steuernden Steuerprogramms gebracht wird.
  • Als Nächstes wird das eigentliche Strahlpositionierungssystem zum ersten zum bearbeitenden Chip oder Prozessfeld auf dem Wafer gefahren. Dort erfolgt eine Chip- oder Feldfokussierung; damit der Laser auf der Oberfläche des Chips des Feldes seine maximale Energie aufbringen kann. Nachdem das Wafer alignment lediglich eine grobe Positionierung des Wafers erlaubte, wird nunmehr anhand der sogenannten Alignmentmarken auf den Chips oder Feldern ein Chip- oder Feld-Alignment durchgeführt, indem eine mehrfache lineare Bewegung der Positionierungssysteme durchgeführt wird, um das Scannen dieser Alignmentmarken zu ermöglichen, d.h. die Alignmentmarken unter den optischen Erkennungssystemen durchzuführen, damit diese das Ereignis des Auftretens einer Alignment-Marke bzw. das Erkennen eines Musters von Alignmentmarken dazu nutzen können, eine sehr exakte Bestimmung der Waferausrichtung vorzunehmen.
  • Nach dieser Feinausrichtung können nunmehr die Laserfuses auf dem Chip oder dem Feld prozessiert werden, indem jeweils ei ner der Linearmotoren oder eines der Galvanoelemente angetrieben werden. Nach Erreichen des erwarteten Fuseorts der nächsten zu prozessierenden Fuse wird der Laser aktiviert und durchtrennt die Sicherung. Dies wird für alle Fuses eines Chips oder Feldes nacheinander durchgeführt, so dass es zu überkreuzenden und sich wiederholenden Streckenführungen des Systems kommen kann. Nach Abschluss der Prozessierung eines Chips oder Felds wird das Positionierungssystem so bewegt, dass der nächste Chip oder Feld in den groben Bearbeitungsbereich kommt, woraufhin eine neue Fokussierung und neues Chip bzw. Feld-Alignment durchgeführt werden muss. Diese Abfolge wird fortgesetzt, bis alle Chips bzw. Felder auf einem Wafer entsprechend prozessiert sind.
  • Die Chips auf einem Wafer sind rechteckig und zweidimensional nebeneinander eng angrenzend auf einem Wafer untergebracht. Die Alignmentmarken werden im Allgemeinen an Stellen positioniert, wo sie zum Einen aussagekräftig für die Positionierung der Chips bzw. Felder sind, wo sie aber zum Anderen auch nicht die eigentlichen Schaltkreisstrukturen stören. Demgegenüber werden die Laserfuses dort positioniert, wo sich dies aufgrund der Schaltplankonstruktion ergibt. Dies führt zu der Situation, dass bei identischen Chips auf einem Wafer die Alignmentmarken in zueinander parallelen Zeilen bzw. Spalten laufen, wenn man sich ein zweidimensionales Raster auf dem Wafer vorstellt. Auch die Fuses liegen in einem solchen Raster in Linien und Spalten. Allerdings werden diese Linien und Spalten für die Alignmentmarken in aller Regel nicht dieselben sein wie für die Laserfuses. Dies führt zu der Situation, dass nach Abscannen der Alignmentmarken ein Chip oder Feld bearbeitet werden muß, ohne dass die Alignmentmarkenerkennungsvorrichtung noch einmal an einer Alignmentmarke vorbei käme. Daher wird es in der Regel notwendig sein, vor dem Bearbeiten des nächsten Chips oder Felds dessen Alignmentmarken speziell neu aufzusuchen, da von Chip zu Chip eine Neuausrichtung des Systems notwendig werden kann, um die erforderliche Genauigkeit zu gewährleisten.
  • Je nach Produkt müssen pro Wafer zwischen einigen Hundert und einer Million Laserfuses geöffnet werden. Diese zu öffnenden Laserfuses sind über den Wafer verteilt angeordnet. Außerdem müssen auf jedem Wafer andere Laserfuses geöffnet werden, um den jeweiligen individuellen Gegebenheiten bzw. Defekten der einzelnen Wafer gerecht zu werden. Der Strahlpositionierungsprozess ist damit für jeden Wafer einmalig, dadurch zusätzlich zum Auffinden der Alignmentmarken komplex und sehr zeitaufwendig. Zudem gestattet keine der auf dem Markt befindlichen Systeme ein paralleles Prozessieren mehrerer Chips, da sich sonst die dafür notwendigen mehreren Positionierungssysteme gegenseitig stören würden.
  • Somit ist der beschriebene Prozess zeitaufwendig und trennt zwischen Fokussierung, Alignment und Bearbeitungsprozess. Sowohl Fokussierung als auch Alignment und Bearbeitungsprozess werden jeweils durch lineare Bewegungen durchgeführt.
  • Es ist daher die Aufgabe der vorliegenden Erfindung, ein System bereitzustellen, mit dem möglichst viele der bislang notwendigen Positionierungs- und Bewegungsschritte eingespart werden können, um damit eine schnellere, kostengünstigere, und sicherere Bearbeitung von Laserfuses auf Wafern zu ermöglichen.
  • Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß gelöst durch die Bereitstellung einer Vorrichtung gemäß dem unabhängigen Patentanspruch 1 sowie eines Verfahrens gemäß dem unabhängigen Patentanspruch X. Weitere vorteilhafte Ausgestaltungen, Aspekte und Details der vorliegenden Erfindung ergeben sich aus den abhängigen Patentansprüchen, der Beschreibung und den beigefügten Zeichnungen.
  • Der Erfindung liegt die Idee zugrunde, den Wafer auf seinem Chuck nicht mehr linear zu bewegen, sondern zu drehen.
  • Dies weist zahlreiche Vorteile auf, wie weiter unten beschrieben wird, und vereinfacht den Aufbau der Vorrichtung.
  • Dementsprechend ist die Erfindung zunächst gerichtet auf eine Vorrichtung zum Bearbeiten von Halbleiterwafern, die aufweist: eine Waferunterstützung mit einem ersten Positioniersystem, das die Waferunterstützung koaxial mit dem Wafer drehen kann; zumindest eine Bearbeitungsvorrichtung, die mit einem zweiten Positioniersystem bewegt werden kann, dass ein von der Bearbeitungsvorrichtung ausgehendes Bearbeitungswerkzeug radial über den Wafer geführt werden kann; und zumindest eine Positionsbestimmungsvorrichtung zur Bestimmung einer Waferposition anhand von Merkmalen des Wafers.
  • Durch die Verwendung eines drehenden und eines linear beweglichen Positioniersystems, das in radialer Richtung zum Wafer arbeitet, kann die gesamte Fläche des Wafers in einfachster Weise abgefahren werden. Jedes Radial des Wafers kann unter die Bearbeitungsvorrichtung gedreht werden und jeder Punkt auf jedem Radial kann durch die radiale Bewegung des Bearbeitungswerkzeugs angefahren werden. Die Waferunterstützung (Chuck) ist so ausgelegt, dass bei einer Positionierung des Wafers, dessen Rotationsachse möglichst genau über der Rotationsachse der Waferunterstützung zu liegen kommt, um eine präzise Drehung des Wafers zu ermöglichen. Unter einer Bearbeitungsvorrichtung ist im Sinne der vorliegenden Erfindung ein Mechanismus zu verstehen, der dem Betrieb des eigentlichen Bearbeitungswerkzeugs dient. Das Bearbeitungswerkzeug im Sinne der vorliegenden Erfindung ist alles, mit dem auf den Wafer zur Bearbeitung eingewirkt werden kann.
  • Die erste Positioniervorrichtung kann eine im Stand der Technik bekannte, steuerbare Dreheinrichtung sein, beispielsweise ein möglichst exakt laufender Elektromotor wie ein Schrittmotor. Äuch ein Antrieb der Waferunterstützung über einen Antriebsriemen, vergleichbar dem von Plattenspielern, oder ein hydraulischer Antrieb, beispielsweise ein Kreiselantrieb sind vorstellbar.
  • Die zweite Positioniervorrichtung für die Bearbeitsvorrichtung kann den aus dem Stand der Technik bekannten Positioniervorrichtungen mit Linearmotoren und/oder Galvanoelementen entsprechen.
  • Zur exakten Positionierung des Bearbeitungswerkzeugs auf dem Wafer wird zusätzlich noch zumindest eine Positionsbestimmungsvorrichtung benötigt, die Merkmale wie etwa Alignmentmarken auf dem Wafer auswerten kann, um diese mit der Positionierung von Chips oder Feldern bzw. einzelnen Elementen auf den Chips und Feldern des Wafers korrelieren zu können. Ein vorrangiges Gebiet für die erfindungsgemäße Vorrichtung wird das Aufschmelzen von Laserfuses sein. Es versteht sich jedoch, dass diese Erfindung, wie sich ja bereits aus obiger Definition der Vorrichtung ergibt, nicht auf Laserfuses beschränkt ist. Vielmehr kann sie dazu verwendet werden, unterschiedlichste Manipulationen in einfacher Weise am Wafer vorzunehmen, beispielsweise Bohrungen einzubringen, Elemente aufzulöten oder bestimmte Bereiche von Chips mit Lacken abzudecken, um sie vor Zugriffen Unautorisierter zu schützen.
  • Die Vorrichtung wird in der Regel weiterhin aufweisen eine Steuervorrichtung zur Auswertung der von der Positionsbestimmungsvorrichtung bestimmten Waferposition bzw. Waferpositionen, zur Steuerung des ersten und zweiten Positioniersystems in Abhängigkeit von der Waferposition und zur Aktivierung und Deaktivierung des Bearbeitungswerkzeugs. Eine solche Steuervorrichtung kann als integraler Bestandteil der erfindungsgemäßen Vorrichtung angesehen werden, kann jedoch auch als externe Einheit, beispielsweise in Form einer Workstation oder eines Personal Computer an die entsprechenden elektrischen Ein- und Ausgänge einer erfindungsgemäßen Vorrichtung angeschlossen sein. Aufgrund der Komplexität der Ansteuerung der einzelnen zu bearbeitenden Punkte wird die Steuervorrichtung in aller Regel ein leistungsfähiges Datenverarbeitungssystem mit einem entsprechenden Steuerprogramm sein, obwohl rein hypothetisch auch vorstellbar ist, eine fest verdrahtete Vorrichtung zu verwenden, wenn viele Wafer mit identischen Chips bearbeitet werden sollen. Die verwendeten Steuerungsmechanismen entsprechen im Wesentlichen denen der im Stand der Technik bekannten Systeme, so dass der Fachmann sie implementieren kann. Insbesondere dienen sie der Korrelation der aufgefundenen Merkmale mit den erwarteten Positionen der zu bearbeitenden Punkte auf den Chips oder Feldern. Da eine Rotationsbewegung hinzukommt, werden hierbei für die Ortsbestimmungen zusätzlich trigonometrische Funktionen benötigt werden, die jedoch dem Fachmann ebenso geläufig sind. Die Positionsbestimmungsvorrichtung kann als eigenständige Einheit ausgeführt sein, welche in der Lage ist, Positionen der aufgefundenen Merkmale in Relation zur jeweiligen Waferdrehung eigenständig zu berechnen. Es wird jedoch in vielen Fällen bevorzugt werden, dass die Positionsbestimmungsvorrichtung eine Berechnungsvorrichtung aufweist, die als Teil der Steuervorrichtung ausgelegt und damit in diese integriert ist. Damit werden nur noch die Sensoren benötigt und die eigentliche Positionsbestimmung kann in der Steuervorrichtung stattfinden. Im Übrigen entsprechen die verwendeten Positionsbestimmungsvorrichtungen denen aus dem Stand der Technik.
  • Die Positionsbestimmungsvorrichtung kann eine Messeinrichtung für einen optischen Parameter aufweisen, in dem sich das Merkmal vom Rest des Wafers unterscheidet. Auf diese Weise ist eine optische Abtastung und eine Mustererkennung auf dem Wafer möglich. Der optische Parameter kann beispielsweise Farbe des Merkmals, die Form des Merkmals, seine Helligkeit, sein Absorptionsverhalten, sein Reflexionsverhalten oder auch sein Polarisationsvermögen sein. Übliche Alignmentmarken auf Wafern bestehen derzeit aus Aluminium, das aufgrund seiner Reflexion und seiner Helligkeit deutlich vom Rest der Waferoberfläche unterschieden werden kann.
  • Wie bereits erwähnt, kann die Bearbeitungsvorrichtung unterschiedlichster Natur sein. Da ein Haupteinsatzgebiet der vorgestellten Erfindung im Öffnen von Laserfuses liegen wird, wird insbesondere bevorzugt, dass die Bearbeitungsvorrichtung eine Laservorrichtung ist, wobei das Bearbeitungswerkzeug dann der Laserstrahl der Laservorrichtung ist.
  • Andererseits kann die Bearbeitungsvorrichtung auch ein anderes Werkzeug, wie beispielsweise eine Bohrvorrichtung sein und das Bearbeitungswerkzeug dann ein Bohrer. In einer besonders bevorzugten Ausführungsform, die erst durch die spezielle Anordnung der Elemente gemäß der Erfindung möglich ist, werden gleichzeitig mehrere Bearbeitungsvorrichtungen vorgesehen, die über den Wafer geführt werden können.
  • Die erfindungsgemäße Vorrichtung kann beispielsweise drei Bearbeitungsvorrichtungen aufweisen, die so angeordnet sind, dass die Bearbeitungswerkzeuge in einem Winkel von 120° zueinander radial über den Wafer geführt werden können. Auch besteht die Möglichkeit, dass die erfindungsgemäße Vorrichtung zwei Bearbeitungsvorrichtungen aufweist, die so angeordnet sind, dass die Bearbeitungswerkzeuge auf einer gemeinsamen Linie radial über den Wafer geführt werden können. Diese Ausführungsform führt dazu, dass die Werkzeuge parallel aneinander entlang gleiten oder aufeinander zu bewegt werden. Alternativ können die zwei Bearbeitungsvorrichtungen auch so angeordnet sein, dass die Bearbeitungswerkzeuge orthogonal zueinander radial über den Wafer geführt werden können. Die Bearbeitungsvorrichtungen können so bewegt werden, dass das von der Bearbeitungsvorrichtung ausgehende Bearbeitungswerkzeug von einem Rand des Wafers bis zu seiner Mitte geführt werden kann. Bereits dies ist ausreichend, um die gesamte Fläche des Wafers zu überdecken, da sämtliche Radiale des Wafers unter dem Bearbeitungswerkzeug durchgeführt werden können, so dass alle Punkte des Wafers einer Bearbeitung zugänglich sind. Alternativ ist es selbstverständlich möglich, die Bearbeitungsvorrichtung so auszulegen, dass das Bearbeitungs- Werkzeug nicht nur über einen Radius, sondern über den gesamten Durchmesser geführt werden kann. Dies kann beispielsweise vorteilhaft sein bei der Verwendung mehrerer Bearbeitungsvorrichtungen, die sich nicht gegenseitig stören (beispielsweise seitlich angeordnete Laser, deren Strahl galvanisch über Spiegel gesteuert werden), aber gleichzeitig im Betrieb bleiben sollen. Auch kann je nach Ausführungsform der Bearbeitungsvorrichtung ein Fahren von einer Seite des Wafers über eine Zentralachse auf die andere Seite des Wafers (also auf den anderen Radius) schneller erfolgen als eine Rotation des Wafers durch die Waferunterstützung, um den zu bearbeitenden Punkt auf die „richtige" Seite und damit unter das Bearbeitungswerkzeug zu bringen. Schließlich ist es möglich, mehrere Bearbeitungsvorrichtungen so anzuordnen, dass jede der Bearbeitungsvorrichtungen nur jeweils einen Teil des Radius abdeckt, also mehrere Bearbeitungsvorrichtungen notwendig sind, um die gesamte Fläche des Wafers zu überdecken. Eine solche Anordnung vereinfacht den Aufbau der erfindungsgemäßen Vorrichtung mit mehreren Bearbeitungsvorrichtungen.
  • Die Erfindung ist weiterhin auf ein Verfahren gerichtet, wobei alles bezüglich der Vorrichtung Gesagte gleichermaßen für das Verfahren und umgekehrt gilt, so dass wechselweise Bezug genommen und verwiesen wird.
  • Die Erfindung ist weiterhin gerichtet auf ein Verfahren zum Bearbeiten von Halbleiterwafern, das die Schritte aufweist: Drehen eines Wafers zum Auffinden zumindest eines Merkmals des Wafers; Bestimmen einer Waferposition anhand zumindest eines aufgefundenen Merkmals; Drehen des Wafers und Bewegen zumindest einer Bearbeitungsvorrichtung in radialer Richtung über den Wafer, um ein Bearbeitungswerkzeug der Bearbeitungsvorrichtung zu einem vorgegebenen Punkt auf dem Wafer zu positionieren; und Bearbeiten des Wafers durch das Bearbeitungswerkzeug an dem vorgegebenen Punkt.
  • Die bezogen auf einen vorgegebenen Punkt hier chronologisch geschilderte Abfolge der Verfahrensschritte unterscheidet sich durch die Verwendung einer Drehbewegung signifikant vom Stand der Technik. Zunächst wird die aktuelle Waferposition bestimmt, indem durch Drehen des Wafers Merkmale, beispielsweise Alignmentmarken, auf dem Wafer gefunden werden (unter Verwendung eines entsprechenden Positionsbestimmungswerkzeugs) anhand von dem dann auf rechnerischem Wege die exakte Position des Wafers bezüglich seiner Drehung berechnet werden kann. Bei Kenntnis der Positionen der anzufahrenden Punkte kann dann berechnet werden, wie der Wafer gedreht werden muss, um ihn unter die Bearbeitungsvorrichtung zu bringen und wie die Bearbeitungsvorrichtung mit der Positionierungsvorrichtung bewegt werden muss, um das Bearbeitungswerkzeug über dem zu bearbeitenden Punkt zu positionieren. Je mehr Merkmale wie Alignmentmarken für die Bestimmung der aktuellen Waferposition aufgefunden werden können, desto genauer wird die Berechnung der tatsächlichen Waferposition erfolgen. Es handelt sich dabei quasi um ein iteratives Verfahren, bei dem mit jeder aufgefundenen Alignmentmarke trotz erfolgender Drehung des Wafers dessen aktuelle Position präziser angegeben werden kann.
  • Eine weitere Beschleunigung des erfindungsgemäßen Verfahrens lässt sich erzielen, wenn das Drehen des Wafers zur Positionierung eines vorgegebenen Punktes unter dem Bearbeitungswerkzeug zugleich dazu verwendet wird, weitere Merkmale des Wafers aufzufinden. In diesem Fall bleibt also die dafür verwendete Positionsbestimmungsvorrichtung aktiv und versucht während der Drehung des Wafers fortlaufend, Merkmale zu Identifizieren und in die Positionsberechnung mit einzubeziehen. Die Positionsbestimmungsvorrichtung kann beispielsweise auch an der Bearbeitungsvorrichtung angeordnet sein und bewegt sich damit zusätzlich über den Wafer und kann damit Merkmale auf dem Wafer, die sich in unterschiedlichem Abstand von seiner Achse befinden, auffinden. Alternativ ist auch ein unab hängig davon arbeitendes System vorstellbar, dass sich selbstständig über den Wafer in radialer Richtung bewegen kann. Wie bereits oben erwähnt, können die Merkmale beispielsweise Alignmentmarken auf dem Wafer sein. Es können jedoch auch andere geeignete Merkmale, beispielsweise die eigentlichen Strukturen der integrierten Schaltkreise verwendet werden.
  • Die Merkmale können beispielsweise metallisierte Bereiche auf dem Wafer sein, die sich vom Rest des Wafers in ihrem Reflexionsvermögen für Licht und/oder in ihrer Form unterscheiden.
  • Zum Bearbeiten eines vorgegebenen Punkts durch das Bearbeitungswerkzeug können Drehbewegung des Wafers und Radialbewegung der Bearbeitungsvorrichtung gestoppt werden, um je nach Bearbeitungslänge ein problemloses Bearbeiten zu ermöglichen. Da beim Trennen von Laserfuses die notwendige Zeit in ns-Bereich liegt, wird es allerdings bei bestimmten Ausführungsformen bevorzugt, dass das Drehen des Wafers mit einer konstanten Winkelgeschwindigkeit erfolgt und das Bearbeiten des Wafers am sich drehenden Wafer erfolgt. Die Drehung kann auch nicht konstant sein und trotzdem während der Bewegung des Wafers erfolgen. Im Allgemeinen reicht die ns-Bearbeitungszeit aus, um ein Laserfuse auch dann zu trennen, wenn der Wafer und/oder das Bearbeitungswerkzeug sich während des Laserpulses bewegen.
  • Weiterhin kann vorzugsweise das Bewegen der Bearbeitungsvorrichtung so mit dem Drehen des Wafers abgestimmt werden, dass zum Bearbeiten des Wafers in allen vorgegebenen Punkten die Bearbeitungsvorrichtung nur einmal über einen Radius des Wafers geführt werden muss. Dies bedeutet, dass der Wafer nur einmal von außen nach innen oder von innen nach außen geführt wird, um alle Punkte zu erreichen, wenn die Drehung schnell genug ist, um eine komplette Umdrehung des Wafers und damit Erreichen aller vorgegebenen Punkte innerhalb eines bestimmten Abstands von der Zentralachse zu ermöglichen, bevor die Bearbeitungsvorrichtung das Bearbeitungswerkzeug weiter bewegt. Das Prinzip ähnelt damit dem von Schallplatten oder Compact Disks, bei denen bei kontinuierlicher Drehung mit einem Abtaster (Laser oder Abnehmernadel) eine Information ausgelesen wird. Eine erfindungsgemäße Vorrichtung zur Verwendung mit dem erfindungsgemäßen Verfahren könnte also beispielsweise einen ähnlichen Aufbau aufweisen wie herkömmliche CD-Brenner. Hierbei muss gegebenenfalls berücksichtigt werden, dass die abzutastenden Informationen sowohl bei Schallplatten als auch bei Compact Disks spiralförmig auf dem Medium angeordnet sind, was bei Chips auf einem Wafer nicht der Fall ist, die mehr eine gleichmäßige Verteilung über die Fläche aller Merkmale und zu bearbeitenden Punkte aufweisen.
  • Eine weitere Steigerung der Bearbeitungsgeschwindigkeit kann erzielt werden, wenn ein Wegstreckenoptimierungsprogramm verwendet wird, das ausrechnet, wie die verschiedenen zu bearbeitenden Punkte auf dem Wafer auf kürzestem Wege angesteuert werden können. Hierbei kann es auch vorteilhaft sein, die Geschwindigkeit der Positioniervorrichtungen nicht konstant zu halten, sondern jeweils so anzupassen, dass die zu bearbeitenden Punkte zeitlich optimal angesteuert werden müssen.
  • Das erfindungsgemäße Verfahren kann auch dadurch gekennzeichnet sein, dass das Bearbeiten durch mehrere Bearbeitungswerkzeuge mehrerer Bearbeitungsvorrichtungen erfolgt.
  • Vorzugsweise besteht das Bearbeiten in einem Laserbrennen der Oberfläche des Wafers an den vorgegebenen Punkten. Dies kann beispielsweise dem Auftrennen von Laserfuses dienen.
  • Im folgenden soll die Erfindung anhand konkretisierter Ausführungsbeispiele näher erläutert werden, wobei auf die beigefügten Zeichnungen Bezug genommen wird, in denen Folgendes dargestellt ist:
  • 1 ist ein Schema zur Veranschaulichung einer Laserbearbeitungsvorrichtung für einen Wafer;
  • 2 ist eine stark schematisierte Aufsicht auf eine erfindungsgemäße Vorrichtung mit einer radial beweglichen Bearbeitungsvorrichtung; und
  • 3 ist eine weitere Ausführungsform einer erfindungsgemäßen Vorrichtung mit drei Bearbeitungsvorrichtungen.
  • 1 zeigt schematisch eine Bearbeitungsvorrichtung 1, mit der ein Laserstrahl 2 als Bearbeitungswerkzeug auf einen Wafer 3 fokussiert wird. Wie durch den Pfeil angedeutet, bewegt sich die Bearbeitungsvorrichtung 1 in radialer Richtung über den Wafer, beispielsweise mit Hilfe eines an einer Schiene 4 geführten Linearmotors 5. Es versteht sich, dass auch andere Mechanismen möglich sind, beispielsweise ein galvanometrisches System, bei dem über Spiegel der Laserfokus über den Wafer geführt werden kann, ohne dass eine mechanische Bewegung der Bearbeitungsvorrichtung 1 notwendig wäre. Eine Waferunterstützung 6 und ein dazugehöriges Positioniersystem 7 dienen der Rotation und Positionierung des Wafers 3. Eine Positionsbestimmungsvorrichtung 8 ist an der Bearbeitungsvorrichtung 1 angeordnet und mit einer Steuervorrichtung 9 über ein Kabel verbunden. Weitere Kabel sind mit den Positioniersystemen 5 und 7 verbunden und dienen der Ansteuerung der Motoren zur Positionierung von Wafer 3 bzw. Bearbeitungsvorrichtung 1.
  • 2 zeigt eine erste Ausführungsform der vorliegenden Erfindung in Aufsicht. Der Wafer 3 mit einer Reihe von einzelnen Halbleiterchips 3a, die durch Trennlinien 3b voneinander getrennt sind und längs dieser Linien vereinzelt werden, rotiert mit Hilfe der Waferunterstützung 6 und dem Positioniersystem 7 um seine Achse. Die Bearbeitungsvorrichtung 1 kann sich wieder in radialer Bewegung über den Wafer 3 bewegen, wie durch die vier unterschiedlichen Aufenthaltsorte der Bearbeitungsvorrichtung 1 angedeutet wird. Es ist ersichtlich, dass auf diese Weise sämtliche Punkte auf dem Wafer 3 angesteuert werden können.
  • 3 zeigt eine weitere Ausführungsform der Vorrichtung gemäß der vorliegenden Erfindung-, bei der insgesamt drei laseroptische Bearbeitungsvorrichtungen 1a, 1b und 1c vorgesehen sind, die in einem Winkel von 120° zueinander angeordnet sind und jeweils vom Rand des Wafers radial bis zu seiner Zentralachse bewegt werden können. Hier ist es programmiertechnische Aufgabe für die Steuervorrichtung, die zu bearbeitenden Punkte so auszuwählen, dass die einzelnen Bearbeitungsvorrichtungen 1a, 1b und 1c sich nicht im Bereich der zentralen Achse des Wafers gegenseitig stören, sondern nur jeweils eine der Vorrichtungen in den überlappenden Bereich gefahren wird.
  • Die Vorrichtung und das Verfahren gemäß der Erfindung weisen gegenüber dem Stand der Technik folgende Vorteile auf. Die Bewegungen der Positionierungseinheit für die Bearbeitungsvorrichtung sind weitestgehend konstant, da sie nur in einer Achse erfolgen muss. Der Wafer kann mit gleichmäßiger oder auch mit wechselnder Geschwindigkeit rotieren, während sich die Bearbeitungsvorrichtung und,das Bearbeitungswerkzeug über dem Wafer in einer Achse bewegt. Je nach Steuerungssoftware ist es nicht mehr notwendig, bestimmte Positionen mehrfach anzufahren bzw. über sie hinweg zu kreuzen. Dadurch kann der Durchsatz des Verfahrens gegenüber dem des Stands der Technik erhöht werden.
  • Ein einmaliges Fokussieren und nachfolgendes initiales Alignment anhand von Merkmalen auf dem Wafer ist ausreichend, weil durch die Drehbewegung des Wafers ständig neue Informationen über. erfasste Merkmale, wie Alignmentmarken, verfügbar sind. Dies hat seinen Grund darin, dass aufgrund des Drehens ständig ein anderer Winkel des Wafers gegenüber der Positionsbe stimmungsvorrichtung erreicht wird und die parallelzeilig oder -spaltig liegenden Alignmentmarken nicht mehr, wie im Stand der Technik, entweder alle durch eine der Linearbewegungen getroffen werden oder dass keine getroffen wird. Vielmehr rotieren ständig Alignmentmarken unter der Positionsbestimmungsvorrichtung hindurch, die von unterschiedlichen Chips und aus unterschiedlichen Bereichen der Chips und Felder stammen. Der zur Identifizierung der Alignmentmarken notwendige Rechenaufwand steigt zwar dadurch, doch dies ist bei den zur Verfügung stehenden Rechenleistungen moderner Steuerungsvorrichtung keine Schwierigkeit mehr. Die Alignmentmarken können damit zur kontinuierlichen Korrektur der letzten verfügbaren Fokus- und Alignmentinformationen genutzt werden. Dies führt durch die rasch zur Verfügung stehende höhere Zahl aktueller, verfügbarer Alignmentinformationen zu größerer Genauigkeit. Da diese Informationen ohne weiteren Aufwand gewonnen werden, wird auch hierdurch Prozesszeit eingespart.
  • Aufgrund der Rotationsbewegung des Wafers werden alle Punkte des Wafers auf einem beliebigen Radius abgebildet. Das bedeutet, dass die Positionierung der Laseroptik über dem Wafer an beliebiger Stelle stattfinden kann, solange der Radius des Wafers abgedeckt wird. Dieser Effekt gestattet, mehrere Bearbeitungsvorrichtungen, etwa Strahlpositionierungssysteme, über dem Wafer zu positionieren, die sich gegenseitig nicht behindern. Dies kann zur weiteren Steigerung und Vervielfachung des Durchsatzes genutzt werden.
  • 1
    Bearbeitungsvorrichtung
    2
    Bearbeitungswerkzeug (Laserstrahl)
    3
    Wafer
    4
    Führungsschiene
    5
    Linearmotor
    6
    Waferunterstützung
    7
    Positioniersystem
    8
    Positionsbestimmungsvorrichtung
    9
    Steuervorrichtung

Claims (17)

  1. Vorrichtung zum Bearbeiten von Halbleiterwafern (3), aufweisend eine Waferunterstützung (6) mit einem ersten Positioniersystem (7), das die Waferunterstützung (6) coaxial mit einem Wafer (3) drehen kann; zumindest eine Bearbeitungsvorrichtung (1), die mit einem zweiten Positioniersystem (4, 5) so bewegt werden kann, dass ein von der Bearbeitungsvorrichtung (1) ausgehendes Bearbeitungswerkzeug (2) radial über den Wafer (3) geführt werden kann; und zumindest eine Positionsbestimmungsvorrichtung (8), zur Bestimmung einer Waferposition anhand von Merkmalen des Wafers (3).
  2. Vorrichtung gemäß Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass sie weiterhin aufweist eine Steuervorrichtung (9) zur Auswertung der von der Positionsbestimmungsvorrichtung (8) bestimmten Waferposition, zur Steuerung des ersten und zweiten Positioniersystems in Abhängigkeit von der Waferposition und zur Aktivierung und Deaktivierung des Bearbeitungswerkzeugs (2).
  3. Vorrichtung gemäß Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, dass die Positionsbestimmungsvorrichtung eine Berechnungsvorrichtung aufweist, die als Teil der Steuervorrichtung ausgelegt ist.
  4. Vorrichtung gemäß einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, dass die Positionsbestimmungsvorrichtung eine Messvorrichtung für einen optischen Parameter aufweist, in dem sich das Merkmal vom Rest des Wafers (3) unterscheidet, wobei der optische Parameter die Farbe, die Form, die Helligkeit, das Absorptionsverhalten, das Reflexionsverhalten oder das Polarisationsvermögen ist.
  5. Vorrichtung gemäß einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, dass die zumindest eine Bearbeitungsvorrichtung (1) eine Laservorrichtung ist und das Bearbeitungswerkzeug (2) ein Laserstrahl ist.
  6. Vorrichtung gemäß einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, dass die zumindest eine Bearbeitungsvorrichtung (1) eine Bohrvorrichtung ist und das Bearbeitungswerkzeug (2) ein Bohrer ist.
  7. Vorrichtung gemäß einem der Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, dass sie mehrere Bearbeitungsvorrichtungen (1a, 1b, 1c) aufweist.
  8. Vorrichtung gemäß einem der Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, dass sie drei Bearbeitungsvorrichtungen (1a, 1b, 1c) aufweist, die so angeordnet sind, dass die Bearbeitungswerkzeuge in einem Winkel von jeweils 120 Grad zueinander radial über den Wafer (3) geführt werden können.
  9. Vorrichtung gemäß einem der Ansprüche 1 bis 8, dadurch gekennzeichnet, dass die zumindest eine Bearbeitungsvorrichtung (1) so bewegt werden kann, dass das von der Bearbeitungsvorrichtung (1) ausgehende Bearbeitungswerkzeug (2) von einem Rand des Wafers (3) bis zu seiner Mitte geführt werden kann.
  10. Vorrichtung gemäß Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, dass die Bearbeitungsvorrichtungen so angeordnet sind, dass die Bearbeitungswerkzeuge über Teilradien radial über den Wafer (3) geführt werden können.
  11. Verfahren zum Bearbeiten von Halbleiterwafern, die Schritte aufweisend: – Drehen eines Wafers (3) zum Auffinden zumindest eines Merkmals des Wafers (3); – Bestimmen einer Waferposition anhand zumindest eines aufgefundenen Merkmals; – Drehen des Wafers (3) und Bewegen zumindest einer Bearbeitungsvorrichtung (1) in radialer Richtung über dem Wafer (3), um ein Bearbeitungswerkzeug (2) der Bearbeitungsvorrichtung (1) über einem vorgegebenen Punkt auf dem Wafer (3) zu positionieren; und – Bearbeiten des Wafers (3) durch das Bearbeitungswerkzeug (1) an dem vorgegebenen Punkt.
  12. Verfahren gemäß Anspruch 11, dadurch gekennzeichnet, dass das Drehen des Wafers (3) zur Positionierung eines vorgegebenen Punkts unter dem Bearbeitungswerkzeug zugleich dazu verwendet wird, weitere Merkmale des Wafers (3) aufzufinden.
  13. Verfahren gemäß Anspruch 11 oder 12, dadurch gekennzeichnet, dass die Merkmale metallisierte Bereiche auf dem Wafer (3) sind, die sich vom Rest des Wafers (3) in ihrem Reflexionsvermögen für Licht und/oder in ihrer Form unterscheiden.
  14. Verfahren gemäß einem der Ansprüche 11 bis 13, dadurch gekennzeichnet, dass das Drehen des Wafers (3) mit einer konstanten Winkelgeschwindigkeit erfolgt und das Bearbeiten des Wafers (3) am sich drehenden Wafer (3) erfolgt.
  15. Verfahren gemäß einem der Ansprüche 11 bis 14, dadurch gekennzeichnet, dass das Bewegen der Bearbeitungsvorrichtung (1) so mit dem Drehen des Wafers (3) abgestimmt wird, dass zum Bearbeiten des Wafers (3) an allen vorgegebenen Punkten die Bearbeitungsvorrichtung (1) nur einmal über einen Radius des Wafers (3) geführt werden muß.
  16. Verfahren gemäß einem der Ansprüche 11 bis 15, dadurch gekennzeichnet, dass das Bearbeiten durch mehrere Bearbeitungswerkzeuge (2) mehrerer Bearbeitungsvorrichtungen (1a, 1b, 1c) erfolgt.
  17. Verfahren gemäß einem der Ansprüche 11 bis 16, dadurch gekennzeichnet, dass das Bearbeiten ein Laserbrennen der Oberfläche des Wafers (3) ist.
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