DE10237901B3 - Device for suppressing partial emission of a radiation source based on a hot plasma, especially an EUV radiation source, has a debris filter with plates radially aligned with the optical axis of a radiation source - Google Patents
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Abstract
Description
Die Erfindung betrifft eine Anordnung zur Unterdrückung von Teilchenemission bei einer Strahlungserzeugung in Röntgenstrahlungsquellen auf Basis eines heißen Plasmas, insbesondere EUV-Strahlungsquellen.The invention relates to an arrangement for oppression of particle emission when generating radiation in X-ray sources based on a hot Plasma, especially EUV radiation sources.
Weiche Röntgenstrahlung bzw. extrem ultraviolette (EUV-) Strahlung finden in vielen technischen Bereichen Anwendung. Durch die Entwicklung von hochreflektierenden dielektrischen Mehrschichtspiegeln (multi-layer dielectric mirrors), die als Optiken für diesen Spektralbereich geeignet sind, gewinnt EUV-Strahlung auch zunehmend für die nächste Generation der Halbleiter-Lithographie an Bedeutung, um die Belichtung immer kleinerer Strukturen von ULSI-Schaltkreisen (Ultra Large Scale Integration) zu ermöglichen.Soft x-rays or extreme Ultraviolet (EUV) radiation can be found in many technical areas Application. Through the development of highly reflective dielectric Multi-layer dielectric mirrors that act as optics For this EUV radiation is increasingly gaining in the spectral range for the next Generation of semiconductor lithography in importance to the exposure ever smaller structures of ULSI circuits (Ultra Large Scale Integration).
Die nunmehr in den Mittelpunkt des Interesses gerückten EUV-Strahlungsquellen können zukünftig jedoch nur dann mit Erfolg eingesetzt werden, wenn sie ausreichend intensive Strahlung im Wellenlängenbereich um 13,5 nm und zugleich wenig Debris emittieren. Die Generierung von Debris, das heißt die Emission von Materie in Form von neutralen und geladenen Teilchen aus dem Strahlung emittierenden Plasma sowie aus den zur Erzeugung des Plasmas verwendeten Elementen (durch Elektrodenabbrand oder Targetzerstäubung), ist derzeit als wesentlichstes Problem anzusehen. Diese Debris-Emission verkürzt die Lebensdauer der Kollektoroptik, die als erstes optisches Element zwischen Entstehungsort und Anwendung der EUV-Strahlung angeordnet ist, sowie der nachfolgenden Kollimator- und Abbildungsoptiken erheblich. Die Lebensdauer der Kollektoroptik in lithographischen Belichtungsmaschinen soll jedoch mindestens ein Jahr betragen, die der nachfolgenden Objektive sogar mehrere Jahre. Dies lässt sich bei einer hohen Debris-Emission nicht erreichen, selbst wenn die Strahlungsquelle eine ausreichend hohe Leistung aufweist, um das sinkende Reflexionsvermögen der optischen Oberflächen in gewissem Umfang auszugleichen.Which is now the focus of the Interest EUV radiation sources can future However, they can only be used successfully if they are sufficient intense radiation in the wavelength range around 13.5 nm and at the same time emit little debris. The generation of debris, that is the emission of matter in the form of neutral and charged particles from the radiation-emitting plasma and from the generation of the plasma used elements (by electrode erosion or Targetzerstäubung) is currently the most important problem. This debris emission shortened the lifespan of the collector optics, which is the first optical element between the place of origin and the application of EUV radiation is significant, as well as the subsequent collimator and imaging optics. The Lifetime of the collector optics in lithographic exposure machines however, should be at least one year, that of the following Lenses even for several years. This is not possible with a high debris emission reach even if the radiation source is sufficiently high Performance has to reflect the decreasing reflectivity of the optical surfaces compensate to a certain extent.
Verschiedene Typen von Debris-Filtern, die bisher bekannt geworden sind, erreichen mit ihren Eigenschaften nicht den erforderlichen Grad der Debris-Reduzierung.Different types of debris filters, that have become known so far achieve with their properties not the required degree of debris reduction.
Solche Filter bestehen zum Beispiel aus konzentrischen Kegeln, die als Prallbleche des Filters ankommende Debris-Teilchen absorbieren, wenn diese zuvor durch Stöße mit Gasteilchen ihre ursprünglich strahlungskonforme Ausbreitungsrichtung geändert haben. Die Prallbleche reduzieren jedoch geometrisch die Transmission der Strahlung durch „Schattenwurf" der Kanten. Werden zur Erhöhung der Filterwirkung die Anzahl der Filterwände erhöht bzw. die Wandabstände reduziert, wird zwangsläufig das Strahlenbündel enger begrenzt und die Transmission der Strahlung weiter reduziert.Such filters exist, for example from concentric cones that arrive as baffle plates of the filter Debris particles absorb if they have previously been impacted by gas particles their originally have changed the radiation-compliant direction of propagation. The baffle plates however, geometrically reduce the transmission of the radiation by "casting shadows" on the edges to increase the Filter effect increases the number of filter walls or reduces the wall spacing, will inevitably ray beam more narrowly limited and the transmission of the radiation further reduced.
Andererseits kann eine Anordnung von Blechen seitlich zur Ausbreitungsrichtung der Strahlung eine hohe Transmission garantieren.On the other hand, an arrangement of sheets laterally to the direction of propagation of the radiation guarantee high transmission.
Eine solche Filtereinrichtung für eine Röntgenstrahlungsquelle
ist aus der Patentschrift
Eine an die vorstehenden Geometrien anknüpfende Lösung ist in der Veröffentlichung WO 99/4904 A1 beschrieben. Die hier offenbarten Filter für die EUV-Lithographie bestehen aus parallelen Blechen oder Folien, die entweder vom Strahlungszentrum (Plasma) im gewünschten Raumwinkel als Fächer von ebenen Flächen oder als ineinander geschachtelte Kegelmantel- oder Pyramidenmantelflächen auseinanderlaufen. Allen diesen Gebilden ist gemeinsam, dass die Bleche – verlängert in Richtung des Plasmas – im Zentrum des emittierenden Plasmas zusammentreffen, d.h.. dass sie punktsymmetrisch zum Quellort ausgerichtet sind. Der nutzbare Raumwinkel ist jedoch durch vorstehende Anordnungen eng begrenzt. Werden die Bleche zur Vergrößerung des Raumwinkels in einem größeren Abstand angeordnet, wird die Filterwirkung reduziert. Schnelle geladene und ungeladene Teilchen werden mit dieser Anordnung nur unzureichend aus dem austretenden Strahlenbündel ausgefiltert oder es muss durch die Ineinanderschachtelung insbesondere bei den ebenflächigen Gebilden eine ungleichmäßige Abschattung in verschiedenen Raumrichtungen in Kauf genommen werden.One to the geometries above anknüpfende solution is in publication WO 99/4904 A1 described. The filters for EUV lithography disclosed here exist from parallel sheets or foils, either from the radiation center (Plasma) in the desired Solid angle as a fan of flat surfaces or diverge as nested conical or pyramid surfaces. All these structures have in common that the sheets - extended in Direction of the plasma - in Center of the emitting plasma, i.e. that they are aligned symmetrically to the source location. The usable solid angle is however narrowly limited by the above arrangements. Will the Sheets to enlarge the Solid angle arranged at a greater distance, the filter effect is reduced. Fast charged and uncharged With this arrangement, particles are only insufficiently released ray beam filtered out or it has to be nested in particular with the flat Form an uneven shading be accepted in different spatial directions.
Weiterhin bekannt gewordene mechanische Verschlüsse (Shutter), die nach jedem Strahlungsimpuls den Strahlengang schnell verschließen, um die langsameren Teilchen zu blockieren, können aus technischen Gründen die geforderten Wiederholraten (bis zu 10 kHz) bei großem Öffnungswinkel nicht realisieren.Mechanical closures that have become known, which quickly close the beam path after each radiation pulse in order to for technical reasons, the slower particles can be blocked required repetition rates (up to 10 kHz) with a large aperture angle do not realize.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, eine neue Möglichkeit zur Debris-Filterung bei plasmagenerierten Strahlungsquellen, insbesondere EUV-Strahlungsquellen, zu finden, die eine große Apertur der Strahlungsquelle und eine zuverlässige Rückhaltung geladener und ungeladener Teilchen gestattet, ohne wesentliche Sektoren des nutzbaren Strahlungs-Raumwinkels unzureichend zu filtern und ohne eine wesentliche Transmissionsminderung zu verursachen.The invention has for its object a new possibility for debris filtering in the case of plasma-generated radiation sources, in particular EUV radiation sources, to find that a large aperture the radiation source and reliable retention of charged and uncharged Particles allowed without significant sectors of the usable radiation solid angle insufficient filtering and without a significant reduction in transmission to cause.
Erfindungsgemäß wird die Aufgabe bei einer Anordnung zur Unterdrückung von Teilchenemission einer Strahlungsquelle auf Basis eines heißen Plasmas, insbesondere einer EUV-Strahlungsquelle, bei der zur Erzeugung des Plasmas eine Vakuumkammer mit einer Austrittsöffnung zum Abstrahlen der generierten Strahlung in einen definierten Raumwinkel sowie ein Debrisfilter zur Ausfilterung von unerwünschter Partikelemission, das im Strahlengang zwischen dem Plasma und einer ersten Kollektoroptik angeordnet ist, vorhanden sind, wobei das Debrisfilter aus einer Vielzahl von in Strahlungsrichtung ausgerichteten Lamellen besteht, dadurch gelöst, dass die Lamellen bezüglich einer vorgegebenen optischen Achse der Strahlungsquelle radial ausgerichtet und gleichverteilt angeordnet sind, die Form von ebenen Flächen mit einem Paar paralleler Kanten aufweisen und orthogonal zwischen einer inneren und einer äußeren Hüllfläche angeordnet sind, wobei die Hüllflächen durch die parallelen Kanten der Lamellen parallel zueinander aufgespannt werden und rotationssymmetrisch zur optischen Achse angeordnet sind, so dass das Plasma für einen um die optische Achse vorgewählten Raumwinkel von einem Lamellenbüschel überdacht (d.h. mit einem haubenähnlichen Gebilde abgeschirmt) ist.According to the invention the task at Arrangement for suppressing particle emission from a radiation source based on a hot plasma, in particular an EUV radiation source, in which a vacuum chamber with an outlet opening for emitting the generated radiation into a defined solid angle and a debris filter for filtering out undesired particle emission, which is in the Beam path between the plasma and a first collector optics are present, wherein the debris filter consists of a plurality of lamellae aligned in the radiation direction, solved in that the lamellae are radially aligned and evenly distributed with respect to a predetermined optical axis of the radiation source, the shape of have flat surfaces with a pair of parallel edges and are arranged orthogonally between an inner and an outer envelope surface, the envelope surfaces being stretched parallel to one another by the parallel edges of the lamellae and are arranged rotationally symmetrical to the optical axis, so that the plasma is covered by a bundle of lamellae for a preselected solid angle about the optical axis (ie shielded with a hood-like structure).
Zur vorteilhaften Ausführung des Lamellengebildes können die Lamellen in unterschiedlicher Weise geformt sein.For advantageous execution of the Lamellar structure can the slats can be shaped in different ways.
Eine zweckmäßige Form sind Trapezflächen, wobei die Lamellen von zwei Hüllflächen in Form von parallelen Kegelmantelflächen, deren Symmetrieachsen koaxial zur optischen Achse der Strahlungsquelle ausgerichtet sind, begrenzt sind.A convenient shape are trapezoidal surfaces, whereby the slats of two enveloping surfaces in shape of parallel conical surfaces, whose axes of symmetry coaxial to the optical axis of the radiation source are aligned, are limited.
In einer besonders vorteilhaften Ausformung sind die einzelnen Lamellen Segmente eines Kreisringes. Dabei werden die Lamellen von zwei einhüllenden Flächen . (Hüllflächen) in Form von konzentrischen Kugelkalotten, deren Mittelpunkte dem Zentrum der Strahlungsemission zugeordnet sind, begrenzt.In a particularly advantageous Formation are the individual lamella segments of an annulus. The slats are made up of two enveloping surfaces. (Enveloping surfaces) in the form of concentric Spherical caps, the center of which is the center of the radiation emission are assigned.
Es erweist sich als zweckmäßig, die äußere Hüllfläche als äußere Begrenzungsfläche des Debrisfilters, vorzugsweise eine Kugelkalotte, mit einem Spektralfilter zu überspannen. Sie kann aber auch vorteilhaft selbst körperlich als feinmaschige Stützstruktur zur Erhöhung der mechanischen Stabilität eines folienartigen Spektralfilters ausgebildet sein.It proves to be expedient to have the outer envelope surface as the outer boundary surface of the Debris filter, preferably a spherical cap, with a spectral filter to span. But it can also be advantageous physically as a fine-meshed support structure to increase mechanical stability a foil-like spectral filter.
Das Spektralfilter ist vorzugsweise mindestens eine Filterfolie aus einem der Materialen Beryllium, Zirkonium, Silizium und Siliziumnitrid (Si3N4). Dabei sind auch Kombinationen von unterschiedlichen Filterfolien sinnvoll.The spectral filter is preferably at least one filter film made of one of the materials beryllium, zirconium, silicon and silicon nitride (Si 3 N 4 ). Combinations of different filter foils are also useful.
Da für Röntgen- und insbesondere EUV-Strahlung regelmäßig Spiegeloptiken zur Strahlfokussierung eingesetzt werden, ist zwar ein möglichst großer Raumwinkel der emittierten Strahlung durch das Debrisfilter wirksam von Partikeln zu befreien und darf nicht abgeschattet werden, jedoch kann die Strahlung in unmittelbarer Umgebung der optischen Achse der Strahlungsquelle von Reflexionsoptiken häufig nicht genutzt werden (z.B. bei ringförmigen Optiken, die unter streifendem Einfall reflektieren). Dadurch ist es von Vorteil, wenn ein rotationssymmetrischer Zentralbereich des Debrisfilters lichtundurchlässig gestaltet wird, der dann als Träger der Lamellen verwendet werden kann. Diese Gestaltung erweist sich auch als vorteilhaft bei der Realisierung eines drehbaren Debrisfilters.As for X-ray and especially EUV radiation regular mirror optics be used for beam focusing is possible greater Solid angle of the emitted radiation through the debris filter is effective to get rid of particles and must not be shadowed, however the radiation in the immediate vicinity of the optical axis of the Radiation sources are often not used by reflection optics (e.g. at annular Optics that reflect under grazing incidence). This is it is advantageous if a rotationally symmetrical central region of the Debris filter opaque is designed, which then as a carrier the slats can be used. This design proves also advantageous when implementing a rotatable debris filter.
Um die Debris-Partikel schneller
in Kontakt mit den Lamellen zu bringen, ist das Debrisfilter zweckmäßig um die
Symmetrieachse der Lamellenanordnung drehbar, und die Drehgeschwindigkeit
wird so eingestellt, dass
Dafür kann das Debrisfilter einerseits auf einer in der Symmetrieachse massiv angeordneten Welle gelagert und diese von einem Motor angetrieben werden. Andererseits ist auch eine Gestaltung sinnvoll, bei der das Debrisfilter am größten Umfang seiner äußeren Hüllfläche gelagert und mittels eines Tangentialantriebs rotierbar ist.The debris filter can do this on the one hand mounted on a shaft arranged massively in the axis of symmetry and these are powered by a motor. On the other hand, too a design makes sense in which the debris filter is mounted on the largest circumference of its outer envelope surface and is rotatable by means of a tangential drive.
Zur weiteren Verbesserung der Filterwirkung ist es zweckmäßig, dass am Debrisfilter eine Gaszufuhreinrichtung vorgesehen ist, um das Debrisfilter von einem Puffergas zu durchspülen. Dabei besteht die Gaszufuhreinrichtung aus einer ringförmigen Anordnung gleichmäßig um die Symmetrieachse des Debrisfilters angeordneter Düsen, die in Richtung der Lamellen ausgerichtet sind. Die Gasdurchströmung des Debrisfilters kann sowohl in Ausbreitungsrichtung der emittierten Strahlung (von innen) als auch entgegen der Strahlungsrichtung (von außerhalb des Debrisfilters) erfolgen.To further improve the filtering effect it is appropriate that a gas supply device is provided on the debris filter in order to Flush the debris filter with a buffer gas. There is a gas supply device from an annular Arrangement evenly around the Axis of symmetry of the debris filter arranged in the direction of the lamellae are aligned. The gas flow through the debris filter can both in the direction of propagation of the emitted radiation (from the inside) as well as against the radiation direction (from outside the debris filter) respectively.
Zur Erreichung einer maximalen Filterwirkung und einer möglichst geringen Abschattung der emittierten Strahlung haben die Lamellen in Richtung der Strahlungsausbreitung vorzugsweise eine Länge zwischen 10 mm und 40 mm und weisen eine sehr geringe Dicke auf, die zwischen 50 μm und 100 μm betragen kann. Die Länge der Lamellen in Richtung der Strahlungsausbreitung wird zweckmäßig durch den lotrechten Abstand zwischen der inneren und der äußeren Hüllfläche der Lamellen festgelegt.To achieve a maximum filter effect and one if possible The slats have little shading of the emitted radiation in the direction of the radiation propagation preferably a length between 10 mm and 40 mm and have a very small thickness that between 50 μm and 100 μm can. The length the slats in the direction of the radiation propagation is expediently by the vertical distance between the inner and outer envelope surface of the slats.
Benachbarte Lamellen des erfindungsgemäßen Debrisfilters schließen vorteilhaft jeweils einen Winkel von wenigen Grad ein. Vorzugsweise haben die Lamellen zueinander einen Winkelabstand von 1 ° oder noch darunter.Adjacent lamellae of the debris filter according to the invention conclude advantageously an angle of a few degrees. Preferably the slats have an angular distance of 1 ° or more underneath.
Die Lamellen des Debrisfilters bestehen zweckmäßig aus keramischem Material, insbesondere Metalloxidkeramik.The lamellae of the debris filter consist of appropriately ceramic material, especially metal oxide ceramic.
Eine weitere Ausführung sieht metallische Lamellen für das Debrisfilter vor. Das ist insbesondere dann von Vorteil, wenn die Lamellen eine elektrische Zusatzfilterwirkung erreichen sollen. Dazu können zum einen alle Lamellen des Debrisfilters auf ein gemeinsames Potential gelegt sein. Zum anderen ist es vorteilhaft, wenn die Lamellen des Debrisfilters elektrisch so geladen sind, dass benachbarte Lamellen auf unterschiedlichem Potential liegen.Another version provides metallic fins for the debris filter. This is particularly advantageous if the slats are to achieve an additional electrical filter effect. You can do this On the one hand, all lamellae of the debris filter must be connected to a common potential. On the other hand, it is advantageous if the lamellae of the debris filter are electrically charged so that neighboring lamellae are at different potentials.
Zur Erreichung einer zusätzlichen magnetischen Filterwirkung bestehen die Lamellen des Debrisfilters vorzugsweise aus einem ferromagnetischen Material.To achieve an additional The lamellae of the debris filter consist of a magnetic filter effect preferably made of a ferromagnetic material.
Die Grundidee der Erfindung basiert auf der Überlegung, dass die bekannten Debrisfilter entweder den zentralen Bereich des emittierten Strahlungskegels unzureichend filtern oder aber eine unerwünschte Abschattung im nutzbaren Strahlungskegel verursachen, weil die Prallbleche nicht für alle Teile der emittierten Strahlung geeignet ausgerichtet werden können. Die Erfindung löst dieses Problem, indem eine im Wesentlichen kugelsymmetrische Lamellenstruktur mit einem in der optischen Achse der Austrittsöffnung der Strahlungsquelle liegenden Schnittpunkt der Lamellen eingesetzt wird. Der scheinbare Widerspruch, dass damit das Zentrum des Strahlungskegels stark abgeschattet wird, konnte dadurch ausgeräumt werden, dass für reale Röntgenoptiken, die Spiegeloptiken sind und nur ringförmige Strahlungsbündel erfassen, diese Abschattung überhaupt keine Nachteile mit sich bringt.The basic idea of the invention is based on the consideration that the known debris filter either the central area of the insufficiently filter the emitted radiation cone or one undesirable Cause shading in the usable radiation cone because the baffle plates not for all parts of the emitted radiation are appropriately aligned can. The invention solves this problem by creating a substantially spherical lamellar structure with one in the optical axis of the outlet opening of the radiation source lying intersection of the slats is used. The apparent one Contradiction that the center of the radiation cone is strongly shadowed could be cleared out be that for real x-ray optics, the mirror optics are and only detect ring-shaped radiation beams, this shading at all brings no disadvantages.
Mit der erfindungsgemäßen Anordnung ist es somit möglich, für eine im Plasma generierte Strahlung, insbesondere für EUV-Strahlungsquellen, eine effektive Debrisfilterung zu erreichen, die bei einer großen Apertur der Strahlung ohne wesentliche Minderung der Transmission eine zuverlässige Rückhaltung geladener und ungeladener Teilchen unterschiedlicher Genese gestattet.With the arrangement according to the invention is it possible for one radiation generated in plasma, especially for EUV radiation sources, a to achieve effective debris filtering with a large aperture reliable retention of radiation without significant reduction in transmission charged and uncharged particles of different genetics allowed.
Die Erfindung soll nachstehend anhand von Ausführungsbeispielen näher erläutert werden. Die Zeichnungen zeigen:The invention is based on the following of embodiments are explained in more detail. The drawings show:
Die erfindungsgemäße Anordnung enthält im Wesentlichen
ein Debrisfilter
Die Lamellen
Wegen der angestrebten Punktform
des Plasmas
Als Umhüllende für alle Lamellen
Eine herstellungstechnisch einfachere
Lamellenform ist in
Außerdem ist die begrenzte Austrittsöffnung
Die zunächst nachteilig erscheinende
Abschattung eines zentralen Bereiches der emittierten Strahlung
um die optische Achse
Weiter zeigt
Zur Erhöhung der Wirksamkeit des Debrisfilters
Dazu sind in den
Eine elegantere Variante zur Rotation
des Debrisfilters
Eine weitere Ausgestaltung des Debrisfilters 1
besteht – wie
in
In den
Ohne Zeichnung erwähnt werden
soll auch noch die Fertigung der Lamellen
Zur weiteren Ausgestaltung des Debrisfilters
Es sind weitere Gestaltungsvarianten
der Erfindung möglich,
ohne den Rahmen dieser Erfindung zu verlassen. Ausgegangen wurde
in den vorhergehend beschriebenen Beispielen ebenen Lamellen
- 11
- Debrisfilterdebris filter
- 1111
- Lamellenslats
- 11a, 11b11a, 11b
- Lamellen unterschiedlichen Potentialsslats different potential
- 1212
- Trägercarrier
- 1313
- innere Kugelkalotteinner spherical cap
- 1414
- äußere Kugelkalotteouter spherical cap
- 1515
- trapezförmige Lamellentrapezoidal slats
- 1616
- innerer Kegelmantelinternal cone shell
- 1717
- äußerer Kegelmantelouter cone jacket
- 1818
- äußerer Raumwinkelbereichouter solid angle range
- 1919
- Stützstruktursupport structure
- 22
- optische Achseoptical axis
- 33
- Plasmaplasma
- 3131
- Austrittsöffnung (der Vakuumkammer)Outlet opening (the Vacuum chamber)
- 44
- Reflexionsoptikreflective optics
- 4141
- Hauptspiegelmain mirror
- 4242
- FangspiegelFangspiegel
- 4343
- elliptischer Reflektorringelliptic reflector ring
- 4444
- hyperbolischer Reflektorteilhyperbolic reflector part
- 55
- Spektrographspectrograph
- 66
- Energiemonitorenergy monitor
- 77
- Antriebsmotordrive motor
- 7171
- Antriebswelledrive shaft
- 7272
- TangentialantriebTangent
- 88th
- GaszufuhreinrichtungGas supply means
- 8181
- Düsejet
- 99
- Filterfoliefilter foil
Claims (24)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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DE2002137901 DE10237901B3 (en) | 2002-08-16 | 2002-08-16 | Device for suppressing partial emission of a radiation source based on a hot plasma, especially an EUV radiation source, has a debris filter with plates radially aligned with the optical axis of a radiation source |
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Publications (1)
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Family
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Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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Country Status (1)
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DE (1) | DE10237901B3 (en) |
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8100 | Publication of patent without earlier publication of application | ||
8364 | No opposition during term of opposition | ||
R081 | Change of applicant/patentee |
Owner name: USHIO DENKI KABUSHIKI KAISHA, JP Free format text: FORMER OWNER: XTREME TECHNOLOGIES GMBH, 07745 JENA, DE Effective date: 20110712 |
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|
R082 | Change of representative |
Representative=s name: PATENTANWAELTE OEHMKE UND KOLLEGEN, DE Effective date: 20131114 |
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R082 | Change of representative |
Representative=s name: PATENTANWAELTE OEHMKE UND KOLLEGEN, DE Representative=s name: GLEIM PETRI OEHMKE PATENT- UND RECHTSANWALTSPA, DE |
|
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|
R071 | Expiry of right |