DE10247528A1 - Integrated circuit arrangement, has electronic components in semiconductor substrate each provided with contact pad for functional testing - Google Patents
Integrated circuit arrangement, has electronic components in semiconductor substrate each provided with contact pad for functional testing Download PDFInfo
- Publication number
- DE10247528A1 DE10247528A1 DE2002147528 DE10247528A DE10247528A1 DE 10247528 A1 DE10247528 A1 DE 10247528A1 DE 2002147528 DE2002147528 DE 2002147528 DE 10247528 A DE10247528 A DE 10247528A DE 10247528 A1 DE10247528 A1 DE 10247528A1
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- electronic components
- semiconductor circuit
- integrated semiconductor
- circuit according
- connection
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Ceased
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
- H01L22/30—Structural arrangements specially adapted for testing or measuring during manufacture or treatment, or specially adapted for reliability measurements
- H01L22/32—Additional lead-in metallisation on a device or substrate, e.g. additional pads or pad portions, lines in the scribe line, sacrificed conductors
Abstract
Description
Die vorliegende Erfindung betrifft eine integrierte Halbleiterschaltung bestehend aus einer Vielzahl von elektronischen Bauelementen in einem Halbleitersubstrat und ein Verfahren zum Herstellen derselben.The present invention relates to an integrated semiconductor circuit consisting of a multitude of electronic components in a semiconductor substrate and a method of making the same.
In integrierten Schaltungen werden die einzelnen elektronischen Bauelemente in der Regel durch sogenannte Metallisierungsebenen miteinander verbunden. Dies hat den Nachteil, dass die elektronischen Bauelemente nicht getrennt vermessen werden können. Als Folge davon kann die zu gewährleistende Lieferqualität leiden.In integrated circuits the individual electronic components usually by so-called Metallization levels interconnected. This has the disadvantage that the electronic components are not measured separately can. As a result, the one to be guaranteed delivery quality Suffer.
Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es daher, eine integrierte Halbleiterschaltung und ein Verfahren zum Herstellen derselben bereitzustellen, die eine Funktionsprüfung der einzelnen integrierten elektronischen Bauelemente zulässt.Object of the present invention is therefore a semiconductor integrated circuit and a method to manufacture the same, which provide a functional test of the individual integrated electronic components.
Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß durch eine integrierte Halbleiterschaltung bestehend aus einer Vielzahl von elektronischen Bauelementen in einem Halbleitersubstrat gelöst, bei der zumindest zwei elektronische Bauelemente in dem Halbleitersubstrat galvanisch getrennt sind und diese zumindest zwei elektronischen Bauelemente auf der Halbleitersubstratoberfläche jeweils mindestens eine Anschlussfläche zur Ausführung einer Funktionsprüfung haben.This object is achieved by a integrated semiconductor circuit consisting of a variety of solved electronic components in a semiconductor substrate, at of the at least two electronic components in the semiconductor substrate are electrically isolated and these are at least two electronic Components on the semiconductor substrate surface each have at least one terminal area for execution a functional test to have.
Die Erfindung ermöglicht die getrennte Messung verschiedener integrierter Bauelemente auf Scheibenebene. Damit können auch elektronische Bauelemente integriert werden, deren Qualitätsanforderungen diese getrennte Messung erfordern. Insbesondere für Kleinintegration mit wenigen Bauelementen kann somit die gewünschte Zuverlässigkeit gewährleistet werden.The invention enables separate measurement various integrated components at the pane level. In order to can also electronic components are integrated, their quality requirements require this separate measurement. Especially for small integration With just a few components, the desired reliability can be guaranteed become.
Eine vorteilhafte Weiterbildung der erfindungsgemäßen Anordnung sieht vor, dass die Anschlussflächen von benachbarten elektronischen Bauelementen einen Abstand von weniger als 100 μm haben. Dadurch lassen sich die Anschlussflächen in einem späteren Arbeitsschritt galvanisch mit Mitteln verbinden, die einen maximalen Durchmesser von 100 μm haben. Somit erreicht man einen akzeptablen Flächenverbrauch auf der Halbleitersubstratoberfläche.An advantageous development of arrangement according to the invention provides that the pads a distance of less from neighboring electronic components than 100 μm. This allows the pads in a later Connect work step galvanically with means that have a maximum Have a diameter of 100 μm. This achieves an acceptable area consumption on the semiconductor substrate surface.
In einer besonders vorteilhaften Ausführungsform der erfindungsgemäßen Anordnung hat die integrierte Halbleiterschaltung ein Gehäuse. Das Gehäuse dient als Schutz der integrierten Halbleiterschaltung als auch als galvanische Verbindung der Anschlussflächen.In a particularly advantageous embodiment the arrangement according to the invention the semiconductor integrated circuit has a housing. The housing serves as protection of the integrated semiconductor circuit as well as galvanic Connection of the connection surfaces.
Eine Weiterbildung der erfindungsgemäßen Anordnung ist es, wenn das Gehäuse mindestens eine Kontaktinsel hat. Auf diese Art und Weise kann eine galvanische Verbindung zwischen benachbarten Anschlussflächen selektiv hergestellt werden. Somit lassen sich ausgewählte elektronische Bauelemente miteinander galvanisch verbinden.A further development of the arrangement according to the invention it is when the housing has at least one contact island. In this way, a selective electrical connection between adjacent connection surfaces getting produced. This allows selected electronic components galvanically connect with each other.
Typischerweise weist die Kontaktinsel eine Fläche auf, die zumindest der Summe von der Fläche zweier benachbarter Anschlussflächen plus der Lücke zwischen den zwei benachbarten Anschlussflächen entspricht. Dadurch kann eine galvanische Verbindung der gesamten Fläche der Anschlussflächen über die Kontaktinsel erreicht werden. Somit verringert sich der Widerstand der galvanischen Verbindung. Insbesondere bei Flip-Chip-Montage, bei denen die Anschlussflächen nahezu ganzflächig mit Kontakthügeln versehen werden, lassen sich dadurch die Kontakthügeln mit einem typischen Durchmesser von 50 μm miteinander verbinden.The contact island typically shows an area which is at least the sum of the area of two adjacent connection areas plus the gap between the two adjacent pads. This can a galvanic connection of the entire area of the connection areas via the Contact island can be reached. This reduces the resistance the galvanic connection. Especially with flip chip assembly, at which the pads almost all over with contact bumps the contact bumps can be provided a typical diameter of 50 μm with each other connect.
In einer besonders bevorzugten Ausgestaltung der erfindungsgemäßen Anordnung liegen der Kontaktinsel mindestens zwei Anschlussflächen gegenüber. Dadurch ist die galvanische Verbin dung zwischen den Anschlussflächen besonders leicht herzustellen. Vor allem wird somit eine Flip-Chip-Montage ermöglicht. Dies bringt den Vorteil, dass bei dieser Art der galvanischen Verbindung am Chip keine zusätzlichen Arbeitsschritte notwendig sind.In a particularly preferred embodiment the arrangement according to the invention there are at least two connection surfaces opposite the contact island. Thereby the galvanic connection between the connection surfaces is special easy to manufacture. Above all, it is a flip-chip assembly allows. This has the advantage that with this type of galvanic connection on Chip no additional Work steps are necessary.
In der Regel ist die Kontaktinsel mit den Anschlussflächen galvanisch verbunden. Somit wird die volle Funktionsfähigkeit der integrierten Halbleiterschaltung hergestellt.As a rule, the contact island with the pads galvanically connected. Thus the full functionality the semiconductor integrated circuit.
Eine alternative Ausführungsform der erfindungsgemäßen Anordnung sieht vor, dass benachbarte Anschlussflächen durch ein Drahtende miteinander verbunden sind. Dies ermöglicht eine leicht herzustellende galvanische Verbindung der benachbarten Anschlussflächen im Zuge der sogenannten Draht-Gehäuse-Montage. Voraussetzung hierfür ist, dass der Abstand der Anschlussflächen kleiner als der Durchmesser des Drahtendes ist. Dieser Wert liegt typischerweise bei 100 μm.An alternative embodiment the arrangement according to the invention provides that adjacent mating surfaces are interconnected by a wire end are connected. this makes possible an easy to establish galvanic connection of the neighboring ones pads in the course of the so-called wire housing assembly. The prerequisite for this is that the distance between the connection surfaces is smaller than the diameter of the wire end. That value lies typically at 100 μm.
Die erfindungsgemäße Aufgabe wird auch durch ein Verfahren zum Herstellen einer integrierten Halbleiterschaltung mit folgenden Schritten gelöst:
- – Bereitstellen von mindestens zwei galvanisch getrennten elektronischen Bauelementen mit jeweils mindestens einer Anschlussfläche auf einem Halbleitersubstrat sowie
- – Ausführung einer Funktionsprüfung an den elektronischen Bauelementen.
- - Providing at least two electrically isolated electronic components, each with at least one connection area on a semiconductor substrate and
- - Execution of a functional test on the electronic components.
Somit lassen sich die Funktionsfähigkeit und Zuverlässigkeit der einzelnen integrierten elektronischen Bauelemente überprüfen.This allows the functionality and reliability check the individual integrated electronic components.
Eine vorteilhafte Weiterbildung des erfindungsgemäßen Verfahrens sieht vor, dass nach der Funktionsprüfung ein Gehäuse mit einer Kontaktinsel bereitgestellt wird. Das Gehäuse mit der Kontaktinsel ermöglicht die galvanische Verbindung der elektronischen Bauelemente ohne zusätzliche Arbeitsschritte.An advantageous further development of the method according to the invention provides that a housing with a contact island is provided after the functional test. The housing with the contact island enables the galvanic connection of the electronic components without additional work steps.
Eine alternative Ausführungsform des erfindungsgemäßen Verfahrens ist es, wenn die elektronischen Bauelemente nach deren Funktionsprüfung galvanisch verbunden werden. Somit wird die volle Funktionsfähigkeit der integrierten Halbleiterschaltung ermöglicht.An alternative embodiment of the method according to the invention It is when the electronic components are galvanically tested after their function has been checked get connected. Thus the full functionality the integrated semiconductor circuit enables.
Typischerweise werden auf die Anschlussflächen Kontakthügel aufgebracht. Durch diese Kontakthügel wird der Herstellungsprozess erheblich vereinfacht. Insbesondere lässt sich dadurch die galvanische Verbindung der elektronischen Bauelemente über Flip-Chip-Montage erreichen.Contact bumps are typically applied to the connection surfaces. Through this contact hill the manufacturing process is considerably simplified. In particular let yourself thereby the galvanic connection of the electronic components via flip-chip assembly to reach.
Bevorzugt wird die galvanische Verbindung über die Kontaktinsel hergestellt. Dadurch lassen sich einzelne elektronische Bauelemente miteinander verbinden und es wird die volle Funktionsfähigkeit der integrierten Halbleiterschaltung ohne zusätzliche Arbeitschritte erreicht.The galvanic connection is preferred via the Contact island made. This allows individual electronic Connect components together and it will be fully functional the integrated semiconductor circuit is achieved without additional steps.
Eine weitere vorteilhafte Ausgestaltung des erfindungsgemäßen Verfahrens sieht vor, dass die galvanische Verbindung durch das Aufbringen eines Drahtendes über mindestens zwei benachbarte Anschlussflächen hergestellt wird. Somit erhält die integrierte Schaltung ihre volle Funktionsfähigkeit.Another advantageous embodiment of the method according to the invention provides that the galvanic connection by the application of a wire end over at least two adjacent connection surfaces are produced. Consequently receives the integrated circuit is fully functional.
Die Erfindung wird nachfolgend anhand
der
In
Wie in
In
In
- 11
- Diodediode
- 22
- Kondensatorcapacitor
- 33
- HalbleitersubstratSemiconductor substrate
- 44
- Anschlussflächeterminal area
- 55
- Anschlussflächeterminal area
- 66
- Kontakthügelbump
- 77
- HalbleitersubstratoberflächeSemiconductor substrate surface
- 88th
- KontaktinselContact island
- 99
- Gehäusecasing
- 1010
- Drahtendewire end
- 1111
- Drahtwire
- 1212
- Lückegap
Claims (14)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE2002147528 DE10247528A1 (en) | 2002-10-11 | 2002-10-11 | Integrated circuit arrangement, has electronic components in semiconductor substrate each provided with contact pad for functional testing |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE2002147528 DE10247528A1 (en) | 2002-10-11 | 2002-10-11 | Integrated circuit arrangement, has electronic components in semiconductor substrate each provided with contact pad for functional testing |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE10247528A1 true DE10247528A1 (en) | 2004-01-08 |
Family
ID=29719558
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE2002147528 Ceased DE10247528A1 (en) | 2002-10-11 | 2002-10-11 | Integrated circuit arrangement, has electronic components in semiconductor substrate each provided with contact pad for functional testing |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
DE (1) | DE10247528A1 (en) |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH08288626A (en) * | 1995-04-19 | 1996-11-01 | Canon Inc | Ic and printed wiring board |
WO2000030170A1 (en) * | 1998-11-17 | 2000-05-25 | Infineon Technologies Ag | A semiconductor chip and a lead frame |
US6262434B1 (en) * | 1996-08-23 | 2001-07-17 | California Micro Devices Corporation | Integrated circuit structures and methods to facilitate accurate measurement of the IC devices |
-
2002
- 2002-10-11 DE DE2002147528 patent/DE10247528A1/en not_active Ceased
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH08288626A (en) * | 1995-04-19 | 1996-11-01 | Canon Inc | Ic and printed wiring board |
US6262434B1 (en) * | 1996-08-23 | 2001-07-17 | California Micro Devices Corporation | Integrated circuit structures and methods to facilitate accurate measurement of the IC devices |
WO2000030170A1 (en) * | 1998-11-17 | 2000-05-25 | Infineon Technologies Ag | A semiconductor chip and a lead frame |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE10019838B4 (en) | Multi-layer capacitor, wiring substrate therewith and use of such a multi-layer capacitor | |
DE69735318T2 (en) | Flip-chip semiconductor with test structure and its production | |
EP0351581A1 (en) | High-density integrated circuit and method for its production | |
DE10301512A1 (en) | Reduced chip package and process for its manufacture | |
DE19548048C2 (en) | Electronic component, in particular component working with surface acoustic waves (SAW component) | |
DE10249192A1 (en) | Electronic component with integrated passive electronic component and method for its production | |
DE10352671A1 (en) | power module | |
EP0152557B1 (en) | Semiconductor component having metallic bump contacts and multi-layer wiring | |
DE3626151C2 (en) | ||
DE102006062494A1 (en) | Electric device with a carrier element with at least one special pad and a surface mounted device | |
DE60320299T2 (en) | Integrated circuit with at least one contact bump | |
DE19743264C2 (en) | Method for producing an emulation circuit arrangement and emulation circuit arrangement with two integrated circuits | |
DE10247528A1 (en) | Integrated circuit arrangement, has electronic components in semiconductor substrate each provided with contact pad for functional testing | |
DE10229493B4 (en) | Integrated semiconductor structure | |
DE10318589A1 (en) | Printed circuit board assembly | |
WO1999004453A1 (en) | Contact and method for producing a contact | |
DE10157008B4 (en) | Semiconductor component with a semiconductor chip | |
DE102004023462B4 (en) | Method for forming printed conductor structures on semiconductor components | |
DE10131940B4 (en) | Semiconductor chip and method for forming contacts on a semiconductor device | |
DE19825608C1 (en) | Integrated circuit | |
DE10347622B4 (en) | Substrate with solder pad for making a solder joint | |
EP1424730B1 (en) | Semiconductor device with contact pads and arrangement of such a semiconductor chip on a substrate | |
DE3607093A1 (en) | ELECTRONIC COMPONENT | |
DE10114767B4 (en) | Method for implementing integrated circuit and integrated circuit wiring options | |
DE10047897B4 (en) | Electronic assembly with a mounting plate designed as a leadframe and SMD components mounted thereon |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
OAV | Applicant agreed to the publication of the unexamined application as to paragraph 31 lit. 2 z1 | ||
OP8 | Request for examination as to paragraph 44 patent law | ||
8131 | Rejection |