DE10261775A1 - Vorrichtung zur optischen Vermessung eines Abbildungssystems - Google Patents

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Abstract

Die Erfindung bezieht sich auf eine Vorrichtung zur optischen Vermessung eines optischen Abbildungssystems (1), wobei die Vorrichtung eine oder mehrere, vor dem zu vermessenden Abbildungssystem anzuordnende objektseitige Prüfoptikkomponenten (2a, 2b) und/oder eine oder mehrere, nach dem zu vermessenden Abbildungssystem anzuordnende bildseitige Prüfoptikkomponenten (3, 4, 5) umfasst und ein oder mehrere Zwischenräume zwischen je zwei aufeinander folgenden objektseitigen Prüfoptikkomponenten, zwischen je zwei aufeinander folgenden bildseitigen Prüfoptikkomponenten, zwischen einer objektseitig letzten Prüfoptikkomponente und dem anschließenden Abbildungssystem und/oder zwischen dem Abbildungssystem und einer anschließenden, ersten bildseitigen Prüfoptikkomponente gebildet sind. DOLLAR A Erfindungsgemäß sind fluidkammerbildende Mittel (6, 7a bis 7d) zur fluiddichten Begrenzung wenigstens eines der Zwischenräume vorgesehen, um eine entsprechende Immersionsflüssigkeitskammer (8a) bis (8e) zu bilden. DOLLAR A Verwendung z. B. zur optischen Vermessung von Mikrolithographie-Projektionsobjektiven hoher numerischer Apertur mittels Wellenfronterfassung durch Shearing- oder Punktbeugungsinterferometrie.

Description

  • Die Erfindung bezieht sich auf eine Vorrichtung zur optischen Vermessung eines optischen Abbildungssystems, wobei die Vorrichtung eine oder mehrere, vor dem zu vermessenden Abbildungssystem anzuordnende objektseitige Prüfoptikkomponenten und/oder eine oder mehrere, nach dem zu vermessenden Abbildungssystem anzuordnende bildseitige Prüfoptikkomponenten umfasst und ein oder mehrere Zwischenräume zwischen je zwei aufeinanderfolgenden objektseitigen Prüfoptikkomponenten, zwischen je zwei aufeinanderfolgenden bildseitigen Prüfoptikkomponenten, zwischen einer objektseitig letzten Prüfoptikkomponente und dem anschließenden, zu vermessenden Abbildungssystem und/oder zwischen dem zu vermessenden Abbildungssystem und einer anschließenden, ersten bildseitigen Prüfoptikkomponente gebildet sind.
  • Derartige Vorrichtungen sind verschiedentlich bekannt, insbesondere zur Vermessung optischer Abbildungssysteme hinsichtlich Bildfehlern. Ein Anwendungsgebiet ist die hochgenaue Ermittlung von Bildfehlern hochaperturiger Abbildungssysteme, wie sie z.B. in Mikrolithographieanlagen zur Strukturierung von Halbleiterbauelementen zum Einsatz kommen, mittels der sogenannten Wellenfronterfassung durch Scher- bzw.
  • Shearing-interferometrie, Punktbeugungsinterferometrie und andere bekannte Interferometertypen, wie Ronchityp und Twyman-Green-Typ. Wenn für diese Wellenfrontmessung dieselbe Strahlung, z.B. UV-Strahlung, verwendet wird, wie sie vom optischen Abbildungssystem in seinem normalen Betrieb benutzt wird, wobei die vermessende Vorrichtung in einer Baueinheit mit dem Abbildungssystem integriert sein kann, wird dies auch als sogenanntes Betriebsinterferometer (BIF) bezeichnet. Eine Vorrichtung dieser Art ist z.B. in der Offenlegungsschrift DE 101 09 929 A1 offenbart.
  • Üblicherweise umfasst eine solche BIF-Vorrichtung auf Shearinginterferometriebasis objektseitig, d.h. auf der Objektseite des zu vermessenden optischen Abbildungssystems, nachfolgend auch als Prüfling bezeichnet, eine Beleuchtungsmaske, auch Kohärenzmaske genannt, und eine vorgeschaltete Beleuchtungsoptik. Bildseitig schließt an den Prüfling ein Beugungsgitter an, gefolgt von einem Detektorelement, wie einem CCD-Array, unter optionaler Zwischenschaltung einer Abbildungsoptik, welche die Austrittspupille des Prüflings auf die Detektorebene des Detektorelements abbildet. Meist sind die Kohärenzmaske in der Objektebene und das Beugungsgitter in der Bildebene des Prüflings angeordnet. Entsprechend den für die optische Strahlführung einzuhaltenden Abstandsbedingungen bestehen jeweilige Zwischenräume zwischen der objektseitig letzten Prüfoptikkomponente der Vermessungsvorrichtung und dem Prüfling, zwischen dem Prüfling und der bildseitig ersten Prüfoptikkomponente der Vermessungsvorrichtung und/oder zwischen jeweils aufeinandertolgenden Prüfoptikkomponenten auf der Objektseite und/oder der Bildseite des Prüflings. Alle diese Zwischenräume sind herkömmlicherweise offen, d.h. die verwendete Strahlung durchläuft in den Zwischenräumen eine Atmosphäre, die derjenigen der Systemumgebung entspricht, z.B. Luft oder eine Vakuumatmosphäre.
  • Unter diesen Gegebenheiten können mittels derartiger Shearinginterferometer-Vermessungsvorrichtungen Abbildungssysteme bis zu numerischen Aperturen in der Größenordnung von 0,8 vermessen werden. Die Vermessung von Objektiven mit höherer numerischer Apertur in der Größenordnung von 1,0 und darüber, wie im Fall von Objektiven, die in der Immersions- und Nahfeld-Lithographie zum Einsatz kommen, ist damit kaum möglich.
  • Der Erfindung liegt als technisches Problem die Bereitstellung einer Vorrichtung der eingangs genannten Art zugrunde, die mit relativ geringem Aufwand eine Vermessung auch von optischen Abbildungssystemen sehr hoher numerischer Apertur ermöglicht und sich relativ kompakt bauen lässt.
  • Die Erfindung löst dieses Problem durch die Bereitstellung einer Vorrichtung mit den Merkmalen des Anspruchs 1. Diese Vorrichtung verfügt über fluidkammerbildende Mittel, die dafür ausgelegt sind, wenigstens einen der Zwischenräume, die zwischen aufeinanderfolgenden Prüfoptikkomponenten und/oder zwischen dem Prüfling und einer objektseitig vorgeschalteten bzw. bildseitig nachfolgenden Prüfoptikkomponente vorliegen, fluiddicht unter Bildung einer Immersionsflüssigkeitskammer zu begrenzen. Die dadurch ermöglichte Füllung des betreffenden Zwischenraums mit einer Immersionsflüssigkeit erlaubt gegenüber einer Strahlführung ohne Immersionsflüssigkeit bei ansonsten gleicher Systemdimensionierung eine Verringerung des Strahlöffnungswinkels bzw. Strahlquerschnitts ohne Informationsverlust. Folglich können auf diese Weise auch optische Abbildungssysteme mit sehr hoher Apertur in der Größenordnung von 1,0 und mehr z.B. durch Shearinginterferometrie-Wellenfronterfassung ausreichend genau vermessen werden. Des weiteren resultiert daraus die Möglichkeit eines sehr kompakten Aufbaus der Vermessungsvorrichtung.
  • Eine Weiterbildung der Erfindung nach Anspruch 2 richtet sich speziell auf eine Interterometrie-Vermessungsvorrichtung, die bildseitig in an sich üblicher Weise eine Interterenzmustererzeugungsstruktur und ein Detektorelement aufweist. Charakteristischerweise sind die fluidkammerbildenden Mittel in diesem Fall so ausgelegt, dass sie eine jeweilige Immersionsflüssigkeitskammer zwischen Prüfling und bildseitiger Interferenzmustererzeugungsstruktur direkt nach letzterer und/oder direkt vor dem Detektorelement bilden. Die Verwendung einer Immersionsflüssigkeit zwischen bildseitiger Interterenzmustererzeugungsstruktur und Detektorelement ermöglicht eine Verkleinerung des Strahlöffnungswinkels zwischen diesen beiden Prüfoptikkomponenten und eine kompaktere Bauweise der Anordnung. Zudem ergeben sich Vorteile hinsichtlich Signal-/Rauschverhältnis.
  • Eine Weiterbildung der Erfindung nach Anspruch 3 sieht eine Interferometrievorrichtung zur Wellenfronterfassung vor, die objektseitig eine Interterenzmustererzeugungsstruktur und eine vorgeschaltete Beleuchtungsoptik beinhaltet, wobei die fluidkammerbildenden Mittel zur Bildung einer Immersionsflüssigkeitskammer zwischen objektseitiger Interterenzmustererzeugungsstruktur und Prüfling und/oder zwischen aufeinanderfolgenden objektseitigen Prüfoptikkomponenten ausgelegt sind. Auch dies trägt dazu bei, dass Prüflinge, wie Projektionsobjektive von Mikrolithographieanlagen, hoher Apertur von z.B. 1,0 oder mehr mit dieser Vorrichtung problemlos vermessen werden können.
  • In Weiterbildung der Erfindung nach Anspruch 4 ist die Vorrichtung auf eine Vermessung mittels Shearing- oder Punktbeugungsinterferometrie ausgelegt.
  • In Weiterbildung der Erfindung nach Anspruch 5 ist die Vorrichtung vom reflektierenden Doppeldurchtritttyp, alternativ zu einer ebenso möglichen Einzeldurchtrittauslegung. Während bei letzterer die Strahlung nur ein mal durch den Prüfling hindurchtritt, wird sie beim Doppeldurchtritttyp von einem bildseitigen Reflektorelement durch den Prüfling hindurch zurückgeleitet, und die Detektion erfolgt objektseitig, d.h. auf der gleichen Seite des Prüflings, auf der sich die anderen objektseitigen Prüfoptikkomponenten, wie eine objektseitige Interferenzmustererzeugungsstruktur und/oder eine Beleuchtungsoptik, befinden. Beispielsweise kann eine solche Vorrichtung mit Doppeldurchtritt vom Twyman-Green-Interferometertyp sein.
  • In einer Weiterbildung der Erfindung nach Anspruch 6 umfasst die Vorrichtung Mittel zum kontinuierlichen oder periodischen Austausch von Immersionsflüssigkeit in einer jeweiligen Immersionsflüssigkeitskammer.
  • In einer Ausgestaltung der Erfindung nach Anspruch 7 beinhalten die fluidkammerbildenden Mittel eine Faltenbalganordnung, eine Dichtbürsten- und/oder Dichtlamellenanordnung und/oder eine Labyrinthdichtungsanordnung als Querbegrenzung der jeweiligen Immersionsflüssigkeitskammer, die axial von den beiden angrenzenden Optikkomponenten begrenzt wird. Derartige Abdichtungen sind vergleichsweise einfach realisierbar und insbesondere auch in BIF-Anordnungen von Mikrolithographie-Projektionsobjektiven einsetzbar.
  • Vorteilhafte Ausführungsformen der Erfindung sind in den Zeichnungen dargestellt und werden nachfolgend beschrieben. Hierbei zeigen:
  • 1 eine schematische Seitenansicht einer BIF-Vorrichtung zur Vermessung eines z.B. in einer Mikrolithographieanlage verwendeten Objektivs durch Shearinginterferometrie-Wellenfronterfassung,
  • 2 eine schematische Seitenansicht des bildseitigen Teils einer BIF-Vorrichtung analog 1, jedoch für eine Variante ohne zusätz liche Abbildungsoptik zwischen Beugungsgitter und Detektorelement,
  • 3 eine schematische Seitenansicht des bildseitigen Teils einer BIF-Vorrichtung analog 2, jedoch für eine Variante mit Labyrinthdichtungs- und Dichtbürsten-/Dichtlamellenanordnungen statt Faltenbalgdichtungen,
  • 4 eine schematische Seitenansicht des bildseitigen Teils einer BIF-Vorrichtung analog 1 für eine Variante mit Labyrinthdichtung zwischen Prüfling und Beugungsgitter sowie oberflächenspannungsbasierter Abdichtung zwischen Beugungsgitter und Mikroobjektiv,
  • 5 eine schematische Seitenansicht einer BIF-Vorrichtung entsprechend 1, jedoch in einer Auslegung zur Objektivvermessung durch Punktbeugungsinterferometrie und
  • 6 eine schematische Seitenansicht einer Vorrichtung zur Vermessung eines z.B. in einer Mikrolithographieanlage verwendeten Objektivs durch phasenschiebende Twyman-Green-Interferometrie.
  • Die in 1 dargestellte Vorrichtung dient zur optischen Vermessung eines Objektivs 1, wie eines Projektionsobjektivs einer Mikrolithographieanlage zur Halbleiterbauelementstrukturierung, wobei das Objektiv 1 lediglich schematisch durch eine eintrittsseitige Linse 1a, eine Objektivpupille 1b und eine austrittsseitige Linse 1c repräsentiert ist, die in einer Ringhalterung 1d gehalten sind.
  • Auf der Objektseite des zu vermessenden Objektivs 1 beinhaltet die Vermessungsvorrichtung ein Beleuchtungsmodul 2, von dem eine Be leuchtungslinse 2a und eine anschließende, als objektseitige Interterenzmustererzeugungsstruktur fungierende Kohärenzmaske 2b gezeigt sind. Auf der Bildseite des Objektivs 1 weist die Vermessungsvorrichtung ein als bildseitige Interferenzmustererzeugungsstruktur fungierendes Beugungsgitter 3, ein anschließendes Mikroobjektiv 4 und ein diesem nachgeschaltetes Detektorelement 5 auf. Mikroobjektiv 4 und Detektorelement 5 sind in einer Ringhalterung 6 gehalten.
  • Die Kohärenzmaske 2b befindet sich in der Objektebene des Objektivs 1. Das Beugungsgitter 3 ist, wie mit einem Bewegungspfeil B angedeutet, lateral beweglich in der Bildebene des Objektivs 1 angeordnet. Die Kohärenzmaske 2b und das Beugungsgitter 3 sind mit geeigneten Strukturen zur Wellenfronterfassung durch Shearing-Interterometrie versehen, wie an sich bekannt.
  • Das Mikroobjektiv 4 bildet die Pupille des Objektivs 1 auf das Detektorelement 5 ab, das z.B. als CCD-Array einer Bildaufnahmekamera realisiert ist. Die vom Detektorelement 5 aufgenommenen Shearinginterferometrie-Interterenzmuster werden in einer nicht gezeigten Auswerteeinheit zur Ermittlung des Abbildungsverhaltens bzw. der Bildfehler oder Wellenaberrationen in herkömmlicher Weise ausgewertet.
  • Insoweit ist die Vorrichtung von herkömmlicher Art und bedarf daher keiner weiteren Erläuterungen. Charakteristisch ist über diese herkömmlichen Maßnahmen hinaus vorgesehen, einen oder mehrere der zwischen den verwendeten optischen Komponenten bestehenden Zwischenräume durch fluidkammerbildende Mittel fluiddicht abzugrenzen, so dass sie mit einer Immersionsflüssigkeit gefüllt werden können.
  • Im gezeigten Beispiel von 1 sind zu diesem Zweck Faltenbalgmittel vorgesehen, die den jeweiligen Zwischenraum radial, d.h. quer zum Strahlverlauf bzw. zur optischen Achse des Abbildungssystems, begren zen, während er axial von der jeweils angrenzenden Optikkomponente begrenzt wird. Im einzelnen zeigt 1 einen ersten Faltenbalg 7a, der den Zwischenraum zwischen dem Beleuchtungsobjektiv 2a und der nachfolgenden Kohärenzmaske 2b unter Bildung einer ersten Immersionsflüssigkeitskammer 8a begrenzt. Ein zweiter Faltenbalg 7b begrenzt den Zwischenraum zwischen der Kohärenzmaske 2b und der eintrittsseitigen Linse 1a des Objektivs 1 zur Bildung einer zweiten Immersionsflüssigkeitskammer 8b. Ein dritter Faltenbalg 7c begrenzt den Zwischenraum zwischen der austrittsseitigen Objektivlinse 1c und dem nachfolgenden Beugungsgitter 3 unter Bildung einer dritten Immersionsflüssigkeitskammer 8c. Ein vierter Faltenbalg 7d begrenzt den Zwischenraum zwischen dem Beugungsgitter 3 und dem Mikroobjektiv 4 unter Bildung einer vierten Immersionsflüssigkeitskammer 8d.
  • Des weiteren bildet die Ringhalterung 6 einen Teil der fluidkammerbildenden Mittel, indem sie radial den Zwischenraum zwischen Mikroobjektiv 4 und Detektorelement 5 fluiddicht unter Bildung einer weiteren Immersionsflüssigkeitskammer 8e begrenzt.
  • Die Befüllung der Immersionsflüssigkeitskammern 8a bis 8e mit einer jeweils geeigneten Immersionsflüssigkeit beeinflusst den Strahlverlauf so, dass sich bei ansonsten gleicher Systemdimensionierung der jeweilige Öffnungswinkel und der Strahlquerschnitt verringern, wie sich aus dem in 1 schematisch gezeigten Randstrahlverlauf 9 ergibt. Dies hat zur Folge, dass sich im Vergleich zu einem Systemaufbau ohne Immersionsflüssigkeit in den von den Faltenbälgen 7a bis 7d abgedichteten Kammern 8a bis 8e das Objektiv 1 mit höherer numerischer Apertur über seine gesamte Pupille ortsaufgelöst vermessen und/oder die Vermessungsvorrichtung in kompakterer Bauweise realisieren lässt. So ermöglicht z.B. die in die erste Kammer 8a eingebrachte Immersionsflüssigkeit eine Verkürzung des Abstands der Kohärenzmaske 2b zum Beleuchtungsobjektiv 2a, welches das Beleuchtungslicht auf die Struktur ebene der Kohärenzmaske 2b fokussiert, die gleichzeitig in der Objektebene des Objektivs 1 liegt. Analog ermöglicht die in der vierten Kammer 8d befindliche Immersionsflüssigkeit eine Verkürzung des Abstands zwischen Beugungsgitter 3 und Mikroobjektiv 4.
  • In alternativen Ausführungsformen sind nur eine, zwei, drei oder vier der fünf in 1 gezeigten Immersionsflüssigkeitskammern 8a bis 8e ausgebildet, indem auf einen oder mehrere der Faltenbälge 7a bis 7d und/oder auf eine fluiddichte Auslegung der Ringhalterung 6 verzichtet wird. Anstelle der Faltenbälge 7a bis 7d bzw. der Ringhalterung 6 können beliebige andere herkömmliche fluidkammerbildende Mittel verwendet werden, um den betreffenden Zwischenraum zwischen je zwei aufeinanderfolgenden Optikkomponenten abzudichten. Wie sich für den Fachmann versteht, kann die zu verwendende Immersionsflüssigkeit angepasst an den Anwendungsfall aus den hierzu bekannten Flüssigkeiten geeignet ausgewählt werden, insbesondere hinsichtlich ihrer Brechzahl und im Hinblick darauf, die angrenzenden Oberflächen der Optikkomponenten und der fluidkammerbildenden Mittel nicht zu schädigen. So ist z.B. bei Anwendungen mit einer Betriebswellenlänge von 193nm als Immersionsflüssigkeit deionisiertes Wasser mit einer Brechzahl von 1,47 geeignet, wobei die jeweilige Immersionsflüssigkeitskammer eine axiale Ausdehnung von mehreren Millimetern haben kann. Bei einer Betriebswellenlänge von 157nm eignet sich z.B. Perfluorpolyäther, für den der Transmissionsgrad bei einer axialen Länge der Immersionsflüssigkeitskammer von 50μm ca. 90% beträgt. Weitere herkömmliche Immersionsflüssigkeiten, die vorliegend verwendbar sind, sind Lithium- und Strontiumsalze für UV-Strahlung sowie halogenfreie Ölimmersionen für Betriebswellenlängen unterhalb von 400nm.
  • 2 zeigt den bildseitigen Teil einer Kompakt-BIF-Variante von 1, die sich vom Ausführungsbeispiel der 1 darin unterscheidet, dass als nächste Optikkomponente auf das Beugungsgitter 3 das Detektor element 5 ohne Zwischenschaltung einer Abbildungsoptik folgt. Zum leichteren Verständnis sind in 2 für funktionell äquivalente Bauteile, die nicht zwingend identisch sein müssen, gleiche Bezugszeichen gewählt. Der zwischen dem Beugungsgitter 3 und dem Detektorelement 5 bestehende Zwischenraum ist von einem Faltenbalg 7e radial nach außen unter Bildung einer Immersionsflüssigkeitskammer 8f fluiddicht abgeschlossen. Im übrigen können im vorgeschalteten Systemteil eine oder mehrere weitere Immersionsflüssigkeitskammern entsprechend 1 gebildet sein, z.B. die in 2 explizit gezeigte dritte Immersionsflüssigkeitskammer 8c zwischen der austrittsseitigen Objektivlinse 1c und dem Beugungsgitter 3.
  • Das Einbringen einer Immersionsflüssigkeit in die Kammer 8f zwischen Beugungsgitter 3 und Detektorelement 5 ist bei der Variante von 2 von besonderem Vorteil. Denn zur Ausbildung der Interferenzstrukturen im Fernfeld ist in diesem Fall wegen der fehlenden bildseitigen Abbildungsoptik ein gewisser Mindestabstand des Detektorelements 5 vom Beugungsgitter 3 nötig. Dies bedeutet, dass bei sehr großer numerischer Apertur des Prüflings eigentlich eine entsprechend erhöhte Flächenausdehnung des Detektorelements 5 nötig wäre. Das Einbringen einer Immersionsflüssigkeit in die betreffende Kammer 8f zwischen Beugungsgitter 3 und Detektorelement 5 verkleinert, wie in 2 anhand des Randstrahlverlaufs 9 ersichtlich, den (Öffnungswinkel der das Beugungsgitter 3 verlassenden Strahlung im Vergleich zum Strahlverlauf ohne Immersionsflüssigkeit und ermöglicht so die Verwendung eines Detektorelements 5 mit bei gegebener numerischer Apertur des Prüflings verkleinertem Flächenbedarf. Dies kommt einer kompakteren Bauweise des Gesamtsystems zugute.
  • Im gezeigten Beispiel ist eine Immersionsflüssigkeit mit einer Brechzahl größer als diejenige des Beugungsgittersubstrats 3 gewählt, mit der Folge, dass der Öffnungswinkel der Strahlung nach Austritt aus dem Beu gungsgittersubstrat 3 kleiner als in selbigem ist. Alternativ sind Immersionsflüssigkeiten mit niedrigerer Brechzahl als diejenige des Beugungsgittersubstrats 3 verwendbar, wie im Beispiel von 3 veranschaulicht. Bei Bedarf kann durch Anpassung der Brechzahlen von Immersionsflüssigkeit und Beugungsgitter 3 auf ansonsten übliche Entspiegelungsschichten am Beugungsgitter 3 verzichtet werden.
  • Ein weiterer Vorteil des Einbringens einer Immersionsflüssigkeit in die gebildeten Immersionsflüssigkeitskammern gerade auch im bildseitigen Teil der Vermessungsvorrichtung besteht darin, dass sich das Signal-/Rauschverhältnis und damit die Messgenauigkeit verbessern lassen, da die detektierte Intensität von Bildpunkten im Randbereich quadratisch mit dem Kosinus des Öffnungswinkels abnimmt. Unter zusätzlicher Berücksichtigung einer cos2-förmigen Beleuchtungsfunktion nimmt die Intensität zum Pupillenrandbereich hin cos4-förmig ab.
  • 3 zeigt in einer der 2 entsprechenden Ansicht eine Variante der Kompakt-BIF-Vorrichtung von 2, bei der die radiale Abdichtung der Immersionsflüssigkeitskammer 8c zwischen der austrittseitigen Objektivlinse 1c und dem Beugungsgitter 3 durch eine zweiteilige Labyrinthdichtung 10 realisiert ist, von der ein äußerer Zylinderring 10a an die austrittseitige Objektivlinse 1c anschließt und ein innerer Zylinderring 10b an das Beugungsgitter 3 angekoppelt ist. Der äußere Ring 10a ist an seiner Innenseite mit mehreren, in axialem Abstand angeordneten, radial nach innen ragenden Labyrinthringen versehen, in deren Zwischenräume radial nach außen ragende Labyrinthringe des inneren Zylinderrings 10b eingreifen, so dass ein schmaler Labyrinthkanal gebildet ist. Der enge Labyrinthkanal hält die Immersionsflüssigkeit aufgrund ihrer Oberflächenspannung in der Immersionsflüssigkeitskammer 8c. Gleichzeitig gestattet diese Labyrinthdichtung 10 eine ausreichende Lateralbeweglichkeit des Beugungsgitters 3 gegenüber der austrittsseitigen Objektivlinse 1c, indem die kammartig ineinandergreifenden Labyrinthringe late ral gegeneinander bewegt werden können, ohne die Weite des Labyrinthkanals zu verändern. Die Lateralbewegung des Beugungsgitters 3 wird in diesem Beispiel durch ein übliches Lateralbewegungs-Stellglied 14 bewirkt.
  • Als weiterer Unterschied zum Ausführungsbeispiel von 2 ist im Beispiel von 3 die Immersionsflüssigkeitskammer 8f zwischen dem Beugungsgitter 3 und dem Detektorelement 5 radial von einer Dichtbürstenanordnung 11 abgedichtet, die aus einzelnen, vom Detektorelement 5 axial nach oben stehenden Bürstenhaaren 11 besteht, die ringförmig angeordnet sind. Alternativ kann eine Dichtlamellenanordnung aus mehreren koaxialen, zwischen sich einen schmalen Ringspalt belassenden Lamellenringen oder eine Dichtlippenanordnung vorgesehen sein. Die engen Zwischenräume der Bürsten oder Lamellen werden wie im Fall der Labyrinthdichtung 10 aufgrund der Oberflächenspannungs- bzw. Kapillarkraftwirkung durch die Immersionsflüssigkeit selbst abgedichtet. Bei Bedarf können zur Verstärkung der Oberflächenspannungswirkung geeignete Nuten in die abdichtungsrelevanten Flächenbereiche eingebracht sein.
  • 4 zeigt in einer Darstellung analog zu den 2 und 3 eine weitere Variante der BIF-Vorrichtung von 1, die sich von dieser im bildseitigen Teil dadurch unterscheidet, dass zum einen zur Abdichtung zwischen austrittseitiger Objektivlinse 1c und Beugungsgitter 3 die Labyrinthdichtung 10 gemäß 3 vorgesehen ist und zum anderen für die Abdichtung der Immersionsflüssigkeitskammer 8f zwischen Beugungsgitter 3 und einem als das Mikroobjektiv fungierenden Mikroskopobjektiv 4a allein der Oberflächenspannungs- bzw. Kapillarkrafteffekt der eingebrachten Immersionsflüssigkeit genutzt wird, wozu unterstützend eine Ringnut 12 entlang des Randbereichs der planen Vorderseite des Mikroskopobjektivs 4a vorgesehen ist. Die in die so gebildete Immersionsflüssigkeitskammer 8f eingebrachte Immersionsflüssigkeit stabilisiert sich in ihrer lateralen Ausdehnung außenseitig durch ihre Oberflächenspannung an der Ringnut 12 des Mikroskopobjektivs 4a unter Bildung einer entsprechenden, nach außen gekrümmten Randfläche 13. Es versteht sich, dass diese Art der Abdichtung auf Zwischenräume mit ver gleichsweise kleiner Axialhöhe beschränkt ist. Wie auch im Fall der oben erwähnten Faltenbalg-, Bürsten-, Lamellen- oder Dichtlippenanordnungen ermöglicht auch die Abdichtvariante von 4 eine ausreichende Lateralbeweglichkeit des Beugungsgitters 3. Eine laterale Relativbewegung des Beugungsgitters 3 relativ zum Prüfling 1 ist für Justagezwecke und zum Auffinden der Fokuslage erwünscht, während eine Lateralbewegung des Beugungsgitters 3 relativ zum Detektorelement 5 bzw. Mikroobjektiv 4, 4a für den Phasenschiebungsvorgang der Shearinginterferometrie gewünscht ist.
  • In den gezeigten Beispielen wird deutlich, dass sich durch Einbringen von Immersionsflüssigkeit zwischen das Objektiv 1 und das bildseitige Gitter 3 die numerische Apparatur des Objektivs 1 und damit das Auflösungsvermögen erhöhen läßt, wenn die Vermessungsvorrichtung als BIF-Vorrichtung am Gebrauchsort des Objektivs 1 eingebaut ist, beispielsweise in ein Projektionsbelichtungssystem einer Mikrolithographieanlage. Im Normalbetrieb befindet sich beim Belichtungsprozess in der Bildebene ein zu belichtender Wafer z.B. mit Photolack, so dass sich die BIF-Vorrichtung in vorteilhafter Weise in einen Stepper bzw. Scanner einbauen lässt, wobei die Immersionsflüssigkeitskammern dessen Nutzungsbedingungen entspricht und sogar fördert. Das Füllen eines oder mehrerer der objektseitigen Zwischenräume, wie insbesondere des Zwischenraums zwischen objektseitiger Interterenzmustererzeugungsstruktur 2b, wo sich im Gebrauch des Objektivs 1 z.B. ein Retikel befindet, und dem Objektiv 1 erlaubt die Auslegung des Objektivdesigns mit kleineren Linsendurchmessern.
  • Das Einbringen von Immersionsflüssigkeit vor dem Mikroobjektiv 4, 4a hat für die Prüfung von Objektiven 1 mit numerischen Aperturen bis ca. 0,9 Vorteile hinsichtlich Design und Bau desselben, da seine numerische Apertur größer oder gleich derjenigen des Prüflings 1 sein muss, wenn wie gewünscht die gesamte Objektivpupille vermessen werden soll. Darüber hinaus ist es auf diese Weise überhaupt erst mit relativ geringem Aufwand möglich, mit dieser Technik auch Objektive mit numerischen Aperturen größer als ca. 0,95 oder sogar größer als 1,0 zu vermessen.
  • 5 zeigt in einer Ansicht entsprechend 1 ein Ausführungsbeispiel vom Punktbeugungsinterferometertyp. Auf der Objektseite des zu vermessenden Objektivs 1 beinhaltet diese Vermessungsvorrichtung ein Beleuchtungsmodul 2' mit einer Beleuchtungslinse 2a und einer anschließenden, als objektseitige Interferenzmustererzeugungsstruktur fungierenden Nadelloch(Pinhole)-Maske 2c. Letztere ist in der Objektebene des Prüflings 1 zwecks Erzeugung einer ersten sphärischen Welle angeordnet. Zwischen der Pinhole-Maske 2c und der eintrittsseitigen Linse 1a des Prüflings 1 ist ein Strahlteiler in Form eines Beugungsgitters 15 vorgesehen, um eine zur ersten kohärente, zweite sphärische Welle zu erzeugen. Alternativ kann dieses Strahlteiler-Beugungsgitter 15 vor der objektseitigen Pinhole-Maske 2c oder bildseitig zwischen der austrittseitigen Objektivlinse 1c und einer weiteren, bildseitigen Pinhole-Maske 3a angeordnet sein, die sich vorzugsweise in der Bildebene des Objektivs 1 befindet. Zum Zwecke der Phasenschiebung ist das strahlteilende Beugungsgitter 15 wiederum durch ein entsprechendes Lateralbewegungs-Stellglied 16 lateral beweglich angeordnet, wie durch den Bewegungspfeil B symbolisiert.
  • Die in der Bildebene oder alternativ in der Nähe der Bildebene des Objektivs 1 positionierte zweite Pinholemaske 3a weist ein zweites Nadelloch auf, um durch Beugung eine sphärische Referenzwelle zu erzeu gen. Die Strahlung für die Erzeugung der Referenzwelle stammt aus der Abbildung der ersten oder zweiten der vom strahlteilenden Beugungsgitter 15 gelieferten sphärischen Wellen durch das Objektiv 1, die in 5 mit durchgezogenen bzw. gestrichelten Linien schematisch repräsentiert sind, wobei sich je nach Ausführungsform des strahlteilenden Gitters 15 ein unterschiedlicher Beugungswirkungsgrad und damit unterschiedliche Überlagerungsintensitäten ergeben können.
  • Außer dem Nadelloch weist die zweite, bildseitige Pinholemaske 3a, wie bei Punktbeugungsinterferometern üblich, eine zweite, größere Öffnung zum freien Durchlass der Prüflngswelle auf. Auf der Detektionsebene des Detektorelements 5 kommt es auf diese Weise zur kohärenten Überlagerung von Referenz- und Prüfungswelle, und das entstehende Interferenzmuster kann vom Detektorelement 5 ortsauflösend detektiert und durch eine nachgeschaltete Auswerteeinheit in üblicher Weise ausgewertet werden. Die erwähnte Phasenschiebung ist hierbei von Vorteil, aber nicht prinzipiell notwendig, da durch die relative Kippung von Prüf- und Referenzwelle Vielstreifeninterferogramme entstehen, aus denen mit herkömmlichen Vielstreifenauswertemethoden die Phasenbeziehung berechnet werden kann.
  • Charakteristisch ist bei der Vorrichtung von 5 wiederum die Bildung der Immersionsflüssigkeitskammern 8a, 8b, 8c, 8f aus den Zwischenräumen zwischen den erwähnten Optikkomponenten durch geeignete fluidkammerbildende Mittel, hier wieder durch die Faltenbälge 7a, 7b, 7c, 7e, wobei das strahlteilende Beugungsgitter 15 innerhalb der Immersionsflüssigkeitskammer 8b angeordnet ist, bzw. diese entsprechend aufteilt. Es versteht sich, dass statt der Faltenbälge auch die oben erwähnten, alternativen fluidkammerbildenden Mittel verwendbar sind. Weiter versteht sich, dass in Varianten der Vorrichtung von 5 nur ein Teil der Zwischenräume unter Bildung einer jeweiligen Immersionsflüssigkeitskammer abgedichtet sein braucht.
  • Während in den obigen Ausführungsbeispielen Vermessungsvorrichtungen vom Einzeldurchtritttyp beschrieben wurden, bei denen die Prüfstrahlung nur einmal durch den Prüfling hindurchgeleitet wird, zeigt 6 eine Vermessungsvorrichtung vom Doppeldurchtritttyp, speziell vom Typ eines Twyman-Green-Interferometers. Diese Vorrichtung beinhaltet im Anschluss an eine nicht gezeigte Lichtquelle eine Fokussieroptik 17 mit Lochblende als Raumfilter und einen anschließenden Strahlteiler 18, von dem eine erste Hälfte der Strahlung um 90° in Richtung Prüfling 1 umgelenkt wird, während die restliche Strahlung unabgelenkt zu einem Referenzsystemteil 19 mit einem Planspiegel 19a und einem Axialbewegungs-Stellglied 19b gelangt, mit dem der Planspiegel 19a, wie durch Doppelpfeile symbolisiert, zwecks Phasenschiebung axial beweglich ist.
  • Der vom Strahlteiler 19 umgelenkte Strahlungsanteil wird von einer anschließenden Fokussieroptik 20 in die Objektebene des Prüflings 1 fokussiert, um dort eine sphärische Prüflingswelle bereitzustellen. Bildseitig ist ein Hohlsphärenspiegel 21 so angeordnet, dass sein Krümmungsmittelpunkt in der Bildebene des Prüflings 1 liegt. Der Hohlsphärenspiegel 21 wirft folglich die aus dem Prüfling 1 bildseitig austretende Strahlung wieder durch diesen hindurch zurück. Im idealen Fall, d.h. bei perfekter Justierung und ohne Bauteilfehler, sind Hin- und Rückweg der Welle identisch. Allgemein sind bei solchen Doppeldurchtritt-Anordnungen die Reflexionsflächen sphärisch gekrümmt, d.h. von konkaven oder konvexen Glas- oder Spiegelkörpern gebildet, da der Strahlengang bei zu vermessenden Abbildungsobjektiven austrittsseitig konvergent ist. Über die Fokussieroptik 20 und den Strahlteiler 19 gelangt die Strahlung dann auf die Detektorebene eines hinter dem Strahlteiler 19 angeordneten Detektorelements 5a, das z.B. eine Bildaufnahmekamera sein kann. Zusätzlich gelangt die vom Referenzsystemteil 19 rückreflektierte und vom Strahlteiler 19 um 90° umgelenkte Referenzstrahlung zum Detektorelement 5a und interferiert mit der doppelt durch den Prüfling 1 hindurch getretenen Strahlung, wie beim Twyman-Green-Interferometeraufbau üblich.
  • Charakteristisch sind wiederum objektseitig und bildseitig angrenzend an den Prüfling 1 je eine Immersionsflüssigkeitskammer 8b, 8c mittels jeweiliger Faltenbälge 7b, 7c, alternativ mittels einer der anderen, oben erwähnten Abdichtvarianten, gebildet, d.h. objektseitig zwischen der Fokussieroptik 20 und der eintrittsseitigen Objektivlinse 1a und bildseitig zwischen der austrittsseitigen Objektivlinse 1c und dem Hohlsphärenspiegel 21. Es ergeben sich wiederum die oben erwähnten Eigenschaften und Vorteile einer Füllung dieser Zwischenräume mit einer Immersionsflüssigkeit.
  • In allen gezeigten Ausführungsbeispielen kann die Immersionsflüssigkeit stationär in die betreffende Immersionsflüssigkeitskammer eingebracht sein, oder es wird alternativ die jeweilige Immersionsflüssigkeitskammer kontinuierlich oder periodisch mit der Immersionsflüssigkeit gespült bzw. neu befüllt. Damit kann jeglicher Störeffekt durch eine Erwärmung der Immersionsflüssigkeit vermieden und/oder eine Kühlung der angrenzenden Optikkomponenten erzielt werden. Hierzu sind dann geeignete herkömmliche Mittel vorgesehen, insbesondere ein Einlass 22a und ein Auslass 22b in bzw. aus der Immersionsflüssigkeitskammer 8c, wie in 6 beispielhaft für den Fall der Immersionsflüssigkeitskammer 8c gezeigt. Die Immersionsflüssigkeit 23 kann auf diese Weise im Kreislauf aus einem Vorratstank durch eine Pumpe in die betreffende Immersionsflüssigkeitskammer gefördert und aus dieser abgezogen werden.
  • Wie die gezeigten und oben beschriebenen Ausführungsbeispiele deutlich machen, stellt die Erfindung eine Vorrichtung zur Verfügung, mit der sich auch optische Abbildungssysteme mit sehr hoher numerischer Apertur optisch z.B. durch Wellenfronterfassung mittels Shearing-Interferometrie oder Punktbeugungsinterferometrie sehr genau vermes sen lassen. Die Vorrichtung ist insbesondere für BIF-Anordnungen zur Wellenfronterfassung von Projektionsobjektiven in Mikrolithographieanlagen einsetzbar, wobei sie bei Bedarf in die Lithographieanlage selbst integriert sein kann. Es versteht sich, dass die erfindungsgemäße Vermessungsvorrichtung auch zur optischen Vermessung beliebiger anderer optischer Abbildungssysteme unter Einsatz interferometrischer oder anderer herkömmlicher Messtechniken einsetzbar ist, insbesondere zur ortsaufgelösten Vermessung über den gesamten Pupillenbereich mit hoher numerischer Apertur. Durch Bildung einer oder mehrerer Immersionsflüssigkeitskammern in einer oder mehreren, von der vermessenden optischen Strahlung durchquerten Zwischenräumen zwischen optischen Komponenten der Vermessungsvorrichtung bzw. zwischen dem Prüfling und jeweils angrenzenden Prüfoptikkomponenten lässt sich der Öffnungswinkel bzw. der Strahlquerschnitt der vermessenden Strahlung reduzieren, und die Vermessungsvorrichtung lässt sich kompakt bauen.

Claims (7)

  1. Vorrichtung zur optischen Vermessung eines optischen Abbildungssystems, mit – einer oder mehreren, vor dem zu vermessenden Abbildungssystem (1) anzuordnenden objektseitigen Prüfoptikkomponenten (2a, 2b) und/oder – einer oder mehreren, nach dem zu vermessenden Abbildungssystem anzuordnenden bildseitigen Prüfoptikkomponenten (3, 4, 5), – wobei ein oder mehrere Zwischenräume zwischen je zwei aufeinanderfolgenden objektseitigen Prüfoptikkomponenten, zwischen je zwei aufeinanderfolgenden bildseitigen Prüfoptikkomponenten, zwischen einer objektseitig letzten Prüfoptikkomponente und dem anschließenden optischen Abbildungssystem und/oder zwischen dem optischen Abbildungssystem und einer anschließenden, ersten bildseitigen Prüfoptikkomponente gebildet sind, gekennzeichnet durch – fluidkammerbildende Mittel (6, 7a bis 7e) zur fluiddichten Begrenzung wenigstens eines der Zwischenräume, um eine entsprechende Immersionsflüssigkeitskammer (8a bis 8f) zu bilden.
  2. Vorrichtung nach Anspruch 1, weiter dadurch gekennzeichnet, dass sie zur interterometrischen Wellenfronterfassung ausgelegt ist und dazu bildseitig eine Interferenzmustererzeugungsstruktur (3) und ein Detektorelement (5) beinhaltet, wobei die fluidkammerbildenden Mittel zur Bildung einer Immersionsflüssigkeitskammer (8c bis 8f) zwischen dem zu vermessenden optischen Abbildungssystem (1) und der bildseitigen Interferenzmusterer zeugungsstruktur (3) und/oder zwischen der bildseitigen Interterenzmustererzeugungsstruktur und einer anschließenden Prüfoptikkomponente (4, 5) und/oder zwischen dem Detektorelement (5) und einer vorausgehenden Prüfoptikkomponente (3, 4) ausgelegt sind.
  3. Vorrichtung nach Anspruch 1 oder 2, weiter dadurch gekennzeichnet, dass sie zur interferometrischen Wellenfronterfassung ausgelegt ist und dazu objektseitig eine Interterenzmustererzeugungsstruktur (2b) und eine vorgeschaltete Beleuchtungsoptik (2a) beinhaltet, wobei die fluidkammerbildenden Mittel zur Bildung einer Immersionsflüssigkeitskammer (8a, 8b) zwischen der Beleuchtungsoptik (2a) und der objektseitigen Interterenzmustererzeugungsstruktur (2b) und/oder zwischen der objektseitigen Interferenzmustererzeugungsstruktur und dem optischen Abbildungssystem (1) ausgelegt sind.
  4. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 3, weiter dadurch gekennzeichnet, dass sie zur Wellenfronterfassung durch Shearing-Interferometrie mit objektseitiger und bildseitiger Interterenzmustererzeugungsstruktur oder durch Punktbeugungsinterferometrie mit objektseitiger und bildseitiger Nadelloch-Beugungsstruktur ausgelegt ist.
  5. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 4, weiter dadurch gekennzeichnet, dass sie als Doppeldurchtritt-Interterometersystem mit bildseitigem Reflexionselement ausgelegt ist.
  6. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 5, weiter gekennzeichnet durch Mittel (22a, 22b) zum kontinuierlichen oder zeitweisen Austausch von Immersionsflüssigkeit in einer jeweiligen Immersionsflüssigkeitskammer.
  7. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 6, weiter dadurch gekennzeichnet, dass die fluidkammerbildenden Mittel eine Faltenbalganordnung (7a bis 7e), eine Dichtbürsten- und/oder Dichtlamellenanordnung (11) und/oder eine Labyrinthdichtungsanordnung (10) zur fluiddichten Begrenzung einer jeweiligen Immersionsflüssigkeitskammer quer zum Strahlverlauf des Abbildungssystems beinhalten.
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US12/147,034 US20090021726A1 (en) 2002-12-20 2008-06-26 Device and method for the optical measurement of an optical system by using an immersion fluid
US12/489,639 US8120763B2 (en) 2002-12-20 2009-06-23 Device and method for the optical measurement of an optical system by using an immersion fluid
US13/351,710 US20120113429A1 (en) 2002-12-20 2012-01-17 Device and method for the optical measurement of an optical system by using an immersion fluid
US13/713,870 US8836929B2 (en) 2002-12-20 2012-12-13 Device and method for the optical measurement of an optical system by using an immersion fluid

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DE (1) DE10261775A1 (de)
WO (1) WO2004057295A2 (de)

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2005119368A2 (en) 2004-06-04 2005-12-15 Carl Zeiss Smt Ag System for measuring the image quality of an optical imaging system
WO2006131258A1 (de) * 2005-06-10 2006-12-14 Carl Zeiss Smt Ag Immersionslithographieobjektiv
DE102005040749B3 (de) * 2005-08-26 2007-01-25 Heraeus Quarzglas Gmbh & Co. Kg Verfahren zur interferometrischen Messung einer optischen Eigenschaft eines Prüflings sowie zur Durchführung des Verfahrens geeignete Vorrichtung
DE102006043548A1 (de) * 2006-09-12 2008-04-17 Carl Zeiss Smt Ag Optische Messvorrichtung
US8279402B2 (en) 2006-09-12 2012-10-02 Carl Zeiss Smt Gmbh Optical arrangement for immersion lithography with a hydrophobic coating, as well as projection exposure apparatus comprising the same
US8330935B2 (en) 2004-01-20 2012-12-11 Carl Zeiss Smt Gmbh Exposure apparatus and measuring device for a projection lens
US8363206B2 (en) 2006-05-09 2013-01-29 Carl Zeiss Smt Gmbh Optical imaging device with thermal attenuation

Families Citing this family (29)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE10261775A1 (de) * 2002-12-20 2004-07-01 Carl Zeiss Smt Ag Vorrichtung zur optischen Vermessung eines Abbildungssystems
US7213963B2 (en) 2003-06-09 2007-05-08 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US6867844B2 (en) 2003-06-19 2005-03-15 Asml Holding N.V. Immersion photolithography system and method using microchannel nozzles
US6809794B1 (en) 2003-06-27 2004-10-26 Asml Holding N.V. Immersion photolithography system and method using inverted wafer-projection optics interface
EP1491956B1 (de) 2003-06-27 2006-09-06 ASML Netherlands B.V. Lithographischer Apparat und Verfahren zur Herstellung eines Artikels
JP5136566B2 (ja) * 2003-09-29 2013-02-06 株式会社ニコン 露光装置及び露光方法並びにデバイス製造方法
KR101441840B1 (ko) 2003-09-29 2014-11-04 가부시키가이샤 니콘 노광장치, 노광방법 및 디바이스 제조방법
US7528929B2 (en) 2003-11-14 2009-05-05 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
WO2005069080A2 (de) 2004-01-16 2005-07-28 Carl Zeiss Smt Ag Vorrichtung und verfahren zur optischen vermessung eines optischen systems, messstrukturträger und mikrolithographie-projektionsbelichtungsanlage
JP4018647B2 (ja) 2004-02-09 2007-12-05 キヤノン株式会社 投影露光装置およびデバイス製造方法
US20060232753A1 (en) 2005-04-19 2006-10-19 Asml Holding N.V. Liquid immersion lithography system with tilted liquid flow
JP2007035709A (ja) 2005-07-22 2007-02-08 Canon Inc 露光装置及びそれを用いたデバイス製造方法
DE102005041203A1 (de) * 2005-08-31 2007-03-01 Carl Zeiss Sms Gmbh Vorrichtung und Verfahren zur interferometrischen Messung von Phasenmasken
US7773195B2 (en) 2005-11-29 2010-08-10 Asml Holding N.V. System and method to increase surface tension and contact angle in immersion lithography
US7459669B2 (en) * 2005-12-30 2008-12-02 Asml Netherlands B.V. Sensor and lithographic apparatus
US7649611B2 (en) 2005-12-30 2010-01-19 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP2009244391A (ja) * 2008-03-28 2009-10-22 Fujinon Corp レンズ組立体および撮像装置
JP5827827B2 (ja) * 2010-06-29 2015-12-02 エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. アクチュエータ
TWI414757B (zh) * 2010-11-17 2013-11-11 Univ Nat Yunlin Sci & Tech Measuring device and method for generating twist interference by grating modulation phase shift
NL2008345A (en) * 2011-03-28 2012-10-01 Asml Holding Nv Lithographic apparatus and device manufacturing method.
DE102011006468B4 (de) * 2011-03-31 2014-08-28 Carl Zeiss Smt Gmbh Vermessung eines abbildenden optischen Systems durch Überlagerung von Mustern
US9046791B2 (en) * 2011-11-30 2015-06-02 Changchun Institute Of Optics, Fine Mechanics And Physics, Chinese Academy Of Sciences Apparatuses and methods for detecting wave front abberation of projection objective system in photolithography machine
CN102866594B (zh) * 2012-09-27 2014-09-10 中国科学院光电技术研究所 一种光栅辅助纳米成像的光刻方法
DE102016212477A1 (de) * 2016-07-08 2018-01-11 Carl Zeiss Smt Gmbh Messverfahren und Messsystem zur interferometrischen Vermessung der Abbildungsqualität eines optischen Abbildungssystems
US11204490B2 (en) * 2018-01-12 2021-12-21 Damae Medical Dynamic focusing system for an optical device
CN110441992B (zh) * 2019-07-23 2020-05-05 中国科学院上海光学精密机械研究所 投影物镜波像差检测装置及检测方法
CN111103769B (zh) * 2020-01-02 2021-09-07 中国科学院上海光学精密机械研究所 对光强波动不敏感的投影物镜波像差检测装置与检测方法
EP3893038A1 (de) * 2020-04-10 2021-10-13 Universität Zürich Multiimmersionsmikroskopobjektiv mit minimal refraktiven oberflächen
US11852585B2 (en) * 2020-10-16 2023-12-26 The Texas A&M University System Compositions and methods for evaluation of liquid contact angle properties

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3407615C2 (de) * 1983-03-07 1987-12-23 Essilor International, Creteil, Fr
DE4415003C1 (de) * 1994-04-29 1995-06-29 Sternplastic Hellstern Gmbh & Vorrichtung zur Aufnahme von insbesondere weichen Kontaktlinsen
DE4401978C2 (de) * 1994-01-25 1996-12-12 Alexander Dr Zarubin Vorrichtung zur zerstörungsfreien Prüfung von Objekten mittels optischer und/oder holographisch-interferometrischer Methoden
DE69306541T3 (de) * 1992-12-11 2000-05-18 Praxair Technology Inc Kühlvorrichtung
DE10109929A1 (de) * 2000-02-23 2001-11-22 Zeiss Carl Vorrichtung zur Wellenfronterfassung
DE69231951T2 (de) * 1991-12-20 2002-04-04 Essex Corp Bildsynthese mit zeitsequentieller holographie
DE10065127A1 (de) * 2000-12-21 2002-08-29 Alexander Grossmann Fizeau-Interferometer für die Phasenschiebungsinterferometrie in einem abgeschlossenen Behälter

Family Cites Families (224)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
SU890067A1 (ru) * 1979-07-04 1981-12-15 Московское Ордена Ленина И Ордена Трудового Красного Знамени Высшее Техническое Училище Им. Н.Э.Баумана Интерферометр дл контрол выпуклых поверхностей линз большого диаметра
US4346164A (en) * 1980-10-06 1982-08-24 Werner Tabarelli Photolithographic method for the manufacture of integrated circuits
US4418984A (en) 1980-11-03 1983-12-06 Hughes Aircraft Company Multiply coated metallic clad fiber optical waveguide
JPS57117238A (en) 1981-01-14 1982-07-21 Nippon Kogaku Kk <Nikon> Exposing and baking device for manufacturing integrated circuit with illuminometer
JPS6113794Y2 (de) 1981-01-16 1986-04-28
JPS57153433A (en) * 1981-03-18 1982-09-22 Hitachi Ltd Manufacturing device for semiconductor
SU977942A1 (ru) * 1981-06-30 1982-11-30 Московское Ордена Ленина, Ордена Октябрьской Революции И Ордена Трудового Красного Знамени Высшее Техническое Училище Им. Н.Э.Баумана Интерферометр дл контрол формы выпуклых сферических поверхностей крупногабаритных линз
JPS59226317A (ja) 1983-06-06 1984-12-19 Nippon Kogaku Kk <Nikon> 照明装置
JP2679195B2 (ja) * 1988-12-21 1997-11-19 株式会社ニコン 投影露光装置
JP2897355B2 (ja) * 1990-07-05 1999-05-31 株式会社ニコン アライメント方法,露光装置,並びに位置検出方法及び装置
US5384573A (en) 1990-10-29 1995-01-24 Essex Corporation Image synthesis using time sequential holography
US5331369A (en) * 1991-09-20 1994-07-19 Hitachi, Ltd. Method of forming patterns and apparatus for carrying out the same
JP2753930B2 (ja) * 1992-11-27 1998-05-20 キヤノン株式会社 液浸式投影露光装置
KR100300618B1 (ko) 1992-12-25 2001-11-22 오노 시게오 노광방법,노광장치,및그장치를사용하는디바이스제조방법
JP3412704B2 (ja) * 1993-02-26 2003-06-03 株式会社ニコン 投影露光方法及び装置、並びに露光装置
US5874820A (en) * 1995-04-04 1999-02-23 Nikon Corporation Window frame-guided stage mechanism
US5528118A (en) * 1994-04-01 1996-06-18 Nikon Precision, Inc. Guideless stage with isolated reaction stage
JP3186011B2 (ja) * 1994-06-24 2001-07-11 キヤノン株式会社 投影露光装置及びデバイス製造方法
US5623853A (en) * 1994-10-19 1997-04-29 Nikon Precision Inc. Precision motion stage with single guide beam and follower stage
DE19604363A1 (de) * 1995-02-23 1996-08-29 Zeiss Carl Fa Zusatzmodul zur ortsaufgelösten Fokusvermessung
KR100422887B1 (ko) 1995-03-16 2005-02-02 가부시키가이샤 니콘 노광장치및방법
JPH08316124A (ja) * 1995-05-19 1996-11-29 Hitachi Ltd 投影露光方法及び露光装置
US5883704A (en) * 1995-08-07 1999-03-16 Nikon Corporation Projection exposure apparatus wherein focusing of the apparatus is changed by controlling the temperature of a lens element of the projection optical system
US5798838A (en) * 1996-02-28 1998-08-25 Nikon Corporation Projection exposure apparatus having function of detecting intensity distribution of spatial image, and method of detecting the same
US5825043A (en) * 1996-10-07 1998-10-20 Nikon Precision Inc. Focusing and tilting adjustment system for lithography aligner, manufacturing apparatus or inspection apparatus
JP3991166B2 (ja) * 1996-10-25 2007-10-17 株式会社ニコン 照明光学装置および該照明光学装置を備えた露光装置
CN1244021C (zh) * 1996-11-28 2006-03-01 株式会社尼康 光刻装置和曝光方法
EP0890136B9 (de) 1996-12-24 2003-12-10 ASML Netherlands B.V. In zwei richtungen ausgewogenes positioniergerät, sowie lithographisches gerät mit einem solchen positioniergerät
US6013401A (en) * 1997-03-31 2000-01-11 Svg Lithography Systems, Inc. Method of controlling illumination field to reduce line width variation
US6292255B1 (en) 1997-03-31 2001-09-18 Svg Lithography Systems, Inc. Dose correction for along scan linewidth variation
JP3747566B2 (ja) 1997-04-23 2006-02-22 株式会社ニコン 液浸型露光装置
JPH1116816A (ja) * 1997-06-25 1999-01-22 Nikon Corp 投影露光装置、該装置を用いた露光方法、及び該装置を用いた回路デバイスの製造方法
US6381013B1 (en) 1997-06-25 2002-04-30 Northern Edge Associates Test slide for microscopes and method for the production of such a slide
US5900354A (en) * 1997-07-03 1999-05-04 Batchelder; John Samuel Method for optical inspection and lithography
US6563565B2 (en) * 1997-08-27 2003-05-13 Nikon Corporation Apparatus and method for projection exposure
JP3445120B2 (ja) * 1997-09-30 2003-09-08 キヤノン株式会社 露光装置及びデバイスの製造方法
US6208407B1 (en) * 1997-12-22 2001-03-27 Asm Lithography B.V. Method and apparatus for repetitively projecting a mask pattern on a substrate, using a time-saving height measurement
TW449672B (en) 1997-12-25 2001-08-11 Nippon Kogaku Kk Process and apparatus for manufacturing photomask and method of manufacturing the same
JPH11242189A (ja) * 1997-12-25 1999-09-07 Olympus Optical Co Ltd 像形成法、像形成装置
WO1999039375A1 (fr) 1998-01-29 1999-08-05 Nikon Corporation Luxmetre et systeme d'exposition
JP3278407B2 (ja) * 1998-02-12 2002-04-30 キヤノン株式会社 投影露光装置及びデバイス製造方法
AU2747899A (en) 1998-03-20 1999-10-18 Nikon Corporation Photomask and projection exposure system
WO1999049504A1 (fr) 1998-03-26 1999-09-30 Nikon Corporation Procede et systeme d'exposition par projection
WO1999050712A1 (fr) * 1998-03-26 1999-10-07 Nikon Corporation Procede et systeme d'exposition, photomasque et son procede de fabrication, micro-composant et son procede de fabrication
JPH11297615A (ja) 1998-04-09 1999-10-29 Nikon Corp 投影露光装置および該装置を用いた半導体デバイスの製造方法
WO1999060361A1 (fr) 1998-05-19 1999-11-25 Nikon Corporation Instrument et procede de mesure d'aberrations, appareil et procede de sensibilisation par projection incorporant cet instrument, et procede de fabrication de dispositifs associe
AU4167199A (en) 1998-06-17 2000-01-05 Nikon Corporation Method for producing mask
JP2000058436A (ja) 1998-08-11 2000-02-25 Nikon Corp 投影露光装置及び露光方法
US6312373B1 (en) * 1998-09-22 2001-11-06 Nikon Corporation Method of manufacturing an optical system
US6563567B1 (en) * 1998-12-17 2003-05-13 Nikon Corporation Method and apparatus for illuminating a surface using a projection imaging apparatus
US6281967B1 (en) 2000-03-15 2001-08-28 Nikon Corporation Illumination apparatus, exposure apparatus and exposure method
JP3796369B2 (ja) * 1999-03-24 2006-07-12 キヤノン株式会社 干渉計を搭載した投影露光装置
WO2001008205A1 (fr) 1999-07-23 2001-02-01 Nikon Corporation Procede d'exposition, systeme d'exposition, source lumineuse, procede et dispositif de fabrication
US6448568B1 (en) 1999-07-30 2002-09-10 Applied Materials, Inc. Electron beam column using high numerical aperture photocathode source illumination
DE69930398T2 (de) 1999-09-20 2006-10-19 Nikon Corp. Belichtungssystem mit einem parallelen Verbindungsmechanismus und Belichtungsverfahren
US6292608B1 (en) 1999-09-30 2001-09-18 Agilent Technologies, Inc. Line scan camera
JP2001144004A (ja) * 1999-11-16 2001-05-25 Nikon Corp 露光方法、露光装置、及びデバイス製造方法
US7187503B2 (en) 1999-12-29 2007-03-06 Carl Zeiss Smt Ag Refractive projection objective for immersion lithography
US6995930B2 (en) * 1999-12-29 2006-02-07 Carl Zeiss Smt Ag Catadioptric projection objective with geometric beam splitting
JP2002100561A (ja) 2000-07-19 2002-04-05 Nikon Corp 露光方法及び装置、並びにデバイス製造方法
TW546699B (en) * 2000-02-25 2003-08-11 Nikon Corp Exposure apparatus and exposure method capable of controlling illumination distribution
US20020041377A1 (en) * 2000-04-25 2002-04-11 Nikon Corporation Aerial image measurement method and unit, optical properties measurement method and unit, adjustment method of projection optical system, exposure method and apparatus, making method of exposure apparatus, and device manufacturing method
JP2002022606A (ja) * 2000-07-04 2002-01-23 Sony Corp 光学収差測定方法及び光学収差測定装置
JP2002071513A (ja) * 2000-08-28 2002-03-08 Nikon Corp 液浸系顕微鏡対物レンズ用干渉計および液浸系顕微鏡対物レンズの評価方法
KR100866818B1 (ko) * 2000-12-11 2008-11-04 가부시키가이샤 니콘 투영광학계 및 이 투영광학계를 구비한 노광장치
CN1491427A (zh) 2001-02-06 2004-04-21 ������������ʽ���� 曝光装置、曝光法和器件制造法
TWI221000B (en) 2001-02-13 2004-09-11 Nikon Corp Manufacturing method of exposure apparatus, adjustment method of exposure apparatus, and exposure method
EP1231514A1 (de) * 2001-02-13 2002-08-14 Asm Lithography B.V. Messung der Wellenfrontaberrationen in einem lithographischen Projektionsapparat
US20060285100A1 (en) 2001-02-13 2006-12-21 Nikon Corporation Exposure apparatus and exposure method, and device manufacturing method
JP4921644B2 (ja) 2001-02-27 2012-04-25 オリンパス株式会社 波面測定装置および波面測定方法
WO2002091078A1 (en) 2001-05-07 2002-11-14 Massachusetts Institute Of Technology Methods and apparatus employing an index matching medium
US6598974B2 (en) 2001-05-08 2003-07-29 Johnson & Johnson Vision Care, Inc. Method and apparatus for measuring wavefront aberrations
JP4030452B2 (ja) 2002-03-01 2008-01-09 エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. マスクまたは基板の移送方法、そのような方法での使用に適合した保管ボックス、デバイスまたは装置、およびそのような方法を含むデバイス製造方法
DE10229818A1 (de) * 2002-06-28 2004-01-15 Carl Zeiss Smt Ag Verfahren zur Fokusdetektion und Abbildungssystem mit Fokusdetektionssystem
US7092069B2 (en) * 2002-03-08 2006-08-15 Carl Zeiss Smt Ag Projection exposure method and projection exposure system
DE10210899A1 (de) * 2002-03-08 2003-09-18 Zeiss Carl Smt Ag Refraktives Projektionsobjektiv für Immersions-Lithographie
KR20050035890A (ko) 2002-08-23 2005-04-19 가부시키가이샤 니콘 투영 광학계, 포토리소그래피 방법, 노광 장치 및 그 이용방법
US6954993B1 (en) 2002-09-30 2005-10-18 Lam Research Corporation Concentric proximity processing head
US7367345B1 (en) 2002-09-30 2008-05-06 Lam Research Corporation Apparatus and method for providing a confined liquid for immersion lithography
US7093375B2 (en) 2002-09-30 2006-08-22 Lam Research Corporation Apparatus and method for utilizing a meniscus in substrate processing
US6988326B2 (en) 2002-09-30 2006-01-24 Lam Research Corporation Phobic barrier meniscus separation and containment
US7383843B2 (en) * 2002-09-30 2008-06-10 Lam Research Corporation Method and apparatus for processing wafer surfaces using thin, high velocity fluid layer
US6788477B2 (en) * 2002-10-22 2004-09-07 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Apparatus for method for immersion lithography
CN101470360B (zh) 2002-11-12 2013-07-24 Asml荷兰有限公司 光刻装置和器件制造方法
SG121822A1 (en) * 2002-11-12 2006-05-26 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
SG121819A1 (en) 2002-11-12 2006-05-26 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
DE60335595D1 (de) 2002-11-12 2011-02-17 Asml Netherlands Bv Lithographischer Apparat mit Immersion und Verfahren zur Herstellung einer Vorrichtung
US7110081B2 (en) * 2002-11-12 2006-09-19 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
SG121818A1 (en) 2002-11-12 2006-05-26 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
DE10253679A1 (de) 2002-11-18 2004-06-03 Infineon Technologies Ag Optische Einrichtung zur Verwendung bei einem Lithographie-Verfahren, insbesondere zur Herstellung eines Halbleiter-Bauelements, sowie optisches Lithographieverfahren
SG131766A1 (en) * 2002-11-18 2007-05-28 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
DE10258718A1 (de) * 2002-12-09 2004-06-24 Carl Zeiss Smt Ag Projektionsobjektiv, insbesondere für die Mikrolithographie, sowie Verfahren zur Abstimmung eines Projektionsobjektives
DE10257766A1 (de) * 2002-12-10 2004-07-15 Carl Zeiss Smt Ag Verfahren zur Einstellung einer gewünschten optischen Eigenschaft eines Projektionsobjektivs sowie mikrolithografische Projektionsbelichtungsanlage
US6992750B2 (en) * 2002-12-10 2006-01-31 Canon Kabushiki Kaisha Exposure apparatus and method
JP4184346B2 (ja) 2002-12-13 2008-11-19 コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ 層上のスポットを照射するための方法及び装置における液体除去
US7514699B2 (en) 2002-12-19 2009-04-07 Koninklijke Philips Electronics N.V. Method and device for irradiating spots on a layer
CN100385535C (zh) 2002-12-19 2008-04-30 皇家飞利浦电子股份有限公司 照射光敏层上斑点的方法和装置
US7010958B2 (en) * 2002-12-19 2006-03-14 Asml Holding N.V. High-resolution gas gauge proximity sensor
DE10261775A1 (de) * 2002-12-20 2004-07-01 Carl Zeiss Smt Ag Vorrichtung zur optischen Vermessung eines Abbildungssystems
US6781670B2 (en) * 2002-12-30 2004-08-24 Intel Corporation Immersion lithography
US7130037B1 (en) 2003-01-09 2006-10-31 Kla-Tencor Technologies Corp. Systems for inspecting wafers and reticles with increased resolution
US7090964B2 (en) 2003-02-21 2006-08-15 Asml Holding N.V. Lithographic printing with polarized light
US6943941B2 (en) 2003-02-27 2005-09-13 Asml Netherlands B.V. Stationary and dynamic radial transverse electric polarizer for high numerical aperture systems
US7206059B2 (en) 2003-02-27 2007-04-17 Asml Netherlands B.V. Stationary and dynamic radial transverse electric polarizer for high numerical aperture systems
US7029832B2 (en) 2003-03-11 2006-04-18 Samsung Electronics Co., Ltd. Immersion lithography methods using carbon dioxide
US20050164522A1 (en) 2003-03-24 2005-07-28 Kunz Roderick R. Optical fluids, and systems and methods of making and using the same
KR20110104084A (ko) 2003-04-09 2011-09-21 가부시키가이샤 니콘 액침 리소그래피 유체 제어 시스템
WO2004090633A2 (en) 2003-04-10 2004-10-21 Nikon Corporation An electro-osmotic element for an immersion lithography apparatus
SG2012050829A (en) 2003-04-10 2015-07-30 Nippon Kogaku Kk Environmental system including vacuum scavange for an immersion lithography apparatus
CN1771463A (zh) 2003-04-10 2006-05-10 株式会社尼康 用于沉浸光刻装置收集液体的溢出通道
EP3062152B1 (de) 2003-04-10 2017-12-20 Nikon Corporation Umgebungssystem mit einer transportregion für eine immersionslithografievorrichtung
KR101697896B1 (ko) 2003-04-11 2017-01-18 가부시키가이샤 니콘 액침 리소그래피 머신에서 웨이퍼 교환동안 투영 렌즈 아래의 갭에서 액침 액체를 유지하는 장치 및 방법
KR101324818B1 (ko) 2003-04-11 2013-11-01 가부시키가이샤 니콘 액침 리소그래피에 의한 광학기기의 세정방법
JP4582089B2 (ja) 2003-04-11 2010-11-17 株式会社ニコン 液浸リソグラフィ用の液体噴射回収システム
EP1614000B1 (de) 2003-04-17 2012-01-18 Nikon Corporation Lithographisches Immersionsgerät
JP4146755B2 (ja) 2003-05-09 2008-09-10 松下電器産業株式会社 パターン形成方法
JP4025683B2 (ja) 2003-05-09 2007-12-26 松下電器産業株式会社 パターン形成方法及び露光装置
TWI295414B (en) * 2003-05-13 2008-04-01 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
CN1307456C (zh) 2003-05-23 2007-03-28 佳能株式会社 投影光学系统、曝光装置及器件的制造方法
TWI347741B (en) * 2003-05-30 2011-08-21 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7213963B2 (en) * 2003-06-09 2007-05-08 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
EP2261741A3 (de) * 2003-06-11 2011-05-25 ASML Netherlands B.V. Lithographischer Apparat und Verfahren zur Herstellung einer Vorrichtung
JP4054285B2 (ja) 2003-06-12 2008-02-27 松下電器産業株式会社 パターン形成方法
JP4084710B2 (ja) 2003-06-12 2008-04-30 松下電器産業株式会社 パターン形成方法
US6867844B2 (en) 2003-06-19 2005-03-15 Asml Holding N.V. Immersion photolithography system and method using microchannel nozzles
JP4029064B2 (ja) 2003-06-23 2008-01-09 松下電器産業株式会社 パターン形成方法
JP4084712B2 (ja) 2003-06-23 2008-04-30 松下電器産業株式会社 パターン形成方法
JP4343597B2 (ja) * 2003-06-25 2009-10-14 キヤノン株式会社 露光装置及びデバイス製造方法
JP2005019616A (ja) * 2003-06-25 2005-01-20 Canon Inc 液浸式露光装置
EP1491956B1 (de) 2003-06-27 2006-09-06 ASML Netherlands B.V. Lithographischer Apparat und Verfahren zur Herstellung eines Artikels
US6809794B1 (en) 2003-06-27 2004-10-26 Asml Holding N.V. Immersion photolithography system and method using inverted wafer-projection optics interface
EP1498778A1 (de) * 2003-06-27 2005-01-19 ASML Netherlands B.V. Lithographischer Apparat und Verfahren zur Herstellung einer Vorrichtung
JP3862678B2 (ja) 2003-06-27 2006-12-27 キヤノン株式会社 露光装置及びデバイス製造方法
EP1494074A1 (de) * 2003-06-30 2005-01-05 ASML Netherlands B.V. Lithographischer Apparat und Verfahren zur Herstellung einer Vorrichtung
EP1639391A4 (de) 2003-07-01 2009-04-29 Nikon Corp Verwendung isotopisch spezifizierter fluide als optische elemente
JP4697138B2 (ja) 2003-07-08 2011-06-08 株式会社ニコン 液浸リソグラフィ装置、液浸リソグラフィ方法、デバイス製造方法
US7738074B2 (en) * 2003-07-16 2010-06-15 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7384149B2 (en) 2003-07-21 2008-06-10 Asml Netherlands B.V. Lithographic projection apparatus, gas purging method and device manufacturing method and purge gas supply system
EP1500982A1 (de) 2003-07-24 2005-01-26 ASML Netherlands B.V. Lithographischer Apparat und Verfahren zur Herstellung eines Artikels
US7006209B2 (en) 2003-07-25 2006-02-28 Advanced Micro Devices, Inc. Method and apparatus for monitoring and controlling imaging in immersion lithography systems
WO2005010960A1 (ja) 2003-07-25 2005-02-03 Nikon Corporation 投影光学系の検査方法および検査装置、ならびに投影光学系の製造方法
EP1503244A1 (de) * 2003-07-28 2005-02-02 ASML Netherlands B.V. Lithographischer Projektionsapparat und Verfahren zur Herstellung einer Vorrichtung
US7326522B2 (en) 2004-02-11 2008-02-05 Asml Netherlands B.V. Device manufacturing method and a substrate
US7175968B2 (en) * 2003-07-28 2007-02-13 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, device manufacturing method and a substrate
US7779781B2 (en) * 2003-07-31 2010-08-24 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7145643B2 (en) * 2003-08-07 2006-12-05 Asml Netherlands B.V. Interface unit, lithographic projection apparatus comprising such an interface unit and a device manufacturing method
US7700267B2 (en) * 2003-08-11 2010-04-20 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Immersion fluid for immersion lithography, and method of performing immersion lithography
US7061578B2 (en) * 2003-08-11 2006-06-13 Advanced Micro Devices, Inc. Method and apparatus for monitoring and controlling imaging in immersion lithography systems
US7579135B2 (en) * 2003-08-11 2009-08-25 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Lithography apparatus for manufacture of integrated circuits
US7085075B2 (en) * 2003-08-12 2006-08-01 Carl Zeiss Smt Ag Projection objectives including a plurality of mirrors with lenses ahead of mirror M3
US6844206B1 (en) 2003-08-21 2005-01-18 Advanced Micro Devices, Llp Refractive index system monitor and control for immersion lithography
KR101288632B1 (ko) 2003-08-21 2013-07-22 가부시키가이샤 니콘 노광 장치, 노광 방법 및 디바이스 제조 방법
US7070915B2 (en) * 2003-08-29 2006-07-04 Tokyo Electron Limited Method and system for drying a substrate
EP1510870A1 (de) 2003-08-29 2005-03-02 ASML Netherlands B.V. Lithographischer Apparat und Verfahren zur Herstellung einer Vorrichtung
WO2005022616A1 (ja) 2003-08-29 2005-03-10 Nikon Corporation 露光装置及びデバイス製造方法
TWI263859B (en) 2003-08-29 2006-10-11 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
TWI245163B (en) * 2003-08-29 2005-12-11 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
US6954256B2 (en) * 2003-08-29 2005-10-11 Asml Netherlands B.V. Gradient immersion lithography
US7014966B2 (en) * 2003-09-02 2006-03-21 Advanced Micro Devices, Inc. Method and apparatus for elimination of bubbles in immersion medium in immersion lithography systems
EP1660925B1 (de) 2003-09-03 2015-04-29 Nikon Corporation Vorrichtung und verfahren zur bereitstellung eines fluids für die immersionslithographie
JP4378136B2 (ja) 2003-09-04 2009-12-02 キヤノン株式会社 露光装置及びデバイス製造方法
JP3870182B2 (ja) * 2003-09-09 2007-01-17 キヤノン株式会社 露光装置及びデバイス製造方法
US6961186B2 (en) * 2003-09-26 2005-11-01 Takumi Technology Corp. Contact printing using a magnified mask image
EP1519230A1 (de) * 2003-09-29 2005-03-30 ASML Netherlands B.V. Lithographischer Apparat und Methode zur Herstellung einer Vorrichtung
KR101441840B1 (ko) 2003-09-29 2014-11-04 가부시키가이샤 니콘 노광장치, 노광방법 및 디바이스 제조방법
EP1519231B1 (de) * 2003-09-29 2005-12-21 ASML Netherlands B.V. Lithographischer Apparat und Verfahren zur Herstellung einer Vorrichtung
US7158211B2 (en) 2003-09-29 2007-01-02 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7369217B2 (en) * 2003-10-03 2008-05-06 Micronic Laser Systems Ab Method and device for immersion lithography
JPWO2005038885A1 (ja) 2003-10-16 2007-02-01 株式会社ニコン 光学特性計測装置及び光学特性計測方法、露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法
US7678527B2 (en) * 2003-10-16 2010-03-16 Intel Corporation Methods and compositions for providing photoresist with improved properties for contacting liquids
JP2007525824A (ja) 2003-11-05 2007-09-06 ディーエスエム アイピー アセッツ ビー.ブイ. マイクロチップを製造するための方法および装置
US7924397B2 (en) * 2003-11-06 2011-04-12 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Anti-corrosion layer on objective lens for liquid immersion lithography applications
US7545481B2 (en) 2003-11-24 2009-06-09 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
TWI358941B (en) 2003-12-02 2012-02-21 Agency Science Tech & Res Method and system for video quality measurements
US7125652B2 (en) 2003-12-03 2006-10-24 Advanced Micro Devices, Inc. Immersion lithographic process using a conforming immersion medium
JP2005175034A (ja) * 2003-12-09 2005-06-30 Canon Inc 露光装置
JP5106858B2 (ja) 2003-12-15 2012-12-26 カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー 高開口数と平面状端面とを有する投影対物レンズ
KR100965330B1 (ko) 2003-12-15 2010-06-22 칼 짜이스 에스엠티 아게 적어도 한 개의 액체 렌즈를 가진 마이크로리소그래피 투사대물렌즈로서의 대물렌즈
WO2005106589A1 (en) 2004-05-04 2005-11-10 Carl Zeiss Smt Ag Microlithographic projection exposure apparatus and immersion liquid therefore
US7460206B2 (en) 2003-12-19 2008-12-02 Carl Zeiss Smt Ag Projection objective for immersion lithography
WO2005059645A2 (en) 2003-12-19 2005-06-30 Carl Zeiss Smt Ag Microlithography projection objective with crystal elements
US20050185269A1 (en) 2003-12-19 2005-08-25 Carl Zeiss Smt Ag Catadioptric projection objective with geometric beam splitting
US7846412B2 (en) 2003-12-22 2010-12-07 Emory University Bioconjugated nanostructures, methods of fabrication thereof, and methods of use thereof
US7589818B2 (en) * 2003-12-23 2009-09-15 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, alignment apparatus, device manufacturing method, and a method of converting an apparatus
US7394521B2 (en) 2003-12-23 2008-07-01 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7119884B2 (en) 2003-12-24 2006-10-10 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US20050147920A1 (en) * 2003-12-30 2005-07-07 Chia-Hui Lin Method and system for immersion lithography
US7088422B2 (en) * 2003-12-31 2006-08-08 International Business Machines Corporation Moving lens for immersion optical lithography
JP4371822B2 (ja) * 2004-01-06 2009-11-25 キヤノン株式会社 露光装置
JP4429023B2 (ja) * 2004-01-07 2010-03-10 キヤノン株式会社 露光装置及びデバイス製造方法
US20050153424A1 (en) * 2004-01-08 2005-07-14 Derek Coon Fluid barrier with transparent areas for immersion lithography
JP5420821B2 (ja) 2004-01-14 2014-02-19 カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー 反射屈折投影対物レンズ
KR101295439B1 (ko) 2004-01-16 2013-08-09 칼 짜이스 에스엠티 게엠베하 편광변조 광학소자
WO2005069078A1 (en) 2004-01-19 2005-07-28 Carl Zeiss Smt Ag Microlithographic projection exposure apparatus with immersion projection lens
ATE459898T1 (de) 2004-01-20 2010-03-15 Zeiss Carl Smt Ag Belichtungsvorrichtung und messeinrichtung für eine projektionslinse
US7026259B2 (en) * 2004-01-21 2006-04-11 International Business Machines Corporation Liquid-filled balloons for immersion lithography
US7391501B2 (en) * 2004-01-22 2008-06-24 Intel Corporation Immersion liquids with siloxane polymer for immersion lithography
EP1723467A2 (de) 2004-02-03 2006-11-22 Rochester Institute of Technology Ein fluid verwendendes photolithographieverfahren und system dafür
EP1716454A1 (de) 2004-02-09 2006-11-02 Carl Zeiss SMT AG Projektionsobjektiv für eine mikrolithographische projektionsbelichtungsvorrichtung
US7050146B2 (en) 2004-02-09 2006-05-23 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US20070165198A1 (en) 2004-02-13 2007-07-19 Carl Zeiss Smt Ag Projection objective for a microlithographic projection exposure apparatus
EP1721201A1 (de) 2004-02-18 2006-11-15 Corning Incorporated Katadioptrisches abbildungssystem zur abbildung mit hoher numerischer apertur mit tief-ultraviolett-licht
US20050205108A1 (en) 2004-03-16 2005-09-22 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Method and system for immersion lithography lens cleaning
US7027125B2 (en) 2004-03-25 2006-04-11 International Business Machines Corporation System and apparatus for photolithography
US7084960B2 (en) 2004-03-29 2006-08-01 Intel Corporation Lithography using controlled polarization
US7227619B2 (en) 2004-04-01 2007-06-05 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7034917B2 (en) 2004-04-01 2006-04-25 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, device manufacturing method and device manufactured thereby
US7295283B2 (en) 2004-04-02 2007-11-13 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
WO2005098504A1 (en) 2004-04-08 2005-10-20 Carl Zeiss Smt Ag Imaging system with mirror group
US7898642B2 (en) 2004-04-14 2011-03-01 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7271878B2 (en) 2004-04-22 2007-09-18 International Business Machines Corporation Wafer cell for immersion lithography
US7244665B2 (en) 2004-04-29 2007-07-17 Micron Technology, Inc. Wafer edge ring structures and methods of formation
US7379159B2 (en) 2004-05-03 2008-05-27 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
EP1747499A2 (de) 2004-05-04 2007-01-31 Nikon Corporation Vorrichtung und verfahren zur bereitstellung eines fluids für die immersionslithographie
US7091502B2 (en) 2004-05-12 2006-08-15 Taiwan Semiconductor Manufacturing, Co., Ltd. Apparatus and method for immersion lithography
KR101639964B1 (ko) 2004-05-17 2016-07-14 칼 짜이스 에스엠티 게엠베하 중간이미지를 갖는 카타디옵트릭 투사 대물렌즈를 포함하는 투사 노광 시스템
US7616383B2 (en) 2004-05-18 2009-11-10 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7486381B2 (en) 2004-05-21 2009-02-03 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP4913041B2 (ja) 2004-06-04 2012-04-11 カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー 強度変化の補償を伴う投影系及びそのための補償素子
US7796274B2 (en) 2004-06-04 2010-09-14 Carl Zeiss Smt Ag System for measuring the image quality of an optical imaging system
US7623218B2 (en) * 2004-11-24 2009-11-24 Carl Zeiss Smt Ag Method of manufacturing a miniaturized device
US7282701B2 (en) 2005-02-28 2007-10-16 Asml Netherlands B.V. Sensor for use in a lithographic apparatus
JP2006339448A (ja) 2005-06-02 2006-12-14 Canon Inc 受光ユニットを有する露光装置
US20090090606A1 (en) 2007-10-05 2009-04-09 Forhouse Corporation Emergency stop device

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3407615C2 (de) * 1983-03-07 1987-12-23 Essilor International, Creteil, Fr
DE69231951T2 (de) * 1991-12-20 2002-04-04 Essex Corp Bildsynthese mit zeitsequentieller holographie
DE69306541T3 (de) * 1992-12-11 2000-05-18 Praxair Technology Inc Kühlvorrichtung
DE4401978C2 (de) * 1994-01-25 1996-12-12 Alexander Dr Zarubin Vorrichtung zur zerstörungsfreien Prüfung von Objekten mittels optischer und/oder holographisch-interferometrischer Methoden
DE4415003C1 (de) * 1994-04-29 1995-06-29 Sternplastic Hellstern Gmbh & Vorrichtung zur Aufnahme von insbesondere weichen Kontaktlinsen
DE10109929A1 (de) * 2000-02-23 2001-11-22 Zeiss Carl Vorrichtung zur Wellenfronterfassung
DE10065127A1 (de) * 2000-12-21 2002-08-29 Alexander Grossmann Fizeau-Interferometer für die Phasenschiebungsinterferometrie in einem abgeschlossenen Behälter

Cited By (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8330935B2 (en) 2004-01-20 2012-12-11 Carl Zeiss Smt Gmbh Exposure apparatus and measuring device for a projection lens
US10345710B2 (en) 2004-01-20 2019-07-09 Carl Zeiss Smt Gmbh Microlithographic projection exposure apparatus and measuring device for a projection lens
US9436095B2 (en) 2004-01-20 2016-09-06 Carl Zeiss Smt Gmbh Exposure apparatus and measuring device for a projection lens
US8488127B2 (en) 2004-06-04 2013-07-16 Carl Zeiss Smt Gmbh System for measuring the image quality of an optical imaging system
WO2005119368A2 (en) 2004-06-04 2005-12-15 Carl Zeiss Smt Ag System for measuring the image quality of an optical imaging system
US7760366B2 (en) 2004-06-04 2010-07-20 Carl Zeiss Smt Ag System for measuring the image quality of an optical imaging system
US9429495B2 (en) 2004-06-04 2016-08-30 Carl Zeiss Smt Gmbh System for measuring the image quality of an optical imaging system
US7796274B2 (en) 2004-06-04 2010-09-14 Carl Zeiss Smt Ag System for measuring the image quality of an optical imaging system
US8823948B2 (en) 2004-06-04 2014-09-02 Carl Zeiss Smt Gmbh System for measuring the image quality of an optical imaging system
WO2006131258A1 (de) * 2005-06-10 2006-12-14 Carl Zeiss Smt Ag Immersionslithographieobjektiv
CN101283259B (zh) * 2005-08-26 2010-09-01 赫罗伊斯石英玻璃股份有限两合公司 用于干涉测量检验物的光学性能的方法以及用于实施该方法的适当装置
DE102005040749B3 (de) * 2005-08-26 2007-01-25 Heraeus Quarzglas Gmbh & Co. Kg Verfahren zur interferometrischen Messung einer optischen Eigenschaft eines Prüflings sowie zur Durchführung des Verfahrens geeignete Vorrichtung
US7746478B2 (en) 2005-08-26 2010-06-29 Heraeus Quarzglas Gmbh & Co. Kg Method for interferometrically measuring an optical property of a test piece and a device suited for carrying out this method
US8363206B2 (en) 2006-05-09 2013-01-29 Carl Zeiss Smt Gmbh Optical imaging device with thermal attenuation
US8902401B2 (en) 2006-05-09 2014-12-02 Carl Zeiss Smt Gmbh Optical imaging device with thermal attenuation
US9810996B2 (en) 2006-05-09 2017-11-07 Carl Zeiss Smt Gmbh Optical imaging device with thermal attenuation
DE102006043548A1 (de) * 2006-09-12 2008-04-17 Carl Zeiss Smt Ag Optische Messvorrichtung
US8279402B2 (en) 2006-09-12 2012-10-02 Carl Zeiss Smt Gmbh Optical arrangement for immersion lithography with a hydrophobic coating, as well as projection exposure apparatus comprising the same
DE102006043548B4 (de) * 2006-09-12 2008-06-26 Carl Zeiss Smt Ag Optische Messvorrichtung

Also Published As

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