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Diese Anmeldung beansprucht den Nutzen der
am 15. Juli 2002 eingereichten koreanischen Patentanmeldung Nr.
P2002-41289, die hier durch Bezugnahme zu allen Zwecken so eingeschlossen
wird, als wäre
sie hier vollständig
dargelegt.
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HINTERGRUND
DER ERFINDUNG Gebiet der Erfindung
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Die Erfindung betrifft ein Flüssigkristalldisplay,
und spezieller betrifft sie ein transflektives Flüssigkristalldisplay
und ein Herstellverfahren für
dieses unter Verwendung einer verringerten Anzahl von Masken.
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Erörterung
der einschlägigen
Technik
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Flüssigkristalldisplays (LCDs)
werden wegen ihrer Eigen schaften geringen Gewichts, flachen Profils
und niedrigen Energieverbrauchs als Anzeigevorrichtungen der nächsten Generation
entwickelt.
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Im Allgemeinen ist ein LCD eine nicht-emissive
Anzeigevorrichtung, die Bilder unter Ausnutzung optischer Anisotropieeigenschaften
von Flüssigkristallmaterialien
anzeigt, die zwischen einem Dünnschichttransistor(TFT)-Arraysubstrat
und einem Farbfilter(C/F)-Substrat eingefügt sind. Derzeit sind, unter
den verschiedenen Typen von LCDs, wie sie allgemein verwendet werden,
Aktivmatrix-LCDs (AM-LCDs), bei denen Dünnschichttransistoren (TFTs)
in einer Matrix für
jeden Pixelbereich angeordnet sind, wegen ihrer hohen Auflösung und
ihrer Überlegenheit
beim Darstellen bewegter Bilder entwickelt.
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Die 1 ist
eine schematische Schnittainsicht eines Flüssigkristalls gemäß der einschlägigen Technik.
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In der 1 sind
ein erstes und ein zweites Substrat 2 und 4 voneinander
beabstandet, wobei sie einander zugewandt sind, und zwischen sie
ist eine Flüssigkristallschicht 6 eingefügt. Auf
der Innenfläche des
zweiten Substrats 4 ist eine Gateelektrode 8 ausgebildet,
und auf dieser ist eine Gateisolierschicht 9 ausgebildet.
Auf der Gateisolierschicht 9 ist über der Gateelektrode 8 eine
Halbleiterschicht 11 mit einer Gateisolierschicht 11a und
einer Ohmschen Kontaktschicht 11b ausgebildet. Auf der
Halbleiterschicht 11 sind Source- und Drainelektroden 13 und 15 ausgebildet.
Die Source- und Drainelektroden 13 und 15 sind
voneinander beabstandet, und die aktive Schicht 11a, entsprechend
einem Zwischenraum zwischen den Source- und den Drainelektroden 13 und 15,
fungiert als Kanal ch. Die Gateelektrode 8, die Halbleiterschicht 11 sowie
die Source- und Drainelektroden 13 und 15 bilden
einen Dünnschichttransistor
(TFT) T. Obwohl es in der 1 nicht
dargestellt ist, ist entlang einer ersten Richtung eine mit der Gateelektrode 8 verbundene
Gateleitung ausgebildet, und entlang einer zweiten, die erste Richtung schneidenden
Richtung ist eine mit der Sourceelektrode 13 verbundene
Datenleitung ausgebildet. Ein Pixelbereich P ist durch einen Schnittpunkt
zwischen der Gateleitung und der Datenleitung definiert. Auf dem
TFT T ist eine Passsierungsschicht 19 mit einem Drainkontaktloch 17 ausgebildet,
und im Pixelbereich P ist eine Pixelelektrode 21 ausgebildet,
die mit der Drainelektrode 15 über das Drainkontaktloch 17 verbunden
ist.
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Auf der Innenseite des ersten Substrats 2 ist eine
der Pixelelektrode 21 entsprechende Farbfilterschicht 23 ausgebildet.
Die Farbfilterschicht lässt
nur Licht einer speziellen Wellenlänge durch. An der Grenze zwischen
benachbarten Farbfilterschichten 23 ist eine Schwarzmatrix 27 ausgebildet,
um ein Lichtleck und ein Eindringen von Umgebungslicht in den TFT
T zu verhindern. Auf der Farbfilterschicht 23 und der Schwarzmatrix 27 ist
eine gemeinsame Elektrode 29 zum Anlegen einer Spannung
an die Flüssigkristallschicht 6 ausgebildet.
Um ein Leck der Flüssigkristallschicht 6 zu
vermeiden, ist ein Umfangsabschnitt des ersten und des zweiten Substrats 2 und 4 mit
einem Abdichtmuster 31 abgedichtet. Zwischen dem ersten
und zweiten Substrat 2 und 4 ist ein Abstandshalter 33 angeordnet,
um den Zellenzwischenraum mit dem Abdichtmuster 31 gleichmäßig zu halten.
Zwischen der gemeinsamen Elektrode 29 und der Flüssigkristallschicht 6 kann
ein erster Ausrichtfilm (nicht dargestellt) ausgebildet sein, und
zwischen der Flüssigkristallschicht 6 und
der Pixelelektrode 21 kann ein zweiter Ausrichtfilm (nicht dargestellt)
ausgebildet sein, um für
eine Ausrichtung der Flüssigkristallschicht 6 zu
sorgen.
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Obwohl es in der 1 nicht dargestellt ist, verfügt das LCD über eine
Hintergrundbeleuchtungseinheit unter dem zweiten Substrat 4 als
Lichtquelle. Jedoch wird das einfallende Licht von der Hintergrundbeleuchtungseinheit
während
der Transmission geschwächt,
so dass das tatsächliche
Transmissionsvermögen
nur ungefähr
7 % beträgt.
Demgemäß benötigt die
Hintergrundbeleuchtungseinheit eines LCD hohe Helligkeit, was den
Energieverbrauch aufgrund der Hintergrundbeleuchtungseinheit erhöht. Demgemäß ist eine
relativ schwere Batterie dazu erforderlich, ausreichende Leistung
an die Hintergrundbeleuchtungseinheit einer derartigen Vorrichtung
zu liefern, und die Batterie kann wegen der erhöhten Leistungserfordernisse
unterwegs nicht für
lange Zeit verwendet werden.
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Um die oben beschriebenen Probleme
zu überwinden,
wurden ein reflektives LCD und ein transflektives LCD entwickelt.
Ein reflektives LCD nutzt das Umgebungslicht anstelle des Lichts
einer Hintergrundbeleuchtungseinheit, und es ist demgemäß leicht
und einfach transportierbar. Außerdem
ist der Energieverbrauch eines reflektiven LCD verringert, so dass
es für
eine tragbare Anzeigevorrichtung wie einen elektronischen Terminkalender
oder einen persönlichen
digitalen Assistenten (PDA) verwendet werden kann. In reflektiven
und transflektiven LCDs ist eine Reflexionsschicht aus einem metallischen Material
mit hohem Reflexionsvermögen
in einem Pixelbereich ausgebildet. Die Reflexionsschicht kann im
Pixelbereich über
oder unter einer transmissiven Elektrode ausgebildet sein. Seit
eher kurzer Zeit wird die transmissive Elektrode über der
Reflexionsschicht hergestellt, um auf einfache Weise für eine Ausrichtung
der Flüssigkristallschicht
zu sorgen. Auch für
diese Struktur wird ein transflektives LCD mit mehrschichtiger Isolierschicht
zum Schutz der Reflexionsschicht vorgeschlagen, und um einen elektrischen
Kurzschluss zwischen der transmissiven Elektrode und der Reflexionsschicht
zu verhindern.
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Die 2A bis 2G sind schematische Schnittansichten
zum Veranschaulichen eines Herstellprozesses für einen Anzeigebereich eines
Arraysubstrats für
ein transflektives Flüssigkristalldisplay mit
mehrschichtiger Isolierschicht gemäß der einschlägigen Technik,
und die 3A bis 3G sind schematische Schnittansichten
zum Veranschaulichen eines Herstellprozesses für einen Nichtanzeigebereich
eines Arraysubstrats für
ein transflektives Flüssigkristalldisplay
mit mehrschichtiger Isolierschicht gemäß der einschlägigen Technik.
Muster auf dem Arraysubstrat werden durch einen Maskenprozess mit
Abscheidung, Beschichtung, Photolithographie und Ätzen hergestellt,
und Zahlen sind entsprechend einer Zahl des Maskenprozesses angegeben.
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In den 2A und 3A werden eine Gateelektrode 10 und
eine erste Ausrichtmarkierung 12 aus einem ersten metallischen
Material durch einen ersten Maskenprozess auf einem Substrat 4 hergestellt.
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In den 2B und 3B werden, nachdem eine Gateisolierschicht 14 aus
einem ersten isolierenden Material auf der Gateelektrode 10 und
der ersten Ausrichtmarkierung 12 hergestellt wurde, eine Halbleiterschicht 16 mit
einer aktiven Schicht 16a aus amorphem Silicium (a-Si)
und eine Ohmsche Kontaktschicht 16b aus mit einem Fremdstoff
dotiertem amorphem Silicium (n+-a-Si) mittels
eines zweiten Maskenprozesses auf der Gateisolierschicht 14 über der
Gateelektrode 10 hergestellt.
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In den 2C und 3C werden Source- und Drainelektroden 18 und 22 aus
einem zweiten metallischen Material durch einen dritten Maskenprozess auf
der Halbleiterschicht 16 hergestellt. Die Source- und die
Drainelektroden 18 und 22 sind voneinander beabstandet.
Gleichzeitig wird auf der Gateiso lierschicht 14 eine mit
der Sourceelektrode 18 verbundene Datenleitung 20 hergestellt,
und auf der Gateisolierschicht 14 wird über der ersten Ausrichtmarkierung 12 eine
zweite Ausrichtmarkierung 24 hergestellt. Die Gateelektrode 10,
die Halbleiterschicht 16 sowie die Source- und Drainelektroden 18 und 22 bilden
einen Dünnschichttransistor
(TFT) T.
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In den 2D und 3D wird, nachdem eine erste,
eine zweite und eine dritte Passivierungsschicht 25, 26 und 28 sequenziell
auf dem TFT T und der zweiten Ausrichtmarkierung 24 hergestellt
wurden, ein erster offener Abschnitt 30, der die zweite Ausrichtmarkierung 24 frei
legt, durch einen vierten Maskenprozess in der ersten, zweiten und
dritten Passivierungsschicht 25, 26 und 28 ausgebildet.
Der erste offene Abschnitt 30 dient dazu, zu verhindern, dass
die zweite Ausrichtmarkierung 24 durch die relativ dicke
zweite Passivierungsschicht 26 ausgeblendet wird. Demgemäß kann eine
Maske für
den vierten Maskenprozess eine einfachere Struktur als die für den vorigen
ersten bis dritten Maskenprozess aufweisen.
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In den 2E und 3E wird eine Reflexionsschicht 32 aus
einem dritten metallischen Material mit hohem Reflexionsvermögen mittels
eines fünften Maskenprozesses
auf der dritten Passivierungsschicht 28 über dem
TFT T hergestellt. Die Reflexionsschicht 32 verfügt über einen
zweiten offenen Abschnitt 34, der die dritte Passivierungsschicht 28 frei legt.
In diesem Schritt des Herstellens der Reflexionsschicht 32 wird
die zweite Ausrichtmarkierung 24 für den fünften Maskenprozess genutzt.
Die erste und die dritte Passivierungsschicht 25 und 28 bestehen
aus Siliciumnitrid (SiNx), und die zweite Passivierungsschicht 26 besteht
aus Benzocyclobuten (BCB). Die erste Passivierungsschicht 25 wird
zum Verbessern einer elektrischen Eigenschaft des TFT T hergestellt.
Die zweite Passivierungsschicht 26 wird zum Verringern
elektrischer Wechselwirkungen zwischen der Reflexionsschicht 32 und
einer transmissiven Elektrode (nicht dargestellt) hergestellt. Die
dritte Passivierungsschicht 28 wird zum Verbessern einer Kontakteigenschaft
zwischen der zweiten Passivierungsschicht 26 und der Reflexionsschicht 32 hergestellt.
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In den 2F und 3F wird, nachdem auf der Reflexionsschicht 32 und
der zweiten Ausrichtmarkierung 24 eine vierte Passivierungsschicht 36 hergestellt
wurde, in der ersten bis vierten Passivierungsschicht 25, 26, 28 und 36 entsprechend
dem zweiten offenen Abschnitt 34 mittels eines sechsten Maskenprozesses
ein Drainkontaktloch 38 hergestellt, das die Drainelektrode 22 frei
legt. Die vierte Passivierungsschicht 36 besteht aus demselben
Material wie die erste und die zweite Passivierungsschicht 25 und 28.
Die vierte Passivierungsschicht 36 wird hergestellt, um
den Galvanoeffekt (Korrosionseffekt) zwischen der Reflexionsschicht 32 und
der transmissiven Elektrode (nicht dargestellt) zu verhindern.
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In den 2G und 3G wird eine transmissive Elektrode 40 aus
transparentem, leitendem Material mittels eines siebten Maskenprozesses
auf der vierten Passivierungsschicht 36 in einem Pixelbereich
P hergestellt. Die transmissive Elektrode 40 ist über das
Drainkontaktloch 38 mit der Drainelektrode 32 verbunden.
Der Pixelbereich P verfügt über einen
der Reflexionsschicht 32 entsprechenden Reflexionsabschnitt
und einen transmissiven Abschnitt. Bilder werden unter Verwendung
von Umgebungslicht im Reflexionsabschnitt angezeigt, während Bilder
unter Verwendung von Licht von der Hintergrundbeleuchtungseinheit
(nicht dargestellt) im transmissiven Abschnitt dargestellt werden.
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Wie es in den 2A bis 2G sowie
den 3A bis 3G dargestellt ist, wird
ein Arraysubstrat für
ein transflektives LCD durch sieben Maskenprozesse mit einem Gateprozess,
einem Halbleiterschicht-Prozess, einem Datenprozess, einem Reflexionsschicht-Prozess,
einem Ausrichtmarkierung-Öffnungsprozess,
einem Kontaktlochprozess und einem Prozess für eine transmissive Elektrode hergestellt.
So verfügt
der Prozess für
ein Arraysubstrat für
ein transflektives LCD über
mehr Herstellschritte als der für
ein transmissives LCD, und im Maskenprozess werden chemische und/oder
physikalische Prozesse wiederholt. Daher, da nämlich die Anzahl der Herstellschritte
erhöht
ist, sind auch die Herstellkosten und die Möglichkeit von Schäden an der
Vorrichtung erhöht.
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ZUSAMMENFASSUNG
DER ERFINDUNG
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Demgemäß ist die Erfindung auf ein
Flüssigkristalldisplay
gerichtet, das eines oder mehrere der Probleme aufgrund von Beschränkungen
und Nachteilen in der einschlägigen
Technik im Wesentlichen vermeidet.
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Ein Vorteil der Erfindung besteht
darin, ein transflektives Flüssigkristalldisplay
zu schaffen, dessen Herstellausbeute durch Verringern der Anzahl von
Maskenprozessen verbessert ist.
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Ein Vorteil der Erfindung besteht
darin, ein Arraysubstrat für
ein transflektives Flüssigkristalldisplay
zu schaffen, bei dem Source- und Drainelektroden über mehrere
Schichten aus metallischem Material verfügen und eine zusätzliche
Reflexionsschicht weggelassen ist.
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Zusätzliche Merkmale und Vorteile
der Erfindung werden in der folgenden Beschreibung dargelegt, und
sie werden teilweise aus der Beschreibung ersichtlich oder sie ergeben
sich beim Ausüben
der Erfindung. Diese und andere Vorteile der Erfindung werden durch
die Struktur realisiert und erzielt, wie sie speziell in der schriftlichen
Beschreibung und den hier angegebenen Ansprüchen sowie den beigefügten Zeichnungen
dargelegt ist.
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Um diese und andere Aufgaben zu lösen und gemäß dem Zweck
der Erfindung, wie sie realisiert wurde und in weitem Umfang beschrieben
wurde, kann ein Arraysubstrat für
ein transflektives Flüssigkristalldisplay
z. B. mit Folgendem versehen sein: einer Gateleitung auf einem Substrat;
einer die Gateleitung schneidenden Datenleitung, wobei die Gateleitung
und die Datenleitung einen Pixelbereich mit einem transmissiven
Abschnitt und einem reflektiven Abschnitt definieren; einer mit
der Gateleitung verbundenen Gateelektrode; einer Source- und einer Drainelektrode,
die über
die Gateelektrode hinweg voneinander beabstandet sind, wobei die
Sourceelektrode mit der Datenleitung verbunden ist; einer Reflexionsschicht
in derselben Schicht wie die Source- und die Drainelektrode, und
die im Pixelbereich angeordnet ist und über ein transmissives Loch
entsprechend dem transmissiven Abschnitt verfügt; und einer mit der Drainelektrode
verbundenen Pixelelektrode, die im Pixelbereich angeordnet ist;
- – wobei
die Source- und die Drainelektrode sowie die Reflexionsschicht über mehrere
Schichten aus Metall verfügen;
- – wobei
die oberste Schicht der mehreren Schichten ein reflexives metallisches
Material enthält.
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Gemäß einer anderen Erscheinungsform
der Erfindung kann ein Verfahren zum Herstellen eines Arraysubstrats
für ein
transflektives Flüssigkristalldisplay
z. B. Folgendes umfassen: Herstellen einer Gateelektrode und einer
Gateleitung auf einem Substrat mittels eines ersten Maskenprozesses;
Herstellen einer ersten Isolierschicht auf der Gateelektrode und der
Gateleitung; Herstellen einer Halbleiterschicht auf der ersten Isolierschicht über der
Gateelektrode mittels eines zweiten Maskenprozesses; Herstellen von
Source- und Drainelektroden auf der Halbleiterschicht, einer die
Gateleitung schneidenden Datenleitung und einer Reflexionsschicht
auf der ersten Isolierschicht mittels eines dritten Maskenprozesses, wobei
die Source- und die Drainelektrode voneinander beabstandet sind,
die Sourceelektrode mit der Datenleitung verbunden ist, die Gateleitung
und die Datenleitung einen Pixelbereich mit einem transmissiven
Abschnitt und einem reflektiven Abschnitt bilden, die Reflexionsschicht
im Pixelbereich angeordnet ist und sie über ein dem transmissiven Abschnitt entsprechendes
transmissives Loch verfügt,
die Source- und die Drainelektrode, die Datenleitung und die Reflexionsschicht über mehrere
Schichten aus Metall verfügen,
wobei die oberste Schicht der mehreren Schichten ein reflektiven
metallisches Material enthält;
Herstellen einer zweiten Isolierschicht auf der Source- und der
Drainelektrode, der Datenleitung und der Reflexionsschicht mittels
eines vierten Maskenprozesses, wobei die zweite Isolierschicht über ein
die Drainelektrode frei legendes Drainkontaktloch verfügt; und
Herstellen einer Pixelelektrode auf der dritten Isolierschicht mittels
eines fünften
Maskenprozesses, wobei die Pixelelektrode über ein transparentes, leitendes
Material verfügt
und sie durch das Drainkontaktloch mit der Drainelektrode verbunden ist.
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Gemäß noch einer anderen Erscheinungsform
der Erfindung kann ein Verfahren zum Herstellen eines Arraysubstrats
für ein
transflektives Flüssigkristalldisplay
z. B. Folgendes umfassen: Herstellen einer Gateelektrode und einer
Gateleitung auf einem Substrat mittels eines ersten Maskenprozesses; Herstellen
einer ersten Isolierschicht auf der Gateelektrode und der Gateleitung;
Herstellen einer Halbleiterschicht auf der ersten Isolierschicht,
wobei die Halbleiterschicht über
eine aktive Schicht und eine Ohmsche Kontaktschicht verfügt; gleichzeitiges
Herstellen einer Source- und einer Drainelektrode, einer Datenleitung
und einer Reflexionsschicht mit mehreren Schichten auf der ersten
Isolierschicht, wobei die Gateleitung und die Datenleitung einen
Pixelbereich mit einem transmissiven Abschnitt und einem reflektiven
Abschnitt definieren; und Herstellen einer Pixelelektrode aus einem
transparenten, leitenden Material, das elektrisch mit der Drainelektrode
verbunden ist.
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Es ist zu beachten, dass sowohl die
vorstehende allgemeine Beschreibung als auch die folgende detaillierte
Beschreibung beispielhaft und erläuternd sind und dazu vorgesehen
sind, für
eine weitere Erläuterung
der beanspruchten Erfindung zu sorgen.
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KURZE BESCHREIBUNG
DER ZEICHNUNGEN
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Die beigefügten Zeichnungen, die enthalten sind,
um für
ein weiteres Verständnis
der Erfindung zu sorgen, und die in die Beschreibung eingeschlossen
sind und einen Teil derselben bilden, veranschaulichen Ausführungsformen
der Erfindung und dienen gemeinsam mit der Beschreibung dazu, die Prinzipien
der Erfindung zu erläutern.
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In den Zeichnungen ist Folgendes
dargestellt.
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1 ist
eine schematische Schnittansicht eines Flüssigkristalldisplays gemäß der einschlägigen Technik;
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2A bis 2G sind schematische Schnittansichten
zum Veranschaulichen eines Herstellprozesses für einen Anzeigebereich eines
Arraysubstrats für
ein transflektives Flüssigkristall
display mit einer mehrschichtigen Isolierschicht gemäß der einschlägigen Technik;
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3A bis 3G sind schematische Schnittansichten
zum Veranschaulichen eines Herstellprozesses für einen Nicht-Anzeige bereich
eines Arraysubstrats für
ein transflektives Flüssigkristalldisplay
mit einer mehrschichtigen Isolierschicht gemäß der einschlägigen Technik;
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4 ist
eine schematische Draufsicht eines Flüssigkristalldisplay gemäß einer
Ausführungsform der
Erfindung;
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5A bis 5E sind schematische Schnittansichten
zum Veranschaulichen eines Herstellprozesses für einen Anzeigebereich eines
Arraysubstrats für
ein transflektives Flüssigkristalldisplay
gemäß einer
Ausführungsform
der Erfindung; und
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6A bis 6E sind schematische Schnittansichten zum
Veranschaulichen eines Herstellprozesses für einen Nicht-Anzeigebereich
eines Arraysubstrats für
ein transflektives Flüssigkristalldisplay
gemäß einer
Ausführungsform
der Erfindung.
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DETAILLIERTE
BESCHREIBUNG DER VERANSCHAULICHTEN AUSFÜHRUNGSFORMEN
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Nun wird detailliert auf Ausführungsformen der
Erfindung Bezug genommen, zu denen in den beigefügten Zeichnungen ein Beispiel
veranschaulicht ist. Wo immer möglich,
sind in allen Zeichnungen ähnliche
Bezugszahlen dazu verwendet, dieselben oder ähnliche Teile zu kennzeichnen.
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Die 4 ist
eine schematische Draufsicht eines Flüssigkristalldisplays gemäß einer
Ausführungsform
der Erfindung.
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In der 4 sind
eine Gateleitung 111 und eine Datenleitung 120 so
ausgebildet, dass sie einander schneiden und einen Pixelbereich
P bilden. Eine Gateelektrode 110 erstreckt sich ausgehend
von der Gateleitung 111. Über der Gateelektrode 110 ist
eine Halbleiterschicht 116 ausgebildet. Source- und Drainelektroden 118 und 122 sind
voneinander beab standet, und sie überlappen die Gateelektrode 110 und die
Halbleiterschicht 116. Die Sourceelektrode 118 erstreckt
sich ausgehend von der Datenleitung 120. Die Gateelektrode 110,
die Halbleiterschicht 116 sowie die Source- und Drainelektroden 118 und 122 bilden
einen Dünnschichttransistor
(TFT) T. Im Pixelbereich P ist mit derselben Schicht wie der der
Datenleitung 120 ein transmissives Loch 123 ausgebildet.
Im Pixelbereich P ist eine Pixelelektrode 136 ausgebildet,
die über
ein Drainkontaktloch 132 mit der Drainelektrode 122 verbunden
ist. Der Pixelbereich P verfügt über einen
dem transmissiven Loch 123 entsprechenden transmissiven
Abschnitt und einen der Reflexionsschicht 124 entsprechenden
reflektiven Abschnitt. Die Datenleitung 120 sowie die Source-
und Drainelektroden 118 und 122 verfügen über mehrere Schichten,
wobei die oberste Schicht aus einem metallischen Material mit hohem
Reflexionsvermögen besteht.
Demgemäß kann die
Reflexionsschicht 124 gleichzeitig mit der Datenleitung 120 sowie
den Source- und Drainleitungen 118 und 122 hergestellt
werden, was zu einer verringerten Anzahl der Maskenprozesse führt.
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Da die Datenleitung 120 über dieselbe Schicht
wie die Reflexionsschicht 124 verfügt, sind die Datenleitung 120 und
die Reflexionsschicht 124 mit einem Abstand von ungefähr 5 μm bis ungefähr 7 μm voneinander
beabstandet, um einen elektrischen Kurzschluss zwischen ihnen zu
vermeiden. Darüber hinaus
erstreckt sich ausgehend von der Gateleitung 111 eine erste
Kondensatorelektrode 113, und über dieser ist eine zweite
Kondensatorelektrode 121 ausgebildet. Die zweite Kondensatorelektrode 121 kann in
derselben Schicht wie die Datenleitung 120 ausgebildet
sein, und zwischen der ersten und der zweiten Kondensatorelektrode 113 und 121 ist
eine erste Isolierschicht (nicht dargestellt) eingefügt. Die
Pixelelektrode 136 ist über
ein Kondensatorkontaktloch 125 in einer zweiten Isolierschicht
(nicht dargestellt) mit der zweiten Kondensatorelektrode verbunden.
Demgemäß bilden
die erste und die zweite Kondensatorelektrode 113 und 121 sowie
die erste Isolierschicht einen mit dem TFT T verbundenen Speicherkondensator
CST. Die 5A bis 5G sind schematische Schnittansichten zum
Veranschaulichen eines Herstellprozesses für einen Anzeigebereich eines
Arraysubstrats für
ein transflektives Flüssigkristalldisplay
gemäß einer
Ausführungsform
der Erfindung, und die 6A bis 6G sind schematische Schnittansichten zum
Veranschaulichen eines Herstellprozesses für einen Nicht-Anzeigebereich
eines Arraysubstrats für ein
transflektives Flüssigkristalldisplay
gemäß einer Ausführungsform
der Erfindung.
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In den 5A und 6A werden mittels eines ersten
Maskenprozesses eine Gateelektrode 110 und eine erste Ausrichtmarkierung 112 aus
einem ersten metallischen Material hergestellt.
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In den 5B und 6B wird, nachdem eine Gateisolierschicht 114 aus
einem ersten isolierenden Material auf der Gateelektrode 110 und
der ersten Ausrichtmarkierung 112 hergestellt wurde, eine
Halbleiterschicht 116 mit einer aktiven Schicht 116a aus amorphem
Silicium (a-Si) und einer Ohmschen Kontaktschicht 116b aus
mit einem Fremdstoff dotiertem amorphem Silicium (n+a-Si)
mittels eines zweiten Maskenprozesses auf der Gateisolierschicht 114 über der
Gateelektrode 110 hergestellt. Das erste isolierende Material
kann ein Silicium-Isoliermaterial wie
Siliciumnitrid (SiNx) sein.
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In den 5C und 6C werden Source- und Drainelektroden 118 und 122 aus
einem zweiten metallischen Material mittels eines dritten Maskenprozesses
auf der Halbleiterschicht 116 hergestellt. Die Source-
und Drainelektroden 118 und 122 sind voneinander
beabstandet. Gleichzeitig werden auf der Gateisolierschicht 114 eine
mit der Sourceelektrode 118 verbundene Datenleitung 120,
eine Reflexionsschicht 124 und eine zweite Ausrichtmarkierung 126 hergestellt.
So verfügen
die Datenleitung 120, die Reflexionsschicht 124 und
die zweite Ausrichtmarkierung 126 über dieselbe Schicht wie die
Source- und Drainelektroden 118 und 122. Die Reflexionsschicht 124 ist
im Pixelbereich P angeordnet, und die zweite Ausrichtmarkierung 126 entspricht
der ersten Ausrichtmarkierung 112. Die Gateelektrode 110,
die Halbleiterschicht 116 sowie die Source- und Drainelektroden 118 und 122 bilden
einen Dünnschichttransistor
(TFT) T.
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Die Datenleitung 120 kann über mehrere Schichten
verfügen,
wobei die oberste Schicht ein metallisches Material mit hohem Reflexionsvermögen aufweist
und eine unterste Schicht ein metallisches Material mit hoher chemischer
Korrosionsbeständigkeit
aufweist. Zum Beispiel kann die oberste Schicht aus Aluminium (Al)
oder einer Aluminium(Al)legierung wie Aluminiumneodym (AlNd) bestehen,
und die unterste Schicht kann aus Molybdän (Mo), Wolfram (W), Nickel
(Ni) oder Titan (Ti) bestehen. Daher verfügt die Sourceelektrode 118 über eine
erste und eine zweite Unter-Sourceelektrode 118a und 118b.
In ähnlicher
Weise verfügt
die Drainelektrode 122 über
eine erste und eine zweite Unter-Drainelektrode 122a und 122b,
die Datenleitung 120 verfügt über eine erste und eine zweite
Unter-Datenleitung 120a und 120b, die Reflexionsschicht 124 verfügt über eine
erste und eine zweite Unter-Reflexionsschicht 124a und 124b,
und die zweite Ausrichtmarkierung 126 verfügt über eine
erste und eine zweite Unter-Zweit-Ausrichtmarkierung 126a und 126b.
Da die zweite Unter-Reflexionsschicht 124b aus einem metallischen
Material mit hohem Reflexionsvermögen besteht, kann die Reflexionsschicht 124 mittels
des dritten Maskenprozesses gleichzeitig mit der Source- und Drainelektrode 118 und 122 und
der Datenleitung 120 hergestellt werden.
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In den 5D und 6D werden, nachdem auf dem
TFT T und der zweiten Ausrichtmarkierung 126 sequenziell
eine erste und eine zweite Passivierungsschicht 128 und 130 hergestellt
wurden, ein die Drainelektrode 122 frei legendes Drainkontaktloch 132 und
ein die zweite Ausrichtmarkierung 126 frei legender offener
Abschnitt 134 mittels eines vierten Maskenprozesses in
der ersten und der zweiten Passivierungsschicht 128 und 130 ausgebildet.
Die erste Passivierungsschicht 128 enthält ein Material aus der Gruppe
anorganischer, isolierender Materialien, und die zweite Passivierungsschicht 130 enthält ein Material
aus der Gruppe organischer, isolierender Materialien mit niedriger
Dielektrizitätskonstante.
Zum Beispiel können
die erste und die zweite Passivierungsschicht 128 und 130 aus
einem Silicium-Isoliermaterial bzw. Benzocyclobuten (BCB) bestehen.
Der offene Abschnitt wird bei der einschlägigen Technik mittels eines
zusätzlichen
Maskenprozesses hergestellt. Bei der vorliegenden Ausführungsform
kann jedoch, da die Reflexionsschicht 124 gleichzeitig
mit der Source- und der Drainelektrode 118 und 122 mittels
des dritten Maskenprozesses hergestellt wird, der offene Abschnitt 134 durch
den vierten Maskenprozess zum Ausbilden des Drainkontaktlochs 132 ausgebildet
werden. Demgemäß kann ein
zusätzlicher
Maskenprozess zum Ausbilden des offenen Abschnitts weggelassen werden.
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In den 5E und 6E wird eine Pixelelektrode 136 aus
transparentem, leitendem Material mittels eines fünften Maskenprozesses
in einem Pixelbereich P auf der zweiten Passivierungsschicht 130 hergestellt.
Die Pixelelektrode 136 wird über das Drainkontaktloch 132 mit
der Drainelektrode 122 verbunden. Der Pixelbereich P verfügt über einen
der Reflexionsschicht 124 entsprechenden reflektierenden
Abschnitt und einen dem transmissiven Loch 123 entsprechenden
transmissiven Abschnitt. Bilder werden unter Verwendung von Umge bungslicht
im reflektiven Abschnitt angezeigt, während Bilder unter Verwendung
von Licht von der Hintergrundbeleuchtungseinheit (nicht dargestellt)
im transmissiven Abschnitt angezeigt werden.
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Demgemäß, da nämlich eine Reflexionsschicht,
eine Datenleitung, Source- und Drainelektroden sowie eine Ausrichtmarkierung
gleichzeitig mit mehreren Schichten hergestellt werden, deren oberste
Schicht ein metallisches Material mit hohem Reflexionsvermögen enthält, kann
ein zusätzlicher Maskenprozess
für die
Ausrichtmarkierung weggelassen werden. Daher können hohe Herstellausbeute und
niedrige Herstellkosten erzielt werden.
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Der Fachmann erkennt, dass an der
Erfindung verschiedene Modifizierungen und Variationen vorgenommen
werden können,
ohne vom Grundgedanken oder Schutzumfang derselben abzuweichen. So
soll die Erfindung die Modifizierungen und Variationen derselben
abdecken, vorausgesetzt, dass sie in den Schutzumfang der beigefügten Ansprüche und deren Äquivalente
gelangen.