DE10343333A1 - Illumination system for microlithography projection exposure system, has mirror arrangement with array of individual mirrors that is controlled individually by changing angular distribution of light incident on mirror arrangement - Google Patents
Illumination system for microlithography projection exposure system, has mirror arrangement with array of individual mirrors that is controlled individually by changing angular distribution of light incident on mirror arrangement Download PDFInfo
- Publication number
- DE10343333A1 DE10343333A1 DE2003143333 DE10343333A DE10343333A1 DE 10343333 A1 DE10343333 A1 DE 10343333A1 DE 2003143333 DE2003143333 DE 2003143333 DE 10343333 A DE10343333 A DE 10343333A DE 10343333 A1 DE10343333 A1 DE 10343333A1
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- light
- illumination system
- individual
- modulation device
- light modulation
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70058—Mask illumination systems
- G03F7/70091—Illumination settings, i.e. intensity distribution in the pupil plane or angular distribution in the field plane; On-axis or off-axis settings, e.g. annular, dipole or quadrupole settings; Partial coherence control, i.e. sigma or numerical aperture [NA]
- G03F7/70116—Off-axis setting using a programmable means, e.g. liquid crystal display [LCD], digital micromirror device [DMD] or pupil facets
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70058—Mask illumination systems
- G03F7/702—Reflective illumination, i.e. reflective optical elements other than folding mirrors, e.g. extreme ultraviolet [EUV] illumination systems
Abstract
Description
Die Erfindung bezieht sich auf ein Beleuchtungssystem für eine Mikrolithographie-Projektionsbelichtungsanlage zur Beleuchtung eines Beleuchtungsfeldes mit dem Licht einer primären Lichtquelle.The The invention relates to an illumination system for a microlithography projection exposure apparatus for illuminating a lighting field with the light of a primary light source.
Die Leistungsfähigkeit von Projektionsbelichtungsanlagen für die mikrolithographische Herstellung von Halbleiterbauelementen und anderen fein strukturierten Bauteilen wird wesentlich durch die Abbildungseigenschaften der Projektionsobjektive bestimmt. Darüber hinaus werden die Bildqualität und der mit der Anlage erzielbare Wafer-Durchsatz wesentlich durch Eigenschaften des dem Projektionsobjektiv vorgeschalteten Beleuchtungssystems mitbestimmt. Dieses muss in der Lage sein, das Licht einer primären Lichtquelle, beispielsweise eines Lasers, mit möglichst hohem Wirkungsgrad zu präparieren und dabei in einem Beleuchtungsfeld des Beleuchtungssystems eine möglichst gleichmäßige Intensitätsverteilung zu erzeugen. Zudem soll es möglich sein, am Beleuchtungssystem verschiedene Beleuchtungsmodi einzu stellen, um beispielsweise die Beleuchtung entsprechend der Strukturen der einzelnen abzubildenden Vorlagen (Masken, Retikel) zu optimieren. Üblich sind Einstellmöglichkeiten zwischen unterschiedlichen konventionellen Settings mit verschiedenen Kohärenzgraden sowie Ringfeldbeleuchtung und Dipol- oder Quadrupolbeleuchtung. Die nichtkonventionellen Beleuchtungssettings zur Erzeugung einer außeraxialen, schiefen Beleuchtung können unter anderem der Erhöhung der Tiefenschärfe durch Zweistrahlinterferenz sowie der Erhöhung des Auflösungsvermögens dienen.The capacity of projection exposure equipment for the microlithographic Production of semiconductor devices and other finely structured Components is significantly affected by the imaging properties of Projection lenses determined. In addition, the picture quality and the achievable with the plant wafer throughput essentially by properties of the projection lens upstream Lighting system co-determined. This must be able to do that Light of a primary Light source, such as a laser, with the highest possible efficiency to prepare and while in a lighting field of the lighting system as possible uniform intensity distribution to create. In addition, it should be possible set different lighting modes on the lighting system, for example, the lighting according to the structures of individual templates to be imaged (masks, reticles) to optimize. Are common settings between different conventional settings with different ones degrees of coherence as well as ring field illumination and dipole or quadrupole illumination. The non-conventional lighting settings for creating an off-axis, oblique lighting can among other things the increase the depth of field serve by two-beam interference and increasing the resolution.
Die
Die
Andere
bekannte Möglichkeiten
zur Erzeugung außeraxialer
Beleuchtungen sind beispielsweise in den Patenten
Bei den Beleuchtungssystemen, die zur Einstellung unterschiedlicher Beleuchtungsmodi mit auswechselbaren optischen Elementen (z.B. diffraktiven optischen Elementen oder Raumfiltern) arbeiten, ist die Anzahl unterschiedlicher Beleuchtungssettings durch die Anzahl der unterschiedlichen einwechselbaren Elemente begrenzt. Entsprechende Wechselvorrichtungen können konstruktiv aufwendig sein.at the lighting systems used to adjust different Illumination modes with interchangeable optical elements (e.g., diffractive optical elements or spatial filters), the number is different Lighting settings by the number of different interchangeable Limited elements. Corresponding changing devices can be constructive be expensive.
Aus
der
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein Beleuchtungssystem für eine Mikrolithographie-Projektionsbelichtungsanlage bereitzustellen, das bei einfacher Konstruktion eine große Variabilität bei der Einstellung unterschiedlicher Beleuchtungsmodi ermöglicht.Of the Invention is based on the object, an illumination system for a microlithography projection exposure system to provide that with a simple construction a great variability in the Setting different lighting modes allows.
Zur Lösung dieser Aufgabe stellt die Erfindung ein Beleuchtungssystem mit den Merkmalen von Anspruch 1 bereit. Vorteilhafte Weiterbildungen sind in den abhängigen Ansprüchen angegeben. Der Wortlaut sämtlicher Ansprüche wird durch Bezugnahme zum Inhalt der Beschreibung gemacht.To achieve this object, the invention provides a lighting system having the features of claim 1. Advantageous developments are indicated in the dependent claims. The wording of all claims is incorporated herein by reference.
Ein erfindungsgemäßes Beleuchtungssystem hat eine optische Achse und eine Lichtverteilungseinrichtung zum Empfang von Licht einer primären Lichtquelle und zur Erzeugung einer variabel einstellbaren, zweidimensionalen räumlichen Intensitätsverteilung in einer Pupillenformungsfläche des Beleuchtungssystems. Die Lichtverteilungseinrichtung hat mindestens eine Lichtmodulationseinrichtung zur steuerbaren Veränderung der Winkelverteilung der auf die Lichtmodulationseinrichtung auftreffenden Strahlung. Die Lichtmodulationseinrichtung kann ein Feld (Array) von individuell ansteuerbaren Einzelelementen umfassen, die jeweils am Ort ihrer Einbauposition eine gezielte Winkelveränderung der Strahlung bewirken können. Die Lichtmodulationseinrichtung wird auch als Ortsvariante Lichtmodulationseinrichtung bezeichnet, da das Ausmaß der Winkelveränderung ortsabhängig einstellbar ist. Vorzugsweise ist das Feld zweidimensional, z.B. mit mehreren Reihen und Spalten von Einzelelementen. Dabei erfolgt die Ansteuerung der Einzelelemente vorzugsweise derart, dass bei allen eingestellten Beleuchtungsmodi die gesamte, auf die Einzelelemente der Lichtmodulationseinrichtung auftreffende Lichtintensität in den nutzbaren Bereich der Pupillenformungsfläche gelenkt wird und somit zur Beleuchtung des Beleuchtungsfeldes beitragen kann. Durch die Lichtmodulationseinrichtung kann somit eine ortsabhängige Umverteilung der Lichtintensität bewirkt werden, ohne dass auftreffendes Licht „verworfen" wird. Damit ist eine prinzipiell weitgehend verlustfreie, variable Einstellung unterschiedlicher Beleuchtungsmodi möglich.One Inventive lighting system has an optical axis and a light distribution device for Receiving light from a primary Light source and for generating a variably adjustable, two-dimensional spatial intensity distribution in a pupil shaping surface of the lighting system. The light distribution device has at least a light modulation device for controllable change the angular distribution of the incident on the light modulation device Radiation. The light modulation device can be a field (array) include individually controllable individual elements, respectively at the location of their installation position a targeted angle change can cause the radiation. The light modulation device is also used as a spatial variant light modulation device denoted as the extent of the angular change location-dependent is adjustable. Preferably, the field is two-dimensional, e.g. with several rows and columns of individual elements. This takes place the control of the individual elements preferably such that at all set lighting modes the whole, on the individual elements of the Light modulation device incident light intensity in the usable range of Pupillenformungsfläche is steered and thus contribute to the illumination of the illumination field. By the light modulation device can thus be a location-dependent Redistribution of light intensity be effected without "incidental" incident light is "discarded." Thus, a principle is largely lossless, variable setting of different lighting modes possible.
Durch die erfindungsgemäße Möglichkeit, kleine Ausschnitte des auf die Lichtmodulationseinrichtung fallenden Lichtes gezielt in vorbestimmbare Bereiche der Pupillenformungsfläche umzulenken, können in der Pupillenformungsfläche fast beliebige Beleuchtungsintensitätsverteilungen eingestellt werden. Dazu gehören beispielsweise bei den konventionellen Beleuchtungssettings runde, um die optische Achse zentrierte Beleuchtungsflecke unterschiedlicher Durchmesser und bei den nichtkonventionellen, außeraxialen Beleuchtungsarten die Ringbeleuchtung (oder annulare Beleuchtung) sowie polare Intensitätsverteilungen, beispielsweise Dipolbeleuchtung oder Quadrupolbeleuchtung. Mit erfindungsgemäßen Beleuchtungssystemen sind jedoch auch hiervon abweichende Intensitätsverteilungen möglich, z.B. Multipolbeleuchtung mit mehr als vier Polen, z.B. Hexapolbeleuchtung. Die Beleuchtungsverteilungen müssen gegebenenfalls keine Symmetrie in Bezug auf die optische Achse aufweisen.By the possibility according to the invention, small Excerpts of the light falling on the light modulation device to divert specifically into predeterminable areas of the Pupillenformungsfläche, can in the pupil shaping surface set almost any illumination intensity distributions become. This includes for example, in the conventional lighting settings round, centered around the optical axis illumination spots of different Diameter and in the non-conventional, off-axis lighting types the ring illumination (or annulare illumination) as well as polar intensity distributions, for example, dipole lighting or quadrupole lighting. With lighting systems according to the invention however, deviating intensity distributions are also possible, e.g. Multipole illumination with more than four poles, e.g. Hexapolbeleuchtung. The lighting distributions need optionally have no symmetry with respect to the optical axis.
Die Pupillenformungsfläche des Beleuchtungssystems, in welcher die gewünschte Intensitätsverteilung vorliegen soll, kann bei einem in eine Mikrolithographie-Projektionsbelichtungsanlage eingebauten Beleuchtungssystem an oder nahe einer Position sitzen, die optisch konjugiert zu einer Pupillenebene eines nachfolgenden Projektionsobjektivs ist. Im Allgemeinen kann die Pupillenformungsfläche einer Pupillenfläche des Beleuchtungssystems entsprechen oder in deren Nähe liegen. Sofern die zwischenliegenden optischen Komponenten winkelerhaltend arbeiten, wird somit die räumliche Lichtverteilung in der Pupille des Projektionsobjektivs durch die räumliche Lichtverteilung (Ortsverteilung) in der Pupillenformungsfläche des Beleuchtungssystems bestimmt. Umfasst das Beleuchtungssystem z.B. einen Wabenkondensor als Lichtmischele ment (Lichtintegrator), so kann die Pupillenformungsfläche in der Nähe von dessen Eintrittsseite liegen oder mit dieser zusammenfallen. Bei Systemen, die einen oder mehrere, mit innerer Reflexion arbeitende, stabförmige Lichtintegratoren umfassen, kann die Pupillenformungsfläche eine zur Eintrittsfläche des Lichtintegrators Fourier-transformierte Ebene sein oder in deren Nähe liegen. Es sind auch Systeme möglich, bei denen keines der genannten, klassischen Lichtmischelemente vorhanden ist. Hier kann eine Homogenisierung der Intensitätsverteilung gegebenenfalls durch geeignete Überlagerung von Teilstrahlen mittels Prismen oder dergleichen erfolgen.The Pupil shaping surface of the illumination system in which the desired intensity distribution may be present in a microlithography projection exposure apparatus built-in lighting system at or near a position, which is optically conjugate to a pupil plane of a subsequent one Projection lens is. In general, the pupil forming surface of a pupil surface of the lighting system or in their vicinity. Provided that the intermediate optical components angle preserving work, thus becomes the spatial Light distribution in the pupil of the projection lens through the spatial Light distribution (spatial distribution) in the pupil shaping surface of the Lighting system determined. If the lighting system comprises e.g. a honeycomb condenser as Lichtmischele element (light integrator), so can the pupil shaping surface near lie from its entrance side or coincide with this. For systems using one or more internal reflection, rod-shaped light integrators may include, the pupil shaping surface a to the entrance surface of the Light integrator Fourier-transformed plane or lie in the vicinity. Systems are also possible where none of the above, classic light mixing elements available is. Here, a homogenization of the intensity distribution may be by suitable overlay Partial beams by means of prisms or the like.
Die Begriffe „Strahlung" und „Licht" im Sinne dieser Anmeldung sind weit zu interpretieren und sollen insbesondere elektromagnetische Strahlung aus dem Ultraviolettbereich umfassen, beispielsweise bei Wellenlängen von ca. 365 nm, 248 nm, 193 nm, 157 nm oder 126 nm. Ebenfalls umfasst ist elektromagnetische Strahlung aus dem extremen Ultraviolettbereich (EUV), beispielsweise weiche Röntgenstrahlung mit Wellenlängen von unterhalb 20 nm.The Terms "radiation" and "light" in the sense of this Registration are widely interpretable and are intended in particular to be electromagnetic Ultraviolet radiation includes, for example at wavelengths of about 365 nm, 248 nm, 193 nm, 157 nm or 126 nm. Also included is electromagnetic radiation from the extreme ultraviolet range (EUV), for example, soft X-rays with wavelengths from below 20 nm.
Bei einer Weiterbildung ist die Lichtmodulationseinrichtung als Spiegelanordnung mit einem Feld von individuell steuerbaren Einzelspiegeln zur Veränderung der Winkelverteilung der auf die Spiegelanordnung auftreffenden Strahlung ausgebildet. Die Einzelspiegel, die die Einzelelemente der Modulationseinrichtung bilden, können rasterartig in einem ein- oder zweidimensionalen Feld angeordnet sein. Gemäß einer anderen Weiterbildung ist die Lichtmodulationseinrichtung als elektrooptisches Element ausgebildet, welches vorzugsweise eine ein- oder zweidimensionale Feldanordnung (Array) von schaltbaren Beugungsgittern oder ein entsprechendes Feld von akustooptischen Elementen umfasst. Jedes dieser Einzelelemente, die rasterartig angeordnet sein und entsprechend auch als Rasterelemente bezeichnet werden können, führt am Ort des Rasterelementes einen spezifischen Winkel der abgegebenen Strahlung ein, wobei in der Regel eine Strahlumlenkung der eintreffenden Strahlung, d.h. eine Änderung der Laufrichtung, eingeführt wird. Durch z.B. elektrische Ansteuerung der Einzelelemente kann die Winkelverteilung der abgegebenen Strahlung variabel eingestellt werden.In a development, the light modulation device is designed as a mirror arrangement with a field of individually controllable individual mirrors for changing the angular distribution of the radiation impinging on the mirror arrangement. The individual mirrors, which form the individual elements of the modulation device, can be arranged like a grid in a one- or two-dimensional field. According to another development, the light modulation device is designed as an electro-optical element, which preferably comprises a one- or two-dimensional field arrangement (array) of switchable diffraction gratings or a corresponding field of acousto-optical elements. Each of these individual elements, which can be arranged like a grid and can also be referred to as raster elements, introduces a specific angle of the emitted radiation at the location of the raster element, as a rule a beam deflection of the incident radiation, ie a change the running direction is introduced. By eg electrical control of the individual elements, the angular distribution of the emitted radiation can be variably adjusted.
Der Raum zwischen der Lichtmodulationseinrichtung und der Pupillenformungsfläche kann frei von optischen Komponenten, wie Linsen oder anderen abbildenden Elementen sein. In diesem Fall ist es günstig, den Abstand zwischen Lichtmodulationseinrichtung und Pupillenformungsfläche so groß zu wählen, dass die Pupillenformungsfläche im Fernfeldbereich der Lichtmodulationseinrichtung liegt. Unter dieser Bedingung stellt sich in der Pupillenformungsfläche automatisch die gewünschte räumliche Intensitätsverteilung ein.Of the Space between the light modulation device and the pupil shaping surface can be free of optical components, such as lenses or other imaging elements be. In this case, it is convenient to choose the distance between light modulation device and pupil shaping surface so large that the pupil shaping surface is in the far field region of the light modulation device. Under this condition automatically arises in the pupil forming surface the desired spatial intensity distribution one.
Bei
einer Weiterbildung ist zwischen der Lichtmodulationseinrichtung
und der Pupillenformungsfläche
ein optisches System zur Umwandlung der auftreffenden Winkelverteilung
in eine räumliche Verteilung
(Verteilung im Ortsraum) in der Pupillenformungsfläche vorgesehen.
Dieses optische System soll somit eine Fourier-Transformation der
Winkelverteilung in die Pupillenformungsfläche vornehmen. Es kann sich
dabei um ein einzelnes optische Element, beispielsweise eine Linse
fester Brennweite und damit definierter Vergrößerung handeln. Vorzugsweise
hat das der Fourier-Transformation dienende optische System eine
variable einstellbare Brennweite. Es kann als Zoom-Objektiv ausgestaltet sein.
Dadurch kann bei gegebener Beleuchtungsverteilung die Größe des mit
dieser Beleuchtungsverteilung ausgeleuchteten Bereichs in der Pupillenformungsfläche, vorzugsweise
stufenlos, eingestellt werden. Wird zwischen der Lichtmodulationseinrichtung
und der Pupillenformungsfläche
ein Axicon-System mit konischen Flächen vorgesehen, so kann durch
Verstellung des Axicon-Systems ein gewünschter Grad des Ringfeldcharakters
(Annularität) der
Beleuchtung, gegebenenfalls stufenlos, eingestellt werden. Bei einer
Ausführungsform
ist zwischen der Lichtmodulationseinrichtung und der Pupillenformungsfläche ein
Zoom-Axicon-Objektiv angeordnet, dessen Aufbau beispielsweise dem
Aufbau des in der
Die Lichtmodulationseinrichtung kann reflektiv arbeiten und nach Art eines Umlenkspiegels schräg zur optischen Achse ausgerichtet sein, um beispielsweise im Mittel eine angenäherte 90°-Umlekung (oder eine Umlenkung um einen kleineren oder größeren Winkel) zu erreichen.The Light modulation device can work reflectively and according to Art a deflecting mirror at an angle be aligned to the optical axis, for example, on average an approximate one 90 ° -Umlekung (or a deflection by a smaller or larger angle) to achieve.
Für die Funktion der der Pupillenformungsfläche nachfolgenden optischen Komponenten des Beleuchtungssystems ist es in der Regel günstig, wenn die Winkel, unter denen die Strahlen in die Pupillenformungsfläche einfallen, so klein wie möglich sind. Hierzu ist bei bevorzugten Ausführungsformen vorgesehen, den optischen Abstand zwischen Lichtmodulationseinrichtung und der Pupillenformungsfläche so groß zu wählen, dass die Winkel zwischen der optischen Achse und Lichtstrahlen der Winkelverteilung im Bereich der Pupillenformungsfläche weniger als ca. 5°, insbesondere weniger als ca. 3° betragen. Je kleiner die Winkel gewählt werden, desto steiler können z.B. die Flanken am Hell-Dunkel-Übergang zwischen dem beleuchteten Bereich und dem angrenzenden, nicht beleuchteten Bereich sein.For the function the pupil shaping surface subsequent optical components of the lighting system It usually cheap, though the angles at which the rays enter the pupil shaping surface, as small as possible. For this purpose, it is provided in preferred embodiments, the optical distance between the light modulation device and the Pupil shaping surface so big too choose, that the angles between the optical axis and light rays of the Angular distribution in the area of the pupil forming surface less than about 5 °, in particular less than about 3 °. ever chosen the angles smaller be, the steeper you can e.g. the flanks at the light-dark transition between the illuminated area and the adjacent, not lit. Be area.
Eine feinteilige, gezielte Einstellung verschiedener Formen eines zu beleuchtenden Bereiches der Pupillenformungsfläche kann gerade bei Systemen, die Wabenkondensoren als Lichtmischelemente verwenden, von großem Nutzen sein. Bei solchen Systemen kann bekanntlich die gewünschte Vergleichmäßigung der Intensitätsverteilung hinter dem Wabenkondensor nur dann erreicht werden, wenn die einzelnen, durch die „Waben" gebildeten Strahlungskanäle entweder vollständig oder gar nicht genutzt werden. Die Strahlung eines nur teilweise genutzten Strahlungskanals verschlechtert dagegen die Gleichmäßigkeit (Uniformity). Aus diesem Grunde arbeiten herkömmliche Systeme mit Blenden, um z.B. teilweise beleuchtete Kanäle am Rande eines Ausleuchtungsbereiches zu blockieren. Dies kann zu Lichtverlusten führen.A finely divided, targeted adjustment of various forms of a too illuminating region of the pupil shaping surface can be used in systems use the honeycomb condensers as light mixing elements, of great benefit be. In such systems, as is known, the desired homogenization of intensity distribution be achieved behind the honeycomb condenser only if the individual, either through the "honeycomb" formed radiation channels Completely or not used at all. The radiation of one only partially On the other hand, the radiation channel used deteriorates the uniformity (Uniformity). For this reason, conventional systems employ diaphragms, by e.g. partially illuminated channels on the edge of a lighting area to block. This can lead to light losses.
Bei Ausführungsformen der Erfindung mit Wabenkondensoren, bei denen die Pupillenformungsfläche normalerweise im Bereich der Eintrittsfläche des Wabenkondensors oder in einer dazu optisch konjugierten Fläche liegt, kann dagegen die räumliche Intensitätsverteilung in der Pupillenformungsfläche so gesteuert bzw. eingestellt werden, dass gezielt nur vollständig beleuchtete und vollständig unbeleuchtete Kanäle bzw. Waben existieren und teilweise beleuchtete Waben vermieden werden. Auf den Einsatz von Blenden zur Blockierung einzelner Kanäle kann dann verzichtet werden. Somit wird bei vereinfachter Konstruktion eine weitgehend verlustfreie Beleuchtungssteuerung möglich.at embodiments of the invention with honeycomb condensers in which the pupil forming surface is normally in the area of the entrance area the honeycomb condenser or in a visually conjugate surface, on the other hand, the spatial intensity distribution in the pupil shaping surface be controlled or adjusted so that targeted only fully illuminated and completely unlit channels or honeycomb exist and partially illuminated honeycomb avoided become. On the use of apertures to block individual channels can then be waived. Thus, with simplified construction a largely lossless lighting control possible.
Wird eine Spiegelanordnung der Lichtmodulationseinrichtung verwendet, so wird die minimale Größe der beleuchteten Flächen, die durch die Einzelspiegel der Spiegelanordnung erzeugt werden, wesentlich durch die Größe der Einzelspiegel bestimmt, die z.B. Planspiegel sein können. Es ist möglich, die minimale Ausdehnung der erzeugten Lichtflecke zu verkleinern, indem die Einzelspiegel nicht als Planspiegel, sondern als gekrümmte Spiegel mit einer endlichen Spiegelbrennweite ausgebildet sind. Die Brennweite kann so bemessen sein, dass die auf die Einzelspiegel auftreffende Strahlung im wesentlichen fokussiert auf die Pupillenformungsfläche trifft. Dadurch wird eine sehr differenzierte Einstellung verschiedener räumlicher Intensitätsverteilungen in der Pupillenformungsfläche möglich.If a mirror arrangement of the light modulation device is used, then the minimum size of the illuminated areas that are generated by the individual mirrors of the mirror arrangement is essentially determined by the size of the individual mirrors, which may be plane mirrors, for example. It is possible to reduce the minimum extent of the generated light spots by the individual mirrors are not formed as a plane mirror, but as curved mirrors with a finite focal length. The focal length can be dimensioned such that the radiation impinging on the individual mirrors essentially focuses on the pupil shaping surface. This allows a very differentiated setting of different spatial intensity distributions in the pupil shaping surface.
Die Einzelspiegel der Spiegelanordnung können alle die gleiche Form und Größe haben, was fertigungstechnisch günstig sein kann. Es ist auch möglich, dass die Einzelspiegel eine erste Spiegelgruppe und mindestens eine zweite Spiegelgruppe mit jeweils einem oder mehreren Einzelspiegeln umfassen und dass die Einzelspiegel der Spiegelgruppen unterschiedliche Größe und/oder unterschiedliche Form und/oder unterschiedliche Krümmung haben. Wird beispielsweise die Größe der Einzelspiegel variiert, so kann dies für eine Aufgabenteilung unter den Einzelspiegeln der Spiegelanordnung genutzt werden. Beispielsweise können die flächenmäßig größeren Einzelspiegel die großen Anteile der erzeugten Lichtflecken erzeugen, während kleinere Einzelspiegelchen die Erzeugung einer Feinstruktur der Lichtverteilung ermöglichen.The Single mirror of the mirror assembly can all be the same shape and have size, which is technically favorable can be. It is also possible, that the individual mirrors a first mirror group and at least one second mirror group, each with one or more individual mirrors and that the individual levels of the mirror groups are different Size and / or have different shape and / or different curvature. For example, if the size of the individual mirror is varied, so may this for a division of tasks among the individual mirrors of the mirror assembly be used. For example, you can the larger individual mirrors the big ones Produce portions of the generated spots, while smaller Einzelspiegelchen allow the generation of a fine structure of the light distribution.
Allgemein können die Einzelspiegel jeweils als Erzeuger bestimmter Basislichtverteilungen angesehen werden, die dann zur gewünschten Verteilung in der Pupillenformungsfläche des Beleuchtungssystems zusammengesetzt werden, indem die erzeugten Lichtverteilungen relativ zueinander verschoben werden. Die Variation der Winkelverteilung, und damit die Verschiebung von Lichtflecken in der Pupillenformungsfläche, kann beispielsweise durch geeignete Kippung von Einzelspiegeln um mindestens eine Kippachse erreicht werden.Generally can the individual mirrors each as producers of certain basic light distributions then be considered for the desired distribution in the pupil shaping surface of the Lighting system can be assembled by the generated Light distributions are shifted relative to each other. The variation the angular distribution, and thus the shift of light spots in the pupil shaping surface, can, for example, by suitable tilting of individual mirrors to at least one tilting axis can be achieved.
Ein weiterer Freiheitsgrad bei der Erzeugung von räumlichen Lichtverteilungen kann dadurch geschaffen werden, dass mindestens ein Teil der Einzelspiegel eine diffraktive optische Struktur oder eine Struktur vergleichbarer Wirkung zur Formung der Verteilung der von dem Einzelspiegel reflektierten Strahlung aufweist. Dadurch kann die „Basisverteilung", welche durch diesen Einzelspiegel erzeugt wird, noch in sich geformt werden. Beispielsweise kann ein Einzelspiegel so ausgelegt sein, dass er eine Basisverteilung erzeugt, die aus mehreren Lichtflecken bestehen kann, die nicht zusammenhängend sein müssen.One additional degree of freedom in the generation of spatial light distributions can be created by having at least a portion of the individual mirrors a diffractive optical structure or a structure comparable Effect of shaping the distribution of the radiation reflected by the individual mirror having. Thus, the "basic distribution", which by this Single mirror is generated, yet to be molded in itself. For example, can An individual mirror should be designed so that it has a basic distribution which may consist of several spots of light that are not be coherent have to.
Die Einzelspiegel der Spiegelanordnung grenzen vorzugsweise unmittelbar aneinander, so dass sie eine facettierte, im wesentlichen geschlossene, zusammenhängende reflektierende Oberfläche bilden. Um eine relative Beweglichkeit benachbarter Einzelspiegel zu erleichtern, kann es günstig sein, wenn sich zwischen den Einzelspiegeln kleine Abstände befinden, die schmale, nicht reflektierende Bereiche ergeben. Insbesondere bei solchen Ausführungsformen ist es günstig, wenn vor der Spiegelanordnung eine zweidimensionale Rasteranordnung von optischen Elementen zur Konzentration von auf die optischen Elemente auftreffender Strahlung auf zugeordnete Einzelspiegel der Spiegelanordnung angeordnet ist. Auf diese Weise kann einfallendes Licht, beispielsweise eines Lasers, gebündelt auf die Einzelspiegel geführt werden, wodurch Reflexionsverluste an der Spiegelanordnung auf ein Minimum reduziert werden können. Es kann eine 1:1 Zuordnung zwischen den optischen Elementen der Rasteranordnung und den nachfolgenden Einzelspiegeln vorliegen. Die zweidimensionale Rasteranordnung kann beispielsweise ein zweidimensionales Feld (Array) mit Teleskop-Linsensystemen umfassen, welches vorzugsweise im weitgehend parallelisierten Strahlengang vor der Spiegelanordnung angeordnet ist.The Individual mirrors of the mirror arrangement preferably directly adjoin to each other so that they are a faceted, essentially closed, related reflective surface form. To a relative mobility of adjacent individual mirrors to facilitate, it may be convenient if there are small distances between the individual mirrors, the narrow, non-reflective areas result. Especially in such embodiments is it cheap when in front of the mirror assembly, a two-dimensional raster array of optical elements for concentration of the optical elements incident radiation arranged on associated individual mirror of the mirror assembly is. In this way, incident light, such as one Lasers, bundled led to the individual mirror be, whereby reflection losses on the mirror assembly on a Minimum can be reduced. It can be a 1: 1 mapping between the optical elements of the Grid arrangement and the subsequent individual mirrors are present. The two-dimensional grid arrangement can, for example, be a two-dimensional Field (array) with telescope lens systems, which preferably in the largely parallelized beam path in front of the mirror assembly is arranged.
Insbesondere in Verbindung mit Einzelspiegeln unterschiedlicher Form und/oder Größe kann es günstig sein, die einzelnen optischen Elemente der Rasteranordnung ebenfalls unterschiedlich auszulegen. Indem beispielsweise unterschiedlich große Bereich des von der Lichtquelle kommenden, aufgeweiteten Strahls zu Lichtstrahlen gebündelt werden, die dann auf die Einzelspiegel gerichtet werden, kann eine Variation der Lichtenergie auf den Einzelspiegeln der Spiegelanordnung erreicht werden. Auf diese Weise kann der Strahlungsenergieinhalt der einzelnen Basislichtverteilungen verändert werden. Eine vergleichbare Wirkung könnte auch durch einen geeigneten Transmissionsfilter vor und/oder nach der zweidimensionalen Rasteranordnung erreicht werden, wobei allerdings Lichtverluste in Kauf gekommen werden müssten.Especially in conjunction with individual mirrors of different shapes and / or Size can it cheap be, the individual optical elements of the grid arrangement also interpreted differently. By example, different size Area of the light source coming from the expanded beam bundled to light rays which can then be directed to the individual mirrors, one can Variation of the light energy on the individual mirrors of the mirror arrangement be achieved. In this way, the radiant energy content the individual base light distributions are changed. A comparable one Effect could also by a suitable transmission filter before and / or after the two-dimensional raster arrangement can be achieved, however Loss of light would have to be accepted.
Im übrigen kann
für den
Aufbau und/oder die Ansteuerung der Einzelspiegel der Spiegelanordnung
auf bekannte Konzepte des Standes der Technik zurückgegriffen
werden, wobei gegebenenfalls bezüglich
der Dimensionierung Anpassungen an das jeweilige Beleuchtungssystem
vorzunehmen sind. Spiegelanordnungen mit individuell ansteuerbaren Einzelspiegeln,
die häufig
auch als Digital-Mirror-Array (DMD) bezeichnet werden, sind beispielsweise aus
Systemen zur maskenlosen Lithographie bekannt (vgl. z.B.
Einige der am Beispiel der Einzelspiegel erläuternden Maßnahmen zur Gestaltung der von der Lichtmodulationseinrichtung erzeugten Austrittsstrahlung können sinngemäß auch bei einem elektrooptischen Element mit schaltbaren Beugungsgittern oder akustooptischen Elementen vorgesehen sein. Hierzu gehören die Möglichkeit der Kippung der Einzelelemente relativ zueinander, die Möglichkeit, durch geeignete Ausgestaltung der Einzelelemente eine Basisverteilung des von einem Einzelelement abgegebenen Lichtes zu beeinflussen oder die Maßnahme, zur effizienten Nutzung von schaltbaren Beugungsgittern oder akustooptischen Elementen vor der entsprechenden Lichtmodulationseinrichtung optische Elemente zur Konzentration der eintreffenden Strahlung auf die winkelverändernden Einzelelemente vorzusehen. Die Einzelelemente des elektrooptischen Elementes können identisch oder untereinander verschieden ausgestaltet sein.Some of the measures for the design of the output radiation generated by the light modulation device can be provided by analogy with an electro-optical element with switchable diffraction gratings or acousto-optical elements. These include the possibility of tilting the individual elements relative to each other, the possibility of a suitable design of the individual elements, a basic distribution of a single element or to measure the effective use of switchable diffraction gratings or acousto-optical elements in front of the corresponding light modulator optical elements for concentration of the incident radiation to the angle-changing individual elements to influence. The individual elements of the electro-optical element may be identical or different from each other.
Insbesondere bei Ausführungsformen von Beleuchtungssystemen für die Mikrolithographie ist es günstig, im Beleuchtungssystem eine Lichtmischeinrichtung einzusetzen, um einen hohen Grad von Gleichmäßigkeit bzw. Homogenität der auf das Beleuchtungsfeld fallenden Beleuch tung zu erzielen. In erfindungsgemäßen Beleuchtungssystemen können sowohl Lichtmischeinrichtungen mit Wabenkondensoren als auch Lichtmischeinrichtungen mit einem oder mehreren Integratorstäben bzw. Lichtmischstäben oder Kombinationen daraus genutzt werden. Solche Lichtmischeinrichtungen sind sowohl jeweils in refraktiver Ausführung (Wabenkondensor mit Linsenelementen, Integratorstab aus transparentem Material) als auch in reflektiver Ausführung (Wabenkondensor mit Konkavspiegeln, Stab mit Innenverspiegelung) verfügbar.Especially in embodiments of lighting systems for microlithography is cheap, to use a light mixing device in the lighting system to a high degree of uniformity or homogeneity the lighting falling on the lighting field. In lighting systems according to the invention can both Light mixing devices with honeycomb condensers and light mixing devices with one or more Integratorstäben or light mixing rods or Combinations thereof are used. Such light mixing devices are each in refractive design (honeycomb condenser with lens elements, Integrator rod made of transparent material) as well as in reflective execution (Honeycomb condenser with concave mirrors, bar with internal mirroring) available.
Die Erfindung betrifft auch ein Verfahren zur Beleuchtung eines Beleuchtungsfeldes mit dem Licht einer primären Lichtquelle, wobei das Beleuchtungsfeld insbesondere die Objektebene eines Mikrolithographie-Projektionsobjektivs oder eine dazu konjugierte Ebene ist. Das Beleuchtungsverfahren umfasst eine Änderung der Winkelverteilung des in das Beleuchtungsfeld einfallenden Lichtes im Lichtweg zwischen Lichtquelle und Beleuchtungsfeld. Die Veränderung wird dadurch herbeigeführt, dass das Licht einer primären Lichtquelle auf eine Lichtmodulationseinrichtung mit mindestens zwei unabhängig voneinander veränderbaren Einzelelementen gelenkt wird und diese Einzelelemente relativ zueinander geeignet eingestellt werden. Diese Einstellung kann z.B. eine Verkippung mindestens eines der Einzelelemente gegenüber dem anderen Einzelelement um eine oder mehrere Kippachsen oder die Veränderung der beugenden Eigenschaften von Beugungselementen umfassen. Dadurch ergibt sich hinter der Lichtmodulationseinrichtung eine von der Relativeinstellung der Einzelelemente abhängige Winkelverteilung des Lichtes, die durch nachfolgende optische Komponenten in eine Winkelverteilung des in das Beleuchtungsfeld auftreffenden Lichtes transformiert wird. Vorzugsweise hat das von der Lichtmodulationseinrichtung abgegebene Licht deutlich mehr als zwei unabhängig voneinander einstellbare Strahlbündel, beispielsweise mindestens 10 oder mindestens 50 oder mindestens 100 individuell einstellbare Strahlbündel.The The invention also relates to a method for illuminating a lighting field with the light of a primary Light source, wherein the illumination field in particular the object plane a microlithography projection objective or a conjugate to it Level is. The lighting process involves a change the angular distribution of the incident light in the illumination field in the light path between the light source and the illumination field. The change is thereby brought about, that the light is a primary Light source on a light modulation device with at least two independent changeable from each other Single elements is directed and these individual elements relative to each other be adjusted appropriately. This setting may e.g. a tilt at least one of the individual elements with respect to the other individual element one or more tilt axes or the change of the diffractive properties of diffractive elements. This results behind the light modulation device a dependent on the Relativeinstellung the individual elements angle distribution of light passing through subsequent optical components into one Angular distribution of the incident light in the illumination field is transformed. Preferably, that of the light modulation device emitted light significantly more than two independently adjustable Beam, for example at least 10 or at least 50 or at least 100 individually adjustable beams.
Die vorstehenden und weitere Merkmale gehen außer aus den Ansprüchen auch aus der Beschreibung und den Zeichnungen hervor, wobei die einzelnen Merkmale jeweils für sich alleine oder zu mehreren in Form von Unterkombinationen bei Ausführungsformen der Erfindung und auf anderen Gebieten verwirklicht sein und vorteilhafte sowie für sich schutzfähige Ausführungen darstellen können.The The above and other features are excluded from the claims also from the description and the drawings, the individual Features for each alone or too many in the form of subcombinations embodiments of the invention and in other fields be realized and advantageous also for protectable versions can represent.
In
Das
Licht der Lichtquelle
Hinter
dem Strahlaufweiter folgt eine zweidimensionale Rasteranordnung
Das
in Strahlbündel
Die
Spiegelanordnung
Im
Detail kann dieser Grundaufbau z.B. wie folgt realisiert sein. Der
auf das Teleskoplinsen-Array
Bei
der Ausführungsform
beträgt
der axiale Abstand zwischen dem Teleskoplinsen-Array
Eine
hinter der Pupillenformungsfläche
Das
Beleuchtungssystem
Das
Beleuchtungssystem ist so aufgebaut, dass es den kompletten Lichtleitwert
in mehreren Stufen einführt.
Der vom Laser abgegebene Laserstrahl hat aufgrund der weitgehenden
Parallelität
der Strahlung und des geringen Strahlquerschnitts einen sehr geringen
Lichtleitwert, der durch die Strahlaufweitung und durch die Strahlaufteilung
mit Hilfe des Teleskop-Arrays
Die
Kipppositionen der Einzelspiegel
Bei
der hier dargestellten Anwendung der Erfindung ist es von entscheidender
Bedeutung, dass die Verteilung des Lichtes in der Pupillenformungsfläche
Anhand
von
Der
Aufbau des Beleuchtungssystems
Die
Lichtmodulationseinrichtung
Ein
Feldformungs- und Homogenisierungselement vom Typ des Rasterelementes
Claims (32)
Priority Applications (8)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE2003143333 DE10343333A1 (en) | 2003-09-12 | 2003-09-12 | Illumination system for microlithography projection exposure system, has mirror arrangement with array of individual mirrors that is controlled individually by changing angular distribution of light incident on mirror arrangement |
EP04765110A EP1668421A2 (en) | 2003-09-12 | 2004-09-13 | Illumination system for a microlithography projection exposure installation |
KR1020067005045A KR101159867B1 (en) | 2003-09-12 | 2004-09-13 | Illumination system for a microlithography projection exposure installation |
PCT/EP2004/010188 WO2005026843A2 (en) | 2003-09-12 | 2004-09-13 | Illumination system for a microlithography projection exposure installation |
US10/571,475 US7714983B2 (en) | 2003-09-12 | 2004-09-13 | Illumination system for a microlithography projection exposure installation |
JP2006525782A JP4717813B2 (en) | 2003-09-12 | 2004-09-13 | Illumination system for microlithographic projection exposure equipment |
CNA2004800333004A CN1879062A (en) | 2003-09-12 | 2004-09-13 | Illumination system for a microlithography projection exposure installation |
US12/758,554 US20100195077A1 (en) | 2003-09-12 | 2010-04-12 | Illumination system for a microlithography projection exposure installation |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE2003143333 DE10343333A1 (en) | 2003-09-12 | 2003-09-12 | Illumination system for microlithography projection exposure system, has mirror arrangement with array of individual mirrors that is controlled individually by changing angular distribution of light incident on mirror arrangement |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE10343333A1 true DE10343333A1 (en) | 2005-04-14 |
Family
ID=34305898
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE2003143333 Withdrawn DE10343333A1 (en) | 2003-09-12 | 2003-09-12 | Illumination system for microlithography projection exposure system, has mirror arrangement with array of individual mirrors that is controlled individually by changing angular distribution of light incident on mirror arrangement |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN1879062A (en) |
DE (1) | DE10343333A1 (en) |
Cited By (29)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2008104516A1 (en) | 2007-02-28 | 2008-09-04 | Carl Zeiss Smt Ag | Imaging apparatus with replaceable shutters and method |
EP1975724A1 (en) * | 2007-03-30 | 2008-10-01 | ASML Netherlands BV | Lithographic apparatus and method |
WO2008145568A1 (en) * | 2007-06-01 | 2008-12-04 | Carl Zeiss Smt Ag | Illumination system with at least one acoustooptical mirror |
EP2009501A2 (en) | 2007-06-26 | 2008-12-31 | Carl Zeiss SMT AG | Method and apparatus for controlling a plurality of actuators and imaging device for lithography |
DE102008001909A1 (en) | 2007-07-11 | 2009-01-15 | Carl Zeiss Smt Ag | Projection exposure system, has multipolar lighting adjustment of imaging device and compensation unit is provided for compensation of image defect induced by multipolar lighting adjustment |
WO2009048170A1 (en) * | 2007-10-12 | 2009-04-16 | Nikon Corporation | Illumination optical apparatus, exposure apparatus, and device manufacturing method |
WO2009080231A1 (en) * | 2007-12-21 | 2009-07-02 | Carl Zeiss Smt Ag | Illumination system for illuminating a mask in a microlithographic exposure apparatus |
DE102008023763A1 (en) * | 2008-05-09 | 2009-11-12 | Carl Zeiss Smt Ag | Illumination system for use in microlithographic-projection illumination system during production of semiconductor component, has Fourier optics system including ratio of overall length to bandwidth less than specific value |
DE102008028416A1 (en) * | 2008-06-17 | 2009-12-24 | Carl Zeiss Smt Ag | Illumination system for a projection exposure apparatus in semiconductor lithography and projection exposure apparatus |
DE102008049556A1 (en) * | 2008-09-30 | 2010-04-01 | Carl Zeiss Smt Ag | Microlithographic projection exposure machine |
EP2203778A2 (en) * | 2007-10-24 | 2010-07-07 | Nikon Corporation | Optical unit, illumination optical apparatus, exposure apparatus, and device manufacturing method |
DE102008054844A1 (en) * | 2008-12-17 | 2010-07-15 | Carl Zeiss Smt Ag | Illumination device of a microlithographic projection exposure apparatus, as well as a microlithographic projection exposure method |
DE102009000099A1 (en) * | 2009-01-09 | 2010-07-22 | Carl Zeiss Smt Ag | Micro mirror array with double bending beam arrangement and electronic actuators |
DE102008050446B4 (en) * | 2008-10-08 | 2011-07-28 | Carl Zeiss SMT GmbH, 73447 | Method and devices for controlling micromirrors |
US8040492B2 (en) | 2007-11-27 | 2011-10-18 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Illumination system of a microlithographic projection exposure apparatus |
US8081295B2 (en) | 2005-03-15 | 2011-12-20 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Projection exposure method and projection exposure system therefor |
US8339575B2 (en) | 2006-03-07 | 2012-12-25 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Off-axis objectives with rotatable optical element |
US8446579B2 (en) | 2008-05-28 | 2013-05-21 | Nikon Corporation | Inspection device and inspecting method for spatial light modulator, illumination optical system, method for adjusting the illumination optical system, exposure apparatus, and device manufacturing method |
US8451427B2 (en) | 2007-09-14 | 2013-05-28 | Nikon Corporation | Illumination optical system, exposure apparatus, optical element and manufacturing method thereof, and device manufacturing method |
US8462317B2 (en) | 2007-10-16 | 2013-06-11 | Nikon Corporation | Illumination optical system, exposure apparatus, and device manufacturing method |
US20130271945A1 (en) | 2004-02-06 | 2013-10-17 | Nikon Corporation | Polarization-modulating element, illumination optical apparatus, exposure apparatus, and exposure method |
US8675177B2 (en) | 2003-04-09 | 2014-03-18 | Nikon Corporation | Exposure method and apparatus, and method for fabricating device with light amount distribution having light larger in first and second pairs of areas |
US8854601B2 (en) | 2005-05-12 | 2014-10-07 | Nikon Corporation | Projection optical system, exposure apparatus, and exposure method |
US9116346B2 (en) | 2007-11-06 | 2015-08-25 | Nikon Corporation | Illumination apparatus, illumination method, exposure apparatus, and device manufacturing method |
US9140992B2 (en) | 2003-10-28 | 2015-09-22 | Nikon Corporation | Illumination optical apparatus and projection exposure apparatus |
US9164209B2 (en) | 2003-11-20 | 2015-10-20 | Nikon Corporation | Illumination optical apparatus, exposure apparatus, and exposure method with optical member with optical rotatory power having different thicknesses to rotate linear polarization direction |
US9250536B2 (en) | 2007-03-30 | 2016-02-02 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and method |
DE102016213025A1 (en) | 2016-07-18 | 2016-09-08 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Control for micromirror arrangements in lithography systems |
DE102017116982A1 (en) * | 2017-07-27 | 2019-01-31 | Osram Gmbh | LIGHTING DEVICE FOR DISPENSING LIGHT |
Families Citing this family (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010537414A (en) * | 2007-08-30 | 2010-12-02 | カール・ツァイス・エスエムティー・アーゲー | Illumination system for illuminating a mask in a microlithographic projection exposure apparatus |
DE102007043958B4 (en) * | 2007-09-14 | 2011-08-25 | Carl Zeiss SMT GmbH, 73447 | Illumination device of a microlithographic projection exposure apparatus |
CN101681125B (en) | 2007-10-16 | 2013-08-21 | 株式会社尼康 | Illumination optical system, exposure apparatus, and device manufacturing method |
JP2010004008A (en) * | 2007-10-31 | 2010-01-07 | Nikon Corp | Optical unit, illumination optical device, exposure apparatus, exposure method and production process of device |
EP2288963B1 (en) | 2008-05-09 | 2013-08-21 | Carl Zeiss SMT GmbH | Fourier optical system, illumination system and microlithography exposure apparatus |
EP2146248B1 (en) * | 2008-07-16 | 2012-08-29 | Carl Zeiss SMT GmbH | Illumination system of a microlithographic projection exposure apparatus |
DE102009010560A1 (en) * | 2009-02-17 | 2010-08-26 | Carl Zeiss Smt Ag | Projection exposure method, projection exposure apparatus, laser radiation source and bandwidth narrowing module for a laser radiation source |
DE102009045217B3 (en) * | 2009-09-30 | 2011-04-07 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Catadioptric projection lens |
JP5611443B2 (en) * | 2010-12-28 | 2014-10-22 | カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー | Illumination system of microlithographic projection exposure apparatus |
CN102540752B (en) * | 2010-12-28 | 2014-02-19 | 上海微电子装备有限公司 | Photoetching illumination system |
DE102012218221A1 (en) | 2012-10-05 | 2014-04-10 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Monitor system for determining orientations of mirror elements and EUV lithography system |
EP2876499B1 (en) * | 2013-11-22 | 2017-05-24 | Carl Zeiss SMT GmbH | Illumination system of a microlithographic projection exposure apparatus |
DE102013223935A1 (en) | 2013-11-22 | 2015-05-28 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Illumination system for EUV exposure lithography |
DE102019210041B4 (en) * | 2019-07-08 | 2021-02-18 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Optical device for a multi-channel opto-mechanical addressing unit |
CN112241070B (en) * | 2019-07-16 | 2022-07-29 | 苏州大学 | Large-breadth optical polarization pattern generation device and generation method |
CN112198768A (en) * | 2020-10-22 | 2021-01-08 | Tcl华星光电技术有限公司 | Exposure machine |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0747772A1 (en) * | 1995-06-06 | 1996-12-11 | Carl Zeiss | Illumination device for a projection microlithography tool |
WO2002027406A2 (en) * | 2000-09-29 | 2002-04-04 | Carl Zeiss | Illumination system particularly for microlithography |
US6428940B1 (en) * | 1998-03-02 | 2002-08-06 | Micronic Laser Systems Ab | Method for pattern generation with improved image quality |
US6469827B1 (en) * | 1998-08-06 | 2002-10-22 | Euv Llc | Diffraction spectral filter for use in extreme-UV lithography condenser |
US20030038225A1 (en) * | 2001-06-01 | 2003-02-27 | Mulder Heine Melle | Lithographic apparatus, device manufacturing method, device manufactured thereby, control system, computer program, and computer program product |
-
2003
- 2003-09-12 DE DE2003143333 patent/DE10343333A1/en not_active Withdrawn
-
2004
- 2004-09-13 CN CNA2004800333004A patent/CN1879062A/en active Pending
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0747772A1 (en) * | 1995-06-06 | 1996-12-11 | Carl Zeiss | Illumination device for a projection microlithography tool |
US6428940B1 (en) * | 1998-03-02 | 2002-08-06 | Micronic Laser Systems Ab | Method for pattern generation with improved image quality |
US6469827B1 (en) * | 1998-08-06 | 2002-10-22 | Euv Llc | Diffraction spectral filter for use in extreme-UV lithography condenser |
WO2002027406A2 (en) * | 2000-09-29 | 2002-04-04 | Carl Zeiss | Illumination system particularly for microlithography |
US20030038225A1 (en) * | 2001-06-01 | 2003-02-27 | Mulder Heine Melle | Lithographic apparatus, device manufacturing method, device manufactured thereby, control system, computer program, and computer program product |
Cited By (83)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9885959B2 (en) | 2003-04-09 | 2018-02-06 | Nikon Corporation | Illumination optical apparatus having deflecting member, lens, polarization member to set polarization in circumference direction, and optical integrator |
US8675177B2 (en) | 2003-04-09 | 2014-03-18 | Nikon Corporation | Exposure method and apparatus, and method for fabricating device with light amount distribution having light larger in first and second pairs of areas |
US9146474B2 (en) | 2003-04-09 | 2015-09-29 | Nikon Corporation | Exposure method and apparatus, and method for fabricating device with light amount distribution having light larger and different linear polarization states in an on-axis area and a plurality of off-axis areas |
US9164393B2 (en) | 2003-04-09 | 2015-10-20 | Nikon Corporation | Exposure method and apparatus, and method for fabricating device with light amount distribution having light larger in four areas |
US9678437B2 (en) | 2003-04-09 | 2017-06-13 | Nikon Corporation | Illumination optical apparatus having distribution changing member to change light amount and polarization member to set polarization in circumference direction |
US9423697B2 (en) | 2003-10-28 | 2016-08-23 | Nikon Corporation | Illumination optical apparatus and projection exposure apparatus |
US9140993B2 (en) | 2003-10-28 | 2015-09-22 | Nikon Corporation | Illumination optical apparatus and projection exposure apparatus |
US9140992B2 (en) | 2003-10-28 | 2015-09-22 | Nikon Corporation | Illumination optical apparatus and projection exposure apparatus |
US9244359B2 (en) | 2003-10-28 | 2016-01-26 | Nikon Corporation | Illumination optical apparatus and projection exposure apparatus |
US9146476B2 (en) | 2003-10-28 | 2015-09-29 | Nikon Corporation | Illumination optical apparatus and projection exposure apparatus |
US9423698B2 (en) | 2003-10-28 | 2016-08-23 | Nikon Corporation | Illumination optical apparatus and projection exposure apparatus |
US9760014B2 (en) | 2003-10-28 | 2017-09-12 | Nikon Corporation | Illumination optical apparatus and projection exposure apparatus |
US9164209B2 (en) | 2003-11-20 | 2015-10-20 | Nikon Corporation | Illumination optical apparatus, exposure apparatus, and exposure method with optical member with optical rotatory power having different thicknesses to rotate linear polarization direction |
US9885872B2 (en) | 2003-11-20 | 2018-02-06 | Nikon Corporation | Illumination optical apparatus, exposure apparatus, and exposure method with optical integrator and polarization member that changes polarization state of light |
US10281632B2 (en) | 2003-11-20 | 2019-05-07 | Nikon Corporation | Illumination optical apparatus, exposure apparatus, and exposure method with optical member with optical rotatory power to rotate linear polarization direction |
US10241417B2 (en) | 2004-02-06 | 2019-03-26 | Nikon Corporation | Polarization-modulating element, illumination optical apparatus, exposure apparatus, and exposure method |
US20130271945A1 (en) | 2004-02-06 | 2013-10-17 | Nikon Corporation | Polarization-modulating element, illumination optical apparatus, exposure apparatus, and exposure method |
US9423694B2 (en) | 2004-02-06 | 2016-08-23 | Nikon Corporation | Polarization-modulating element, illumination optical apparatus, exposure apparatus, and exposure method |
US10007194B2 (en) | 2004-02-06 | 2018-06-26 | Nikon Corporation | Polarization-modulating element, illumination optical apparatus, exposure apparatus, and exposure method |
US9140990B2 (en) | 2004-02-06 | 2015-09-22 | Nikon Corporation | Polarization-modulating element, illumination optical apparatus, exposure apparatus, and exposure method |
US9429848B2 (en) | 2004-02-06 | 2016-08-30 | Nikon Corporation | Polarization-modulating element, illumination optical apparatus, exposure apparatus, and exposure method |
US10234770B2 (en) | 2004-02-06 | 2019-03-19 | Nikon Corporation | Polarization-modulating element, illumination optical apparatus, exposure apparatus, and exposure method |
US8081295B2 (en) | 2005-03-15 | 2011-12-20 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Projection exposure method and projection exposure system therefor |
US9110383B2 (en) | 2005-03-15 | 2015-08-18 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Projection exposure method and projection exposure system therefor |
US8854601B2 (en) | 2005-05-12 | 2014-10-07 | Nikon Corporation | Projection optical system, exposure apparatus, and exposure method |
US9360763B2 (en) | 2005-05-12 | 2016-06-07 | Nikon Corporation | Projection optical system, exposure apparatus, and exposure method |
US9310696B2 (en) | 2005-05-12 | 2016-04-12 | Nikon Corporation | Projection optical system, exposure apparatus, and exposure method |
US9429851B2 (en) | 2005-05-12 | 2016-08-30 | Nikon Corporation | Projection optical system, exposure apparatus, and exposure method |
US9891539B2 (en) | 2005-05-12 | 2018-02-13 | Nikon Corporation | Projection optical system, exposure apparatus, and exposure method |
US8339575B2 (en) | 2006-03-07 | 2012-12-25 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Off-axis objectives with rotatable optical element |
DE102007009867A1 (en) | 2007-02-28 | 2008-09-11 | Carl Zeiss Smt Ag | Imaging device with interchangeable diaphragms and method for this |
WO2008104516A1 (en) | 2007-02-28 | 2008-09-04 | Carl Zeiss Smt Ag | Imaging apparatus with replaceable shutters and method |
EP1975724A1 (en) * | 2007-03-30 | 2008-10-01 | ASML Netherlands BV | Lithographic apparatus and method |
US9250536B2 (en) | 2007-03-30 | 2016-02-02 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and method |
US9778575B2 (en) | 2007-03-30 | 2017-10-03 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and method |
US8937706B2 (en) | 2007-03-30 | 2015-01-20 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and method |
US10222703B2 (en) | 2007-03-30 | 2019-03-05 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and method |
WO2008145568A1 (en) * | 2007-06-01 | 2008-12-04 | Carl Zeiss Smt Ag | Illumination system with at least one acoustooptical mirror |
US8102506B2 (en) | 2007-06-26 | 2012-01-24 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Method and device for controlling a plurality of actuators and an illumination device for lithography |
EP2009501A2 (en) | 2007-06-26 | 2008-12-31 | Carl Zeiss SMT AG | Method and apparatus for controlling a plurality of actuators and imaging device for lithography |
DE102008001909A1 (en) | 2007-07-11 | 2009-01-15 | Carl Zeiss Smt Ag | Projection exposure system, has multipolar lighting adjustment of imaging device and compensation unit is provided for compensation of image defect induced by multipolar lighting adjustment |
US8451427B2 (en) | 2007-09-14 | 2013-05-28 | Nikon Corporation | Illumination optical system, exposure apparatus, optical element and manufacturing method thereof, and device manufacturing method |
US9366970B2 (en) | 2007-09-14 | 2016-06-14 | Nikon Corporation | Illumination optical system, exposure apparatus, optical element and manufacturing method thereof, and device manufacturing method |
US9057963B2 (en) | 2007-09-14 | 2015-06-16 | Nikon Corporation | Illumination optical system, exposure apparatus, optical element and manufacturing method thereof, and device manufacturing method |
CN101681117B (en) * | 2007-10-12 | 2014-05-14 | 株式会社尼康 | Illumination optical apparatus, exposure apparatus, and device manufacturing method |
EP2498132A1 (en) * | 2007-10-12 | 2012-09-12 | Nikon Corporation | Illumination optical apparatus, exposure apparatus, and device manufacturing method |
US9097981B2 (en) | 2007-10-12 | 2015-08-04 | Nikon Corporation | Illumination optical apparatus, exposure apparatus, and device manufacturing method |
US10101666B2 (en) | 2007-10-12 | 2018-10-16 | Nikon Corporation | Illumination optical apparatus, exposure apparatus, and device manufacturing method |
WO2009048170A1 (en) * | 2007-10-12 | 2009-04-16 | Nikon Corporation | Illumination optical apparatus, exposure apparatus, and device manufacturing method |
US8508717B2 (en) | 2007-10-16 | 2013-08-13 | Nikon Corporation | Illumination optical system, exposure apparatus, and device manufacturing method |
US8462317B2 (en) | 2007-10-16 | 2013-06-11 | Nikon Corporation | Illumination optical system, exposure apparatus, and device manufacturing method |
US8379187B2 (en) | 2007-10-24 | 2013-02-19 | Nikon Corporation | Optical unit, illumination optical apparatus, exposure apparatus, and device manufacturing method |
EP2203778A2 (en) * | 2007-10-24 | 2010-07-07 | Nikon Corporation | Optical unit, illumination optical apparatus, exposure apparatus, and device manufacturing method |
US9341954B2 (en) | 2007-10-24 | 2016-05-17 | Nikon Corporation | Optical unit, illumination optical apparatus, exposure apparatus, and device manufacturing method |
US9057877B2 (en) | 2007-10-24 | 2015-06-16 | Nikon Corporation | Optical unit, illumination optical apparatus, exposure apparatus, and device manufacturing method |
US9857599B2 (en) | 2007-10-24 | 2018-01-02 | Nikon Corporation | Optical unit, illumination optical apparatus, exposure apparatus, and device manufacturing method |
EP2203778B1 (en) * | 2007-10-24 | 2016-09-14 | Nikon Corporation | Optical unit, illumination optical apparatus, exposure apparatus, and device manufacturing method |
US9116346B2 (en) | 2007-11-06 | 2015-08-25 | Nikon Corporation | Illumination apparatus, illumination method, exposure apparatus, and device manufacturing method |
US9678332B2 (en) | 2007-11-06 | 2017-06-13 | Nikon Corporation | Illumination apparatus, illumination method, exposure apparatus, and device manufacturing method |
US8040492B2 (en) | 2007-11-27 | 2011-10-18 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Illumination system of a microlithographic projection exposure apparatus |
US9310694B2 (en) | 2007-12-21 | 2016-04-12 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Illumination system for illuminating a mask in a microlithographic exposure apparatus |
US10191382B2 (en) | 2007-12-21 | 2019-01-29 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Illumination system for illuminating a mask in a microlithographic exposure apparatus |
WO2009080231A1 (en) * | 2007-12-21 | 2009-07-02 | Carl Zeiss Smt Ag | Illumination system for illuminating a mask in a microlithographic exposure apparatus |
EP2388649A1 (en) * | 2007-12-21 | 2011-11-23 | Carl Zeiss SMT GmbH | Illumination system for illuminating a mask in a microlithographic exposure apparatus |
US9599904B2 (en) | 2007-12-21 | 2017-03-21 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Illumination system for illuminating a mask in a microlithographic exposure apparatus |
US9977333B2 (en) | 2007-12-21 | 2018-05-22 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Illumination system for illuminating a mask in a microlithographic exposure apparatus |
US8467031B2 (en) | 2007-12-21 | 2013-06-18 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Illumination system for illuminating a mask in a microlithographic exposure apparatus |
DE102008023763A1 (en) * | 2008-05-09 | 2009-11-12 | Carl Zeiss Smt Ag | Illumination system for use in microlithographic-projection illumination system during production of semiconductor component, has Fourier optics system including ratio of overall length to bandwidth less than specific value |
US8446579B2 (en) | 2008-05-28 | 2013-05-21 | Nikon Corporation | Inspection device and inspecting method for spatial light modulator, illumination optical system, method for adjusting the illumination optical system, exposure apparatus, and device manufacturing method |
US8456624B2 (en) | 2008-05-28 | 2013-06-04 | Nikon Corporation | Inspection device and inspecting method for spatial light modulator, illumination optical system, method for adjusting the illumination optical system, exposure apparatus, and device manufacturing method |
DE102008028416A1 (en) * | 2008-06-17 | 2009-12-24 | Carl Zeiss Smt Ag | Illumination system for a projection exposure apparatus in semiconductor lithography and projection exposure apparatus |
DE102008049556A1 (en) * | 2008-09-30 | 2010-04-01 | Carl Zeiss Smt Ag | Microlithographic projection exposure machine |
DE102008049556B4 (en) * | 2008-09-30 | 2011-07-07 | Carl Zeiss SMT GmbH, 73447 | Microlithographic projection exposure machine |
US10061202B2 (en) | 2008-10-08 | 2018-08-28 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Methods and devices for driving micromirrors |
DE102008050446B4 (en) * | 2008-10-08 | 2011-07-28 | Carl Zeiss SMT GmbH, 73447 | Method and devices for controlling micromirrors |
US8345224B2 (en) | 2008-10-08 | 2013-01-01 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Methods and devices for driving micromirrors |
DE102008054844A1 (en) * | 2008-12-17 | 2010-07-15 | Carl Zeiss Smt Ag | Illumination device of a microlithographic projection exposure apparatus, as well as a microlithographic projection exposure method |
DE102008054844B4 (en) * | 2008-12-17 | 2010-09-23 | Carl Zeiss Smt Ag | Illumination device of a microlithographic projection exposure apparatus, as well as a microlithographic projection exposure method |
US8351023B2 (en) | 2008-12-17 | 2013-01-08 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Illumination device of a microlithographic projection exposure apparatus, and microlithographic projection exposure method |
DE102009000099A1 (en) * | 2009-01-09 | 2010-07-22 | Carl Zeiss Smt Ag | Micro mirror array with double bending beam arrangement and electronic actuators |
US9013676B2 (en) | 2009-01-09 | 2015-04-21 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Individual mirror for constructing a faceted mirror, in particular for use in a projection exposure system for microlithography |
DE102016213025A1 (en) | 2016-07-18 | 2016-09-08 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Control for micromirror arrangements in lithography systems |
DE102017116982A1 (en) * | 2017-07-27 | 2019-01-31 | Osram Gmbh | LIGHTING DEVICE FOR DISPENSING LIGHT |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN1879062A (en) | 2006-12-13 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE10343333A1 (en) | Illumination system for microlithography projection exposure system, has mirror arrangement with array of individual mirrors that is controlled individually by changing angular distribution of light incident on mirror arrangement | |
EP1076906B1 (en) | Lighting system, especially for extreme ultraviolet lithography | |
EP0747772B1 (en) | Illumination device for a projection microlithography tool | |
EP0687956B1 (en) | Illumination device | |
DE102013212613B4 (en) | Illumination optics for a metrology system and metrology system with such an illumination optics | |
DE102006036064A1 (en) | Illumination system for a projection exposure apparatus with wavelengths ≦ 193 nm | |
DE102019200193B3 (en) | Optical system for a projection exposure system | |
WO2005083512A2 (en) | Illumination system for a microlithography projection exposure installation | |
DE10053587A1 (en) | Lighting system with variable adjustment of the illumination | |
DE102011113521A1 (en) | Microlithographic extreme UV (EUV) projection exposure apparatus for imaging reflective mask on photosensitive layer, has drive element that is adapted to reflective switching elements to emit projection and heating light rays | |
DE60222786T2 (en) | ZOOMVORRICHTUNG, IN PARTICULAR ZOOMVORRICHTUNG FOR A LIGHTING DEVICE OF A MICROLITHOGRAPHY PROJECTION DEVICE | |
DE102006025025A1 (en) | Illumination system for microlithography projection exposure system, has lens group with zoom systems connected one after other such that entrance light distribution in entrance surface is transferred into withdrawal light distribution | |
DE102010030089A1 (en) | Illumination optics for micro lithography and projection exposure apparatus with such an illumination optics | |
WO2016046088A1 (en) | Illumination optics for projection lithography and hollow waveguide component therefor | |
DE102009045219A1 (en) | Illumination system for microlithography | |
EP1180726A2 (en) | Illumination system for microlithography | |
EP1291720B1 (en) | Zoom system for illumination apparatus | |
DE102005034991A1 (en) | System for radial redistribution of light intensities in an illumination system of a microlithographic projection system has a zoom objective either side of conversion elements | |
WO2011006710A2 (en) | Honeycomb condenser, particularly for a microlithographic projection exposure system | |
WO2004099873A2 (en) | Illumination system for a microlithographic projection illumination installation | |
DE102011086915A1 (en) | Illumination system for microlithographic projection exposure system, has LED for generating illumination radiation in UV range at specific wavelength | |
DE102009011207A1 (en) | Mask illuminating method for microlithographic projection exposure system, involves determining intensity distribution such that lights in Y-direction and X-direction despite of anamorphic effect has same numerical apertures | |
DE102005026632A1 (en) | Illumination system for a microlithographic projector comprises a transmission filter for correcting the light distribution reaching a mask | |
DE102004063848A1 (en) | Lighting for microlithography projection exposure system, includes two dimensional light distribution device with two raster devices for receiving light from primary and secondary sources | |
DE102007024122B4 (en) | Exposure configurator in Maskalignern |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
OM8 | Search report available as to paragraph 43 lit. 1 sentence 1 patent law | ||
8141 | Disposal/no request for examination |