DE10343578A1

DE10343578A1 - Umverdrahtungssubstratstreifen mit mehreren Halbleiterbauteilpositionen

Info

Publication number: DE10343578A1
Application number: DE10343578A
Authority: DE
Inventors: Peter Ossimitz; Gavin Gibson
Original assignee: Infineon Technologies AG
Current assignee: Infineon Technologies AG
Priority date: 2003-09-18
Filing date: 2003-09-18
Publication date: 2005-05-19
Anticipated expiration: 2023-09-19
Also published as: US7154116B2; US20050082667A1; DE10343578B4

Abstract

Die Erfindung betrifft einen Umverdrahtungssubstratstreifen (100) mit mehreren Halbleiterbauteilpositionen (2) und Halbleiterbauteile (3) dieses Umverdrahtungssubstratstreifens (100), die in Zeilen und Spalten auf dem Umverdrahtungssubstratstreifen (100) angeordnet sind. In den Sägespuren zwischen den Halbleiterbauteilpositionen (2) sind wenige Mikrometer große verdeckte Kontaktflecken (14) angeordnet, die über Umverdrahtungsleitungen sowohl mit den Außenkontakten (9) des Produktgehäuses als auch mit Kontaktflächen der Halbleiterchips der Halbleiterbauteile (3) verbunden sind.

Description

Die Erfindung betrifft einen Umverdrahtungssubstratstreifen mit mehreren Halbleiterbauteilpositionen und Halbleiterbauteile des Umverdrahtungssubstratstreifen, die in Zeilen und Spalten auf dem Umverdrahtungssubstratstreifen angeordnet sind.

Für Halbleiterbauteile wird zunehmend eine Minimierung der produzierten Produktgehäusegröße angestrebt. Dazu wird die Anzahl der Außenkontakte auf ein Minimum reduziert und angestrebt, möglichst viele Außenkontakte eines Halbleiterbauteils, die für Testzwecke, Optimierungszwecke und Analysenzwecke bisher vorgesehen sind, zu vermeiden. Mit einer derartigen Reduzierung der Außenkontakte ist der Nachteil verbunden, dass Außenkontakte zu internen Test- und Analysenzwecken nicht mehr extern am Gehäuse bereitgestellt werden. Daraus ergeben sich zwar kleinere Gehäuse, jedoch ergeben sich auch gleichzeitig, nachteilig, signifikante Einschränkungen bei der Analyse und der Testbarkeit derartiger Halbleiterbauteile. Die damit verbundenen Risiken in Bezug auf die Ausbeute funktionsfähiger Halbleiterbauteile aus einem Umverdrahtungssubstratstreifens können nicht durch weiter verbesserte Fertigungsverfahren komprimiert werden.

Außerdem stellt das Testen von Halbleiterbauteilen durch Kontaktieren ihrer verbliebenen Außenkontakte mittels Messspitzen ein weiteres Problem dar, zumal eine Beschädigung bzw. Verformung der Außenkontakte durch Messspitzen nicht ausgeschlossen werden kann. Eine Beschädigung oder Verformung von Außenkontakten, kann bei der Weiterbearbeitung zu Problemen beim Löten führen. Eine Übertragung eines weichen Materials der Außenkontakte auf die gehärteten Messkontakte ist dabei nicht ausgeschlossen und kann darüber hinaus zu Verunreinigungen durch Rückstände führen, was in der Folge massive Testprobleme nach sich zieht.

Aufgabe der Erfindung ist es, einen Umverdrahtungsstreifen mit mehreren Halbleiterbauteilpositionen zu schaffen, mit dem die obigen Probleme überwunden werden können. Dabei soll trotz reduzierter Anzahl von Außenkontakten und reduzierter Gehäusegröße eine Analyse und Testbarkeit interner Signale für die Prozessoptimierung, für die Korrelation zu anderen Gehäuseformen, sowie für die Charakterisierung der Halbleiterbauteile erhalten bleiben. Darüber hinaus sollen Tests ohne Beschädigung oder Verformung von Außenkontakten möglich sein. Schließlich ist es Aufgabe der Erfindung, eine einfache und kostengünstige Lösung zur mechanischen und elektrischen Kontaktierung von Halbleiterbauteilen oder von Halbleitermodulen hochintegrierter Schaltungen für einen "Burn-in"-Test anzugeben.

Gelöst wird diese Aufgabe mit dem Gegenstand der unabhängigen Ansprüche. Vorteilhafte Weiterbildungen der Erfindung ergeben sich aus den abhängigen Ansprüchen.

Erfindungsgemäß wird ein Umverdrahtungssubstratstreifen mit mehrere Halbleiterbauteilpositionen für Halbleiterbauteile geschaffen. Dazu weist der Umverdrahtungssubstratstreifen mehrere in Zeilen und Spalten angeordnete Halbleiterchips in den Halbleiterbauteilpositionen auf, die unter einer gemeinsamen Kunststoffabdeckung auf Bereichen einer Oberseite des Umverdrahtungssubstratstreifens eingebettet sind. Eine oder mehrere derartige Kunststoffabdeckungen sind auf dem Umverdrahtungssubstratstreifen hintereinander und/oder nebeneinander aufgereiht, wobei auf einer der Oberseite gegenüberliegenden Rückseite des Umverdrahtungssubstratstreifens in den Bauteilpositionen Außenkontakte aufweisende Außenkontaktflecken angeordnet sind. Die Außenkontaktflecken sind auf dieser Rückseite des Umverdrahtungssubstratstreifens mit Umverdrahtungsleitungen und/oder mit verdeckten Kontaktflecken, die in Sägespuren zwischen den Bauteilpositionen auf der Rückseite des Umverdrahtungssubstratstreifens angeordnet sind, elektrisch verbunden.

Ein derartiger Umverdrahtungssubstratstreifen hat den Vorteil, dass die Sägespuren genutzt werden können, um die Außenkontakte des Produktgehäuses zu minimieren und gleichzeitig einen vollständigen Test interner Komponenten der integrierten Schaltungen zu ermöglichen. Die verbleibenden Außenkontaktflecken können nun auf die Anzahl der für das Verkaufsprodukt notwendigen Außenkontakte begrenzt oder reduziert werden, und dennoch stehen durch die Umverdrahtungsleitungen und/oder durch die verdeckten Kontaktflecken in den Sägespuren ausreichende Zugriffsmöglichkeiten zur Verfügung, um innere Signaltests und Analysen an jedem der Halbleiterchips vornehmen zu können. Darüber hinaus ist es möglich, über die verdeckten Kontaktflecken ein Testen der Halbleiterbauteilfunktionen durch Aufsetzen von Spitzen auf die Außenkontakte zu vermeiden, da nun dafür die verdeckten Kontaktflecken zur Verfügung stehen, die über Umverdrahtungsleitungen mit Prüfflächen auf dem Umverdrahtungssubstratstreifen verbunden sein können.

Freiliegende Prüfkontaktflächen können auf der Rückseite außerhalb des Bereichs der Kunststoffabdeckungen angeordnet sein, wobei die Prüfkontaktflächen mit Umverdrahtungsleitungen und/oder mit den verdeckten Kontaktflecken in den Sägespuren und/oder mit den Außenkontaktflecken der Halbleiterbauteile und/oder mit Kontaktflecken auf dem Halbleiterchip elektrisch in Verbindung stehen. Diese Ausführungsform der Erfindung benutzt die Tatsache, dass ein Umverdrahtungssubstratstreifen wesentlich mehr Fläche für eine Umverdrahtung aufweisen kann als der Bereich unterhalb der Kunststoffabdeckung. Außerdem können vorteilhaft Prüfkontaktflächen für bisher nicht vorgesehene Messungen und Prüfungen zusätzlich auf dem Umverdrahtungssubstrat vorgesehen werden.

Ein weiterer Vorteil dieser Ausführungsform, bei der Prüfkontaktflächen über Umverdrahtungsleitungen mit den verdeckten Kontaktflecken in den Sägespuren in Verbindung stehen, ist darin zu sehen, dass die verdeckten Kontaktflecken in Mikrometerabmessungen vorliegen können, während die Prüfkontaktflächen außerhalb der Kunststoffabdeckungen keine derart eng begrenzten Flächen aufweisen müssen, so dass relativ großflächige Prüfkontaktflächen ausgewiesen werden können. Dieses erleichtert das Anbringen von Testspitzen zum Testen des Halbleiterbauteils und ermöglicht darüber hinaus, dass keinerlei Testspitzen auf die eigentlichen Außenkontakten des Halbleiterbauteilproduktes bzw. des Produktgehäuses aufzusetzen sind. Damit ist die Gefahr einer Beschädigung oder Verformung von Außenkontakten des Produktgehäuses weitgehend vermindert.

Weiterhin kann der Umverdrahtungssubstratstreifen in einem Randbereich eine Steckkontaktleiste mit Steckkontaktflächen aufweisen. Die Steckkontaktflächen können auf der Rückseite und/oder der Vorderseite des Umverdrahtungssubstratstreifens angeordnet sein. Die Steckkontaktflächen können mit den Prüf kontaktflächen und/oder den verdeckten Kontaktflecken und/oder den Außenkontaktflecken elektrisch in Verbindung stehen. Mit einer derartigen Steckkontaktleiste im Randbereich der Umverdrahtungssubstratstreifen wird das Andocken des Umverdrahtungssubstratstreifens beispielsweise an eine Testanlage mit extremen Temperaturzyklen, wie sie in "Burn-in"-Tests auftreten, erleichtert. Außerdem ist es möglich, auf die Steckkontaktflächen der Steckkontaktleiste auch weitere Prüfleitungen zu legen, die innere Signaltests und Analysen ermöglichen. Gleichzeitig wird es damit erstmalig möglich, auf ein Anbringen der fertigen Halbleiterbauteile auf einem separaten Testsubstrat für den "Burn-in"-Test zu verzichten und gleichzeitig für mehrere Halbleiterbauteile unter einer gemeinsamen Kunststoffabdeckung auf einem Umverdrahtungssubstratstreifen einen "Burn-in"-Test zu ermöglichen.

In einer weiteren bevorzugten Ausführungsform der Erfindung weist der Umverdrahtungssubstratstreifen Kunststoffabdeckungen mit Halbleiterbauteilpositionen auf, wobei zwischen den Halbleiterbauteilpositionen Sägestreifen angeordnet sind, deren Breite größer ist als eine Sägespur und wobei der Sägestreifen freiliegende Prüfkontaktflächen aufweist. Das Vorsehen derartiger Sägestreifen hat den Vorteil, dass anstelle von verdeckten Kontaktflächen im Mikrometerbereich nun freiliegende Prüfkontaktflächen im Bereich von mehreren 10 Mikrometern Seitenkantenlänge vorgesehen werden können. Darüber hinaus kann die Anzahl der freiliegenden Prüfkontaktflächen beliebig erhöht werden, indem die Breite der Sägestreifen weiter vergrößert wird.

Derartige Prüfkontaktflächen können auch Prüfkontakte tragen, was den Zugriff mit Hilfe von Messspitzen wesentlich erleichtert. Das hat darüber hinaus den Vorteil, dass nun keine Au ßenkontakte des Produktgehäuses kontaktiert werden müssen, sofern die Prüfkontakte und ihre Prüfkontaktflächen über entsprechende Umverdrahtungsleitungen mit den Außenkontaktflecken bzw. den Außenkontakten des Produktgehäuses verbunden sind. Eine weitere Möglichkeit besteht darin, dass anstelle von Prüfkontakten auf den Prüfkontaktflächen die Prüfkontaktflächen durch eine Goldbeschichtung veredelt werden. Eine derartige Goldbeschichtung hat den Vorteil, dass die Prüfspitzen beim Aufsetzen auf die Prüfkontaktflächen nicht wie bei Prüfkontakten aus Weichlot verunreinigt werden oder sich Ablagerungen auf den Prüfspitzen bilden, die bei nachfolgenden Tests erhebliche Prüfprobleme verursachen können.

Weiterhin ist es vorgesehen, dass der Umverdrahtungsstreifen in den Halbleiterbauteilpositionen Stapel aus zumindest einem Logikchip und/oder einem Speicherchip aufweist, wobei über die freiliegenden Prüfkontaktflächen und/oder die Prüfkontakte und/oder die Steckkontaktflächen sowohl die Speicherfunktionen von Speicherchips als auch die Logikfunktionen von Logikchips prüfbar sind. Insbesondere bei Speicherchips mit hoher Speicherdichte über mehrere 100 Megabyte bis in den Gigabytebereich hinein ist es von Bedeutung, dass mit dem erfindungsgemäßen Umverdrahtungssubstratstreifen derartige komplexe Stapel aus einem Speicherchip und einem Logikchip im Detail geprüft werden können, noch bevor derartige komplexe Stapel von Halbleiterbauteilstrukturen ausgeliefert werden. Dieses erhöht die Zuverlässigkeit der Halbleiterbauteile und vermindert die Ausschussrate an Halbleiterbauteilen auf einem Umverdrahtungssubstratstreifen gemäß der Erfindung. Derartig umfangreiche Tests sind über zusätzliche Prüfflächen, die bisher nicht vorgesehen werden konnten, durch das erfindungsgemäße Umverdrahtungssubstrat möglich.

Die Erfindung bezieht sich auch auf ein Halbleiterbauteil, das durch Auftrennen des erfindungsgemäßen Umverdrahtungssubstratstreifens gebildet ist. Ein derartiges Halbleiterbauteil unterscheidet sich von herkömmlichen Halbleiterbauteilen dadurch, dass auf seinen Randseiten durchtrennte Umverdrahtungsleitungen auftreten. Um korrosive Angriffe der durchtrennten Umverdrahtungsleitungen an den Randseiten zu vermeiden, können die Randseiten in einer bevorzugten Ausführungsform der Halbleiterbauteile eine isolierende Kunststoffbeschichtung aufweisen. Dazu reicht es, dünne Lackschichten auf den Randseiten aufzubringen.

Ein Verfahren zur Herstellung eines Umverdrahtungssubstratstreifens mit mehreren Kunststoffabdeckungen auf seiner Oberseite, die in Zeilen und Spalten angeordnete Halbleiterbauteilpositionen mit Halbleiterchips aufweisen, hat folgende Verfahrensschritte. Zunächst wird ein Substratstreifen bereitgestellt. Ein derartiger Substratstreifen kann aus einer einseitig oder beidseitig metallisierten Kunstharzfolie oder Platte in Streifenform bestehen. Während die Oberseite des Substratstreifens für Halbleiterchips in Halbleiterbauteilpositionen vorgesehen ist, wird auf der Rückseite des Substratstreifens eine Umverdrahtungsstruktur mit Außenkontaktflecken in den Halbleiterbauteilpositionen aufgebracht. Darüber hinaus werden im Bereich von Sägespuren verdeckte Kontaktflecken und/oder Umverdrahtungsleitungen zwischen den Bauteilpositionen angeordnet.

Sowohl in den Randbereichen des Substratstreifens als auch zwischen den Kunststoffabdeckungen, die auf der Oberseite für mehrere Bauteilpositionen vorgesehen sind, verbleiben auf dem Substratstreifen Flächen, die insbesondere auf der Rückseite des Umverdrahtungssubstratstreifens Prüfkontaktflächen und/oder den Steckkontaktflächen außerhalb der Bereiche der vorgesehenen Kunststoffabdeckungen aufweisen. Darüber hinaus werden auf der Rückseite des Umverdrahtungssubstratstreifens Umverdrahtungsleitungen zwischen den Außenkontaktflecken, den verdeckten Kontaktflecken, den Prüfkontaktflächen und/oder Steckkontaktflächen vorgesehen.

Nachdem eine derartige Umverdrahtungsstruktur auf der Rückseite des Umverdrahtungssubstratstreifens fertiggestellt ist, werden Halbleiterchips auf die Oberseite des Umverdrahtungssubstratstreifens in den Halbleiterbauteilpositionen aufgebracht. Dabei werden Verbindungen zwischen den Halbleiterchips auf der Oberseite und der Umverdrahtungsstruktur auf der Rückseite hergestellt. Anschließend werden auf die Halbleiterchips die vorgesehenen Kunststoffabdeckungen aufgebracht. Schließlich können noch Außenkontakte in den Halbleiterbauteilpositionen auf die Außenkontaktflecken der Umverdrahtungsstruktur auf der Rückseite des Umverdrahtungssubstratstreifens aufgebracht werden.

Anschließend erfolgt das Durchführen von Funktionstests der in den Kunststoffabdeckungen eingebetteten Halbleiterchips unter Kontaktieren der Prüfkontaktflächen und/oder der Steckkontaktflächen. Nach den Funktionstests werden defekte Halbleiterbauteile auf dem Umverdrahtungssubstratstreifen identifiziert.

Dieses Verfahren hat den Vorteil, dass aufgrund der zusätzlichen Prüfkontaktflächen und/oder Steckkontaktflächen auf der Rückseite des Umverdrahtungssubstratstreifens die Durchführung von Funktionstests der eingebetteten Halbleiterchips vollständig möglich ist, ohne jedoch die Außenkontakte auf dem Umverdrahtungssubstratstreifen kontaktieren zu müssen.

Darüber hinaus hat dieses Verfahren den Vorteil, dass auch die interne Signalverarbeitung in den unter der Kunststoffabdeckung angeordneten Halbleiterchips geprüft werden kann, ohne dass zusätzliche Außenkontakte für das Produktgehäuse erforderlich werden.

Mit diesem Verfahren lassen sich folglich Bauteile herstellen, die verkleinerte Gehäuse aufweisen bei gleichzeitiger Reduzierung der Anzahl der Außenkontakte, und die dennoch einem vollständigen Funktionstest auch für die interne Signalverarbeitung unterzogen werden können. Durch das Anordnen von Steckkontaktflächen lässt sich darüber hinaus ein "Burn-In"-Zyklus fahren und die Halbleiterbauteile können noch vor dem Auftrennen der Kunststoffabdeckungen in Einzelhalbleiterbauteile unter extremer Temperaturzyklusbelastung getestet werden.

Diese drei Vorteile, nämlich der Schonung der Außenkontakte des Produktgehäuses, der Test- und Analysemöglichkeit von inneren Signalverläufen sämtlicher Halbleiterchips und der Prüfung jeder Kunststoffabdeckung mit mehreren Halbleiterbauteilen innerhalb der Kunststoffabdeckung unter extremen Temperaturschwankungen werden bei diesem den erfindungsgemäßen Verfahren mit Hilfe des erfindungsgemäßen Umverdrahtungssubstratstreifens möglich.

Anstelle von Sägespuren, die nur eine begrenzte Anzahl von verdeckten Kontaktflächen zulassen, die noch dazu Abmessungen im Mikrometerbereich aufweisen, können in einem weiteren Verfahren Sägestreifen vorgesehen werden, auf denen Prüfflächen und/oder Prüfkontakte angeordnet werden, die über Umverdrahtungsleitungen teilweise mit den Außenkontaktflecken verbunden sind. Diese Sägestreifen werden beim Vereinzeln der Halb- leiterbauteile herausgesägt, so dass das Produktgehäuse klein bleibt, da die Prüfkontakte von dem sogenannten Debug-Gehäuse mit dem Sägestreifen entfernt werden.

Als Prüfkontakte werden vorzugsweise Lotbälle auf die Prüfkontaktflächen aufgelötet. Auch diese Lotbälle sind nach Entfernen der Sägestreifen nicht mehr Bestandteil des Produktgehäuses, so dass das Produktgehäuse entsprechend klein ausgebildet werden kann. Diese Lotbälle dienen der Funktionsprüfung der verpackten Halbleiterchips und sind nicht als Außenkontakte des Produktgehäuses vorgesehen.

Weiterhin können die Prüfkontaktflächen und/oder die Steckkontaktflächen und/oder die Außenkontaktflecken der Umverdrahtungsstruktur mit einer Goldlegierung selektiv beschichtet werden. Eine derartige Beschichtung hat den Vorteil, dass sie gleichzeitig für alle frei zugänglichen Kontaktflächen aufgebracht werden kann. Darüber hinaus hat die Beschichtung den Vorteil, dass bei den einzelnen Funktionstests auf den entsprechenden Prüfspitzen keine Rückstände des Metalls verbleiben.

Zur Herstellung von Halbleiterbauteilen wird, basierend auf dem erfindungsgemäßen Umverdrahtungssubstratstreifen, nach erfolgtem Funktionstest ein Auftrennen in einzelne Halbleiterbauteile unter Aussortieren der markierten defekten Bauteilpositionen durchgeführt. Dabei entstehen Bauteile, die auf ihren Randseiten durchtrennte Umverdrahtungsleitungen aufweisen, welche durch Aufbringen einer Kunststoffgehäuseschicht auf die Randseiten geschützt werden können.

Zusammenfassend ergeben sich nachfolgende Vorteile:

1. Durch den erfindungsgemäßen Umverdrahtungssubstratstreifen ist es möglich, eine optimierte Anpassung der Verdrahtung für die unterschiedlichsten Testanforderungen bereits auf dem Substrat umzusetzen. Dabei kann die Kontakteinheit bzw. die Steckkontaktleiste für Funktionstests und Analysen eine einheitliche Schnittstelle bilden. Die Schnittstelle kann gehäuseunabhängig im Bezug auf die Verfügbarkeit und Position der Außenkontakte konstruiert sein.
2. Schließlich können Außenkontaktbeschädigungen durch den erfindungsgemäßen Umverdrahtungssubstratstreifen verhindert werden. Außerdem ist eine Kontaktierung von Prüfkontaktflächen auch ohne aufgebrachte Prüfkontakte realisierbar. Ferner kann eine Zusammenfassung von bestimmten Signal- und Versorgungsleitungen zu den Prüfkontaktflächen oder Steckkontaktflächen bereits in dem Umverdrahtungssubstratstreifen realisiert werden.
3. Durch das Sägen des Umverdrahtungssubstratstreifens in einzelne Gehäuse werden dann die zusätzlichen Kontaktierungsmöglichkeiten, wie verdeckte Kontaktflächen, Prüfkontaktflächen und/oder Steckkontaktflächen entfernt und haben somit auf die Anwendung in der Applikation keinen Einfluss. Es wird diese zusätzliche Funktionalität des erfindungsgemäßen Umverdrahtungssubstratstreifens lediglich durch ein geändertes Layout erreicht, ohne zusätzliche Fertigungskosten zu verursachen.
4. Die mit den Prüfkontakten bzw. den Steckkontaktflächen erreichte elektrische Schnittstelle ist auch besonders geeignet für einen "Burn-in"-Test mehrerer Halbleiterbauteile unter einer Kunststoffabdeckung gleichzeitig. Zum Anbringen der zusätzlichen Testkontaktflächen bzw. Prüfkontaktflächen und der zusätzlichen Umverdrahtungsleitungen auf dem Umverdrahtungssubstratstreifen wird die Fläche zwischen den späteren Gehäusen der Halbleiterbauteile genutzt, die üblicherweise durch Sägespuren zur Verfügung stehen.
5. Insbesondere wird bei einer Implementierung von DRAMS in einem entsprechenden Gehäuse ein zeitintensiver Speichertest mit Hilfe der Erfindung erleichtert. Zur optimierten Durchführung dieses Tests wird eine Lösung mit Hilfe eines Abtasttestes in Form des BIST-Test es (boundary scan test) vorgesehen. Die geringe Anzahl von notwendigen Prüfkontakten für diesen Test wird durch den Einsatz eines JTAG-IF als Testschnittstelle ermöglicht, und die Testkosten werden durch eine maximierte Parallelität reduziert.
6. Für umfangreichere Tests, die gegebenenfalls den elektrischen Kontakt mit weiteren, nicht im Sägerahmen verdrahtbaren Prüfflächen benötigen, wird eine zweite Testflächeneinbringung mit weniger parallel getesteten Bausteinen eingeführt. In diesen Tests werden dann Prüfkontakte in Form von Lotbällen anstelle der Prüfkontaktflächen zwischen Bauteilpositionen genutzt. Je nach detaillierter Partitionierung der Tests ist auch die Kombination beider Kontaktierungsmethoden auf der einen Seite mit Hilfe von Lotbällen und auf der anderen Seite mit Hilfe von Prüfkontaktflächen mit Hilfe des erfindungsgemäßen Umverdrahtungssubstratstreifens möglich.

Bei dem Anbringen zusätzlicher Prüfkontakte auf den Prüfkontaktflächen werden alle Gehäuse, die sich unter einer Mold-Kappe bzw. einer Kunststoffabdeckung befinden, mit zusätzlichen Lötkontaktreihen versehen. Diese Lötkontakte werden als erweiterte externe Schnittstelle für die Funktionsprüfung der Halbleiterbauteile genutzt. Eine Analyse und Charakterisie rung und ein Test der Halbleiterchips kann somit im vollen Umfang trotz flächenreduziertem Produktgehäuse und verminderter Anzahl von Außenkontakten realisiert werden. Die für die Tests zusätzlich angebrachten Lotballreihen als Prüfkontakte können nach den Funktionstests entfernt werden. Durch die Anordnung der zusätzlich Lotballreihen an nur einer oder an zwei der Ränder der Halbleiterbauteilpositionen kann der Sägeprozess optimiert werden. Somit gibt es für das Anbringen der Prüfkontakte unterschiedliche vorteilhafte Lösungsansätze im Rahmen dieser Erfindung.

Lösungsansatz

a) alle Gehäuse werden mit den zusätzlichen Lotbällen versehen. Je nach gewählter Sägelinie oder Sägespur werden aus den Umverdrahtungssubstratstreifen Produktions- oder auch Debug-Gehäuse geschnitten. Das Debug-Gehäuse umfasst zusätzlich zu dem Produktgehäuse Prüfkontaktflächen und/oder zusätzliche Prüfkontakte, die in Sägestreifenbereichen der Kunststoffabdeckungen vorgesehen sind. Das Debug-Gehäuse kann schließlich in einem weiteren Fertigungsschritt zu einem Produktgehäuse durch Abtrennungen der Prüfkontaktflächen bzw. der Prüfkontakte zurechtgeschnitten werden.
b) Zur Minimierung des Flächenverlustes unter der Mold-Kappe bzw. der Kunststoffabdeckung lässt sich die Anzahl der Halbleiterreihen mit einem Debug-Package reduzieren.
c) Ferner ist der Aufbau von einem reinen Produktgehäuse neben dem Debug-Package auf einem Umverdrahtungssubstratstreifen realisierbar. Dabei ist ein Teil der Gehäuse nur für den Produktionstest, nicht jedoch zur Analyse und Charakterisierung geeignet.
d) Ebenso ist eine Variation des Umverdrahtungssubstratstreifens mit oder ohne Debug-Package als ein Optimierungsschritt durchführbar.

Zum Beschneiden werden die Debug-Gehäuse wie beim Sägen der Wafer und beim Sägen des Umverdrahtungssubstratstreifens auf eine zusätzliche Folie aufgebracht. Zur Abstützung der schmalen Ränder werden bei Bedarf seitlich zusätzliche Gehäuse oder Dummy-Module auf den Sägerahmen geklebt. Die Einführung dieses zusätzlichen Produktionsschrittes muss gegebenenfalls in Musterreihen erprobt werden.

Mit dem erfindungsgemäßen Umverdrahtungssubstratstreifen ist es möglich, die Variation der Gehäuseform durch den Einsatz unterschiedlicher Sägelinien bei der Singulierung durchzuführen. Somit werden mit einem Umverdrahtungssubstratstreifen unterschiedliche Gehäuse realisierbar. Außerdem ist mit dem erfindungsgemäßen Umverdrahtungssubstratstreifen eine umfangreiche elektrische Bewertung der gehäuseinternen Signale möglich.

Ein weiterer Vorteil des erfindungsgemäßen Umverdrahtungssubstratstreifens bzw. des Verfahrens zur Herstellung von Bauteilen mit Hilfe dieses Substratstreifens liegt darin, dass noch vor dem Sägen direkt auf dem Umverdrahtungssubstratstreifen über die vorgesehenen Kontaktleisten der sogenannte "Burn-in"-Test kontaktiert werden kann. Dazu werden die benötigten Anschlüsse des Bauelementes auf die Kontaktleiste geführt. Die Anzahl der notwendigen Verbindungen für die einzelne integrierte Schaltung kann durch geeignete Maß nahmen minimiert werden. Dadurch wird eine flächenoptimierte Nutzung der verfügbaren Verdrahtungsfläche des Substratstreifens möglich. Auch wird mit Hilfe der Steckkontaktleiste die Rückverfolgung der Bauelemente, insbesondere der nicht funktionierenden Bauelemente, vereinfacht.

Somit wird der Umverdrahtungssubstratstreifen als eine mechanische und elektrische Einheit für den "Burn-in" genutzt. Die Verdrahtung zwischen Halbleiterbauteil und Steckkontaktleiste erfolgt zwischen den finalen Gehäusesubstraten. Der Einsatz der günstigsten Steckkontaktleiste als Kontaktierungseinheit zum parallelen "Burn-in" und Test wird damit möglich. Dies ermöglicht den Einsatz einer Standardschnittstelle und somit ein einheitliches "Burn-in-Board" für verschiedene Bauelemente.

Die Erfindung wird nun anhand der beigefügten Zeichnungen näher erläutert.
1 zeigt eine Prinzipskizze einer ersten Ausführungsform der Erfindung,
2 zeigt eine Prinzipskizze einer zweiten Ausführungsform der Erfindung,
3 zeigt eine Prinzipskizze einer dritten Ausführungsform der Erfindung,
4 zeigt eine Prinzipskizze einer vierten Ausführungsform der Erfindung.
1 zeigt eine Prinzipskizze einer ersten Ausführungsform der Erfindung. Von einem Umverdrahtungssubstratstreifen 100 ist in der 1 die Rückseite eines Teils des Substratstreifens zu sehen. Die Umrisse von zwei hintereinander angeordneten Kunststoffabdeckungen 5 sind mit gestrichelten Linien gezeigt, da die Kunststoffabdeckungen für mehrere Bauteilpositionen auf der Oberseite gegenüber der hier abgebildeten Rückseite 6 des Umverdrahtungssubstratstreifens 100 angeordnet sind.
In jedem Bereich einer Kunststoffabdeckung 5 sind bei dieser Ausführungsform der Erfindung neun Gehäuse (3 × 3) für neun Halbleiterbauteile 3 unter einer Mold-Kappe bzw. Kunststoffabdeckung 5 von 43 × 43 mm² vorgesehen. Die Halbleiterbauteilpositionen 2 sind in dieser Matrix jeweils in Zeilen und Spalten angeordnet. Um den Umverdrahtungssubstratstreifen 100 in einzelne Halbleiterbauteile 3 zu verteilen, sind acht Sägespuren 12 vorgesehen. In den Bereichen 8 der Sägespuren 12 sind verdeckte wenige Mikrometer kleine Kontaktflecken 14 angeordnet. Diese werden mit der nach rechts in 1 herausgezogenen Vergrößerung sichtbar.
Während innerhalb einer Halbleiterbauteilposition 2 eine Matrix von Außenkontaktflecken 10 mit darauf angeordneten Außenkontakten 9 in Form von Lotbällen 28 angeordnet ist, sind in einer Sägespur 12 eine dichtgedrängte Anzahl von wenige Mikrometer großen vergrabenen oder verdeckten Kontaktflecken 14 vorhanden, die teilweise über Umverdrahtungsleitungen 11 mit den Außenkontakten 9 verbunden sind und teilweise mit hier nicht gezeigten inneren Kontaktflächen des auf der Oberseite angeordneten Halbleiterchips 4 verbunden sind. Zu der Oberseite des Umverdrahtungssubstratstreifens 100 sind von der Rückseite 6 aus entsprechend nicht gezeigte Durchkontakte vorgesehen, so dass über die hohe Anzahl an wenige Mikrometer großen verdeckten Kontaktflecken 14 ein Zugriff zu den Sig nalleitungen der einzelnen Halbleiterchips in den Halbleiterbauteilpositionen 2 besteht.
Es können auch in der Sägespur 12 mehrere Außenkontaktflecken 10 mittels Umverdrahtungsleitungen 11 zusammengeführt werden, wenn die entsprechenden Außenkontakte 9 ein gemeinsames Potential aufweisen. Von den wenige Mikrometer großen verdeckten Kontaktflecken 14 gehen Umverdrahtungsleitungen 11 nicht nur zu den Außenkontaktflecken 10 unter dem Halbleiterchip aus, sondern auch zu Prüfkontaktflächen 13, die außerhalb der gestrichelten Linien gezeigten Mold-Kappe bzw. Kunststoffabdeckung 5 für mehrere Halbleiterbauteile 3 angeordnet sind. Diese Prüfkontaktflächen 13 können rund um eine derartige Kunststoffabdeckung 5 angeordnet sein und weisen eine Größe auf, die ohne Probleme mit entsprechenden Prüfspitzen kontaktiert werden können. Demnach ist es nicht notwenig, die Außenkontakte 9 in Form von Lotbällen mit Prüfspitzen für einen Test zu kontaktieren, sondern es können vielmehr die in den Außenbereichen angeordneten Prüfkontaktflächen ohne Beschädigung der Außenkontakte 9 des Halbleiterbauteils 2 kontaktiert werden. Zusätzlich können über die Prüfkontaktflächen 13 neben den Außenkontakten 9 der Halbleiterbauteile 3 weitere interne Signalleitungen der Halbleiterchips geprüft und getestet werden.
Neben den Prüfkontaktflächen 13, die außerhalb der Kunststoffabdeckungen 5 angeordnet sind, weist der Substratstreifen 23 in einem Randbereich 15 Steckkontaktleisten 16 mit Steckkontaktflächen 17 auf. Auf diese Steckkontaktflächen 17 können Testschaltkreise bzw. Testverbindungen zum Komponenten der Halbleiterchips über Umverdrahtungsleitungen verbunden sein, die bei Temperaturzyklen mit extremen Temperaturen, wie sie beim "Burn-in"-Test angewandt werden, zu untersuchen sind. Mit dieser Steckkontaktleiste 16 können gleichzeitig alle neun Halbleiterbauteile 3 einer Kunststoffabdeckung 5 noch vor Auseinandersägen direkt auf dem erfindungsgemäßen Umverdrahtungssubstratstreifen 100 in einem Burn-in-Ofen getestet werden.
Beim Auftrennen der Halbleiterbauteilpositionen 2 in einzelne Halbleiterbauteile 3 werden an den Randseiten 22 der Halbleiterbauteile 3 durch die Sägespuren 12 Umverdrahtungsleitungen 11 durchtrennt, die anschließend durch eine Lackschicht geschützt werden.
2 zeigt eine Prinzipskizze einer zweiten Ausführungsform der Erfindung. Komponenten mit gleichen Funktionen, wie in 1 werden mit gleichen Bezugszeichen gekennzeichnet und nicht extra erörtert. Auch in 2 wird die Rückseite 6 eines Umverdrahtungssubstratstreifens 200 gezeigt und mit gestrichelten Linien werden zwei Bereiche 26 von Kunststoffabdeckungen 5, die auf der gegenüberliegenden Oberseite des Umverdrahtungssubstratstreifens 200 angeordnet sind, gezeigt. Während in der Längsrichtung des Umverdrahtungssubstratstreifens 200 Sägespuren 12 wie in 1 vorgesehen sind, die nur einen schmalen Bereich 8 pro Sägespur 12 aufweisen, sind in der Querrichtung zum Umverdrahtungssubstratstreifen Sägestreifen 18 vorgesehen, die jeweils von zwei Sägespuren 12 begrenzt werden.
In dem breiteren Bereich der Sägestreifen 18 können nun nicht nur verdeckte, wenige Mikrometer große Kontaktflecken vorgesehen werden, sondern auch großflächige Prüfkontaktflächen 19 mit entsprechenden Prüfkontakten in Form von Lotbällen 28 angeordnet sein. In dieser zweiten Ausführungsform der Erfindung, gemäß 2 ist jeweils eine zusätzliche Reihe von Prüfkontakten 19 für jedes der Halbleiterbauteile 3 vorgesehen, die entscheidende Funktionstests ermöglichen. Somit können mit dieser Ausführungsform der Erfindung neben den in 1 gezeigten Prüfkontaktflächen und den auch hier angedeuteten Steckkontaktleisten 16, zusätzlich über die Prüfkontakte 19 eine differenzierte Prüfung und Testung der Halbleiterbauteile 3 einer Kunststoffabdeckung 5 vor ihrem Auftrennen in einzelne Halbleiterbauteile 3 getestet werden.
3 zeigt eine Prinzipskizze einer dritten Ausführungsform der Erfindung. Komponenten mit gleichen Funktionen wie in den vorherigen Figuren werden mit gleichen Bezugszeichen gekennzeichnet und nicht extra erörtert. Der Umverdrahtungssubstratstreifen 300 der dritten Ausführungsform der Erfindung gemäß 3 unterscheidet sich von der zweiten Ausführungsform gemäß 2 dadurch, dass in Querrichtung lediglich Sägespuren 12 vorgesehen sind, während in Längsrichtung nun Sägestreifen 18 mit einer Breite b angeordnet werden. Diese Sägestreifen 18 sind jeweils von zwei Sägespuren 12 begrenzt und nehmen bis zu vier Reihen von Prüfkontakten 19 auf. Damit wird erreicht, dass jede Halbleiterbauteilposition 2 mit einer doppelter Anzahl von Prüfkontakten 19 gegenüber der zweiten Ausführungsform gemäß 2 ausgestattet ist.
Auch hier können zusätzlich verdeckte, wenige Mikrometer große Kontaktflecken vorgesehen sein, die mit hier nicht gezeigten Prüfkontaktflächen außerhalb des mit gestrichelter Linie angedeuteten Bereichs 26 einer Kunststoffabdeckung 5 zusammenwirken. Auch bei diesem Umverdrahtungssubstratstreifen 300 ist eine Steckkontaktleiste 16 für jede Kunststoffabdeckung 5 mit zwölf Halbleiterbauteilen 3 vorgesehen. Neben der hier gezeigten Implementierung von jeweils zwei zusätzlichen Prüfkontaktreihen zu den Außenkontakten 9 des Produktgehäuses sind prinzipiell hier nicht gezeigte drei zusätzliche Lotballreihen an entsprechenden X- und Y-Kanten des finalen Halbleiterbauteils 3 möglich. Das Produktzielgehäuse hat eine Größe von 10 × 12 mm² und es können somit zwölf Gehäuse unter einer Kunststoffabdeckung 5 von 43 × 43 mm gefertigt werden.
In der Praxis bietet sich jedoch eher die Integration von je nur einer zusätzlichen Lotballreihe parallel zu den beiden gegenüberliegenden Lotballreihen des Produktgehäuses an, wie es in der 2. Ausführungsform gemäß 2 vorgesehen ist. Damit können, wie hier gezeigt, für jedes der Halbleiterbauteile 3, 2 × 23 Lotbälle zusätzlich vorgesehen werden. Das bedeutet, dass die derzeit zu testenden 42 internen Signale extern an den Lotbällen im sogenannten Debug-Gehäuse kontaktiert werden können.
Andererseits ist es vorgesehen, das Produktgehäuse auf 10 × 10 mm zu verkleinern, so dass damit bereits 4 × 4 = 16 Gehäuse und damit auch sechzehn Bauteilpositionen 2 unter einer Kunststoffabdeckung 5 realisierbar werden. Zur Integration eines Debug-Gehäuses werden nur 3 × 4 = 12 Gehäuse in der dritten Ausführungsform aufgebaut, wie es in 3 zu sehen ist, die zusätzlichen 10 mm werden zur Implementierung der benötigten Prüfkontakte 19 in Form von Lotbällen beidseitig entlang Lotball an jeder Achse verwendet. Damit werden alle internen zu testenden Signale extern verfügbar. Die Anzahl der verfügbaren Gehäuse reduziert sich mit einem wie in 3 gezeigten Umverdrahtungssubstratstreifendesign um 25 %, nämlich statt 16 Gehäusen auf noch 12 Gehäuse. Bei stabiler Fertigung ist mit dem Verzicht auf die Debug-Anschlüsse eine Umstellung von dem 3 × 4 auf das optimale 4 × 4 Design eines Umverdrahtungssubstratstreifens möglich. Für die in 2 und 3 dargestellten Ausführungsformen der Erfindung ist das zusätzliche Sägen zur Reduktion eines Debug-Packages zu einem Produktgehäuse möglich. Auch bietet sich das Debug-Gehäuse direkt als weitere Package-Variante für Applikationen mit externer Speicherschnittstelle an.
4 zeigt eine Prinzipskizze einer vierten Ausführungsform der Erfindung. Komponenten mit gleichen Funktionen, wie in den vorhergehenden Figuren werden mit gleichen Bezugszeichen gekennzeichnet und nicht extra erörtert. Die Ausführungsform des Umverdrahtungsstreifens 400 der 4 entspricht mit ihrer Anordnung der Sägespuren 12 und der Sägestreifen 18 der zweiten Ausführungsform der Erfindung. Jedoch sind anstelle von Prüfkontakten in Form von Lotbällen, bei dieser Ausführungsform der Erfindung im Bereich der Sägestreifen Prüfkontaktflächen 13 vorgesehen, wie es die nach rechts herausgezogene Vergrößerung einer Halbleiterbauteilposition 2 zeigt. Somit ist jeweils eine Reihe von Prüfkontaktflächen 13 zu beiden Seiten eines jeden Halbleiterbauteils 3 angeordnet. Mit Hilfe dieser Prüfkontakte 13 zwischen den Halbleiterbauteilpositionen 2 ist es möglich, diese Prüfkontaktflächen 13 zum Testen von Funktionseigenschaften der Halbleiterchips in den jeweiligen Halbleiterbauteilpositionen 2 durchzuführen.
Durch eine Goldschicht aus einer Goldlegierung auf den Prüfkontaktflächen 13 können darüber hinaus die Prüfspitzen vor Rückständen bewahrt werden, so dass eine zuverlässige Testung möglich ist. Darüber hinaus werden durch eine Goldbeschichtung aufgrund des geringen Kontaktwiderstandes die Testergebnisse zuverlässiger, als bei Prüfkontakten aus Lotbällen, bei denen die Prüfspitzen oftmals noch Oxidschichten durchstoßen müssen, bevor ein eindeutiges Testergebnis erzielt werden kann.

100, 200, 300, 400: Umverdrahtungssubstratstreifen
2: Halbleiterbauteilposition
3: Halbleiterbauteil
4: Halbleiterchip
5: Kunststoffabdeckung
6: Rückseite des Umverdrahtungssubstratstreifens
8: Bereich der Sägespuren
9: Außenkontakte
10: Außenkontaktflecken
11: Umverdrahtungsleitungen
12: Sägespuren
13: Prüfkontaktflächen
14: verdeckte Kontaktflecken
15: Randbereich des Umverdrahtungssubstratstreifens
16: Steckkontaktleiste
17: Steckkontaktflächen
18: Sägestreifen
19: Prüfkontakte
22: Randseiten des Halbleiterbauteils
23: Substratstreifen
24: Umverdrahtungsstruktur
26: Bereich der Kunststoffabdeckung
28: Lotpelle
b: Breite des Sägestreifens

Claims

Umverdrahtungssubstratstreifen mit mehreren Halbleiterbauteilpositionen (2) für Halbleiterbauteile (3), wobei mehrere in Zeilen und Spalten angeordnete Halbleiterchips (4) in eine gemeinsame Kunststoffabdeckung (5) auf Bereichen einer Oberseite des Umverdrahtungssubstratstreifens (100) eingebettet und eine oder mehrere Kunststoffabdeckungen (5) auf dem Umverdrahtungssubstratstreifen (1) hintereinander und/oder nebeneinander aufgereiht sind, wobei auf einer der Oberseite gegenüberliegenden Rückseite (6) des Umverdrahtungssubstratstreifens (100) in den Halbleiterbauteilpositionen (2) Außenkontakte (9) aufweisende Außenkontaktflecken (10) angeordnet sind und wobei die Außenkontaktflecken (10) mit Umverdrahtungsleitungen (11) und/oder mit verdeckten Kontaktflecken (14), die in Sägespuren (12) zwischen den Halbleiterbauteilpositionen (2) auf der Rückseite (6) angeordnet sind, elektrisch in Verbindung stehen.
Umverdrahtungssubstratstreifen nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass der Umverdrahtungssubstratstreifen (100) auf seiner Rückseite (6) außerhalb des Bereichs (26) der Kunststoffabdeckungen (5) Bereiche mit freiliegenden Prüfkontaktflächen (13) aufweist, wobei die Prüfkontaktflächen (13) mit Umverdrahtungsleitungen (11) und/oder mit den verdeckten Kontaktflecken (14) in den Sägespuren (12) und/oder mit den Außenkontaktflecken (10) der Halbleiterbauteile (3) und/oder mit Kontaktflecken auf den Halbleiterchips (4) elektrisch in Verbindung stehen.
Umverdrahtungssubstratstreifen nach Anspruch 1 oder Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, dass der Umverdrahtungssubstratstreifen (100) in einem Randbereich (15) eine Steckkontaktleiste (16) mit Steckkontaktflächen (17) aufweist, wobei die Steckkontaktflächen (17) mit den Prüfkontaktflächen (13) und/oder den verdeckten Kontaktflecken (14) und/oder den Außenkontaktflecken (10) elektrisch in Verbindung stehen.
Umverdrahtungssubstratstreifen nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, dass die Steckkontaktleiste (16) auf der Rückseite (6) und/oder der Vorderseite des Umverdrahtungssubstratstreifens (1) für einen Temperaturzyklentest bzw. "burn-in" Test vorgesehen ist.
Umverdrahtungssubstratstreifen nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass der Umverdrahtungssubstratstreifen (200, 300, 400) Kunststoffabdeckungen (5) mit Halbleiterbauteilpositionen (2) aufweist, wobei zwischen den Halbleiterbauteilpositionen (2) Sägestreifen (18) angeordnet sind, deren Breite (6) größer ist als eine Sägespur (12), und wobei der Sägestreifen (18) freiliegende Prüfkontaktflächen (13) aufweist.
Umverdrahtungssubstratstreifen nach einem der Ansprüche 2 bis 5, dadurch gekennzeichnet, dass die Prüfkontaktflächen (13) Prüfkontakte (19) tragen.
Umverdrahtungssubstratstreifen nach einem der Ansprüche 2 bis 5, dadurch gekennzeichnet, dass die Prüfkontaktflächen (13) einer Goldbeschichtung aufweisen.
Umverdrahtungssubstratstreifen nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass der Umverdrahtungssubstratstreifen (100) in den Halbleiterbauteilpositionen (2), Stapel aus zumindest einem Logikchip und/oder einem Speicherchip aufweist, wobei über die freiliegenden Prüfkontaktflächen (13) und/oder die Prüfkontakte (19) und/oder die Steckkontaktflächen (17), sowohl die Speicherfunktionen des Speicherchips als auch die Logikfunktionen des Logikchips prüfbar sind.
Halbleiterbauteil, das durch Auftrennen des Umverdrahtungssubstratstreifens (100) nach einem der Ansprüche 1 bis 8 gebildet ist und somit auf seinen Randseiten (22) durchtrennte Umverdrahtungsleitungen (11) aufweist.
Verfahren zur Herstellung eines Umverdrahtungssubstratstreifen (100) mit mehreren Kunststoffabdeckungen (5) auf seiner Oberseite (7), die in Zeilen und Spalten angeordnete Halbleiterbauteilpositionen (2) mit Halbleiterchips (4) aufweisen, wobei das Verfahren folgende Verfahrensschritte aufweist: – Bereitstellen eines mindestens auf seiner Rückseite (6) metallbeschichteten Substratstreifens (23), – Aufbringen einer Umverdrahtungsstruktur (24) auf die metallbeschichtete Rückseite (6) des Substratstreifens mit Außenkontaktflecken (10) in den Halb leiterbauteilpositionen (2), verdeckten Kontaktflächen (14) und/oder Umverdrahtungsleitungen im Bereich (8) von Sägespuren (12) zwischen den Halbleiterbauteilpositionen (2), freiliegenden Prüfkontaktflächen (13) außerhalb des Bereichs (26) von auf der Oberseite vorgesehenen Kunststoffabdeckungen (5) und/oder Steckkontaktflächen (17) in Randbereichen (15) des Umverdrahtungssubstratstreifens (100) für jede Kunststoffabdeckung (5), und mit Umverdrahtungsleitungen (11) zwischen Außenkontaktflecken (10), verdeckten Kontaktflecken (14), Prüfkontaktflächen (13) und/oder Steckkontaktflächen (17), – Aufbringen von Halbleiterchips (4) auf die Oberseite (7) des Umverdrahtungssubstratstreifens (100) in den Halbleiterbauteilpositionen (2), – Herstellen von Verbindungen zwischen den Halbleiterchips (4) und der Umverdrahtungsstruktur (24), – Aufbringen von Kunststoffabdeckungen (5) auf die Halbleiterchips (4), – Aufbringen von Außenkontakten (9) in den Halbleiterbauteilpositionen (2) auf die Außenkontaktflecken (10) der Umverdrahtungsstruktur (24) auf der Rückseite (6) des Umverdrahtungssubstratstreifens (1), – Durchführen von Funktionstests der in den Kunststoffabdeckungen (5) eingebetteten Halbleiterchips (4) unter Kontaktieren der Steckkontaktflächen (17) und/oder der Prüfkontaktflächen (13) – Identifizieren von defekten Halbleiterbauteilen (3) auf dem Umverdrahtungssubstratstreifen (100).
Verfahren nach Anspruch 10 an Stelle von, dadurch gekennzeichnet, dass an Stelle von Sägespuren (12), Sägestreifen (18) vorgesehen werden, auf denen Prüfkontaktflächen (13) und/oder Prüfkontakte (19) angeordnet werden, die über Umverdrahtungsleitungen (11) teilweise mit den Außenkontaktflecken (10) verbunden werden.
Verfahren nach Anspruch 10 oder Anspruch 11, dadurch gekennzeichnet, dass aus dem Umverdrahtungssubstratstreifen eine Gehäuseform mit anhängendem Sägestreifen als Debug-Gehäuse gesägt wird und/oder eine Gehäuseform als Produktgehäuse ohne Sägestreifen herausgetrennt wird.
Verfahren nach einem der Ansprüche 10 bis 12, dadurch gekennzeichnet, dass die Prüfkontaktflächen (13) und/oder die Steckkontaktflächen (17) und/oder die Außenkontaktflecken (10) der Umverdrahtungsstruktur (24) mit einer Goldlegierung selektiv beschichten werden.
Verfahren nach einem der Ansprüche 10 bis 13, dadurch gekennzeichnet, dass als Prüfkontakte (19) Lotbälle (28) auf die Prüfkontaktflächen (13) aufgelötet werden.
Verfahrens zur Herstellung von Halbleiterbauteilen (3), das nachfolgende Verfahrensschritte aufweist: – Herstellen eines Umverdrahtungssubstratstreifens (100) nach einem der Ansprüche 10 bis 13, – Auftrennen des Umverdrahtungssubstratstreifens (100) in einzelne Bauteile und Aussortieren der als defekt markierten Halbleiterbauteile (3).