DE112012001439T5 - Entwurfbasierte Inspektion unter Vewendung wiederholenden Strukturen - Google Patents

Entwurfbasierte Inspektion unter Vewendung wiederholenden Strukturen Download PDF

Info

Publication number
DE112012001439T5
DE112012001439T5 DE112012001439.1T DE112012001439T DE112012001439T5 DE 112012001439 T5 DE112012001439 T5 DE 112012001439T5 DE 112012001439 T DE112012001439 T DE 112012001439T DE 112012001439 T5 DE112012001439 T5 DE 112012001439T5
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
design
structures
wafer
identifying
instances
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
DE112012001439.1T
Other languages
English (en)
Other versions
DE112012001439B4 (de
Inventor
Ashok Kulkarni
Chien-Huei Adam Chen
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
KLA Corp
Original Assignee
KLA Tencor Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by KLA Tencor Corp filed Critical KLA Tencor Corp
Publication of DE112012001439T5 publication Critical patent/DE112012001439T5/de
Application granted granted Critical
Publication of DE112012001439B4 publication Critical patent/DE112012001439B4/de
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L22/00Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/84Systems specially adapted for particular applications
    • G01N21/88Investigating the presence of flaws or contamination
    • G01N21/95Investigating the presence of flaws or contamination characterised by the material or shape of the object to be examined
    • G01N21/9501Semiconductor wafers
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/84Systems specially adapted for particular applications
    • G01N21/88Investigating the presence of flaws or contamination
    • G01N21/95Investigating the presence of flaws or contamination characterised by the material or shape of the object to be examined
    • G01N21/956Inspecting patterns on the surface of objects
    • G01N21/95607Inspecting patterns on the surface of objects using a comparative method

Landscapes

  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Immunology (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Biochemistry (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Pathology (AREA)
  • General Health & Medical Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
  • Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)
  • Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)

Abstract

Ein System und ein Verfahren für eine entwurfsbasierte Inspektion sind offenbart. Hierzu werden sich wiederholende Strukturen herangezogen.

Description

  • Diese Anmeldung beansprucht die Priorität der provisorischen US-Patentanmeldung Nr. 61/467,964 mit dem Titel „Entwurf-basierte Inspektion mit sich wiederholenden Strukturen” („Design-based inspection using repeating structures”), eingereicht am 25. März 2011, die durch Bezugnahme aufgenommen wird.
  • GEBIET DER ERFINDUNG
  • Diese Erfindung bezieht sich allgemein auf Systeme und Verfahren für eine Entwurf-basierte Inspektion von Wafern unter Verwendung von sich wiederholenden Strukturen.
  • BESCHREIBUNG RELEVANTER TECHNOLOGIE
  • Die folgende Beschreibung und die folgenden Beispiele sollen aufgrund ihrer Eingliederung in diesem Abschnitt nicht als Stand der Technik zu gelten.
  • Inspektionsverfahren (Prüfverfahren) werden in verschiedenen Produktionsschritten eines Halbleiterproduktionsprozesses eingesetzt, um Defekte auf Wafern zu erfassen, um so die Ausbeute bei der Herstellung zu erhöhen und damit höhere Gewinne zu erzielen. Die Inspektion ist seit jeher ein wichtiger Bestandteil bei der Herstellung von Halbleiterbauelementen. Da die Dimensionen von Halbleiterbauelementen immer kleiner werden, gewinnt die Inspektion jedoch stetig an Bedeutung für die erfolgreiche Herstellung von Halbleiterbauelementen akzeptabler Qualität, da entsprechend kleinere Defekte die Fehlfunktion des Halbleiterbauelements bewirken können.
  • Inspektionsverfahren können durch verschiedene Quellen des Rauschens auf den Wafer beschränkt sein. Zum Beispiel ist ein bekanntes Inspektionsverfahren der Die-zu-Die Vergleich Dabei wird eine Ausgabe (bspw. Ausgangsdaten, Prüf-/Messergebnisse) eines Inspektionssystems verglichen, die für korrespondierende Positionen in verschiedenen auf einem Wafer ausgebildeten Dies erzeugt wurden. Auf diese Weise ist die für ähnliche Strukturen erzeugte Ausgabe auf mehrere Dies vergleichbar und die Ergebnisse des Vergleichs können verwendet werden, um Defekte in diesen Strukturen zu detektieren. Da der Produktionsprozess entlang der Waferoberfläche Abweichungen aufweist, können einander entsprechende Positionen in verschiedenen Dies unterschiedliche Eigenschaften aufweisen, wie beispielsweise hinsichtlich der Schichtdicke und Farbvariationen. Diese Abweichungen zwischen den Dies stellen zwar keine wirklichen Defekte dar, können jedoch in den Die-zu-Die-Vergleich fälschlicherweise als Fehler identifiziert werden. Diesen Abweichungen zwischen verschiedenen Dies kann durch eine Erhöhung der Schwellenwerte zur Detektion von Defekten begegnet werden. Allerdings führt die Erhöhung der Schwellenwerte offensichtlich dazu, dass die Erkennung kleinster Defekte auf den Wafern nicht mehr möglich ist.
  • Einige Inspektionsverfahren und/oder Inspektionssysteme erkennen Fehler durch Vergleichen der Ausgabe für mehrere Stellen bzw. Positionen in einem einzigen Die. Generell gibt es zwei Arten von Methoden bzw. Verfahren, die dieses Konzept in aktuellen Inspektionssystemen nutzen. Ihre Anwendbarkeit ist jedoch eingeschränkt; zum Beispiel kann für Array-Bereiche wie SRAM oder DRAM Bereiche eines Dies in Kenntnis der Zellgröße in dem Array eine Zelle-zu-Zelle-Inspektion mit dem Gerät zur Waferinspektion) durchgeführt werden. Es gibt auch einige bekannte Systeme, die den Bilderstrom während der Inspektion analysieren und durch Ausführen einer Autokorrelationsanalyse nach sich wiederholenden Strukturen und periodischen Mustern suchen. Allerdings sind diese beiden Verfahren auf Layouts beschränkt, die eine gewisse Periodizität (z. B. in x-Richtung) mit einer bestimmten Periode haben.
  • Dementsprechend wäre es von Vorteil, Inspektionssysteme und/oder Inspektionsverfahren zu entwickeln, die nicht einem oder mehreren der oben beschriebenen Nachteile unterliegen.
  • ZUSAMMENFASSUNG DER ERFINDUNG
  • Die folgende Beschreibung verschiedener Ausführungsformen der Erfindung ist keinesfalls als Beschränkung des Gegenstands der beigefügten Ansprüche aufzufassen.
  • Eine Ausführungsform der Erfindung betrifft ein Computer-implementiertes Verfahren zur Inspektion eines Wafers. Das Verfahren umfasst ein Identifizieren mehrerer Instanzen von Strukturen in einem Entwurf (bzw. Design, Konstruktionsplan oder Schaltplan) für einen Wafer. Die Strukturen weisen dabei die gleichen oder im Wesentlichen gleichen geometrischen Eigenschaften auf. Die Identifikation der mehreren Instanzen erfolgt unter Verwendung von Entwurfs- bzw. Konstruktionsdaten für den Entwurf. Das Verfahren umfasst auch ein Vergleichen (bzw. Abgleichen) der Ausgabe (bspw. Ausgangsdaten, Prüf-/Messergebnisse eines Inspektionssystems für zwei oder mehr der auf dem Wafer ausgebildeten mehreren Instanzen. Die zwei oder mehr der mehreren Instanzen sind dabei im gleichen Die des Wafers angeordnet. Darüber hinaus umfasst das Verfahren ein Erfassen (bzw. Detektieren) von Defekten auf dem Wafer basierend auf Ergebnissen des Ab- oder Vergleichs. Die Schritte des Identifizierens, Vergleichens und Erfassens werden unter Verwendung eines Computersystems durchgeführt.
  • Des Weiteren kann jeder der Schritte des oben beschriebenen Verfahrens so wie hierin beschrieben ausgestaltet werden. Ferner kann jeder der Schritte des Verfahrens unter Verwendung jedes hier beschriebenen Systems (bzw. Anlage oder Vorrichtung) oder Systemen durchgeführt werden. Darüber hinaus kann das Verfahren jeden der hier beschriebenen Schritte bzw. Schrittkombinationen umfassen.
  • Eine andere Ausführungsform der Erfindung bezieht sich auf ein nicht-vorübergehendes (nicht-flüchtiges), computerlesbares Medium, das Programmanweisungen speichert, die auf einem Computersystem ausführbar sind, um ein computerimplementiertes Verfahren zur Inspektion eines Wafers auszuführen. Das gemäß den Programmanweisungen ausführbare Computerimplementierte Verfahren umfasst die Schritte des oben beschriebenen Computer-implementierten Verfahrens. Das Computer-lesbare Medium kann weiter so ausgestaltet sein wie hierin beschrieben.
  • Eine weitere Ausführungsform der Erfindung betrifft ein System, das zur Inspektion eines Wafers konfiguriert ist. Das System umfasst ein Inspektionssubsystem, das zur Erzeugung einer Ausgabe für einen Wafer konfiguriert ist. Das System umfasst auch ein Computer-Subsystem, das zum Durchführen der Schritte des oben beschriebenen Computer-implementierten Verfahrens konfiguriert. Das System kann weiterhin so wie hierin beschrieben konfiguriert sein.
  • KURZE BESCHREIBUNG DER ZEICHNUNGEN
  • Weitere Aufgaben und Vorteile der Erfindung werden beim Lesen der folgenden detaillierten Beschreibung und unter Bezugnahme auf die beigefügten Zeichnungen ersichtlich:
  • 1 zeigt ein schematisches Diagramm einer Ausführungsform einer Zell-Instanziierungsanalyse;
  • 2 zeigt ein schematisches Diagramm zur Illustration eines Beispiels ähnlicher Strukturen, die offensichtlich aus einer geplanten Entwurfsschicht hervorgehen;
  • 3 zeigt mittels eines schematischen Diagramms anhand einer Ausführungsform, wie ein iterativer Algorithmus sich wiederholende Geometrien einordnen und erkennen kann;
  • 4 zeigt ein Blockdiagramm einer Ausführungsform des erfindungsgemäßen nicht-flüchtigen Computer-lesbaren Mediums; und
  • 5 zeigt ein Blockdiagramm einer Ausführungsform des erfindungsgemäßen Systems.
  • Die Erfindung kann verschiedene Modifikationen und alternative Ausführungsformen annehmen. Beispielhaft werden in den Zeichnungen spezielle Ausführungsformen gezeigt und nachstehend im Detail beschrieben. Diese beispielhaften Zeichnungen und ihre detaillierte Beschreibung sind jedoch nicht als Einschränkung der Erfindung auf diese speziellen offenbarten Ausführungsformen aufzufassen. Die Erfindung deckt dessen unbelassen alle Modifikationen, Äquivalente und Alternativen ab, die innerhalb des Geistes und Umfangs der vorliegenden Erfindung liegen, wie durch die beigefügten Ansprüche definiert.
  • DETAILLIERTE BESCHREIBUNG DER BEVORZUGTEN AUSFÜHRUNGSFORMEN
  • Die nachfolgend beschriebenen Zeichnungen sind nicht maßstabsgetreu gezeichnet. Insbesondere sind die Maße einiger Elemente in den Zeichnungen stark übertrieben, um ihre Eigenschaften zu betonen. Es wird auch darauf hingewiesen, dass die Zeichnungen untereinander nicht im selben Maßstab gezeichnet sind. Elemente, die in mehr als einer Zeichnung gezeigt werden und in ähnlicher Weise ausgebildet sein können, werden mit gleichen Bezugszeichen gekennzeichnet.
  • Nachfolgend werden verschiedene Ausführungsformen für die Entwurfs- bzw. Design-basierte Inspektion unter Verwendung sich wiederholender Strukturen beschrieben. Eine Ausführungsform betrifft ein Computer-implementiertes Verfahren zur Inspektion eines Wafers. Das Verfahren umfasst ein Identifizieren mehrerer Instanzen von Strukturen in einem Entwurf bzw. Design eines Wafers. Die Strukturen weisen gleiche oder im Wesentlichen gleiche geometrische Eigenschaften auf. Der Begriff „geometrische Eigenschaften”, wie er hier verwendet wird, bezeichnet alle geometrischen Eigenschaften der Struktur, die für die Geometrie der Struktur relevant sein können. Deshalb können die „geometrischen Eigenschaften” Eigenschaften wie Breite, Höhe, Seitenprofil, Form der Struktur, zweidimensionale Form, dreidimensionale Form und dergleichen umfassen. Daher wären Strukturen gleicher geometrischer Eigenschaften z. B. gleich bezüglich der Breite, der Höhe, des Seitenprofils, der Form der Struktur, der zweidimensionalen Form, der dreidimensionalen Form und dergleichen. Der Begriff „im Wesentlichen die gleichen geometrischen Eigenschaften” bezieht sich auf geometrische Merkmale, deren Unterschiede für die hier beschriebenen Verfahren unterhalb der Nachweisschwelle von Defekten liegen. Darüber hinaus kann für jede geometrische Eigenschaft das mögliche Ausmaß von Abweichungen, unterhalb dessen die betreffende geometrische Eigenschaft als noch im Wesentlichen gleich gilt, variieren. Zum Beispiel kann eine geometrische Eigenschaft mit Abweichungen von bis zu etwa 1% als im Wesentlichen gleich gelten, wohingegen eine andere geometrische Eigenschaft sogar mit bis zu etwa 5% Abweichung als im Wesentlichen gleich gilt.
  • Eine „Struktur” im Sinne der Erfindung ist eine Struktur mit einem Muster, wobei die Struktur auf einem Wafer ausgebildet ist. Mit anderen Worten sind die hier beschriebenen „Strukturen” keine bloßen auf einem Wafer ausgebildeten Schichten auf einem Wafer. Ferner bezeichnet eine „Struktur” im Sinne der Erfindung eine einzige zusammenhängende Struktur. Eine „Struktur” im Sinne der Erfindung bezeichnet also keine Gesamtheit aus einzelnen individuellen Strukturen, wie beispielsweise eine Reihe bzw. Anordnung von Linien, eine Reihe bzw. Anordnung von Kontakten oder jedem anderen Satz diskreter Strukturen. Gemäß der hier getroffenen Begriffsdefinition gilt stattdessen jede der Leitungen, jeder der Kontakte oder jede der diskreten Strukturen, die in einem Satz enthalten sind, als eine Struktur.
  • Das Identifizieren der mehreren Instanzen erfolgt über Entwurfs- bzw. Konstruktionsdaten für den Entwurf. Zum Beispiel können die hier beschriebenen Ausführungsformen die Ausgestaltung eines Entwurfes für eine Halbleiterschicht verwenden, um „ähnliche” Strukturen in relativ enger Nachbarschaft zueinander in einem Die Layout zu bestimmen, so dass während der Inspektion diese ähnlichen Strukturen miteinander verglichen und ”Ausreißer” als Defekte markiert werden können. Dem unterliegt die grundlegende Annahme, dass solche Defektstellen einen im Wesentlichen kleinen Bruchteil aller solcher ähnlicher Strukturen ausmachen. In einer Ausführungsform beruht das Identifizieren der mehreren Strukturen nicht auf einer für einen Wafer erzeugten Ausgabe eines Inspektionssystems. Stattdessen können, wie vorangegangen beschrieben, die sich wiederholenden Strukturen unter Verwendung der Entwurfsdaten und in manchen Fällen unter ausschließlicher Verwendung der Entwurfsdaten identifiziert werden. Die Entwurfsdaten dürfen keine Daten oder Informationen enthalten oder sein, die durch Verwendung eines physikalischen Wafers erworben wurden. Mit anderen Worten sind Entwurfsdaten keine Ausgabe, die durch Scannen eines physikalischen Wafers erzeugt wird, und auch keine aus einer solchen Ausgabe abgeleiteten Daten oder Informationen. Da die sich wiederholenden Strukturen in den hier beschriebenen Ausführungsformen durch Analysen der Entwurfsdaten identifiziert werden, wird kein Bildrauschen („image noise”) in den Algorithmus eingeführt. Die hier beschriebenen Ausführungsformen nutzen die Fähigkeit mancher bildgebenden Computersysteme, eine große Menge von Daten über einen Die hinweg in einem Bildpufferspeicher einzulesen. Man kann die hier beschriebenen Ausführungsformen dazu verwenden, um alle Positionen von bestimmten Gruppen von Geometrien in diesem Bildpufferspeicher zu bestimmen.
  • Mehrere Techniken können verwendet werden, um sich wiederholende Strukturen im Entwurf zu finden. Zum Beispiel wird gemäß einer Ausführungsform das Identifizieren der mehreren Strukturen ohne Berücksichtigung bzw. Verwendung ihrer Periodizität durchgeführt. In einer weiteren Ausführungsform kommen die mehreren Instanzen im Entwurf ohne Periodizität vor. Zum Beispiel können die hier beschriebenen Ausführungsformen nach ähnlichen Mustern suchen, auch wenn sie nicht periodisch sind.
  • In einigen Ausführungsformen basiert das Identifizieren der mehreren Strukturen nicht auf der Zellgröße im Entwurf. Anders als bei einigen zur Array-Inspektion gebräuchlichen Verfahren, können Verfahren gemäß der hier beschriebenen Ausführungsformen unabhängig von der Zellgröße sein. Zum Beispiel wird in einigen derzeit gebräuchlichen Verfahren zur Inspektion von Array-Bereichen, wie SRAM- oder DRAM-Bereichen eines Dies, durch Kenntnis der Zellgröße innerhalb eines Arrays ein Zelle-zu-Zelle-Vergleich oder Inspektion mit Geräten zur Waferinspektion durchgeführt. Allerdings ist das Einsatzgebiet dieser Verfahren auf Layouts mit Periodizität (z. B. in x-Richtung oder Scan-Richtung) mit einer bestimmten Periodenlänge beschränkt. Im Gegensatz dazu können die hier beschriebenen Ausführungsformen die sich wiederholenden Natur bestimmter Strukturen innerhalb des Entwurfes, unabhängig von Zellgröße, Periodizität, Frequenz und jedweder anderen Eigenschaft der Zellen, nutzen. Mithin sind die hier beschriebenen Ausführungsformen viel flexibler einsetzbar bezüglich der Arten von Strukturen, die als sich wiederholende Strukturen verwendet werden, der Algorithmen, die verwendet werden, um Defekte in diesen sich wiederholenden Strukturen zu detektieren, und der Art, Defekte in verschiedenen sich wiederholenden Strukturen zu klassifizieren.
  • In einigen Ausführungsformen umfasst jede der mehreren Instanzen nur eine Struktur in dem Entwurf. Beispielsweise könnte jede sich wiederholende Struktur selbst identifiziert und als eine einzelne Instanz der Struktur verwendet werden. Auf diese Weise kann zum Zwecke der Defekterkennung die Ausgabe für eine sich wiederholende Struktur als Vergleichsbasis für die Ausgabe für mindestens eine andere der gleichen oder im Wesentlichen gleichen sich wiederholenden Struktur verwendet werden.
  • In einer weiteren Ausführungsform umfasst jede der mehreren Instanzen mehrere Strukturen im Entwurf. Zum Beispiel kann das Verfahren Gruppen von Geometrien finden, die an verschiedenen Stellen im Layout auftreten. Die Gruppen von Geometrien müssen nicht mit fester Periodizität auftreten. Solche Gruppen von Geometrien können identifiziert werden, wie nachfolgend beschrieben wird.
  • In einem Ausführungsbeispiel umfasst das Identifizieren der mehreren Instanzen das Identifizieren mehrerer Instanzen derselben Entwurfszelle im Entwurf unter Verwendung einer Entwurfslayouthierarchie für den Entwurf. Auf diese Weise kann das Identifizieren der mehreren Instanzen eine Analyse der Zellinstanziierung umfassen. Zum Beispiel wird in diesem Verfahren die Entwurfslayouthierarchie untersucht und Instanzen der gleichen Entwurfszelle im Layout identifiziert. Insbesondere kann das Verfahren, wie in 1 gezeigt, Referenzzellen 100 (z. B. Zelle A, Zelle B, Zelle C, usw.) im Entwurf vorsehen. Das Verfahren kann auch die Verwendung der Entwurfshierarchie mit Referenzzellen (Instanziierungen) 110 zur Suche nach den verschiedenen Zellen (z. B. Zelle A, Zelle B, etc.) in Entwurfsdaten für einen Die 120 umfassen. Es kann angenommen werden, dass diese Bereiche auf dem gescannten Die ähnlich aussehen.
  • In manchen Ausführungsformen umfasst das Identifizieren der mehreren Instanzen das Durchsuchen der Entwurfsdaten nach allen Instanzen eines zu untersuchenden bekannten Musters, indem ein Polygon-Vergleichsverfahren für die Strukturen mit den zu untersuchenden bekannten Mustern gegen die Strukturen in den Entwurfsdaten durchgeführt wird. Wenn zum Beispiel ein zu untersuchendes Muster („pattern of interest”, auch „POI” abgekürzt) a priori bekannt ist, so kann der Entwurf nach allen Stellen bzw. Positionen mit dem gleichen Muster durchsucht werden, indem ein Polygon-Vergleichsverfahren für die Bilder, die den POI ausmachen, durchgeführt wird.
  • In einer weiteren Ausführungsform kann das Identifizieren der mehreren Instanzen eine Fourier-Analyse des Entwurfs enthalten. Zum Beispiel kann die Fourieranalyse des Entwurfs entweder während des Renderns des Entwurfs oder während der Analyse seiner polygonalen Darstellung und der Suche nach Periodizitäten in der x-(Vergleichs-)Richtung durchgeführt werden.
  • In einer Ausführungsform wird das Identifizieren der mehreren Instanzen unter Verwendung einer geplanten Entwurfsschicht für die Entwurfsdaten durchgeführt. Zum Beispiel können bestimmte, ähnliche Strukturen offensichtlich aus der geplanten Entwurfsschicht hervorgehen. In einem solchen Beispiel gilt eine Leiterbahn oder eine Kontaktschicht einfach als eine Menge von identischen kleinen Strukturen. Abgesehen von der Lage des Zentrums und den Abmessungen einer jeden Leiterbahn oder einer jeden Kontaktschicht ist keine weitere Verarbeitung erforderlich, um „Ähnlichkeit” zu ermitteln. In einem bestimmten Beispiel, wie in 2 gezeigt, kann eine Schicht die Metallschicht mit Leiterbahnen 200 sein, und die entsprechende Leiterbahnentwurfsschicht 210 kann verwendet werden, um die mittlere Lage des Zentrums und Abmessungen einer jeden Leiterbahn bzw. eines jeden Kontakts zu identifizieren.
  • In einer weiteren Ausführungsform umfasst das identifizieren der mehreren Instanzen das Analysieren eines Entwurfslayouts für die Entwurfsdaten auf einer polygonalen Ebene, um die mehreren Instanzen der Strukturen zu identifizieren. Auf diese Weise kann das Entwurflayout auf polygonaler Ebene analysiert werden, um ähnliche Ansammlungen von benachbarten Geometrien zu finden, die sich an mehreren Stellen im Entwurf wiederholen können. Diese können einer ”Care-Bereich Gruppe” bzw. „Gruppe von wichtigen Bereichen” zugeordnet und als solche markiert werden und können dann miteinander innerhalb eines einzelnen Dies – anstelle eines Die-zu-Die-Vergleichs – verglichen werden. Ein Beispiel für einen Algorithmus, der dazu verwendet werden kann, sich wiederholende Strukturen zu finden, ist in der Publikation von Gu et al. ”Lossless compression algorithms for hierarchical IC layouts, ”IEEE Transactions an Semiconductor Manufacturing”, Vol. 21, Nr. 2, Mai 2008, beschrieben, die durch Bezugnahme so eingeschlossen ist, als ob sie hierin vollständig dargelegt und offenbart sei. Obwohl der in dieser Publikation beschriebene Algorithmus zur Komprimierung der Entwurfsdarstellung verwendet wird, so kann dieser oder ein ähnlicher Algorithmus dazu verwendet werden, um sich wiederholende Strukturen zu Vergleichszwecken während der Inspektion zu identifizieren.
  • In einigen Ausführungsformen wird das Identifizieren der mehreren Instanzen durch Identifizieren einer ersten Struktur in den Entwurfsdaten durchgeführt. Die erste Struktur kann in den mehreren Instanzen enthalten sein. Dann kann das iterative Durchsuchen der Entwurfsdaten nach anderen Strukturen, die auch in den mehreren Instanzen der ersten Struktur aufgenommen sein können, erfolgen. Zum Beispiel zeigt 3, die aus der oben genannten Publikation entnommen wurde, wie ein iterativer Algorithmus sich wiederholende Geometrien einordnet und detektiert. Insbesondere zeigt 3 ein Beispiel für die Detektion einer intrazellularen Subzelle, wobei (a) die 0-te Iteration, (b) die erste Iteration, (c) die zweite Iteration und (d) das Endergebnis zeigen. In diesem Beispiel, wie anhand der 0-ten Iteration gezeigt ist, kann der Algorithmus die Zelle nach einer einzelnen ausgewählten Struktur durchsuchen und 5 Instanzen dieser einzelnen Struktur innerhalb der Zelle finden. Jede der 5 Instanzen hat die gleichen geometrischen Eigenschaften (z. B. Form, Abmessungen und Orientierung) in der Zelle. Der Algorithmus kann dann die Subzelle als SC(0) definieren, wie in 3 dargestellt. Von dieser Subzelle SC(0) werden 5 Instanzen gefunden, von denen jede beispielhaft eine Instanz der Struktur mit etwas umgebenden Abstand um die Struktur umfasst.
  • In der nächsten Iteration sucht der Algorithmus die Zelle nach Instanzen anderer Strukturen ab, die in der Nähe mehr als einer Instanz der in der Subzelle SC(0) enthaltenen ersten Struktur liegen (d. h. andere Strukturen mit gleichen geometrischen Eigenschaften und mit Wiederholungen der ersten Struktur). Zum Beispiel kann der Algorithmus, wie in 3 gezeigt, die Zelle wieder durchsuchen und zwei andere Strukturen identifizieren, die sich in der Nähe von mehr als einer Instanz der ersten ”L”-förmigen Struktur befinden. Die beiden anderen identifizierten Strukturen haben gleiche geometrische Eigenschaften gemein (z. B. die gleiche Form und die gleiche räumliche Beziehung bezüglich der ersten Struktur). Der Algorithmus kann dann die in 3 als SC (1) gezeigte Subzelle definieren. Davon wurden 4 Instanzen gefunden, die jeweils eine Instanz von 3 unterschiedlichen Strukturen mit etwas die Strukturen umgebendem Abstand umfassen.
  • Der Algorithmus kann eine beliebige zusätzliche Anzahl von Iterationen ausführen. Zum Beispiel kann der Algorithmus, wie in 3 gezeigt, die Zelle nochmals durchsuchen und eine andere Struktur identifizieren, die sich in der Nähe mehr als einer Instanz der ersten ”L”-förmige Struktur befindet. Jede Instanz dieser anderen identifizierten Struktur hat die gleichen geometrischen Eigenschaften (z. B. die gleiche Form und die gleiche räumliche Beziehung mit Bezug auf die erste Struktur). Der Algorithmus kann dann diese Subzelle als SC(2) definieren, wie in 3 dargestellt, davon wurden vier Instanzen gefunden, die jeweils eine Instanz von vier verschiedenen Strukturen mit etwas Raum um diese herum umfassen. Wie auch in diesem Beispiel gezeigt, kann der Algorithmus die Zelle im Raum um eine der Subzellen absuchen und eine andere Struktur identifizieren, die in der Nähe der ersten Struktur liegt. Hingegen wurden bei der Durchsuchung der anderen Subzellen in den entsprechenden Bereichen, in denen die zusätzliche Struktur in erster Instanz gefunden wurde, diese anderen Strukturen nicht gefunden. Es gibt also nur eine Instanz der Struktur, die nicht wiederholt wird. Daher ist diese eine andere Struktur nicht in den Ergebnissen für die Subzelle (d. h. SC(2)) enthalten, und diese Subzelle ist ihrerseits nicht in den Ergebnissen enthalten (z. B. ist sie keine wiederkehrende Subzelle). Daher definiert, wie im Endergebnis gezeigt, die Subzelle SC(2) jede der mehreren (hier vier) Instanzen der wiederkehrenden Strukturen.
  • In einer anderen Ausführungsform umfassen die mehreren Instanzen mindestens drei Instanzen der Strukturen. Beispielsweise können verschiedene Inspektionsverfahren eine unterschiedliche minimale Anzahl von Wiederholungen einer Struktur erfordern. In einem Die-zu-Die-Vergleich wird beispielsweise ein Defekt-Schiedsverfahren durch den Vergleich mit drei benachbarten Die-Orten vermittels zweier Vergleiche je eines Die-Paares durchgeführt, wobei jedem Vergleich ein Ausrichtungs-/Interpolationsschritt vorausgeht,. Beim diesem Ausrichtungs-/Interpolationsschritt werden die Pixel mit Sub-Pixel-Genauigkeit (typischerweise weniger als 0,05 Pixel) ausgerichtet. Das Verfahren vollführt zu einem gegebenen Zeitpunkt Interpolationen in einem Unterrahmen (256 Pixel × 256 Pixel) mit Hellfeld(BF)-Elementen. Der Offset in der Ausrichtung (delta x, delta y) wird dabei durch ein Echtzeit-Ausrichtungssystem (Real Time Alignment(RTA)-System) bereitgestellt. Man könnte daher argumentieren, dass die minimal erforderliche Anzahl von Wiederholungen einer Struktur zur Identifikation einer Defektstelle drei ist. Um ein ähnliches Defekt-Schiedsverfahren mit den hierin beschriebenen mehreren Instanzen auszuführen, würden daher mindestens drei Instanzen der Strukturen benötigt werden. Allerdings erlaubt ein häufigeres Vorkommen der Struktur innerhalb eines Bildfeldes die Nutzung von statistischen Methoden, um Ausreißer in einer zuverlässigen Art und Weise zu kennzeichnen. Zum Beispiel umfassen in einer Ausführungsform die mehreren Instanzen alle Instanzen der Strukturen in den Entwurfsdaten.
  • Das Verfahren beinhaltet auch den Vergleich der Ausgaben eines Inspektionssystems untereinander, die für zwei oder mehr der mehreren Instanzen auf Wafer erzeugt worden ist. Die zwei oder mehr der mehreren Instanzen befinden sich innerhalb des gleichen Dies auf dem Wafer. Auf diese Weise können die hier beschriebenen Ausführungsformen die Die-zu-Die-Verfahren mit Zufallsmodus zur Defektidentifikation umgehen und in gewisser Weise den Array-Modus von einem Identifikationsalgorithmus imitieren. Der Vorteil der hier beschriebenen Ausführungsformen gegenüber dem Die-zu-Die-Zufallsmodus ist, dass die Die-zu-Die-Störquellen eliminiert werden und gegebenenfalls die Detektionsschwelle gesenkt werden kann, wodurch Inspektion empfindlicher wird.
  • In einer Ausführungsform umfasst das Verfahren vor dem Schritt des Vergleichens die Interpolation der mehreren Instanzen der Strukturen auf ein gemeinsames Pixelraster. Zum Beispiel können alle Vorkommen der Struktur auf ein gemeinsames Pixelraster interpoliert werden, bevor die Vergleiche durchgeführt werden (dabei werden Graustufenwerte von ihren entsprechenden Pixelpositionen differenziert). Natürlich stellen Interpolationsfehler eine Quelle für Rauschlen dar. Für ein richtig abgerastertes Bild ist diese Rauschquelle jedoch viel kleiner als das Die-zu-Die-Rauschen, insbesondere in Elektronenstrahl-basierten Inspektionssystemen.
  • In einer weiteren Ausführungsform umfasst das Verfahren bei der Inspektion und vor dem Schritt des Vergleichens das Ausrichten der Ausgabe, die für die zwei oder mehr der mehreren Instanzen in entsprechenden Pixelströmen der Ausgabe erzeugt worden ist. Zum Beispiel beruhen die hier beschriebenen Ausführungsformen auf der Annahme, dass während der Inspektion ähnliche Bereiche (detektiert durch Analyse des Entwurfs) genau an dem korrespondierenden Pixel-Strom ausgerichtet werden können.
  • Das Verfahren umfasst ferner das Detektieren von Defekten auf dem Wafer basierend auf den Ergebnissen des Vergleichs. Beispielsweise kann die Detektion der Defekte die Anwendung eines gewissen Schwellwertes auf die Ergebnisse des Vergleichsschritts umfassen und kann des Weiteren jede Ausgabe über dem Schwellenwert als Entsprechung eines Defekts identifizieren. Der Schwellwert kann jeden geeigneten und aus dem Stand der Technik bekannten Schwellwert umfassen.
  • Die Schritte des Identifizieren, des Vergleichens und des Erfassens werden unter Verwendung eines Computersystems durchgeführt. Das Computersystem kann des Weiteren so wie hier beschrieben konfiguriert sein.
  • Die hier beschriebenen Ausführungsformen weisen eine Reihe von Vorteilen gegenüber anderen Inspektionssystemen und Inspektionsverfahren auf. Beispielsweise werden durch Vergleichen von zwei Strukturen im gleichen Die – statt Die-zu-Die-Vergleichen, wie es zum Inspizieren logischer Bereichen getan wird – die Rauschquellen der Dies – untereinander, wie z. B. Änderungen der Schichtdicke, des Fokus etc. ausgeräumt. Ferner können die hier beschriebenen Ausführungsformen alle Wiederholungen einer bestimmten Gruppe von Geometrien innerhalb eines Dies finden, während die derzeit gebräuchlichen Verfahren nach Periodizitäten (in Abtast-(und Vergleichs-)Richtung) suchen. Somit sind die hier beschriebenen Ausführungsformen allgemeiner als die derzeitigen Verfahren. Weiterhin verwenden die hier beschriebenen Ausführungsformen Entwurfsdaten anstatt zu versuchen, anhand vom Waferbild abzuleiten, wo sich die wiederholenden Strukturen befinden. Die Verwendung des Entwurfes hat den Vorteil, dass der Entwurf die (beabsichtigte) ideale Darstellung eines Waferbildes darstellt, die durch Quellen von Bildrauschen im Bildaufnahmesystem unverfälscht ist.
  • Alle hier beschriebenen Verfahren können die Speicherung von Ergebnissen von einem oder mehreren Verfahrensschritten in einem Speichermedium beinhalten. Diese Ergebnisse können beliebige der hier beschriebenen Ergebnisse beinhalten und sie können auf beliebige aus dem Stand der Technik bekannte Weise gespeichert werden. Das Speichermedium kann irgendeinen geeignetes und Computer-lesbares Speichermedium sein, das aus dem der Technik bekannt ist. Nach ihrer Speicherung können die Ergebnisse im Speichermedium abgerufen werden und durch eines der Verfahren oder eines der Systeme gemäß der hier beschriebenen Ausführungsformen verwendet werden, zur Anzeige für einen Benutzer formatiert werden, von einem anderen Software-Modul oder einer anderen Verfahren verwendet werden etc. Darüber hinaus können die Ergebnisse ”dauerhaft”, ”semi-permanent”, flüchtig oder für einen gewissen Zeitraum gespeichert werden.
  • 4 veranschaulicht eine Ausführungsform von nicht-flüchtigen Computerlesbares Medium 400, welches auf dem Computersystem 404 zum Durchführen eines Computer-implementierten Verfahrens zur Inspektion eines Wafers ausführbare Programmanweisungen 402 speichert. Das Verfahren, für das die Programmanweisungen 402 auf dem Computersystem 404 ausführbar sind, das jeden Schritt bzw. Schritte eines der beschriebenen Verfahren durchführen kann. In einigen Ausführungsformen kann das Computersystem 404 ein Computersystem eines Inspektionssystems sein, wie vorliegend beschrieben. In einigen alternativen Ausführungsformen kann das Computersystem mit dem Inspektionssystem durch ein Netzwerk verbunden werden. In anderen Ausführungsformen kann das Computersystem 404 jedoch nicht in einem Prüfsystem enthalten oder damit gekoppelt sein. In manchen dieser Ausführungsformen kann das Computersystem 404 als „Stand-alone”-Computer konfiguriert werden. Das Computer-lesbare Medium 400, die Programmanweisungen 402 und das Computersystem 404 können ferner wie hier beschrieben, konfiguriert bzw. ausgestaltet sein.
  • Programmanweisungen 402 zur Durchführung von Verfahren, wie der beschrieben, können auf einem Computer-lesbaren Medium 400 gespeichert werden. Das Computer-lesbare Medium kann ein Speichermedium, wie beispielsweise ein lediglich auslesbarer Festwertspeicher, ein Direktzugriffsspeicher (Random Access Memory (RAM)), eine magnetische oder optische Disk, ein Magnetband oder ein anderes nicht-flüchtigen computerlesbaren Medium sein.
  • Die Programmanweisungen können in einer beliebigen von verschiedenen Arten implementiert werden, unter anderem einschließlich von Verfahren, Techniken, Komponenten-Techniken und/oder objektorientierten Techniken. Zum Beispiel können die Programmanweisungen je nach Anforderungen unter Verwendung von ActiveX-Steuerelementen, C++-Objekten, C#, Java Beans, Microsoft Foundation Classes (”MFC”), oder anderen Technologien oder Verfahren implementiert werden.
  • Das Computersystem 404 kann ein beliebiges geeignetes und aus dem Stand der Technik bekanntes Computersystem sein. Zum Beispiel kann das Computersystem 404 verschiedene Formen annehmen, darunter auch ein PC-System, ein Mainframe-Computer-System, eine Workstation, ein Bildrechner, ein Parallel-Prozessor oder ein anderes aus dem Stand der Technik bekanntes System sein. Im Allgemeinen kann der Begriff ”Computersystem” breit definiert werden, so dass er jede Vorrichtung mit einem oder mehreren Prozessoren, die Befehle von einem Speichermedium ausführt, umfasst.
  • Eine weitere Ausführungsform betrifft ein System, das zur Waferinspektion ausgebildet ist. Zum Beispiel umfasst das System, wie in 5 gezeigt, ein Inspektionssubsystem 500, das konfiguriert ist, um eine Ausgabe für einen Wafer zu erzeugen. Das Inspektionssubsystem kann jedes Inspektionssubsystem eines jeden handelsüblichen Waferinspektionssystems umfassen. Das Inspektionssubsystem kann auch zur Durchführung jedes geeigneten Inspektionsverfahrens wie Hellfeld-Inspektion, Dunkelfeld-Inspektion, optische (Licht-basierte) Inspektion, Elektronenstrahl-basierte Inspektion usw. oder einer Kombination davon ausgelegt sein. Das System umfasst auch ein Computer-Subsystem 502, das zum Durchführen der Schritte des vorstehend beschriebenen Verfahren ausgebildet ist.
  • Das Computer-Subsystem 502 kann weiterhin so konfiguriert sein, wie oben mit Bezug auf das Computersystem 404 beschrieben. Das Computer-Subsystem 502 und das System können ferner so wie hier beschrieben konfiguriert sein.
  • Weitere Modifikationen und alternative Ausführungsformen verschiedener Aspekte der Erfindung ergeben sich für den Fachmann angesichts dieser Beschreibung. Zum Beispiel sind Systeme und Verfahren zur Entwurf-basierten Prüfung mit sich wiederholenden Strukturen offenbart. Daher ist diese Beschreibung nur als Erläuterung aufzufassen und dient der allgemeinen, auf die Ausführung der erfinderischen Lehre gerichteten Unterrichtung von Fachleuten. Es ist selbstverständlich, dass die dargestellt und beschrieben Ausführungsformen der Erfindung als derzeit bevorzugte Ausführungsformen anzusehen sind. Hier nicht explizit angeführte Elemente und Materialien können hier beschriebene substituieren. Teile und Prozesse können umgekehrt werden, und bestimmte Merkmale der Erfindung können unabhängig verwendet werden, wie es wäre für einem einschlägigen Fachmann in Kenntnis dieser Beschreibung naheliegen würde. Änderungen können an den hier beschriebenen Elementen vorgenommen werden, ohne die erfinderische Idee und Schutzumfang der Erfindung, wie in den folgenden Ansprüchen beschrieben werden, zu überschreiten.

Claims (19)

  1. Ein Computer-implementiertes Verfahren zur Inspektion eines Wafers, umfassend: • Identifizieren mehrerer Instanzen von Strukturen in einem Entwurf für einen Wafer, wobei die Strukturen die gleichen oder im Wesentlichen die gleichen geometrischen Eigenschaften besitzen, und wobei das Identifizieren unter Verwendung von Entwurfs- bzw. Konstruktionsdaten für den Entwurf durchgeführt wird; • Vergleichen der Ausgabe eines Inspektionssystems für zwei oder mehr der auf dem Wafer ausgebildeten mehreren Instanzen untereinander, wobei die zwei oder mehr der mehreren Instanzen in dem gleichen Die auf dem Wafer angeordnet sind; und • Erfassen von Defekten auf dem Wafer basierend auf den Ergebnissen des Vergleichs, wobei das Identifizieren, das Vergleichen und das Erfassen unter Verwendung eines Computersystems durchgeführt werden.
  2. Verfahren nach Anspruch 1, wobei das Identifizieren ferner ohne Berücksichtigung der Periodizität der Strukturen durchgeführt wird.
  3. Verfahren nach Anspruch 1, wobei das Identifizieren nicht unter Verwendung einer Ausgabe, die für einen Wafer erzeugt wurde, eines Inspektionssystems durchgeführt wird.
  4. Verfahren nach Anspruch 1, wobei das Identifizieren nicht auf Grundlage der Zellgröße des Entwurfs durchgeführt wird.
  5. Verfahren nach Anspruch 1, wobei die mehreren Instanzen nicht im Entwurf mit einer bestimmten Periodizität auftreten.
  6. Verfahren nach Anspruch 1, wobei jede der mehreren Instanzen nur eine Struktur im Entwurf umfasst.
  7. Verfahren nach Anspruch 1, wobei jede der mehreren Instanzen mehrere Strukturen im Entwurf umfasst.
  8. Verfahren nach Anspruch 1, wobei das Identifizieren das Identifizieren mehrerer Instanzen der gleichen Entwurfzelle im Entwurf unter Verwendung einer Hierarchie eines Entwurfslayouts für den Entwurf umfasst.
  9. Verfahren nach Anspruch 1, wobei das Identifizieren das Durchsuchen der Entwurfsdaten für alle Instanzen eines bekannten Musters von Interesse unter Verwendung einer Polygon Übereinstimmung der Strukturen, aus denen die bekannten Muster von Interesse und die Strukturen in den Entwurfsdaten bestehen.
  10. Verfahren nach Anspruch 1, wobei das Identifizieren das Ausführen einer Fourier-Analyse der Entwurfsdaten umfasst.
  11. Verfahren nach Anspruch 1, wobei das Identifizieren ferner unter Verwendung einer geplanten Entwurfsschicht für die Entwurfsdaten benutzt wird.
  12. Verfahren nach Anspruch 1, wobei das Identifizieren das Analysieren eines Entwurfslayouts für die Entwurfsdaten auf einer polygonalen Ebene umfasst, um die mehreren Instanzen der Strukturen zu identifizieren.
  13. Verfahren nach Anspruch 1, wobei das Identifizieren durch ein Identifizieren einer ersten Struktur in den Entwurfsdaten durchgeführt wird, die in den mehreren Instanzen enthalten sein können, und dann ein iteratives Durchsuchen der Entwurfsdaten nach anderen Strukturen durchgeführt wird, die auch in den verschiedenen Instanzen der ersten Struktur aufgenommen werden können.
  14. Verfahren nach Anspruch 1, wobei die mehreren Instanzen mindestens drei Instanzen der Strukturen umfassen.
  15. Verfahren nach Anspruch 1, wobei die mehreren Instanzen alle Instanzen der Strukturen in den Entwurfsdaten umfassen.
  16. Verfahren nach Anspruch 1, wobei ferner vor dem Vergleichen ein Interpolieren der mehreren Instanzen der Strukturen mit einem gemeinsamen Pixelraster durchgeführt wird.
  17. Verfahren nach Anspruch 1, wobei ferner während der Inspektion und vor dem Vergleichen ein Ausrichten der Ausgabe für die zwei oder mehr der mehreren Instanzen in entsprechenden Pixelströmen der Ausgabe erzeugt wird.
  18. Ein nicht-vorübergehendes, computerlesbares Medium, das Programmanweisungen speichert, die auf einem Computersystem ausführbar sind, um ein computerimplementiertes Verfahren zur Inspektion eines Wafers auszuführen, wobei das computerimplementierte Verfahren die folgenden Schritte umfasst: • Identifizieren mehrerer Instanzen von Strukturen in einem Entwurf für einen Wafer, wobei die Strukturen die gleichen oder im Wesentlichen die gleichen geometrischen Eigenschaften besitzen, und wobei das Identifizieren unter Verwendung von Entwurfs- bzw. Konstruktionsdaten für den Entwurf durchgeführt wird; • Vergleichen der Ausgabe eines Inspektionssystems für zwei oder mehr der auf dem Wafer ausgebildeten mehreren Instanzen untereinander, wobei die zwei oder mehr der mehreren Instanzen in dem gleichen Die auf dem Wafer angeordnet sind; und • Erfassen von Defekten auf dem Wafer basierend auf Ergebnissen des Vergleichs.
  19. Ein System, das für die Inspektion eines Wafers geeignet ist, umfasst: • ein Subsystem für die Inspektion, das für die Erzeugung einer Ausgabe für einen Wafer ausgebildet ist; und • ein Computer-Subsystem zum – Identifizieren mehrerer Instanzen von Strukturen in einem Entwurf für einen Wafer, wobei die Strukturen die gleichen oder im Wesentlichen die gleichen geometrischen Eigenschaften besitzen, und wobei das Identifizieren unter Verwendung von Entwurfs- bzw. Konstruktionsdaten für den Entwurf durchführbar ist; – Vergleichen der Ausgabe des Inspektionssubsystems für zwei oder mehr der auf dem Wafer ausgebildeten mehreren Instanzen untereinander, wobei die zwei oder mehr der mehreren Instanzen in dem gleichen Die auf dem Wafer angeordnet sind; und – Erfassen von Defekten auf dem Wafer basierend auf Ergebnissen des Vergleichs.
DE112012001439.1T 2011-03-25 2012-03-19 Computerimplementierte entwurfsbasierte Inspektion unter Verwendung wiederholender Strukturen Active DE112012001439B4 (de)

Applications Claiming Priority (7)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US201161467964P 2011-03-25 2011-03-25
US61/467,964 2011-03-25
USUS-61/467,964 2011-03-25
USUS-13/420,224 2012-03-14
US13/420,224 US9170211B2 (en) 2011-03-25 2012-03-14 Design-based inspection using repeating structures
US13/420,224 2012-03-14
PCT/US2012/029676 WO2012134867A2 (en) 2011-03-25 2012-03-19 Design-based inspection using repeating structures

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE112012001439T5 true DE112012001439T5 (de) 2014-01-16
DE112012001439B4 DE112012001439B4 (de) 2020-09-10

Family

ID=46877402

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE112012001439.1T Active DE112012001439B4 (de) 2011-03-25 2012-03-19 Computerimplementierte entwurfsbasierte Inspektion unter Verwendung wiederholender Strukturen

Country Status (6)

Country Link
US (1) US9170211B2 (de)
KR (1) KR101787161B1 (de)
CN (1) CN103503126B (de)
DE (1) DE112012001439B4 (de)
TW (1) TWI533383B (de)
WO (1) WO2012134867A2 (de)

Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9355208B2 (en) * 2013-07-08 2016-05-31 Kla-Tencor Corp. Detecting defects on a wafer
US10127653B2 (en) * 2014-07-22 2018-11-13 Kla-Tencor Corp. Determining coordinates for an area of interest on a specimen
US10483081B2 (en) 2014-10-22 2019-11-19 Kla-Tencor Corp. Self directed metrology and pattern classification
US10267746B2 (en) * 2014-10-22 2019-04-23 Kla-Tencor Corp. Automated pattern fidelity measurement plan generation
CN107111870B (zh) * 2014-10-27 2021-08-06 科磊股份有限公司 对计量目标成像的质量估计及改进
US10012689B2 (en) 2015-03-25 2018-07-03 Applied Materials Israel Ltd. Method of inspecting a specimen and system thereof
US10062543B2 (en) 2015-06-23 2018-08-28 Kla-Tencor Corp. Determining multi-patterning step overlay error
US10127651B2 (en) * 2016-01-15 2018-11-13 Kla-Tencor Corporation Defect sensitivity of semiconductor wafer inspectors using design data with wafer image data
NL2019504B1 (en) * 2016-09-08 2018-07-02 Mapper Lithography Ip Bv Secure chips with serial numbers
US10866506B2 (en) * 2018-10-30 2020-12-15 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Photo mask data correction method
US11748871B2 (en) * 2020-09-28 2023-09-05 KLA Corp. Alignment of a specimen for inspection and other processes

Family Cites Families (419)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3495269A (en) 1966-12-19 1970-02-10 Xerox Corp Electrographic recording method and apparatus with inert gaseous discharge ionization and acceleration gaps
US3496352A (en) 1967-06-05 1970-02-17 Xerox Corp Self-cleaning corona generating apparatus
US3909602A (en) 1973-09-27 1975-09-30 California Inst Of Techn Automatic visual inspection system for microelectronics
US4015203A (en) 1975-12-31 1977-03-29 International Business Machines Corporation Contactless LSI junction leakage testing method
US4347001A (en) 1978-04-03 1982-08-31 Kla Instruments Corporation Automatic photomask inspection system and apparatus
US4247203A (en) 1978-04-03 1981-01-27 Kla Instrument Corporation Automatic photomask inspection system and apparatus
FR2473789A1 (fr) 1980-01-09 1981-07-17 Ibm France Procedes et structures de test pour circuits integres a semi-conducteurs permettant la determination electrique de certaines tolerances lors des etapes photolithographiques.
US4378159A (en) 1981-03-30 1983-03-29 Tencor Instruments Scanning contaminant and defect detector
US4448532A (en) 1981-03-31 1984-05-15 Kla Instruments Corporation Automatic photomask inspection method and system
US4475122A (en) 1981-11-09 1984-10-02 Tre Semiconductor Equipment Corporation Automatic wafer alignment technique
US4926489A (en) 1983-03-11 1990-05-15 Kla Instruments Corporation Reticle inspection system
US4579455A (en) 1983-05-09 1986-04-01 Kla Instruments Corporation Photomask inspection apparatus and method with improved defect detection
US4532650A (en) 1983-05-12 1985-07-30 Kla Instruments Corporation Photomask inspection apparatus and method using corner comparator defect detection algorithm
US4555798A (en) 1983-06-20 1985-11-26 Kla Instruments Corporation Automatic system and method for inspecting hole quality
US4578810A (en) 1983-08-08 1986-03-25 Itek Corporation System for printed circuit board defect detection
JPS6062122A (ja) 1983-09-16 1985-04-10 Fujitsu Ltd マスクパターンの露光方法
US4599558A (en) 1983-12-14 1986-07-08 Ibm Photovoltaic imaging for large area semiconductors
US4595289A (en) 1984-01-25 1986-06-17 At&T Bell Laboratories Inspection system utilizing dark-field illumination
JPS60263807A (ja) 1984-06-12 1985-12-27 Dainippon Screen Mfg Co Ltd プリント配線板のパタ−ン欠陥検査装置
US4633504A (en) 1984-06-28 1986-12-30 Kla Instruments Corporation Automatic photomask inspection system having image enhancement means
US4817123A (en) 1984-09-21 1989-03-28 Picker International Digital radiography detector resolution improvement
JPH0648380B2 (ja) 1985-06-13 1994-06-22 株式会社東芝 マスク検査方法
US4734721A (en) 1985-10-04 1988-03-29 Markem Corporation Electrostatic printer utilizing dehumidified air
US4641967A (en) 1985-10-11 1987-02-10 Tencor Instruments Particle position correlator and correlation method for a surface scanner
US4928313A (en) 1985-10-25 1990-05-22 Synthetic Vision Systems, Inc. Method and system for automatically visually inspecting an article
US5046109A (en) 1986-03-12 1991-09-03 Nikon Corporation Pattern inspection apparatus
US4814829A (en) 1986-06-12 1989-03-21 Canon Kabushiki Kaisha Projection exposure apparatus
US4805123B1 (en) 1986-07-14 1998-10-13 Kla Instr Corp Automatic photomask and reticle inspection method and apparatus including improved defect detector and alignment sub-systems
US4758094A (en) 1987-05-15 1988-07-19 Kla Instruments Corp. Process and apparatus for in-situ qualification of master patterns used in patterning systems
US4766324A (en) 1987-08-07 1988-08-23 Tencor Instruments Particle detection method including comparison between sequential scans
US4812756A (en) 1987-08-26 1989-03-14 International Business Machines Corporation Contactless technique for semicondutor wafer testing
US4845558A (en) 1987-12-03 1989-07-04 Kla Instruments Corporation Method and apparatus for detecting defects in repeated microminiature patterns
US4877326A (en) 1988-02-19 1989-10-31 Kla Instruments Corporation Method and apparatus for optical inspection of substrates
US5054097A (en) 1988-11-23 1991-10-01 Schlumberger Technologies, Inc. Methods and apparatus for alignment of images
US5155336A (en) 1990-01-19 1992-10-13 Applied Materials, Inc. Rapid thermal heating apparatus and method
US5124927A (en) 1990-03-02 1992-06-23 International Business Machines Corp. Latent-image control of lithography tools
JP3707172B2 (ja) 1996-01-24 2005-10-19 富士ゼロックス株式会社 画像読取装置
US5189481A (en) 1991-07-26 1993-02-23 Tencor Instruments Particle detector for rough surfaces
DE69208413T2 (de) 1991-08-22 1996-11-14 Kla Instr Corp Gerät zur automatischen Prüfung von Photomaske
US5563702A (en) 1991-08-22 1996-10-08 Kla Instruments Corporation Automated photomask inspection apparatus and method
CA2131692A1 (en) 1992-03-09 1993-09-16 Sybille Muller An anti-idiotypic antibody and its use in diagnosis and therapy in hiv-related disease
US6205259B1 (en) 1992-04-09 2001-03-20 Olympus Optical Co., Ltd. Image processing apparatus
JP2667940B2 (ja) 1992-04-27 1997-10-27 三菱電機株式会社 マスク検査方法およびマスク検出装置
JP3730263B2 (ja) 1992-05-27 2005-12-21 ケーエルエー・インストルメンツ・コーポレーション 荷電粒子ビームを用いた自動基板検査の装置及び方法
JP3212389B2 (ja) 1992-10-26 2001-09-25 株式会社キリンテクノシステム 固体上の異物検査方法
KR100300618B1 (ko) 1992-12-25 2001-11-22 오노 시게오 노광방법,노광장치,및그장치를사용하는디바이스제조방법
US5448053A (en) 1993-03-01 1995-09-05 Rhoads; Geoffrey B. Method and apparatus for wide field distortion-compensated imaging
US5355212A (en) 1993-07-19 1994-10-11 Tencor Instruments Process for inspecting patterned wafers
US5453844A (en) 1993-07-21 1995-09-26 The University Of Rochester Image data coding and compression system utilizing controlled blurring
US5497381A (en) 1993-10-15 1996-03-05 Analog Devices, Inc. Bitstream defect analysis method for integrated circuits
US5544256A (en) 1993-10-22 1996-08-06 International Business Machines Corporation Automated defect classification system
JPH07159337A (ja) 1993-12-07 1995-06-23 Sony Corp 半導体素子の欠陥検査方法
US5500607A (en) 1993-12-22 1996-03-19 International Business Machines Corporation Probe-oxide-semiconductor method and apparatus for measuring oxide charge on a semiconductor wafer
US5696835A (en) 1994-01-21 1997-12-09 Texas Instruments Incorporated Apparatus and method for aligning and measuring misregistration
US5553168A (en) 1994-01-21 1996-09-03 Texas Instruments Incorporated System and method for recognizing visual indicia
US5883710A (en) 1994-12-08 1999-03-16 Kla-Tencor Corporation Scanning system for inspecting anomalies on surfaces
US5572608A (en) 1994-08-24 1996-11-05 International Business Machines Corporation Sinc filter in linear lumen space for scanner
US5608538A (en) 1994-08-24 1997-03-04 International Business Machines Corporation Scan line queuing for high performance image correction
US5528153A (en) 1994-11-07 1996-06-18 Texas Instruments Incorporated Method for non-destructive, non-contact measurement of dielectric constant of thin films
US6014461A (en) 1994-11-30 2000-01-11 Texas Instruments Incorporated Apparatus and method for automatic knowlege-based object identification
US5694478A (en) 1994-12-15 1997-12-02 Minnesota Mining And Manufacturing Company Method and apparatus for detecting and identifying microbial colonies
US5948972A (en) 1994-12-22 1999-09-07 Kla-Tencor Corporation Dual stage instrument for scanning a specimen
CA2139182A1 (en) 1994-12-28 1996-06-29 Paul Chevrette Method and system for fast microscanning
US5661408A (en) 1995-03-01 1997-08-26 Qc Solutions, Inc. Real-time in-line testing of semiconductor wafers
US5991699A (en) 1995-05-04 1999-11-23 Kla Instruments Corporation Detecting groups of defects in semiconductor feature space
US5485091A (en) 1995-05-12 1996-01-16 International Business Machines Corporation Contactless electrical thin oxide measurements
TW341664B (en) 1995-05-12 1998-10-01 Ibm Photovoltaic oxide charge measurement probe technique
US5644223A (en) 1995-05-12 1997-07-01 International Business Machines Corporation Uniform density charge deposit source
US20020054291A1 (en) 1997-06-27 2002-05-09 Tsai Bin-Ming Benjamin Inspection system simultaneously utilizing monochromatic darkfield and broadband brightfield illumination sources
US6288780B1 (en) 1995-06-06 2001-09-11 Kla-Tencor Technologies Corp. High throughput brightfield/darkfield wafer inspection system using advanced optical techniques
US5649169A (en) 1995-06-20 1997-07-15 Advanced Micro Devices, Inc. Method and system for declustering semiconductor defect data
US5594247A (en) 1995-07-07 1997-01-14 Keithley Instruments, Inc. Apparatus and method for depositing charge on a semiconductor wafer
US5773989A (en) 1995-07-14 1998-06-30 University Of South Florida Measurement of the mobile ion concentration in the oxide layer of a semiconductor wafer
US5621519A (en) 1995-07-31 1997-04-15 Neopath, Inc. Imaging system transfer function control method and apparatus
US5619548A (en) 1995-08-11 1997-04-08 Oryx Instruments And Materials Corp. X-ray thickness gauge
DE69634089T2 (de) 1995-10-02 2005-12-08 Kla-Tencor Corp., San Jose Verbesserung der ausrichtung von inspektionsystemen vor der bildaufnahme
US5754678A (en) 1996-01-17 1998-05-19 Photon Dynamics, Inc. Substrate inspection apparatus and method
JPH09320505A (ja) 1996-03-29 1997-12-12 Hitachi Ltd 電子線式検査方法及びその装置並びに半導体の製造方法及びその製造ライン
US5673208A (en) 1996-04-11 1997-09-30 Micron Technology, Inc. Focus spot detection method and system
US5917332A (en) 1996-05-09 1999-06-29 Advanced Micro Devices, Inc. Arrangement for improving defect scanner sensitivity and scanning defects on die of a semiconductor wafer
US5742658A (en) 1996-05-23 1998-04-21 Advanced Micro Devices, Inc. Apparatus and method for determining the elemental compositions and relative locations of particles on the surface of a semiconductor wafer
JP3634505B2 (ja) 1996-05-29 2005-03-30 株式会社ルネサステクノロジ アライメントマーク配置方法
US6091846A (en) 1996-05-31 2000-07-18 Texas Instruments Incorporated Method and system for anomaly detection
US6205239B1 (en) 1996-05-31 2001-03-20 Texas Instruments Incorporated System and method for circuit repair
US6292582B1 (en) 1996-05-31 2001-09-18 Lin Youling Method and system for identifying defects in a semiconductor
US6246787B1 (en) 1996-05-31 2001-06-12 Texas Instruments Incorporated System and method for knowledgebase generation and management
IL118804A0 (en) 1996-07-05 1996-10-31 Orbot Instr Ltd Data converter apparatus and method particularly useful for a database-to-object inspection system
US5822218A (en) 1996-08-27 1998-10-13 Clemson University Systems, methods and computer program products for prediction of defect-related failures in integrated circuits
US5767693A (en) 1996-09-04 1998-06-16 Smithley Instruments, Inc. Method and apparatus for measurement of mobile charges with a corona screen gun
US6076465A (en) 1996-09-20 2000-06-20 Kla-Tencor Corporation System and method for determining reticle defect printability
KR100200734B1 (ko) 1996-10-10 1999-06-15 윤종용 에어리얼 이미지 측정 장치 및 방법
US5866806A (en) 1996-10-11 1999-02-02 Kla-Tencor Corporation System for locating a feature of a surface
US5928389A (en) 1996-10-21 1999-07-27 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for priority based scheduling of wafer processing within a multiple chamber semiconductor wafer processing tool
US6259960B1 (en) 1996-11-01 2001-07-10 Joel Ltd. Part-inspecting system
US5852232A (en) 1997-01-02 1998-12-22 Kla-Tencor Corporation Acoustic sensor as proximity detector
US5978501A (en) 1997-01-03 1999-11-02 International Business Machines Corporation Adaptive inspection method and system
US5955661A (en) 1997-01-06 1999-09-21 Kla-Tencor Corporation Optical profilometer combined with stylus probe measurement device
US5795685A (en) 1997-01-14 1998-08-18 International Business Machines Corporation Simple repair method for phase shifting masks
US5889593A (en) 1997-02-26 1999-03-30 Kla Instruments Corporation Optical system and method for angle-dependent reflection or transmission measurement
US5980187A (en) 1997-04-16 1999-11-09 Kla-Tencor Corporation Mechanism for transporting semiconductor-process masks
US6121783A (en) 1997-04-22 2000-09-19 Horner; Gregory S. Method and apparatus for establishing electrical contact between a wafer and a chuck
US6097196A (en) 1997-04-23 2000-08-01 Verkuil; Roger L. Non-contact tunnelling field measurement for a semiconductor oxide layer
US6078738A (en) 1997-05-08 2000-06-20 Lsi Logic Corporation Comparing aerial image to SEM of photoresist or substrate pattern for masking process characterization
KR100308811B1 (ko) 1997-05-10 2001-12-15 박종섭 Gps를이용한시간및주파수발생장치의시간오차개선방법
US6201999B1 (en) 1997-06-09 2001-03-13 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for automatically generating schedules for wafer processing within a multichamber semiconductor wafer processing tool
US6011404A (en) 1997-07-03 2000-01-04 Lucent Technologies Inc. System and method for determining near--surface lifetimes and the tunneling field of a dielectric in a semiconductor
US6072320A (en) 1997-07-30 2000-06-06 Verkuil; Roger L. Product wafer junction leakage measurement using light and eddy current
US6104206A (en) 1997-08-05 2000-08-15 Verkuil; Roger L. Product wafer junction leakage measurement using corona and a kelvin probe
US5834941A (en) 1997-08-11 1998-11-10 Keithley Instruments, Inc. Mobile charge measurement using corona charge and ultraviolet light
US6191605B1 (en) 1997-08-18 2001-02-20 Tom G. Miller Contactless method for measuring total charge of an insulating layer on a substrate using corona charge
JP2984633B2 (ja) 1997-08-29 1999-11-29 日本電気株式会社 参照画像作成方法およびパターン検査装置
US7107571B2 (en) 1997-09-17 2006-09-12 Synopsys, Inc. Visual analysis and verification system using advanced tools
US6470489B1 (en) 1997-09-17 2002-10-22 Numerical Technologies, Inc. Design rule checking system and method
US6757645B2 (en) 1997-09-17 2004-06-29 Numerical Technologies, Inc. Visual inspection and verification system
US6578188B1 (en) 1997-09-17 2003-06-10 Numerical Technologies, Inc. Method and apparatus for a network-based mask defect printability analysis system
US5965306A (en) 1997-10-15 1999-10-12 International Business Machines Corporation Method of determining the printability of photomask defects
US5874733A (en) 1997-10-16 1999-02-23 Raytheon Company Convergent beam scanner linearizing method and apparatus
US6097887A (en) 1997-10-27 2000-08-01 Kla-Tencor Corporation Software system and method for graphically building customized recipe flowcharts
US6233719B1 (en) 1997-10-27 2001-05-15 Kla-Tencor Corporation System and method for analyzing semiconductor production data
EP1025512A4 (de) 1997-10-27 2005-01-19 Kla Tencor Corp Software-system und verfahren zum ausdehnen von klassifizierungen und eigenschaften in der produktionsanalyse
US6110011A (en) 1997-11-10 2000-08-29 Applied Materials, Inc. Integrated electrodeposition and chemical-mechanical polishing tool
US6104835A (en) 1997-11-14 2000-08-15 Kla-Tencor Corporation Automatic knowledge database generation for classifying objects and systems therefor
JPH11162832A (ja) 1997-11-25 1999-06-18 Nikon Corp 走査露光方法及び走査型露光装置
US5999003A (en) 1997-12-12 1999-12-07 Advanced Micro Devices, Inc. Intelligent usage of first pass defect data for improved statistical accuracy of wafer level classification
US6614520B1 (en) 1997-12-18 2003-09-02 Kla-Tencor Corporation Method for inspecting a reticle
US6060709A (en) 1997-12-31 2000-05-09 Verkuil; Roger L. Apparatus and method for depositing uniform charge on a thin oxide semiconductor wafer
US6122017A (en) 1998-01-22 2000-09-19 Hewlett-Packard Company Method for providing motion-compensated multi-field enhancement of still images from video
US6175645B1 (en) 1998-01-22 2001-01-16 Applied Materials, Inc. Optical inspection method and apparatus
US6171737B1 (en) 1998-02-03 2001-01-09 Advanced Micro Devices, Inc. Low cost application of oxide test wafer for defect monitor in photolithography process
KR100474746B1 (ko) 1998-02-12 2005-03-08 에이씨엠 리서치, 인코포레이티드 도금 장치 및 방법
US5932377A (en) 1998-02-24 1999-08-03 International Business Machines Corporation Exact transmission balanced alternating phase-shifting mask for photolithography
US6091845A (en) 1998-02-24 2000-07-18 Micron Technology, Inc. Inspection technique of photomask
US6091257A (en) 1998-02-26 2000-07-18 Verkuil; Roger L. Vacuum activated backside contact
US6295374B1 (en) 1998-04-06 2001-09-25 Integral Vision, Inc. Method and system for detecting a flaw in a sample image
US6408219B2 (en) 1998-05-11 2002-06-18 Applied Materials, Inc. FAB yield enhancement system
US6282309B1 (en) 1998-05-29 2001-08-28 Kla-Tencor Corporation Enhanced sensitivity automated photomask inspection system
US6137570A (en) 1998-06-30 2000-10-24 Kla-Tencor Corporation System and method for analyzing topological features on a surface
US6987873B1 (en) 1998-07-08 2006-01-17 Applied Materials, Inc. Automatic defect classification with invariant core classes
JP2000089148A (ja) 1998-07-13 2000-03-31 Canon Inc 光走査装置及びそれを用いた画像形成装置
US6324298B1 (en) 1998-07-15 2001-11-27 August Technology Corp. Automated wafer defect inspection system and a process of performing such inspection
US6266437B1 (en) 1998-09-04 2001-07-24 Sandia Corporation Sequential detection of web defects
US6466314B1 (en) 1998-09-17 2002-10-15 Applied Materials, Inc. Reticle design inspection system
US6040912A (en) 1998-09-30 2000-03-21 Advanced Micro Devices, Inc. Method and apparatus for detecting process sensitivity to integrated circuit layout using wafer to wafer defect inspection device
US6122046A (en) 1998-10-02 2000-09-19 Applied Materials, Inc. Dual resolution combined laser spot scanning and area imaging inspection
US6535628B2 (en) 1998-10-15 2003-03-18 Applied Materials, Inc. Detection of wafer fragments in a wafer processing apparatus
US6393602B1 (en) 1998-10-21 2002-05-21 Texas Instruments Incorporated Method of a comprehensive sequential analysis of the yield losses of semiconductor wafers
JP3860347B2 (ja) 1998-10-30 2006-12-20 富士通株式会社 リンク処理装置
US6248486B1 (en) 1998-11-23 2001-06-19 U.S. Philips Corporation Method of detecting aberrations of an optical imaging system
US6476913B1 (en) 1998-11-30 2002-11-05 Hitachi, Ltd. Inspection method, apparatus and system for circuit pattern
US6529621B1 (en) 1998-12-17 2003-03-04 Kla-Tencor Mechanisms for making and inspecting reticles
US6539106B1 (en) 1999-01-08 2003-03-25 Applied Materials, Inc. Feature-based defect detection
US6373975B1 (en) 1999-01-25 2002-04-16 International Business Machines Corporation Error checking of simulated printed images with process window effects included
US6252981B1 (en) 1999-03-17 2001-06-26 Semiconductor Technologies & Instruments, Inc. System and method for selection of a reference die
US7106895B1 (en) 1999-05-05 2006-09-12 Kla-Tencor Method and apparatus for inspecting reticles implementing parallel processing
AU3676500A (en) 1999-05-07 2000-11-21 Nikon Corporation Aligner, microdevice, photomask, exposure method, and method of manufacturing device
EP1190238A1 (de) 1999-05-18 2002-03-27 Applied Materials, Inc. Verfahren und vorrichtung zur überprüfung von artikeln durch vergleich mit einem master
US6526164B1 (en) 1999-05-27 2003-02-25 International Business Machines Corporation Intelligent photomask disposition
US6922482B1 (en) 1999-06-15 2005-07-26 Applied Materials, Inc. Hybrid invariant adaptive automatic defect classification
US6407373B1 (en) 1999-06-15 2002-06-18 Applied Materials, Inc. Apparatus and method for reviewing defects on an object
JP2001143982A (ja) 1999-06-29 2001-05-25 Applied Materials Inc 半導体デバイス製造のための統合臨界寸法制御
WO2001003380A1 (fr) 1999-07-02 2001-01-11 Fujitsu Limited Dispositif d'attribution de services
US6776692B1 (en) 1999-07-09 2004-08-17 Applied Materials Inc. Closed-loop control of wafer polishing in a chemical mechanical polishing system
US6466895B1 (en) 1999-07-16 2002-10-15 Applied Materials, Inc. Defect reference system automatic pattern classification
US6248485B1 (en) 1999-07-19 2001-06-19 Lucent Technologies Inc. Method for controlling a process for patterning a feature in a photoresist
US6754305B1 (en) 1999-08-02 2004-06-22 Therma-Wave, Inc. Measurement of thin films and barrier layers on patterned wafers with X-ray reflectometry
US6466315B1 (en) 1999-09-03 2002-10-15 Applied Materials, Inc. Method and system for reticle inspection by photolithography simulation
US20020144230A1 (en) 1999-09-22 2002-10-03 Dupont Photomasks, Inc. System and method for correcting design rule violations in a mask layout file
KR100335491B1 (ko) 1999-10-13 2002-05-04 윤종용 공정 파라미터 라이브러리를 내장한 웨이퍼 검사장비 및 웨이퍼 검사시의 공정 파라미터 설정방법
US6268093B1 (en) 1999-10-13 2001-07-31 Applied Materials, Inc. Method for reticle inspection using aerial imaging
FR2801673B1 (fr) 1999-11-26 2001-12-28 Pechiney Aluminium Procede de mesure du degre et de l'homogeneite de calcination des alumines
AU1553601A (en) 1999-11-29 2001-06-12 Olympus Optical Co., Ltd. Defect inspecting system
US7190292B2 (en) 1999-11-29 2007-03-13 Bizjak Karl M Input level adjust system and method
US6999614B1 (en) 1999-11-29 2006-02-14 Kla-Tencor Corporation Power assisted automatic supervised classifier creation tool for semiconductor defects
US6738954B1 (en) 1999-12-08 2004-05-18 International Business Machines Corporation Method for prediction random defect yields of integrated circuits with accuracy and computation time controls
US6553329B2 (en) 1999-12-13 2003-04-22 Texas Instruments Incorporated System for mapping logical functional test data of logical integrated circuits to physical representation using pruned diagnostic list
US6771806B1 (en) 1999-12-14 2004-08-03 Kla-Tencor Multi-pixel methods and apparatus for analysis of defect information from test structures on semiconductor devices
US6445199B1 (en) 1999-12-14 2002-09-03 Kla-Tencor Corporation Methods and apparatus for generating spatially resolved voltage contrast maps of semiconductor test structures
US6701004B1 (en) 1999-12-22 2004-03-02 Intel Corporation Detecting defects on photomasks
US6778695B1 (en) 1999-12-23 2004-08-17 Franklin M. Schellenberg Design-based reticle defect prioritization
JP4419250B2 (ja) 2000-02-15 2010-02-24 株式会社ニコン 欠陥検査装置
US7120285B1 (en) 2000-02-29 2006-10-10 Advanced Micro Devices, Inc. Method for evaluation of reticle image using aerial image simulator
US6451690B1 (en) 2000-03-13 2002-09-17 Matsushita Electronics Corporation Method of forming electrode structure and method of fabricating semiconductor device
US6482557B1 (en) 2000-03-24 2002-11-19 Dupont Photomasks, Inc. Method and apparatus for evaluating the runability of a photomask inspection tool
US6569691B1 (en) 2000-03-29 2003-05-27 Semiconductor Diagnostics, Inc. Measurement of different mobile ion concentrations in the oxide layer of a semiconductor wafer
WO2001086698A2 (en) 2000-05-10 2001-11-15 Kla-Tencor, Inc. Method and system for detecting metal contamination on a semiconductor wafer
US6425113B1 (en) 2000-06-13 2002-07-23 Leigh C. Anderson Integrated verification and manufacturability tool
US7135676B2 (en) 2000-06-27 2006-11-14 Ebara Corporation Inspection system by charged particle beam and method of manufacturing devices using the system
JP2002032737A (ja) 2000-07-14 2002-01-31 Seiko Instruments Inc 半導体装置のパターン観察のためのナビゲーション方法及び装置
US6636301B1 (en) 2000-08-10 2003-10-21 Kla-Tencor Corporation Multiple beam inspection apparatus and method
US6634018B2 (en) 2000-08-24 2003-10-14 Texas Instruments Incorporated Optical proximity correction
JP2002071575A (ja) 2000-09-04 2002-03-08 Matsushita Electric Ind Co Ltd 欠陥検査解析方法および欠陥検査解析システム
TW513772B (en) 2000-09-05 2002-12-11 Komatsu Denshi Kinzoku Kk Apparatus for inspecting wafer surface, method for inspecting wafer surface, apparatus for judging defective wafer, method for judging defective wafer and information treatment apparatus of wafer surface
DE10044257A1 (de) 2000-09-07 2002-04-11 Infineon Technologies Ag Verfahren zum Erzeugen von Masken-Layout-Daten für die Lithografiesimulation und von optimierten Masken-Layout-Daten sowie zugehörige Vorrichtung und Programme
US6513151B1 (en) 2000-09-14 2003-01-28 Advanced Micro Devices, Inc. Full flow focus exposure matrix analysis and electrical testing for new product mask evaluation
US6919957B2 (en) 2000-09-20 2005-07-19 Kla-Tencor Technologies Corp. Methods and systems for determining a critical dimension, a presence of defects, and a thin film characteristic of a specimen
US6724489B2 (en) 2000-09-22 2004-04-20 Daniel Freifeld Three dimensional scanning camera
EP1322941A2 (de) 2000-10-02 2003-07-02 Applied Materials, Inc. Identifizierer für defektquellen
US6593152B2 (en) 2000-11-02 2003-07-15 Ebara Corporation Electron beam apparatus and method of manufacturing semiconductor device using the apparatus
US6753954B2 (en) 2000-12-06 2004-06-22 Asml Masktools B.V. Method and apparatus for detecting aberrations in a projection lens utilized for projection optics
US6602728B1 (en) 2001-01-05 2003-08-05 International Business Machines Corporation Method for generating a proximity model based on proximity rules
US6597193B2 (en) 2001-01-26 2003-07-22 Semiconductor Diagnostics, Inc. Steady state method for measuring the thickness and the capacitance of ultra thin dielectric in the presence of substantial leakage current
US6680621B2 (en) 2001-01-26 2004-01-20 Semiconductor Diagnostics, Inc. Steady state method for measuring the thickness and the capacitance of ultra thin dielectric in the presence of substantial leakage current
US20020145734A1 (en) 2001-02-09 2002-10-10 Cory Watkins Confocal 3D inspection system and process
JP3998577B2 (ja) 2001-03-12 2007-10-31 ピー・デイ・エフ ソリユーシヨンズ インコーポレイテツド 特徴付けビヒクル及びその設計方法、欠陥を識別する方法並びに欠陥サイズ分布を求める方法
US6873720B2 (en) 2001-03-20 2005-03-29 Synopsys, Inc. System and method of providing mask defect printability analysis
JP3973372B2 (ja) 2001-03-23 2007-09-12 株式会社日立製作所 荷電粒子線を用いた基板検査装置および基板検査方法
US6605478B2 (en) 2001-03-30 2003-08-12 Appleid Materials, Inc, Kill index analysis for automatic defect classification in semiconductor wafers
US6665065B1 (en) 2001-04-09 2003-12-16 Advanced Micro Devices, Inc. Defect detection in pellicized reticles via exposure at short wavelengths
JP4038356B2 (ja) 2001-04-10 2008-01-23 株式会社日立製作所 欠陥データ解析方法及びその装置並びにレビューシステム
JP4266082B2 (ja) 2001-04-26 2009-05-20 株式会社東芝 露光用マスクパターンの検査方法
JP4199939B2 (ja) 2001-04-27 2008-12-24 株式会社日立製作所 半導体検査システム
IL149588A (en) 2001-05-11 2007-07-24 Orbotech Ltd Image searching defect detector
JP2002353099A (ja) 2001-05-22 2002-12-06 Canon Inc 位置検出方法及び装置及び露光装置及びデバイス製造方法
US20030004699A1 (en) 2001-06-04 2003-01-02 Choi Charles Y. Method and apparatus for evaluating an integrated circuit model
US20020186878A1 (en) 2001-06-07 2002-12-12 Hoon Tan Seow System and method for multiple image analysis
US6779159B2 (en) 2001-06-08 2004-08-17 Sumitomo Mitsubishi Silicon Corporation Defect inspection method and defect inspection apparatus
JP3551163B2 (ja) 2001-06-08 2004-08-04 三菱住友シリコン株式会社 欠陥検査方法及び欠陥検査装置
US6581193B1 (en) 2001-06-13 2003-06-17 Kla-Tencor Apparatus and methods for modeling process effects and imaging effects in scanning electron microscopy
US7382447B2 (en) 2001-06-26 2008-06-03 Kla-Tencor Technologies Corporation Method for determining lithographic focus and exposure
US20030014146A1 (en) 2001-07-12 2003-01-16 Kabushiki Kaisha Toshiba Dangerous process/pattern detection system and method, danger detection program, and semiconductor device manufacturing method
US6593748B1 (en) 2001-07-12 2003-07-15 Advanced Micro Devices, Inc. Process integration of electrical thickness measurement of gate oxide and tunnel oxides by corona discharge technique
JP2003031477A (ja) 2001-07-17 2003-01-31 Hitachi Ltd 半導体装置の製造方法およびシステム
JP4122735B2 (ja) 2001-07-24 2008-07-23 株式会社日立製作所 半導体デバイスの検査方法および検査条件設定方法
US7030997B2 (en) 2001-09-11 2006-04-18 The Regents Of The University Of California Characterizing aberrations in an imaging lens and applications to visual testing and integrated circuit mask analysis
US7155698B1 (en) 2001-09-11 2006-12-26 The Regents Of The University Of California Method of locating areas in an image such as a photo mask layout that are sensitive to residual processing effects
CN1738429A (zh) 2001-09-12 2006-02-22 松下电器产业株式会社 图像解码方法
JP3870052B2 (ja) 2001-09-20 2007-01-17 株式会社日立製作所 半導体装置の製造方法及び欠陥検査データ処理方法
JP4035974B2 (ja) 2001-09-26 2008-01-23 株式会社日立製作所 欠陥観察方法及びその装置
JP3955450B2 (ja) 2001-09-27 2007-08-08 株式会社ルネサステクノロジ 試料検査方法
KR100576752B1 (ko) 2001-10-09 2006-05-03 에이에스엠엘 마스크툴즈 비.브이. 2차원 피처모델 캘리브레이션 및 최적화 방법
US6670082B2 (en) 2001-10-09 2003-12-30 Numerical Technologies, Inc. System and method for correcting 3D effects in an alternating phase-shifting mask
US7065239B2 (en) 2001-10-24 2006-06-20 Applied Materials, Inc. Automated repetitive array microstructure defect inspection
US6918101B1 (en) 2001-10-25 2005-07-12 Kla -Tencor Technologies Corporation Apparatus and methods for determining critical area of semiconductor design data
US6948141B1 (en) 2001-10-25 2005-09-20 Kla-Tencor Technologies Corporation Apparatus and methods for determining critical area of semiconductor design data
US6813572B2 (en) 2001-10-25 2004-11-02 Kla-Tencor Technologies Corporation Apparatus and methods for managing reliability of semiconductor devices
US6751519B1 (en) 2001-10-25 2004-06-15 Kla-Tencor Technologies Corporation Methods and systems for predicting IC chip yield
US6734696B2 (en) 2001-11-01 2004-05-11 Kla-Tencor Technologies Corp. Non-contact hysteresis measurements of insulating films
JP2003151483A (ja) 2001-11-19 2003-05-23 Hitachi Ltd 荷電粒子線を用いた回路パターン用基板検査装置および基板検査方法
US6886153B1 (en) 2001-12-21 2005-04-26 Kla-Tencor Corporation Design driven inspection or measurement for semiconductor using recipe
US6789032B2 (en) 2001-12-26 2004-09-07 International Business Machines Corporation Method of statistical binning for reliability selection
US6658640B2 (en) 2001-12-26 2003-12-02 Numerical Technologies, Inc. Simulation-based feed forward process control
KR100689694B1 (ko) 2001-12-27 2007-03-08 삼성전자주식회사 웨이퍼상에 발생된 결함을 검출하는 방법 및 장치
US6906305B2 (en) 2002-01-08 2005-06-14 Brion Technologies, Inc. System and method for aerial image sensing
US7236847B2 (en) 2002-01-16 2007-06-26 Kla-Tencor Technologies Corp. Systems and methods for closed loop defect reduction
JP2003215060A (ja) 2002-01-22 2003-07-30 Tokyo Seimitsu Co Ltd パターン検査方法及び検査装置
US6691052B1 (en) 2002-01-30 2004-02-10 Kla-Tencor Corporation Apparatus and methods for generating an inspection reference pattern
JP3629244B2 (ja) 2002-02-19 2005-03-16 本多エレクトロン株式会社 ウエーハ用検査装置
US7257247B2 (en) 2002-02-21 2007-08-14 International Business Machines Corporation Mask defect analysis system
US20030223639A1 (en) 2002-03-05 2003-12-04 Vladimir Shlain Calibration and recognition of materials in technical images using specific and non-specific features
US7693323B2 (en) 2002-03-12 2010-04-06 Applied Materials, Inc. Multi-detector defect detection system and a method for detecting defects
US20030192015A1 (en) 2002-04-04 2003-10-09 Numerical Technologies, Inc. Method and apparatus to facilitate test pattern design for model calibration and proximity correction
US6966047B1 (en) 2002-04-09 2005-11-15 Kla-Tencor Technologies Corporation Capturing designer intent in reticle inspection
US6642066B1 (en) 2002-05-15 2003-11-04 Advanced Micro Devices, Inc. Integrated process for depositing layer of high-K dielectric with in-situ control of K value and thickness of high-K dielectric layer
US6828542B2 (en) 2002-06-07 2004-12-07 Brion Technologies, Inc. System and method for lithography process monitoring and control
US7152215B2 (en) 2002-06-07 2006-12-19 Praesagus, Inc. Dummy fill for integrated circuits
US7363099B2 (en) 2002-06-07 2008-04-22 Cadence Design Systems, Inc. Integrated circuit metrology
US7124386B2 (en) 2002-06-07 2006-10-17 Praesagus, Inc. Dummy fill for integrated circuits
JP3826849B2 (ja) 2002-06-07 2006-09-27 株式会社Sumco 欠陥検査方法および欠陥検査装置
EP1532670A4 (de) 2002-06-07 2007-09-12 Praesagus Inc Charakterisierung und reduktion der variation f r integrierte schaltungen
US7393755B2 (en) 2002-06-07 2008-07-01 Cadence Design Systems, Inc. Dummy fill for integrated circuits
US20030229875A1 (en) 2002-06-07 2003-12-11 Smith Taber H. Use of models in integrated circuit fabrication
US7155052B2 (en) * 2002-06-10 2006-12-26 Tokyo Seimitsu (Israel) Ltd Method for pattern inspection
JP2004031709A (ja) 2002-06-27 2004-01-29 Seiko Instruments Inc ウエハレス測長レシピ生成装置
US6777676B1 (en) 2002-07-05 2004-08-17 Kla-Tencor Technologies Corporation Non-destructive root cause analysis on blocked contact or via
JP4073265B2 (ja) 2002-07-09 2008-04-09 富士通株式会社 検査装置及び検査方法
US7012438B1 (en) 2002-07-10 2006-03-14 Kla-Tencor Technologies Corp. Methods and systems for determining a property of an insulating film
EP1543451A4 (de) 2002-07-12 2010-11-17 Cadence Design Systems Inc Verfahren und system zum kontextspezifischen maskenschreiben
US7231628B2 (en) 2002-07-12 2007-06-12 Cadence Design Systems, Inc. Method and system for context-specific mask inspection
EP1523696B1 (de) 2002-07-15 2016-12-21 KLA-Tencor Corporation Defektinspektionsmethoden, die das aufnehmen des projizierten maskenabbildes unter verschiedenen lithographischen prozessvariablen beinhalten
US6902855B2 (en) 2002-07-15 2005-06-07 Kla-Tencor Technologies Qualifying patterns, patterning processes, or patterning apparatus in the fabrication of microlithographic patterns
US7042564B2 (en) 2002-08-08 2006-05-09 Applied Materials, Israel, Ltd. Wafer inspection methods and an optical inspection tool
US6775818B2 (en) 2002-08-20 2004-08-10 Lsi Logic Corporation Device parameter and gate performance simulation based on wafer image prediction
US6784446B1 (en) 2002-08-29 2004-08-31 Advanced Micro Devices, Inc. Reticle defect printability verification by resist latent image comparison
US20040049722A1 (en) 2002-09-09 2004-03-11 Kabushiki Kaisha Toshiba Failure analysis system, failure analysis method, a computer program product and a manufacturing method for a semiconductor device
KR20050065543A (ko) 2002-09-12 2005-06-29 엔라인 코포레이션 복소 영상의 획득 및 처리 시스템 및 방법
US7043071B2 (en) 2002-09-13 2006-05-09 Synopsys, Inc. Soft defect printability simulation and analysis for masks
US7504182B2 (en) 2002-09-18 2009-03-17 Fei Company Photolithography mask repair
KR100474571B1 (ko) 2002-09-23 2005-03-10 삼성전자주식회사 웨이퍼의 패턴 검사용 기준 이미지 설정 방법과 이 설정방법을 이용한 패턴 검사 방법 및 장치
US7061625B1 (en) 2002-09-27 2006-06-13 Kla-Tencor Technologies Corporation Method and apparatus using interferometric metrology for high aspect ratio inspection
JP4310090B2 (ja) 2002-09-27 2009-08-05 株式会社日立製作所 欠陥データ解析方法及びその装置並びにレビューシステム
US6831736B2 (en) 2002-10-07 2004-12-14 Applied Materials Israel, Ltd. Method of and apparatus for line alignment to compensate for static and dynamic inaccuracies in scanning
US7027143B1 (en) 2002-10-15 2006-04-11 Kla-Tencor Technologies Corp. Methods and systems for inspecting reticles using aerial imaging at off-stepper wavelengths
US7379175B1 (en) 2002-10-15 2008-05-27 Kla-Tencor Technologies Corp. Methods and systems for reticle inspection and defect review using aerial imaging
US7123356B1 (en) 2002-10-15 2006-10-17 Kla-Tencor Technologies Corp. Methods and systems for inspecting reticles using aerial imaging and die-to-database detection
JP4302965B2 (ja) 2002-11-01 2009-07-29 株式会社日立ハイテクノロジーズ 半導体デバイスの製造方法及びその製造システム
US6807503B2 (en) 2002-11-04 2004-10-19 Brion Technologies, Inc. Method and apparatus for monitoring integrated circuit fabrication
US7386839B1 (en) 2002-11-06 2008-06-10 Valery Golender System and method for troubleshooting software configuration problems using application tracing
AU2003290752A1 (en) 2002-11-12 2004-06-03 Fei Company Defect analyzer
US7457736B2 (en) 2002-11-21 2008-11-25 Synopsys, Inc. Automated creation of metrology recipes
US7136143B2 (en) 2002-12-13 2006-11-14 Smith Bruce W Method for aberration detection and measurement
US6882745B2 (en) 2002-12-19 2005-04-19 Freescale Semiconductor, Inc. Method and apparatus for translating detected wafer defect coordinates to reticle coordinates using CAD data
US7162071B2 (en) 2002-12-20 2007-01-09 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Progressive self-learning defect review and classification method
US7525659B2 (en) 2003-01-15 2009-04-28 Negevtech Ltd. System for detection of water defects
EP1592056B1 (de) 2003-02-03 2018-12-26 Sumco Corporation Prüfverfahren, herstellungsverfahren für analyseteil, analyseverfahren, analysator, herstellungsverfahren für soi-wafer und soi-wafer
US6990385B1 (en) 2003-02-03 2006-01-24 Kla-Tencor Technologies Corporation Defect detection using multiple sensors and parallel processing
US6718526B1 (en) 2003-02-07 2004-04-06 Kla-Tencor Corporation Spatial signature analysis
US7030966B2 (en) 2003-02-11 2006-04-18 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and method for optimizing an illumination source using photolithographic simulations
US7756320B2 (en) 2003-03-12 2010-07-13 Hitachi High-Technologies Corporation Defect classification using a logical equation for high stage classification
JP3699960B2 (ja) 2003-03-14 2005-09-28 株式会社東芝 検査レシピ作成システム、欠陥レビューシステム、検査レシピ作成方法及び欠陥レビュー方法
US7053355B2 (en) 2003-03-18 2006-05-30 Brion Technologies, Inc. System and method for lithography process monitoring and control
US7508973B2 (en) 2003-03-28 2009-03-24 Hitachi High-Technologies Corporation Method of inspecting defects
US6925614B2 (en) 2003-04-01 2005-08-02 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. System and method for protecting and integrating silicon intellectual property (IP) in an integrated circuit (IC)
US6952653B2 (en) 2003-04-29 2005-10-04 Kla-Tencor Technologies Corporation Single tool defect classification solution
US6859746B1 (en) 2003-05-01 2005-02-22 Advanced Micro Devices, Inc. Methods of using adaptive sampling techniques based upon categorization of process variations, and system for performing same
US7739064B1 (en) 2003-05-09 2010-06-15 Kla-Tencor Corporation Inline clustered defect reduction
JP2004340652A (ja) 2003-05-14 2004-12-02 Hitachi Ltd 欠陥検査装置および陽電子線応用装置
US6777147B1 (en) 2003-05-21 2004-08-17 International Business Machines Corporation Method for evaluating the effects of multiple exposure processes in lithography
US7068363B2 (en) 2003-06-06 2006-06-27 Kla-Tencor Technologies Corp. Systems for inspection of patterned or unpatterned wafers and other specimen
US7346470B2 (en) 2003-06-10 2008-03-18 International Business Machines Corporation System for identification of defects on circuits or other arrayed products
US9002497B2 (en) 2003-07-03 2015-04-07 Kla-Tencor Technologies Corp. Methods and systems for inspection of wafers and reticles using designer intent data
US7135344B2 (en) 2003-07-11 2006-11-14 Applied Materials, Israel, Ltd. Design-based monitoring
US6947588B2 (en) 2003-07-14 2005-09-20 August Technology Corp. Edge normal process
US7968859B2 (en) 2003-07-28 2011-06-28 Lsi Corporation Wafer edge defect inspection using captured image analysis
US6988045B2 (en) 2003-08-04 2006-01-17 Advanced Micro Devices, Inc. Dynamic metrology sampling methods, and system for performing same
US7271891B1 (en) 2003-08-29 2007-09-18 Kla-Tencor Technologies Corporation Apparatus and methods for providing selective defect sensitivity
US7433535B2 (en) 2003-09-30 2008-10-07 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Enhancing text-like edges in digital images
US7003758B2 (en) 2003-10-07 2006-02-21 Brion Technologies, Inc. System and method for lithography simulation
US7114143B2 (en) 2003-10-29 2006-09-26 Lsi Logic Corporation Process yield learning
US7103484B1 (en) 2003-10-31 2006-09-05 Kla-Tencor Technologies Corp. Non-contact methods for measuring electrical thickness and determining nitrogen content of insulating films
JP2005158780A (ja) 2003-11-20 2005-06-16 Hitachi Ltd パターン欠陥検査方法及びその装置
JP2005183907A (ja) 2003-11-26 2005-07-07 Matsushita Electric Ind Co Ltd パターン解析方法及びパターン解析装置
JP4351522B2 (ja) 2003-11-28 2009-10-28 株式会社日立ハイテクノロジーズ パターン欠陥検査装置およびパターン欠陥検査方法
US8151220B2 (en) 2003-12-04 2012-04-03 Kla-Tencor Technologies Corp. Methods for simulating reticle layout data, inspecting reticle layout data, and generating a process for inspecting reticle layout data
WO2005073807A1 (en) 2004-01-29 2005-08-11 Kla-Tencor Technologies Corporation Computer-implemented methods for detecting defects in reticle design data
JP4426871B2 (ja) 2004-02-25 2010-03-03 エスアイアイ・ナノテクノロジー株式会社 Fib/sem複合装置の画像ノイズ除去
US7194709B2 (en) 2004-03-05 2007-03-20 Keith John Brankner Automatic alignment of integrated circuit and design layout of integrated circuit to more accurately assess the impact of anomalies
JP2005283326A (ja) 2004-03-30 2005-10-13 Hitachi High-Technologies Corp 欠陥レビュー方法及びその装置
US7171334B2 (en) 2004-06-01 2007-01-30 Brion Technologies, Inc. Method and apparatus for synchronizing data acquisition of a monitored IC fabrication process
JP4347751B2 (ja) 2004-06-07 2009-10-21 株式会社アドバンテスト 不良解析システム及び不良箇所表示方法
US7207017B1 (en) 2004-06-10 2007-04-17 Advanced Micro Devices, Inc. Method and system for metrology recipe generation and review and analysis of design, simulation and metrology results
CN101002141B (zh) 2004-07-21 2011-12-28 恪纳腾技术公司 生成用于生成掩模版的仿真图像的仿真程序的输入的计算机实现的方法
WO2006012388A2 (en) 2004-07-22 2006-02-02 Kla-Tencor Technologies Corp. Test structures and methods for monitoring or controlling a semiconductor fabrication process
CA2573217C (en) 2004-08-09 2013-04-09 Bracco Research Sa An image registration method and apparatus for medical imaging based on mulptiple masks
US7310796B2 (en) 2004-08-27 2007-12-18 Applied Materials, Israel, Ltd. System and method for simulating an aerial image
TW200622275A (en) 2004-09-06 2006-07-01 Mentor Graphics Corp Integrated circuit yield and quality analysis methods and systems
JP4904034B2 (ja) 2004-09-14 2012-03-28 ケーエルエー−テンカー コーポレイション レチクル・レイアウト・データを評価するための方法、システム及び搬送媒体
US7142992B1 (en) 2004-09-30 2006-11-28 Kla-Tencor Technologies Corp. Flexible hybrid defect classification for semiconductor manufacturing
US8532949B2 (en) 2004-10-12 2013-09-10 Kla-Tencor Technologies Corp. Computer-implemented methods and systems for classifying defects on a specimen
US7729529B2 (en) 2004-12-07 2010-06-01 Kla-Tencor Technologies Corp. Computer-implemented methods for detecting and/or sorting defects in a design pattern of a reticle
KR20060075691A (ko) 2004-12-29 2006-07-04 삼성전자주식회사 결함 검사 방법
JP2006200972A (ja) 2005-01-19 2006-08-03 Tokyo Seimitsu Co Ltd 画像欠陥検査方法、画像欠陥検査装置及び外観検査装置
JP4895569B2 (ja) 2005-01-26 2012-03-14 株式会社日立ハイテクノロジーズ 帯電制御装置及び帯電制御装置を備えた計測装置
US7475382B2 (en) 2005-02-24 2009-01-06 Synopsys, Inc. Method and apparatus for determining an improved assist feature configuration in a mask layout
US7804993B2 (en) 2005-02-28 2010-09-28 Applied Materials South East Asia Pte. Ltd. Method and apparatus for detecting defects in wafers including alignment of the wafer images so as to induce the same smear in all images
US7813541B2 (en) 2005-02-28 2010-10-12 Applied Materials South East Asia Pte. Ltd. Method and apparatus for detecting defects in wafers
US7496880B2 (en) 2005-03-17 2009-02-24 Synopsys, Inc. Method and apparatus for assessing the quality of a process model
US7760347B2 (en) 2005-05-13 2010-07-20 Applied Materials, Inc. Design-based method for grouping systematic defects in lithography pattern writing system
US7760929B2 (en) 2005-05-13 2010-07-20 Applied Materials, Inc. Grouping systematic defects with feedback from electrical inspection
US7444615B2 (en) 2005-05-31 2008-10-28 Invarium, Inc. Calibration on wafer sweet spots
KR100687090B1 (ko) 2005-05-31 2007-02-26 삼성전자주식회사 결함 분류 방법
US7853920B2 (en) 2005-06-03 2010-12-14 Asml Netherlands B.V. Method for detecting, sampling, analyzing, and correcting marginal patterns in integrated circuit manufacturing
US7564017B2 (en) 2005-06-03 2009-07-21 Brion Technologies, Inc. System and method for characterizing aerial image quality in a lithography system
US7501215B2 (en) 2005-06-28 2009-03-10 Asml Netherlands B.V. Device manufacturing method and a calibration substrate
US20070002322A1 (en) 2005-06-30 2007-01-04 Yan Borodovsky Image inspection method
US8219940B2 (en) 2005-07-06 2012-07-10 Semiconductor Insights Inc. Method and apparatus for removing dummy features from a data structure
KR100663365B1 (ko) 2005-07-18 2007-01-02 삼성전자주식회사 내부에 적어도 한 쌍의 빔 경로들을 갖는 렌즈 유니트를구비하는 광학적 검사장비들 및 이를 사용하여 기판의 표면결함들을 검출하는 방법들
US7769225B2 (en) 2005-08-02 2010-08-03 Kla-Tencor Technologies Corp. Methods and systems for detecting defects in a reticle design pattern
US7488933B2 (en) 2005-08-05 2009-02-10 Brion Technologies, Inc. Method for lithography model calibration
JP4806020B2 (ja) 2005-08-08 2011-11-02 エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. リソグラフィプロセスのフォーカス露光モデルを作成するための方法、公称条件で使用するためのリソグラフィプロセスの単一のモデルを作成するための方法、およびコンピュータ読取可能媒体
US7749666B2 (en) 2005-08-09 2010-07-06 Asml Netherlands B.V. System and method for measuring and analyzing lithographic parameters and determining optimal process corrections
KR100909474B1 (ko) 2005-08-10 2009-07-28 삼성전자주식회사 웨이퍼 결함지수를 사용하여 국부성 불량 모드를 갖는결함성 반도체 웨이퍼의 검출 방법들 및 이에 사용되는장비들
EP1928583A4 (de) 2005-09-01 2010-02-03 Camtek Ltd Verfahren und system zur etablierung einer kontrollvorschrift
JP4203498B2 (ja) 2005-09-22 2009-01-07 アドバンスド・マスク・インスペクション・テクノロジー株式会社 画像補正装置、パターン検査装置、画像補正方法、及び、パターン欠陥検査方法
US8041103B2 (en) 2005-11-18 2011-10-18 Kla-Tencor Technologies Corp. Methods and systems for determining a position of inspection data in design data space
US7676077B2 (en) 2005-11-18 2010-03-09 Kla-Tencor Technologies Corp. Methods and systems for utilizing design data in combination with inspection data
US7570796B2 (en) 2005-11-18 2009-08-04 Kla-Tencor Technologies Corp. Methods and systems for utilizing design data in combination with inspection data
US7570800B2 (en) 2005-12-14 2009-08-04 Kla-Tencor Technologies Corp. Methods and systems for binning defects detected on a specimen
KR100696276B1 (ko) 2006-01-31 2007-03-19 (주)미래로시스템 웨이퍼 결함 검사 장비들로부터 획득된 측정 데이터들을이용한 자동 결함 분류 시스템
US7801353B2 (en) 2006-02-01 2010-09-21 Applied Materials Israel, Ltd. Method for defect detection using computer aided design data
SG170805A1 (en) 2006-02-09 2011-05-30 Kla Tencor Tech Corp Methods and systems for determining a characteristic of a wafer
JP4728144B2 (ja) 2006-02-28 2011-07-20 株式会社日立ハイテクノロジーズ 回路パターンの検査装置
WO2007137261A2 (en) 2006-05-22 2007-11-29 Kla-Tencor Technologies Corporation Methods and systems for detecting pinholes in a film formed on a wafer or for monitoring a thermal process tool
JP4791267B2 (ja) 2006-06-23 2011-10-12 株式会社日立ハイテクノロジーズ 欠陥検査システム
JP4165580B2 (ja) * 2006-06-29 2008-10-15 トヨタ自動車株式会社 画像処理装置及び画像処理プログラム
US8102408B2 (en) 2006-06-29 2012-01-24 Kla-Tencor Technologies Corp. Computer-implemented methods and systems for determining different process windows for a wafer printing process for different reticle designs
US7664608B2 (en) 2006-07-14 2010-02-16 Hitachi High-Technologies Corporation Defect inspection method and apparatus
JP2008041940A (ja) 2006-08-07 2008-02-21 Hitachi High-Technologies Corp Sem式レビュー装置並びにsem式レビュー装置を用いた欠陥のレビュー方法及び欠陥検査方法
US7904845B2 (en) 2006-12-06 2011-03-08 Kla-Tencor Corp. Determining locations on a wafer to be reviewed during defect review
WO2008077100A2 (en) 2006-12-19 2008-06-26 Kla-Tencor Corporation Systems and methods for creating inspection recipes
US8194968B2 (en) 2007-01-05 2012-06-05 Kla-Tencor Corp. Methods and systems for using electrical information for a device being fabricated on a wafer to perform one or more defect-related functions
JP4869129B2 (ja) 2007-03-30 2012-02-08 Hoya株式会社 パターン欠陥検査方法
US8073240B2 (en) 2007-05-07 2011-12-06 Kla-Tencor Corp. Computer-implemented methods, computer-readable media, and systems for identifying one or more optical modes of an inspection system as candidates for use in inspection of a layer of a wafer
US7738093B2 (en) 2007-05-07 2010-06-15 Kla-Tencor Corp. Methods for detecting and classifying defects on a reticle
US7962863B2 (en) 2007-05-07 2011-06-14 Kla-Tencor Corp. Computer-implemented methods, systems, and computer-readable media for determining a model for predicting printability of reticle features on a wafer
US7962864B2 (en) 2007-05-24 2011-06-14 Applied Materials, Inc. Stage yield prediction
US8799831B2 (en) 2007-05-24 2014-08-05 Applied Materials, Inc. Inline defect analysis for sampling and SPC
KR100877105B1 (ko) 2007-06-27 2009-01-07 주식회사 하이닉스반도체 반도체소자의 패턴 검증 방법
US7796804B2 (en) 2007-07-20 2010-09-14 Kla-Tencor Corp. Methods for generating a standard reference die for use in a die to standard reference die inspection and methods for inspecting a wafer
US8611639B2 (en) 2007-07-30 2013-12-17 Kla-Tencor Technologies Corp Semiconductor device property extraction, generation, visualization, and monitoring methods
US7711514B2 (en) 2007-08-10 2010-05-04 Kla-Tencor Technologies Corp. Computer-implemented methods, carrier media, and systems for generating a metrology sampling plan
WO2009026358A1 (en) 2007-08-20 2009-02-26 Kla-Tencor Corporation Computer-implemented methods for determining if actual defects are potentially systematic defects or potentially random defects
CN101861643B (zh) * 2007-08-30 2012-11-21 Bt成像股份有限公司 光生伏打电池制造
US8155428B2 (en) 2007-09-07 2012-04-10 Kla-Tencor Corporation Memory cell and page break inspection
US8126255B2 (en) 2007-09-20 2012-02-28 Kla-Tencor Corp. Systems and methods for creating persistent data for a wafer and for using persistent data for inspection-related functions
JP5022191B2 (ja) 2007-11-16 2012-09-12 株式会社日立ハイテクノロジーズ 欠陥検査方法及び欠陥検査装置
US7890917B1 (en) 2008-01-14 2011-02-15 Xilinx, Inc. Method and apparatus for providing secure intellectual property cores for a programmable logic device
US7774153B1 (en) 2008-03-17 2010-08-10 Kla-Tencor Corp. Computer-implemented methods, carrier media, and systems for stabilizing output acquired by an inspection system
US8139844B2 (en) 2008-04-14 2012-03-20 Kla-Tencor Corp. Methods and systems for determining a defect criticality index for defects on wafers
US8049877B2 (en) 2008-05-14 2011-11-01 Kla-Tencor Corp. Computer-implemented methods, carrier media, and systems for selecting polarization settings for an inspection system
US8000922B2 (en) 2008-05-29 2011-08-16 Kla-Tencor Corp. Methods and systems for generating information to be used for selecting values for one or more parameters of a detection algorithm
US9710903B2 (en) 2008-06-11 2017-07-18 Kla-Tencor Corp. System and method for detecting design and process defects on a wafer using process monitoring features
US7973921B2 (en) 2008-06-25 2011-07-05 Applied Materials South East Asia Pte Ltd. Dynamic illumination in optical inspection systems
KR20100061018A (ko) 2008-11-28 2010-06-07 삼성전자주식회사 다수 전자빔 조건의 멀티 스캔을 연산하여 새로운 패턴 이미지를 창출하는 반도체 소자의 디펙트 검사 장치 및 방법
US8041106B2 (en) 2008-12-05 2011-10-18 Kla-Tencor Corp. Methods and systems for detecting defects on a reticle
US9262303B2 (en) 2008-12-05 2016-02-16 Altera Corporation Automated semiconductor design flaw detection system
US8094924B2 (en) 2008-12-15 2012-01-10 Hermes-Microvision, Inc. E-beam defect review system
US8223327B2 (en) 2009-01-26 2012-07-17 Kla-Tencor Corp. Systems and methods for detecting defects on a wafer
JP5641463B2 (ja) 2009-01-27 2014-12-17 株式会社日立ハイテクノロジーズ 欠陥検査装置及びその方法
KR101674698B1 (ko) 2009-02-13 2016-11-09 케이엘에이-텐코어 코오포레이션 웨이퍼 상의 결함들 검출
US8112241B2 (en) 2009-03-13 2012-02-07 Kla-Tencor Corp. Methods and systems for generating an inspection process for a wafer
JP2010256242A (ja) 2009-04-27 2010-11-11 Hitachi High-Technologies Corp 欠陥検査装置及び欠陥検査方法
US8295580B2 (en) 2009-09-02 2012-10-23 Hermes Microvision Inc. Substrate and die defect inspection method
US8437967B2 (en) 2010-01-27 2013-05-07 International Business Machines Corporation Method and system for inspecting multi-layer reticles
KR20120068128A (ko) 2010-12-17 2012-06-27 삼성전자주식회사 패턴의 결함 검출 방법 및 이를 수행하기 위한 결함 검출 장치
JP5715873B2 (ja) 2011-04-20 2015-05-13 株式会社日立ハイテクノロジーズ 欠陥分類方法及び欠陥分類システム
US9201022B2 (en) 2011-06-02 2015-12-01 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Extraction of systematic defects
US9069923B2 (en) 2011-06-16 2015-06-30 Globalfoundries Singapore Pte. Ltd. IP protection
US20130009989A1 (en) 2011-07-07 2013-01-10 Li-Hui Chen Methods and systems for image segmentation and related applications
US8611598B2 (en) 2011-07-26 2013-12-17 Harman International (China) Holdings Co., Ltd. Vehicle obstacle detection system

Also Published As

Publication number Publication date
TW201241950A (en) 2012-10-16
WO2012134867A2 (en) 2012-10-04
KR101787161B1 (ko) 2017-10-18
KR20140019411A (ko) 2014-02-14
CN103503126A (zh) 2014-01-08
US9170211B2 (en) 2015-10-27
TWI533383B (zh) 2016-05-11
CN103503126B (zh) 2016-08-31
WO2012134867A3 (en) 2012-12-27
US20120243773A1 (en) 2012-09-27
DE112012001439B4 (de) 2020-09-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE112012001439B4 (de) Computerimplementierte entwurfsbasierte Inspektion unter Verwendung wiederholender Strukturen
DE112015004721B4 (de) Defektdetektion unter verwendung von strukturinformation
DE102012107287B4 (de) Computergestütztes Verfahren und Vorrichtung zum Identifizieren von Fehlern in einem Material
DE10000690B4 (de) Verfahren zum Bestimmen des Ausbeute-Einflusses von Prozessschritten für Halbleiterwafer
DE112016000419B4 (de) Waferinspektion mit einem Verfahren mit volumetrischen Fokus
DE10157958B4 (de) Bildverarbeitungsverfahren und-vorrichtung
DE10000364A1 (de) Mermalbasierende Feststellung von Fehlern
DE112015003362T5 (de) Virtuelle inspektionssysteme mit einer mehrzahl an modi
DE112014003984B4 (de) Mit einem Strahl geladener Teilchen arbeitende Vorrichtung
WO2020157249A1 (de) Verarbeitung von bilddatensätzen
DE102011081668A1 (de) Vorrichtung und Verfahren zur Bestimmung der Form des Endes einer Schweißnaht
DE10011200A1 (de) Verfahren zur Bewertung von Strukturfehlern auf einer Waferoberfläche
EP2596472B1 (de) Mosaikaufnahmeerzeugung
DE2823490A1 (de) Verfahren zur analyse von organismus- zellen
DE112012004809B4 (de) Kantenverfolgung mit Hysterese-Schwellenwertbildung
DE102020101344A1 (de) Interaktive instrumenten-messanalytik
DE102019103503A1 (de) Fehlerreduktion bei Bildern, die mit geladenen Teilchen erzeugt wurden, mithilfe von Machine-Learning-basierten Verfahren
EP0825543A2 (de) Verfahren und Vorrichtung zur Mustererfassung
DE19824208A1 (de) Fehleranalyseverfahren und zugehörige Vorrichtung
DE112011102209T5 (de) Datenstörung für eine Einrichtung zur Waferinspektion oder -Metrologie
EP3430565B1 (de) Verfahren zur untersuchung verteilter objekte unter segmentierung eines übersichtbildes
DE112019006092T5 (de) Lose gekoppeltes inspektions- und metrologiesystem zur überwachung eines produktionsprozesses mit hohem volumen
DE112013005748T5 (de) Verfahren und Vorrichtung zur Messung der relativen kritischen Abmessung
DE102019100184A1 (de) Hochauflösende Scanning-Mikroskopie
DE102010008251A1 (de) Ausfallanalyseverfahren, -vorrichtung und -programm für integriete Halbleiterschaltung

Legal Events

Date Code Title Description
R082 Change of representative

Representative=s name: REICHERT & LINDNER PARTNERSCHAFT PATENTANWAELT, DE

R012 Request for examination validly filed
R016 Response to examination communication
R016 Response to examination communication
R016 Response to examination communication
R018 Grant decision by examination section/examining division
R020 Patent grant now final