DE1905732A1 - Vorrichtung zum Herstellen von Halbleitern - Google Patents

Vorrichtung zum Herstellen von Halbleitern

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DE1905732A1
DE1905732A1 DE19691905732 DE1905732A DE1905732A1 DE 1905732 A1 DE1905732 A1 DE 1905732A1 DE 19691905732 DE19691905732 DE 19691905732 DE 1905732 A DE1905732 A DE 1905732A DE 1905732 A1 DE1905732 A1 DE 1905732A1
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DE
Germany
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acid
temperature
shell
etching
bowl
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Pending
Application number
DE19691905732
Other languages
English (en)
Inventor
Barrington Colin Arthur
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
ZF International UK Ltd
Original Assignee
Lucas Industries Ltd
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Publication date
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Pending legal-status Critical Current

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    • GPHYSICS
    • G05CONTROLLING; REGULATING
    • G05DSYSTEMS FOR CONTROLLING OR REGULATING NON-ELECTRIC VARIABLES
    • G05D23/00Control of temperature
    • G05D23/19Control of temperature characterised by the use of electric means
    • G05D23/1919Control of temperature characterised by the use of electric means characterised by the type of controller
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23FNON-MECHANICAL REMOVAL OF METALLIC MATERIAL FROM SURFACE; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL; MULTI-STEP PROCESSES FOR SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL INVOLVING AT LEAST ONE PROCESS PROVIDED FOR IN CLASS C23 AND AT LEAST ONE PROCESS COVERED BY SUBCLASS C21D OR C22F OR CLASS C25
    • C23F1/00Etching metallic material by chemical means
    • C23F1/08Apparatus, e.g. for photomechanical printing surfaces
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof

Description

Joseph Lucas (Industries) Limited 1 Ö U 0 /3 2
Great King Street,
Birmingham / England 5. Februar I969
23 059 Ma/He
Vorrichtung zum Herstellen von Halbleitern
Die Erfindung bezieht sich auf eine Vorrichtung zum Ausführen eines Ätzverfahrens bei der Trennung einzelner Halbleitereinrichtungen aus einer größeren Halbleiterscheibe.
Bei der Herstellung von Halbleitern ist es üblich, auf einer größeren Scheibe eine Anzahl von Halbleitereinrichtungen zu erzeugen und dann diese einzelnen Einrichtungen mittels einer Wachsabdeckung zu schützen und die Scheibe einem Ätzvorgang zu unterwerfen, um die einzelnen Halbleitereinrichtungen zu trennen.
Bei der bekannten Anordnung wird nur Ätzsäure in eine Schale eingebracht, wobei weder ein Umlauf der Ätzsäure noch eine Steuerung der Temperatur vorgesehen ist. Aus diesem Grunde ist die Lebensdauer einer gegebenen Ätzsäuremenge begrenzt, da falls die Säuretemperatur zu niedrig ists die Dauer des Ätzvorgangs sich erhöht und falls die Temperatur der Ätzsäure zu hoch ist, neigt die Wachsabdeckung dazu, sich von der Scheibe abzuheben. Bei den bekannten Verfahren enthält eine Schale meist > 1 Ätzsäure und kann maximal für die Ätzung von 20 Scheiben verwendet werden.
Die Vorrichtung gemäB der Erfindung 1st dadurch gekennzeichnet, daß die Ätzsäure in einer die Schale enthaltenden Bahn umgewälzt wird und eine Einrichtung in dieser Bahn angeordnet ist, die zur Steuerung der Temperatur der Ätzsäure dient.
Mit einer Vorrichtung gemäß der Erfindung können bei einem Inhalt der Schale von 12 1, der umgewälzt wird, bis zu I60 HaIb-
- 2 90 9847/0 995 ;
leitereinrichtungen von der gleichen Abmessung durch Ätzen-ge-: , trennt werden, wodurch eine bedeutende Verbesserung von 100 % : erreicht wird.
Ein Ausführungsbeispiel der Erfindung soll nachstehend anhand der beiliegenden schematischen Zeichnung näher erläutert werden.
In der Zeichnung ist eine Schale 11 gezeigt, in die die Scheiben, die geätzt werden sollen, eingebracht werden. Die Schale besitzt einen Einlaß für eine geeignete Ä'tzsäure und einen Auslaß, so daß die Säure durch die Schale'ununterbrochen strömt. Eine W geeignete Ätzsäure enthält Schwefel-, Fluß- und Essigsäure. Von dem Auslaß fließt die Ätzsäure in einen Behälter 12, von dem aus eine Pumpe 1J> die Säure in einen wassergekühlten Temperaturwechsler l4 fördert, von dem aus die Säure in die Schale 11 zurückgeführt wird. Der Auslaß der Pumpe kann an der Schale über ein geeignetes Ventil 15 angeschlossen werden, das die Menge der Säure, die zur Schale zugeführt wird, steuert.
Zwischen dem Auslaß aus der Schale 11 und dem Behälter 12 ist eine Temperatursonde 16 angeordnet, die zum Abtasten der Temperatur der Säure dient, die die Schale verläßt. Die Sonde ist an ein Solenoid 21 angeschlossen, das ein Ventil 19 betätigt, das die Menge an Wasser steuert, die durch den Wärmeaustauscher durchgeleitet wird. Das Wasser wird von einem Reservoir 17 zu dem Wärmeaustauscher l4 mittels einer Pumpe 18 gefördert und die Menge des zugeführten Wassers wird von dem Ventil 19 bestimmt, das seinerseits mittels des Solenoids 21 gesteuert wird« das wie oben bereits erwähnt, von der Temperatursonde 16 gesteuert wird«
Die Anordnung ist derart, daS die Temperatur der Ätzsätsre konstant genügend tief gehalten wird^ im ein Abheben der Wachsäbdeckung von den Scheiben zu vermeiden. Die Temperatur muß Jedoch genügend hoch sein, um sicherzustellen, daß eine Ätzung in einem genügenden Ausmaß stattfindet. Eine geeignete Temperatur, auf die die Ätz säure bei Verwendung einer typischen Wachsart
' Λ ■■■..■■■ - 3 - :
9 09847/0995 ν
mit einem Schmelzpunkt von 900C gehalten werden muß, liegt im Bereich von 10° bis l4°C.
Patentansprüche t
09847/0 995

Claims (1)

  1. Patentansprüche j
    Vorrichtung zum Ausführen eines ÄtzVorganges bei der Trennung einzelner Halbleitereinrichtungen von einerHalbleiterscheibe, die in eine Schale eingebracht wird, dadurch gekennzeichnet, daß die Stzsäure in einer die Schäle (11) enthaltenden Bahn umgewälzt wird und eine Einrichtung (l6) in dieser bahn angeordnet ist, die zur Steuerung der Temperatur der Ätzsäure dient. ^
    P 2. Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß eine Pumpe {13)» die Atz säure, über einen Temperaturwechsler (14) in die Schale (11): fördert und die Einrichtung zur Steuerung der Temperatur der Ktzsäure aus einer Sonde (16) Gesteht, die die Menge des dem Wärmeaustauscher (1^) zugeführten Kühlmittels steuert. . ·
    3. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1 o^er 2, dadu^ kennzeichnet, daß ein zwischen Wärmeaustauscher und Schale (11) ^angeordnetes Ventil (15) die Menge -der umlaurenden Ätz säure steuert.
    909847/099B
DE19691905732 1968-02-09 1969-02-06 Vorrichtung zum Herstellen von Halbleitern Pending DE1905732A1 (de)

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GB (1) GB1239573A (de)
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NL6901837A (de) 1969-08-12
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GB1239573A (de) 1971-07-21

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