DE1931667A1

DE1931667A1 - Process for the production of semiconductor rectifiers particularly suitable for high voltages, in particular silicon rectifiers and rectifiers obtained by the process

Info

Publication number: DE1931667A1
Application number: DE19691931667
Authority: DE
Inventors: Bruno Criscuolo; Mariano Merola; Hill Lawrence Rymer; Alfredo Savarese
Original assignee: GEN INSTR EUROP SpA
Current assignee: GEN INSTR EUROP SpA
Priority date: 1969-02-05
Filing date: 1969-06-21
Publication date: 1970-08-20
Also published as: NL6910515A; FR2030298A1

Description

PatentanwältePatent attorneys

Dipi.-Phys. Dr. K. Schweizer
, 85 NÜRNBERG
^ Essenweinsfraße 4-6 Nürnberg, den 2ο.6.β9Dipi.-Phys. Dr. K. Swiss
, 85 NUREMBERG
^ Essenweinsfraße 4-6 Nuremberg, June 2nd, 9th

GENERAL INSTRUMENT EUROPE S.ρ.Α., GIUGLIANO (Napoli), ItalienGENERAL INSTRUMENT EUROPE S.ρ.Α., GIUGLIANO (Napoli), Italy

Verfahren zur Herstellung von insbesondere fttr Hochspannungen geeigneten Halbleitergleichrichtern, insbesondere Siliziumgleichrichtern und nach dem Verfahren erhaltene Gleichrichter.Process for the production of high voltages, in particular fttr suitable semiconductor rectifiers, in particular silicon rectifiers and rectifiers obtained by the method.

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung von insbesondere für Hochspannungen geeigneten Halbleitergleichrichtern, insbesondere Siliziumgleichrichtern, sowie die nach dem Verfahren erhaltenen Gleichrichter.The invention relates to a method for producing in particular semiconductor rectifiers suitable for high voltages, in particular silicon rectifiers, as well as those after Method obtained rectifier.

Halbleitergleichrichter werden seit vielen Jahren hergestellt und in zahlreichen verschiedenen physikalischen Ausführungsformen verwendet. Insbesondere bestehen die Siliziumgleichrichter normalerweise aus einer Vielzahl von Elementarzellen (die je durch ein einfaches Siliziumstack oder durch einen kleinen Elementargleichrichter aus Silizium gebildet werden), welche auf thermischen Schwämmen (Metallelemente, die unter anderen die Aufgabe der wärmeableitung besitzen) montiert und durch Aufeinanderschichtung zur Bildung der gesamten Gleichrichtergruppe zusammengefasst sind. Die auf diese Weise gebildeten Siliziumgleichrichter werden fttr ein weites Spannungs- und Stromgebiet verwendet, doch vMvwed sie für verhältnismäßig hohe Ströme (über 1 Ampere) sowohl qualitUts- als auch kostenmäßig den alteren Selengleichrichtern gegenüber vorteilhaft erscheinen, haben sie sich für sehr kleine Ströme (l m A m A) nicht ao wirtschaftlich erwiesen, daß sie die Selengleichrichter auf dem Markt der elektronischen Bauteile ersetzten. Besondere Schwierigkeiten haben sich bei den Siliziumgleichrich tern für Ströme von weniger als 10OmA und Spannungen von mehrSemiconductor rectifiers have been manufactured for many years and used in a wide variety of physical forms. In particular, silicon rectifiers usually consist of a large number of elementary cells (each formed by a simple silicon stack or by a small elementary rectifier made of silicon), which are mounted on thermal sponges (metal elements that, among other things, have the task of heat dissipation) and are stacked to form the entire rectifier group are summarized. The silicon rectifiers formed in this way are used for a wide range of voltages and currents, but if they appear to be advantageous in terms of both quality and cost compared to the older selenium rectifiers for relatively high currents (over 1 ampere), they have proven themselves for very small currents (lm A m A) not ao economically proven that they replaced the selenium rectifiers on the market for electronic components. The silicon rectifiers have particular difficulties for currents of less than 10OmA and voltages of more

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ale 1000 Volt ergeben. Solche Gleichrichter benötigen nämlich einen besonders sorgfältigen Schutz der Umfange der Elementarzellen gegen räumliche Verhältnisse, insbesondere gegen Feuchtigkeit, denen die Gleichrichter ausgesetzt sein können. Zufolge dieser Notwendigkeit sind die Siliziumgleichrichter far kleine Ströme und hohe Spannungen gegenüber den Selengleichrichtern, die keinen sehr sorgfältigen Schutz benötigen, wirtschaftlich _^ nicht wettbewerbfähig.result in every 1000 volts. Such rectifiers need namely a particularly careful protection of the perimeter of the unit cells against spatial conditions, in particular against moisture, to which the rectifier can be exposed. As a result of this necessity, the silicon rectifiers are far from small currents and high voltages compared to the selenium rectifiers, who do not need very careful protection, economically _ ^ not competitive.

Weitere Schwierigkeiten ergeben sich aus defl* normalerweise für Hochspannungs-Siliziumgleichrichtern angewandten Herstellungsverfahren* Dieses Verfahren sieht nämlich die Verwendung τοη einzeln geschätzten Elementarzellen, deren elektrische Reihenverbindung mittels Obereinanderschichtung, die in manchen Fällen unmittelbar und in anderen Fällen unter Zwischenlage von wärmeabsorbierenden Platten oder Kühlrippen erfolgt, sowie schließ* lieh die Anbringung eines Schutzüberzuges gegen die räumlichen Verhältnisse vor. Die unmittelbare Uebereinanderschichtung der ) einzelnen Elementarzellen in inniger physikalischer Berührung vor der Anbringung des Schutzüberzuges bringt zahlreiche Nachteile mit sich, deren wichtigster in der Schwierigkeit besteht, eine gute Abfuhr der in jeder Zelle während des Betriebes erzeugten Wärme zu erzielen. Eine Reihe von ttbereinandergeachichtoten Zellen ist ferner mechanisch äußerst schwach und es ist schwierig, während der Herstellungsoperationen einen großen Abfall durch Brüche bei der Montage und einkapselung zu vermeiden.Further difficulties arise from defl * normally for High-voltage silicon rectifiers applied manufacturing process * This process provides namely the use τοη individually estimated unit cells, their electrical series connection by means of stratification, which in some cases directly and in other cases with the interposition of heat-absorbing plates or cooling fins, as well as closing * lent the attachment of a protective coating against the spatial conditions. The immediate superimposition of the ) individual unit cells in intimate physical contact before the protective coating is applied brings with it numerous disadvantages, the most important of which is the difficulty to achieve good dissipation of the heat generated in each cell during operation. Furthermore, a number of mutually mutually exclusive cells are mechanically extremely weak, and it is difficult to avoid large waste from assembly and encapsulation fractures during manufacturing operations.

Aufgabe der Erfindung ist es, ein Verfahren zu schaffen; welches die Herstellung eines insbesondere für hohe Spannungen geeigneten, aus mehreren Elementarzellen bestehenden Halbleitergleich-The object of the invention is to create a method; which the production of a semiconductor equalizer consisting of several unit cells, particularly suitable for high voltages

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riehters, insbesondere eines Siliziumgleichrichters gestattet, der mechanisch widerstandsfähig ist, so daß besonders die erwähnten Abfälle zufolge von Brüchen wShrend der Montage und der Einkapselung vermieden werden, der zwischen den benachbarten Zellen keine thermischen Interaktionen besitzt, so daß übermäßige Temperaturerhöhungen der einzelnen Zellen wShrend des Betriebes verhindert werden und der schließlich qualitäts- und kostenmäßig gegenüber den sich derzeit im Handel befindlichen Selengleichrichtern völlig wettbewerbsfähig ist.right, especially a silicon rectifier, which is mechanically resistant, so that especially the mentioned wastes result from breakages during assembly and the encapsulation, which has no thermal interactions between the neighboring cells, so that excessive temperature increases of the individual cells during of operation can be prevented and which is ultimately completely competitive in terms of quality and cost compared to the selenium rectifiers currently on the market.

Das erfindungsgeaäße Verfahren, welches besonders zur Herstellung von Siliziumgleichrichtern für hohe Spannungen geeignet ist, jedoch zur Herstellung eines beliebigen Halbleitergleichrichters anwendbar ist, sieht zu diesem Zweck die Einführung der einzelnen Elementarzellen in voneinander entfernte Durchgangelöcher einer Tragplatte,ihre elektrische Verbindung mittels nachtrlglich an sie angelöteten Elementarleitern, vorzugsweise durch Eintauchen der gesamten Baugruppe in ein geeignetes Schmelzbad, sowie schließlich die Anbringung eines Schutz- und Isolierüberzuges vor.The method according to the invention, which is particularly suitable for the production of silicon rectifiers for high voltages is, however, applicable to the manufacture of any semiconductor rectifier, see the introduction for this purpose of the individual unit cells in spaced through holes of a support plate, their electrical connection by means of elementary conductors subsequently soldered to them, preferably by immersing the entire assembly in a suitable one Melt bath, and finally the application of a protective and insulating coating.

Bei einer Ausführungsform des erfindungsgemäßen Verfahrens wird eine Tragplatte verwendet, welche mit zwei Reihen von Durch— gangslBchern versehen ist, in die die Elementarzellen eingeführt werden, so daß jene der einen Reihe die entgegengesetzte Polarität gegenüber jenen der anderen Reihe besitzen. Anschliessend wird ein Draht um die Platte und über sowie unter die Enden einer jeden Zelle gewunden, worauf der Draht an die Zellen angelötet und der Schutz— und Isolierüberzug angebracht wird.In one embodiment of the method according to the invention a support plate is used which is provided with two rows of through holes into which the unit cells are inserted so that those in one row have the opposite polarity to those in the other row. Afterward a wire is wound around the plate and over and under the ends of each cell, after which the wire is soldered to the cells and the protective and insulating cover is applied.

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Nach dem Lötvorgang und vor bzw. nach der Anbringung des Schutz- und Isolierüberzuges wird die Platte an ihren Umfangen geschliffen bzw. einer Sandstrahlung unterworfen, so daß der Draht an jenen Stellen, an denen er über den Rand der Platte geführt ist, zerschnitten wird und sämtliche Zellen elektrisch in Reihe miteinander verbunden bleiben. Wenn das Zerschneiden des Drahtes nach der Anbringung des Schutz- und Isolierüberzuges durchgeführt wird, dann muß an den gegebenenfalls unabgedeckt gebliebenen leitenden Teilen ein neuer Isolierüberzug angebracht werden. Dieser Xsolierüberzug kann aus einer einfachen Isolier- und Schutzlackschicht oder aus einer tatsächlichen Einkapselung mit Harz oder einem anderen Isoliermaterial bestehen.After the soldering process and before or after the protective and insulating coating has been applied, the plate is circumferentially removed ground or sandblasted so that the wire is cut at those points where it is passed over the edge of the plate and all cells are electrically connected Stay connected to each other. When cutting the wire after applying the protective and insulating cover is carried out, then a new insulating coating must be applied to the conductive parts that may have remained uncovered will. This Xsolierüberzug can consist of a simple insulating and protective lacquer layer or an actual encapsulation with resin or some other insulating material.

Eine andere Ausführungsform des erfindungsgemäßen Verfahrens, welche die Erzeugung von Verbindungen beliebiger Art gestattet, sieht hingegen die Verwendung von Karten mit gedruckten Schaltungen als T-ragplatten vor, deren um jedes Ende der Zellen und zwischen den Zellen verschieden angeordnete Oberflächenmetallisierung die gewünschte leitende Verbindung zwischen den ZeI-lzn sicherstellt.Another embodiment of the method according to the invention, which allows the creation of any type of connection, however, provides for the use of printed circuit cards as support plates, around each end of the cells and Surface metallization arranged differently between the cells ensures the desired conductive connection between the cells.

Die Wahl der Tragplatte wird in Abhängigkeit von der vorgesehenen Anwendung der gesamten Baugruppe getroffen. Wenn eine sehr billige Vorrichtung verwirklicht werden soll, dann kann die Tragplatte durch <5ieften einer Phenolverbindung bzw. einer anderen Kunststoffverbindung oder durch Bearbeitung eines abgeflachten folienförmigen Kunststoffmaterials erhalten werden. Wenn eine Vorrichtung verwirklicht werden soll, an die hoheThe choice of the support plate is made depending on the intended application of the entire assembly. When a very cheap device is to be realized, then the support plate can through <5ieften a phenolic compound or another plastic compound or by processing a flattened film-shaped plastic material. If a device is to be realized, to the high one

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Anforderungen gestellt werden, dann besteht die Tragplatte vorzugsweise aus einem keramischen Werkstoff und ist um die Löcher zur Aufnahme der Gleichrichterzellen herum mit einer fest an der Platte anhaftenden Metallisierung versehen, so daß um jede Zelle herum ein dichter Verschluß geschaffen wird. Will man in Parallelschaltung zu jeder Gleichrichterzelle eine elektrische Kapazität vorsehen, dann kann die Tragplatte aus einem Werkstoff mit hoher Dielektrizitätskonstante hergestellt sein, wie beispielsweise aus Titandioxyd. Soll der Gleichrichter schließlich für hohe Frequenzen verwendet werden, wobei eine begrenzte Anstieggeschwindigkeit der Spannung am Gleichrichter gewünscht ist (elektrische Uebergangsbelastungen), dann kann die Tragplatte aus einem Werkstoff auf der Basis von Ferrit bestehen, welcher einen Magnetkern für die Zellen und ihre Verbindungselemente bildet. Den Fachmann, ist es ohne weiteres klar, daß ferner Kombinationen von Isolierplatten, kapazitiven und magnetischen Platten vorgesehen sein können.Requirements are made, then the support plate is preferably made of a ceramic material and is around the Holes for receiving the rectifier cells are provided with a metallization firmly adhering to the plate, see above that a tight seal is created around each cell. If you want one in parallel with each rectifier cell Provide electrical capacitance, then the support plate can be made of a material with a high dielectric constant be such as titanium dioxide. If the rectifier is ultimately to be used for high frequencies, where a limited rate of rise of the voltage at the rectifier is desired (electrical transitional loads), then the support plate can consist of a material based on ferrite, which has a magnetic core for forms the cells and their connecting elements. It is readily apparent to those skilled in the art that combinations of insulating panels, capacitive and magnetic plates can be provided.

Es wurden Muster von Hochspannungsgleichrichtern hergestellt, wobei eine Isoliertragplatte verwendet wurde und wobei die Zellen in einer Zellenreihe mit ihrer positiven Seite nach oben gerichtet und in einer zweiten Zellenreihe mit ihrer negativen Seite nach oben gerichtet angeordnet wurden. Ferner wurden Tragplatten verwendet, in denen zwölf Zellen untergebracht werden konnfeen, doch kannten in Abhingigkeit von wirtschaftlichen Fake; toren eines jeden einseinen Anwendusigafalla auch Platten für 18, 24 und mehr Zellen verwendet werden, Baugruppen mit je in Reihe geschalteten gallon ergabaa Sp^itzenspannungen bis 2O₈OOO Volt und durch R-ails@nschaltung di©a©r Eaugrupp©n wurdenSamples of high voltage rectifiers were produced using an insulating support plate and with the cells in one row of cells facing upwards and in a second row of cells with their negative side facing upwards. In addition, support plates were used in which twelve cells could be accommodated, but depending on economic fake; gates of each one of a Anwendusigafalla well plates for 18, 24 or more cells are used, assemblies each connected in series gallon ergabaa Sp ^ itzenspannungen were to 2O ₈ OOO volts and R-ails @ nschaltung di © a © r Eaugrupp © n

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Spitzenspannungen bis 150.000 Volt erzielt. Durchgeführte Versuche zeigten, daß diese Vorrichtungen für Ströme von weniger als etwa 100 m A elektrisch zufriedenstellend sind.Peak voltages of up to 150,000 volts are achieved. Experiments carried out demonstrated that these devices are electrically satisfactory for currents less than about 100 mA.

Einige Ausfuhrungsbeispiele des erfindungsgemäßen Gleichrichters sind auf der Zeichnung dargestellt.Some exemplary embodiments of the rectifier according to the invention are shown in the drawing.

fc Fig.1 zeigt in Draufsicht einen Teil eines erfindungsgemäßen Gleichrichters mit Elementarzellen, die mittels eines um die Tragplatte und über sowie unter die Zellen gewundenen. Drahtes in Reihe geschaltet sind, wobei dieser Gleichrichter in der auf das Aufwinden des die Zellen verbindenden Drahtes folgenden Herstellungsphase vor dem Schnitt der Seitenränder der Tragplatte und vor der Anbrigung des Schutz- und Isoliertiberzuges dargestellt ist}fc Fig.1 shows a top view of part of an inventive Rectifier with unit cells, which by means of a wrapped around the support plate and over and under the cells. Wire are connected in series, this Rectifier in the manufacturing phase following the winding of the wire connecting the cells the section of the side edges of the support plate and before the attachment of the protective and insulating cover is}

Fig.2 ist ein Schnitt nach der Linie II-II der Fig»I durchFIG. 2 is a section along the line II-II of FIG

den fertigen Gleichrichter,
" Fig.3 ist eine Draufsicht auf einen Teil eines erfindungsgemXßen Gleichrichters, dessen Elementarzellen durch Oberflächenmetallisierung einer Karte mit gedruckter Schaltung in Reihe geschaltet sind,wobei der äußere Schutz-* Überzug in dieser Darstellung nicht sichtbar ist,the finished rectifier,
"Fig. 3 is a plan view of part of a rectifier according to the invention, the unit cells of which are connected in series by surface metallization of a printed circuit card, the outer protective coating not being visible in this illustration.

Fig. 4 ist ein Schnitt nach der Linie IV-IV der Fig.3 des fertigen Gleichrichters,Fig. 4 is a section along the line IV-IV of Fig.3 of the finished Rectifier,

Fig.5 ist eine Draufsicht eines weiteren erfindungsgemäßen Gleichrichters, dessen Elementarzellen durch Oberflächenmetallisierung einer Karte mit gedruckter Schaltung brückenweiae verbunden sind, wobei der äußere Schutz-Fig. 5 is a top plan view of another according to the invention Rectifier whose unit cells are made by surface metallization a card with a printed circuit are bridged, with the outer protective

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überzug nicht sichtbar ist undcoating is not visible and

Fig.6 ist ein Schnitt nach der Linie VI-VI der Fig.5 des fertigen Gleichrichters.Fig.6 is a section along the line VI-VI of Fig.5 of the finished rectifier.

Der in den Fig.1 und. 2 dargestellte Gleichrichter weist eine Tragplatte 11 aus Kunstharz auf, die mit zwei Reihen von Durchgangslöchern 12 versehen ist, in welche je eine Elementarsiliziumzelle 13 eingeführt ist. Die Zellen der einen Reihe besitzen gegenüber jenen der zweiten Reihe entgegengesetzte Polarität. Um die Platte 11 und über das obere Ende sowie unter des untere Ende der Zellen ist ein Kupferdraht 14 gewunden, welcher in Einschnitte 17 der Platte 11 eingelegt ist und durch Zinnbzw. BleilOtung 15 an die vorstehenden Enden der Zellen angelötet ist.The in Fig.1 and. 2 shown has a rectifier Support plate 11 made of synthetic resin, with two rows of through holes 12 is provided, in each of which an elementary silicon cell 13 is inserted. The cells in one row have opposite polarity to those in the second row. Around the plate 11 and over the upper end as well as under the The lower end of the cells is wound with a copper wire 14, which is inserted into incisions 17 of the plate 11 and by tin or. Lead solder 15 is soldered to the protruding ends of the cells.

In Fig.l ist der Gleichrichter in derjenigen Herstellungsphase gezeigt, die unmittelbar auf das Aufwi.rien des Drahtes 14 folgt. Anschließend wird ein Schutzüberzug gegen die räumlichen Verhältnisse, beispielsweise bestehend aus einer Lackschicht 16 (siehe Fig.2) angebracht.In Fig.l the rectifier is shown in the manufacturing phase that immediately follows the Aufwi.rien the wire 14. A protective coating is then applied against the spatial conditions, for example consisting of a layer of lacquer 16 (see FIG. 2).

Die Anbringung dieses Schutz- und IsolierUberzuges kann erfolgen, bevor öder nach die Seitenränder der Platte 11 entlang der Linien A-A' und B-B¹ der Fig.l abgeschnitten wurden (beispielsweise durch Abschleifen oder durch Sandstrahlen)· Durch diesen Arbeitsgang wird der Draht 14 an den Stellen, an welchen er die Linie A-A' und B-B¹ überquert, abgeschnitten, wodurch die Zellen 13 seitens der verbleibenden Drahtstücke untereinander verbunden werden· Wenn das Abschneiden der Ränder derThis protective and insulating cover can be applied before or after the side edges of the plate 11 have been cut along the lines AA 'and BB ¹ of FIG Places at which it crosses the line AA 'and BB ¹ , cut off, whereby the cells 13 on the part of the remaining pieces of wire are connected to one another. When cutting off the edges of the

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Platte nach Anbringung des Schutzüberzuges 16 erfolgt, dann muß die Platte an ihren Rändern neuerlich mit einem geeigneten elektrisch isolierenden Werkstoff überzogen werden. Im Fall der Fig.1 und 2 sind die Zellen 13 durch den Draht 14 in Reihe geschaltet. Es sind jedoch ohneweiters auch andere Verbindungsschaltungen, wie beispielsweise eine Parallelschaltung oder eine Brückenschaltung, möglich.Plate is done after applying the protective coating 16, then the plate must be covered again at its edges with a suitable electrically insulating material. in the In the case of FIGS. 1 and 2, the cells 13 are connected in series by the wire 14. However, there are certainly others as well Connection circuits, such as a parallel circuit or a bridge circuit, are possible.

In den Fig.3 und 4 ist ein Gleichrichter dargestellt, bei dem die ElementarsLliziumzellen 23 in Löchern 22 einer Karte 21 mit gedruckter Schaltung liegen, deren Oberflächenmetallisierung 24 um die Enden der Zellen und zwischen den Zellen die gewünschten elektrischen Verbindungen zwischen den Zellen herstellt. Es ist bemerkenswert, daß in diesem Fall die Metallisierung um die Enden der Zellen 23 und somit um die Löcher 22 zusammen mit den Lötstellen 25 einen dichten Verschluß der Karte 21 bildet, so daß dieser Gleichrichter insbesondere für Anwendungen geeignet ist, die eine hohe Zuverlässigkeit erfordern.In Figures 3 and 4, a rectifier is shown in which the elementary silicon cells 23 in holes 22 of a card 21 are with printed circuit, their surface metallization 24 around the ends of the cells and between the cells the establishes the desired electrical connections between the cells. It is noteworthy that in this case the metallization around the ends of the cells 23 and thus around the holes 22 together with the soldering points 25 a tight seal of the card 21 forms, so that this rectifier is particularly suitable for applications which require high reliability.

Auch bei einer Karte mit gedruckter Schaltung wie jener 21 der Fig.3 und 4 ISsst sich jede beliebige elektrische Verbindung zwischen den Zellen erreichen. Dies ist beispielsweise anhand des Gleichrichters nach den Fig.5 und 6 dargelegt, bei welchem vier in entsprechende: Löcher 32 einer mit einer Oberflächenmetallierung 34 versehenen Karte 31 eingesetzte Zellen 33 in Brückenschaltung miteinander verbunden sind.Any electrical connection can be made even with a card with a printed circuit such as that 21 of FIGS. 3 and 4 between cells. This is illustrated, for example, with the aid of the rectifier according to FIGS. 5 and 6, in which four in corresponding: holes 32 one with a surface metallization 34 provided card 31 inserted cells 33 are connected to one another in a bridge circuit.

- Patentansprüche -- patent claims -

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Claims

PATENT CLAIMS

l.y method of making especially for high Voltages suitable semiconductor rectifiers; in particular of silicon rectifiers, characterized in that that a plurality of unit cells are inserted into through holes of a support plate, that these unit cells are electrically connected to one another by wire elements soldered to their ends and that on the so formed Assembly a protective and insulating cover is attached.

2. Expire according to claim 1, characterized in that the wire elements at the ends of the cells by dipping the assembly not yet provided with the protective coating in a weld pool can be soldered on.

3. The method according to claims 1 and 2, characterized in that a support plate is used with two rows of through holes into which the cells are inserted in this way be that. '«those of the one series have the opposite polarity over those of the other row have that around the support plate and above and below the ends of each cell a wire is wound and that the wire is soldered to the ends of the cells and then the support plate with the wire lengthways Ilohi en is cut off which lie to the side of the cells.

4. The method according to claims 1 and 2, characterized in that a support plate with a series of through holes is used, in which the cells are inserted in such a way that

that their like poles are on the same side, that around the support plate and above and below the ends of each cell a wire is wound which is soldered to the ends of the cells and that the support plate with the wire is cut along lines that are to the side of the cells,

5. The method according to claim 3, characterized in that the side edges of the support plate ground off or sandblasted be cut off.

6 / Method according to Claims 3, 4 and 5> characterized in that the edges of the support plate are cut off before the protective and insulating cover is attached.

7. The method according to claims 3, 4 and 5, characterized in that that the edges of the support plate are cut off after the protective and insulating coating has been applied and that then an insulating coating is applied to the exposed edges «

8. The method according to claims 1 and 2, characterized in that that a card with a printed circuit is used as a support plate, the surface metallization of which is mutual Establishes a conductive connection between the cells.

9. Rectifier, which is obtained by the method according to any one of the preceding claims, characterized in that that it has a support plate with through holes in which elementary cells are arranged that are sworn in at their ends e Ladder elements are electrically connected to each other and

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that it is provided with: an insulating coating.

10. Rectifier according to claim 9, characterized in that the through holes of the support plate in two parallel Rows are arranged.

11. Rectifier according to claim 10, characterized in that the holes in one row are offset from those in the other row.

12 Rectifier according to Claims 10 and 11, characterized in that that the cells are arranged in the holes of the support plate in such a way that the cells are opposite in a row Have polarity with respect to those of the other row.

13. Rectifier according to claims 9-12, characterized in that that the cells are electrically connected to one another by means of Dr & fatelsmente are connected.

14. Rectifier according to claims 9-12, characterized in that that the. Cells by bridging the same solder used to solder each individual cell together are electrically connected.

15. Rectifier according to claims 9-12, characterized in that that the cells by metallizing a card with a printed circuit, which serves as a support plate for the cells, are electrically connected to each other.

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16. Rectifier according to claims 9-15 * characterized in that that the support plate of the cells is made of insulating material.

17. Rectifier according to claims 9-15 * characterized in that that the support plate of the cells is made of a material with a suitable dielectric constant "

"18. Rectifier according to claims 9-15> characterized in that the support plate of the cells consists of magnetic material.

19. Rectifier according to the preceding claims, characterized in that four cells are connected to one another in this way are that they are a double half-wave rectifier bridge form.

20. Rectifier according to the preceding claims, characterized. characterized in that two cells are connected to one another in this way are that a voltage doubler or a double half-wave rectifier for a transformer with a center tap.

21. Rectifier according to the preceding concepts. through this characterized in that it has a single cell whose output terminals are mechanically supported by the support plate and protected by the support plate.

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22. Gleichrichter nach den vorhergehenden Ansprüchen, dadurch gekennzeichnet, daß zwei oder mehrere Zellen untereinander zur Ermöglichung eines erhöhten Stromdurchflusses parallelgeschaltet sind.22. Rectifier according to the preceding claims, characterized in that two or more cells to each other Enabling an increased current flow are connected in parallel.

23. Gleichrichter nach den vorhergehenden Ansprüchen, dadurch gekennzeichnet, daft zwei Zellen parallel und entgegengeschaltet sind, um einen Signalbegrenzer zu bilden.23. Rectifier according to the preceding claims, characterized in that two cells are connected in parallel and in opposite directions to form a signal limiter.

24· Gleichrichter nach den vorhergehenden Ansprüchen gekennzeichnet durch Reihen- ader Parallelschaltungen bzw. Kombinationen derselben zur Bildung von logischen Schaltungen bzw. von Schaltungen für besondere Anwendungen.24 · Rectifier according to the preceding claims, characterized by series wire parallel connections or combinations thereof for the formation of logic circuits or of Circuits for special applications.

25· Gleichrichter nach den vorhergehenden Ansprüchen, gekennzeichnet durch Zellen aus einem von Silizium verschiedenen Halbleiterwerketoff.25 · Rectifier according to the preceding claims, characterized by cells made of a cell different from silicon Semiconductor material.

26. Schaltelemente gemäß de« vorhergehenden Ansprachen dadurch gekennzeichnet, daA sie Zener-Zellen aufweisen.26. Switching elements according to the «preceding speeches thereby characterized as having Zener cells.

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