DE19611964A1 - Gasmeßfühler - Google Patents
GasmeßfühlerInfo
- Publication number
- DE19611964A1 DE19611964A1 DE19611964A DE19611964A DE19611964A1 DE 19611964 A1 DE19611964 A1 DE 19611964A1 DE 19611964 A DE19611964 A DE 19611964A DE 19611964 A DE19611964 A DE 19611964A DE 19611964 A1 DE19611964 A1 DE 19611964A1
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- lines
- gas sensor
- thick film
- electrode contacts
- gold
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 30
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 claims abstract description 30
- 229910001020 Au alloy Inorganic materials 0.000 claims abstract description 14
- 229910001260 Pt alloy Inorganic materials 0.000 claims abstract description 11
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims description 41
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 40
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 37
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 35
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 27
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims description 16
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims description 16
- UGFAIRIUMAVXCW-UHFFFAOYSA-N Carbon monoxide Chemical compound [O+]#[C-] UGFAIRIUMAVXCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 229910002091 carbon monoxide Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 claims description 7
- 229910000510 noble metal Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 abstract description 6
- 229910000923 precious metal alloy Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- JUWSSMXCCAMYGX-UHFFFAOYSA-N gold platinum Chemical compound [Pt].[Au] JUWSSMXCCAMYGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 71
- 239000010408 film Substances 0.000 description 69
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 57
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 48
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 24
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 23
- 239000000463 material Substances 0.000 description 16
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 15
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 13
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 13
- MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N Zirconium dioxide Chemical compound O=[Zr]=O MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 238000000034 method Methods 0.000 description 10
- 239000003353 gold alloy Substances 0.000 description 8
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 7
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 7
- 230000008859 change Effects 0.000 description 7
- WOCIAKWEIIZHES-UHFFFAOYSA-N ruthenium(iv) oxide Chemical compound O=[Ru]=O WOCIAKWEIIZHES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 5
- 230000008569 process Effects 0.000 description 5
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 4
- 229910002710 Au-Pd Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000010953 base metal Substances 0.000 description 2
- 230000006835 compression Effects 0.000 description 2
- 238000007906 compression Methods 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N methane Chemical compound C VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 2
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 2
- 230000035939 shock Effects 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 101100346656 Drosophila melanogaster strat gene Proteins 0.000 description 1
- 229910001182 Mo alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910018879 Pt—Pd Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001080 W alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 238000005275 alloying Methods 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 125000004122 cyclic group Chemical group 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 1
- 239000007888 film coating Substances 0.000 description 1
- 238000009501 film coating Methods 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N lead(0) Chemical compound [Pb] WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 239000003607 modifier Substances 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 1
- 239000010970 precious metal Substances 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 238000007711 solidification Methods 0.000 description 1
- 230000008023 solidification Effects 0.000 description 1
- 238000010408 sweeping Methods 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004804 winding Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N27/00—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means
- G01N27/26—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating electrochemical variables; by using electrolysis or electrophoresis
- G01N27/403—Cells and electrode assemblies
- G01N27/406—Cells and probes with solid electrolytes
- G01N27/407—Cells and probes with solid electrolytes for investigating or analysing gases
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N27/00—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means
- G01N27/02—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance
- G01N27/04—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance by investigating resistance
- G01N27/12—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance by investigating resistance of a solid body in dependence upon absorption of a fluid; of a solid body in dependence upon reaction with a fluid, for detecting components in the fluid
Description
Die Erfindung bezieht sich auf Verbesserungen bei Metalloxid-Halb
leiter-Gasmeßfühlern, und insbesondere auf den Anschluß des Meßfühler
elements an externe Endgeräte.
Eine beträchtliche Anforderung bei Metalloxid-Halbleiter-Gasmeßfüh
lern besteht unter anderem darin, deren Stromverbrauch zu senken und so
wiederum die Kosten der Stromversorgungsschaltung zu senken, die für
den Betrieb eines Gasmeßfühlers erforderlich ist. Hierzu ist es erforderlich,
unter Einsatz der Technik gedruckter Schaltungen und der Dünnfilmtech
nik den Gasmeßfühler zu auf Miniaturgröße zu verkleinern und die Wärme
leitung der für den Gasmeßfühler verwendeten Leitungen zu verringern.
Die Leitungen sind für den größeren Teil der vom Gasmeßfühler abgegebe
nen Wärme verantwortlich. Zur Verringerung des Stromverbrauchs ist es
erforderlich, für die Leitungen einen Werkstoff mit geringer Wärmeleitfä
higkeit zu verwenden und den Drahtdurchmesser der Leitungen zu verrin
gern.
Ein Anwendungsgebiet der Metalloxid-Halbleiter-Gasmeßfühler, der
heutzutage sehr interessant ist, ist der Nachweis von Kohlenmonoxid
(CO). In diesem Fall läßt man die Temperatur sich zyklisch verändern. Das
Metalloxid-Halbleitermaterial des Gasmeßfühlers wird auf hohe Tempera
turwerte erwärmt, um es thermisch zu reinigen. Auf der Niedertemperatur
seite verhält sich der Ausgang des Metalloxid-Halbleiterfilms gegenüber
CO selektiv. Diese Eigenschaft wird für den CO-Nachweis genutzt. Dies
bedeutet, daß der Gasmeßfühler fortlaufend Wärmestößen bzw. raschen
Temperaturwechseln ausgesetzt ist.
Den Erfindern dieser Anmeldung stellten sich im Verlauf der Ent
wicklung eines Gasmeßfühlers mit geringem Stromverbrauch, der sich
zum Nachweis von CO eignet, die folgenden Probleme:
- 1) Wurde für die Dickschicht-Elektrodenkontakte, an welche Leitun gen anzuschließen sind, reines Gold verwendet, so lösten sich infolge der wiederholten Temperaturänderungen die Kontaktflecke vom Substrat;
- 2) setzte man für die Dickschicht-Elektrodenkontakte Platin ein, um das vorgenannte Problem zu beheben, ließen sich die Leitungen nur mit Schwierigkeiten an die Kontaktflecke anschließen; und
- 3) der Anschluß von Pt-W-Draht (Draht aus Pt-W-Legierung) und APM-Draht (Draht aus Au-Pd-Mo-Legierung), die sich beide sich wegen ih res geringen Stromverbrauchs für den Anschluß von Leitungen an die Kontaktflecke eignen, gestaltete sich schwierig, und die Verbindungsfe stigkeit von Kontaktflecken aus Platin erwies sich als unzureichend.
Zur Herstellung eines Gasmeßfühlers, dessen Stromverbrauch ge
ring ist und der eine hohe Stabilität gegenüber Temperaturänderungen be
sitzt, sind deshalb Dickschicht-Elektrodenkontakte erforderlich, die fest
am Substrat gehalten werden und einen ausgezeichneten Anschluß für
Leitungen bieten.
Hierzu sollte der Stand der Technik genauer untersucht werden. In
der japanischen Offenlegungsschrift HEI-3-130654 wird folgender Gas
meßfühler beschrieben. Auf einer Hauptfläche eines praktisch quadrati
schen Substrats wird ein Metalloxid-Halbleiterfilm angeordnet. Auf der an
deren Hauptfläche des Substrats ist eine Filmschichtheizung angebracht.
Über Durchführungen werden Elektroden, die mit dem Metalloxid-Halblei
terfilm in Verbindung stehen, zur Seite der Filmschichtheizung geführt,
und Dickschicht-Elektrodenkontakte aus Platin sind mit der Filmschichthei
zung und dem Metalloxid-Halbleiterfilm verbunden. Dann werden Leitun
gen an diese Elektrodenkontakte mittels Thermokompressionskontaktie
rung angeschlossen. Im Ergebnis sind alle Elektrodenkontakte auf der Sei
te der Filmschichtheizung angebracht, und stehen beide Hauptflächen des
Substrats miteinander über die Durchführungen in Verbindung. Die Elek
trodenkontakte bestehen jedoch aus Platin, so daß sich Leitungen mit gro
ßem Widerstand und geringer Wärmeleitfähigkeit, z. B. Leitungen mit Pt-
W-Draht und APM-Draht, anschließen lassen. Damit ist die Verringerung
im Stromverbrauch recht begrenzt.
Die japanische Offenlegungsschrift SHO-60-209161 beschreibt ei
nen anderen Stand der Technik, und zwar offenbart sie die Verwendung
von Dickschicht-Platin-Elektrodenkontakten zum Anschluß der Zuleitungen
zu einem ZrO₂-Sauerstoffmeßfühler; dabei sind Pt-Leitungen mittels Ther
mokompressionskontaktierung oder durch Punktschweißung angeschlos
sen, und sind die Schweißstellen mit Platinpaste überzogen. Bei dieser
Anordnung läßt sich die mangelnde Haftfestigkeit zwischen den Platinkon
takten und den Platinleitungen durch Beschichtung mit der Platinpaste
verbessern. Nach dieser Patentschrift ist jedoch kein Kontaktfleckenmate
rial vorgesehen, das sich sowohl durch Anhaftung am Substrat als auch
die Leistungsfähigkeit der Verbindung mit den Leitungen auszeichnet. Die
Außenschicht aus Platinpaste ist außerdem auch dann problematisch,
wenn ein Metalloxid-Halbleiter-Gasmeßfühler vorgesehen ist. Zum Einbren
nen der Platinpaste ist eine Temperatur von rund 900°C erforderlich. Die
se Temperatur liegt über der höchstmöglichen Einbrenntemperatur (in der
Regel zwischen 600 und 700°C) der Metalloxid-Halbleiter zum Gasnach
weis und beeinträchtigt das Metalloxid-Halbleitermaterial. Darüberhinaus
ist aus beiden Vorveröffentlichungen keine Anregung dahingehend zu ent
nehmen, daß bei Einwirkung wiederholter Temperaturänderungen auf ei
nen Gasmeßfühler die Haltekraft zwischen den Kontaktflecken und dem
Substrat ein ernstzunehmendes Problem mit sich bringt.
Der vorliegenden Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, den Gas
meßfühler sowohl hinsichtlich seiner Haltbarkeit beim Herunterfallen, bei
Schwingungen, usw. als auch in seiner Festigkeit gegenüber wiederholten
Temperaturänderungen zu verbessern.
Eine weitere Zielsetzung der Erfindung ist die Verringerung des
Stromverbrauchs des Gasmeßfühlers.
Darüberhinaus liegt der Erfindung auch die Aufgabe zugrunde, ei
nen leichten Anschluß der Leitungen an den Gasmeßfühler zu erzielen.
Diese Aufgaben werden durch den erfindungsgemäßen Gasmeßfüh
ler nach Anspruch 1 gelöst.
Der erfindungsgemäße Gasmeßfühler weist danach folgendes auf:
ein wärmebeständiges Isoliersubstrat; eine Metalloxid-Halbleiter-Film schicht, deren elektrischer Widerstand sich je nach Anwesenheit eines Gases verändert; eine Filmschichtheizung und eine Vielzahl von Dickfilm- Elektrodenkontakten, von denen jeder auf dem wärmebeständigen Isolier substrat vorgesehen ist; sowie Leitungen;
bei welchem die Metalloxid-Halbleiter-Filmschicht, die Filmschicht heizung und die Leitungen mit der Vielzahl von Dickfilm-Elektrodenkontak ten verbunden sind, und der sich dadurch auszeichnet, daß die Vielzahl von Dickfilm-Elektrodenkontakten aus einer goldhaltigen Legierung gefer tigt sind.
ein wärmebeständiges Isoliersubstrat; eine Metalloxid-Halbleiter-Film schicht, deren elektrischer Widerstand sich je nach Anwesenheit eines Gases verändert; eine Filmschichtheizung und eine Vielzahl von Dickfilm- Elektrodenkontakten, von denen jeder auf dem wärmebeständigen Isolier substrat vorgesehen ist; sowie Leitungen;
bei welchem die Metalloxid-Halbleiter-Filmschicht, die Filmschicht heizung und die Leitungen mit der Vielzahl von Dickfilm-Elektrodenkontak ten verbunden sind, und der sich dadurch auszeichnet, daß die Vielzahl von Dickfilm-Elektrodenkontakten aus einer goldhaltigen Legierung gefer tigt sind.
Bei dem Substrat handelt es sich um ein wärmebeständiges Isolier
substrat, das beispielsweise aus Aluminiumoxid, Silizium oder ZrO₂ be
steht. Das Substrat kann beispielsweise eine quadratische oder rechtecki
ge Form aufweisen. Auf dem Substrat sind eine Metalloxid-Halbleiter-Film
schicht, eine Filmschichtheizung und eine Dickfilm-Elektrode angeordnet.
Die Metalloxid-Halbleiter-Filmschicht und die Filmschichtheizung können in
Dünnfilm- oder Dickfilmtechnik ausgeführt sein, doch sind die Elektroden
kontakte nur in Dickfilmtechnik ausgebildet. Der Grund hierfür liegt darin,
daß Dünnfilm-Kontaktflecken eine unzureichende Haftkraft zwischen den
Kontaktflecken und dem Substrat bedingen; die Kontaktflecken können
sich bei der Thermokompressionskontaktierung oder beim Anschweißen
der Leitungen leicht ablösen. Die Filmschichtdicke der Elektrodenkontakte
liegt beispielsweise zwischen 2 und 50 µm, vorzugsweise zwischen 5 und
20 µm. Das für die Elektrodenkontakte verwendete Material ist eine gold
haltige Legierung wie Au-Pt, Au-Rh und Au-Pd. Eine solche Legierung
kann zur Bildung der Elektrodenkontakte in einer einzigen Schicht verwen
det werden. Die Elektrodenkontakte lassen sich auch in zwei Schichten
aufbauen, beispielsweise aus einer unteren Schicht aus Platin und einer
oberen Schicht aus Gold. Bei solchen zweischichtigen Kontaktflecken ver
mischen sich die Bestandteile der oberen und der unteren Schicht unter
Bildung einer Legierung. Ein besonders bevorzugtes Material für Elektro
denkontakte ist eine Au-Pt-Legierung. Die Elektrodenkontakte lassen sich
von Anfang an aus dieser Legierung bilden oder sie können erst in einer
unteren Platinschicht und einer oberen Goldschicht ausgebildet werden,
woraufhin die obere und die untere Schicht unter Bildung von Kontaktflec
ken aus einer Au-Pt-Legierung miteinander legiert werden.
Vorzugsweise werden beide Hauptflächen, die Oberseite und die
Rückseite, des Substrats verwendet, und auf einer der Hauptflächen wird
dann eine Metalloxid-Halbleiter-Filmschicht beispielsweise aus SnO₂, ZnO
oder InZO₃ aufgebracht, während auf der anderen Hauptfläche eine Film
schichtheizung, z. B. aus RuO₂ oder Pt, angeordnet wird. Anschließend
werden die Dickfilm-Elektrodenkontakte auf einer der Hauptflächen ange
ordnet, und diese Hauptfläche wird mittels Durchführungen, usw. mit der
anderen Hauptfläche verbunden. Statt der Durchführungen kann der An
schluß an die andere Hauptfläche auch beispielsweise mit Hilfe einer oder
mehrerer leitfähiger Filmschichten auf einer Kante oder Seite des Sub
strats erfolgen. Auf diese Weise läßt sich der Stromverbrauch senken und
die Befestigung der Leitungen leichter realisieren, da alle Leitungen auf ei
ner Substratfläche vorgesehen sind.
Zur Verringerung des Stromverbrauchs des Gasmeßfühlers ist es
wünschenswert, einen Draht mit großem elektrischen Widerstand für die
Leitungen zu verwenden. Im allgemeinen besitzt ein Draht mit großem Wi
derstand eine geringe Wärmeleitfähigkeit. Zu den in Frage kommenden
Drahtarten gehören beispielsweise Pt-W-Drähte (W-Gehalt zwischen 2 und
12 Gew.%), APM-Drähte (Pd-Gehalt zwischen 10 und 60 Gew.%, Mo-Ge
halt zwischen 1 und 10 Gew.%, der Rest Gold), Pt-ZGS-Drähte (Pt-ZrO₂-
Legierung, in welcher ZrO₂ an der Korngrenze von Platin ausgefällt ist),
und Pt-Pd-Drähte (Pd-Gehalt zwischen 5 und 60 Gew.%). Hierbei handelt
es sich um Drähte aus edelmetallhaltigen Legierungen, wobei Pt-W- und
APM-Drähte besonders bevorzugt werden.
Das Verfahren zur Verwendung des Gasmeßfühlers ist Ermessens
sache. Die vorliegende Erfindung ist jedoch besonders gut in den Fällen
geeignet, in denen eine periodische Änderung der Temperatur des Gas
meßfühlers veranlaßt wird. Soll sich die Temperatur des Gasmeßfühlers
periodisch ändern, so sind die Grenzflächen zwischen den Elektrodenkon
takten und dem Substrat wiederholten Wärmestößen ausgesetzt, weshalb
sich die Kontaktflecken gegebenenfalls ablösen. Zur Lösung dieses Pro
blems werden bei der vorliegenden Erfindung Dickfilm-Elektrodenkontakte
aus Goldlegierung eingesetzt, um so die Haftkraft zwischen dem Substrat
und dem Kontaktflecken zu verbessern und eine Ablösung der Kontakt
flecken zu verhindern. Die Kontaktflecken aus Goldlegierung lassen sich
leicht mit Leitungen verbinden, und auch dann, wenn ein Draht aus edel
metallhaltiger Legierung mit großem Widerstand, der sich recht schwierig
anschließen läßt, ist eine ausreichende Kontaktierungsfestigkeit erzielbar.
Durch Verwendung von Draht aus edelmetallhaltiger Legierung sinkt der
Wärmeverlust über die Leitungen und damit wiederum nimmt der Strom
verbrauch des Gasmeßfühlers ab.
Wenn nun die Verbindungen zwischen den Leitungen und den Dick
film-Elektrodenkontakten mit einer Dickfilmschicht überdeckt sind, lassen
sich durch die Aufbringung der dicken Filmschicht die Leitungen an den
Kontaktflecken sichern. Infolgedessen läßt sich die Verbindungskraft zwi
schen den Leitungen und den Kontaktflecken verbessern. Au, Au-Pt und
Au-Rh sind Beispiele für gegebenenfalls geeignete Werkstoffe für die Dick
filmschicht. Das Dickfilmmaterial kann beispielsweise in Form einer Paste
auf die Anschlüsse aufgebracht und anschließend zur Verfestigung einge
brannt werden. Um die Einbrenntemperatur niedrig zu halten und so wie
derum nachteilige Einflüsse auf die Qualität des Metalloxid-Halbleiters zu
verhindern, ist es günstig, Gold als Dickfilm-Beschichtungsmaterial zu ver
wenden, das sich bei niedriger Temperatur leicht einbrennen läßt. Dar
überhinaus handelt es sich bei Gold um einen Werkstoff, der leicht eine
Verbindung mit den Kontaktflecken und den Leitungen eingehen kann,
und außerdem wird Gold auch zur Verbesserung der Festigkeit der Lei
tungsanschlüsse bevorzugt.
Die Verbindung zwischen den Leitungen und den Dickfilm-Elektro
denkontakten wird durch Schweißen hergestellt, beispielsweise Parallel
spaltschweißen, Fixierung mittels einer dicken Schicht Goldpaste, usw.,
oder auch durch Thermoultraschall-Druckkontaktierung oder ähnlicher Ver
fahren. Im Vergleich zur Thermoultraschall-Druckkontaktierung ist beim
Parallelspaltschweißen die Verschweißungsarbeit leichter durchzuführen.
Beim Schweißvorgang selbst können allerdings die Leitungen auf den
Kontaktflecken nicht abgetrennt werden, sondern hierzu ist ein anderes
Verfahren notwendig. Vorzugsweise wird für diesen Arbeitsgang eine
Schmelztechnik eingesetzt. Wenn auf zwei Kontaktflecken auf dem Sub
strat eine Leitung angeschweißt wird, bleibt zwischen den beiden Kon
taktflecken ein Leitungsabschnitt bestehen. Läßt man durch den Leitungs
abschnitt zwischen diesen Kontaktflecken zum Abschmelzen Strom mit
hoher Stromstärke hindurchfließen, so wird der Leitungsabschnitt infolge
der dabei erzeugten Wärme schmelzflüssig. Sind beispielsweise vier Elek
trodenkontakte vorhanden, befinden sich diese Kontaktflecke an den je
weiligen Eckpunkten. Zunächst werden zwei Leitungen kreuzweise ange
ordnet. Dabei ist jede Leitung mit zwei Kontaktflecken an zwei diagonal
liegenden Ecken des Vierecks verbunden. Danach verlaufen nach dem Ab
schmelzen der beiden Leitungsabschnitte die Leitungen vom Substrat aus
kreuzförmig nach außen. Die jeweiligen Leitungen sind dabei praktisch
parallel zu den entsprechenden Diagonalen dieses Vierecks. Wenn sich die
Leitungen vom Substrat aus kreuzförmig erstrecken, verbessert sich die
Festigkeit des Gasmeßfühlers gegenüber Schwingungen und von außen
einwirkenden Kräften in verschiedenen Richtungen.
Erfindungsgemäß wird für die Dickfilm-Elektrodenkontakte des Gas
meßfühlers eine Goldlegierung verwendet. Infolgedessen ist die Haltekraft
zwischen den Kontaktflecken und dem Substrat groß. Somit lösen sich die
Kontaktflecken auch dann nicht vom Substrat, wenn auf den Gasmeßfüh
ler wiederholt Temperaturänderungen einwirken. Die Kontaktflecke aus
Goldlegierung sorgen für eine hohe Festigkeit der Verbindung mit den Lei
tungen. Auch wenn für die Leitungen Kontaktflecke Draht aus edelmetall
haltiger Legierung oder dergleichen verwendet wird, die eine niedrige Wär
meleitfähigkeit besitzt, läßt sich die Festigkeit der Anschlüsse der Leitun
gen auf einem hohen Wert halten. Dies bedeutet, daß sich der Stromver
brauch des Gasmeßfühlers senken läßt.
Die Verbindung zwischen den Leitungen und den Kontaktflecken
kann durch Verschweißen, beispielsweise Parallelspaltschweißen, Thermo
kompressionskontaktierung wie Thermoultraschall-Kompressionskontaktie
rung, oder mittels Fixierung mit einer Schutzschicht, z. B. einer Dickfilm
schicht aus Gold usw., realisiert werden. Vorzugsweise werden die Lei
tungen durch Verschweißen oder mit Thermokompressionskontaktierung
angeschlossen, woraufhin die Anschlüsse mit einer Schutzschicht in Dick
filmtechnik bedeckt werden. Auf diese Weise wird die Verbindungskraft
zwischen der Leitung und dem Kontaktflecken verbessert. Als Material für
die Schutzschicht wird Gold bevorzugt, da Gold sich bei niedriger Tempe
ratur leicht einbrennen läßt und für eine hervorragende Anhaftung an den
Leitungen sorgt.
Sind die Leitungen durch Anschweißen oder mittels einer Schutz
schicht mit den Kontaktflecken verbunden, lassen sich die Leitungsab
schnitte durch Abschmelzen leicht von den Kontaktflecken abtrennen.
Sind beispielsweise vier Kontaktflecken vorhanden und sind die Leitungen
praktisch parallel zu den Diagonalen eines die vier Kontaktflecken verbin
denden Vierecks angeordnet, so können die Richtungen der Leitungen un
terschiedlich sein. Das Substrat wird von den vier Leitungen in einer Ebe
ne gehalten; das Substrat läßt sich entgegen Schwingungen und von au
ßen einwirkenden Kräften in unterschiedlichen Richtungen halten. Dies
läßt sich dadurch erreichen, daß die Leitungen entlang den Diagonalen
des Vierecks angeordnet und angeschlossen werden, und anschließend
durch Abschmelzen getrennt werden.
Fig. 1 ist eine Draufsicht auf einen wesentlichen Teil eines Ausfüh
rungsbeispiels des erfindungsgemäßen Gasmeßfühlers.
Fig. 2 zeigt den wesentlichen Teil des Ausführungsbeispiels des
Gasmeßfühlers in einer Ansicht von unten.
Fig. 3 ist eine Unteransicht eines wesentlichen Teils des Gasmeß
fühlers, bei dem Durchführungsbereiche modifiziert wurden.
Fig. 4 zeigt einen Schnitt durch einen wesentlichen Teil des Aus
führungsbeispiels des Gasmeßfühlers mit der Darstellung der Verbindung
zwischen einem Kontaktflecken und einer Leitung.
Fig. 5 zeigt ein typisches Diagramm für die Zusammensetzung der
Legierung der Kontaktflecken bei diesem Ausführungsbeispiel des Gas
meßfühlers.
Fig. 6 ist eine Seitenansicht eines wesentlichen Teils dieses Aus
führungsbeispiels des Gasmeßfühlers.
Fig. 7 stellt die Beziehung zwischen der Art der Verbindung und
dem Stromverbrauch bei diesem Ausführungsbeispiel des Gasmeßfühlers
in einem typischen Diagramm dar.
Fig. 8 ist ein typisches Diagramm zur Veranschaulichung der Bezie
hung zwischen der Art des Dickfilm-Elektrodenkontakts und der Haltbar
keit sowie der Beziehung zwischen der Art des Kontaktflecks und der Fe
stigkeit der Verbindung der Leitung.
Fig. 9 zeigt einen Schnitt durch einen wesentlichen Teil mit der Dar
stellung eines Schmelzbereichs bei diesem Ausführungsbeispiel des Gas
meßfühlers.
Fig. 10 zeigt einen Schmelzbereich der Leitungen bei diesem Aus
führungsbeispiel des Gasmeßfühlers in Draufsicht.
Fig. 11 veranschaulicht den Vorgang beim Abschmelzen einer Lei
tung bei diesem Ausführungsbeispiel in schematischer Darstellung.
Fig. 12 ist eine schematische Darstellung des Vorgangs beim An
schluß von Leitungen an den Gasmeßfühler bei diesem Ausführungsbei
spiel.
Fig. 13 stellt schematisch den Ablauf bei der Vornahme einer Modi
fizierung des Gasmeßfühlers dar.
Fig. 1 bis 13 zeigen ein Ausführungsbeispiel und dessen modifizier
te Formen. Die jeweiligen Modifizierungen sind mit Ausnahme der hier nä
her bezeichneten bestimmten Punkte mit dem Ausführungsbeispiel iden
tisch. Dabei stellt Fig. 1 einen wesentlichen Teil des Ausführungsbeispiels
des Gasmeßfühlers dar. Mit 2 ist das Meßfühlerteil, und mit 4 ein wärme
beständiges Isoliersubstrat, beispielsweise aus Aluminiumoxid, Silizium
oder ZrO₂, angegeben. Die Bezugszeichen 6a bis 6d geben vier Dickfilm-
Elektrodenkontakte an. Diese Kontaktflecke sind alle auf einer Hauptfläche
5 des Substrats 4 angeordnet. Jeder Elektrodenkontakt besteht aus einer
Goldlegierung wie Au-Pt, Au-Rh und Au-Pd. Bei diesem Ausführungsbei
spiel wird eine Au-Pt-Legierung eingesetzt. Die Dicke des Elektrodenkon
takts 6 beträgt beispielsweise 2 bis 50 µm, vorzugsweise 5 bis 20 µm. Im
letztgenannten Stärkebereich verbessert sich die Haftkraft zwischen dem
Kontaktfleck und dem Substrat 4, und diese Stärke kann mittels eines ein
fachen oder zweifachen Druckvorgangs ausgebildet werden. Der Goldge
halt des Kontaktflecks 6 beträgt, bezogen auf die vier Kontaktflecke 6, im
Mittel zwischen 5 und 95 Gew.%, vorzugsweise 20 bis 80 Gew.%; dabei
wird berücksichtigt, daß sich die Zusammensetzung des Kontaktflecks 6
in Richtung der Tiefe verändern kann. Mit 8 ist eine Filmschichtheizung
angegeben, die beispielsweise in Form einer RuO₂-Filmschicht (Filmstärke
etwa 10 µm) oder eines Pt-Dünnfilms vorgesehen ist. Im Falle einer RuO₂-
Filmschicht wird über die gesamte Fläche durch Überstreichen ein Isolier
film gebildet. Die Heizelektroden 10a und 10b sind an die Filmschichthei
zung 8 angeschlossen. Die Heizelektroden 10a und 10b sind mit den Elek
trodenkontakten 6a und 6b verbunden.
Ein Metalloxid-Halbleiterfilm 1 2, beispielsweise eine SnO₂-Film
schicht, ist auf der gegenüberliegenden Hauptfläche 7 des Substrats 4
vorgesehen. Die Filmschichtdicke beträgt beispielsweise 10 µm. Ein Paar
Elektroden 14a und 14b sind mit der Filmschicht 12 verbunden und ste
hen über die Durchführungen 16, auf deren Innenwandungen leitfähige
Schichten vorgesehen sind, jeweils mit den Elektrodenkontakten 6c und
6c in Verbindung. Gemäß Fig. 3 können anstelle der Durchführungen 16
leitfähige Schichten beispielsweise an den Kanten der Eckbereiche des
Substrats 4 vorgesehen sein. Ein solches Beispiel ist in Fig. 3 dargestellt,
wobei das Bezugszeichen 3 ein neues Meßfühlerteil bezeichnet und mit
17a und 17b neue Elektroden angegeben sind. Die Elektroden 10 und 14
können aus demselben Werkstoff wie die Elektrodenkontakte 6 oder ei
nem anderen Material bestehen. Die Filmschichtdicke der Elektroden 10
und 14 kann die gleiche wie bei den Elektrodenkontakten 6 sein oder
auch anders als diese.
In Fig. 1 und 2 wiederum ist mit 20 eine Leitung aus Draht angege
ben, der aus einer edelmetallhaltigen Legierung besteht. Mit 22 ist ein
Stift als Außenanschluß angegeben, an den eine Leitung 20 angeschweißt
ist. Für die Leitungen 20 wird ein legierter Draht mit großem Widerstand
und geringer Wärmeleitfähigkeit verwendet, beispielsweise Pt-W und Au-
Pd-Mo, wobei allerdings ein Pt-W-Draht besonders günstig ist, da er eine
geringe Wärmeleitfähigkeit aufweist und sich leicht an die Kontaktflecke 6
anschließen läßt. Der Drahtdurchmesser der Leitungen 20 beträgt bei
spielsweise 20 bis 60 µm, vorzugsweise liegt er zwischen 30 und 50 µm.
Mit dem Bezugszeichen 24 (27?) wird eine Dickfilm-Schutzschicht ange
geben, die durch Einbrennen einer Goldpaste hergestellt wird. Die Schutz
schicht überdeckt die Anschlüsse zwischen den Kontaktflecken 6 und den
Leitungen 20. Die Anordnung einer solchen Schutzschicht ist nicht erfor
derlich, wenn die Haltekraft zwischen den Kontaktflecken 6 und den Lei
tungen 20 groß genug ist.
Fig. 4 zeigt die Verbindung zwischen der Leitung 20 und dem Kon
taktfleck 6. Der Kontaktfleck 6 besteht aus einer Goldlegierung, so daß er
besser am Substrat 4 anhaftet. Fig. 4 zeigt dabei ein Beispiel, bei wel
chem eine obere Schicht 26 aus reinem Gold über einer unteren Schicht
24 aus reinem Platin aufgebaut ist. Wie allerdings Fig. 5 zeigt, wird die
obere Schicht 24 mit der unteren Schicht 26 legiert, während die obere
Schicht 26 eingebrannt wird. Was man tatsächlich erhält, ist ein Kontakt
fleck aus einer Gold-/Platin-Legierung. Die Erfinder haben beispielsweise
eine untere Pt-Schicht 24 mit einer Dicke von 7 µm aufgedruckt und bei
850°C eingebrannt, und danach eine 7 µm dicke obere Goldschicht 26
aufgedruckt und ebenfalls bei 850°C eingebrannt. Die Oberfläche des so
erhaltenen legierten Kontaktflecks wies keine Goldfarbe auf, sondern sah
silbrig weiß aus, sie hatte also die Farbe einer Au-Pt-Legierung. Somit las
sen sich Gold und Platin leicht legieren. Was man tatsächlich erhält, ist ei
ne Gold-/Platin-Legierung, auch wenn zwei unterschiedlich zusammenge
setzte Schichten aufgedruckt werden. Dieser Legiervorgang beschränkt
sich nicht auf die Kombination Au-Pt, sondern funktioniert auch mit ande
ren Werkstoffen, beispielsweise Au-Rh und Au-Pd.
Die Bezugszeichen 28 und 28 geben Schweißbereiche an, die durch
Parallelspaltschweißen gebildet werden. Statt dessen kann die Verbindung
zwischen den Leitungen 20 und den Kontaktflecken 6 auch durch Ther
mokompressionskontaktierung hergestellt werden, oder die Leitungen 20
können mittels einer Schutzschicht 27 ohne Verschweißung oder Thermo
kompressionskontaktierung an den Kontaktflecken 6 befestigt werden.
Mit 30 ist ein Abschmelzbereich auf der Leitung 20 angegeben. Bei dem
Ausführungsbeispiel gemäß Fig. 1 sind zwei Leitungen vorgesehen, von
denen die eine so angeordnet wird, daß sie mit den Kontaktflecken 6a
und 6c verbunden ist, und dann eine Parallelspaltschweißung vorgenom
men wird. Als nächstes wird ein Paar Schweißelektroden nahe den Ab
schmelzbereichen 30 und 30 mit der Leitung kontaktiert, woraufhin man
quer zu den Kontaktflecken 6a und 6c bzw. 6b und 6d Strom mit hoher
Stromstärke fließen läßt. Da die Leitung vom Substrat quer zu den Kon
taktflecken abgehoben ist und es keinen Weg gibt, über den die Wärme
abgeführt werden kann, wird die Leitung schmelzflüssig und bricht ab.
Nun wird auf einem Ende der Leitung ein Abschmelzbereich gebildet.
Die Merkmale des so gebildeten Gasmeßfühlers werden im folgen
den erläutert. Das Substrat 4 besitzt eine Stärke von 0,5 mm und eine
rechteckige Form. Gemäß Fig. 1 beträgt seine Abmessung in Querrichtung
1 mm und seine Erstreckung in vertikaler Richtung 0,9 mm. Die Metall
oxid-Halbleiter-Filmschicht 12 wurde aus SnO₂ (mit einer Filmschichtdicke
von etwa 10 µm gebildet, und die Einbrenntemperatur nach dem Aufdruc
ken der SnO₂-Schicht betrug 700°C. Wurden die Kontaktflecke 6 in einer
Schicht aufgebaut und von vornherein aus einer Legierung gebildet, hat
ten sie eine Dicke von 7 µm. Waren die Kontaktflecke 6 aus zwei Schich
ten aufgebaut, und zwar die untere aus Platin und die obere aus Gold,
und wurden die beiden Schichten miteinander legiert, betrug die Dicke der
Platinschicht 7 µm und die der Goldschicht ebenfalls 7 µm, so daß die Ge
samtstärke des Kontaktflecks 6 14 µm betrug. Für die Leitungen 20 wur
de Platindraht (Drahtdurchmesser 40 µm), Pt-ZGS-Draht (Drahtdurchmes
ser 50 µm; mit an den Korngrenzen von Pt ausgeschiedenem ZrO₂; ZrO₂-
Gehalt etwa 0,06 Gew.%), APM-Draht (Drahtdurchmesser 40 µm; Gold
gehalt 55 Gew.%, Pd-Gehalt 40 Gew.%, Mo-Gehalt 5 Gew.%), Pt-W-
Draht (Drahtdurchmesser 40 µm; Pt-Gehalt 92 Gew.%, W-Anteil 8
Gew.%) verwendet. Diese Drahtmaterialien wurden von Tanaka Kikinzoku
Kogyo hergestellt. Die Drähte wurden mit den Kontaktflecken 6 unter den
folgenden Bedingungen (Parallelspaltschweißen) verschweißt: Schweiß
spannung 5 V, Dauer des Schweißstromdurchgangs 11 msec. Das Material
der Schutzschicht 27 war Goldpaste. Diese Paste wurde aufgetragen und
bei 700°C eingebrannt.
Was die Einsatzbedingungen für den Meßfühler angeht, so dauerte
der Temperaturwechsel 30 Sekunden. 10 Sekunden dieses Zeitraums ent
fielen auf den Hochtemperaturbereich, und die übrigen 20 Sekunden lagen
im niedrigen Temperaturbereich. Die maximale Temperatur im Hochtempe
raturbereich betrug etwa 400°C, und die Endtemperatur im niedrigen
Temperaturbereich lag in etwa bei Raumtemperatur. Das Ausgangssignal
des Meßfühlers wurde abgegriffen, beispielsweise unmittelbar vor dem
Ende des Niedertemperaturbereichs. Der Meßfühler war dieser zyklischen
Wiederholung von Temperaturänderungen über die Dauer eines Jahres
ausgesetzt. Zur Messung der Haftkraft der Leitungen 20 gemäß Fig. 6
wird das Meßfühlerteil 2 an Stifte 22 angeschlossen, woraufhin das Meß
fühlerteil 2 mittels einer speziellen Vorrichtung nach oben gezogen wird.
Die Haftfestigkeit der Leitung 20 wird durch die Stärke an dem Punkt aus
gedrückt, an dem sich die Leitung 20 löst. Die Stellen, an denen sich die
Leitung 20 löst, waren in den meisten Fällen die Verbindungen zwischen
dem Kontaktfleck 6 und der Leitung 20. In Fig. 6 ist mit 32 ein Trägerteil
angegeben.
Fig. 7 veranschaulicht die Veränderung des Stromverbrauchs (mitt
lerer Stromverbrauch für einen Zeitraum) in Abhängigkeit von der Art der
Zuleitungen 20. Der Stromverbrauch nimmt vom Pt-Draht zu einem Pt-W-
Draht hin ab. Drähte aus Pt-W und APM werden bevorzugt, ganz beson
ders Pt-W-Draht.
Fig. 8 zeigt die Haltbarkeit der Kontaktflecke 6 bei zyklischen Tem
peraturänderungen und die Haftkraft der Leitungen 20. Die Haltbarkeit der
Kontaktflecke 60 wird durch ihre Beständigkeit gegenüber der Anzahl von
Erwärmungszyklen zwischen etwa 400°C und ca. Raumtemperatur inner
halb des vorgenannten Zeitraums von 30 Sekunden angezeigt. Dieser
Wert für die Haltbarkeit wird über fünf Meßfühler gemittelt. Bei Kontakt
flecken aus reinem Gold lösten sich die Kontaktflecke 6 nach durch
schnittlich 6620 Zyklen vom Substrat 4, was, in Betriebsstunden des
Meßfühlers ausgedrückt, nur etwa 55 Stunden entspricht. Die Kontakt
flecken aus Pt und Au dagegen (in zwei Ausführungen: Filmschicht aus
Au-Pt-Legierung, 7 µm stark; und eine Goldschicht von 7 µm Dicke, über
einer 7 µm starken Platinschicht gebildet und anschließend mit dieser le
giert) überstanden die Dauerprüfung mit Erfolg über ein Jahr lang, ohne
daß sich ein Kontaktfleck löste. Diese einjährige Dauerprüfung entspricht
1.050.000 zyklischen Temperaturänderungen.
Zur Bestimmung der Verbindungsfestigkeit (Gesamtfestigkeit der
vier Leitungen) bei Pt-W-Draht und APM-Draht wurde die Art der Kontakt
flecke 6 verändert. Bei Pt-Kontaktflecken betrug die Verbindungsfestigkeit
etwa 10 g ohne Schutzschichten 27 und rund 40 g mit den Schutzschich
ten 27. Bei Kontaktflecken aus Gold und bei legierten Kontaktflecken, bei
spielsweise aus Gold-/Platin-Legierung, betrug dagegen die Verbindungs
festigkeit etwa 20 g ohne die Schutzschichten und rund 80 g mit den
Schutzschichten. Dies belegt, daß die Platin-Kontaktflecken ungenügend
fest mit den Leitungen verbunden waren und die Kontaktflecken 6 aus
Gold-/Platin-Legierung eine hervorragende Anhaftung am Substrat 4 und
eine erhöhte Verbindungsfestigkeit an den Leitungen 20 aufwiesen. Wie
sich aus Fig. 8 deutlich ergibt, besitzt der Pt-W-Draht eine höhere Festig
keit in seiner Verbindung mit den Kontaktflecken 6 als der APM-Draht. Die
Erfinder stellten zusätzlich zu den Platin-/Gold-Schichten auch zweischich
tige Kontaktflecken her, beispielsweise aus Rh-Au und Pd-Au. In allen Fäl
len bestand die obere Schicht aus Gold und die untere Schicht aus Rh,
Pd, usw. Die Stärke der oberen wie auch der unteren Schicht betrug 7
µm. In allen diesen Fällen wurde das Gold mit Rh oder Pd legiert, wobei
die sich ergebende Verbindungsfestigkeit bei Pt-W-Draht rund 20 g betrug
(ohne die Schutzschichten 27).
Aus den vorstehenden Erläuterungen ergibt sich deutlich folgendes:
- 1) Durch Verwendung von Drähten aus edelmetallhaltiger Legie rung, z. B. Pt-W und APM, sinkt der Stromverbrauch des Gasmeßfühlers.
- 2) Die Verwendung von Kontaktflecken aus Goldlegierung verbes sert die Beständigkeit des Gasmeßfühler bei Temperaturänderungen und gewährleistet eine hohe Festigkeit der Verbindung zwischen den Leitun gen und den Kontaktflecken.
- 3) Zur weiteren Verbesserung der Verbindungsfestigkeit der Leitun gen ist es günstig, nach dem Anschließen der Leitungen 20 an die Kon taktflecken 6 durch Parallelspaltschweißen, Thermoultraschall-Druckkon taktierung, usw. Schutzschichten 27 aufzubringen. Gold wird als Material für die Schutzschichten 27 bevorzugt; es läßt sich bei niedrigen Tempera turen einbrennen und führt nicht zu einer Beschädigung der Metalloxid- Halbleiter-Filmschicht 12 und läßt sich darüberhinaus leicht mit den Kon taktflecken 6 und den Leitungen 20 verbinden.
Fig. 9 bis 12 zeigen im einzelnen den Abschmelzvorgang. Dabei
sind in Fig. 9 und 10 Abschmelzbereiche 30 der Leitung 20 zu erkennen.
Gemäß Fig. 10 weist der Abschmelzbereich 30 eine andere Form auf als
der Bereich, der beim Abtrennen der Leitung 20 mittels anderer Verfahren
entsteht. Der Abschmelzbereich 30 ist typischerweise rund. Beispielswei
se gibt das Bezugszeichen 36 in Fig. 10 die Form des oberen Endes einer
Leitung 20 an, wenn diese mit einem Werkzeug mit Schneide abgetrennt
wird. Das Bezugszeichen 38 zeigt dagegen die Form des oberen Endes ei
ner Leitung 20 bei Belastung und Abriß.
Fig. 11 veranschaulicht den Abschmelzvorgang. Beispielsweise
wird eine Leitung 20 durch Parallelspaltschweißen auf die Kontaktflecken
6 aufgeschweißt. Nun wird ein Paar Elektroden 40 und 40 angeordnet
und man läßt einen Abschmelzstrom i durchfließen. Die Leitung 20 ist
quer zu den Kontaktflecken 6a und 6c vom Substrat 4 abgelöst, und auch
wenn die Leitung 20 mit der Filmschichtheizung 8 in Kontakt steht, fließt
der Abschmelzstrom durch die Leitung 20, da die Oberfläche der Film
schichtheizung 8 durch Überstreichen isoliert ist. Die dabei erzeugte Wär
me läßt die Leitung 20 schmelzflüssig werden und brechen. Fig. 12 zeigt
ein Verfahren zum Anschließen von Leitungen 20 bei diesem Ausfüh
rungsbeispiel. Dabei zeigt die Teilfigur 12 (1) einen Metallrahmen, an dem
Leitungen 20 durch Anschweißen oder dgl. befestigt sind. Als nächstes
werden Meßfühlerteile 2 relativ zum Rahmen 50 mittels einer geeigneten
Vorrichtung ausgerichtet. Der sich dabei ergebende Zustand ist in der Teil
figur 12 (2) dargestellt. Anschließend werden die Leitungen 20 an die
Kontaktflecke 6a bis 6d angeschweißt, beispielsweise durch Parallelspalt
schweißen. Danach werden die Leitungen 20 abgeschmolzen (Teilfigur 12
(3)). Danach wird Goldpaste aufgetragen und zur Bildung der Schutz
schichten 27 zusammen mit dem gesamten Rahmen 50 erwärmt. Als
nächstes werden die Trägerteile 32 der Gasmeßfühler ausgerichtet und die
Leitungen 20 an die Stifte 22 angeschweißt. Im allgemeinen ist es
schwierig, Leitungen 20 auf die Elektrodenkontakte 6 aufzuschweißen
und gleichzeitig die Leitungen 20 abzutrennen. Es ist jedoch möglich, die
Leitungen 20 an die Stifte 22 anzuschweißen und sie gleichzeitig abzu
trennen. Vorzugsweise werden die Leitungen 20 an die Stifte 22 ange
schweißt und gleichzeitig werden die Leitungen 20 abgetrennt (Teilfigur
12 (4)). Auf diese Weise werden die Trägerteile 32 vom Rahmen 50 unab
hängig, und damit ist die Montage der Meßfühlerteile 2 auf den Stiften 22
abgeschlossen. Wie in der Teilfigur 12 (4) deutlich zu erkennen ist, verän
dern die vier Leitungsdrähte ihre Richtung um etwa 90 Grad und verlaufen
praktisch parallel zu den Diagonalen des Vierecks, das die vier Kontakt
flecke 6 umfaßt (wobei die Winkelabweichung jedes Leitungsdrahts ge
genüber der Diagonalen innerhalb eines Bereichs von ±15 Grad liegt). In
folgedessen sind die Meßfühlerteile 2 gegenüber Kräften, die sowohl in
X-Richtung als auch in Y-Richtung (in Fig. 12) wirksam sind, widerstands
fähig, und damit verbessert sich die Festigkeit, mit der die Meßfühlerteile
2 angebracht sind, noch weiter.
Fig. 13 zeigt eine zweite modifizierte Form des Gasmeßfühlers. In
dieser schematischen Darstellung sind mit 70 neue Meßfühlerteile angege
ben, ist 72 ein Leiterrahmen und 74 eine von dessen Leitungen. Der Lei
terrahmen 72 besteht aus einer Legierung aus unedlen Metallen, beispiels
weise SUS316 und Eisen-Chrom-Aluminium. Die Querschnittsfläche der
Leitung 74 beträgt beispielsweise 20 bis 50 µm². Bei dem Meßfühlerteil
70 ist ein Paar Metalloxid-Halbleiter-Filmschichten 76 und 78 auf der
Rückseite des Substrats 4 vorgesehen. Beispielsweise wird die Metalloxid-
Halbleiter-Filmschicht 76, die näher bei der Filmschichtheizung 8 liegt, als
Metalloxid-Halbleiter-Film für den Nachweis von Methan verwendet und
die Metalloxid-Halbleiter-Filmschicht 78, die von der Filmschichtheizung
entfernt ist, dient für den Nachweis von Kohlenmonoxid. Der Kontaktfleck
6b ist mittels einer Durchführung 16 sowohl an die Oberseite wie auch an
die Rückseite des Substrats angeschlossen und dient als gemeinsamer
Kontakt für die beiden Metalloxid-Halbleiter-Filmschichten 76 und 78.
Eine modifizierte Ausführungsform gemäß Fig. 13 ist dem Aufbau
des Gasmeßfühlers aus Fig. 1 ähnlich, allerdings mit dem Unterschied,
daß als Leitungen Winkelleitungen 74 aus unedlem Metall verwendet wer
den und das Meßfühlerteil 70 ein Paar Metalloxid-Halbleiter-Filmschichten
76 und 78 aufweist. Beispielsweise bestehen die Kontaktflecken 6 alle
aus Goldlegierung. Diese Kontaktflecken weisen gegenüber dem Substrat
4 eine hohe Haftkraft und gegenüber den Leitungen 74 eine hohe Verbin
dungsfestigkeit auf. Darüberhinaus sind bei dieser modifizierten Ausfüh
rungsform die Meßfühlerteile 70 relativ zum Rahmen 72 ausgerichtet, und
sind die Leitungen 74 an vier Punkten an die Elektrodenkontakte 6a bis 6d
angeschweißt, wobei die redundanten Bereiche abgeschmolzen und ent
fernt werden. Anschließend werden die Leitungen 74 auf Stifte 22 aufge
schweißt und die Leitungen 74 gleichzeitig abgetrennt.
Claims (7)
1. Gasmeßfühler, der ein wärmebeständiges Isoliersubstrat aufweist,
sowie eine Metalloxid-Halbleiter-Filmschicht, deren elektrischer Wi
derstand sich je nach Anwesenheit eines Gases verändert; eine Film
schichtheizung und eine Vielzahl von Dickfilm-Elektrodenkontakten, von
denen jeder auf dem wärmebeständigen Isoliersubstrat vorgesehen ist; so
wie Leitungen;
bei welchem die Metalloxid-Halbleiter-Filmschicht, die Filmschicht heizung und die Leitungen mit der Vielzahl von Dickfilm-Elektrodenkontak ten verbunden sind,
dadurch gekennzeichnet, daß die Vielzahl von Dickfilm-Elektroden kontakten (6; 6a-6d) aus einer goldhaltigen Legierung gefertigt sind.
bei welchem die Metalloxid-Halbleiter-Filmschicht, die Filmschicht heizung und die Leitungen mit der Vielzahl von Dickfilm-Elektrodenkontak ten verbunden sind,
dadurch gekennzeichnet, daß die Vielzahl von Dickfilm-Elektroden kontakten (6; 6a-6d) aus einer goldhaltigen Legierung gefertigt sind.
2. Gasmeßfühler nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die
Vielzahl von Dickfilm-Elektrodenkontakten (6; 6a-6d) aus einer Gold-/Pla
tin-Legierung besteht.
3. Gasmeßfühler nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die
Leitungen (20) aus Draht aus einer edelmetallhaltigen Legierung bestehen.
4. Gasmeßfühler nach Anspruch 1, bei welchem der Gasmeßfühler ein
Meßfühler (70) zum Nachweis von Kohlenmonoxid ist und der Stromver
brauch der Filmschichtheizung (8, 10a, 10b) periodisch so verändert wird,
daß sich die Temperatur der Metalloxid-Halbleiter-Filmschicht (76, 78) pe
riodisch verändert.
5. Gasmeßfühler nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die
Anschlüsse zwischen den Leitungen (20) und den Dickfilm-Elektrodenkon
takten (6; 6a-6d) mit Filmschichten in Dickfilmtechnik (24; 27) überzo
gen sind.
6. Gasmeßfühler nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die
Enden der Leitungen (20) über den Dickfilm-Elektrodenkontakten (6; 6a-6d)
abgeschmolzen werden.
7. Gasmeßfühler nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß vier
Dickfilm-Elektrodenkontakte (6a-6d) vorgesehen und an vier Eckberei
chen eines Vierecks angeordnet sind, wobei jeweils eine der Leitungen
(20) an einen der Dickfilm-Elektrodenkontakte (6a-6d) angeschlossen ist
und jede Leitung (20) praktisch parallel zu einer Diagonalen des Vierecks
verläuft, welche durch den jeweiligen Dickfilm-Elektrodenkontakt verläuft,
an welchen die Leitung angeschlossen ist.
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP7-176620 | 1995-06-19 | ||
JP17662095 | 1995-06-19 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE19611964A1 true DE19611964A1 (de) | 1997-01-02 |
DE19611964B4 DE19611964B4 (de) | 2009-01-22 |
Family
ID=16016767
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE19611964A Expired - Fee Related DE19611964B4 (de) | 1995-06-19 | 1996-03-26 | Gasmeßfühler |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5837886A (de) |
KR (1) | KR100426939B1 (de) |
CN (1) | CN1080883C (de) |
DE (1) | DE19611964B4 (de) |
GB (1) | GB2302407B (de) |
Families Citing this family (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6071391A (en) * | 1997-09-12 | 2000-06-06 | Nok Corporation | Enzyme electrode structure |
ES2142273B1 (es) * | 1998-03-13 | 2000-12-01 | Gas De Euskadi S A Soc D | Sensor de gases. |
US6689322B2 (en) | 1999-11-12 | 2004-02-10 | The Ohio State University | Free-standing fluid sensors, filters, and catalyst devices, and methods involving same |
ATE310950T1 (de) * | 1999-12-08 | 2005-12-15 | Sensirion Ag | Kapazitiver sensor |
US6835920B2 (en) * | 2001-08-07 | 2004-12-28 | Samsung Electronics Co., Ltd | Microwave oven |
US20040084308A1 (en) * | 2002-11-01 | 2004-05-06 | Cole Barrett E. | Gas sensor |
ITTO20030318A1 (it) * | 2003-04-24 | 2004-10-25 | Sacmi | Dispositivo sensore di gas a film sottile semiconduttore. |
US7389672B2 (en) * | 2004-01-27 | 2008-06-24 | H2Scan Corporation | Method and apparatus for thermal isolation of a gas sensor |
WO2006088477A2 (en) * | 2004-05-17 | 2006-08-24 | Massachusetts Institute Of Technology | Photo-induced sensitivity and selectivity of semiconductor gas sensors |
JP2006208358A (ja) * | 2004-12-28 | 2006-08-10 | Tdk Corp | センサ |
US7185545B2 (en) * | 2004-12-29 | 2007-03-06 | General Electric Company | Instrumentation and method for monitoring change in electric potential to detect crack growth |
CN101158661B (zh) * | 2007-11-16 | 2011-05-11 | 华中科技大学 | 一种半导体氧化物气敏元件制备方法 |
EP2565635B1 (de) | 2011-09-02 | 2017-11-15 | Sensirion AG | Sensorchip und Verfahren zur Herstellung eines Sensorchips |
CN108845011A (zh) * | 2013-06-18 | 2018-11-20 | 新宇宙电机株式会社 | 定电位电解式气体传感器 |
ES2566032B1 (es) * | 2015-10-13 | 2017-01-25 | Francisco Albero S.A.U. | Sensor de gas |
CN109761187A (zh) * | 2019-01-21 | 2019-05-17 | 中国科学院电子学研究所 | 用于降低mems传感器应力的组装结构及制备方法 |
CN109946350B (zh) * | 2019-04-24 | 2023-11-03 | 郑州炜盛电子科技有限公司 | 一种无引线单个陶瓷片式气体传感器 |
Family Cites Families (24)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB1257155A (de) * | 1969-02-06 | 1971-12-15 | ||
US3906473A (en) * | 1974-03-08 | 1975-09-16 | Ross Inc Will | Method and apparatus for operating a gas sensor |
US4224280A (en) * | 1977-07-18 | 1980-09-23 | Fuji Electric Co., Ltd. | Carbon monoxide detecting device |
US4221827A (en) * | 1978-12-19 | 1980-09-09 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Interior | Method of manufacturing a gas sensor |
US4237722A (en) * | 1979-01-22 | 1980-12-09 | Ford Motor Company | Exhaust gas sensor electrode improvement |
JPS5613740A (en) * | 1979-07-16 | 1981-02-10 | Tanaka Kikinzoku Kogyo Kk | Bonding wire for semiconductor element |
US4396899A (en) * | 1980-04-16 | 1983-08-02 | Kabushiki Kaisha Kirk | Platinum thin film resistance element and production method therefor |
GB2085166A (en) * | 1980-10-07 | 1982-04-21 | Itt Ind Ltd | Semiconductor gas sensor |
GB2085168B (en) * | 1980-10-07 | 1985-01-30 | Itt Ind Ltd | Semiconductor gas sensor |
US4399684A (en) * | 1981-11-27 | 1983-08-23 | Sierra Monitor Corporation | Gas measurement method |
CA1216330A (en) * | 1983-02-07 | 1987-01-06 | Junji Manaka | Low power gas detector |
JPS60209161A (ja) * | 1984-03-31 | 1985-10-21 | Fujikura Ltd | 電子部品のリ−ド線取付け方法 |
US4596975A (en) * | 1984-05-31 | 1986-06-24 | Sierra Monitor Corporation | Thermally insulative mounting with solid state device |
US4816800A (en) * | 1985-07-11 | 1989-03-28 | Figaro Engineering Inc. | Exhaust gas sensor |
ES2030693T3 (es) * | 1986-10-28 | 1992-11-16 | Figaro Engineering Inc. | Sensor y procedimiento para su fabricacion. |
US4967589A (en) * | 1987-12-23 | 1990-11-06 | Ricoh Company, Ltd. | Gas detecting device |
JPH01299452A (ja) * | 1988-05-27 | 1989-12-04 | Ricoh Co Ltd | 4端子検出型ガス検出装置 |
US5012671A (en) * | 1988-11-15 | 1991-05-07 | Ricoh Company, Ltd. | Gas detecting device |
US5389225A (en) * | 1989-01-24 | 1995-02-14 | Gas Research Institute | Solid-state oxygen microsensor and thin structure therefor |
JPH0786488B2 (ja) * | 1989-10-14 | 1995-09-20 | 富士電機株式会社 | ガスセンサ |
JPH06174674A (ja) * | 1992-12-03 | 1994-06-24 | Mitsubishi Materials Corp | 半導体ガスセンサ |
IT1256759B (it) * | 1992-12-23 | 1995-12-15 | Eniricerche Spa | Sensore di gas a base di ossido semiconduttore per determinare idrocarburi gassosi |
US5466605A (en) * | 1993-03-15 | 1995-11-14 | Arizona Board Of Regents | Method for detection of chemical components |
US5455390A (en) * | 1994-02-01 | 1995-10-03 | Tessera, Inc. | Microelectronics unit mounting with multiple lead bonding |
-
1996
- 1996-02-15 KR KR1019960003714A patent/KR100426939B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1996-03-20 CN CN96103454A patent/CN1080883C/zh not_active Expired - Fee Related
- 1996-03-26 DE DE19611964A patent/DE19611964B4/de not_active Expired - Fee Related
- 1996-03-28 GB GB9606548A patent/GB2302407B/en not_active Expired - Fee Related
-
1997
- 1997-06-27 US US08/884,507 patent/US5837886A/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE19611964B4 (de) | 2009-01-22 |
GB2302407B (en) | 1999-06-16 |
CN1080883C (zh) | 2002-03-13 |
US5837886A (en) | 1998-11-17 |
CN1146554A (zh) | 1997-04-02 |
KR100426939B1 (ko) | 2004-07-19 |
KR970002295A (ko) | 1997-01-24 |
GB9606548D0 (en) | 1996-06-05 |
GB2302407A (en) | 1997-01-15 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE19611964A1 (de) | Gasmeßfühler | |
EP3155871B1 (de) | Planares heizelement mit einer ptc-widerstandsstruktur | |
EP3371565B1 (de) | Sensorelement und verfahren zur herstellung eines sensorelements | |
EP1756537A1 (de) | Temperaturfühler und verfahren zu dessen herstellung | |
DE3907312A1 (de) | Keramische widerstandsheizeinrichtung mit untereinander verbundenen waermeentwickelnden leitern und eine derartige heizeinrichtung verwendendes elektrochemisches element oder analysiergeraet | |
DE112006002516T5 (de) | Chip-Widertand | |
EP3172543B1 (de) | Sensoranordnung und verfahren zur herstellung eines sensorelements und einer sensoranordnung | |
DE3923433A1 (de) | Verfahren zum schweissen von blechen | |
DE19811870B4 (de) | Thermistorelement | |
EP3172544B1 (de) | Sensoranordnung und verfahren zur herstellung einer sensoranordnung | |
WO1999026256A1 (de) | Verfahren zur herstellung einer sensoranordnung für die temperaturmessung | |
DE4036109A1 (de) | Widerstandstemperaturfuehler | |
DE3722576C2 (de) | ||
DE2029065A1 (de) | Elektrisches Widerstandsthermometer | |
DE19936924C1 (de) | Vorrichtung zur Hochtemperaturerfassung und Verfahren zur Herstellung derselben | |
DE19830821C2 (de) | Temperatursensorelement | |
DE19633486C1 (de) | Verfahren zur Herstellung einer Leiterplatte mit dünnen Leiterbahnen und Anschluß-Kontaktierungsbereichen sowie deren Verwendung | |
DE19843471A1 (de) | Druckerkennungsvorrichtung | |
DE102006033856B3 (de) | Temperaturmesssensor und Verfahren zu dessen Herstellung | |
DE3936103C2 (de) | Anordnung zum Befestigen eines Drahtes an einem Festelektrolytelement | |
DE4420944C2 (de) | Keramischer Heizkörper | |
DE2732984A1 (de) | Heizloetstellenelement fuer ein thermoelement und verfahren zu seiner herstellung | |
EP2901504B1 (de) | Kontaktierung eines elektrischen bauelements und verfahren zur herstellung derselben | |
EP0348657A2 (de) | Druck- oder Kraftsensor | |
DE19805549C1 (de) | Verfahren zum Bond-Kontaktieren von elektronischen Bauelementchips, insbesondere Metalloxid-Gassensorchips |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
8110 | Request for examination paragraph 44 | ||
8364 | No opposition during term of opposition | ||
R119 | Application deemed withdrawn, or ip right lapsed, due to non-payment of renewal fee |
Effective date: 20131001 |