DE19640594B4 - Bauelement - Google Patents
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Abstract
Description
- Bauelement, das mit Licht-induzierter Grenzflächenzersetzung zur Trennung von Halbleitermaterialien hergestellt ist.
- Die Druckschrift
DE 35 08 469 C2 beschreibt ein Verfahren zum Strukturieren von auf einem transparenten Substrat aufgebrachten Schichtfolgen. Die DruckschriftUS 4,448,636 beschreibt ein Verfahren zur selektiven Entfernung einer Metallisierung in integrierten Schaltkreisen. Die Druckschrift M. Kelly et al. „”Optical patterning of GaN”, Appl. Phys. Lett. 69 (12), 16. September 1996 offenbart die Strukturierung einer Galliumnitridschicht mit einem Laser. Die DruckschriftEP 0 277 597 A2 offenbart ein Herstellungsverfahren für ein lichtemittierendes Element auf Basis von Galliumnitrid. Thematisch weiter entfernt liegen die SchriftenUS 5,465,009 A ,US 4,883,561 A undEP 0718885 A2 . - Die Herstellung von Produkten aus Halbleitern, wie elektronische und optoelektronische Bauelemente, bedarf typischerweise mehrerer Prozeßschritte, einschließlich den zum Wachstum von Halbleiterkristallen und Halbleiterschichten notwendigen Prozessen, und zur örtlich selektiven Entfernung und Strukturierung der Schichten. Viele Bauelemente bestehen zum Teil aus Schichtfolgen von ungleichen Materialien, die in Einkristallform epitaktisch auf einem Substrat gewachsen werden.
- Als Prozeßschritt für Strukturierung und Materialentfernung wird meist ein Ätzverfahren benutzt, das auf die Halbleiteroberfläche wirkt. Solche Prozesse sind oft langsam und benötigen korrosive Chemikalien. Darüberhinaus sind diese Methoden nicht im allgemeinen in jedem Materialsystem einsetzbar. Insbesondere sind die Halbleiter Indium-, Gallium- und Aluminiumnitrid (InN, GaN und AlN), und ihre Mischkristalle oder Legierungen, die im folgenden Text mit „Gruppe III-Nitriden” zusammengefaßt werden, sehr schwierig zu ätzen. Kein zuverlässiges naßchemisches Ätzverfahren steht in diesem Materialsystem zur Verfügung, so daß das relativ komplizierte und teuere Verfahren des Reaktiv-Ionen-Ätzens eingesetzt wird. Diese Methode erlaubt nur relativ geringe Ätzraten und benötigt giftige und toxische Gase (z. B. Bortrichlorid). Weil Ätzverfahren auf die Oberfläche wirken, ist es meist nötig, die Ätzrate und -dauer genau zu kontrollieren, um die gewünschte Tiefe zu erreichen.
- Das zum Wachstum verwendete Substrat hat nicht immer gute Eigenschaften für nachfolgende Prozeßschritte oder für den Betrieb des Bauelements. Die erfolgreichsten Halbleitertechnologien benutzten deshalb zum Wachstum von Halbleitern Substrate aus denselben oder gitterangepaßten Materialien. Als Beispiel werden Scheiben aus GaAs für das Wachstum von Schichten aus GaAs oder Mischkristallen aus AlAs, GaAs, und InAs benutzt. Für manche Halbleitermaterialien aber, zum Beispiel und insbesondere für die Gruppe III-Nitride, stehen solche Volumenkristalle als Substrat nur in sehr beschränkten Maß zur Verfügung. Als Ersatz werden andere Stoffe als Substrat benutzt, wie Saphir und Siliziumkarbid im Falle der Gruppe III-Nitride. Diese Substrate bringen Probleme wie unpassende Atomgitterabstände und unterschiedliche thermische Ausdehnungskoeffizienten mit sich, die sich negativ auf die Materialqualität der auf ihnen gewachsenen Halbleiter auswirken. Dazu sind manche Prozeßschritte, wie das Spalten zur Herstellung von Resonatorspiegeln, die z. B. erfolgreich zur Herstellung von Laserdioden aus GaAs benutzt werden, schwierig oder unmöglich mit diesen Substraten.
- Aus diesen Gründen ist es wünschenswert eine neue Technologie zu besitzen, die es erlaubt, Halbleiterschichten voneinander zu trennen oder von ihrem Substrat abzulösen. Zur Zeit stehen dazu die im folgenden zusammengefaßten Technologien zur Verfügung:
- 1. Einige spezifische Methoden zur Trennung von Schichten im Bereich der Halbleitertechnologie wurden bereits patentiert oder veröffentlicht.
- (i) Im Materialsystem GaAs/AlAs werden im Herstellungsprozeß der Bauelemente AlAs Opferschichten implementiert, die naßchemisch aufgelöst werden können. Dies ermöglicht die Trennung von Schichten oder Strukturen vom Substrat (E. Yablonovitch et al., Appl. Phys. Lett. 51, 2222 (1987),
U.S. Patent 4,846,931 , Thomas J. Gmitter and E. Yablonovitch, 11. Juli 1989). Diese Methode ist wegen der geringen lateralen Ätzgeschwindigkeit sehr zeitaufwendig. Für Gruppe III-Nitride gibt es keine naßchemische Ätzen. - (ii) Eine Methode zur Entfernung von Metallfilmen wurde von Baber beschrieben (
U.S. Patent 4,448,636 , S. C. Baber, 15. Mai 1984). Hierbei wird der Metallfilm durch Licht erhitzt. Eine organische Opferschicht zwischen Substrat und Metallfilm wird durch die zugeführte Wärme verdampft und erlaubt die Entfernung der Metallschicht. Die Verwendung von organischen Zwischenschichten ist bei dem epitaktischen Wachstum von Gruppe III-Nitriden nicht einsetzbar. - (iii) Eine vergleichbare Methode wurde zur Entfernung von Siliziumdioxid-Schichten von Galliumarsenid beschrieben. Auch in diesem Falle wurde eine organische Zwischenschicht durch Lichtabsorption erhitzt und die SiO2 Schicht abgehoben (Y. -F. Lu, Y. Aoyagi, Jpn. J. Appl. Phys. 34, L1669 (1995)).
- (iv) Von der gleichen Arbeitsgruppe existiert eine Veröffentlichung über die Separation von SiO2 Streifen von GaAs mit Hilfe eines Excimer-Lasers. Die mikroskopische Wirkungsweise des Excimer Laserlichts auf die Grenzfläche des SiO2 blieb unverstanden und ist spezifisch für dieses Materialsystem (Y. -F. Lu et al., Jpn. J. Appl. Phys. 33, L324 (1994)). Diese Verfahren lassen sich jedoch nicht offensichtlich auf Gruppe III-Nitride oder andere kristalline Systemen übertragen.
- 2. Laser Ablation ist auf viele Materialsysteme angewandt worden um Material zu entfernen. Jedoch wird bei dieser Methode immer die Oberfläche destruktiv abgetragen, eine Trennung in zwei weiter zu verwendende Teile ist nicht möglich.
- 3. Spezifisch für Gruppe III-Nitride ist das Ätzen von GaN mit einem Laserpuls unter HCl-Gas von Leonard und Bedair (Appl. Phys. Lett. 68, 794 (1996)) beschrieben worden und auf eine photochemische Reaktion unter Beteiligung von Salzsäure zurückgeführt worden.
- 4. Die thermisch aktivierte Zersetzung von GaN wurde durch Morimoto 1974 beschrieben (Morimoto, J. Electrochem. Soc. 121, 1383 (1974), Groh et al., physica status solidi (a) 26, 353 (1974)).
- Gemäß der Erfindung wird ein Bauelement angegeben, das ein Trägermaterial und eine Halbleiterschicht umfasst, die vollständig oder teilweise aus GaN, AlN, InN oder ihren Mischkristallen besteht, wobei während der Herstellung des Bauelements die Halbleiterschicht auf einem Substrat gewachsen ist, die Halbleiterschicht zur mechanischen Stabilisierung auf dem vom Substrat verschiedenen Trägermaterial vor oder nach der Trennung mit der dem Substrat abgewandten Oberfläche fixiert wird und die Trennung der Halbleiterschicht von dem Substrat durch substratseitige Bestrahlung mit Licht, das an oder in der Nähe der Grenzfläche zwischen den zwei zu trennenden Materialien absorbiert wird, erfolgt.
- Das hier beschriebene Verfahren ist eine Alternative zu naß- und trockenchemischen Ätzprozessen, wie sie in der Halbleitertechnologie zur Strukturierung und Herstellung von einzelnen Schichten und Bauelementen eingesetzt werden, und unterscheidet sich von diesen grundsätzlich dadurch, daß es direkt auf einer internen Grenzfläche statt auf der freien Oberfläche wirkt. Dies erlaubt es unter anderem, die gewünschte Strukturierungstiefe direkt zu realisieren statt z. B. sie mit Kontrolle der Ätzdauer erreichen zu müssen. Die Oberfläche muß auch nicht zerstört werden. Dies rührt zu einer neuen Möglichkeit, Schichtsysteme voneinander oder von dem Substrat zu lösen. Freistehende Bauelemente oder Schichten besitzen Vorteile bei weiteren Prozeßschritten; sie eignen sich z. B. als Substrate für die Homoepitaxie ohne die Probleme der Gitterfehlanpassung und der Differenzen in den thermischen Ausdehnungskoeffizienten, oder zur Herstellung von optischen Bauelementen (Laserdioden) durch die Möglichkeit des Spaltens, unabhängig von der Substratspaltbarkeit. Der Transfer von Schichten und Bauelementen aus Gruppe III-Nitriden auf andere Substrate ermöglicht die Kompatibilität und Integration von Gruppe III-Nitriden mit anderen technologisch relevanten Halbleitersystemen wie Silizium.
- Das Verfahren ermöglicht die Trennung von Schichten eines Schicht-Substrat Systems durch die direkte, sehr lokale Wirkung auf interne Grenzflächen. Allgemein kann das hier beschriebene Verfahren auf Materialsysteme angewendet werden, in denen die zu trennende Grenzfläche mit Licht erreichbar ist, das Licht von einem Material an dieser Grenzfläche absorbiert wird, und in denen ein Material in der Grenzflächennähe sich durch die Absorption vom Licht oder Lichtpulsen zersetzen läßt. Das Verfahren wird erleichert, wenn mindestens ein Zersetzungsprodukt gasförmig ist. Als Halbleiter für diesen Prozeß eignen sich u. a. die Gruppe III-Nitriden, oxidische Materialien, und Si3N4.
- Eine Verwirklichung des Verfahrens ist in
4 ) und einem Substrat (6 ) mit einem Lichtstrahl durch Material (6 ) hindurch bestrahlt und das Licht in Halbleitermaterial (4 ) stark absorbiert. Die dabei absorbierte Energie induziert eine Zersetzung des Halbleitermaterials (4 ), so daß es zu einer Trennung der beiden Materialien kommt. Zersetzungsmechanismen können z. B. Sublimation oder chemische Reaktionen sein. Die Zersetzung kann dabei sowohl thermisch wie photochemisch initiiert werden. Die Trennung wird besonders unterstützt, wenn bei der Zersetzung gasförmige Produkte entstehen. Es ist jedoch auch möglich, daß die in Halbleitermaterial (4 ) absorbierte Energie in das Substrat (6 ) diffundiert und dort die Zersetzung stattfindet. Die relative Dicke der beiden Halbleitermaterialien kann dabei stark variieren, und ist nicht notwendigerweise wie in den Abbildungen dargestellt. - Es ist möglich, mit dem hier beschriebenen Verfahren die Halbleitermaterialien direkt von dem Substrat zu trennen, wie in
6 ) geschehen, die Lichtenergie wird in diesem Fall im Halbleitermaterial (4 ) absorbiert. Je nach den Absorptionseigenschaften kann es jedoch auch möglich sein, die Grenzfläche durch das Halbleitermaterial (4 ) zu beleuchten, so daß das Substrat die Lichtenergie absorbiert. Wie oben bereits dargestellt ist es jedoch nicht notwendig, daß die Zersetzung in dem absorbierenden Teil der Struktur stattfindet, die Energie kann ggf. auch in den anderen Teil diffundieren und dort die Zersetzung bewirken. - Das Halbleitermaterial (
4 ) kann entweder eine homogene Schicht aus einem Halbleiter sein, oder aus Schichtfolgen verschiedener Halbleiter bestehen, wie am Beispiel von Material (4 ) in - Um die Absorption des Lichtes an der zu trennenden Grenzfläche zu verbessern und gezielt zu beeinflussen, kann eine besonders absorbierende Schicht (
8 ) zwischen Halbleitermaterial (4 ) und Substrat (6 ), wie in8 ) zu benutzen, das eine optische Bandlücke unterhalb derer der umgebenden Materialien hat. Die Halbleiterschicht (8 ) kann nun selbst zersetzt werden und dann als eine Opferschicht wirken. Es ist aber auch möglich, daß die absorbierte Energie diffundiert und in der Nähe der Schicht (8 ) zu einer Trennung führt. Möglich ist auch, daß die Energie in der Schicht (4 ) absorbiert wird, diese jedoch zu stabil ist um zersetzt zu werden. In diesem Falle kann die Halbleiterschicht (8 ) so gewählt werden, daß sie sich besonders einfach zersetzt, also wiederum als Opferschicht fungiert. Ein besonderer Vorteil des hier beschriebenen Verfahrens ist, daß die Halbleiterschicht (8 ) kristallin und gitterangepaßt sein kann. Ist eine absorbierende Schicht (8 ) verwendet, so besteht die Halbleiterschicht (8 ) vollständig oder teilweise aus GaN, AlN, InN oder ihren Mischkristallen und ist Teil der Halbleiterschicht, die auf dem Substrat gewachsen ist. - Das Licht muß so gewählt werden, daß es die zu trennende Grenzfläche erreichen kann und dort ausreichend absorbiert wird. Dies kann im einfachsten Fall durch Beleuchtung mit einer Lampe, ggf. nach Filterung, geschehen. Reicht der so zur Verfügung stehende Photonenfluß nicht aus, so kann die Beleuchtung auch mit einem geeigneten Laser durchgeführt werden. Besonders im Fall einer thermischen Zersetzung kann wegen der thermischen Leitfähigkeit der Materialien schnell die Wärme aus dem zu zersetzenden Bereich wegdiffundieren. Es kann deshalb notwendig sein, die Lichtenergie in Form sehr kurzer Lichtpulse zuzuführen, um trotzdem die für die Zersetzung notwendige Temperatur zu erreichen.
- Der durch die Grenzflächenzersetzung abgetrennte Teil kann sehr dünn oder klein sein und somit mechanisch instabil und schlecht zu handhaben. Dieser Teil wird vor oder nach der Trennung auf ein neues Trägermaterial aufgebracht, z. B. durch Kleben. Dies ist für den Fall des Fixierens vor der Grenzflächenzersetzung in
14 ) und Klebstoff (12 )). Nach der Trennung hat man dann die dünne Schicht (4 ) auf dem Trägermaterial (14 ) ohne das Substrat (6 ). - Ein besonderer Vorteil des hier beschriebenen Verfahrens kann in der Anwendung auf elektronische oder optoelektronische Bauelemente liegen, die auf einem nicht-leitenden Substrat hergestellt werden. In diesem Falle ist es häufig schwierig, an eine Substrat-nah liegende Halbleiterschicht einen elektrischen Kontakt zuzuführen. Diese verlangt häufig nach komplizierten Ätzprozessen und der Bildung von Mesastrukturen. Mit dem hier beschriebenen Verfahren lassen sich, wie in
4 ) oder Bauelemente von dem nichtleitenden Substrat ablösen. Die nun freigelegte, vorher substratzugewandte Seite des Bauelementes ist nun einfach zugänglich für elektrische Kontakte (18 ), zusätzlich zu dem elektrischen Kontakt (16 ) an der ursprünglichen Oberfläche der Schichtfolge. - Wichtige Prozeßschritte für das beschriebene Verfahren können sein:
- (i) die Identifizierung, Auswahl oder Herstellung einer zu trennenden Grenzfläche in dem gewünschten Schichtsystem, welche mit dem zur Trennung zu benutzenden Licht erreichbar ist,
- (ii) die Identifizierung eines Materials, oder Einbau eines Materials als Opferschicht an der Grenzfläche, das das eingestrahlte Licht absorbiert.
- (iii) die Identifizierung eines Materials, oder Einbau eines Materials als Opferschicht in der Grenzflächennähe, das durch das absorbierte Licht oder daraus resultierende Energie zur Zersetzung gebracht werden kann und womöglich bei der Zersetzung ein gasförmiges Produkt in ausreichender Menge erzeugt.
- (iv) die Beleuchtung mit Licht einer ausgewählten Wellenlänge und Intensität, so daß das Licht hauptsächlich von der zu trennenden Grenzfläche oder der Opferschicht absorbiert wird und dabei die Zersetzungsreaktion anregt, wobei im Falle transparenter Substrate die Grenzfläche oder Opferschicht auch durch das Substrat hindurch beleuchtet werden kann.
- Die Realisierung dieses Verfahrens ist von dem Materialsystem abhängig. Bevorzugt umfasst die Halbleiterschicht Halbleitermaterialien an der zu trennenden Grenzfläche mit kleinerer Bandlücke als alle andere Schichtfolgen oder Materialien zu einer Seite der Grenzfläche. Dabei kann eine Lichtwellenlänge ausgewählt werden bei der das Licht bis zur Grenzfläche eindringen kann, und das von dem Material mit kleiner Bandlücke absorbiert wird. Dazu muß eine Zersetzung in diesem oder einem benachbarten Material induzierbar sein.
- Dieser Prozeß ist für Schichten oder Schichtsysteme der Gruppe III-Nitride geeignet, da diese Materialgruppe einige ausgezeichnete physikalische Eigenschaften aufweist. Erstens ist es möglich, Gruppe III-Nitride durch die Absorption von einzelnen Lichtpulsen über ihre Zersetzungsstemperatur räumlich begrenzt und kontrolliert zu heizen. Bei den durch die Absorption von Lichtpulsen erzeugten Temperaturen setzt die Zersetzung der Nitride und die Bildung von gasförmigem Stickstoff ein (600°C–1800°C, abhängig von der Zusammensetzung der Nitride). Zweitens ist es für die beschriebene Verfahrensweise hilfreich, daß die Schmelztemperaturen der Gruppe III-Nitride weit über den Zersetzungstemperaturen liegen, so daß es bei der Absorption intensiver Lichtpulse nicht zur Beeinträchtigung von Schichten und Bauelementen durch Schmelzen kommt. Drittens sind diese Halbleitermaterialien besonders für optische Prozesse geeignet, da sie in Abhängigkeit von der Wellenlänge des Lichts eine wohl definierte, scharfe Schwelle besitzen, eine direkte Bandlücke, an der sie von durchlässig zu vollständiger absorbierend wechseln. Weiterhin läßt sich die Wellenlänge, bei der die Absorption einsetzt, durch die Mischkristalle der Nitride (InGaN und AlGaN) über einen weiten Spektralbereich variieren (Bandlücken: InN 1.9 eV, GaN 3.4 eV, AlN 6.2 eV). Außerdem werden Gruppe III-Nitride oft auf Saphirsubstraten hergestellt, die im gesamten optischen und ultravioletten Bereich transparent sind. Dies macht auch eine Beleuchtung der Schichten durch das Substrat möglich.
- In so einem Fall, wo die Zersetzung thermisch aktiviert wird, ist es wichtig daß die entstehende Wärme auf die Grenzfläche oder die Opferschicht konzentriert werden kann, einerseits um die nötige eingestrahlte Intensität zu minimieren, andererseits um unerwünschte Effekte auf das umgebende Material auszuschließen. Da die lichterzeugte Wärmemenge durch die thermische Leitfähigkeit der Materialien schnell aus den heißen Volumen abgeleitet wird, muß die notwendige Temperatur in einer sehr kurzen Zeit erzeugt werden. Dies kann durch kurze Laserpulse realisiert werden. Für typische Wärmeleitfähigkeiten der Gruppe III-Nitride kann die absorbierte Energie durch die Verwendung von Laserpulsen einer Dauer von 1 ns bis 10 ns auf die Eindringtiefe des absorbierten Lichts oder die Dicke der Opferschicht konzentriert werden. Für die Zersetzung von Gruppe III-Nitriden eignet sich z. B. ein „Q-switched” gepulster Nd:YAG Laser.
- Für die lichtinduzierte Zersetzung der Materialien GaN und InGaN (Bandlücken zwischen 1.9 und 3.4 eV) kann die dritte harmonische Laserlinie eines Nd:YAG Lasers verwendet werden. Diese Laserlinie wird z. B. mit Hilfe eines nichtlinearen optischen Kristalls erzeugt und besitzt eine Wellenlänge von 355 nm (3.5 eV). GaN und InGaN Schichten absorbieren diese Lichtpulse und können zur Zersetzung gebracht werden. AlGaN Schichten und das meistens verwendete Saphirsubstrat sind für diese Wellenlänge transparent. Freistehende GaN und InGaN Schichten können direkt durch die Zersetzung der Grenzfläche Substrat-Schicht erzeugt werden. AlGaN Schichten und Bauelemente können durch die lichtinduzierte Zersetzung von dünnen GaN oder InGaN Opferschichten vom Substrat gelöst werden. In
4 ) von einem beidseitig polierten Saphir Substrat (6 ) zu trennen ist. Die Grenzfläche zwischen GaN und Saphir wird durch das Substrat hindurch mit einem einzelnen Laserpuls der Wellenlänge 355 nm beleuchtet. Das Licht wird nahe der Grenzfläche bis zu einer Tiefe von ungefähr 100 nm vom GaN absorbiert, wodurch die Grenzfläche geheizt wird. Werden Temperaturen von mehr als 850°C erreicht, setzt die Zersetzung des GaN unter Bildung von Stickstoffgas ein. Für Pulsenergien über ungefähr 0,2 J/cm2 genügt die Energiedichte zur vollständigen Zersetzung an der Grenze, wodurch die Bindung zwischen dem Substrat und der GaN Schicht in der beleuchteten Fläche getrennt wird. Um die freistehende Schicht zu stabilisieren kann die Probe vor der Beleuchtung mit der Schichtseite unter Verwendung eines Harzes oder Wachses (12 ) auf eine Teflon® Scheibe oder Folie (14 ) geklebt. Ist die Schicht durch die Zersetzungsreaktion vom Substrat getrennt, läßt sich der Saphir abheben und die GaN Schicht bleibt auf der Teflonscheibe zurück. Nun läßt sich das Wachs oder der Harz in Aceton lösen und das GaN bleibt als freistehende Schicht zurück. - Optoelektronische Bauelemente wie Leuchtdioden und Halbleiterlasern und elektronische Bauelemente wie Transistoren, Dioden, Oberflächenwellen-Bauelemente werden typischerweise in großer Zahl auf einem einzelnen Substrat hergestellt. Hier kann das beschriebene Verfahren der lichtinduzierten Strukturierung zur Trennung der einzelnen Bauelemente verwendet werden. Die Separation der Bauelemente vom Substrat kann wie bereits erwähnt durch die Zersetzung einer Opferschicht erfolgen, die während des Fertigungsprozesses unter oder über die zu trennende Fläche eingebracht werden muß. Hierzu eignen sich dünne InGaN Schichten aufgrund ihrer vergleichsweise geringen Bandlücke und chemischen Stabilität besonders.
- Die Produktion freistehender Schichten und Schichtfolgen erlaubt den Transfer von Gruppe III-Nitriden auf andere Substrate (z. B. Silizium) die sich in ihren strukturellen, mechanischen und thermischen Eigenschaften stark von denen der Nitride unterscheiden können. Die Verfahrensweise erlaubt die Kombination von Leuchtdioden und Halbleiterlasern aus Gruppe III-Nitriden mit konventionellen Trägermaterialien zur Herstellung flacher Bildschirme oder die Integration solcher Bauelemente in Schaltungen und integrierte Schaltkreise.
Claims (6)
- Bauelement, umfassend ein Trägermaterial und eine Halbleiterschicht, die vollständig oder teilweise aus GaN, AlN, InN, oder ihren Mischkristallen besteht, wobei während der Herstellung des Bauelements – die Halbleiterschicht auf einem Substrat gewachsen ist, – die Halbleiterschicht zur mechanischen Stabilisierung auf dem von dem Substrat verschiedenen Trägermaterial vor oder nach der Trennung mit der dem Substrat abgewandten Oberfläche fixiert wird, – die Trennung der Halbleiterschicht von dem Substrat durch substratseitige Bestrahlung mit Licht, das an oder in der Nähe der Grenzfläche zwischen den zwei zu trennenden Materialien absorbiert wird, erfolgt.
- Bauelement nach Anspruch 1, bei dem das Bauelement eine Leuchtdiode oder ein Halbleiterlaser ist.
- Bauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 2, bei dem die Halbleiterschicht auf das Trägermaterial aufgeklebt ist.
- Bauelement nach Anspruch 1, wobei die abgetrennte Halbleiterschicht eine Schichtstruktur, Schichtfolge, oder Bauelementstrukturen beinhaltet.
- Bauelement nach einem der obigen Ansprüche, bei dem auf der ursprünglich dem Wachstumssubstrat zugewandten Seite des Bauelements ein elektrischer Kontakt angeordnet ist.
- Bauelement nach einem der obigen Ansprüche, bei dem das Trägermaterial Silizium umfasst.
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