DE19648475B4 - Kontaktstruktur, Prüfkarten und Herstellungsverfahren - Google Patents
Kontaktstruktur, Prüfkarten und Herstellungsverfahren Download PDFInfo
- Publication number
- DE19648475B4 DE19648475B4 DE19648475A DE19648475A DE19648475B4 DE 19648475 B4 DE19648475 B4 DE 19648475B4 DE 19648475 A DE19648475 A DE 19648475A DE 19648475 A DE19648475 A DE 19648475A DE 19648475 B4 DE19648475 B4 DE 19648475B4
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- strip
- silicon substrate
- micro
- pins
- semiconductor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R1/00—Details of instruments or arrangements of the types included in groups G01R5/00 - G01R13/00 and G01R31/00
- G01R1/02—General constructional details
- G01R1/06—Measuring leads; Measuring probes
- G01R1/067—Measuring probes
- G01R1/06711—Probe needles; Cantilever beams; "Bump" contacts; Replaceable probe pins
- G01R1/06733—Geometry aspects
- G01R1/06744—Microprobes, i.e. having dimensions as IC details
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R1/00—Details of instruments or arrangements of the types included in groups G01R5/00 - G01R13/00 and G01R31/00
- G01R1/02—General constructional details
- G01R1/06—Measuring leads; Measuring probes
- G01R1/067—Measuring probes
- G01R1/073—Multiple probes
- G01R1/07307—Multiple probes with individual probe elements, e.g. needles, cantilever beams or bump contacts, fixed in relation to each other, e.g. bed of nails fixture or probe card
- G01R1/07342—Multiple probes with individual probe elements, e.g. needles, cantilever beams or bump contacts, fixed in relation to each other, e.g. bed of nails fixture or probe card the body of the probe being at an angle other than perpendicular to test object, e.g. probe card
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R1/00—Details of instruments or arrangements of the types included in groups G01R5/00 - G01R13/00 and G01R31/00
- G01R1/02—General constructional details
- G01R1/06—Measuring leads; Measuring probes
- G01R1/067—Measuring probes
- G01R1/073—Multiple probes
- G01R1/07392—Multiple probes manipulating each probe element or tip individually
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
- G01R31/28—Testing of electronic circuits, e.g. by signal tracer
- G01R31/2851—Testing of integrated circuits [IC]
- G01R31/2886—Features relating to contacting the IC under test, e.g. probe heads; chucks
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R1/00—Details of instruments or arrangements of the types included in groups G01R5/00 - G01R13/00 and G01R31/00
- G01R1/02—General constructional details
- G01R1/06—Measuring leads; Measuring probes
- G01R1/067—Measuring probes
- G01R1/06711—Probe needles; Cantilever beams; "Bump" contacts; Replaceable probe pins
- G01R1/06716—Elastic
- G01R1/06727—Cantilever beams
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
Abstract
Kontaktstruktur
zum elektrischen Verbinden eines Kontaktstiftes mit einer Elektrode
eines Bausteins mit:
mehreren auf einem Halbleitersubstrat ausgebildeten Streifen, die einen Abstand aufweisen, der dem Abstand der Elektroden des zu prüfenden Halbeiterbausteins entspricht, wobei jeder Streifen ausgebildet ist mit:
einem an einem Ende des in Richtung vertikal zur Hauptfläche des Streifens auslenkbaren Streifens einstückig ausgebildeten elektrisch leitfähigen Mikrokontaktstift, wobei der Mikrokontaktstift eine durch anisotropisches Ätzen ausgebildete Pyramidenform aufweist; und
einem auf dem Streifen ausgebildeten piezoelektrischen Element zum Auslenken des Mikrokontaktstiftes in der Richtung vertikal zur Hauptfläche des Streifens, wenn dem piezoelektrischen Element ein Treibersignal zugeführt wird;
wobei die Auslenkungsbewegung jedes Mikrokontaktstiftes selektiv durch das Treibersignal veranlaßt wird, und wobei die Auslenkungsbewegung eines jeden Mikrokontaktstiftes unabhängig von der der anderen Mikrokontaktstifte ist, so daß eine Zielelektrode auf dem zu prüfenden Halbleiterbaustein kontaktiert wird, ohne eine mechanische Bewegung der anderen Mikrokontaktstifte hervorzurufen.
mehreren auf einem Halbleitersubstrat ausgebildeten Streifen, die einen Abstand aufweisen, der dem Abstand der Elektroden des zu prüfenden Halbeiterbausteins entspricht, wobei jeder Streifen ausgebildet ist mit:
einem an einem Ende des in Richtung vertikal zur Hauptfläche des Streifens auslenkbaren Streifens einstückig ausgebildeten elektrisch leitfähigen Mikrokontaktstift, wobei der Mikrokontaktstift eine durch anisotropisches Ätzen ausgebildete Pyramidenform aufweist; und
einem auf dem Streifen ausgebildeten piezoelektrischen Element zum Auslenken des Mikrokontaktstiftes in der Richtung vertikal zur Hauptfläche des Streifens, wenn dem piezoelektrischen Element ein Treibersignal zugeführt wird;
wobei die Auslenkungsbewegung jedes Mikrokontaktstiftes selektiv durch das Treibersignal veranlaßt wird, und wobei die Auslenkungsbewegung eines jeden Mikrokontaktstiftes unabhängig von der der anderen Mikrokontaktstifte ist, so daß eine Zielelektrode auf dem zu prüfenden Halbleiterbaustein kontaktiert wird, ohne eine mechanische Bewegung der anderen Mikrokontaktstifte hervorzurufen.
Description
- Die vorliegende Erfindung betrifft Strukturen einer Prüfkarte und eines Klein- oder Mikrokontaktstifts, der auf der Prüfkarte angeordnet ist, wobei diese zum Prüfen der Funktion oder des Leistungsvermögens eines auf einem Halbleiterwafer oder einer Halbleiterscheibe ausgebildeten Halbleiter-IC-Bausteins verwendet werden, und ein Verfahren zum Herstellen der Prüfkarte und der Kontaktstifte. Die Erfindung betrifft insbesondere eine Struktur eines Mikrokontaktstifts und einer Prüfkarte mit einer großen Anzahl von Mikrokontaktstiften, um auf einer Halbleiterscheibe angeordnete hochdichte Halbleiter-IC-Bausteine zu prüfen. Unter Prüfkarte wird erfindungsgemäß insbesondere eine Nadelkarte verstanden, z.B. eine Nadelkarte zum Testen von Wafern auf einem Sondenmeßplatz.
- Beim Prüfen einer auf einer Halbleiterscheibe (Wafer), wie beispielsweise einer Siliziumscheibe, angeordneten integrierten Halbleiterschaltung wird eine besondere Vorrichtung, wie beispielsweise eine Wafer-Prüfvorrichtung verwen det, die eine Prüfkarte mit mehreren Kontaktstiften aufweist. Durch die Kontaktstifte werden elektrische Verbindungen mit Elektroden auf der Oberfläche der Scheibe hergestellt, um Signale zwischen den Kontaktstiften und den Elektroden zu übertragen. Die
4 und5 zeigen ein Beispiel einer Struktur einer herkömmlichen Prüfkarte zum Prüfen einer solchen auf einer Halbleiterscheibe angeordneten integrierten Halbleiterschaltung. - In
4 weist die Prüfkarte Kontaktstifte19 , eine Isolierplatte17 und Koaxialkabel18 zum Prüfen eines auf einer Siliziumscheibe (Wafer)1 ausgebildeten Halbleiterbausteins7 auf. Der zu prüfende Halbleiterbaustein7 weist mehrere Elektroden2 , wie beispielsweise Anschlußflächen, auf seiner Oberfläche auf. - Die Kontaktstifte
19 werden in diesem Fall als Pogo-Stifte bezeichnet, die elastisch sind und eine Teleskopstruktur aufweisen. Jeder der Kontaktstifte19 ist so angeordnet, daß er der entsprechenden Elektrode2 des zu prüfenden Bausteins7 zugewandt ist bzw. gegenüberliegt. Die elektrische Verbindung wird hergestellt, wenn die Enden der Kontaktstifte19 auf die Elektroden2 gedrückt werden. Die Isolierplatte7 dient dazu, die Kontaktstifte19 auf eine vorgegebene Position einzustellen und die Kontaktstifte in dieser Position zu fixieren. Die Koaxialkabel18 sind mit den oberen Abschnitten der Kontaktstifte19 verbunden, um eine elektrische Verbindung zwischen dem zu prüfenden Baustein7 und einem in einem Blockdiagramm von7 dargestellten Prüfsystem28 herzustellen. -
5 zeigt ein anderes Beispiel einer herkömmlichen Prüfkarte. Die Prüfkarte von5 weist mehrere Elektrodenanschlüsse21 , eine Membran20 , einen Prüfrahmen22 , Schrauben23 und Koaxialkabel18 auf. Die höckerförmigen Elektrodenanschlüsse21 sind auf der Oberfläche der Membran20 so ausgebildet, daß sie mit den Elektroden des zu prüfenden Bausteins auf der Siliziumscheibe1 in Kontakt kommen. - Außer den Elektrodenanschlüssen
21 weist die Membran20 außerdem mit den Anschlüssen21 verbundene Schaltungsmuster zum Übertragen elektrischer Signale auf. D.h., die Elektrodenanschlüsse21 sind mit den entsprechenden Koaxialkabeln18 durch die Schaltungsmuster verbunden. - Ein Plunger bzw. Kolben
24 , Schrauben23 , eine Feder25 und ein Drucksensor26 sind vorgesehen, um Auf- und Abwärtsbewegungen der Elektrodenanschlüsse21 und der Membran20 zu veranlassen. Dadurch werden die Elektrodenanschlüsse21 auf die Elektroden gedrückt, um elektrische Verbindungen dazwischen herzustellen. Ein Prüfrahmen22 hält die verschiedenen vorstehend erwähnten Komponenten und ermöglicht die Auf- und Abwärtsbewegungen der Elektrodenanschlüsse21 . - Die Position der Elektrodenanschlüsse
21 bezüglich der Elektroden2 auf dem zu prüfenden Baustein7 wird durch Positionieren des Plungers24 durch die Schrauben23 in vertikaler und horizontaler Richtung eingestellt. Dadurch können die elektrischen Signale zwischen dem gerade geprüften Halbleiterbaustein7 und dem Halbleiterprüfsystem28 (7 ) über die Koaxialkabel18 übertragen werden. - Aufgrund der zunehmenden Dichte und der zunehmenden Betriebs- oder Arbeitsgeschwindigkeit integrierter Halbleiterschaltungen, müssen Prüfkarten zum Prüfen der auf der Halbleiterscheibe angeordneten integrierten Schaltungen in einer höheren Dichte angeordnete Kontaktstifte mit einer besseren Impedanzanpassung an den Verbindungspunkten aufweisen. Außerdem muß durch die Kontaktstifte auf der Prüfkarte aufgrund der zunehmenden Dichte und des zunehmenden Integrationsgrades der integrierten Schaltungen auch dann ein ausreichender elektrischer Kontakt mit den Elektroden auf der Scheibe aufrechterhalten werden, wenn die Flachheit oder Ebenheit der Scheibe schwankt oder vermindert wird.
- Wenn die Elektroden
2 des zu prüfenden Bausteins7 Aluminiumelektroden sind, muß außerdem, um den elektrischen Kontakt zwischen den Elektroden2 und den Kontaktstiften auf der Prüfkarte zu gewährleisten, eine Schrubb- oder Abreibfunktion zum Entfernen eines Oxidfilms auf der Oberfläche der Elektrode2 bereitgestellt werden. Durch diese Schrubb- oder Abreibfunktion kann ein ausreichender zuverlässiger elektrischer Kontakt aufrechterhalten werden. - Bei einer herkömmlichen Prüfkarte unter Verwendung der in
4 dargestellten Kontaktstifte19 kann die Spitze des Kontaktstiftes19 klein genug ausgebildet werden, so daß sie der Größe der Elektrode2 auf der Scheibe angepaßt ist. Weil der Kontaktstift10 jedoch eine ausreichende Größe aufweisen muß, um eine ausreichende mechanische Steifigkeit oder Stabilität zu erhalten, und Zwischenräume oder Abstände für die Verbindung mit den Koaxialkabeln18 bereitgestellt werden müssen, ist der minimale Abstand zwischen den Kontaktstiften19 auf etwa 1 mm begrenzt. - Bei einer herkömmlichen Prüfkarte unter Verwendung der in
5 dargestellten Elektrodenanschlüsse21 auf der Membran20 kann die Dichte der Elektrodenanschlüsse höher sein als die bei der Prüfkarte unter Verwendung der in4 dargestellten Kontaktstifte19 erhaltene Dichte. Die Dichte der in5 dargestellten Struktur ist jedoch noch immer auf etwa 0.5 mm begrenzt. Außerdem ist das in5 dargestellte Beispiel nicht dazu geeignet, die Verminderung der Flachheit oder Ebenheit der Scheibenoberfläche geeignet auszugleichen, weil die Elektrodenanschlüsse21 nicht voneinander unabhängig sind. Aus dem gleichen Grund ist die Schrubb- oder Abreibfunktion zum Entfernen des Oxidfilms der Elektroden des zu prüfenden Bausteins nicht verfügbar. - Daher ist die herkömmliche Prüfkarte unter Verwendung der Pogo-Kontaktstifte oder der Membran mit den Anschlüssen nicht dazu geeignet, die Anforderungen zu erfüllen, die durch neue integrierte Halbleiterbausteine mit einem sehr kleinen Abstand zwischen den Elektroden an die Karte gestellt werden.
- US-A-4 811 246 betrifft ein System zum automatischen Prüfen von Mikroelektronikbausteinen. Insbesondere betrifft Entgegenhaltung
1 ein System zum automatischen Prüfen von Mikroelektronikbausteinen, wobei das Prüfsystem einen konstanten wiederholbaren Kontakteingriff bzw. Kontaktkraft unabhängig von geometrischen Toleranzen des Bausteins bereitstellt. Dazu wird ein mikro-positionierbarer Kontakt zum Bilden von Prüfverbindungen mit ausgewählten Anschlüssen des zu prüfenden Bausteins verwendet. Dieser Kontakt weist eine Sonde zum Herstellen des elektrischen Kontaktes und Einrichtungen zum Herstellen elektrischer Verbindungen mit dem Kontakt sowie einen piezoelektrischen Motor auf, der auf eine angelegte Spannung anspricht und mechanisch mit der Sonde verbunden ist und auf diese wirkt, um den elektrischen Kontakt der Sonde zu ausgewählten Positionen als Antwort auf die vorbestimmte angelegte Spannung zu bewegen. Eine Spannungsquelle, die einen Computer und einen Digital/Analog-Wandler aufweist, ist mit dem piezoelektrischen Motor so verbunden, daß von dem Computer erzeugte digitale Positionssignale, die dem Digital/Analog-Wandler zugeführt werden, entsprechende präzise Spannungen hervorrufen, die an den piezoelektrischen Motor angelegt werden. - US-A-5 138 216 (2) betrifft eine Positionserfassungsvorrichtung zum Messen von Positionen von Objekten. Der darin beschriebene Sensor weist einen flexiblen Streifen auf, auf dem mindestens ein erstes piezoelektrisches greifbares Sensorelement angeordnet ist, daß ein elektrisches Signal erzeugt, wenn es mit einem Objekt in Berührung kommt, wie etwa einem Chipanschluß. Auf dem Streifen ist ferner ein piezoelektrisches Aktuatorelement angeordnet, dem elektrische Signale zugeführt werden, um den Streifen auszulenken. Bei Betrieb des Sensors wird der Streifen in die Nähe der Chipanschlüsse oder anderer zu messender Objekte gebracht und elektrische Signale werden dem piezoelektrischen Aktuatorelement zugeführt, um den Streifen auszulenken und den Chipanschluß zu kontaktieren.
- EP-A-0 601 852 betrifft eine Informationsaufzeichnungs- und Wiedergabevorrichtung, bei der eine feine Aufnahmevertiefung auf der Oberfläche einer Disk ausgebildet ist und ein Tunnelstrom verwendet wird, der zwischen einer Kante einer Vertiefung und der Oberfläche der Disk erzeugt wird. Die Informationsaufzeichnungsvorrichtung weist einen Ausleger auf, der einen hervorstehenden Abschnitt derart hat, daß er im wesentlichen parallel zu der Aufzeichnungsoberfläche ist, und weist eine Spitze zum Erfassen des Tunnelstromes auf, die auf einer Oberfläche dieses Abschnittes an der Seite der Aufzeichnungsoberfläche ausgebildet ist. Das Herstellungsverfahren beinhaltet einen Schritt der Ausbildung der Spitze mittels anisotropen Ätzens.
- Es ist erforderlich, eine Prüfkarte und eine Kontaktstiftstruktur bereitzustellen, bei denen ein neues Verfahren verwendet wird, um die Dimensionierungsgrenzen zu überwinden und die durch den hochdichten Halbleiterbaustein vorgegebenen, an die Kontaktstruktur gestellten Anforderungen zu erfüllen.
- Daher ist es eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung, eine Kontaktstruktur zum elektrischen Verbinden eines Kontaktstiftes mit einer Elektrode eines auf einer Halbleiterscheibe (Wafer) ausgebildeten zu prüfenden Bausteins bereitzustellen, bei der der Abstand zwischen benachbarten Kontaktstiften vermindert ist, um einen hochdichten Halbleiterbaustein zu prüfen.
- Ferner wird eine Kontaktstruktur zum stabilen und zuverlässigen elektrischen Verbinden eines Kontaktstifts mit einer Elektrode eines zu prüfenden Bausteins bereitgestellt, indem die Schwankungen der Flachheit oder Ebenheit der Elektroden des zu prüfenden Bausteins ausgeglichen werden.
- Außerdem wird eine Kontaktstruktur zum stabilen und zuverlässigen elektrischen Verbinden eines Kontaktstiftes mit einer Elektrode eines zu prüfenden Bausteins durch Schrubben oder Abreiben einer Oberfläche der Elektrode durch den Kontaktstift bereitgestellt.
- Ferner werden eine Prüfkarte und ein Verfahren zum Herstellen der Prüfkarte bereitgestellt.
- Die erfindungsgemäße Kontaktstruktur weist einen an einem Ende eines in vertikaler Richtung beweglichen Streifens ausgebildeten Mikrokontaktstift mit elektrischer Leitfähigkeit und ein auf dem Streifen ausgebildetes Piezoelement oder piezoelektisches Element auf, durch das der Streifen in vertikaler Richtung bewegt wird. Der Streifen besteht vorzugsweise aus Silizium, auf dessen Oberfläche eine leitfähige dünne Schicht ausgebildet ist, und der Mikrokontaktstift ist vorzugsweise pyramidenförmig. Das piezoelektrische Element ist vorzugsweise eine auf einer oberen Fläche des Streifens oder auf der oberen und der unteren Fläche des Streifens angeordnete Zweielement- oder Doppelkristallplatte.
- Ferner wird eine weitere Prüfkarte zum Herstellen elektrischer Verbindungen zwischen Elektroden mehrerer auf einer Scheibe angeordneter Halbleiterschaltungen und einem Halbleiterprüfsystem bereitgestellt. Die Prüfkarte wird gebildet aus: mehreren Mikrokontaktstiften, die auf entsprechenden Streifen ausgebildet sind und relativ zu den Elektroden aller Halbleiterschaltungen auf der Scheibe angeordnet sind, wobei jeder der Mikrokontaktstifte elektrisch leitfähig ist und an einem Ende jedes der Streifen ausgebildet ist und jeder Streifen in vertikaler Richtung beweglich ist, und wobei mehrere piezoelektrische Elemente auf den Streifen ausgebildet sind, um die entsprechenden Streifen in vertikaler Richtung zu bewegen; und einer Multiplexschaltung zum Auswählen einer Gruppe von Mikrokontaktstiften, um Signale zwischen ausgewählten der Halbleiterbausteine und dem Halbleiterprüfsystem zu übertragen.
- Ferner wird ein Verfahren zum Herstellen der weiteren Prüfkarte durch ein Halbleiterherstellungsverfahren bereitgestellt.
- Erfindungsgemäß ist jeder der erfindungsgemäßen Mikrokontaktstifte aufgrund seiner Struktur unabhängig von den anderen elastisch. Daher können durch die Kontaktstifte Schwankungen der Oberflächenflachheit des auf der Scheibe angeordneten zu prüfenden Halbleiterbausteins ausgeglichen werden. Weil die Kontaktstifte voneinander unabhängig sind und getrennt aufwärts und abwärts beweglich sind, kann die Abreib- oder Schrubbfunktion bezüglich den Elektrodenoberflächen bereitgestellt werden. Daher wird durch den erfindungsgemäßen Kontaktstift ein sehr stabiler und zuverlässiger elektrischer Kontakt erreicht.
- Außerdem kann die Prüfkarte so hergestellt werden, daß alle auf einer Scheibe ausgebildeten Halbleiterschaltungen abgedeckt werden. Die Prüfkarte weist eine Multiplexschal tung auf, um elektrische Verbindungen zwischen der gerade geprüften Halbleiterschaltung und dem Halbleiterprüfsystem zu schalten. Bei dieser Anordnung können ohne Verwendung eines X-Y-Tischs durch Auswählen der zu prüfenden Halbleiterschaltung alle Halbleiterschaltungen geprüft werden. Daher ist während des Prüfvorgangs keine mechanische Positionierung erforderlich, wodurch die Positionierungsgenauigkeit zwischen den Kontaktstiften und dem gerade geprüften Baustein verbessert und dadurch die Gesamtzeit für den Prüfvorgang vermindert wird.
- Die Erfindung wird nachstehend anhand der Zeichnungen näher erläutert,
-
1 zeigt eine Teilquerschnittansicht zum Darstellen einer erfindungsgemäßen Prüfkarte, wobei die Prüfkarte aus drei Siliziumsubstratschichten für zwei Elektrodenreihen gebildet wird, die sich auf dem zu prüfenden Halbleiterbaustein parallel erstrecken. -
2 zeigt eine Querschnittansicht zum Darstellen eines Beispiels einer Anordnung, bei der eine Prüfkarte einstückig derart ausgebildet ist, daß sie eine große Anzahl von erfindungsgemäßen Mikrokontaktstiften aufweist, die allen auf der Scheibe ausgebildeten zu prüfenden Halbleiterbausteinen zugeordnet sind; -
3 zeigt eine perspektivische Ansicht der Prüfkarte von2 , bei der die Mikrokontaktstifte allen auf der Scheibe ausgebildeten zu prüfenden Bausteinen zugeordnet sind; -
4 zeigt eine Querschnittansicht zum Darstellen einer Kontaktstruktur einer herkömmlichen Prüfkarte; -
5 zeigt eine Querschnittansicht zum Darstellen einer Kontaktstruktur einer anderen herkömmlichen Prüfkarte; -
6 zeigt ein Diagramm zum Darstellen eines Beispiels eines Verfahrens zum Herstellen eines erfindungsgemäßen Mikrokontaktstiftes; -
7 zeigt ein schematisches Blockdiagramm zum Darstellen einer elektrischen Verbindung, wobei mehrere zu prüfende Halbleiterbausteine gemäß einer anderen Ausführungsform der Erfindung, bei der Mikrokontaktstifte und ein Multiplexer vorgesehen sind, nacheinander geprüft werden; und -
8 zeigt ein Ablaufdiagramm zum Darstellen eines Verfahrens zum Herstellen des erfindungsgemäßen Mikrokontaktstifts. - Nachstehend wird unter Bezug auf
1 die bevorzugte Ausführungsform der vorliegenden Erfindung beschrieben.1 zeigt eine Teilquerschnittansicht zum Darstellen einer erfindungsgemäßen Prüfkarte, wobei die Prüfkarte aus drei Siliziumsubstratschichten gebildet wird, um einen elektrischen Kontakt mit zwei auf dem zu prüfenden Halbleiterbaustein ausgebildeten, sich parallel erstreckenden Elektrodenreihen herzustellen. - In der Querschnittansicht von
1 weist eine Prüfkarte3 eine dreischichtige Struktur aus drei Siliziumsubstraten auf, einem ersten Substrat8 , einem zweiten Substrat10 und einem dritten Substrat15 . Ein Streifen oder Träger bzw. Ausleger4 ist durch ein geeignetes Verfahren, wie beispielsweise maschinelle Fein- oder Mikrobearbeitung, auf dem ersten Siliziumsubstrat ausgebildet. Der Streifen4 ist in einer Aufwärts- und Abwärtsrichtung elastisch. - Wie in
2 dargestellt, weist der zu prüfende Baustein7 auf der Halbleiterscheibe1 Elektroden2 auf. Ein Mikrokontaktstift5 ist an einem Ende jedes der Streifen4 so ausgebildet, daß er der entsprechenden Elektrode2 auf dem zu prüfenden Baustein7 gegenüberliegt. Auf der Oberfläche des Mikrokontaktstifts5 ist eine leitfähige Schicht ausgebildet, um zu gewährleisten, daß der Mikrokontaktstift elektrisch leitfähig ist. Der Mikrokontaktstift5 und das dritte Siliziumsubstrat15 sind über eine Öffnung91 elektrisch verbunden. - Ein piezoelektrisches Element oder Piezoelement
6 ist in Sandwichweise auf dem Streifen4 angeordnet. Das piezoelektrische Element6 weist eine Dünnschichtform auf und ist vom Streifen4 isoliert. Eine Treiberschaltung11 für das piezoelektrische Element ist auf dem dritten Siliziumsubstrat15 ausgebildet. Eingangsanschlüsse des piezoelektrischen Elements6 sind mit der Treiberschaltung11 für das piezoelektrische Element über eine Öffnung92 verbunden. Wenn die Treiberschaltung11 dem piezoelektrischen Element6 ein elektrisches Signal zuführt, wird durch das piezoelektrische Element6 eine Aufwärts- bzw. Abwärtsbewegung des Streifens4 erzeugt. - Um die Aufwärts- bzw. Abwärtsbewegung des Streifens
4 und dadurch des Mikrokontaktstifts5 zu gewährleisten, ist das zweite Siliziumsubstrat10 ausgeschnitten, um eine Vertiefung für den Mikrokontaktstift5 zu bilden. Das zweite Siliziumsubstrat10 wird außerdem dazu verwendet, eine innere Schaltung30 zum Übertragen verschiedener Signale anzuordnen, wie beispielsweise Multiplexsignale zum Schalten der Signale in der Prüfkarte. Wie vorstehend beschrieben, wird das dritte Siliziumsubstrat15 zum Anordnen der Treiberschaltung11 für das piezoelektrische Element verwendet. Das dritte Siliziumsubstrat15 wird außerdem zusammen mit dem zweiten Siliziumsubstrat10 zum Anordnen eines Schaltungsmusters34 verwendet, das eine Multiplexschaltung34 aufweist. - Die Treiberschaltung
11 für das piezoelektrische Element ist für jeden zu prüfenden Baustein vorgesehen. Typischerweise wird durch einen Hochspannungsgenerator in der Treiberschaltung11 ein Treibersignal von mehreren zehn Volt erzeugt. Das Treibersignal wird mehreren der piezoelektrischen Elemente6 zugeführt, so daß die Kontaktstifte5 , die so angeordnet sind, daß sie auf die Elektroden2 auf dem zu prüfenden Baustein7 treffen, bewegt werden und mit den Elektroden in Kontakt kommen. Dadurch wird der aktivierte bzw. der nichtaktivierte Zustand aller Kontaktstifte5 für den zu prüfenden Baustein7 gesteuert, d.h. die Kontaktstifte werden gleichzeitig mit allen Elektroden verbunden oder die Verbindungen der Kontaktstifte mit den Elektroden wird gleichzeitig unterbrochen. - Aufgrund der Sruktur des erfindungsgemäßen Mikrokontaktstifts ist jeder der Kontaktstifte unabhängig von den anderen elastisch. Daher kann durch die Kontaktstifte die Verminderung der Flachheit der Oberfläche der Elektroden, d.h. der Halbleiterscheibe, ausgeglichen werden. Weil die Kontaktstifte voneinander unabhängig sind und sich getrennt in die Aufwärts- bzw. Abwärtsrichtung bewegen, kann bezüglich den Kontaktflächen der Elektroden eine Schrubb- oder Abreibfunktion bereitgestellt werden.
- Das piezoelektrische Element
6 wird durch Sputtern oder ein Aufdampfverfahren auf der Ober- und/oder der Unterseite des Streifens4 ausgebildet. Durch dieses Beschichtungsverfahren wird beispielsweise eine Zweielementkristallstruktur mit Schichten aus Siliziumoxid (SiO2)-Gold-PLZT-Gold-PLZT-Gold ausgebildet. PLZT ist ein piezoelektrisches Material aus beispielsweise Blei, Lanthan, Zink und Titanoxid. Durch diese Struktur biegt sich das piezoelektrische Element6 proportional zur angelegten Spannung, wodurch die vertikale Bewegung des Mikrokontaktstiftes5 erzeugt wird. - Die elektrische Isolierung zwischen dem Streifen
4 und dem piezoelektrischen Element6 wird durch die Siliziumoxidschicht auf dem piezoelektrischen Element6 erhalten. Weil die Durchbruch- oder Durchschlagspannung der Siliziumoxidschicht 10 V/μm beträgt, ist eine Schichtdicke von 3–5 μm für eine Steuerspannung von 20–30 V ausreichend. Wie in den1 –3 dargestellt, sind die piezoelektrischen Elemente6 über Durchgangsöffnungen9 mit den Treiberschaltungen11 und der inneren Schaltung30 verbunden. - Wie vorstehend beschrieben, wird die Vertiefung für die Bewegung der Kontaktstifte
5 zwischen dem ersten Silizium substrat1 und dem dritten Siliziumsubstrat15 ausgebildet, indem der entsprechende Abschnitt des zweiten Siliziumsubstrats10 entfernt wird. Dadurch sind bei diesem Beispiel die Mikrokontaktstifte5 über etwa 10 μm in vertikaler Richtung beweglich. Diese Bewegungsstrecke ist ausreichend, um Unregelmäßigkeiten der Oberflächen der Elektroden2 oder eine Krümmung der zu prüfenden Scheibe1 auszugleicehn. - Obwohl nicht dargestellt, kann die Verbindung zwischen mehreren der Kontaktstifte
5 und einer externen Schaltung hergestellt werden, indem beispielsweise ein Keramiksubstrat in unmittelbarer Nähe der erfindungsgemäßen Prüfkarte angeordnet wird und dazwischen geeignete Komponenten oder Teile angeordnet und angeschlossen werden. - Nachstehend wird unter Bezug auf die
6 bis8 ein Verfahren zum Hersteller der erfindungsgemäßen Mikrokontaktstruktur beschrieben.6 zeigt ein Diagramm zum Darstellen eines Beispiels eines Verfahrens zum Herstellen eines erfindungsgemäßen Mikrokontaktstifts, und8 zeigt ein Ablaufdiagramm zum Darstellen eines Verfahrens zum Herstellen des erfindungsgemäßen Mikrokontaktstifts. - In diesem Beispiel wird ein Siliziummaterial mit einer (100)-Kristallebene als Siliziumsubstrat verwendet. Das Siliziumsubstrat von
6A wird einem Lithographie- und einem Trockenätzschritt zugeführt, wie in6B dargestellt. Durch Photolithographie wird eine Maske hergestellt, um Muster der Maske mit geografischen Formen auf eine dünne Schicht aus strahlungsempfindlichem Material, d.h. einen Abdecklack oder ein Resist, zu übertragen. Das Siliziumsubstrat mit dem durch das Lithographieverfahren gebildeten Mustern wird dann dem Trockenätzprozeß zugeführt. Beispielsweise kann Kohlenstoffhexafluorid- (C2F6-) Gas für dieses Ätzverfahren verwendet werden. Es wird ein Streifen4 mit einer Dicke von 200 μm und einer Länge von 500 μm gebildet. - Der Streifen
4 weist an seinem Ende einen rechteckigen Vorsprung mit den Maßen 100 × 100 × 100 μm auf. - Aus diesem rechteckigen Abschnitt des Streifens
4 wird durch einen anisotropen Naß- oder Laugenätzprozeß ein Mikrokontaktstift5 gebildet, wie in6C dargestellt. Der Mikrokontaktstift5 weist eine etwa 50 μm hohe Pyramidenform auf, die von (111)-Kristallebenen umgeben ist. Für dieses anisotrope Naß- oder Laugenätzverfahren kann eine 3N-Lösung aus Isopropylalkohol und Kaliumhydroxid oder Kalilauge (KOH) verwendet werden. Um zu erreichen, daß der Streifen elektrisch leitfähig wird, wird auf der Oberfläche des Streifens durch ein Sputterverfahren ein leitfähiges Material, wie beispielsweise eine Goldschicht, aufgebracht. - Der Streifen
4 wird in ein Isoliermaterial31 , wie beispielsweise Polyimid, gepreßt, wie in6D dargestellt, und einem Verfahren zum Vermindern der Scheibendicke oder einem Scheibenlösungsverfahren ("lost wafer-Verfahren") unterzogen, bei dem die Dicke an der Rückseite von 200 μm auf 50 μm reduziert wird, wie in6E dargestellt. Für dieses Verfahren kann eine Salpetersäurelösung verwendet werden. - Durch ein Sputter- oder ein Aufdampfverfahren wird auf dem Streifen
4 ein piezoelektrisches Element6 ausgebildet, wie in6F dargestellt. Durch dieses Schichtbildungsverfahren wird eine Zweielementkristallstruktur mit zwei Lagen piezoelektrischer Schichten gebildet. Beispielsweise besteht die Zweielementkristallstruktur aus Siliziumoxid (SiO2)-Gold-PLZT-Gold-PLZT-Gold. PLZT ist ein piezoelektrisches Material, das Blei, Lanthan, Zink und Titanoxid aufweist. - Durch ein herkömmliches Halbleiterherstellungsverfahren werden Durchgangsöffnungen
9 und Mikrostreifen- oder Mikrostripleitungen auf dem Streifen4 ausgebildet, wie in6G dargestellt. Außerdem wird auf dem Streifen4 ein zweites Siliziumsubstrat10 mit einer Opferelektroden- oder Opferschicht32 aus Siliziumoxid (SiO2) aufgebracht. Die Opferschicht32 sollte auf der oberen Fläche des Streifens4 angeordnet sein und das piezoelektrische Element6 und die Rückseite des Mikrokontaktstiftes5 umgeben. - Ein drittes Siliziumsubstrat
15 wird auf dem zweiten Siliziumsubstrat10 aufgebracht, wie in6H dargestellt. Auf dem dritten Siliziumsubstrat15 werden durch ein herkömmliches Verfahren zum Herstellen einer integrierten Schaltung eine Treiberschaltung11 für ein piezoelektrisches Element und eine Multiplexschaltung34 ausgebildet. Elektrische Verbindungen werden durch die Durchgangsöffnungen9 von der Treiberschaltung11 zum piezoelektrischen Element6 durch Verfüllen der Öffnungen9 mit elektrisch leitfähigem Material hergestellt. - Die Opferschicht
32 und das Isoliermaterial31 werden, wie in6I dargestellt, entfernt, um eine Aufwärts- und Abwärtsbewegung des Streifens4 zu ermöglichen. Das piezoelektrische Element6 kann beim letzten Verarbeitungsschritt auch auf der anderen Seite des Streifens4 ausgebildet werden, um eine in1 dargestellte Sandwichstruktur zu erhalten. Diese Verarbeitung ist mit der in Verbindung mit6F beschriebenen Verarbeitung identisch. - Durch das erfindungsgemäße Verfahren kann eine Prüfkarte
3 mit in einem Abstand von 100 μm ausgerichteten Streifen leicht hergestellt werden. Beim vorstehend beschriebenen Herstellungsverfahren ist das dritte Siliziumsubstrat15 zum Herstellen der Prüfkarte nicht unbedingt erforderlich. In diesem Fall kann, wenn das dritte Substrat15 nicht vorgesehen ist, eine Treiberschaltung für ein piezoelektrisches Element auf dem zweiten Substrat10 ausgebildet werden. Alternativ können Anschlußflächen auf dem zweiten Substrat10 ausgebildet werden, um ein Treiber- oder Steuersignal von einer externen Schaltungsanordnung (nicht dargestellt), wie beispielsweise einer auf einem Keramiksubstrat ausgebildeten Schaltung, durch eine Drahtverbindung, zu empfangen. - Das Ablaufdiagramm von
8 zeigt das gleiche Herstellungsverfahren wie unter Bezug auf6 beschrieben. D.h., bei Schritt201 wird die Maske auf dem Siliziumsubstrat ausgebildet, und bei Schritt202 wird der Streifen4 mit dem rechteckigen Vorsprung an seinem Ende durch ein Trockenätzverfahren ausgebildet. Aus dem rechteckigen Abschnitt des Streifens4 wird bei Schritt203 durch einen anisotropen Naß- oder Laugenätzprozeß der pyramidenförmige Mikrokontaktstift5 gebildet. - Der Streifen
4 wird bei Schritt204 in das Isoliermaterial31 , wie beispielsweise Polyimid, gepreßt. Die Dicke des Streifens204 wird bei Schritt205 durch ein Verfahren zum Vermindern der Scheibendicke oder ein Scheibenlösungsverfahren ("lost wafer-Verfahren") an der Rückseite des Streifens reduziert. Durch einen Sputterprozeß wird bei Schritt206 das piezoelektrische Element6 auf dem Streifen4 ausgebildet. Bei Schritt207 wird das zweite Siliziumsubstrat10 mit der Opferschicht32 und den Durchgangsöffnungen9 auf dem Streifen4 aufgebracht. Bei Schritt208 wird das dritte Siliziumsubstrat15 mit der Multiplexschaltung34 und den Durchgangsöffnungen9 auf dem zweiten Siliziumsubstrat10 aufgebracht. Die Opferschicht32 und das Polyimid-Isoliermaterial werden bei Schritt209 entfernt. - Die erfindungsgemäße Prüfkarte kann so aufgebaut sein, daß sie zum Prüfen einer oder mehrerer auf der Halbleiterscheibe
1 angeordneter Halbleiterschaltungen7 geeignet bzw. angepaßt ist. Daher kann die Prüfkarte so aufgebaut sein, daß sie nur einen Teil der zu prüfenden Scheibe1 abdeckt. In diesem Fall muß entweder die erfindungsgemäße Prüfkarte oder die zu prüfende Scheibe1 auf einem X-Y-Tisch angeordnet sein, um die relative Position zu verstellen und andere Schaltungen auf der Scheibe1 zu prüfen. - Alternativ kann die Prüfkarte so aufgebaut sein, daß sie alle Halbleiterschaltungen
7 auf der zu prüfenden Scheibe1 abdeckt. Die2 und3 zeigen eine solche Ausführungsform, bei der alle auf der Scheibe1 ausgebildeten Halbleiterschaltungen7 abgedeckt werden. Bei dieser Anordnung ist kein X-Y-Tisch erforderlich, weil die Anzahl der Mikrokontaktstifte5 der Anzahl aller Elektroden auf der Scheibe1 entspricht. - Im Beispiel von
2 und3 werden eine der gerade geprüften Halbleiterschaltung7 zugeordnete Gruppe von Mikrokontaktstiften5 gleichzeitig durch ein Steuersignal von der Treiberschaltung11 für das piezoelektrische Element angesteuert. Nach dem Prüfen einer Halbleiterschaltung7 werden eine andere Gruppe von Mikrokontaktstiften5 angesteuert, um die nächste Halbleiterschaltung7 auf der Scheibe zu prüfen. Daher sind die Kontaktstifte über der gerade geprüften Halbleiterschaltung7 aktiviert, während die Kontaktstifte für die nicht geprüften Halbleiterschaltungen nicht aktiviert sind. - Der gerade geprüften Halbleiterschaltung
7 werden über die Mikrokontaktstifte5 Prüfsignale von einem Halbleiterprüfsystem zugeführt, und die erhaltenen Ausgangssignale werden durch das Prüfsystem empfangen. Wie in7 dargestellt, werden diese Prüfsignale und die erhaltenen Signale für die entsprechende Halbleiterschaltung durch eine Multiplexschaltung34 und einen Multiplexertreiber29 ausgewählt, die auf dem dritten Siliziumsubstrat15 der Prüfkarte3 ausgebildet sind. Beispielsweise führt der Multiplexertreiber29 der Multiplexschaltung34 ein Steuersignal zu, um eine dem gerade geprüften Halbleiterbaustein7 zugeordnete Gruppe von Mikrokontaktstiften5 auszuwählen. Durch die Multiplexschaltung34 werden die ausgewählte Halbleiterschaltung7 und das Halbleiterprüfsystem28 über die Mikrokontaktstifte5 miteinander verbunden. - Erfindungsgemäß ist aufgrund der Struktur des erfindungsgemäßen Mikrokontaktstifts jeder der Mikrokontaktstifte unabhängig von den anderen elastisch. Daher können durch die Kontaktstifte die Schwankungen der Oberflächenflachheit der zu prüfenden Halbleiterbausteine auf der Scheibe ausgeglichen werden. Weil die Kontaktstifte sich unabhängig voneinander und getrennt auf- und abwärts bewegen, kann eine Schrubb- oder Abreibwirkung bezüglich den Kontaktflächen der Elektroden erhalten werden. Daher wird durch den erfindungsgemäßen Kontaktstift ein sehr stabiler und zuverlässiger elektrischer Kontakt erhalten.
- Außerdem kann die Prüfkarte derart hergestellt werden, daß sie alle auf der Scheibe ausgebildeten Halbleiterschaltungen abdeckt. Die Prüfkarte weist die Multiplexschaltung auf, um die elektrischen Verbindungen zwischen der gerade geprüften Halbleiterschaltung und dem Halbleiterprüfsystem zu schalten. Bei dieser Anordnung können alle Halbleiterschaltungen ohne Verwendung eines X-Y-Tischs geprüft werden, indem die zu prüfende Halbleiterschaltung ausgewählt wird. Dadurch ist während des Prüfvorgangs kein mechanisches Positionieren erforderlich, wodurch die Positionierungsgenauigkeit zwischen den Kontaktstiften und dem gerade geprüften Baustein verbessert und die Gesamtzeitdauer für den Prüfvorgang reduziert wird.
Claims (24)
- Kontaktstruktur zum elektrischen Verbinden eines Kontaktstiftes mit einer Elektrode eines Bausteins mit: mehreren auf einem Halbleitersubstrat ausgebildeten Streifen, die einen Abstand aufweisen, der dem Abstand der Elektroden des zu prüfenden Halbeiterbausteins entspricht, wobei jeder Streifen ausgebildet ist mit: einem an einem Ende des in Richtung vertikal zur Hauptfläche des Streifens auslenkbaren Streifens einstückig ausgebildeten elektrisch leitfähigen Mikrokontaktstift, wobei der Mikrokontaktstift eine durch anisotropisches Ätzen ausgebildete Pyramidenform aufweist; und einem auf dem Streifen ausgebildeten piezoelektrischen Element zum Auslenken des Mikrokontaktstiftes in der Richtung vertikal zur Hauptfläche des Streifens, wenn dem piezoelektrischen Element ein Treibersignal zugeführt wird; wobei die Auslenkungsbewegung jedes Mikrokontaktstiftes selektiv durch das Treibersignal veranlaßt wird, und wobei die Auslenkungsbewegung eines jeden Mikrokontaktstiftes unabhängig von der der anderen Mikrokontaktstifte ist, so daß eine Zielelektrode auf dem zu prüfenden Halbleiterbaustein kontaktiert wird, ohne eine mechanische Bewegung der anderen Mikrokontaktstifte hervorzurufen.
- Kontaktstruktur nach Anspruch 1, wobei der Streifen aus Silizium besteht, auf dessen Oberfläche eine leitfähige dünne Schicht ausgebildet ist, und ein spitzes Ende des pyramidenförmigen Mikrokontaktstiftes einen Abbreibeffekt bei Druck gegen die Elektrode des zu prüfenden Halbleiterbausteins bewirkt.
- Kontaktstruktur nach Anspruch 1 oder 2, wobei das piezoelektrische Element eine auf einer oberen Fläche des Streifens angeordnete Zweielementkristallplatte ist und mit einem Signalweg zum Empfangen des Treibersignals verbunden ist.
- Kontaktstruktur nach Anspruch 1 oder 2, wobei das piezoelektrische Element aus zwei Zweielementkristallplatten gebildet wird, die auf einer oberen oder einer unteren Fläche des Streifens angeordnet sind, und mit einem Signalweg zum Empfangen des Treibersignals verbunden ist.
- Kontaktstruktur nach einem der Ansprüche 1 bis 4, wobei das piezoelektrische Element jedes Streifens aus einer Zweielementkristallplatte mit Siliziumoxid (SiO2)-Gold-PLZT-Gold-PLZT-Gold-Schichten gebildet ist.
- Prüfkarte zum Herstellen einer elektrischen Verbindung zwischen einer Elektrode einer auf einem Wafer angeordneten Halbleiterschaltung und einem Halbleiterprüfsystem, mit: mehreren auf einem Halbleitersubstrat ausgebildeten Streifen, die einen Abstand aufweisen, der dem Abstand der Elektroden des zu prüfenden Halbeiterbausteins entspricht, wobei jeder Streifen ausgebildet ist mit: einem einer der Elektroden zugeordneten elektrisch leitfähigen Mikrokontaktstift, der an einem Ende des in einer Richtung vertikal zur Hauptfläche des Streifens auslenkbaren Mikrokontaktstiftes einstückig ausgebildet ist, wobei der Mikrokontaktstift eine durch anisotropisches Ätzen ausgebildete Pyramidenform aufweist; und einem auf dem Streifen angeordneten piezoelektrischen Element zum Auslenken des Mikrokontaktstiftes in der Richtung vertikal zur Hauptfläche des Streifens, wenn dem piezoelektrischen Element eine Treibersignal zugeführt wird; wobei die Auslenkungsbewegung jedes Mikrokontaktstiftes selektiv durch das Treibersignal veranlaßt wird, und wobei die Auslenkungsbewegung eines jeden Mikrokontaktstiftes unabhängig von der der anderen Mikrokontaktstifte ist, so daß eine Zielelektrode auf dem zu prüfenden Halbleiterbaustein kontaktiert wird, ohne eine mechanische Bewegung der anderen Mikrokontaktstifte hervorzurufen.
- Prüfkarte nach Anspruch 6, wobei das Halbleitersubstrat ferner ein erstes Siliziumsubstrat und ein zweites Siliziumsubstrat aufweist, die übereinander angeordnet sind, wobei der Streifen auf dem ersten Siliziumsubstrat ausgebildet ist und das zweite Siliziumsubstrat eine Durchgangsöffnung aufweist, um einen Signalweg zwischen dem Mikrokontaktstift und einer externen Schaltung zu bilden.
- Prüfkarte nach Anspruch 6, wobei das Halbleitersubstrat ferner ein erstes Siliziumsubstrat, ein zweites Siliziumsubstrat und ein drittes Siliziumsubstrat aufweist, die übereinander angeordnet sind, wobei der Streifen auf dem ersten Siliziumsubstrat ausgebildet ist und das zweite und das dritte Siliziumsubstrat eine Durchgangsöffnung aufweisen, um einen Signalweg zwischen dem Mikrokontaktstift und einer externen Schaltung zu bilden.
- Prüfkarte nach Anspruch 8, wobei das zweite Siliziumsubstrat ein Schaltungsmuster zum Übertragen von Prüfsignalen durch das Substrat und das dritte Siliziumsubstrat ein Schaltungsmuster zum Übertragen des Treibersignals dadurch hindurch zum Ansteuern des piezoelektrischen Elements aufweist.
- Prüfkarte nach einem der Ansprüche 6 bis 9, wobei der Streifen aus Silizium besteht, auf dessen Oberfläche eine leitfähige dünne Schicht ausgebildet ist, und ein spitzes Ende des pyramidenförmigen Mikrokontaktstiftes einen Abbreibeffekt bei Druck gegen die Elektrode des zu prüfenden Halbleiterbausteins bewirkt.
- Prüfkarte nach einem der Ansprüche 6 bis 10, wobei das piezoelektrische Element eine auf einer oberen Fläche des Streifens angeordnete Zweielementkristallplatte ist und mit einem Signalweg zum Empfangen des Treibersignals verbunden ist.
- Prüfkarte nach einem der Ansprüche 6 bis 10, wobei das piezoelektrische Element aus zwei Zweielementkristall-platten gebildet wird, die auf einer oberen oder einer unteren Fläche des Streifens angeordnet sind, und mit einem Signalweg zum Empfangen des Treibersignals verbunden ist.
- Prüfkarte nach einem der Ansprüche 6 bis 12, wobei das piezoelektrische Element jedes Streifens aus einer Zweielementkristallplatte mit Siliziumoxid (SiO2)-Gold-PLZT-Gold-PLZT-Gold-Schichten gebildet ist.
- Prüfkarte zum Herstellen elektrischer Verbindungen zwischen Elektroden mehrerer auf einem Wafer angeordneter Halbleiterbausteine und einem Halbleiterprüfsystem, mit: mehreren auf einem Halbleitersubstrat ausgebildeten Streifen, die einen Abstand aufweisen, der dem Abstand der Elektroden des zu prüfenden Halbleiterbauteils entspricht, wobei jeder Streifen ausgebildet ist mit: mehreren auf entsprechenden Streifen ausgebildeten und bezüglich der Elektroden aller Halbleiterbausteine auf dem Wafer angeordneten Mikrokontaktstiften, wobei jeder der Mikrokontaktstifte elektrisch leitfähig ist und an einem Ende jedes Streifens einstückig ausgebildet ist, der in Richtung vertikal zur Hauptfläche des Streifens auslenkbar ist, wobei der Mikrokontaktstift eine durch anisotropisches Ätzen ausgebildete Pyramidenform aufweist; mehreren auf den Streifen ausgebildeten piezoelektrischen Elementen zum Auslenken der entsprechenden Mikrokontaktstifte in Richtung vertikal zur Hauptfläche des Streifens, wenn dem piezoelektrischen Element ein Treibersignal zugeführt wird; und einer Multiplexschaltung zum Auswählen einer Gruppe der Mikrokontaktstifte, um Signale zwischen einem oder mehreren ausgewählten der Halbleiterbausteine und dem Halbleiterprüfsystem zu übertragen, wobei die Auslenkungsbewegung jedes Mikrokontaktstiftes selektiv durch das Treibersignal veranlaßt wird, und wobei die Auslenkungsbewegung eines jeden Mikrokontaktstiftes unabhängig von der der anderen Mikrokontaktstifte ist, so daß eine Zielelektrode auf dem zu prüfenden Halbleiterbaustein kontaktiert wird, ohne eine mechanische Bewegung der anderen Mikrokontaktstifte hervorzurufen.
- Prüfkarte nach Anspruch 14, wobei das Halbleitersubstrat ferner ein erstes Siliziumsubstrat und ein zweites Siliziumsubstrat aufweist, die übereinander angeordnet sind, wobei die Streifen auf dem ersten Siliziumsubstrat ausgebildet sind und das zweite Siliziumsubstrat Durchgangsöffnungen aufweist, um Signalwege zwischen den Mikrokontaktstiften und dem Halbleiterprüfsystem zu bilden.
- Prüfkarte nach Anspruch 14, wobei das Halbleitersubstrat ferner ein erstes Siliziumsubstrat, ein zweites Siliziumsubstrat und ein drittes Siliziumsubstrat aufweist, die übereinander angeordnet sind, wobei die Streifen auf dem ersten Siliziumsubstrat ausgebildet sind und das zweite und das dritte Siliziumsubstrat Durchgangsöffnungen aufweisen, um Signalwege zwischen den Mikrokontaktstiften und dem Halbleiterprüfsystem zu bilden.
- Prüfkarte nach einem der Ansprüche 14 bis 16, ferner mit einer Treiberschaltung zum Ansteuern der piezoelektrischen Elemente, wobei die Treiberschaltung und die Multiplexschaltung auf dem dritten Siliziumsubstrat ausgebildet sind.
- Prüfkarte nach einem der Ansprüche 14 bis 17, wobei jeder der Streifen aus Silizium besteht, auf dessen Oberfläche eine leitfähige dünne Schicht ausgebildet ist, wobei eine spitzes Ende des Mikorkontaktstiftes einen Abriebeffekt bei Druck gegen die Elektrode des zu prüfenden Halbleiterbausteins bewirkt.
- Prüfkarte nach einem der Ansprüche 14 bis 18, wobei jedes der piezoelektrischen Elemente eine auf einer oberen Fläche des Streifens angeordnete Zweielementkristallplatte ist und mit einem Signalweg zum Empfangen des Treibersignals verbunden ist.
- Prüfkarte nach einem der Ansprüche 14 bis 18, wobei jedes der piezoelektrischen Elemente aus zwei Zweielementkristallplatten gebildet wird, die auf einer oberen Fläche oder einer unteren Fläche des Streifens angeordnet sind, und mit einem Signalweg zum Empfangen des Treibersignals verbunden ist.
- Verfahren zum Herstellen einer Prüfkarte nach einem der Ansprüche 6–13, mit den Schritten: Ausbilden einer Maske auf einem Siliziumsubstrat; Ausbilden mehrerer Streifen auf dem Siliziumsubstrat durch einen Trockenätzprozeß, wobei jeder Streifen einen rechteckigen Vorsprung an seinem Ende aufweist; Ausbilden einer elektrisch leitfähigen Schicht auf einer Oberfläche jedes Streifens durch ein Sputterverfahren; Durchführen eines anisotropen Naßätzverfahrens an dem rechteckigen Vorsprung jedes Streifens, um einen pyramidenförmigen Mikrokontaktstift herzustellen; Pressen der Streifen in ein Isoliermaterial; Vermindern der Dicke der Streifen durch ein Verfahren zum Vermindern der Scheibendicke; Ausbilden eines piezoelektrischen Elements auf jedem Streifen durch ein Sputterverfahren; Anordnen eines zweiten Siliziumsubstrats mit einer Opferschicht aus einem Siliziummaterial auf einer Rückseite des Streifens; Entfernen der Opferschicht, um mehrere Vertiefungen zu bilden, um eine Auslenkbewegung der Streifen zu ermöglichen, wobei eine Meßkarte mit einer großen Anzahl an Mirkokontaktstiften erstellt wird, die in einer vertikalen Errichtung senkrecht zum Siliziumsubstrat auslenkbar sind, wenn an die piezoelektrischen Element ein Treibersignal angelegt wird, und wobei die Auslenkungsbewegung eines jeden der Mikrokontaktstifte selektiv durch das Treibersignal bewirkt wird, und wobei die Auslegungsbewegung eines jeden Mikrokontaktstiftes unabhängig von der der anderen Mikrokontaktstifte ist, so daß eine Zielelektrode des zu prüfenden Halbleiterbausteins kontaktiert wird, ohne eine mechanische Bewegung in den anderen Mikrokontaktstiften hervorzurufen.
- Verfahren nach Anspruch 21, wobei im zweiten Siliziumsubstrat Durchgangsöffnungen ausgebildet werden, um Signalwege zwischen den Mikrokontaktstiften und einem Halbleiterprüfsystem zu bilden.
- Verfahren zum Herstellen einer mit Prüfkarte nach einem der Ansprüche 14–20, mit den Schritten: Ausbilden einer Maske auf einem ersten Siliziumsubstrat; Ausbilden mehrerer Streifen auf dem ersten Siliziumsubstrat durch ein Trockenätzverfahren, wobei jeder Streifen einen rechteckigen Vorsprung an seinem Ende aufweist; Durchführen eines anisotropes Naßätzverfahren an dem rechteckigen Vorsprung jedes Streifens, um einen pyramidenförmigen Mikrokontaktstift herzustellen; Ausbilden einer elektrisch leitfähigen Schicht auf einer Oberfläche jedes Streifens durch ein Sputterverfahren; Pressen der Streifen in ein Isoliermaterial; Vermindern der Dicke der Streifen durch ein Verfahren zum Vermindern der Scheibendicke; Ausbilden eines piezoelektrischen Elements auf jedem Streifen durch ein Sputterverfahren; Anordnen eines zweiten Siliziumsubstrats mit einer Opferschicht aus einem Siliziummaterial auf einer Rückseite der Streifen; Anordnen eines dritten Siliziumsubstrats mit einer Multiplexschaltung auf dem zweiten Siliziumsubstrat; und Entfernen der Opferschicht, um mehrere Vertiefungen zu bilden, um eine Auslenkbewegung der Streifen zu ermöglichen, wobei eine Meßkarte mit einer großen Anzahl an Mirkokontaktstiften erstellt wird, die in einer vertikalen Errichtung senkrecht zum Siliziumsubstrat auslenkbar sind, wenn an die piezoelektrischen Element ein Treibersignal angelegt wird, und wobei die Auslenkungsbewegung eines jeden der Mikrokontaktstifte selektiv durch das Treibersignal bewirkt wird, und wobei die Auslegungsbewegung eines jeden Mikrokontaktstiftes unabhängig von der der anderen Mikrokontaktstifte ist, so daß eine Zielelektrode des zu prüfenden Halbleiterbausteins kontaktiert wird, ohne eine mechanische Bewegung in den anderen Mikrokontaktstiften hervorzurufen.
- Verfahren nach Anspruch 23, wobei Durchgangsöffnungen im zweiten Siliziumsubstrat und im dritten Siliziumsubstrat ausgebildet werden, um Signalwege zwischen den Mikrokontaktstiften und einem Halbleiterprüfsystem zu bilden.
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP7-328307 | 1995-11-22 | ||
JP32830795A JP3838381B2 (ja) | 1995-11-22 | 1995-11-22 | プローブカード |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE19648475A1 DE19648475A1 (de) | 1997-06-05 |
DE19648475B4 true DE19648475B4 (de) | 2007-02-01 |
Family
ID=18208776
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE19648475A Expired - Fee Related DE19648475B4 (de) | 1995-11-22 | 1996-11-22 | Kontaktstruktur, Prüfkarten und Herstellungsverfahren |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US6072190A (de) |
JP (1) | JP3838381B2 (de) |
KR (1) | KR970030587A (de) |
DE (1) | DE19648475B4 (de) |
TW (1) | TW310369B (de) |
Families Citing this family (116)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6482013B2 (en) | 1993-11-16 | 2002-11-19 | Formfactor, Inc. | Microelectronic spring contact element and electronic component having a plurality of spring contact elements |
US7073254B2 (en) * | 1993-11-16 | 2006-07-11 | Formfactor, Inc. | Method for mounting a plurality of spring contact elements |
US7064566B2 (en) * | 1993-11-16 | 2006-06-20 | Formfactor, Inc. | Probe card assembly and kit |
US20020053734A1 (en) * | 1993-11-16 | 2002-05-09 | Formfactor, Inc. | Probe card assembly and kit, and methods of making same |
US6741085B1 (en) * | 1993-11-16 | 2004-05-25 | Formfactor, Inc. | Contact carriers (tiles) for populating larger substrates with spring contacts |
US6525555B1 (en) | 1993-11-16 | 2003-02-25 | Formfactor, Inc. | Wafer-level burn-in and test |
US6232789B1 (en) * | 1997-05-28 | 2001-05-15 | Cascade Microtech, Inc. | Probe holder for low current measurements |
US20100065963A1 (en) | 1995-05-26 | 2010-03-18 | Formfactor, Inc. | Method of wirebonding that utilizes a gas flow within a capillary from which a wire is played out |
US5729150A (en) * | 1995-12-01 | 1998-03-17 | Cascade Microtech, Inc. | Low-current probe card with reduced triboelectric current generating cables |
US8033838B2 (en) * | 1996-02-21 | 2011-10-11 | Formfactor, Inc. | Microelectronic contact structure |
US5914613A (en) * | 1996-08-08 | 1999-06-22 | Cascade Microtech, Inc. | Membrane probing system with local contact scrub |
US6690185B1 (en) | 1997-01-15 | 2004-02-10 | Formfactor, Inc. | Large contactor with multiple, aligned contactor units |
US7063541B2 (en) | 1997-03-17 | 2006-06-20 | Formfactor, Inc. | Composite microelectronic spring structure and method for making same |
JPH1123615A (ja) * | 1997-05-09 | 1999-01-29 | Hitachi Ltd | 接続装置および検査システム |
US6034533A (en) * | 1997-06-10 | 2000-03-07 | Tervo; Paul A. | Low-current pogo probe card |
JP4006081B2 (ja) | 1998-03-19 | 2007-11-14 | 株式会社ルネサステクノロジ | 半導体装置の製造方法 |
EP0974845A1 (de) * | 1998-07-08 | 2000-01-26 | Christian Leth Petersen | Vorrichtung zum Testen elektrischer Eigenschaften mittels eines Mehrspitzenfühlers |
US7304486B2 (en) * | 1998-07-08 | 2007-12-04 | Capres A/S | Nano-drive for high resolution positioning and for positioning of a multi-point probe |
ATE373830T1 (de) | 1998-07-08 | 2007-10-15 | Capres Aps | Mehrspitzenfühler |
US6256882B1 (en) * | 1998-07-14 | 2001-07-10 | Cascade Microtech, Inc. | Membrane probing system |
USRE41515E1 (en) | 1998-08-12 | 2010-08-17 | Tokyo Electron Limited | Contactor and production method for contactor |
US6566149B1 (en) * | 1998-09-16 | 2003-05-20 | Hitachi, Ltd. | Method for manufacturing substrate for inspecting semiconductor device |
US6414501B2 (en) | 1998-10-01 | 2002-07-02 | Amst Co., Ltd. | Micro cantilever style contact pin structure for wafer probing |
US6504223B1 (en) * | 1998-11-30 | 2003-01-07 | Advantest Corp. | Contact structure and production method thereof and probe contact assembly using same |
KR20080047629A (ko) * | 1998-12-02 | 2008-05-29 | 폼팩터, 인크. | 전기 접촉 구조체의 제조 방법 |
US6255126B1 (en) * | 1998-12-02 | 2001-07-03 | Formfactor, Inc. | Lithographic contact elements |
US6491968B1 (en) | 1998-12-02 | 2002-12-10 | Formfactor, Inc. | Methods for making spring interconnect structures |
US6268015B1 (en) | 1998-12-02 | 2001-07-31 | Formfactor | Method of making and using lithographic contact springs |
US6672875B1 (en) | 1998-12-02 | 2004-01-06 | Formfactor, Inc. | Spring interconnect structures |
AU2348499A (en) * | 1999-01-29 | 2000-08-18 | Kinetic Probe, Llc | Deflection device |
US6255124B1 (en) * | 1999-02-08 | 2001-07-03 | Advanced Micro Devices | Test arrangement and method for thinned flip chip IC |
US6578264B1 (en) * | 1999-06-04 | 2003-06-17 | Cascade Microtech, Inc. | Method for constructing a membrane probe using a depression |
US7215131B1 (en) | 1999-06-07 | 2007-05-08 | Formfactor, Inc. | Segmented contactor |
US6780001B2 (en) * | 1999-07-30 | 2004-08-24 | Formfactor, Inc. | Forming tool for forming a contoured microelectronic spring mold |
US7189077B1 (en) | 1999-07-30 | 2007-03-13 | Formfactor, Inc. | Lithographic type microelectronic spring structures with improved contours |
US6939474B2 (en) * | 1999-07-30 | 2005-09-06 | Formfactor, Inc. | Method for forming microelectronic spring structures on a substrate |
US6713374B2 (en) | 1999-07-30 | 2004-03-30 | Formfactor, Inc. | Interconnect assemblies and methods |
US6888362B2 (en) * | 2000-11-09 | 2005-05-03 | Formfactor, Inc. | Test head assembly for electronic components with plurality of contoured microelectronic spring contacts |
US7435108B1 (en) * | 1999-07-30 | 2008-10-14 | Formfactor, Inc. | Variable width resilient conductive contact structures |
US6468098B1 (en) * | 1999-08-17 | 2002-10-22 | Formfactor, Inc. | Electrical contactor especially wafer level contactor using fluid pressure |
US6361327B1 (en) * | 1999-08-23 | 2002-03-26 | Fci Americas Technology, Inc. | Micromachined silicon beam interconnect |
DE19952943C2 (de) * | 1999-11-03 | 2003-07-03 | Infineon Technologies Ag | Nadelkarten-Justageeinrichtung zur Planarisierung von Nadelsätzen einer Nadelkarte |
US6838890B2 (en) * | 2000-02-25 | 2005-01-04 | Cascade Microtech, Inc. | Membrane probing system |
US7262611B2 (en) * | 2000-03-17 | 2007-08-28 | Formfactor, Inc. | Apparatuses and methods for planarizing a semiconductor contactor |
JP2001356136A (ja) * | 2000-06-15 | 2001-12-26 | Advantest Corp | 集積化マイクロコンタクトピン及びその製造方法 |
US6343940B1 (en) * | 2000-06-19 | 2002-02-05 | Advantest Corp | Contact structure and assembly mechanism thereof |
US6455352B1 (en) * | 2000-09-01 | 2002-09-24 | The University Of Chicago | Pin array assembly and method of manufacture |
DE10043731C2 (de) | 2000-09-05 | 2003-06-26 | Infineon Technologies Ag | Meßsonde, deren Verwendung und Herstellung und Meßsystem zum Erfassen von elektrischen Signalen in einer integrierten Halbleiterschaltung |
US6828810B2 (en) | 2000-10-03 | 2004-12-07 | Renesas Technology Corp. | Semiconductor device testing apparatus and method for manufacturing the same |
JP2002110751A (ja) * | 2000-10-03 | 2002-04-12 | Hitachi Ltd | 半導体集積回路装置の検査装置および製造方法 |
JP4527267B2 (ja) * | 2000-11-13 | 2010-08-18 | 東京エレクトロン株式会社 | コンタクタの製造方法 |
DE10143173A1 (de) | 2000-12-04 | 2002-06-06 | Cascade Microtech Inc | Wafersonde |
US7396236B2 (en) | 2001-03-16 | 2008-07-08 | Formfactor, Inc. | Wafer level interposer |
US6910268B2 (en) | 2001-03-27 | 2005-06-28 | Formfactor, Inc. | Method for fabricating an IC interconnect system including an in-street integrated circuit wafer via |
US6811406B2 (en) * | 2001-04-12 | 2004-11-02 | Formfactor, Inc. | Microelectronic spring with additional protruding member |
WO2003007003A1 (en) * | 2001-07-11 | 2003-01-23 | Formfactor, Inc. | Method of manufacturing a probe card |
US6729019B2 (en) | 2001-07-11 | 2004-05-04 | Formfactor, Inc. | Method of manufacturing a probe card |
WO2003052435A1 (en) * | 2001-08-21 | 2003-06-26 | Cascade Microtech, Inc. | Membrane probing system |
US6759311B2 (en) | 2001-10-31 | 2004-07-06 | Formfactor, Inc. | Fan out of interconnect elements attached to semiconductor wafer |
US6930497B2 (en) * | 2001-12-19 | 2005-08-16 | Chung Shan Institute Of Science And Technology Armaments Bureau, M.N.D. | Flexible multi-layered probe for measuring a signal from an object |
JP2003215161A (ja) * | 2002-01-22 | 2003-07-30 | Tokyo Electron Ltd | プローブ、プローブの製造方法、プローブの取付方法、プローブの取付装置及びプローブカード |
TW565529B (en) * | 2002-01-24 | 2003-12-11 | Scs Hightech Inc | Probe card and method for testing the proceed function or speed of electronic devices |
KR100475468B1 (ko) * | 2002-11-06 | 2005-03-11 | 주식회사 파이컴 | 전자소자 검사용 전기적 접촉체 |
US6842029B2 (en) * | 2002-04-11 | 2005-01-11 | Solid State Measurements, Inc. | Non-invasive electrical measurement of semiconductor wafers |
US6632691B1 (en) * | 2002-04-11 | 2003-10-14 | Solid State Measurements, Inc. | Apparatus and method for determining doping concentration of a semiconductor wafer |
WO2003100445A2 (en) * | 2002-05-23 | 2003-12-04 | Cascade Microtech, Inc. | Probe for testing a device under test |
US6724205B1 (en) * | 2002-11-13 | 2004-04-20 | Cascade Microtech, Inc. | Probe for combined signals |
US6835589B2 (en) * | 2002-11-14 | 2004-12-28 | International Business Machines Corporation | Three-dimensional integrated CMOS-MEMS device and process for making the same |
US7122760B2 (en) * | 2002-11-25 | 2006-10-17 | Formfactor, Inc. | Using electric discharge machining to manufacture probes |
KR100595373B1 (ko) * | 2002-12-02 | 2006-07-03 | 주식회사 유니테스트 | 브릿지 형태의 프로브 카드 및 그 제조 방법 |
US6945827B2 (en) * | 2002-12-23 | 2005-09-20 | Formfactor, Inc. | Microelectronic contact structure |
KR100523745B1 (ko) * | 2003-03-24 | 2005-10-25 | 주식회사 유니테스트 | 전자소자 검사용 마이크로 프로브 및 그 제조 방법 |
US7057404B2 (en) * | 2003-05-23 | 2006-06-06 | Sharp Laboratories Of America, Inc. | Shielded probe for testing a device under test |
DE10334935B3 (de) * | 2003-07-31 | 2004-12-23 | Harting Electric Gmbh & Co. Kg | Anschlusseinrichtung für ein Solarstrommodul |
US6924655B2 (en) * | 2003-09-03 | 2005-08-02 | Micron Technology, Inc. | Probe card for use with microelectronic components, and methods for making same |
US7619429B2 (en) * | 2003-10-20 | 2009-11-17 | Industrial Technology Research Institute | Integrated probe module for LCD panel light inspection |
JP2005156365A (ja) * | 2003-11-26 | 2005-06-16 | Shinko Electric Ind Co Ltd | 電気特性測定用プローブ及びその製造方法 |
US7276787B2 (en) * | 2003-12-05 | 2007-10-02 | International Business Machines Corporation | Silicon chip carrier with conductive through-vias and method for fabricating same |
JP2007517231A (ja) * | 2003-12-24 | 2007-06-28 | カスケード マイクロテック インコーポレイテッド | アクティブ・ウェハプローブ |
TWI266057B (en) * | 2004-02-05 | 2006-11-11 | Ind Tech Res Inst | Integrated probe card and the packaging method |
DE202005021386U1 (de) * | 2004-07-07 | 2007-11-29 | Cascade Microtech, Inc., Beaverton | Prüfkopf mit einem Messfühler mit Membranaufhängung |
WO2006031646A2 (en) * | 2004-09-13 | 2006-03-23 | Cascade Microtech, Inc. | Double sided probing structures |
DE202005021436U1 (de) * | 2004-11-02 | 2008-02-14 | Cascade Microtech, Inc., Beaverton | Optisch verbessertes digitales Abbildungssystem |
US7279919B2 (en) * | 2005-01-14 | 2007-10-09 | Verigy (Singapore) Pte. Ltd. | Systems and methods of allocating device testing resources to sites of a probe card |
US7656172B2 (en) | 2005-01-31 | 2010-02-02 | Cascade Microtech, Inc. | System for testing semiconductors |
US7535247B2 (en) * | 2005-01-31 | 2009-05-19 | Cascade Microtech, Inc. | Interface for testing semiconductors |
CN100446355C (zh) * | 2005-02-03 | 2008-12-24 | 旺矽科技股份有限公司 | 微接触元件 |
CN1821788B (zh) * | 2005-02-16 | 2010-05-26 | 旺矽科技股份有限公司 | 嵌入式微接触元件及其制造方法 |
US7449899B2 (en) * | 2005-06-08 | 2008-11-11 | Cascade Microtech, Inc. | Probe for high frequency signals |
JP5080459B2 (ja) * | 2005-06-13 | 2012-11-21 | カスケード マイクロテック インコーポレイテッド | 広帯域能動/受動差動信号プローブ |
WO2007017956A1 (ja) * | 2005-08-09 | 2007-02-15 | Kabushiki Kaisha Nihon Micronics | プローブ組立体 |
US7355422B2 (en) * | 2005-09-17 | 2008-04-08 | Touchdown Technologies, Inc. | Optically enhanced probe alignment |
JP4800007B2 (ja) * | 2005-11-11 | 2011-10-26 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体集積回路装置の製造方法およびプローブカード |
US7443186B2 (en) * | 2006-06-12 | 2008-10-28 | Cascade Microtech, Inc. | On-wafer test structures for differential signals |
US7403028B2 (en) | 2006-06-12 | 2008-07-22 | Cascade Microtech, Inc. | Test structure and probe for differential signals |
US7764072B2 (en) * | 2006-06-12 | 2010-07-27 | Cascade Microtech, Inc. | Differential signal probing system |
US7723999B2 (en) * | 2006-06-12 | 2010-05-25 | Cascade Microtech, Inc. | Calibration structures for differential signal probing |
KR100748023B1 (ko) * | 2006-06-16 | 2007-08-09 | 주식회사 유니테스트 | 프로브 카드의 프로브 구조물 제조 방법 |
KR100697785B1 (ko) * | 2006-06-16 | 2007-03-20 | 주식회사 유니테스트 | 웨이퍼 접합 기술을 이용한 프로브 구조물 제조 방법 |
JP5147227B2 (ja) * | 2006-12-19 | 2013-02-20 | 株式会社日本マイクロニクス | 電気的接続装置の使用方法 |
US7876114B2 (en) * | 2007-08-08 | 2011-01-25 | Cascade Microtech, Inc. | Differential waveguide probe |
US7888955B2 (en) | 2007-09-25 | 2011-02-15 | Formfactor, Inc. | Method and apparatus for testing devices using serially controlled resources |
US7977959B2 (en) | 2007-09-27 | 2011-07-12 | Formfactor, Inc. | Method and apparatus for testing devices using serially controlled intelligent switches |
JP5069542B2 (ja) * | 2007-12-03 | 2012-11-07 | 株式会社日本マイクロニクス | プローブカード |
US20090224793A1 (en) * | 2008-03-07 | 2009-09-10 | Formfactor, Inc. | Method And Apparatus For Designing A Custom Test System |
US8122309B2 (en) * | 2008-03-11 | 2012-02-21 | Formfactor, Inc. | Method and apparatus for processing failures during semiconductor device testing |
US8095841B2 (en) | 2008-08-19 | 2012-01-10 | Formfactor, Inc. | Method and apparatus for testing semiconductor devices with autonomous expected value generation |
US7944225B2 (en) * | 2008-09-26 | 2011-05-17 | Formfactor, Inc. | Method and apparatus for providing a tester integrated circuit for testing a semiconductor device under test |
US7888957B2 (en) * | 2008-10-06 | 2011-02-15 | Cascade Microtech, Inc. | Probing apparatus with impedance optimized interface |
WO2010059247A2 (en) | 2008-11-21 | 2010-05-27 | Cascade Microtech, Inc. | Replaceable coupon for a probing apparatus |
JP5530191B2 (ja) * | 2010-01-15 | 2014-06-25 | 株式会社日本マイクロニクス | 電気的試験用プローブ及びその製造方法、並びに電気的接続装置及びその製造方法 |
US9960312B2 (en) | 2010-05-25 | 2018-05-01 | Kurt H. Weiner | Apparatus and methods for fast chemical electrodeposition for fabrication of solar cells |
US8343327B2 (en) * | 2010-05-25 | 2013-01-01 | Reel Solar, Inc. | Apparatus and methods for fast chemical electrodeposition for fabrication of solar cells |
US9038269B2 (en) * | 2013-04-02 | 2015-05-26 | Xerox Corporation | Printhead with nanotips for nanoscale printing and manufacturing |
CN111164434B (zh) * | 2017-09-25 | 2022-10-28 | 约翰国际有限公司 | 用于集成电路测试的具有测试引脚和壳体的高隔离接触器 |
US11137418B2 (en) | 2019-03-04 | 2021-10-05 | International Business Machines Corporation | Device test pad probe card structure with individual probe manipulation capability |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4811246A (en) * | 1986-03-10 | 1989-03-07 | Fitzgerald Jr William M | Micropositionable piezoelectric contactor |
US5138216A (en) * | 1989-01-13 | 1992-08-11 | Digital Equipment Corporation | Micro-beam tactile sensor for the measurement of vertical position displacement |
EP0601852A2 (de) * | 1992-12-08 | 1994-06-15 | Sharp Kabushiki Kaisha | Informationsaufzeichnungs- und -wiedergabegerät und Herstellungsverfahren eines dazu verwendeten Gleiters |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4994735A (en) * | 1988-05-16 | 1991-02-19 | Leedy Glenn J | Flexible tester surface for testing integrated circuits |
JP3140223B2 (ja) * | 1992-11-11 | 2001-03-05 | キヤノン株式会社 | マイクロアクチュエータおよびその作製方法 |
US5475318A (en) * | 1993-10-29 | 1995-12-12 | Robert B. Marcus | Microprobe |
US5536963A (en) * | 1994-05-11 | 1996-07-16 | Regents Of The University Of Minnesota | Microdevice with ferroelectric for sensing or applying a force |
JP3611637B2 (ja) * | 1995-07-07 | 2005-01-19 | ヒューレット・パッカード・カンパニー | 回路部材の電気接続構造 |
US5994152A (en) * | 1996-02-21 | 1999-11-30 | Formfactor, Inc. | Fabricating interconnects and tips using sacrificial substrates |
-
1995
- 1995-11-22 JP JP32830795A patent/JP3838381B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1996
- 1996-11-18 US US08/751,851 patent/US6072190A/en not_active Expired - Fee Related
- 1996-11-19 KR KR1019960055251A patent/KR970030587A/ko not_active Application Discontinuation
- 1996-11-19 TW TW085114193A patent/TW310369B/zh active
- 1996-11-22 DE DE19648475A patent/DE19648475B4/de not_active Expired - Fee Related
-
2000
- 2000-03-29 US US09/538,117 patent/US6174744B1/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4811246A (en) * | 1986-03-10 | 1989-03-07 | Fitzgerald Jr William M | Micropositionable piezoelectric contactor |
US5138216A (en) * | 1989-01-13 | 1992-08-11 | Digital Equipment Corporation | Micro-beam tactile sensor for the measurement of vertical position displacement |
EP0601852A2 (de) * | 1992-12-08 | 1994-06-15 | Sharp Kabushiki Kaisha | Informationsaufzeichnungs- und -wiedergabegerät und Herstellungsverfahren eines dazu verwendeten Gleiters |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH09148389A (ja) | 1997-06-06 |
DE19648475A1 (de) | 1997-06-05 |
US6072190A (en) | 2000-06-06 |
JP3838381B2 (ja) | 2006-10-25 |
US6174744B1 (en) | 2001-01-16 |
KR970030587A (ko) | 1997-06-26 |
TW310369B (de) | 1997-07-11 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE19648475B4 (de) | Kontaktstruktur, Prüfkarten und Herstellungsverfahren | |
DE10003282B4 (de) | Kontaktstruktur | |
DE69908639T2 (de) | Testkarte für chips mit erhöhten kontaktelementen | |
DE69926241T2 (de) | Leiterplatten-verbindungsvorrichtung und herstellungsverfahren | |
DE69829986T2 (de) | Testkarte zur wafer-prüfung | |
DE10039336C2 (de) | Verfahren zum Testen von Halbleiterschaltungen und Testvorrichtung zur Durchführung des Verfahrens | |
DE69633334T2 (de) | Photolithographisch gemusterter federkontakt | |
DE10125345B4 (de) | Prüfkontaktsystem mit Planarisierungsmechanismus | |
DE69737599T2 (de) | Integrierte nachgiebige sonde für waferprüfung und einbrennen | |
DE60115437T2 (de) | Testsystem von integrierten schaltungen | |
DE112005000233T5 (de) | Kontaktstück, Kontaktanordnung mit Kontaktstücken, Probenkarte, Prüfgerät und Verfahren und Gerät zur Herstellung der Kontaktanordnung | |
DE69734158T2 (de) | Prüfkopfstruktur mit mehreren getrennten isolierten prüfspitzen | |
DE69813715T2 (de) | Halbleitervorrichtung mit abwechselnd kurzen und langen Kontaktflächen mit einem feinen Kontaktabstand | |
DE10151125A1 (de) | Anschlussstruktur und zugehöriges Herstellungsverfahren sowie die Anschlussstruktur verwendende Prüfanschlussanordnung | |
DE10129282A1 (de) | Anschlußstruktur und zugehöriger Verbindungsmechanismus | |
DE112005003667B4 (de) | Elektrische Prüfsonde | |
DE10020713A1 (de) | Anschlußstruktur | |
DE10392306T5 (de) | Kontaktstruktur mit Siliziumtastkontaktgeber | |
DE10037216A1 (de) | Anschlußstruktur sowie Verfahren zur Herstellung von Anschlußelementen und Verfahren zur Erzeugung einer Anschlußstruktur | |
DE10101538A1 (de) | Anschlußstruktur | |
DE10145147A1 (de) | Anschlußstruktur und zugehöriges Herstellungsverfahren sowie die Anschlußstruktur verwendende Prüfanschlußanordnung | |
DE10196368T5 (de) | Kontaktstruktur und Verfahren zu dessen Herstellung und eine Prüfkontaktanordnung, die diese verwendet | |
DE602004010116T2 (de) | Verfahren und vorrichtung zum testen elektrischer eigenschaften eines zu prüfenden objekts | |
DE202005021386U1 (de) | Prüfkopf mit einem Messfühler mit Membranaufhängung | |
DE10105876A1 (de) | Anschlußstruktur und zugehöriges Herstellungsverfahren |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
8110 | Request for examination paragraph 44 | ||
8364 | No opposition during term of opposition | ||
R119 | Application deemed withdrawn, or ip right lapsed, due to non-payment of renewal fee |
Effective date: 20110601 Effective date: 20110531 |