DE19651591B4 - Liquid crystal display device and method for its production - Google Patents

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Abstract

Flüssigkristall-Anzeigeeinrichtung mit den folgenden Merkmalen:
einem transparenten Isolationssubstrat (11);
einer Gate-Leitung (3), die auf dem Isolationssubstrat (11) ausgebildet ist;
einer Datenleitung (15), die auf dem Isolationssubstrat (11) ausgebildet ist und die die Gate-Leitung (3) an einem Überschneidungspunkt überschneidet;
einem Dünnschichttransistor (10), der in der Nähe des Überschneidungspunkts zwischen Gate- und Datenleitung ausgebildet ist und der durch ein auf der Gate-Leitung (3) anliegendes Signal gesteuert wird;
einer Bildelementelektrode (16), die in einem Bereich ausgebildet ist, der durch die Gate-Leitung (3) und die Datenleitung (15) umgeben ist und die in elektrischem Kontakt zu dem Dünnschichttransistor (10) steht; und
einer Passivierungsschicht (17), die, um den Dünnschichttransistor (10) und die Bildelementelektrode (16) zu schützen, über einer Oberfläche des Isolationssubstrats (11) ausgebildet wird, die sich ergibt, nachdem der Dünnschichttransistor (10) und die Bildelementelektrode auf dem Isolationssubstrat (11) ausgebildet worden sind, wobei die Passivierungsschicht (17) mindestens eine Vertiefung (170) aufweist,...Liquid crystal display device with the following features:
a transparent insulating substrate (11);
a gate line (3) formed on the insulating substrate (11);
a data line (15) formed on the insulating substrate (11) and intersecting the gate line (3) at an intersecting point;
a thin film transistor (10) formed near the intersection point between the gate and data lines and controlled by a signal applied to the gate line (3);
a picture element electrode (16) formed in a region surrounded by the gate line (3) and the data line (15) and in electrical contact with the thin film transistor (10); and
a passivation layer (17) formed over a surface of said insulating substrate (11) to protect said thin film transistor (10) and said picture element electrode (16) after said thin film transistor (10) and said picture element electrode on said insulating substrate (11) have been formed, wherein the passivation layer (17) has at least one recess (170), ...

Figure 00000001
Figure 00000001

Description

Die vorliegende Erfindung betrifft allgemein eine Flüssigkristall-Anzeigeeinrichtung, wie sie im Anspruch 1 umschrieben ist. Insbesondere betrifft diese Erfindung eine Flüssigkristall- Anzeigeeinrichtung und ein Verfahren zu deren Herstellung mit Merkmalen gemäß dem Patentanspruch 4, die dazu in der Lage ist, einen Blickwinkel sicherzustellen, unter dem die Flüssigkristall-Anzeige beobachtet werden kann.The The present invention relates generally to a liquid crystal display device. as defined in claim 1. In particular, this relates Invention a liquid crystal Display device and a method for its production with features according to the claim 4, which is capable of ensuring a viewing angle below the liquid crystal display can be observed.

Allgemein sind Flüssigkristall-Anzeigen (LCD) weithin in Anzeigeeinrichtungen, wie etwa Fernsehern, Computermonitoren und ähnlichen graphischen Anzeigen verwendet worden. Die LCD-Einrichtung ist in verschiedene Arten gemäß ihren Funktionsweisen unterteilt, wie etwa passiven und aktiven Aktivierungsverfahren, der Art von Flüssigkristall, die verwendet wird, oder anderen verwendeten Komponenten. Unter diesen Flüssigkristall-Anzeigeeinrichtungen ist die Forschung und Entwicklung auf Flüssigkristall-Anzeigeeinrichtungen mit aktiver Matrix konzentriert worden, da es erkannt worden ist, dass diese Art von Einrichtung dazu in der Lage ist, eine schnelle Ansprechzeit, eine hohe Bildqualität, eine größere Bildschirmgröße und Farbanzeigen zu erhalten.Generally are liquid crystal displays (LCD) widely in display devices such as televisions, computer monitors and similar graphic displays have been used. The LCD device is in different types according to theirs Functional modes, such as passive and active activation procedures, the type of liquid crystal, which is used or other components used. Under these liquid crystal display devices is the research and development on liquid crystal display devices been concentrated with active matrix, since it has been recognized that this kind of facility is capable of doing a quick job Response time, high picture quality, larger screen size and color displays to obtain.

Eine herkömmliche Flüssigkristall-Anzeigeeinrichtung mit aktiver Matrix enthält, wie in 3 gezeigt, eine Wortleitung 3, die an eine Gateelektrode 3A angekoppelt ist; eine Datenleitung 5, die an eine Source-Elektrode 5A angekoppelt ist; einen Dünnschichttransistor 10, um die LCD-Einrichtung wahlweise zu schalten, der in der Nähe eines Kreuzungspunktes mit der Wortleitung 3 und der Datenleitung 5 ausgebildet ist; eine Bildelementelektrode 6, die an einem Ort bzw. Raum ausgebildet ist, der durch die Wortleitung 3 und die Datenleitung 4 umgeben ist; und einen Speicherknotenkondensator 3A, wobei die Datenleitung 5. und die Wortleitung 3 angeordnet sind, um senkrecht zueinander auf einem (nicht gezeigten) durchsichtigen Isoliersubstrat angeordnet zu sein. Der Dünnschichttransistor 10 weist eine Halbleiterschicht 4 mit einem vorbestimmten Muster auf, das die Gateelektrode 3A überdeckt, und Source- und Drainelektroden 5A und 5B, wobei ausgewählte Abschnitte von diesen in Berührung zu der Halbleiterschicht 4 sind. Um eine Speicherkapazität der LCD-Einrichtung aufrechtzuerhalten, wird der Speicherkondensator 3B in und um den Bildelementelektrodenbereich ausgebildet.A conventional active matrix type liquid crystal display device includes, as in FIG 3 shown a word line 3 connected to a gate electrode 3A is coupled; a data line 5 connected to a source electrode 5A is coupled; a thin film transistor 10 to selectively switch the LCD device, which is near a cross-point to the word line 3 and the data line 5 is trained; a picture element electrode 6 , which is formed in a place or space, through the word line 3 and the data line 4 is surrounded; and a storage node capacitor 3A , where the data line 5 , and the wordline 3 are arranged to be arranged perpendicular to each other on a (not shown) transparent insulating substrate. The thin-film transistor 10 has a semiconductor layer 4 with a predetermined pattern that the gate electrode 3A covered, and source and drain electrodes 5A and 5B wherein selected portions of them are in contact with the semiconductor layer 4 are. To maintain a memory capacity of the LCD device, the storage capacitor becomes 3B formed in and around the picture element electrode area.

4 ist eine querschnittliche Ansicht, die entlang der Linie A – A' in 3 angelegt ist. 4 is a cross-sectional view taken along the line A - A 'in 3 is created.

Bezugnehmend auf 4 ist die Gateoxidschicht 2 mit einer ausgewählten Dicke auf einem durchsichtigen Substrat 1 ausgebildet, um eine Gateelektrode 3A (in 3 gezeigt) von der Halbleiterschicht 4 (gezeigt in 3) zu isolieren. Die Datenleitung 5 und die Bildelementelektrode 6 sind getrennt voneinander in einem vorbestimmten Abstand angeordnet. Die Passivierungsschicht 17 ist ausgebildet, um den darunter liegenden Dünnschichttransistor 10 (in 4 nicht gezeigt) und die Bildelementelektrode 6 zu schützen. Die Anordnungs- bzw. Ausrichtungsschicht 8 ist ausgebildet, um einen Flüssigkristall auf der Passivierungsschicht 7 anzuordnen bzw. auszurichten.Referring to 4 is the gate oxide layer 2 with a selected thickness on a transparent substrate 1 formed to a gate electrode 3A (in 3 shown) from the semiconductor layer 4 (shown in 3 ) to isolate. The data line 5 and the picture element electrode 6 are separated from each other at a predetermined distance. The passivation layer 17 is formed around the underlying thin film transistor 10 (in 4 not shown) and the picture element electrode 6 to protect. The alignment layer 8th is formed to form a liquid crystal on the passivation layer 7 to arrange or align.

In der oben aufgezeigten LCD-Einrichtung fällt ein Licht, das von einem von hinten kommenden Licht bzw. Hintergrundlicht einer Lichtquelle projiziert wird, auf eine durchsichtige Bildelementelektrode in dem LCD-Schirm ein, wodurch auf dem Schirm ein Bild erscheint. Zu dieser Zeit ist die Bildqualität proportional zu der Größe eines transparenten Bereiches der Bildelementelektrode 6. Mit anderen Worten verbessert sich die Bildqualität, wenn der Bereich der Bildelementelektrode, durch den Licht hindurch geht, vergrößert wird.In the above-mentioned LCD device, a light projected from a backlighting light of a light source is incident on a transparent picture element electrode in the LCD screen, whereby an image appears on the screen. At this time, the image quality is proportional to the size of a transparent area of the picture element electrode 6 , In other words, the image quality improves as the area of the picture element electrode through which light passes is increased.

Gemäß den herkömmlichen LCD-Einrichtungen bedecken ein undurchsichtiger bzw. trüber Dünnschichttransistor 10, der auf einer Kante der Bildelementelektrode 6 angeordnet ist, ein undurchsichtiger bzw. trüber Speicherkondensator 3B, der in der Bildelementelektrode 6 platziert ist, und eine Schwarz- bzw. Hintergrundmatrix, die auf dem oberen Glassubstrat (nicht gezeigt) ausgebildet ist, die einem unteren Glassubstrat 1 entspricht, einen ausgewählten Bereich der Bildelementelektrode 6. Folglich weist die herkömmliche LCD-Einrichtung einen Nachteil auf, indem der Bereich, durch den Licht hindurchgehen kann, verengt ist.According to the conventional LCD devices, an opaque thin film transistor covers 10 on one edge of the picture element electrode 6 is arranged, an opaque or cloudy storage capacitor 3B in the picture element electrode 6 and a black matrix formed on the upper glass substrate (not shown), which is a lower glass substrate 1 corresponds to a selected area of the picture element electrode 6 , Consequently, the conventional LCD device has a drawback in that the area through which light can pass is narrowed.

Zusätzlich ist es bezugnehmend auf 4 schwierig, den Blickwinkel, den Winkel, unter dem die LCD für eine Person sichtbar ist, sicherzustellen, da, wenn das von dem von hinten kommenden Licht bzw. Hintergrundlicht projizierte Licht durch den Bildschirm der LCD-Einrichtung hindurchgeht, das Licht eine Linearität aufweist, wodurch es nicht auf die Bildelementauswahl konzentriert wird.In addition, it is referring to 4 difficult to ensure the viewing angle, the angle at which the LCD is visible to a person, since, when the light projected from the backlighting light or background light passes through the screen of the LCD device, the light has a linearity, which does not focus on pixel selection.

Aus der DE 44 31 749 A1 ist eine Flüssigkristallanzeigeanordnung bekannt, wobei konvexe Linsenarrays zum Konvergieren eines von der Außenseite her einfallenden Lichts auf der Anzeigeoberfläche angeordnet sind. Unterhalb der konvexen Linsenarrays ist eine Konkavlinsenreihe zum Zurückführen des gesammelten Lichts zu einem parallelen Lichtstrahl vorgesehen.From the DE 44 31 749 A1 For example, a liquid crystal display device is known wherein convex lens arrays are arranged to converge an outside incident light on the display surface. Underneath the convex lens arrays is provided a concave lens array for returning the collected light to a parallel light beam.

Die EP 0 682 282 A2 offenbart, ein transparentes Schild unterhalb einer Pixelelektrode auszubilden, um einen unerwünschten Kanteneffekt zwischen der Pixelelektrode und einer transparenten Elektrode, die sich aus einer unebenen Oberflächenstruktur der Flüssigkristall-Anzeige ergeben, zu vermeiden. Hierzu wird eine konkave Vertiefung zwischen der Pixelelektrode und einem Substrat ausgebildet.The EP 0 682 282 A2 discloses to form a transparent shield below a pixel electrode in order to avoid an undesirable edge effect between the pixel electrode and a transparent electrode resulting from an uneven surface structure of the liquid crystal display. For this purpose, a concave depression is formed between the pixel electrode and a substrate.

Aus der US 5,426,526 ist es bekannt, ein Einkristallsubstrat als unteres Substrat zu verwenden, das direkt mit einem Chip (IC) verbunden wird.From the US 5,426,526 For example, it is known to use a single crystal substrate as the lower substrate, which is directly connected to a chip (IC).

Es ist die Aufgabe der vorliegenden Erfindung, eine Flüssigkristall-Anzeigeeinrichtung und ein Verfahren zu deren Herstellung zur Verfügung zu stellen, die dazu in der Lage sind, einen ausreichenden Blickwinkel sicherzustellen.It It is the object of the present invention to provide a liquid crystal display device and to provide a process for their preparation, which in able to ensure a sufficient angle of view.

Die genannte Aufgabe wird durch eine Einrichtung bzw. ein Verfahren mit den Merkmalen des Patentanspruches 1 bzw. des Patentanspruches 4 gelöst.The This object is achieved by a device or a method with the features of claim 1 and of the claim 4 solved.

Zweckmäßige Ausführungsformen gemäß der Erfindung ergeben sich aus den in den Unteransprüchen aufgeführten Merkmalen.Expedient embodiments according to the invention emerge from the features listed in the dependent claims.

Vorteilhaft umfasst eine Flüssigkristall-Anzeigeeinrichtung die folgenden Merkmale: ein unteres Isolationssubstrat; eine Gateleitung (Wortleitung), die auf dem Isolationssubstrat ausgebildet ist; eine Datenleitung, die auf dem Isolationssubstrat ausgebildet ist, die im wenigstens ungefähr rech ten Winkel zu der Gateleitung geschnitten bzw. überquert wird; einen Dünnschichttransistor, der nahe dem Bereich ausgebildet ist, in dem die Gateleitung und die Datenleitung überquert bzw. geschnitten werden, die wahlweise gemäß einem Signal von der Gateleitung betrieben werden; eine Bildelementelektrode, die in einem Bereich bzw. Raum ausgebildet ist, der durch die Gateleitung und die Datenleitung umgeben ist, die in Berührung zu einer Drainelektrode des Dünnschichttransistors stehen; und eine Passivierungsschicht, die über dem transparenten bzw. durchsichtigen Substrat ausgebildet ist, um den Dünnschichttransistor und die Bildelementelektrode zu schützen. Die Passivierungsschicht weist einen konkaven Abschnitt auf, der auf dessen Oberfläche ausgebildet ist, um einfallendes Licht mit einem breiten bzw. weiten Winkel zu brechen.Advantageous comprises a liquid crystal display device the following features: a lower insulating substrate; a gate line (Word line) formed on the insulating substrate; a Data line formed on the insulating substrate, the at least about right angle cut or crossed to the gate line becomes; a thin film transistor, which is formed near the area in which the gate line and crosses the data line or cut, optionally according to a signal from the gate line operate; a picture element electrode in one area or space is formed by the gate line and the data line surrounded, which is in contact to a drain electrode of the thin film transistor stand; and a passivation layer overlying the transparent or transparent substrate is formed to the thin film transistor and protect the picture element electrode. The passivation layer has a concave portion formed on the surface thereof, to break incident light at a wide angle.

Vorteilhaft wird eine LCD-Einrichtung gemäß einem Verfahren hergestellt, wobei die folgenden Schritte verwendet werden. Zuerst wird ein unteres Isoliersubstrat zur Verfügung gestellt, das einen Dünnschichttransistor und eine Bildelementelektrode überdeckt. Eine Passivierungsschicht wird dann auf dem unteren Isolationssubstrat ausgebildet. Als nächstes wird ein Photoresist- bzw. Photolackmuster oder -struktur auf der Passivierungsschicht ausgebildet, das bzw. die eine von der Passivierungsschicht unterschiedliche Ätzrate hat. Anschließend wird ein freigelegter Abschnitt der Passivierungsschicht, die das Photoresist- bzw. Photolackmuster nicht darauf ausgebildet hat, geätzt, um einen konkaven Abschnitt auszubilden. Zuletzt wird das Photoresistmuster bzw. die Photolackstruktur entfernt bzw. abgehoben.Advantageous is an LCD device according to a Method, using the following steps. First, a lower insulating substrate is provided, which is a thin film transistor and covering a picture element electrode. A passivation layer is then deposited on the lower insulating substrate educated. Next becomes a photoresist pattern or pattern on the Passivation layer formed, which has a different etching rate of the passivation layer. Subsequently becomes an exposed portion of the passivation layer which is the Photoresist or photoresist pattern has not formed on it, etched to form a concave section. Last is the photoresist pattern or the photoresist structure removed or lifted.

Weitere Vorteile und Merkmale der vorliegenden Erfindung werden aus der folgenden Beschreibung ersichtlich, wobei auf die begleitenden Darstellungen Bezug genommen wird, in denen eine bevorzugte Ausführungsform nach der vorliegenden Erfindung gezeigt wird, in denen:Further Advantages and features of the present invention will become apparent from the following description, wherein the accompanying drawings Reference is made in which a preferred embodiment according to the present invention, in which:

1 eine querschnittliche Ansicht eines unteren Feldes in einer LCD-Einrichtung gemäß einer ersten bestimmten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung ist; 1 Fig. 12 is a cross-sectional view of a lower panel in an LCD device according to a first specific embodiment of the present invention;

2A – 2D querschnittliche Ansichten sind, die ein Verfahren zur Herstellung eines unteren Feldes nach 1 darstellen; 2A - 2D cross-sectional views are that following a method of making a lower box 1 group;

3 eine Draufsicht einer LCD-Einrichtung gemäß dem Stand der Technik ist; und 3 is a plan view of a prior art LCD device; and

4 eine querschnittliche Ansicht ist, die entlang der Linie A – A' nach 3 angelegt ist. 4 is a cross-sectional view taken along the line A - A ' 3 is created.

Die 1 ist eine querschnittliche Ansicht eines unteren Feldes, das mehrere konkave Abschnit te hat, die in einer Passivierungsschicht einer LCD-Einrichtung gemäß einer spezifischen Ausführungsform der vorliegenden Erfindung ausgebildet sind.The 1 FIG. 12 is a cross-sectional view of a lower panel having a plurality of concave portions formed in a passivation layer of an LCD device according to a specific embodiment of the present invention. FIG.

Bezugnehmend auf 1 wird eine Gateoxidschicht bei einer ausgewählten Dicke auf einem transparenten Glassubstrat 11 ausgebildet, wobei eine Datenleitung 15 und eine Bildelementelektrode 16 auf einem Gateoxidfilm bzw. -schicht ausgebildet werden, wobei sie über einen ausgewählten Abstand voneinander getrennt sind. Eine Passivierungsschicht 17 wird bei einer ausgewählten Dicke über der gesamten Oberfläche der folglich ausgebildeten Einrichtung ausgebildet, um den darunter liegenden Dünnschichttransistor (nicht gezeigt) und die Bildelementelektrode 16 zu schützen. Die Passivierungsschicht 17 weist mehrere konkave Abschnitte 170 auf. Die mehreren konkaven Abschnitte brechen Licht, das auf sie einfällt, dass von einer Rücklichteinheit bzw. Hintergrundlichteinheit 20 projiziert wird, um dadurch das einfallende Licht mit einem breiten bzw. weiten Winkel zu streuen. Im Ergebnis wird das Blickwinkelübersprechlicht verbreitert. Die mehreren konkaven Abschnitte 170 sind in der Passivierungsschicht 17 ausgebildet, die die Bildelementelektrode 16 überdeckt. Die Anordnungs- bzw. Ausrichtungsschicht 18 ist ausgebildet, um ein Flüssigkristall auf der Passivierungsschicht 17 anzuordnen bzw. auszurichten.Referring to 1 becomes a gate oxide layer at a selected thickness on a transparent glass substrate 11 formed, wherein a data line 15 and a picture element electrode 16 are formed on a gate oxide film while being separated from each other by a selected distance. A passivation layer 17 is formed at a selected thickness over the entire surface of the thus formed device to the underlying thin film transistor (not shown) and the picture element electrode 16 to protect. The passivation layer 17 has several concave sections 170 on. The plural concave portions break light incident thereto, that of a backlight unit 20 is projected to thereby scatter the incident light at a wide angle. The result is the view angular crosstalk broadened. The several concave sections 170 are in the passivation layer 17 formed, which the picture element electrode 16 covered. The alignment layer 18 is designed to form a liquid crystal on the passivation layer 17 to arrange or align.

Die 2A bis 2D sind querschnittliche Ansichten, die ein Verfahren zum Ausbilden mehrerer konkaver Abschnitte in einer Passivierungsschicht in dem unteren Feld nach 1 darstellen und sind vergrößerte Ansichten lediglich eines Abschnittes, der eine Bildelementelektrode nach 1 enthält.The 2A to 2D FIG. 4 is a cross-sectional view illustrating a method of forming a plurality of concave portions in a passivation layer in the lower field. FIG 1 and are enlarged views of only a portion following a picture element electrode 1 contains.

Bezugnehmend auf 2A wird zunächst das transparente bzw. durchsichtige Isolationssubstrat 11 vorgesehen, auf dem das Gateoxid ausgebildet wird. Als nächstes wird die Bildelementelektrode 16 aus einer durchsichtigen Elektrodenschicht aus Indiumzinnoxid (ITO) auf dem Gateoxid 12 ausgebildet. Danach wird die Passivierungsschicht 17 mit einer ausgewählten Dicke auf der Bildelementelektrode 16 ausgebildet, wobei die Passivierungsschicht 17 entweder aus Siliziumnitrid oder aus Siliziumoxid hergestellt wird.Referring to 2A First, the transparent or transparent insulating substrate 11 provided on which the gate oxide is formed. Next, the picture element electrode becomes 16 from a transparent electrode layer of indium tin oxide (ITO) on the gate oxide 12 educated. Thereafter, the passivation layer 17 with a selected thickness on the picture element electrode 16 formed, wherein the passivation layer 17 is made of either silicon nitride or silicon oxide.

Bezugnehmend auf 2B wird ein Photoresistmuster bzw. eine Photolackstruktur 30 auf der Passivierungsschicht 17 unter Verwendung einer bekannten photolitographischen Technik ausgebildet, so dass mehrere ausgewählte Abschnitte in der Passivierungsschicht 17 freigelegt werden. Die Anzahl der freigelegten Abschnitte kann willkürlich gesteuert werden. Zusätzlich sind die freigelegten Abschnitte dort, wo die konkaven Abschnitte 170 ausgebildet werden.Referring to 2 B becomes a photoresist pattern 30 on the passivation layer 17 formed using a known photolithographic technique, so that several selected sections in the passivation layer 17 be exposed. The number of exposed sections can be arbitrarily controlled. In addition, the exposed sections are where the concave sections 170 be formed.

Nach dem Herstellungsschritt für das Photoresistmuster- bzw. die Photolackstruktur 30 vervollständigt worden ist, wird das durchsichtige Isolationssubstrat 11 inzwischen in eine Ätzlösung getaucht, in der die Passivierungsschicht 17 bei einer schnelleren Rate geätzt wird, als die Photoresiststruktur bzw. das Photolackmuster 30. Im Ergebnis wird die freigelegte Passivierungsschicht 17 durch die Ätzlösung isotrop geätzt, was zu der Herstellung der konkaven Abschnitte, wie in 2C gezeigt, führt.After the manufacturing step for the photoresist pattern or the photoresist structure 30 is completed, the transparent insulating substrate 11 Meanwhile dipped in an etching solution in which the passivation layer 17 is etched at a faster rate than the photoresist pattern or resist pattern 30 , As a result, the exposed passivation layer becomes 17 etched isotropically by the etching solution, resulting in the production of the concave sections, as in 2C shown leads.

Wie in 2D gezeigt, wird das Photolackmuster bzw. die Photoresiststruktur dann durch einen Veraschungsprozess entfernt. Nachdem die oben aufgezeigten Verfahren abgeschlossen sind, werden herkömmliche Folgeprozesse fortgesetzt.As in 2D is shown, the photoresist pattern or photoresist pattern is then removed by an ashing process. After the above procedures have been completed, conventional follow-up processes continue.

Obwohl ein isotropes Nassätzverfahren bei der oben aufgezeigten spezifischen Ausführungsform verwendet wird, ist es auch möglich, die konkaven Abschnitte mit einem isotropen Plasmaätzverfahren auszubilden.Even though an isotropic wet etching process is used in the specific embodiment shown above, it is also possible the concave portions with an isotropic plasma etching process train.

Wie zuvor im einzelnen beschrieben worden ist, kann eine LCD-Einrichtung nach der vorliegenden Erfindung das Blickwinkelübersprechlicht ausreichend sicherstellen, in dem mehrere konkave Abschnitte in einer Passivierungsschicht ausgebildet werden. Andere Merkmale, Vorteile und Ausführungsformen der Erfindung, die hierin offenbart ist, werden den Fachleuten im Stand der Technik vor Augen geführt, nachdem sie die voranstehenden Offenbarungen gelesen haben. Im Hinblick darauf können Abänderungen und Modifikationen dieser Ausführungsformen verwirklicht werden, ohne den Geist und den Bereich der Erfindung zu verlassen, wie sie beschreiben und beansprucht wird, während bestimmte Ausführungsformen nach der Erfindung in bemerkenswerten Einzelheiten beschrieben worden sind.As previously described in detail may be an LCD device According to the present invention, the viewing angle crosstalk is sufficient Make sure that there are multiple concave sections in a passivation layer be formed. Other features, advantages and embodiments of the invention disclosed herein will be familiar to those skilled in the art State of the art made clear, after reading the above disclosures. In terms of there may be amendments and modifications of these embodiments be realized without the spirit and scope of the invention to leave as it is described and claimed, while certain embodiments have been described in remarkable detail according to the invention.

Gemäß der Erfindung wird eine Flüssigkristall-Anzeigeeinrichtung (LCD) zur Verbreiterung des Blickwinkelübersprechlichtes offenbart. Die LCD-Einrichtung weist mehrere konkave Abschnitte 170 auf, die in einer Passivierungsschicht ausgebildet sind, um die darunter liegende Bildelementelektrode (16) und den Dünnschichttransistor 10 zu schützen. Die mehreren konkaven Abschnitte sind in einer halb- bzw. teilkugeligen bzw. -sphärischen Form in die Passivierungsschicht eingebracht, in dem insbesondere eine isotropes Nassätzverfahren oder ein isotropes Plasmaätzverfahren eingesetzt werden.According to the invention, a liquid crystal display device (LCD) for broadening the viewing angle cross-talk light is disclosed. The LCD device has several concave sections 170 which are formed in a passivation layer to the underlying pixel electrode ( 16 ) and the thin film transistor 10 to protect. The plurality of concave portions are introduced into the passivation layer in a semi-spherical or semi-spherical form in which, in particular, an isotropic wet etching method or an isotropic plasma etching method are used.

Claims (11)

Flüssigkristall-Anzeigeeinrichtung mit den folgenden Merkmalen: einem transparenten Isolationssubstrat (11); einer Gate-Leitung (3), die auf dem Isolationssubstrat (11) ausgebildet ist; einer Datenleitung (15), die auf dem Isolationssubstrat (11) ausgebildet ist und die die Gate-Leitung (3) an einem Überschneidungspunkt überschneidet; einem Dünnschichttransistor (10), der in der Nähe des Überschneidungspunkts zwischen Gate- und Datenleitung ausgebildet ist und der durch ein auf der Gate-Leitung (3) anliegendes Signal gesteuert wird; einer Bildelementelektrode (16), die in einem Bereich ausgebildet ist, der durch die Gate-Leitung (3) und die Datenleitung (15) umgeben ist und die in elektrischem Kontakt zu dem Dünnschichttransistor (10) steht; und einer Passivierungsschicht (17), die, um den Dünnschichttransistor (10) und die Bildelementelektrode (16) zu schützen, über einer Oberfläche des Isolationssubstrats (11) ausgebildet wird, die sich ergibt, nachdem der Dünnschichttransistor (10) und die Bildelementelektrode auf dem Isolationssubstrat (11) ausgebildet worden sind, wobei die Passivierungsschicht (17) mindestens eine Vertiefung (170) aufweist, die an der Oberfläche der Passivierungsschicht (17) so ausgebildet ist, dass paralleles von unten einfallendes Licht mit eine Öffnungswinkel ungleich 0° austritt.A liquid crystal display device having the following features: a transparent insulating substrate ( 11 ); a gate line ( 3 ) deposited on the insulating substrate ( 11 ) is trained; a data line ( 15 ) deposited on the insulating substrate ( 11 ) and the gate line ( 3 ) overlaps at an intersection point; a thin film transistor ( 10 ) which is formed near the point of intersection between gate and data line and which is connected through a gate line ( 3 ) is controlled signal applied; a picture element electrode ( 16 ) formed in a region passing through the gate line ( 3 ) and the data line ( 15 ) and which are in electrical contact with the thin film transistor ( 10 ) stands; and a passivation layer ( 17 ), to the thin film transistor ( 10 ) and the picture element electrode ( 16 ) over a surface of the insulating substrate ( 11 ), which results after the thin-film transistor ( 10 ) and the picture element electrode on the insulating substrate ( 11 ), wherein the passivation layer ( 17 ) at least one depression ( 170 ) on pointing at the surface of the passivation layer ( 17 ) is formed so that parallel incident light from below with an opening angle not equal to 0 ° emerges. Flüssigkristall-Anzeigeeinrichtung nach Anspruch 1, in der die Vertiefung (170) eine halbkugelige Form aufweist.A liquid crystal display device according to claim 1, in which the recess ( 170 ) has a hemispherical shape. Flüssigkristall-Anzeigeeinrichtung nach Anspruch 1 oder 2, in der mehrere Vertiefungen (170) vorkommen.A liquid crystal display device according to claim 1 or 2, wherein a plurality of recesses ( 170 ) occurrence. Verfahren zur Ausbildung einer Oberflächenstruktur bei einer Flüssigkristall-Anzeigeeinrichtung, mit folgenden Schritten: eine Bildelementelektrode (16) wird auf einem Isolationssubstrat (11) ausgebildet; eine Passivierungsschicht (17) wird auf dem Isolationssubstrat (11) ausgebildet, auf dem die Bildelementelektrode (16) ausgebildet worden ist; in einem Fotolithographie- und Ätzschritt werden an der Oberfläche der Passivierungsschicht (17) Vertiefungen (170) ausgebildet.A method of forming a surface structure in a liquid crystal display device, comprising the steps of: 16 ) is deposited on an insulating substrate ( 11 ) educated; a passivation layer ( 17 ) is deposited on the insulating substrate ( 11 ) on which the picture element electrode ( 16 ) has been formed; in a photolithography and etching step, at the surface of the passivation layer ( 17 ) Wells ( 170 ) educated. Verfahren nach Anspruch 4, bei dem das Isolationssubstrat ein Glassubstrat ist.The method of claim 4, wherein the insulating substrate is a glass substrate. Verfahren nach einem der Ansprüche 4 oder 5, bei dem ein Photoresistmuster (30) auf der Passivierungsschicht (17) ausgebildet wird und die Passivierungsschicht (17) bei einer schnelleren Rate geätzt wird als das Photoresistmuster (30).Method according to one of Claims 4 or 5, in which a photoresist pattern ( 30 ) on the passivation layer ( 17 ) and the passivation layer ( 17 ) is etched at a faster rate than the photoresist pattern (Fig. 30 ). Verfahren nach Anspruch 6, bei dem der Schritt zum Ausbilden des Photresistmusters (30) folgende Schritte umfasst: auf der Passivierungsschicht (17) wird eine Photoresistschicht aufgetragen; ein ausgewählter Abschnitt der Photoresistschicht wird einem Licht ausgesetzt; und der ausgesetzte Abschnitt wird entwickelt.A method according to claim 6, wherein the step of forming the photoresist pattern ( 30 ) comprises the following steps: on the passivation layer ( 17 ) a photoresist layer is applied; a selected portion of the photoresist layer is exposed to light; and the exposed section is developed. Verfahren nach einem der Ansprüche 4 bis 7, bei dem der Ätzschritt zum Ausbilden der Vertiefung (170) durch eine isotrope Nassätzung der freigelegten Passivierungsschicht (17) durchgeführt wird.Method according to one of claims 4 to 7, wherein the etching step for forming the recess ( 170 by an isotropic wet etching of the exposed passivation layer ( 17 ) is carried out. Verfahren nach einem der Ansprüche 4 bis 7, bei dem der Ätzschritt zum Ausbilden der Vertiefung (170) mittels eines isotropen Plasmaätzens der freigelegten Passivierungsschicht (17) durchgeführt wird.Method according to one of claims 4 to 7, wherein the etching step for forming the recess ( 170 ) by means of an isotropic plasma etching of the exposed passivation layer ( 17 ) is carried out. Verfahren nach einem der Ansprüche 6 bis 9, bei dem das Photoresistmuster (30) durch ein Veraschungsverfahren entfernt wird.Method according to one of Claims 6 to 9, in which the photoresist pattern ( 30 ) is removed by an ashing process. Verfahren nach einem der Ansprüche 4 bis 10, bei dem zwei oder mehr der Vertiefungen (170) ausgebildet werden.Method according to one of claims 4 to 10, wherein two or more of the depressions ( 170 ) be formed.
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