DE19652991A1 - Selective gold plating of base layer-coated substrate to allow gold and aluminium wire bonding to same substrate - Google Patents
Selective gold plating of base layer-coated substrate to allow gold and aluminium wire bonding to same substrateInfo
- Publication number
- DE19652991A1 DE19652991A1 DE19652991A DE19652991A DE19652991A1 DE 19652991 A1 DE19652991 A1 DE 19652991A1 DE 19652991 A DE19652991 A DE 19652991A DE 19652991 A DE19652991 A DE 19652991A DE 19652991 A1 DE19652991 A1 DE 19652991A1
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- gold
- order
- electrolyte
- net
- carrier
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Ceased
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
- C23C18/16—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
- C23C18/1601—Process or apparatus
- C23C18/1603—Process or apparatus coating on selected surface areas
- C23C18/1605—Process or apparatus coating on selected surface areas by masking
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
- C23C18/16—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
- C23C18/1601—Process or apparatus
- C23C18/1603—Process or apparatus coating on selected surface areas
- C23C18/1607—Process or apparatus coating on selected surface areas by direct patterning
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
- C23C18/16—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
- C23C18/1601—Process or apparatus
- C23C18/1633—Process of electroless plating
- C23C18/1635—Composition of the substrate
- C23C18/1637—Composition of the substrate metallic substrate
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
- C23C18/16—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
- C23C18/1601—Process or apparatus
- C23C18/1633—Process of electroless plating
- C23C18/1646—Characteristics of the product obtained
- C23C18/165—Multilayered product
- C23C18/1651—Two or more layers only obtained by electroless plating
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
- C23C18/16—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
- C23C18/31—Coating with metals
- C23C18/32—Coating with nickel, cobalt or mixtures thereof with phosphorus or boron
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
- C23C18/16—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
- C23C18/31—Coating with metals
- C23C18/42—Coating with noble metals
- C23C18/44—Coating with noble metals using reducing agents
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
- C23C18/54—Contact plating, i.e. electroless electrochemical plating
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/22—Secondary treatment of printed circuits
- H05K3/24—Reinforcing the conductive pattern
- H05K3/244—Finish plating of conductors, especially of copper conductors, e.g. for pads or lands
Abstract
Description
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur zumindest teilweisen Goldbeschichtung eines Trägers mit einer Grundschicht, bei dem erste Kontaktflächen auf dem Trä ger, die eine Goldschicht aufweisen, und zweite Kontaktflächen, die frei von der beschichteten Goldschicht der ersten Kontaktflächen sind, erzeugt werden, wobei die zweiten Kontaktflächen zuerst mit einem Abdeckmittel abgedeckt werden, wo bei der Träger in ein Austausch-Goldbad eingebracht wird, wodurch auf den er sten Kontaktflächen eine Vorvergoldung ausgebildet wird, und wobei nach der Entnahme des Trägers aus dem Austausch-Goldbad die die zweiten Kontaktflä chen abdeckenden Abdeckmittel entfernt werden. The invention relates to a method for at least partial gold plating a carrier with a base layer, in which the first contact surfaces on the carrier ger, which have a gold layer, and second contact areas that are free of the are coated gold layer of the first contact surfaces are produced, wherein the second contact areas are first covered with a covering agent, where when the carrier is placed in an exchange gold bath, causing it to Most contact surfaces a pre-gilding is formed, and wherein after the Removal of the carrier from the exchange gold bath, the second contact surface Chen covering covering agents are removed.
Ein sehr beliebtes Kontaktierungsverfahren in der Elektronik ist das sogenannte "Bonden". Hierbei werden mit Gold- oder Aluminiumdrähten elektrische Anbin dungen für ein auf dem Träger implementiertes elektronisches Bauteil geschaf fen, wobei üblicherweise Golddrähte in einer Stärke von ca. 30 µ oder Aluminium drähte in einer Stärke von ca. 30 µ (Dünndraht-Bonden) oder 300 µ (Dickdraht-Bonden) verwendet werden.A very popular contacting method in electronics is the so-called "Bonding". Here electrical connections are made with gold or aluminum wires for an electronic component implemented on the carrier fen, usually gold wires with a thickness of about 30 microns or aluminum wires with a thickness of approx. 30 µ (thin wire bonding) or 300 µ (thick wire bonding) be used.
Hierzu ist es erforderlich, daß auf dem Träger bondbare Kontaktflächen angeord net werden. Während es beim Bonden von Aluminiumdrähten möglich ist, diese direkt auf der Chemisch-Nickel-Schicht des Trägers zu befestigen, die gegebe nenfalls mit einer maximal 0,1 µ dicken Goldschicht verstärkt ist, kann auf sol chen Schichten nicht mit Golddraht gebondet werden, da hierzu eine ca. 0,3 µ dicke Goldschicht erforderlich ist. Diese gegenüber dem beim Aluminiumdraht-Bonden eingesetzten Schichten deutlich dickere Goldschicht kann nur nach einer Vorvergoldung der Chemisch-Nickel-Schicht, welche eine Dicke von ca. 0,03 bis 0,08 µ aufweist, hergestellt werden, wobei diese Vorvergoldung in einem Austau schelektrolyten mit einem pH-Wert unter 7,0 und bei ca. 80°C direkt auf die Che misch-Nickel-Schicht abgeschieden wird. Die Verstärkung dieser Vorvergoldung auf ca. 0,3 µ erfolgt dann in einem reduktiv arbeitenden Elektrolyten, wobei hier bei eine Temperatur von 80°C und eine stark alkalische Umgebung vorgesehen wird.For this it is necessary that contact surfaces which can be bonded are arranged on the carrier be net. While it is possible to bond aluminum wires, this one to be attached directly to the chemical nickel layer of the support if not reinforced with a gold layer with a maximum thickness of 0.1 µ, sol Chen layers are not bonded with gold wire, as this requires an approx. 0.3 µ thick gold layer is required. This compared to the Aluminum wire bonding uses layers of significantly thicker gold layer only after one Pre-gold plating of the chemical nickel layer, which has a thickness of approx. 0.03 to 0.08 µ, are produced, this pre-gold plating in a thaw Schelectrolytes with a pH below 7.0 and at approx. 80 ° C directly on the Che mixed nickel layer is deposited. The reinforcement of this pre-gilding to about 0.3 µ then takes place in a reductive electrolyte, whereby here provided at a temperature of 80 ° C and a strongly alkaline environment becomes.
Es ist aus diesen Gründen daher bis jetzt nicht möglich, bei ein und denselben Träger gleichzeitig Gold-Bonddrähte und Aluminium-Bonddrähte zu verwenden.For these reasons, it is therefore not yet possible for one and the same Carrier to use gold bond wires and aluminum bond wires simultaneously.
Es ist daher Aufgabe der Erfindung, ein Verfahren zu schaffen, welches es er möglicht, daß auf ein und demselben Träger sowohl mit Golddrähten als auch mit Aluminiumdrähten gebondet werden kann.It is therefore an object of the invention to provide a method which he possible that on the same carrier both with gold wires and with Aluminum wires can be bonded.
Diese Aufgabe wird durch ein Verfahren gelöst, bei dem erfindungsgemäß vorge sehen ist, daß der Träger in ein Goldbad eingebracht wird, das einen Elektrolyten aufweist, bei dem auf der Grundschicht des Trägers keine Goldab scheidung erfolgt.This object is achieved by a method in which the invention can be seen that the carrier is placed in a gold bath, the one Has electrolytes in which no gold is deposited on the base layer of the support divorce takes place.
Durch die erfindungsgemäßen Maßnahmen wird in vorteilhafter Art und Weise ein Verfahren geschaffen, das es in einfacher Art und Weise erlaubt, auf einen Träger Kontaktierungsflächen sowohl für Golddrähte als auch für Aluminiumdräh te vorzusehen. Diese wird im wesentlichen durch die Verwendung des erfin dungsgemäßen reduktiven Goldbades erzielt, welches die vorteilhafte Eigen schaft besitzt, daß auf der Grundschicht, insbesondere einer Chemisch-Nickel-Schicht, keine Goldabscheidung stattfindet, so daß diese Schichten für das Bon den mit Aluminiumdraht zur Verfügung stehen.The measures according to the invention are advantageous created a procedure that allows you to easily access one Carrier contact surfaces for both gold wires and aluminum wires to provide. This is essentially due to the use of the invention achieved reductive gold bath according to the invention, which has the advantageous property shaft has that on the base layer, in particular a chemical nickel layer, no gold deposition takes place, so these layers for the receipt that are available with aluminum wire.
Vorteilhafte Weiterbildungen der Erfindung sind Gegenstand der Unteransprüche.Advantageous developments of the invention are the subject of Subclaims.
Weitere Einzelheiten und Vorteile der Erfindung sind dem Ausführungsbeispiel zu entnehmen, das im Folgenden anhand der einzigen Figur beschrieben wird. Es zeigt:Further details and advantages of the invention are the embodiment remove that is described below with reference to the single figure. It shows:
Fig. 1 eine Draufsicht auf ein Ausführungsbeispiel eines mit einer Che misch-Nickel-Schicht überzogenen Trägers. Fig. 1 is a plan view of an embodiment of a coated with a Che mixed nickel layer carrier.
Der in Fig. 1 dargestellte und mit 1 bezeichnete Träger weist an seiner Oberflä che 1' eine Grundschicht, insbesondere eine Chemisch-Nickel-Schicht 2 auf, auf die Kontaktflächen 2a-2c aufzubringen sind, die zum Bonden von Golddrähten dienen und deshalb eine Goldschicht mit einer Schichtdicke von ungefähr 0,3 µ Gold aufweisen müssen. Der Träger 1 weist desweiteren Kontaktflächen 3a-3c' auf, die zum Bonden von Aluminiumdrähten dienen und deshalb nicht von der die Kontaktflächen 2a-2c ausbildenden Goldschicht überdeckt werden dürfen. Dem Fachmann ist ersichtlich, daß die beschriebene Anordnung der Kontaktflächen 2a-2c, 3a-3c auf dem Träger 1 nur zur Erläuterung des nachstehend beschriebe nen Verfahrens dient und keinesfalls dessen Anwendbarkeit auf andere Kon taktanordnungen ausschließen soll.Shown in Fig. 1 and indicated at 1 carrier has on its Oberflä che 1 ', a base layer, in particular a chemical nickel layer 2, the contact surfaces 2 a- 2 c are to be applied which serve for bonding of gold wires and, therefore, must have a gold layer with a layer thickness of approximately 0.3 μ gold. The carrier 1 comprises further contact surfaces 3 3 a-c ', which serve for bonding of aluminum wires and is therefore not of the contact surfaces 2 a- 2 c forming gold layer may be covered. The person skilled in the art can see that the arrangement of the contact surfaces 2 a- 2 c, 3 a- 3 c on the carrier 1 only serves to explain the method described below and in no way excludes its applicability to other contact arrangements.
Um nun zu gewährleisten, daß die für das Aluminiumdraht-Bonden bestimmten Kontaktflächen 3a-3c nicht in den darauffolgenden Schichten des beschriebenen Verfahrens von der in dessen Verfahrensschriften herzustellenden, die Kontakt flächen 2a-2c ausbildenden Goldschicht bedeckt werden, werden diese für das Aluminiumdraht-Bonden bestimmten Kontaktflächen 3a-3c mit Klebeband oder Lack oder einem ähnlichen Abdeckmittel abgedeckt. Zum Abdecken der Kontakt flächen 3a-3c kann eine Vielzahl von an für sich bekannten Klebebändern oder Lacken verwendet werden, da diese ohne weiteres den im nachfolgend beschrie benen Austausch-Goldbad auftretenden thermischen und/oder chemischen Bela stungen gewachsen sind.In order now to ensure that the contact surfaces 3 a - 3 c intended for aluminum wire bonding are not covered in the subsequent layers of the described method by the gold layer to be produced in its method specifications, which forms the contact surfaces 2 a - 2 c, these are covered for the aluminum wire bonding certain contact areas 3 a - 3 c covered with tape or paint or a similar covering. For covering the contact surfaces 3 a- c 3 may be a variety of known per se to be used for adhesive tapes or lacquers, as they readily enclosed in the beschrie hereinafter exchange gold bath occurring thermal and / or chemical Bela stungen have grown.
Anschließend wird der so behandelte Träger 1 in einem Austausch-Goldbad, in dem einem pH-Wert von vorzugsweise unter 7,0 und einer Temperatur von ca. 85°C herrscht, vergoldet, wodurch in an und für sich bekannter Art und Weise ei ne Vorvergoldung der Kontaktflächen 2a-2c mit einer Schichtdicke von 0,03 bis 0,1 µ erzeugt wird.The carrier 1 treated in this way is then gold-plated in an exchange gold bath in which there is a pH of preferably below 7.0 and a temperature of approximately 85 ° C., so that egg ne in a manner known per se Pre-gold plating of the contact areas 2 a- 2 c is generated with a layer thickness of 0.03 to 0.1 μ.
Nach einem Spülen und Trocknen des Trägers 1 werden die durch das Klebe band, den Lack oder die sonstigen Abdeckmitteln ausgebildeten Abdeckungen von den Kontaktflächen 3a-3c in einer bekannten Art und Weise entfernt. Die im Austausch-Goldbad abgedenkten Kontaktflächen 3a-3c haben somit ihre ur sprüngliche Chemisch-Nickel-Oberfläche behalten.After rinsing and drying the carrier 1 , the covers formed by the adhesive tape, the lacquer or the other covering means are removed from the contact surfaces 3 a - 3 c in a known manner. The contact surfaces 3 a - 3 c covered in the exchange gold bath have thus retained their original chemical nickel surface.
Um nun die Kontaktflächen 2a-2c für das Golddraht-Bonden auszubilden, wird
der Träger 1 in ein reduktives Goldbad eingebracht, das einen Elektrolyten ver
wendet, bei dem auf der Grundschicht des Trägers 1, in den hier beschriebenen
Fall der Chemisch-Nickel-Schicht 2, keine Goldabscheidung erfolgt. Hierbei wird
bevorzugt, daß der Elektrolyt sich wie folgt zusammensetzt:
Der Elektrolyt weist als ersten Bestandteil Kalium-, Natrium- oder Ammonium
gold-I-cyanid bzw. die entsprechenden Gold-III-cyanidverbindungen in einer Grö
ßenordnung von 0,1 g/l bis ungefähr 20 g/l Gold auf, wobei bevorzugt wird, daß
der Goldgehalt der vorgenannten Verbindungen im Bereich von ungefähr 0,5 g/l
bis ungefähr 5 g/l liegt.In order to now, the contact surfaces 2 a- 2 c form for the gold wire bonding, the carrier 1 in a reductive gold bath is introduced, which applies an electrolyte ver, in which on the base layer of the carrier 1, in the case described here, the chemical nickel Layer 2 , no gold deposition takes place. It is preferred that the electrolyte is composed as follows:
The first component of the electrolyte is potassium, sodium or ammonium gold-I-cyanide or the corresponding gold-III-cyanide compounds in an order of magnitude of 0.1 g / l to approximately 20 g / l gold, preference being given to that the gold content of the aforementioned compounds is in the range of about 0.5 g / l to about 5 g / l.
Eine zweite Komponente des beschriebenen Elektrolyten ist freies Kalium-, Natri um- oder Ammoniumcyanid in einer Größenordnung von ungefähr 0,1 g/l bis 25 g/l, wobei bevorzugt wird, daß der Anteil der vorgenannten freien Cyanide im Be reich von ungefähr 3 g/l bis 6 g/l liegt.A second component of the electrolyte described is free potassium, natri um or ammonium cyanide on the order of about 0.1 g / l to 25 g / l, it being preferred that the proportion of the aforementioned free cyanides in the Be ranges from about 3 g / l to 6 g / l.
Desweiteren weist der Elektrolyt Kalium-, Natrium- oder Ammoniumsulfit in einer Größenordnung von ungefähr 0,1 g/l bis 50 g/l auf, wobei bevorzugt wird, daß der Gehalt des vorgenannten Sulfits im Bereich von ungefähr 5 g/l bis 15 g/l liegt.Furthermore, the electrolyte has potassium, sodium or ammonium sulfite in one Of the order of about 0.1 g / l to 50 g / l, with it being preferred that the The content of the aforementioned sulfite is in the range of approximately 5 g / l to 15 g / l.
Desweiteren weist der Elektrolyt eine aromatische (mono-, di- oder tri-) Nitrover bindung, zum Beispiel 3,5-Dinitrobenzoesäure, in der Größenordnung von unge fähr 0,01 g/l bis ungefähr 10 g/l auf, wobei wiederum bevorzugt wird, daß die Konzentration der vorgenannten Säure in den Bereich von ungefähr 0,05 bis 1,0 g/l liegt.Furthermore, the electrolyte has an aromatic (mono-, di- or tri-) nitrover bond, for example 3,5-dinitrobenzoic acid, on the order of unge from 0.01 g / l to about 10 g / l, again it is preferred that the Concentration of the aforementioned acid in the range of approximately 0.05 to 1.0 g / l.
Ein weiterer Bestandteil des beschriebenen Elektrolyten ist freies Alkali, das vorzugsweise als Kalium- oder Natriumhydroxid vorliegt. Die Konzentration des freien Alkalis liegt in der Größenordnung von ungefähr 1 g/l bis 100 g/l, wobei der Bereich von ungefähr 10 g/l bis 25 g/l bevorzugt wird.Another component of the electrolyte described is free alkali, the is preferably present as potassium or sodium hydroxide. The concentration of the free alkali is of the order of about 1 g / l to 100 g / l, the Range of about 10 g / l to 25 g / l is preferred.
Ein weiterer Bestandteil des Elektrolyten sind ein oder mehrere Komplexbildner aus der Gruppe der Hydroxycarbonsäuren, Phosphonsäuren, Nitriloessigsäuren oder Aethylendiaminessigsäuren in einer Größenordnung von ungefähr 1 g/l bis 50 g/l mit einem Optimum von 10 g/l bis 30 g/l.Another component of the electrolyte are one or more complexing agents from the group of hydroxycarboxylic acids, phosphonic acids, nitriloacetic acids or ethylenediamine acetic acids on the order of about 1 g / L to 50 g / l with an optimum of 10 g / l to 30 g / l.
Desweiteren weist der beschriebene Elektrolyt einen oder mehrere Reduktions mittel aus der Gruppe der Borane oder Boranate auf, wobei der Anteil dieser Re duktionsmittel in der Größenordnung von ungefähr 0,1 g/l bis 50 g/l mit einem Optimum von ca. 1 g/l bis 10 g/l liegt.Furthermore, the electrolyte described has one or more reduction medium from the group of boranes or boranates, the proportion of these Re reducing agent in the order of about 0.1 g / l to 50 g / l with a Optimal from approx. 1 g / l to 10 g / l.
Um die Reaktion des Elektrolyten zu beschleunigen, kann optional noch ein Re aktionsbeschleuniger, vorzugsweise eine wasserlösliche Thallium-I-Verbindung vorgesehen sein, die in einer Größenordnung von 0,1 mg/l bis ungefähr 100 mg/l dem Elektrolyten zugesetzt wird, wobei der bevorzugte Bereich der vorgenannten Verbindung im Bereich von ungefähr 1 mg/l bis 20 mg/l liegt.To accelerate the reaction of the electrolyte, a Re action accelerator, preferably a water-soluble thallium I compound be provided in the order of 0.1 mg / l to about 100 mg / l is added to the electrolyte, the preferred range of the aforementioned Compound ranges from about 1 mg / l to 20 mg / l.
Versuche haben ergeben, daß eine bevorzugte Zusammensetzung des Elektroly
ten im wesentlichen wie folgt lautet:
Experiments have shown that a preferred composition of the electrolyte is essentially as follows:
- - 1,0 g/l Gold als freies Kaliumgold-I-cyanid,1.0 g / l gold as free potassium gold I-cyanide,
- - 5,0 g/l freies Kaliumcyanid,- 5.0 g / l free potassium cyanide,
- - 50 g/l 1-Hydroxid-ethan-1.1-diphosphonsäure,50 g / l of 1-hydroxide-ethane-1,1-diphosphonic acid,
- - 10 g/l Kaliumsulfit- 10 g / l potassium sulfite
- - 0,2 g/l 3,5-Dinitrobenzoesäure,- 0.2 g / l 3,5-dinitrobenzoic acid,
- - 22 g/l freies Kaliumhydroxid- 22 g / l free potassium hydroxide
-
- 5,0 g/l Dimethylaminboran,
wobei vorzugsweise 5,0 mg/l Thallium als Thallium-I-sulfat zugesetzt wird.- 5.0 g / l dimethylamine borane,
preferably 5.0 mg / l thallium is added as thallium I-sulfate.
Zur Durchführung der reduktiven Goldabscheidung wird eine Temperatur von un gefähr 60° bis 95° des Elektrolyten und insbesondere der Bereich von 75° bis 85°C bevorzugt. A temperature of un dangerous 60 ° to 95 ° of the electrolyte and in particular the range from 75 ° to 85 ° C preferred.
Der Träger 1 wird in ein diesem Goldbad bei einer Temperatur von vorzugsweise 80°C belassen, bis sich eine Schichtdicke von ca. 0,3 µ Gold auf den Kontaktflä chen 2a-2c abgeschieden hat.The carrier 1 is left in a gold bath at a temperature of preferably 80 ° C. until a layer thickness of approximately 0.3 μ gold has been deposited on the contact surfaces 2 a- 2 c.
Da der oben beschriebene Elektrolyt die vorteilhafte Eigenschaft aufweist, daß im reduktiven Goldbad auf der Chemisch-Nickel-Schicht 2, und somit auch auf den Kontaktschichten 3a-3c keine Goldabscheidung auftritt, werden die für das Alumi nium-Banden bestimmten Kontaktflächen 3a-3c nicht von der Goldschicht über deckt und liegen deshalb auch nach diesem Verfahrensschrift unverändert vor.Since the electrolyte described above has the advantageous characteristic that occurs in the reductive gold solution on the electroless nickel layer 2, and thus also on the contact layers 3 a- 3 c no gold deposition, destined for the Alumi nium bands contact surfaces 3 are a - 3 c does not cover the gold layer and is therefore unchanged even according to this procedure.
Der Träger 1 weist somit Kontaktschichten 2a-2c auf, die eine dicke, für das Golddraht-Bonden geeignete Goldschicht aufweisen, und Kontaktflächen 3a-3c, die unvergoldet sind, auf, so daß auf dem Träger 1 sowohl Aluminium - als auch Golddrähte gebondet werden können.The carrier 1 thus has contact layers 2 a- 2 c, which have a thickness suitable for the gold wire bonding layer of gold, and contact surfaces 3 a- 3 c which are unvergoldet on so that on the carrier 1 in both aluminum - as gold wires can also be bonded.
Soll auch die verbleibenden Flächen der Grundschicht 2, also im hier beschriebe nen Fall die Kontaktflächen 3a-3c, mit einer dünnen Goldschicht beschichtet wer den, so wird dies dadurch erreicht, daß der wie vorstehend behandelte Träger 1 nach dem reduktiven Goldbad in das weiter oben beschriebene Austausch-Gold bad eingebracht wird, bis die freien Flächen mit einer dünnen Goldschicht be schichtet sind, welche noch mit Aluminiumbad bondbar ist. Es wird bevorzugt, daß deren Dicke ungefähr zwischen 0,01 µ bis 0,09 µ liegt.Should c, the remaining areas of the base layer 2, so in the descriptions here NEN case, the contact surfaces 3 a-3, coated with a thin layer of gold who to, this is achieved in that the above treated support 1 after the reductive gold bath in the exchange gold bath described above is introduced until the free surfaces are coated with a thin gold layer, which is still bondable with aluminum bath. It is preferred that the thickness thereof be approximately between 0.01 µ to 0.09 µ.
Claims (16)
- - Kalium-, Natrium- oder Ammoniumgold-I-cyanid oder Gold-III-cyanidver bindungen in einer Größenordnung von ungefähr 0,1 g/l bis ungefähr 20 g/l,
- - freies Kalium-, Natrium- oder Ammoniumcyanid in einer Größenordnung von ungefähr 0,1 g/l bis 25 g/l,
- - Kalium-, Natrium- oder Ammoniumsulfit in einer Größenordnung von un gefähr 0,1 g/l bis ungefähr 50 g/l,
- - einer aromatische Nitroverbindung in einer Größenordnung von ungefähr 0,1 g/l bis ungefähr 10 g/l,
- - freies Alkali in einer Größenordnung von ungefähr 1 g/l bis ungefähr 100 g/l,
- - einen oder mehrere Komplexbildner aus der Gruppe der Hydroxycarbon säuren, Phosphonsäuren, Nitriloessigsäure oder Aethylendiaminessigsäuren in einer Größenordnung von ungefähr 1 g/l bis ungefähr 50 g/l,
- - ein oder mehrere Reduktionsmittel aus der Gruppe der Borane oder Bora nate in einer Größenordnung von 0,1 g/l bis 50 g/l enthält.
- Potassium, sodium or ammonium gold-I-cyanide or gold-III-cyanidver compounds in the order of about 0.1 g / l to about 20 g / l,
- free potassium, sodium or ammonium cyanide in the order of about 0.1 g / l to 25 g / l,
- Potassium, sodium or ammonium sulfite in the order of about 0.1 g / l to about 50 g / l,
- an aromatic nitro compound of the order of about 0.1 g / l to about 10 g / l,
- free alkali in the order of about 1 g / l to about 100 g / l,
- one or more complexing agents from the group of the hydroxycarbon acids, phosphonic acids, nitriloacetic acid or ethylenediamine acetic acids in a range from approximately 1 g / l to approximately 50 g / l,
- - Contains one or more reducing agents from the group of boranes or borates in the order of 0.1 g / l to 50 g / l.
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19652991A DE19652991A1 (en) | 1996-12-13 | 1996-12-19 | Selective gold plating of base layer-coated substrate to allow gold and aluminium wire bonding to same substrate |
DE59701645T DE59701645D1 (en) | 1996-12-13 | 1997-12-11 | Process for at least partially gold plating a carrier |
EP19970121803 EP0857797B1 (en) | 1996-12-13 | 1997-12-11 | Process for coating of a substrate at least partially with gold |
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19651899 | 1996-12-13 | ||
DE19652991A DE19652991A1 (en) | 1996-12-13 | 1996-12-19 | Selective gold plating of base layer-coated substrate to allow gold and aluminium wire bonding to same substrate |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE19652991A1 true DE19652991A1 (en) | 1998-06-18 |
Family
ID=7814612
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE19652991A Ceased DE19652991A1 (en) | 1996-12-13 | 1996-12-19 | Selective gold plating of base layer-coated substrate to allow gold and aluminium wire bonding to same substrate |
DE59701645T Expired - Fee Related DE59701645D1 (en) | 1996-12-13 | 1997-12-11 | Process for at least partially gold plating a carrier |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE59701645T Expired - Fee Related DE59701645D1 (en) | 1996-12-13 | 1997-12-11 | Process for at least partially gold plating a carrier |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
DE (2) | DE19652991A1 (en) |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4169171A (en) * | 1977-11-07 | 1979-09-25 | Harold Narcus | Bright electroless plating process and plated articles produced thereby |
DE4020795C1 (en) * | 1990-06-28 | 1991-10-17 | Schering Ag Berlin-Bergkamen, 1000 Berlin, De |
-
1996
- 1996-12-19 DE DE19652991A patent/DE19652991A1/en not_active Ceased
-
1997
- 1997-12-11 DE DE59701645T patent/DE59701645D1/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4169171A (en) * | 1977-11-07 | 1979-09-25 | Harold Narcus | Bright electroless plating process and plated articles produced thereby |
DE4020795C1 (en) * | 1990-06-28 | 1991-10-17 | Schering Ag Berlin-Bergkamen, 1000 Berlin, De |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE59701645D1 (en) | 2000-06-15 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE10164502B4 (en) | Method for the hermetic encapsulation of a component | |
EP0841561B1 (en) | Method for the production of a sensor with a metal electrode in a MOS device | |
DE102007047007A1 (en) | Electrical contact element and a method for producing the same | |
DE2032872B2 (en) | Process for the production of soft solderable contacts for the installation of semiconductor components in housings | |
DE112007000680T5 (en) | Noble metal plating of titanium components | |
DE3321231A1 (en) | METHOD FOR PRODUCING WEAR PROTECTIVE LAYERS ON THE SURFACES OF COMPONENTS MADE OF TITANIUM OR TITANIUM BASED ALLOYS | |
DE1640574A1 (en) | Process for the metallization of objects made of plastic or for the production of objects which have one or more metal layers adhering to a plastic carrier layer | |
DE3335184A1 (en) | METHOD FOR PRODUCING SEMICONDUCTOR COMPONENTS | |
DE19652991A1 (en) | Selective gold plating of base layer-coated substrate to allow gold and aluminium wire bonding to same substrate | |
EP0857797B1 (en) | Process for coating of a substrate at least partially with gold | |
DE19942885A1 (en) | Semiconductor device has an electrode or wiring layer of a thick aluminum layer below a nickel layer to prevent an aluminum-nickel intermetallic compound from reaching the underlying substrate | |
EP0523547A2 (en) | Electroless nickel plated DCB substrate and method of connecting the same with fine wires | |
DE19631565A1 (en) | Uniform adherent palladium contact bump production | |
DE102012208681A1 (en) | Tin coating, associated contact element and method for applying a tin coating | |
DE112020001854T5 (en) | Semiconductor component and method for its manufacture | |
EP0278413A2 (en) | Method for making a connection between a bonding wire and a contact pad in hybrid thick-film circuits | |
DE2012110A1 (en) | Method for producing a multilayer metallization on electrical components | |
DE102008043361A1 (en) | Connecting wire and method for producing such | |
CH658157A5 (en) | METHOD FOR THE PRODUCTION OF CIRCUITS WITH AT LEAST TWO CIRCUITS. | |
EP0058761A2 (en) | Lead frame for resin-encapsulated electrical devices | |
DE112019006965T5 (en) | Semiconductor device and method of manufacturing the same | |
DE112016007388B4 (en) | Semiconductor device and method of manufacturing a semiconductor device | |
DE112019000957T5 (en) | SEMICONDUCTOR ELEMENT AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME | |
WO2014139721A1 (en) | Thermogenerator for generating electrical energy from thermal energy and method for producing same | |
DE1621393C (en) | Method for preparing doped surface areas of a silicon body |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
OP8 | Request for examination as to paragraph 44 patent law | ||
8127 | New person/name/address of the applicant |
Owner name: AMI DODUCO GMBH, 75181 PFORZHEIM, DE |
|
8131 | Rejection |