DE19819785A1 - Zerstäubungskathode nach dem Magnetron-Prinzip - Google Patents
Zerstäubungskathode nach dem Magnetron-PrinzipInfo
- Publication number
- DE19819785A1 DE19819785A1 DE19819785A DE19819785A DE19819785A1 DE 19819785 A1 DE19819785 A1 DE 19819785A1 DE 19819785 A DE19819785 A DE 19819785A DE 19819785 A DE19819785 A DE 19819785A DE 19819785 A1 DE19819785 A1 DE 19819785A1
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- target
- sources
- field lines
- magnetic
- sputtering cathode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J23/00—Details of transit-time tubes of the types covered by group H01J25/00
- H01J23/02—Electrodes; Magnetic control means; Screens
- H01J23/04—Cathodes
- H01J23/05—Cathodes having a cylindrical emissive surface, e.g. cathodes for magnetrons
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B30/00—Compositions for artificial stone, not containing binders
- C04B30/02—Compositions for artificial stone, not containing binders containing fibrous materials
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
- H01J37/3402—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering using supplementary magnetic fields
- H01J37/3405—Magnetron sputtering
- H01J37/3408—Planar magnetron sputtering
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2111/00—Mortars, concrete or artificial stone or mixtures to prepare them, characterised by specific function, property or use
- C04B2111/54—Substitutes for natural stone, artistic materials or the like
Abstract
Bei einer Zerstäubungskathode nach dem Magnetron-Prinzip mit einem aus mindestens einem Teil bestehenden Target aus dem zu zerstäubenden Material mit einem hinter dem Target angeordneten Magnetsystem mit Quellen unterschiedlicher Polung, durch die mindestens ein in sich geschlossener Tunnel aus bogenförmig gekrümmten Feldlinien gebildet wird, wobei die dem Target abgekehrten Pole der Quelle über ein Magnetjoch aus weichmagnetischem Material miteinander verbunden sind, sind die die Quellen der Magnetfelder bildenden Körper gerade Prismen, vorzugsweise Quader, deren Grundkanten parallel der Targetebene ausgerichtet sind, wobei die Feldlinien der Quellen jeweils in einem Winkel geneigt zu den Grundflächen der Körper verlaufen.
Description
Die Erfindung betrifft eine Zerstäubungskathode
nach dem Magnetron-Prinzip mit einem aus minde
stens einem Teil bestehenden Target aus dem zu
zerstäubenden Material mit einem hinter dem Target
angeordneten Magnetsystem mit Quellen unterschied
licher Polung, durch die mindestens ein in sich
geschlossener Tunnel aus bogenförmig gekrümmten
Feldlinien gebildet wird, wobei die dem Target ab
gekehrten Pole der Quellen über ein Magnetjoch aus
weichmagnetischem Material miteinander verbunden
sind.
Bekannt ist eine Sputterkathode (US 4,461,688) mit
einem plattenförmigen Target und mehreren, auf der
de Substrat abgewandten Seite des Targets angeord
neten U-förmigen Magneteinheiten, wobei die beiden
Schenkel einer ersten U-förmigen Magneteinheit mit
ihren Stirnflächen an den Randpartien der abge
wandten Fläche des Targets anliegen und ein weite
res Paar von U-förmigen Magneteinheiten jeweils an
einer Hälfte der abgewandten Targetfläche mit den
Stirnflächen ihrer Schenkel anliegen und weitere
zweite Paare von kleineren U-förmigen Magnetein
heiten mit den Stirnflächen ihrer beiden Schenkel
jeweils an der äußeren Hälfte der vom zweiten Paar
Magneteinheiten übergriffenen Partie der abgewand
ten Fläche des Targets anliegen.
Bekannt ist weiterhin eine Sputterkathode (US
4,265,729), bei der auf der dem Substrat abgewand
ten Seite des Targets Magnete vorgesehen sind, de
ren die Magnetfelder bildenden Körper gerade Pris
men sind, deren Grundkanten schräg zur Ebene des
Targets verlaufen, wobei die Feldlinien der Magne
te parallel den auf der Grundfläche stehenden Kan
ten der Körper verlaufen.
Der vorliegenden Erfindung liegt die Aufgabe zu
grunde, die vergleichsweise schlechte Targetaus
nutzung der planaren Sputterkathoden zu verbessern
und damit die Beschichtungskosten zu verringern
und die Anlagenstandzeit zu verlängern. Außerdem
soll eine Belegung der die Targets auf ihrer
Grundplatte haltenden Pratzleisten mit Schicht
werkstoff vermieden werden, um das arcing und die
Verunreinigung der Substrate durch abplatzendes
Schichtmaterial zu verhindern.
Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß dadurch gelöst,
daß die die Quellen der Magnetfelder bildenden
Körper gerade Prismen, vorzugsweise Quader sind,
deren Grundkanten parallel der Targetebene ausge
richtet sind, wobei die Feldlinien der Quelle je
weils in einem Winkel geneigt zu den Grundflächen
der Körper verlaufen.
Bei einer bevorzugten Ausführungsform ist jede
Quelle aus mindestens zwei Körpern zusammengefügt,
wobei die Orientierungen der Feldlinien unter
schiedlich geneigt verlaufen.
Die Erfindung läßt die verschiedensten Ausfüh
rungsformen zu; zwei davon sind in den anhängenden
Zeichnungen schematisch dargestellt. Fig. 1a zeigt
einen herkömmlichen Sputterkathodenaufbau im Quer
schnitt, bestehend aus dem Sputtertarget mit Rüc
kenplatte 3, den permanenten Magneten 2a und 2b
sowie einem Joch aus weichmagnetischem Material 1
für den magnetischen Rückschluß. Entsprechend dem
derzeitigen Stand der Technik verlaufen die Magne
tisierungsachsen der permanenten Magnete entgegen
gesetzt parallel in vertikaler Richtung, wie in
Fig. 1a durch Pfeile gekennzeichnet.
Eine verbesserte Ausnutzung des Targetmaterials
kann erreicht werden, wenn die Magnetisierungsach
sen der permanenten Magnete 2c und 2d um einen
Winkel α gegen die vertikale Achse gedreht werden,
wie in Fig. 1b gezeigt. Der jeweils optimale Dreh
winkel α hängt von der Beschaffenheit (z. B. Mate
rialstärke) des Sputtertargets 3 ab und hat eine
Drehrichtung relativ zur vertikalen Achse derart,
daß die Längen der magnetischen Kraftlinien im
bzw. über dem Sputtertarget vergrößert werden. Die
absoluten beträgt der Drehwinkel sind aus Symme
triegründen für beide Magnete der Sputterkathode
gleich (Spiegelsymmetrie zur Kathodenmittelachse).
Eine weitere Verbesserung der Ausnutzung des Tar
getmaterials kann erreicht werden, wenn die perma
nenten Magnete 2a, 2b oder 2c, 2d durch jeweils zwei
permanente Magnete halber Querschnittsfläche 2e
und 2f ersetzt werden, wie in Fig. 1c gezeigt. Im
Gegensatz zu der Vorrichtung gemäß Fig. 1b sind
zwei verschiedene Drehwinkel β und γ der Magneti
sierungsachsen vorgesehen, wobei die optimalen
Drehwinkel von der Beschaffenheit des Sputtertar
gets abhängen. Durch die Verdopplung der Anzahl
der Drehwinkel ergeben sich Vorteile bei der je
weiligen Anpassung des Magnetfelds auf das Sput
tertarget. Die Drehrichtung beider Drehwinkel re
lativ zur vertikalen Achse ist so zu wählen, daß
die Längen der magnetischen Kraftlinien im bzw.
über dem Sputtertarget vergrößert werden, ähnlich
wie die der Vorrichtung nach Fig. 1b. Die absolu
ten Beträge von zwei jeweils zur Mittelachse der
Sputterkathode spiegelsymmetrisch gegenüberliegen
den permanenten Magneten sind aus Symmetriegründen
gleich.
Claims (2)
1. Zerstäubungskathode nach dem Magnetron-
Prinzip mit einem aus mindestens einem Teil
bestehenden Target aus dem zu zerstäubenden
Material mit einem hinter dem Target angeord
neten Magnetsystem mit Quellen unterschiedli
cher Polung, durch die mindestens ein in sich
geschlossener Tunnel aus bogenförmig gekrümm
ten Feldlinien gebildet wird, wobei die dem
Target abgekehrten Pole der Quellen über ein
Magnetjoch aus weichmagnetischem Material
miteinander verbunden sind, dadurch gekenn
zeichnet, daß die die Quellen der Magnetfel
der bildenden Körper gerade Prismen, vorzugs
weise Quader sind, deren Grundkanten parallel
der Targetebene ausgerichtet sind, wobei die
Feldlinien der Quellen jeweils in einem Win
kel geneigt zu den Grundflächen der Körper
verlaufen.
2. Sputterkathode nach Anspruch 1, dadurch ge
kennzeichnet, daß jede Quelle aus mindestens
zwei Körpern zusammengefügt ist, wobei die
Orientierungen der Feldlinien unterschiedlich
geneigt verlaufen.
Priority Applications (8)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19819785A DE19819785A1 (de) | 1998-05-04 | 1998-05-04 | Zerstäubungskathode nach dem Magnetron-Prinzip |
ES99105636T ES2284223T3 (es) | 1998-05-04 | 1999-03-19 | Catodo de pulverizacion segun el principio magnetron. |
DE59914230T DE59914230D1 (de) | 1998-05-04 | 1999-03-19 | Zerstäubungskathode nach dem Magnetronprinzip |
EP99105636A EP0955666B1 (de) | 1998-05-04 | 1999-03-19 | Zerstäubungskathode nach dem Magnetronprinzip |
TW088105378A TW439088B (en) | 1998-05-04 | 1999-04-03 | Sputtering cathode according to the magnetron principle |
US09/301,459 US6077407A (en) | 1998-05-04 | 1999-04-29 | Sputtering cathode based on the magnetron principle |
JP11125080A JP2000001779A (ja) | 1998-05-04 | 1999-04-30 | マグネトロン原理によるスパッタリングカソ―ド |
KR1019990015825A KR100359901B1 (ko) | 1998-05-04 | 1999-05-03 | 마그네트론 원리에 근거한 스퍼터링 캐소드 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19819785A DE19819785A1 (de) | 1998-05-04 | 1998-05-04 | Zerstäubungskathode nach dem Magnetron-Prinzip |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE19819785A1 true DE19819785A1 (de) | 1999-11-11 |
Family
ID=7866581
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE19819785A Withdrawn DE19819785A1 (de) | 1998-05-04 | 1998-05-04 | Zerstäubungskathode nach dem Magnetron-Prinzip |
DE59914230T Expired - Lifetime DE59914230D1 (de) | 1998-05-04 | 1999-03-19 | Zerstäubungskathode nach dem Magnetronprinzip |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE59914230T Expired - Lifetime DE59914230D1 (de) | 1998-05-04 | 1999-03-19 | Zerstäubungskathode nach dem Magnetronprinzip |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6077407A (de) |
EP (1) | EP0955666B1 (de) |
JP (1) | JP2000001779A (de) |
KR (1) | KR100359901B1 (de) |
DE (2) | DE19819785A1 (de) |
ES (1) | ES2284223T3 (de) |
TW (1) | TW439088B (de) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0980090A2 (de) | 1998-08-10 | 2000-02-16 | Leybold Systems GmbH | Zerstäubungsvorrichtung mit einer Kathode mit Permanentmagnetanordnung |
DE10234858A1 (de) * | 2002-07-31 | 2004-02-12 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Einrichtung zur Erzeugung einer Magnetron-Entladung |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20020046945A1 (en) * | 1999-10-28 | 2002-04-25 | Applied Materials, Inc. | High performance magnetron for DC sputtering systems |
US6887356B2 (en) * | 2000-11-27 | 2005-05-03 | Cabot Corporation | Hollow cathode target and methods of making same |
KR20140102696A (ko) * | 2011-12-27 | 2014-08-22 | 코니카 미놀타 가부시키가이샤 | 연마재 분리 방법 및 재생 연마재 |
US10371244B2 (en) | 2015-04-09 | 2019-08-06 | United Technologies Corporation | Additive manufactured gear for a geared architecture gas turbine engine |
EP3091101B1 (de) | 2015-05-06 | 2018-10-17 | safematic GmbH | Beschichtungseinheit |
EP3091561B1 (de) | 2015-05-06 | 2019-09-04 | safematic GmbH | Sputtereinheit |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FR2434479A1 (fr) * | 1978-08-21 | 1980-03-21 | Vac Tec Syst | Dispositif pour pulverisation ou metallisation cathodique a effet magnetique ameliore |
FR2492163A1 (fr) * | 1980-10-14 | 1982-04-16 | Balzers Hochvakuum | Agencement de cathode pour pulveriser le materiau d'une cible dans une installation de pulverisation cathodique |
EP0316523A2 (de) * | 1987-11-16 | 1989-05-24 | Leybold Aktiengesellschaft | Zerstäubungskatode nach dem Magnetronprinzip |
US5162954A (en) * | 1990-07-31 | 1992-11-10 | Seagate Technology Inc. | Apparatus for generating an index pulse in a data storage system |
US5262030A (en) * | 1992-01-15 | 1993-11-16 | Alum Rock Technology | Magnetron sputtering cathode with electrically variable source size and location for coating multiple substrates |
US5399253A (en) * | 1992-12-23 | 1995-03-21 | Balzers Aktiengesellschaft | Plasma generating device |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4162954A (en) * | 1978-08-21 | 1979-07-31 | Vac-Tec Systems, Inc. | Planar magnetron sputtering device |
US4265729A (en) * | 1978-09-27 | 1981-05-05 | Vac-Tec Systems, Inc. | Magnetically enhanced sputtering device |
US4180450A (en) * | 1978-08-21 | 1979-12-25 | Vac-Tec Systems, Inc. | Planar magnetron sputtering device |
US4239611A (en) * | 1979-06-11 | 1980-12-16 | Vac-Tec Systems, Inc. | Magnetron sputtering devices |
US4461688A (en) * | 1980-06-23 | 1984-07-24 | Vac-Tec Systems, Inc. | Magnetically enhanced sputtering device having a plurality of magnetic field sources including improved plasma trapping device and method |
US4904362A (en) * | 1987-07-24 | 1990-02-27 | Miba Gleitlager Aktiengesellschaft | Bar-shaped magnetron or sputter cathode arrangement |
US4865708A (en) * | 1988-11-14 | 1989-09-12 | Vac-Tec Systems, Inc. | Magnetron sputtering cathode |
DE4025077A1 (de) * | 1990-08-08 | 1992-02-20 | Leybold Ag | Magnetronkathode |
-
1998
- 1998-05-04 DE DE19819785A patent/DE19819785A1/de not_active Withdrawn
-
1999
- 1999-03-19 ES ES99105636T patent/ES2284223T3/es not_active Expired - Lifetime
- 1999-03-19 DE DE59914230T patent/DE59914230D1/de not_active Expired - Lifetime
- 1999-03-19 EP EP99105636A patent/EP0955666B1/de not_active Expired - Lifetime
- 1999-04-03 TW TW088105378A patent/TW439088B/zh not_active IP Right Cessation
- 1999-04-29 US US09/301,459 patent/US6077407A/en not_active Expired - Lifetime
- 1999-04-30 JP JP11125080A patent/JP2000001779A/ja active Pending
- 1999-05-03 KR KR1019990015825A patent/KR100359901B1/ko not_active IP Right Cessation
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FR2434479A1 (fr) * | 1978-08-21 | 1980-03-21 | Vac Tec Syst | Dispositif pour pulverisation ou metallisation cathodique a effet magnetique ameliore |
FR2492163A1 (fr) * | 1980-10-14 | 1982-04-16 | Balzers Hochvakuum | Agencement de cathode pour pulveriser le materiau d'une cible dans une installation de pulverisation cathodique |
EP0316523A2 (de) * | 1987-11-16 | 1989-05-24 | Leybold Aktiengesellschaft | Zerstäubungskatode nach dem Magnetronprinzip |
US5162954A (en) * | 1990-07-31 | 1992-11-10 | Seagate Technology Inc. | Apparatus for generating an index pulse in a data storage system |
US5262030A (en) * | 1992-01-15 | 1993-11-16 | Alum Rock Technology | Magnetron sputtering cathode with electrically variable source size and location for coating multiple substrates |
US5399253A (en) * | 1992-12-23 | 1995-03-21 | Balzers Aktiengesellschaft | Plasma generating device |
Non-Patent Citations (3)
Title |
---|
08232063 A * |
08333680 A * |
JP Patents Abstracts of Japan: 61-246365 A.,C-412,March 26,1987,Vol.11,No. 96 * |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0980090A2 (de) | 1998-08-10 | 2000-02-16 | Leybold Systems GmbH | Zerstäubungsvorrichtung mit einer Kathode mit Permanentmagnetanordnung |
DE19836125A1 (de) * | 1998-08-10 | 2000-02-24 | Leybold Systems Gmbh | Zerstäubungsvorrichtung mit einer Kathode mit Permanentmagnetanordnung |
DE19836125C2 (de) * | 1998-08-10 | 2001-12-06 | Leybold Systems Gmbh | Zerstäubungsvorrichtung mit einer Kathode mit Permanentmagnetanordnung |
DE10234858A1 (de) * | 2002-07-31 | 2004-02-12 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Einrichtung zur Erzeugung einer Magnetron-Entladung |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP0955666A1 (de) | 1999-11-10 |
EP0955666B1 (de) | 2007-03-07 |
ES2284223T3 (es) | 2007-11-01 |
TW439088B (en) | 2001-06-07 |
KR100359901B1 (ko) | 2002-11-04 |
DE59914230D1 (de) | 2007-04-19 |
KR19990088019A (ko) | 1999-12-27 |
US6077407A (en) | 2000-06-20 |
JP2000001779A (ja) | 2000-01-07 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE4000666C2 (de) | Elektromagnetanordnung für einen Teilchenbeschleuniger | |
EP2463401B1 (de) | Vorrichtung zur Herstellung einer gerichteten Schicht mittels Kathodenzerstäubung und Verwendung derselben | |
DE69816391T2 (de) | Elektromotor des Typs mit Dauermagnetläufer | |
DE3135208A1 (de) | Kathodenanordnung zur abstaeubung von material von einem target in einer kathodenzerstaeubungsanlage | |
EP0493647B1 (de) | Zerstäubungskathode für die Beschichtung von Substraten in Katodenzerstäubungsanlagen | |
DE19507304B4 (de) | Magnetfelddetektor | |
CH683777A5 (de) | Ortsfeste Magnetron-Zerstäubungskathode für Vakuumbeschichtungsanlagen. | |
DE19819785A1 (de) | Zerstäubungskathode nach dem Magnetron-Prinzip | |
DE19939040A1 (de) | Magnetronsputtergerät | |
EP1566827A1 (de) | Sputtervorrichtung mit einem Magnetron | |
DE2204100A1 (de) | Strahlkonvergenzgerät für Farbbildröhren | |
EP0980090B1 (de) | Zerstäubungsvorrichtung mit einer Kathode mit Permanentmagnetanordnung | |
DE19614598A1 (de) | Vorrichtung zur Kathodenzerstäubung | |
DE2607197B2 (de) | Unabgeschirmtes dauermagnetisches Doppeljochsystem | |
DE19622606C2 (de) | Sputterkathode | |
DE2617939C2 (de) | Magnetischer Rollgang | |
DE2826858A1 (de) | Farbbildroehre mit magnetischem fokussiersystem | |
DE1179653B (de) | Dauermagnetisch erregte, schaltbare Hafteinrichtung | |
DE154869C (de) | ||
DE3231735C2 (de) | Verfahren zum Haltern und Metallisieren eines Substrats und ihre Verwendung | |
EP1726083A1 (de) | Lineare antriebseinrichtung mit magnetjochkörper und permanentmagnetischem ankerkörper | |
DE2947670A1 (de) | Elektromotor | |
EP2823693A1 (de) | Ablenkplatte und ablenkvorrichtung zum ablenken geladener teilchen | |
DE102022124674A1 (de) | Quantencomputeranordnung und Quantencomputer | |
DE102014000472A1 (de) | Bauklotzsystem |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
OM8 | Search report available as to paragraph 43 lit. 1 sentence 1 patent law | ||
8127 | New person/name/address of the applicant |
Owner name: APPLIED FILMS GMBH & CO. KG, 63755 ALZENAU, DE |
|
8141 | Disposal/no request for examination |