DE19855924B4 - Manufacturing process for a compound - Google Patents

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Abstract

Verfahren zum Herstellen von Verbindungen, die für eine dielektrische Schicht (202) mit einem darin angeordneten Metallkontakt (206) verwendet werden, mit folgenden Schritten:
Ausbilden einer Metallschicht (212) auf der dielektrischen Schicht (202);
Aufbringen einer Fotolackschicht (218) auf die Metallschicht (212) und Ätzen der Metallschicht (212), derart, dass eine den Metallkontakt teilweise überdeckende Metallleitung (210) ausgebildet wird, und
Entfernen der Fatolackschicht (218) mithilfe eines Sauerstoffplasmas,
Bereitstellen eines reinen Wasserdampfplasmas, wobei der Fluss des reinen Wasserdampfplasmas 300 bis 500 sccm beträgt, und
Behandeln des freiliegenden Metallkontakts mit dem reinen Wasserdampfplasma für 20 bis 30 Sekunden,
wobei eine Barrierenschicht (208) zwischen der dielektrischen Schicht (202) und dem Metallkontakt (206) gebildet wird;
eine Barrierenschicht (214) zwischen der dielektrischen Schicht (202) und der Metallschicht (212) gebildet wird; und
eine Antireflexschicht (216) zwischen der Metallschicht (212) und der Fotolackschicht (218) gebildet wird.A method of making connections used for a dielectric layer (202) having a metal contact (206) disposed therein, comprising the steps of:
Forming a metal layer (212) on the dielectric layer (202);
Applying a photoresist layer (218) to the metal layer (212) and etching the metal layer (212) such that a metal line (210) partially covering the metal contact is formed, and
Removing the fat paint layer (218) using an oxygen plasma,
Providing a pure water vapor plasma, wherein the flow of pure water vapor plasma is 300 to 500 sccm, and
Treating the exposed metal contact with the pure water vapor plasma for 20 to 30 seconds,
wherein a barrier layer (208) is formed between the dielectric layer (202) and the metal contact (206);
forming a barrier layer (214) between the dielectric layer (202) and the metal layer (212); and
an antireflection layer (216) is formed between the metal layer (212) and the photoresist layer (218).

Figure 00000001
Figure 00000001

Description

Herstellungsverfahren für eine Verbindungproduction method for one connection

Die Erfindung betrifft die Herstellung von Metallverbindungen und insbesondere ein Herstellungsverfahren für Metallverbindungen, mit denen die Korrosion von Metallkontakten verhindert wird.The The invention relates to the production of metal compounds and more particularly a manufacturing process for Metal compounds with which the corrosion of metal contacts is prevented.

Mit dem Voranschreiten der Halbleitertechnik werden die kritischen Abmessungen entsprechender Vorrichtungen immer kleiner. Der Bereich eines Metallkontakts innerhalb einer dielektrischen Schicht muß bei der Bildung einer Metallverbindung freiligen, um dem Schaltkreis-Layout zu genügen, wie aus 1A ersichtlich. Aus 1A ist schematisch ein Schnitt einer herkömmlichen Verbindungsstruktur ersichtlich. In einer dielektrischen Schicht 102 ist ein Übergang 100 ausgebildet. Der Übergang 100 ist mit Wolfram gefüllt, so daß ein Wolframkontakt 108 ausgebildet ist, der ein Substrat (oder eine Metallverdrahtung) 104 mit einer Metalleitung 106 elektrisch leitend verbindet.As semiconductor technology progresses, the critical dimensions of corresponding devices become smaller and smaller. The area of a metal contact within a dielectric layer must be free in the formation of a metal compound to satisfy the circuit layout, as is 1A seen. Out 1A schematically a section of a conventional connection structure can be seen. In a dielectric layer 102 is a transition 100 educated. The transition 100 is filled with tungsten, so that a tungsten contact 108 is formed, which is a substrate (or a metal wiring) 104 with a metal lead 106 electrically conductive connects.

Aufgrund sinkender Konstruktionsanforderungen oder aufgrund einer Falschausrichtung während der Herstellung der Metalleitung 106 ist diese auf der dielektrischen Schicht 102 ausgebildet und läßt einen Bereich des Wolframkontakts 108 in dem Übergang 100 freiligen. Eine Fotolackschicht 110 wird bereitgestellt, um die Metalleitung 106 aus einer Metallschicht auf der dielektrischen Schicht 102 auszubilden. Nach der Herstellung der Metalleitung 106 und dem Freilegen eines Teils des Wolframkontakts 108, wird die Fotolackschicht 110 entfernt. Der Schritt des Entfernens der Fotolackschicht 110 wird als "Veraschen" bezeichnet und in Gegenwart eines Plasmas durchgeführt, das reinen Sauerstoff oder wenigstens ausreichend Sauerstoff aufweist. Der freiligende Wolframkontakt 108 nimmt leicht Ionen aus dem Sauerstoffplasma auf, so daß sich nahe der Oberfläche des freiliegenden Wolframkontakts 108 Ladungen sammeln.Due to decreasing design requirements or due to misalignment during manufacture of the metal line 106 this is on the dielectric layer 102 formed and leaves a portion of the tungsten contact 108 in the transition 100 free time. A photoresist layer 110 is provided to the metal line 106 from a metal layer on the dielectric layer 102 train. After the production of the metal pipe 106 and exposing a portion of the tungsten contact 108 , the photoresist layer becomes 110 away. The step of removing the photoresist layer 110 is referred to as "ashing" and is carried out in the presence of a plasma which contains pure oxygen or at least sufficient oxygen. The releasing tungsten contact 108 It readily picks up ions from the oxygen plasma so that it is near the surface of the exposed tungsten contact 108 Collect cargoes.

Ein Bereich der Metallschicht wird selektiv abgeätzt, um die Metalleitung 106 auszubilden. Auf der aus 1A ersichtlichen Struktur wird ein Polymer ausgebildet, während der Abätzschritt durchgeführt wird, so daß das Polymer entfernt werden muß, nachdem die Fotolackschicht mithilfe eines Naßreinigungsverfahrens entfernt wurde. Das Naßreinigungsverfahren wird unter Verwendung einer Lauge mit einem pH-Wert von etwa 10–12 durchgeführt. Die Lauge führt dazu, daß ein Teil des Wolframkontakts 108, der Ladungen 112 aufweist, zu einer Elektrolyse führt, so daß das Wolfram des Wolframkontakts 108 verloren geht.A portion of the metal layer is selectively etched away to the metal line 106 train. On the off 1A As shown, a polymer is formed while the etching step is performed so that the polymer must be removed after the photoresist layer has been removed by a wet cleaning process. The wet cleaning process is carried out using a caustic having a pH of about 10-12. The liquor causes a portion of the tungsten contact 108 , the charges 112 leads to electrolysis, so that the tungsten of the tungsten contact 108 get lost.

Wie aus 1B ersichtlich, wird der Wolframkontakt 100a aufgrund eines isotropen Abätzens während des Naßreinigungsverfahrens angefressen. Wenigstens ein Teil des wolframkontakts 100a unter der Metalleitung 106 wird entfernt, so daß der Kontaktbereich zwischen dem Wolframkontakt 100a und der Metalleitung 106 verkleinert wird. Der verkleinerte Kontaktbereich führt zu einem erhöhten Kontaktwiderstand und verschlechtert die Effizienz der entsprechenden Vorrichtungen. Falls der Kontakt sehr stark angefressen ist, kann es sein, daß die Metalleitung 106 den Wolframkontakt 100a nicht einmal berührt.How out 1B As can be seen, the tungsten contact 100a due to isotropic etching during the wet cleaning process. At least part of the tungsten contact 100a under the metal line 106 is removed so that the contact area between the tungsten contact 100a and the metal line 106 is reduced. The reduced contact area leads to increased contact resistance and degrades the efficiency of the corresponding devices. If the contact is very badly eaten, it may be that the metal line 106 the tungsten contact 100a not even touched.

Weiter offenbart die US 5 792 672 ein Verfahren zum Entfernen einer Fotolackmaske von einer Aluminiumprobe, nachdem die Probe in einem Plasma, welches Chlor enthält, geätzt worden ist. Die US 5 397 432 offenbart ein Verfahren zum Herstellen halbleiter-integrierter Schaltkreise und eine bei dem Verfahren verwendete Vorrichtung. Die US 5 545 289 offenbart ein Verfahren zum Passivieren und wahlweisen Ablösen und Korrosionsschutz eines geätzten Substrates. Darüber hinaus offenbart die JP 9-275 136 A ein Verfahren zum Herstellen einer Mehrschicht-Zwischenverbindung einer Halbleitervorrichtung, die einen Stöpsel verwendet.Next discloses the US 5,792,672 a method of removing a photoresist mask from an aluminum sample after the sample has been etched in a plasma containing chlorine. The US 5,397,432 discloses a method for fabricating semiconductor integrated circuits and a device used in the method. The US 5,545,289 discloses a method for passivating and optional peeling and corrosion protection of an etched substrate. Moreover, JP 9-275136A discloses a method of manufacturing a multilayer interconnection of a semiconductor device using a plug.

Es ist die Aufgabe der Erfindung, ein Verfahren zum Herstellen von Verbindungen bereitzustellen, mit dem ein Anfressen des freiliegenden Metallkontakts verhindert wird, sodass ein Ausfall der entsprechenden Vorrichtungen vermieden wird. Diese Aufgabe wird gemäß Anspruch 1 gelöst.It The object of the invention is a method for the production of Provide compounds, with a seizure of the exposed Metal contact is prevented, causing a failure of the corresponding Devices is avoided. This object is according to claim 1 solved.

Dabei wird ein Verfahren zum Herstellen von Verbindungen bereitgestellt, die für eine dielektrische Schicht mit einem darin angeordneten Metallkontakt verwendet werden, wobei das Verfahren die folgenden Schritte aufweist:
Ausbilden einer Metallschicht auf der dielektrischen Schicht;
Aufbringen einer Fotolackschicht auf die Metallschicht und Ätzen der Metallschicht, derart, dass eine den Metallkontakt teilweise überdeckende Metallleitung ausgebildet wird, und Entfernen der Fotolackschicht mithilfe eines Sauerstoffplasmas,
Bereitstellen eines reinen Wasserdampfplasmas, wobei der Fluss des reinen Wasserdampfplasmas 300 bis 500 sccm beträgt, und
Behandeln des freiliegenden Metallkontakts mit dem reinen Wasserdampfplasma für 20 bis 30 Sekunden,
wobei eine Barrierenschicht zwischen der dielektrischen Schicht und dem Metallkontakt gebildet wird;
eine Barrierenschicht zwischen der dielektrischen Schicht und der Metallschicht gebildet wird; und
eine Antireflexschicht zwischen der Metallschicht und der Fotolackschicht gebildet wird.There is provided a method of making connections used for a dielectric layer having a metal contact disposed therein, the method comprising the steps of:
Forming a metal layer on the dielectric layer;
Applying a photoresist layer to the metal layer and etching the metal layer such that a metal line partially covering the metal contact is formed, and removing the photoresist layer using an oxygen plasma,
Providing a pure water vapor plasma, wherein the flow of pure water vapor plasma is 300 to 500 sccm, and
Treating the exposed metal contact with the pure water vapor plasma for 20 to 30 seconds,
wherein a barrier layer is formed between the dielectric layer and the metal contact;
forming a barrier layer between the dielectric layer and the metal layer; and
an antireflection layer is formed between the metal layer and the photoresist layer.

Die Erfindung erreicht die oben genannte Aufgabe auch dadurch, dass die Korrosion eines Metallkontaktes vermieden wird.The The invention also achieves the above-mentioned object in that the corrosion of a metal contact is avoided.

Sauerstoff aufweisendes Plasma wird verwendet, um eine auf dem freiliegenden Metallkontakt aufgebrachte Fotolackschicht zu entfernen. Reines Wasserdampfplasma wird verwendet, um Ladungsansammlungen in dem freiliegenden Metallkontakt zu verringern. Nach Entfernen der Fotolackschicht unter Verwendung des Plasmas wird ein Naßreinigungsverfahren unter Verwendung einer Lauge durchgeführt. Da die Ladungsansammlung in dem freiliegenden Metallkontakt somit abnimmt, wird dieser während des Naßreinigungsverfahrens nicht leicht entfernt. Somit kommt es auch zu keinem Anstieg des Kontaktwiderstandes zwischen dem Metallkontakt und der Metalleitung aufgrund von Korrosionseffekten.oxygen exhibiting plasma is used to reveal one on the exposed one Remove metal contact applied photoresist layer. Pure steam plasma is used to charge accumulations in the exposed metal contact reduce. After removing the photoresist layer using the plasma becomes a wet cleaning process performed using a caustic solution. Because the charge accumulation in the exposed metal contact thus decreases, this is during the Naßreinigungsverfahrens not easily removed. Thus, there is also no increase in Contact resistance between the metal contact and the metal line due to corrosion effects.

Im folgenden wird die Erfindung unter Bezugnahme auf die Zeichnung detailliert beschrieben. In der Zeichnung zeigen:in the The following is the invention with reference to the drawing described in detail. In the drawing show:

1A und 1B schematische Schnitte, aus denen ersichtlich ist, wie ein Wolframkontakt angefressen wird, wenn ein herkömmliches Verfahren zum Herstellen einer Verbindung verwendet wird; und 1A and 1B schematic sections showing how a tungsten contact is seized when a conventional method of making a connection is used; and

2A bis 2C schematische Schnitte, aus denen das Verfahren zum Herstellen von Verbindungen ohne Anfressen des Wolframkontaktes gemäß einer bevorzugten Ausführungsform der Erfindung ersichtlich ist. 2A to 2C schematic sections showing the method of making connections without seizing the tungsten contact according to a preferred embodiment of the invention.

Ein Fotolitographieverfahren und ein Ätzverfahren werden durchgeführt, um unter Verwendung einer Fotolackschicht eine Metalleitung auszubilden. Nach dem Ausbilden der Metalleitung wird die Fotolackschicht entfernt. Sauerstoffplasma wird verwendet, um die Fotolackschicht zu entfernen. Das Sauerstoffplasma führt dazu, daß sich in dem freiliegenden Metallkontakt unter der Metalleitung Ladungen ansammeln, so daß sich der Kontaktwiderstand zwischen dem Metallkontakt und der Metalleitung erhöht. Mit dem erfindungsgemäßen Verfahren wird dieses Problem vermieden.One Photolithography and an etching process are performed to Form a metal line using a photoresist layer. To the formation of the metal line, the photoresist layer is removed. Oxygen plasma is used to remove the photoresist layer. The oxygen plasma leads to that in the exposed metal contact under the metal line charges accumulate, so that the contact resistance between the metal contact and the metal line elevated. With the method according to the invention this problem is avoided.

Wie aus 2A ersichtlich, wird eine dielektrische Schicht 202, wie eine Siliziumoxidschicht, auf einem Substrat 200 unter Verwendung z.B. eines CVD-Verfahrens (CVD: Chemical Vapor Deposition; Chemische Abscheidung aus der Gasphase) ausgebildet. In der dielektrischen Schicht 202 wird ein Übergang 204 ausgebildet, um einen Teil des Substrats 200 freiliegen zu lassen. Ein Metallkontakt 206 füllt den Übergang 204 aus. Der Schritt des Ausbildens des Metallkontaktes 206 weist ferner folgende Schritte auf: Ausbilden einer Metallschicht in dem Übergang 204 und teilweise auf der dielektrischen Schicht 202 unter Verwendung z.B. eines CVD-Verfahrens und Entfernen der Metallschicht auf dem Übergang 204, um unter Verwendung z.B. eines chemisch-mechanischen Polierverfahrens oder durch Zurückätzen den Metallkontakt 206 zu bilden. Das bevorzugte Material für den Metallkontakt ist Wolfram. Zwischen dem Metallkontakt 206 und der dielektrischen Schicht 202 wird eine Barrierenschicht 208 ausgebildet. Die Barrierenschicht, die eine Titan/Titannitrid-Schicht aufweist, wird z.B. unter Verwendung eines Sputter-Verfahrens (Kathodenzerstäubungsverfahren) ausgebildet. Die Barrierenschicht 208 wird verwendet, um einen Elektronenaustausch (Stromfluß) zu verhindern, und die Haftung zwischen dem Metallkontakt 206 und der dielektrischen Schicht 202 oder zwischen dem Metallkontakt 206 und dem Substrat 200 zu verbessern.How out 2A can be seen, a dielectric layer 202 as a silicon oxide layer, on a substrate 200 formed using, for example, a CVD (Chemical Vapor Deposition) method. In the dielectric layer 202 becomes a transition 204 designed to be part of the substrate 200 to be left open. A metal contact 206 fills the transition 204 out. The step of forming the metal contact 206 further comprises the steps of forming a metal layer in the junction 204 and partially on the dielectric layer 202 using eg a CVD method and removing the metal layer on the junction 204 to metal contact using, for example, a chemical mechanical polishing process or by etching back etching 206 to build. The preferred material for metal contact is tungsten. Between the metal contact 206 and the dielectric layer 202 becomes a barrier layer 208 educated. The barrier layer comprising a titanium / titanium nitride layer is formed using, for example, a sputtering method (sputtering method). The barrier layer 208 is used to prevent electron exchange (current flow) and the adhesion between the metal contact 206 and the dielectric layer 202 or between the metal contact 206 and the substrate 200 to improve.

Wie aus 2B ersichtlich, werden ein Fotolitographieverfahren und ein Ätzverfahren durchgeführt, um eine Metalleitung 210 auszubilden. Eine Metallschicht 212, wie eine Aluminiumschicht, wird auf der Barrierenschicht 214 ausgebildet. Die Metallschicht 212 bildet die Hauptstruktur der Metalleitung 210. Aluminium weist einen geringen Widerstand und eine gute Haftung auf Siliziumoxid auf, so daß Aluminium für die Metalleitung 210 verwendet wird. Aluminium führt jedoch zu Unebenheiten (Spikes) in dem Substrat, so daß eine Barrierenschicht 214, wie eine Titan/Titannitridschicht, auf der dielektrischen Schicht 204 und auf dem freiliegenden Substrat 200 ausgebildet wird, um diesen Effekt zu verhindern. Nach dem Ausbilden der Metallschicht 212 wird eine Antireflexschicht 216, wie eine Titan/Titannitrid-Schicht, auf der Metallschicht 212 ausgebildet, um Lichtreflektionen von der Metallschicht 212 her zu verhindern. Eine Fotolackschicht 218 wird aufgebracht, um die Metalleitung 210 zu bilden. Die Metalleitung 210 wird selektiv mithilfe reaktiven Ionenätzens herausgeätzt, um die aus 2B ersichtliche Struktur zu bilden.How out 2 B As can be seen, a photolithography process and an etching process are performed to form a metal line 210 train. A metal layer 212 , like an aluminum layer, gets on the barrier layer 214 educated. The metal layer 212 forms the main structure of the metal line 210 , Aluminum has a low resistance and good adhesion to silicon oxide, so that aluminum for the metal line 210 is used. Aluminum, however, leads to bumps (spikes) in the substrate, leaving a barrier layer 214 , such as a titanium / titanium nitride layer, on the dielectric layer 204 and on the exposed substrate 200 is formed to prevent this effect. After forming the metal layer 212 becomes an antireflection layer 216 , such as a titanium / titanium nitride layer, on the metal layer 212 designed to reflect light from the metal layer 212 to prevent her. A photoresist layer 218 is applied to the metal line 210 to build. The metal line 210 is selectively etched out using reactive ion etching to remove the 2 B to form an apparent structure.

Wie aus 2C ersichtlich, wird die Fotolackschicht 218 mithilfe des Plasmas entfernt. Ein herkömmliches Plasma 220, das verwendet wird, um die Fotolackschicht 218 zu entfernen, verwendet Sauerstoff als Quelle. Sauerstoff wird mithilfe einer Radiofrequenz angeregt, um das Plasma 220 zu bilden, das O+, O2 +, O2 –, O2 und/oder O aufweist. Da das Material der Fotolackschicht 218 eine Art Kohlenwasserstoff ist, reagiert die Fotolackschicht 218 derart, daß diese gasförmiges Kohlenmonoxid, Kohlendioxid und Wasser (Wasserstoffdioxid) bildet. Ladungen aus dem Plasma, die eine hohe Energie aufweisen, dringen leicht in den freiliegenden Metallkontakt 206 ein und sammeln sich an der Oberfläche des Metallkontaktes 206 an. Die angesammelten Ladungen führen dazu, daß der Metallkontakt 206 im Vergleich mit dem Substrat 200 ein anderes Potential aufweisen. Diese Potential erhöht die Ätzrate des Metallkontaktes 206, während das Naßreinigungsverfahren durchgeführt wird, so daß der Widerstand zwischen dem Metallkontakt 206 und der Metallleitung 210 sinkt. Verfahren, die verwendet werden, um die Ätzrate des Metallkontaktes 206 zu verringern, umfassen ein Verhindern, daß sich Ladungen an dem Metallkontakt 208 anlagern, ein Entladen vor dem Durchführen des Naßreinigungsverfahrens, ein Verwenden einer neuen Lösung zum Durchführen des Naßreinigungsverfahrens usw. Das erfindungsgemäße Verfahren verwendet ein Sauerstoffplasma.How out 2C can be seen, the photoresist layer 218 removed with the help of the plasma. A conventional plasma 220 which is used to the photoresist layer 218 to remove, uses oxygen as a source. Oxygen is stimulated by a radio frequency to the plasma 220 having O + , O 2 + , O 2 - , O 2 and / or O. Because the material of the photoresist layer 218 is a kind of hydrocarbon, the photoresist layer reacts 218 such that it forms gaseous carbon monoxide, carbon dioxide and water (hydrogen dioxide). Charges from the plasma, which have a high energy, easily penetrate into the exposed metal contact 206 and collect on the surface of the metal contact 206 at. The accumulated charges cause the metal contact 206 in comparison with the substrate 200 have a different potential. This potential increases the etching rate of the metal contact 206 while the wet cleaning process is performed so that the resistance between the metal contact 206 and the metal line 210 sinks. Processes used to control the etch rate of metal contact 206 include preventing charges from contacting the metal 208 annealing, discharging before performing the wet cleaning process, using a new solution to carry out the wet cleaning process, etc. The process of the present invention uses an oxygen plasma.

Der freiliegende Metallkontakt 206 wird mit reinem Wasserdampfplasma während einer Zeitdauer von etwa 20–30 Sekunden behandelt, um die Ansammlung von Ladungen in dem Metallkontakt 206 zu verringern und um eine Korrosion des Metallkontaktes während des Naßreinigungsverfahrens zu verhindern. Die Geschwindigkeit des reinen Wasserdampfplasmas beträgt etwa 300–500 sccm.The exposed metal contact 206 is treated with pure water vapor plasma for a period of about 20-30 seconds to prevent the accumulation of charges in the metal contact 206 to reduce and prevent corrosion of the metal contact during the wet cleaning process. The speed of the pure water vapor plasma is about 300-500 sccm.

Nach Entfernen der Fotolackschicht 218 unter Verwendung des Plasmas 220, wird das Naßreinigungsverfahren unter Verwendung einer Lauge, wie EKC 265 oder ACT 935 durchgeführt, um das Polymer zu entfernen, daß sich auf der Oberfläche des Substrats 200 während des Ätzens der Metalleitung 210 gebildet hat. Somit wird ein Übergang hergestellt, ohne daß sich in dem freiliegenden Metallkontakt zu viele Ladungen angesammelt haben.After removal of the photoresist layer 218 using the plasma 220 , the wet cleaning process is carried out using a caustic such as EKC 265 or ACT 935 performed to remove the polymer that is on the surface of the substrate 200 during the etching of the metal line 210 has formed. Thus, a transition is made without accumulating too many charges in the exposed metal contact.

Es ist ein Merkmal der Erfindung, daß das Plasmabehandlungsverfahren gegenüber dem Stand der Technik verändert ist, um die Ansammlung von Ladungen in der Oberfläche des freiliegenden Metallkontakts zu verringern. Der freiliegende Metallkontakt wird während des Naßreinigungsverfahrens nicht korrigiert, so daß der Widerstand verringert werden kann, um die Effizienz der entsprechenden Vorrichtungen zu verbessern.It is a feature of the invention that the plasma treatment process across from changed in the prior art is to increase the accumulation of charges in the surface of the to reduce exposed metal contact. The exposed metal contact is during of the wet cleaning process not corrected so that the Resistance can be reduced to the efficiency of the corresponding Improve devices.

Claims (1)

Verfahren zum Herstellen von Verbindungen, die für eine dielektrische Schicht (202) mit einem darin angeordneten Metallkontakt (206) verwendet werden, mit folgenden Schritten: Ausbilden einer Metallschicht (212) auf der dielektrischen Schicht (202); Aufbringen einer Fotolackschicht (218) auf die Metallschicht (212) und Ätzen der Metallschicht (212), derart, dass eine den Metallkontakt teilweise überdeckende Metallleitung (210) ausgebildet wird, und Entfernen der Fatolackschicht (218) mithilfe eines Sauerstoffplasmas, Bereitstellen eines reinen Wasserdampfplasmas, wobei der Fluss des reinen Wasserdampfplasmas 300 bis 500 sccm beträgt, und Behandeln des freiliegenden Metallkontakts mit dem reinen Wasserdampfplasma für 20 bis 30 Sekunden, wobei eine Barrierenschicht (208) zwischen der dielektrischen Schicht (202) und dem Metallkontakt (206) gebildet wird; eine Barrierenschicht (214) zwischen der dielektrischen Schicht (202) und der Metallschicht (212) gebildet wird; und eine Antireflexschicht (216) zwischen der Metallschicht (212) und der Fotolackschicht (218) gebildet wird.Process for producing compounds suitable for a dielectric layer ( 202 ) with a metal contact ( 206 ), comprising the following steps: forming a metal layer ( 212 ) on the dielectric layer ( 202 ); Applying a photoresist layer ( 218 ) on the metal layer ( 212 ) and etching the metal layer ( 212 ), such that a metal line partially covering the metal contact ( 210 ) is formed, and removing the Fatolackschicht ( 218 using an oxygen plasma, providing a pure water vapor plasma, wherein the flow of pure water vapor plasma is 300 to 500 sccm, and treating the exposed metal contact with the pure water vapor plasma for 20 to 30 seconds using a barrier layer ( 208 ) between the dielectric layer ( 202 ) and the metal contact ( 206 ) is formed; a barrier layer ( 214 ) between the dielectric layer ( 202 ) and the metal layer ( 212 ) is formed; and an antireflective layer ( 216 ) between the metal layer ( 212 ) and the photoresist layer ( 218 ) is formed.
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