DE19930197B4 - Flüssigkristallanzeige und Verfahren zu deren Herstellung - Google Patents
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Abstract
Verfahren
zum Herstellen einer Flüssigkristallanzeige,
mit den Schritten:
Ausbilden einer Mehrzahl von Leitungen (113, 123) mit einem am Ende jeder dieser Leitungen (113, 123) angeordneten Pad (115, 125), auf einem Substrat (101);
Ausbilden einer Isolierschicht auf den Leitungen (113, 123) und den Pads (115, 125);
Freilegen der Pads (115, 125) und bestimmter Substratabschnitte zwischen den Pads (115, 125);
dadurch gekennzeichnet, dass das Verfahren ferner die Schritte aufweist:
Ausbilden eines Pad-Anschlusses (157, 167) auf jedem Pad (115, 125);
Verwenden einer Anschlusseinrichtung mit einer Mehrzahl von in einer Isolierschicht angeordneten Leiterpads, so dass diese den Pads (115, 125) zugeordnet sind; Verbinden der Leiterpads mit den Pad-Anschlüssen (157, 167); und
Anbringen eines bestimmten Abschnitts der Isolierschicht der Anschlusseinrichtung an dem jeweils durch Öffnungen (193) zwischen den Pads (115, 125) hindurch freiliegenden Substrat (101).
Ausbilden einer Mehrzahl von Leitungen (113, 123) mit einem am Ende jeder dieser Leitungen (113, 123) angeordneten Pad (115, 125), auf einem Substrat (101);
Ausbilden einer Isolierschicht auf den Leitungen (113, 123) und den Pads (115, 125);
Freilegen der Pads (115, 125) und bestimmter Substratabschnitte zwischen den Pads (115, 125);
dadurch gekennzeichnet, dass das Verfahren ferner die Schritte aufweist:
Ausbilden eines Pad-Anschlusses (157, 167) auf jedem Pad (115, 125);
Verwenden einer Anschlusseinrichtung mit einer Mehrzahl von in einer Isolierschicht angeordneten Leiterpads, so dass diese den Pads (115, 125) zugeordnet sind; Verbinden der Leiterpads mit den Pad-Anschlüssen (157, 167); und
Anbringen eines bestimmten Abschnitts der Isolierschicht der Anschlusseinrichtung an dem jeweils durch Öffnungen (193) zwischen den Pads (115, 125) hindurch freiliegenden Substrat (101).
Description
- Die Erfindung betrifft eine Flüssigkristallanzeige sowie ein Verfahren zu deren Herstellung. Insbesondere betrifft die Erfindung ein Verfahren zur Herstellung einer Flüssigkristallanzeige, wobei sich eine gute Haftung zwischen dem Pad-Anschluß, über den elektrische Signale zu einer äußeren Vorrichtung übertragen werden, und dem Anschluß der äußeren Vorrichtung erzielen läßt, sowie den Aufbau einer mit einem solchen Pad-Anschluß versehenen Flüssigkristallanzeige.
- Die Kathodenstrahlröhre (CRT = "Cathode Ray Tube") wird als gängigstes Anzeige-Element zunehmend durch dünne, flache Anzeige-Vorrichtungen ersetzt, die sich aufgrund ihrer im Vergleich zur CRT geringeren Dicke und ihres geringeren Gewichts überall einsetzen lassen. Die Forschungen auf diesem Gebiet konzentrieren sich gegenwärtig besonders auf die Entwicklung von LCD's, weil diese eine hohe Auflösung und geringe Ansprechzeit ermöglichen, so daß sie sich zum Anzeigen bewegter Bilder verwenden lassen. Darüber hinaus läßt sich ein aktives Paneel mit einem aktiven Schaltelement wie einem Dünnschichttransistor bzw. TFT besser in einer LCD verwenden.
- Die Arbeitsweise einer Flüssigkristallanzeige-Vorrichtung basiert auf der Polarisation und optischen Anisotropie des Flüssigkristalls. Aufgrund der Anisotropie des Flüssigkristalls läßt sich mit diesem Licht übertragen und absorbieren, indem die Ausrichtung der stabförmigen Flüssigkristall-Moleküle durch ein Polarisierungsverfahren gesteuert wird. Dieses Prinzip wird bei der Flüssigkristall-Anzeigenvorrichtung angewandt. Aktivmatrix-LCD's bzw. AMLCD's, bei denen die TFT's zu einer Matrix angeordnet und Bildpunkt- bzw. Pixelelektroden an die TFT's angeschlossen sind, liefern eine hohe Bildqualität und sind mittlerweile weit verbreitet.
- Bezugnehmend auf
1 und2 , in denen eine AMLCD in perspektivischer Ansicht bzw. im Schnitt entlang der Linie II-II dargestellt ist, wird nun der Aufbau einer herkömmlichen AMLCD beschrieben. Die herkömmliche AMLCD weist ein oberes Paneel3 und ein unteres Paneel5 auf, die einander gegenüberliegend angeordnet und miteinander verbunden sind, und ein zwischen den Paneelen eingespritztes Flüssigkristall-Material10 . Das obere Paneel3 , das Farbfilterpaneel, weist sequentiell angeordnete Farbfilter7 für Rot (R), Grün (G) und Blau (B) auf, die auf einem ersten transparenten Substrat1a an matrixförmig angeordneten Pixel-Positionen vorgesehen sind. Unter diesen Farbfiltern7 sind gitterförmig angeordnete schwarze Matrizen9 ausgebildet, die ein Vermischen der Farben in den Grenzbereichen verhindern. Auf den Farbfiltern7 ist eine gemeinsame Elektrode8 ausgebildet. Die gemeinsame Elektrode8 ist eine der beiden Elektroden, mit denen ein elektrisches Feld erzeugt wird, das an die Flüssigkristall-Schicht angelegt wird. Das untere Paneel5 der LCD weist Schaltelemente und Bus-Leitungen auf, die das elektrische Feld zum Ansteuern der Flüssigkristall-Schicht erzeugen. Dieses Paneel wird daher als aktives Paneel bezeichnet. Das aktive Paneel5 einer AMLCD weist Pixelelektroden41 auf, die matrixförmig angeordnet und auf einem zweiten transparenten Substrat1b ausgebildet sind. In Spaltenrichtung der Pixelelektroden41 sind Signal-Busleitungen13 ausgebildet, und in Zeilenrichtung der Pixelelektroden41 sind Daten-Busleitungen23 ausgebildet. An einem Eckbereich einer Pixelelektrode41 ist ein TFT19 ausgebildet, der die Pixelelektrode41 ansteuert. Eine Gate-Elektrode11 des TFT19 ist an die Signal-Busleitung oder Gate-Leitung13 angeschlossen. Eine Source-Elektrode21 des TFT19 ist an die Daten-Busleitung23 oder Source-Leitung angeschlossen. Eine Halbleiterschicht33 ist zwischen der Source-Elektrode21 und der Drain-Elektrode31 ausgebildet. Zwischen der Source-Elektrode21 und der Halbleiterschicht33 besteht ein ohmscher Kontakt. Zwischen der Drain-Elektrode31 und der Halbleiterschicht33 besteht ebenfalls ein ohmscher Kontakt. Die Anschlüsse der Bus-Leitungen, nämlich ein Gatepad15 und ein Sourcepad25 , sind jeweils am Endabschnitt der Gate-Leitung13 bzw. der Source-Leitung23 ausgebildet. Zusätzlich sind ein Gatepad-Anschluß57 und ein Sourcepad-Anschluß67 an dem Gatepad15 bzw. dem Sourcepad25 ausgebildet. - Wenn eine an dem Gatepad
15 anliegende Signalspannung über die Gate-Leitung13 an die Gate-Elektrode11 angelegt wird, ist der TFT19 der entsprechenden Gate-Elektrode11 eingeschaltet (EIN-Zustand). Dann sind die Source-Elektrode21 und die Drain-Elektrode31 des TFT19 elektrisch miteinander verbunden, so daß die an dem Sourcepad25 anliegenden elektrischen Bilddaten über die Source-Leitung23 und die Source-Elektrode21 zu den Drain-Elektroden27 übertragen werden. Wenn an dem Gatepad15 keine Signalspannung anliegt, sind die Source-Elektrode21 und die Drain-Elektrode31 des TFT19 elektrisch voneinander isoliert. Daher wird durch das Steuern der Signalspannung an der Gate-Elektrode11 festgelegt, ob an der Drain-Elektrode Bilddaten anliegen oder nicht, d.h. der TFT19 wirkt als ein Schaltelement. Zwischen der Schicht mit der Gate-Elektrode13 und der Schicht mit der Source-Elektrode23 ist eine Gate-Isolierschicht17 eingefügt, welche diese elektrisch voneinander isoliert. Auf der Schicht mit der Source-Leitung23 ist eine Passivierungsschicht37 ausgebildet, welche die Elemente schützt. - Das Farbfilter-Paneel
3 und das aktive Paneel5 sind einander gegenüberliegend so zusammengefügt, daß zwischen ihnen ein bestimmter Abstand, d.h. ein Zellspalt, verbleibt. Der Zellspalt ist mit Flüssigkristall-Material10 gefüllt, und der Rand der miteinander verbundenen Paneele ist mit einer Dichtungsmasse81 wie Epoxidharz abgedichtet, so daß ein Auslaufen des Flüssigkristalls verhindert wird, womit ein vollständiges Flüssigkristallpaneel für eine AMLCD ausgebildet ist. - Die AMLCD entsteht schließlich durch Zusammenbauen des Flüssigkristallpaneels mit den Zusatzvorrichtungen für die Bilddaten. Zu diesem Zeitpunkt sind die Pads des Flüssigkristallpaneels und der jeweilige Anschluß der Zusatzvorrichtungen insgesamt über eine ACF-Schicht elektrisch mit einem TCP verbunden. Bezugnehmend auf
3 , die den allgemeinen Aufbau einer ACF-Schicht zeigt, sowie auf4 , werden zunächst das herkömmliche Verfahren zum Verbinden des TCP mit dem Pad unter Verwendung der ACF-Schicht sowie der Aufbau eines mit diesem Verfahren hergestellten Pads beschrieben. - Wie aus
3 ersichtlich ist, weist eine ACF-Schicht71 eine Mehrzahl von kugelförmigen Leitern95 auf, die von einer Isoliermembran93 in einer isotropen Schicht31 bedeckt sind. Auf Pad-Anschlüssen47 , die mit Pads45 – d.h. den Gatepads15 oder den Sourcepads25 – am Rand des Flüssigkristallpaneels verbunden sind, ist die ACF-Schicht71 angebracht, an die ein TCP73 sequentiell angeschlossen ist. Zu diesem Zeitpunkt hat das Leiterpad75 des TCP73 bezüglich des Pads45 des Flüssigkristallpaneels, d.h. des Gatepads15 oder des Sourcepads25 , die aus4a ersichtliche Anordnung bzw. es sollte diese haben. Dann wird das TCP73 mit Druck beaufschlagt und erwärmt, und die Leiterkugeln95 werden jeweils zwischen dem TCP-Pad75 und dem Pad-Anschluß47 des Flüssigkristallpaneels eingefügt. Durch Erhöhen der Druckkraft auf das TCP73 werden die Isoliermembranen93 über den Leiterkugeln95 zerstört, so daß jedes TCP-Pad75 mit dem jeweiligen Pad-Anschluß47 des Flüssigkristallpaneels elektrisch verbunden ist, wie aus4b ersichtlich ist. Obwohl sich auch zwischen den benachbarten Pad-Anschlüssen47 einige Leiterkugeln95 befinden, bleiben die benachbarten Pad-Anschlüsse47 voneinander elektrisch isoliert, da die Leiterkugeln95 von der Isoliermembran93 bedeckt sind. - Während des oben beschriebenen Schrittes des Befestigens des TCP an den Pad-Anschlüssen dehnt sich jeweils der Schichtabschnitt
77 zwischen den Pads des Abschnitts73 infolge der Wärmeeinwirkung und des Drucks etwas aus und haftet an der Passivierungsschicht37 , die oben auf dem Flüssigkristallpaneel ausgebildet ist. Sobald die Druck- und Wärmeeinwirkung beendet ist, schrumpft dieser gedehnte Schichtabschnitt des TCP wieder und erzeugt eine Zugkraft83 , so daß die an dem Schichtabschnitt77 haftende Passivierungsschicht37 abgelöst wird. - Nach Fertigstellung des Flüssigkristallpaneels sollte der Randabschnitt des Paneels, in dem der Kurzschlußbügel zum Schutz vor elektrostatischer Aufladung ausgebildet ist, abgeschnitten werden. Dabei greift eine Schneidkraft an dem abzuschneidenden Rand an, so daß es zu einer Instabilität der Passivierungsschicht
37 oder der Gate-Isolierschicht17 kommen kann. Die Passivierungsschicht37 kann sich in diesem Abschnitt leicht wieder ablösen, wenn der Schichtabschnitt77 des TCP mit der dazwischenliegenden ACF-Schicht71 mit der Passivierungsschicht37 verbunden wurde und der Wärmeeintrag beendet wird. Dies ist auf eine Ablösekraft89 zurückzuführen, die sich als Vektorsumme aus der horizontalen Schrumpfkraft87 der ACF-Schicht71 und der vertikalen Schrumpfkraft85 der ACF-Schicht71 und des TCP73 ergibt. - Aus
US 5,523,866 A ist eine Flüssigkristallanzeigevorrichtung bekannt, bei der in einem Substrat eine Vielzahl von Schlitzen zwischen benachbarten Gate- und Drain-Anschlüssen gebildet werden, um unerwünschte Kurzschlüsse zwischen diesen Anschlüssen zu vermeiden. Hierzu werden die Schlitze am Ende des Herstellungsprozesses mit einer isolierenden Schicht aufgefüllt. Da jedoch diese aufgefüllten bzw. abgedeckten Schlitze nicht zur Befestigung einer Anschlusseinrichtung an dem Substrat beitragen, besteht gleichfalls die Gefahr, dass bei Befestigung einer Anschlusseinrichtung an dem Substrat ein Ablösen der Passivierungsschicht am Randabschnitt des Flüssigkristallanzeigepaneels stattfindet. - Durch die vorliegende Erfindung wird eine Flüssigkristallanzeige sowie ein Verfahren zu deren Herstellung geschaffen, wobei beim Befestigen eines TCP an den Padanschlüssen der Flüssigkristallanzeigevorrichtung zum Herstellen einer elektrischen Verbindung zwischen diesen eine erhöhte Haftung zwischen dem TCP und dem Flüssigkristallanzeigepaneel erzielt wird.
- Gemäß der Erfindung werden insbesondere eine Flüssigkristallanzeige und ein Verfahren zu deren Herstellung geschaffen, wobei eine zwischen dem TCP und dem Pad-Anschluß eingefügte ACF-Schicht direkt an den entsprechenden Abschnitten des Substrats des LCD-Paneels haftet.
- Ein erfindungsgemäßes Verfahren zum Herstellen einer Flüssigkristallanzeige weist folgende Schritte auf: Ausbilden einer Mehrzahl von Leitungen mit einem am Ende jeder dieser Leitungen angeordneten Pad auf einem Substrat, Ausbilden einer Isolierschicht auf den Leitungen und den Pads, Freilegen der Pads und bestimmter Substratabschnitte zwischen den Pads; Ausbilden eines Pad-Anschlusses auf jedem Pad, Verwenden einer Anschlusseinrichtung mit einer Mehrzahl von in einer Isolierschicht angeordneten Leiterpads, so daß diese den Pads zugeordnet sind, Verbinden der Leiterpads mit den Pad-Anschlüssen, und Anbringen eines bestimmten Abschnitts der Isolierschicht der Anschlusseinrichtung an dem jeweils durch Öffnungen zwischen den Pads hindurch freiliegenden Substrat.
- Ein erfindungsgemäße Flüssigkristallanzeige weist ein Substrat, eine Mehrzahl von auf dem Substrat ausgebildete Leitungen, ein am Ende der Leitung ausgebildetes Pad und eine die Leitungen bedeckende Isolierschicht auf, wobei jeweils zwischen benachbarten Padabschnitten eine Öffnung ausgebildet ist, durch die hindurch bestimmte Abschnitte des Substrats frei liegen, wobei eine Anschlusseinrichtung mit einem Leiterpad an das Pad angeschlossen und mit einer Isolierschicht an dem durch die Öffnung hindurch freiliegenden Substratabschnitt angebracht ist.
- Die Erfindung wird nachfolgend anhand bevorzugter Ausführungsformen und unter Bezugnahme auf die Zeichnungen beschrieben. In den Zeichnungen zeigen:
-
1 eine perspektivische Ansicht einer herkömmlichen Aktivmatrix-Flüssigkristallanzeigevorrichtung, -
2 die herkömmliche Aktivmatrix-Flüssigkristallanzeigevorrichtung im Schnitt, -
3 den Aufbau einer ACF-Schicht im Schnitt, -
4a und4b das herkömmliche Verfahren zum Verbinden eines TCP mit dem LCD-Pad mit Hilfe der ACF-Schicht, jeweils im Schnitt, -
5 das Ablösen der Passivierungsschicht des LCD-Paneels infolge der Schrumpfkraft der Schicht, wenn das TCP und das LCD-Pad nach dem herkömmlichen Verfahren miteinander verbunden werden, im Schnitt, -
6 das Ablösen der Passivierungsschicht am Randabschnitt des LCD-Paneels infolge der Schrumpfkraft der Schicht, wenn das TCP und das LCD-Pad nach dem herkömmlichen Verfahren miteinander verbunden werden, im Schnitt, -
7 ein LCD-Paneel einer erfindungsgemäßen Flüssigkristallanzeige in Draufsicht, -
8a -8e ein Verfahren zum Herstellen des LCD-Paneels einer erfindungsgemäßen Flüssigkristallanzeige, jeweils im Schnitt, und -
9 den Pad-Abschnitt des LCD-Paneels der erfindungsgemäßen Flüssigkristallanzeige vergrößert und in Draufsicht. - Wie aus
7 und den8a -8e ersichtlich ist, die das aktive Paneel der erfindungsgemäßen Flüssigkristallanzeige bzw. die erfindungsgemäßen Herstellungsschritte zeigen, wird auf einem transparenten Substrat101 eine erste Metallschicht211 durch Aufdampfen von Aluminium oder einer Aluminiumlegierung ausgebildet. Eine zweite Metallschicht213 wird durch anschließendes Aufdampfen eines Metalls mit hoher Schmelztemperatur wie Molybdän, Tantal, Wolfram oder Antimon auf die erste Metallschicht211 ausgebildet. Diese übereinander angeordneten Metallschichten211 und213 werden in einem ersten Maskierungsschritt strukturiert, so daß eine Gate-Elektrode111 , eine Gate-Leitung113 und ein Gatepad115 ausgebildet werden. Wenn die übereinanderliegenden Schichten211 und213 nun mittels eines Naß-Ätzverfahrens strukturiert werden, weisen die Gate-Materialien – d.h. die Gate-Elektrode, die Gate-Leitung und das Gatepad – eine Querschnittsform auf, bei der die Breite der zweiten Metallschicht213 geringer ist als die der ersten Metallschicht211 . Eine Mehrzahl von Gate-Leitungen113 ist in vertikaler Richtung angeordnet. Die Gate-Elektrode111 zweigt von der Gate-Leitung113 ab und ist in einer Ecke des auszubildenden Bildpunkts angeordnet. Das Gatepad115 ist am Ende der Gate-Leitung113 angeordnet, wie aus7 und8a ersichtlich ist. - Auf das Substrat mit dem Gate-Material aus den übereinanderliegenden Metallschichten
211 und213 wird ein anorganisches Isoliermaterial wie Siliziumnitrid aufgedampft oder eine Beschichtung aus Siliziumoxid oder organischem Isoliermaterial wie BCB (Benzocyclobuten) oder Acrylharz aufgebracht, so daß eine Gate-Isolierschicht117 gebildet wird. Darauf werden nacheinander ein Eigenhalbleiter-Material wie undotiertes amorphes Silizium und ein Störstellenhalbleiter-Material, z.B. mit Fremdatomen dotiertes amorphes Silizium, aufgedampft. Diese übereinanderliegenden Schichten werden in einem zweiten Maskierungsschritt strukturiert, so daß eine Halbleiterschicht133 und eine dotierte Halbleiterschicht135 ausgebildet werden, die auf der Gate-Isolierschicht über der Gate-Elektrode111 angeordnet sind, wie aus7 und8b ersichtlich ist. - Auf das Substrat
101 mit der dotierten Halbleiterschicht135 wird eine Metallschicht aus Chrom oder einer Chromlegierung aufgebracht und in einem dritten Maskierungsschritt strukturiert, so daß eine Source-Elektrode121 , eine Drain-Elektrode131 , eine Source-Leitung123 und ein Sourcepad125 ausgebildet werden. Eine Mehrzahl von Source-Leitungen123 , welche die Gate-Leitungen113 auf der Gate-Isolierschicht117 jeweils im rechten Winkel kreuzen, sind in horizontaler Richtung angeordnet. Auf einer Seite der dotierten Halbleiterschicht135 ist die von der Source-Leitung123 abzweigende Source-Elektrode121 ausgebildet. Auf der anderen Seite der dotierten Halbleiterschicht135 ist die der Source-Elektrode121 gegenüberliegende Drain-Elektrode131 ausgebildet, wie aus7 und8c ersichtlich ist. - Auf das Substrat mit den Source-Materialien, d.h. der Source-Elektrode, der Drain-Elektrode, der Source-Leitung und dem Sourcepad, wird ein anorganisches Material wie Siliziumnitrid oder ein Siliziumoxid aufgedampft oder eine Beschichtung aus einem organischen Material wie BCB (Benzocyclobuten) oder Acrylharz aufgebracht, so daß eine Passivierungsschicht
137 gebildet wird. In einem vierten Maskierungsschritt werden einige Abschnitte der das Sourcepad125 und die Drain-Elektrode131 bedeckenden Passivierungsschicht137 entfernt, so daß eine Source-Kontaktöffnung161 und eine Drain-Kontaktöffnung171 ausgebildet werden. Ferner werden einige Abschnitte der Passivierungsschicht137 und der Gate-Isolierschicht117 entfernt, die das Gatepad115 bedecken, so daß eine Gate-Kontaktöffnung151 ausgebildet wird. Nun wird jeweils ein Abschnitt der Passivierungsschicht137 und der Gate-Isolierschicht117 entfernt, der das Substrat101 zwischen dem Gatepad115 und dem Sourcepad125 bedeckt, so daß Öffnungen193 gebildet werden, die das Substrat101 freigeben, wie aus7 und8d ersichtlich ist. - Auf die Passivierungsschicht
137 wird ein transparentes Leitermaterial wie ITO (= "Indium Tin Oxide" = Indium-Zinn-Oxid) aufgedampft und in einem fünften Maskierungsschritt strukturiert, so daß eine Pixelelektrode141 , ein Gatepadanschluß157 und ein Sourcepadanschluß167 ausgebildet werden. Die Pixelelektrode141 ist über die Drain-Kontaktöffnung171 an die Drain-Elektrode131 angeschlossen. Der Gatepadanschluß157 ist über die Gate-Kontaktöffnung151 an das Gatepad115 angeschlossen, und der Sourcepadanschluß157 ist über die Source-Kontaktöffnung161 an das Sourcepad125 angeschlossen, wie aus7 und8e ersichtlich ist. - Aus
9 ist der erfindungsgemäße Pad-Abschnitt des aktiven Paneels ersichtlich. Zwischen den benachbarten Pad-Abschnitten sind bestimmte Abschnitte der Gate-Isolierschicht117 und der Passivierungsschicht137 entfernt worden, so daß jeweils eine das Substrat101 freigebende Öffnung193 gebildet ist. Wie aus9 ersichtlich ist, sind vorzugsweise viele kleine Öffnungen ausgebildet, wodurch der Effekt der Erfindung verstärkt wird. Vorzugsweise ist insbesondere am Randabschnitt eine große Öffnung193a ausgebildet, da die Gate-Isolierschicht117 und die Passivierungsschicht137 am Randabschnitt eine geringe Haftkraft aufweisen. - Erfindungsgemäß wird das TCP mittels der ACF-Schicht so an dem Pad-Anschluß des LCD-Paneels befestigt, daß einige Abschnitte der ACF-Schicht direkt an dem durch die Öffnungen freiliegenden Substrat angebracht sind, so daß das TCP und die ACF-Schicht fest an dem LCD-Paneel haften. Auf diese Weise läßt sich ein Ablösen des TCP und der ACF-Schicht von dem Substrat verhindern.
Claims (8)
- Verfahren zum Herstellen einer Flüssigkristallanzeige, mit den Schritten: Ausbilden einer Mehrzahl von Leitungen (
113 ,123 ) mit einem am Ende jeder dieser Leitungen (113 ,123 ) angeordneten Pad (115 ,125 ), auf einem Substrat (101 ); Ausbilden einer Isolierschicht auf den Leitungen (113 ,123 ) und den Pads (115 ,125 ); Freilegen der Pads (115 ,125 ) und bestimmter Substratabschnitte zwischen den Pads (115 ,125 ); dadurch gekennzeichnet, dass das Verfahren ferner die Schritte aufweist: Ausbilden eines Pad-Anschlusses (157 ,167 ) auf jedem Pad (115 ,125 ); Verwenden einer Anschlusseinrichtung mit einer Mehrzahl von in einer Isolierschicht angeordneten Leiterpads, so dass diese den Pads (115 ,125 ) zugeordnet sind; Verbinden der Leiterpads mit den Pad-Anschlüssen (157 ,167 ); und Anbringen eines bestimmten Abschnitts der Isolierschicht der Anschlusseinrichtung an dem jeweils durch Öffnungen (193 ) zwischen den Pads (115 ,125 ) hindurch freiliegenden Substrat (101 ). - Verfahren nach Anspruch 1, wobei der Schritt des Ausbildens der Leitungen (
113 ,123 ) und der Pads (115 ,125 ) und der Schritt des Ausbildens der Isolierschicht die Schritte aufweisen: Ausbilden wenigstens einer Gate-Leitung (113 ) und eines am Ende der Gate-Leitung (113 ) angeordneten Gatepads (115 ); Ausbilden einer Gate-Isolierschicht (117 ), welche die Gate-Leitung (113 ) und das Gatepad (115 ) bedeckt; Ausbilden wenigstens einer Source-Leitung (123 ) und eines am Ende der Source-Leitung (123 ) angeordneten Sourcepads (125 ), auf der Gate-Isolierschicht (117 ); und Ausbilden einer Passivierungsschicht (137 ), welche die Source-Leitung (123 ) und das Sourcepad (125 ) bedeckt; wobei in dem Schritt des Freilegens das Gatepad (115 ), das Sourcepad (125 ) und jeweils bestimmte Substratabschnitte zwischen dem Gatepad (115 ) und dem Sourcepad (125 ) freigelegt werden. - Verfahren nach Anspruch 2, wobei in dem Schritt des Ausbildens der Gate-Leitung (
113 ) ferner eine von der Gate-Leitung (113 ) abzweigende Gate-Elektrode (111 ) ausgebildet wird; wobei das Verfahren ferner den Schritt des Ausbildens einer Halbleiterschicht (133 ,135 ) auf der Gate-Isolierschicht (117 ) über der Gate-Elektrode (111 ) aufweist; wobei in dem Schritt des Ausbildens der Source-Leitung (123 ) ferner eine von der Source-Leitung (123 ) abzweigende Source-Elektrode (121 ), die mit einer Seite der Halbleiterschicht (133 ,135 ) über einen ohmschen Kontakt verbunden ist, und eine der Source-Elektrode (123 ) gegenüberliegende Drain-Elektrode (131 ), die mit der anderen Seite der Halbleiterschicht (133 ,135 ) über einen ohmschen Kontakt verbunden ist, ausgebildet werden; wobei in dem Schritt des Freilegens des Sourcepads (125 ) ferner die Drain-Elektrode (131 ) freigelegt wird; wobei das Verfahren ferner den Schritt des Ausbildens eines Gatepad-Anschlusses (157 ) und eines Sourcepad- Anschlusses (167 ), die an das Gatepad (115 ) bzw. das Sourcepad (125 ) angeschlossen sind, und einer an die Drain-Elektrode (131 ) angeschlossenen Pixelelektrode aufweist. - Verfahren nach Anspruch 3, wobei die Leiterpads an die Gatepad-Anschlüsse (
157 ) und die Sourcepad-Anschlüsse (167 ) angeschlossen werden. - Flüssigkristallanzeige, mit einem Substrat (
101 ), einer Mehrzahl von auf dem Substrat (101 ) ausgebildeten Leitungen (113 ,123 ), jeweils einem am Ende der Leitung (113 ,123 ) ausgebildeten Pad (115 ,125 ), einer die Leitungen (113 ,123 ) bedeckenden Isolierschicht, dadurch gekennzeichnet, dass jeweils zwischen benachbarten Padabschnitten eine Öffnung (193 ) ausgebildet ist, durch die hindurch bestimmte Abschnitte des Substrats (101 ) frei liegen, wobei eine Anschlusseinrichtung mit einem Leiterpad an das Pad (115 ,125 ) angeschlossen und mit einer Isolierschicht an dem durch die Öffnung (193 ) hindurch freiliegenden Substratabschnitt angebracht ist. - Flüssigkristallanzeige nach Anspruch 5, wobei die Öffnung (
193 ) eine Mehrzahl kleiner Öffnungen aufweist. - Flüssigkristallanzeige nach Anspruch 5 oder 6, wobei die Leitungen (
113 ,123 ) mit der Isolierschicht wenigstens eine Gate-Leitung (113 ) mit einem am Ende der Gate-Leitung (113 ) ausgebildeten Gatepad (115 ) und einer die Gate-Leitung (113 ) und das Gatepad (115 ) bedeckenden Gate-Isolierschicht (117 ), und wenigstens eine die Gate-Leitung (113 ) auf der Gate-Isolierschicht (117 ) kreuzende Source-Leitung (123 ) mit einem am Ende der Source-Leitung (123 ) ausgebildeten Sourcepad (125 ) und einer die Source-Leitung (123 ) und das Sourcepad (125 ) bedeckenden Passivierungsschicht (137 ) aufweisen, und wobei eine das Gatepad (115 ) freigebende Gate-Kontaktöffnung (151 ), eine das Sourcepad (125 ) freigebende Source-Kontaktöffnung (161 ), und eine Öffnung (193 ) zwischen benachbarten Padabschnitten aus Gatepads (115 ) bzw. Sourcepads (125 ), die einen bestimmten Substratabschnitt freigibt, vorgesehen sind. - Flüssigkristallanzeige nach Anspruch 7, ferner mit einer von der Gate-Leitung (
113 ) abzweigenden Gate-Elektrode (111 ), einer Halbleiterschicht (133 ,135 ), die auf der Gate-Isolierschicht (117 ) über der Gate-Elektrode (111 ) ausgebildet ist, einer von der Source-Leitung (123 ) abzweigenden Source-Elektrode (121 ), die über einen ohmschen Kontakt mit der einen Seite der Halbleiterschicht (133 ,135 ) verbunden ist, einer der Source-Elektrode (121 ) gegenüberliegenden Drain-Elektrode (131 ), die über einen ohmschen Kontakt mit der anderen Seite der Halbleiterschicht (133 ,135 ) verbunden ist, einer Drain-Kontaktöffnung (171 ), welche die Drain-Elektrode (131 ) freigibt, einem Gatepad-Anschluss (157 ), der durch die Gate-Kontaktöffnung (151 ) hindurch an das Gatepad (115 ) angeschlossen ist, einem Sourcepad-Anschluss (167 ), der durch die Source-Kontaktöffnung (161 ) hindurch an das Sourcepad (125 ) angeschlossen ist, einer Pixelelektrode, die durch die Drain-Kontaktöffnung (171 ) hindurch an die Drain-Elektrode (131 ) angeschlossen ist, und einer Anschlusseinrichtung mit einem Leiterpad, das an das Gatepad (115 ) und das Sourcepad (125 ) anschließbar ist, und einer Isolierschicht, die sich an dem jeweils durch die Öffnung (193 ) hindurch freiliegenden Substratabschnitt befestigen lässt.
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3126661B2 (ja) * | 1996-06-25 | 2001-01-22 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 液晶表示装置 |
KR100472356B1 (ko) * | 1998-05-25 | 2005-07-07 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 액정표시장치및그제조방법 |
KR100280889B1 (ko) * | 1998-06-30 | 2001-02-01 | 구본준, 론 위라하디락사 | 액정 표시 장치의 패드부 제조 방법 및 그 방법에 의한 액정 표시 장치 |
US6587086B1 (en) | 1999-10-26 | 2003-07-01 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Electro-optical device |
KR100701897B1 (ko) * | 2000-08-24 | 2007-03-30 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 액정표시소자와 그 제조방법 |
KR100806808B1 (ko) * | 2000-10-17 | 2008-02-22 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 등저항 배선을 위한 액정표시장치 |
KR100390456B1 (ko) * | 2000-12-13 | 2003-07-07 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 액정 디스플레이 패널 및 그 제조방법 |
KR100694577B1 (ko) * | 2000-12-29 | 2007-03-13 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 액정표시장치용 어레이기판과 그 제조방법 |
KR100859464B1 (ko) * | 2000-12-29 | 2008-09-23 | 엘지디스플레이 주식회사 | 디지털 엑스레이 검출기용 박막트랜지스터 어레이 패널 및 그 제조방법 |
KR20020065690A (ko) * | 2001-02-07 | 2002-08-14 | 삼성전자 주식회사 | 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조 방법 |
KR100806802B1 (ko) * | 2001-05-14 | 2008-02-22 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | Tft 기판의 패드 구조 및 그 제조방법 |
KR100816343B1 (ko) * | 2001-11-21 | 2008-03-24 | 삼성전자주식회사 | 액정 표시 장치 및 그 제조 방법 |
KR100443831B1 (ko) * | 2001-12-20 | 2004-08-09 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 액정표시소자의 제조 방법 |
KR100966426B1 (ko) * | 2002-12-27 | 2010-06-28 | 엘지디스플레이 주식회사 | 액정표시장치의 테입 캐리어 패키지와 패드의 본딩 구조 |
KR100771825B1 (ko) * | 2002-12-31 | 2007-10-30 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 액정표시장치 제조방법 |
TWI242671B (en) | 2003-03-29 | 2005-11-01 | Lg Philips Lcd Co Ltd | Liquid crystal display of horizontal electronic field applying type and fabricating method thereof |
KR100976980B1 (ko) * | 2003-06-23 | 2010-08-19 | 삼성전자주식회사 | 평판 표시 장치 |
KR100561646B1 (ko) * | 2003-10-23 | 2006-03-20 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 표시 소자용 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조 방법 |
KR101002307B1 (ko) * | 2003-12-04 | 2010-12-20 | 엘지디스플레이 주식회사 | 액정표시장치와 그 제조방법 |
US20050253993A1 (en) * | 2004-05-11 | 2005-11-17 | Yi-Ru Chen | Flat panel display and assembly process of the flat panel display |
KR101119196B1 (ko) * | 2005-02-16 | 2012-03-22 | 삼성전자주식회사 | 표시장치 및 이의 제조 방법 |
KR100709255B1 (ko) * | 2005-08-11 | 2007-04-19 | 삼성에스디아이 주식회사 | 평판 표시 장치 및 그 제조 방법 |
WO2008136270A1 (ja) * | 2007-04-26 | 2008-11-13 | Nec Corporation | 表示素子及び電界効果型トランジスタ |
TWI372861B (en) * | 2008-04-23 | 2012-09-21 | Au Optronics Corp | A substrate including check marks and a method of monitoring conductive glue on the substrate thereof |
US9041202B2 (en) * | 2008-05-16 | 2015-05-26 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method of the same |
KR101574600B1 (ko) * | 2009-07-24 | 2015-12-07 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시장치 |
TWI484641B (zh) * | 2011-03-03 | 2015-05-11 | E Ink Holdings Inc | 主動元件陣列基板 |
WO2012157601A1 (ja) * | 2011-05-19 | 2012-11-22 | シャープ株式会社 | 液晶表示装置 |
JP2012215892A (ja) * | 2012-06-12 | 2012-11-08 | Mitsubishi Electric Corp | 表示装置 |
KR102403671B1 (ko) * | 2015-09-18 | 2022-05-27 | 엘지디스플레이 주식회사 | 디스플레이 장치 |
KR20210131508A (ko) | 2020-04-23 | 2021-11-03 | 삼성디스플레이 주식회사 | 디스플레이 장치 |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5523866A (en) * | 1992-06-04 | 1996-06-04 | Nec Corporation | Liquid-crystal display device having slits formed between terminals or along conductors to remove short circuits |
Family Cites Families (24)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB2090036B (en) | 1980-12-22 | 1985-08-21 | Casio Computer Co Ltd | Liquid crystal display device |
JPH01101517A (ja) * | 1987-10-14 | 1989-04-19 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | フィルム型液晶表示素子 |
JPH02173725A (ja) * | 1988-12-27 | 1990-07-05 | Seiko Epson Corp | 電子光学素子の実装方法 |
US5187604A (en) | 1989-01-18 | 1993-02-16 | Hitachi, Ltd. | Multi-layer external terminals of liquid crystal displays with thin-film transistors |
US5345039A (en) * | 1992-08-06 | 1994-09-06 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Film carrier |
JPH06347827A (ja) * | 1993-06-07 | 1994-12-22 | Hitachi Ltd | 液晶表示装置およびその製造方法 |
JP3184853B2 (ja) * | 1993-06-24 | 2001-07-09 | 株式会社日立製作所 | 液晶表示装置 |
JP2732553B2 (ja) | 1993-11-26 | 1998-03-30 | インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション | 液晶ディスプレイ、接続方法、熱応力伝搬防止方法 |
JP3270807B2 (ja) * | 1995-06-29 | 2002-04-02 | シャープ株式会社 | テープキャリアパッケージ |
US6025901A (en) * | 1995-08-14 | 2000-02-15 | Sharp Kabushiki Kaisha | Liquid crystal display device and method for producing the same |
US5835177A (en) * | 1995-10-05 | 1998-11-10 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Array substrate with bus lines takeout/terminal sections having multiple conductive layers |
JP3663261B2 (ja) * | 1995-10-05 | 2005-06-22 | 株式会社東芝 | 表示装置用アレイ基板及びその製造方法 |
JP2817704B2 (ja) * | 1996-04-25 | 1998-10-30 | 日本電気株式会社 | テープキャリアパッケージ及び接続方法 |
JPH1048654A (ja) * | 1996-07-30 | 1998-02-20 | Nec Kagoshima Ltd | Lcdパネルの端子構造 |
KR100232680B1 (ko) * | 1997-01-22 | 1999-12-01 | 구본준 | Acf 구조 |
JP3208658B2 (ja) * | 1997-03-27 | 2001-09-17 | 株式会社アドバンスト・ディスプレイ | 電気光学素子の製法 |
JPH117036A (ja) * | 1997-06-16 | 1999-01-12 | Denso Corp | 液晶表示装置および液晶表示装置の製造方法 |
KR100271038B1 (ko) * | 1997-09-12 | 2000-11-01 | 구본준, 론 위라하디락사 | 전기적 특성 검사를 위한 단락 배선의 제조 방법 및 그 단락 배선을 포함하는 액티브 기판의 구조(a method for manufacturing a shorting bar probing an electrical state and a structure of an lcd comprising the shorting bar) |
KR100276442B1 (ko) * | 1998-02-20 | 2000-12-15 | 구본준 | 액정표시장치 제조방법 및 그 제조방법에 의한 액정표시장치 |
KR100280889B1 (ko) * | 1998-06-30 | 2001-02-01 | 구본준, 론 위라하디락사 | 액정 표시 장치의 패드부 제조 방법 및 그 방법에 의한 액정 표시 장치 |
KR100335462B1 (ko) * | 1999-08-11 | 2002-05-04 | 구본준, 론 위라하디락사 | 액정표시패널 |
KR100315208B1 (ko) * | 1999-12-17 | 2001-11-26 | 구본준, 론 위라하디락사 | 액정표시소자 및 그 제조방법 |
KR100443831B1 (ko) * | 2001-12-20 | 2004-08-09 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 액정표시소자의 제조 방법 |
KR100437837B1 (ko) * | 2001-12-29 | 2004-06-30 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 액정표시소자 및 그 제조방법 |
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2001
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Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5523866A (en) * | 1992-06-04 | 1996-06-04 | Nec Corporation | Liquid-crystal display device having slits formed between terminals or along conductors to remove short circuits |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
GB2339953B (en) | 2000-12-27 |
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GB9915047D0 (en) | 1999-08-25 |
US6630686B1 (en) | 2003-10-07 |
KR100280889B1 (ko) | 2001-02-01 |
US6992735B2 (en) | 2006-01-31 |
US20020053668A1 (en) | 2002-05-09 |
KR20000004060A (ko) | 2000-01-25 |
JP4064004B2 (ja) | 2008-03-19 |
GB2339953A (en) | 2000-02-09 |
FR2780521A1 (fr) | 1999-12-31 |
FR2780521B1 (fr) | 2003-02-14 |
DE19930197A1 (de) | 2000-01-13 |
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