DE19943401C2 - Herstellungsverfahren für eine schichtartige Übertragungsleitung und Verfahren zum Anschluß an eine bestehende Leitung - Google Patents

Herstellungsverfahren für eine schichtartige Übertragungsleitung und Verfahren zum Anschluß an eine bestehende Leitung

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Description

Die Erfindung betrifft allgemein ein Verfahren zur Herstellung einer schichtartigen Übertragungsleitung und ein Verfahren zum Anschluß einer solchen Leitung, und umfaßt auch ein Verfahren zum Herstellen eines Hochfrequenzschaltkreises mit einer solchen Leitung.
Fig. 1 zeigt einen bekannten Aufbau eines Übergangs zwischen einem Schichtsubstrat und einem hochdielektrischen Substrat bei einem Hochfrequenzschaltkreis wie beispielsweise einem Radarsystem. Beim Stand der Technik wird allgemein versucht, eine Streifenleiterverbindung unter Verwendung eines Goldstreifenleiters durchzuführen. Ein Schichtsubstrat 101 und ein Substrat hoher Permittivität 102 (z. B. aus Keramik) werden auf Übertragungsleiterstrukturen 103 bzw. 104 ausgebildet. Das Schichtsubstrat 101 wird über dem Substrat hoher Permittivität 102 angeordnet, und ein quer über beiden Substraten liegender Goldstreifenleiter 105 wird durch einen Thermokompressionsverbindungsvorgang gepreßt.
Die Druckschrift EP-A-0 749 175 offenbart einen Mikrostreifenleiter (Mikrostreifenübertragungsleiter) und einen damit verbundenen koplanaren Leiter (koplanarer Wellenleiter (CPW)). Die Oberflächen beider Leiter liegen auf Masse, indem eine Masse-Ebene das Substrat das Mikrostreifenleiters und Masse-Leiter das Substrat des koplanaren Leiters bedecken, wobei beide miteinander verbunden sind. Dazu sind die Masse-Elemente jeweils um die Substratenden gewunden. Während die beiden Enden eine Stoßverbindung bilden, kann eine elektrische Verbindung über eine Lötverbindung oder einen geschweißten Goldstreifen ausgebildet werden.
Der Anschluß durch einen Streifenleiter gemäß dem Stand der Technik hat insofern Nachteile, daß bei jedem Übergang eine Unregelmäßigkeit der Impedanzcharakteristik auftritt, die Reflexion eines Signals relativ hoch ist und ein signifikanter Übertragungsverlust auftritt. Zusätzlich ist es erforderlich, daß das Schichtsubstrat 101 und das Substrat hoher Permittivität 102 einander wie in Fig. 1 gezeigt überlappen, was den Nachteil verursacht, daß eine Unregelmäßigkeit der Impedanz auf dem Überlappungsbereich entwickelt wird.
Wenn das Schichtsubstrat 101 umgedreht wird, ist es möglich, die Strukturen beider Substrate durch eine gegenüberliegende Anordnung unter flächigem Kontakt aneinander anzuschließen. Das mag zur Folge haben, daß die Unregelmäßigkeit der Impedanz reduziert wird. Dies erfordert jedoch die Durchführung eines Verbindungsvorgangs durch den Körper des Schichtsubstrates 101 oder des Substrates hoher Permittivität 102, so daß der Nachteil einer verminderten Bindungskraft auftritt.
Demzufolge liegt der Erfindung die Aufgabe zugrunde, ein Verfahren zur Herstellung einer schichtartigen Übertragungsleitung uni ein Anschlußverfahren und damit einen Hochfrequenzschaltkreis bereitzustellen, mit dem leicht ein Anschluß mit reduzierter Unregelmäßigkeit der Impedanz gebildet werden kann.
Diese Aufgabe wird mit den Verfahren gemäß den Ansprüchen 1 bzw. 2 bzw. 9 gelöst.
Dabei wird zunächst eine Übertragungsleitungsstruktur auf einem Schichtsubstrat gebildet. Sodann wird das Schichtsubstrat teilweise entfernt, wodurch das verbleibende Substrat die Übertragungsleitungsstruktur bildet. Daraus ergibt sich, daß der Teil, wo die Übertragungsleitungsstruktur von dem Schichtsubstrat freigelegt ist, als freigelegter Anschlußabschnitt zum Anschließen einer weiteren Übertragungsleitung ausgebildet wird.
Die durch das vorstehend angeführte Verfahren hergestellte Übertragungsleitungsstruktur wird an eine Übertragungsleitung auf der anzuschließenden Seite durch das nachstehende Verfahren angeschlossen. Die schichtartige Übertragungsleitung wird derart angeordnet, daß der freigelegte Anschlußabschnitt die Übertragungsleitungsstruktur auf der anzuschließenden Seite überlappt. Der Verbindungsvorgang für den überlappten Abschnitt wird daraufhin von der Seite des freigelegten Anschlußabschnitts durchgeführt.
Da der freigelegte Anschlußabschnitt somit bereitgestellt wird, kann der Anschluß zwischen gegenüberliegenden Strukturoberflächen durch die Überlappung des freigelegten Anschlußabschnitts und der Übertragungsleitungsstruktur auf der anzuschließenden Seite ausgebildet werden. Ein Streifenleiter wird nicht verwendet, und es besteht keine Notwendigkeit, das Schichtsubstrat auf das anzuschließende Substrat überlappen zu lassen. Dies erlaubt die Reduzierung einer beliebigen Unregelmäßigkeit der Impedanz. Zusätzlich wird ein hochzuverlässiger Anschluß mit einfachen Mitteln ausgebildet, weil auf dem Werkstoff des Schichtsubstrates keine Verbindungsverarbeitung angewendet wird, aber unmittelbar auf dem freigelegten Anschlußabschnitt, wo ein verlängerter Abschnitt der Leitungsstruktur vorliegt.
Die Unteransprüche geben Ausführungsarten der Erfindung an.
Das beanspruchte Anschlußverfahren weist vorzugsweise die Schritte auf, daß Gold oder Aluminium auf dem freigelegten Anschlußabschnitt der schichtartigen Übertragungsleitung angehaftet wird, daß der freigelegte Anschlußabschnitt, an den Gold oder Aluminium angehaftet wurde, und die auf dem hochdielektrischen Substrat auf der anzuschließenden Seite ausgebildete Übertragungsleitungsstruktur aus Gold oder Aluminium zur Überlappung gebracht werden, und daß ein Thermokompressionsverbindungsvorgang oder Ultraschallverbindungsvorgang durchgeführt wird. Die Haftungsverarbeitung dabei ist beispielsweise Metallisierung, Verdampfung oder eine Kontaktpunktübertragungsverarbeitung, welche im folgenden beschrieben werden wird. Im allgemeinen ist der für die Leitungsstruktur der schichtartigen Übertragungsleitung verwendete Werkstoff Kupfer und der für die Leitungsstruktur des hochdielektrischen keramischen Substrates verwendete Werkstoff ist beispielsweise Gold oder Aluminium. Diese können durch unterschiedliche Werkstoffe ausgebildeten Strukturen leicht miteinander verbunden werden.
KURZBESCHREIBUNG DER ZEICHNUNG
Es zeigen:
Fig. 1 einen Anschußabschnitt einer schichtartigen Übertragungsleitung unter Verwendung eines bekannten Goldstreifenleiters;
Die Fig. 2A, 2B und 2C ein Verfahren zur Herstellung einer schichtartigen Übertragungsleitung gemäß einem Ausführungsbeispiel der Erfindung;
Die Fig. 3A und 3B Beispiele einer Übertragungsleitung auf einer mit der schichtartigen Übertragungsleitung anzuschließenden Seite;
Fig. 4 eine aufgehängte Leitung als schichtartige Übertragungsleitung und einen monolithisch integrierten Mikrowellenschaltkreis als die Übertragungsleitung auf der anzuschließenden Seite;
Fig. 5 eine Verdeutlichung der Anordnung zum Anschluß der beiden Leitungen aus Fig. 4;
Fig. 6 drei Arten des Verfahrens zum Anschluß der beiden Leitungen aus Fig. 4;
Fig. 7 ein Verfahren zur Ausbildung eines Goldstiftanschlusses in Fig. 6;
Fig. 8 eine Schnittansicht einer aufgehängten Leitung und eines durch ein Anschlußverfahren gemäß einem Ausführungsbeispiel der Erfindung angeschlossenen monolithisch integrierten Mikrowellenschaltkreises.
BESCHREIBUNG DES BEVORZUGTEN AUSFÜHRUNGSBEISPIELES
Die Erfindung wird nachstehend anhand eines Ausführungsbeispieles unter Bezugnahme auf die Zeichnung näher beschrieben.
Ein Verfahren zur Herstellung einer schichtartigen Übertragungsleitung wird unter Bezugnahme auf Fig. 2 beschrieben. Zunächst wird eine Übertragungsleitungsstruktur 3 auf einem Schichtsubstrat 1 durch ein gut bekanntes Verfahren ausgebildet (Fig. 2a). Die schichtartige Übertragungsleitung ist beispielsweise eine Streifenleitung (triplate) oder eine aufgehängte Leitung. Der Werkstoff des Schichtsubstrates 1 ist beispielsweise Polyimid oder Polyester und der Werkstoff der Übertragungsleitungsstruktur 3 ist Kupfer.
Sodann wird das Schichtsubstrat 1 entlang einer Ätzlinie 5 gemäß Fig. 2b unter Verwendung eines Lasers geätzt, wie beispielsweise einem Stoßlaser bzw. Impactlaser oder einem Excimerlaser. Ein Grenzbereich 6 des Schichtsubstrates 1 wird entfernt, damit die Übertragungsleitungsstruktur 3 verbleibt. Dies hat zur Folge, daß ein freigelegter Anschlußabschnitt 7 ausgebildet wird, wie es in Fig. 2c gezeigt ist. Der freigelegte Anschlußabschnitt 7 ist ein verlängerter Teil der Leitungsstruktur 3 und steht von dem Schichtsubstrat 1 über. Daher wird die Oberfläche auf der Substratseite der Struktur durch die Entfernung des Schichtsubstrates 1 freigelegt. Der freigelegte Anschlußabschnitt 7 wird für einen Anschluß an eine noch zu beschreibende weitere Übertragungsleitung verwendet.
Durch die Herstellung der schichtartigen Übertragungsleitung durch ein derartiges Verfahren, wie bei diesem Ausführungsbeispiel beschrieben ist, wird ein Anschluß zwischen Übertragungsleitungen mit einer reduzierten Unregelmäßigkeit der Impedanz wie folgt möglich.
Ein Verfahren zum Anschluß der schichtartigen Übertragungsleitung an die Übertragungsleitung auf der anzuschließenden Seite wird nachstehend beschrieben. Die Übertragungsleitung auf der anzuschließenden Seite ist bei diesem Ausführungsbeispiel eine Übertragungsleitung nach der Bauart mit hochdielektrischem Substrat, wie eine koplanare Leitung oder eine in Fig. 3A und 3B angedeutete Mikrostreifenleitung. Diese Bauart der schichtartigen Übertragungsleitung kann willkürlich mit einer beliebigen Art von Übertragungsleitung auf der anzuschließenden Seite kombiniert werden. Das vorliegende Ausführungsbeispiel wird anhand des Beispiels der Kombination einer Leitung (auf der anzuschließenden Seite) und einer Mikrostreifenleitung (auf der Schichtseite) dargestellt.
Unter Bezugnahme auf Fig. 4 ist eine schichtartige Übertragungsleitung 10 eine unter Verwendung des vorstehend beschriebenen Verfahrens hergestellte aufgehängte Leitung und weist eine Übertragungsleitung und (nicht dargestellte) Massepunkte auf, die so angeordnet sind, daß eine Lücke sowohl auf den oberen als auch auf den unteren Seiten der Übertragungsleitung verbleibt. Eine Übertragungsleitungsstruktur 14 wird auf einem 13 µm dicken Schichtsubstrat 12 aus Polyimid mit einer Schichtdicke von annähernd 18 µm aus Kupfer ausgebildet. Ein Teil der von dem Schichtsubstrat 12 als Folge der Ätzverarbeitung freigelegten (überstehenden) Struktur bildet einen freigelegten Anschlußabschnitt 16 aus. (Nicht dargestellte) Masseelemente sind sowohl auf den oberen als auch auf den unteren Seiten des Schichtsubstrates 12 angeordnet und aus einem elektrisch leitenden Werkstoff wie Aluminium ausgebildet. Das Schichtsubstrat 12 wird sodann zwischen den Masseelementen angeordnet. Das Schichtsubstrat 12 und die Leitungsstruktur erhalten die ausgebildeten Lücken zwischen den Masseelementen und ihnen selbst aufrecht. Für diese Aufrechterhaltung der Lücken weist das Schichtsubstrat 12 Harzpunkte 18 (Dicke: etwa 100 µm) als Abstandshalter an vielen Stellen jeder Seite auf.
Ein monolithisch integrierter Mirkrowellenschaltkreis 20 (MMIC) ist grundsätzlich eine Mirkrostreifenleitung, kann aber ebenso eine koplanare Leitung auf einem Bereich in der Nähe eines Übergangs zu der Schichtseite hin sein. Die obere Oberfläche eines hochdielektrischen Substrates 22 aus Aluminiumoxid wird durch eine Übertragungsleitungsstruktur 24 (aus Gold) gebildet, und die untere Oberfläche davon ist mit einer Massegoldschicht 26 bedeckt. Die Schichtdicke der Leitungsstruktur 24 und der Masseschicht 26 beträgt ungefähr 1,5 µm. Sowohl die Leitungsstruktur 24 als auch die Masseschicht 26 können aus Aluminium ausgebildet sein. Aufgrund ihrer Beziehung zu einem innerhalb des hochdielektrischen Substrats 22 angeordneten (nicht dargestellten) integrierten Schaltkreis ist es jedoch erforderlich, daß ein geeigneter Werkstoff verwendet wird. Daher kann beispielsweise ein Kupferwerkstoff nicht verwendet werden. Ein Teil der Masseschicht 26 dehnt sich entlang einer Seite einer Kante des Substrates 22 nach oben hin aus und dreht sich um die Kante zu der oberen Oberfläche des Substrates hin. Dies bildet ein Masseelement 28 auf der oberen Oberfläche in einem Grenzbereich des Substrates aus, wo folglich die koplanare Leitung gebildet wird.
Wie in Fig. 5 gezeigt ist, wird die schichtartige Übertragungsleitung 10 so angeordnet, daß der freigelegte Anschlußabschnitt 16 davon überlappt, und die Übertragungsleitungsstruktur 24 auf der anzuschließenden Seite wird in Anbetracht der Tatsache angeordnet, daß das Schichtsubstrat 12 nicht mit dem Substrat auf der anzuschließenden Seite überlappt, d. h. mit dem hochdielektrischen Substrat 22. Eine Verbindungsverarbeitung wird sodann von der Seite des freigelegten Anschlußabschnittes 16 auf die beiden überlappten Leitungsstrukturen angewendet.
Die Werkstoffe der beiden Übertragungsleitungen sind jedoch voneinander verschieden, da der Werkstoff der Übertragungsleitung auf der Schichtseite Kupfer ist und der Werkstoff der Übertragungsleitung auf der hochdielektrischen Seite Gold oder Aluminium ist. Vor der Verbindungsverarbeitung wird der freigelegte Anschlußabschnitt 16 der Übertragungsleitungsstruktur 14 auf der Schichtseite einer Goldmetallisierung unterzogen, damit der Anschluß zwischen den verschiedenen Werkstoffen sichergestellt ist. Die Goldmetallisierung wird über eine Nickelmetallisierung angewendet, damit eine Verträglichkeit mit dem Kupferwerkstoff erzielt wird, und sie kann auf jede Oberfläche des freigelegten Anschlußabschnittes 16 angewendet werden (und kann auf beide Oberflächen angewendet werden).
Die beiden Substrate werden derart angeordnet, daß die Oberfläche des freigelegten Anschlußabschnittes 16 auf der der Goldmetallisierung unterworfenen Seite der Übertragungsleitungsstruktur 24 des monolithisch integrierten Mirkrowellenschaltkreises 20 gegenübersteht. Ein Thermokompressionsverbindungsvorgang wird auf den Übergang angewendet, an dem sich die beiden Strukturen überlappen. Der Thermokompressionsverbindungsvorgang wird durchgeführt, indem der Übergang auf eine vorbestimmte Temperatur erwärmt wird, durch ein (nicht dargestelltes) Werkzeug belastet wird, und indem der Übergang mit Ultraschallwellen bestrahlt wird. Eine Ausführung der Bestrahlung mit Ultraschallwellen von der Seite des freigelegten Anschlußabschnittes 16 aus erlaubt eine unmittelbare Bestrahlung ohne Einfluß des Schichtkörpers.
Bei diesem Ausführungsbeispiel können andere Verfahren bevorzugt angewendet werden, wie sie in Fig. 6 beschrieben sind. Die Übergangsart B aus Fig. 6 entspricht dem vorstehend beschriebenen Verbindungsvorgang. Bei der Übergangsart A wird eine Goldstiftanschlußverarbeitung auf den Übergang der Übertragungsleitung 24 auf der Seite des monolithisch integrierten Mikrowellenschaltkreises angewendet, und eine Goldmetallisierung oder Zinnmetallisierung wird auf die Seite der aufgehängten Leitung als Vorverarbeitung für den Verbindungsvorgang angewendet.
Unter Bezugnahme auf Fig. 7 wird ein ein Stiftanschlußverbinder genanntes Werkzeug für die Stiftanschlußverarbeitung verwendet. Bei dieser Verarbeitung bildet eine aus einem Ausguß ausgetropfte kleine Menge Gold eine sphärische Gestalt aus, wie es in der Figur dargestellt ist, und das in sphärischer Gestalt ausgebildete Gold wird gegen die Übertragungsleitungsstruktur 24 gedrückt. Der Goldwerkstoff wird daraufhin auf die Seite der Struktur 24 übertragen und bildet eine Masse in der Gestalt eines Knopfes. Diese Masse ist ein Stiftanschluß.
Ein Thermokompressionsverbindungsvorgang wird ebenfalls bei der Übergangsart A durchgeführt. Die schichtartige Übertragungsleitung 10 und der monolithisch integrierte Mirkrowellenschaltkreis 20 sind derart angeordnet, daß ein Goldstifanschluß auf dem Übergang und der freigelegte Anschlußabschnitt 16 (Metallisierungsabschnitt) auf der Schichtseite einander zugewandt sind, wobei sie zueinander tangential liegen. Eine Erwärmung auf die vorbestimmte Temperatur, das Auferlegen einer Last und die Bestrahlung mit Ultraschallwellen werden durchgeführt. Der hier angegebene Verbindungsvorgang ist eine Anwendung der Technologie zum Ausbilden von Gehäusen für integrierte Schaltkreise.
Eine Aluminiumverdampfungsverarbeitung wird auf dem freigelegten Anschlußabschnitt 16 als Vorverarbeitung bei der Übergangsart C aus Fig. 6 ausgeführt, wobei ein Ultraschallverbindungsvorgang unter Verwendung von Aluminium als Medium durchgeführt wird. Bei dem Ultraschallverbindungsvorgang wird der Erwärmungsschritt von dem vorstehen angeführten Thermokompressionsverbindungsvorgang weggelassen. Mit dem freigelegten Anschlußabschnitt 16 und der Leitungsstruktur 24 auf der anzuschließenden Seite in überlappender Anordnung wird eine Belastung aufgebracht und die Ultraschallwellen werden zugeführt.
Bei jeder Übergangsart A, B oder C kann die Vorverarbeitung der Seite mit der aufgehängten Leitung auf jede Oberfläche des freigelegten Anschlußabschnittes 16 angewendet werden (und kann auf beide Oberflächen angewendet werden). Der Verbindungsvorgang wird in einem derartigen Lageverhältnis durchgeführt, daß die vorverarbeitete Seite der Leitungsstruktur auf der Seite des monolithisch integrierten Mikrowellenschaltkreises zugewandt ist.
Bei diesem Ausführungsbeispiel kann eine beliebige der Übergangsarten A, B und C angewendet werden, aber die Zuverlässigkeit steigt in der alphabethischen Reihenfolge, wie in Fig. 6 gezeigt. Darüber hinaus kann der Werkstoff auf der Leitungsstruktur 24 auf der Seite des monolithisch integrierten Mikrowellenschaltkreises entweder Gold oder Aluminium bei einer beliebigen der Übergangsarten A, B und C sein.
Fig. 8 zeigt eine Schnittansicht zur Darstellung des Anschlusses zwischen der schichtartigen Übertragungsleitung 10 und des monolithisch integrierten Mirkrowellenschaltkreises 20 in der vorstehend angeführten Weise. Der Verbindungsvorgang wird auf einen Bereich angewendet, wo der freigelegte Anschlußabschnitt 16 die Übertragungsleitung auf der Seite des monolithisch integrierten Mikrowellenschaltkreises überlappt. Dies ist als Flächenanschluß bekannt, was einen Anschlußzustand ausdrückt, bei dem die Oberflächen der beiden Leitungsstrukturen einander zugewandt sind. Die Unregelmäßigkeit der Impedanzcharakteristik ist reduziert, da kein Goldstreifenleiter verwendet wird. Zusätzlich überlappt das Schichtsubstrat 12 das hochdielektrische Substrat 22 nicht. Auch das reduziert die Impedanzunregelmäßigkeit. Daher ist es möglich, eine Reduktion bei dem Übertragungsverlust zu erreichen, indem die Unregelmäßigkeit der Impedanz wirkungsvoller als beim Stand der Technik reduziert wird und die Reflexion von Signalen unterdrückt wird.
Weiterhin erlaubt dieses Ausführungsbeispiel den Erhalt einer hohen Zuverlässigkeit. Unter der Annahme, daß der Verbindungsvorgang durch die Vorbereitung einer Strukturoberfläche durchgeführt wird, wobei der freigelegte Anschlußabschnitt 16 nicht ausgebildet wird, und man die Strukturoberfläche einem hochdielektrischen Substrat gegenüberstehen läßt (einem Zustand bei dem das Schichtsubstrat aus Fig. 1 aus dem Stand der Technik umgedreht wird), könnte der Flächenanschluß erzielt werden. Aufgrund der Tatsache, daß das Aufbringen einer Belastung und die Bestrahlung mit Ultraschallwellen durch den Körper des Schichtsubstrates durchgeführt werden, erhöht dieser Verbindungsvorgang jedoch die Wahrscheinlichkeit der Abschwächung der Bindungskraft. Im Gegensatz dazu wird gemäß diesem Ausführungsbeispiel das Schichtsubstrat beseitigt. Folglich kann die Erwärmung, die Aufbringung einer Belastung und die Bestrahlung mit Ultraschallwellen während dem Verbindungsvorgang von der Seite des freigelegten Anschlußabschnittes 16 aus unmittelbar auf den Anschußabschnitt angewendet werden. Dies führt dazu, daß beide Strukturoberflächen leicht aneinander angeschlossen werden können, während die Unregelmäßigkeit der Impedanz reduziert wird, die Verbindung stärker wird und die Bindungszuverlässigkeit steigt.
Zusätzlich entsteht der Vorteil einer geringen Teileanzahl, da gemäß diesem Ausführungsbeispiel kein Goldstreifenleiter erforderlich ist.
Wie vorstehend beschrieben ist, wird ein freigelegter Anschlußabschnitt 16 ausgebildet, indem ein Schichtsubstrat 12 durch beispielsweise Laserätzen teilweise entfernt wird, während eine Übertragungsleitungsstruktur 14 verbleibt. Eine schichtartige Übertragungsleitung 10 wird derart angeordnet, daß der freigelegte Anschlußabschnitt 16 und eine Übertragungsleitungsstruktur 24 auf der anzuschließenden Seite überlappt werden. Auf die zwei überlappten Leitungsstrukturen wird ein Verbindungsvorgang wie beispielsweise ein Thermokompressionsverbindungsvorgang angewendet. Da kein Goldstreifenleiter verwendet wird und ein Überlappen eines hochdielektrischen Substrats 22 und des Schichtsubstrats 12 unnötig ist, wird eine Impedanzunregelmäßigkeit reduziert. Dies ermöglicht die Ausführung eines Verbindungsvorgangs ohne einen Einfluß durch das Schichtsubstrat 12, und es kann eine Verbindung hoher Zuverlässigkeit erzielt werden.

Claims (10)

1. Verfahren zur Herstellung einer schichtartigen Übertragungsleitung (10), mit den Schritten
Ausbildung einer Übertragungsleitungsstruktur (14) auf einem Schichtsubstrat (12); und
Ausbildung eines Teils, bei dem die Übertragungsleitungsstruktur (14) von dem Schichtsubstrat (12) als ein freigelegter Anschlußabschnitt (16) zum Anschluß einer weiteren Übertragungsleitung (20) freigelegt ist, indem das Schichtsubstrat (12) teilweise entfernt wird, während die Übertragungsleitungsstruktur (14) verbleibt.
2. Verfahren zum Anschluß einer schichtartigen Übertragungsleitung (10), die durch eine Übertragungsleitungsstruktur (14) gebildet wird, welche auf einem Schichtsubstrat (12) zu einer Übertragungsleitung (20) auf einer anzuschließenden Seite ausgebildet ist, das Verfahren ist versehen mit den Schritten
Anordnen der schichtartigen Übertragungsleitung (10) mit einem freigelegten Anschlußabschnitt (16), bei dem die Übertragungsleitungsstruktur (14) von dem Schichtsubstrat (12) derart freigelegt ist, daß der freigelegte Anschlußabschnitt (16) davon eine Übertragungsleitungsstruktur (24) auf der anzuschließenden Seite überlappt; und
Anwenden eines Verbindungsvorgangs auf den überlappten Abschnitt der Seite des freigelegten Anschlußabschnitts (16).
3. Verfahren nach Anspruch 2, zudem mit den Schritten
Anhaften von Gold oder Aluminium auf den freigelegten Anschlußabschnitt (16) der schichtartigen Übertragungsleitung (10), und
Überlappen von dem freigelegten Anschlußabschnitt (16) mit dem daran angehafteten Gold oder Aluminium und von der auf einem hochdielektrischen Substrat (22) auf der anzuschließenden Seite ausgebildeten Übertragungsleitungsstruktur (24) aus Gold oder Aluminium, und Durchführen eines Thermokompressionsverbindungsvorgangs oder eines Ultraschallverbindungsvorgangs.
4. Verfahren nach Anspruch 1, wobei bei dem Schritt zum teilweisen Entfernen des Schichtsubstrats (12) Laserätzen durchgeführt wird.
5. Verfahren nach Anspruch 2, wobei die Übertragungsleitung (20) auf der anzuschließenden Seite eine Übertragungsleitung in einer Bauart mit hochdielektrischem Substrat (22) ist.
6. Verfahren nach Anspruch 3, wobei eine Goldmetallisierung auf den freigelegten Anschlußabschnitt (16) angewendet wird.
7. Verfahren nach Anspruch 3, wobei eine Aluminiumverdampfungsverarbeitung auf den freigelegten Anschlußabschnitt (16) angewendet wird.
8. Verfahren nach Anspruch 3, wobei eine Goldmetallisierung oder eine Verzinnungsverarbeitung auf den freigelegten Anschlußabschnitt (16) angewendet wird und zudem ein Goldstiftanschluß auf der Übertragungsleitungstruktur (24) auf der anzuschließenden Seite ausgebildet wird.
9. Verfahren zur Herstellung eines Hochfrequenzschaltkreises, der eine schichtartige Übertragungsleitung (10) und eine Übertragungsleitung (20) auf einer anzuschließenden Seite beinhaltet, die aneinander angeschlossen sind, das Verfahren ist versehen mit den Schritten
Herstellen einer schichtartigen Übertragungsleitung (10) durch Ausbilden einer Übertragungsleitungsstruktur (14) auf einem Schichtsubstrat (12);
Ausbilden eines freigelegten Anschlußabschnitts (16) wo die Übertragungsleitungsstruktur (14) von dem Schichtsubstrat (12) freigelegt ist, indem das Schichtsubstrat (12) teilweise entfernt wird, während die Übertragungsleitungsstruktur (14) verbleibt;
Anordnen der schichtartigen Übertragungsleitung (10) und der Übertragungsleitung (20) auf der anzuschließenden Seite derart, daß der freigelegte Anschlußabschnitt (16) und die Übertragungsleitungsstruktur (24) auf der anzuschließenden Seite überlappt werden; und
Anwenden eines Verbindungsvorgangs auf den überlappten Abschnitt von der Seite des freigelegten Anschlußabschnitts (16).
10. Verfahren nach Anspruch 9, wobei bei dem Schritt zum teilweisen Entfernen des Schichtsubstrats (12) Laserätzen durchgeführt wird.
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