DE19943401C2 - Herstellungsverfahren für eine schichtartige Übertragungsleitung und Verfahren zum Anschluß an eine bestehende Leitung - Google Patents
Herstellungsverfahren für eine schichtartige Übertragungsleitung und Verfahren zum Anschluß an eine bestehende LeitungInfo
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Description
Die Erfindung betrifft allgemein ein Verfahren zur
Herstellung einer schichtartigen Übertragungsleitung und
ein Verfahren zum Anschluß einer solchen Leitung, und
umfaßt auch ein Verfahren
zum Herstellen eines Hochfrequenzschaltkreises mit einer solchen Leitung.
Fig. 1 zeigt einen bekannten Aufbau eines Übergangs
zwischen einem Schichtsubstrat und einem hochdielektrischen
Substrat bei einem Hochfrequenzschaltkreis wie
beispielsweise einem Radarsystem. Beim Stand der Technik
wird allgemein versucht, eine Streifenleiterverbindung
unter Verwendung eines Goldstreifenleiters durchzuführen.
Ein Schichtsubstrat 101 und ein Substrat hoher
Permittivität 102 (z. B. aus Keramik) werden auf
Übertragungsleiterstrukturen 103 bzw. 104 ausgebildet. Das
Schichtsubstrat 101 wird über dem Substrat hoher
Permittivität 102 angeordnet, und ein quer über beiden
Substraten liegender Goldstreifenleiter 105 wird durch
einen Thermokompressionsverbindungsvorgang gepreßt.
Die Druckschrift EP-A-0 749 175 offenbart einen
Mikrostreifenleiter (Mikrostreifenübertragungsleiter) und
einen damit verbundenen koplanaren Leiter (koplanarer
Wellenleiter (CPW)). Die Oberflächen beider Leiter liegen
auf Masse, indem eine Masse-Ebene das Substrat das
Mikrostreifenleiters und Masse-Leiter das Substrat des
koplanaren Leiters bedecken, wobei beide miteinander
verbunden sind. Dazu sind die Masse-Elemente jeweils um die
Substratenden gewunden. Während die beiden Enden eine
Stoßverbindung bilden, kann eine elektrische Verbindung
über eine Lötverbindung oder einen geschweißten
Goldstreifen ausgebildet werden.
Der Anschluß durch einen Streifenleiter gemäß dem Stand der
Technik hat insofern Nachteile, daß bei jedem Übergang eine
Unregelmäßigkeit der Impedanzcharakteristik auftritt, die
Reflexion eines Signals relativ hoch ist und ein
signifikanter Übertragungsverlust auftritt. Zusätzlich ist
es erforderlich, daß das Schichtsubstrat 101 und das
Substrat hoher Permittivität 102 einander wie in Fig. 1
gezeigt überlappen, was den Nachteil verursacht, daß eine
Unregelmäßigkeit der Impedanz auf dem Überlappungsbereich
entwickelt wird.
Wenn das Schichtsubstrat 101 umgedreht wird, ist es
möglich, die Strukturen beider Substrate durch eine
gegenüberliegende Anordnung unter flächigem Kontakt
aneinander anzuschließen. Das mag zur Folge haben, daß die
Unregelmäßigkeit der Impedanz reduziert wird. Dies
erfordert jedoch die Durchführung eines Verbindungsvorgangs
durch den Körper des Schichtsubstrates 101 oder des
Substrates hoher Permittivität 102, so daß der Nachteil
einer verminderten Bindungskraft auftritt.
Demzufolge liegt der Erfindung die Aufgabe zugrunde, ein
Verfahren zur Herstellung einer schichtartigen
Übertragungsleitung uni ein Anschlußverfahren und damit
einen Hochfrequenzschaltkreis bereitzustellen, mit dem leicht ein Anschluß mit
reduzierter Unregelmäßigkeit der Impedanz gebildet werden
kann.
Diese Aufgabe wird mit den Verfahren gemäß den
Ansprüchen 1 bzw. 2 bzw. 9 gelöst.
Dabei wird zunächst eine Übertragungsleitungsstruktur
auf einem Schichtsubstrat gebildet. Sodann wird
das Schichtsubstrat teilweise entfernt, wodurch das
verbleibende Substrat die Übertragungsleitungsstruktur
bildet. Daraus ergibt sich, daß der Teil, wo die
Übertragungsleitungsstruktur von dem Schichtsubstrat
freigelegt ist, als freigelegter Anschlußabschnitt zum
Anschließen einer weiteren Übertragungsleitung ausgebildet
wird.
Die durch das vorstehend angeführte Verfahren hergestellte
Übertragungsleitungsstruktur wird an eine
Übertragungsleitung auf der anzuschließenden Seite durch
das nachstehende Verfahren angeschlossen. Die schichtartige
Übertragungsleitung wird derart angeordnet, daß der
freigelegte Anschlußabschnitt die
Übertragungsleitungsstruktur auf der anzuschließenden Seite
überlappt. Der Verbindungsvorgang für den überlappten
Abschnitt wird daraufhin von der Seite des freigelegten
Anschlußabschnitts durchgeführt.
Da der freigelegte Anschlußabschnitt somit
bereitgestellt wird, kann der Anschluß zwischen
gegenüberliegenden Strukturoberflächen durch die
Überlappung des freigelegten Anschlußabschnitts und der
Übertragungsleitungsstruktur auf der anzuschließenden Seite
ausgebildet werden. Ein Streifenleiter wird nicht
verwendet, und es besteht keine Notwendigkeit, das
Schichtsubstrat auf das anzuschließende Substrat überlappen
zu lassen. Dies erlaubt die Reduzierung einer beliebigen
Unregelmäßigkeit der Impedanz. Zusätzlich wird ein
hochzuverlässiger Anschluß mit einfachen Mitteln
ausgebildet, weil auf dem Werkstoff des Schichtsubstrates
keine Verbindungsverarbeitung angewendet wird, aber
unmittelbar auf dem freigelegten Anschlußabschnitt, wo ein
verlängerter Abschnitt der Leitungsstruktur vorliegt.
Die Unteransprüche geben Ausführungsarten der Erfindung an.
Das beanspruchte Anschlußverfahren weist vorzugsweise
die Schritte auf, daß Gold oder Aluminium auf dem
freigelegten Anschlußabschnitt der schichtartigen
Übertragungsleitung angehaftet wird, daß der freigelegte
Anschlußabschnitt, an den Gold oder Aluminium angehaftet
wurde, und die auf dem hochdielektrischen Substrat auf der
anzuschließenden Seite ausgebildete
Übertragungsleitungsstruktur aus Gold oder Aluminium zur
Überlappung gebracht werden, und daß ein
Thermokompressionsverbindungsvorgang oder
Ultraschallverbindungsvorgang durchgeführt wird. Die
Haftungsverarbeitung dabei ist beispielsweise
Metallisierung, Verdampfung oder eine
Kontaktpunktübertragungsverarbeitung, welche im folgenden
beschrieben werden wird. Im allgemeinen ist der für die
Leitungsstruktur der schichtartigen Übertragungsleitung
verwendete Werkstoff Kupfer und der für die
Leitungsstruktur des hochdielektrischen keramischen
Substrates verwendete Werkstoff ist beispielsweise Gold
oder Aluminium. Diese können durch
unterschiedliche Werkstoffe ausgebildeten Strukturen leicht
miteinander verbunden werden.
Es zeigen:
Fig. 1 einen Anschußabschnitt einer schichtartigen
Übertragungsleitung unter Verwendung eines bekannten
Goldstreifenleiters;
Die Fig. 2A, 2B und 2C ein Verfahren zur Herstellung
einer schichtartigen Übertragungsleitung gemäß einem
Ausführungsbeispiel der Erfindung;
Die Fig. 3A und 3B Beispiele einer Übertragungsleitung
auf einer mit der schichtartigen Übertragungsleitung
anzuschließenden Seite;
Fig. 4 eine aufgehängte Leitung als schichtartige
Übertragungsleitung und einen monolithisch integrierten
Mikrowellenschaltkreis als die Übertragungsleitung auf der
anzuschließenden Seite;
Fig. 5 eine Verdeutlichung der Anordnung zum Anschluß der
beiden Leitungen aus Fig. 4;
Fig. 6 drei Arten des Verfahrens zum Anschluß der beiden
Leitungen aus Fig. 4;
Fig. 7 ein Verfahren zur Ausbildung eines
Goldstiftanschlusses in Fig. 6;
Fig. 8 eine Schnittansicht einer aufgehängten Leitung und
eines durch ein Anschlußverfahren gemäß einem
Ausführungsbeispiel der Erfindung angeschlossenen
monolithisch integrierten Mikrowellenschaltkreises.
Die Erfindung wird nachstehend anhand eines
Ausführungsbeispieles unter Bezugnahme auf die Zeichnung
näher beschrieben.
Ein Verfahren zur Herstellung einer schichtartigen
Übertragungsleitung wird unter Bezugnahme auf Fig. 2
beschrieben. Zunächst wird eine
Übertragungsleitungsstruktur 3 auf einem Schichtsubstrat 1
durch ein gut bekanntes Verfahren ausgebildet (Fig. 2a).
Die schichtartige Übertragungsleitung ist beispielsweise
eine Streifenleitung (triplate) oder eine aufgehängte
Leitung. Der Werkstoff des Schichtsubstrates 1 ist
beispielsweise Polyimid oder Polyester und der Werkstoff
der Übertragungsleitungsstruktur 3 ist Kupfer.
Sodann wird das Schichtsubstrat 1 entlang einer Ätzlinie 5
gemäß Fig. 2b unter Verwendung eines Lasers geätzt, wie
beispielsweise einem Stoßlaser bzw. Impactlaser oder einem
Excimerlaser. Ein Grenzbereich 6 des Schichtsubstrates 1
wird entfernt, damit die Übertragungsleitungsstruktur 3
verbleibt. Dies hat zur Folge, daß ein freigelegter
Anschlußabschnitt 7 ausgebildet wird, wie es in Fig. 2c
gezeigt ist. Der freigelegte Anschlußabschnitt 7 ist ein
verlängerter Teil der Leitungsstruktur 3 und steht von dem
Schichtsubstrat 1 über. Daher wird die Oberfläche auf der
Substratseite der Struktur durch die Entfernung des
Schichtsubstrates 1 freigelegt. Der freigelegte
Anschlußabschnitt 7 wird für einen Anschluß an eine noch zu
beschreibende weitere Übertragungsleitung verwendet.
Durch die Herstellung der schichtartigen
Übertragungsleitung durch ein derartiges Verfahren, wie bei
diesem Ausführungsbeispiel beschrieben ist, wird ein
Anschluß zwischen Übertragungsleitungen mit einer
reduzierten Unregelmäßigkeit der Impedanz wie folgt
möglich.
Ein Verfahren zum Anschluß der schichtartigen
Übertragungsleitung an die Übertragungsleitung auf der
anzuschließenden Seite wird nachstehend beschrieben. Die
Übertragungsleitung auf der anzuschließenden Seite ist bei
diesem Ausführungsbeispiel eine Übertragungsleitung nach
der Bauart mit hochdielektrischem Substrat, wie eine
koplanare Leitung oder eine in Fig. 3A und 3B angedeutete
Mikrostreifenleitung. Diese Bauart der schichtartigen
Übertragungsleitung kann willkürlich mit einer beliebigen
Art von Übertragungsleitung auf der anzuschließenden Seite
kombiniert werden. Das vorliegende Ausführungsbeispiel wird
anhand des Beispiels der Kombination einer Leitung (auf der
anzuschließenden Seite) und einer Mikrostreifenleitung (auf
der Schichtseite) dargestellt.
Unter Bezugnahme auf Fig. 4 ist eine schichtartige
Übertragungsleitung 10 eine unter Verwendung des vorstehend
beschriebenen Verfahrens hergestellte aufgehängte Leitung
und weist eine Übertragungsleitung und (nicht dargestellte)
Massepunkte auf, die so angeordnet sind, daß eine Lücke
sowohl auf den oberen als auch auf den unteren Seiten der
Übertragungsleitung verbleibt. Eine
Übertragungsleitungsstruktur 14 wird auf einem 13 µm dicken
Schichtsubstrat 12 aus Polyimid mit einer Schichtdicke von
annähernd 18 µm aus Kupfer ausgebildet. Ein Teil der von
dem Schichtsubstrat 12 als Folge der Ätzverarbeitung
freigelegten (überstehenden) Struktur bildet einen
freigelegten Anschlußabschnitt 16 aus. (Nicht dargestellte)
Masseelemente sind sowohl auf den oberen als auch auf den
unteren Seiten des Schichtsubstrates 12 angeordnet und aus
einem elektrisch leitenden Werkstoff wie Aluminium
ausgebildet. Das Schichtsubstrat 12 wird sodann zwischen
den Masseelementen angeordnet. Das Schichtsubstrat 12 und
die Leitungsstruktur erhalten die ausgebildeten Lücken
zwischen den Masseelementen und ihnen selbst aufrecht. Für
diese Aufrechterhaltung der Lücken weist das
Schichtsubstrat 12 Harzpunkte 18 (Dicke: etwa 100 µm) als
Abstandshalter an vielen Stellen jeder Seite auf.
Ein monolithisch integrierter Mirkrowellenschaltkreis 20
(MMIC) ist grundsätzlich eine Mirkrostreifenleitung, kann
aber ebenso eine koplanare Leitung auf einem Bereich in der
Nähe eines Übergangs zu der Schichtseite hin sein. Die
obere Oberfläche eines hochdielektrischen Substrates 22 aus
Aluminiumoxid wird durch eine Übertragungsleitungsstruktur
24 (aus Gold) gebildet, und die untere Oberfläche davon ist
mit einer Massegoldschicht 26 bedeckt. Die Schichtdicke der
Leitungsstruktur 24 und der Masseschicht 26 beträgt
ungefähr 1,5 µm. Sowohl die Leitungsstruktur 24 als auch
die Masseschicht 26 können aus Aluminium ausgebildet sein.
Aufgrund ihrer Beziehung zu einem innerhalb des
hochdielektrischen Substrats 22 angeordneten (nicht
dargestellten) integrierten Schaltkreis ist es jedoch
erforderlich, daß ein geeigneter Werkstoff verwendet wird.
Daher kann beispielsweise ein Kupferwerkstoff nicht
verwendet werden. Ein Teil der Masseschicht 26 dehnt sich
entlang einer Seite einer Kante des Substrates 22 nach oben
hin aus und dreht sich um die Kante zu der oberen
Oberfläche des Substrates hin. Dies bildet ein Masseelement
28 auf der oberen Oberfläche in einem Grenzbereich des
Substrates aus, wo folglich die koplanare Leitung gebildet
wird.
Wie in Fig. 5 gezeigt ist, wird die schichtartige
Übertragungsleitung 10 so angeordnet, daß der freigelegte
Anschlußabschnitt 16 davon überlappt, und die
Übertragungsleitungsstruktur 24 auf der anzuschließenden
Seite wird in Anbetracht der Tatsache angeordnet, daß das
Schichtsubstrat 12 nicht mit dem Substrat auf der
anzuschließenden Seite überlappt, d. h. mit dem
hochdielektrischen Substrat 22. Eine
Verbindungsverarbeitung wird sodann von der Seite des
freigelegten Anschlußabschnittes 16 auf die beiden
überlappten Leitungsstrukturen angewendet.
Die Werkstoffe der beiden Übertragungsleitungen sind jedoch
voneinander verschieden, da der Werkstoff der
Übertragungsleitung auf der Schichtseite Kupfer ist und der
Werkstoff der Übertragungsleitung auf der
hochdielektrischen Seite Gold oder Aluminium ist. Vor der
Verbindungsverarbeitung wird der freigelegte
Anschlußabschnitt 16 der Übertragungsleitungsstruktur 14
auf der Schichtseite einer Goldmetallisierung unterzogen,
damit der Anschluß zwischen den verschiedenen Werkstoffen
sichergestellt ist. Die Goldmetallisierung wird über eine
Nickelmetallisierung angewendet, damit eine Verträglichkeit
mit dem Kupferwerkstoff erzielt wird, und sie kann auf jede
Oberfläche des freigelegten Anschlußabschnittes 16
angewendet werden (und kann auf beide Oberflächen
angewendet werden).
Die beiden Substrate werden derart angeordnet, daß die
Oberfläche des freigelegten Anschlußabschnittes 16 auf der
der Goldmetallisierung unterworfenen Seite der
Übertragungsleitungsstruktur 24 des monolithisch
integrierten Mirkrowellenschaltkreises 20 gegenübersteht.
Ein Thermokompressionsverbindungsvorgang wird auf den
Übergang angewendet, an dem sich die beiden Strukturen
überlappen. Der Thermokompressionsverbindungsvorgang wird
durchgeführt, indem der Übergang auf eine vorbestimmte
Temperatur erwärmt wird, durch ein (nicht dargestelltes)
Werkzeug belastet wird, und indem der Übergang mit
Ultraschallwellen bestrahlt wird. Eine Ausführung der
Bestrahlung mit Ultraschallwellen von der Seite des
freigelegten Anschlußabschnittes 16 aus erlaubt eine
unmittelbare Bestrahlung ohne Einfluß des Schichtkörpers.
Bei diesem Ausführungsbeispiel können andere Verfahren
bevorzugt angewendet werden, wie sie in Fig. 6 beschrieben
sind. Die Übergangsart B aus Fig. 6 entspricht dem
vorstehend beschriebenen Verbindungsvorgang. Bei der
Übergangsart A wird eine Goldstiftanschlußverarbeitung auf
den Übergang der Übertragungsleitung 24 auf der Seite des
monolithisch integrierten Mikrowellenschaltkreises
angewendet, und eine Goldmetallisierung oder
Zinnmetallisierung wird auf die Seite der aufgehängten
Leitung als Vorverarbeitung für den Verbindungsvorgang
angewendet.
Unter Bezugnahme auf Fig. 7 wird ein ein
Stiftanschlußverbinder genanntes Werkzeug für die
Stiftanschlußverarbeitung verwendet. Bei dieser
Verarbeitung bildet eine aus einem Ausguß ausgetropfte
kleine Menge Gold eine sphärische Gestalt aus, wie es in
der Figur dargestellt ist, und das in sphärischer Gestalt
ausgebildete Gold wird gegen die
Übertragungsleitungsstruktur 24 gedrückt. Der Goldwerkstoff
wird daraufhin auf die Seite der Struktur 24 übertragen und
bildet eine Masse in der Gestalt eines Knopfes. Diese Masse
ist ein Stiftanschluß.
Ein Thermokompressionsverbindungsvorgang wird ebenfalls bei
der Übergangsart A durchgeführt. Die schichtartige
Übertragungsleitung 10 und der monolithisch integrierte
Mirkrowellenschaltkreis 20 sind derart angeordnet, daß ein
Goldstifanschluß auf dem Übergang und der freigelegte
Anschlußabschnitt 16 (Metallisierungsabschnitt) auf der
Schichtseite einander zugewandt sind, wobei sie zueinander
tangential liegen. Eine Erwärmung auf die vorbestimmte
Temperatur, das Auferlegen einer Last und die Bestrahlung
mit Ultraschallwellen werden durchgeführt. Der hier
angegebene Verbindungsvorgang ist eine Anwendung der
Technologie zum Ausbilden von Gehäusen für integrierte
Schaltkreise.
Eine Aluminiumverdampfungsverarbeitung wird auf dem
freigelegten Anschlußabschnitt 16 als Vorverarbeitung bei
der Übergangsart C aus Fig. 6 ausgeführt, wobei ein
Ultraschallverbindungsvorgang unter Verwendung von
Aluminium als Medium durchgeführt wird. Bei dem
Ultraschallverbindungsvorgang wird der Erwärmungsschritt
von dem vorstehen angeführten
Thermokompressionsverbindungsvorgang weggelassen. Mit dem
freigelegten Anschlußabschnitt 16 und der Leitungsstruktur
24 auf der anzuschließenden Seite in überlappender
Anordnung wird eine Belastung aufgebracht und die
Ultraschallwellen werden zugeführt.
Bei jeder Übergangsart A, B oder C kann die Vorverarbeitung
der Seite mit der aufgehängten Leitung auf jede Oberfläche
des freigelegten Anschlußabschnittes 16 angewendet werden
(und kann auf beide Oberflächen angewendet werden). Der
Verbindungsvorgang wird in einem derartigen Lageverhältnis
durchgeführt, daß die vorverarbeitete Seite der
Leitungsstruktur auf der Seite des monolithisch
integrierten Mikrowellenschaltkreises zugewandt ist.
Bei diesem Ausführungsbeispiel kann eine beliebige der
Übergangsarten A, B und C angewendet werden, aber die
Zuverlässigkeit steigt in der alphabethischen Reihenfolge,
wie in Fig. 6 gezeigt. Darüber hinaus kann der Werkstoff
auf der Leitungsstruktur 24 auf der Seite des monolithisch
integrierten Mikrowellenschaltkreises entweder Gold oder
Aluminium bei einer beliebigen der Übergangsarten A, B und
C sein.
Fig. 8 zeigt eine Schnittansicht zur Darstellung des
Anschlusses zwischen der schichtartigen Übertragungsleitung
10 und des monolithisch integrierten
Mirkrowellenschaltkreises 20 in der vorstehend angeführten
Weise. Der Verbindungsvorgang wird auf einen Bereich
angewendet, wo der freigelegte Anschlußabschnitt 16 die
Übertragungsleitung auf der Seite des monolithisch
integrierten Mikrowellenschaltkreises überlappt. Dies ist
als Flächenanschluß bekannt, was einen Anschlußzustand
ausdrückt, bei dem die Oberflächen der beiden
Leitungsstrukturen einander zugewandt sind. Die
Unregelmäßigkeit der Impedanzcharakteristik ist reduziert,
da kein Goldstreifenleiter verwendet wird. Zusätzlich
überlappt das Schichtsubstrat 12 das hochdielektrische
Substrat 22 nicht. Auch das reduziert die
Impedanzunregelmäßigkeit. Daher ist es möglich, eine
Reduktion bei dem Übertragungsverlust zu erreichen, indem
die Unregelmäßigkeit der Impedanz wirkungsvoller als beim
Stand der Technik reduziert wird und die Reflexion von
Signalen unterdrückt wird.
Weiterhin erlaubt dieses Ausführungsbeispiel den Erhalt
einer hohen Zuverlässigkeit. Unter der Annahme, daß der
Verbindungsvorgang durch die Vorbereitung einer
Strukturoberfläche durchgeführt wird, wobei der freigelegte
Anschlußabschnitt 16 nicht ausgebildet wird, und man die
Strukturoberfläche einem hochdielektrischen Substrat
gegenüberstehen läßt (einem Zustand bei dem das
Schichtsubstrat aus Fig. 1 aus dem Stand der Technik
umgedreht wird), könnte der Flächenanschluß erzielt werden.
Aufgrund der Tatsache, daß das Aufbringen einer Belastung
und die Bestrahlung mit Ultraschallwellen durch den Körper
des Schichtsubstrates durchgeführt werden, erhöht dieser
Verbindungsvorgang jedoch die Wahrscheinlichkeit der
Abschwächung der Bindungskraft. Im Gegensatz dazu wird
gemäß diesem Ausführungsbeispiel das Schichtsubstrat
beseitigt. Folglich kann die Erwärmung, die Aufbringung
einer Belastung und die Bestrahlung mit Ultraschallwellen
während dem Verbindungsvorgang von der Seite des
freigelegten Anschlußabschnittes 16 aus unmittelbar auf den
Anschußabschnitt angewendet werden. Dies führt dazu, daß
beide Strukturoberflächen leicht aneinander angeschlossen
werden können, während die Unregelmäßigkeit der Impedanz
reduziert wird, die Verbindung stärker wird und die
Bindungszuverlässigkeit steigt.
Zusätzlich entsteht der Vorteil einer geringen Teileanzahl,
da gemäß diesem Ausführungsbeispiel kein Goldstreifenleiter
erforderlich ist.
Wie vorstehend beschrieben ist, wird ein
freigelegter Anschlußabschnitt 16 ausgebildet, indem ein
Schichtsubstrat 12 durch beispielsweise Laserätzen
teilweise entfernt wird, während eine
Übertragungsleitungsstruktur 14 verbleibt. Eine
schichtartige Übertragungsleitung 10 wird derart
angeordnet, daß der freigelegte Anschlußabschnitt 16 und
eine Übertragungsleitungsstruktur 24 auf der
anzuschließenden Seite überlappt werden. Auf die zwei
überlappten Leitungsstrukturen wird ein Verbindungsvorgang
wie beispielsweise ein Thermokompressionsverbindungsvorgang
angewendet. Da kein Goldstreifenleiter verwendet wird und
ein Überlappen eines hochdielektrischen Substrats 22 und
des Schichtsubstrats 12 unnötig ist, wird eine
Impedanzunregelmäßigkeit reduziert. Dies ermöglicht die
Ausführung eines Verbindungsvorgangs ohne einen Einfluß
durch das Schichtsubstrat 12, und es kann eine Verbindung
hoher Zuverlässigkeit erzielt werden.
Claims (10)
1. Verfahren zur Herstellung einer schichtartigen
Übertragungsleitung (10), mit den Schritten
Ausbildung einer Übertragungsleitungsstruktur (14) auf einem Schichtsubstrat (12); und
Ausbildung eines Teils, bei dem die Übertragungsleitungsstruktur (14) von dem Schichtsubstrat (12) als ein freigelegter Anschlußabschnitt (16) zum Anschluß einer weiteren Übertragungsleitung (20) freigelegt ist, indem das Schichtsubstrat (12) teilweise entfernt wird, während die Übertragungsleitungsstruktur (14) verbleibt.
Ausbildung einer Übertragungsleitungsstruktur (14) auf einem Schichtsubstrat (12); und
Ausbildung eines Teils, bei dem die Übertragungsleitungsstruktur (14) von dem Schichtsubstrat (12) als ein freigelegter Anschlußabschnitt (16) zum Anschluß einer weiteren Übertragungsleitung (20) freigelegt ist, indem das Schichtsubstrat (12) teilweise entfernt wird, während die Übertragungsleitungsstruktur (14) verbleibt.
2. Verfahren zum Anschluß einer schichtartigen
Übertragungsleitung (10), die durch eine
Übertragungsleitungsstruktur (14) gebildet wird, welche auf
einem Schichtsubstrat (12) zu einer Übertragungsleitung
(20) auf einer anzuschließenden Seite ausgebildet ist, das
Verfahren ist versehen mit den Schritten
Anordnen der schichtartigen Übertragungsleitung (10) mit einem freigelegten Anschlußabschnitt (16), bei dem die Übertragungsleitungsstruktur (14) von dem Schichtsubstrat (12) derart freigelegt ist, daß der freigelegte Anschlußabschnitt (16) davon eine Übertragungsleitungsstruktur (24) auf der anzuschließenden Seite überlappt; und
Anwenden eines Verbindungsvorgangs auf den überlappten Abschnitt der Seite des freigelegten Anschlußabschnitts (16).
Anordnen der schichtartigen Übertragungsleitung (10) mit einem freigelegten Anschlußabschnitt (16), bei dem die Übertragungsleitungsstruktur (14) von dem Schichtsubstrat (12) derart freigelegt ist, daß der freigelegte Anschlußabschnitt (16) davon eine Übertragungsleitungsstruktur (24) auf der anzuschließenden Seite überlappt; und
Anwenden eines Verbindungsvorgangs auf den überlappten Abschnitt der Seite des freigelegten Anschlußabschnitts (16).
3. Verfahren nach Anspruch 2, zudem mit den Schritten
Anhaften von Gold oder Aluminium auf den freigelegten Anschlußabschnitt (16) der schichtartigen Übertragungsleitung (10), und
Überlappen von dem freigelegten Anschlußabschnitt (16) mit dem daran angehafteten Gold oder Aluminium und von der auf einem hochdielektrischen Substrat (22) auf der anzuschließenden Seite ausgebildeten Übertragungsleitungsstruktur (24) aus Gold oder Aluminium, und Durchführen eines Thermokompressionsverbindungsvorgangs oder eines Ultraschallverbindungsvorgangs.
Anhaften von Gold oder Aluminium auf den freigelegten Anschlußabschnitt (16) der schichtartigen Übertragungsleitung (10), und
Überlappen von dem freigelegten Anschlußabschnitt (16) mit dem daran angehafteten Gold oder Aluminium und von der auf einem hochdielektrischen Substrat (22) auf der anzuschließenden Seite ausgebildeten Übertragungsleitungsstruktur (24) aus Gold oder Aluminium, und Durchführen eines Thermokompressionsverbindungsvorgangs oder eines Ultraschallverbindungsvorgangs.
4. Verfahren nach Anspruch 1, wobei bei dem Schritt zum
teilweisen Entfernen des Schichtsubstrats (12) Laserätzen
durchgeführt wird.
5. Verfahren nach Anspruch 2, wobei die Übertragungsleitung
(20) auf der anzuschließenden Seite eine
Übertragungsleitung in einer Bauart mit hochdielektrischem
Substrat (22) ist.
6. Verfahren nach Anspruch 3, wobei eine Goldmetallisierung
auf den freigelegten Anschlußabschnitt (16) angewendet
wird.
7. Verfahren nach Anspruch 3, wobei eine
Aluminiumverdampfungsverarbeitung auf den freigelegten
Anschlußabschnitt (16) angewendet wird.
8. Verfahren nach Anspruch 3, wobei eine Goldmetallisierung
oder eine Verzinnungsverarbeitung auf den freigelegten
Anschlußabschnitt (16) angewendet wird und zudem ein
Goldstiftanschluß auf der Übertragungsleitungstruktur (24)
auf der anzuschließenden Seite ausgebildet wird.
9. Verfahren zur Herstellung eines
Hochfrequenzschaltkreises, der eine schichtartige
Übertragungsleitung (10) und eine Übertragungsleitung (20)
auf einer anzuschließenden Seite beinhaltet, die aneinander
angeschlossen sind, das Verfahren ist versehen mit den
Schritten
Herstellen einer schichtartigen Übertragungsleitung (10) durch Ausbilden einer Übertragungsleitungsstruktur (14) auf einem Schichtsubstrat (12);
Ausbilden eines freigelegten Anschlußabschnitts (16) wo die Übertragungsleitungsstruktur (14) von dem Schichtsubstrat (12) freigelegt ist, indem das Schichtsubstrat (12) teilweise entfernt wird, während die Übertragungsleitungsstruktur (14) verbleibt;
Anordnen der schichtartigen Übertragungsleitung (10) und der Übertragungsleitung (20) auf der anzuschließenden Seite derart, daß der freigelegte Anschlußabschnitt (16) und die Übertragungsleitungsstruktur (24) auf der anzuschließenden Seite überlappt werden; und
Anwenden eines Verbindungsvorgangs auf den überlappten Abschnitt von der Seite des freigelegten Anschlußabschnitts (16).
Herstellen einer schichtartigen Übertragungsleitung (10) durch Ausbilden einer Übertragungsleitungsstruktur (14) auf einem Schichtsubstrat (12);
Ausbilden eines freigelegten Anschlußabschnitts (16) wo die Übertragungsleitungsstruktur (14) von dem Schichtsubstrat (12) freigelegt ist, indem das Schichtsubstrat (12) teilweise entfernt wird, während die Übertragungsleitungsstruktur (14) verbleibt;
Anordnen der schichtartigen Übertragungsleitung (10) und der Übertragungsleitung (20) auf der anzuschließenden Seite derart, daß der freigelegte Anschlußabschnitt (16) und die Übertragungsleitungsstruktur (24) auf der anzuschließenden Seite überlappt werden; und
Anwenden eines Verbindungsvorgangs auf den überlappten Abschnitt von der Seite des freigelegten Anschlußabschnitts (16).
10. Verfahren nach Anspruch 9, wobei bei dem Schritt zum
teilweisen Entfernen des Schichtsubstrats (12) Laserätzen
durchgeführt wird.
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