DE2058641A1 - Datenspeichersystem - Google Patents

Description

LICENTIA

Patent-Verwaltungs-GmbH

6000 Frankfurt (Main) 70, Theodor-Stern-Kai 1

Ulm (Donau), 26, November 19*70

PT-UL/Rl/mj

UL 70/206

"Datenspeichersystem"

Die Erfindung "betrifft ein Datenspeichersystem,· bei dem eine sehr große Anzahl von gleichen Speicherelementen zu einem Speicher derart zusammengefaßt ist, daß Wörter mit jeweils vorgegebener Bitzahl gespeichert werden, wobei aufgrund des Herstellungsprozesses der Speicherelemente ein Teil derselben unbrauchbar ist, bei dem für jedes Wort über die vorgegebene Bitzahl hinaus zusätzliche Speicherelemente vorgesehen sind, deren Anzahl entsprechend der Anzahl der für das Wort zu erwartenden unbrauchbaren Speicherelemente gewählt ist,bei dem Maßnahmen getroffen sind, unbrauchbare Speicherelemente von der Benutzung auszuschließen.

Gemäß einem älteren Vorschlag (Patentanmeldung P 19 31 524.3) ist vorgesehen, bei dem eingangs erwähnten Datenspeichersystem beim Einschreiben eines Worts in den Speicher die-

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jenigen Bits, die mittels eines unbrauchbaren Speicherelements gespeichert werden sollen, auf das nächstfolgende brauchbare Speicherelement zu verschieben.

Es war Aufgabe der Erfindung, einen anderen Weg anzugeben, durch den die unbrauchbaren Speicherelemente von der Benutzung ausgeschlossen werden.

Diese Aufgabe wird durch die im Anspruch 1 angegebene Erfindung gelöst. Vorteilhafte Weiterbildungen der Erfindung sind in den Unteransprüchen beschrieben.

Die Erfindung wird im folgenden in Ausführungsbeispielen anhand der Zeichnungen erläutert. E3 zeigen Figur 1 ein Übersichtsschaltbild einer erfindungsgemäßen Anordnung, Figur 2 eine Detailschaltung aus Figur 1, die dann brauchbar ist, wenn für jedes Speicherwort ein einziges zusätzliches Speicherelement vorgesehen ist, Figur 3 eine weitere Detailschaltung, Figur 4- eine Detailschaltung, die dann brauchbar ist, wenn für jedes Speicherwort drei zusätzliche Speicherelemente vorgesehen sind, Figur 5 eine Detailschaltung aus Figur 4_f Figur 6 zeigt eine weitere erfindungsgemäße Anordnung.

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ORIGINAL INSPECTED

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Figur 1 zeigt einen Speicher Sp, der N Worte mit je sieben Bit Länge speichern kann, Zur Vereinfachung der Zeichnung sind hiervon jedoch nur zwei Worte zeichnerisch dargestellt, es handelt sich hierbei -um die Speicherelemente E11 - El? und E2i - E2?. Sie einzelnen Worte sind durch eine Decodier- und Ansteuerschaltung D ansteuerbar, zum Auslesen sind die Ausgänge der Speicherelemente ΕΉ, E21, ..,, E Ni miteinander -verbunden, in gleicher Weise die Ausgänge der Speicherelemente El2, E22 .,„. Έ Έ2 usw. Im geschilderten Beispiel hat jedes Speicherelement zwei Ausgänge, die gemeinsamen Ausgangsleitungen der jeweils in einer Spalte angeordneten Speicherelemente sind mit al, ä°T, a2, a2~ usw, bezeichnet. 3?ür jedes Wort des Speichers sind Reservespeicherelemente vorgesehen, &emäß einer ersten Ausführungsform der Erfindung ist es zulässig, daß in jedem Speicherwort ein Speicherelement unbrauchbar ist, dann ist für jedes Wort jeweils ein zusätzliches Speicherelement vorgesehen, das in der "Figur 1 mit ZEiI bzw» ZE21 bezeichnet ist. Figur i zeigt außerdem weitere zusätzliche Speicherelemente ZE12, ZE13 "and ZE22, ZE23. Diese zusätzlichen Speicherelemente sind dann vorzusehen, wenn es zulässig sein soll, daß in jedem Speicherwort drei unbrauchbare Speicherelemente vorkommen.

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ORIGINAL INSPECTED

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Die Ausgangsleitungen al, aT usw. führen zu einer Schalteinrichtung S, ebenfalls führen die Ausgangsleitungen der jeweils spaltenweise ausgangsseitig miteinander verbundenen zusätzlichen Speicherelemente zur Schalteinrichtung. Die Ausgangsleitungen b1 - b7 der Schalteinrichtung führen zu sieben Registerzellen RI - R? eines Einspeicher-- und Ausspeicherregisters R.

Im folgenden wird ein Ausführungsbeispiel der Erfindung erläutert, bei dem es zulässig ist, daß in jedem Speicherwort maximal eine unbrauchbare Speicherzelle vorliegt. In diesem Falle sind also die in Figur 1 dargestellten zusätzlichen Speicherelemente ZEI2, ZE13, ZE22, ZE23 usw. nicht erforderlich« Der Speicher ist so ausgebildet, dnß beim Auslesen feststellbar ist, ob die ausgelesene Information von einem zuverlässigen Speicherelement stammt, oder ob das Speicherelement unbrauchbar ist. Diese Untorecheidung kann z. B. auf die folgenden verschiedenen Weisen

Es ist möglich, daß die einer gespeicherten 0 entsprechende Information beim Auslesen auf der einen Ausleseleitung (z. B. al) ein der logischen 0 entsprechendes Potential und auf der anderen Ausleseleitung (aT) ein der logischen

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entsprechendes Potential hervorruft! beim Auslesen einer gespeicherten i sind die oben geschilderten, auf den Leseleitungen erscheinenden Potentiale umgekehrt. Ein unbrauch-. bares Speicherelement macht sich dadurch bemerkbar, daß auf den beiden Ausleseleitungen ein von den oben genannten, Werten abweichendes Potential, z. B. ein der logischen 1 entsprechendes Potential auf beiden Ausleseleitungen, erscheint. Die soeben geschilderte Möglichkeit wird bei der weiteren Erläuterung der Erfindung zugrunde gelegt.

Weitere Möglichkeiten zur Feststellung, ob ein fehlerhaftes Speicherelement vorliegt, wären z, B., die Speichorelemente so zu verändern., daß auf einer einzigen Leitung ein von O und 1 verschiedenes Potential erscheint (in diesem Falle wäre nur eine einzige Ausleseleitung erforderlich) oder aber, daß das Speicherelement auf einer zusätzlichen Leitung dann ein bestimmtes Signal abgabt, wenn das Speicherelement fehlerhaft ist.

Die Schalteinrichtung S ist nun erfindungsgemäß so ausgebildet, daß sie beim Auslesen anhand der an den Ausleseleitungen erscheinenden Signale erkennt, ob und welches Speicherelement dos gerade ausgelesenen Wortes fehlerhaft

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ist, und daß sie anstelle der diesem fehlerhaften Element zugeordneten Information die in dem zusätzlichen Speicherelement ZE11 (falls das Wort E11 - EI7 ausgelesen wurde) gespeicherte Information dem Ausleseregister E zuführt, d. h. also, daß z. B. dann, wenn "beim Auslesen des ersten Wortes sich das Speicherelement E13 ale fehlerhaft erweist, die Informationen der Speicherelemente E11, E12 direkt zu den Registerzellen R1, R2 durchgeschaltet werden, und die Information der Speicherelemente E14- - El7 direkt zu den Registerzellen RM- - R7 durchgeschaltet werden, und daß die im zusätzlichen Speicherelement ZE11 enthaltene Information zur Registerzelle R3 durchgeschaltet wird.

Das zeitlich vorherliegende Einspeichern eines Wortes in den Speicher erfolgt in analoger Weise so, daß dann, wenn wieder angenommen wird, daß das Speicherelement EI3 unhrauch-"bar ist, die Einspeicherung der in den Registorzellen R1, R2 und RM- - R? enthaltenen Information unmittelbar in die diesen Speicherzellen zugeordneten Speichör#öXM»te E11, E12 und E14- - EI7 erfolgt, und daß die in der Registerzolle R3 enthaltene Information dem zusätzlichen Speicherelement ZE11 zugeführt wird.

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Um das Einspeichern fehlerfrei vornehmen zu können, ist es in diesem Falle erforderlich, daß vor oder noch während des Einspeicherns die Schalteinrichtung erkennt, welches der Speicherelemente unbrauchbar ist.

Figur 2 zeigt eine Anordnung, die es gestattet, unter der Annahme, daß höchtiens ein unbrauchbares Speicherelement je "Wort vorliegt, das Auslesen einer gespeicherten Information in der oben geschilderten Weise vorzunehmen. Die Anordnung in Figur 2 enthält eine erste Gruppe von UND-Gattern UT - U7, eine zweite Gruppe von UlTD-Gattorn UV - U7¹, eine dritte Gruppe von UND-Gattern U1 "- U7¹ ', eine Gruppe von ODER-Gattern 01 - 07, ferner ein ODER-Gatter OR mit siehen Eingängen und ein weiteres UND-Gatter UR. Die beiden Eingänge des UND-Gatters U1 sind mit den beiden Ausgangsleitungen al und aT der ersten Spalte des Speichers ■verbunden» In analoger Weise sind die Eingänge der anderen UND-Gatter der ersten Gruppe an den Speicher angeschaltet. Die JLußlöBöiGi't^D-S ^ führt außerdem zu einem Eingang des UND-Gatter U1', dessen anderer (negierter) Eingang mit dem Ausgang des UND-Gatters UI verbunden ist. Der Ausgang des UND-Gatters U1' führt auf einen Eingang des QDER-Gatters 01, dessen anderer Eingang mit dem Ausgang des UND-Gatters U1^f ' verbunden ist. Ein Eingang des UND-Gatters

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U1'' ist mit dem Ausgang des UND-Gattors U1 verbunden, der zweite Eingang des UND-Gatters U1' ' ist mit dem Ausgang des UND-Gatters UR verbundene Der Ausgang des UND-Gatters UI ist ferner mit einem Eingang des ODER-Gatters OR verbunden, dessen Ausgang mit einem Eingang des UND-Gatters UR verbunden ist, während der zweite Eingang dos äatters UR mit der Ausleseleitung rl der zusätzlichen Speicherelemente ZE11, ZE21 usw. verbunden ist. Die Verschaltung der übrigen UND-Gatter U2 - U7, U2¹ - U7¹, U2' ' - U7'' ist in analoger Weise vorgenommen.

Me oben beschriebene Schaltung funktioniert in der folgonden V/eise: Hierfür sei angenommen, daß das dritte Speicherelement des gerade ausgelesenen Wortes unbrauchbar sei, d. h„ also, daß an den Leitungen aj und Ί& ein Potential mit dem Wert 1 erscheint, während an sämtlichen anderen φ Ausleseleitungspaaren jeweils unterschiedliche Werte anliegen, während der Wert, der an der Leseleitung r1 erscheint, je nach der in dem angesteuerten zusätzlichen Speicherelement enthaltenen Information O oder 1 ist. Infolge der Ansteuerung über die Leitungen a5 und "äT liefert das UND-Gatter U3 an seinem Ausgang eine logische 1, während alle anderen UND-Gatter der ersten Gruppe in ihren

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Ausgängen eine logische 0 liefern. Die logische 1 am Ausgang des UND-Gatters U3 wird dem ODER-Gatter OR zugeführt» das das UND-Gatter UR ansteuert, und somit gestattet, daß eine etwa an der Ausleseleitung r1 erscheinende 1 durchgesöhaltet wird. Die logische 1 am Ausgang des UND-Gatters U3 sperrt über den negierten Eingang des UND-Gatters U^¹ die direkte Durchschaltung der ausgeleeenen Information zum ODER-Gatter 0$ und dadurch zur Leitung b3. Statt deaBö«. * wird die von dem zusätzlichen Speicherelement kommende Information, die am Ausgang des UND-Gatters UR erscheint, über das UHD-Gstter U3'^! dem ODER-Gatter 03 zugeführt. Bei sämtlichen anderen angesteuerten Speicherelementen des Speichers sind die diesen zugeordneten UND-Gatter der ersten Gruppe Jeweils gesperrt, die der zweiten Gruppe jeweils leitend, und die der dritten Gruppe jeweils gesperrt, so daß die Information dieser brauchbaren Speicherelemente direkt zu don Ausgangslcitungen b1, b2 und b4 - b7 durch- Λ geschaltet wird.

Figur 3 zeigt (nur für eine Stelle dargestellt) eine Schaltung, wie sie zum Einspeichern von Informationen in den oben geschilderten Speicher brauchbar ist. Es sind hier wieder die UITD-Schaltungen der ersten Gruppe vorgesehen,

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aus Vereinfachungsgründen ist nur das UND-Gatter U1 dargestellt. Es ist eine vierte Gruppe von UND-Gattern U1(4) bis U7(4) vorgesehen, von denen nur das UND-Gatter U1(4) dargestellt ist. Der Ausgang des UND-Gatters U1 führt auf einen Eingang des UND-Gatters U1 (4), der zweite Eingang des UND-Gatters U1(4-) ist mit dem Ausgang der ersten Registerzelle R1 verbunden. Das Register R enthält in diesem Falle diejenige information, die in den Speicher eingespeichert werden soll» Das Einspeichern erfolgt in

die der Weise, da^/iff'Register enthaltene Information über Sperrschaltungen (UND-Gatter) Sp1 und Sp2, deren negierter Eingang mit dom Ausgang dos UND-Gatters U1 verbunden ist, Schreibverstärker Schi und Sch2 und die Leitungen al, "äT usw. den Speicherelementen des angesteuerten Speicherworts zugeführt wird. Das UND-Gatter U1 ist genau wie in dor An ordnung nach Figur 2 mit don beiden Leitungen al und IvT verbunden. Die Gatter für die übrigen Stellen sind in gleicher Weise miteinander verbunden, die Ausgänge der UND-Gatter UI(4·) und U2(4) usvi. sind mit je einem Eingang einer ODER-Schaltung O verbunden, deren Ausgang mit den zusätzlichen Speicherelementen ZEH, ZE21 usw. verbunden ist.

Erfolgte vor dem Einspeichern ein Auslesen. ε;ο zeigt bei einem unbrauchbaren Speicherelement der Ausgang des ent-

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sprechenden UUD-Gatters der ersten Gruppe eine logische 1, Dieser Wert wird so lange gehalten, wie der Wortauswahlimpuls anliegt„ Er muß also so lange "bemessen werden, daß, wenn z. B. das erste Speicherelement des angesteuerten Wortes unbrauchbar ist und daher "beim Auslesen das UND-Gatter U1 ausgangsseitig eine 1 liefert, falls die Registerzelle R1 eine 1 enthält, diese Information über das UND-Gatter U1(4) und das ODER-Gatter 0 dem zusätzlichen Speicherelement des angesteuerten Worts zugeführt wird. War in der Speicherzelle RI eine 0 enthalten, so erfolgt keine Durchschaltung des UND-Gatters U1(4), es muß daher sichergestellt sein, daß entweder vor Beginn des Einschreibens die zusätzlichen Speicherelemente alle auf 0 gesetzt sind, oder daß stets dann, wenn das ODER-Gatter 0 boim Schreiben eine 0 abgibt, das entsprechende zusätzliche Speicherelement auf 0 gestellt wird.

Es ist möglich, die Peststellung, ob ein Speicherelement des angesteuerten Worts unbrauchbar ist, auch während der Efaspeicherung ins Speicherwort vorzunehmen. Diese Feststellung ergibt sich aus der Tatsache, daß beim Anliegen eines Wortabfrageimpulses, wenn nur der Schreibimpuls ein wenig verzögert wird, die unbrauchbare Speicherzelle an

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"beiden Ausgangsleitungen den Vert 1 liefert und. hierdurch die den Schreibverstärkern vorgeschalteten Gatter sperrt. Zugleich wird das entsprechende UND-Gatter U1(4-) durchgeschaltet und die in der entsprechenden Registerzelle enthaltene Information kann dem zusätzlichen Speicherelement zugeführt werden« Auch nach "beendetem Schreibvorgang ist die Feststellung eines unbrauchbaren Elements möglich. Liegt die im Register R enthaltene Information lange genug an, so kann auch nachträglich die nicht gespeicherte Information in die zusätzliche Zelle übertragen werden.

Im folgenden wird ein Ausführungsbeispiel der Erfindung erläutert, in dem es zulässig ist, daß in einem Speicherwort maximal drei Speicherelemente unbrauchbar sind? bei der Betrachtung der Figur 1 ist nun also davon auszugehen, daß auch die dort gezeigten zusätzlichen. Speicherelemente ZE12, ZE13, ZE22, ZE23 usw. vorzusehen sind.

Figur 4 zeigt eine Anordnung, die zum Auslesen aus einem derartig ausgebildeten Speicher brauchbar ist. Die Anordnung nach Figur 4 ist der Anordnung nach Figur 2 sehr ähnlich, sie unterscheidet sich lediglich darin, daß die

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Ausgänge der UND-Gatter der ersten Gruppe nicht zu einem gemeinsamen ODER-Gatter OR geführt sind, sondern zu den Eingängen eines Netzwerks N führen} diejenigen Eingänge der UND-Gatter der dritten Gruppe, die nicht jeweils mit dem Ausgang des entsprechenden UND-Gatters der ersten Gruppe verbunden sind, sind hier nicht untereinander- verbunden, sondern einzeln zu je einem Ausgang des Netzwerks N geführt. Das Netzwerk N hat drei weitere Eingänge, deren j erster mit der Ausleseleitung rl der zusätzlichen Speicherelemente der ersten Spalte verbunden sind, deren zweiter dementsprechend mit der gemeinsamen Leseleitung r2 der zusätzlichen Speicherelemente, die in der zweiten Spalte angeordnet sind, verbunden ist, und deren dritter mit der graeinsamen Ausgangsleitung r3 der restlichen zusätzlichen Speicherelemente verbunden ist.

Zur Erläuterung sei angenommen, daß das zweite, vierte

und fünfte Speicherelement des gerade angesteuerten Worts % unbrauchbar ist, die zeitlich davor liegende Einspeicherung

sein«

soll so vorgenommen worden/ daß die für das zweite Speicherelement bestimmte Information dem ersten zusätzlichen Speicherelement, die fürs vierte Speicherelement bestimmte Information dem zweiten zusätzlichen Speicherelement, und

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die fürs fünfte Speicherelement bestimmte Information dem dritten zusätzlichen Speicherelement zugeführt wurde. Beim Auslesen wird nun ähnlich wie anhand der Figur 2 bereits geschildert wurde, festgestellt, welche Speicherelemente unbrauchbar eind. Das Netzwerk ΪΓ ist so ausgebildet, daß es den einzelnen UND-Gattern der dritten Gruppe, die den entsprechenden unbrauchbaren Speicherelementen zugeordnet sind, jeweils diejenige der an den Ausgangsleitungen r1 - r3 erscheinenden Information zuführt, die dem betreffenden unbrauchbaren Speicherelement zugeordnet ist. Die Zuordnung beim Einspeichern und Auslesen durch das Netzwerk N kann zweckmäßigerweise in der Weise erfolgen, daß das erste zusätzliche Speicherelement demjenigen unbrauchbaren Speicherelement zugeordnet wird, das am weitesten links steht, daß das zweite zusätzliche Speicherelement

unbrauchbaren dem nächsten sich rechts anschließenden/Speicherelement zugeordnet ist; analoges gilt für die Zuordnung des dritten zusätzlichen Speichereiements.

Figur 5 zeigt ein Ausführungsbeispiel einer Schaltungeanordnung, die dann brauchbar ist, wenn in einem Speicherwort vier Bits gespeichert werden sollen, wobei pro Wort insgesamt höchstens drei defekte Speicherelemente zu-

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lässig sind. Die Schaltungsanordnung enthält eine zweite Gruppe von ODER-Gattern 02, eine dritte Gruppe von ODER-Gattern 03, eine vierte Gruppe von ODER-Gattern 04. Außerdem sind in der Schaltungsanordnung zahlreiche UND-Gatter

und

vorgesehen, deren Verbindung untereinander/mit den ODER-Gattern aus der Zeichnung hervorgeht„ Die einzelnen Gruppen von ODER-Gattern bilden zusammen mit donmchgcschalteten UND-Gattern jeweils eine Erste-1-von-Links-Schaltung, Der Ersten-i-von-Links-Schaltung (ODER-Gruppo 02) werden über die Leitungen f1 - f7 die Signale zugeführt, die ausdrücken, daß eines der angesteuerten Speicherelemente fehlerhaft ist. In Figur 5 sind drei Eingangsleitungen f1 - f? mit einer logischen L versehen, was andeutet, daß die entsprechenden Speicherelemente unbrauchbar sind. Die Verknüpfung der einzelnen Erste-1-von-Lins-Schaltungen ist nun so getroffen, daß an der zweiten Erste-i-von-Links-Schaltung (ODER-Gruppe 05) die erete Ί von links, die der ODER-Gattergruppe 02 zugeführt wurde, nicht mehr wirksam ist, und daß bei der dritten Erste-1-von-Links-Schaltung (ODER-Gruppe 04) sowohl die erste als auch die zweite 1 von links der der ersten ODER-Gruppe zugeführten 1-Signale nicht mehr wirksam ist. Wie sich leicht feststellen läßt, bewirkt die Schaltungsanordnung nach Figur 5 ein Durchschalten

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der an der Leitung rl anliegenden vom ersten zusätzlichen Speicherelement stammenden Information zu derjenigen Ausgangsleitung, die dem ersten fehlerhaften Speicherelement von links zugeordnet ist, während die an der Eingangsleitung r2 liegende Information, die vom zweiten zusätzlichen Speicherelement stammt, zu der Ausgangsloitung geführt wird, die dem zweiten unbrauchbaren Speicherelement zugeordnet ist; analoges gilt für die Durchschaltung der von der Leitung r3 erscheinenden Information.

Schalteinrichtungen S, die das Auftreten von z_% B. drei unbrauchbaren Speicherelementen in einem Wort zulassen (vgl. Figur 5), sind sehr viel aufwendiger als eine Schalteinrichtung, die nur das Auftreten eines einzigen unbrauchbaren Speicherelements zuläßt (vgl. Figur 2). Außerdem sind bei der letztgenannten Schalteinrichtung die Signaldurchlaufzeiten geringer. Es ist daher unter Umständen vorteilhaft, dann, wenn mit dem Auftreten mehrerer unbrauchbarer Speicherelemente in den einzelnen Worten des Speichers gerechnet wird, die Worte in gleicher Weise in eine derartige Anzahl von Unterworten zu unterteilen, daß in jedem Unterwort nur mehr mit einer bestimmten kleinen Anzahl von unbrauchbaren Speicherelementen, insbesondere z. B. mit einem derartigen Element, gerechnet

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werden muß_o Für diesen letztgenannten Fall ist für jedes Unterwort eine zusätzliche Speicherzelle vorzusehen; die Unterworte sind entsprechend ihrer Stellung im Wort zu Gruppen zusammengefaßt, und für jede derartige Gruppe ist eine Schalteinrichtung vorgesehen, die bewirkt, daß ein unbrauchbares Speicherelement des gerade angesteuerten Unterworts nicht benutzt wird.

Figur 6 zeigt eine derartige Anordnung, zur Vereinfachung ist nur ein einziges Wort zeichnerisch dargestellt_p Es besteht aus zwei Unterwerben E1 - E7 mit dem zusätzlichen Speicherelement ZE1 und E8 - El4· mit dem zusätzlichen Speicherelement ZE2. ZEI kann mit Hilfo der Schalteinrichtung S1 ein im ersten Unterwört enthaltenes unbrauchbares Speicherelement ersetzen, gleiches gilt für das zusätzliche Speicherelement ZE2 bezüglich des zweiten Unterworts, hier dient die Schalteinrichtung S2 zur Feststellung eines etwa vorhandenen'unbauchbaren Speicherelements und zur Vornahme der dadurch erforderlichen Durchschaltungen. Die Ein-/Ausgänge b1 - b7 von S1 sind zu Registerzellen R1 - R7, die Ein-/Ausgänge b8 - b14 zu Registerzellen R8 - RIA eines Ein~/Ausgaberegisters R geführt.

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In den Zeichnungen wurden die Speicher mit wortweicer Ansteuerung mittels einer einzigen Deoodier- und Ansteuerschaltung D dargestellt. Man wird jedoch besondors bei Großspeichern in integrierter Technik bevorzugt die Aufteilung des Speichers in monolithische Bitebenen vornehmen, wobei dazu aus Kontaktierungsgründen und wogen größerer !Fehlersicherheit vorteilhafterweise jeder Bitebene eine eigene Decodier- und Ansteuerschaltung zugeordnet wird.

Bei der Aufteilung des Speichers in Bitebenen ist es auch möglich, die Schalteinrichtung in der Weise auf die einzelnen Bitebenen verteilt unterzubringen, daß einzelno Schaltelemente der Schalteinrichtung auf diejenigen Bitobenon aufgebracht sind, denen sie funktionell zugeordnet sind. In diesem Sinn können z. B. die Gatter U1, UV, UV ' und 01 der Anordnung nach Figur 2 auf derjenigen Bitebene untergebracht werden, die die Speicherelemente für das erste Bit der Speicherworte trägt.

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Claims (6)

2 O 5 8 6 41 hl 70/206 Patentansprüche

1. Datenspeichersystem, bei dem eine sehr große Anzahl von gleichen Speicherelementen zu einem Speicher derart zusammengefaßt ist, daß Wörter mit jeweils vorgegebener Bitzahl gespeichert werden, wobei aufgrund des Herstellungs- (J prozesses der Speicherelemente ein Teil derselben unbrauchbar ist, bei dem für jedes Wort über die vorgegebene Bitzahl hinaus zusätzliche Speicherelemente vorgesehen sind, deren Anzahl entsprechend der Anzahl der für das Wort zu erwartenden unbrauchbaren Speicherelemente gewählt ist, bei dem Maßnahmen getroffen sind, unbrauchbare Speicherelemente von der Benutzung auszuschließen, dadurch gekennzeichnet, daß Schaltmittel vorgesehen sind, die beim Einschreiben diejaige Information, die jeweils _λ

dem v-ten (v = 1 ».. n,n ^>1; η bedeutet Anzahl der zu- ' sätzlichen Speicherelemente im Wort) unbrauchbaren Speicherelemente zugeordnet ist, jeweils in das v-te zusätzliche Speicherelement einspeichern und/oder beim Auslesen anstelle der von dem jeweils v-ten unbrauchbaren Speicherelement gelieferten Information die in dem jeweils v-ten zusätzlichen Speicherelement gespeicherte Information auslosen.

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2„ Datenspeichersystem nach. Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Speicherelemente so aufgebaut und die unbrauchbaren Speicherelemente so verändert sind, daß aufgrund von elektrischen Ausgangsgrößen der Speicherelemente mindestens beim Lesevorgang die Unbrauchbarkeit feststellbar ist, daß die Schaltmittel so eingerichtet sind, daß sie die unbrauchbaren Speicherelemente oinee angesteuerten Worts erkennen und mittels logischer Schaltkreise beim Einschreiben und/oder Auslesen anstelle des jeweils υ-ten unbrauchbaren Speichereiernents das jeweils v-te zusätzliche Speicherelement benutzen.'.

3. Datenspeichorsystem nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Fehlerhäufigkeit dor zusätzlichen Speicherelemente kleiner als die der Speicherelemente ist.

4. D at ensp ei eher sys tem nach einem oder mehreren der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß in jedem Wort höchstens ein unbrauchbares Speicherelement zu erwarten ist, daß gemeinsam dem ersten Speicherelement aller Worte, gemeinsam dem zweiten Speicherelement aller Worte, usw., jeweils eine Erkennungsschaltung zum Erkennen

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eines unbrauchbaren Speichereloments dos gerade angesteuerten Worts, eine erste und eine zweite Durchschalteeinrichtung zugeordnet steil, wobei in Abhängigkeit davon, ob ein unbrauchbares Speicherelement festgestellt wurde oder nicht, die erste Durchschalteeinrichtong die Verbindung zwischen dem Speicherelement und einem Zugang und/oder Ausgang des Speichers unterbricht bzw. horsteilt, und die zweite Durchschalteeinrichtung die Verbindung zwischen dem Eingang und/oder Ausgang und dem zusätzlichen Speicherelement des gerade angesteuerten Worts herstellt bzw, unter-· bricht.

5. Anordnung nach einem oder mehreren dor vorhergohondon Ansprüche zum Einschreiben, dadurch gekennzeichnet, daß für jede Bitstelle eine Einrichtung zur Feststellung der Unbrauchbarkeit vorgesehen ist, daß in Abhängigkeit von einem Ausgangssignal dieser Einrichtung die Zuführung von Schreibsignalen zur Bitstelle sperrbar ist und statt dessen die Schreibsignale air zusätzlichen Speicherzelle leitbar sind, und daß die Zuführung von Schreibsignalen gegenüber dem Wortauswahlimpuls so verzögert ist, daß bei Vorliegen eines unbrauchbaren Speicherelements durch die genannte Sperrung der Schreibsignale das Einschreiben in die unbrauchbare Speicherzelle verhindert werden kann.

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6. Abwandlung eines Datenspeichersystems nach einem oder mehreren der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß mindestens ein Teil der Worte des Speichers in untereinander gleicher Weise so in Unterworte aufgeteilt ist, daß die Anzahl der pro Unterwort zu erwartenden unbrauchbaren Speicherelemente eine bestimmte Zahl, insbesondere 1, nicht überschreitet, daß für ^edea Unterwort eine der Anzahl der zu erwartenden unbrauchbaren Speicherzellen entsprechende Anzahl von zusätzlichen Speicherzellen vorgesehen ist, wobei die zusätzlichen Speicherelemente anstelle der unbrauchbaren Elemente verwendet werden.

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