DE2058641B2 - Datenspeicher - Google Patents
DatenspeicherInfo
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- G11C29/78—Masking faults in memories by using spares or by reconfiguring using programmable devices
- G11C29/84—Masking faults in memories by using spares or by reconfiguring using programmable devices with improved access time or stability
- G11C29/846—Masking faults in memories by using spares or by reconfiguring using programmable devices with improved access time or stability by choosing redundant lines at an output stage
Description
Die Erfindung betrifft einen Datenspeicher, bei dem eine sehr große Anzahl von gleichen Speicherelementen
zu einem Speicher derart zusammengefaßt ist, daß Wörter mit jeweils vorgegebener Bitzahl gespeichert
werden, wobei aufgrund des Herstellungsprozesses der Speicherelemente ein Teil derselben unbrauchbar ist. bei
dem für j^des Wort über die vorgegebene Bitzah! hinaus
zusätzliche Speicherelemente vorgesehen sind, deren Anzahl entsprechend der Anzahl der für das Wort zu erwartenden
unbrauchbaren Speicherelemente gewählt ist, bei dem Maßnahmen getroffen sind, unbrauchbare
Speicherelemente von der Benutzung als Speicherplatz für Daten auszuschließen.
Gemäß einem älteren Vorschlag (Patentanmeldung P 19 31 524.3) ist vorgesehen, bei dem eingangs erwähnten
Datenspeicher beim Einschreiben eines Worts in den Datenspeicher diejenigen Bits, die mittels eines unbrauchbaren
Speicherelements gespeichert werden sollen, auf das nächstfolgende brauchbare Speicherelement
zu verschieben.
Es war Aufgabe der Erfindung, einen anderen Weg anzugeben, durch den die unbrauchbaren Speicherelemente
von der Benutzung ausgeschlossen werden.
Diese Aufgabe wird dadurch gelöst, daß die Speicherelemente so aufgebaut und die unbrauchbaren
Speicherelemente so verändert sind, daß aufgrund von elektrischen Ausgangsgrößen der Speicherelemente
mindestens beim Lesevorgang die Unbrauchbarkeit feststellbar ist, und daß Schaltmittel vorgesehen sind, die
so eingerichtet sind, daß sie die unbrauchbaren Speicherelemente eines angesteuerten Wortes erkennen und
beim Einschreiben oder Lesen derjenigen Information, die jeweils dem y-ten(v=l ...η; η bedeutet Anzahl der
zusätzlichen Speicherelemente im Wort) unbrauchbaren Speicherelemente zugeordnet ist jeweils das v-te zusätzliche
Speicherelement ansteuern. Vorteilhafte Weiterbildungen der Erfindung sind in den Unteransprüchen
beschrieben.
Die Erfindung wird im folgenden in Ausführungsbeispielen anhand der Zeichnungen erläutert. Es zeigt
Fig. 1 ein Übersichtsschaltbild einer erfindungsgemäßen
Anordnung,
Fig. 2 eine Detailschaltung aus Fig. 1, die dann
brauchbar ist, wenn für jedes Speicherwort ein einziges zusätzliches Speicherelement vorgesehen ist,
Fig. 3 eine weitere Detailschaltung,
Fig. 4 eine Detailschaltung, die dann brauchbar ist,
wenn für jedes Speicherwort drei zusätzliche Speicherelemente vorgesehen sind,
Fig. 5 eine Detailschaltung aus Fig. 4,
Fig. 6 zeigt eine Weiterbildung der erfindungsgemäßen
Anordnung.
Fig. 1 zeigt einen Speicher, der N Worte mit je sie-
ben Bit Länge speichern kann. Zur Vereinfachung der
Zeichnung sind hiervon jedoch nur zwei Worte zeichnerisch dargestellt, es handelt sich hierbei um die
Speicherelemente £11 bis £17 und £21 bis £27. Die einzelnen
Worte sind durch eine Decodier und Ansteuerschaltung D ansteuerbar, zum Auslesen sind die Ausgänge
der Speicherelemente £11, £21,... £"M miteinander verbunden, in gleicher Weise die die Ausgänge der
Speicherelemente £12, £22.. £"£2 usw. Im geschilderten
Beispiel hat jedes Speicherelement zwei Ausgänge, die gemeinsamen Ausgangsleitungen der jeweils in
einer Spalte angeordneten Speicherelemente sind mit al, al, a2, Sl usw. bezeichnet. Für jedes Wort des Speichers
sind Reservespeicherelemente vorgesehen. Gemäß einer ersten Ausführungsform der Erfindung ist
es zulässig, daß in jedem Speicherwort ein Speicherelement unbrauchbar ist, dann ist für jedes Wort jeweils ein
zusätzliches Speicherelement vorgesehen, das in der Fig. 1 mit Z£l 1 bzw. ZE21 bezeichnet ist F i g. 1 zeigt
außerdem weitere zusätzliche Speicherelemente ZEi2, ZElZ und Z£22, Z£23. Diese zusätzlichen Speicherelemente
sind dann vorzusehen, wenn es zulässig sein soll, daß in jedem Speicherwon drei unbrauchbare Speicherelemente
vorkommen.
Die Ausgangsleitungen al, al usw. führen zu einer Schalteinrichtung S, ebenfalls führen die Ausgangsleitungen
der jeweils spaltenweise ausgangsseitig miteinander verbundenen zusätzlichen Speicherelemente zur
Schalteinrichtung. Die Ausgangsleitungen bl bis Ul der
Schalteinrichtung führen zu sieben Registerzellen Al bis RJ eines Einspeicher- und Ausspeicherregisters ti
Im folgenden wird ein Ausführungsbeispiel der Erfindung erläutert, bei dem es zulässig ist, daß in jedem
Speicherwort maximal eine unbrauchbare Speicherzelle vorliegt In diesem Falle sind also die in Fig. 1 dargestellten
zusätzlichen Speicherelemente Z£12, Z£11. Z£22, Z£23 usw. nicht erforderlich. Der Speicher ist so
ausgebildet, daß beim Auslesen feststellbar ist, ob die ausgelesene Information von einem zuverlässigen
Speicherelement stammt, oder ob das Speicherelement unbrauchbar ist. Diese Unterscheidung kann z. B. auf die
folgenden verschiedenen Weisen erfolgen
Es ist möglich, daß die einer gespeicherten 0 entsprechende Information beim Auslesen auf der einen Ausleseleitung
(z. B. al) ein der logischen 0 entsprechendes Potential und auf der anderen Ausleseleitung (al) ein der
logischen 1 ertsprechendes Potential hervorruft; beim
Auslesen einer gespeicherten 1 sind die oben geschilderten, auf den Leseleitungen erscheinenden Potentiale
umgekehrt. Ein unbrauchbares Speicherelement macht sich dadurch bemerkbar, daß auf den beiden Aüsleseleitungen
ein von den obengenannten Werten abweichendes Potential, z. B. ein der logischen 1 entsprechendes
Potential auf beiden Ausleseleitungen, erscheint. Die soeben geschilderte Möglichkeit wird bei der weiteren
Erläuterung der Erfindung zugrundegslegt.
Weitere Möglichkeiten zur Feststellung, ob ein fehlerhaftes Speicherelement vorliegt, wären z. B., die
Speicherelemente so zu verändern, daß auf einer einzigen Leitung ein von 0 und 1 verschiedenes Potential erscheint
(in diesem Falle wäre nur eine einzige Ausleseleilung erforderlich) oder aber, daß das Speicherelement
auf einer zusätzlichen Leitung dann ein bestimmtes Signal abgibt, wenn das Speicherelement fehlerhaft ist.
Die Schalteinrichtung S ist nun erfindungsgemäß so ausgebildet, daß sie beim Auslesen anhand der an den
Ausleseleitungen erscheinenden Signale erkennt, ob und welches Speicherelement des gerade ausgelesenen
Wortes fehlerhaft isf, und daß sie anstelle der diesem
. fehlerhaften Element zugeordneten Ißformation die m
dem zusätzlichen Speicherelement Z£ll (falls das Wort
£11 bis £17 ausgelesen wurde) gespeicherte Information
dem Ausleseregister R zuführt, das heißt also, daß z. B.
dann, wenn beim Auslesen des ersten Wortes sich das Speicherelement £13 als fehlerhaft erweist, die Informationen
der Speicherelemente £11, £12 direkt zu den Registerzellen Al, RZ durchgeschallet werden, und dk:
ίο Information der Speicherelemente £14 bis £17 direkt zu
den Registerzellen RA bis R7 durchgeschaltet werden,
und daß die im zusätzlichen Speicherelement Z£ll enthaltene
Information zur Registerzelle RZ durchgeschaltet wird.
Das zeitlich vorherliegende Einspeichern eines Wortss
in den Speicher erfolgt in analoger Weise so, daß dann, wenn wieder angenommen wird, daß das Speicherelement
£13 unbrauchbar ist, die Einspeicherung der in den Registerzellen Rl1 R2 und A4 bis RI enthaltenen Information
unmittelbar in die diesen Speicherzellen zugeordneten Speicherelemente £11, £12 und £14 bis £17
erfolgt, und daß die in der Registerzelle RZ enthaltene Information dem zusätzlichen Speicherelement Z£ll
zugeführt wird.
Um das Einspeichern fehlerfrei vornehmen zu können, ist es in diesem Falle erforderlich, daß vor oder
noch während des Einspeicherns die Schalteinrichtung erkennt, welches der Speicherelemente unbrauchbar ist
F i g. 2 zeigt eine Anordnung, die es gestattet, unter der
Annahme, daß höchstens ein unbrauchbares Speicherelement
je Wort vorliegt, das Auslesen einer gespeicherten Information in der obengeschilderten Weise vorzunehmen.
Die Anordnung in Fig. 2 enthält eine erste Gruppe von UND-Gattern Ul bis UJ, eine zweite
Gruppe von UND-Gattern Ul' bis UJ', eine dritte Gruppe von UND-Gattern Ul" bis UJ", eine Gruppe
von ODER-Gattern Ol bis OJ, ferner ein ODER-Gatter OR mit sieben Eingängen und ein weiteres UND-Gatter
UR. Die beiden Eingänge des UND-Gatters L ί sind mi.
den beiden Ausgangsleitungen al und Sl der ersten Spalte des Speichers verbunden. In analoger Weise sind
die Eingänge der anderen UND-Gatter der ersten Gruppe an den Speicher angeschaltet. Die Ausleseleitung
al führt außerdem zu einem Eingang des UND-Gatters UV, dessen anderer (negierter) Eingang
mit dem Ausgang des UND-Gatters Ul verbunden ist. Der Ausgang des UND-Gatters LJY führt auf einen
Eingang des ODF.R-Gatters Öl. dessen anderer Eingang mit dem Ausgang des UND-Gatters Ul" verbunden ist.
Ein Eingang des UND-Gatters Ul" ist mit dem Ausgang des UND-Gdüers U\ verbunden, der zweite Eingang
des UND-Gatters Ul" ist mit dem Ausgang des UND-Gatters UR verbunden. Der Ausgang des UND-Gatters
Ul ist ferner mit einem Eingang des ODER-Gatters OR
5ά verbunden, dessen Ausgang mit einem Eingang des
UND-Gatters UR verbunden ist, während der zweite Eingang des Gatters UR mit der Ausleseleitung rl der
zusätzlichen Speicherelemente ZEl 1. Z/:21 usw. verbunden ist. Die Verschaltung der übrigen UND-Gatter Ul
bis UJ, U2' bis UJ', Ul" bis UJ" ist in analoger Weise
vorgenommen.
Die oben beschriebene Schaltung funktioniert in der folgenden Weise: Hierfür sei angenommen, daß das
dritte Speicherelement des gerade ausgelesenen Wortes unbrauchbar sei, das heißt also, daß an den Leitungen a3
und <i3 ein Potential mit dem Wert 1 erscheint, während
an sämtlichen anderen Ausleselcitungspaaren jeweils unterschiedliche Werte anliegen, während der Wert, der
an der Leseleitung ή erscheint, je nach der in dem angesteuerten
zusätzlichen Speicherelement enthaltenen Information 0 oder 1 ist. Infolge der Ansteuerung über
die Leitungen a3 und a 3 abliefert das UND-Gatter LB an seinem Ausgang eine logische 1, während alle anderen
UND-Gatter der ersten Gruppe in ihren Ausgängen eine logische 0 liefern. Die logische 1 am Ausgang des
UND-Gatters L3 wird dem ODER-Gatter OR zugeführt, das das UND-Gatter UR ansteuert, und somit gestattet,
daß eine etwa an der Ausleseleitung ή erscheinende 1 durchgeschaltet wird, Die logische 1 am Ausgang
des UND-Gatters Lß sperrt über den negierten Eingang des UND-Gatters LQ' die direkte Durchschaltung
der ausgelesenen Information zum ODER-Gatter O3 und dadurch zur Leitung tß. Statt dessen wird die
von dem zusätzlichen Speicherelement kommende Information, die am Ausgang des UND-Gatters UR erscheint,
über das UND-Gatter U3" dem ODER-Gatter 03 zugeführt. Bei sämtlichen anderen angesteuerten
Speicherelementen des Speichers sind die diesen zugeordneten UND-Gatter der ersten Gruppe jeweils gesperrt,
die der zweiten Gruppe jeweils leitend, und die der dritten Gruppe jeweils gesperrt, so daß die Information
dieser brauchbaren Speicherelemente direkt zu den Ausgangsleitungen bX, bl und M bis £>7 durchgeschaltet
wird,
Fig. 3 zeigt (nur für eine Stelle dargestellt) eine Schaltung, wie sie zum Einspeichern von Informationen
in den oben geschilderten Speicher brauchbar ist. Es sind hier wieder die UND-Schaltungen der ersten Gruppe
vorgesehen, aus Vereinfachungsgründen ist nur das UND-Gatter U\ dargestellt. Es ist eine vierte Gruppe
von UND-Gattern UX (4) bis Ul (4) vorgesehen, von denen nur das UND-Gatter UX (4) dargestellt ist. Der
Ausgang des UND-Gatters UX führt auf einen Eingang des UND-Gatters UX (4), der zweite Eingang des UND-Gatters
UX (4) ist mit dem Ausgang der ersten Registerzelle RX verbunden. Das Register R enthält in diesem
Falle diejenige Information, die in den Speicher eingespeichert werden soll. Das Einspeichern erfolgt in der
Weise, daß die im Register enthaltene Information über Sperrschaltungen (UND-Gatter) SpI und Sp2, deren
negierter Eingang mit dem Ausgang des UND-Gatters UX verbunden ist, und die Leitungen al, al usw. den
Speicherelementen des angesteuerten Speicherworts zugeführt wird. Das UND-Gatter i/1 ist genau wie in der
Anordnung nach F i g. 2 mit den beiden Leitungen al und al verbunden. Die Gatter für die übrigen Stellen
sind in gleicher Weise miteinander verbunden, die Ausgänge der UND-Gatter 171(4) und O2(4) usw. sind mit je
einem Eingang einer ODER-Schaltung O verbunden, deren Ausgang mit den zusätzlichen Speicherelementen
ZEIl, ZElX usw. verbunden ist
Erfolgte vor dem Einspeichern ein Auslesen, so zeigt bei einem unbrauchbaren Speicherelement der Ausgang
des entsprechenden UND-Gatters der ersten Gruppe eine logische 1. Dieser Wert wird so lange gehalten, wie
der Wortauswahlimpuls anliegt Er muß also so lange bemessen werden, daß, wenn z. B. das erste Speicherelement
des angesteuerten Wortes unbrauchbar ist und daher beim Auslesen das UND-Gatter UX ausgangsseitig
eine 1 liefert, falls die Registerzelle Al eine 1 enthält,
diese Information über das UND-Gatter (71(4) und das
ODER-Gatter Odem zusätzlichen Speicherelement des angesteuerten Worts zugeführt wird. War in der
Speicherzelle RX eine 0 enthalten, so erfolgt keine Durchschaltung des UND-Gatters UXW, es muß daher
sichergestellt sein, daß entweder vcr Beginn des Einschreibens die zusätzlichen Speicherelemente alle auf 0
gesetzt sind, oder daß stets dann, wenn das ODER-Gatter O beim Schreiben eine 0 abgibt, das entsprechende
zusätzliche Speicherelement auf 0 gestellt wird.
Es ist möglich, die Feststellung, ob ein Speicherelement des angesteuerten Worts unbrauchbar ist, auch
während der Einspeicherung ins Speicherwort vorzunehmen. Diese Feststellung ergibt sich aus der Tatsache,
daß beim Anliegen eines Wortabfrageimpulses, wenn
ίο nur der Schreibimpuls ein wenig verzögert wird, die unbrauchbare
Speicherzelle an beiden Ausgangsleitungen den Wert 1 liefert und hierdurch die den Schreibverstärkern
vorgeschalteten Gatter sperrt. Zugleich wird das entsprechende UND-Gatter UX(A) durchgeschaltet und
die in der entsprechenden Regisierzelle enthaltene Information kann dem zusätzlichen Speicherelement zugeführt
werden. Auch nach beendetem Schreibvorgang ist die Feststellung eines unbrauchbaren Elements möglich.
Liegt die im Register R enthaltene Information lange genug an, so kann auch nachträglich die nicht gespeicherte
Information in die zusätzliche Zelle übertragen werden.
Im folgenden wird ein Ausführungsbeispiel der Erfindung erläutert, in dem es zulässig ist, daß in einem Speicherwort
maximal drei Speicherelemente unbrauchbar sind; bei der Betrachtung der Fig. 1 ist nun also davon
auszugehen, daß auch die dort gezeigten zusätzlichen Speicherelemente ZEX2, ZEXi, ZE22, ZE23 usw. vorzusehen
sind.
Fig. 4 zeigt eine Anordnung, die zum Auslesen aus einem derartig ausgebildeten Speicher brauchbar ist.
Die Anordnung nach Fig. 4 ist der Anordnung nach Fig. 2 sehr ähnlich, sie unterscheidet sich lediglich
darin, daß die Ausgänge der UND-Gatter der ersten Gruppe nicht zu einem gemeinsamen ODER-Gatter OR
geführt sind, sondern zu den Eingängen eines Netzwerks N führen; diejenigen Eingänge der UND-Gatter der
dritten Gruppe, die nicht jeweils mit dem Ausgang des entsprechenden UND-Gatters der ersten Gruppe verbunden
sind, sind hier nicht untereinander verbunden, sondern einzeln zu je einem Ausgang des Netzwerkes N
geführt. Das Netzwerk N hat drei weitere Eingänge, deren erster mit der Ausleseleitung ή der zusätzlichen
Speicherelemente der ersten Spalte verbunden sind, deren zweiter dementsprechend mit der gemeinsamen
Leseleitung fl der zusätzlichen Speicherelemente, die in
der zweiten Spalte angeordnet sind, verbunden ist, und deren dritter mit der gemeinsamen Ausgangsleitung r3
der restlichen zusätzlichen Speicherelemente verbunden ist.
Zur Erläuterung sei angenommen, daß das zweite, viertelnd fünfte Speicherelement des gerade angesteuerten
Worts unbrauchbar ist, die zeitlich davorliegende Einspeicherung soll so vorgenommen worden sein, daß
die für das zweite Speicherelement bestimmte Information dem ersten zusätzlichen Speicherelement, die fürs
vierte Speicherelement bestimmte Information dem zweiten zusätzlichen Speicherelement, und die fürs
fünfte Speicherelement bestimmte Information dem dritten zusätzlichen Speicherelement zugeführt wurde.
Beim Auslesen wird nun ähnlich, wie anhand der Fig. 2 bereits geschildert wurde, festgestellt, welche Speicherelemente
unbrauchbar sind. Das Netzwerk N ist so ausgebildet daß es den einzelnen UND-Gattern der
dritten Gruppe, die den entsprechenden unbrauchbaren Speicherelementen zugeordnet sind, jeweils diejenige
der an den Ausgangsleitungen rl bis r3 erscheinenden Information zuführt, die dem betreffenden unbrauchba-
ren Speicherelementen zugeordnet ist. Die Zuordnung beim Einspeichern und Auslesen durch das Netzwerk N
kann zweckmäßigerweise in der Weise erfolgen, daß das erste zusätzliche Speicherelement demjenigen unbrauchbaren
Speicherelement zugeordnet wird, das am weitesten links steht, daß das zweite zusätzliche
Speicherelement dem nächsten sich rechts anschließenden unbrauchbaren Speicherelement zugeordnet ist;
analoges gilt für die Zuordnung des dritten zusätzlichen Speicherelements.
Fig. 5 zeigt ein Ausführungsbeispiel einer Schaltungsanordnung,
die dann brauchbar ist, wenn in einem Speicherwort vier Bits gespeichert werden sollen, wobei
pro Wort insgesamt höchstens drei defekte Speicherelemente zulässig sind, Die Schaltungsanordnung enthält
eine zweite Gruppe von ODER-Gattern Öl, eine dritte Gruppe von ODER-Gattern CS, eine vierte Gruppe von
ODER-Gaiiem O*. Außerdem sind in der Schaltungsanordnung zahlreiche UND-Gatter vorgesehen, deren
Verbindung untereinander und mit den ODER-Gattern aus der Zeichnung hervorgeht Die einzelnen Gruppen
von ODER-Gattern bilden zusammen mit den nachgeschalteten UND-Gattern jeweils eine Erste-1-von-Links-Schaltung.
Der Ersten-1-von-Links-Schaltung (ODER-Gruppe OZ) werden über die Leitungen Λ bis /7
die Signale zugeführt, die ausdrücken, daß eines der angesteuerten
Speicherelemente fehlerhaft ist. In Fig. 5 sind drei Eingangsleitungen fl bis Π mit einer logischen
L versehen, was andeutet, daß die entsprechenden Speicherelemente unbrauchbar sind. Die Verknüpfung
der einzelnen Erste-1-von-Links-Schaltungen ist nun so
getroffen, daß an der zweiten Erste-1-von-Links-Schaltung
(ODER-Gruppe 03) die erste 1 von links, die der ODER-Gattergruppe Ol zugeführt wurde, nicht mehr
wirksam ist, und daß bei der dritten Erste- 1-von-Links-Schaltung (ODER-Gruppe Ot) sowohl die erste als auch
die zweite 1 von links der der ersten ODER-Gruppe zugeführten 1-Signale nicht mehr wirksam ist Wie sich
leicht feststellen läßt, bewirkt die Schaltungsanordnung nach Fig. 5 ein Durchschalten der an der Leitung f\ anliegenden,
vom ersten zusätzlichen Speicherelement stammenden Information zu derjenigen Ausgangsleitung,
die dem ersten fehlerhaften Speicherelement von links zugeordnet ist, während die an der Eingangsleitung
.•2 liegende Information, die vom zweiten zusätzlichen
Speicherelement stammt, zu der Ausgangsleitung geführt wird, die dem zweiten unbrauchbaren Speicherelement
zugeordnet ist; analoges gilt für die Durchschaltung der von der Leitung /3 erscheinenden Information.
Schalteinrichtungen £ die das Auftreten von z. B. drei
unbrauchbaren Speicherelementen in einem Wort zulassen tygL Fi g. 5J1 sind sehr viel aufwendiger als eine
Schalteinrichtung, qie nur das Auftreten eines einzigen unbrauchbaren Speicherelements zuläßt (vgl. Fig. 2).
Außerdem sind bei der letztgenannten Schalteinrichtung die Signaldurchlaufzeiten geringer. Es ist daher unter
Umständen vorteilhaft, dann, wenn mit dem Auftreten mehrerer unbrauchbarer Speicherelemente in den einzelnen
Worten des Speichers gerechnet wird, die Worte in gleicher Weise in eine derartige Anzahl von Unterworten
zu unterteilen, daß in jedem Unterwort nur mehr mit einer bestimmten kleinen Anzahl von unbrauchbaren
Speicherelementen, insbesondere z. B. mit einem derartigen Element, gerechnet werden muß. Für diesen
letztgenannten Fall ist für jedes Unterwort eine zusätzliche Speicherzelle vorzusehen; die Unterworte sind
entsprechend ihrer Stellung im Wort zu Gruppen zusammengefaßt, und für jede derartige Gruppe ist eine
Schalteinrichtung vorgesehen, die bewirkt, daß ein unbrauchbares Speicherelement des gerade angesteuerten
Untefworts nicht benutzt wird,
Fig. 6 zeigt eine derartige Anordnung, zur Vereinfachung
ist nur ein einziges Wort zeichnerisch dargestellt Es besteht aus zwei Unterworten £1 bis El mit
dem zusätzlichen Speicherelement ZE\ und £8 bis £14 mit dem zusätzlichen Speicherelement ZEl. ZEi kann
mit Hilfe der Schalteinrichtung 51 ein im ersten Unterwort enthaltenes unbrauchbares Speicherelement ersetzen,
gleiches gilt für das zusätzliche Speicherelement ZEl bezüglich des zweiten Unterworts, hier dient die
Schalteinrichtung S2 zur Feststellung eines etwa vorhandenen
unbrauchbaren Speicherelements und zur Vornahme der dadurch erforderlichen Durchschaltungen.
Die Ein-/Ausgänge 61 bis W von 51 sind zu Registerzellen
Al bis R7, die Ein-/Ausgänge £8 bis b\4 zu
Registerzellen Λ8 bis Ä14 eines Ein-/Ausgaberegisters
R geführt.
In den Zeichnungen wurden die Speicher mit wortweiser Ansteuerung mittels einer einzigen Decodierund
Ansteuerschaltung D dargestellt. Man wird jedoch besonders bei Großspeichern in integrierter Technik bevorzugt
die Aufteilung des Speichers in monolithische Bitebenen vornehmen, wobei dazu aus Kontaktierungsgründen
und wegen größerer Fehlersicherheit vorteilhafterweise jeder Bitebene eine eigene Decodier- und
Ansteuerschaltung zugeordnet wird.
Bei der Aufteilung des Speichers in Bitebenen ist es auch möglich, die Schalteinrichtung in der Weise auf die
einzelnen Bitebenen verteilt unterzubringen, daß einzelne Schaltelemente der Schalteinrichtung auf diejenigen
Bitebenen aufgebracht sind, denen sie funktionell zugeordnet sind. In diesem Sinn können z. B. die Gatter
in, Ui', Ui" und Ol der Anordnung nach Fig. 2 auf
derjenigen Bitebene untergebracht werden, die die Speicherelemente für das erste Bit der Speicherworte
trägt
Hierzu 2 Blatt Zeichnungen
Claims (5)
1. Datenspeicher, bei dem eine sehr große Anzahl von gleichen Speicherelementen zu einem Speicher
derart zusammengefaßt ist, daß Wörter mit jeweils vorgegebener Bitzahl gespeichert werden, wobei
aufgrund des Herstellungsprozesses der Speicherelemente ein Teil derselben unbrauchbar ist, bei dem für
jedes Wort über die vorgegebene Bitzahl hinaus zusätzliche Speicherelemente vorgesehen sind, deren
Anzahl entsprechend der Anzahl der für das Wort zu erwartenden unbrauchbaren Speicherelemente gewählt
ist, bei dem Maßnahmen getroffen sind, unbrauchbare Speicherelemente von der Benutzung als
Speicherplatz für Daten auszuschließen, dadurch gekennzeichnet , daß die Speicherelemente so
aufgebaut und die unbrauchbaren Speicherelemente so verändert sind, daß aufgrund von elektrischen
Ausgangsgrößen der Speicherelemente mindestens beim Lesevorgang die Unbrauchbarkeit feststellbar
ist, und daß Schaltmittel vorgesehen sind, die so eingerichtet sind, daß sie die unbrauchbaren Speicherelemente
eines angesteuerten Wortes erkennen und beim Einschreiben oder Lesen derjenigen Information,
die jeweils dem v-ten(v= 1.. .π; η bedeutet Anzahl der zusätzlichen Speicherelemente im Wort) unbrauchbaren
Speicherelemente zugeordnet ist, jeweils das v-te zusätzliche Speicherelement ansteuern.
2. Datenspeicher nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die FehlerhäuFigkeit der zusätzlichen
Speicherelemente kleiner als die der Speicherelemente ist.
3. Datenspeicher nach einem oder mehreren der vorhergehenden Ansprüche mit höchstens einem
unbrauchbaren Speicherelement in jedem Wort, dadurch gekennzeichnet, daß gemeinsam dem ersten
Speicherelement aller Worte, gemeinsam dem zweiten Speicherelement aller Worte usw., jeweils eine
Erkennungsschaltung zum Erkennen eines unbrauchbaren Speicherelements des gerade angesteuerten
Worts, eine erste und eine zweite Durchschalteeinrichtung zugeordnet sind, wobei in Abhängigkeit
davon, ob ein unbrauchbares Speicherelement festgestellt wurde oder nicht, die erste Durchschalteeinrichtung
die Verbindung zwischen dem Speicherelement und einem Zugang und/oder Ausgang
des Speichers unterbricht bzw. herstellt, und die zweite Durchschalteeinrichtung die Verbindung zwischen
dem Eingang und/oder Ausgang und dem zusätzlichen Speicherelement des gerade angesteuerten
Worts herstellt bzw. unterbricht
4. Datenspeicher nach einem oder mehreren der vorhergehenden Ansprüche zum Einschreiben, dadurch
gekennzeichnet, daß für jede Bitstelle eine Einrichtung zur Feststellung der Unbrauchbarkeit
vorgesehen ist, daß in Abhängigkeit von einem Ausgangssignal dieser Einrichtung die Zuführung von
Schreibsignalen zur Bitstelle sperrbar ist und statt dessen die Schreibsignale zur zusätzlichen Speicherzelle
leitbar sind, und daß die Zuführung von Schreibsignalen gegenüber dem Wortauswahlimpuls
so verzögert ist, daß bei Vorliegen eines unbrauchbaren Speicherelements durch die genannte Sperrung
der Schreibsignale das Einschreiben in die unbrauchbare
Speicherzelle verhindert werden kann.
5. Datenspeicher nach einem oder mehreren der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet,
daß mindestens ein Teil der Wörter des Speichers in untereinander gleicher Weise so in Unterwörter
aufgeteilt ist, daß die Anzahl der pro Unterwort m erwartenden
unbrauchbaren Speicherelemente eine bestimmte Zahl, insbesondere 1, nicht überschreitet,
daß für jedes Unterwort eine der Anzahl der zu erwartenden unbrauchbaren Speicherzellen entsprechende
Anzahl von zusätzlichen Speicherzellen vorgesehen ist
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