DE2058641B2 - Datenspeicher - Google Patents

Description

Die Erfindung betrifft einen Datenspeicher, bei dem eine sehr große Anzahl von gleichen Speicherelementen zu einem Speicher derart zusammengefaßt ist, daß Wörter mit jeweils vorgegebener Bitzahl gespeichert werden, wobei aufgrund des Herstellungsprozesses der Speicherelemente ein Teil derselben unbrauchbar ist. bei dem für j^des Wort über die vorgegebene Bitzah! hinaus zusätzliche Speicherelemente vorgesehen sind, deren Anzahl entsprechend der Anzahl der für das Wort zu erwartenden unbrauchbaren Speicherelemente gewählt ist, bei dem Maßnahmen getroffen sind, unbrauchbare Speicherelemente von der Benutzung als Speicherplatz für Daten auszuschließen.

Gemäß einem älteren Vorschlag (Patentanmeldung P 19 31 524.3) ist vorgesehen, bei dem eingangs erwähnten Datenspeicher beim Einschreiben eines Worts in den Datenspeicher diejenigen Bits, die mittels eines unbrauchbaren Speicherelements gespeichert werden sollen, auf das nächstfolgende brauchbare Speicherelement zu verschieben.

Es war Aufgabe der Erfindung, einen anderen Weg anzugeben, durch den die unbrauchbaren Speicherelemente von der Benutzung ausgeschlossen werden.

Diese Aufgabe wird dadurch gelöst, daß die Speicherelemente so aufgebaut und die unbrauchbaren Speicherelemente so verändert sind, daß aufgrund von elektrischen Ausgangsgrößen der Speicherelemente mindestens beim Lesevorgang die Unbrauchbarkeit feststellbar ist, und daß Schaltmittel vorgesehen sind, die so eingerichtet sind, daß sie die unbrauchbaren Speicherelemente eines angesteuerten Wortes erkennen und beim Einschreiben oder Lesen derjenigen Information, die jeweils dem y-ten(v=l ...η; η bedeutet Anzahl der zusätzlichen Speicherelemente im Wort) unbrauchbaren Speicherelemente zugeordnet ist jeweils das v-te zusätzliche Speicherelement ansteuern. Vorteilhafte Weiterbildungen der Erfindung sind in den Unteransprüchen beschrieben.

Die Erfindung wird im folgenden in Ausführungsbeispielen anhand der Zeichnungen erläutert. Es zeigt

Fig. 1 ein Übersichtsschaltbild einer erfindungsgemäßen Anordnung,

Fig. 2 eine Detailschaltung aus Fig. 1, die dann brauchbar ist, wenn für jedes Speicherwort ein einziges zusätzliches Speicherelement vorgesehen ist,

Fig. 3 eine weitere Detailschaltung,

Fig. 4 eine Detailschaltung, die dann brauchbar ist, wenn für jedes Speicherwort drei zusätzliche Speicherelemente vorgesehen sind,

Fig. 5 eine Detailschaltung aus Fig. 4,

Fig. 6 zeigt eine Weiterbildung der erfindungsgemäßen Anordnung.

Fig. 1 zeigt einen Speicher, der N Worte mit je sie-

ben Bit Länge speichern kann. Zur Vereinfachung der Zeichnung sind hiervon jedoch nur zwei Worte zeichnerisch dargestellt, es handelt sich hierbei um die Speicherelemente £11 bis £17 und £21 bis £27. Die einzelnen Worte sind durch eine Decodier und Ansteuerschaltung D ansteuerbar, zum Auslesen sind die Ausgänge der Speicherelemente £11, £21,... £"M miteinander verbunden, in gleicher Weise die die Ausgänge der Speicherelemente £12, £22.. £"£2 usw. Im geschilderten Beispiel hat jedes Speicherelement zwei Ausgänge, die gemeinsamen Ausgangsleitungen der jeweils in einer Spalte angeordneten Speicherelemente sind mit al, al, a2, Sl usw. bezeichnet. Für jedes Wort des Speichers sind Reservespeicherelemente vorgesehen. Gemäß einer ersten Ausführungsform der Erfindung ist es zulässig, daß in jedem Speicherwort ein Speicherelement unbrauchbar ist, dann ist für jedes Wort jeweils ein zusätzliches Speicherelement vorgesehen, das in der Fig. 1 mit Z£l 1 bzw. ZE21 bezeichnet ist F i g. 1 zeigt außerdem weitere zusätzliche Speicherelemente ZEi2, ZElZ und Z£22, Z£23. Diese zusätzlichen Speicherelemente sind dann vorzusehen, wenn es zulässig sein soll, daß in jedem Speicherwon drei unbrauchbare Speicherelemente vorkommen.

Die Ausgangsleitungen al, al usw. führen zu einer Schalteinrichtung S, ebenfalls führen die Ausgangsleitungen der jeweils spaltenweise ausgangsseitig miteinander verbundenen zusätzlichen Speicherelemente zur Schalteinrichtung. Die Ausgangsleitungen bl bis Ul der Schalteinrichtung führen zu sieben Registerzellen Al bis RJ eines Einspeicher- und Ausspeicherregisters ti

Im folgenden wird ein Ausführungsbeispiel der Erfindung erläutert, bei dem es zulässig ist, daß in jedem Speicherwort maximal eine unbrauchbare Speicherzelle vorliegt In diesem Falle sind also die in Fig. 1 dargestellten zusätzlichen Speicherelemente Z£12, Z£11. Z£22, Z£23 usw. nicht erforderlich. Der Speicher ist so ausgebildet, daß beim Auslesen feststellbar ist, ob die ausgelesene Information von einem zuverlässigen Speicherelement stammt, oder ob das Speicherelement unbrauchbar ist. Diese Unterscheidung kann z. B. auf die folgenden verschiedenen Weisen erfolgen

Es ist möglich, daß die einer gespeicherten 0 entsprechende Information beim Auslesen auf der einen Ausleseleitung (z. B. al) ein der logischen 0 entsprechendes Potential und auf der anderen Ausleseleitung (al) ein der logischen 1 ertsprechendes Potential hervorruft; beim Auslesen einer gespeicherten 1 sind die oben geschilderten, auf den Leseleitungen erscheinenden Potentiale umgekehrt. Ein unbrauchbares Speicherelement macht sich dadurch bemerkbar, daß auf den beiden Aüsleseleitungen ein von den obengenannten Werten abweichendes Potential, z. B. ein der logischen 1 entsprechendes Potential auf beiden Ausleseleitungen, erscheint. Die soeben geschilderte Möglichkeit wird bei der weiteren Erläuterung der Erfindung zugrundegslegt.

Weitere Möglichkeiten zur Feststellung, ob ein fehlerhaftes Speicherelement vorliegt, wären z. B., die Speicherelemente so zu verändern, daß auf einer einzigen Leitung ein von 0 und 1 verschiedenes Potential erscheint (in diesem Falle wäre nur eine einzige Ausleseleilung erforderlich) oder aber, daß das Speicherelement auf einer zusätzlichen Leitung dann ein bestimmtes Signal abgibt, wenn das Speicherelement fehlerhaft ist.

Die Schalteinrichtung S ist nun erfindungsgemäß so ausgebildet, daß sie beim Auslesen anhand der an den Ausleseleitungen erscheinenden Signale erkennt, ob und welches Speicherelement des gerade ausgelesenen Wortes fehlerhaft isf, und daß sie anstelle der diesem

. fehlerhaften Element zugeordneten Ißformation die m dem zusätzlichen Speicherelement Z£ll (falls das Wort £11 bis £17 ausgelesen wurde) gespeicherte Information dem Ausleseregister R zuführt, das heißt also, daß z. B. dann, wenn beim Auslesen des ersten Wortes sich das Speicherelement £13 als fehlerhaft erweist, die Informationen der Speicherelemente £11, £12 direkt zu den Registerzellen Al, RZ durchgeschallet werden, und dk:

ίο Information der Speicherelemente £14 bis £17 direkt zu den Registerzellen RA bis R7 durchgeschaltet werden, und daß die im zusätzlichen Speicherelement Z£ll enthaltene Information zur Registerzelle RZ durchgeschaltet wird.

Das zeitlich vorherliegende Einspeichern eines Wortss in den Speicher erfolgt in analoger Weise so, daß dann, wenn wieder angenommen wird, daß das Speicherelement £13 unbrauchbar ist, die Einspeicherung der in den Registerzellen Rl₁ R2 und A4 bis RI enthaltenen Information unmittelbar in die diesen Speicherzellen zugeordneten Speicherelemente £11, £12 und £14 bis £17 erfolgt, und daß die in der Registerzelle RZ enthaltene Information dem zusätzlichen Speicherelement Z£ll zugeführt wird.

Um das Einspeichern fehlerfrei vornehmen zu können, ist es in diesem Falle erforderlich, daß vor oder noch während des Einspeicherns die Schalteinrichtung erkennt, welches der Speicherelemente unbrauchbar ist F i g. 2 zeigt eine Anordnung, die es gestattet, unter der

Annahme, daß höchstens ein unbrauchbares Speicherelement je Wort vorliegt, das Auslesen einer gespeicherten Information in der obengeschilderten Weise vorzunehmen. Die Anordnung in Fig. 2 enthält eine erste Gruppe von UND-Gattern Ul bis UJ, eine zweite Gruppe von UND-Gattern Ul' bis UJ', eine dritte Gruppe von UND-Gattern Ul" bis UJ", eine Gruppe von ODER-Gattern Ol bis OJ, ferner ein ODER-Gatter OR mit sieben Eingängen und ein weiteres UND-Gatter UR. Die beiden Eingänge des UND-Gatters L ί sind mi.

den beiden Ausgangsleitungen al und Sl der ersten Spalte des Speichers verbunden. In analoger Weise sind die Eingänge der anderen UND-Gatter der ersten Gruppe an den Speicher angeschaltet. Die Ausleseleitung al führt außerdem zu einem Eingang des UND-Gatters UV, dessen anderer (negierter) Eingang mit dem Ausgang des UND-Gatters Ul verbunden ist. Der Ausgang des UND-Gatters LJY führt auf einen Eingang des ODF.R-Gatters Öl. dessen anderer Eingang mit dem Ausgang des UND-Gatters Ul" verbunden ist.

Ein Eingang des UND-Gatters Ul" ist mit dem Ausgang des UND-Gdüers U\ verbunden, der zweite Eingang des UND-Gatters Ul" ist mit dem Ausgang des UND-Gatters UR verbunden. Der Ausgang des UND-Gatters Ul ist ferner mit einem Eingang des ODER-Gatters OR

5ά verbunden, dessen Ausgang mit einem Eingang des UND-Gatters UR verbunden ist, während der zweite Eingang des Gatters UR mit der Ausleseleitung rl der zusätzlichen Speicherelemente ZEl 1. Z/:21 usw. verbunden ist. Die Verschaltung der übrigen UND-Gatter Ul

bis UJ, U2' bis UJ', Ul" bis UJ" ist in analoger Weise vorgenommen.

Die oben beschriebene Schaltung funktioniert in der folgenden Weise: Hierfür sei angenommen, daß das dritte Speicherelement des gerade ausgelesenen Wortes unbrauchbar sei, das heißt also, daß an den Leitungen a3 und <i3 ein Potential mit dem Wert 1 erscheint, während an sämtlichen anderen Ausleselcitungspaaren jeweils unterschiedliche Werte anliegen, während der Wert, der

an der Leseleitung ή erscheint, je nach der in dem angesteuerten zusätzlichen Speicherelement enthaltenen Information 0 oder 1 ist. Infolge der Ansteuerung über die Leitungen a3 und a 3 abliefert das UND-Gatter LB an seinem Ausgang eine logische 1, während alle anderen UND-Gatter der ersten Gruppe in ihren Ausgängen eine logische 0 liefern. Die logische 1 am Ausgang des UND-Gatters L3 wird dem ODER-Gatter OR zugeführt, das das UND-Gatter UR ansteuert, und somit gestattet, daß eine etwa an der Ausleseleitung ή erscheinende 1 durchgeschaltet wird, Die logische 1 am Ausgang des UND-Gatters Lß sperrt über den negierten Eingang des UND-Gatters LQ' die direkte Durchschaltung der ausgelesenen Information zum ODER-Gatter O3 und dadurch zur Leitung tß. Statt dessen wird die von dem zusätzlichen Speicherelement kommende Information, die am Ausgang des UND-Gatters UR erscheint, über das UND-Gatter U3" dem ODER-Gatter 03 zugeführt. Bei sämtlichen anderen angesteuerten Speicherelementen des Speichers sind die diesen zugeordneten UND-Gatter der ersten Gruppe jeweils gesperrt, die der zweiten Gruppe jeweils leitend, und die der dritten Gruppe jeweils gesperrt, so daß die Information dieser brauchbaren Speicherelemente direkt zu den Ausgangsleitungen bX, bl und M bis £>7 durchgeschaltet wird,

Fig. 3 zeigt (nur für eine Stelle dargestellt) eine Schaltung, wie sie zum Einspeichern von Informationen in den oben geschilderten Speicher brauchbar ist. Es sind hier wieder die UND-Schaltungen der ersten Gruppe vorgesehen, aus Vereinfachungsgründen ist nur das UND-Gatter U\ dargestellt. Es ist eine vierte Gruppe von UND-Gattern UX (4) bis Ul (4) vorgesehen, von denen nur das UND-Gatter UX (4) dargestellt ist. Der Ausgang des UND-Gatters UX führt auf einen Eingang des UND-Gatters UX (4), der zweite Eingang des UND-Gatters UX (4) ist mit dem Ausgang der ersten Registerzelle RX verbunden. Das Register R enthält in diesem Falle diejenige Information, die in den Speicher eingespeichert werden soll. Das Einspeichern erfolgt in der Weise, daß die im Register enthaltene Information über Sperrschaltungen (UND-Gatter) SpI und Sp2, deren negierter Eingang mit dem Ausgang des UND-Gatters UX verbunden ist, und die Leitungen al, al usw. den Speicherelementen des angesteuerten Speicherworts zugeführt wird. Das UND-Gatter i/1 ist genau wie in der Anordnung nach F i g. 2 mit den beiden Leitungen al und al verbunden. Die Gatter für die übrigen Stellen sind in gleicher Weise miteinander verbunden, die Ausgänge der UND-Gatter 171(4) und O2(4) usw. sind mit je einem Eingang einer ODER-Schaltung O verbunden, deren Ausgang mit den zusätzlichen Speicherelementen ZEIl, ZElX usw. verbunden ist

Erfolgte vor dem Einspeichern ein Auslesen, so zeigt bei einem unbrauchbaren Speicherelement der Ausgang des entsprechenden UND-Gatters der ersten Gruppe eine logische 1. Dieser Wert wird so lange gehalten, wie der Wortauswahlimpuls anliegt Er muß also so lange bemessen werden, daß, wenn z. B. das erste Speicherelement des angesteuerten Wortes unbrauchbar ist und daher beim Auslesen das UND-Gatter UX ausgangsseitig eine 1 liefert, falls die Registerzelle Al eine 1 enthält, diese Information über das UND-Gatter (71(4) und das ODER-Gatter Odem zusätzlichen Speicherelement des angesteuerten Worts zugeführt wird. War in der Speicherzelle RX eine 0 enthalten, so erfolgt keine Durchschaltung des UND-Gatters UXW, es muß daher sichergestellt sein, daß entweder vcr Beginn des Einschreibens die zusätzlichen Speicherelemente alle auf 0 gesetzt sind, oder daß stets dann, wenn das ODER-Gatter O beim Schreiben eine 0 abgibt, das entsprechende zusätzliche Speicherelement auf 0 gestellt wird.

Es ist möglich, die Feststellung, ob ein Speicherelement des angesteuerten Worts unbrauchbar ist, auch während der Einspeicherung ins Speicherwort vorzunehmen. Diese Feststellung ergibt sich aus der Tatsache, daß beim Anliegen eines Wortabfrageimpulses, wenn

ίο nur der Schreibimpuls ein wenig verzögert wird, die unbrauchbare Speicherzelle an beiden Ausgangsleitungen den Wert 1 liefert und hierdurch die den Schreibverstärkern vorgeschalteten Gatter sperrt. Zugleich wird das entsprechende UND-Gatter UX(A) durchgeschaltet und die in der entsprechenden Regisierzelle enthaltene Information kann dem zusätzlichen Speicherelement zugeführt werden. Auch nach beendetem Schreibvorgang ist die Feststellung eines unbrauchbaren Elements möglich. Liegt die im Register R enthaltene Information lange genug an, so kann auch nachträglich die nicht gespeicherte Information in die zusätzliche Zelle übertragen werden.

Im folgenden wird ein Ausführungsbeispiel der Erfindung erläutert, in dem es zulässig ist, daß in einem Speicherwort maximal drei Speicherelemente unbrauchbar sind; bei der Betrachtung der Fig. 1 ist nun also davon auszugehen, daß auch die dort gezeigten zusätzlichen Speicherelemente ZEX2, ZEXi, ZE22, ZE23 usw. vorzusehen sind.

Fig. 4 zeigt eine Anordnung, die zum Auslesen aus einem derartig ausgebildeten Speicher brauchbar ist. Die Anordnung nach Fig. 4 ist der Anordnung nach Fig. 2 sehr ähnlich, sie unterscheidet sich lediglich darin, daß die Ausgänge der UND-Gatter der ersten Gruppe nicht zu einem gemeinsamen ODER-Gatter OR geführt sind, sondern zu den Eingängen eines Netzwerks N führen; diejenigen Eingänge der UND-Gatter der dritten Gruppe, die nicht jeweils mit dem Ausgang des entsprechenden UND-Gatters der ersten Gruppe verbunden sind, sind hier nicht untereinander verbunden, sondern einzeln zu je einem Ausgang des Netzwerkes N geführt. Das Netzwerk N hat drei weitere Eingänge, deren erster mit der Ausleseleitung ή der zusätzlichen Speicherelemente der ersten Spalte verbunden sind, deren zweiter dementsprechend mit der gemeinsamen Leseleitung fl der zusätzlichen Speicherelemente, die in der zweiten Spalte angeordnet sind, verbunden ist, und deren dritter mit der gemeinsamen Ausgangsleitung r3 der restlichen zusätzlichen Speicherelemente verbunden ist.

Zur Erläuterung sei angenommen, daß das zweite, viertelnd fünfte Speicherelement des gerade angesteuerten Worts unbrauchbar ist, die zeitlich davorliegende Einspeicherung soll so vorgenommen worden sein, daß die für das zweite Speicherelement bestimmte Information dem ersten zusätzlichen Speicherelement, die fürs vierte Speicherelement bestimmte Information dem zweiten zusätzlichen Speicherelement, und die fürs fünfte Speicherelement bestimmte Information dem dritten zusätzlichen Speicherelement zugeführt wurde. Beim Auslesen wird nun ähnlich, wie anhand der Fig. 2 bereits geschildert wurde, festgestellt, welche Speicherelemente unbrauchbar sind. Das Netzwerk N ist so ausgebildet daß es den einzelnen UND-Gattern der dritten Gruppe, die den entsprechenden unbrauchbaren Speicherelementen zugeordnet sind, jeweils diejenige der an den Ausgangsleitungen rl bis r3 erscheinenden Information zuführt, die dem betreffenden unbrauchba-

ren Speicherelementen zugeordnet ist. Die Zuordnung beim Einspeichern und Auslesen durch das Netzwerk N kann zweckmäßigerweise in der Weise erfolgen, daß das erste zusätzliche Speicherelement demjenigen unbrauchbaren Speicherelement zugeordnet wird, das am weitesten links steht, daß das zweite zusätzliche Speicherelement dem nächsten sich rechts anschließenden unbrauchbaren Speicherelement zugeordnet ist; analoges gilt für die Zuordnung des dritten zusätzlichen Speicherelements.

Fig. 5 zeigt ein Ausführungsbeispiel einer Schaltungsanordnung, die dann brauchbar ist, wenn in einem Speicherwort vier Bits gespeichert werden sollen, wobei pro Wort insgesamt höchstens drei defekte Speicherelemente zulässig sind, Die Schaltungsanordnung enthält eine zweite Gruppe von ODER-Gattern Öl, eine dritte Gruppe von ODER-Gattern CS, eine vierte Gruppe von ODER-Gaiiem O*. Außerdem sind in der Schaltungsanordnung zahlreiche UND-Gatter vorgesehen, deren Verbindung untereinander und mit den ODER-Gattern aus der Zeichnung hervorgeht Die einzelnen Gruppen von ODER-Gattern bilden zusammen mit den nachgeschalteten UND-Gattern jeweils eine Erste-1-von-Links-Schaltung. Der Ersten-1-von-Links-Schaltung (ODER-Gruppe OZ) werden über die Leitungen Λ bis /7 die Signale zugeführt, die ausdrücken, daß eines der angesteuerten Speicherelemente fehlerhaft ist. In Fig. 5 sind drei Eingangsleitungen fl bis Π mit einer logischen L versehen, was andeutet, daß die entsprechenden Speicherelemente unbrauchbar sind. Die Verknüpfung der einzelnen Erste-1-von-Links-Schaltungen ist nun so getroffen, daß an der zweiten Erste-1-von-Links-Schaltung (ODER-Gruppe 03) die erste 1 von links, die der ODER-Gattergruppe Ol zugeführt wurde, nicht mehr wirksam ist, und daß bei der dritten Erste- 1-von-Links-Schaltung (ODER-Gruppe Ot) sowohl die erste als auch die zweite 1 von links der der ersten ODER-Gruppe zugeführten 1-Signale nicht mehr wirksam ist Wie sich leicht feststellen läßt, bewirkt die Schaltungsanordnung nach Fig. 5 ein Durchschalten der an der Leitung f\ anliegenden, vom ersten zusätzlichen Speicherelement stammenden Information zu derjenigen Ausgangsleitung, die dem ersten fehlerhaften Speicherelement von links zugeordnet ist, während die an der Eingangsleitung .•2 liegende Information, die vom zweiten zusätzlichen Speicherelement stammt, zu der Ausgangsleitung geführt wird, die dem zweiten unbrauchbaren Speicherelement zugeordnet ist; analoges gilt für die Durchschaltung der von der Leitung /3 erscheinenden Information.

Schalteinrichtungen £ die das Auftreten von z. B. drei unbrauchbaren Speicherelementen in einem Wort zulassen tygL Fi g. 5J₁ sind sehr viel aufwendiger als eine Schalteinrichtung, qie nur das Auftreten eines einzigen unbrauchbaren Speicherelements zuläßt (vgl. Fig. 2). Außerdem sind bei der letztgenannten Schalteinrichtung die Signaldurchlaufzeiten geringer. Es ist daher unter Umständen vorteilhaft, dann, wenn mit dem Auftreten mehrerer unbrauchbarer Speicherelemente in den einzelnen Worten des Speichers gerechnet wird, die Worte in gleicher Weise in eine derartige Anzahl von Unterworten zu unterteilen, daß in jedem Unterwort nur mehr mit einer bestimmten kleinen Anzahl von unbrauchbaren Speicherelementen, insbesondere z. B. mit einem derartigen Element, gerechnet werden muß. Für diesen letztgenannten Fall ist für jedes Unterwort eine zusätzliche Speicherzelle vorzusehen; die Unterworte sind entsprechend ihrer Stellung im Wort zu Gruppen zusammengefaßt, und für jede derartige Gruppe ist eine Schalteinrichtung vorgesehen, die bewirkt, daß ein unbrauchbares Speicherelement des gerade angesteuerten Untefworts nicht benutzt wird,

Fig. 6 zeigt eine derartige Anordnung, zur Vereinfachung ist nur ein einziges Wort zeichnerisch dargestellt Es besteht aus zwei Unterworten £1 bis El mit dem zusätzlichen Speicherelement ZE\ und £8 bis £14 mit dem zusätzlichen Speicherelement ZEl. ZEi kann mit Hilfe der Schalteinrichtung 51 ein im ersten Unterwort enthaltenes unbrauchbares Speicherelement ersetzen, gleiches gilt für das zusätzliche Speicherelement ZEl bezüglich des zweiten Unterworts, hier dient die Schalteinrichtung S2 zur Feststellung eines etwa vorhandenen unbrauchbaren Speicherelements und zur Vornahme der dadurch erforderlichen Durchschaltungen. Die Ein-/Ausgänge 61 bis W von 51 sind zu Registerzellen Al bis R7, die Ein-/Ausgänge £8 bis b\4 zu Registerzellen Λ8 bis Ä14 eines Ein-/Ausgaberegisters R geführt.

In den Zeichnungen wurden die Speicher mit wortweiser Ansteuerung mittels einer einzigen Decodierund Ansteuerschaltung D dargestellt. Man wird jedoch besonders bei Großspeichern in integrierter Technik bevorzugt die Aufteilung des Speichers in monolithische Bitebenen vornehmen, wobei dazu aus Kontaktierungsgründen und wegen größerer Fehlersicherheit vorteilhafterweise jeder Bitebene eine eigene Decodier- und Ansteuerschaltung zugeordnet wird.

Bei der Aufteilung des Speichers in Bitebenen ist es auch möglich, die Schalteinrichtung in der Weise auf die einzelnen Bitebenen verteilt unterzubringen, daß einzelne Schaltelemente der Schalteinrichtung auf diejenigen Bitebenen aufgebracht sind, denen sie funktionell zugeordnet sind. In diesem Sinn können z. B. die Gatter in, Ui', Ui" und Ol der Anordnung nach Fig. 2 auf derjenigen Bitebene untergebracht werden, die die Speicherelemente für das erste Bit der Speicherworte trägt

Hierzu 2 Blatt Zeichnungen

Claims (5)

Patentansprüche:

1. Datenspeicher, bei dem eine sehr große Anzahl von gleichen Speicherelementen zu einem Speicher derart zusammengefaßt ist, daß Wörter mit jeweils vorgegebener Bitzahl gespeichert werden, wobei aufgrund des Herstellungsprozesses der Speicherelemente ein Teil derselben unbrauchbar ist, bei dem für jedes Wort über die vorgegebene Bitzahl hinaus zusätzliche Speicherelemente vorgesehen sind, deren Anzahl entsprechend der Anzahl der für das Wort zu erwartenden unbrauchbaren Speicherelemente gewählt ist, bei dem Maßnahmen getroffen sind, unbrauchbare Speicherelemente von der Benutzung als Speicherplatz für Daten auszuschließen, dadurch gekennzeichnet , daß die Speicherelemente so aufgebaut und die unbrauchbaren Speicherelemente so verändert sind, daß aufgrund von elektrischen Ausgangsgrößen der Speicherelemente mindestens beim Lesevorgang die Unbrauchbarkeit feststellbar ist, und daß Schaltmittel vorgesehen sind, die so eingerichtet sind, daß sie die unbrauchbaren Speicherelemente eines angesteuerten Wortes erkennen und beim Einschreiben oder Lesen derjenigen Information, die jeweils dem v-ten(v= 1.. .π; η bedeutet Anzahl der zusätzlichen Speicherelemente im Wort) unbrauchbaren Speicherelemente zugeordnet ist, jeweils das v-te zusätzliche Speicherelement ansteuern.

2. Datenspeicher nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die FehlerhäuFigkeit der zusätzlichen Speicherelemente kleiner als die der Speicherelemente ist.

3. Datenspeicher nach einem oder mehreren der vorhergehenden Ansprüche mit höchstens einem unbrauchbaren Speicherelement in jedem Wort, dadurch gekennzeichnet, daß gemeinsam dem ersten Speicherelement aller Worte, gemeinsam dem zweiten Speicherelement aller Worte usw., jeweils eine Erkennungsschaltung zum Erkennen eines unbrauchbaren Speicherelements des gerade angesteuerten Worts, eine erste und eine zweite Durchschalteeinrichtung zugeordnet sind, wobei in Abhängigkeit davon, ob ein unbrauchbares Speicherelement festgestellt wurde oder nicht, die erste Durchschalteeinrichtung die Verbindung zwischen dem Speicherelement und einem Zugang und/oder Ausgang des Speichers unterbricht bzw. herstellt, und die zweite Durchschalteeinrichtung die Verbindung zwischen dem Eingang und/oder Ausgang und dem zusätzlichen Speicherelement des gerade angesteuerten Worts herstellt bzw. unterbricht

4. Datenspeicher nach einem oder mehreren der vorhergehenden Ansprüche zum Einschreiben, dadurch gekennzeichnet, daß für jede Bitstelle eine Einrichtung zur Feststellung der Unbrauchbarkeit vorgesehen ist, daß in Abhängigkeit von einem Ausgangssignal dieser Einrichtung die Zuführung von Schreibsignalen zur Bitstelle sperrbar ist und statt dessen die Schreibsignale zur zusätzlichen Speicherzelle leitbar sind, und daß die Zuführung von Schreibsignalen gegenüber dem Wortauswahlimpuls so verzögert ist, daß bei Vorliegen eines unbrauchbaren Speicherelements durch die genannte Sperrung der Schreibsignale das Einschreiben in die unbrauchbare Speicherzelle verhindert werden kann.

5. Datenspeicher nach einem oder mehreren der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß mindestens ein Teil der Wörter des Speichers in untereinander gleicher Weise so in Unterwörter aufgeteilt ist, daß die Anzahl der pro Unterwort m erwartenden unbrauchbaren Speicherelemente eine bestimmte Zahl, insbesondere 1, nicht überschreitet, daß für jedes Unterwort eine der Anzahl der zu erwartenden unbrauchbaren Speicherzellen entsprechende Anzahl von zusätzlichen Speicherzellen vorgesehen ist