DE2114889B2 - Verfahren zum Herstellen von Siliziumkarbid-Whiskern - Google Patents
Verfahren zum Herstellen von Siliziumkarbid-WhiskernInfo
- Publication number
- DE2114889B2 DE2114889B2 DE2114889A DE2114889A DE2114889B2 DE 2114889 B2 DE2114889 B2 DE 2114889B2 DE 2114889 A DE2114889 A DE 2114889A DE 2114889 A DE2114889 A DE 2114889A DE 2114889 B2 DE2114889 B2 DE 2114889B2
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- silicon
- gas
- vessel
- whisker
- temperature
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 44
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical class [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims description 37
- 230000008569 process Effects 0.000 title description 25
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 57
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 54
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 54
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 52
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 21
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 9
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 claims description 3
- 239000011541 reaction mixture Substances 0.000 claims description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 58
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 45
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 33
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 30
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 27
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 24
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 24
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 24
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 description 23
- 150000002430 hydrocarbons Chemical class 0.000 description 21
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 19
- -1 silicon halide Chemical class 0.000 description 16
- 150000008282 halocarbons Chemical class 0.000 description 15
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 15
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 15
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- 239000004215 Carbon black (E152) Substances 0.000 description 11
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 11
- 150000008280 chlorinated hydrocarbons Chemical class 0.000 description 10
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 9
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 9
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 8
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 8
- VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N methane Chemical compound C VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 7
- 239000003365 glass fiber Substances 0.000 description 7
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 7
- 229910000676 Si alloy Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 6
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 6
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 6
- 150000001338 aliphatic hydrocarbons Chemical class 0.000 description 5
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 5
- OFBQJSOFQDEBGM-UHFFFAOYSA-N n-pentane Natural products CCCCC OFBQJSOFQDEBGM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 5
- KZBUYRJDOAKODT-UHFFFAOYSA-N Chlorine Chemical compound ClCl KZBUYRJDOAKODT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 4
- ATUOYWHBWRKTHZ-UHFFFAOYSA-N Propane Chemical compound CCC ATUOYWHBWRKTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 150000004945 aromatic hydrocarbons Chemical class 0.000 description 4
- DIOQZVSQGTUSAI-UHFFFAOYSA-N decane Chemical compound CCCCCCCCCC DIOQZVSQGTUSAI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 4
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 4
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 4
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 4
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 description 4
- 150000003377 silicon compounds Chemical class 0.000 description 4
- VZGDMQKNWNREIO-UHFFFAOYSA-N tetrachloromethane Chemical compound ClC(Cl)(Cl)Cl VZGDMQKNWNREIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- VXEGSRKPIUDPQT-UHFFFAOYSA-N 4-[4-(4-methoxyphenyl)piperazin-1-yl]aniline Chemical compound C1=CC(OC)=CC=C1N1CCN(C=2C=CC(N)=CC=2)CC1 VXEGSRKPIUDPQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N Benzene Chemical compound C1=CC=CC=C1 UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- BZHJMEDXRYGGRV-UHFFFAOYSA-N Vinyl chloride Chemical compound ClC=C BZHJMEDXRYGGRV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 description 3
- 150000001722 carbon compounds Chemical class 0.000 description 3
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 3
- VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N n-Hexane Chemical compound CCCCCC VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 3
- 239000000047 product Substances 0.000 description 3
- 150000003376 silicon Chemical class 0.000 description 3
- 239000005049 silicon tetrachloride Substances 0.000 description 3
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 3
- GWHJZXXIDMPWGX-UHFFFAOYSA-N 1,2,4-trimethylbenzene Chemical compound CC1=CC=C(C)C(C)=C1 GWHJZXXIDMPWGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WSLDOOZREJYCGB-UHFFFAOYSA-N 1,2-Dichloroethane Chemical compound ClCCCl WSLDOOZREJYCGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JRZJOMJEPLMPRA-UHFFFAOYSA-N 1-nonene Chemical compound CCCCCCCC=C JRZJOMJEPLMPRA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KWKAKUADMBZCLK-UHFFFAOYSA-N 1-octene Chemical compound CCCCCCC=C KWKAKUADMBZCLK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IBXNCJKFFQIKKY-UHFFFAOYSA-N 1-pentyne Chemical compound CCCC#C IBXNCJKFFQIKKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YBYIRNPNPLQARY-UHFFFAOYSA-N 1H-indene Chemical compound C1=CC=C2CC=CC2=C1 YBYIRNPNPLQARY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WGLLSSPDPJPLOR-UHFFFAOYSA-N 2,3-dimethylbut-2-ene Chemical group CC(C)=C(C)C WGLLSSPDPJPLOR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BKOOMYPCSUNDGP-UHFFFAOYSA-N 2-methylbut-2-ene Chemical group CC=C(C)C BKOOMYPCSUNDGP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N Ethene Chemical compound C=C VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000005977 Ethylene Substances 0.000 description 2
- UFWIBTONFRDIAS-UHFFFAOYSA-N Naphthalene Chemical compound C1=CC=CC2=CC=CC=C21 UFWIBTONFRDIAS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 description 2
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 2
- 229920001328 Polyvinylidene chloride Polymers 0.000 description 2
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 2
- 125000001931 aliphatic group Chemical group 0.000 description 2
- HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N alpha-acetylene Natural products C#C HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MWPLVEDNUUSJAV-UHFFFAOYSA-N anthracene Chemical compound C1=CC=CC2=CC3=CC=CC=C3C=C21 MWPLVEDNUUSJAV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000010426 asphalt Substances 0.000 description 2
- 238000009835 boiling Methods 0.000 description 2
- KDKYADYSIPSCCQ-UHFFFAOYSA-N but-1-yne Chemical compound CCC#C KDKYADYSIPSCCQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000292 calcium oxide Substances 0.000 description 2
- ODINCKMPIJJUCX-UHFFFAOYSA-N calcium oxide Inorganic materials [Ca]=O ODINCKMPIJJUCX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003575 carbonaceous material Substances 0.000 description 2
- 125000003178 carboxy group Chemical group [H]OC(*)=O 0.000 description 2
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 description 2
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 2
- DMEGYFMYUHOHGS-UHFFFAOYSA-N cycloheptane Chemical compound C1CCCCCC1 DMEGYFMYUHOHGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LPIQUOYDBNQMRZ-UHFFFAOYSA-N cyclopentene Chemical compound C1CC=CC1 LPIQUOYDBNQMRZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IJKVHSBPTUYDLN-UHFFFAOYSA-N dihydroxy(oxo)silane Chemical compound O[Si](O)=O IJKVHSBPTUYDLN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HOWGUJZVBDQJKV-UHFFFAOYSA-N docosane Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCC HOWGUJZVBDQJKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- SNRUBQQJIBEYMU-UHFFFAOYSA-N dodecane Chemical compound CCCCCCCCCCCC SNRUBQQJIBEYMU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000010433 feldspar Substances 0.000 description 2
- 150000002366 halogen compounds Chemical class 0.000 description 2
- FNAZRRHPUDJQCJ-UHFFFAOYSA-N henicosane Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCCCCCC FNAZRRHPUDJQCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000000623 heterocyclic group Chemical group 0.000 description 2
- DCAYPVUWAIABOU-UHFFFAOYSA-N hexadecane Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCC DCAYPVUWAIABOU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CBFCDTFDPHXCNY-UHFFFAOYSA-N icosane Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCCCCC CBFCDTFDPHXCNY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- NLYAJNPCOHFWQQ-UHFFFAOYSA-N kaolin Chemical group O.O.O=[Al]O[Si](=O)O[Si](=O)O[Al]=O NLYAJNPCOHFWQQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- ZGEGCLOFRBLKSE-UHFFFAOYSA-N methylene hexane Natural products CCCCCC=C ZGEGCLOFRBLKSE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 2
- LQERIDTXQFOHKA-UHFFFAOYSA-N nonadecane Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCCCC LQERIDTXQFOHKA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BKIMMITUMNQMOS-UHFFFAOYSA-N nonane Chemical compound CCCCCCCCC BKIMMITUMNQMOS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RZJRJXONCZWCBN-UHFFFAOYSA-N octadecane Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCCC RZJRJXONCZWCBN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000012188 paraffin wax Substances 0.000 description 2
- YKNWIILGEFFOPE-UHFFFAOYSA-N pentacosane Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCC YKNWIILGEFFOPE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YCOZIPAWZNQLMR-UHFFFAOYSA-N pentadecane Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCC YCOZIPAWZNQLMR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YNPNZTXNASCQKK-UHFFFAOYSA-N phenanthrene Chemical compound C1=CC=C2C3=CC=CC=C3C=CC2=C1 YNPNZTXNASCQKK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 2
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 2
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 2
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920000098 polyolefin Polymers 0.000 description 2
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 description 2
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 2
- 229920000915 polyvinyl chloride Polymers 0.000 description 2
- 239000004800 polyvinyl chloride Substances 0.000 description 2
- 239000005033 polyvinylidene chloride Substances 0.000 description 2
- 239000001294 propane Substances 0.000 description 2
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 2
- 239000004576 sand Substances 0.000 description 2
- 239000005368 silicate glass Substances 0.000 description 2
- RMAQACBXLXPBSY-UHFFFAOYSA-N silicic acid Chemical compound O[Si](O)(O)O RMAQACBXLXPBSY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N silicon monoxide Chemical compound [Si-]#[O+] LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 2
- 239000004575 stone Substances 0.000 description 2
- POOSGDOYLQNASK-UHFFFAOYSA-N tetracosane Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCC POOSGDOYLQNASK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BGHCVCJVXZWKCC-UHFFFAOYSA-N tetradecane Chemical compound CCCCCCCCCCCCCC BGHCVCJVXZWKCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FIGVVZUWCLSUEI-UHFFFAOYSA-N tricosane Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCC FIGVVZUWCLSUEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IIYFAKIEWZDVMP-UHFFFAOYSA-N tridecane Chemical compound CCCCCCCCCCCCC IIYFAKIEWZDVMP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RSJKGSCJYJTIGS-UHFFFAOYSA-N undecane Chemical compound CCCCCCCCCCC RSJKGSCJYJTIGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FYGHSUNMUKGBRK-UHFFFAOYSA-N 1,2,3-trimethylbenzene Chemical compound CC1=CC=CC(C)=C1C FYGHSUNMUKGBRK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OCJBOOLMMGQPQU-UHFFFAOYSA-N 1,4-dichlorobenzene Chemical compound ClC1=CC=C(Cl)C=C1 OCJBOOLMMGQPQU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CGHIBGNXEGJPQZ-UHFFFAOYSA-N 1-hexyne Chemical compound CCCCC#C CGHIBGNXEGJPQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WEJVHFVGNQBRGH-UHFFFAOYSA-N 2,3,4,6-tetramethylphenol Chemical compound CC1=CC(C)=C(O)C(C)=C1C WEJVHFVGNQBRGH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OEPOKWHJYJXUGD-UHFFFAOYSA-N 2-(3-phenylmethoxyphenyl)-1,3-thiazole-4-carbaldehyde Chemical compound O=CC1=CSC(C=2C=C(OCC=3C=CC=CC=3)C=CC=2)=N1 OEPOKWHJYJXUGD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000005995 Aluminium silicate Substances 0.000 description 1
- 229910052582 BN Inorganic materials 0.000 description 1
- PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N Boron nitride Chemical compound N#B PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UGFAIRIUMAVXCW-UHFFFAOYSA-N Carbon monoxide Chemical compound [O+]#[C-] UGFAIRIUMAVXCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M Chloride anion Chemical compound [Cl-] VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 239000004801 Chlorinated PVC Substances 0.000 description 1
- 239000004709 Chlorinated polyethylene Substances 0.000 description 1
- XGIAHMUOCFHQTI-UHFFFAOYSA-N Cl.Cl.Cl.Cl.CC Chemical compound Cl.Cl.Cl.Cl.CC XGIAHMUOCFHQTI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PMPVIKIVABFJJI-UHFFFAOYSA-N Cyclobutane Chemical compound C1CCC1 PMPVIKIVABFJJI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XDTMQSROBMDMFD-UHFFFAOYSA-N Cyclohexane Chemical compound C1CCCCC1 XDTMQSROBMDMFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LVZWSLJZHVFIQJ-UHFFFAOYSA-N Cyclopropane Chemical compound C1CC1 LVZWSLJZHVFIQJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OTMSDBZUPAUEDD-UHFFFAOYSA-N Ethane Chemical compound CC OTMSDBZUPAUEDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 description 1
- VQTUBCCKSQIDNK-UHFFFAOYSA-N Isobutene Chemical group CC(C)=C VQTUBCCKSQIDNK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N O-Xylene Chemical compound CC1=CC=CC=C1C CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CYTYCFOTNPOANT-UHFFFAOYSA-N Perchloroethylene Chemical compound ClC(Cl)=C(Cl)Cl CYTYCFOTNPOANT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YGYAWVDWMABLBF-UHFFFAOYSA-N Phosgene Chemical compound ClC(Cl)=O YGYAWVDWMABLBF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011398 Portland cement Substances 0.000 description 1
- 229910001260 Pt alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910018594 Si-Cu Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910018619 Si-Fe Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910002796 Si–Al Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910008465 Si—Cu Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910008289 Si—Fe Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910006776 Si—Zn Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000831 Steel Inorganic materials 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 1
- AYHOQSGNVUZKJA-UHFFFAOYSA-N [B+3].[B+3].[B+3].[B+3].[O-][Si]([O-])([O-])[O-].[O-][Si]([O-])([O-])[O-].[O-][Si]([O-])([O-])[O-] Chemical compound [B+3].[B+3].[B+3].[B+3].[O-][Si]([O-])([O-])[O-].[O-][Si]([O-])([O-])[O-].[O-][Si]([O-])([O-])[O-] AYHOQSGNVUZKJA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YKTSYUJCYHOUJP-UHFFFAOYSA-N [O--].[Al+3].[Al+3].[O-][Si]([O-])([O-])[O-] Chemical compound [O--].[Al+3].[Al+3].[O-][Si]([O-])([O-])[O-] YKTSYUJCYHOUJP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 150000001298 alcohols Chemical class 0.000 description 1
- 125000002723 alicyclic group Chemical group 0.000 description 1
- 150000001336 alkenes Chemical class 0.000 description 1
- 235000012211 aluminium silicate Nutrition 0.000 description 1
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 244000052616 bacterial pathogen Species 0.000 description 1
- 235000010290 biphenyl Nutrition 0.000 description 1
- 239000004305 biphenyl Substances 0.000 description 1
- 125000006267 biphenyl group Chemical group 0.000 description 1
- 239000001273 butane Substances 0.000 description 1
- BRPQOXSCLDDYGP-UHFFFAOYSA-N calcium oxide Chemical compound [O-2].[Ca+2] BRPQOXSCLDDYGP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000378 calcium silicate Substances 0.000 description 1
- 229910052918 calcium silicate Inorganic materials 0.000 description 1
- OYACROKNLOSFPA-UHFFFAOYSA-N calcium;dioxido(oxo)silane Chemical compound [Ca+2].[O-][Si]([O-])=O OYACROKNLOSFPA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001721 carbon Chemical class 0.000 description 1
- 229910002091 carbon monoxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004568 cement Substances 0.000 description 1
- 239000003610 charcoal Substances 0.000 description 1
- 239000002801 charged material Substances 0.000 description 1
- 229920000457 chlorinated polyvinyl chloride Polymers 0.000 description 1
- 150000001805 chlorine compounds Chemical class 0.000 description 1
- NEHMKBQYUWJMIP-NJFSPNSNSA-N chloro(114C)methane Chemical compound [14CH3]Cl NEHMKBQYUWJMIP-NJFSPNSNSA-N 0.000 description 1
- MVPPADPHJFYWMZ-UHFFFAOYSA-N chlorobenzene Chemical compound ClC1=CC=CC=C1 MVPPADPHJFYWMZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004803 chlorobenzyl group Chemical group 0.000 description 1
- HRYZWHHZPQKTII-UHFFFAOYSA-N chloroethane Chemical compound CCCl HRYZWHHZPQKTII-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003245 coal Substances 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 238000009833 condensation Methods 0.000 description 1
- 230000005494 condensation Effects 0.000 description 1
- 239000010431 corundum Substances 0.000 description 1
- 229910052593 corundum Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001925 cycloalkenes Chemical class 0.000 description 1
- CFBGXYDUODCMNS-UHFFFAOYSA-N cyclobutene Chemical compound C1CC=C1 CFBGXYDUODCMNS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZXIJMRYMVAMXQP-UHFFFAOYSA-N cycloheptene Chemical compound C1CCC=CCC1 ZXIJMRYMVAMXQP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WJTCGQSWYFHTAC-UHFFFAOYSA-N cyclooctane Chemical compound C1CCCCCCC1 WJTCGQSWYFHTAC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004914 cyclooctane Substances 0.000 description 1
- OOXWYYGXTJLWHA-UHFFFAOYSA-N cyclopropene Chemical compound C1C=C1 OOXWYYGXTJLWHA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 210000003298 dental enamel Anatomy 0.000 description 1
- 229940117389 dichlorobenzene Drugs 0.000 description 1
- 235000014113 dietary fatty acids Nutrition 0.000 description 1
- FSBVERYRVPGNGG-UHFFFAOYSA-N dimagnesium dioxido-bis[[oxido(oxo)silyl]oxy]silane hydrate Chemical compound O.[Mg+2].[Mg+2].[O-][Si](=O)O[Si]([O-])([O-])O[Si]([O-])=O FSBVERYRVPGNGG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- CZZYITDELCSZES-UHFFFAOYSA-N diphenylmethane Chemical compound C=1C=CC=CC=1CC1=CC=CC=C1 CZZYITDELCSZES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000013013 elastic material Substances 0.000 description 1
- 150000002148 esters Chemical class 0.000 description 1
- 229960003750 ethyl chloride Drugs 0.000 description 1
- 125000002534 ethynyl group Chemical group [H]C#C* 0.000 description 1
- 239000000194 fatty acid Substances 0.000 description 1
- 229930195729 fatty acid Natural products 0.000 description 1
- 150000004665 fatty acids Chemical class 0.000 description 1
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 1
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 1
- 239000002657 fibrous material Substances 0.000 description 1
- 239000010437 gem Substances 0.000 description 1
- 238000003197 gene knockdown Methods 0.000 description 1
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 1
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000001475 halogen functional group Chemical group 0.000 description 1
- YVXHZKKCZYLQOP-UHFFFAOYSA-N hept-1-yne Chemical compound CCCCCC#C YVXHZKKCZYLQOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-M hydroxide Chemical compound [OH-] XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 150000004679 hydroxides Chemical class 0.000 description 1
- 230000002631 hypothermal effect Effects 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 239000004615 ingredient Substances 0.000 description 1
- 229910052809 inorganic oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000013067 intermediate product Substances 0.000 description 1
- 239000003350 kerosene Substances 0.000 description 1
- 239000011344 liquid material Substances 0.000 description 1
- 239000000395 magnesium oxide Substances 0.000 description 1
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N magnesium oxide Inorganic materials [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000391 magnesium silicate Substances 0.000 description 1
- 229910052919 magnesium silicate Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000019792 magnesium silicate Nutrition 0.000 description 1
- AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N magnesium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Mg+2] AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- AUHZEENZYGFFBQ-UHFFFAOYSA-N mesitylene Substances CC1=CC(C)=CC(C)=C1 AUHZEENZYGFFBQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000001827 mesitylenyl group Chemical group [H]C1=C(C(*)=C(C([H])=C1C([H])([H])[H])C([H])([H])[H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 150000001247 metal acetylides Chemical class 0.000 description 1
- JXTPJDDICSTXJX-UHFFFAOYSA-N n-Triacontane Natural products CCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCCC JXTPJDDICSTXJX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IJDNQMDRQITEOD-UHFFFAOYSA-N n-butane Chemical compound CCCC IJDNQMDRQITEOD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AFFLGGQVNFXPEV-UHFFFAOYSA-N n-decene Natural products CCCCCCCCC=C AFFLGGQVNFXPEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052754 neon Inorganic materials 0.000 description 1
- GKAOGPIIYCISHV-UHFFFAOYSA-N neon atom Chemical compound [Ne] GKAOGPIIYCISHV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OSSQSXOTMIGBCF-UHFFFAOYSA-N non-1-yne Chemical compound CCCCCCCC#C OSSQSXOTMIGBCF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940038384 octadecane Drugs 0.000 description 1
- TVMXDCGIABBOFY-UHFFFAOYSA-N octane Chemical compound CCCCCCCC TVMXDCGIABBOFY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003921 oil Substances 0.000 description 1
- 229920000620 organic polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000013021 overheating Methods 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);zirconium(4+) Chemical compound [O-2].[O-2].[Zr+4] RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BEZDDPMMPIDMGJ-UHFFFAOYSA-N pentamethylbenzene Chemical compound CC1=CC(C)=C(C)C(C)=C1C BEZDDPMMPIDMGJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RGSFGYAAUTVSQA-UHFFFAOYSA-N pentamethylene Natural products C1CCCC1 RGSFGYAAUTVSQA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003208 petroleum Substances 0.000 description 1
- ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N phenylbenzene Natural products C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=C1 ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011295 pitch Substances 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- UOHMMEJUHBCKEE-UHFFFAOYSA-N prehnitene Chemical compound CC1=CC=C(C)C(C)=C1C UOHMMEJUHBCKEE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MWWATHDPGQKSAR-UHFFFAOYSA-N propyne Chemical group CC#C MWWATHDPGQKSAR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 230000009257 reactivity Effects 0.000 description 1
- 230000002787 reinforcement Effects 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 229930195734 saturated hydrocarbon Natural products 0.000 description 1
- 229910002027 silica gel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000741 silica gel Substances 0.000 description 1
- 150000004760 silicates Chemical class 0.000 description 1
- 125000000123 silicon containing inorganic group Chemical group 0.000 description 1
- 229910021484 silicon-nickel alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 1
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011343 solid material Substances 0.000 description 1
- 239000010959 steel Substances 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011269 tar Substances 0.000 description 1
- 229950011008 tetrachloroethylene Drugs 0.000 description 1
- CXWXQJXEFPUFDZ-UHFFFAOYSA-N tetralin Chemical compound C1=CC=C2CCCCC2=C1 CXWXQJXEFPUFDZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
- 229920002554 vinyl polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000001993 wax Substances 0.000 description 1
- 238000004804 winding Methods 0.000 description 1
- 239000002023 wood Substances 0.000 description 1
- 239000008096 xylene Substances 0.000 description 1
- 229910001928 zirconium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- JLYXXMFPNIAWKQ-UHFFFAOYSA-N γ Benzene hexachloride Chemical compound ClC1C(Cl)C(Cl)C(Cl)C(Cl)C1Cl JLYXXMFPNIAWKQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B25/00—Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
- C30B25/005—Growth of whiskers or needles
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
- C30B29/10—Inorganic compounds or compositions
- C30B29/36—Carbides
Description
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Herstellen *5
von Siliziumkarbid-Whiskern, bei dem ein Gemisch aus einem siliziumhalügen, anorganischen Material
und einem halogen- und kohlenstoffhaltigen Material bei einer Temperatur von mindestens 800° Celsius erhitzt
v/ird.
Der hier benutzte Ausdruck »whiskerartiger Kristall oder Whisker« bezeichnet einen nadelähnlichen Einkristall,
der keinen wesentlichen Übergangsfehler enthält und der eine Dicke von einigen Mikron und eine
Länge von mehreren Millimetern hat. Whisker wurden als neues Material bekannt, das für industrielle Zwecke
gut einsetzbar ist, da es eine hoiie mechanische Festigkeit
aufweist, die die Festigkeit eines aus der gleichen Substanz wie der Whisker hergestellten herkömmlichen
faserartigen Materials um das Zehn- bis Hundertfache übersteigen kann.
Um die Eigenschaften und Vorteile des Whiskers herauszuarbeiten, wird ein Vergleich der physikalischen
Eigenschaften von Whiskern aus Siliziumkarbid und von Glasfasern aus kalifreiem Glas durchgeführt.
Diese Glasfasern sind ein herkömmliches faserartiges anorganisches Material, das zur Armierung von Verbundmaterialien
verwendet wird.
Nach der Tabelle 1 hat der Whisker aus Siliziumkarbid einen viel höheren Schmelzpunkt als die Glasfaser,
eine hervorragende Zugfestigkeit, die mehr als sechsmal größer ist als die der Glasfaser, einen ausgezeichneten
Youngschen Modul, der ungefähr siebenmal größer ist als der der Glasfaser, eine hohe spezifische
Zugfestigkeit und einen spezifischen Elastizitätsmodul, der fünfmal größer ist als der der Glasfaser. Es
ist daher offensichtlich, daß der Karbid-Whisker ausgezeichnete Eigenschaften hat, die für eine industrielle
Verwendung wertvoll sind. Wegen der hervorragenden Eigenschaften und Vorteile des Whiskers ist zu erwarten,
daß Whisker auf vielen industriellen Gebieten verwendbar sind, beispielsweise in der Raumfahrtindustrie
und in der Flugzeugindustrie. Beispielsweise können mit Whisker verschiedene neue Materialien geschaffen
werden, die hervorragende Eigenschaften und Vorteile besitzen, wenn man ihn mit herkömmlichen
Materialien, beispielsweise mit Metallen, keramischen Werkstoffen oder Kunststoffen, kombiniert.
Glasfaser | 2,55 | Siliziumkarbid- whisker |
|
Phase | unterkühlte, | Einkristall | |
amorphe | 700 | ||
Flüssigkeit | |||
Querschnitt: | 350 | Querschnitt: | |
kreisförmig | ungerader | ||
Oberfläche: | Polygonzug | ||
sehr glatt | 14 | Dicke: | |
ungleich | |||
mäßig | |||
Dicke (μπι) | 3 bis 10 | 7400 | 0,1 bis 20 |
Länge (mm) | endlos | 0,1 bis 20 | |
Chemische Zusam | |||
mensetzung | Mischung | 290 | SiC |
von SiO2, | |||
AI2O3, CaO | |||
u. a. | |||
Dichte (g/cm3) | 3,17 | ||
Schmelz- oder | |||
Erweichungspunkt (0C) |
2 690 | ||
Zugfestigkeit | |||
(kg/nm2) | 2 110 | ||
Spezifische Zug | |||
festigkeit (*1) | |||
(cm-104) | 66 | ||
Modul der longitudi- | |||
nalen Elastizität *2) | |||
(kg/mm2) | 49 200 | ||
Spezifischer Elasti- | |||
zitäKsmodui (*3) | |||
(cm· 10") | 1540 |
Anmerkung: (*1) Der Ausdruck »spezifische Zugfestigkeit« bezeichnet
die Zugfestigkeit/Dichte.
(*2) Der Ausdruck »Modul der longitudinalen Elastizität« bezeichnet den Youngschen
Modul.
(*3) Der Ausdruck »spezifischer Elastizitätsmodul« bezeichnet den Youngschen Modul/
Dichte.
Es sind bereits mehrere Verfahren bekanntgeworden, nach denen sich whiskerartig kristallisierte Silliziumkarbide
herstellen lassen. Unter diesen bekannten Prozessen ist ein Herstellungsverfahren für Siliziumkarbid-Whisker,
bei dem Siliziumtetrachlorid mit Tetrachlormethan oder einem niedrigen Kohlenwasserstoff bei
hoher Temperatur zur Reaktion gebracht wird, wobei Wasserstoffgas als Träger benutzt wird. Bei einem
anderen Herstellungsverfahren für Siliziumkaribid-Whisker werden organische Siliziumverbindungen bei
hoher Temperatur vergast und durch Hitze zersetzt, wobei ebenfalls Wasserstoff als Trägergas verwendet
wird.
Bei diesen bekannten Herstellungsmethoden anorganischer Karbid-Whisker entstehen Probleme wegen
des größten Teils der Ausgangsmaterialien, die für di«
Verfahren nötig sind. Die Herstellung der Ausgangsmaterialien veruisacht bei dem erforderlichen Reinheitsgrad
hohe Kosten. Whiskerartig kristallisiertes Siliziumkarbid läßt sich daher in einfacher Weise und
mit geringen Kosten im großtechnischen Verfahret nur schwierig eizeugen.
Durch die USA.-Patentschrift 3 409 395 ist ein Ver·
fahren zur gleichzeitigen Herstellung von \-Aluminiumoxid-Whiskern
und /3-Siliziumkarbid-Whiskert
bekanntgeworden, bei dem Aluminiumoxid und Siliciumoxid
mit natürlichem Kohlenwasserstoffgas, z. B. Methan, das eine kleine Menge Wasser, nicht jedoch
tuie halogenierte organische Verbindung enthält, bei
einer Temperatur von 1300 bis 16000C reagieren. Die
Ausbeute an Siliziumkarbid-Whiskera ist verhältnismäßig gering.
Durch die deutsche Offenlegungsschrift 2 101 891 wird ein Verfahren der einleitend genannten Alt vor-
Legierungen und ähnliche Legierungen verwendet werden. Als siliziumhaltige Oxide können Siliziummonoxid,
Siliziumdioxid, Pordand-Zement, weißer Portland-Zement, Glas, beispielsweise Natriumglas,
5 Bor-Silikatglas und Silikatglas, und gesinterte Stoffe aus siliziumhaltigem Material wie Kieselstein, Kie.celsand,
Feldspate und Kaolingruppen verwendet werden. Als siliziumhaltige Salze können Silikate wie Magnesiumsilikat,
Calciumsilikat, Alumini'imsilikat, Kieselkieselsäure,
Metakieselsäure, Mesodikieselsäure, Mesotrikieselsäure,
Mesotetrakieselsäure und Kieselgel verwendet werden.
Das für das erfindungsgemäße Verfahren geeignete siliziumhaltige Material kann ein einheitlicher Stoff
oder eine Mischung der aufgeführten Stoffe sein. Beispielsweise kann es eine Mischung metallischen Siliziums
mit einer oder mehreren Siliziumlegierungen,
wird em vciiaiucii uci tiiuciLcnu gcuaiuucu /\u vor- siumsiUKai, caiciumsiuiuu, «ilujuiiiui»iu^oi, i-viwow
geschlagen, bei dem ein Gemisch aus wenigstens einem io stein, Kieselsand, Feldspate und Kaoline verwendet
sjliziumhaltigen Oxid und wenigstens einem haloge- werden. Als siliciumhaltiges Hydroxid kann Orthonierten
aliphatischen oder aromatischen Kohlenwasserstoff unter im wesentlichen sauerstoff- und stickstofffreier
Atmosphäre auf eine Reaktionstemperatui von
wenigstens 800°C erhitzt wird. Dabei kann ein Halo- 15
gengfclialt der halogenierten organischen Verbindung
von wenigstens IG Gewichtsprozent gewählt sein, und
der halogenierte Koh'-nwasserstoff kann ein chlorierter Kohlenwasserston sein. z.iuius mn cmci uuu uitmLiuu umtnujuve.*.—σ—, Vorgeschlagen wird in der deutschen Offenlegungs- 20 Siliziumdioxid oder Metakieselsäure sein. Das siliziumschrift 2 042 584 ein eingangs genanntes Verfahren, haltige Material kann auch andere Stoffe als die oben bei dem bei erhöhter Temp :.atur und einem Druck aufgeführten Substanzen enthalten, von mindestens 100 Torr ein Halogen im gasförmigen Das siliziumhaltige Material kann in beliebiger Zustand oder eine bei dieser erhöhten Temperatur Form, beispielsweise als Brocken, als Körner oder als gasförmige Halogenverbindung mit einer in fester 25 Pulver, vorliegen. Beispielsweise können das metalli-Fonn vorliegenden Siliziumverbindung in Berührung sehe Silizium und die Siliziumlegierungen größere gebracht und die dabei erhaltenen gasförmigen Pro- Brocken sein. Andere Stoffe als das metallische Silizium dukte in einer Kondensationszone mit einer gas- und die Siliziumlegierungen werden jedoch vorzugsförmigen Kohlenstoffverbindung zur Umsetzung ge- weise in pulverisierter Form mit einer Korngröße von bracht werden. Vorzugsweise werden dabei ein Druck 30 höchstens 300 /tm, vorzugsweise von höchstens 100 μτη, von mindestens 200 Torr und Temperaturen von 1350 verwendet.
wenigstens 800°C erhitzt wird. Dabei kann ein Halo- 15
gengfclialt der halogenierten organischen Verbindung
von wenigstens IG Gewichtsprozent gewählt sein, und
der halogenierte Koh'-nwasserstoff kann ein chlorierter Kohlenwasserston sein. z.iuius mn cmci uuu uitmLiuu umtnujuve.*.—σ—, Vorgeschlagen wird in der deutschen Offenlegungs- 20 Siliziumdioxid oder Metakieselsäure sein. Das siliziumschrift 2 042 584 ein eingangs genanntes Verfahren, haltige Material kann auch andere Stoffe als die oben bei dem bei erhöhter Temp :.atur und einem Druck aufgeführten Substanzen enthalten, von mindestens 100 Torr ein Halogen im gasförmigen Das siliziumhaltige Material kann in beliebiger Zustand oder eine bei dieser erhöhten Temperatur Form, beispielsweise als Brocken, als Körner oder als gasförmige Halogenverbindung mit einer in fester 25 Pulver, vorliegen. Beispielsweise können das metalli-Fonn vorliegenden Siliziumverbindung in Berührung sehe Silizium und die Siliziumlegierungen größere gebracht und die dabei erhaltenen gasförmigen Pro- Brocken sein. Andere Stoffe als das metallische Silizium dukte in einer Kondensationszone mit einer gas- und die Siliziumlegierungen werden jedoch vorzugsförmigen Kohlenstoffverbindung zur Umsetzung ge- weise in pulverisierter Form mit einer Korngröße von bracht werden. Vorzugsweise werden dabei ein Druck 30 höchstens 300 /tm, vorzugsweise von höchstens 100 μτη, von mindestens 200 Torr und Temperaturen von 1350 verwendet.
bis 19000C angewendet. Als Halogen bzw. Halogen- Als chlorhaltiges Material, das für das erfindungs-
verbindung kann unter anderem Chlor, Chlorwasser- gemäße Verfahren geeignet ist, kann Chlor, Chlorstoff,
ein Siliziumhalogenid oder ein Halogenkohlen- wasserstoff, Phosgen und Tetrachlormethan verwendet
stoff, und als gasförmige Kohlenstoffverbindung ein 35 werden. Diese Substanzen sind unter Normalbedinniedriger
aliphatischer Kohlenwasserstoff verwendet gungen oder bei erhöhter Temperatur in gasförmigem
Zustand.
Als Kohlenwasserstoffe, die für das erfindungsgemäße Verfahren geeignet sind, können aliphatisch^
40 Kohlenwasserstoffe, alizyklische Kohlenwasserstoffe,
aromatische Kohlenwasserstoffe, Polyolefin, Polystyrol und ähnliche Verbindungen verwendet werden.
Die aliphatischen Kohlenwasserstoffe können ge-
uw w sättigte Kohlenwasserstoffe mit einer offenen Kette
den können eine hohe Ausbeute erhalten wird und nur 45 von Kohlenstoffatomen, sogenannte Paraffine sein,
geringe Kosten entstehen. beispielsweise Methan, Äthan, Propan, Butan^Pentan,
Erfindungsgemäß wird diese Aufgabe dadurch ge- " ' ~ - - -
löst, daß das Reaktionsgemisch bei niedrigerer Tempe-
werden. Als Mengenverhältnis des Halogens bzw. der Halogenverbindung zur gasförmigen Kohlenstoffverbindung
kann ein Molverhältnis 1: 10 bis 10: 1 angewendet werden.
Aufgabe der Erfindung ist es, ein Herstellungsverfahren für whiskerartig kristallisiertes Siliziumkarbid
anzugeben, das zur industriellen Nutzung geeignet ist, bei dem unreine Ausgangsmaterialien verwendet wer-
ratur, mindestens aber bei 4000C, vorerhitzt wird.
Hexan, Octan, Nonan, Decan, Ündecan, Dodecan, Tridecan, Tetradecan, Pentadecan, Hexadecan, Hepta-
tur, mmuesicus auci ucmw v,, ,uiBium wuu. decan, Oktadecan, Nonadecan, Eicosan, Heneicosan,
Das erfindungsgemäße Verfahren läßt sich im groß- 50 Docosan, Tricosan, Tetracosan, Pentacosan. Neben
technischen Maßstab leicht beherrschen und ist mit den obengenannten η-Paraffinen können auch die
einer einfachen Anlage durchführbar. ihnen entsprechenden Iso-Paraffine verwendet werden.
Weitere Vorteile und Eigenschaften des erfindungs- Die aliphatischen Kohlenwasseistoffe können auch
gemäßen Verfahrens sind der folgenden Beschreibung Olefine, beispielsweise Äthylen, Propylen, Butylen,
zu entnehmen, in der auf die F i g. 1 und 2 Bezug ge- 55 Isobutylen, Amylen, Isoamylen, Tetramethyläthylen,
nommen ist. Die F i g. 1 und 2 zeigen Anlagen, mit Hepten, Octen (Oktylen), Nonen, Decen (Diamylen),
denen das Verfahren durchgeführt werden kann. sein, oder die aliphatischen Kohlenwasserstoffe können
Als siliziumhaltige Materialien, die für das erfin- Acetylene, beispielsweise Acetylen, Methylacetylen (Aldungsgemäße
Verfahren geeignet sind, kommen ele- lylen), Butin, Pentin, Hexin, Heptin, Octin, Nonin,
mentares Silizium, Siliziumlegierungen, siliziumhaltige 60 Decin, sein.
anorganische Oxide, siliziumhaltige Salze, silizium- Die für das erfindungsgemäße Verfahren geeigneten
haltige Hydroxide und siliziumhaltige anorganische n- und Iso-Paraffine enthalten vorzugsweise 1 bis
Chloride in Frage. Das elementare Silizium kann me- IO Kohlenstoffatome.
tallisch kristallisiertes Silizium oder amorphes Silizium Die alicyklischen Kohlenwasserstoffe können Cyklo-
sein, das vorzugsweise einen Reinheitsgrad von wenig- 65 paraffine sein, die 3 bis 8 Kohlenstoffatome enthalten,
stens 70% besitzt. Als Siliziumlegierungen können wie beispielsweise Cyklopropan, Cyklobutan, Cyklo-Si-Fe-Legierungen,
Si-Ni-Legierungen, Si-Al-Legie- pentan, Cyklohexan, Cykloheptan und Cyklooctan,
rungen, Si-Cu-Legierungen, Si-Zn-Legierungen, Si-Ca- sie können auch Cykloolefine wie beispielsweise
Cyklopropen, Cyklobuten, Cyklopenten, Cyklohepten,
Cykloocten, Cyklononen und Cyklodecen sein.
Als aromatische Kohlenwassei stoffe können Benzol, Toluol, Xylol, Hemimellitol, Pseudocumol, Mesitylen,
Prehnitol, Duiol, Isodurol, Pentamethylbenzol, Diphenyl,
Diphenylmethan, Inden, Naphthalin, Tetrahydronaphthalin,
Anthracen und Phenanthren verwendet werden. Als Polyolefine können Polyäthylen und Polypropylen angewendet werden.
Die für das erfindungsgemäße Verfahren verwendbaren Kohlenwasserstoffe umspannen einen weiten
Bereich verschiedener organischer Polymere, Wachse, die Ester von Fettsäuren und wasserunlöslichen primären
oder sekundären höheren Alkoholen von Paraffinen sind, Holzöl, Kerosin, Pechharze, Teer und
Asphalt.
Die für das erfindungsgemäße Verfahren verwendbaren halogenierten Kohlenwasserstoffe können hoch-
oder niedermolekulare fluorierte, chlorierte, bromierte und jodierte Kohlenwasserstoffe sein, die einen Halogengehalt
aufweisen, der nicht kleiner als 5 Gewichtsprozent, vorzugsweise nicht kleiner als 10 Gewichtsprozent
ist. Vorzugsweise werden als halogenierte Kohlenwasserstoffe chlorierte Kohlenwasserstoffe, wie
chlorierte aliphatische, alicyklische und aromatische Kohlenwasserstoffe, verwendet. Solche chlorierten
Kohlenwasserstoffe sind beispielsweise Äthylendichlorid, Äthantetrachlorid, Äthylentetrachlorid, Methylchlorid,
Äthylchlorid, Vinylchlorid, Monochlorbenzol, Dichlorbenzol, Benzolhexachlorid, chloriertes
Paraffin, chlorhaltige Polymerisate, wie beispielsweise Polyvinylchlorid, Polyvinylidenchlorid, copolymeres
Vinylchlorid, copolymeres Vinylidenchlorid, chloriertes Polyäthylen, chloriertes Polypropylen, chloriertes
Polystyrol, sulfochloriertes Polyäthylen, chloriertes Polyvinylchlorid und chloriertes Polyvinylidenchlorid.
Die chlorierten Kohlenwasserstoffe können auch andere chlorhaltige organische Verbindungen, beispielsweise
Chlorbenzyl oder eine Säure der Formel
Cl
-COOH
-COOH
Cl
sein (im folgenden als »heterocyklische Säure« zitiert).
Es wurde bereits oben angeführt, daß die für das erfindungsgemäße Verfahren geeigneten chlorierten Kohlenwasserstoffe
einen Chlorgehalt von wenigstens 5 Gewichtsprozent, vorzugsweise von wenigstens 10 Gewichtsprozent,
aufweisen sollen. Sie können eine Mischung von wenigstens zwei verschiedenen chlorierten
Kohlenwasserstoffen oder eine Mischung chlorierter Kohlenwasserstoffe und anderer chlorhaltiger organischer
Verbindungen sein. Beispielsweise kann als chlorierter Kohlenwasserstoff eine Mischung chlorierten
Paraffins mit der »heterocyklischen Säure« und Acetylcntetrachlorid, das bei Raumtemperatur flüssig
ist, und Polyvinylchlorid, das bei Raumtemperatur fest ist, verwendet werden.
Die angeführten chlorierten Kohlenwasserstoffe können bei hoher Temperatur vergast oder zersetzt
werden, wobei gasförmige Verbindungen erzeugt werden, die unter Normalbedingung einen niedrigen Siedepunkt
besitzen. In einer bevorzugten Ausführungsform des erfindungsgemäßen Verfahrens enthält das
Reaktionssystem das siliziumhaltige Material, das oben näher bezeichnete chlorhaltige Material und
Kohlenwasserstoff. In einer anderen Ausführungsform des erfindungsgemäßen Verfahrens ist das Reaktionssystem mit siliziumhaltigem Material, mit dem oben
ίο angeführten chlorhaltigen Material, mit Kohlenwasserstoff
und mit halogeniertem Kohlenwasserstoff beschickt. Bei einem weiteren Ausführungsbeispiel
enthält das Reaktionssystem siliziumhaltiges Material und halogenierten Kohlenwasserstoff. In einem vierten
Ausführungsbeispiel ist das Reaktionssystem mit siliziumhaltigem Material, mit halogeniertem Kohlenwasserstoff
und mit dem oben näher beschriebenen chlorhaltigen Material beschickt.
Gemäß dem erfindungsgemäßen Verfahren wird das Reaktionssystem oder Teile des Reaktionssystems auf
eine Temperatur von 400° C oder mehr vorerhitzt. Anschließend wird das Reaktionssystem auf eine Temperatur
erhitzt, die nicht kleiner als 8000C ist. Vorzugsweise liegt die Temperatur zwischen 1000 und 22000C,
as wobei der Bereich zwischen 1200 und 2000° C besonders
zu bevorzugen ist. Die Erhitzung geschieht unter im wesentlichen sauerstoff- und stickstofffreier Atmosphäre.
Bei einer Reaktionstemperatur unterhalb von 8000C wird die Reaktion, mit der das Siliziumkarbid
erzeugt wird, nur ir ungenügendem Maß bewirkt, so daß sich keine whiskerartigen Kristalle bilden können.
Wählt man im Gegensatz dazu eine Reaktionstemperatur, die größer als 2200°C ist, so ist der Zeitpunkt
für die Entnahme des erhaltenen Siliziumkarbids sehr sorgfältig zu bestimmen, da das Siliziumkarbid die
Tendenz hat zu sublimieren oder sich unter der Einwirkung von großer Hitze zu zersetzen.
Vorzugsweise wird auf 8000C oder eine noch höhere
Temperatur vorerhitzt. Bei der Vorerhitzung muß be-
♦o achtet werden, daß das Reaktionssystem schließlich
auf eine Temperatur erhitzt wird, die nicht kleiner als
die Vorheiztemperatur und nicht kleiner als 8000C sein
darf. Die Vorheiztemperatur kann wahlweise unter Berücksichtigung der chemischen und physikalischen
Eigenschaften des Materials eingestellt werden, mit dem das Reaktionssystem beschickt ist.
Bei der Durchführung des erfindungsgemäßen Verfahrens kann das Reaktionssystem eine geringe Menge
Wasserstoffgas enthalten.
Die Reaktion, bei der whiskerartig kristallisiertes Siliziumkarbid erzeugt wird, kann bei atmosphärischem
Druck oder bei erhöhtem Druck durchgeführt werden.
Falls unter den Materialien, mit denen das Reaktionssystem beschickt wird, nur die chlorhaltige Substanz
bei Umgebungsbedingungen gasförmig vorliegt, so wird die Reaktion, bei der sich das whiskerartig
kristallisierte Siliziumkarbid bildet, nach folgendem Verfahren durchgeführt. Ein Reaktionsgefäß wird mit
siliziumhaltigem Material in Pulverform beschickt und beispielsweise auf eine Temperatur zwischen 400 und
800°C vorerhitzt. Die gasförmige chlorhaltige Substanz
wird in das Reaktionsgefäß zusammen mit dem Kohlenwasserstoff und/oder dem halogenierten Koh-
lenwasserstoff eingeführt und so mit dem siliziumhaltigen Material in Berührung gebracht. In Gegenwart
der chlorhaltigen Substanz wird der zugeführte Kohlenwasserstoff und/oder der zugeführte halo-
4320
7 * 8
genierte Kohlenwasserstoff vergast oder bei der hohen flußleistung kleiner als 0,0007 l/min, so ist die ProTemperatur zersetzt. Das die Zersetzungskomponenten duktivität der SÜiziumkarbid-Whisker-Erzeugung und
enthaltende Gas reagiert mit dem siliziumhaltigen die Energieausbeute unerwünscht niedrig. Ist die
Material, und whiskerartig kristallisiertes Silizium- Durchflußleistung größer als 5 l/min, so erhält man
karbid wird über verschiedene Zwischenstufen, wie 5 whiskerartig kristallisiertes Siliziumkarbid mit geringer
beispielsweise halogeniertes Silizium oder halogenieite Länge, da sublimiertes Siliziumkarbid aus dem Gefäß 5
organische Siliziumverbindungen, erzeugt. herausgeführt wird. Diese Kristalle mit geringer Länge
Der beschriebene Reaktionsverlauf wird beispieIVilft haben außerdem einen geringen Reinheitsgrad und
an Hand der F i g. 1 näher beschrieben. eine unerwünschte gelbgrüne Färbung.
F i g. 1 zeigt ein Reaktionsgefäß 1, das mit einer io Zur Steuerung der Durchflußleistung kann in das
Schütteleinrichtung oder einem Rührwerk versehen Gefäß 5 Wasserstoff eingeführt werden,
ist, mit dem der Inhalt des Wirbelbettes 2 durchge- Enthalten das Vorerhitzungsgefäß 1 und das Gefäß 5
schüttelt bzw. durchgerührt werden kann. Im Wirbel- im wesentlichen weder Sauerstoff noch Stickstoff, so
bett 2 werden fortlaufend Verbindungen als Zwischen- erfolgt eine Reaktion mit gutem Resultat. Falls das
produkte erzeugt, die Silizium enthalten, wozu die 15 Vorerhitzungsgefäß 1 und das Gefäß 5 Sauerstoff und
Materialien, mit denen das Reaktionsgefäß 1 lje- Stickstoffgas enthalten, so erhält man Whisker, die
schickt wird, erhitzt werden. Das siliziumhaltige mit einer sehr geringen Reaktionsgeschwindigkeit erMaterial
wird in das Reaktionsgefäß 1 über die Zu- zeugt werden, die Ausbeute ist sehr niedrig, und die
führung 3 eingebracht und vorzugsweise auf eine Whisker weisen Verunreinigungen, beispielsweise SiIi-Temperatur
zwischen 400 und 800° C vorerhitzt. Die 20 ziumnitrid, auf.
halogen- und kohlenstoffhaltigen Substanzen, bei- Zur Erhöhung der Ausbeute und des Wirkungsgrads
spielsweise halogenieite Kohlenwasserstoffe und Mi- der Reaktion, mit der das whiskerartig kristallisierte
schungen von Kohlenwasserstoffen und chlorhaltigem Siliziumkarbid erzeugt wird, kann die Vorerhitzung
Material, wie sie oben beschrieben wurden, werden in und die Reaktion unter hohem Druck ausgeführt
das Reaktionsgefäß 1 über die Zuführung 4 einge- 25 werden. Der hohe Druck, der angewendet werden
bracht. Das siliciumhaltige Material und das halogen- kann, ist jedoch durch die mechanische Festigkeit des
und kohlenstoffhaltige Material werden in dem Reak- Materials begrenzt, aus dem der Behälter 5 und das
tionsgefäß vorerhitzt, wodurch halogenierte Silizium- Reaktionsgefäß 1 hergestellt sind. Dieses Material
verbindungen als Zwischenprodukte erzeugt werden. kann beispielsweise Keramik sein. Das im Gefäß 5 er-
Das Beschicken mit siliziumhaltigem Material kann zu- 30 haltene Abgas wird über eine Leitung 7 nach außen
sammen oder nach der Beschickung mit halogen- und geführt. Das im Gefäß 5 erzeugte whiskerartig kiistalli-
kohlenstoffhaltigem Material durchgeführt werden. sierte Siliziumkarbid wird über eine Leitung 8 ent-
Der Kohlenwasserstoff kann in das Reaktionsgefäß 1 nommen.
zusammen oder getrennt von dem chlorhaltigen Mate- In F i g. 1 sind das Reaktionsgefäß 1 und das Gerial
oder dem halogenierten Kohlenwasserstoff einge- 35 faß 5, in dem die whiskerartigen Kristalle erzeugt
bracht werden. Die siliziumhaltige Substanz kann in werden, getrennt voneinander angeordnet. Das erfindas
Reaktionsgefäß 1 zusammen mit einem reduzieren- dungsgemäße Verfahren kann auch ausgeführt werden,
den Material, beispielsweise mit pulverförmigem Koh- wenn man nur ein Gefäß benützt, in dem sich die
lenstoff, eingebracht werden, der sich auf hoher Tem- whiskerartigen Kristalle formen. Im besprochenen
peratur befindet. Es ist vorteilhaft, wenn das Reak- 40 Ausführungsbeispiel kann das Gefäß, in dem sich die
tionsgefäß 1 keinen wesentlichen Gehalt an Stickstoff whiskerartigen Kristalle niederschlagen, eine Zone
oder Sauerstoff enthält. Im Reaktionsgefäß 1 kann niedrigerer Temperatur zur Vorerhitzung des Matesich
jedoch ein Inertgas, beispielsweise Neon und rials und eine Hochtemperaturzone enthalten, in dei
Argon, befinden. Da das siliziumhaltige Material bei das whiskerartig kristallisierte Siliziumkarbid erzeugi
Temperaturen unterhalb 400r C nicht in halogeniertes 45 wird.
Silizium überführt werden kann, wird eine Vorer- Das mit dem erfindungsgemäßen Verfahren erzeugtf
hitzungstemperatur benötigt, die größer als 4000C ist. Siliziumkarbid kristallisiert als Whisker in einen
Das mit der Vorerhitzung erhaltene Gas, das gas- außenliegenden Bereich des Gefäßes 5, wobei die Tem
förmiges halogeniertes Silizium oder gasförmige halo- peratur dieses außenliegenden Bereichs kleiner ist all
genierte organische Siliziumverbindungen, gasförmigen 50 die Temperatur, auf die das Reaktionsgefäß erhitzt ist
niedrigen Kohlenwasserstoff und andere kohlenstoff- und die größer als 800° C ist.
haltige Verbindungen enthält, wird über eine Leitung 6 Setzt man in das Gefäß, in dem sich die whisker
in ein Gefäß 5 überführt, in dem sich die Whisker artigen Kristall·? niederschlagen, Einsätze, beispiels
formen. Das Gas wird auf eine Temperatur erhitzt, die weise Fasern, Stäbe oder Platten, ein, so kristallisier
größer als 800cC ist und die vorzugsweise zwischen 55 das erzeugte Siliziumkarbid in Whiskerforrn auf de
1000 und 22000C liegt, wobei unter im wesentlichen Oberfläche dieser Einsätze mit hoher Dichte um
sauerstoff- und stickstofffreier Atmosphäre gearbeitet gutem Kristallwachstum aus.
wird. Dabei wird das whiskerartig kristallisierte SiIi- Vorteilhaft ist es bei dem erfindungsgemäßen Ver
ziumkarbid erzeugt. Bei dem beschriebenen Prozeß fahren, ein chlorhaltiges Material zu benutzen, dessei
wird das in der Vorerhitzungsstufe erhaltene Gas in 60 Chlorgehalt 0,1 bis 3mal, vorzugsweise 0,5- bis 2ma
das Gefäß 5 mit einer Durchflußleistung eingefühlt, die größen ist als die Chlormenge, die für die vollständig
zwischen ungefähr 0,0007 und ungefähr 5 l/min liegt. Umwandlung des im siliziumhaltigen Material ent
Vorzugsweise wird eine Durchflußleistung zwischen haltenen Siliziums in Siliziumtetrachlorid nötig ist.
0,001 und 11/niin gewählt, besonders vorteilhaft ist Vorzugsweise werden außerdem beim erfindungsge
eine Durchflußleistung, die zwischen 0,0035 und 65 mäßen Verfahren Kohlenwasserstoffe und halogeniert
0,02 l/min liegt. Diese Durchflußleistung ist auf eine Kohlenwasserstoffe benutzt, deren Kohlenstoffgehal
Einheitsfläche von 1 cm2 bezogen, die im Gefäß 5 senk- 3- bis 20mal größer ist als die Kohlenstoffmenge, di
recht zur Flußrichtung des Gases liegt. Ist die Durch- für eine vollständige Umwandlung des in siliziurr
10
haltigem Material enthaltenen Siliziums in Silizium- mit gasförmigem Kohlenwasserstoff vermischt und so
karKötig ist Außerdem muß der Wasserstoffgehalt ein reaktionsfähiges Gas erzeugt. Dieser gasförmig
Sr Verbfndung das Ein- bis Zehnfache der Wasser- Kohlenwasserstoff w,rd aus einem Behalter 33 übe
storTmenee betragen die nötig ist, um aus dem im eine Leitung 30 in die Leitung 27 eingespeist. Über di
ReaSseefäßentstandenen Siliziumtetrachlorid 5 Leitung 34 wird das reaktionsfäh.ge Gas in ein Uefaß
ChSrssfrstoff zu erzeugen. Falls die benützten 22 geführt, in dem die whiskerähnl.chen Kristalle er-'
StoSTS^ chlorhalt!gem8Mateiial( Kohlenwasser- zeugt werden. In dem Gefäß 22 wird das reaktion»-
1 stoff uid halogen ertem Kohlenwasserstoff unter der fähige Gas auf eine Temperatur erhitzt, die nicht nied-
senannt^ Grenze liegen so ist der Partialdruck des riger als die Vorerhitzungstemperatur und nicht kleine·
' Smhaltken Ga ef 7m Reaktionsgefäß zu hoch, t. als 800°C ist. Die Erhitzung erfolgt im wesentlichen
; S man erhält eine geringe Ausbeute an Silizium- unter sauerstoff- und stickstofffreier Atmosphäre, und
I kSbid FaI TdL Mengen der genannten Stoffe die durch diese Erhitzung wird das whiskerähnlich knstal-
! olSen Grenzen üSgen, so ist der Partialdruck lisierte Siliziumkarbid gebildet. Falls die Gasentwick-
ί des süizkimhaltigen Materials im Reaktionsgefäß zu lungsvorrichtung 21 mit halogeniertem Kohlenwasser-
! gSi SdmSSutebenfalls eine geringe Ausbeute u stoff beschickt vird, wird das mit ^r Vorerhitzung im
germs, "",... Reaktionsgefäß erhaltene Gas als reaktionsfähiges Gas
j F ig St einen Gasentwicklungsbehälter 21, mit über die Leitungen 27 und 34 in das Gefäß 22 geführt
f dem ein halogenhaltiges Gas aus dem oben angeführten und dort dem Verfahrensschritt ausgesetzt, mit dem
* chlorhaltigen Material und halogeniertem Kohlen- die Whisker erzeugt werden.
wassers off erzeuS wird. Falls das chlorhaltige Mate- 20 Das mit der Vorerhitzung erhaltene Gas kann ,n
rid oder der halogenierte Kohlenwasserstoff unter einem Speichergefäß aufbewahrt werden. Dieses
Normalbedingungen gasförmig ist, so ist der Gasent- Speichergefäß ist in der Zeichnung nicht-enthalten,
wicklungsbehälter 21 ein Gasbehälter oder eine Gas- Aus ihm kann das reaktionsfähige Gas in das GetaU Il
\ flasche Falls für das Verfahren flüssiger oder fester eingespeist werden, falls dort Gas benötigt wird
halogenierter Kohlenwasserstoff, beispielsweise Poly- »5 Das reaktionsfähige Gas wird m dem Gefäß 22.aut
' vinylchlorid chloriertes Paraffin oder Tetrachlor- eine Temperatur erhitzt, die nicht kiemer als 800 C
I methan benutzt wird so werden in dem Gasentwick- und nicht kleiner als die Vorerhitzungstemperatur is L
I lunesbe'hälter 21 diese Substanzen vergast oder zer- Vorzugsweise liegt die Erhitzungstemperatur zwischen
i setzt wozu man die Substanzen erhitzt. 1000 und 2200°C, besonders günstig ist der Tempe-
Die Gasentwicklungsvorrichtung 21 wird über eine 30 raturbereich zwischen 1200 und 2000 C. Die ti-
ί Zuführung 24 mit dem chlorhaltigen Material oder hitzung erfolgt unter im wesentlichen sauerstoff- und
! dem halogenierten Kohlenwasserstoff beschickt. stickstofffreier Atmosphäre, und es wird bei der Er-
[ Falls die Gasentwicklungsvorrichtung 21 mit unter hitzung das whiskerähnlich kristallisierte Sihzium-
I Normalbedingungen flüssigem oder festem Material karbid in dem Gefäß 22 erzeugt. Abgase, die man im
I beschickt ist so wird das Material auf Temperaturen 35 Gefäß 22 erhält, in dem sich die whiskerahnlicnen
• zwischen 5o'und 1000"C erhitzt, um es zu vergasen Kristalle niederschlagen, werden aus dem Gefäß 2-1
oder zu zersetzen und ein halogenhaltiges Gas zu ge- mittels der Leitung 31 abgeführt. Falls erforderlich.
[ winnen Wenn das Material, mit dem der Gasent- können die Abgase über eine Leitung32 in den Ga--I
wicklungsbehälter 21 beschickt wird, einen niedrigen erzeugungsbehälter 21 oder das Reaktionsgefäß 23 zii-I
Siedepunkt hat, wie es beispielsweise bei Tetrachlor- 40 rückgeführt werden. Falls nötig, kann in das Reak-I
methan und Äthylendichlorid der FaI! ist, so kann das tionsgefäß 23 über eine Gasleitung 29 Wasserstoffgn<
j Materiäf'mittei's^eines Trägergases, beispielsweise mit eingeführt werden, um die Durchflußleistung im Reak-['
Wasserstoffgas oder Chlorgas, bei Raumtemperatur tionsgefäß 23 zu steuern.
' verflüchtigt werden. Das in der Gasentwicklungsvor- Um ein gutes Resultat zu ei halten ist es angebracht
richtung 21 erzeugte halogenhaltige Gas wird in das 45 auch im Reaktionsgefäß 23 unter im wesentlichen
Reaktionsgefäß 23 über eine Leitung 25 geführt. Das Stickstoff-und sauerstofffreier Atmosphäre zu arbeiten.
Reaktionseefäß 23 ist mit einer Öffnung 26 versehen. Es ist jedoch nötig, daß im Gefäß 22, in dem sich die
über die siliziumhaltiges Material in das Reaktions- Whisker-Kristalle niederschlagen, praktisch kein Stickgefäß
gebracht werden kann. Außerdem besitzt das stoff und Sauerstoff vorhanden ist. Falls das Gefäß
Reaküonsgefäß 23 ein Rüttel- bzw. Schüttelwerk und 50 Sauerstoff und oder Stickstoff enthält, so wird das
ein Wirbelbett 28. Über diese Zuführung 26 wird das siliziumhaltige Material nur mit sehr geringer Reak-Reaktionsgefäß
23 mit siliziumhaltigem Material in tionsgeschwindigkeit in Siliziumkarbid umgesetzt, die
feiner Pulverform oder körniger Form beschickt. Das Geschwindigkeit des Kristallwachstums bei der Knsiliziumhaltige
Material kann vor der Beschickung mit stallisation des Siliziumkarbids ist sehr klein, und das
einem pulverförmigen Reduktionsmaterial, beispiels- 55 erzeugte Siliziumkarbid weist Verunreinigungen wie
weise Kohlenstoff, vermischt werden. Es ist auch mög- Siliziumnitrid und Siliziumoxid auf.
lieh, das halogenhaltige Gas mit einem reduzierenden Um whiskerähnlich kristallisiertes Siliziumkarbid
Gas' beispielsweise mit Kohlenmonoxid, zu vermischen. mit einer hohen Ausbeute zu erhalten, ist es angebevor
es in das Reaktionsgefäß 23 eingeleitet wird. bracht, unter erhöhtem Druck zu arbeiten. Falls
Im Reaktionsgefäß 23 wird das siliziumhaltige Mate- 60 jedoch der Gasentwicklungsbehälter 21, das Reakrial
zusammen mit dem halogenhaltigen Gas auf eine tionsgefäß 23 und das Gefäß 22, in dem die Whisker-Temperatur
zwischen 400 und 1500°C, vorzugsweise Kristalle sich niederschlagen, aus Keramik hergestellt
maximal 1 3000C, vorerhitzt. sind, so ist der Druck, bei dem gearbeitet werden kann.
Das durch die Vorerhitzung im Reaktionsgefäß 23 nach oben begrenzt.
erzeugte Gas wird durch die Leitung 27 aus dem Reak- 6s In Tabelle 2 sind verschiedene Materialzusammentionsgefäß23
herausgeführt. Falls der Gasentwick- Setzungen aufgeführt, mit denen das erfindungsgemäße
lungsbehälter 21 nur mit chlorhaltigem Material be- Verfahren nach einem Verfahrensschema durchgeführt
schickt ist, so wird das vorerhitzte Gas in der Leitung 27 werden kann, wie es in F i g. 2 gezeigt ist.
Substanzen, mit denen das Gasentwicklungsgefäß 21 über die Rohrleitung 24 beschickt wird |
Matetial, mit dem das Reaktionsgefäß 23 über tue Rohrleitung 26 beschickt wird |
Material, das in das Ge | |
Nr. | fäß 22 bzw. die Rohr leitungen 27 und 34 über die Rohrleitung 30 ein |
||
Cl2 | Metallisches Silizium oder Silizi | gespeist wird | |
1 | umlegierungen (eingeschlossen | Kohlenwasserstoff | |
sind siliziumhaltige Metallmi | |||
schungen) | |||
HCl | desgl. | ||
2 | Cl8 + CO | desgl. | desgl. |
3 | COCl2 | desgl. | desgl. |
4 | COCl2 + CO | desgl. | desgl. |
5 | CCl4 | desgl. | desgl. |
6 | Chlorierter Kohlenwasserstoff | desgl. | desgl. |
7 | Cl2 | Siliziumdioxid, Kieselsäure oder | desgl. |
8 | Mischungen dieser Materialien | desgl. | |
mit Kohlenstoff | |||
HCl | desgl. | ||
9 | Cl2 + CO | Siliziumdioxid oder Kieselsäure | desgl. |
10 | HCl + CO | desgl. | desgl. |
11 | COCl2 | desgl. | desgl. |
12 | CCl4 | desgl. | desgl. |
13 | Chlorierter Kohlenwasserstoff | desgl. | desgl. |
14 | desgl. | ||
Der Tabelle 2 ist zu entnehmen, daß es für ein gutes
Resultat erforderlich ist, daß die Siliziumlegierungen 3&
oder die siliziumhaltigen Metallmischungen wenigstens 60 Gewichtsprozent Silizium enthalten.
Das siliziumhaltige Material wird vorzugsweise im Gewichtsverhältnis von 90:10 bis 10:90 mit dem
halogenierten Kohlenwasserstoff gemischt und in einem Reaktionsgefäß auf eine Temperatur zwischen
400 und 15000C, vorzugsweise maximal auf 13000C
vorerhitzt. Mit der Vorerhitzung werden aus dem siliziumhaltigen Material und dem halogenierten
Kohlenwasserstoff verschiedene gasförmige Verbindüngen durch Vergasen oder Zerlegung der Ausgangsstoffe
hergestellt.
Falls bei Durchführung des erfindungsgemäßen Verfahrens nur auf eine Temperatur vorerhitzt wird, die
800°C nicht übersteigt, so kann das Reaktionsgefäß aus Stahl gefertigt werden. Falls jedoch zur Vorerhitzung
Temperaturen angewendet werden, die größer als 800° C sind, so ist es erforderlich, daß das Reaktionsgefäß
aus keramischem Material hergestellt wird. Auch des Gefäß, in dem sich die Whisker niederschlagen,
ist aus keramischem Material zu fertigen. Folgende Keramikmaterialien kommen in Frage:
Kohlenstoff einschließlich Graphit, Kieselerde einschließlich Quarz, Aluminiumoxid einschließlich Korund,
Zirkonoxid, Calciumoxid, Magnesiumoxid, MuI-lit, Silimanit, verschiedene Karbide, beispielsweise
Siliziumkarbid, verschiedene Nitride, beispielsweise Bornitrid und Siliziumnitrid. Das Gefäß, in dem sich
die Whisker niederschlagen, und das Reaktionsgefäß können auch aus Platin oder Platinlegierungen, aus 6c
Tantal oder Titan oder deren Legierungen hergestellt sein.
Mit dem erfindungsgemäßen Verfahren ist es möglich, whiskerähnlich kristallisiertes Siliziumkarbid im
großtechnischen Verfahren herzustellen, das einen Reinheitsgrad von 95 Gewichtsprozent hat. Als Ausgangsmaterialien
können Rohmaterialien verwendet werden, die leicht erhältlich sind. Das Verfahren ist
einfach zu handhaben, und man erhält eine hohe Ausbeute, die zwischen 65 und 90% liegt, wobei diese
Ausbeute auf das Gewicht der Siliziummenge bezogen ist, die im Rohmaterial enthalten ist. Das erzeugte
whiskerähnlich kristallisierte Siliziumkarbid besteht aus dünnen, langen, nadelähnlichen Gebilden, deren
Durchmesser zwischen 0,01 und ΙΟμηι und deren
Länge zwischen 1 und 20 mm liegt. Solche Formen wurden bei herkömmlichem whiskerähnlich kristallisiertem
Siliziumkarbid niemals gefunden. Außerdem besitzt das nach dem ernndungsgemäßen Verfahren
hergestellte whiskerähnlich kristallisierte Siliziumkarbid eine äußerst gute Zugfestigkeit und einen sehr
guten Elastizitätsmodul und ist daher sehr gut als Armierung für verschiedene Materialien, beispielsweise
für Kunststoffe, keramische Materialien und Metalle, geeignet. Weitere Eigenschaften und Vorteile
der nach dem erfindungsgemäßen Verfahren hergestellten Whisker werden an Hand der folgenden Beispiele
hervorgehoben.
Eine Röhre aus nichtrostendem Stahl, die einen
Innendurchmesser von 4 cm und eine Länge von 30 cm hatte und die auf einem Untersatz aus poröser Keramik
lag, wurde mit 50 g ausgeflocktem Siliziumdioxidpulver beschickt, das eine durchschnittliche Korngröße
von 10O1Um hatte. Über eine hitzebeständige Röhre war die Röhre aus nichtrostendem Stahl mit einem
Silimannit-Rohr verbunden, das einen Innendurchmesser von 3 cm und eine Länge von 50 cm hatte. Als
erstes wurde der Druck in dem Röhrensystem aui 1 mm Hg reduziert. Dann wurde das Rohr aus nichtrostendem
Stahl auf 700° C und das Silimannit-Rohi
auf 1400° C erhitzt. Anschließend wurde ein Gasge misch, das aus einem Voiumteil Chlorgas und zwe
Volumteilen Propangas bestand, in das Rohrsysten am oberen Ende des Rohres aus nichtrostendem Stah
mit einer Durchflußleistung von 1,5 l/min eingeführt
4320
Das Gasgemisch durchströmte das Rohr aus nichtrostendem Stahl, das a'jf 7003C erhitzt war, und durchströmte
anschließend das Sihmannit-Rohr, das sich auf einer Temperatur von 14000C befand. Bei dieser
Verfahrensstufe herrschte in dem Rohrsystem atmosphärischer Druck, der durch Steuerung der Abflußleistung
des Abgases aufrechterhalten wurde, das aus dem Süimannit-Rohr herausgeführt wurde. Die beschriebenen
Bedingungen wurden für drei Stunden aufrechterhalten.
Danach wurde der Strom des Gasgemisches unterbrochen und das Silimannit-Rohr aus der
Heizvorrichtung herausgenommen und auf Raumtemperatur abgekühlt. Anschließend wurden aus dem
Silimannit-Rohr die dort niedergeschlagenen weißen whiskerartigen Kristalle entnommen. Das Gewicht der
erhaltenen whiskerartigen Kristalle betrug 4,2 g. 1.4
Durch Röntgenstrahlanalyse wurde festgestellt, daß man reines /J-Siliaumkarbid erhalten hatte. Die erzeugten
whiskerartigen Kristalle hatten eine Dicke von ungefähr 0,8 μτα und eine Länge von ungefähr 10 mm.
Ihre Zugfestigkeit betrug ungefähr 2300 kg/mm2, und sie besaßen einen Modul der longitudinalen Elastizität
von ungefähr 52 000 kg/mm*.
Zum Vergleich wurde das geschilderte Verfahren wiederholt, das Rohr aus nichtrostendem Stahl jedoch
ίο nicht auf eine Temperatur von 7000C, sondern nur auf
3500C erhitzt. Bei diesem zum Vergleich duichgeführten
Verfahren wurden keine whiskerartigen Kristalle in dem Silimannit-Rohr gefunden.
In Tabelle III sind die wesentlichsten Verf ahrensbedingungen und Ergebnisse des Beispiels 1 zusammen mit denen weiterer Beispiele aufgeführt.
In Tabelle III sind die wesentlichsten Verf ahrensbedingungen und Ergebnisse des Beispiels 1 zusammen mit denen weiterer Beispiele aufgeführt.
Material | Halogen und C-hal- | Tabelle | 3 | Reak | Druck | Zeit | Erzeugnis (Siliziumkarbid- | Durch | _ | Zugfestig | Elastizi | |
tiges Material | Reaktion | tion | whisker) | messer | Länge | keit | tätsmodul | |||||
. | Siliziumhaltiges | Gemisch aus | 1400 | atmo | (Std.) | (μ) | (mm) | (kg/mm1) | (kg/mm2) | |||
Beispiel Nr. |
Mateiial | Chlor- und | Temperature0 C) | sphäri | 3 | 0,8 | 10 | 2300 | 52 000 | |||
Siliziumoxid | Propangas | Vorer | scher | |||||||||
Gemisch aus | hitzung | 1500 | atmo | |||||||||
1 | Chlorgas und | 700 | sphäri | 2 | 0,5 bis 1,0 | 5 bis 10 | — | — | ||||
Siliziumoxid | mit Petroleum | scher | ||||||||||
versetztem Asphalt Gemisch aus |
||||||||||||
2 | Chlorgas und | 800 | 1450 | atmo | ||||||||
Methyl- chloiidgas Gemisch aus |
sphäri | 4 | 0,3 bis 1,0 | 5 bis 10 | ||||||||
Kieselsand | Polyäthylen | scher | ||||||||||
und chlorier | 1350 | atmo | ||||||||||
3 | tem Poly | 900 | sphäri | 3 | 0,1 bis 0,7 | 3 bis 15 | ||||||
Metakiesel- | äthylen | scher | ||||||||||
säure | Gemisch aus | |||||||||||
4 | Polyvinyl | 500 | ||||||||||
chlorid und | 1400 | 2 kg/ | ||||||||||
Polyäthylen | cm2 | 3 | 0,3 bis 1,0 | 2 bis 8 | — | — | ||||||
Silizium | chloriertes Poly | |||||||||||
dioxid | äthylen | |||||||||||
5 | 700 | 1500 | HO kg/ | |||||||||
cm2 | 2 | 0,6 | 8 | — | — | |||||||
Metallisches | ||||||||||||
Silizium | ||||||||||||
6 | 600 | |||||||||||
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen
Claims (2)
1. Verfahren zum Herstellen von Siliziumkarbidwhiskern,
bei dem ein Gemisch aus einem siliziumhaltigen, anorganischen Material und einem halogen-
und kohlenstoffhaltigen Material bei eine·· Temperatur von mindestens 8000C erhitzt wird,
dadurch gekennzeichnet, daß das Reaktionsgemisch bei niedrigerer Temperatur,
mindestens aber bei 4000C, vorerhitzt wird.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet,
daß die Vorerbitzung unter erhöhtem Druck erfolgt.
15
Applications Claiming Priority (6)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2639770 | 1970-03-27 | ||
JP2639870 | 1970-03-27 | ||
JP2639770 | 1970-03-27 | ||
JP2639870 | 1970-03-27 | ||
JP3282370 | 1970-04-16 | ||
JP3282370 | 1970-04-16 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE2114889A1 DE2114889A1 (de) | 1971-10-14 |
DE2114889B2 true DE2114889B2 (de) | 1974-09-12 |
DE2114889C3 DE2114889C3 (de) | 1977-01-20 |
Family
ID=
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
SE377108B (de) | 1975-06-23 |
FR2087892A5 (de) | 1971-12-31 |
NL7103867A (de) | 1971-09-29 |
CA955834A (en) | 1974-10-08 |
CH576807A5 (de) | 1976-06-30 |
GB1347394A (en) | 1974-02-27 |
US3933984A (en) | 1976-01-20 |
DE2114889A1 (de) | 1971-10-14 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE2915023C2 (de) | Verfahren zur Herstellung von Metallnitridpulver | |
US4500504A (en) | Process for preparing silicon carbide whiskers | |
DE1229988B (de) | Verfahren und Vorrichtung zur Durchfuehrung von Gasphasenreaktionen unter Bildung mindestens eines festen Reaktionsproduktes | |
DE2345672A1 (de) | Verfahren zur herstellung von hydrolytisch bestaendigen fluor-kohlenstoffen | |
DD146710A5 (de) | Verfahren und vorrichtung zur erhoehung des graphitierungsgrades von russen | |
DE1792516C3 (de) | Verfahren zur Herstellung von groben Metalloxidgranulaten und Chlorwasserstoff | |
DE2915760A1 (de) | Verfahren zur rueckgewinnung von fluorverbindungen aus rueckstaenden der elektrolytischen aluminiumgewinnung | |
DE2652092C2 (de) | Verfahren zur Herstellung von Übergangsmetallsulfiden | |
DE3742384A1 (de) | Gewinnung von fluoriden aus abfallmaterialien | |
DE937888C (de) | Verfahren zur Halogenierung von organischen Verbindungen | |
DE3011299A1 (de) | Verfahren zur zersetzung von jodwasserstoff | |
DE1442999B1 (de) | Verfahren zur Herstellung von feinverteiltem amorphem Siliciumdioxid | |
DE2143608A1 (de) | Verfahren zur Herstellung wasserstoffreicher Gasgemische | |
DE2114889B2 (de) | Verfahren zum Herstellen von Siliziumkarbid-Whiskern | |
DE2114889C3 (de) | Verfahren zum Herstellen von Siliziumkarbid-Whiskern | |
DE1111393B (de) | Verfahren zur Polymerisation von olefinisch ungesaettigten Kohlenwasserstoffen | |
EP0070542A1 (de) | Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung von Chlordioxid | |
DE2604140C3 (de) | Verfahren zur Herstellung von Synthese- und Reduktionsgas | |
US3012857A (en) | Preparation of fibrous titanium dioxide | |
DE1592551C3 (de) | Verfahren zur Umwandlung von Uranhexafluorid in Urantetrafluorid | |
DE1282616B (de) | Verfahren zur Herstellung teilweise reduzierter UEbergangsmetallbromide | |
DE957389C (de) | Verfahren zum Brennen von Bariumcarbonat | |
DE2523325A1 (de) | Verfahren zur herstellung von feuerfestem metallborid-pulver | |
DE2314232C3 (de) | Verfahren zur Verwertung von insbesondere mit organischen Verbindungen verunreinigter phosphoriger Säure | |
DE2651072A1 (de) | Verfahren zur herstellung von aluminiumchlorid durch kohlenstoff-chlorierung |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C3 | Grant after two publication steps (3rd publication) | ||
E77 | Valid patent as to the heymanns-index 1977 | ||
EHJ | Ceased/non-payment of the annual fee |