DE2163495A1 - OPTO-COUPLED ELECTRONIC RELAY WITH GALVANIC SEPARATION OF CONTROL CIRCUIT AND CIRCUIT - Google Patents

OPTO-COUPLED ELECTRONIC RELAY WITH GALVANIC SEPARATION OF CONTROL CIRCUIT AND CIRCUIT

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DE2163495A1 DE19712163495 DE2163495A DE2163495A1 DE 2163495 A1 DE2163495 A1 DE 2163495A1 DE 19712163495 DE19712163495 DE 19712163495 DE 2163495 A DE2163495 A DE 2163495A DE 2163495 A1 DE2163495 A1 DE 2163495A1
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Description

Opto-gekoppeltes elektronisches Relais mit galvanischer Trennung von Steuerkreis und Schaltkreis Die Erfindung betrifft ein opto-gekoppeltes elektronisches Relais mit galvanischer Trennung des-Steuerkreises vom Schaltkreis. Opto-coupled electronic relay with galvanic isolation of control circuit and circuit The invention relates to an opto-coupled electronic Relay with galvanic separation of the control circuit from the circuit.

Es sirTd bereits sogenannte elektronische Relais bekanntgeworden, bei welchen im Magnetfeld bereich einer Reloisspule ein magnetfeldabhdngiger Widerstand angeordnet ist, der mit einer geeigneten Schalttransistoranordnung verbunden ist, in deren Ausgangskreis zwischen dem Kollektor und Emitter des letzten Transistors der zu schaltende Lastwiderstand angeordnet ist.So-called electronic relays have already become known, in which in the magnetic field area of a relay coil a magnetic field-dependent resistance is arranged, which is connected to a suitable switching transistor arrangement, in their output circuit between the collector and emitter of the last transistor the load resistor to be switched is arranged.

Die vorliegende Erfindung hat sich zur Aufgabe gestellt, demgegen-Uber ein opto-gekoppeltes elektronisches Relais mit galvanischer Trennung des Steuerkreises vom Schaltkreis zu schaffen, welches von einet an sich bekannten Opto-Koppler ausgeht, der aus in einem Gehäuse untergebrachter IichtemittLerenderDiode und einem im Lichtstrahlbereich angeordneten Lichtempfindlichen Transistor, oder einer Fotodiode einem sogenannten Fototransistor/besteht. Ein derartiger Opto-Koppler ist bezüglich seiner Scholtfunktion, insbesondere was Schaltungen bei höheren Frequenzen anbelangt, stark temperaturabhangig, weshalb bestimmte Vorkehrungen getroffen werden mUssen, um die Temperaturabhängigkeit auszugleichen. Im allgemeinen sind derartige Schaltungs.aßnahmen zum Ausgleich der Temperoturabhängigkeit verhaltnismaßig umfangreich und dadurch kostspielig.The present invention has set itself the task of counter-Uber an opto-coupled electronic relay with galvanic isolation of the control circuit to create the circuit, which is based on a known opto-coupler, the light emitting diode housed in a housing and one in the light beam area arranged photosensitive transistor, or a so-called photodiode Photo transistor / consists. Such an opto-coupler is, with regard to its Scholt function, especially with regard to circuits at higher frequencies, highly temperature-dependent, which is why certain precautions have to be taken to reduce the temperature dependency balance. In general, such circuit measures are to compensate for the Temperature dependence relatively extensive and therefore expensive.

Durch die vorliegende Erfindung wird dies Aufgabe in einfacher Weise und mit geringen Schaltungsaufwand'dadurch gelöst, daß bei einem opto-gekoppelten elektronischen Relois der eingangs genannten Art, bestehend aus in einem Gehduse untergebrachter oder einer Fotodiode lichtemitierender Diode und eine Fototransistor/mit nachgeschalteter Transistorschaltung, der Kollektor des Fototransistors Uber einen Vorwiderstand mit dem positiven Pol der Spannungsquelle und gegebenenfalls Uber einen Sechsfach-Inverter mit der Basis einer ein- oder zweistufigen Transistoranordnung verbunden ist, wobei im Kollektorkreis des letzten Transistors die zu schaltende Last liegt und daß der Strom der lichtemittierenden Diode-durch geeignete Wohl des Vorwiderstandes in Abhängigkeit von der Steuerspannung auf etwa 70 bis 80 A festgelegt wird.This object is achieved in a simple manner by the present invention and solved with little circuit effort that with an opto-coupled electronic relois of the type mentioned, consisting of in a housing housed or a photodiode light-emitting diode and a phototransistor / with downstream transistor circuit, the collector of the phototransistor U over a Series resistor with the positive pole of the voltage source and possibly Uber a six-fold inverter with the base of a one- or two-stage transistor arrangement is connected, the one to be switched in the collector circuit of the last transistor Load lies and that the current of the light-emitting diode-by suitable welfare of the The series resistor is set to around 70 to 80 A depending on the control voltage will.

Durch diese beiden Maßnahmen wird der Vorteil erreicht, daß das opto-gekoppelte elektronische Relais gemäß der Erfindung in einem Frequenzbereich von 0 bis 10 kHz und in einem Temperaturbereich von -45 bis +80 (90)"c stabil arbeitet. An und für sich arbeitet die lichtenitierende Diode bei einer Temperatur von 250C bereits bei einem Strom von 25 mA stabil, jedoch wird die Instabilitöt bei Erhöhen der Temperatur in zunehmendem Maße größer. Es hat sich nun gezeigt, daß, wenn der Strom, der durch die lichtemitierende Diode fließt, entsprechend der Temperaturerhöhung vergrößert wird, die Stabilität in dem angegebenen Temperaturbereich konstant bleibt. Aus diesem Grunde'wurde gemäß der Erfindung bei dem einen Merkmal der Strombereich des durch die Diode fließenden Stzromes so hoch gelegt, daß auch bei Temperaturen bis zu 80 oder 90°C ein konstanter betrieb des Opto-Kopplers ermöglicht wird.These two measures have the advantage that the opto-coupled electronic relays according to the invention in a frequency range from 0 to 10 kHz and works stably in a temperature range from -45 to +80 (90) "c. On and for the light emitting diode works at a temperature of 250C stable at a current of 25 mA, but the instability becomes stable as the temperature increases increasingly greater. It has now been shown that if the Current that flows through the light-emitting diode, corresponding to the increase in temperature is increased, the stability remains constant in the specified temperature range. For this reason, according to the invention, one of the features is the current range of the current flowing through the diode is set so high that even at temperatures Constant operation of the opto-coupler is made possible up to 80 or 90 ° C.

Als zweite Maßnahme wurde in den Ausgangskreis des Fototransistors ein weiterer Schalttransistor gelegt, dessen Basis mit dem-Kollektor des Fototransistors verbunden ist und der gleichzeitig über einen Vorwiderstand mit dem positiven Pol der Spannungsquelle in Verbindung steht. Dadurch wird erreicht, daß Schwankungen im Fototransistor, die infolge der Temperaturabhöngig keit auftreten können, weitgehend kompensiert werden. Am Ausgang des Schalttransistors, d.h. am Kollektor dieses Transistors, tritt dann eine einwandfreie, von der Temperatur in dem angegebenen Temperaturbereich nicht beeinflußbare Schaltfunktion auf, und der Lastwiderstand kann in dem Kollektorkreis angeordnet werden.The second measure was in the output circuit of the phototransistor Another switching transistor is placed, its base with the collector of the phototransistor is connected and at the same time via a series resistor with the positive pole the voltage source is connected. This ensures that fluctuations in the phototransistor, which can occur due to the Temperaturabhöngig speed, largely be compensated. At the output of the switching transistor, i.e. at the collector of this transistor, then occurs a perfect, from the temperature in the specified temperature range switching function that cannot be influenced, and the load resistance can be in the collector circuit to be ordered.

Gemäß einer einfachen Ausfuhrungsform zur Schaffung eines Relais mit einer Uffner-Funktion ist an den Kollektor des Fototransistors die Basis eines Schalttransistors angeordnet, der beim Erregen der lichtemittierenden Diode eine Uffner-Funktion ausübt, d.h. den Stromkreis in diesem Fall öffnet.According to a simple embodiment for creating a relay with an opener function is the base of a switching transistor on the collector of the phototransistor arranged, which performs an opener function when the light-emitting diode is excited, i.e. the circuit opens in this case.

Gemäß einer weiteren Ausführungsform des erfindungsgemäßen elektronischen -opto-gekoppelten/Relais ist an den Kollektor des ersten Schalttransistors die Basis eines zweiten Schalttransistors geschaltet, die ebenfalls Uber einen Vorwiderstand mit dem positiven Pol der Spannungsquelle in Verbindung steht, während die beiden Emitter an dem gemeinsamen Minuspol der Spannungsquelle den liegen. In fiollektorkreis des zweiten Schalttransistors ist die zu schaltende Last geschaltet, und das so aufgebaute Relais übt bei Erregung und Lichtaussendung der lichtaussendenden Diode eine Schließerfunktion aus, d.h. der Stromkreis mit dem Lastwiderstand wird geschlossen.According to a further embodiment of the electronic according to the invention -opto-coupled / relay is the base of the collector of the first switching transistor of a second switching transistor, which is also connected via a series resistor is connected to the positive pole of the voltage source, while the two The emitter is connected to the common negative pole of the voltage source. In fiollektorkreis of the second switching transistor, the load to be switched is switched, and so built-up relay exercises with excitation and light emission of the light-emitting diode a normally open function off, i.e. the circuit with the load resistor is closed.

Nach einer weiteren Ausfuhrungsform des Relais gemäß der Erfindung ist zwischen die Basis von zwei Schalttransistoren ein Mehrfachinverter geschaltet. Dadurch wird es ermdglicht daß der Stromkreis des Lastwiderstandes, der zwischen dem Kollektor und dem Emitter eines Transistors liegt, geöffnet, und der Lastwiderstand, der zwischen Emitter und Kollektor des anderen Transistors liegt, geschlossen wird. Das Relais übt in diesem Falle eine Wechsler-Funktion aus.According to a further embodiment of the relay according to the invention a multiple inverter is connected between the base of two switching transistors. This makes it possible that the circuit of the load resistance between the collector and the emitter of a transistor is open, and the load resistance, between the emitter and collector of the another transistor, is closed. In this case, the relay performs a changeover function.

Es können schließlich auch die vier Eingänge eines Mekrfcchinverters, der in Form einer integrierten Schaltung ausgebildet ist, an den Kollektor des Foto transistors geschaltet werden. Die vier Ausgänge des Inverters stehen mit den Basen je eines Schalttransistors in Verbindung, wobei die Kollektoren der vier Transistoren mit je einem Lastwiderstand verbunden sind, die jeweils zum positiven Pol der Spannungsquelle führen. In dieser Schaltung übt das Relais eine Doppel-Wechsler-Funktion aus, d. h. zwei der Lastwiderstdnde sind eingeschaltet, während die anderen beiden Lastwiderstönde ausgeschaltet sind und umgekehrt.Finally, the four inputs of a Mekrfcchinverters, which is in the form of an integrated circuit, to the collector of the photo transistor are switched. The four outputs of the inverter are connected to the bases one switching transistor each in connection, with the collectors of the four transistors are each connected to a load resistor, each to the positive pole of the voltage source to lead. In this circuit, the relay performs a double changeover function, i. H. two of the load resistors are switched on, while the other two load resistors are switched off and vice versa.

Anhand der Zeichnungen soll am Beispiel von einigen bevorzugten Ausführungsformen das opto-gekoppelte elektronische Relais gemäß der Erfindung näher erläutert werden.Using the example of some preferred embodiments, the drawings are intended the opto-coupled electronic relay according to the invention will be explained in more detail.

Fig. 1 zeigt schematisch ein opto-gekoppeltes elektronisches Relais fUr eine Uffner-Funktion.Fig. 1 shows schematically an opto-coupled electronic relay for an opener function.

Fig. 2 zeigt schematisch ein opto-gekoppeltes elektronisches Relais mit Schließer-Funktion.Fig. 2 shows schematically an opto-coupled electronic relay with normally open function.

Fig. 3 zeigt ein opto-gekoppeltes elektronisches Relais mit Wechsler-Funktion.Fig. 3 shows an opto-coupled electronic relay with a changeover function.

Fig. 4 zeigt ein opto-gekoppeltes elektronisches Relais mit Doppel-Wechsler-Funktion.4 shows an opto-coupled electronic relay with a double changeover function.

Die Schaltungsanordnung gemäß Fig. 1 zeigt das in einem gege striche lot dartellten Kastchen 1 untergebrachte opto-gekoppelte elektronische Relais. Die Shaltungsanordnung besteht aus einem opto-gekoppelten System 2, welches als integrierter Schaltkreis ausgebildet ist und in welchen beispielsweise eine lichtemittierende Gallium-Arsenid-Diode 3 mit einem Fototransistor 4 angeordnet ist. Die beiden Anschlüsse 5 und 6 der Gallium-Arsenid-Diode führen über einen Vorwiderstand 7 an die Klemmen für die Steuerspannung. An die Stelle des Fototransistors 4 kann auch eine Fotodiode treten.The circuit arrangement according to FIG. 1 shows that in a counter stroke lot of dartellen box 1 housed opto-coupled electronic relays. the Circuit arrangement consists of an opto-coupled system 2, which as an integrated Circuit is formed and in which, for example, a light-emitting Gallium arsenide diode 3 with a phototransistor 4 is arranged. The two connections 5 and 6 of the gallium arsenide diode lead via a series resistor 7 to the terminals for the control voltage. In place of the phototransistor 4, a photodiode can also be used step.

Gemäß einem Merkmal der vorliegenden Erfindung ist der Vorwiderstand 7 so bemessen, daß entsprechend der Höhe der Steuerspannung ein Strom von etwa 70 bis 80 mA durch die Gallium-Arsenid-Diode 3 fließt.According to a feature of the present invention is the series resistor 7 dimensioned so that a current of about 70 up to 80 mA flows through the gallium arsenide diode 3.

Der Kollektor des Fototransistors 4 ist mit der Basis eines Schalttransistors 8 verbunden und steht gleichzeitig über einen Vorwiderstand 9 mit dem positiven Pol der Spannungsquelle in Verbindung.The collector of the phototransistor 4 is connected to the base of a switching transistor 8 connected and is available at the same time via a Series resistor 9 with the positive pole of the voltage source in connection.

Der Kollektor des Schalttransistors 8 ist an eine Klemme RL geführt, welche mit dem einen Ende der zu schaltenden Last verbunden wird. Der Emitter des Transistors 8 ist mit dem Emitter des Fototransistors 4 verbunden, und beide Anschlüsse füh-.The collector of the switching transistor 8 is connected to a terminal RL, which is connected to one end of the load to be switched. The emitter of the Transistor 8 is connected to the emitter of phototransistor 4, and both terminals lead-.

ren an den negativen Pol der Spannungsquelle.ren to the negative pole of the voltage source.

Wenn die Gallium-Arsenid -Diode 3 mit einer Steuer spannung beaufschlagt wird, wobei der durch sie hindurchfließende Strom etwa. 80 bis 90 mA beträgt, wird durch die Lichtaussendung im Fototransistor 4 eine Kollektorstromänderung bewirkt, die ihrerseits den Schalttransistor 8 in einen solchen Zustand bringt, daß dieser Transistor den Kollektorstromkreis öffnet, so daß in diesem Falle das Relais eine Uffner-Funktion ausübt. Unter Berucksichtigung der beiden geschilderten Merkmale ist das opto-gekoppelte elektronische Relais weitgehend von Temperaturdnderungen im Bereich von -45 bis +80 oder 900C unabhangig und schaltet einwandfrei in einem Frequenzbereich von 0 bis 10 kHz.When the gallium arsenide diode 3 is applied with a control voltage with the current flowing through it approximately. 80 to 90 mA is causes a change in the collector current through the emission of light in the phototransistor 4, which in turn brings the switching transistor 8 in such a state that this Transistor opens the collector circuit, so that in this case the relay is a Uffner function. Taking into account the two features described the opto-coupled electronic relay is largely affected by temperature changes in the range from -45 to +80 or 900C independently and switches perfectly in one Frequency range from 0 to 10 kHz.

Um das Relais in Schließer-Funktion auszufUhren, ist, wie sich aus Fig. 2 ergibt, ein weiterer Schalttransistor 10 vorgesehen, dessen Basis mit dem Kollektor des Schalttransistors 8 in Verbindung steht, die ebenfalls über einen weiteren Vorwiderstand 11 mit dem Pluspol der Spannungsquelle in Verbindung steht. Der Kollektor des Schattransistors 10 ist- an- die Klemme RL geführt, an welcher das eine Ende des zu schaltenden Lastwiderstandes angeschlossen ist. Bei der in Fig. 2 gezeigten Schaltungsanordnung bewirkt der zweite Transistor die Umkehrung der Funktion, d.h. wenn die Gallium-Arseni-d Diode 3 mit einem Strom zur Lichtaussendung beaufschlagt wird, schließt der Transistor 10 den Kollektorkreis, so daß nunmehr die Last eingeschaltet ist.To make the relay in normally open function is how the end Fig. 2 results, a further switching transistor 10 is provided, the base of which with the Collector of the switching transistor 8 is in connection, which also has a further series resistor 11 is connected to the positive pole of the voltage source. The collector of the switching transistor 10 is led to the terminal RL, to which one end of the load resistor to be switched is connected. At the in The circuit arrangement shown in FIG. 2 causes the second transistor to reverse it the function, i.e. if the gallium-arseni-d diode 3 with a current to emit light is applied, the transistor 10 closes the collector circuit, so that now the load is on.

In Fig. 3 ist eine weitere Ausführungsmögl.ichkeit des optogekoppelten elektronischen Relais.gemöß der Erfindung dargestellt, das eine Wechsler-Funktion ausübt. In dem dargestellten Beispiel ist der Kollektor des Fototransistors 4 mit einem als integrierter Schaltkreis ausgebildeten Mehrfachinverter 12 mit zwei Eingängen verbunden. Ein derartiger Mehrfachinverter ist- beispielsweise unter. der Bezeichnung SN 7404 N im Handel erhdltlich. Die beiden Ausgänge des. Mehrfachinverters sind an je eines Schalttronsistor 13 und 14 angeschlossen, deren Kollektoren mit zwei Ausgangskleimmen RL1 und RL2 in Verbindung stehen. Die Emitter der beiden Schalttransistoren 13 und 14 liegen mit dem Emitter des Fototransistors 4 am negativen Pol der Sponnungsquelle. Der Inverter 12 ist ferner mit einem Vorwiderstand 15 verbunden, der zum positiven Pol der Spannungsquelle führt.In Fig. 3 is a further embodiment of the opto-coupled Electronic Relais.gemöß of the invention shown, which has a changeover function exercises. In the example shown, the collector of the phototransistor 4 is with a multiple inverter 12 designed as an integrated circuit with two inputs tied together. Such a multiple inverter is for example below. the designation SN 7404 N available in stores. The two outputs of the multiple inverter are each connected to a Schalttronsistor 13 and 14, their collectors with two Exit gluing RL1 and RL2 in connection stand. The emitter of the two switching transistors 13 and 14 are connected to the emitter of the phototransistor 4 at the negative pole of the voltage source. The inverter 12 is also provided with a series resistor 15 connected, which leads to the positive pole of the voltage source.

Durch das dargestellte Relais können die beiden Lastwiderstunde L1 und L2 abwechselnd ein- und ausgeschaltet werden, ie nachdem, in welchem Zustand sich das opto-gekoppelte System 3, 4 befindet.The two load resistance hours L1 and L2 are switched on and off alternately, ie depending on which state the opto-coupled system 3, 4 is located.

In Fig. 4 ist ein opto-gekoppeltes elektronisches Relais mit Doppel-Wechsler-Funktion dargestellt, In dem dargestellten Beispiel sind vier Eingänge des Mehr fach inverters 12 mit dem Kollektor des Fototransistors 4 verbunden. Die vier Ausgange des Mehrfochinverters 12 sind mit den Basen von vier Transistoren 13, 14, 15 und 16 verbunden, deren Kollektoren mit den Ausgangsklemmen 1 RL2, RL3 und RL4 verbunden sind. Die Emitter der vier Schalttransistoren 13 bis 16 sind mit dem Emitter des Fototransistors 4 an den Minuspol der Sponnungsquelle gelegt.In Fig. 4 is an opto-coupled electronic relay with double changeover function In the example shown, there are four inputs of the multiple inverters 12 connected to the collector of the phototransistor 4. The four outputs of the multiple inverter 12 are connected to the bases of four transistors 13, 14, 15 and 16, their collectors connected to output terminals 1 RL2, RL3 and RL4. The emitters of the four Switching transistors 13 to 16 are connected to the emitter of the phototransistor 4 at the negative pole the source of sponnage.

Entsprechend dem in Fig. 3 gezeigten Relais können abwechselnd je zwei Lastwiderstände an den Klemmen RL1 und RL4 bzw. RL1 und RL3 je nach dem Zustand des opto-gekoppelten Systems 3, 4 ein- bzw. ausgeschaltet werden. Das Relais arbeitet damit in einer Doppel-Wechsler-Funktion.According to the relay shown in Fig. 3 can alternately each two load resistors at terminals RL1 and RL4 or RL1 and RL3 depending on the state of the opto-coupled system 3, 4 can be switched on or off. The relay works with a double changeover function.

Es ist selbstverständlich denkbar, noch andere Kombinationen mit dem opto-gekoppelten System 3, 4 zu verbinden, wobei Mehrfachinverter größerer Eingangs- bzw. Ausgangszahlen verwendet werden können und wobei auch durch geeignete Impulsschaltungen eine oder mehrere Wechsler-Funktionen mit einer Selbsthalteschaltung versehen werden können, wobei eine beliebige Anzahl von Kombinationen möglich ist Mit dem opto-gekoppelten elektronischen Relais gemäß der Erfindung können somit beliebige Schaltaufgaberi mi-t : einet Steuerspannung, die galvanisch von den Schaltkreisen getrennt ist, durchgeführt werden. Es hat sich gezeigt, daß bei Anwendung der erfindungsgamößen Maßnahmen eine Schaltfrequenz von 0 bis 10 kHz in einem Temperaturbereich von -45 bis +80 bzw. 900C durchgefUhrt werden kann.It is of course possible to use other combinations with the opto-coupled system 3, 4, with multiple inverters larger input or output numbers can be used and also by means of suitable pulse circuits one or more changeover functions can be provided with a self-holding circuit can, with any number of combinations possible with the opto-coupled electronic relay according to the invention can thus any switching tasks mi-t: a control voltage that is galvanically separated from the circuits, be performed. It has been shown that when using the erfindungsgamägen Measures a switching frequency of 0 to 10 kHz in a temperature range of -45 can be carried out up to +80 or 900C.

Claims (5)

P a t e n t a n s p r ü c h eP a t e n t a n s p r ü c h e 1. Opto-gekoppeltes elektronisches Relais mit galvanischer Trennung des Steuerkreises vom Scholtkreis, bestehend aus einer in einem Gehause untergebrachten lichtemitierenden Diode und einem in dem Lichtstrahlbereich der Diode angeordne-oder einer Fotodiode ten Fototransistor/mit nachgeschalteter Transistorschaltanordnung, dadurch gekennzeichnet, daß der Kollektor des -Fototransistors (4) Uber einen Vorwiderstand (9) mit dem positiven Pol der Spannungsquelle und direkt oder gegebenenfalls über einen Mehrfachinverter (12) mit der Basis einer ein- oder zweistufigen Transistoranordnung verbunden ist, wobei in dem Kollektorkreis der zu schaltende Lastwider-Stand (L) geschaltet ist und daß der Strom in der lichtaus sendenden Diode (3) durch geeignete Wahl des Vorwiderstandes (7) in Abhängigkeit von der Steuerspannung auf etwa 70 bis 80 mA festgelegt wird.1. Opto-coupled electronic relay with galvanic isolation of the control circuit from the Scholtkreis, consisting of one housed in a housing light-emitting diode and one arranged in the light beam region of the diode a photodiode phototransistor / with downstream transistor switching arrangement, characterized in that the collector of the phototransistor (4) via a series resistor (9) to the positive pole of the voltage source and directly or optionally via a multiple inverter (12) with the base of a one- or two-stage transistor arrangement connected, whereby in the collector circuit the load resistance to be switched (L) is switched and that the current in the light emitting diode (3) through suitable Selection of the series resistor (7) depending on the control voltage to about 70 up to 80 mA. 2. Opto-gekoppeltes elektronisches Relais nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß bei einem Relais mit Offner- Funktion der Kollektor des Iichtempfindlichen Transistors (4) mit der Basis eines Sehalttransistors (8) verbunden ist, in /dessen Kollektorkreis der Lastwiderstand (L) liegt.2. Opto-coupled electronic relay according to claim 1, characterized marked that in a relay with opener Function of the collector of the light-sensitive transistor (4) with the base of a Sehalttransistor (8) is connected, in / whose collector circuit the load resistance (L) is located. 3. Opto-gekoppeltes elektronisches Relais nach Anspruch 1, das durch gekennzeichnet, daß.. bei. einem Relais mit SChließer-Funktion der Kollektor des Fototransistors (4> mit der Basis eines Schalttransistors (8) in Verbindung steht, dessen Kollektor mit der Basis eines weiteren Schalttransistors (10) in Verbindung steht, in dessen Kollektorkreis, der Lasztwiderstand (L) liegt, 3. Opto-coupled electronic relay according to claim 1, which by marked that .. at. a relay with contact function the collector of the Phototransistor (4> is connected to the base of a switching transistor (8), its collector with the base of a further switching transistor (10) in connection stands, in whose collector circuit, the load resistance (L) lies, 4. Opto-gekoppeltes elektronisches Relais nach Anspruch 1, dudurch gekennzeichnet, daß bei einem Relais mit Wechsler-Funktion der Kollektor des Fototransistors n(4) mit zwei Eingängen eines als intedrierter Schaltkreis ausgebildeten Mehrfachinverters (12) (mit der Bezeichnung SN 7404 N) verbunden ist, dessen Ausgänge mit den Basen von Zwei Schalttransistoren (13 und 14) verbunden send, in deren KOllektorkreisen die wechselnd zu schaltenden Lastwiderstände (L1, L2) liegen, wobei die Emitter der Transistoren (13 und 14) mit dem Emitter des Fototransistors (4) am negativen Pol der Spanungsquelle liegen.4. Opto-coupled Electronic relay according to Claim 1, characterized in that in the case of a relay with changeover function the collector of phototransistor n (4) with two inputs a multiple inverter (12) designed as an integrated circuit (with the Designation SN 7404 N), whose outputs are connected to the bases of two switching transistors (13 and 14) connected send, in whose KOllektorkkreis the alternately to be switched Load resistors (L1, L2) lie, whereby the emitters of the transistors (13 and 14) with the emitter of the phototransistor (4) at the negative pole of the voltage source. 5. Opte-gekoppeltes elektronisches Relais nach Anspruch 1 und 4, dadurch gekennzeichnet1 daß bei einem Relais mit Doppel-Wechsler-Funktion der Kollektor des Fototransisitor (4) mit den vier Eingängen eines Mehr fach inverters (12) (mit der Bezeichnung SN 7404 N) verbunden ist, dessen vier Ausgng-. mit den Basen von vier Transistoren (13, 14, 15 und 16) verbunden sind, wobei die Kollektoren dieser Transistoren mit den einzelnen, paarweise zu schaltenden Lastwiderstönden (L1 bis L4) verbunden sind und deren Emitter gemeinsam mit dem Emitter des Fototransistors (4) am negativen Pol der Spannungsquelle liegen.5. Opte-coupled electronic relay according to claim 1 and 4, characterized characterized1 that with a relay with double changeover function the collector of the photo transistor (4) with the four inputs of a multiple inverter (12) (with the designation SN 7404 N) is connected, the four output. with the bases of four transistors (13, 14, 15 and 16) are connected, the collectors of these Transistors with the individual load resistors to be switched in pairs (L1 to L4) are connected and their emitter together with the emitter of the phototransistor (4) are at the negative pole of the voltage source. L e e r s e i t eL e r s e i t e
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