DE2436173A1 - Traegermaterial fuer gedruckte schaltungen - Google Patents

Traegermaterial fuer gedruckte schaltungen

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DE2436173A1
DE2436173A1 DE2436173A DE2436173A DE2436173A1 DE 2436173 A1 DE2436173 A1 DE 2436173A1 DE 2436173 A DE2436173 A DE 2436173A DE 2436173 A DE2436173 A DE 2436173A DE 2436173 A1 DE2436173 A1 DE 2436173A1
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    • Y10T428/12778—Alternative base metals from diverse categories

Description

Patentanwälte Dipl.-Ing. ΕΨε,
Dipl.-Ing. H.Weickmann, Dipl.-Phys. Dr.K.Fincke Dipl.-Ing. F. A.Weickmann, Dipl.-Chem. B. Huber
8 MÜNCHEN 86, DEN
POSTFACH 860 820
MÖHLSTRASSE 22, RUFNUMMER 98 39 21/22
The Mica Corporation
4031 Elenda Street
Culver City, California 90230/USA
Trägermaterial für gedruckte Schaltungen
Es sind bereits verschiedene Trägermaterialien für gedruckte Schaltungen bekannt. Allgemein besteht ein solches Material aus einer isolierenden Unterlage und Außenschichten aus hochleitfähigem Material auf einer oder beiden Außenflächen. Aus diesem Material können gedruckte Schaltungen mit Leiterelementen hergestellt werden. Im wesentlichen besteht das Verfahren der Erzeugung des gewünschten Endprodukts darin, daß unerwünschte Teile der leitfähigen Schichten selektiv entfernt werden, so daß leitfähige Bereiche mit den gewünschten elektrischen Eigenschaften zurückbleiben. Die Erfindung betrifft nun ein Trägermaterial für gedruckte Schaltungen, bestehend aus einer isolierenden Unterlage, auf die mindestens eine Schicht eines elektrischen Widerstandsmaterials aufgebracht ist, die eine hochleitfähige Schicht in fester Haftung trägt. Aus diesem Material können gedruckte Schaltungen mit V*iderstandselementen und auch mit Leiterelementen hergestellt werden. Im wesentlichen besteht das Verfahren der Herstellung der gewünschten Schaltung darin, daß unerwünschte Schichten selektiv entfernt werden, wodurch Bereiche zurückbleiben, die die gewünschten elektrischen Eigenschaften haben, nämlich isolierende Bereiche (alle Schichten über der Unterlage entfernt), Widerstandsbereiche (leitfähige Schichten entfernt) und leitfähige Bereiche (keine Schichten entfernt).
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Ein Trägermaterial dieser Art ist erfindungsgemäß derart ausgebildet, daß als Widerstandsmaterial Chrom-Antimon, Chrom-Mangan, Chrom-Phosphor, Chrom-Selen, Chrom-Tellur, Kobalt-Antimon, Kobalt-Bor, Kobalt-Germanium, Kobalt-Indium, Kobalt-Molybdän, Kobalt-Phosphor, Kobalt-Rhenium, Kobalt-Ruthenium, Kobalt-Wolfram, Kobalt-Vanadium, Eisen-Vanadium, Nickel-Antimon, Nickel-Bor, Nickel-Chrom, Nickel-Germanium, Nickel-Indium, Niekel-Molybdän, Nickel-Phosphor, Niekel-Rhenium, Niekel-Vanadium oder Palladium-Molybdän vorgesehen ist.
Zur Erläuterung der wesentlichen Vorteile der Erfindung dient die folgende eingehende Beschreibung.
Die Widerstandsmaterialien, die gemäß der Erfindung vorgesehen sind, bestehen aus binären Legierungen, d.h. sie enthalten zwei chemische Elemente, die in Form fester Lösungen, reiner Metalle, intermetallischer Verbindungen und/oder Mischungen solcher Stoffe vorhanden sein können. Diese Widerstandsmaterialien können allgemein das weitere Merkmal haben, daß sie einen minimalen spezifischen Widerstand von 100 Mikrohm-Zentimeter haben, wobei sie aus wäßriger Lösung aufzubringen sind und reproduzierbare anhaftende Ablagerungen bilden, die eine Bindung an der isolierenden Unterlage ohne Verlust physikalischer Integrität ermöglichen. Ferner sind diese Stoffe nicht radioaktiv, haben einen Schmelzpunkt und kristallografisch^ Phasenübergänge bei Temperaturen höher als 400°C, einen Temperaturkoeffizienten des Widerstandes von weniger als + 300 χ 10" % zwischen -65 und + 125°C, wenn sie richtig aufgebracht sind. Ihr Diffusionskoeffizient in Kupfer der alpha-Phase ist geringer als 2,89 x
•pn ο
10 Mol pro cm pro see, ihre Strom-Spannungscharakteristik entspricht derjenigen der gegenwärtig üblichen Widerstände und sie haben einen ausreichenden chemischen Widerstand gegenüber normaler Benutzung, wenn sie durch Passivierung, Anodisierung oder Galvanisierung bzw. Beschichtung mit einer organischen
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— "5 —
oder anorganischen Schicht in geeigneter Weise geschützt sind.
Das Widerstandsmaterial wird aus einem Bad auf eine leitfähige Folie, beispielsweise eine Kupferfolie aufgebracht. In einigen Fällen können gewünschte Änderungen des Widerstandsfilms durch Erhitzung der doppelschichtigen Folie auf eine höhere Temperatur in Luft oder in einer kontrollierten Atmosphäre an diesem Punkt des Verfahrens hervorgerufen werden. Die doppelschichtige Folie wird dann mit einer oder mehreren Lagen Fiberglasgewebe, das mit einer geeigneten Verbindung aushärtbarer organischer Harze imprägniert wurde, mit der Widerstandsseite an der Grenzschicht zu einer Schichtanordnung zusammengelegt. Es ist häufig erwünscht, eine Schicht aus stark wärmeleitfähigem Material in diese Schichtanordnung einzubringen. Ihre Aufgabe besteht darin, eine Wärmeübertragung zur Verringerung elektrischer Heizwirkungen von Widerständen zu ermöglichen, die auf der Oberfläche dieser Schichtanordnung ausgebildet werden. Aluminium- und Kupferfolien sind zu diesem Zweck geeignet. Die wärmeleitfähige Schicht kann auf die dem Widerstandsmaterial abgewandte Seite oder innerhalb einiger Lagen zuvor imprägnierten Verstärkungsmaterials vorgesehen werden. Die Schichtbildung ist für sich bekannt. In einigen Fällen können gewünschte Änderungen der Eigenschaften des Widerstandsfilms durch Erwärmung der Schichtanordnung auf eine erhöhte Temperatur erreicht werden. Nach diesen Schritten und beim Einsatz des Materials zur Herstellung der gedruckten Schaltungen wird die Kupferoberfläche mit einer Ätzschutzschicht beschichtet. Diese Schicht aus Ätzschutzmaterial wird dann durch ein fotografisches Negativ belichtet, welches das Negativbild des Widerstands- und.Leitermusters darstellt. Die belichtete Ätzschutzschicht wird entwickelt, die nicht belichteten Teile werden abgewaschen. Der Schaltungsträger mit dem entwickelten Bild wird dann mit einem · Ätzmittel, wie z.B. einer Alkaliverbindung oder Eisenchlorid, das mit Salzsäure verbunden ist, geätzt, bis das freiliegende Kupfer entfernt ist. Die Platte wird dann in Wasser gewaschen
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und in ein für die jeweils vorhandene Legierung geeignetes·Ätzmittel eingetaucht, bis die freiliegende Widerstandsschicht entfernt ist. Alternativ kann die Widerstandsschicht auch durch Abrieb entfernt werden, wozu beispielsweise pulverisierter Bimsstein verwendet wird. Das übrige belichtete Ätzschutzmaterial wird abgelöst, und die Platte wird dann mit einer neuen Schicht aus Ätzschutzmaterial versehen. Diese Schicht wird durch ein fotografisches Negativ hindurch belichtet, welches das Negativbild des Leitermusters enthält. Das belichtete Ätzschutzmaterial wird entwickelt, die nicht belichteten Teile werden abgewaschen. Die Platte mit dem entwickelten Bild wird dann in einem Ätzmittel geätzt, bis das freiliegende Kupfer entfernt ist. Dann wird die Platte in Wasser gewaschen und getrocknet. An dieser Stelle des Verfahrens sind die Leitermuster und die Widerstandsmuster individuell ausgebildet und stehen in dem geeigneten elektrischen Kontakt miteinander.
Das allgemeine Verfahren, wie es vorstehend und weiter in den noch folgenden Beispielen beschrieben ist, arbeitet unter Verwendung fotografischer Negative und negativer Ätzschutzschichten. Es sei darauf hingewiesen, daß auch andere Materialien, die zur Herstellung gedruckter Schaltungen bekannt sind, eingesetzt werden können. Beispielsweise können fotografische Positive in Verbindung mit positiv arbeitenden Ätzschutzschichten verwendet werden (beispielsweise PR-102 von der General Aniline & Film Corporation). Ferner können Siebdruckverfahren in Verbindung mit einem Ätzschutzmaterial angewendet werden, das durch die Ätzmittel nicht angegriffen wird.
Die einzelnen Verbindungen sind in Gewichtsprozent angegeben, worauf sich auch alle anderen Prozentwerte dieser Beschreibung beziehen. Die spezifischen Widerstände sind in Mikrohm-Zentimeter angegeben. Der jeweils zuerst aufgeführte Wert ist der spezifische Widerstand für den ersten möglichen Wert des ange-
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gebenen Verbindungsbereichs. Der zweite spezifische Widerstandswert ist der innerhalb des angegebenen Verbindungsbereichs erreichbare Maximalwert, dieser Widerstandswert kann an den Extremwerten des Verbindungsbereichs möglicherweise nicht auftreten. Vierte für den Temperaturkoeffizienten des spezifischen Widerstandes, im' folgenden abgekürzt TCR genannt, sind in Vierten von 10" % pro 0C angegeben und zeigen die Änderung innerhalb eines Temperaturbereichs von - 650C bis + 1?5°C. Für in geeigneter V/eise elektrolytisch aufgebrachte Legierungsfilme auf einer mit Fiberglas verstärkten Unterlage gilt der angegebene Bereich der TCR-Werte allgemein für den Bereich beobachteter V.'erte, wobei vorauszusetzen ist, daß die jeweilige Legierung innerhalb des angegebenen Bereichs liegt. In einigen Fällen ist jedoch auch ein Wert außerhalb des angegebenen TCR-Bereichs für sehr begrenzte Verbindungsbereiche festzustellen. Die Extremwerte der TCR-V'erte fallen oft nicht mit den maximalen und minimalen Verbindungswerten zusammen.
Für den praktischen Nutzen der Erfindung sind reproduzierbare, gleichmäßige, feinkörnige, anhaftende dünne Legierungsfilme wesentlich, die über große Bereiche einer leitfähigen Folie aufgebracht sind. Zur Herstellung von Filmen mit den vorstehend genannten Eigenschaften innerhalb des jeweils angegebenen vollen Verbindungsbereichs sind nur wenige Bäder unter den bisher üblichen Beschichtungsbadern geeignet. Dies ergibt sich aus der Voraussetzung der Herstellung einer vollständigen Produktreihe von Widerstanden. Der Bereich der mit einer Legierungsverbindung herstellbaren Widerstände ist für diese praktischen Zwecke nicht ausreichend. Die vorzugsweise anzuwendenden Bäder sind in den folgenden Beispielen angegeben.
Die Bereiche der Metall-, Komplexstoff-, Salz- und Zusatzstoffkonzentrationen zur Herstellung des vollständigen Verbindungsbereichs der Legierungen sind angegeben. Die Zusammenhänge
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zwischen den Metall- und Komplexstoffkonzentrationen sowie den Metall-, Zusatzstoff- und Salzkonzentrationen sind dem Fachmann bekannt, gleiches gilt für die erforderliche Variation der Komplexstoff-, Salz- und Zusatzstoffkonzentration, wenn die Metallkonzentrationen geändert werden, um unterschiedliche Legierungsverbindungen in der abgelagerten Schicht zu erzeugen. Die vorzugsweise angewendete Temperatur ist die jeweils in dem angegebenen Bereich niedrigste Temperatur, die alle Komponenten des Bades in Lösung hält. Der vorzugsweise angewendete pH-V'ert ist der Mittelwert der angegebenen Bereiche. Die vorzugsweise benutzte Form elektrischer Energie ist strom- und spannungsgesteuerter Gleichstrom, falls nicht anders angegeben. Die vorzugsweise angewendete Stromdichte hängt von der gewünschten Legierungsverbindung ab und ist dem Fachmann unter Berücksichtigung der übrigen Informationen geläufig. Alle Bäder werden gerührt. Unlösliche Anoden werden vorzugsweise eingesetzt, jedoch sind auch lösliche Anoden aus binären Legierungen oder auch aus Metall geeignet. Zusatzstoffe sind erforderlichenfalls zur Beeinflussung der Leistung des Bades angegeben, bei der Galvanisierung geläufige Zusätze können auch hier zur Erzielung bester Ergebnisse nützlich sein.
Komplexmittel anders als die oder zusätzlich zu den angegebenen wie z.B. Zitrate, Tartrate, Oxalate, Maleate, Malonate, GIycolate, Pyrophosphate, Ammoniak und Borsäure für beide oder eines der Metalle in dem Bad sind in vielen Fällen günstig und dem Fachmann bekannt.
fy-'enn die Bezeichnung "Metallion" (Anion) verwendet ist, so ist das Gewicht nur für das Metall angegeben. Das angegebene Kathion und Anion sind die vorzugsweisen Anteile zur Eingabe des Metalls in das Bad. Wenn sich die angegebenen Gewichte auf Hydrate beziehen, so ist das Hydrat explizit in der angegebenen Formel enthalten.
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Die folgenden Beispiele dienen lediglich der weiteren Erläuterung der Erfindung und sollen nicht als einschränkend aufgefaßt werden.
BEISPIEL_1 , -
System: Chrom-Antimon
Zusammensetzung: I3 bis 74 % Antimon Spezifischer Widerstand: 74 bis 526 Mikrohm-cm TCR: plus 100 bis plus 500 · 1O"^ %/ 0C
Beschichtungsverfahren:
Chromtrioxid, CrO-, 100 - 300 g/l
Kaliumantimonat, K2SbO21 13 - 1300 g/l Schwefelsäure, H2SO^ 0 - 500 g/l
Stromdichte 5-50 Amp/dm
Temperatur 20 - 90 0C
pH sauer
Durch Änderung des Antimonanteils in dem Bad von 4 auf 90 % kann der Antimonanteil in der Ablagerung von I3 bis 74 % geändert werden.
BEISPIEL_2
Entspricht Beispiel 1, wobei KpSbO2, durch
Sb2O5 16 - I6OO g/l
ersetzt ist. Durch Änderung des Antimonanteils in dem Bad von 4 auf 90 % kann der Antimonanteil von I3 auf 74 % geändert werden.
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BEISPIEL
Beschichtungsverfahren:
Chrom (Fluoborat), Cr+ 2 Antimon (Fluoborat), Sb+3(BF^~) Fluoborsäure (frei), HBFh
2, 6 - sauer 78 s/i
β, 1 - 183 g/i
150 - 650 g/l
0 - 50 g/i
1 - 25 Amp/dm
20 - 80 0C
Borsäure, Η,ΒΟ, Stromdichte Temperatur PH
Durch Änderung des Antimonanteils in dem Bad von 7,25 bis 98 % kann der Antimonanteil in der abgelagerten Schicht von I3 auf 7^ % geändert werden. In einigen Fällen müssen zur Erzielung einer nicht kristallinen Ablagerung Zusätze in dem Bad vorgesehen sein. Ihre genaue Zusammensetzung hängt von der Badzusammensetzung und von der Unterlage für die Schicht ab.
BEISPIEL^
System: Chrom-Mangan
Zusammensetzung: 10 bis 80 % Mangan
Spezifischer Widerstand: 36 bis 19^· Mikrohm-cm TCR: plus I50 bis plus 50 · 10"^ %/ 0C
Be s chi cht längsverfahren:
Chromtrioxid, CrO Kaliumpermanganat, KMnOh Schwefelsäure, Stromdichte Temperatur
Durch Änderung des Mangananteils in dem Bad von 1,75 auf 80 % kann der Mangananteil in der Ablagerung von 10 auf 80 % geändert werden.
409886/1102
100 - 300 g/l
8 - 800 g/1
0 - 500 g/l
5 - 50 Amp/dm
20 - 90 °C
sauer
- 9 - 243617
BEISPIEL_5
Beschichtungsverfahren: Chromammoniumsulfa t
Mangansulfat, MnSO^ Magnesiumsulfat, MgSOj+ Ammoniumsulfat,
500 - γόο ε/ι
5 -100 β/1
30 - 70 g/i
4ο - 8ο s/i
4ο - 80 s/i
5 - 50 Amp/dm
20 - 90 °c
Ammoniumhydroxid, NHj,OH Stromdichte
Temperatur
pH alkalisch
Durch änderung des Mangananteils im Bad von 2,5 auf 4θ % kann der Mangananteil in der Ablagerung von 10 auf 50 % geändert werden.
BEISPIEL_6
System: Chrom-Phosphor
Zusammensetzung: 6 bis 52 % Phosphor Spezifischer V-id er stand: 57 bis 162 Mikrohm-cm
TCR: minus 75 bis plus 50 · 10"4 %/ 0C 300
400		 g/l
g/l
Beschichtungsverfahren: 98 g/l
Chromtrioxid, CrO.,
Phosphorige Säure, H-, PO-,		 100 -
4 -		 50 Amp/dm'
Schwefelsäure, HpSOj+ 0 - 90 °C
Stromdichte 5 -
Temperatur 20 -
pH sauer
BEISPIEL 7
Stimmt mit Beispiel 6 Uberein, wobei H^PO^, durch
H3PO11 5 - 500 250 g/l
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ersetzt ist. Durch Änderung des Phosphorgehalts in den Beispielen 6 und 7 von 1 auf 73 % kann der Phosphorgehalt in der Ablagerung von 6 auf 52 % geändert werden.
BEISPIEL_8
System: Chrom-Selen
Zusammensetzung: 14 bis 65 % Selen Spezifischer Widerstand: 80 bis 23OO Mikrohm-cm TCR: plus 100 bis plus 8OO · 1O~^ %/ 0C
Beschichtungsverfahren:
Chromtrioxid, CrO, 100 - 500 g/l
Selensäure, H3SeO^ 7,25 - 725 g/l
Schwefelsäure, H^SO^ 0 - 98 g/l
Stromdichte 5-50 Amp/dm
Temperatur 20 - 90 0C
pH sauer
Durch Änderung des Selenanteils im Bad von 2,5 auf 88 % kann der Selenanteil in der Ablagerung von 14 auf 65 % geändert werden.
BEISPIEL_9
System: Chrom-Tellur
Zusammensetzung: 21 bis 75 % Tellur Spezifischer Widerstand: 92 bis 420 Mikrohm-cm
TCR: plus 100 bis plus 500 · ΙΟ"4 %/ V 100 - ^00 g/l
Beschichtungsverfahren: 9 - 880 g/i
Chromtrioxid,"CrO, 0 - 500 g/l
Tellurtrioxid, TeO^5 .5 - 50 p
Amp/dm
Schwefelsäure, HpSOh 20 - 90 °C
Stromdichte sauer
Temperatur
pH
40 9 886/ 1102
Durch Änderung des Telluranteils in dem Bad von 4 auf 95 % kann der Telluranteil in der Ablagerung von 21 auf 75 % geändert werden.
BEISPIEL_1O
Entspricht Beispiel 9, wobei TeO-, durch
H6TeOg 11 - 1100 g/l
ersetzt ist. Durch Änderung des Telluranteils im Bad von 4 auf 95 % kann der Telluranteil in der Ablagerung von 21 auf 75 % geändert werden.
BEISPIEL_11
System: Kobalt-Antimon
Zusammensetzung: 18 bis 72 % Antimon Spezifischer Widerstand: 65 bis 2000 Mikrohm-cm TCR: plus 100 bis plus 800 · 10 %/ 0C
Kobalt (Fluoborat), Co+2(BF]J) 3-90 g/l
Antimon (Fluoborat), Sb+^(EE1J) 6 - I80 g/l
Fluoborsäure, HBF2^ I50 - 650 g/l
Borsäure, HUBO, 0-50 g/l
Stromdichte 1-25 Amp/dm
Temperatur 20 - 80 0C
pH sauer
Durch Änderung des Antimonanteils in dem Bad von 1J auf 99 % kann der Antimonanteil in der Ablagerung von 18 auf 72 % geändert werden.
BEISPIEL-Ig
Beschichtungsverfahren:
Kaliumantimonyltartrat, KSbCj1 H1^O7 50 - lOOO g/l
4G9888/1102 :
- 12 - 243617
Kobalt (Sulfat), Co+2(SO^"2) 6 - βθ g/l
Rochellesalz KNaC1^H^Og ' JO - 300 g/l
Stromdichte 1-25 Amp/dm2
Temperatur 20 - 80 0C
pH (durch Zusetzen von Ammoniak) NHj,OH 8-11 Durch Änderung des Antimonanteils in dem Bad von 2J auf 98 % kann der Antimonanteil in der Ablagerung von 18 auf 72 % geändert werden. In einigen Fällen müssen zur Erzielung einer nicht kristallinen Schicht Zusätze in dem Bad vorgesehen sein. Ihre genaue Zusammensetzung hängt von der Badzusammensetzung und der Unterlage für die Ablagerung ab.
BEISPIEL^
System: Kobalt-Bor
Zusammensetzung: 2 bis 36 % Bor
Spezifischer Widerstand: 36 bis I08 Mikrohm-cm TCR: minus 75 bis plus 50
Beschichtungsverfahren:
ίο"4 %/ °c 4 - 40 g/l
5 - 15 g/l
150 - 225 s/i
1 - 15 Amp/dm
20 - 60 °C
11 - 12,5
Natriumborhydrid, NaBHh
Kobalt (Chlorid) Co+2(Cl") Ammoniumhydroxid NH^OH Stromdichte
Temperatur
Durch Änderung des Boranteils in dem Bad von 7 bis 70 % kann der Borsnteil in der Ablagerung von 2 bis 36 % geändert werden.
BEISPIEL_l4
Beschichtungsverfahren:
Dimethylaminboran, (CH^)2NHBH5 5-100 g/l
Natriurnmalonat, CH2(COONa)2 40 - IJO g/l
409886/1102
Kobalt (Sulfat), CO+2(SO2^"2) 11 - 38 g/l
Stromdichte 1-20 Amp/dm2
Temperatur 20 - 8o 0C
pH (durch Zusatz von Ammoniak) 5 - 5,6
Durch Änderung des Boranteils in dem Bad von 3 bis 68 % kann der Boranteil in der Schicht von 2 bis j56 % geändert werden.
In den Beispielen Ij5 und 14 sollen das Kobalt und das Komplexmittel vor dem Zusetzen der das Bor enthaltenden Verbindung sorgfältig gemischt werden.
BEISPIEL_15
System: Kobalt-Germanium
Zusammensetzung: 5 bis βθ % Germanium Spezifischer Widerstand: ^4 bis J521 Mikrohm-cm
TCR: plus 100 bis minus 50 # 10 %/ ' 0C 0,15 - 15,0 g/i
Beschichtungsverfahren: 0,1 - 10,0 g/l
Germanium (Oxid), GeO2 25 - 30 g/l
Kobalt (Chlorid), CO+2(Cl") 30 - 40 g/l
Ammoniumchlorid, NHi1Cl 1 - 5 g/i
Ammoniumoxalat, (NHhJpCpOh 2 - 10 ρ
Amp/dm
Natriummetabisulfit, Na2SpO1- 20 - 50 °C
Stromdichte alkalisch
Temperatur
PH
Durch Änderung des Germaniumanteils im Bad von 5 auf 90 % kann der Germaniumanteil in der Schicht von 6 bis 6o % geändert werden.
BEISPIEL_l6
System: Kobalt-Indium
Zusammensetzung: 18 bis 7I % Indium
409886/1102
15 - 30 s/i
11 - 30 g/l
2 - 12 Amp/dm
20 - 70 0C
0C
- 14 -
Spezifischer Widerstand: 65 bis 335 Mikrohm-cm TCR: plus 100 bis minus 50 · ^
Bes chi chtungsverfahren:
Indium (Sulfat) In+^ Kobalt (Sulfat),-Co+2 Stromdichte
Temperatur
PH 1-3
Durch Änderung des Kobalt- und Indiumanteils im Bad sowie der Stromdichte kann das Indium in der Schicht von 60 bis 71 % geändert werden.
BEISPIEL_17
Be s chi chtungs verfahren:
Indium (Sulfat), In+^(SO21"2) 0,3 - 8 g/l
Kobalt (Sulfat), Co+2(S0^~2) 30 - 100 g/l
SuIfaminsäure, H3N-SO,H 50 g/l
Stromdichte 2 - 10 Amp/dm2
Temperatur 20 - 70 0C
pH 1-3
Da das Gewicht des Indiums in dem Bad von 0,3 bis 100 g/l geändert wird, ändert sich der Indiumanteil in der Schicht von 18 auf 71 %. ■
BEISPIEL_18
System: Kobalt-Molybdän Zusammensetzung: 10 bis 65 % Molybdän Spezifischer Widerstand: 57 bis 292 Mikrohm-cm TCR: plus 300 bis plus 100 · 10"^ %/ 0C
Beschichtungsverfahren^ Natriummolybdat, Na2MoO^*2H^O 5-17 g/1 Kobalt (Carbonat), Co+2(CO3"2) 10 g/l
4098 8 6/1102
Kaliumcarbonat, KgCO-, 65Ο g/l
Stromdichte 5-20 Amp/dm2
Temperatur 25 - 100 °C
pH 10,5 - 11,5
Durch Änderung des Molybdänanteils im Bad von 30 auf 85 ■% kann der Molybdänanteil in der Schicht von I5 auf 35 % geändert werden.
BEISPIEL_19
Beschichtungsverfahren:
Natriummolybdat, NaMoO1+2 Kobalt (Carbonat), Co"2(CO ~2) Natrlumbicarbonat, NaHCO-, Natriumpyrophosphat, Na2+PpO Hydrazinsulf at, 2N2H2+* H2SO2+ Stromdichte
30 - 40 g/l
2-5 g/l
75 - 85 g/l
60 - 80 g/l
1 - 3 g/l
5-20 p
Amp/dm
20 - 75 0C
7,5 - 9
Temperatur
Das Hydrazinsulfat verhindert unerwünschte Reaktionen an der neutralen Anode, die in diesem Bad typisch eingesetzt ist. Durch Änderung des Molybdänanteils in dem Bad von 70 auf 90 / kann der Molybdänanteil in der abgelagerten Schicht von 45 bis 55 % geändert werden.
BEISPIEL_20
Beschichtungsverfahren: Natriummolybdat, NaMoOh'
Kobalt (Sulfat) Co+2(SO2+"2) Natriumzitrat (NaOOC)5C5H2+OH Stromdichte Temperatur pH (durch Zusatz von Ammoniak, NH2+OH oder Schwefelsäure, H2SO2+)
409888/ 1
3 - 50 g/l
β - 50 g/i
30 - 300 g/i
1 - 20 ρ
Amp/dm
25. - 70 0C
3 - 5
q - 12
Dieses Bad kann bei sauren oder alkalischen pH-Werten eingesetzt werden. Im mittleren Bereich ist die Stromwirkung unerwünscht niedrig. Der Molybdänanteil in der Ablagerung kann von 10 bis 65 % geändert werden, wenn der Molybdänanteil in dem Bad von 3 bis 77 % geändert wird.
Das Bad in Beispiel ?0 ist in einigen Fällen zu verbessern, indem das Natriummolybdat und das Natriumzitrat in "Lösung zusammengebracht werden, bevor sie in das Bad eingegeben werden. Diese Anteile können reagieren, bis sich ein Gleichgewichtszustand ausgebildet hat, und der erhaltene Komplexstoff wird in das Beschichtungsbad eingegeben.
BEISPIEL_21
System: Kobalt-Phosphor
Zusammensetzung: 6 bis 52 % Phosphor
Spezifischer Widerstand: 45 bis I38 Mikrohm-cm TCR: minus 75 bis plus 50 · 10"^ %/ 0C
Beschichtungsverfahren:
Kobalt (Carbonat), Co+2 (CO·,""2) 5-100 g/l
Phosphorige Säure, H-,PO, 2 - I60 g/l
Stromdichte 4 - 40 Amp/dm2
Temperatur 65 - 95 0C
pH 0,5-1
Durch Änderung des Phosphoranteils im Bad von 1 bis 54 % kann der Phosphoranteil in der abgelagerten Schicht von 6 bis 52 %■ geändert werden.
BEISPIEL_22
Beschichtungsverfahren^
Kobalt (Chlorid), Co+2(Cl") 20 - 100 g/l
Phosphorsäure, Η,ΡΟ^ 10 - 100 g/l
Ä09886/1102
Phosphor ige Säure, H7PO-, 2-100 g/l
Kobalt (Carbonat), Co+?(CO ~2) 5 - 15 g/l
Stromdichte 4 - 40 Amp/dm2
Temperatur 65 - 95 0C
PH 0,5-1
Durch Änderung des Phosphoranteils (im Bad vorhanden als phosphorige Säure) in dem Bad kann der Phosphoranteil in der Ablagerung von 6 bis 52 % geändert werden.
Die Qualität und die elektrischen Eigenschaften der Ablagerungen aus den Bädern der Beispiele 21 und 22 können verbessert werden, indem ein Wechselstrom gleichzeitig mit dem Gleichstrom bei der Galvanisierung verwendet wird. Das Verhältnis von Wechselstrom zu Gleichstrom kann von 2 : 1 bis zu 5 : 1 geändert werden.
BEISPIEL_23
System: Kobalt-Rhenium
Zusammensetzung: 25 bis 95 % Rhenium Spezifischer V.'iderstand: 1J5 bis 4^8 Mikrohm-cm TCR: plus 300 bis plus 100
Beschichtungsverfahren: Kaliumperrhenat,
Kobalt (Sulfat), Co+2(S0if"2) Zitronensäure, HOC5H^(COOH)-, Stromdichte Temperatur
pH (durch Zugabe von Ammoniak
NH..0H oder Schwefelsäure H0SO..) J> - 8
°c 1 - I50 g/l
2 - 25 g/i
20 - 200 g/l
2 - 12 ρ
Amp/dm
25 - 90 °C
Durch Änderung des Rheniumanteils in dem Bad von J5 bis kann der Rheniumanteil in der abgelagerten Schicht von bis 95 % geändert werden.
40988 6/110
0,1 - 50 g/i
2 - 50 g/l
50 - 120 g/i
3 - 5 g/l
1 _ 2 g/l
4 - 10 Amp/dm
20 - 50 °C
1 - 3
BEISPIEL_24
System: Kobalt-Ruthenium Zusammensetzung: 16 bis 9*\ % Ruthenium Spezifischer Widerstand: 245 bis 68O Mikrohm-cm TCR: plus 100 bis minus 50 · 10 % / 0C
Beschichtungsverfahren:
Ruthenium (Chlorid), Ru+^(Cl") Kobalt (Chlorid), Co+2(Cl") Ammoniumchlorid, NHlCI Kaliumchlorid, KCl Wasserstoffperoxid, HgOg Stromdichte
Temperatur
pH (durch Zugabe von HCl)
Durch Änderung des Rutheniumanteils im Bad von 0,5 bis 96 % kann der entsprechende Anteil in der abgelagerten Schicht von 16 bis 94 % geändert werden,
BEISPIEL_25
System: Kobalt-WοIfram Zusammensetzung: I5 bis 72 % Volfram Spezifischer Widerstand: 37 bis 2^6 Mikrohm-cm TCR: plus 300 bis plus 100 · 10"^ % / °C
Be s chi chtungs verfahren:
Natriumwolframat, Na2WO2, #2Hg( Kobalt (Sulfat oder Chlorid),
Co+?(S0^"2 oder Cl") Zitronensäure, HOC,H2. (COOH) Ammoniumchlorid, NHlCI Hydrazinsulf at, 2NgH2.* H Stromdichte
Temperatur
pH (durch Beigabe von Ammoniak, NH2,OH) 6,4 - 9,8
409 8 88/1102
10 - 100 g/l
•3
85 - 40 g/l
20 - 200 g/1
0 - 50 g/l
0 - 10 g/i
2 - 20 Amp/dm
50 - 90 0C '
15 - 4ο g/l
? 5 g/l
60 - 550 g/l
55 - 75 g/l
8 - 12 g/l
1 - 4ο ρ
Amp/dm
20 - 75 0C
- 19 -
Durch Änderung des Volframanteils in dem Bad von 12 auf 98 % kann der V'olframanteil in der Schicht von I5 auf 72 % geändert werden.
BEISPIEL_26
Beschichtungsverfahren^
Natriumwolframat, Na2V-O2.
Kobalt (Sulfat), Co+2(SO2+"2)
Ammoniumsulfat, (NH2+)PSO2+
Ammoniumhydroxid, NHhOH
Natriumhydroxid, NaOH
Stromdichte
Temperatur
PH 9 - 11,5
Durch Änderung des Wolframanteils in dem Bad von 57 bis 92 % kann der V.'olframanteil in der Ablagerung von 20 bis 57 % geändert werden.
Es ist möglich, die Qualität und die elektrischen Eigenschaften der Ablagerung durch Überlagerung eines Wechselstroms zu dem Gleichstrom bei der Galvanisierung zu verbessern. Das Verhältnis von Wechselstrom zu Gleichstrom kann von 2 : 1 bis 10 : 1 geändert werden.
BEISPIEL_27
System: Kobalt-Vanadium
Zusammensetzung: 9 bis 70 % Vanadium
Spezifischer Widerstand: 48 bis 148 Mikrohm-cm TCR: minus 75 bis plus 50 · 10~ % / 0C
Beschichtungsverfahren:
Vanadylsulfattrihydrat, VOSO2+OH2O 7-85 g/l
Kobalt (Sulfat), Co+2(SO2+"2) 7-15 g/l
iO9886/11O2
~2°- 243617
25 - 30 g/l
1 - 10 Amp/dm
18 - 80 °C
1 - 6
Borsäure, Η,ΒΟ-, Stromdichte Temperatur PH
Durch Änderung des Vanadiumanteils im Bad von 10 bis 74 % kann der Vanadiumanteil in der Ablagerung von 9 bis 70 % ge ändert werden.
BEISPIELES
5 - 50 g/l
10 - 20 g/l
50 - .100 g/l
20 - 40 g/l
2H2O 20 - 100 g/l
1 - 15 Amp/dm
20 - 8o 0C
alkalisch
Natriummetavanadat, NaVO^
Kobalt (Chlorid), Co+2(C1~)
Natriumzitrat, HOC3H^(COONa)5
Natriumhypophosphit, NaH3PO2
Natriumoxalatdihydrat, Stromdichte Temperatur
Durch Änderung des Vanadiumanteils im Bad von 9 bis 67 % kann der Vanadiumanteil in der Ablagerung von 9 bis 70 % geändert werden.
BEISPIEL_29
System: Eisen-Vanadium
Zusammensetzung: 9 bis 65 % Vanadium Spezifischer Widerstand: 40 bis 217 Mikrohm-cm TCR: minus 75 bis plus 50 · 10~^ % / °C
Beschichtungsverfahren^
Vanadium (Chlorid), V+^(Cl-) 5 - ^O g/l
Eisen (Chlorid), Fe+^(Cl") 15 - 25 g/l
Salzsäure oder Schwefelsäure,
HCl oder H2SO^ 0,1 normal
4 0 9 8 8 S / 1 1 0 2
243617
Stromdichte 1 - 15 Amp/dm
Temperatur 20 - 80 °C
pH 1,0 - 1,5
Durch Änderung des Vanadiumanteils in dem Bad von 17 bis 70 % kann der Vanadiumanteil in der Ablagerung von 9 bis 65 % geändert werden.
BEISPIEL_30
Beschichtungsverfahren^
Natriummetavanadat, NaVO^, Eisen (Fluorid), Fe+2(F") Eisen (Chlorid), Fe+2(Cl") Natriumacetat, NaOOCCH, Natriumhypophosphit, NaH3PO2 Kaliumoxalat, Monohydrat, K2C2C Stromdichte
Temperatur
PH
Durch Änderung des Vanadiumanteils in dem Bad von 27 bis 54 % kann der Vanadiumanteil in der abgelagerten Schicht von 20 bis 50 % geändert werden.
BEISPIEL_31
System: Nickel-Antimon
Zusammensetzung: I5 bis 74 % Antimon Spezifischer Widerstand: 50 bis I800 Mikrohm-cm TCR: plus 100 bis plus 8OO · 10 % / °C
Bes chi chtungs verfahren:
Nickel (Fluoborat), Ni+2(BF2^) 2,95 - 88,5 g/l
Antimon (Fluoborat), Sb+^(BF^") 6,1 - I8j5 g/1
Fluoborsäure (frei), HBF2^ I50 - 65O g/l
Borsäure, H^BO-, 0-50 g/l
4 09886/1102
5 - 20 g/l
6, 6 g/l
0, 21 g/l
10 g/l
10 g/l
H2O 50 g/l
1 - 15 Arnp/dm
75 - 90 0C
4 - 6
1 - ρ
Amp/dm
20 - 0C
- 25
- 80
sauer
Stromdichte
Temperatur
Durch Änderung des Antimonanteils im Bad von 6,5 bis 98,5 % kann der Antimonanteil in der Ablagerung von 15 bis 74 % geändert werden.
BEISPIEL_32
Beschichtungsverfahren^
Kaliumantimonyltartrat, KSbCwH2(O7 50 - 1000 g/l Nickel (Sulfat), Ni^(SOj1"2) 6 - DO g/l
Rochellesalz, KNaChH11O^- 30 - 300 g/l
Stromdichte 1 - 25 Amp/dm2
Temperatur 20 80 0C
pH (durch Beifügung von Ammoniak,
NH2+OH) 8 - 11
Durch Änderung des Antimonanteils in dem Bad von 23 auf 98 % kann der Antimonanteil in der Schicht von I5 auf 74 % geändert werden. In einigen Fällen müssen den Bädern in den Beispielen 31 und 32 zur Erzielung einer nicht kristallinen Schicht Zusatzstoffe beigefügt werden. Ihre genaue Zusammensetzung hängt von der Zusammensetzung des B-des und der Unterlage für die Schicht ab.
BEISPIEL_33
System: Nickel-Bor
Zusammensetzung: 2 bis 36 % Bor
Spezifischer Widerstand: 34 bis 100 Mikrohm-cm TCR: minus 75 bis plus 50 · 10"^ % / 0C
6/1102
Be s chi chtungsverfahren:
Natriumborhydrid, NaBH2,
Nickel (Chlorid), Ni+2(Cl") Ammoniumhydroxid, NHhOH Stromdichte
Temperatur
Durch Änderung des Boranteils in dem Bad von 7 der Boranteil von 2 bis 36 % geändert werden.
BEISPIEL_34
Beschichtungsverfahren:
Dime thy laminboran (CH,)2NHBH-Natriummalonat, CHp(COO Na)? Nickel (Sulfat), Na+2(S0^~2)
4 - 40 g/l
5 - 15 g/i
150 - 225 g/i
1 - 15 ρ
Amp/dm
.20 - 60 °C
11 - 12,5
ad von 7 bJ Ls 70 % kann
Stromdichte
Temperatur
pH (durch Beifügung von Ammoniak)
Durch änderung des Boranteils im Bad von 3 bis 68 % kann der Boranteil in der Ablagerung von 2 bis 36 % geändert werden.
100 g/1
40 - 130 g/l
11 - 38 g/l
1 - .20 Amp
20 - 80 0C
6,5
Für die Bäder der Beispiele 33 und 34 sollen die Nickelverbindung und das Komplexmittel vor der Eingabe der das Bor enthaltenden Verbindung in das Bad sorgfältig vermischt werden.
BEISPIEL_35
System: Nickel-Chrom
Zusammensetzung: 9 bis 40 % Chrom Spezifischer Widerstand: 54 bis 162 Mikrohm-cm TCR: plus I50 bis plus 50 · 10 % / 0C
40988671
Beschichtungsverfahren:
Chrom (Fluoborat), Cr+^ Nickel (Fluoborat), Ni+ Fluoborsäure (frei), HBFj, Stromdichte
Tempera tür
Durch Änderung des Chromanteils in der Losung von 16 bis 95 % kann der Chromanteil in der abgelagerten Schicht von 9 bis 40 geändert werden.
BEISPIEL_3§
10 - 80 g/l
4 - 52 g/l
150 - 650 g/l
1 - 90 Amp/dm
20 - 80 0C
sauer
Kaliumchromsulfat, KCr(SO^ )2 400 - • 450 g/l
Nickel (Format), Ni(CHOg)2 30 - 40 g/l
Natriumzitrat, HOC3H4(COONa)5 50 - 100 g/l
Borsäure, Η-,ΒΟ, 30 - 50 g/l
Natriumfluorid, NaF 8 - 13 g/l
Glycin, CH?(NH2)C00H 10 - 25 g/l
Stromdichte 3 - 35 Amp/dm
Temperatur 20 - 60 0C
PH 1 - 3
Durch Änderung des Chromanteils im Bad von 65 bis 73 % kann
der Chromanteil in der Ablagerung von 9 bis 40 % geändert
werden.
BEISPIEL 37
System: Niekel-Germanium
Zusammensetzung: 6 bis 60 <?o Germanium Spezifischer Widerstand: 3I bis 278 Mikrohm-cm TCR: plus 100 bis minus 50 * 10 % / 0C
409886/1102
0,15 - 15,0 g/l
ο,ι - 9,0 g/i
25 - 30 g/l
30 - 4ο g/i
38 - 46 g/i
2 - 10 Amp/dm
20 - 50 0C
Beschichtungsverfahren:
Germanium (Oxid), GeOp Nickel (Sulfat), Ammoniumsulfat, Ammoniumoxalat, Ammoniak, NH2-OH Stromdichte
Temperatur
pH alkalisch
Durch Änderung des Germaniumanteils im Bad von 5 bis 8o % kann der Germaniumanteil in der Ablagerung von 6 auf 60 % geändert werden.
BEISPIELES
System: Nickel-Indium
Zusammensetzung: 18 bis 71 % Indium
Spezifischer Widerstand: 61 bis 308 Mikrohm-cm TCR: plus 100 bis minus 50 * 10 % / °c
Beschichtungsverfahren:
Indium (Sulfat), In+-5 (S O2^"2)
Nickel (Sulfat), Ni+2 SuIf amins äure, (HSO-,· Stromdichte
Temperatur
Venn das Gewicht des Indiums im Bad von 0,8 auf 7,9 g/l geändert wird, so ändert sich der Indiumanteil in der Ablagerung von 18 auf 60 %.
0,8 - 7,0 g/l
100 g/l
50 g/l .
2 - 10 ρ
Amp/dm
20 - 70 0C
sauer
409886/1102
0,3 -8,0 g/l
30 g/l
30 g/l
2 - 12 p
Amp/dm
20 - 70 0C
1 - 3
BEISPIEL^
Beschichtungsverfahren: Indium (Sulfat), In+^(SO2+"2)
Nickel (Sulfat), Ni+2(S0^~2) Borsäure, H^BO-, Stromdichte
Temperatur
Durch Änderung des Indiumanteils im Bad und der Stromdichte kann der Indiumanteil in der Schicht von 18 auf 7I % geändert werden.
BEISPIEL_40
Beschichtungsverfahren:
Indium (Sulfat), In+^(SO2+"2) 15-30 g/l.
Nickel (Sulfat), Ni+2(SO,"2) 11-27 g/l
Stromdichte 2-12 Amp/dm2
Temperatur 20 - 70 0G
PH 1-3
Durch Änderung der Gewichte des Indiums und des Nickels im Bad und durch Änderung der Stromdichte kann der Indiumanteil in der Ablagerung von 60 bis 7I % geändert werden.
BEISPIEL^].
System: Niekel-Molybdän Zusammensetzung: 10 bis 65 % Molybdän Spezifischer Widerstand: 50 bis 206 Mikrohm-cm TCR: plus 300 bis plus 100 · 10 % / 0C
409886/1102
Beschichtungsverfahren:_
Natriummolybdat, Na2MoO^*2HgO 24 - 120 g/l
Nickel (Chlorid), Ni+2(Cl") 2,5 - 3,5 g/l
Natriumpyrophosphat, Na2-P2O7 25 - 215 g/l
Natriumbicarbonat, NaHCO^ 70 - 100 g/l Hydrazinsulf at, NoHi1-H0SOi1 0 - 4 g/l
Stromdichte 2-25 Amp/dm2
Temperatur 25 - 70 0C
pH 8 - 10
Durch Änderung des Molybdänanteils im Bad von 70 auf 95 % kann der Molybdänanteil in der Ablagerung von 10 auf 45 % geändert werden.
BEISPIEL_42
Be s chichtungsverfahren: Natriummolybdat,
5 - 75 g/l
5 - 30 g/l
30 - 130 g/l
0 - 75 g/1
2 - 22 ρ
Amp/dm
25 - 70 °c
3 - 6
8 - 11, 5
2212
Nickel (Chlorid), Ni+2(Cl")
Natriumzitrat, HOC5H^(COONa)
Kaliumchlorid, KCl
Stromdichte
Temperatur
pH (durch Beigabe von Salzsäure ,
HCl oder Ammoniak, NH2^OH)
Dieses Bad kann bei sauren oder alkalischen pH-Werten verwendet werden. Im mittleren Bereich ist die Stromwirkung unerwünscht niedrig. Das Molybdän in der Ablagerung kann von 10 bis 65 % durch Änderung des Molybdänanteils im Bad von 6 auf 85 % geändert werden.
In einigen Fällen ist es vorteilhaft, das Natriummolybdat und das Natriumzitrat in der Lösung zu kombinieren, bevor sie dem Bad beigefügt werden. Diese Anteile können reagieren, bis sich ein Gleichgewichtszustand ausgebildet hat, und der erhaltene
AQ9886/1102
Komplexstoff wird in das Galvanlsierungsbad eingegeben.
BEISPIEL^
System: Nickel-Phosphor
Zusammensetzung:· 5 bis 50 % Phosphor
Spezifischer Widerstand: 39 bis 115 Mikrohm-cm TCR: minus 75 bis plus 50 · 10
Beschichtungsverfahren:
Nickel (Sulfat), Ni+2(SO^"2) Nickel (Chlorid), Ni+2(Cl") Nickel (Carbonat), Ni+2(C0 ~2) Phosphorsäure, H-,PO^ Phosphor!ge Säure, H-,PO-, Stromdichte Temperatur PH
Durch Änderung des zugänglichen Phosphoranteils im Bad (Phosphorsäure und phosphorige Säure) von 1 bis 53 % kann der Phosphoranteil in der Schicht von 5 bis 50 % geändert werden.
BEISPIEL_44
Beschichtungsverfahren:
Nickel (Carbonat), Ni+2(C0 ~2) Phosphorige Säure, Η-,ΡΟ-, Stromdichte Tempera tür
Durch Änderung des Phosphoranteils im Bad von β bis 55 % kann, der Phosphoranteil in der Ablagerung von 5 bis 50 % geändert werden.
/0C 30 - 40 g/l
10 - 15 g/i
5 - 15 g/l
50 - 160 g/l
2 - I4o g/l
5 - 4o Amp/dm
65 - 100 0C
0,5 - 1
60 170 g/l
10 - 40 g/l
5 - 95 Amp/dm
75 - - 1 °C
0,5
4098 8 6/1102
- 250 g/l
- 50 g/l
- 12 g/i
- 30 g/i
- 200 g/l
- 15 /imp/dm
- 90 °c
I / °c
5
10
0
0
20
2
25
BEISPIEL_45
System: Nickel-Rhenium Zusammensetzung: 75 bis 95 % Rhenium Spezifischer Widerstand: 229 bis lOb Mikrohm-cm TCR: plus 100 bis plus 300 .
Beschichtungsverfahren:
Kaliumperrhenat, KReO2. Nickel (Sulfat), Ni+2OSO2+"2) Nickel (Chlorid), Ni+2(Cl") Borsäure, IUBO-, Zitronensäure, HOC^H2+(COOH)-, Stromdichte Temperatur pH (durch Zugabe von Ammoniak,
NH2+OH oder Schwefelsäure, H2SO2+) 2-8 Durch Änderung des Rheniumanteils im Bad von ό auf 98 % kann der Rheniumanteil in der Schicht von 75 auf 95 % gebracht werden.
BEISPIEL_46
System: Nickel-V?nadium Zusammensetzung: 9 bis 72 % Vanadium Spezifischer V'iderstand: 41 bis 122 Mikrohm-cm TCR: minus 75 bis plus 50 . 10
Beschichtungsverfahren:
Vansdylsulfattrihydrat,
Nickel (Sulfat), Ni+2(S Borsäure, H^BO-, Stromdichte Temperatur
£09886/1102
0C 7 - 85 g/i
7 - 15 g/l
25 - 30 g/i
1 - 10 Amp/dm
18 - 80 °C
1 - ό
Durch Änderung des Vanadiumanteils im Bad von IO auf 74 % kann der Vanadiumanteil in der Ablagerung von 9 auf 70 % geändert werden.
BEISPIEL_47
Beschichtungsverfahren:
Natriummetavanadat, NaVO., Nickel (Sulfat), Ni+2(S0^"2) Natriumacetat, NaOOCCH,
Natriumhypophosphit, NaHpPOp Kaliumoxalat, KgCgOj,»HpO Stromdichte
Temperatur
pH . 4-0
Durch Änderung des Vanadiumanteils in dem Bad von 24 auf 55 % kann der Vanadiumanteil der Ablagerung von 9 auf 70 % geändert werden.
BEISPIEL_48
System: Pa Had ium-Molybdän
Zusammensetzung: 9 bis 4o $ Molybdän
Spezifischer Widerstand: 78 bis 228 Mikrohm-cm TCR: plus 300 bis plus 100 · 10 % /°C
Beschichtungsverfahren^ Natriummolybdat, Ns
5 - 20 g/i
6,7 g/l
10 g/i
10 g/i
50 g/l
1 - 15 Amp/dm
75 - 90 0C
Palladium (Chlorid), Pd+2(C1~)
Natriumpyrophosphat, Na^p3O7.
Natriumbicarbonat, NaHCO,
Hydrazinsulfat, NgH^ ·HgSO^ Stromdichte
Temperatur
24 - 120 g/l
4 7 g/l
25 -215 g/l
70 -100 g/l
0 - 4 g/l
2 - 25 Amp /dm'
25 - 75 0C
8 - 10
409 8 86/1102
Durch Änderung des Molybdänanteils im Bad von 58 auf 92 % kann der Molybdänanteil in der Ablagerung von 9 auf 4o % geändert v/erden.
BEISPIEL_49
Beschichtungsverfahren: 5 - 100 30 g/l 5 auf 20 % kann
Natriummolybdat, Na2MoOh^H2O 20 - 45 g/l % geändert wer
Palladium (Chlorid), Pd+2(Cl") 4 - 200 g/i
Ammoniumchlorid, NHj+Cl βο - 15 g/l
Ammoniak NH^ 2 - 45 Amp/dm
Stromdichte 25 - 11, °C
Temperatur 8 - Bad von 2
PH 9 bis
Durch Änderung des Molybdänanteils im
der Molybdänanteil in der Schicht von
den.
BEISPIEL 50
Beschichtungsverfahren:
Natriummolybdat, Na Palladium (Chlorid), Pd+2(ci~) Natriumzitrat, HOC,H^(COONaU Kaliumchlorid, KCl Stromdichte
Temperatur
oder
VJI - 57 g/i 5
10 - βο g/l
30 - 130 g/i
0 - 75 g/1
2 - 22 ρ
Amp/dm"
25 - 70 °c
3 - β
8 - 11.
Durch Änderung des Molybdänanteils im Bad von j5 auf 70 % kann der Molybdänanteil in der Ablagerung von 9 auf 4θ % gebracht werden.
489886/1102
Die hoch leitfähige Schicht des Trägermaterials besteht vorzugsweise aus einer vorgeformten Metallfolie wie z.B. Kupferfolie, verzinnter Kupferfolie, Aluminiumfolie, Zinkfolie oder Silberfolie. Eine geeignete Foliendicke beträgt beispielsweise 0,05 mm.
Die isolierende Unterlage kann aus einem der bekannten Materialien bestehen. Beispielsweise kann sie aus einem Polyimid bestehen, das auf organischen Diaminen und Dicarboxyl- oder TetracarboxyIsäuren basiert. Die Epoxyharze auf der Basis von PoIyglycidyläthern organischer Polyphenole werden gleichfalls vorzugsweise eingesetzt. Diese Harzunterlagen können einen der bekannten Verstärkungsstoffe wie z.B. Fiberglasgewebe enthalten. Die Unterlage kann auch aus einem mit Phenolharz imprägnierten Papier, mit Melaminharz imprägniertem Papier, mit Polyimidharz imprägniertem Fiberglasgewebe oder aus Polyesterharz bestehen, das eine Glasfaserverstärkung enthält. Häufig ist es erwünscht, eine Schicht aus hoch wärmeleitfähigem Material in der Schichtanordnung vorzusehen. Die Schicht kann auf der dem Viderstandsbereich abgewandten Seite oder innerhalb einiger Lagen zuvor imprägnierter Verstärkungen angeordnet sein. Der Zweck der wärmeleitf ähigen Schicht besteht darin, eine V.'ärmeüb er tragung zur Abschwächung elektrischer Heizwirkungen der in der Oberfläche der Schicht anordnung gebildeten V'iderstände hervorzurufen. Aluminium- und Kupferfolien sind zu diesem Zweck geeignet.
4Ö9886/1102

Claims (2)

  1. Pa tentansprUche
    \J! Trägermaterial für gedruckte Schaltungen, bestehend aus einer isolierenden Unterlage, auf die mindestens eine Schicht eines elektrischen Widerstandsmaterials aufgebracht ist, die eine hoch leitfähige Schicht in fester Haftung trägt, dadurch gekennzeichnet, daß als Widerstandsmaterial Chrom-Antimon, Chrom-Mangan, Chrom-Phosphor, Chrom-Selen, Chrom-Tellur, Kobalt-Antimon, Kobalt-Bor, Kobalt-Germanium, Kobalt-Indium, Kobalt-Molybdän, Kobalt-Phosphor, Kobalt-Rhenium, Kobalt-Ruthenium, Kobalt-Volfram, Kobalt-Vanadium, üisen-Vanadium, Nickel-Antimon, Nickel-Bor, Nickel-Chrom, Nickel-Germanium, Nickel-Indium, Nickel-Molybdän, Nickel-Phosphor, Nickel-Rhenium, Nickel-Vanadium oder Palladium-Molybdän vorgesehen ist.
    ?. Trägermaterial nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die leitfähige Schicht aus einer Kupferfolie besteht.
    3. Trägermaterial nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die leitfähige Schicht aus einer Aluminiumfolie besteht.
    4. Trägermateris 1 nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Unterlage aus einem verstärkten organischen Harz besteht.
    5. Tr-H '-orrnaterial nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, da3 die Untprlage aus einem Epoxyharz besteht, das mit Fiberglasgewebe verstärkt ist.
    ο. Trä -,»rinaterial nach Ansnruoh 1, dadurch gekennzeichnet, da3 die Untoi'l?v;e aus einem Polylrcidhari: besteht, das mit Fiberv-.laiü'/iV'.'enr; v.-rctärkt ist.
    4G988B/110?
    BAD ORIGINAL
    7· Trägermaterial nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet,
    daß die Unterlage aus einem organischen verstärkten Harz besteht, in oder an dem eine wärmeleitfähige Schicht gebunden
    ist.
    8. Trägermaterial nach einem der Ansprüche 1 bis 7, dadurch gekennzeichnet, daß als Widerstandsmaterial Chrom-Antimon
    vorgesehen ist.
    9. Trägermaterial nach einem der Ansprüche 1 bis 7» dadurch gekennzeichnet, daß als Widerstandsmaterial Chrom-Mangan vorgesehen ist.
    10. Trägermaterial nach einem der Ansprüche 1 bis 7» dadurch gekennzeichnet, daß als Widerstandsmaterial Chrom-Phosphor vorgesehen ist.
    11. Trägermaterial nach einem der Ansprüche 1 bis 7, dadurch gekennzeichnet, daß als Widerstandsmaterial Chrom-Selen vorgesehen ist.
    12. Trägermaterial nach einem der Ansprüche 1 bis 7, dadurch gekennzeichnet, daß als Widerstandsmaterial Chrom-Tellur vorgesehen ist.
    13. Trägermaterial nach einem der Ansprüche 1 bis 7, dadurch gekennzeichnet, daß als Widerstandsmaterial Kobalt-Antimon
    vorgesehen ist.
    14. Trägermaterial nach einem der Ansprüche 1 bis 7# dadurch gekennzeichnet, daß als Widerstandsmaterial Kobalt-Bor vorgesehen ist.
    1 Γ·. Tr igerrnaterial nach einem der Ansprüche 1 bis "J, dadurch gekennzeichnet, daß als Viderstandsmaterial Kobalt-Germanium
    vorgesehen ist.
    4098 8 6-/110?
    BAD ORIGINAL
    - 55 -
    1β. Trägermaterial nach einem der Ansprüche 1 bis 7* dadurch gekennzeichnet, daß als Viderstandsmaterial Kobalt-Indium vorgesehen ist.
    17. Trägermaterial nach einem der Ansprüche 1 bis 7, dadurch gekennzeichnet, daß als Viderstandsmaterial Kobalt-Molybdän vorgesehen ist.
    18. Trägermaterial nach einem der Ansprüche 1 bis J, dadurch gekennzeichnet, daß als Viderstandsmaterial Kobalt-Phosphor vorgesehen ist.
    19· Trägermaterial nach einem der Ansprüche 1 bis 7> dadurch gekennzeichnet, daß als Viderstandsmaterial Kobalt-Rhenium vorgesehen ist.
    20. Trägermaterial nach einem der Ansprüche 1 bis 7, dadurch gekennzeichnet, daß als Viderstandsmaterial Kobalt-Ruthenium vorgesehen ist.
    21. Trägermaterial nach einem der Ansprüche 1 bis 7* dadurch gekennzeichnet, daß als Viderstandsmaterial Kobalt-Volfram vorgesehen ist.
  2. 2.2. Trägermaterial nach einem der Ansprüche 1 bis J, dadurch gekennzeichnet, daß als Viderstandsmaterial Kobalt-Vanadium vorgesehen ist.
    23. Trägermaterial nach einem der Ansprüche 1 bis 7* dadurch gekennzeichnet, daß als Viderstandsmaterial· Eisen-Vanadium vorgesehen ist.
    24. Trägermaterial nach einem der Ansprüche 1 bis 7> dadurch gekennzeichnet, daß als Viderstandsmaterial Nickel-Antimon vorgesehen ist.
    409886/1102
    25. Trägermaterial nach einem der Ansprüche 1 bis 7, dadurch gekennzeichnet, daß als Widerstandsmaterial Nickel-Bor vorgesehen ist.
    26. Trägermaterial nach einem der Ansprüche 1 bis 7, dadurch gekennzeichnet, daß als Widerstandsmaterial Nickel-Chrom vorgesehen ist.
    27. Trägermaterial nach einem der Ansprüche 1 bis 7, dadurch gekennzeichnet, daß als V.'iderstandsmaterial Nickel-Germanium vorgesehen ist.
    28. Trägermaterial nach einem der Ansprüche 1 bis 7, dadurch gekennzeichnet, daß als Widerstandsmaterial Nickel-Indium vorgesehen ist.
    29. Trägermaterial nach einem der Ansprüche 1 bis 7, dadurch gekennzeichnet, daß als V'iderstandsmaterial Nickel-Molybdän vorgesehen ist.
    30. Trägermaterial nach einem der Ansprüche 1 bis 7» dadurch gekennzeichnet, daß als Widerstandsmaterial Niekel-Phosphor vorgesehen ist.
    31. Trägermaterial.nach einem der Ansprüche 1 bis 7, dadurch gekennzeichnet, daß als Widerstandsmaterial Nickel-Rhenium vorgesehen ist.
    32. Trägermaterial nach einem der Ansprüche 1 bis 7, dadurch gekennzeichnet, daß als Widerstandsmaterial Nickel-Vanadium vorgesehen ist.
    33· Trägermaterial nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß als V'iderstandsmaterial Palladium-Molybdän vorgesehen ist.
    409886/1102
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