DE2436173B2

DE2436173B2 - Ausgangsmaterial zur Herstellung einer gedruckten Schaltung

Info

Publication number: DE2436173B2
Application number: DE2436173A
Authority: DE
Inventors: Richard Los Angeles Calif. Norman (V.St.A.)
Original assignee: Mica Corp Culver City Calif (vsta)
Current assignee: Ohmega Technologies Inc Culver City Calif Us
Priority date: 1973-07-27
Filing date: 1974-07-26
Publication date: 1980-11-06
Also published as: FR2238583A1; FR2238583B1; IT1016433B; JPS6025917B2; MY7800456A; CA995824A; GB1482773A; JPS5071513A; HK63178A; US3857683A; NL7410107A; DE2436173A1; DE2436173C3

Description

Die Erfindung betrifft ein Ausgangsmaterial zur Herstellung einer gedruckten Schaltung gemäß dem Oberbegriff des Anspruchs i.

Ein dei artiges Ausgangsmaterial ist aus dem Buch von A. Lewicki »Einführung in die Mikroelektronik« R. Oldeabourg Verlag, 1966. Seite 190, bekannt

Nach Seite 191 dieses Buches ist es bekannt, Dünnfilmschaltungen mit einer geeigneten Hülle, einer Kapselung, zu umgeben.

Nach der Zeitschrift Elektor, September 1971, Seite 918, ist es bekannt, auf Glasplatten eine erste NiCr-Schicht aufzudampfen und darauf als zweite Schicht eine Nickel-Schicht aufzudampfen.

Nach dem NTZ-Kurier 1/73, K 13, ist es .bekannt, Trägerfolien aus Polyester, Polyimid oder Glasfaser-Epoxidharz mit einem Widerstandswerkstoff auf Kupfer-Nickel-Basis zu kaschieren.

Nach der Zeitschrift Elektronik 1971, Heft 7, Seite 254, ist es bekannt, beim Tantal-Fotoätzverfahren Tantalnitrid als Widerstandsmaterial und Tantalpentoxyd als Dielektrikum vorzusehen und Leiterbahnen aus Gold mit Chromnickel als Haftschicht auszubilden.

In der Zeitschrift »Glas und Hochvakuum-Technik« 2 (1953) H. 12/13, S. 256 bis 259, ist auf Seite 258 eine Tabelle angegeben und im Begleittext in der rechten Spalte oben darauf hingewiesen, daß man zur Erzielung eines kleinen TKr Legierungen aus einem Metall der linken und einem der rechten Gruppe wählen sollte. Dies ergibt einen qualitativen Hinweis auf die folgenden Legierungen: CoV, FeV, NiCr und NiV.

Aufgabe der Erfindung ist es, ein Ausgangsmaterial nach dem Oberbegriff des Anspruchs 1 anzugeben, das kristalline Phasenübergänge erst oberhalb 400° C aufweist, dessen TKr kleiner als ±300 · 10-⁶/°C zwischen -65° C und +125°C ist und dessen Diffusionskoeffizient in das hochleitfähige Material außerordentlich gering ist

Die Lösung dieser Aufgabe ist im Kennzeichen des Anspruchs 1 angegeben. Nur bei Einhaltung der im Anspruch 1 angegebenen quantitativen Angaben wird die Aufgabe gelöst

Die Widerstandsmaterialien, die gemäß der Erfindung vorgesehen sind, bestehen aus binären Legierungen, d. h. sie enthalten zwei chemische Elemente, die in Form fester Lösungen, reiner Metalle, intermetallischer Verbindungen und/oder Mischungen solcher Stoffe vorhanden sein können. Diese Widerstandsmaterialien können allgemein das weitere Merkmal haben, daß sie einen minimalen spezifischen Widerstand von 100 Mikro-Ohm-Zentimeter haben, wobei sie aus wäßriger Lösung aufzubringen sind und reproduzierbare anhaftende Ablagerungen bilden, die eine Bindung an der isolierenden Unterlage ohne Verlust physikalischer Integrität ermöglichen. Ferner sind diese Stoffe nicht radioaktiv, haben einen Schmelzpunkt und kristallografische Phasenübergänge bei Temperaturen höher als 400° C und einen Temperaturkoeffizienten des Widerstandes von weniger als ±300 χ 10-*/°C zwischen —65 und +125⁰C, wenn sie richtig aufgebracht sind. Ihr Diffusionskoeffizient in Kupfer der alpha-Phase ist geringer als 2,89 χ ΙΟ-²² Mol pro cm² pro see, ihre Strom-Spannungscharakteristik entspricht derjenigen der gegenwärtig üblichen Widerstände, und sie haben einen ausreichenden chemischen Widerstand gegenüber normaler Benutzung, wenn sie durch Passivierung, Anodisierung oder Galvanisierung bzw. Beschichtung mit einer organischen oder anorganischen Schicht in geeigneter Weise geschützt sind.

Das Widerstandsmaterial wird aus einem Bad auf eine leitfähige Folie, beispielsweise eine Kupferfolie aufgebracht, in einigen Fäiien können gewünschte

Änderungen des Widerstandsfilms durch Erhitzung der doppelschichtigen Folie auf eine höhere Temperatur in Luft oder in einer kontrollierten Atmosphäre an diesem Punkt des Verfahrens hervorgerufen werdea Die doppelschichtige Folie wird dann mit einer oder mehreren s Lagen Fiberglasgewebe, das mit einer geeigneten Verbindung aushärtbarer organischer Harze imprägniert wurde, mit der Widerstandsseite an der Grenzschicht zu einer Schichtanordnung zusammengelegt. Es ist häufig erwünscht, eine Schicht aus stark wärmeleitfähigem Material in diese Schichtanordnung einzubringen. Ihre Aufgäbe besteht darin, eine Wärmeübertragung zur Verringerung elektrischer Heizwirkungen von Widerständen zu ermöglichen, die auf der Oberfläche dieser Schiebtanordnung ausgebildet werden. Aluminium- und Kupferfolien sind zu diesem Zweck geeignet Die wärmeteitfähige Schicht kann auf die dem Widerstandsmaterial abgewandte Seite oder innerhalb einiger Lagen zuvor imprägnierten Verstärkungsmaterials vorgesehen werden. Die Schichtbildung ist für sich bekannt In einigen Fällen können gewünschte Änderungen der Eigenschaften des Widerstandsfilms durch Erwärmung der Schichtanordnung auf eine erhöhte Temperatur erreicht werden. Nach diesen Schritten und beim Einsatz des Materials zur Herstellung der gedruckten Schaltungen wird die Kupferoberfläche mit einer Ätzschutzschicht beschichtet Diese Schicht aus Ätzschutzmaterial wird dann durch ein fotografisches Negativ belichtet, welches das Negativbild des Widerstandsund Leitermusters darstellt Die belichtete Ätzschutz- jo schicht wird entwickelt die nicht belichteten Teile werden abgewaschen. Der Schaltungsträger mit dem entwickelten Bild wird dann mit einem Ätzmittel, wie z. B. einer Alkaliverbindung oder Eisenchlorid, das mit Salzsäure verbunden ist geätzt bis das freiliegende Kupfer r> entfernt ist. Die Platte wird dann in Wasser gewaschen und in ein für die jeweils vorhandene Legierung geeignetes Ätzmittel eingetaucht bis die freiliegende Widerstandsschicht entfernt ist. Alternativ kann \üe Widerstandsschicht auch durch Abrieb entfernt werden, wozu beispielsweise pulverisierter Bimsstein verwendet wird. Das übrige belichtete Ätzschutzmaterial wird abgelöst und die Platte wird dann mit einer neuen Schicht aus Ätzschutzmaterial versehen. Diese Schicht wird durch ein fotografisches Negativ hindurch belichtet, welches « das Negativbild des Leitermusters enthält. Das belichtete Ätzschutzmaterial wird entwickelt die nicht belichteten Teile werden abgewaschen. Die Platte mit dem entwickelten Bild wird dann in einem Ätzmittel geätzt, bis das freiliegende Kupfer entfernt ist. Dann wird die Platte in Wasser gewaschen und getrocknet. An dieser Stelle des Verfahrens sind die Leitermuster und die Widerstandsmuster individuell ausgebildet und stehen in dem geeigneten elektrischen Ko.itakt miteinander.

Das allgemeine Verfahren, wie es vorstehend und « weiter in den noch folgenden Beispielen beschrieben ist arbeitet unter Verwendung fotografischer Negative und negativer Ätzschutzschichten. Es sei darauf hingewiesen, daß auch andere Materialien, die zur Herstellung gedruckter Schaltungen bekannt sind, eingesetzt ω werden können. Beispielsweise können fotografische Positive in Verbindung mit positiv arbeitenden Ätzschutzschichten verwendet werden. Ferner können Siebdruckverfahren in Verbindung mit einem Ätzschutzmaterial angewendet werden, das durch die Ätz- μ mittel nicht angegriffen wird.

Die einzelnen Verbindungen sind in Gewichtsprozent angegeben, worauf sich auch aiie anderen Prozentwerte dieser Beschreibung beziehen. Die spezifischen Widerstände sind in Mikro-Ohm-Zenümeter angegeben. Der jeweils zuerst aufgeführte Wert ist der spezifische Widerstand für den ersten möglichen Wert des angegebenen Verbindungsbereichs. Der zweite spezifische Widerstandswert ist der innerhalb des angegebenen Verbindungsbereichs erreichbare Maximalwert, dieser Widerstandswert kann an den Extremwerten des Verbindungsbereichs möglicherweise nicht auftreten. Werte für den Temperaturkoeffizienten des spezifischen Widerstandes, im folgenden abgekürzt TCR genannt sind in Weiten von 10~⁶ pro ⁰C angegeben und zeigen die Änderung innerhalb eines Temperaturbereichs von -65° C bis +125⁰C Für in geeigneter Weise elektrolytisch aufgebrachte Legierungsfilme auf einer mit Fiberglas verstärkter. Unterlage gilt der angegebene Bereich der TKr-Werte allgemein für den Bereich beobachteter Werte, wobei vorauszusetzen ist daß die jeweilige Legierung innerhalb des angegebenen Bereichs liegt In einigen Fällen ist jedoch auch ein Wert außerhalb des angegebenen TKr-Bereichs für sehr begrenzte Verbindungsbereiche festzustellen. Die Extremwerte der TKr-Werte fallen oft nicht mit den maximalen und minimalen Verbindungswerten zusammen.

Für den praktischen Nutzen der Erfindung sind reproduzierbare, gleichmäßige, feinkörnige, anhaftende dünne Legierungsfilme wesentlich, die über große Bereiche einer leitfähigen Folie aufgebracht sind. Zur Herstellung von Filmen mit den vorstehend genannten Eigenschaften innerhalb des jeweils angegebenen vollen Verbindungsbereichs sind nur wenige Bäder unter den bisher üblichen Beschichtungsbädern geeignet Dies ergibt sich aus der Voraussetzung der Herstellung einer vollständigen Produktreihe von Widerständen. Der Bereich der mit einer Legierungsverbindung herstellbaren Widerstände ist für diese praktischen Zwecke nicht ausreichend. Die vorzugsweise anzuwendenden Bäder sind in den folgenden Beispielen angegeben.

Die Bereiche der Metall-, Komplexstoff-, Salz- und Zusatzstoffkonzentrationen zur Herstellung des vollständigen Verbindungsbereichs der Legierungen sind angegeben. Die Zusammenhänge zwischen den Metall- und Komplexstoffkonzentrationen sowie den Metall-, Zusatzstoff- und Salzkonzentrationen sind dem Fachmann bekannt, gleiches gilt für die erforderliche Variation der Komplexstoff-, Salz- und Zusatzstoffkonzentration, wenn die Metallkonzentrationen geändert werden, um unterschiedliche Legierungsverbindungen in der abgelagerten Schicht zu erzeugen. Die vorzugsweise angewendete Temperatur ist die jeweils in dem angegebenen Bereich niedrigste Temperatur, die alle Komponenten des Bades in Lösung hält Der vorzugsweise angewendete pH-Wert ist der Mittelwert der angegebenen Bereiche. Die vorzugsweise benutzte Form elektrischer Energie ist strom- und spannungsgesteuerter Gleichstrom, falls nicht anders angegeben. Die vorzugsweise angewendete Stromdichte hängt von der gewünschten Legierungsverbindung ab und ist dem Fachmann unter Berücksichtigung der übrigen Informationen geläufig. Alle Bäder werden gerührt. Unlösliche Anoden werden vorzugsweise eingesetzt, jedoch sind auch lösliche Anoden aus binären Legierungen oder auch aus Metall geeignet. Zusatzstoffe sind erforderlichenfalls zur Beeinflussung der Leistung des Bades angegeben, bei der Galvanisierung geläufige Zusätze können auch hier zur Erzielung bester Ergebnisse nützlich sein.

Kompiexmittei anders als die oder zusätzlich zu den

angegebenen wie ζ. B. Zitrate, Tartrate, Oxalate, Ma- Stromdichte

leate, Malonate, Glycolate, Pyrophosphate, Ammoniak Temperatur

und Borsäure für beide oder eines der Metalle in dem pH

Bad sind in vielen Fällen günstig und dem Fachmann bekannt

Wenn die Bezeichnung »Metallion« verwendet ist, so ist das Gewicht nur für das Metall angegeben. Die Angaben für das Kation und das Anion sind die vorzugsweisen Anteile zur Eingabe des Metalls in das Bad. Wenn fich die angegebenen Gewichte auf Hydrate be- ίο ziehen, so ist das Hydrat explizit in der angegebenen Formel enthalten.

Beispiel 1 System: Chrom-Antimon

Zusammensetzung: 13 bis 74% Antimon Spezifischer Widerstand: 74 bis 526 Mikro-Ohm-cm TKr: plus 100 bis plus 500 - 10-VC

Beschichtungsverfahren: Chromtrioxid, CrO₃ 100—300 g/l K aliumantimonat, K₂SbO₄ 13 — 1300 g/l Schwefelsäure, H₂SO₄ 0-500 g/l Stromdichte 5—50 A/dm² Temperatur 20—90⁰C

pH sauer

Durch Änderung des Antimonanteils in dem Bad von auf 90% kann der Antimonanteil in der Ablagerung von 13 bis 74% geändert werden.

Beispiel 2

Entspricht Beispiel!, wobei K₂SbO₄ durch Sb₂O₅ 16-1600 g/l

ersetzt ist. Durch Änderung des Antimonanteils in dem js Bad von 4 auf 90% kann der Antimonanteil von 13 auf 74% geändert werden.

5-50 A/dm²

20-90⁰C

sauer

Durch Änderung des Mangananteils in dem Bad von 1,75 auf 80% kann der Mangananteil in der Ablagerung von 10 auf 80% geändert werden.

20

25

Beispiel 5	500-700 g/l	der Ablagerung von
Beschichtungsverfahren:
Chromammoniumsulfat	5-100 g/l
(NH₄)Cr(SO₄J₂- 12H₂O	30-70 g/l
Mangansulfat, MnSO₄	40-80 g/l
Magnesiumsulfat, MgSO₄	40-80 g/l
Ammoniumsulfat, (NH₄J₂SO₄	5-50 A/dm²
Ammoniumhydroxid, NH₄OH	20-90⁰C
Stromdichte	alkalisch
Temperatur	Durch Änderung des Mangananteils im Bad von 2,5
pH	auf 40% kann der Mangananteil in
	10 auf 50% geändert werden.

JO

Beispiel 3 Beschichtungsverfahren:

Chrom (Fluoborat), 2,6 - 78 g/l

Cr+3(BF₄-)

Antimon (Fluoborat), 6,1 — 183 g/l

Sb+3(BF₄-)

Fluoborsäure (frei), HBF₄ 150-650 g/l Borsäure, H₃BO₃ 0-50 g/l Stromdichte 1 — 25 A/dm² Temperatur 20-80⁰C

pH sauer

Durch Änderung des Antimonanteils in dem Bad von 7,25 bis 98% kann der Antimonanteil in der abgelagerten Schicht von 13 auf 74% geändert werden. In einigen Fällen müssen zur Erzielung einer nicht kristallinen Ablagerung Zusätze in dem Bad vorgesehen sein. Ihre genaue Zusammensetzung hängt von der Badzusammensetzung und von der Unterlage für die Schicht ab.

Beispiel 4

System: Chrom-Mangan Zusammensetzung: 10 bis 80% Mangan Spezifischer Widerstand: 36 bis 194 Mikro-Ohm-cm TKr: plus 150 bis plus 50· 10-⁶/°C

40

Beispiel 6

System: Chrom-Phosphor Zusammensetzung: 6 bis 52% Phosphor Spezifischer Widerstand: 57 bis 162 Mikro-Ohm-cm TKr: minus 75 bis plus 50 · 10-⁶/°C

Beschichtungsverfahren: Chromtrioxid, CrO₃ 100- 300 g/l Phosphorige Säure, H₃PO₃ 4-400 g/i Schwefelsäure, H₂SO₄ 0-98 g/l Stromdichte 5-50 A/dm² Temperatur 20-90⁰C

pH sauer

Beispiel 7

Stimmt mit Beispiel 6 überein, wobei H₃PO₃ durch H₃PO₄ 5-500 250 g/I

ersetzt ist. Durch Änderung des Phosphorgehalts in den Beispielen 6 und 7 von 1 auf 73% kann der Phosphorgehalt in der Ablagerung von 6 auf 52% geändert werden.

50

55

bO

Beschichtungsverfahren: Chromtrioxid, CrO₃ 100-300 g/l Kaliumpermanganat, KMnO₄ 8—800 g/l Schwefelsäure, H₂SO₄ 0-500 g/l

b5

Beispiel 8

System: Chrom-Selen Zusammensetzung: 14 bis 65% Selen Spezifischer Widerstand: 80 bis

2300 Mikro-Ohm-cm TKr: plus 100 bis plus 800 · 10-«/°C

Beschichtungsverfahren: Chromtrioxyd, CrO₃ 100 - 300 g/l Selensäure, H₂SeO₄ 7,25-725 g/l Schwefelsäure, H₂SO₄ 0-98 g/l Stromdichte 5-50 A/dm² Temperatur 20-90⁰C

pH sauer

Durch Änderung des Selenanteils im Bad von 2,5 auf 88% kann der Selenanteil in der Ablagerung von 14 auf 65% geändert werden.

Beispiel 9 Beispiel 13

System: Chrom-Tellur
Zusammensetzung: 21 bis 75% Tellur
Spezifischer Widerstand: 92 bis 420 Mikro-Ohm-cm TKr: plus 100 bis plus 500· 10-V⁰C System: Kobalt-Bor
Zusammensetzung: 2 bis 36% Bor Spezifischer Widerstand: 36 bis 108 Mikro-Ohm-cm TKr: minus 75 bis plus 50 · 10-V⁰C

Beschichtungsverfahren:	100-300 g/l	Beschichtungsverfahren:	4-40 g/l
Chromtrioxid, CrOi	9-880 g/l	Natriumborhydrid, NaBH₄	5-15 g/l
Tellurtrioxid, TeO₃	0-500 g/l	, ₍₎ Kobalt (Chlorid) Co ^{+ 2}CCI -)	150-225 g/l
Schwefelsäure, H₂SO₄	5-50 A/dm²	Ammoniumhydroxid NH₄OH	1-15 A/dm²
Stromdichte	20-90° C	Stromdichte	20-60° C
Temperatur	sauer	Temperatur	11-12,5
pH	PH

Durch Änderung des Telluranteils in dem Bad von 4 auf 95% kann der Telluranteil in der Ablagerung von auf 75% geändert werden.

Beispiel 10
Entspricht Beispiel 9, wobei TeO₃ durch

HhTeOh 11 — 1100 g/l

ersetzt ist. Durch Änderung des Telliiranteils im Bad von 4 auf 95% kann der Telluranteil in der Ablagerung von 21 auf 75% geändert werden.

Beispiel 11

System: Kobalt-Antimon
Zusammensetzung: 18 bis 72% Antimon
Spezifischer Widerstand: 65 bis

2000 Mikro-Ohm-cm
TKr: plus 100 bis plus 800 - 10-VC

Beschichtungsverfahren:

Kobalt (Fluoborat), 3-90g/l

Co^BF₄ )

Antimon (Fluoborat), 6—180 g/l

ι > Durch Änderung des Boranteils in dem Bad von 7 bis 70% kann der Boranteil in der Ablagerung von 2 bis 36% geändert werden.

Beispiel 14	5-100 g/l
'" Beschichtungsverfahren:
Dimethylaminboran,	40-130 g/l
(CHj)₂NHBH₃
Natriummalonat,	11 -38 g/l
CH₂(COONa)₂
Kobalt (Sulfat),	1-20 A/dm²
CO+2(SO₄-²)	20-80° C
Stromdichte	5-5,6
Temperatur
pH (durch Zusatz von
Ammoniak)

Fluöborsäure, HBF₄ 150-650 g/1

Borsäure, H₃BO₃ 0-50g/l

Stromdichte 1-25 A/dm²

Temperatur 20-80° C

pH sauer

Durch Änderung des Antimonanteils in dem Bad von auf 99% kann der Antimonanteil in der Ablagerung von 18 auf 72% geändert werden.

Beispiel 12
Beschichtungsverfahren:

Kaliumantimonyltartrat, 50—1000 g/l
KSbC₄H₄O₇

Kobalt (Sulfat), Q^SO₄-²) 6-60 g/l

Rochellesalz KNaC₄H₄O₆ 30-300 g/l

Stromdichte 1 — 25 A/dm²

Temperatur 20—80°C

pH (durch Zusetzen von 8—11
Ammoniak) NH₄OH

Durch Änderung des Antimonanteils in dem Bad von auf 98% kann der Antimonanteil in der Ablagerung von 18 auf 72% geändert werden. In einigen Fällen müssen zur Erzielung einer nicht kristallinen Schicht Zusätze in dem Bad vorgesehen sein. Ihre genaue Zusammensetzung hängt von der Badzusammensetzung und der Unterlage für die Ablagerung ab.

Durch Änderung des Boranteils in dem Bad von 3 bis 68% kann der Boranteil in der Schicht von 2 bis 36% geändert werden.

Γ) In den Beispielen 13 und 14 sollen das Kobalt und das Komplexmittel vor dem Zusetzen der das Bor enthaltenden Verbindung sorgfältig gemischt werden.

_w Beispiel 15

System: Kobalt-Germanium
Zusammensetzung: 6 bis 60% Germanium Spezifischer Widerstand: 34 bis 321 Mikro-Ohm-cm TKr: plus 100 bis minus 50 · 10-V°C

^A ' Beschichtungsverfahren:

Germanium (Oxid), GeO₂ 0,15—15,0 g/l

Kobalt (Chlorid), CO⁺²(C1-) 0,1 -10,0 g/l

Ammoniumchlorid, NH₄Cl 25—30 g/l

__n Ammoniumoxalat, (NH₄)₂C₂O₄ 30—40 g/l

Natriummetabisulfit, Na₂S₂O₅ 1 —5 g/l

Stromdichte 2—10 A/dm²

Temperatur 20-50° C

pH alkalisch

Durch Änderung des Germaniumanteils im Bad von auf 90% kann der Germaniumanteil in der Schicht von 6 bis 60% geändert werden.

_b0 Beispiel 16

System: Kobalt-Indium
Zusammensetzung: 18 bis 71% Indium Spezifischer Widerstand: 65 bis 335 Mikro-Ohm-cm TKr: plus 100 bis minus 50 · 10-V⁰C Beschichtungsverfahren:

Indium (Sulfat), In+^SO-r²) 15-30 g/I Kobalt (Sulfat), Co+²JSO₄-²) 11 -30 g/I

Stromdichte

24 36

das Indium in der

0,3-8 g/l

der Indiumanteil in

5-17 g/l

in der Schicht von

Beispiel 20

3-50 g/l

)

173

10

Beispiel 23

9

Temperatur

Schicht von 60 bis 71 % geändert werden.

30-100 g/l
50 g/l
2-10 A/dm²
20-70° C
I 1

Beschichtungsverfahren:

Stromdichte 1 — 20 A/dm²

System: Kobalt-Rhenium

pH

2-12 A/dm*

1 —J

10 g/l

Natriummolybdat,

6-50 g/I

Temperatur 25-70⁰C

Zusammensetzung: 25 bis 95% Rhenium

20-70⁰C

Beispiel 17

Da das Gewicht des Indiums in dem Bad von 0,3 bis

NaMoO₄ · 2 H₂O

30-300 g/l

pH (durch Zusatz von 3—5 oder

Spezifischer Widerstand: 135 bis

1-3

■ Beschichtungsverfahren:
I Indium (Sulfat), In + J(SO₄ - ²)

100 g/l geändert wird, ändert sich

Molybdän

650 g/l

Kobalt (Sulfat), Co^SO₄-²)
I Natriumzitrat,
3 (NaOOC)₃C₃H₄OH

Ammoniak, NH₄OH oder 9—12

438 Mikro-Ohm-cm

I Kobalt (Sulfat), Co+²(SO₄ -²)
I Sulfaminsäure, H₂N · SO₃H
M Stromdichte
Temperatur

der Schicht von 18 auf 71%.

Spezifischer Widerstand: 57 bis 292 Mikro-Ohm-cm

5-20 A/dm²

30-40 g/l

II)

Schwefelsäure, H₂SO₄)

TKr: plus 300 bis plus 100 - 10-⁶/°C

Durch Änderung des Kobalt- und Indiumanteils im

pH

Beispiel 18

TK_R: plus 300 bis plus 100 · 10-"/⁰C

25-100°C

!=.

Bad sowie der Stromdichte kann

System: Kobalt-Molybdän

Beschichtungsverfahren:

10,5—11,5

2-5 g/l

Dieses Bad kann bei sauren oder alkalischen pH-

Zusammensetzung: 10 bis 65%

Natriummolybdat,

Durch Änderung des Molybdänanteils im Bad von 30

Werten eingesetzt werden. Im mittleren Bereich ist die

Na₂MoO₄ · 2 H₂O

auf 85% kann der Molybdänanteil

75-85 g/l

Stromwirkung unerwünscht niedrig. Der Molybdän

Kobalt (Carbonat),

15 auf 35% geändert werden.

60-80 g/l

20

anteil in der Ablagerung kann von 10 bis 65% geändert
werden, wenn der Molybdänanteil in dem Bad von 3
bis 77% eeändert wird

Co+{COj-2)

Das Bad in Beispiel 20 ist in einigen Fällen zu ver
bessern, indem das Natriummolybdat und das Natrium
zitrat in Lösung zusammengebracht werden, bevor sie
in das Bad eingegeben werden. Diese Anteile können

Kaliumcarbonat, K₂COj

Beispiel 19

1-3 g/l

reagieren, bis sich ein Gleichgewichtszustand ausge

Stromdichte

Beschichtungsverfahren:

5-20 A/dm²

bildet hat, und der erhaltene Komplexstoff wird in das

Temperatur
_ I I

Natriummolybdat,

20 -75° C

2">

Beschichtungsbad eingegeben.

pH

NaMoO₄ · 2 H₂O

7,5—9

Kobalt (Carbonat),

Das Hydrazinsulfat verhindert unerwünschte Reak

Beispiel 21

Co-2(CO₃-²)

tionen an der neutralen Anode, die in diesem Bad

System: Kobalt-Phosphor

Natriumcarbonat, NaHCO₃

typisch eingesetzt ist Durch Änderung des Molybdän

Zusammensetzung: 6 bis 52% Phosphor

Natriumpyrophosphat,

anteils in dem Bad von 70 auf 90% kann der Molybdän

JO

Spezifischer Widerstand: 45 bis 138 Mikro-Ohm-cm

Na₄P₂O₇

anteil in der abgelagerten Schicht von 45 bis 55% ge

TKr: minus 75 bis plus 50 · 10"V⁰C

Hydrazinsulfat, 2 N₂H₄ ■ H₂SO₄

ändert werden.

Beschichtungsverfahren:

Stromdichte

Kobalt (Carbonat), 5 -100 g/l

Temperatur
I-lH

i~>

Co+²(CO₃-²)

pH

Phosphorige Säure, H ₃PO₃ 2 -160 g/l

Stromdichte 4—40 A/dm²

Temperatur 65-95⁰C

pH 0,5-1

40

Durch Änderung des Phosphoranteils im Bad von 1

bis 54% kann der Phosphoranteil in der abgelagerten

Schicht von 6 bis 52% geändert werden.

4 >

Beispiel 22

Beschichtungsverfahren:

Kobalt (Chlorid), Co+²(CI-) 20-100 g/l

Phosphorsäure, H₃PO₄ 10-100 g/l

Phosphorige Säure, H₃PO₃ 2—100 g/l

"iO

Kobalt (Carbonat), 5-15 g/l

Co+²(C0₃-²)

Stromdichte 4—40 A/dm*

Temperatur 65 -95° C

55

pH 0,5-1

Durch Änderung des Phosphoranteils (im Bad vor

handen als phosphorige Säure) in dem Bad kann der

Phosphoranteil in der Ablagerung von 6 bis 52% ge

ändert werden.

bO

Die Qualität und die elektrischen Eigenschaften der

Ablagerungen aus den Bädern der Beispiele 21 und 22

können verbessert werden, indem ein Wechselstrom

gleichzeitig mit dem Gleichstrom bei der Galvanisie

65

rung verwendet wird. Das Verhältnis von Wechsel

strom zu Gleichstrom kann von 2:1 bis zu 5 :1 geän

dert werden.

Beschichtungsverfahren:

Kaliumperrhenat, K ReO₄ 1 — 150 g/l

Kobalt (Sulfat), Co+²(SO₄ -²) 2-25 g/l Zitronensäure. 20-200 g/l

HOC₃H₄(COOH),

Stromdichte 2—12 A/dm²

Temperatur 25-90°C

pH (durch Zugabe von 3—8

Ammoniak NH₄OH oder
Schwefelsäure H₂SO₄)

Durch Änderung des Rheniumanteils in dem Bad von bis 80% kann der Rheniumanteil in der abgelagerten Schicht von 25 bis 95% geändert werden.

Beispiel 24

System: Kobalt-Ruthenium Zusammensetzung: 16 bis 94% Ruthenium Spezifischer Widerstand: 245 bis 680 Mikro-Ohm-cm

TKr: plus 100 bis minus 50 ■ 10-⁶/°C

Beschichtungsverfahren:

Ruthenium (Chlorid), 0,1 -50 g/l Ru+XCl-)

Kobalt (Chlorid), Co+²(CI -) 2-50 g/l

Ammoniumchlorid, NH₄CI 50-120 g/l

Kaliumchlorid, KCl 3-5 g/l

Wasserstoffperoxid, H₂O₂ 1 -2 g/l

Stromdichte 4—10 A/dm²

Temperatur 20-50° C

pH (durch Zugabe von HCl) 1 -3

Durch Änderung des Rutheniumanteils im Bad von 0,5 bis 96% kann der entsprechende Anteil in der abgelagerten Schicht von 16 bis 94% geändert werden.

Beispiel 25

System: Kobalt-Wolfram
Zusammensetzung: 15 bis 72% Wolfram Spezifischer Widerstand: 37 bis 236 Mikro-Ohm-cm TKr: plus 300 bis plus 100 · 10V⁰C

Beschichtungsverfahren:

Natriumwolframat, 10 — 100 g/l

Na₂WO₄ · 2 H₂O

Kobalt (Sulfat oder Chlorid), 0,85-40 g/l Co⁺²TSO₄-² oder Cl)

Zitronensäure, 20—200 g/l

HOC₃H₄(COOH)₃

Ammoniumchlorid, NH₄CI 0—50 g/l

Hydrazinsulfat 0— 10 g/l

2 N₂H₄ ■ K₂SO₄

Stromdichte 2—20 A/dm²

Temperatur 50—90°C

pH (durch Beigabe von 6,4—9,8

Ammoniak, NH₄OH)

Durch Änderung des Wolframanteils in dem Bad von auf 98% kann der Wolframanteil in der Schicht von auf 72% geändert werden.

Beispiel 26 Beschichtungsverfahren:

Natriumwolframat, 15—40 g/l Na₂WO₄ · 2 H₂O

Kobalt (Sulfat), Co +²TSO₄-²) 2-5 g/l

Ammoniumsulfat, (NH₄J₂SO₄ 60—330 g/l

Ammoniumhydroxid, NH₄OH 35—75 g/l

Natriumhydroxid, NaOH

Stromdichte

Temperatur

PH

8-12 g/l 1 -40 A/dm² 2O-75°C 9-11,5

Durch Änderung des Wolframanieils in dem Bad von bis 92% kann der Wolframanteil in der Ablagerung von 20 bis 57% geändert werden.

Es ist möglich, die Qualität und die elektrischen Eigenschaften der Ablagerung durch Überlagerung eines Wechselstroms zu dem Gleichstrom bei der Galvanisierung zu verbessern. Das Verhältnis von Wechselstrom zu Gleichstrom kann von 2:1 bis 10:1 geändert werden.

B e i s ρ i e I 27

System: Kobalt-Vanadium
Zusammensetzung: 9 bis 70% Vanadium Spezifischer Widerstand:48 bis 148 Mikro-Ohm-cm TKr: minus 75 bis plus 50 ■ 10"V⁰C

Beschichtungsverfahren:

Vanadylsulfattrihydrat, 7-85 g/l VOSO₄ · 3 H₂O

Kobalt (Sulfat), Co + ²(SO₄ -²) 7 -15 g/l

Borsäure, H₃BO₃ 25-30 g/l

Stromdichte 1 — 10 A/dm²

Temperatur 18-80°C

pH 1-b

Durch Änderung des Vanadiumanteils im Bad von 10 bis 74% kann der Vanadiumanteil in der Ablagerung von 9 bis 70% geändert werden.

Beispiel 28 ^s> Beschichtungsverfahren:

Natriummetavanadat, NaVO₃ 5—50 g/l

Kobalt (Chlorid), Co⁺²(C1-) 10-20 g/l

Natriumzitrat, 50 -100 g/l _w HOC₃H₄(COONa)₃

Natriumhypophosphit, 20—40 g/l

NaH₂PO₂

Natriumoxalatdihydrat, 20— 100 g/l

Na₂C₂O₄ · 2 H₂O

Stromdichte 1 — 15 A/dm²

' Temperatur 20—80°C

pH alkalisch

Durch Änderung des Vanadiumanteils im Bad von 9 bis 67% kann der Vanadiumanteil in der Ablagerung jo von 9 bis 70% geändert werden.

Beispiel 29

System: Eisen-Vanadium
Zusammensetzung: 9 bis 65% Vanadium Spezifischer Widerstand: 40 bis 217 Mikro-Ohm-cm TKr: minus 75 bis plus 50 · 10-⁶/°C

Beschichtungsverfahren:

Vanadium (Chlorid), V⁺³TCl) 5-40 g/l

Eisen (Chlorid), Fe⁺³TQ-) 15-25 g/I

Salzsäure oder Schwefelsäure, 0,1 normal HCl oder H₂SO₄

Stromdichte 1 — 15 A/dm²

Temperatur 20—80° C

pH 1,0-1,5

Durch Änderung des Vanadiumanteils in dem Bad von 17 bis 70% kann der Vanadiumanteil in der Ablagerung von 9 bis 65% geändert werden.

Beispiel 30	5-20 g/l
Beschichtungsverfahren:	6,6 g/I
Natriummetavanadat, NaVO₃	0,21 g/l
Eisen (Fluorid), Fe+ 2(F-)	10 g/l
Eisen (Chlorid), Fe ^{+ 2}TCI-)	10 g/l
Natriumacetat, NaOOCCH₃
Natriumhypophosphit,	50 g/l
NaH₂PO₂
Kaliumoxalat, Monohydrat,	1-15 A/dm*
K₂C₂O₄ ■ H₂O	75-90°C
Stromdichte	4-6
Temperatur
pH

Stromdichte
Temperatur
pH

l-15A/dm2 20-60° C 11-12,5

Durch Änderung des Vanadiumanteils in dem Bad von 27 bis 54% kann der Vanadiumanteil in der abgelagerten Schicht von 20 bis 50% geändert werden.

Beispiel 31

System: Nickel-Antimon

Zusammensetzung: 15 bis 74% Antimon Spezifischer Widerstand:

50 bis 1800 Mikro-Ohm-cm

TKr: plus 100 bis plus 800 · 10-"/°C

Beschichtungsverfahren:

Nickel (Fluoborat), Ni⁺²(BF₄-) 2,95-88,5 g/l Antimon (Fluoborat), 6,1 -183 g/l

Fluoborsäure (frei), HBF₄ 150-650 g/l

Borsäure, H ₃BO₃ 0 - 50 g/l

Stromdichte 1—25 A/dm²

Temperatur 20—80°C

pH sauer

Durch Änderung des Antimonanteils im Bad von 6,5 bis 98,5% kann der Antimonanteil in der Ablagerung von 15 bis 74% geändert werden.

Beispiel 32	50-1000 g/l
Beschichtungsverfahren:
Kaliumantimonyltartrat,	6-60 g/l
KSbC₄H₄O₇	30-300 g/l
Nickel (Sulfat), Ni⁺^SO₄-²)	1-25 A/dm²
Rochellesalz, KNaC₄H₄O₆	20-80°C
Stromdichte	8-11
Temperatur
pH (durch Beifügung von
Ammoniak, NH₄OH)

Durch Änderung des Antimonanteils in dem Bad von auf 98% kann der Antimonanteil in der Schicht von auf 74% geändert werden. In einigen Fällen müssen den Bädern in den Beispielen 31 und 32 zur Erzielung einer nicht kristallinen Schicht Zusatzstoffe beigefügt werden. Ihre genaue Zusammensetzung hängt von der Zusammensetzung des Bades und der Unterlage für die Schicht ab.

Beispiel 33

System: Nickel-Bor
Zusammensetzung: 2 bis 36% Bor Spezifischer Widerstand: 34 bis 100 Mikro-Ohm-cm TKr: minus 75 bis plus 50 · 10-⁶/°C

Beschichtungsverfahren:

Natriumborhydrid, NaBH₄ 4—40 g/l

Nickel (Chlorid), Ni⁺²JCI-) 5-15 g/l

Ammoniumhydroxid. NH₄OH 150—225 g/l Durch Änderung des Boranteils in dem Bad von 7 bis 70% kann der Boranteil von 2 bis 36% geändert werden.

Beispiel 34

Beschichtungsverfahren:

Dimethylaminboran, 5—100 g/l

(CHj)₂NHBH₃

Natriummalonat, 40—130 g/l

CH₂(COONa)₂

Nickel (Sulfat), Na ^{+ 2}(SO₄-²) 11 -38g/l

Stromdichte 1—20 A/dm²

Temperatur 20-80° C

pH (durch Beifügung von 5—6,5

Ammoniak)

Durch Änderung des Boranteils im Bad von 3 bis 68% kann der Boranteil in der Ablagerung von 2 bis 36% geändert werden.

Für die Bäder der Beispiele 33 und 34 sollen die Nickelverbindung und das Komplexmitlei vor der Eingabe der das Bor enthaltenden Verbindung in das Bad sorgfältig vermischt werden.

Beispiel 35

System: Nickel-Chrom
Zusammensetzung: 9 bis 40% Chrom Spezifischer Widerstand: 54 bis 162 Mikro-Ohm-cm TKr: plus 150 bis plus 50 - 10"V⁰C

Beschichtungsverfahren:

Chrom (Fluoborat). CM ^BF₄) 10-80 g/l

Nickel (Fluoborat), Ni^BF₄-) 4-52g/l

Fluoborsäure (frei), HBF₄ 150-650 g/l

Stromdichte 1 -90 A/dm²

Temperatur 20-80°C

pH sauer

Durch Änderung des Chromanteils in der Lösung von bis 95% kann der Chromanteil in der abgelagerten Schicht von 9 bis 40% geändert werden.

Beispiel 36 Beschichtungsverfahren:

Kaliumchromsulfat. 400—450 g/I

KCr(SO₄-²)₂

Nickel (Format). Ni(CHO₂):! 30-40 g/l

Natriumzitrat, 50 -100 g/l

HOC₃H₄(COONa)₃

Borsäure, H₃BO₃ 30-50 g/l

Natriumfluorid, NaF 8—13 g/l

Glycin, CH₂(NH₂)COOH 10-25 g/l

Stromdichte 3-35 A/dm²

Temperatur 20—6O⁰C

pH 1-3

Durch Änderung des Chromanteils im Bad von 65 bis 73% kann der Chromanteil in der Ablagerung von 9 bis 40% geändert werden.

Beispiel 37

System: Nickel-Germanium Zusammensetzung: 6 bis 60% Germanium Spezifischer Widerstand: 31 bis 278 Mikro-Ohm-cm TKr: plus 100 bis minus 50 · 10-VC

Beschichtungsverfahren:

Germanium (Oxid), GeO₂ Nickel (Sulfat), Ni+²^-²) Ammoniumsulfat, (NH₄J₂SO₄ Anmoniumoxalat, (NH₄J₂C₂O₄ Ammoniak, NH₄OH Stromdichte Temperatur pH

0,15-15,0 g/l 0,1-9,0 g/l 25-30 g/l 30-40 g/l 38-46 g/l 2-10 A/dm* 20—50⁰C alkalisch

Durch Änderung des Germaniumanteils im Bad von 5 bis 80% kann der Germaniumanteil in der Ablagerung von 6 auf 60% geändert werden.

Beispiel 38

System: Nickel-Indium Zusammensetzung: 18 bis 71% Indium Spezifischer Widerstand: 61 bis 308 Mikro-Ohm-cm TKr: plus 100 bis minus 50 · 10-⁶/°C

Natriumpyrophosphat, 25—215 g/l Na₄P₂O₇

Natriumbicarbonat. NaHCO₃ 70— 100 g/l Hydrazinsulfat, N₂H₄ · H₂SO₄ 0—4 g/l Stromdichte 2—25 A/dm² Temperatur 25—70⁰C

pH 8-10

Durch Änderung des Molybdänanteils im Bad von 70 ίο auf 95% kann der Molybdänanteil in der Ablagerung von 10 auf 45% geändert werden.

Beschichtungsverfahren:	0,8-7,0 g/l
Indium (Sulfat), In+3(SO₄-²)	100 g/1
Nickel (Sulfat), Ni+2(SO₄-²)	50 g/l
Sulfaminsäure (HSO₃ · NH₂)	2-IO A/dm²
Stromdichte	20-70⁰C
Temperatur	sauer
pH

Beispiel 42	5-75 g/l
:hichtungsverfahren: Natriummolybdat,
Na₂MoO₄ · 2 H₂O	5-30 g/l
Nickel (Chlorid), Ni+^Cl-)	30-130 g/l
Natriumzitrat,
HOC₃H₄(COONa)₃	0-75 g/l
Kaliumchlorid, KCl	2-22 A/dm²
Stromdichte	25-70⁰C
Temperatur	3—6 oder
pH (durch Beigabe von Salz	8-11,5
säure HCI oder Ammoniak,
NH₄OH)

Wenn das Gewicht des Indiums im Bad von 0,8 auf 7,9 g/I geändert wird, so ändert sich der Indiumanteil in der Ablagerung von 18 auf 60%.

Beispiel 39	0,3-8,0 g/l
Beschichtungsverfahren:	30 g/l
Indium (Sulfat), In+3(SO₄-²)	30 g/l
Nickel (Sulfat), Ni⁺^SO₄-²)	2-12 A/dm*
Borsäure, H₃BO₃	20-7O⁰C
Stromdichte	1-3
Temperatur
pH

Durch Änderung des Indiumanteils im Bad und der Stromdichte kann der Indiumanteil in der Schicht von 18 auf 71 % geändert werden.

Beispiel 40 Beschichtungsverfahren:

Indium (Sulfat), In+*(SO₄-²) 15-30 g/l Nickel (Sulfat), Ni^SO₄-²) 11 -27 g/l Stromdichte 2-12 A/dm² Temperatur 20-7O⁰C

pH 1-1

Durch Änderung der Gewichte des Indiums und des Nickels im Bad und durch Änderung der Stromdichte kann der Indiumanteil in der Ablagerung von 60 bis 71 % geändert werden.

Beispiel 41

System: Nickel-Molybdän Zusammensetzung: 10 bis 65% Molybdän Spezifischer Widerstand: 50 bis 206 Mikro-Ohm-cm TKr: 300 bis plus 100 · 10"V⁰C

Beschichtungsverfahren: Natriummolybdat, 24 — 120 g/l

Na₂MoO₄ · 2 H₂O

Nickel (Chlorid), Ni+*(u -) 2,5 - 3,5 g/i

Dieses Bad kann bei sauren oder alkalischen pH-Werten verwendet werden. Im mittleren Bereich ist die Stromwirkung unerwünscht niedrig. Das Molybdän in der Ablagerung kann von 10 bis 65% durch Änderung des Molybdänanteils im Bad von 6 auf 85% geändert werden.

In einigen Fällen ist es vorteilhaft, das Natriummolybdat und das Natriumzitrat in der Lösung zu kombinieren, bevor sie dem Bad beigefügt werden. Diese Anteile können reagieren, bis sich ein Gleichgewichtszustand ausgebildet hat, und der erhaltene Komplexstoff wird in das Galvanisierungsbad eingegeben.

B e i s ρ i e 1 43

System: Nickel-Phosphor Zusammensetzung: 5 bis 50% Phosphor Spezifischer Widerstand: 39 bis 115 Mikro-Ohm-cm TKr: minus 75 bis plus 50 · 10-⁶/°C

Beschichtungsverfahren: Nickel (Sulfat), Ni+²^-²) 30-40g/l Nickel (Chlorid). Ni+^CI-) 10-15 g/l Nickel (Carbonat), Ni+^CO₃ -²) 5 -15 g/l Phosphorsäure, H₃PO₄ 50—160 g/l Phosphorige Säure, H₃PO₃ 2 -140 g/l Stromdichte 5—40 A/dm² Temperatur 65 — 100° C

pH 0,5-1

Durch Änderung des zugänglichen Phosphoranteils im Bad (Phosphorsäure und phosphorige Säure) von 1 bis 53% kann der Phosphoranteil in der Schicht von 5 bis 50% geändert werden.

Beispiel 44 Beschichtungsverfahren: Nickel (Carbonat), Ni+J(CO₃ - ²) 60 g/l Phosphorige Säure, H₃PO₃ 10-170 g/l Stromdichte 5-40 A/dm² Temperatur 75-95⁰C

pH 0,5-1

030 145/148

Durch Änderung des Phosphoranieils im Bad von 6 bis 55% kann der Phosphoranteil in der Ablagerung von bis 50% geändert werden.

Beispiel 45 System: Nickel-Rhenium Zusammensetzung: 75 bis 95% Rhenium Spezifischer Widerstand:

229 bis 106 Mikron-Ghm-cm

TKr: plus 100 bis plus 300 · 10-⁶/°C Beschichtungsverfahren: Kaliumperrhenat, KReO₄ 5—250 g/l Nickel (Sulfat), Ni+^SO«-²) 10-50 g/l Nickel (Chlorid), Ni+^Cl-) 0-12 g/l Borsäure, H₃BO₃ 0-30 g/l

Zitronensäure, 20—200 g/l HOC₃H₄(COOH)₃

Stromdichte 2-15 A/dm² Temperatur 25—90⁰C

pH (durch Zugabe von 2—8 Ammoniak, NH₄OH oder Schwefelsäure, H₂SO₄)

Durch Änderung des Rheniumanteils im Bad von 6 auf 98% kann der Rheniumanteil in der Schicht von 75 auf 95% gebracht werden.

Beispiel 46

System: Nickel-Vanadium Zusammensetzung: 9 bis 72% Vanadium Spezifischer Widerstand: 41 bis 122Mikro-Ohm-cm TKr: minus 75 bis plus 50 · 10-»/° C

Beschichtungsverfahren:

Vanadylsulfattrihydrat, 7—85 g/l VOSO₄ ■ 3 H₂O

Nickel (Sulfat), Ni+2(SO₄-²) 7-15 g/l Borsäure, H₃BO₃ 25-30 g/l Stromdichte 1 -10 A/dm² Temperatur 18-80° C

pH 1-6

Durch Änderung des Vanadiumanteils im Bad von 10 auf 74% kann der Vanadiumanteil in der Ablagerung von 9 auf 70% geändert werden.

Beschichtungsverfahren: Natriummolybdat, 24 — 120 g/l

Na₂MoO₄ · 2 H₂O

Palladium (Chlorid), Pd-²TCl-) 4- 7 g/l Natriumpyrophosphat, 25—215 g/l

Na₄P₂O₇

Natriumbicarbonat, NaHCO₃ 70— 100 g/l Hydrazinsulfat, N₂H₄ · H₂SO₄ 0-4 g/l Stromdichte 2—25 A/dm^: Temperatur 25-75°C

pH 8-10

Durch Änderung des Molybdänanteils im Bad von 58

auf 92% kann der Molybdänanteil in der Ablagerung von 9 auf 40% geändert werden.

Beispiel 49 Beschichtungsverfahren:

Natriummolybdat, 5 — 13 g/l Na₂MoO₄ · 2 H₂O

Palladium (Chlorid), Pd+^Cl-) 20-100 g/l Ammoniumchlorid, NH₄Cl 4—45 g/l Ammoniak, NH₃ 60-200 g/l Stromdichte 2—15 A/dm² Temperatur 25—45°C

pH 8—11,5

Durch Änderung des Molybdänanteils im Bad von 2 auf 20% kann der Molybdänanteil in der Schicht von 9 bis 30% geändert werden.

Beispiel 50 Beschichtungsverfahren:

Natriummolybdat,

Na₂MoO₄ · 2 H₂O

Palladium (Chlorid), Pd+^Cl") Natriumzitrat,

HOC₃H₄(COONa)₃

Kaliumchlorid, KCl Stromdichte Temperatur

pH

Beispiel 47 Beschichtungsverfahren:

Natriummetavanadat, NaVO₃ 5—20 g/l Nickel (Sulfat), Ni+*(SO₄-²) 6,7 g/l Natriumacetat, NaOOCCH₃ 10 g/l

Natriumhypophosphit, 10 g/l NaH₂PO₂

Kaliumoxalat, K₂C₂O₄ · H₂O 50 g/l Stromdichte 1-15 A/dm² Temperatur 75-90⁰C

pH 4-6

Durch Änderung des Vanadiumanteils in dem Bad von 24 auf 55% kann der Vanadiumanteil der Ablagerung von 9 auf 70% geändert werden.

Beispiel 48

System: Palladium-Molybdän Zusammensetzung: 9 bis 40% Molybdän Spezifischer Widerstand: 78 bis 228 Mikro-Ohm-cm TKr: plus 300 bis plus 100 - 10"⁶/°C

5-57 g/l

10 30

-60 g/l -130 g/I

0 2—

25 3-

8—

75 g/l 22 A/dm² 70° C 6 oder 11,5

Durch Änderung des Molybdänanteils im Bad von 3 auf 70% kann der Molybdänanteil in der Ablagerung von 9 auf 40% gebracht werden.

Die hoch leitfähige Schicht des Trägermaterials besteht vorzugsweise aus einer vorgeformten Metallfolie wie z. B. Kupferfolie, verzinnter Kupferfolie, Aluminiumfolie, Zinkfolie oder Silberfolie. Eine geeignete Foliendicke beträgt beispielsweise 0,05 mm.

Die isolierende Unterlage kann aus einem der bekannten Materialien bestehen. Beispielsweise kann sie aus einem Polyimid bestehen, das auf organischen Diaminen und Dicarboxyl- oder Tetracarboxylsäuren basiert. Die Epoxydharze auf der Basis von PoIy glycidyläthern organischer Polyphenole werden gleich falls vorzugsweise eingesetzt. Diese Harzunterlagen können einen der bekannten Verstärkungsstoffe wie z. B. Fiberglasgewebe enthalten. Die Unterlage kann auch aus einem mit Phenolharz imprägnierten Papier, mit Melaminharz imprägniertem Papier, mit Polyimidharz imprägniertem Fiberglasgewebe oder aus Polyesterharz bestehen, das eine Glasfaserverstärkung enthält. Häufig ist es erwünscht, eine Schicht aus hoch

19 20

wärmeleitfähigem Material in der Schichtanordnung darin, eine Wärmeübertragung zur Abschwächung

vorzusehen. Die Schicht kann auf der dem Widerstands- elektrischer Heizwirkungen der in der Oberflache der

bereich abgewandten Seite ode^r innerhalb einiger Schichtanordnung gebildeten Widerstände hervorzu-

Lagen zuvor imprägnierter Verstärkungen angeordnet rufen. Aluminium- und Kupferfolien sind zu diesem

seia Der Zweck der wärmeleitfähigen Schicht besteht 5 Zweck geeignet

Claims

Patentansprüche:

1. Ausgangsmaterial zur Herstellung einer gedruckten Schaltung mit einer isolierenden Unter- lage, mit einer auf dieser Unterlage befindlichen Schicht aus elektrischem Widerstandsmaterial in Form einer Zweikomponenten-Legierung, z. B. aus Nickel-Chrom, und mit einer auf dieser Schicht befindlichen Schicht aus elektrisch hochleitfähigem Material, wie z.B. Kupfer, dadurch gekennzeichnet, daß als Widerstandsmaterial Chrom-Antimon mit 13 bis 74 Gew.-% Antimon, Chrom-Mangan mit 10 bis 80 Gew.-% Mangan, Chrom-Phosphor mit 6 bis 52 Gew.-% Phosphor, Chrom- Selen mit 14 bis 65 Gew.-% Selen, Chrom-Tellur mit 21 bis 75 Gew.-% Tellur, Kobalt-Antimon mit 18 bis 72 Gew.-% Antimon, Kobalt-Bor mit 2 bis 36 Gew.-% Bor, Kobalt-Germanium mit 6 bis 60 Gew.-% Germanium, Kobalt-Indium mit 18 bis 71 Gew.-% Indium, Kobalt-Molybdän mit 10 bis 65 Gew.-% Molybdän, Kobalt-Phosphor mit 6 bis 52 Gew.-% Phosphor, Kobalt-Rhenium mit 25 bis 95 Gew.-% Rhenium, Kobalt-Ruthenium mit 16 bis 94 Gew.-% Ruthenium, Kobalt-Wolfram mit 15 bis 72 Gew.-% Wolfram, Kobalt-Vanadium mit 9 bis 70 Gew.-% Vanadium, Eisen-Vanadium mit 9 bis 65 Gew.-% Vanadium, Nickel-Antimon mit 15 bis 74 Gew.-% Antimon, Nickel-Bor mit 2 bis 36 Gew.-% Bor, Nickel-Chrom mit 9 bis 40 Gew.-% Jo Chrom, Nickel-Germanium mit 6 bis 60 Gew.-% Germanium, Nickel-Indium mit 18 bis 71 Gew.-% Indium, Nickel-Molybdän mit 10 bis 65 Gew.-% Molybdän, Nickel-Phosphor mit 5 bis 50 Gew.-% Phosphor, Nickel-Rhenium mit 75 bis 95 Gew.-% Rhenium, Nickel-Vanadium mit 9 bis 72 Gew.-% Vanadium oder Palladium-Molybdän mit 9 bis 40 Gew.-% Molybdän vorgesehen ist und daß das elektrisch hochleitfähige Material außer Kupfer auch Aluminium, Zink oder Silber sein kann. *o

2. Ausgangsmaterial nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Schicht aus elektrisch hochleitfähigem Material aus einer Folie aus diesem Material besteht.

3. Ausgangsmaterial nach Anspruch 1. dadurch ⁴> gekennzeichnet, daß die Unterlage aus einem verstärkten organischen Harz besteht

4. Ausgangsmaterial nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Unterlage aus einem Epoxidharz besteht, das mit Fiberglasgewebe verstärkt w ist

5. Ausgangsmaterial nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Unterlage aus einem PoIyimidharz besteht, das mit Fiberglasgewebe verstärkt ist

6. Ausgangsmaterial nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Unterlage aus einem organischen verstärkten Harz besteht, in oder an dem eine wärmeleitfähige Schicht gebunden ist, die entweder auf der der Widerstandsschicht abgewandten w> Seite der Unterlage oder innerhalb derselben angebracht ist.