DE2436173C3

DE2436173C3 - Ausgangsmaterial zur Herstellung einer gedruckten Schaltung

Info

Publication number: DE2436173C3
Application number: DE2436173A
Authority: DE
Inventors: Richard Los Angeles Calif. Norman
Original assignee: MICA CORP CULVER CALIF US; Mica Corp Culver Calif
Current assignee: Ohmega Technologies Inc Culver City Calif Us
Priority date: 1973-07-27
Filing date: 1974-07-26
Publication date: 1981-09-17
Also published as: FR2238583A1; FR2238583B1; IT1016433B; JPS6025917B2; MY7800456A; CA995824A; GB1482773A; JPS5071513A; HK63178A; US3857683A; DE2436173B2; NL7410107A; DE2436173A1

Description

Die Erfindung betrifft ein Ausgangsmaterial zur Herstellung einer gedruckten Schaltung gemäß dem Oberbegriff des Anspruchs 1.

Ein derartiges Ausgangsmaterial ist aus dem Buch von A. Lewicki »Einführung in die Mikroelektronik^ R. Oldenbourg Verlag, 1966, Seite 190, bekannt.

Nach Seite 191 dieses Buches ist es bekannt, Dünnfilmschaltungen mit einer geeigneten Hülle, einer Kapselung, zu umgeben.

Nach der Zeitschrift Elektor, September 1971, Seite 918, ist es bekannt, auf Glasplatten eine erste NiCr-Schicht aufzudampfen und darauf als zweite Schicht eine Nickel-Schicht aufzudampfen.

Nach dem NTZ-Kurier 1/73, K 13, ist es bekannt, Trägerfolien aus Polyester, Polyimid oder Glasfaser-Epoxidharz mit einem Widerstandswerkstoff auf Kupfer-Nickel-Basis zu kaschieren.

Nach der Zeitschrift Elektronik 1971, Heft 7, Seite 254, ist es bekannt, beim Tantal-Fotoätzverfahren Tantalnitrid als Widerstandsmaterial und Tantalpentoxyd als Dielektrikum vorzusehen und Leiterbahnen aus Gold mit Chromnickel als Haftschicht auszubilden.

In der Zeitschrift »Glas und Hochvakuum-Technik« 2 (1953) H. 12/13, S. 256 bis 259, ist auf Seite 258 eine Tabelle angegeben und im Begleittext in der rechten Spalte oben darauf hingewiesen, daß man zur Erzielung eines kleinen TKr Legierungen aus einem Metall der linken und einem der rechten Gruppe wählen sollte. Dies ergibt einen qualitativen Hinweis auf die folgenden Legierungen: CoV, FeV, NiCr und NiV.

Aufgabe der Erfindung ist es, ein Ausgangsmaterial nach dem Oberbegriff des Anspruchs 1 anzugeben, das kristalline Phasenübergänge erst oberhalb 400⁰C aufweist, dessen TKr kleiner als ±300 ■ 10-⁶/°C zwischen -65° C und +125° C ist und dessen Diffusionskoeffizient in das hochleitfähige Material außerordentlich gering ist.

Die Lösung dieser Aufgabe ist im Kennzeichen des Anspruchs 1 angegeben. Nur bei Einhaltung der im Anspruch 1 angegebenen quantitativen Angaben wird die Aufgabe gelöst.

Die Widerstandsmaterialien, die gemäß der Erfindung vorgesehen sind, bestehen aus binären Legierungen, d.h. sie enthalten zwei chemische Elemente, die in Form fester Lösungen, reiner Metalle, intermetallischer Verbindungen und/oder Mischungen solcher Stoffe vorhanden sein können. Diese Widerstandsmaterialien können allgemein das weitere Merkmal haben, daß sie einen minimalen spezifischen Widerstand von 100 Mikro-Ohm-Zentimeter haben, wobei sie aus wäßriger Lösung aufzubringen sind und reproduzierbare anhaftende Ablagerungen bilden, die eine Bindung an der isolierenden Unterlage ohne Verlust physikalischer Integrität ermöglichen. Ferner sind diese Stoffe nicht radioaktiv, haben einen Schmelzpunkt und kristallografische Phasenübergänge bei Temperaturen höher als 400°C und einen Temperaturkoeffizienten des Widerstandes von weniger als ±300 χ 10-VC zwischen -65 und +125⁰C, wenn sie richtig aufgebracht sind. Ihr Diffusionskoeffizient in Kupfer der alpha-Phase ist geringer als 2,89 χ 10"²² Mol pro cm² pro see, ihre Strom-Spannungscharakteristik entspricht derjenigen der gegenwärtig üblichen Widerstände, und sie haben einen ausreichenden chemischen Widerstand gegenüber normaler Benutzung, wenn sie durch Passivierung, Anodisierung oder Galvanisierung bzw. Beschichtung mit einer organischen oder anorganischen Schicht in geeigneter Weise geschützt sind.

Das Widerstandsmaterial wird aus einem Bad auf eine leitfähige Folie, beispielsweise eine Kupferfolie aufgebracht. In einigen Fällen können gewünschte

II)

Änderungen des Widerstandsfilms durch Erhitzung der doppelschichtigen Folie auf eine höhere Temperatur in Luft oder in einer kontrollierten Atmosphäre an diesem Punkt des Verfahrens hervorgerufen werden. Die doppelschichtige Folie wird dann mit einer oder mehreren Lagen Fiberglasgewebe, das mit einer geeigneten Verbindung aushärtbarer organischer Harze imprägniert wurde, mit der Widerstandsseite an der Grenzschicht zu einer Schichtanordnung zusammengelegt Es ist häufig erwünscht, eine Schicht aus stark wärmeleitfähigem Material in diese Schichtanordnung einzubringen. Ihre Aufgabe besteht darin, eine Wärmeübertragung zur Verringerung elektrischer Heizwirkungen von Widerständen zu ermöglichen, die auf der Oberfläche dieser Schichtanordnung ausgebildet werden. Aluminium- und Kupferfolien sind zu diesem Zweck geeignet. Die wärmeleitfähige Schicht kann auf die dem Widerstandsmaterial abgewandte Seite oder innerhalb einiger Lagen zuvor imprägnierten Verstärkungsmaterials vorgesehen werden. Die Schichtbildung ist für sich bekannt. In einigen Fällen können gewünschte Änderungen der Eigenschaften des Widerstandsfilms durch Erwärmung der Schichtanordnung auf eine erhöhte Temperatur erreicht werden. Nach diesen Schritten und beim Einsatz des Materials zur Herstellung der gedruckten r> Schaltungen wird die Kupferoberfläche mit einer Ätzschutzschicht beschichtet Diese Schicht aus Ätzschutzmaterial wird dann durch ein fotografisches Negativ belichtet, welches das Negativbild des Widerstandsund Leitermusters darstellt. Die belichtete Ätzschutz- «1 schicht wird entwickelt, die nicht belichteten Teile werden abgewaschen. Der Schaltungsträger mit dem entwickelten Bild wird dann m>» einem Ätzmittel, wie z. B. einer Alkaliverbindung oder Eisenchlorid, das mit Salzsäure verbunden ist, geätzt, bis das freiliegende Kupfer r, entfernt ist Die Platte wird dann in Wasser gewaschen und in ein für die jeweils vorhandene Legierung geeignetes Ätzmittel eingetaucht, bis die freiliegende Widerstandsschicht entfernt ist. Alternativ kann die Widerstandsschicht auch durch Abrieb entfernt werden, wozu beispielsweise pulverisierter Bimsstein verwendet wird. Das übrige belichtete Ätzschutzmaterial wird abgelöst, und die Platte wird dann mit einer neuen Schicht aus Ätzschutzmaterial versehen. Diese Schicht wird durch ein fotografisches Negativ hindurch belichtet, welches 4-. das Negativbild des Leitermusters enthält. Das belichtete Ätzschutzmaterial wird entwickelt, die nicht belichteten Teile werden abgewaschen. Die Platte mit dem entwickelten Bild wird dann in einem Ätzmittel geätzt, bis das freiliegende Kupfer entfernt ist. Dann wird die ίο Platte in Wasser gewaschen und getrocknet An dieser Stelle des Verfahrens sind die Leitermuster und die Widerstandsmuster individuell ausgebildet und stehen in dem geeigneten elektrischen Kontakt miteinander.

Das allgemeine Verfahren, wie es vorstehend und « weiter in den noch folgenden Beispielen beschrieben ist, arbeitet unter Verwendung fotografischer Negative und negativer Ätzschutzschichten. Es sei darauf hingewiesen, daß auch andere Materialien, die zur Herstellung gedruckter Schaltungen bekannt sind, eingesetzt m> werden können. Beispielsweise können fotografische Positive in Verbindung mit positiv arbeitenden Ätzschutzschichten verwendet werden. Ferner können Siebdruckverfahren in Verbindung mit einem Ätzschutzmaterial angewendet werden, das durch die Ätz- *· mittel nicht angegriffen wird.

Die einzelnen Verbindungen sind in Gewichtsprozent angegeben, worauf sich auch alle anderen Prozentwerte dieser Beschreibung beziehen. Die spezifischen Widerstände sind in Mikro-Ohm-Zentimeter angegeben. Der jeweils zuerst aufgeführte Wert ist der spezifische Widerstand für den ersten möglichen Wert des angegebenen Verbindungsbereichs. Der zweite spezifische Widerstandswert ist der innerhalb des angegebenen Verbindungsbereichs erreichbare Maximalwert, dieser Widerstandswert kann an den Extremwerten des Verbindungsbereichs möglicherweise nicht auftreten. 'Verte für den Temperaturkoeffizienten des spezifischen Widerstandes, im folgenden abgekürzt TCR genannt, sind in Werten von 10.-⁶ pro ⁰C angegeben und zeigen die Änderung innerhalb eines Temperaturbereichs von -65° C bis +125⁰C. Für Jn geeigneter Weise elektrolytisch aufgebrachte Legierungsfilme auf einer mit Fiberglas verstärkten Unterlage gilt der angegebene Bereich der TKr-Werte allgemein für den Bereich beobachteter Werte, wobei vorauszusetzen ist, daß die jeweilige Legierung innerhalb des angegebenen Bereichs liegt. In einigen Fällen ist jedoch auch ein Wert außerhalb des angegebenen TK_R-Bereichs für sehr begrenzte Verbindungsbereiche festzustellen. Die Extremwerte der TK R-Werte fallen oft nicht mit den maximalen und minimalen Verbindungswerten zusammen.

Für den praktischen Nutzen der Erfindung sind reproduzierbare, gleichmäßige, feinkörnige, anhaftende dünne Legierungsfilme wesentlich, die über große Bereiche einer leitfähigen Folie aufgebracht sind. Zur Herstellung von Filmen mit den vorstehend genannten Eigenschaften innerhalb des jeweils angegebenen vollen Verbindungsbereichs sind nur wenige Bäder unter den bisher üblichen Beschichtungsbädern geeignet. Dies ergibt sich aus der Voraussetzung der Herstellung einer vollständigen Prodiiktreihe von Widerständen. Der Bereich der mit einer Legierungsverbindung herstellbaren Widerstände ist für diese praktischen Zwecke nicht ausreichend. Die verzugsweise anzuwendenden Bäder sind in den folgenden Beispielen angegeben.

Die Bereiche der Metall-, Komplexstoff-, Salz- und Zusatzstoffkonzentrationen zui Herstellung des vollständigen Verbindungsbereichs der Legierungen sind angegeben. Die Zusammenhänge zwischen den Metall- und Komplexstoffkonzentrationen sowie den Metall-, Zusatzstoff- und Salzkonzentrationen sind dem Fachmann bekannt, gleiches gilt für die erforderliche Variation der Komplexstoff-, Salz- und Zusatzstoffkonzentration, wenn die Metallkonzentrationen geändert werden, um unterschiedliche Legierungsverbindungen in der abgelagerten Schicht zu erzeugen. Die vorzugsweise angewendete Temperatur ist die jeweils in dem angegebenen Bereich niedrigste Temperatur, die alle Komponenten des Bades in Lösung hält. Der vorzugsweise angewendete pH-Wert ist der Mittelwert der angegebenen Bereiche. Die vorzugsweise benutzte Form elektrischer Energie ist strom- und spannungsgesteuerter Gleichstrom, falls nicht anders angegeben. Die vorzugsweise angewendete Stromdichte hängt von der gewünschten Legierungsverbindung ab und ist dem Fachmann unter Berücksichtigung der übrigen Informationen geläufig. Alle Bäder werden gerührt. Unlösliche Anoden werden vorzugsweise eingesetzt, jedoch sind auch lösliche Anoden aus binären Legierungen oder auch aus Metall geeignet. Zusatzstoffe sind erforderlichenfalls zur Beeinflussung der Leistung des Bades angegeben, bei der Galvanisierung geläufige Zusätze können auch hier zur Erzielung bester Ergebnisse nützlich sein.

Komplexmittel anders als die oder zusätzlich zu den

angegebenen wie ζ. B. Zitrate, Tartrate, Oxalate, Ma- Stromdichte

leate, Malonate, Glycolate, Pyrophosphate, Ammoniak Temperatur

und Borsäure für beide oder eines der Metalle in dem pH

Bad sind in vielen Fällen günstig und dem Fachmann bekannt.

Wenn die Bezeichnung »Metallion« verwendet ist, so ist das Gewicht nur für das Metall angegeben. Die Angaben für das Kation und das Anion sind die vorzugsweisen Anteile zur Eingabe des Metalls in das Bad. Wenn sich die angegebenen Gewichte auf Hydrate be- in ziehen, so ist das Hydrat explizit in der angegebenen Formel enthalten.

Beispiel 1

System: Chror.i-Antimon
Zusammensetzung: 13 bis 74% Antimon Spezifischer Widerstand: 74 bis 526 Mikro-Ohm-cm TKr: plus 100 bis plus 500 · 10-⁶/°C

Beschichtungsverfahren:

Chromtrioxid, CrOj 100-300 g/l

Kaliumantimonat, K₂SbO₄ 13—1300 g/l

Schwefelsäure, H₂SO₄ 0—500 g/l

Stromdichte 3—50 A/dm³

Temperatur 20—90°C

pH sauer

JIl

5-50 A/dm^

20-90⁰C

sauer

Durch Änderung des Mangananteils in dem Bad von 1,75 auf 80% kann der Mangananteil in der Ablagerung von 10 auf 80% geändert werden.

Beispiel 5

Beschichtungsverfahren:

Chromammoniumsulfat 500—700 g/l (NH₄)Cr(SO₄J₂ 12H₂O

Mangansulfat, MnSO₄ 5—100 g/l

Magnesiumsulfat, MgSO₄ 30— 70 g/l

Ammoniumsulfat, (N H₄J₂SO₄ 40—80 g/l

Ammoniumhydroxid, N H₄OH 40—80 g/l

Stromdichte 5—50 A/dm²

Temperatur 20—90⁰C

pH alkalisch

Durch Änderung des Manga/ianteils im Bad von 2.5 auf 40% kann der Mangananteil in der Ablagerung von auf 50% geändert werden.

Durch Änderung des Antimonanteils in dem Bad von auf 90% kann der Antimonanteil in der Ablagerung von 13 bis 74% geändert werden.

Beispiel 2

Entspricht Beispiel !,wobei K₂SbO₄ durch Sb₂O₅ 16-1600 g/l

ersetzt ist. Durch Änderung des Antimonanteils in dem Bad von 4 auf 90% kann der Antimonanteil von 13 auf 74% geändert werden.

Beispiel 3

Beschichtungsverfahren:
Chrom (Fluoborat),

Cr * 3(BF₄-)
Antimon (Fluoborat),

Sb-3(BF₄ )

Fluoborsäure(frei). HBF₄
Borsäure, H)BO,
Stromdichte
Temperatur
pH

2.6-78 g/l 6.1 -183 g/l

150-650 g/l 0-50 g/l 1-25 A/dm-' 20-80 C sauer

Durch Änderung des Antimonanteils in dem Bad von 7.25 bis 98% kann der Antimonanteil in der abgelagerten Schicht von 13 auf 74% geändert werden. In einigen Fällen müssen zur Erzielung einer nicht kristallinen Ablagerung Zusätze in dem Bad vorgesehen sein. Ihrr genaue Zusammensetzung hängt von der Badzusammensetzung und von der Unterlage für die Schicht ;ib.

Beispiel 4

System: Chrom-Mangan
Zusammensetzung: 10 bis 80% Mangan Spezifischer Widerstand: 3h bis 194 Mikrn-Ohnvcm TKk: plus I 50 bis plus 50 ■ IO V C

Ueschiclit ti ngs vcr !,ihren:

Chromtrioxid. CrO, H)O- )()() μ I

Kaliumprrmanganat. KMnO, H —K'H) g<l

Schwefelsäure. H.SO, (I- ">00 g I

Beispiel 6

System: Chrom-Phosphor
Zusammensetzung: 6 bis 52% Phosphor Spezifischer Widerstand: 57 bis 162 Mikro-Ohm-cm TKr: minus 75 bis plus 50 · 10"V⁰C

Beschichtungsverfahren:

Chromtrioxid, CrOi 100—300 g/l

Phosphorige Säure, IH₃POj 4—400 g/l

Schwefelsäure, H₂SO₄ 0—98 g/l

Stromdichte 5—50A/drri2

Temperatur 20—90⁰C

Beispiel 7

^ς'^:·ιη)ΐΐ mit Beispiel 6 überein, wobei H ''O -durch H)PO₄ j-500 250 g/l

ersetzt ist. Durch Änderung des Phosphorgehalts in den Beispielen 6 und 7 von 1 auf 73% kann der Phosphorgehalt in der Ablagerung von 6 auf 52% geändert werden.

Beispiel 8

System: Chrom-Selen
Zusammensetzung: 14 bis 65% Selen Spezifischer Widerstand: 80 bis

2300 Mikro-Ohm-cm
TKk: plus 100 bis plus 800 · IO VC.

Beschichtungsverfahren:

Chrom tnoxyd. CrOi 100-30Og/!

SelensSjre. H)SeO₄ 7.25-725 g/l

Schwefelsäure. H₂SO₄ 0-98 g/l

Stromdichte 5 —50A/dm^J

Temperatur 20 — 90 C

pH sauer

Durch Änderung des Selcnanleils im Had von 2,ϊ auf 88"/ii kann der Sclcnantcil in der Ablagerung von 14 auf 6V/n geändert werden.

Beispiel 9

System: Chrom-Tellur
Zusammensetzung: 21 bis 75% Tellur Spezifische. Widerstand: 92 bis 420 Mikro-Ohm-cm TKr: plus 100 bis plus 500 · IO ^h/"C

Beschichtungsverfahren:

Chromtrioxid. CrOi 100-300 g/l

Tellurtrioxid.TeOj 9-880g/l

Schwefelsäure. H₂SO, 0-500 g/l

Stromdichte 5—50 A/dni-

Tempenitur 20 — 90 C

pH sauer

Durch Änderung des Tellurantcils in dem Bad von 4 auf 95% kann der Tellurantoil in der Ablagerung von auf 75% geändert werden.

Beispiel 13

System: Kobalt-Bor
Zusammensetzung: 2 bis 36% Bor Spezifischer Widerstand: 36 bis 108 Mikro-Ohm-cm TKr: minus 75 bis plus 50 · 10 <VⁿC

Beschichtungsverfahren:

Natriumborhydrid, NaBH₄ 4 — 40 g/l

Kobalt (Chlorid) Co ^(Cl ) 5-15 g/l

Ammoniumhydroxid NH₁OH 150-225 g/l

Stromdichte 1 — 15 A/dm-'

Temperatur 20 —60"C

pH 11-12,5

Durch Änderung des Boranteils in dem Bad von 7 bis 70% kann der Boranteil in der Ablagerung von 2 bis 36% geändert werden.

Beispiel 10 flntsprich! Beispiel 9. wobei TeO: durch

!1,TeO. ll-IIOOg/1

ersetzt ist. Durch Änderung des Tellurantcils m Bad von 4 auf 95"'ii kann der relluranteii in der Ablagerung son 21 auf 75"" geändert werden.

Beispiel Il

Ss st em: Kobalt-Antimon
Zusammensetzung: 18 bis 72"" Antimon Spezifischer Widerstand: 65 bis

2000 Mikm-Ohm-cm
TK;.: pins 100 bis plus 800 10 "¹C

Heschichtungss f 'ahrcn:

Kobalt (Hu.ibor.it). i-40g|

Co (til: )

Antimon (Ihiuburat). 6—180 g,'l Sh (Bf-. )

F-'luobors.iure. HBI ■. !50-65OgI

Borsaure. H-BO 0-50 g. I

Stromdichte i — Ii AcIm-¹

Temperatur 20 —80" C

D H sauer

Dur.h Änderung des Ari'üVun.tnteils in den: Bad von ' .i :· ^üü' "..mn tier Aniiir.un.iriteil in der Ablagerung

P ■-· : ·- r> c J

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Beispiel it	5 - 100 g/l
Beschichtungsverfahren:
Dimethylaminboran,	40-130 g/l
(CHiJjNHBHj
Natriummalonat,	11-38 g/l
CH₂(COONa)₂
Kobalt (Sulfat).	1-20 A/dn
CTW(SO₄ -')	20-80" C
Stromd ."hte	5-5.6
Temperatur
pH (durch Zusatz von
Ammoniak)

Durch Änderung des Boranteils in dem Bad von 3 bis 68% kann der Boranteil in der Schicht von 2 bis 3b% geändert werden.

In den Beispielen 13 und 14 sollen das Kobalt tinu das Komplexmittel vor dem Zusetzen der das Bor enthaltenden Verbindung sorgfältig gemischt werden.

Beispiel 15

System: Kobalt-Germanium 7iKarr.mpnspt7iine: 6 bis 60% Germanium Spezifischer Widerstand: 34 bis 321 Mikro-Ohm-cm TKr: plus 100 bis minus 50 ■ 10 -/"C

Beschichtungsverfahren:

Germanium (Oxid). GeO₂ 0.15-15.Ou I

Kobalt (Chlorid). CO--'(Cl ) 0,1-10,OgI

Ammoniumchlorid. NH₃Cl 25— 30 g/l

Ammoniumoxalat. (NHi)₂C₂Oi 30 —40 g I

Natriummetabisulfit. Na₂S₂O- 1—5 g/l

Stromdichte 2— lOA.'dm-'

Temperatur 20—50" C

pH alkalisch

Durch Änderung des Germaniumanteils im Bad son auf 9O⁰O kann der Germaniumanteil in der Schicht von 6 bis 60°-·« geändert werden.

B c i ί j i ο 5 6

System: Kobalt-Indium
Zusammensetzung: 18 bis 71°o Indium Spezifischer Widerstand: 65 bis 335 Mikro-Ohm-cm TKr: pius 100 b:s minus 50 10" "C

Beschichtungsverfahren:

indium (Sulfat!. In--{SOi ^:) 15-30 g!

Kobai-(Suifat). Co-^;;SOi ^;) !:-302i

Stromdichte
Temperatur
pH

2-12 A/dm*

2O-7CTC

1-3

Durch Änderung des Kobalt- und Indiumanteils im Bad sowie der Stromdichte kann das Indium in der Schicht von 60 bis 71% geändert werden.

0,3-8 g/l 30-100 g/l 50 g/l

2-10 A/dm-' 2O-7O°C 1-3

Beispiel 17 Beschichtungsverfahren:

Indium (Sulfat), In ⁺'(SO₄ ^!)

Kobalt (Sulfat), Co ' '(SO₄ ^!)

Sulfaminsäure, H₂N ■ SOiH

Stromdichte

Temperatur

pH

Da das Gewicht des Indiums in uem Bad von 0,3 bis g/l geändert wird, ändert sich uui !ndiurmnteil in der Schich! von 18 auf l\°h.

Beispiel 18

System: Kobalt-Molybdän
Zusammensetzung: IO bis 65% Molybdän Spezifischer Widerstand: 57 bis 292 Mikro-Ohr.i-cm TK_R: plus 300 bis plus 100 · IO"/°C

Beschichtungsverfahren:
Natriummolybdat,
Na₂MoO₄ ■ 2 H₂O
Kobalt (Carbonat),
OW(COr²)
Kaliumcarbonat. K₂CO)
Stromdichte
Temperatur
pH

Durch Änderung des Molybdänanteils im Bad von 30 auf 85% kann der Molybdänanteil in der Schicht von 5 auf 35% geändert werden.

Beispiel 19 Beschichtungsverfahren:

5-17 g/l 10 g/l

650 g/l 5-20 A/dm² 25-IOO'C 10,5-11,5

NaMoO₄ · 2 H₂O

Kobalt (Carbonat).

Co-2(COr²)

Natriumcarbonat, NaHCO)

Natriumpyrophosphat.

Na₄P₂O₇

Hydrazinsulfat, 2 N₂H₄ · H₂SO₄ Stromdichte

Temperatur

PH

2-5 g/l

75-85 g/l 60-80 g/l

1-3 g/l 5-20 A/dm? 20-75=C 7.5-9

Das Hydrazinsulfat verhindert unerwünschte Reaktionen an der neutralen Anode, die in diesem Bad typisch eingesetzt ist. Durch Änderung des Molybdänanteils in dem Bad von 70 auf 90% kann der Molybdänanteil in der abgelagerten Schicht von 45 bis 55% geändert werden.

Beispiel 20 Beschich tungsve rf ahren:

Natriummolybdat, 3—50 g/l

NaMoO₄ · 2 H₂O

Kobalt (SuIfat), Co+^SO₄ -²) 6 - 50 g/l

Nairiumzitrat, 30—300 g/i

(NaOOC)₃C₃H₄OH

Stromdichte

Temperatur

pH (durch Zusatz von

Ammoniak, NH₄OH oder

Schwefelsäure, H₂SO₁)

1-20 A/dm-'
2^r,-7O"C
3 — 5 oder
9-12

Dieses Bad kann bei sauren oder alkalischen pH-Werten eingesetzt werden. Im mittleren Bereich ist die Stromwirkung unerwünscht niedrig. Der Molybdänanteil in der Ablagerung kann von 10 bis 65^r/o geändert werden, wenn der Molybdänanteil in dem Bad von 3 bis 77% geändert wird.

Das Bad in Beispiel 20 ist in einigen !-"allen zu verbessern, indem das Natriummolybdat und das Natriumzitrat in Lösung zusammengebracht werden, bevor sie in das Bad eingegeben werden. Diese Anteile können reagieren, bis sich ein Gleichgewichtszustand ausgebildet hat, und der erhaltene Komplexsioff wird in das Beschichtungsbad eingegeben.

Beispiel 21

System: Kobalt-Phosphor
Zusammensetzung: 6 bis 52% Phosphor
Spezifischer Widerstand:45 bis 138 Mikro-Ohm-cm TKr: minus 75 bis plus 50 ■ 10 VC

Beschichtungsverfahren:

Kobalt (Carbonat), 5-100 g/l

Phosphorige Säure. HiPO,	2-160 g/l
Stromdichte	4-40 A/dm-'
Temperatur	65-95'C
pH	0,5-1

Durch Änderung des Phosphoranteils im Bad von 1 bis 54% kann der Phosphoranteil in der abgelagerten Schicht von 6 bis 52% geändert werden.

Beispiel 22
Beschichtungsverfahren:

Kobalt (Chlorid). Co⁺ -'(Cl )

phninhnrcäijri· H. PO.

Phosphorige Säure, H₁PO₁
Kobalt (Carbonat),

Stromdichte
Temperatur

20- 100 g/l
tn_ mn σ/ι
2-100 g/l
5-15 g/l

4_40 A/dm-'
65-95= C

Durch Änderung des Phosphoranteils (im Bad vorhanden als phosphorige Säure) in dem Bad kann der Phosphoranteil in der Ablagerung von 6 bis 52% geändert werden.

Die Qualität und die elektrischen Eigenschaften der Ablagerungen aus den Bädern der Beispiele 21 und 22 können verbessert werden, indem ein Wechselstrom gleichzeitig mit dem Gleichstrom bei der Galvanisierung verwendet wird. Das Verhältnis von Wechselstrom zu Gleichstrom kann von 2:1 bis zu 5 :1 geändert werden.

Beispiel 23

System: Kobalt-Rhenium

Zusammensetzung: 25 bis 95% Rhenium
Spezifischer Widerstand: 135 bis
438 Mikro-Ohm-cm
TKr: plus 300 bis plus 100 ■ 10"⁶Z=C

Il

Beschichtungsverfahren.	1 - 150 g/l
Kaliiimperrhenat. KReÜ4	2-25 g/l
Kobalt (Sulfat), Co - '(SO₄ -')	20-200 g/l
Zitronensäure,
HOC₁H₄(COOH),	2-12 A/dm-'
Stromdichte	25-9O°C
Temperatur	3-8
pH (durch Zugabe von
Ammoniak NH₄OH oder
Schwefelsäure H₂SO₄)

Durch Änderung des Rheniumanteils in dem Bad von bis 80% kann der Rheniumanteil in der abgelagerten Schicht von 25 bis 95% geändert werden.

Beispiel 24

System: Kobalt-Ruthenium Zusammensetzung: 16 bis 94% Ruthenium Spezifischer Widerstand: 245 bis 680 Mikro-Ohm-cm

TKr: plus 100 bis minus 50 ■ 10 VC

Beschichtungsverfahren:

Ruthenium (Chlorid), 0,1-50 g/l

Kobalt (Chlorid). Co* ²(CI ) 2-50 g/l

Ammoniumchlorid, NH₄Cl 50— 120 g/l

Kaliumchlorid, KCI 3-5 g/l

Wasserstoffperoxid, H₂O) 1-2 g/l

Stromdichte 4- 10 A/dm²

Temperatur 20-50'C

pH (durch Zugabe von HCI) I -3

Durch Änderung des Rutheniumanteils im Bad von 0,5 bis 96% kann der entsprechende Anteil in der abgelagerten Schicht von 16 bis 94% geändert werden.

Beispiel 25

System: Kobalt-Wolfram
Zusammensetzung: 15 bis 72% Wolfram Spezifischer Widerstand: 37 bis 236 Mikro-Ohm-cm TKr: plus 300 bis plus 100 · IO ⁶/°C

Beschichtungsverfahren:

Natriiimwnlframa! IfI—100 σ/1

Na₂WO₄ · 2 H₂O

Kobalt (Sulfat oder Chlorid), 0.85-40 g/l Co ^{+ 2}(SO₄-² oder Cl)

Zitronensäure, 20 - 200 g/l

HOC₃H₄(COOH)₃

Ammoniumchlorid, NH₄Cl 0—50 g/l

Hydrazinsulfat 0—10 g/l

2 N₂H₄ ■ H₂SO₄

Stromdichte 2-20 A/dm²

Temperatur 50—90° C

pH (durch Beigabe von 6,4—9,8

Ammoniak, NH₄OH)

Durch Änderung des Wolframanteils in dem Bad von auf 98% kann der Wolframanteil in der Schicht von auf 72% geändert werden.

B e i s ρ i e ! 26 Beschichtungsverfahren:

Natriumwolf ramat, 15—40 g/l Na₂WO₄ ■ 2 H₂O

Kobalt (Sulfat), Co^SO₄-²) 2-5 g/l

Ammoniumsulfat (NROiSO₄ 60— 330 g/1

Ammoniumhydroxid, NH₄OH 35—75£·Ί

Natriumhydroxid. NaOH	8-12 g/l
Stromdichte	1-40 A/dm-'
Temperatur	2O-75C
pH	9-11.5

Durch Änderung des Wolframanteils in dem Bad von bis 92% kann der Wolframanteil in der Ablagerung von 20 bis 57% geändert werden.

Es ist möglich, die Qualität und die elektrischen ι» Eigenschaften der Ablagerung durch Überlagerung eines Wechselstroms im dem Gleichstrom bei der Galvanisierung zu verbessern. Das Verhältnis von Wechselstrom /u Gleichstrom kann von 2:1 bis 10:1 geändert werden.

Beispiel 27

System: Kobalt-Vanadium
Zusammensetzung: 9 bis 70% Vanadium Spezifischer Widerstand:48 bis 148 Mikro-Ohm-cm -'" TKr: minus 75 bis plus 50 ■ IO '■ L

Beschichtungsverfahren:

Vanadylsuliattrihydrat. 7-85 g/l

VOSO₄ · 3 H.O

Kobalt (Sulfat). Co '-'(SO₄ ■') 7-15g/l Borsäure. H₁BO₁ 25-30 g/l

Stromdichte I-IO A/dm-'

Temperatur 18 — 80 C

pH 1-6

in Durch Änderung des Vanadiumanteils im Bad von IO bis 74% kann der Vanadiumanteil in der Ablagerung von 9 bis 70% geändert werden.

Beispiel 28

^!' Beschichtungsverfahren:

Natriummetavanadat, NaVO₃ 5 —50 g/l

Kobalt (Chlorid). Co"-'(Cl -) 10-20 g/l

Natriumzitrat. 50-100 g/l

,., HOC₃H₄(COONa)J

Natriumhypophosphit. 20—40 g/l

NaH₂PO₂

Natriumoxalatdihydrat, 20-1"Og/!

Na^CO₄ · 2 H)O

Stromdichte 1 — 15 A/dm²

Temperatur 20-80°C

pH alkalisch

Durch Änderung des Vanadiumanteils im Bad von 9 bis 67% kann der Vanadiumanteil in der Ablagerung in von 9 bis 70% geändert werden.

Beispiel 29

System: Eisen-Vanadium
Zusammensetzung: 9 bis 65% Vanadium Spezifischer Widerstand: 40 bis 217 Mikro-Ohm-cm TKr: minus 75 bis plus 50 - 10"⁶/°C

Beschichtungsverfahren:

Vanadium (Chlorid), V^Ci-) 5-40g/l

_b0 Eisen (Chlorid), Fe + 3(Cl -) 15 - 25 g/l

Salzsäure oder Schwefelsäure, 0,1 normal HCI oder H₂SO₄

Stromdichte 1 — 15 A/dm²

Temperatur 20—80°C

pH 1,0-1,5

Durch Änderung des Vanadiumanteils in dem Bad • on 17 bis 70% kann der Vanadiumanteil in der Ablagerung von 9 bis 65% geändert werden.

Beispiel 30

Beschichtungsverfahren:	5-20 g/l
Natriummetavanadat, NaVOi	6,6 g/l
Eisen (Fluorid). Fe ^{+ 2}(F )	0.2\ g/l
Eisen (Chlorid), Fe^(CI )	10 g/l
Natriumacetat. NaOOCCH₁	10 g/l
Natriumhypophosphit.
NaH₂PO₂	50 g/l
Kaliumoxalat, Monohydrat.
K₂C₂O₄ ■ H₂O	1-1) Vdnv
Stromdichte	75-40 C
Temperatur	4-6
pH

Du roh Änderung des Vanadiiimantcils in dem Bad von 27 bis 54% kann der Vanadiumanteil in der abgelagerten Schicht von 20 bis 50% geändert werden.

Beispiel 31

Svstcm: Nickel-Antimon

7ysammensetzung: 15 bis 74% Antimon Spezifischer Widerstand:

50 bis 1800 Mikro-Ohm-cm

TKr: plus 100 bis plus 800 · IO ¹V C

Beschichtungsverfahren:

Nickel (I luoborat), Ni '-'(BF, ) 2,95-88.5 g/1

Antimon (Fluoborat). 6,1 — 183 g/l Sb "(BF₄ )

Fluoborsäure (frei) HBF₄ 150 —b50g/l

Borsäure. HiBO, 0—50g/l

Stromdichte 1 — 25 A/dm-

Temperatur 20 — 80 C

pH sauer

Durch Änderung des Antimonanteils im Bad von 6.5 bis 98.5% kann der Antimonanteii in der Ablagerung von 15 bis 74% geändert werden.

Beispiel 32 Beschichtungsverfahren:

Kaliumantimonyltartrat, 50— 1000 g.'l

KSbC₄H₄O:

Nickel (Sulfat), Ni'-'(SO₄ -) 6-60 g/l Rochellesalz. KNaC₄H₄O,, 30-300 g/l

Stromdichte 1—25 A/dm-'

Temperatur 20-80 C

pH (durch Beifügung von 8—11

Ammoniak. NH₄OH)

Durch Änderung des Antimonanteils in dem Bad von auf 98% kann der Antimonanteii in der Schicht von auf 74% geändert werden. In einigen Fällen müssen den Bädern in den Beispielen 31 und 32 zur Erzielung einer nicht kristallinen Schicht Zusatzstoffe beigefügt werden. Ihre genaue Zusammensetzung hängt von der Zusammensetzung des Bades und der Unterlage für die Schicht ab.

Beispiel 33

System: Nickel-Bor
Zusammensetzung: 2 bis 36% Bor Spezifischer Widerst? ^d: 34 bis 100 Mikro-Ohm-cm TKr: minus 75 bis pms 50 ■ IG^1-ZC

Beschichtungsverfahren:

Natriumborhydrid. NaBH₄ 4 — 40 s. I

Nickel (Chlorid). Ni--(Cl-) 5-15 g'l

Ammoniumhvdroxid. NH₄OH 150 —225 s i Stromdichte
Temperatur
pH

1-15 A/dnV 20-60" C 11-12.5

Durch Änderung des Boranteils in dem Bad von 7 bis 70% kann der Boranteil von 2 bis ibⁿ,.i geändert werden.

Beispiel 34

Beschichtungsverfahren.
Di methyl aminboran.

S_ 100 g/l

Natriummalonat.	40-1 30 g/l
CH₂(COONa)₂
Nickel (Sulfat). Na-'(SO., -')	11 - 38 g/l
Stromdichte	1 - 20 f /dm
Temperatur	20-80 C
pH (durch Beifügung von	5-6.5

Durch Änderung des Boranteils im Bad von 3 bis 68% kann der Boranteil in der Ablagerung um 2 bis 3b% geändert werden.

Für die Bäder der Beispiele ii und 34 se Ilen die Nickelverbindung und das Komplexmittel vor der Eingabe der das Bor enthaltenden Verbindung in das Bad sorgfältig vermischt werden.

Beispiel 35

System: Nickel-Chrom
Zusammensetzung: 9 bis 40% Chrom Spezifischer Widerstand: 54 bis 162 Mikm-Olim-cm

TKn: plus 150 bis plus 50
Beschichtungsverfahren:

Chrom (Fluoborat). Cr · '(BF

Nickel (Fluoborat). Nr-(BF₄

Fluoborsäure (frei). HBFi

Stromdichte

Temperatur

pH

Durch "Jcrung des Chromanteils in d·" Lösung von

It. U : . L-inr» A^r ΓΉ rnm -.1 Π t P ll HI fii

.vhiLia \oi. 9 bis 40% geändert

10-80 g/l 4 -52 g/l 150-650 g/l 1 -90 A'dm-20-80 C sauer

fii' i h V

Beispiel Jb	400-450 g/1	so - c
Beschichtungsverfahren:
Kaliumchromsulfat.	30-4Og-I
KCr(SO₄ -');	50— lodg'-'l
Nickel (Format). Ni(CHO:).
Natriumzitrat.	30-5OgI
HOC₁H₄(COONa)₁	8—13 si
Borsäure. HjBOi	!0-25J 1
Natriumfluorid. NaF	3-35 A dm-¹
Glycin. CHXNH₂)COOH	20-60" C
Stromdichte	1-3
Temperatur	cils im Bad von b5 bis
pH	Ablagerung \on 9 bi<-
Durch Änderung des Chromant>
73% kann der Chromanteil in der	7
40% geändert werden.
Beispiel 3	ι Germariurr
System: Nickel-Germanium	Spezifischer Widerstand: 31 bis 278 Mikro-Ohm-cn
Zusammensetzung: 6 bis 60°·.	TKs: plus 100 bis rrinus 50 ■

Beschichtungs verfahren:

Germanium (Oxid), GeO₂

Nickel (Sulfat), Nk-(SO₄--¹)

Ammoniumsulfat, (NH₄)₂SO₄

Ammoniumoxal^t,

Ammoniak, NH-iOH

Stromdichte

Temperatur

pH

Durch Änderung des Germaniumanteils im Bad von 5 bis 80% kann der Germaniumantcil in der Ablagerung von 6 auf 60% geändert werden.

Beispiel 38

System: Nickel-Indium
Zusammensetzung: 18 bis 71% Indium Spezifischer Widerstand:61 bis 308 Mikro-Ohm-cm TKk: plus 100 bis minus 50 · 10-<7^cC

Besch sch tun ¹⁷S verfahren:

Natriumpyrophosphat, 25—215 g/l

Na₄P₃O₇

0,15—15,0 g/l Natriumbicarbonat, NaHCOj 70—100 g/l

0,1-9,0 g/l Hydrazinsulfat, N₂H₄ ■ H₂SO₄ 0-4 g/l

25-30 g/I -. Stromdichte 2-25 A/dm³

30-40 g/l Temperatur ' 25-70" C

38-46 g/l pH 8-10
2-10 A/dm-⁷

20—5O⁰C Durch Änderung des Molybdänanteils irr Bad von 7(

alkalisch in auf 95% kann der Molybdänanteil in der Ablagerunj von 10 auf 45% geändert werden.

Indium (Sulfat). In-'(SO₄-)	0.8-7.0 g/l
Nickel (Sulfat). Ni--'(SO₄ -')	100 g/l
Sulfaminsäure (HSO, ■ NH₂)	50 g/l
Stromdichte	2-10 A/dm
Temperatur	2O-7O~C
pH	sauer

Wvnn das Gewicht des Indiums im Bad von 0,8 auf 7.9 g/l geändert wird, so ändert sich der Indiumanteil in der Ablagerung von 18 auf 60°/«.

Beispiel 39
Beschichtungsverfahren:

Indium (Siifat). In-'(SOj ■') 0.3-8.0 g/l

Nickel (Sulfat). Ni'-(SO₄ -') 30 g/l Borsäure. H₁BO, 30 g/l

Stromdichte 2—12 A/dm³

Temperatur 20 —70~C

pH I-J

Durch Änderung des Indiumanicils im Bad und der Stromdichte kann der Indiiimanicil in der Schicht von 18 auf 71% geändert werden.

Beispiel 40

beschichtungsverfahren:

Indium (Sulfat). In· '(SO. -) 15 —30 g/l

Nickel (Sulfat). Ni-(SO, -') 11-27 g/l

Stromdichte 2—12 A/dm-'

Temperatur 20 —70 C

pH 1-3

Durch Änderung der Gewichte des Indiums und des Nickels im Bad und durch Änderung der Stromdichte kann der Indiumamcil in der Ablagerung von 60 bis 71% geändert werden.

Beispiel 41

System: Nickel-Molsbilän
'/.iisnmmensei/unji: ΙΠ hi«, hi'"i· Molybdän Spezifischer Widerstand: ¹V) bis 20b Mikro-Ohm-cm TKh: 300 bis plus 100 ■ 10 ' (

IJeschichtungs\ erfahren:

Nairiiiiumolvbdiit. 24 — 1 20 ρ I

N;i.MoO, ■ 2 IM)

Nickel (Chlorid). Ni ((I ) 2.")- i."> g-'l

Beispiel 42

Beschichtungsverfahren:
Natriummolybdat,
Na₂MoO₄ · 2 H₂O

5—75 g/l

Nickel (Chlorid), Ni ^(Cl)	5-30 g/I
Natriumzitrat,	30-130 g/I
HOCjH₄(COONa)J
Kaliumchlorid, KCI	0-75 g/l
Stromdichte	O O-» A /-J_ L· £.L· r\/ Uli
Temperatur	25-70° C
pH (durch Beigabe von Salz	3 — 6 oder
säure HCI oder Ammoniak.	8-11,5
NH₄OH)

Dieses Bad kann bei sauren oder alkalischer pH-Werten verwendet werden. Im mittleren Bereich is¹ die Stromwirkung unerwünscht niedrig. Das Molybdär in der Ablagerung kann von 10 bis 65% durch Änderung des Molybdänanteils im Bad von 6 auf 85% geänder werden.

In einigen Fällen ist es vorteilhaft, das Natrium molybdat und das Natriumzitrat in der Lösung zi kombinieren, bevor sie dem Bad beigefügt werden Diese Anteile können reagieren, bis sich ein Gleichge wichtsz istand ausgebildet hat. und der erhaltene Korn plexstol'»" wird in das Galvanisierungsbad eingegeben.

Beispiel 43

System: Nickel-Phosphor
Zusammensetzung: 5 bis 50% Phosphor
Spezifischer Widerstand: 39 bis 115 Mikro-Ohm-cn TK_K: minus 75 bis plus 50 ■ 10 V⁰C

Beschichtungsverfahren:

Nickel (Sulfat). Ni^(SO₄ ') 30-40 g/l

Nickel (Chlorid). Ni ^(Cl ) IO-15g/l
Nickel (Carbonat). Ni' -(COj -') 5-15 g/l

Phosphorsäure, HjPO₄ 50-160^1

Phosphorige Säure. HiPOi 2— 140 g/l

Stromdichte 5—40 A/dm³

Temperatur 65—100""C

pH 0.5-1

Durch Änderung des zugänglichen Phosphoranteil! im Bad (Phosphorsäure und phosphorige Säure) von i bis 53% kann der Phosphoranteil in der Schicht von : bis 50% geändert werden.

Beispiel 44

Beschichtungsverfahren:

Nickel (C.irbonat), Nf-(CO₁

Phosphorige Säure. H₁POi

Stromdichte

Temperatur

pH

60 g/l

10- I 70 g/l
5-40 Λ/clni-7 5 — <-t 3 C

0.5- I

1.10 738/1 V

Durch Änderung des Phosphoranteils im Bad von 6 bis 55% kann der Phosphoranteil in der Ablagerung von bis 50% geändert werden.

Beispiel 45	Rhenium
System: Nickel-Rhenium
Zusammensetzung: 75 bis 95%
Spezifischer Widerstand:	-v°c
229 bis 106 Mikron-Ohm-cm
TKr: plus 100 bis plus 300 - 10	5-250 g/l
Beschichtungsverfahren:	10-50 g/l
Kaliumperrhenat, KReO₄	0-12 g/l
Nickel (Sulfat), Ni+²(SO₄-²)	0-30 g/l
Nickel (Chlorid), Ni^(Cl-)	20-200 g/l
Borsäure, H₃BO₃
Zitronensäure,	2-15 A/dm²
HOC₃H₄(COOH)₃	25-90° C
Stromdichte	2-8
Temperatur
pH (durch Zugabe von
Ammoniak, NH₄OH oder
Schwefelsäure, H₂SO₄)

Durch Änderung des Rheniumanteils im Bad von 6 auf 98% kann der Rheniumanteil in der Schicht von 75 auf 95% gebracht werden.

Beispiel 46

System: Nickel-Vanadium

Zusammensetzung: 9 bis 72% Vanadium jo

Spezifischer Widerstand: 41 bis 122Mikro-Ohm-cm TKr: minus 75 bis plus 50 · IO-V°C

Beschichtungsverfahren:

Vanadylsulfattrihydrat, 7—85 g/l
VOSO₄ -3H₂O

Nickel (Sulfat), Ni ^(SO₄-²) 7-15 g/l

Borsäure, H₃BO₃ 25-30 g/l

Stromdichte 1 — 10 A/dm²

Temperatur 18-8O⁰C

pH 1-6

Durch Änderung des Vanadiumanteils im Bad von IO auf 74% kann der Vanadiumanteil in der Ablagerung von 9 auf 70% geändert werden.

Beispiel 47	5-20 g/l
Beschichtungsverfahren:	6,7 g/l
Natriummetavanadat, NaVO₃	10 g/l
Nickel (Sulfat), Ni ^(SO₄-²)	10 g/l
Natriumacetat, NaOOCCH₃
Natriumhypophosphit,	50 g/l
NaH₂PO₂	1-15 A/dm²
Kaliumoxalat, K₂C₂O₄ ■ H₂O	75-90⁰C
Stromdichte	4-6
Temperatur
pH

Durch Änderung des Vanadiumanteils in dem Bad von 24 auf 55% kann der Vanadiumanteil der Ablagerung von 9 auf 70% geändert werden.

Beispiel 48

System: Palladium-Molybdän
Zusammensetzung: 9 bis 40% Molybdän
Spezifischer Widerstand: 78 bis 228 Mikro-Ohm-cm TKr: plus 300 bis plus 100 · 10-V⁰C

Beschichtungsverfahren:	24-120 g/l
Natriummolybdat,
Na^MoO₄ · 2 H,O	4-7 g/l
Palladium (Chlorid), Pd+-'(C\|-)	25-215 g/l
Natriunipyrophosphat,
Na₄P₂O₇	70-100 g/l
Natriumbicarbonat, NaHCO₃	0-4 g/l
Hydrazinsulfat, N₂H₄ · H₂SO₄	2-25 A/dm²
Stromdichte	25-75°C
Temperatur	8-10
PH

Durch Änderung des Molybdänanteils im Bad von 58 auf 92% kann der Molybdänanteil in der Ablagerung von 9 auf 40% geändert werden.

Beispiel 49
Beschichtungsverfahren:

Natriummolybdat, 5— 13 g/l
Na₂MoO₄ ■ 2 H₂O

Palladium (Chlorid), Pd ⁺ ^Cl-) 20-100 g/l

Ammoniumchlorid, NH₄CI 4—45 g/l

Ammoniak, NH₃ 60—200 g/l

Stromdichte 2 -15 A/dm²

Temperatur 25—45° C

pH 8-11,5

Durch Änderung des Molybdänanteils im Bad von 2 auf 20% kann der Molybdänanteil in der Schicht von 9 bis 30% geändert werden.

Beispiel 50
Beschichtungsverfahren:

Natriummolybdat, 5—57 g/l
Na₂MoO₄ · 2 H₂O

Palladium (Chlorid), Pd ^{+ 2}(CI) 10-60 g/l

Natriumzitrat, 30—130 g/l
HOC₃H₄(COONa)₃

Kaliumchlorid, KCI 0-75 g/l

Stromdichte 2—22 A/dm²

Temperatur 25-7O°C

pH 3—6 oder

8-11.5

Durch Änderung des Molybdänanteils im Bad von 3 auf 70% kann der Molybdänanteil in der Ablagerung von 9 auf 40% gebracht werden.

ίο Die hoch leitfähige Schicht des Trägermaterials besteht vorzugsweise aus einer vorgeformten Metallfolie wie z. B. Kupferfolie, verzinnter Kupferfolie. Aluminiumfolie, Zinkfolie oder Silberfolic. Eine geeignete Foliendicke beträgt beispielsweise 0,05 mm.

υ Die isolierende Unterlage kann aus einem der bekannten Materialien bestehen. Beispielsweise kann sie aus einem Polyimid bestehen, das auf organischen Diaminen und Dicarboxyl- oder Tetracarboxylsäuren basiert. Die Epoxydharze auf der Basis von PoIyglycidyläthern organischer Polyphenole werden gleichfalls vorzugsweise eingesetzt. Diese Härzünterlägen können einen der bekannten Verstärkungsstoffe wie z. B. Fiberglasgewebe enthalten. Die Unterlage kann auch aus einem mit Phenolharz imprägnierten Papier,

h> mit Melaminharz imprägniertem Papier, mit Polyimidharz imprägniertem Fiberglasgewebe oder aus Polyesterharz bestehen, das eine Glasfaserverstärkung enthält. Häufig ist es erwünscht, eine Schicht aus hoch

19 20

wärmeleitfähigem Material in der Schaltanordnung darin, eine Wärmeübertragung zur Abschwächung

vorzusehen. Die Schicht kann auf der dem Widerstands- elektrischer Heizwirkungen der in der Oberfläche der

bereich abgewandten Seite oder innerhalb einiger Schichtanordnung gebildeten Widerstände hervorzu-

Lagen zuvor imprägnierter Verstärkungen angeordnet rufen. Aluminium- und Kupferfolien sind zu diesem

sein. Der Zweck der wärmeleitfähigen Schicht besteht ί Zweck geeignet.

Claims

Patentansprüche:

1. Ausgangsmaterial zur Herstellung einer gedruckten Schaltung mit einer isolierenden Unterlage, mit einer auf dieser Unterlage befindlichen Schicht aus elektrischem Widerstandsmaterial in Form einer Zweikomponenten-Legierung, z. B. aus Nickel-Chrom, und mit einer auf dieser Schicht befindlichen Schicht aus elektrisch hochleitfähigem ι ο Material, wie z. B. Kupfer, dadurch gekennzeichnet, daß als Widerstandsmaterial Chrom-Antimon mit 13 bis 74 Gew.-% Antimon, Chrom-Mangan mit 10 bis 80 Gew.-% Mangan, Chrom-Phosphor mit 6 bis 52 Gew.-% Phosphor, Chrom-Selen mit 14 bis 65 Gew.-% Selen, Chrom-Tellur mit 21 bis 75 Gew.-% Tellur, Kobalt-Antimon mit 18 bis 72 Gew.-% Antimon, Kobalt-Bor mit 2 bis 36 Gew.-% Bor, Kobalt-Germanium mit 6 bis 60 Gew.-% Germanium, Kobalt-Indium mit 18 bis 71 Gew.-% Indium, Kobalt-Molybdän mit 10 bis 65 Gew.-°/o Molybdän, Kobalt-Phosphor mit 6 bis 52 Gew.-% Phosphor, Kobalt-Rhenium mit 25 bis 95 Gew.-°/o Rhenium, Kobalt-Ruthenium mit 16 bis 94 Gew.-°/o Ruthenium, Kobalt-Wolfram mit 15 bis 72 Gew.-°/o Wolfram, Kobalt-Vanadium mit 9 bis 70 Gew.-°/o Vanadium, Eisen-Vanadium mit 9 bis 65 Gcw.-% Vanadium, Nickel-Antimon mit 15 bis 74 Gew.-% Antimon, Nickel-Bor mit 2 bis 36 Gew.-% Bor, Nickel-Chrom mit 9 bis 40 Gew.-% so Chrom, Nickel-Germanium mit 6 bis 60 Gew.-% Germanium, Nickel-Indium mit 18 bis 71 Gew.-% Indium, Nickel-Molybdän mit 10 bis 65 Gew.-% Molybdän, Nickel-Phosphor mit 5 bis 50 Gew.-% Phosphor, Nickel-Rhenium mit 75 bis 95 Gew.-% r> Rhenium, Nickel-Vanadium mit 9 bis 72 Gew.-°/o Vanadium oder Palladium-Molybdän mit 9 bis 40 Gew.-% Molybdän vorgesehen ist und daß das elektrisch hochleitfähige Material außer Kupfer auch Aluminium, Zink oder Silber sein kann. ·">

2. Ausgangsmaterial nach Anspruch I, dadurch gekennzeichnet, daß die Schicht aus elektrisch hochleitfähigem Material aus einer Folie aus diesem Material besteht.

3. Ausgangsmaterial nach Anspruch 1, dadurch ■»"> gekennzeichnet, daß die Unterlage aus einem verstärkten organischen Harz besteht.

4. Ausgangsmaterial nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Unterlage aus einem Epoxidharz besteht, das mit Fiberglasgewebe verstärkt ">° ist.

5. Ausgangsmaterial nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Unterlage aus einem PoIyimidharz besteht, das mit Fiberglasgewebe verstärkt ist. «

6. Ausgangsmaterial nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Unterlage aus einem organischen verstärkten Harz besteht, in oder an dem eine wärmeleitfähige Schicht gebunden ist, die entweder auf der der Widerstandsschicht abgewandten Seite der Unterlage oder innerhalb derselben angebracht ist.