DE2647946B2 - Verfahren zum Herstellen einer magnetischen Blasendomänenanordnung - Google Patents
Verfahren zum Herstellen einer magnetischen BlasendomänenanordnungInfo
- Publication number
- DE2647946B2 DE2647946B2 DE2647946A DE2647946A DE2647946B2 DE 2647946 B2 DE2647946 B2 DE 2647946B2 DE 2647946 A DE2647946 A DE 2647946A DE 2647946 A DE2647946 A DE 2647946A DE 2647946 B2 DE2647946 B2 DE 2647946B2
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- bubble domain
- layer
- amorphous
- layers
- magnetic
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F41/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties
- H01F41/32—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties for applying conductive, insulating or magnetic material on a magnetic film, specially adapted for a thin magnetic film
- H01F41/34—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties for applying conductive, insulating or magnetic material on a magnetic film, specially adapted for a thin magnetic film in patterns, e.g. by lithography
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F41/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties
- H01F41/14—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties for applying magnetic films to substrates
Description
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Herstellen einer magnetischen Blasendomänenanordnung,
bei dem auf einem Substrat übereinanderliegend eine amorphe Blasendomänenschicht, eine isolierende
Zwischenschicht, ein weichmagnetisches Muster und ein elektrisch leitendes Muster aufgebracht werden.
Aus der Zeitschrift »IBM Technical Disclosure Bulletin«, Vol. 18,No. 4, Sept. 1975, S. 1276, ist eine
Blasendomänenanordnung bekanntgeworden, bei der zur Verringerung eines anzulegenden magnetischen
Feldes eine amorphe Blasendomänenschicht zwischen zwei amorphen magnetischen Schichten angeordnet
ist. Diese Anordnung aus drei Schichten ist auf einem Substrat aufgebracht.
Aus der Zeitschrift »IBM Technical Disclosure Bulletin«, Vol. 18, No. 3, August 1975, S. 940 bis
941, ist ein Verfahren zum Herstellen einer magnetischen
Blasendomänenanordnung bekanntgeworden, bei dem auf einem Substrat übereinanderliegend folgende
Schichten aufgebracht werden.
1. Eine die Blasendomane enthaltende erste amorphe Schicht,
2. eine isolierende Zwischenschicht aus SiO2,
3. ein weichmagnetisches Muster aus einer zweiten amorphen Schicht,
4. ein elektrisch leitendes Muster.
Üblicherweise werden amorphe Blasendomänen-
Üblicherweise werden amorphe Blasendomänen-
schichten, ebenso wie die bekannten kristallinen Granatschiehten bei relativ hoher Temperatur auf einem
nichtmagnetischen Substrat abgeschieden. Darauf wird eine isolierende Zwischenschicht und sodann
eine weichmagnetische Schicht aus einer Ni-Fe-Legierung aufgebracht, und zwar bei einer Temperatur,
die zwar niedriger als beim Aufbringen der Blasendo-
r> mänenschicht, aber immer noch hoch ist.
Wenn das vorstehende Verfahren auf amorphe Blasendomänenschichten angewendet wird, treten
verschiedene Probleme auf. Im Unterschied zu kristallinen Granatschichten müssen amorphe Schichten
H) bei relativ niedriger Temperatur abgeschieden werden. Daher müssen auch die auf das Abscheiden der
amorphen Schicht folgenden Verfahrensschritte bei niedrigen Temperaturen durchgeführt werden, um die
amorphe Schicht am Kristallisieren zu hindern. Dies
führt zu mehreren unerwünschten Effekten in der weichmagnetischen Schicht, da diese dann zu einer
geringen Adhäsion und hohen Koerzitivfeldstärke neigt. Ein Versuch zum Vermeiden dieser Probleme
bestand in der Verwendung von Ni-Fe-Laminaten.
Diese Mehrschichtstruktur ist aber viel komplizierter herzustellen, siehe »Electron-Beam Fabrication of
High Densitiy Amorphous Devices«, IEEE Trans. MAG-Il (1975), Seiten 1142 bis 1144.
Aufgabe der Erfindung ist es, das bekannte Verfah-
ren zum Herstellen einer magnetischen Blasendomänenanordnung derart zu verbessern, daß sowohl die
gewünschten magnetischen Eigenschaften der amorphen Blasendomänenschicht als auch die der Ni-Fe-Steuerschaltung
erzielt werden.
so Diese Aufgabe wird dadurch gelöst, daß die Schichten
bzw. Muster auf dem Substrat in der folgenden Reihenfolge hergestellt werden:
a) das weichmagnetische Muster,
b) das elektrisch leitende Muster, r> c) die isolierende Zwischenschicht,
d) die amorphe Blasendomänenschicht. Bei dem Verfahren zum Herstellen einer magnetischen
Blasendomänenanordnung nach der Erfindung können also hochwertige weichmagnetische Schichten
4(i für Steuerschaltungen und Magnetwiderstände ohne
Beeinträchtigung der magnetischen Eigenschaften der amorphen. Blasendomänenschicht aufgetragen werden.
Hierbei werden verschiedene Metallisier- und Quarzschichten zuerst auf ein Substrat bei Temperaturen
aufgebracht, die hoch genug sind, um Schichten der gewünschten Qualität zu liefern. An diesem Punkt
der Herstellung können gemäß einer vorteilhaften Abänderung des Verfahrens fehlerhafte Einheiten
verworfen werden, während die Endstufe, die in der Niedrigtemperaturabscheidungder amorphen Schicht
besteht, auf einwandfreien Einheiten ausgeführt wird. Vorteilhafte Ausgestaltungen und Weiterbildungen
der Erfindung sind den Unteransprüchen zu entnehmen.
Im folgenden wird das Verfahren nach der Erfindung anhand der Figuren ausführlicher erläutert.
Fig. 1 veranschaulicht das bekannte Verfahren zum Herstellen einer magnetichen Blasendomänenbo
anordnung mit amorphen Schichten;
Fig. 2 veranschaulicht das Herstellungsverfahren gemäß der Erfindung.
Fig. 1 erläutert im Detail die Herstellungsstufen, die beim bekannten Stand der Technik für übliche
b5 Blasendomänenanordnungen angewendet werden.
Dieses Verfahren ist mit Abwandlungen auch bei der bekannten Herstellung von amorphen Blasendomänenschichten
angewendet worden. Die Verfahrens-
stufen für eine übliche Blasendomänenanordnung sind folgende:
Es wird ein nichtmagnetisches Substrat aus Gd3Ga5O12 (Gadolinium-Gallium-Grana.t) erhalten,
auf das durch Flüssigphasen-Epitaxietechnik eine magnetische
Blasendomänengranatschicht beispielsweise
der Formel Y238 La00, Eu053 Fe3, Ga1, O12
(Yttriurn-Lanthan-Europiurn-Eiseri-Gallium-Granat) abgeschieden wird. Diese magnetische Granatschicht
wird bei einer Temperatur von etwa 950" C
abgeschieden. Danach wird eine SiO2- (Quarz-) zwischenschicht
auf der Granatschicht aufgebracht, wonach die weichmagnetische Schicht durch Aufdampfen
einer Ni-Fe-Legierung bei einer Temperatur von etwa 325 bis 350° C aufgebracht wird. Aus der weichmagnetischen Schicht wird mit Hilfe eines Fotoätzverfahrens
ein T-förmiges Muster herausgeätzt. Danach wird eine Au- oder Al- 4% Cu-Schicht durch Aufdampfen
auf dem T-Muster aufgebracht. Aus der Al-Cu-Schicht wird danach ebenfalls ein Muster gebildet,
um die verschiedenen Leitungselemente herzustellen, die beim Betrieb der Speichereinrichtung erforderlich
sind.
Wenn man das vorstehende Verfahren auf die Herstellung von amorphen Schichten anwendet, stellt man
fest, daß die auf das Abscheiden der Blasendomänenschicht, das etwa bei Raumtemperatur vorgenommen
wird, folgenden Verfahrensschritte bei niedriger Temperatur vorgenommen werden müssen, damit die
amorphe Blasendomänenschicht nicht kristallisiert. Wenn jedoch die Ni-Fe-Schicht nicht bei einer Temperatur
von etwa 325° C, sondern bei der mit Rücksicht auf die amorphe Blasendomänenschicht erforderlichen
niedrigen Temperatur aufgedampft wird, so kann sie eine schlechte Adhäsion, eine hohe Koerzitivfeldstärke
und einen geringen Magnetwiderstand zeigen. Es handelt sich um unerwünschte Merkmale
der Ni-Fe-Steuer- und Magnetwiderstandselemente.
Diese Probleme werden durch das Verfahren zum Herstellen einer magnetischen Blasendomänenanordnung
gemäß Fig. 2 gemindert oder vermieden. Bei dem Verfahren mit der in Fig. 2 dargestellten
Reihenfolge der Verfahrensschi Ute wird ein nichtkristallines
Substrat, wie Glas oder Quarz, oder auch kristallines Silizium verwendet. Die verschiedenen
Metallisierungsschichten unter Einschluß von Ni-Fe und Au oder Al-Cu werden danach nacheinander bei
ίο genügend hohen Temperaturen aufgebracht. Wie
beim bekannten Verfahren wird Ni-Fe bei etwa 325° C abgeschieden. Damit ist auf dem Substrat ein
weichmagnetisches Muster und anschließend ein elektrisch leitendes Muster aufgebracht.
An diesem Punkt des Herstellungsverfahrens erfolgt ein Prüfvorgang. Die Einheiten, die nicht befriedigen,
können verworfen werden. Dieses Verfahren bietet eine wirtschaftliche Herstellung gegenüber den
bekannten Verfahren, da nach dem bekannten Stand der Technik Ni-Fe- und Au- oder Al-Cu-Schichten
aufgedampft werden, nachdem die amorphe Schicht aufgetragen wurde. Wenn aber bei einer solchen BIasendomäneneinrichtung
ein Defekt der Metallisierungsschichten (d. h. Ni-Fe, Au oder Al-Cu) vorliegt,
muß die gesamte Bläscheneinheit verworfen werden. Beim Verfahren gemäß Fig. 2 muß das Verfahren jedoch
nicht 'fortgesetzt werden, wenn die Metallisierungsschichten, d. h. das weichmagnetische Muster
und das elektrisch leitende Muster nicht befriedigen.
jo Wenn die Metallisierung in befriedigender Weise auf dem Quarz- oder SiO2-Substrat vorgenommen
worden ist, wird eine isolierende Zwischenschicht, die z. B. aus Quarz besteht, auf ihr aufgebracht. Die letzte
Stufe besteht in der Niedertemperaturbildung der
J3 amorphen Blasendomänenschicht. Die Bildung der
amorphen Blasendomänenschicht bei niedriger Temperatur wird bei einer Abscheidungstemperatur im
Bereich von -25 bis +25° C durchgeführt.
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen
Claims (4)
1. Verfahren zum Herstellen einer magnetischen Blasendomänenanordnung, bei dem auf einem
Substrat übereinanderliegend eine amorphe Blasendomänenschicht, eine isolierende Zwischenschicht,
ein weichmagnetisches Muster und ein elektrisch leitendes Muster aufgebracht werden,
dadurch gekennzeichnet, daß die Schichten bzw. Muster auf dem Substrat in der folgenden Reihenfolge hergestellt werden:
a) das weichmagnetische Muster,
b) das elektrisch leitende Muster,
c) die isolierende Zwischenschicht,
d) die amorphe Blasendomänenschicht.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das weichmagnetische Muster
bei einer Temperatur im Bereich von 325 bis 350° C aufgebracht wird.
3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß die amorphe Blasendomänenschicht
auf der isolierenden Zwischenschicht bei einer Temperatur im Bereich von —25 bis
+ 25° C aufgebracht wird.
4. Abänderung des Verfahrens nach den Ansprüchen 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß auf
das Aufbringen des elektrisch leitenden Musters ein Prüfvorgang folgt, und daß beim Feststellen
von Mängeln im weichmagnetischen oder im elektrisch leitenden Muster die Anordnung vor dem
Aufbringen der weiteren Schichten verworfen wird.
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US05/627,417 US4013803A (en) | 1975-10-30 | 1975-10-30 | Fabrication of amorphous bubble film devices |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE2647946A1 DE2647946A1 (de) | 1977-05-18 |
DE2647946B2 true DE2647946B2 (de) | 1978-06-29 |
DE2647946C3 DE2647946C3 (de) | 1979-03-15 |
Family
ID=24514563
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE2647946A Expired DE2647946C3 (de) | 1975-10-30 | 1976-10-22 | Verfahren zum Herstellen einer magnetischen Blasendomänenanordnung |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4013803A (de) |
JP (1) | JPS5254997A (de) |
DE (1) | DE2647946C3 (de) |
GB (1) | GB1516776A (de) |
NL (1) | NL7611858A (de) |
Families Citing this family (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3921157A (en) * | 1974-03-27 | 1975-11-18 | Monsanto Co | Nonuniform spacing layer for magnetic bubble circuits |
NL7608002A (nl) * | 1976-07-20 | 1978-01-24 | Philips Nv | Werkwijze ter vervaardiging van een magnetische inrichting. |
US4271232A (en) * | 1978-08-28 | 1981-06-02 | International Business Machines Corporation | Amorphous magnetic film |
US4262054A (en) * | 1979-08-03 | 1981-04-14 | Hitachi, Ltd. | Magnetic bubble memory device |
US4268584A (en) * | 1979-12-17 | 1981-05-19 | International Business Machines Corporation | Nickel-X/gold/nickel-X conductors for solid state devices where X is phosphorus, boron, or carbon |
US4624865A (en) * | 1984-05-21 | 1986-11-25 | Carolina Solvents, Inc. | Electrically conductive microballoons and compositions incorporating same |
US5786785A (en) * | 1984-05-21 | 1998-07-28 | Spectro Dynamics Systems, L.P. | Electromagnetic radiation absorptive coating composition containing metal coated microspheres |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3946124A (en) * | 1970-03-04 | 1976-03-23 | Rockwell International Corporation | Method of forming a composite structure |
GB1436011A (en) * | 1972-08-29 | 1976-05-19 | Ibm | Amorphous magnetic material |
US3836898A (en) * | 1973-10-09 | 1974-09-17 | Bell Telephone Labor Inc | Magnetic bubble structure for suppression of dynamic bubble conversion |
US3932688A (en) * | 1973-10-12 | 1976-01-13 | Hitachi, Ltd. | Composite magnetic film |
US3909810A (en) * | 1974-02-25 | 1975-09-30 | Texas Instruments Inc | Bubble memory minor loop redundancy scheme |
-
1975
- 1975-10-30 US US05/627,417 patent/US4013803A/en not_active Expired - Lifetime
-
1976
- 1976-10-13 GB GB42504/76A patent/GB1516776A/en not_active Expired
- 1976-10-22 DE DE2647946A patent/DE2647946C3/de not_active Expired
- 1976-10-26 NL NL7611858A patent/NL7611858A/xx not_active Application Discontinuation
- 1976-10-29 JP JP51129600A patent/JPS5254997A/ja active Granted
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE2647946C3 (de) | 1979-03-15 |
JPS5254997A (en) | 1977-05-04 |
DE2647946A1 (de) | 1977-05-18 |
GB1516776A (en) | 1978-07-05 |
NL7611858A (nl) | 1977-05-03 |
JPS5525487B2 (de) | 1980-07-07 |
US4013803A (en) | 1977-03-22 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE69627562T2 (de) | Dünnfilmmagnetkernwicklung | |
DE3604368C2 (de) | ||
DE2704373A1 (de) | Halbleiteranordnung und verfahren zur herstellung von halbleiteranordnungen | |
DE2709933A1 (de) | Verfahren zum herstellen durchgehender metallischer verbindungen zwischen mehreren metallisierungsebenen in halbleitervorrichtungen | |
DE3123213A1 (de) | Hybridschaltung mit integrierten kondensatoren und widerstaenden und verfahren zu ihrer herstellung | |
DE3038773C2 (de) | Verfahren zur Herstellung einer integrierten Halbleiterschaltungsanordnung mit MOS-Transistoren und mit spannungsunabhängigen Kondensatoren | |
DE2024494A1 (de) | Verfahren zur Beseitigung von durch Fehlstellen, insbesondere Nadellöcher verursachten Kurzschlüssen in DünnschichtÜberkreuzungen | |
DE2647946C3 (de) | Verfahren zum Herstellen einer magnetischen Blasendomänenanordnung | |
DE3544539C2 (de) | Halbleiteranordnung mit Metallisierungsmuster verschiedener Schichtdicke sowie Verfahren zu deren Herstellung | |
DE3032708A1 (de) | Verfahren zur herstellung eines duennschicht-magnetfeld-sensors | |
EP0013728B1 (de) | Verfahren zur Herstellung von elektrischen Verbindungen zwischen Leiterschichten in Halbleiterstrukturen | |
DE2823881C3 (de) | Verfahren zur Herstellung von elektrischen Dünnschichtschaltungen für die Herstellung integrierter Leiterbahnüberkreuzungen | |
DE2931825B2 (de) | Magnetblasen-Speichervorrichtung | |
DE3605425A1 (de) | Duennschichtschaltung und ein verfahren zu ihrer herstellung | |
DE4136198A1 (de) | Verfahren zur herstellung eines strukturierten duennfilm-widerstandsschichtsystems sowie schaltungsanordnung mit einem insbesondere nach diesem verfahren hergestellten duennfilm-widerstandsschichtsystem | |
DE3217501C2 (de) | Verfahren zum Herstellen einer ionenimplantierten Schicht eines Magnetblasenspeicher-Bauelements | |
DE2513859C2 (de) | Verfahren zum Herstellen eines Kondensator-Widerstands-Netzwerks | |
DE2522861C3 (de) | Verfahren zum Herstellen eines magnetischen Wiedergabekopfes | |
DE3132452C2 (de) | ||
DE3614947C2 (de) | Thermokopf und Verfahren zu dessen Herstellung | |
DE2549670A1 (de) | Duennfilmtransformator | |
DE3200983A1 (de) | Elektrisches netzwerk | |
DE1499826C (de) | Vorrichtung zum Speichern von Daten | |
EP0308818A1 (de) | Verfahren zum Herstellen von Anschlusskontakten für Dünnfilm-Magnetköpfen | |
EP1232996A2 (de) | Mikromechanisches Bauelement und Verfahren zu seiner Herstellung |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C3 | Grant after two publication steps (3rd publication) | ||
8339 | Ceased/non-payment of the annual fee |