DE2654979C3 - Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung - Google Patents

Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung

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Description

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung, bei dem in vorhergehenden Verfahrensstufen verwendete Maskenfilme abgetragen werden und dadurch die gesamte Oberfläche des Halbleitersubstrats freigelegt wird, bei dem sodann auf der freigelegten Substratoberfläche ein erster Isolierfilm ausgebildet wird, auf dessen Oberfläche selektiv ein polykristalliner Siliziumfilm hergestellt wird, der den ersten Isolierfilm an vorherbestimmbaren Stellen bedeckt. Ein derartiges Verfahren ist aus der Zeitschrift »Solid State Technology«, Vol. 18, April "975, Nr. 4, S. 71 bekannt.
Halbleitervorrichtungen, wie Transistoren, Dioden, integrierte Schaltkreise und Thyristoren, werden bekanntlich durch verschiedene Verfahrensschritte hergestellt, z. B. durch Bildung einer epitaxialcn Schicht auf der Oberfläche eines Halblei'ersubslrats, Maskcnfilmbildung, F'remdatomdoiierung. Isolierfilmbildung, Photoätzung, Mctallablagerung, Elcktrodenausbildung usw. Bei der Herstellung beispielsweise eines integrierten Schaltkreis- d. h. IC-Transistors wird zunächst eine Fipitaxialschicht auf einem Halbleitersubstrat, etwa einem Siliziumsubstrat, mit einer im voraus ausgebildeten, eingelassenen oder eingelagerten Schicht ausgebildet, worauf ein M.iskcnfilm im allgemeinen aus Siliziumdioxid ausgebildet wird. Hierauf werden vorbestimmte Abschnitte des Maskenfilms durch Photoät·
zung abgetragen, und es werden die vorgesehenen Fremdatome zur Bildung von Trennbereichen eindotiert. Die Vorgänge der Siliziumdioxid-Maskenfilmbildung und des Photoätzens werden wiederholt, um einmal Basis-Fremdatome und zum anderen Emitter-Fremdatome zu dotieren. Schließlich wird ein Siliziumdioxid-Isolierfilm gebildet, worauf eine Metaliaufdampfung und das anschließende Photoätzen der Metallschicht zum Zweck der Elektrodenanbringung und der Verdrahtung folgen, so daß ein IC-Transistor hergestellt wird.
Der Siliziumdioxidfilm wirkt dabei sowohl als Maskenfilm oder -schicht als auch als Isolierfilm oder -schicht, weshalb die nach dem bisher üblichen Verfahren hergestellten Halbleitervorrichtungen die bei den Fertigungsvorgängen als Maske dienenden Siliziumdioxidfilme behalten. Dabei ist darauf hinzuweisen, daß diese Maskenfilme im Verlauf der Fertigung der Halbleitervorrichtung mehrfach einer Wärmebehandlungunterworfen werden. Infolgedessen enthalten diese Glasschicht abgedeckt wird.
Aus der US-PS 35 58 374 ist ein Verfahren zur Herstellung von Halbleitervorrichtungen bekannt, bei dem auf einem Siliziumoxydfilm ein polykristalliner Siliziumfilm durch chemisches Aufdampfen mittels thermischer Zersetzung von Monosilan ausgebildet wird und die thermische Zersetzung des Monosilan in Gegenwart von Phosphor oder eines Gemisches aus Phosphor und Arsen durchgeführt wird.
Aus der Zeitschrift »|ournal Electrochem. Soc.<;, Band 121, 1974, Nr. 6, Seiten 809 bis 815 ist ein Verfahren zur Herstellung eines Siliziumdioxidfilmes bekannt, bei dem das aus Silizium bestehende Halbleitersubstrat in einem Mischgasstrom aus gasförmigem Wasserstoff, gasförmigem Sauerstoff und einem Gas einer halogenhaltigen Verbindung hergestellt wird, und bei dem als halogenhaltige Verbindung Chlorwasserstoff oder Triehloräthylen verwendet wird.
Schließlich ist es aus der US-PS 35 71 914 bekannt über eine Siliziumdioxidschicht .ine Passivierungs-
rilme unweigerlich eine ciiicbiiche menge au liner- schicht aus einem Phosphor cnthai
wünschten Metallalkali-VerunreinigLiigen, typischerweise Natriumionen, die hauptsächlich vor einem bei Erwärmungsvorgang usw. benutzten Wärmeverteilerrohr herrühren. Diese unerwünschten Verunreinigungen neigen zur Bildung von Kanälen im Kollektor- und Basis-Bereich der hergestellten Halbleitervorrichtungen, was zum Fließen eines großen Erzeugungs-Rekombinationsstroms führt. Hierdurch wird das 1/f-Rauschen vergrößert, während die zwischen Kollektor und Basis bzw. Kollektor und Emitter auszuhaltenden Spannungen vermindert werden.
Aus der FR-PS 20 11 823 ist es bekannt, nach der Herstellung sämtlicher für eine Halbleiteranordnung im Halbleitersubstrat erforderlichen Halbleiterbereiche die Maskenfilme abzutragen und dadurch die gesamte Halbleiteroberfläche freizulegen und anschließend auf die freigelegte Oberfläche Passivierungsschichten aufzubringen. Diese Passivierungsschichten bestehen beispielsweise aus einer Siliziumoxydschicht, auf der eine weitere Phosphoroxydschicht angeordnet ist. Diese Verbundschicht hat zwar eine gewisse Passivierungswirkung, ist jedoch insbesondere dann nicht gegen eine Oxidation widerstandsfähig, wenn im Laufe der Fertigstellung der Halbleitervorrichtung vorbestimmte Bereiche der Phosphoroxydschichi abgetragen werden. Für den Fall der Aufbringung einer noch weiteren Isolierschicht können die erwähnten Passivierungsschichten bzw. Passivierungsschicht auch nicht als Maske dienen, wenn beispielsweise zur Ausbildung der weiteren Isolierschicht selektive Bereiche oxidier! werden sollen.
Aus der Literaturstellc »Solide State Technology«. Vol. 18, April 1975. Nr. 4, S. 71 ist es über den Gattungsbegriff des Anspruchs 1 hinaus bekannt, ein Halbleitersubstrat aus Silizium zu verwenden und den polykristallinen Siliziumfilm zunächst auf der Gesamtoberfläche des ersten Isolicrfilins auszubilden und vorbestimmte Bereiche des durchgehenden polykristallinen Siliziumfilms durch Ätzen selektiv abzutrager;. Dies geschieht jedoch hier für die Ausbildung von bestimmten Dotierungszonen im Inneren des Halbleitersubstrats, wobei beispielsweise bei einem Hcrstellungsverfahrcnsschritt die gesamte Oxidschicht auf der Oberfläche des polykristallinen Sili/iumfilms abgetragen wird und nach Fertigstellung der jeweilige!, Übergänge bzw. Do.ieriings/onen im Inneren des llalblcilersubstrats das gesamte Gebilde durch eine aufzubringen.
Die der Erfindung zugrunde liegende Aufgabe besteht darin, ein Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung der eingangs definierten Art zu schaffen, durch welches unerwünschte Verunreinigungen bzw. Fremdatome die elektrischen Figenschaften der Halbleitervorrichtung sehr viel weniger beeinflussen können und als Folge hiervon die Halbleitervorrichtung nur ein sehr geringes Rausch- oder Störsignal erzeugt und eine vergleichsweise hohe Spannung auszuhalten vermag.
Ausgehend von dem VerLiren der eingangs definierten Art wird diese Aufg^-.oe erfindungsgemäß dadurch gelöst, daß die Maskenfilme nach der Herstellung sämtlicher für die Halbleitervorrichtung im Halbleitersubstrat erforderlichen Halbleiterbereiche abgetragen werden, und daß auf den vom poh kristallinen Siliziumfilm unbedeckten Bereichen des ersten Isolierfilms unter Heranziehung des polykristallinen Tims i'ls Maske selektiv ein zweiter Isolierfilm ausgebildet wird.
Die mit der Erfindung erzielten Vorteile bestehen insbesondere darin, daß eine nach diesem Verfahren hergestellte Halbleitervorrichtung nicht mehr zur Bildung von Kanälen im Kollektor- und Basisbereich der hergestellten Halbleitervorrichtung neigt und auch ein stark vermindertes 1/f-Rauschen aufweist, während die zwischen Kollektor und Basis bzw. Kollektor und Emitter auszuhaltende Spannungen im Vergleich zu auf herkömmliche Weise hergestellten Halbleitervorrichtungen erhöht werden. Es hjt sich ferner gezeigt, daß den polykristallinen Siliziumfilm eine verbesserte Passivierwirkung verliehen werden kann, wenn er mit Phosphor oder ^iner Kombination von Phosphor und Arsen dotiert wird.
Besonders vorteilhafte Weiterbildungen und Ausgestaltungen des erfindungsgemäßen Verfahrens ergeben sich aus den Ansprüchen 2 bis 17.
Im folgenden wird ein Ausführungsbeispiel der Erfindung anhand der Zeichnung näher er'äutert. Es zeigt
Fig. IA bis IH Schnittansichten zur Darstellung der Verfahrensschritte bei der Herstellung eines Halbleiterclements gemäß einem Musführungsbeispiel der Erfindung,
Fig. 2 eine graphische Darstellung der Störsignaler-/eugungs/ustände bei einem nach dem erfindungsgemä-
Ben Verfahren hergestellten Transistor und einem Transistor gemäß dem Stand der Technik und
F i g. 3 eine graphische Darstellung del Auslnillespan !Hingen /wischen Kollektor und Emitter einerseits hei dem nach dem erfindungsgemäßen Verfahren hergestellten Transistor und andererseits beim Transistor gemäß dem Stand der Technik.
Fig. IA zeigt einen Abschnitt 10 einer integrierten Halbleiter-Vorrichtung, in welchem die gewünschten Fremdatom- bzw. Dotierungsbereiche nach einem üblichen Verfahren ausgebildet sind. Insbesondere wird der Abschnitt 10 wie folgt gebildet: Zunächst wird eine cpitaxiale n-lcitende Schicht 3 auf einem Sih/iiimpläti chen 1 ausgebildet, in welchem eingelassene η · -Schich ten 2 ausgebildet sind. Anschließend wird durch Oxydation ein Siliziumdioxidfilm auf der Epitaxial
Dicke von ctv.ii H(M)O λ ausgebildet.
Der auf diese Weise hergestellte polykristalhnc Si-FiIm 12 wird durili ΙΊΐοΙι>·ιΙ/οη oder i'i.ismaäi/en selektiv abgetragen, so dall ein polykrislalliner Si - IiIm 12,ι M-Iekliv auf derjenigen Abschnitten des ersten Isolierfilms It gebildet wird, unter denen gemäß I i g. I F. die I rennbereiche 4. der Basisbereirh 5. der Emitterbereich 7 und der Widcrstandsbereich β vorgesehen sind. Für das l'hotoät/en wird eine Atzlösung aus Fluorwasserstoffsäure, Salpetersäure. Essigsäure und |od bevor/ugt. Wenn dagegen die selektive Abtragung des polykristallinen Si films 12 durch Plasmaätzen erfolgt, wird vorzugsweise Tetrafltiormethan (CF4) benutzt.
Hierauf wird über den freigelegten Abschnitten des ersten Isolierfilms Il und des polykristallinen Si-F'ilms 11· „,.■-»:> Il i: , .. II. »ir> ,..,..ilor Kr.liorfilm Π ·. ll/i
Ausbildung einer Maske selektiv abgetragen, worauf p-Leitung hervorrufende Fremdatome zur Bildung von Trennbereichen 4 in die F.pitaxialschieht 3 eindotien werden. Die Verfahrensschritte der Siliziumdioxidfilm bildung und des Photoätzens werden unter Dotierung mit p-Fremdatomen wiederholt, um einen Basisbereich 5 und gleichzeitig einen Widerstandsbereich 6 hcrzuslcl len. Die genannten Verfahrensschritte werden hieraul erneut unter Dotierung mit n-Fremdatomen wiederholt, um einen Emitterbereich 7 herzustellen. Auf diese Weise wird der Abschnitt 10 einer integrierten Halbleiter-Vorrichtung erhalten, der einen Maskenfilm 8 aus Siliziumdioxid aufweist, welcher aus den bei den Fremdatom-Dotierungsschritten benutzten Masken auf der Oberfläche der Epiiaxialschicht 3(F i g. IA) besteht.
Darauf wird der Maskenfilm 8 mittels einer Ätzlösung, etwa einem Gemisch aus Salzsäure. Schwefelsäure und Essigsäure oder einer verdünnten Fluorwasserstoffsäure, oder durch Plasmaätzung unter Verwendung von Tetrafluormethan od. dgl vollständig abgetragen, so daß gemäß F i g. I B die Oberfläche 9 des Halbleitersubstrats freigelegt wird. Der Ausdruck »Halbleitersubstrat« bezieht sich hierbei auf den Abschnitt, z. B. die Epitaxialschicht 3 oder das Halbleiterplättchen, der eine Oberfläche besitzt, auf welcher schließlich ein Isolierfilm ausgebildet werden soll.
Gemäß Fig. IC wird auf der so freigelegten Oberfläche 9 des Halbleitersubstrats ein erster Isolierfilm 11 ausgebildet. Vorzugsweise wird dieser Isolierfilm 11 aus Siliziumdioxid hergestellt, das durch Oxydation des Substrats heim Erhitzen desselben in einem Mischgasstrom mit gasförmigem Wasserstoff, gasförmigem Sauerstoff und einem Gas einer halogenhaltigen Verbindung, wie Chlorwasserstoff oder Trichloräthylen. erzeugt wird. Üblicherweise erfolgt das Erwärmen während 30 min auf eine Temperatur von etwa 10000C. wodurch ein Siliziumdioxidfilm mit einer Dicke von ungefähr 1500 A gebildet wird. Der auf diese Weise hergestellte Oxidfilm besitzt eine auffallend geringe Häufigkeit von nadeiförmigen Feinlöc'iiern. und er enthält keinerlei Natriumionen. Aus diesem Grund ist es äußerst unwahrscheinlich, daß in dem vom ersten isolierfilm 11 bedeckten Basis- oder Kollektorbereich Kanäle entstehen können.
Danach wird gemäß F i g. 1D auf der gesamten Oberfläche des ersten isoiierfiims ii ein polykristallinen Silizium-Film 12 ausgebildet. Vorzugsweise erfolgt die Ausbildung des polykristallinen Si-Films 12 durch thermische Zersetzung von Monosilan (SiH3). Der polykristailine Si-FiIm 12 wird im allgemeinen mit einer hergestellt. Dabei kann die Anordnung vorzugsweise so getroffen sein, daß die über dem polykristallinen Si-FiIm 12.-I gebildeten Abschnitte des zweiten Isolierfilms dicker sind als die Abschnitte über den freigelegten Bereichen des ersten Isolierfilms 11. Hierfür erfolgt eine zweistündige Eihitzung bei etwa 1100'C in einem Mischgasstrom aus gasförmigem Wasserstoff, gasförmigem Sauerstoff und einem Gas einer halogenhaltigen Verbin<"Vng, wie Chlorwasserstoff oder Trichloräthylen. Bei dieser Wärmebehandlung kann ein etwa 0,5 μηι dicker zweiler Isolierfilm 13a aus Siliziumdioxid über dem polykristallinen Si-FiIm 1? und gleichzeitig ein etwa 0.4 μηι dicker zweiter Isolierfilm ΠΛ aus .Siliziumdioxid über dem freigelegten Bereich des ersten Isolierfilms 11 ausgebildet werden. Dabei ist wichtig zu beachten, daß der Bereich unter dem polykristallinen Si-FiIm 12.7 durch diese Wärmebehandlung nicht oxidiert wird, während der Bereich unter dem freigelegten ersten Isolierfilm 11 oxydiert wird. Die Wärmebehandlung ermöglicht damit eine selektive Oxydation, bei welcher der polykristalline Si-FiIm I2,i als Maske wirkt. Ein Siliziumdioxidfilm wird durch diese selektive Oxydation auch unter den freigelegten Abschnitten des ersten Isolierfilms 11. d.h. im Kollektorbereich, ausgebildet.
Das Vorhandensein des Siliziumdioxidfilms im KoI-lektorbereich dient zur Verhinderung einer Kanalbildung, die anderenfalls durch eine Verringerung der Fremdatomkonzentration um die Oberfläche des Basisbereichs 5 herum hervorgerufen werden würde. Außerdem können durch die selektive Oxydation lokale Widerstandsschwankungen des Widerstandsber^chs 6 verhindert werden.
Weiterhin wird durch das Vorhandensein des vergleichsweise dicker1, zweiiep. isonernnns 13i> am Koiiektorbereich eine Umpolung des Kollektorbereichs verhindert, die anderenfalls durch die Spannung der für den Betrieb des Halbleiterelements verwendeten Stromquelle hervorgerufen werden würde.
Fig. IG zeigt einen mit Phosphor oder einem Gemisch aus Phosphor und Arsen dotierten Siliziumdioxidfilm 14. Der eine Dicke von etwa 0.3 μΐη besitzende dotierte Siliziumdioxidfilm 14 wird durch chemisches Aufdampfen gebildet, d. h. durch Oxydieren von Monosilan in Gegenwart von Phosphor oder eines Gemisches aus Phosphor und Arsen. Es ist darauf hinzuweisen, daß durch das Dotieren mit Phosphor oder Phosphor-Arsen die Passivierwirkung des dotierten Siliziumdioxidfilms verbessert wird. Mit Phosphor wird üblicherweise in einer Konzentration von 8 χ 1020 bis 2 χ 1021 Atome/cm! dotiert. Mit Arsen kann bis zur
gleichen Konzentration dotiert werden.
Nach der Ausbildung des dotierten Siliziumdioxidfilms 14 erfolgt ein Anlassen oder Glühen für etwa IO min bei etwa IOOO°C in einer oxydierenden oder nichtoxydierenden Atmosphäre, worauf die unerwünschten Verunreinigungen oder l-remdntome durch Was 'en mit Phosphorylchlorid (POCIj) entfernt werden. Schließlich wird der dotierte Siliziumdioxidfilm selektiv weggeätzt, um vorbestimmte Abschnitte des Halbleitersubstrats freizulegen. Danacn wird eine Metallschicht, etwa eine Aluminiumschichl, aufgedampft, und eine Elektrode 15 gemäß Fig. IH wird durch selektives Photoätzen der Metallschicht ausgebildet.
Beim beschriebenen Ausführungsbeispiel wird der polykristalline Si-FiIm 12 durch thermische Zersetzung vc.n SiH< gebildet. Wenn diese thermische Zersetzung in Gegenwar! von Phosphor oder eines Gemisches aus Phosphor und Arsen durchgeführt wird, ist der erhaltene polykristalline SiFiIm mit Phosphor bzw. Phosphor und Arsen dotiert, wodurch die Passivierungswirkung des poly-Si-Films weiter verbessert wird. Die Dotierung mit Phosphor und Arsen erfolgt in der vorher angegebenen Konzentration.
F i g. 2 veranschaulicht den Rauch- oder Störsignalerzeugungszustand einmal eines nach dem erfindungsgemäßen Verfahren hergestellten Transistors und zum anderen eines Transistors gemäß dem Stand der Technik, d. h. eines solchen, der noch den bei der Forr.jng der Halbleiterbereiche als Maske benutzten Siliziumdioxidfilm trägt. In F i g. 2 sind auf der Ordinate der Störsignalfaktor NF in dB und auf der Abszisse die Frequenz in Hz aufgetragen. Die ausgezogene Linie bezieht sich auf die Erfindung und die gestrichelte Linie auf den Stand der Technik. Die in F i g. 2 ausgewerteten
Werte wurde unter folgenden Bedingungen erhalten: Kollektorstrom /( = Ι00μΛ; Spannung zwischen Kollektor und Emitter Vr1 = JV und Signalquellenwiderstand Rg = I kii. F i g. 2 läßt einen deutlichen Vorteil der Erfindung gegenüber dem Stand der Technik in bezug auf die I /f-Störsignalerzeugung erkennen.
Fig. 3 verdeutlicht die Beziehung zwischen dem Stromverstärkungsfaktor B und der Aushaltespannung V( ,υ zwischen Kollektor und Emitter, d. h. der zwischen letzteren auszuhaltenden Spannung, zum einen für den nach dem erfindungsgemäßen Verfahren hergestellten Transistor und zum anderen für den Transistor gemäß dem Stand der Technik. Dabei bezieht sich die ausgezogene Linie auf die Erfindung und die gestrichelte Linie auf den Stand der Technik. F-' i g. 3 zeigt deutlich, daß der erfindungsgemäß hergestellte Transistor eine merklich höhere Aushaltespannung Ve«) besitzt als der nach dem bisher üblichen Verfahren hergestellte Transistor. Hieraus folgt, daß der erfindungsgemäß hergestellte Transistor nur einen bemerkenswert niedrigen Fluß eines Erzeugungs-Rekombinationsstroms auf der Oberfläche des Halbleiterbereichs zuläßt, und zwar verglichen mit dem nach dem Stand der Technik hergestellten Transistor.
Eine nach dem erfindungsgemäßen Verfahren hergestellte Halbleitervorrichtung vermag ein nur niedriges Störsignal zu erzeugen, und sie kann eine auffällig hohe Aushaltespannung besitzen.
Das vorstehend beschriebene Ausführungsbeispiel erläutert die Anwendung der Erfindung auf die Herstellung eines Transistors in einer integrierten Schaltkreis-Vorrichtung. Die Erfindung ist jedoch auch weitgehend auf die Herstellung von Halbleitervorrichtungen, beispielsweise von Dioden, Thyristoren, FETs usw., anwendbar.
Hierzu 2 Blatt Zeichnungen

Claims (17)

Patentansprüche:
1. Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung, bei dem in vorhergehenden Verfahrensstufen verwendete Maskenfilme abgetragen werden und dadurch die Gesamtoberfläche des Halbleitersubstrats freigelegt wird, bei dein sodann auf der freigelegten Substratoberfläche ein erster Isolierfilm ausgebildet wird, auf dessen Oberfläche selektiv ein polykristalliner Siliziumfilm hergestellt wird, der den ersten Isolierfilm an vorherbestirnrnbaren Stellen bedeckt, dadurch gekennzeichnet, daß die Maskenfilme (8) nach der Herstellung sämtlicher für die Halbleitervorrichtung im Halbleitersubstrat (1) erforderlichen Halbleiterbereiche (2 bis 6) abgetragen werden, und daß auf dem vom polykristallinen Siliziumfilm (\2a)unbedeckten Bereichen des ersten Isolierfilms (11) unter Heranziehung des polykristallinen Films (i2a) als Maske selektiv ein zweiter isolierfilm ausgebildet wird.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß ein Halbleitersubstrat (1) aus Silizium verwendet wird.
3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß der selektiv ausgebildete polykristalline Siliziumfilm (12a,) in der Weise hergestellt wird, daß auf der Gesamtoberfläche des ersten Isolierfilm;) (11) ein durchgehender polykristalliner Siliziumfilm (12) durch chemisches Aufdampfen m'ttels thermischer Zersetzung von Monosilan ausgebildet wird und "'orbestimmte Bereiche des durchgehenden polykristallinen Siliziumfilms durch Ätzen selektiv abgetragen werden.
4. Verfahren nach Anspruch 2 oder 3, dadurch gekennzeichnet, daß der erste Isolierfilm (11) aus Siliziumdioxid hergestellt wird.
5. Verfahren nach Anspruch 4. dadurch gekennzeichnet, daß der erste Isolierfilm (II) durch Erhitzen des Halbleitersubstrats in einem Mischgasstrom aus gasförmigem Wasserstoff, gasförmigem Sauerstoff und einem Gas einer halogenhaltigen Verbindung hergestellt wird.
6. Verfahren nach Anspruch A oder 5, dadurch gekennzeichnet, daß der zweite Isolierfilm (13a, \3b) aus Siliziumdioxid hergestellt wird.
7. Verfahren nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß das Siliziumdioxid des zweiten Isolierfilms (13a, Hindurch Erhitzendes Halbleitersubstrats in einer oxydierenden Atmosphäre gebildet wird, wobei sich der zweite Isolierfilm (13a, 136^ in die unter den unbedeckten Bereichen des ersten Isolierfilms (I I) gelegenen Abschnitte des Substrats und über den selektiv ausgebildeten polykristallinen Siliziumfilm (12ajerstreckt.
8. Verfahren nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, daß als oxydierende Atmosphäre für die Herstellung des zweiten Isolierfilms (13a, Mb) ein Misciigasstrom aus gasförmigem Wasserstoff, gasförmigem Sauerstoff und einem Gas einer halogenhaltigen Verbindung benutzt wird.
9. Verfahren nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß die thermische Zersetzung von Monosilan in Gegenwart von Phosphor oder eines Gemisches aus Phosphor und Arsen durchgeführt wird.
10. Verfahren nach Anspruch 'S, dadurch gekennzeichnet, daß für die Herstellung des ersten Isolierfilms als halogenhaltige Verbindung Chlorwasserstoff oder Trichloräthylen verwendet wird.
11. Verfahren nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß der zweite Isolierfilm (Ma) auf dem selektiv ausgebildeten polykristallinen Siliziumfilm (12ajdicker ist als der zweite Isolierfilm (Mb)&u\ den unbedeckten Bereichen des ersten Isolierfilms (11).
12. Verfahren nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, daß für die Herstellung des zweiten Isolierfilms als halogenhaltige Verbindung Chlorwasserstoff oder Trichloräthylen verwendet wird.
13. Verfahren nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, daß durch Oxydieren von Monosilan in Gegenwart von Phosphor oder eines Gemisches aus Phosphor und Arsen ein mit Phosphor oder einem Gemisch aus Phosphor und Arsen dotierter Siliziumdioxidfilm (14) über dem zweiten Isolierfilm (13a, 13tyausgebildet wird.
14. Verfahren nach Anspruch 13, dadurch gekennzeichnet, daß die Halbleitervorrichtung ein Transistor mil Kollektor-, Basis- und Emitterbereichen ist.
15. Verfahren nach Anspruch 14, dadurch gekennzeichnet, daß der erste Isolierfilm (11) etwa 0,15 μιη dick ist.
16. Verfahren nach Anspruch 15, dadurch gekennzeichnet, daß der zurückgebliebene polykristalline Siliziumfilm (\2a) auf den Abschnitten des ersten Isolierfilms (11) angeordnet ist, welche den Basis- und Emitterbereichen entsprechen, und daß er eine Dicke von etwa 0,8 μπι besitzt.
17. Verfahren nach Anspruch 16, dadurch gekennzeichnet, daß der zweite Isolierfilm (Ma) an\ den unbedeckten Bereichen des ersten Isolierfilms (11) etwa 0,4 μπι und daß der zweite Isolierfilm (Mb) auf dem verbliebenen polykristallinen Siliziumfilm (12a^etwa 0,5 μπι dick ist.
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