DE2734439A1 - Integrierte schaltungsbaugruppe und herstellungsverfahren dafuer - Google Patents

Integrierte schaltungsbaugruppe und herstellungsverfahren dafuer

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DE2734439A1
DE2734439A1 DE19772734439 DE2734439A DE2734439A1 DE 2734439 A1 DE2734439 A1 DE 2734439A1 DE 19772734439 DE19772734439 DE 19772734439 DE 2734439 A DE2734439 A DE 2734439A DE 2734439 A1 DE2734439 A1 DE 2734439A1
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Description

PATENTANWÄLTE
Dr. phil. G. B. HAGEN Dlpl.-Phys. W. KALKOFF 8000 MÜNCHEN 71 (Solln)
Franz-Hals-Straße 21 Tel. (089)796213/795431
AMP 3742
München, 25. Juli 1977 sch
AMP Incorporated Eisenhower Boulevard Harrisburg, Pa. (V. St. A.)
Integrierte Schaltungsbaugruppe und Herstellungsverfahren
dafür
Priorität: 30. Juli 1976; V.St.A.; Nr. 710 043
AMP "*ΠΛ?
Die Erfindung bezieht sich auf eine integrierte Schaltungobaugruppe und ein Herstellungsverfahren dafür.
Integrierte Schaltungen werden heute in großem Umfang z. B. in Uhren, Rechnern usw. verwendet, und es besteht ein Bedarf für ein Verfahren, mit dem derartige Schaltungen in Form sog. Chips bzw. Substrate in einfacher Weise vollautomatisch als Baugruppen herstellbar sind. Die Baugruppen sollten gegen* das Eindringen von Gasen oder Feuchtigkeit hermetisch dicht sein, viodurch ihre Standzeit verlängert wird.
Das Verfahren nach der Erfindung zum Herstellen einer integrierten Schaltungsbaugruppe ist gekennzeichnet durch Befestigen eines integrierten SchaltungoSubstrats in einem Hohlraum eines Rahmens aus elektrischem Isolierstoff, wobei das Substrat elektrisch mit Zuleitungen verbunden ist, die sich vom Hohlraum durch den Rahmen zum Anschluß an externe Schaltungen erstrecken, Ausfüllen des Hohlraums um das Substrat mit einer gelartigen Dichtungsmasse, und Einpressen eines Verschlußteils in Reibungseingriff mit dem Rahmen, wodurch die Dichtungsmasse verdichtet und der Hohlraum hermetisch dicht gemacht wird.
Die integrierte Schaltungsbaugruppe nach der Erfindung ist gekennzeichnet durch einen einen Hohlraum definierenden Rahmen aus elektrischem Isolierstoff; ein integriertes Schaltungssubstrat, das im Hohlraum aufgenommen ist; sich vom Substrat durch den Rahmen erstreckende elektrische Zuleitungen zum Anschluß an externe Schaltungen; eine das Substrat im Hohlraum umgebende gelartige Dichtungsmasse;
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amp Zl-,:: . - 7 -
und ein den Hohlraum vorachlioPcndcc Vorochlv.fVfccil, O.aa in RcibungGoingriff in Rahmen nitst.
Die Erfindiing v/ird nachstehend cmho.nd von Auaführungnboiopielon näher erläutertβ Tr1 r,oJßcnz
Pig. 1 ein Bloclrh.i.n.rl clen VorAali??cno nach dor Fr-
Fig. ?. o.lno Drauf nicht auf oinp ToIm von Eixba traten T)W. Chipn für integrierte Schaltungen;
Fig. 3 oino DrrAifDicht auf oino otornförmigo Zii.ieitupgDcinhoit, clio num DQfoatigon eines Subotrato vcrv/ondot v/ird;
Pig. 4 die otornfUrmigo SuloitungDcinlieit nach
Fig. 5, auf öor oin Cixbotrat bofootigt int;
Fig. 5 eine Drai\fDicht a\tf eino Mehrsohl von elolctriDchcn Zitloitungon, auf die oin Rahmen vv.a loolicratoff auf Geformt iot;
Fig. 6 den Rahmen nach Fig. 5, v/obei daraiif die
aus ZulcitungDeinheit und Substrat bootehordo Untergruppe nach Fig. 4 befestigt iot;
Fig. 7 eine Ansicht der anderen Seite der Anordnung nach Fig. 6}
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ATT Γ742 -S-
IMg. 8, Rchnittpno.lehlien VIJI-VIII nnch und 10 Fig. 7, die Vorfahrcnoachritte verdeutlichen;
Pig. 11 cine Poropoktivo.nn.lcht eier Anordnung nach Fig. Π, anf dor die Untergruppe aus Zi-tloitvmgocinhoit imd Subctrat angeordrrot iot;
Pig. 12 eine Pornpoktivannicht do?.·· Euoammongc-
fügten Anordnung nach Fig. 11 , v.'oboi ein Teil v/eggobrochen iot;
Pig. 13 cine Schnittanoicht oinea ersten Λν.ο-ftihrungDboispiolD der Daugrixppo nach der Erfindung; und
Pig. H eine Schnittanoicht cinoo sv/citon AuoführungnboiopiolG dor Eaugruppo nach der Erfindung.
Nach Fig. 1 werden elektrische Zuleitungorahmcn (b. B. cni sprechend den Fig. 11 und 12) von einem Vorrat 1 einer Formstation 2 zugeführt, an der ein Rahmen aus elektrischem Isolierstoff (ζ. B. nach den Fig. 11 und 12) auf jeden Zuleitungsrahmen geformt v/ird. Sternförmige ZnIoitungseinheiten (z. B. nach Fig. 3) v/erden von einem Vorrat 3 entnommen und zusammen mit integrierten Schaltungssubstraten bzw. -chips von einem Vorrat 4 einer Montagestation 5 zugeführt, an der ein Substrat auf jeder
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AMP 3742 - 9 -
sternförmigen "uleituni5no.inho.it. cmgoorrtnot wird, no rlnß eine Anordnung nach Fig. 4 erhalten v/ird. Die au3 Zuleitungseinheit und Substrat bestehenden Untergruppen v/erden dann einer Montagestation 6 zugeführt, an der jeweils eine solche Untergruppe im Rahmen je einer von der Formstation 2 zugoführten, aus Zuleitungen und Rahmen bestehenden Untergruppe befestigt v/ird, so daß eine Anordnung nach den Fig. 6 und 7 erhalten v/ird. Die aus "uloitunkrahmen, ntornfUrmiflor EiiToitungooinhoi b und Substrat bontohondo Frvugmppo xiXvft flp.nn oinor orrrton Verschließstation 7 zugeführt, on der ein Verschlußtoil in den Rahmen eingepreßt v/ird, 00 daß dcoGon oino Hol to verschlossen ist (vgl. Fig. 0); daraufhin v/ird clio Baugruppe einer zv/oiten Verschlioßatation 0 zugeführt, an der der Hohlraum im Rahmen mit einer gelartigen Dichtungsmasse, z. B. Silikongol, gefüllt v/ird (vgl. Fig. 9), und schließlich wird sie einer dritten Verschlicßstation 9 zugeführt, an der ein sv/eitor Verochlußtoil in den Raiunon eingepreßt wird, dessen offene Seite verschließt ftnd gleichzeitig daa Dichtungsgel verdichtet, so daß die erhaltene Baugruppe zuverlässig hermetisch dicht ist (vgl. Fig. 10).
Das vorstehend erläuterte Verfahren hat den Vorteil, daß es leicht vollautomatisch durchführbar ist; dabei ergibt sich durch das Einpressen der Verschlußteile in den Rahmen, in dem sie ausschließlich durch Reibungseingriff gehalten werden, der zusätzliche Vorteil, daß die Verschlußteile jeweils; durch einen Hub einer geeigneten automatischen Vorrichtung an den Stationen 7 und 9 gefertigt und eingepaßt werden können.
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Pig. 2 zeigt mehrere integrierte Schaltungssubstrate bzw. -chips 10, deren jedes um seinen Rand mit mehreren Anschlußflächen 11 ausgebildet ist. Es sind viele Verfahren zum Herstellen solcher Substrate bekannt, und Einzelheiten brauchen daher nicht erläutert zti werden.
Fig..3 zeigt eine sternförmige Zuleitungseinheit, bestehend aus mehreren konvergierenden Zuleitungen 12, die auf einer Isolierstoffolie 13 angeordnet sind. Die Isolierstofffolie 13 ist mit einem Fenster 14 ausgebildet, und die Zuleitungen 12 verlaufen oowohl übor dao Fenster 14 nlo auch über den Rand der Folie 13.
In Fig. 4 ist die sternförmige Zuleitungseinheit nach Fig. mit einem über dem Fenster 14 angeordneten Substrat 10 nach Fig. 2 versehen, wobei die Anschlußflächen 11 des Substrats 10 z. B. durch Beaufschlagen mit Wärme oder Ultraschall mit den Innenenden der Zuleitungen 12 verbunden sind. Solche Untergruppen werden an der Befestigungsstation 5 nach Fig. 1 hergestellt.
Fig. 5 zeigt einen Teil einer Zuleitungsrahmeneinheit, bestehend aus mehreren elektrischen Zuleitungen 15, die einen Teil eines vollständigen Zuleitungsrahmens nach Fig. 11 bilden. Ein Rahmen 16 aus elektrischem Isolierstoff ist in bekannter Weise auf den Zuleitungen aufgeformt, wobei sich die Zuleitungen 15 von innerhalb des Rahmens 16 durch den Rahmen 15 nach außen erstrecken. Überflüssige Teile des Zuleitungsrahmens werden anschließend in üblicher Weise entfernt, so daß die Zuleitungen 15 elektrisch voneinander getrennt und dann in ihrer Lage durch den Rahmen 16 gehaltert sind. Die aus Zuleitungen und Rahmen bestehende
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Untergruppe nach Pig. 5 wird an der Forrastation 2 nach Pig. 1 hergestellt.
In Pig. 6 ist auf der Untergruppe nach Fig. 5 eine aus sternförmigen Zuleitungen und Substrat bestehende Untergruppe nach Fig. 4 angeordnet, wobei die äußeren Enden der 'Zuleitungen 12 der sternförmigen Zuleitungeeinheit mit den inneren Enden der elektrischen Zuleitungen 15 verbunden sind, so daß das Substrat 10 in dem durch den Rahmen 16 gebildeten Hohlraum 17 aufgenommen let. Die Anschlüsse zwischen den Zuleitungen 12 und 15 sind mit bekannten Verfahren, s, B. durch Wärme-Druck-Verbinden, hergestellt, und die Zuleitungen sind bevorzugt mit einem Edelmetall, z. B* Gold oder Silber, beschichtet.
Flg. 7 zeigt die Rückseite der Baugruppe nach Flg. 6, die an der Befestigungsstation 6 hergestellt wird.
Die Schnittansicht von Fig. 8 veranschaulicht den an der Station 7 nach Fig. 1 ausgeführten Verfahrensschritt. Ein aus Isolierstoff bestehendes Verschlußteil 18 wird in den Hohlraum 17 des Rahmens 16 eingepreßt und darin durch Reibungseingriff gehalten; es verschließt nur eine Seite des Hohlraums 17.
In Fig. 9 ist die Baugruppe mit dem eingepreßten Verschlußteil 18 dargestellt. An der Station 8 nach Fig. 1 wird der Hohlraum 17 im wesentlichen mit einer gelartigen Dichtungsmasse 19, z. B. einem Silikongel mit niedrigem molekularem Vernetzungsgrad, angefüllt, woraufhin ein zweites Verschlußteil 18 in den Rahmen eingepreßt wird und die offene Seite
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AMP 3742 - 12 -
des Hohlraums 17 verschließt; dieser Schritt wird an der Station 9 nach Pig. 1 durchgeführt. Während des Einpressens des zweiten Verschlußteils 18 wird die Dichtungsmasse 19 verdichtet und fließt, so daß sie alle im Hohlraum 17 und zwischen den Rändern der Verschlußteile 18 und dem Rahmen 16 vorhandenen Zwischenräume ausfüllt; dadurch wird die erhaltene Baugruppe wirksam hermetisch dicht gemacht·
Fig. 10 zeigt die so hergestellte fertige Baugruppe nach der Erfindung.
Fig. 11 verdeutlicht den an der Station 6 nach Fig. 1 durchgeführten Verfahrensschritt. Eine sternförmige Zuleitungseinheit, die ein Substrat 10 trägt, ist aus einem Streifen 20 gestanzt worden, bevor sie in den Hohlraum 17 der aus Zuleitungen und Rahmen bestehenden Einheit eingesetzt wird.
Nach den Fig. 12 und 13 Weist der Hohlraum 17 auch eine leitfähige Erdungsplatte 21 auf, auf der das Substrat 10 sitzt und die über eine der Zuleitungen 15 mit der Außenseite des Rahmens 16 verbunden ist.
Ferner sind nach Fig. 13 die Zuleitungen 15 um den Rahmen 16 gebogen und bilden Kontakte zum Herstellen von Anschlüssen an die fertige dichte Baugruppe.
Bei dem erläuterten Verfahren wird zwar nur ein Substrat im Hohlraum 17 befestigt; es ist aber ersichtlich, daß erforderlichenfalls auch zwei aus sternförmigen Zuleitungen und Substrat bestehende Untergruppen an der Station 6
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AMP 3742 - 13 -
nach Flg. 1 montierbar sind, wobei die flulcitunken 12 dor beiden Untergruppen mit gegenüberliegenden Seiten der Zuleitungen 15 der aus Zuleitungen und Rahmen bestehenden Untergruppe verbunden werden. Das Verschließen und Abdichten des Hohlraums 17 erfolgt dann in der vorstehend erläuterten Weise.
Eine solche Baugruppe ist in Pig. 14 dargestellt, wobei auch eine Erdungsplatte zwischen den beiden Substraten angeordnet ist.
Sie Verschlußteile 18 sind zwar als aus Isolierstoff bestehend erläutert worden, sie können jedoch auch aus leitfähigem Werkstoff bestehen, was für das untere Verschlußteil der Baugruppe nach Pig. 13 besonders vorteilhaft ist.
709885/1080
AU-
Leerseite

Claims (8)

  1. AMP 3742 f
    P a t e η t a nap rüche
    1 J Verfahren zum Herstellen einer integrierten Schaltungsiaugruppe,
    gekennzeichnet durch
    Befestigen eines integrierten Schaltungssubstrats in einem Hohlraum eines Rahmens aus elektrischem Isolierstoff, wobei das Substrat elektrisch mit Zuleitungen verbunden ist, die sich vom Hohlraum durch den Rahmen zum Anschluß an externe Schaltungen erstrecken,
    Ausfüllen des Hohlraums um das Substrat mit einer gelartigen Dichtungsmasse, und
    Einpressen eines Verschlußteils in Reibungseingriff mit dem Rahmen, wodurch die Dichtungsmasse verdichtet und der Hohlraum hermetisch dicht gemacht wird.
  2. 2. Verfahren nach Anspruch 1,
    dadurch gekennzeichnet,
    daß der Hohlraum ursprünglich auf zwei einander gegenüberliegenden Seiten offen ist, und daß ein Verschlußteil in Reibungseingriff in dem Rahmen eingepaßt wird, um beide gegenüberliegende Seiten des Hohlraums zu verschließen, die Dichtungsmasse zu verdichten und den Hohlraum hermetisch dicht zu machen·
    709886/1080 original inspected
    273AA39
    AMP 3742
  3. 3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, gekennzeichnet durch
    Befestigen des Substrats auf einer sternförmigen Zuleitungseinheit, bestehend aus mehreren auf einer Isolierstofffoli'e angeordneten, konvergierenden Zuleitungen, vor dem Befestigen des Substrats im Hohlraum, wobei das Substrat mit den Zuleitungen der sternförmigen Zuleitungseinheit elektrisch und dio Zuloltungon dor stornfürmlßon Zuloitunßo· einheit mit den sich in den Hohlraum erstreckenden Zuleitungen elektrisch verbunden sind.
  4. 4. Integrierte Schaltungsbaugruppe, gekennzeichnet durch
    einen einen Hohlraum (17) definierenden Rahmen (16) aus elektrischem Isolierstoff;
    ein integriertes Schaltungssubstrat (10), das im Hohlraum (17) aufgenommen ist;
    sich vom Substrat (10) durch den Rahmen (16) erstreckende elektrische Zuleitungen (15) zum Anschluß an externe Schaltungen;
    eine das Substrat (10) im Hohlraum (17) umgebende gelartige Dichtungsmasse (19); und
    ein den Hohlraum (17) verschließendes Verschlußteil (18), das in Reibungseingriff im Rahmen (16) sitzt.
    709886/1080
    AMP 3742 -JK-
  5. 5. Baugruppe nach Anspruch 4»
    dadurch gekennzeichnet,
    daß der Hohlraum (17) auf zwei gegenüberliegenden Seiten durch in Reibungseingriff eingepreßte Verschlußteile (18) verschlossen ist.
  6. 6. Baugruppe nach Anspruch 4 oder 5, dadurch gekennzeichnet,
    daß das Substrat (10) auf einer sternförmigen Zuleitungseinheit, bestehend aus mehreren auf einer Isolierstofffolie (13) angeordneten, konvergierenden Zuleitungen (12), angeordnet ist, wobei das Substrat (10) mit den Zuleitungen (12) der sternförmigen Zuleitungseinheit und diese (12) wiederum mit den elektrischen Zuleitungen (15), die sich durch den Rahmen (16) erstrecken, elektrisch verbunden sind.
  7. 7· Baugruppe nach Anspruch 4, 5 oder 6, gekennzeichnet durch
    eine in dem Hohlraum (17) angeordnete leitfähige Erdungsplatte (21), auf der das Substrat (10) sitzt und die mit einer sich durch den Rahmen (16) erstreckenden Zuleitung (15) verbunden ist.
    709885/1080
  8. 8. Baugruppe nach einem der Ansprüche 4-7, dadurch gekennzeichnet,
    daß die Dichtungsmasse (19) ein Silikongel ist.
    709885/1080
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SE (1) SE423846B (de)

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2743241A1 (de) * 1976-09-27 1978-03-30 Amp Inc Zweiteiliger elektrischer verbinder zum befestigen eines elektrischen bauteils auf einem substrat
DE3029123A1 (de) * 1979-08-01 1981-02-19 Hitachi Ltd Kunststoffgekapselte halbleitervorrichtung und verfahren zu ihrer herstellung
DE3022840A1 (de) * 1979-08-30 1981-03-19 Burr-Brown Research Corp., Tucson, Ariz Gekapselte schaltungsanordnung und verfahren zu ihrer herstellung
EP0116148A1 (de) * 1982-12-28 1984-08-22 GAO Gesellschaft für Automation und Organisation mbH Ausweiskarte mit integriertem Schaltkreis
DE3504948A1 (de) * 1984-02-17 1985-08-22 SGS-ATES Componenti Elettronici S.p.A., Catania Einreihige integrierte elektronische komponente und verfahren zur herstellung derselben
DE3616969A1 (de) * 1986-05-20 1987-11-26 Bosch Gmbh Robert Gehaeuse fuer integrierte schaltkreise
CN112951791A (zh) * 2019-12-11 2021-06-11 江苏长电科技股份有限公司 堆叠式封装结构及封装方法

Families Citing this family (141)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4326214A (en) * 1976-11-01 1982-04-20 National Semiconductor Corporation Thermal shock resistant package having an ultraviolet light transmitting window for a semiconductor chip
US4136357A (en) * 1977-10-03 1979-01-23 National Semiconductor Corporation Integrated circuit package with optical input coupler
US4195193A (en) * 1979-02-23 1980-03-25 Amp Incorporated Lead frame and chip carrier housing
FR2456390A1 (fr) * 1979-05-11 1980-12-05 Thomson Csf Grille d'encapsulation, microboitier de circuit electronique utilisant cette grille et procede d'encapsulation de circuit electronique en microboitier
US4258411A (en) * 1979-05-21 1981-03-24 Bell Telephone Laboratories, Incorporated Electronic device packaging arrangement
US4289922A (en) * 1979-09-04 1981-09-15 Plessey Incorporated Integrated circuit package and lead frame
NL8020334A (de) * 1980-02-12 1982-01-04 Mostek Corporation Te Carrollton, Texas, Ver. St. V. Am.
US4330790A (en) * 1980-03-24 1982-05-18 National Semiconductor Corporation Tape operated semiconductor device packaging
US4364620A (en) * 1980-09-05 1982-12-21 Mostek Corporation Socket for housing a plurality of integrated circuits
US4549247A (en) * 1980-11-21 1985-10-22 Gao Gesellschaft Fur Automation Und Organisation Mbh Carrier element for IC-modules
DE3123198C2 (de) * 1980-12-08 1993-10-07 Gao Ges Automation Org Trägerelemente für einen IC-Baustein
US4391531A (en) * 1980-12-19 1983-07-05 Timex Corporation Electrooptical display/lead frame subassembly and timepiece module including same
US4381602A (en) * 1980-12-29 1983-05-03 Honeywell Information Systems Inc. Method of mounting an I.C. chip on a substrate
US4527185A (en) * 1981-01-12 1985-07-02 Avx Corporation Integrated circuit device and subassembly
US4454529A (en) * 1981-01-12 1984-06-12 Avx Corporation Integrated circuit device having internal dampening for a plurality of power supplies
EP0069733A1 (de) * 1981-01-15 1983-01-19 Mostek Corporation Integrierte schaltungseinheit
FR2498814B1 (fr) * 1981-01-26 1985-12-20 Burroughs Corp Boitier pour circuit integre, moyen pour le montage et procede de fabrication
JPS57181146A (en) * 1981-04-30 1982-11-08 Hitachi Ltd Resin-sealed semiconductor device
US4496965A (en) * 1981-05-18 1985-01-29 Texas Instruments Incorporated Stacked interdigitated lead frame assembly
US5055704A (en) * 1984-07-23 1991-10-08 Sgs-Thomson Microelectronics, Inc. Integrated circuit package with battery housing
US4574297A (en) * 1981-07-15 1986-03-04 Rohm Company Limited Encapsulated semiconductor with terminals having tabs to increase solder wetting
JPS5875863A (ja) * 1981-10-13 1983-05-07 フエアチヤイルド・カメラ・アンド・インストルメント・コ−ポレ−シヨン ハイブリツド回路モジユ−ル及びその製造方法
FR2521350B1 (fr) * 1982-02-05 1986-01-24 Hitachi Ltd Boitier porteur de puce semi-conductrice
JPS58169948A (ja) * 1982-03-30 1983-10-06 Fujitsu Ltd 樹脂封止型半導体装置
US4445736A (en) * 1982-03-31 1984-05-01 Amp Incorporated Method and apparatus for producing a premolded packaging
JPS58153459U (ja) * 1982-04-07 1983-10-14 三菱電機株式会社 半導体装置
JPS592152U (ja) * 1982-06-28 1984-01-09 富士通株式会社 リ−ド付チツプキヤリア
US4594770A (en) * 1982-07-15 1986-06-17 Olin Corporation Method of making semiconductor casing
US4480262A (en) * 1982-07-15 1984-10-30 Olin Corporation Semiconductor casing
US5357057A (en) * 1982-10-12 1994-10-18 Raychem Corporation Protected electrical connector
US4633573A (en) * 1982-10-12 1987-01-06 Aegis, Inc. Microcircuit package and sealing method
US4477828A (en) * 1982-10-12 1984-10-16 Scherer Jeremy D Microcircuit package and sealing method
JPS59189662A (ja) * 1983-04-13 1984-10-27 Fujitsu Ltd 樹脂封止型半導体装置
US4567545A (en) * 1983-05-18 1986-01-28 Mettler Rollin W Jun Integrated circuit module and method of making same
US4736520A (en) * 1983-11-04 1988-04-12 Control Data Corporation Process for assembling integrated circuit packages
US4663650A (en) * 1984-05-02 1987-05-05 Gte Products Corporation Packaged integrated circuit chip
IT1180514B (it) * 1984-07-27 1987-09-23 Arcotroniks Italia Spa Procedimento per la realizzazione di involucri protettivi in cui risultano annegati corrispondenti componenti elettrico elettronici
US4783697A (en) * 1985-01-07 1988-11-08 Motorola, Inc. Leadless chip carrier for RF power transistors or the like
GB2174538A (en) * 1985-04-24 1986-11-05 Stanley Bracey Semiconductor package
JPS628639U (de) * 1985-06-28 1987-01-19
JPH0325410Y2 (de) * 1985-08-10 1991-06-03
US4754317A (en) * 1986-04-28 1988-06-28 Monolithic Memories, Inc. Integrated circuit die-to-lead frame interconnection assembly and method
US4809135A (en) * 1986-08-04 1989-02-28 General Electric Company Chip carrier and method of fabrication
US4800419A (en) * 1987-01-28 1989-01-24 Lsi Logic Corporation Support assembly for integrated circuits
US4874722A (en) * 1987-04-16 1989-10-17 Texas Instruments Incorporated Process of packaging a semiconductor device with reduced stress forces
US4878108A (en) * 1987-06-15 1989-10-31 International Business Machines Corporation Heat dissipation package for integrated circuits
US4977009A (en) * 1987-12-16 1990-12-11 Ford Motor Company Composite polymer/desiccant coatings for IC encapsulation
US4939014A (en) * 1987-12-16 1990-07-03 Ford Motor Company Composite polymer/desiccant coatings for IC encapsulation
US4852250A (en) * 1988-01-19 1989-08-01 Microelectronics And Computer Technology Corporation Hermetically sealed package having an electronic component and method of making
US4872260A (en) * 1988-01-19 1989-10-10 Gte Products Corporation Method of making pre-formed lead-ins for an IC package
US5019892A (en) * 1988-02-18 1991-05-28 Amp Incorporated Chip carrier with accumulator
JPH0760880B2 (ja) * 1988-02-20 1995-06-28 ドイチエ・アイティーティー・インダストリーズ・ゲゼルシャフト・ミト・ベシュレンクタ・ハフツンク 半導体装置、その製造方法、その方法を実行するための装置、および組立装置
US5058800A (en) * 1988-05-30 1991-10-22 Canon Kabushiki Kaisha Method of making electric circuit device
FR2634616B1 (fr) * 1988-07-20 1995-08-25 Matra Procede de montage de micro-composants electroniques sur un support et produit realisable par le procede
US5121298A (en) * 1988-08-16 1992-06-09 Delco Electronics Corporation Controlled adhesion conductor
US4959751A (en) * 1988-08-16 1990-09-25 Delco Electronics Corporation Ceramic hybrid integrated circuit having surface mount device solder stress reduction
US5205036A (en) * 1988-10-17 1993-04-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of manufacturing a semiconductor device with selective coating on lead frame
US5276351A (en) * 1988-10-17 1994-01-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Electronic device and a manufacturing method for the same
US5092034A (en) * 1988-12-19 1992-03-03 Hewlett-Packard Company Soldering interconnect method for semiconductor packages
US5101550A (en) * 1989-02-10 1992-04-07 Honeywell Inc. Removable drop-through die bond frame
US5074036A (en) * 1989-02-10 1991-12-24 Honeywell Inc. Method of die bonding semiconductor chip by using removable frame
US4979289A (en) * 1989-02-10 1990-12-25 Honeywell Inc. Method of die bonding semiconductor chip by using removable non-wettable by solder frame
JP2855719B2 (ja) * 1989-03-20 1999-02-10 セイコーエプソン株式会社 半導体装置
US5142444A (en) * 1989-08-31 1992-08-25 Hewlett-Packard Company Demountable tape-automated bonding system
US5182424A (en) * 1989-10-31 1993-01-26 Vlastimil Frank Module encapsulation by induction heating
US5159750A (en) * 1989-12-20 1992-11-03 National Semiconductor Corporation Method of connecting an IC component with another electrical component
EP0473796A4 (en) * 1990-03-15 1994-05-25 Fujitsu Ltd Semiconductor device having a plurality of chips
US5530292A (en) * 1990-03-15 1996-06-25 Fujitsu Limited Semiconductor device having a plurality of chips
US5231756A (en) * 1990-05-18 1993-08-03 Shinko Electric Industries Co., Ltd. Process for manufacturing a multi-layer lead frame
USRE35353E (en) * 1991-05-16 1996-10-22 Shinko Electric Ind. Co, Ltd. Process for manufacturing a multi-layer lead frame
JP2765278B2 (ja) * 1991-05-31 1998-06-11 株式会社デンソー 電子装置の製造方法
US5249354A (en) * 1991-09-25 1993-10-05 American Telephone & Telegraph Co. Method of making electronic component packages
US5158467A (en) * 1991-11-01 1992-10-27 Amp Incorporated High speed bare chip test socket
US5541447A (en) * 1992-04-22 1996-07-30 Yamaha Corporation Lead frame
NL195026C (nl) * 1992-04-22 2003-06-18 Yamaha Corporation Werkwijze voor het bewerken van een raam van elektrische geleiders voor een halfgeleiderelement.
US5702985A (en) * 1992-06-26 1997-12-30 Staktek Corporation Hermetically sealed ceramic integrated circuit heat dissipating package fabrication method
US5804870A (en) * 1992-06-26 1998-09-08 Staktek Corporation Hermetically sealed integrated circuit lead-on package configuration
US5406699A (en) * 1992-09-18 1995-04-18 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Method of manufacturing an electronics package
US5324888A (en) * 1992-10-13 1994-06-28 Olin Corporation Metal electronic package with reduced seal width
US5484959A (en) * 1992-12-11 1996-01-16 Staktek Corporation High density lead-on-package fabrication method and apparatus
JPH06236820A (ja) * 1993-01-11 1994-08-23 Boam R & D Co Ltd フェライト磁性体チップビードアレイの製造方法
US5325268A (en) * 1993-01-28 1994-06-28 National Semiconductor Corporation Interconnector for a multi-chip module or package
KR960000706B1 (ko) * 1993-07-12 1996-01-11 한국전기통신공사 전력소자용 플라스틱 패키지 구조 및 그 제조방법
US5477611A (en) * 1993-09-20 1995-12-26 Tessera, Inc. Method of forming interface between die and chip carrier
US5332944A (en) * 1993-10-06 1994-07-26 Cline David J Environmentally sealed piezoelectric switch assembly
US5567166A (en) * 1994-04-08 1996-10-22 Berg Technology, Inc. Low profile connector and processes for making and using the same
US5915170A (en) * 1994-09-20 1999-06-22 Tessera, Inc. Multiple part compliant interface for packaging of a semiconductor chip and method therefor
US5923538A (en) * 1994-10-17 1999-07-13 Lsi Logic Corporation Support member for mounting a microelectronic circuit package
JP3039355B2 (ja) * 1996-02-06 2000-05-08 ソニー株式会社 フィルム回路の製造方法
ATE224100T1 (de) * 1994-11-25 2002-09-15 Ami Doduco Gmbh Zum aufnehmen von elektronischen und/oder mikromechanischen bauteilen bestimmtes gehäuse aus einem kunststoff, in welches leiterbahnen hineinführen
FR2732509B1 (fr) * 1995-03-31 1997-06-13 Sgs Thomson Microelectronics Boitier de montage d'une puce de circuit integre
KR100214463B1 (ko) * 1995-12-06 1999-08-02 구본준 클립형 리드프레임과 이를 사용한 패키지의 제조방법
DE19530577B4 (de) * 1995-08-19 2005-03-10 Conti Temic Microelectronic Gehäuse für mikroelektronische Bauelemente und Verfahren zu seiner Herstellung
KR100473015B1 (ko) * 1995-12-05 2005-05-16 루센트 테크놀러지스 인크 전자장치패키지
EP0914758B1 (de) * 1997-04-25 2004-10-27 Koninklijke Philips Electronics N.V. Verfahren zur herstellung von umhüllten elektrischen, elektronischen oder elektromagnetischen bauelementen mit geringen ausmassen
US6544820B2 (en) * 1997-06-19 2003-04-08 Micron Technology, Inc. Plastic lead frames for semiconductor devices, packages including same, and methods of fabrication
US5879965A (en) * 1997-06-19 1999-03-09 Micron Technology, Inc. Plastic lead frames for semiconductor devices, packages including same, and methods of fabrication
US5883459A (en) * 1997-07-21 1999-03-16 Balboa Instruments Inc. Electrical switch assembly encapsulated against moisture intrusion
US6087200A (en) * 1998-08-13 2000-07-11 Clear Logic, Inc. Using microspheres as a stress buffer for integrated circuit prototypes
JP3301985B2 (ja) * 1998-10-07 2002-07-15 新光電気工業株式会社 半導体装置の製造方法
US6323060B1 (en) 1999-05-05 2001-11-27 Dense-Pac Microsystems, Inc. Stackable flex circuit IC package and method of making same
US6262895B1 (en) 2000-01-13 2001-07-17 John A. Forthun Stackable chip package with flex carrier
JP3733114B2 (ja) * 2000-07-25 2006-01-11 株式会社メヂアナ電子 プラスチックパッケージベース及びエアキャビティ型パッケージ
DE10038092A1 (de) * 2000-08-04 2002-02-14 Bosch Gmbh Robert Verfahren zur elektrischen Verbindung eines Halbleiterbauelements mit einer elektrischen Baugruppe
US20030234443A1 (en) * 2001-10-26 2003-12-25 Staktek Group, L.P. Low profile stacking system and method
US7026708B2 (en) 2001-10-26 2006-04-11 Staktek Group L.P. Low profile chip scale stacking system and method
US20050009234A1 (en) * 2001-10-26 2005-01-13 Staktek Group, L.P. Stacked module systems and methods for CSP packages
US7656678B2 (en) 2001-10-26 2010-02-02 Entorian Technologies, Lp Stacked module systems
US20060255446A1 (en) * 2001-10-26 2006-11-16 Staktek Group, L.P. Stacked modules and method
US6576992B1 (en) * 2001-10-26 2003-06-10 Staktek Group L.P. Chip scale stacking system and method
US7053478B2 (en) * 2001-10-26 2006-05-30 Staktek Group L.P. Pitch change and chip scale stacking system
US7485951B2 (en) * 2001-10-26 2009-02-03 Entorian Technologies, Lp Modularized die stacking system and method
US6914324B2 (en) * 2001-10-26 2005-07-05 Staktek Group L.P. Memory expansion and chip scale stacking system and method
US7371609B2 (en) * 2001-10-26 2008-05-13 Staktek Group L.P. Stacked module systems and methods
US7202555B2 (en) * 2001-10-26 2007-04-10 Staktek Group L.P. Pitch change and chip scale stacking system and method
US20040195666A1 (en) * 2001-10-26 2004-10-07 Julian Partridge Stacked module systems and methods
US20050056921A1 (en) * 2003-09-15 2005-03-17 Staktek Group L.P. Stacked module systems and methods
US7310458B2 (en) 2001-10-26 2007-12-18 Staktek Group L.P. Stacked module systems and methods
US6940729B2 (en) * 2001-10-26 2005-09-06 Staktek Group L.P. Integrated circuit stacking system and method
US6956284B2 (en) * 2001-10-26 2005-10-18 Staktek Group L.P. Integrated circuit stacking system and method
US7081373B2 (en) 2001-12-14 2006-07-25 Staktek Group, L.P. CSP chip stack with flex circuit
US20040245615A1 (en) * 2003-06-03 2004-12-09 Staktek Group, L.P. Point to point memory expansion system and method
US7542304B2 (en) * 2003-09-15 2009-06-02 Entorian Technologies, Lp Memory expansion and integrated circuit stacking system and method
JP4334335B2 (ja) * 2003-12-24 2009-09-30 三洋電機株式会社 混成集積回路装置の製造方法
US20060033187A1 (en) * 2004-08-12 2006-02-16 Staktek Group, L.P. Rugged CSP module system and method
US20060043558A1 (en) * 2004-09-01 2006-03-02 Staktek Group L.P. Stacked integrated circuit cascade signaling system and method
US20060055024A1 (en) * 2004-09-14 2006-03-16 Staktek Group, L.P. Adapted leaded integrated circuit module
US20060118936A1 (en) * 2004-12-03 2006-06-08 Staktek Group L.P. Circuit module component mounting system and method
US7473889B2 (en) * 2004-12-16 2009-01-06 Avago Technologies Ecbu Ip (Singapore) Pte. Ltd. Optical integrated circuit package
US7309914B2 (en) 2005-01-20 2007-12-18 Staktek Group L.P. Inverted CSP stacking system and method
US20060175693A1 (en) * 2005-02-04 2006-08-10 Staktek Group, L.P. Systems, methods, and apparatus for generating ball-out matrix configuration output for a flex circuit
US20060244114A1 (en) * 2005-04-28 2006-11-02 Staktek Group L.P. Systems, methods, and apparatus for connecting a set of contacts on an integrated circuit to a flex circuit via a contact beam
US7033861B1 (en) 2005-05-18 2006-04-25 Staktek Group L.P. Stacked module systems and method
JP4544181B2 (ja) * 2006-03-03 2010-09-15 セイコーエプソン株式会社 電子基板、半導体装置および電子機器
US7380721B2 (en) * 2006-08-22 2008-06-03 Honeywell International Inc. Low-cost compact bar code sensor
US7417310B2 (en) 2006-11-02 2008-08-26 Entorian Technologies, Lp Circuit module having force resistant construction
JP4970401B2 (ja) * 2007-10-16 2012-07-04 株式会社東芝 半導体装置
JP2010182917A (ja) * 2009-02-06 2010-08-19 Panasonic Corp パッケージ部品
JP5272778B2 (ja) * 2009-02-13 2013-08-28 パナソニック株式会社 センサ部品
US20110042137A1 (en) * 2009-08-18 2011-02-24 Honeywell International Inc. Suspended lead frame electronic package
JP5229271B2 (ja) * 2010-05-19 2013-07-03 三菱電機株式会社 半導体装置

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1188728B (de) * 1962-05-12 1965-03-11 Bosch Gmbh Robert Halbleiteranordnung
US3629668A (en) * 1969-12-19 1971-12-21 Texas Instruments Inc Semiconductor device package having improved compatibility properties
DE2230863A1 (de) * 1972-06-23 1974-01-17 Intersil Inc Verpackung bzw. verkapselung von halbleitervorrichtungen bzw. verfahren zu deren herstellung

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3544857A (en) * 1966-08-16 1970-12-01 Signetics Corp Integrated circuit assembly with lead structure and method
FR1544385A (fr) * 1967-11-13 1968-10-31 Tesla Np Semi-conducteur à paramètres électriques stables
US3509430A (en) * 1968-01-31 1970-04-28 Micro Science Associates Mount for electronic component
US3763404A (en) * 1968-03-01 1973-10-02 Gen Electric Semiconductor devices and manufacture thereof
US3627901A (en) * 1969-12-19 1971-12-14 Texas Instruments Inc Composite electronic device package-connector unit
US3767839A (en) * 1971-06-04 1973-10-23 Wells Plastics Of California I Plastic micro-electronic packages
US3778685A (en) * 1972-03-27 1973-12-11 Nasa Integrated circuit package with lead structure and method of preparing the same
US3802069A (en) * 1972-05-04 1974-04-09 Gte Sylvania Inc Fabricating packages for use in integrated circuits
US3832480A (en) * 1972-07-07 1974-08-27 Gte Sylvania Inc Intermediate package and method for making
JPS5046485A (de) * 1973-08-28 1975-04-25
JPS5236537Y2 (de) * 1973-12-30 1977-08-19

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1188728B (de) * 1962-05-12 1965-03-11 Bosch Gmbh Robert Halbleiteranordnung
US3629668A (en) * 1969-12-19 1971-12-21 Texas Instruments Inc Semiconductor device package having improved compatibility properties
DE2230863A1 (de) * 1972-06-23 1974-01-17 Intersil Inc Verpackung bzw. verkapselung von halbleitervorrichtungen bzw. verfahren zu deren herstellung

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2743241A1 (de) * 1976-09-27 1978-03-30 Amp Inc Zweiteiliger elektrischer verbinder zum befestigen eines elektrischen bauteils auf einem substrat
DE3029123A1 (de) * 1979-08-01 1981-02-19 Hitachi Ltd Kunststoffgekapselte halbleitervorrichtung und verfahren zu ihrer herstellung
DE3022840A1 (de) * 1979-08-30 1981-03-19 Burr-Brown Research Corp., Tucson, Ariz Gekapselte schaltungsanordnung und verfahren zu ihrer herstellung
EP0116148A1 (de) * 1982-12-28 1984-08-22 GAO Gesellschaft für Automation und Organisation mbH Ausweiskarte mit integriertem Schaltkreis
US4746392A (en) * 1982-12-28 1988-05-24 Gao Gesellschaft Fur Automation Und Organisation Mbh Method for producing an identification card with an integrated circuit
US5013900A (en) * 1982-12-28 1991-05-07 Gao Gesellschaft Fur Automation Und Organisation Mbh Identification card with integrated circuit
DE3504948A1 (de) * 1984-02-17 1985-08-22 SGS-ATES Componenti Elettronici S.p.A., Catania Einreihige integrierte elektronische komponente und verfahren zur herstellung derselben
DE3616969A1 (de) * 1986-05-20 1987-11-26 Bosch Gmbh Robert Gehaeuse fuer integrierte schaltkreise
CN112951791A (zh) * 2019-12-11 2021-06-11 江苏长电科技股份有限公司 堆叠式封装结构及封装方法

Also Published As

Publication number Publication date
CA1069220A (en) 1980-01-01
ES462978A1 (es) 1978-06-01
JPS6143851B2 (de) 1986-09-30
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GB1524776A (en) 1978-09-13
JPS6229908B2 (de) 1987-06-29
BE857125A (fr) 1978-01-25
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ES461133A1 (es) 1978-06-01
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FR2360174B1 (de) 1983-01-21
FR2360174A1 (fr) 1978-02-24
DE2734439C2 (de) 1988-08-25
NL7707424A (nl) 1978-02-01
SE423846B (sv) 1982-06-07
US4079511A (en) 1978-03-21
JPS5317276A (en) 1978-02-17
BR7704965A (pt) 1978-04-25

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