DE2752559B2 - Dickschichtvaristor - Google Patents

Dickschichtvaristor

Info

Publication number
DE2752559B2
DE2752559B2 DE2752559A DE2752559A DE2752559B2 DE 2752559 B2 DE2752559 B2 DE 2752559B2 DE 2752559 A DE2752559 A DE 2752559A DE 2752559 A DE2752559 A DE 2752559A DE 2752559 B2 DE2752559 B2 DE 2752559B2
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
oxide
weight
thick film
zinc
varistor
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
DE2752559A
Other languages
English (en)
Other versions
DE2752559A1 (de
DE2752559C3 (de
Inventor
Masaki Hirakata Aoki
Mitsuhiro Sakai Ohtani
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Matsushita Electric Industrial Co Ltd filed Critical Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Publication of DE2752559A1 publication Critical patent/DE2752559A1/de
Publication of DE2752559B2 publication Critical patent/DE2752559B2/de
Application granted granted Critical
Publication of DE2752559C3 publication Critical patent/DE2752559C3/de
Expired legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01CRESISTORS
    • H01C7/00Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material
    • H01C7/10Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material voltage responsive, i.e. varistors
    • H01C7/105Varistor cores
    • H01C7/108Metal oxide

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Thermistors And Varistors (AREA)
  • Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
  • Glass Compositions (AREA)

Description

Die Erfindung betrifft einen Dickschichtvaristor mit einer Schicht aus feinzerteilten Teilchen eines als « Hauptbestandteil vorliegenden Metalloxids, die in einer Glasfritte dispergiert sind, wobei das Metalloxid einen Zusatz wie Wismutoxid (Bi2O3) eingebaut erhält
Bei einem bekannten derartigen Dickschichtvaristor (DE-AS 21 26 240) wird eine Glasfritte mit in dieser w verteiltem ZnO verwendet was eine verhältnismäßig hohe Varistorspannung Vc zur Folge hat deren untere Grenze von IO V dargestellt wird Die die Spannungsabhängigkeit des elektrischen Widerstandes darstellenden n-Werte, die sich nach der Beziehung v>
η-UV (MIt)/UTg(V1T V1)
berechnen lassen, wobei Ki und Vj die Varistorspannungen bei durch den Dickschichtvaristor fließenden Strömen l\ bzw. /2 sind, können bei diesem bekannten m> Dicksehichtvaristor den Wert 8 erreichen.
Bekannt ist weiter ein Dickschichtvaristor mit ein«.r Dickschicht (US-PS 37 25 836), die im wesentlichen aus bis 95 Gew.-% feinzerteiltem Zinkoxid (ZnO) besteht, das in 5 bis 70 Gew.-% Glasfritte dispergiert ist, μ wobei das Zinkoxid 0,1 bis 8 Mol.-% Wismutoxid, Bleioxid oder Bariumoxid enthält. Die Varistorspannung dieses Dickschichtvaristors ist jedoch nicht niedrig genug, um sich zum Einsatz in integrierten Schaltungen oder zur Impulsunterdrückung bei Kleinstmotoren zu eignen.
Bekannt sind ferner halbleitende Bauelemente (DE-OS 16 46 752X die auf der Basis von SnO2 und Glas aufgebaut sind, wobei jedoch eine Spannungsabhängigkeit von Widerständen unerwünscht ist
Bekannt ist schließlich ein Oxid-Varistor vom Massetyp (DE-OS 2345753X der aus einer löschung von ZnO, MeO2 und Sb2O3 zusammengesetzt ist, wobei jedoch Glas keine Anwendung findet
Der Erfindung liegt die Aufgabe zu Grunde, einen Dickschichtvaristor der eingangs erwähnten Art so weiterzuentwickeln, daO er bei hohem η-Wert für niedrige Spannungen von einigen Volt einsetzbar ist
Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß gelöst durch die Gesamtheit der Merkmale, daß das als Hauptbestandteil vorliegende Metalloxid Zinnoxid (SnO2) ist, das eine mittlere Teilchengröße von 0,1 bis 15 μΐη aufweist und mit einem Anteil von 20 bis 82 Gew.-% in der Schicht vorliegt daß der Zusatz, der mit einem Anteil von 0,1 bis 10 Gew.-% des Zinnoxids vorliegt eines der Oxide
Wismutoxid (Bi2O3X Antimonoxid (Sb2O3X Antimonfluorid (SbF3X Kobaltoxid (Co2O3X Kupfer-I-Oxid (Cu2OX Vanadiumoxid (V2O5X MoIybdänoxid(MoO3X Wolframoxid (WO3X Zirkoniumoxid (CrO2X Zinkoxid (ZnOX Indiumoxid (In2O3X Thoriumoxid (ThO2X Titanoxid (TiO2X Manganoxid (MnO2X Nioboxid (Nb2O5X Tantaloxid (Ta2Oj) und Phosphoroxid (P2Os)
ist und daß die Glasfritte aus Zinkbariumboratglas, Wismutbariumboratglas oder Zinkantimonbariumboratglas besteht und eine mittlere Teilchengröße von 0,5 bis 15 um aufweist
Vorteilhafte Weiterbildungen des erfindungsgemäßen Dickschichtvaristors ergeben sich aus den Unteransprüchen. Der erfindungsgemäße Dickschichtvaristor eignet sich insbesondere zur Verwendung für integrierte Schaltungen.
Die einzige Figur der Zeichnung zeigt ein Anführungsbeispiel in Form eines stark vergrößerten und nicht maßstabgerechten Querschnitts durch einen erfindungsgemäßen Dickschichtvaristor.
In dieser Figur ist eine Dickschicht 3 mit feinzerteilten Teilchen aus Zinnoxid 5, die in einer Glasfritte 4 dispergiert sind, zwischen zwei Elektroden 2, 2' eingefügt, von denen eine auf einem isolierenden wärmefesten Substrat 1 angebracht ist. Bei diesem Aufbau kann die auf dem Isoliersubstrat ausgebildete Elektrode 2 durch ein geeignetes und verfügbares Metallplättchen aus beispielsweise Silber, Platin, Titan, Gold und Nickel ersetzt sein.
Ein Verfahren zur Herstellung eines Dickschichtvaristors nach der vorliegenden Erfindung umfaßt folgende Schritte: Man stellt eine Varistorpaste her, die feinzerteilte Teilchen aus Zinnoxid und feinzerteilte Teilchen von Glasfritte als feste Bestandteile enthält, die in einem flüssigen Träger dispergiert sind, trägt die Varistorpaste dann auf ein isolierendes tempe-'.turfestes Substrat auf, erwärmt die aufgetragene Varistorpaste, um den flüssigen Träger zu verdampfen und die feinzerteilien Glasfritteteilchen zu schmelzen, so daß die geschmolzene Glasiritte die feinzerteilten Zinnoxidteilchen miteinander zu einer Dickschicht verbindet, und bringt an die Dickschicht zwei Elektroden an. Dieses Verfahren läßt sich wie folgt abändern. Man träRt die
Varistorpaste auf eine zuvor auf einem Isoliersubstrat ausgebildete Elektrode ader auf ein Metallplättchen auf, das als Elektrode dient, Die folgenden Schritte entsprechen den oben ausgeführten.
Die Varistorpaste laut sich herstellen, indem man eine gleichmäßige Mischung aus Glasfrittenpulver und Zinnoxidpulver als feste Bestandteile in einem flüssigen Träger homogen dispergiert Vorzugsweise liegen in der Mischung 20 bis 85 Gew.-% Zinnoxid und 15 bis 80 Gew.-% Glasfrittenpulver vor. Der flüssige Träger kann aus einer großen Vielfalt von Substanzen gewählt werden. Beispielsweise kann man eine inerte Flüssigkeit zu diesem Zwecke einsetzen — beispielsweise Wasser, organische Lösungsmittel oder dergl. wie beispielsweise Methyl-, Äthyl-, Butyl-, Propyl- oder höhere Alkohole, Pinienöl, Alpha-Terpenol und dergL sowie die entsprechenden Ester wie Carbitolacetate, Fropionate usw, die Terpene und flüssigen Harze. Die Flüssigträger können weiterhin flüchtige Flüssigkeiten enthalten, um ein schnelles Abbinden nach dem Auftragen zu fördern, oder können Wachse, thermoplastische Harze wie Celluloseacetatbutylat ader wachsartige Substanzen enthalten, die unter Wärme auf natürlichem Wege fließfähig werden, so daß die Zusammensetzung sich auf ein Isoliersubstrat auftragen läßt
Die Menge des flüssigen Trägers relativ zum festen Bestandteil kann mit den Unterschieden der Art des Auftragens der Paste auf das Jsoliersubstrat oder die Elektrodenfläche variieren. Für den Siebdruck enthält eine ILa. geeignete Zusammensetzung der Varistorpaste 10 bis 45 Gew.-% flüssige η Träger und 55 bis 90 Gew.-% feste Bandteile. Eine bevorzugte Zusammensetzung enthält 15 bis 30 Gew.-% flüssigen Träger und 70 bis 85 Gew.-% feste Bestandteile. Vorzugsweise beträgt die Viskosität der resultierenden Paste 50 bis 200 Pa · s (= 500 bis 2000 Poise). Die Varistorpaste wird in gleichmäßiger Dicke auf das tsoliersubstrat oder die Elektrodenfläche aufgetragen; dies kann durch ein beliebiges geeignetes Verfahren geschehen. Die auf das Isoliersubstr .U aufgetragene Varistorpaste wird gegebenenfalls getrocknet, um den flüssigen Träger zu entfernen, und dann in einem Elektroofen bei einer Temperatur gebrannt, bei der die Glasfritte schmilzt, so daß das Zinnoxidpulver gebunden wird und die Varistorschicht fest am Isoliersubstrat haftet Die Brenntemperatur kann sich mit der Zusammensetzung der Glai.friUe ändern. Vorzugsweise stellt man die Brenntemperatur auf 500 bis 900°C ein.
Feinteiliges Zinnoxidpulver stellt man her, indem man gesintertes Zinnoxid pulvert, das man 0,5 bis 10 Std. bei einer Temperatur von 1000 bis IJOO0C wärmebehandelt. Das Pulvern des Zinnoxidpulvers erfolgt nach bekannten Verfahrensweisen. Das gesinterte Zinnoxid kann zunächst zu Körnchen mit einem Durchmesser von wenigen Millimetern in einer Mühle zerstoßen werden, die mit einem Stahl- oder Eisenmörser ausgerüstet ist; die Körnchen werden dann weiter zu einem feinteiligen Pulver in einer Kugel-, Schwing- oder anderen Mühle zerkleinert. Die bevorzugte mittlere Teilchengröße des Zinnoxidpulvers ist 0,1 bis 15 μπι.
Es hat sich entsprechend der vorliegenden Lrfindung herausgestellt, daß die Varistorspannung sinkt, wenn das Zinnoxidpulver 0,1 bis 15 Gew.-% einer Substanz aus der aus
Antimonoxid (Sb2O3), Antimonfluorid (SbF3), Wismutoxid (Bi2O3), Cobaltoxid (Co2O3), Kupfer-l-oxid (Cu2O", Vanadiumoxid (V2Os), Molybdänoxid (MoO3), Wolframoxid (WO3),
Zirconoxid (ZrO2), Zinkoxid (ZnO), Indmmoxjd (InA), Thoriumoxid (ThO2), Titanoxid (TiO2), Manganoxid (MnO2), Niobiumoxid (Nb2Os), Tantaloxid (Ta2O5) und
PhOSPhOrOXJd(P2O5)
bestehenden Gruppe enthält Nach der vorliegenden Erfindung steigt der η-Wert, wenn das Zinnoxidpulver im wesentlichen aus 80 bis 9935 Gew.-% Zinnoxid, 0,1 bis 10,0 Gew.-% Antimonoxid sowie insgesamt 0,05 bis 10,0 Gew.-% mindestens einer Substanz aus der aus Cobaltoxid, Manganoxid, Wismutoxid und Chromoxid bestehenden Gruppe enthält Eine Mischung des Zinnoxidpulvers und der Zusätze in gegebener Zusammensetzung wird bei 1000 bis 1500° C wärmebehandelt und dann, wie oben beschrieben, zu einem fein .eiligen Pulver zerkleinert
Für den Einsatz in der Varistorpaste asu geeignete Glasfritten sind Borsilikatglas, Wismutborsilikatglas, Zinkbariumboratglas sowie Zinkantimonbariumborat glas. Bevorzugt handelt es sich um Z::ikantimonbarium- boratfritte mit einer Zusammensetzung von im wesentlichen 10 bis 40 Gew.-% BaO, 30 bis 45 Gew.-% B2O3, 15-40 Gew.-% ZnO sowie 0.1 bis 10 Gew.-% Sb2O3-Die Glasfritte läßt sich nach an sich bekannten Verfahrensweisen der Glasfrittentechnik herstellen. Eine Mischung mit den gewünschten Ausgangsstoffen wird auf eine hohe Temperatur erwärmt, um eine Glasfritte zu bilden, und dann in Wasser abgeschreckt Die abgeschreckte Glasfritte wird zu einem Pulver mit
jo der gewünschten Teilchengröße beispielsweise unter Verwendung einer Naßkugelmühle zerkleinert. Eine vorteilhafte mittlere Teilchengröße für die Glasfritte ist
Die Elektroden 22' lassen sich nach einem beliebigen
r> geeigneten und verfügbaren Verfahren ausbilden — beispielsweise durch Aufdampfen von oder Metallisieren mit Silber. Gold, Platin, Aluminium, Kupfer und Nickel. Es hat sich nach der vorliegenden Erfindung herausgestellt, daß sich ein höherer η-Wert mit einer
M) Silberleitlackelektrode erreichen läßt, in der feinteiliges Silber in einem Glasbinder verteilt ist Es ist darauf zu achten, daß die Erweichungstemperatur des Glasbinders nicht höher als die der Glasfriue in der Varistorpaste ist Den Silberleitlack bereitet man zu,
4'> indem man eine Mischung aus Silberpulver und einem Glasfrittenpulver in einem flüssigen Träger dispergiert Die Mischung besteht bevorzugt aus 60 bis 98 Gew.-% Silberpulver und 2 bis 40 Gew.-% Glasfrittenpulver. Das Glasfrittenpulver setzt sich bevorzugt aus 60 bis 80
">o Gew.-% Wismutoxid, IO bis 20 Gew.-% Boroxid und IO bis 20 Gew.-% Zinkoxid zusammen. Das Verfahren zur Herstellung des Silberleitlacks entspricht im wesentlichen dem obenerwähnten für die Herstellung der Varistorpaste.
>*> Die folgenden Re;spiele sollen bestimmte bevorzugte Einzelheiten der vorliegenden Erfindung erläutern, die Erfindung an sich aber nicht einschränken.
Beispiel 1
Zinnoxidpulver wurde eine Stunde bei I35O°C wärmebehandelt und dann in einer Kugelmühle zu einem Pulver einer mittleren Teilchengröße von 5 μιη h"> zerkleinert. Ein GlasMttenblock mit einer Zusammensetzung von 35 Gew.-% BaO, 40 Gew.-% B2Oj, 20 Gew.-% ZnO und 5 Gew.-% Sb2O3 wurde zu einem Pulver einer mittleren Teilchensröflp vnn t um
zerkleinert. 75 Gew.-% des so hergestellten Zinnoxidpulvers und 25 Gew.-% der so hergestellten Glasfritte wurden gleichmäßig durchmischt und 80 Gewichtsteile dieser Mischung mit 20 Gewichtsteilen eines flüssigen Trägers aus 10 Gew.-% Äthylcellulose und 90 Gew.-% Alpha-Terpenol zu einer Varistorpaste gründlich vermischt.
Ein handelsüblicher Silberleitlack wurde im Siebdruck mit einer Schablone aus nichtrostendem Stahl bei einer MaschengröBe derart, daß Teilchen mit einem Durchmesser von weniger als 72 μπι hindurchgingen, auf ein keramisches Aluminiumoxidsubstrat aufgetragen und in Luft 10 min. auf 850° C in einem Rohrofen gebrannt, um eine Silberleitlackelektrode auszubilden. Die Varistorpaste wurde auf die Elektrode aufgetragen und in Luft fünf Minuten auf 850° C in dem Rohrofen gebrannt Die resultierende Dickschicht hatte eine Dicke von 30 μιη. Der Silberleitlack für die andere Elektrode wurde u/ipHpr auf Hii» \ZftriKtnrcnWinht oiifi»etro*»Är» ""(J WI£ oben beschrieben bei 8000C gebrannt, um eine Silberleitlackelektrode mit einer aktiven Fläche von 3x3 mm2 auszubilden.
Der so hergestellte Dickfilmvaristor stellt in der Tabelle 1 die Probe I dar und wies die dort angegebenen elektrischen Eigenschaften auf. In der Tabelle 1 wurde der Exponent π aus der Gleichung (1) mit den Strömen /i = i mA und h = 10 mA berechnet; Vc war die Varistorspannung bei /c = 10 mA. Durch Ändern der Gewichtsverhältnisse zwischen Zinnoxid und Glasfritte und der Zusammensetzung der Glasfritte ergaben sich fünf weitere Proben (Proben 2 bis 6); die Tabelle 1 zeigt die elektrischen Eigenschaften auch dieser Proben.
Beispiel 2
Zinnoxidpulver mit Zusätzen entsprechend der Tabelle 2 wurde zu Dickschichtvaristoren nach dem
-, gleichen Verfahren wie im Beispiel 1 verarbeitet; die hier benutzte Glasfritte war die gleiche wie für die Probe 1. Die festen Bestandteile waren 50 Gew.-% Zinnoxid und 50 Gew.-% Glasfritte. Die Dicke betrug 30 μηι wie im Beispiel 1. Die Tabelle 2 zeigt die
in resultierenden elektrischen Eigenschaften, wobei jeder η-Wert zwischen I mA und 10 mA wie im Beispiel I war. Es ist zu erkennen, daß die Zugabe von Antimonoxid, Antimonfluorid, Wismutoxid, Cobaltoxid, Kupfer-l-oxid. Vanadiumoxid, Molybdänoxid. Wolframoxid, Zirconoxid. Zinkoxid, Indiumoxid, Thoriumoxid. Titanoxid, Manganoxid, Niobiumoxid, Tantaloxid oder Phosphoroxid die Varistorspannung absenkt.
Beispiel 3
Zinnoxidpulver mit den in der Tabelle 3 angegebenen Zusätzen wurde nach dem gleichen Verfahren wie im Beispiel 1 zu Dickschichtvaristoren verarbeitet; die eingesetzte Glasfritte war die gleiche wie für die Probe 1. Die festen Bestandteile lagen zu 50Gew.-% Zinnoxid
j; und 50 Gew.-% Glasfritte vor. Die Dicke betrug 30 μιη wie im Beispiel 1. Die resultierenden elektrischen Eigenschaften sind in der Tabelle 3 angegeben, in der jeder We i n zwischen 1 mA und 10 mA wie im Beispiel 1 gilt. Wie ersichtlich, ergibt die gemeinsame Zugabe
3n von Antimonoxid und einer Substanz aus der aus Cobaltoxid. Manganoxid, Wismuto.xid und Chromoxid bestehenden Gruppe als Zusätze höhere n-Werte.
Tabelle
Probe Zinnoxid Glasfritte Zusammensetzung der Glasfritte (Gew.-%) Sb;O; BaO BjO: Varistor Exponent
5 35 40 spannung K1
5 35 40 bei 10 mA
(Gew.-%) (Gew.-%) ZnO 5 35 40 n
1 25 75 20 5 10 45 10 3.5
2 40 60 20 10 40 30 8.5 3.8
3 50 50 20 5 30 40 7.2 4.0
4 50 50 40 7.5 4.0
5 50 50 20 8.0 3.9
6 70 30 25 7.5 3.5
y. u Cl' - C -t •O Vl O -C Vl Ö Ö V1 Vi O ΓΜ O V1 O Ό 1 Vi O (—i O PM - Vi OC r-i
C O1 ο O Ö ΓΜ O
ό'
c p O1 ι
L ε ό' ό'
ο Π
'-Λ (^
."3
C ι •ί
> ^ ό -C
C Ö
O
O
C
NJ
9
ό
O
ο Vl
ό OO
> _
O O
U
ό' ^~
ο
(J ΓΜ
ca PM ΓΜ
sO
PM PM
U.
JD
cn
on
PM
r^ V1 PM
O
JO ΓΜ
cn ^-
O Γη
ο ^
O c%
O
C Vl
cn OO
ε C"*
ω
N ΓΜ
"3?
N
ell
OO ο
IO
Tu be I ie 3
Probe /iisüt/c Kiew .-%) 0.05 MnO, Ui.O, CnOi Varistor- rixpnnenl
Nr. SM), IO spannung I, η
bei (K)niA)
41 0 ' 7.1 5.2
42· 0. 0.05 7.6 6.2
43 0. 10 6.9 6.1
44 0. 0.05 7.2 6.5
45 0. 10 7.2 5.9
46 0. 0.05 0.05 7.5 5.7
47 0. 5 10 7.3 6.1
48 0. 7.8 6.3
49 6.8 5.4
50 0.05 6.5 6.5
51 5 6.3 6.3
52 0.05 6.5 7.0
53 5 6.9 6.2
54 5 0.05 7.1 6.4
55 10 5 7.0 6.3
56 5 7.1 6.8
57 5 7.2 6.5
58 5 5 7.5 6.3
59 5 10 7.0 6.9
60 5 5 7.3 6.2
61 5 IO 7.3 6.3
62 5 5 7.9 6.0
63 5 IO 7.2 6.2
64 10 Hierzu 1 Blatt Zeichnungen 7.5 6.0
10
10
10
10
ΙΟ
10
10

Claims (3)

  1. Patentansprüche;
    1, Dickschichtvaristor mit einer Schicht aus feinzerteilter Teilchen eines als Hauptbestandteil s vorliegenden Metalloxids, die in einer Glasfritte dispergiert sind, wobei das Metalloxid einen Zusatz wie Wismutoxid (Bi2O3) eingebaut enthält, gekennzeichnet durch öle Gesamtheit der Merkmale, daß das als Hauptbestandteil vorliegende Metalloxid Zinnoxid (SnCb) ist, das eine mittlere Teilchengröße von 0,1 bis 15 μΐη aufweist und mit einem Anteil von 20 bis 82 Gew.-% in der Schicht vorliegt, daß der Zusatz, der mit einem Anteil von 0,1 bis 10 Gew.-% des Zinnoxide vorliegt, eines der Oxide
    Wismutoxid (Bi2O3X Antimonoxid (Sb2O3), Antimonfluorid (SbF3), Kobaltoxid (Co2O3X Kupfer-I-Oxid (Cu2O), Vanadiumoxid (V2O5), Molybdänoxid (MoO3), Wolfrainoxid (WO3),
    Zirkoniumoxid (CrO2X Zinkoxid (ZnOX Indiumoxid (In2O3X Thoriumoxid (ThO2X Titanoxid (TiO2X Manganoxid (MnO2X Nioboxid (Nb2OsX Tantaloxid CTa2Os) und PhOSPhOiOXId(P2Os) ist, und daß die Glasfritte aus Zinkbariumboratglas, Wismutbariumboratglas oder Zinkantimonbariumboratglas besteht und eine mittlere Teilchengröße von 0(5 bis 15 μηι aufweist
  2. 2. Dickschichtvaristor nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das Zinkantimonbariumboratglas aus 15 bi» 40 Gew.-% ZnO. 0,1 bis 10 Gew.-% Sb2O3,10 bis 40 Gew. % Bar ,moxid und 30 bis 45 GeW1-1K)B2O3 besteht
  3. 3. Dickschichtvaristor nach & Spruch 1, dadurch r> gekennzeichnet, daß der Zusatz im Zinnoxid 0,1 bis 10 Gew.-% Sb2O3 und 0,05 bis 10 Gew.-% einer Substanz aus der CO2O3, MnO2, Bi2O3 und Cr2O3 bestehenden Gruppe ist
    40
DE2752559A 1976-11-26 1977-11-22 Dickschichtvaristor Expired DE2752559C3 (de)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP14245076A JPS5366561A (en) 1976-11-26 1976-11-26 Thick film varistor composition

Publications (3)

Publication Number Publication Date
DE2752559A1 DE2752559A1 (de) 1978-06-01
DE2752559B2 true DE2752559B2 (de) 1980-06-19
DE2752559C3 DE2752559C3 (de) 1981-04-02

Family

ID=15315582

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE2752559A Expired DE2752559C3 (de) 1976-11-26 1977-11-22 Dickschichtvaristor

Country Status (6)

Country Link
US (1) US4333861A (de)
JP (1) JPS5366561A (de)
CA (1) CA1095181A (de)
DE (1) DE2752559C3 (de)
FR (1) FR2372498A1 (de)
GB (1) GB1543900A (de)

Families Citing this family (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4490014A (en) * 1979-05-10 1984-12-25 General Electric Company Liquid crystal display with low capacitance zinc oxide varistor
DE3033511C2 (de) * 1979-09-07 1994-09-08 Tdk Corp Spannungsabhängiger Widerstand
JPS57194479A (en) * 1981-05-25 1982-11-30 Ngk Insulators Ltd Heating element
FR2512578A1 (fr) * 1981-09-04 1983-03-11 Thomson Csf Procede de fabrication de varistance, a couche epaisse sur un substrat de circuit hybride, et varistance ainsi obtenue
US4652397A (en) * 1984-12-17 1987-03-24 E. I. Du Pont De Nemours And Company Resistor compositions
US4779162A (en) * 1987-03-16 1988-10-18 Rte Corporation Under oil arrester
JP2556151B2 (ja) * 1989-11-21 1996-11-20 株式会社村田製作所 積層型バリスタ
US5294374A (en) * 1992-03-20 1994-03-15 Leviton Manufacturing Co., Inc. Electrical overstress materials and method of manufacture
EP0589560B1 (de) * 1992-09-23 1997-10-22 The Whitaker Corporation Vorrichtung zum Schutz gegen elektrische Überbeanspruchung
US5428195A (en) * 1994-01-31 1995-06-27 General Electric Company Current limiter unit for molded case circuit breakers
US5742223A (en) * 1995-12-07 1998-04-21 Raychem Corporation Laminar non-linear device with magnetically aligned particles
GB9713169D0 (en) * 1997-06-23 1997-08-27 Cookson Matthey Ceramics Plc Glass frit
US6124026A (en) * 1997-07-07 2000-09-26 Libbey-Owens-Ford Co. Anti-reflective, reduced visible light transmitting coated glass article
US6128168A (en) * 1998-01-14 2000-10-03 General Electric Company Circuit breaker with improved arc interruption function
US6144540A (en) * 1999-03-09 2000-11-07 General Electric Company Current suppressing circuit breaker unit for inductive motor protection
US6157286A (en) * 1999-04-05 2000-12-05 General Electric Company High voltage current limiting device
US7763189B2 (en) * 2001-05-16 2010-07-27 E. I. Du Pont De Nemours And Company Dielectric composition with reduced resistance
JP4432489B2 (ja) * 2003-12-25 2010-03-17 パナソニック株式会社 静電気対策部品の製造方法
DE102004044648A1 (de) * 2004-09-15 2006-03-30 Epcos Ag Varistor
EP1946336A1 (de) * 2005-10-19 2008-07-23 Littelfuse Ireland Development Company Limited Varistor und herstellungsverfahren
WO2008035319A1 (en) * 2006-09-19 2008-03-27 Littelfuse Ireland Development Company Limited Manufacture of varistors comprising a passivation layer
US10531555B1 (en) * 2016-03-22 2020-01-07 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army Tungsten oxide thermal shield
CN111233461A (zh) * 2020-03-18 2020-06-05 新疆大学 高耐受浪涌电流SnO2压敏电阻陶瓷的方法

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3669907A (en) * 1966-12-07 1972-06-13 Matsushita Electric Ind Co Ltd Semiconductive elements
GB1346851A (en) * 1971-05-21 1974-02-13 Matsushita Electric Ind Co Ltd Varistors
DE2126340C3 (de) * 1971-05-24 1973-10-25 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd., Kadoma, Osaka (Japan) Mit Elektroden versehener Dick schichtwiderstand
DE2345753C3 (de) * 1972-09-11 1978-03-09 Tokyo Shibaura Electric Co., Ltd., Kawasaki, Kanagawa (Japan) Metalloxid-Varistor
US4065743A (en) * 1975-03-21 1977-12-27 Trw, Inc. Resistor material, resistor made therefrom and method of making the same
US4041436A (en) * 1975-10-24 1977-08-09 Allen-Bradley Company Cermet varistors
US4051074A (en) * 1975-10-29 1977-09-27 Shoei Kagaku Kogyo Kabushiki Kaisha Resistor composition and method for its manufacture
US4215020A (en) * 1978-04-03 1980-07-29 Trw Inc. Electrical resistor material, resistor made therefrom and method of making the same

Also Published As

Publication number Publication date
FR2372498B1 (de) 1981-12-11
CA1095181A (en) 1981-02-03
DE2752559A1 (de) 1978-06-01
US4333861A (en) 1982-06-08
JPS5631724B2 (de) 1981-07-23
JPS5366561A (en) 1978-06-14
DE2752559C3 (de) 1981-04-02
FR2372498A1 (fr) 1978-06-23
GB1543900A (en) 1979-04-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE2752559C3 (de) Dickschichtvaristor
DE2617226C2 (de) Paste und Verfahren zur Bildung eines elektrischen Dickfilmleiters
DE2735484C2 (de) Verfahren zur Herstellung von Dickfilm-Varistoren mit Zinkoxid als Hauptkomponente
DE102005026731B4 (de) Mehrschichtchipvaristor
DE2912402C2 (de)
WO2002101105A1 (de) Bleifreies lötmittel
DE2336581A1 (de) Verfahren zur herstellung einer transparenten heizscheibe und nach dem verfahren hergestellte heizscheiben
DE1771503B2 (de) Thermisch kristallisierbares glas und glaskeramik auf der basis sio tief 2-pbo-bao-al tief 2 o tief 3tio tief 2 und ihre verwendung
DE69818122T2 (de) Paste für einen Dickschichtwiderstand
EP0443323B1 (de) Blei-Zink-Borosilikatglas und Verwendung des Glases
DE2710199C2 (de) Widerstandsmasse
DE1640524A1 (de) Elektrischer Widerstand
DE1465087A1 (de) Herstellung von Widerstaenden
DE2305728C3 (de) Siebdruckfähige, zur Herstellung von elektrischen Schalteinrichtungen, insbesondere Heißleiterelementen, geeignete, an Luft einbrennbare, glashaltige Masse
DE602005001242T2 (de) Eine Dickschicht-Widerstandspaste, ein Dickschicht-Widerstand hergestellt unter Verwendung der Dickschicht-Widerstandspaste und eine elektronische Vorrichtung umfassend den Dickschicht-Widerstand
DE3101015C2 (de) Verfahren zur Herstellung einer Cermet-Widerstandsschicht, insbesondere für Potentiometer
DE3900741A1 (de) Verfahren zum abschliessen eines bleigefuellten kondensators und danach hergestellter kondensator
DE2607454B2 (de) Selbst spannungsabhängiger Widerstand auf der Basis von Zinkoxid
DE1911703C3 (de) Widerstand-Masse
DE2635699A1 (de) Elektrischer widerstand und verfahren zur herstellung desselben
DE2349233B2 (de) Matrix aus photoleitenden zellen
DE1948034C3 (de) Halbleiterelement mit Ohm sehen Kontakt
DE2627930A1 (de) Verfahren zur herstellung von dickfilm-varistoren aus metalloxiden
DE2636954B2 (de) Spannungsabhangiger Widerstand (Varistor) und Verfahren zu seiner Herstellung
DE2900298C2 (de)

Legal Events

Date Code Title Description
OAP Request for examination filed
OD Request for examination
C3 Grant after two publication steps (3rd publication)