DE2924920A1 - Verfahren zur herstellung grobkristalliner oder einkristalliner metalloder legierungsschichten - Google Patents

Verfahren zur herstellung grobkristalliner oder einkristalliner metalloder legierungsschichten

Info

Publication number
DE2924920A1
DE2924920A1 DE19792924920 DE2924920A DE2924920A1 DE 2924920 A1 DE2924920 A1 DE 2924920A1 DE 19792924920 DE19792924920 DE 19792924920 DE 2924920 A DE2924920 A DE 2924920A DE 2924920 A1 DE2924920 A1 DE 2924920A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
production
substrate
monocrystalline
metal
layer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
DE19792924920
Other languages
English (en)
Other versions
DE2924920C2 (de
Inventor
Guenther Dr Ing Menzel
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Siemens AG
Original Assignee
Siemens AG
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Siemens AG filed Critical Siemens AG
Priority to DE19792924920 priority Critical patent/DE2924920A1/de
Priority to EP80102974A priority patent/EP0021087B1/de
Priority to US06/157,826 priority patent/US4372989A/en
Priority to JP8340780A priority patent/JPS569299A/ja
Publication of DE2924920A1 publication Critical patent/DE2924920A1/de
Application granted granted Critical
Publication of DE2924920C2 publication Critical patent/DE2924920C2/de
Granted legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B1/00—Single-crystal growth directly from the solid state
    • C30B1/02—Single-crystal growth directly from the solid state by thermal treatment, e.g. strain annealing
    • C30B1/06—Recrystallisation under a temperature gradient
    • C30B1/08—Zone recrystallisation
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B1/00—Single-crystal growth directly from the solid state
    • C30B1/02—Single-crystal growth directly from the solid state by thermal treatment, e.g. strain annealing
    • C30B1/023—Single-crystal growth directly from the solid state by thermal treatment, e.g. strain annealing from solids with amorphous structure
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S117/00—Single-crystal, oriented-crystal, and epitaxy growth processes; non-coating apparatus therefor
    • Y10S117/903—Dendrite or web or cage technique
    • Y10S117/904—Laser beam
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S148/00—Metal treatment
    • Y10S148/092—Laser beam processing-diodes or transistor
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S148/00—Metal treatment
    • Y10S148/093—Laser beam treatment in general

Description

SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT Unser Zeichen Berlin und München YPA 7g P 7 0 8 0 RRD
Verfahren zur Herstellung grobkristalliner oder einkristalliner Metall- oder Legierungsschichten.
Die vorliegende Patentanmeldung betrifft ein Verfahren zur Herstellung grobkristalliner oder einkristalliner Metall- oder Legierungsschichten auf Substraten aus Keramik, Glas oder Silizium durch umwandlung einer amorphen Schicht in den grobkristallinen oder einkristallinen Zustand.
Metall- oder Legierungsschichten auf Substraten aus Keramik, Glas oder Silizium werden in der Elektrotechnik vielfach verwendet. Solche dünnen Metallschichten dienen beispielsweise als Leiterbahnstrukturen, elektrische Widerstände oder Kondensatoren in der Halbleitertechnologie. Diese in der Dünnschichttechnik eingesetzten Metallschichten sind häufig großen thermischen Belastungen (Dauerbellastung: ca. 1500C; Kurzzeitbelastung: ca. 4-OOOc) ausgesetzt. Trotzdem muß die Langzeitstabilität der Schichteigenschaften, insbesondere auch der elektrischen Eigenschaften gewährleistet sein.
25
Die Metallschichten liegen nach ihrer Herstellung durch Edt 1 Lk /14.6.1979
030064/0094
z.B. "Aufstäuben" (Sputtern) oder Aufdampfen auf Glas, Keramik oder Silizium meist in feinkristalliner Form vor. Bei höheren Temperaturen kann ein unkontrolliertes Wachsen der Kristallite einsetzen, was in vielen Fällen zu einer wesentlichen Veränderung der Schichteigenschaften führen kann.
Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es daher, die abgeschiedenen Schichten vor ihrer Verwendung, z.B. in integrierten Halbleiterschaltungen so zu stabilisieren, daß sie bei höheren Temperaturen oder langem Einsatz keine Eigenschaftsänderungen zeigen.
Es ist bekannt, die Schichtstabilisierung bei höherer Temperatur (T>-4000C) durch eine Wärmebehandlung zu bewirken. Diese Temperung kann jedoch sehr ungünstig sein, da die auf dem Substrat bereits vorhandenen elektrischen Bauelemente durch die erhöhte Temperatur stark verändert werden können, weil z.B. im Falle von metallischen Leiterbahnen beim einsetzenden unkontrollierten Kristallwachstum Korngrenzen quer zur Leiterbahn entstehen können. Solche Korngrenzen erhöhen die Ausfallquote der leiterbahnen, da an ihnen, wie der Zeitschrift "Thin Solid Films" 16(1973) auf den Seiten 227 bis 236 zu entnehmen ist, bevorzugt Stofftransport durch Elektromigration auftritt.
Aus der deutschen Offenlegungsschrift 27 27 659 ist ein Verfahren der eingangs.genannten Art zum Herstellen einkristalliner dünner Metallschichten bekannt, bei dem stabile Schichteigenschaften dadurch erzielt werden, daß die vorzugsweise aus Tantal bestehenden Metallschichten bei tiefer Substrattemperatur in amorpher bzw. stark gestörter Form, z.B. bei -1600C auf dem Substrat niedergeschlagen werden und anschließend durch vergleichsweise geringe Erwärmung des Substrats zur Kristallisation gebracht wer-
030064/0094
den. Auf diese Weise werden kohärente Gitterbereiche von <4nm bei Erwärmen des Substrates bis auf ca. -9O0C auf Kristalle mit einem Korndurchmesser von mindestens 7Qum vergrößert. Diese Schichten behalten auch bei sehr viel höheren Temperaturen (höher als 40O0C) ihre Eigenschaften bei, obwohl sie beim Herstellvorgang keiner höheren Temperatur als -9O0C ausgesetzt waren.
Das der Erfindung zugrundeliegende Verfahren löst die . Überführung der amorphen bzw. gestörten Schicht in den grob- oder einkristallinen Zustand nicht durch eine über das gesamte Substrat erfolgende Wärmeleitung, wie es in der deutschen Offenlegungsschrift 27 27 659 beschrieben ist, sondern auf eine andere, elegantere Art, welche es gestattet, mit relativ wenig Energie den Kristallisationsvorgang gezielt auf definierte Bereiche des Substrats zu beschränken und so die auf bzw. in dem Substrat enthaltenen elektrischen Bauelemente vor zu großen thermischen Belastungen zu schützen.
Die lösung der erfindungsgemäßen Aufgabe besteht darin, daß durch einen gebündelten Wärme- oder Lichtstrahl auf dem, weiter auf der Abscheidetemperatur gehaltenen, mit der amorphen Schicht versehenen Substrat lokal und gezielt Kristallisationskeime erzeugt werden, die als Ausgangspunkt für eine einkristalline Kristallisationsfront auf der Subs trat ο be rf lache wirken und daß durch eine steuerbare Strahlführung bewirkt wird, daß sich diese Kristallisationsfront gleichmäßig in die gewünschte Richtung erstreckt.
Es liegt im Rahmen der Erfindung, eine monochromatische Lichtquelle, vorzugsweise einen gebündelten Laserstrahl zu verwenden und ggf. die Strahlführung durch einen Computer zu steuern.
030064/0094
79 ρ 7 ο 8 0 BRD
Durch die mit dem gebündelten Wärme- oder Lichtstrahl lokal und gezielt auf dem weiter auf der Abscheidetemperatur ,-die in einem Bereich τοη Zimmertemperatur bis ca. -16O0C liegen kann,-gehaltenen Substrat erzeugten Kristallisationskeime wird die Anzahl der bei bekannten Verfahren insgesamt entstehenden Kristallisationskeime drastisch reduziert, was sich im weiteren in einer verringerten Kornzahl und damit in einer gesteigerten Kristallitgröße mit stabileren Schichteigenschaften äußert. Da das beschichtete Substrat bei der Umwandlung weiter auf tiefer Temperatur gehalten wird, entstehen keine zusätzlichen Keime durch Inhomogenitäten der Substratoberfläche, welche durch Verunreinigungen oder Energiespitzen verursacht werden könnten.
In einer Weiterbildung des Erfindungsgedankens ist vorgesehen, zur Bestrahlung definiert geformter Flächen bzw. Linien auf der Metallschicht den auf die amorphe Schicht auftreffenden gebündelten Strahl durch eine Vorrichtung nach dem Prinzip eines Fotoapparatverschlusses mit einstellbarer Geschwindigkeit bezüglich seiner Fokussierung zu verändern. Dadurch wird eine steuerbare Strahlführung - welche auch computergesteuert sein kann - erzielt, mit deren Hilfe die Kristallisationsfront gleichmäßig in gewünschte Richtungen geführt wird. Auf diese Weise wird auch die zufällige Entstehung von Kristallisationskeimen verhindert, so daß sich sehr große, in ihrer Form beeinflußbare bzw. einkristalline Schichten bilden.
Der durch die Bestrahlung ausgelöste Kristallisationsvorgang in einer amorphen bzw. gestörten Schicht erfordert relativ wenig Energie und erfolgt sehr rasch; das hat den Vorteil, daß nicht das gesamte beschichtete Substrat in umständlicher und zeitraubender Weise erwärmt werden muß.
Außerdem kann der Kristallisationsvorgang auf definierte
030064/0 094
Bereiche beschränkt bleiben, wodurch die auf dem Substrat bereits vorhandenen elektrischen Bauelementstrukturen in keiner Weise geschädigt werden.
Durch das Verfahren nach der Lehre der Erfindung ist die Möglichkeit gegeben, strukturierte Bahnen, z.B. Leiterbahnen oder auch ausgewählte Siliziumbereiche, wie sie beispielsweise für Kontaktelektroden bei Solarzellen erforderlich sind, in einkristalliner Form herzustellen. Dabei wird die Schicht bei relativ tiefer Temperatur in amorpher oder stark gestörter Form entweder strukturiert auf dem Substrat abgeschieden oder auch nach ganzflächiger Abscheidung mittels einer Fotoätztechnik strukturiert und anschließend durch geschwindigkeitsgesteuertes und möglicherweise mehrfaches Abfahren der Struktur mittels des gebündelten Lichtstrahles z.B. mittels eines computergesteuerten Laserstrahls, in die einkristalline Form übergeführt. Während der Umwandlung wird das Substrat weiter auf der Abscheidetemperatur gehalten, um die Entstehung zusätzlicher Kristallisationskeime zu verhindern.
Eine geeignete Formgebung der Struktur, z.B. ein Mäander, kann zusätzlich die Keimauswahl beeinflussen bzw. erleichtern und damit die sogenannte "Dünnhalsmethode11 ersetzen.
Im folgenden wird die Erfindung anhand zweier Ausführungpbeispiele und der Figuren 1 und 2 noch näher erläutert. Dabei zeigt Figur 1 eine Anordnung unter Verwendung eines gesteuerten Laserstrahls und Figur 2 die Ausbildung der Kristallisationsfront unter Verwendung des Prinzips eines Fotoapparatverschlusses. In Figur 1 ist im Schnitt und in der Draufsicht eine Anordnung, bestehend aus einem Keramiksubstrat 1 und einer durch ein Sputterverfahren bei -1600C aufgebrachten amorphen Tantalschicht 2 gezeigt, welche mit einem - in einer auch weiter entfernbaren
0 30 064/00 9 4
-fr- YPA 79 P 7 0 3 0 BRO
-?■
(siehe Pfeil 10) - Laserliclrfcquelle 3 erzeugten und gebündelten Laserstrahl 4 in Pfeilrichtung 9 überstrichen wird. Dabei ist der Bereich 5 der aufgesputterten Schicht 2 bereits in die einkristalline Form übergegangen, während der Bereich 6 (gestrichelt dargestellt) noch mit dem Laserstrahl überfahren werden soll. Die restlichen Bereiche der Schicht 2 bleiben als amorphe bzw. gestörte Schicht bestehen. Der Doppelpfeil 7 soll die variable Einstrahlrichtung andeuten. Durch ein Kühlsystem 8 wird das beschichtete Keramiksubstrat (1, 2) während der Bestrahlung auf konstanter Kühltemperatur (-16O0C) gehalten.
In Figur 2 gelten für gleiche Teile die gleichen Bezugszeichen wie in Figur 1. Der Übersichtlichkeit wegen ist die Laserquelle mit dem mechanischen Verschluß in der Figur nicht dargestellt. Der auf der beschichteten Substratoberfläche (1, 2) durch das Öffnen des Verschlusses spontan entstehende Kristallisationskeim 11 vergrößert sich in Richtung der Pfeile 12 und bildet in der in der Figur 2 dargestellten Weise die einkristalline Fläche Dabei kann der Verschluß in einer Weise geöffnet werden, daß jede beliebige Fläche entstehen kann.
8 Patentansprüche
2 Figuren
030064/0094
L e e r s e
ite

Claims (8)

  1. 292A920
    YPA
    79 P 7 O 3 O BRO
    Patentansprüche
    ΙΑ; Verfahren zur Herstellung grobkristalliner oder einkristalliner Metall- oder Legierungsschichten aus Substraten aus Keramik, Glas oder Silizium durch Umwandlung einer amorphen Schicht in den grobkristallinenen oder einkristallinen Zustand, dadurch gekennz e ichne t, daß durch einen gebündelten Wärmeoder Lichtstrahl auf dem weiter auf Abscheidetemperatur gehaltenen, mit der amorphen Schicht versehenen Substrat lokal und gezielt Kristallisationskeime erzeugt werden, die als Ausgangspunkt für eine einkristaliine Kristallisationsfront auf der Substratoberfläche wirken, und daß durch eine steuerbare Strahlführung bewirkt wird, daß sich diese Kristallisationsfront gleichmäßig in die gewünschte Richtung erstreckt.
  2. 2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennze ichne t, daß eine monochromatische Lichtquelle verwendet wird.
  3. 3· Verfahren nach den Ansprüchen 1 und/oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß eine Laserstrahlquelle verwendet wird.
    25
  4. 4. "\ferdahren nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß eine Laserstrahlquelle verwendet wird, die bezüglich ihrer Einstrahlrichtung und/oder ihrer Entfernung vom Substrat variabel ausgebildet ist.
  5. 5. Verfahren nach den Ansprüchen 1 bis 4, dadurch gekennze ichne t, daß die Strahlführung durch einen Computer gesteuert wird.
  6. 6. Verfahren nach den Ansprüchen 1 bis 5> dadurch gekennzeichnet, daß zur Herstellung defi-
    0300 64/009 4
    ORIGINAL IHSPEOTED
    79 P7 08 0 BRO
    niert geformter einkristalliner Flächen bzw. linien auf der Metall- oder Legierungsschicht der auf die amorphe Schicht auftreffende, gebündelte Strahl durch eine Vorrichtung nach dem Prinzip eines Fotoapparatverschlusses mit einstellbarer Geschwindigkeit bezüglich seiner Fokussierung verändert wird.
  7. 7. Verwendung des Verfahrens nach den Ansprüchen 1 bis 6 zur Herstellung von Metallisierungen für integrierte Halbleiterschaltungen.
  8. 8. Verwendung des Verfahrens nach den Ansprüchen 1 bis 6 zur Herstellung von Kontaktelektroden für Solarzellen, vorzugsweise aus amorphem Silizium.
    30064/0094
DE19792924920 1979-06-20 1979-06-20 Verfahren zur herstellung grobkristalliner oder einkristalliner metalloder legierungsschichten Granted DE2924920A1 (de)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE19792924920 DE2924920A1 (de) 1979-06-20 1979-06-20 Verfahren zur herstellung grobkristalliner oder einkristalliner metalloder legierungsschichten
EP80102974A EP0021087B1 (de) 1979-06-20 1980-05-28 Verfahren zur Herstellung grobkristalliner oder einkristalliner Metall- oder Legierungsschichten sowie Anwendung des Verfahrens zur Herstellung von Halbleiterschaltungen und Kontaktelektroden
US06/157,826 US4372989A (en) 1979-06-20 1980-06-09 Process for producing coarse-grain crystalline/mono-crystalline metal and alloy films
JP8340780A JPS569299A (en) 1979-06-20 1980-06-19 Manufacture of metal or alloy layer of crude crystal or single crystal

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE19792924920 DE2924920A1 (de) 1979-06-20 1979-06-20 Verfahren zur herstellung grobkristalliner oder einkristalliner metalloder legierungsschichten

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE2924920A1 true DE2924920A1 (de) 1981-01-22
DE2924920C2 DE2924920C2 (de) 1987-07-16

Family

ID=6073696

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE19792924920 Granted DE2924920A1 (de) 1979-06-20 1979-06-20 Verfahren zur herstellung grobkristalliner oder einkristalliner metalloder legierungsschichten

Country Status (4)

Country Link
US (1) US4372989A (de)
EP (1) EP0021087B1 (de)
JP (1) JPS569299A (de)
DE (1) DE2924920A1 (de)

Families Citing this family (43)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4810663A (en) * 1981-12-07 1989-03-07 Massachusetts Institute Of Technology Method of forming conductive path by low power laser pulse
US4585490A (en) * 1981-12-07 1986-04-29 Massachusetts Institute Of Technology Method of making a conductive path in multi-layer metal structures by low power laser beam
FR2532783A1 (fr) * 1982-09-07 1984-03-09 Vu Duy Phach Machine de traitement thermique pour semiconducteurs
US4466179A (en) * 1982-10-19 1984-08-21 Harris Corporation Method for providing polysilicon thin films of improved uniformity
JPS59125640A (ja) * 1982-12-28 1984-07-20 Fujitsu Ltd 半導体装置の製造方法
DE3324551A1 (de) * 1983-07-07 1985-01-17 Wacker-Chemitronic Gesellschaft für Elektronik-Grundstoffe mbH, 8263 Burghausen Verfahren zur kennzeichnung von halbleiteroberflaechen durch laserstrahlung
DE3437072A1 (de) * 1984-10-09 1986-04-10 Dieter Prof. Dr. Linz Bäuerle Verfahren zur herstellung von leiterbahnen und/oder elektroden auf dielektrischem material
JPS62281349A (ja) * 1986-05-29 1987-12-07 Seiko Instr & Electronics Ltd 金属パタ−ン膜の形成方法及びその装置
US5064681A (en) * 1986-08-21 1991-11-12 International Business Machines Corporation Selective deposition process for physical vapor deposition
US4847138A (en) * 1987-10-07 1989-07-11 Corning Glass Works Thermal writing on glass and glass-ceramic substrates
US4843030A (en) * 1987-11-30 1989-06-27 Eaton Corporation Semiconductor processing by a combination of photolytic, pyrolytic and catalytic processes
US4925830A (en) * 1988-04-14 1990-05-15 Tracer Technologies, Inc. Laser based method for forming a superconducting oxide layer on various substrates
US5145741A (en) * 1989-06-05 1992-09-08 Quick Nathaniel R Converting ceramic materials to electrical conductors and semiconductors
JP2973492B2 (ja) * 1990-08-22 1999-11-08 ソニー株式会社 半導体薄膜の結晶化方法
US5932289A (en) * 1991-05-28 1999-08-03 Trikon Technologies Limited Method for filling substrate recesses using pressure and heat treatment
US5455079A (en) * 1991-07-26 1995-10-03 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Interior Surface hardening of titanium alloys with melting depth controlled by heat sink
US5459098A (en) * 1992-10-19 1995-10-17 Marietta Energy Systems, Inc. Maskless laser writing of microscopic metallic interconnects
US5427825A (en) * 1993-02-09 1995-06-27 Rutgers, The State University Localized surface glazing of ceramic articles
US5456763A (en) * 1994-03-29 1995-10-10 The Regents Of The University Of California Solar cells utilizing pulsed-energy crystallized microcrystalline/polycrystalline silicon
US5627081A (en) * 1994-11-29 1997-05-06 Midwest Research Institute Method for processing silicon solar cells
US6670693B1 (en) 1996-12-05 2003-12-30 Nathaniel R. Quick Laser synthesized wide-bandgap semiconductor electronic devices and circuits
US6271576B1 (en) * 1996-12-05 2001-08-07 Nathaniel R. Quick Laser synthesized ceramic sensors and method for making
AU2001269687A1 (en) 2000-05-09 2001-11-20 Usf Filtration And Separations Group Inc. Apparatus and method for drawing continuous fiber
US6689234B2 (en) * 2000-11-09 2004-02-10 Bechtel Bwxt Idaho, Llc Method of producing metallic materials
US6939748B1 (en) 2003-10-13 2005-09-06 Nathaniel R. Quick Nano-size semiconductor component and method of making
US7341765B2 (en) * 2004-01-27 2008-03-11 Battelle Energy Alliance, Llc Metallic coatings on silicon substrates, and methods of forming metallic coatings on silicon substrates
US8617965B1 (en) 2004-02-19 2013-12-31 Partial Assignment to University of Central Florida Apparatus and method of forming high crystalline quality layer
US7618880B1 (en) * 2004-02-19 2009-11-17 Quick Nathaniel R Apparatus and method for transformation of substrate
EP2423159A1 (de) * 2004-03-24 2012-02-29 H. C. Starck Inc Verfahren zur Bildung von alpha- und beta-Tantalum-Filmen mit gesteuerten und neuen Mikrostrukturen
US7268063B1 (en) * 2004-06-01 2007-09-11 University Of Central Florida Process for fabricating semiconductor component
US7419887B1 (en) * 2004-07-26 2008-09-02 Quick Nathaniel R Laser assisted nano deposition
US7951632B1 (en) 2005-01-26 2011-05-31 University Of Central Florida Optical device and method of making
US7732241B2 (en) * 2005-11-30 2010-06-08 Semiconductor Energy Labortory Co., Ltd. Microstructure and manufacturing method thereof and microelectromechanical system
US7811914B1 (en) 2006-04-20 2010-10-12 Quick Nathaniel R Apparatus and method for increasing thermal conductivity of a substrate
US8617669B1 (en) 2006-04-20 2013-12-31 Partial Assignment to University of Central Florida Laser formation of graphene
US8067303B1 (en) 2006-09-12 2011-11-29 Partial Assignment University of Central Florida Solid state energy conversion device
US8114693B1 (en) 2007-09-18 2012-02-14 Partial Assignment University of Central Florida Method of fabricating solid state gas dissociating device by laser doping
US8319149B2 (en) * 2008-04-16 2012-11-27 Applied Materials, Inc. Radiant anneal throughput optimization and thermal history minimization by interlacing
WO2010065099A1 (en) * 2008-12-02 2010-06-10 University Of Central Florida Energy conversion device
US9059079B1 (en) 2012-09-26 2015-06-16 Ut-Battelle, Llc Processing of insulators and semiconductors
DE102012111698A1 (de) * 2012-12-03 2014-03-20 Solarworld Innovations Gmbh Verfahren und Vorrichtung zum Bearbeiten mindestens eines kristallinen Silizium-Wafers oder eines Solarzellen-Wafers
US9601641B1 (en) 2013-12-10 2017-03-21 AppliCote Associates, LLC Ultra-high pressure doping of materials
US9620667B1 (en) 2013-12-10 2017-04-11 AppliCote Associates LLC Thermal doping of materials

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2727659A1 (de) * 1977-06-20 1979-01-04 Siemens Ag Verfahren zur herstellung grobkristalliner oder einkristalliner metallschichten

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3585088A (en) * 1968-10-18 1971-06-15 Ibm Methods of producing single crystals on supporting substrates
US3873341A (en) * 1972-12-26 1975-03-25 Material Sciences Corp Rapid conversion of an iron oxide film
US4046618A (en) * 1972-12-29 1977-09-06 International Business Machines Corporation Method for preparing large single crystal thin films
GB1486265A (en) * 1973-10-17 1977-09-21 Hitachi Ltd Method for producing an amorphous state of a solid material
US4059461A (en) * 1975-12-10 1977-11-22 Massachusetts Institute Of Technology Method for improving the crystallinity of semiconductor films by laser beam scanning and the products thereof

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2727659A1 (de) * 1977-06-20 1979-01-04 Siemens Ag Verfahren zur herstellung grobkristalliner oder einkristalliner metallschichten

Also Published As

Publication number Publication date
JPS6110430B2 (de) 1986-03-29
EP0021087B1 (de) 1983-10-05
JPS569299A (en) 1981-01-30
EP0021087A1 (de) 1981-01-07
US4372989A (en) 1983-02-08
DE2924920C2 (de) 1987-07-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE2924920A1 (de) Verfahren zur herstellung grobkristalliner oder einkristalliner metalloder legierungsschichten
DE2745335A1 (de) Vorrichtung zum ziehen von einkristallinem silizium
DE1933690A1 (de) Verfahren zur Erzeugung von Einkristallen auf Traegersubstraten
DE3939473A1 (de) Duennschicht-halbleiter und verfahren zu dessen herstellung
DE1696075C3 (de) Verfahren zur partiellen Galvanisierung einer Halbleiterschicht
DE1444496A1 (de) Epitaxialer Wachstumsprozess
DE3231671C2 (de)
DE2643793A1 (de) Verfahren zum zuechten monokristalliner epitaktischer schichten aus seltene erde eisen-granat-werkstoffen
DE2450907A1 (de) Verfahren zum herstellen von tiefen dioden
EP0033506A1 (de) Verfahren zum Herstellen niederohmiger, einkristalliner Metall- oder Legierungsschichten auf Substraten
DE3322685A1 (de) Verfahren zur herstellung eines bandes aus polykristallinem silizium
DE2059116C3 (de) Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelementes
DE19820441A1 (de) Verfahren zum Kristallisieren einer amorphen Siliziumschicht und Herstellungsverfahren für einen Dünnschichttransistor
DE1648209C3 (de) Verfahren zum Herstellen eines indirekt geheizten Thermistors
EP0033155A1 (de) Verfahren zum Herstellen von thermisch und elektrisch stabilen, metallischen Schichten
EP0020395A1 (de) Verfahren zum herstellen von halbleiterbauelementen
DE3217550C2 (de) Verfahren zum Herstellen einer ionenimplantierten Schicht eines Magnetblasenspeicher-Bauelements
DE1813844A1 (de) Herstellung von Mangan-Wismut
DE3018510C2 (de) Josephson-Übergangselement
DE3822905C2 (de)
WO1991000534A1 (de) Verfahren zum herstellen eines verlustarmen, optischen wellenleiters in einer epitaktischen silizium-schicht
DE1521316A1 (de) Verfahren zum gesteuerten Herstellen von duennen Indiumschichten fuer kryogene Speichervorrichtungen
DE2420257A1 (de) Halbleiterstruktur mit einer das halbleitersubstrat abdeckenden passivierungsanordnung
DE2919385A1 (de) Verfahren zur herstellung einkristalliner metall- oder legierungsschichten auf strukturlosen, insbesondere glasartigen substraten
EP0101762A1 (de) Verfahren zur Thermomigration flüssiger Phasen und Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens

Legal Events

Date Code Title Description
OAM Search report available
OC Search report available
8110 Request for examination paragraph 44
D2 Grant after examination
8364 No opposition during term of opposition
8339 Ceased/non-payment of the annual fee