DE3140190A1

DE3140190A1 - Entwicklungseinrichtung

Info

Publication number: DE3140190A1
Application number: DE19813140190
Authority: DE
Inventors: Osamu Tokyo Hoshino; Michio Hachiohji Tokyo Ito; Akihiko Kawasaki Kanagawa Takeuchi
Original assignee: Canon Inc
Current assignee: Canon Inc
Priority date: 1980-10-11
Filing date: 1981-10-09
Publication date: 1982-05-19
Also published as: US4422749A

Description

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RUPE - TELLMANN

Dipl.-Chem. G. Bühling Dipl.-lng. R. Kinne

Canon Kabushiki Kaisha ^ ^,

, Dipl.-lng. B. Pellmann

Tokyo / Japan Bavariaring 4, Postfach 202403

8000 München 2 TeL: 089-5396 53 Telex: 5-24845 tipat

cable: Germaniapatent München

Entwicklungseinrichtung . 09. Oktober 1981

DE 1590

Die Erfindung betrifft eine Entwicklungseinrichtung gemäß

dem Oberbegriff des Anspruchs 1 und betrifft insbesondere 5

eine Entwicklungseinrichtung zum Entwickeln von elektrostatischen, latenten Bildern auf einer elektrostatische latente Bilder tragenden Oberfläche aus einem photoempfindlichen oder isolierenden Material in der Elektrophotographie, bei

einer elektrostatischen Aufzeichnung u.a. 10

Beim Entwickeln von elektrostatischen, latenten Bilder wird ein Entwickler, d.h. ein Toner in Form von geladenen Partikeln, auf eine ein elektrostatisches latentes Bild tragende Oberfläche aufgebracht. Der Toner wird an die ein elektrostatisches latentes Bild tragende Oberfläche entsprechend dem Bildmusterpotential durch die elektrostatische Anziehung (des Toners) angezogen, wodurch das elektrostatische, latente Bild sichtbar gemacht wird. Für eine Bildübertragung wird das sichtbare Tonerbild von der das elektrostatische, latente Bild tragenden Oberfläche an ein Transfer- bzw. Kopiermaterial übertragen und dann durch Wärme oder Druck fixiert.

Es sind verschiedene Entwicklungsverfahren bekannt, welche Zo

in zwei Kategorien eingeteilt werden können, das Trockenkopierverfahren und das Flüssig-(Naß-)Entwicklungsverfahren. Das Trockenentwicklungsverfahren, kann in ein Zweikomponenten-Entwicklungsverfahren, bei welchem als Entwickler eine OQ Mischung aus einem Toner und Trägerpartikeln benutzt wird, und in ein Einkomponenten-Entwicklungsverfahren aufgeteilt werden, bei welchem nur Toner, beispielsweise ein magnetischer Toner verwendet wird. Bei dem Flussigentwicklungsverfahren wird eine Verteilung eines Toners in einer Trägerin [- lösung, beispielsweise einer petroleumartigen Isolierflüssigkeit verwendet.

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Bei diesen Entwicklungsverfahren wird im allgemeinen ein Verfahren zum Anlegen einer Vorspannung an den Entwicklungsteil als Mittel angewendet, um das sogenannte Grund- bzw. Untergrundschleier-Phänomen zu verhindern ,bei dem der Toner außer an dem das elektrostatische latente Bild tragenden Oberflächenbereich auch noch an anderen Bereichen angezogen wird. Wenn eine Vorspannung angelegt wird, wird der Toner nicht mehr in dem Bereich der Bilderzeugungsfläche, d.h.-der das elektrostatische, latente Bild tragenden Fläehe angezogen, in welchem das Oberflächenpotential niedriger als ein vorbestimmter Schwellenwert ist, so daß auf diese Weise ein Grund- bzw. Untergrundschleier verhindert werden kann.

Wenn bei diesem Verfahren jedoch die Vorspannung im Vergleich zu dem Oberflächenpotential der das elektrostatische, latente Bild tragenden Oberfläche zu niedrig ist, kommt es doch noch zu einer Untergrundschleier. Wenn es dagegen zu hoch ist, können die Halbtonbereiche vollkommen weiß werden, oder feine Linien können noch dünner werden oder sogar verschwinden. Folglich muß die anzulegende Vorspannung entsprechend der Schwankung im Oberflächenpotential an der das elektrostatische, latente Bild tragenden Oberfläche sorgfältig gesteuert werden, um selbst bei Änderungen in den Umgebungsfaktoren ständig Bilder guter Qualität zu erhalten.

Um den sogenannten Untergrundschleier zu verhindern, ist ein weiteres Verfahren bekannt, bei dem die sogenannten Eigenvorspannungswirkungen ausgenutzt werden, welche erhalten werden, wenn die Entwicklungselektroden zum Anlegen der Vorspannung elektrisch erdfrei angeordnet werden. Wenn die Entwicklungselektroden elektrisch erdfrei angeordnet sind, kann sich der Schwellenwert des Oberflächenpotentials entsprechend der Schwankung des Oberflächenpotenials an der das elektrostatische,latente Bild tragenden

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ι Fläche ändern. Auf diese Weise kann daher die Vorspannungs-Steuerung nicht genau und sogar unnötig sein. In der Praxis ist es somit schwierig, die Eigenvorspannungswirkungen ständig wirksam auszunutzen.

Die Erfindung soll daher eine Entwicklungseinrichtung schaffen, bei welcher eine Entwicklung ohne einen Untergrund schleier unter Ausnutzung von Eigenvorspannungswirkungen durchgeführt werden kann und mit welcher ständig entwickel-

,Q te Bilder ausgezeichneter Qualität geschaffen werden können. Ferner soll eine Entwicklungseinrichtung geschaffen werden, bei welcher eine Ladung auf eine ein elektrostatisches, latentes Bild tragende Fläche aufgebracht wird, um dadurch die Eigenvorspannungswirkungen auszunutzen, durch welche ei-

^ne sichere Steuerung des Oberflächenpotentials entsprechend den sich ändernden Umgebungsfaktoren ermöglicht wird. Gemäß der Erfindung ist dies bei einer Entwicklungseinrichtung nach dem Oberbegriff des Anspruchs 1 durch die Merkmale im kennzeichnenden Teil des Anspruchs 1 erreicht. Vorteilhafte Weiterbildungen der Erfindung sind in den Unteransprüchen angegeben.

Gemäß einer bevorzugten Ausführungsform der Erfindung ist eine Entwicklungseinrichtung geschaffen, bei welcher eine Schicht mit einem hohen Widerstand auf einer Fläche (nämlich der Fläche, die einer ein elektrostatisches, latentes Bild tragenden Fläche gegenüberliegt, d.h. einer Entwickler fördernden Fläche) einer Entwicklerfördereinrichtung ausgebildet ist, welche Entwickler der ein elektrostatisches, latentes Bild tragenden Fläche in einer Bilderzeugungseinrichtung zuführt, wobei darüber eine Schicht mit einem mittleren Widerstandswert ausgebildet ist. In dieser Entwicklungseinrichtung ist eine Einrichtung vorgesehen, um eine Ladung auf die Schicht mit einem mittleren Widerstandswert aufzubringen, welche die Oberflächenschicht ist.

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Die Erfindung wird nunmehr anhand der anliegenden Zeichnungen im einzelnen erläutert. Es zeigen;

Fig. 1 eine Schnittansicht einer Ausführungsform einer r Entwicklungseinrichtung mit einer Magnethülse, bei welcher ein magnetischer Einkomponententoner verwendet wird;

Figo 2 eine Schnittansicht einer Widerstandsschicht, die ₁₍-) entlang der Umfangsflache der in Fig. 1 dargestellten Einrichtung gemäß einer Ausführungsform der Erfindung ausgebildet ist?

Fig, 3A eine vergrößerte Schnittansicht eines Entwicklungsbereichs der in Fig. 1 dargestellten Einrichtung;

Fig. 3B ein Ersatzschaltbild davon;

Fig., 3C eine Kurve, in welcher die Eigenvorspannungswir-■ · kungen dargestellt sind;

Fig. 4 ein Ersatzschaltbild der in Fig. 2 dargestellten Einrichtung;

Fig. 5 eine Schnittansicht der in Fig. 2 dargestellten Einrichtung mit einer Ladungsauftrageinrichtung gemäß einer weiteren Ausführungsform der Erfindung;

Fig. 6 ein Ersatzschaltbild der in Fig. 5 dargestellten Einrichtung;

Fig. 7 ein Ersatzschaltbild des Hülsenumfangs der in Fig.5 dargestellten Einrichtung? und

Fig. 8 bis 10 Schnittansichten von Entwicklungseinrichtungen verschiedener Arten von Ladungsaufbringeinrichtungen gemäß weiterer Ausführungsformen der Erfindung.

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Die bevorzugten Ausführungsformen der Erfindung werden nachstehend anhand einer Entwicklungseinrichtung mit einer sogenannten Magnethülse beschrieben, bei welcher ein magnetischer Einkomponententoner verwendet ist. In Fig. 1 weist ein für die Elektrophotographie geeignetes, photoempfindliches Teil oder ein Bilderzeugungsteil 1, wie beispielsweise ein Nichtleiter oder Isolator für eine elektrostatische Aufzeichnung, beispielsweise ein trommeiförmiges, elektrophotographi-sches, photoempfindliches Teil auf, (das nachstehend der Kürze halber als photoempfindlxcheTrommel oder auch nur als Trommel bezeichnet wird), welches erhalten wird, in^dem auf die Umfangsflache eines TrommelgrundkÖrpers 2 aus Aluminium eine photoleitfähige Schicht 3 aus einem Photohalbleiter, wie CdS, sowie eine transparente isolierende Deckschicht 4 aufgebracht wird, oder indem auf die Umfangsflache des Grundkörpers 2 ein dünnes, blattartiges, photoempfindliches Teil aufgebracht wird, das als eine Grundschicht die photoleitfähige Schicht 3 und die transparente, isolierende Deckschicht 4 aufweist. Die Trommel 1 soll in der durch einen Pfeil angegebenen Richtung gedreht werden,und es soll ein elektrostatisches latentes Bild von 450 V in dem dunklen Teil und von 4OV in dem hellen Teil auf der isolierenden Deckschicht 4 mittels einer (nicht dargestellten) elektrophotographischen Behandlungseinrichtung erzeugt werden, wie in den US-PS'en 3 666 363 oder 4 071 361 beschrieben ist.

Ein Einkomponententoner 7, der hauptsächlich beispielsweise als Polystyrol und Magnetit besteht, ist in einen Entwicklerbehälter 6 einer eine Magnethülse aufweisenden Entwicklungseinrichtung 5 gefüllt, mittels welcher die elektrostatischen, latenten Bilder entwickelt werden. Ein feststehender Magnet 8 ist im Inneren einer nichtmagnetischen Metallhülse 9 als Entwicklerförderteil fest angeordnet. Die Hülse wird um den Magneten 8 herum in der durch den Pfeil angegebenen Richtung gedreht. Ein Teil des sich in dem Behälter 6 nahe bei der Hülse 9 befindenen Toners 7 wird durch die Magnetkraft des Magneten 8 in einer Schicht an der Ober-

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fläche der Hülse 9 angezogen. Der Toner 7 wird somit auf der Hülse 9 verteilt, wenn diese (9) sich dreht, und ihre Dicke wird durch eine Rakel(schneide) 10 reguliert. Eine Vorspannung , welche durch eine durch eine Gleichspannung vorgespannte te Wechselspannung erzeugt wird, wird an die Hülse 9 und an die Schneide 10 angelegt. Die Vorspannung kann entweder eine Wechsel- oder eine Gleichspannung sein. Der Toner an der Oberfläche der Hülse 9 wird durch die Reibung mit der Hülse 9, der Schneide 10, u.a. geladen. In diesem Beispiel ist der ^g Toner negativ geladen.

Eine Tonerschicht 7', die auf diese Weise auf der Hülse 9 erhalten worden ist und nach dem Kontakt mit der' (Rakel-) Schneide 10 eine gleichförmige Dicke hat, erreicht dann bei

^5 einer Drehung der Hülse 9 einen Entwicklungsbereich A, welcher der photoempfindlichen Trommel 1 gegenüberliegt. In dem Bereich A wird der Toner der Tonerschicht 7' durch die Wirkung der angelegten Wechselspannung zwischen der Hülse 9 und der Oberfläche der isolierenden Deckschicht 4 der photoempfindlichen Trommel 1 übertragen. Der Toner wird schließlich an den dunklen Teil des elektrostatischen, latenten Bilds auf der isolierenden Deckschicht 4 der photoempfindlichen Trommel 1 angezogen, wodurch das latente Bild sichtbar gemacht wird.

Bei der vorstehend beschriebenen Ausführung soll der Abstand zwischen der Hülse 9 und der (Rakel-)Schneide 10 aus magnetischem Material 240μ, der minimale Abstand ß zwischen der Hülse 9 und der isolierenden Deckschicht 4 der photoleitfähigen Trommel 1 in dem Entwicklungsbereich A 300μ betragen, und die Amplitude der an die Hülse 9 und die Schneide 10 angelegten Wechselspannung soll 1800V und deren Frequenz 1800Hz sein. Wenn unter dieser Voraussetzung der Gleichspannungsanteil zum Vorspannen der Wechselspannung 70V ist, ergibt sich ein sogenannter Untergrundschleier. Wenn er etwa 80 bis 90V beträgt, wird ein ausgezeichnetes Bild erhalten. Wenn er 100V überschreitet, werden feine Linien

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-■ dünner oder verschwinden, so daß sich unzulängliche Bilder ergeben (wobei die Breite des feinlinigen 1-atenten Bildes in diesem Beispiel etwa 100μ und das Potential etwa 230V ist) .

In dem vorstehend beschriebenen Beispiel dient die Hülse 9 als Entwicklungselektrode. Wenn die Vorspannung im Vergleich zu dem Oberflächenpotential der photoempfindlichen Trommel 1 zu niedrig ist, ergibt sich ein Untergrundschleier. Wenn _n sie dagegen zu hoch ist, wird der Halbtonteil weißlich, und die feinen Linien werden dünner oder verschwinden. Folglich muß in diesem Beispiel die anzulegende Vorspannung entsprechend der Schwankung des Oberflächenpotentials auf der photoempfindlichen Trommel sehr genau gesteuert werden.

In Fig. 2 ist eine Ausführungsform dargestellt, in welcher, über der Hülse 9 als dem Entwicklerförderteil der in Fig. 1 dargestellten Einrichtung gemäß der Erfindung eine Schicht 12 mit hohem Widerstandswert und eine Schicht 13 mit einem on mittleren Widerstandswert in der genannten Reihenfolge ausgebildet sind. Durch die EigenvorSpannungswirkungen, die durch das Vorsehen dieser Schichten erhalten·, worden sind, kann die Ausbildung eines Untergrundschleiers verhindert werden.

Beispiel 1

Die Schicht 12 mit dem hohen Widerstand und einer Dicke von etwa 200 μ wurde auf der äußeren Umfangsflache der Hülse 9 durch eine Plasmaspraybeschichtung aus einem Aluminiumoxid-Pulver (mit einem spezifischen elektrischen Widerstand von

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etwa 10 XL -cm) ausgebildet, wobei die Poren der aufgebrachten Aluminiumoxidschicht mit einem Epoxiharz (von

14
10 Λ-cm) verschlossen werden. Die Schicht 13 mit einem mittleren Widerstandswert und einer Dicke von etwa 50μ wurde 35dann auf der Oberfläche der Schicht 12 durch eine Plasmasprühbeschichtung aus einer Mischung aus Alumiumoxid und 12%-Titanoxid ausgebildet. Titanoxid ist ein elektrisch

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leitfähiges Material, und eine Mischung aus Aluminiumoxid und 12%-Titanoxid hat einen spezifischen elektrischen Widerstand von etwa 10 Ά -cm. Wenn in dem vorstehend beschriebenen Beispiel Aluminiumoxid durch eine Plasmasprühbeschichtung zur Ausbildung der Schicht 12 mit einem hohen Widerstand als der Zwischenschicht aufgebracht wird, schwankt die Porosität der ausgebildeten Aluminiumoxidschicht im Bereich von 1 bis 10 %. Da das Steuern des elektrischen Widerstands bei dieser Porosität schwierig ist, werden die Poren vorzugsweise mit einem Harz u.a., wie in dem vorstehend beschriebenen Beispiel verschlossen. Als Mittel zum Verschließen der Poren können außer Epoxiharz auch andere Harze, wie ein Phenol- oder ein Tetrafluor-Athylenharz, verwendet werden. Wernij wie in dem obigen Beispiel,Epoxiharz verwendet wird, wird die Haftung zwischen der Schicht 13 mit dem mittleren Widerstand als der Oberflächenschicht und der Schicht 12 mit dem hohen Widerstand gut.

In der in Fig. 2 dargestellten Einrichtung wird die Schicht 13 mit dem mittleren Widerstand als die Ober schicht auf der Umfangsflache·der Hülse ausgebildet als eine Entwicklungselektrode, welche (elektrisch) erdfrei untergebracht und angeordnet ist» Mit den Eigenvorspannungswirkungen, die mit dieser Schicht 13 mit einem mittleren Widerstand erhalten worden sind, wurden ständig ausgezeichnete Bilder erhalten, ohne daß feine Linien dünner wurden oder verschwanden, wenn die als Gleichspannung wirkende Vorspannung als Summe einer Wechselspannung und einer Gleichspannung, die an die Hülse 9 angelegt worden sind, im Bereich von 80 bis 120V lag. Im Vergleich zu der in Fig. 1 dargestellten Einrichtung, bei welcher die Toleranz der Gleichspannung bei etwa 80 bis 90V liegt, liegt die Toleranz der Gleichspannung ,die an die in Fig. 2 dargestellten Einrichtung anzulegen ist, bei 80 bis 120V, d.h. bei dem Vierfachen dessen ,was mit der in Fig. 1 dargestellten Einrichtung erhalten werden kann.

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Beispiel 2 ₍

Die Schicht 12 mit dem hohen Widerstandswert als die Zwischenschicht wurde auf die gleiche Weise wie beim Beispiel 1 ausgebildet. Für die Schicht 13 mit einem mittleren Widerstand als die Oberflächenschicht wurden (1) eine mit einer Dicke von 5OjI und einem spezifischen elektrischen Widerstand von 10 Ji-cm und (2) eine weitere mit einer Dicke von 5-Ομ und einem spezifischen elektrischen Widerstand von

12

10 jQ.-cm durch Aufbringen eines quaternärem Ammoniumsalzes auf der Umfangsflache der Schicht 12 mit dem hohen Widerstand ausgebildet. Die dadurch erhaltenen Hülsen 9 wurden unter denselben Bedingungen wie bei dem Beispiel 1 verwendet, und es wurden für beide Ausführungen (1) und (2) ähnliehe Ergebnisse wie im Beispiel (1) erhalten,

Beispiel 3

Die Schicht 13 mit dem hohen Widerstand als die Zwischenschicht wurde auf dieselbe Weise wie im Beispiel 1 ausgebildet. Die Schicht 12 mit dem mittleren Widerstand als die Oberflächenschicht wurde dadurch ausgebildet, daß auf die Oberfläche der Schicht 12 mit dem hohen Widerstand ein transparentes klebendes Band (Warenbezeichnung: Cellotape mit einem spezifischen elektrischen Widerstand von 10

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bos 10 Jr£ -cm) für den allgemein üblichen Bürogebrauch durch Wickeln aufgebracht. Die auf diese Weise erhaltende Hülse wurde in derselben Weise wie in Beispiel 1 verwendet und es wurden ähnliche Ergebnisse wie beim Beispiel 1 erzielt.

Obwohl der Mechanismus der gemäß der Erfindung erhaltenen Eigenvorspannungswirkungen nicht vollkommen erklärlich ist, soll im folgenden über diesen Mechanismus gemutmaßt werden. in Fig. 3A ist eine vergrößerte.Teilansicht des Entwicklungsbereichs A dargestellt, in welchem die photoempfindliche Trommel 1 der Hülse 9 gegenüberliegt, auf welcher die Wider-

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Standsschichten 12 und 13 aufgebracht sind und welche als Entwicklerförderteil wirkt. Hierbei soll die Schicht 12 mit dem hohen Widerstand einen ausreichend hohen Wider standswert und die Schicht 13 mit dem mittleren Widerstand einen ausreichend niedrigen Widerstand habe; eine photoempfindliche Trommeloberfläche 4' dient als Elektrode, die Schicht 12 mit dem hohen Widerstand und der Abstand ß in dem Entwicklungsbereich A können jeweils so betrachtet werden, daß sie bei Anlegen einer Gleichspannung an die Hülse9 aus dem nichtmagnetischen Material eine in Reihe geschaltete Kondensatorschaltung bilden. In Fig. 3B ist ein Ersatzschaltbild dieser Reihenschaltung dargestellt, bei welcher das Oberflächenpotential der photoempfindlichen Trommel 1 so dargestellt ist, daß es wirksam bzw. zwangsläufig durch eine veränderliche Energiequelle 14 geändert wird. Das durch die Energiequelle 14 eingestellte Oberflächenpotenial der photoempfindlichen Trommel soll ein Durchschnittsoder Mittelwert zwischen den weißen und schwarzen Teilen des elektrostatischen, latenten Bilds sein. Wenn der Mittelwert des Oberflächenpotentials der photoempfindlichen Trommeloberfläche 4', d.h. der Elektrode, durch Umgebungsfaktoren von einem Wert 15 bis zu einem Wert 16 auf der Ordinate in Fig. 3C schwankt, bleibt das Potential (Wert 19) der'Hülse 9(der Elektrode) unverändert, während die Spannung der Schicht 13 mit dem mittleren Widerstand (der Oberflächenschicht der Hülse) als der tatsächlichen Entwicklungselektrode von einem Wert 17 bis zu einem Wert schwankt, welcher durch Teilen der Potentialdifferenz zwischen der Elektrode 4' und der Hülse 9 aufgrund der Kapazitat der durch die Schicht 12 mit dem hohen Widerstand und dem Abstand ß gebildeten Reihenschaltung durch die Energiequelle 14 erhalten wird.

Wenn die Widerstandsschichten 12 und 13 nicht auf der Umfangsflache der Hülse 9 ausgebildet werden, bleibt das Potential der Hülse 9 als der Entwicklungselektrode konstant,

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selbst wenn sich das Oberflächenpotential· der photoempfindlichen Trommel ändert. Wenn jedoch diese Widerstandsschichten ausgebildet sind, ändert sich das Potential der Schicht 13 mit dem mittleren Widerstand, welche die Oberflachenschicht der Hülse und die wirksame Entwicklungselektrode ist, selbstverständlich entsprechend der Änderung des Oberflächenpotentials auf der photoempfindlichen Trommel, wodurch dann die Eigenvorspannungswirkungen geschaffen werden.

Nachstehend wird nunmehr ein Simulationsmodell beschrieben. Hierbei müssen die folgenden Punkte in Betracht gezogen werden, wenn die Erfindung verwirklicht wird. (1) Bei einem höheren Widerstand der Schicht 12 mit dem hohen Widerstand nimmt das erdfreie Potential der Schicht 13 mit dem mittleren Potential zu, die als die Entwicklungselektrode wirkt. Jedoch wird die Ladung zum Laden des Toners durch Reibung von der Hülse 19 über die Schichten 12 und 13 in der genannten Reihenfolge aufgebracht. Wenn daher der Widerstand der Schicht 12 mit dem hohen Widerstandswert zu hoch ist, wird die Ladungsaufbringung unzureichend. Wenn die Entwicklungszeit andauert, nimmt die angezogene Tonermenge ab, und das Bild wird weniger klar.

Der obere Grenzwert des Widerstandswerts der Schicht 12 mit dem hohen Widerstand muß so festgelegt werden, daß die Ladung an dem Toner nicht unzureichend ist. In dem zulässigen Bereich kann jedoch vorzugsweise die Schicht 13 mit dem mittleren Widerstandswert als die Entwicklungselektrode so weit wie möglich "floaten", erdfrei sein.

(2) Wenn der Widerstandswert der Schicht 13 mit dem mittleren Widerstand zu hoch ist, treten die Eigenvorspannungswirkungen nur örtlich auf. Bei einer größeren schwarzen Untergrundfläche wird die Deutlichkeit des erzeugten Bildes schlechter. Bei einer größeren weißen Untergrundsfläche kommt es zu einem Untergrundschleier. Wenn der Widerstandswert der Schicht 13 mit dem mittleren Widerstand zu niedrig

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ist, wird das Potential der Schicht 13 durch das Potential des Toners an der (Rakel-)Schneide 10 und in dem Entwicklerbehälter 6 beeinflußt. Die Schicht 13 kann dann nicht elektrisch erdfrei gemacht werden, und die Eigenvorspannungswirkungen können nicht erhalten werden»

Der untere Grenzwert des Widerstandswerts der Schicht 13 muß so festgelegt werden, daß die Schneide 10 usw. nicht das Potential der Schicht 13 während einer Entwicklung beeinflüssen» Der obere Grenzwert des Widerstandswerts der Schicht 13 muß jedoch so festgelegt sein, daß die Eigenvorspannungst-jirkungen nicht örtlich auftreten können, und das Potential entlang der Axialrichtung der Hülse 9 im wesentlichen konstant bleiben kann.

In Fig. 4 ist ein Ersatzschaltbild der Entwicklungseinrichtung gemäß der Erfindung dargestellt. Es geht mehr ins einzelne als das in Fig. 3B dargestellte Ersatzschaltbild. Die Hülse 9 wird als Äquivalent eines kreisförmigen Leiters 20 betrachtet. Die Schicht 12 mit dem hohen Widerstand wird als Äquivalent einer Anordnung einer unbegrenzten Anzahl von Parallelschaltungen aus jeweils einem Kondensator 21 und einem Widerstand 22 betrachtet, die um den Außenumfang des kreisförmigen Leiters 20 angeordnet sind. Die Schicht 13 mit dem mittleren Widerstandswert wird als äquivalent zu einer unbegrenzten Anzahl von Widerständen 23 betrachtet, die jeweils zwischen die Parallelschaltungen aus einem Kondensator 21 und einem Widerstand 22 geschaltet sind.

Vergleichsbeispiel

Wenn die Schicht 12 mit dem hohen Widerstand allein aus einem Epoxiharz hergestellt wurde, wurde das entwickelte Bild allmählich weniger scharf. Wenn die Ladung auf der Hülse 9 gemessen wurde, ergab sich, daß die Ladungsmenge auf der Hülse im Vergleich zu der Ladungsmenge, die durch den Toner verstreut worden ist, unzureichend war. Wenn die

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Hülse 9 aus einer Alupiniumlegierung hergestellt war, ihr Außenumfang mit Alumite behandelt war, und die Poren verschlossen wurden, um die Schicht 12 mit einem hohen Widerstandswert zu schaffen, wurde der Toleranzbereich der Gleichspannung breiter. Der Widerstandswert der Schicht 12 wurde gemessen und entsprach etwa nur dem, der mit einem elektrischen Leiter erreichbar ist.

Die Schicht 12 mit dem hohen Widerstand muß einen Widerstandswert und eine Dicke haben, die ausreicht, damit die als Entwicklungselektrode verwendete Schicht 13 mit einem mittleren Widerstand elektrisch erdfrei sein kann, und ihr Widerstandswert muß gleichzeitig so sein, daß ein Strom fließen kann, um die durch den Toner verteilte Ladung entsprechend auszugleichen. In der Praxis liegt der elektrische spezifische Widerstand der Schicht 12 mit dem hohen Widerstandswert bei den verschiedenen durchgeführten Versuchen vorzugsweise im Bereich von 10 bis 10 j^-cm. Hierbei muß der elektrische spezifische Widerstand entsprechend der Dikke der Schicht gewählt werden.

Wenn die Schicht 13 mit dem mittleren Widerstand aus Nickelchrom oder aus einer Aluminiumoxid-Titanoxid-Mischung, die 4 0% Titanoxid enthält, hergestellt wurde, wurde dadurch der zulässige Bereich für die tolerierbare Gleichstromspännung nicht breiter. Dies ist darauf zurückzuführen, daß die Schicht 13 als die Entwicklungselektrode durch das elektrische Feld der Schneide 10 nicht elektrisch erdfrei gemacht wird.

Wenn die Schicht 13 mit dem mittleren Widerstandswert aus Aluminiumoxid oder einer Aluminiumoxid-Titanoxidmischung, die 2% Titanoxid enthält, hergestellt wird, wird die durch die Ergenvorspannungswirkungen beeinflußte Fläche sehr klein.

Folglich wird der Teil, welcher den schwarzen Teil umgibt, weiß, aber der weiße Teil mit einer größeren Fläche weist

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einen Untergrundschleier auf.

Die Schicht 13 muß daher einen Widerstandswert aufweisen, welcher groß genug ist, damit er nicht durch andere Einflüsse als dem elektrischen Feld des elektrostatischen, latenten Bildes beeinflußt wird. Gleichzeitig muß der obere Grenzwert dieses Widerstands so gewählt sein, daß die Eigenvorspannung gleichförmig entlang der Axialrichtung der Hülse angelegt wird* Obwohl der spezifische elektrische Widerstand

8 12

.0 dieser Schicht 13 mit 10 bis 10 jx-cm angenommen wird, wird er entsprechend der Ausführung der Entwicklungseinrichtung, der Dicke der Sc]
usw, festgelegt.

der Dicke der Schicht mit dem mittleren Widerstandswert,

^Die · vorstehende Beschreibung ist auf eine Entwicklungseinrichtung mit einer sogenannten Magnethülse bezogen _f bei welcher ein magnetischer Einkomponententoner verwendet ist ο Zum Ausbilden und Aufbringen der Schichten 12 und 13 auf dem Entwicklerförderteil ist jedoch die Erfindung in ähnlicher Weise auch bei anderen Arten von Entwicklungseinrichtungen anwendbar, bei welchen eine bandförmige Hülse, ein Zweikomponentenentwickler oder ein anderes Entwicklungsverfahren verwendet ist. Selbstverständlich kann bei Ausbilden der Schichten 12 und 13 auf der Entwicklungselektrode die Erfindung auch bei einer Flüssigentwicklung angewendet werden. Gemäß der Erfindung werden die Eigenvorspannungswirkungen ausgenutzt, um gleichmäßig unveränderliche.entwickelte Bilder ohne Untergrundschleier zu schaffen.

Die Ausführung, bsi welcher die vorstehend beschriebenen Eigenvorspannungswirkungen ausgenutzt werden, ist im Vergleich zu der in Fig. 1 dargestellten Entwicklungseinrichtung vorteilhaft, bei welcher die Vorspannung von der Hülse 9 als dem Entwicklerförderteil unmittelbar an den Entwicklungsbereich A angelegt wird, da die zulässige Toleranz bei der anzulegenden Gleichspannung viermal so hoch wird,

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wie die, die mit der ₍in Fig. 1 dargestellten Ausführung erreichbar ist. Jedoch weist auch die Ausführung, bei welcher die Eigenvorspannungswirkungen ausgenutzt werden, noch eine zu verbessernde Schwierigkeit auf.

Die Entwicklung des elektrostatischen Bildes kann als die Übertragung des Toners und folglich einer statischen Ladung von der Seite der Hülse 9 als dem Entwicklerförderteil über den Zwischenraum ß zu der photoempfindlichen Trommel 1 betrachtet werden. In der beispielsweise wiedergegebenen Ausführungsform der Erfindung wird der negativ geladene Toner, d.h. eine negative Ladung, von der Hülse 9 über den Zwischenraum ß zu der Trommel 1 übertragen. Wenn daher der Widerstandswert der Schicht 12 mit dem hohen Widerstand zu hoch wird, wird die negative Ladung auf dem Toner unzureichend, und der Schwärzungsgrad des sichtbar gemachten Bildes nimmt bei einer Zunahme der Anzahl der entwickelten Blätter ab. Obwohl der Widerstandswert der Schicht 12 erniedrigt werden kann, hat eine Verminderung des Widerstandswerts eine Verminderung in dem erdfreien Potential der als Entwicklungselektrode verwendeten Schicht 13 mit einem mittleren Widerstand, folglich eine Abnahme der Eigenvorspannungswirkungen, zur Folge. Um die aufgebrachte Ladungsmenge und die Eigenvorspannungswirkungen auszugleichen, kann die Schicht 12 aus einem Material hergestellt werden, welches einen spezifischen elektrischen Widerstand von 10. ifc-cm hat. Da sich jedoch der Widerstand der ausgebildeten Schicht entsprechend Änderungen in der Umgebungstemperatur oder der Feuchtigkeit ändern kann, ist es sehr schwierig, den Widerstandswert der Schicht 12 auf einem ganz bestimmten Wert zu halten.

Um diese Schwierigkeit zu lösen, ist gemäß der Erfindung eine Entwicklungseinrichtung geschaffen, bei welcher Eigenvorspannungswirkungen ausgenutzt werden, welche gegenüber Änderungen in der Umgebung beständig sind, was dann keine mangelhafte Ladungsaufbringung auf den Toner zur Folge hat,

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selbst wenn die Schipht 12 einen hohen Widerstandswert hat, und wobei dann ein hohes elektrisch erdfreies Potential an der als Entwicklungselektrode verwendeten Schicht 13 geschaffen ist. Bei dieserEntwicklungseinrichtung sind die .Schicht 12 mit dem hohen Widerstand und die Schicht 13 mit einem mittleren Widerstand nacheinander auf der Oberfläche der als Entwicklerförderteil verwendeten Hülse 9 ausgebildet, und eine Ladungszuführ- bzw. Aufbringeinrichtung ist in der Schicht 13 mit dem mittleren Widerstandswert vorgesehen»

In der in Fig. 5 dargestellten Ausführungsform ist als Ladungsaufbringeinrichtung eine Schneide 25 vorgesehen, die an der Oberfläche der als Oberflächenschicht verwendeten Schicht 13 mit dem mittleren Widerstand anliegt, und die Schneide 25 ist mit einer Energiequelle 11 verbunden. In Fig. 6 ist ein Ersatzschaltbild der in Fig. 5 dargestellten Einrichtung wiedergegeben, in welcher die Schneide 25 als ein Schalter dargestellt ist. Der Schalter 25 ist geöffnet, und die als die Elektrode verwendete Schicht 13 ist während einer Entwicklung erdfrei„ Wach der Entwicklung wird der Schalter 25 geschlossen, um die Ladung zu ergänzen, welche durch den Toner verbraucht worden ist» Diese Arbeitsweise wird bei jeder Umdrehung der Hülse wiederholt.

Bei dieser Ausführung kann eine unzureichende Ladungszufuhr nicht auftreten, und das erdfreie Potential der während der Entwicklung als Elektrode verwendeten Schicht 13 nimmt zu, selbst wenn die Schicht 12 einen hohen Widerstand aufweist.

infolgedessen ist eine Entwicklungseinrichtung geschaffen, bei welcher die Eigenvorspannungswirkungen ausgenutzt wer- , den_;und welche gegenüber Umgebungsänderungen beständig ist. Bei der Einrichtung gemäß dieser Ausführungsform wird der Bereich der zulässigen Gleichspannung, d.h. 80 bis 180V^ bis

zu dem Zehnfachen des Bereichs von etwa 80 bis 90 V, der mit der in Fig. dargestellten Einrichtung erreichbar ist.

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1In Fig. 7 ist ein Ersatzschaltbild der in Fig. 5 entlang des Umfangs der Hülse dargestellt. Die Hülse 9 bildet den kreisförmigen Leiter 20. Die als Zwischenschicht vorgesehene Schicht 12 mit dem hohen Widerstand kann als eine Anordnung aus einer unbegrenzten.Anzahl von Parallelschaltungen aus jeweils einem Kondensator 21 und einem Widerstand 22 betrachtet werden, die um den Außenumfang des kreisförmigen Leiters 20 angeordnet sind. Die als Oberflächenschicht verwendete Schicht 13 mit einem mittleren Widerstand kann als eine Reihenschaltung aus einer unbegrenzten Anzahl von Widerständen 23 angesehen werden, welche die Kondensatoren 21 und die Widerstände 22 miteinander verbinden. Die Ladungsaufbringschneide 25 ist als ein Gleitring 26 und die Rakelschneide 10 ist als Kondensator 24 dargestellt. Wenn die photoempf indliehe Trommel 1 eine dreilagige Ausführung ist, werden die isolierende Deckschicht 4 und die photoleitfähige Schicht 3 als äquivalent zu einem Kondensator 27 betrachtet. Das elektrostatische, latente Bild auf der Oberfläche 4', d.h. die Elektrode der photoleitfähigen Trommel 1, wird durch den ein elektrostatisches, latentes Bild erzeugenden Vorgang geladen. Der Entwicklungsbereich A wird als äquivalent zu einem Kondensator betrachtet, der aus der als Entwicklungselektrode verwendeten Schicht 13 mit dem mittleren Widerstandswert, dem Abstand b und der Elektrode 4¹ besteht. Während des Entwicklungsvorgangs wird eine negative Ladung durch den Toner von der Schicht 13 an die Elektrode 4' übertragen.

Bei dieser Ausführungsform ist die als Entwicklungselektrode verwendete Schicht 13 mit einem mittleren Widerstandswert unter dem Einfluß der Elektrode 4¹ erdfrei. Die Schicht 13 wird nach der Entwicklung gedreht und an dem Gleitring 26 mit Ladung versorgt.

Die als Entwicklungselektrode verwendete Schicht 13 mit dem mittleren Widerstandswert muß elektrisch erdfrei sein. Hierzu weist der Widerstand 23 vorzugsweise einen hohen Wider-

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standswert auf. Wenn ₍jedoch der Widerstand 23 einen zu hohen Widerstandswert hat, wird die den Eigenvorspannungswirkungen ausgesetzte Fläche kleiner, ein schwarzer Teil einer größeren Fläche wird weniger scharf, und ein weißer Teil einer größeren Fläche weist einen Dntergrundschleier auf. Folglich muß der Widerstandswert des Widerstands· 23 so sein, daß der Widerstandswert der Schicht 13 entlang der Axialrichtung der Hülse im wesentlichen als derselbe angesehen werden kann..Wenn andererseits der Widerstandswert des Widerstands 23 zu niedrig ist, liegt die als Entwicklungselektrode verwendete Schicht 13 mit dem mittleren Widerstandswert unmittelbar unter dem Einfluß des Potentials des Gleitrings 26 und der Rakelschneide 10, so daß die Eigenvorspannungswirkungen verlorengehen können.

Der obere Grenzwert des Widerstands der als Oberflächenschicht verwendeten Schicht 13 ist durch die eigen^vorgespannte Fläche festgelegt, und der untere Grenzwert ist entsprechend festgelegt, um eine geforderte Potentialdifferenz zwischen dem Gleitring 26 und der Rakelschneide 10 zu erhalten.

Die als Zwischenschicht verwendete Schicht 12 hat einen

14 spezifischen elektrischen Widerstand von 10 JX-cm. Wenn die Schicht 12 aus anderen Materialien mit einem hohen Widerstandswert, wie einem Epoxiharz hergestellt ist, mangelt es ihr an mechanischer Festigkeit. Wenn die Hülse aus Aluminium hergestellt ist und darüber eine Alumite-Schicht aufgebracht ist, wird eine elektrische Leitung zwischen der Hülse 9 und der als Oberflächenschicht verwendeten Schicht 13 mit dem mittleren Widerstandswert beobachtet, und die EigenvorSpannungswirkungen werden nicht erhalten, selbst wenn die Poren der Alumite-Schicht verschlossen werden.Wenn die Schicht 12 durch eine Plasmasprühbeschichtung aus einem Aluminiumoxidpulver gebildet ist, weist sie ausgezeichnete mechanische und elektrich isolierende Kennwerte auf ο

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Der spezifische elektrische Widerstand der als Oberflächenschicht verwendeten Schicht 13 muß so gesteuert werden, daß

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er im Bereich von 10 bis 10 Ω.-cm liegt. Wenn die Metallschneide 25 als Ladungszuführeinrichtung verwendet ist, ergibt sich die Schwierigkeit aufgrund einer Abnutzung bzw. eines Abriebwiderstandes der Schicht 13. Wenn ein Harz oder ein Kautschuk bzw. Gummi für die Schicht 13 verwendet wird, kann der spezifische Widerstand der Schicht 13 ohne weiteres, gesteuert werden, obwohl die Schwierigkeit der Abnutzung bzw. des Abriebwiderstandes ungelöst bleibt.

Wenn die Schicht 13 durch eine Plasmasprühbeschichtung aus einer Mischung aus einem Aluminiumoxid- und einem Titanoxid-Pulver gebildet ist, kann der spezifische elektrische Widerstand der aufgebrachten Schicht durch Ändern des Mischungsverhältnisses der Pulver ohne weiteres geändert werden, und es kann ein ausgezeichneter Abriebwiderstand erhalten werden./ Statt des in Fig. 5 dargestellten Verfahrens, bei welchem e/ine Schneide anliegt, können auch andere Ladungsaufbringeinrichtungen verwendet werden. Beispielsweise ist, wie in Fig. 8 dargestellt, eine Elektrode 28 nahe der einen mittleren Widerstandswert aufweisenden Schicht 13 der Hülse angeordnet, und ein elektrisches Wechselfeld *wird durch eine WechselSpannungsquelle 29 zwischen der Elektrode 28 und der Hülse 9 angelegt, um den Toner zwischen der Hülse 9 und der Elektrode 28 zu übertragen, so daß Ladung über einen Kontakt mit der Elektrode 28 auf den Toner aufgebracht werden kann. Ferner kann, wie in Fig.9 dargestellt ist, eine Ladung mittels eines Koronaentladers 30 aufgebracht werden. Darüber hinaus kann auch, wie in Fig. 10 dargestellt ist, eine Ladung durch Drehen einer Zylinderelektrode 31, die an der Trommel 1 anliegt, aufgebracht werden.

in der vorstehenden Beschreibung ist auf eine Entwicklungseinrichtung mit einer Magnethülse Bezug genommen, wobei ein

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!magnetischer Einkomponententoner verwendet ist. Durch Ausbilden der vorstehend beschriebenen Schichten 12 und 13 auf dem Entwicklerförderteil ist jedoch die Erfindung auch bei anderen Ausführungsformen von Entwicklungseinrichtungen anwendbar, bei welchen eine bandförmige Hülse, ein Zweikomponentenentwickler oder ein anderes Entwicklungsverfahren verwendet ist. Selbstverständlich ist die Erfindung auch bei einem Flüssigentwicklungsverfahren anwendbar, bei welchem die Schichten 12 und 13 auf der Entwicklungselektrode ausgebildet und eine Ladungsaufbringeinrichtung verwendet ist. Bei der Erfindung können somit die Eigenvorspannungswirkungen hinreichend ausgenutzt werden, so daß dauerhafte und gleich gute entwickelte Bilder ohne, ι einen Untergrundschleier erhalten werden können.

Eine Entwicklungseinrichtung weist somit ein Entwicklerförderteil auf, um Entwickler einer ein elektrostatisches, latentes Bild tragenden Oberfläche einer Bilderzeugungseinrichtung zuzuführen. Auf der Seite des Entwicklungsförderteils, die einem elektrostatischen, latenten Bild gegenüberliegt, ist eine Schicht mit einem hohen Widerstandswert ausgebildet. Auf der Oberfläche der Schicht mit dem hohen Widerstandswert ist eine Schicht mit einem mittleren Widerstahdswert ausgebildet, um EigenvorSpannungswirkungen zu schaffen und um ein Entwicklen ohne einen Untergrundschleier zu ermöglichen.

Claims

Dipl.-Ing. H.Tiedtke s Dipl.-Chem. G. Bühling Dipl.-Ing. R. Kinne Dipl.-Ing. R Grupe Dipl.-Ing. B. Pellmann Bavariaring 4, Postfach 202403 8000 München 2 Tel.: 089-5396 Telex: 5-24845 tipat cable: Germaniapatent München 09. Oktober 1981 DE 1590 Patentansprüche

1. Entwicklungseinrichtung, um Entwickler einem elektrostatischen, latenten Bild auf einem das elektrostatische, Iatente Bild tragenden Teil zuzuführen, um das latente Bild zu entwickeln, gekennzeichnet durch eine Entwicklerfördereinrichtung (9) mit Entwickler (7) auf deren Oberfläche, um den Entwickler (7) einem Entwicklungsbereich (A) zuzuführen, wobei die Entwicklerfördereinrichtung (9) auf der Entwicklerförderfläche eine Schicht (12) mit hohem Widerstand und eine darüber ausgebildete Schicht (13) mit einem mittleren Widerstand aufweist; durch eine Einrichtung (10;25;28?30?31), um den Entwickler der Entwicklerfordereinrichtung (9) zuzuführen, und durch eine Einrichtung zum Anlegen einer Entwicklungsvorspannung an die Entwicklerfördereinrichtung (9) .

2. Entwicklungseinrichtung nach Anspruch 1, gekennzeichnet durch eine Einrichtung, um eine Ladung auf die als Oberflächenschicht verwendete Schicht (13) mit dem mittleren Widerstandswert aufzubringen.

3.Entwicklungseinrichtung nach Anspruch 1 und 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Schicht (12) mit dem

Deutsche Bank (München! Klo. 51/61070 Dresdner Bank (München) Kto. 3939844 PoslGCheck (München) KIo. 670-43-804

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hohen Widerstand aus, Aluminiumoxid hergestellt ist, und daß die Schicht (13) mit einem mittleren Widerstand aus einer Mischung aus Aluminiumoxid und Titanoxid hergestellt ist.

4. Einrichtung nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß die Mischung aus Aluminiumoxid und Titanoxid etwa 12 Gewichtsprozent Titanoxid enthält.

5. Einrichtung nach den Ansprüchen 1 und 2, dadurch g elOkenn zeichnet, daß die Schicht (12) mit dem hohen Widerstandswert aus Aluminiumoxid hergestellt ist, und daß die Schicht (13) mit dem mittleren Widerstandswert aus quaternärem Ammoniumsalz hergestellt ist.

6. Einrichtung nach den Ansprüchen 1 und 2, dadurch g ekennzeichnet, daß die Schicht (12) mit dem hohen Widerstandswert aus Aluminiumoxid hergestellt ist und daß die Schicht (13) mit dem mittleren Widerstandswert ein transparentes klebendes Band ist, das einen spezifischen

8 11 elektrischen Widerstand von 10 bis 10 χι,-cm hat, und auf der Oberfläche der Schicht (12) mit dem hohen Widerstandswert haftet.

7. Einrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekenn ζ eichnet, daß die Schicht (11) mit dem hohen Widerstandswert durch eine Plasmasprühbeschichtung aus Aluminiumoxid auf der Oberfläche der Entwicklerfördereinrichtung (9) ausgebildet ist, und daß die Poren einer dadurch gebildeten Schicht mit einem Verschließmittel verschlossen sind.

8. Einrichtung nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, daß das Verschließmittel ein Epoxiharz ist.

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9. Einrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, daß die Schicht (12) mit dem hohen Widerstand einen spezifischen elektrischen Widerstand von 10¹⁰ bis 10¹⁴JX-cm hat.

10. Einrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, daß die Schicht (13) mit dem mittleren Widerstand einen spezifischen elektrischen Wider-

stand von 10 bis 10 η-cm hat.

11. Einrichtung nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Ladungsaufbringeinrichtung eine Elektrode (28) aufweist, die an der Entwicklerfördereinrichtung (9) anliegt oder nahe von dieser (9) angeordnet ist.

12. Einrichtung nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet, daß die Ladungsaufbringeinrichtung einen Koronaentlader (30) aufweist.

13. Einrichtung nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet, daß die Ladungsaufbringeinrichtung eine rollenförmige Elektrode (31) aufweist, die an der Entwicklerfördereinrichtung (9) anliegend angeordnet ist.

14. Einrichtung nach einem der Ansprüche 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß die eine Entwicklungsvorspannung anlegende Einrichtung (10,25) eine Gleichspannung an die Entwicklerfördereinrichtung (9) anlegt.

15. Einrichtung nach einem der Ansprüche 1 oder 2, dadurch

gekennzeichnet, daß die eine Entwicklungsvor-, spannung anlegende Einrichtung (10,15) eine Wechselspannung an die Entwicklerfördereinrichtung (9) anlegt.

16. Einrichtung nach einem der Ansprüche 1 oder 2, dadurch

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gekenn zeichnet, daß die eine Entwicklungsvorspannung anlegende Einrichtung eine durch eine Gleichspannung vorgespannte Wechselspannung an die Entwicklerfördereinrichtung (9) anlegt.

17. Einrichtung nach einem der Ansprüche 1 oder 2, dadurch

gekennz eichnet, daß die Entwicklerfördereinrichtung einen nichtmagnetischen Zylinder (8) und einen dar in angeordneten Magneten aufweist.

18. Einrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Entwickler ein Einkomponentenentwickler ist.

19. Einrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Entwickler ein Zweikomponentenentwickler aus einem Toner und einem Träger ist.

20. Einrichtung nach einem der Ansprüche 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß der Entwickler ein Flüssigentwickler ist.

21. Entwicklungseinrichtung zum Entwickeln eines elektrostatischen, latenten Bildes auf einem das elektrostatische, latente Bild tragenden Teil, insbesondere nach Anspruch 1, gekennzeichnet durch eine elektrisch leitfähige, nichtmagnetische Hülse (9), die bezüglich des das elektrostatische, latente Bild tragenden Teils (1) drehbar angeordnet ist und welche (9) auf ihrem Außenumfang eine Schicht (12) mit einem hohen Widerstand, welcher durch eine Plasmasprühbeschichtung aus einem Aluminiumoxidpulver ausgebildet ist und bei welcher die Poren der aufgebrachten Aluminiumoxidschicht durch ein Epoxiharz verschlossen sind, und eine Schicht (13) mit einem mittleren Widerstandswert aufweist, welche auf der Oberfläche der Schicht (12) mit dem hohen Widerstandswert durch eine Plasmasprühbeschich-

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tung mit einer Mischung aus Aluminiumoxid und 12% Titanoxid ausgebildet ist? durch eine in der Hülse (9) fest an- · geordnete Magnetrolle? durch einen Trichter, um einen magnetischen Einkomponententoner der Oberfläche der Hülse (9) zuzuführen; durch eine magnetische Rakelschneidjs (10), die nahe der Hülse (9) und in Gegenüberlage zu Magnetpolen der Magnetrolle (8) angeordnet ist, wobei ein Abstand (α) zwischen der magnetischen Rakelschneide (10) und der Hülse (9) kleiner als ein Abstand (ß) zwischen der Hülse (9) und dem das elektrostatische, latente Bild tragenden Teil ist, und durch eine Energiequelle (11)_; um eine durch eine Gleichspannung vorgespannte Entwicklungswechselvorspannung zwischen der Hülse (9) und dem das elektrostatische, latente Bild tragendenTeil (1) anzulegen.

22 „ Einrichtung nach Anspruch 21, ge kenn zeichnet durch eine Einrichtung (10?25?28?30?31) zum Aufbringen einer Ladung auf die als Oberflächenschicht verwendete Schicht (13) mit einem mittleren Widerstandswert.