DE3204076C2 - - Google Patents

Description

Die Erfindung bezieht sich auf ein Speichermedium nach dem Oberbegriff des Patentanspruchs 1. Das Speichermedium soll insbesondere in einem eine Informationsspur aufweisenden Informationsträger einzusetzen sein.

Informationen können durch Belichten eines Teils eines opti­ schen Speichermediums bzw. -materials aufgezeichnet werden, indem die optischen Eigenschaften der belichteten Bereiche lokal verändert werden. Das einfachste derartige Speicherme­ dium besteht aus einer Schicht aus lichtabsorbierendem Mate­ rial auf einem Substrat, wobei die Information durch örtli­ ches Schmelzen oder Abblättern der absorbierenden Schicht in Form von Grübchen oder Löchern aufgezeichnet wird. Durch die Gegenwart der Grübchen oder Löcher werden die örtliche Durchlässigkeit und/oder das Reflexionsvermögen des Spei­ chermediums verändert. Wenigstens eine dieser Änderungen wird beim Wiedergeben der Information erfaßt.

In der US-PS 40 97 895 wird ein optisches Speichermedium mit einer eine lichtreflektierende Schicht bedeckenden, lichtabsorbierenden Schicht beschrieben. Die Dicke der Ab­ sorptionsschicht wird so gewählt, daß das Reflexionsvermö­ gen des gesamten Speichermediums vermindert wird. In der US-PS 42 16 501 wird ein optisches Drei-Schicht-Speicherme­ dium vorgeschlagen, in welchem zwischen die Reflexions- und Absorptionsschichten eine transparente Distanzschicht einge­ fügt ist. Dieses Drei-Schicht-System ermöglicht im Ver­ gleich zum bisherigen Zwei-Schicht-System die Anwendung ei­ ner erweiterten Gruppe von Herstellungsmaterialien bei nie­ drigerem Reflexionsvermögen des Speichermediums bzw. eines daraus hergestellten Informationsträgers.

Weiterhin wird in der DE-OS 31 18 058 ein Informationsträ­ ger mit einer Deckschicht auf der Absorptionsschicht be­ schrieben. In diesem Träger können Informationen aufgezeich­ net, gelöscht und wieder aufgezeichnet werden. Durch die Deckschicht werden - bis zu einer Maximalenergie - irrever­ sible Aufzeichnungen, z. B. die Bildung eines Lochs oder einer Grube in der Absorptionsschicht, bei Belichtung mit einem eine Information aufzeichnenden oder einem eine Infor­ mation löschenden Schreiblichtstrahl verhindert.

Ein weiterer reversibler Informationsspeicher wird in IBM Technical Disclosure Bulletin, Vol. 14, No. 11, April 1972, Seiten 3478 bis 3479, beschrieben. Auch dieses Informations­ medium besitzt eine von vornherein homogene Absorptions­ schicht. Als solche wird eine im unbelichteten Zustand kri­ stalline Chalkogenid-Schicht eingesetzt, welche auf der ei­ nen Seite mit einem transparenten Substrat und auf der ande­ ren Seite mit einer schlecht wärmeleitenden Schicht und einer Metallschicht bedeckt ist. Beim Schreiben wird durch unmittelbares Bestrahlen und entsprechend schnelles Erhit­ zen mit Hilfe eines Lasers in der kristallinen Chalkogenid- Schicht ein amorpher Speicherpunkt erzeugt. Das Löschen erfolgt durch langsames Erhitzen, in dem mit Hilfe dessel­ ben Lasers die auf der Rückseite der Chalkogenid-Schicht vorhandene Doppelschicht, die eine verzögerte Wärmetrans­ portgeschwindigkeit besitzt, bestrahlt wird. Auch in diesem Fall können bei zu hoher Strahlungsenergie irreversible Informationsaufzeichnungen auftreten.

Ein gattungsgemäßes Speichermedium wird in der DE-AS 21 22 645 angegeben.

Die Speicherschicht dieses bekannten, reversiblen Speicher­ mediums enthält einen amorphen Film, der durch Erhitzen zu erweichen und zum Fließen zu bringen ist. Durch Beauf­ schlagen ausgewählter Bereiche des Films mit Laser-Strahlen können in dem amorphen Material blasenartige Hohlräume ge­ bildet werden. Die Hohlräume werden nicht in den ausgewähl­ ten Bereichen sondern in der umgebenden Filmschicht selbst erzeugt. Die Hohlräume können dadurch wieder beseitigt wer­ den, daß Energie in ausreichender Menge zugeführt wird, so daß die Filmschicht erweicht und das Material des Films durch Fließen die Hohlräume wieder auffüllt. Im Bekannten werden amorphe Filme verwendet, die die Eigenschaft besit­ zen, unter Hitze zu erweichen sich jedoch selbst bei Ver­ flüssigung oder Verdampfung nicht zu zersetzen. Wenn die Erhitzung hoch genug ist, können sich Dampfblasen bilden und in der weichen oder flüssigen Filmsubstanz ausdehnen. Das restliche Material des Films und/oder angrenzende Schichten verhindern dann ein Entweichen der Dampfblasen nach außen. Bei Vergrößerung der Dampfblasen nimmt jedoch die örtliche Energiezufuhr schnell ab, so daß der amorphe Film während des Bildens der Dampfblasen in seinen festen Zustand zurückkehrt.

In der aus der DE-AS 21 22 645 bekannten Speichereinrich­ tung werden sogenannte diskrete Bereiche zum Speichern von Informationen erwähnt. Ein diskreter Bereich ist im Bekann­ ten jedoch nicht ein von vornherein abgegrenzter Bereich, sondern ein durch einen Speichervorgang an beliebiger Stel­ le eines einphasigen Materials als Hohlraum oder Mangelstel­ le gebildeter Bereich, der beim Löschen wieder verschwin­ det. Im Bekannten muß so gearbeitet werden, daß beim Pro­ grammieren keine irreversible Speicherung entsteht. Demge­ mäß ist die Energie zum Speichern einer Information in dem Material des jeweiligen Absorptionsfilms auf relativ nie­ drige Werte beschränkt, bei denen die im erweichten Mate­ rial der Speicherschicht gebildeten blasenartigen Hohlräume noch nicht platzen.

In der EP-OS 23 102 wird ein irreversibler Speicher be­ schrieben, dessen Absorptionsschicht aus einer polymeren Matrix mit darin kolloidal verteilten Metall- oder Metall­ oxid-Einschlüssen besteht. Bei Bestrahlung mit Laserlicht absorbieren die Einschlüsse Energie und erhitzen sich, so daß das umgebende Matrixmaterial schmilzt oder sich zer­ setzt und ein permanentes Loch in der Absorptionsschicht entsteht. Um die mit dem Speicherstrahl zu beschreibende Fläche der Absorptionsschicht vor Staub zu schützen, kann auf dieser Fläche eine eventuelle Staubteile aus der Brenn­ ebene fernhaltende Schutzschicht aufgebracht werden. Ferner kann zum Vermindern der zum Speichern benötigten Energie auf der der Schutzschicht gegenüberliegenden Fläche der Speicherschicht eine Reflexionsschicht vorgesehen werden.

Bei der irreversiblen Informationsspeicherung nach der EP-OS 23 102 haben die kolloidal verteilten, energieab­ sorbierenden Teilchen gewissermaßen wie ein Spiegel zu wir­ ken und das umgebende, bei wesentlich niedriger Temperatur schmelzende oder sich zersetzende polymere Material von der Unterlage irreversibel abzublättern oder wegzuschmelzen, um eine geschmolzene Vertiefung oder ein Loch in der Speicher­ schicht zum Aufnehmen eines Bits einer Information zu erzeu­ gen. Die beim Erhitzen eines in der Speicherschicht enthal­ tenen Teilchens aus Metall oder Metalloxid erzeugte Wärme führt zum Schmelzen oder Zersetzen des umgebenden polymeren Materials; durch Entweichen eventueller gasförmiger Zerset­ zungsprodukte aus dem Innern der Speicherschicht werden Löcher oder Krater gebildet.

Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein reversibles Speichermittel zu schaffen, das mit wesentlich höheren Schreibstrahlenergien als bekannte Speicher dieser Art re­ versibel zu programmieren ist. Die erfindungsgemäße Lösung wird für das reversible Speichermedium eingangs genannter Art mit einer Strahlung absorbierenden und mindestens einen Speicherbezirk enthaltenden Absorptionsschicht im Kennzei­ chen des Patentanspruchs 1 angegeben.

Das erfindungsgemäße Speichermedium besteht aus einer auf einem Substrat liegenden Absorptionsschicht, welche einen oder mehrere aus einem absorbierenden Material bestehenden Bezirke bzw. Bereiche enthält. Diese Bezirke sollen reversi­ bel von einem ersten Zustand bzw. Original-Zustand in einen zweiten Zustand mit vom ersten Zustand abweichenden opti­ schen Eigenschaften umzuschalten sein und werden deshalb in eine Matrix eingebettet, die aus einem eine irreversible Änderung der optischen Eigenschaften des Materials der Spei­ cherbezirke hemmenden Material besteht. Ein entsprechender Informationsträger enthält das Speichermedium mit einer aus einer Reihe von Speicherzonen in der Absorptionsschicht bestehenden Informationsspur. Jede der Speicherzonen be­ steht aus einem oder mehreren der vorgenannten, reversibel von einem Zustand mit vom Original-Zustand abweichenden optischen Eigenschaften umgeschalteten Speicherbezirken, durch die das Reflexionsvermögen des Informationsträgers in den Speicherzonen geändert wird. Die Absorptionsschicht kann daher auch als aus gekörntem Material, nämlich aus den Speicherbereichen aus lichtempfindlichem Material in einer isolierenden Matrix bestehend beschrieben werden.

Anhand der schematischen Darstellungen von Ausführungsbei­ spielen werden weitere Einzelheiten der Erfindung erläu­ tert. Es zeigen

Fig. 1 bis 3 Querschnitte durch eine erste, zweite und dritte Ausführungsform eines optischen Spei­ chermediums; und

Fig. 4 bis 6 Querschnitte durch Informationsträger mit Speichermedien gemäß Fig. 1 bis 3.

Fig. 1 zeigt ein reversibles optisches Speichermedium 10 mit einem Substrat 12, einer auf einer Hauptfläche des Substrats 12 liegenden Unterlagsschicht 14 und einer darauf liegenden, lichtabsorbierenden Schicht 16. Die Absorptions­ schicht 16 besteht aus einem granulierten Material und enthält Speicherbezirke 16 aus einem lichtabsorbierenden Material, die in eine Matrix 20 eingebettet sind. Auf der Absorptionsschicht 16 liegt eine Deckschicht 22. In den folgenden Figuren werden ähnliche Teile mit denselben Be­ zugsziffern wie in Fig. 1 versehen.

Fig. 2 zeigt ein zweites Ausführungsbeispiel eines rever­ siblen optischen Speichermediums 30, das auf der Unter­ lagsschicht 14 zusätzlich eine lichtreflektierende Schicht 32 besitzt. Das reversible optische Aufzeichnungs­ medium 40 gemäß dem dritten Ausführungsbeispiel nach Fig. 3 enthält zusätzlich auf der Reflexionsschicht 32 eine Distanzschicht 42.

Bei den Ausführungsbeispielen nach den Fig. 1 bis 3 kann das Substrat aus Glas oder einem Kunststoff, zum Beispiel Polyvinylchlorid oder Polymethylmethakrylat, typisch in Form einer Scheibe, bestehen. Das Substrat 12 kann aber auch aus einem Material, wie Aluminium hergestellt werden, welches Strahlung der Speicherwellenlänge reflektiert, so daß die Funktionen des Substrats 12 und der Reflexions­ schicht 32 von Fig. 2 und 3 kombiniert werden.

Die Unterlagsschicht 14 besitzt eine mikroskopisch glatte Oberfläche und besteht aus einem Material, zum Beispiel Epoxy- oder Akrylharz, das einen nichtkonformen Überzug auf der Oberfläche des Substrats 12 bildet.

Die Absorptionsschicht 16 nach Fig. 1 bis 3 wird aus einem granulierten Material hergestellt. Dieses soll aus den aus einem lichtabsorbierenden, ersten Material bestehenden Spei­ cherbezirken und einem damit unmischbaren zweiten Material zusammengesetzt sein. Das beispielsweise aus einem Halblei­ ter oder einem Metall bestehende erste Material soll dabei gewissermaßen in eine Matrix des beispielsweise aus einem Isolator bestehenden zweiten Materials eingebettet sein. Die optischen Eigenschaften eines granulierten Materials werden bestimmt durch die optischen Eigenschaften der die Speicherbereiche und die Matrix bildenden Materialien und durch den von den Speicherbereichen eingenommenen Volumenan­ teil der Matrix. Hierzu wird verwiesen auf den Aufsatz von Cohen et al in der Zeitschrift "Physical Review" 88, 3689 (1973).

Erfindungsgemäß werden die Speicherbezirke aus einem Mate­ rial hergestellt, welches Strahlung der Wellenlänge des Speicherstrahls absorbiert und welches reversibel aus sei­ nem Original-Zustand in einen zweiten Zustand mit bezüglich der Lese-Wellenlänge vom Ursprungszustand abweichenden opti­ schen Eigenschaften umzuschalten ist. Mit der reversiblen Umschaltbarkeit ist dabei gemeint, daß nach dem Umschalten in den zweiten Zustand ein Rückschalten in etwa in den die ursprünglichen optischen Eigenschaften aufweisenden Origi­ nal-Zustand durch einen auf das Speichermedium bzw. die Speicherbezirke gerichteten Löschlichtstrahl oder durch Er­ wärmen möglich ist. Änderungen der optischen Eigenschaften des Materials der Speicherbezirke führen zu einer Änderung der optischen Eigenschaften des granulierten Materials, das die Speicherbezirke umfaßt. Die daraus resultierende Ände­ rung in den örtlichen optischen Eigenschaften der Absorp­ tionsschicht hat eine entsprechende örtliche Änderung der Durchlässigkeit oder des Reflexionsvermögens des Speicherme­ diums zur Folge.

Die Änderung der optischen Eigenschaften des Speicherme­ diums bzw. der Absorptionsschicht kann dabei Änderungen des Brechungsindex und/oder des Extinktionskoeffizienten oder eine Änderung in optischen Konstanten höherer Ordnung, zum Beispiel eine Änderung von magneto-optischen oder elek­ tro-optischen Koeffizienten umfassen. Vorteilhafte Materia­ lien zum Herstellen der Speicherbezirke sind Tellur, Selen oder Legierungen mit Selen und/oder Tellur, Arsen­ triselinid, Arsentrisulfid oder andere Chalkogenid-Legie­ rungen, in denen die absorbierte Strahlung eine Änderung des Kristallinitätsgrades hervorruft und dadurch die opti­ schen Eigenschaften der Speicherbezirke ändert. Statt des­ sen können die Speicherbezirke auch aus einem magneto-opti­ schen Material, zum Beispiel Mangan-Wismut oder Platin-Ko­ balt, oder aber auch aus einem elektro-optischen Material zusammengesetzt werden. In diesen letztgenannten Materia­ lien wird durch aus dem Speicherlichtstrahl absorbiertes Licht eine örtliche Änderung der magnetischen oder elektri­ schen Polarisation der Speicherbezirke hervorgerufen und dadurch eine Änderung der optischen Polarisation eines am Speichermedium reflektierten oder durch das Speichermedium durchgegangenen Leselichtstrahls bewirkt.

Die Matrix kann aus einem dielektrischen bzw. isolierenden Material, zum Beispiel aus einem Oxid von Silizium, Alumi­ nium, Titan oder Magnesium bestehen. Die Aufgabe des die Speicherbezirke umgebenden Materials der Matrix besteht dar­ in, das Entstehen einer irreversiblen Verformung, zum Bei­ spiel einer Öffnung im Speicherbezirk oder einer örtlichen Änderung der Form der Speicherbezirke, zu hemmen bzw. zu verhindern. Das Ergebnis dieser Hemmwirkung ist eine Ver­ größerung des für den Speicherstrahl zulässigen Energiebe­ reichs, d. h. des Energiebereichs, aus dem das Material der Speicherbezirke mit der Folge einer reversiblen Änderung der optischen Eigenschaften der Speicherbezirke bestrahlt werden kann. Die Bedeutung eines granulierten Materials liegt dabei darin, daß ein Speicherbezirk, dessen optische Eigenschaften geändert werden, von allen Seiten von einem Material umgeben wird, das das Entstehen einer irreversib­ len Verformung, z. B. eines Lochs, im Material des Speicher­ bezirks verhindert bzw. hemmt.

In früheren Speichermedien, z. B. in denen nach den US- PS 40 97 895 und 42 16 501, wird beim Belichten mit einem Schreiblichtstrahl ein Loch bzw. eine Grube in der Absorptionsschicht erzeugt. Typisch geschieht das durch ört­ liches Schmelzen der Schicht und darauf folgendes Zusammen­ laufen eines Teils des geschmolzenen Materials infolge von Oberflächenspannungen, so daß ein von einer das Material der Öffnung enthaltenden Kante umgebenes Loch zurückbleibt. Die Betrachtung des Gleichgewichts zwischen der Oberflächen­ energie einer geschmolzenen Fläche und der Oberflächen­ energie eines entsprechenden Lochs mit umgebender Kante zeigt, daß das Loch nur gebildet werden kann, wenn der Durchmesser des geschmolzenen Materialbereichs eine be­ stimmte Größe überschreitet.

Wenn der Durchmesser der geschmolzenen Fläche kleiner ist als diese kritische Größe, kann sich kein Loch bilden. Mit ganz besonderem Vorteil wird daher die Dimension der Spei­ cherbezirke unterhalb der für das Entstehen eines Lochs kritischen Größe gehalten, so daß die Wahrscheinlichkeit des Entstehens einer irreversiblen Änderung im Absorptions­ material noch weiter vermindert wird. Typische Dimensionen eines solchen Speicherbezirks liegen unterhalb von etwa 100 Nanometern, vorzugsweise zwischen etwa 2 und 30 Nanometern. Gemäß weiterer Erfindung ist es ferner auch sehr vorteil­ haft, wenn die Größe eines Speicherbezirks kleiner ist als etwa 10% des Durchmessers des fokussierten Schreibstrahls, so daß Schwankungen der Zahl der Speicherbezirke in unter­ schiedliche Zonen ein nennenswertes Rauschen beim Auslesen nicht zur Folge haben.

Die die Speicherbezirke und die diese umgebende Matrix umfassende Absorptionsschicht kann durch gleichzeitiges Auf­ dampfen oder Aufsprühen der die Speicherbezirke und die Matrix bildenden Elemente niedergeschlagen werden. Vorzugs­ weise wird die Schicht durch gleichzeitiges Aufsprühen von einem die gewünschten Anteile der Elemente enthaltenden Target unter Anwendung der Technik gemäß US-PS 40 10 312 niedergeschlagen. Der von den Speicherbezirken eingenommene Volumenanteil wird durch die Zusammensetzung des Targets und der Sprühgeometrie bestimmt. Zu den die Dimensionen der individuellen Speicherbezirke bestimmenden Faktoren ge­ hören der Volumenanteil der Speicherbezirke und die Tempera­ tur des Substrats, auf dem die Absorptionsschicht niederge­ schlagen wird. Je niedriger die Temperatur des Substrats desto kleiner werden die Teilchen, die in einem gegebenen Volumenanteil die Speicherbezirke bilden.

In der Ein-Schicht-Struktur gemäß Fig. 1 wird die Dicke der Absorptionsschicht 16 so gewählt, daß ein Gleichgewicht zwischen Absorption und Reflexion für die Speicher- und Leselichtstrahlen erzielt wird. In der Zwei-Schicht-Struk­ tur nach Fig. 2 wird die Dicke der Absorptionsschicht 16 den optischen Konstanten der Reflexions- und Absorptions­ schichten so zugeordnet, daß das Reflexionsvermögen für Licht der Speicherwellenlänge vermindert, vorzugsweise mini­ miert, wird. In der Drei-Schicht-Struktur nach Fig. 3 wird die Dicke der Absorptionsschicht 16 so mit Rücksicht auf die Dicke der Distanzschicht 42 und die optischen Konstan­ ten der Reflexions-, Distanz- und Absorptionsschichten aus­ gewählt, daß das Reflexionsvermögen des Speichermediums bei der Speicherwellenlänge vermindert, vorzugsweise minimiert ist.

Der Fachmann weiß, daß andere Dicken benutzt werden können. Beispielsweise kann es sinnvoll sein, die Schichtdicken so auszuwählen, daß eine bestimmte Änderung der optischen Ei­ genschaften des Speichermediums zu einer maximalen Änderung von dessen Reflexionsvermögen führt.

Die Reflexionsschicht 32 soll vorzugsweise einen wesent­ lichen Bruchteil, wenigstens 50%, des einfallenden Lichtes bei der Speicher- und Lesewellenlänge reflektieren. Die Reflexionsschicht wird typisch aus einem Metall, wie Alumi­ nium oder Gold, mit hohem Reflexionsvermögen bei den frag­ lichen Wellenlängen gebildet. Die Reflexionsschicht 32 soll ferner vorzugsweise etwa 30 bis 80 Nanometer dick sein und mit Hilfe einer Vakuum-Aufdampftechnik auf die Oberflä­ che des Substrats 12 oder diejenige der Unterlagsschicht 14 niedergeschlagen werden. Alternativ kann auch ein isolieren­ der Ein- oder Mehr-Schicht-Reflektor benutzt werden. Die Distanzschicht 42 ist bei den Wellenlängen der Speicher- und Lesestrahlen vorzugsweise transparent und wird bei­ spielsweise aus einem Oxid von Silizium, Titan oder Alumini­ um hergestellt. Diese Materialien können durch Elektronen­ strahl-Aufdampftechniken niedergeschlagen werden. Alterna­ tiv können auch organische Materialien, die das Bilden einer glatten, im wesentlichen defektfreien Beschichtung ermöglichen, verwendet werden. Die organischen Materialien können durch Aufdampfen, Schleuderbeschichten oder Glimm­ entladung auf die Reflexionsschicht aufgebracht werden.

Die vorzugsweise zwischen etwa 0,05 und etwa 1 Millimeter dicke Deckschicht 22 kann auf die Absorptionsschicht 16 aufgebracht werden, um durch von der Umgebung her auf das Speichermedium niedergeschlagenen Oberflächenstaub herrüh­ rende Signalfehler zu eliminieren oder zu reduzieren. Ein brauchbares Material für die Deckschicht ist im vorliegen­ den Fall beispielsweise ein Silikon, ein Akryl- oder ein Epoxyharz. Wenn eine Deckschicht benutzt wird, müssen deren optische Konstanten ebenfalls in Betracht gezogen werden, wenn die optimalen Dicken der Reflexions-, Distanz- und Absorptionsschichten bestimmt werden.

Mit Hilfe einer Einrichtung nach der bereits genannten Patentanmeldung P 31 18 058.2 kann in dem Speichermedium eine Informationsspur gebildet werden, indem das Speicher­ medium mit einem modulierten Speicherlichtstrahl mit zum Verändern der optischen Eigenschaften der Absorptions­ schicht ausreichender Intensität und Zeitdauer belichtet wird. In den Fig. 4 bis 6 werden die Schichten der Kom­ ponenten der Informationsträger 50, 60 bzw. 70 mit den­ selben Bezugszeichen wie in den Speichermedien gemäß Fig. 1 bis 3 bezeichnet. In jedem Fall wird die Information in Form einer Spur in der Absorptionsschicht 16 aufgezeichnet, wobei die Spur aus einer Reihe von jeweils aus einem oder mehreren Speicherbezirken 54 bestehenden Speicherzonen 52 zusammengesetzt wird, in denen die optischen Eigenschaften der Speicherbezirke 54 bei der Lesewellenlänge reversibel von einem Original-Zustand in einen zweiten Zustand umge­ schaltet sind. Zur Absorptionsschicht 16 gehört ferner eine Reihe von Zonen 56, die jeder aus einem oder mehreren noch die ursprünglichen optischen Eigenschaften oder jedenfalls doch von denjenigen der Speicherbezirke 54 abweichende opti­ sche Eigenschaften aufweisenden Speicherbezirken 58 beste­ hen. Die Information kann als Variation von Länge und/oder Abstand der umgeschalteten Zonen kodiert werden. Die Varia­ tionen in der Durchlässigkeit oder im Reflexionsvermögen werden optisch erfaßt und in ein für die aufgezeichnete Information repräsentatives elektrisches Signal umgewan­ delt.

Claims (15)

1. Reversibles Speichermedium bestehend aus einem Substrat (12) und einer darüber liegenden Absorptionsschicht (16), welche Strahlung, insbesondere der Wellenlänge eines Speicherstrahls, absorbiert und dabei seine optischen Eigenschaften ändert, dadurch gekennzeichnet, daß die Absorptionsschicht (16) diskrete Speicherbezirke (18) aus einem ersten Material umfaßt, welche die Strahlung absorbieren und dabei reversibel von einem ersten in einen zweiten Zustand mit voneinander abweichenden optischen Eigenschaften umgeschaltet werden, und daß die genannten Speicherbezirke in eine Matrix aus einem zweiten Material eingebettet sind, welche eine irreversible Änderung der optischen Eigenschaften des ersten Materials hemmt.

2. Speichermedium nach Anspruch 1 in einem eine Infor­ mationsspur (52) aufweisenden Informationsträger, da­ durch gekennzeichnet, daß die Informationsspur in der Absorptionsschicht (16) mehrere Speicherzonen (52) mit reversibel in einen von dem Zustand im restlichen Teil (56) der Absorptionsschicht (16) abweichende optische Eigenschaften besitzenden Zustand umgeschalteten Spei­ cherbezirken (54) enthält.

3. Speichermedium nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekenn­ zeichnet, daß sich der abweichende optische Eigenschaf­ ten aufweisende, zweite Zustand vom ersten Zustand bzw. Original-Zustand durch den Kristallisationsgrad unter­ scheidet.

4. Speichermedium nach einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis 3, gekennzeichnet durch eine Lichtreflexions­ schicht (32) zwischen der Absorptionsschicht (16) und dem Substrat (12).

5. Speichermedium nach einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß die Dicke der Ab­ sorptionsschicht (16) zur Verminderung des Reflexions­ vermögens des Mediums an die optischen Konstanten der Reflexions- und Absorptionsschicht (32, 16) angepaßt ist.

6. Speichermedium nach einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis 5, gekennzeichnet durch eine Distanzschicht (42) zwischen der Reflexionsschicht (32) und der Absorptions­ schicht (16).

7. Speichermedium nach einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, daß die Dicke der Ab­ sorptionsschicht (16) zur Verminderung des Reflexions­ vermögens des Mediums an die Dicke der Distanz­ schicht (42) und die optischen Konstanten der Refle­ xions-, Distanz- und Absorptionsschichten (32, 42, 16) angepaßt ist.

8. Speichermedium nach einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis 7, dadurch gekennzeichnet, daß die Distanzschicht (42) aus Oxid von Silizium, Aluminium, Magnesium oder Titan besteht.

9. Speichermedium nach einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis 8, dadurch gekennzeichnet, daß die Speicherbezirke (18) aus Tellur, Selen, Tellur oder Selen enthaltenden Legierungen, Chalkogenid-Legierungen, Arsentrisulfid oder Arsentriselenid bestehen.

10. Speichermedium nach einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis 9, dadurch gekennzeichnet, daß die Matrix (20) aus Oxid von Silizium, Aluminium, Titan oder Magnesium be­ teht.

11. Speichermedium nach einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis 10, dadurch gekennzeichnet, daß auf der Absorp­ tionsschicht (16) eine Deckschicht (22) liegt.

12. Speichermedium nach einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis 11, dadurch gekennzeichnet, daß die Abmessungen eines Speicherbezirks (18) unterhalb von etwa 100 Nano­ metern liegen.

13. Speichermedium nach Anspruch 12, dadurch gekennzeich­ net, daß die Abmessungen eines Speicherbezirks (18) zwischen etwa 2 und etwa 30 Nanometern liegen.

14. Speichermedium nach einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis 13, dadurch gekennzeichnet, daß die Abmessungen eines Speicherbezirks (18) unterhalb der für eine ir­ reversible Formveränderung kritischen Größe liegen.

15. Speichermedium nach einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis 14, dadurch gekennzeichnet, daß die Abmessungen eines Speicherbezirks kleiner als etwa 10% des Durchmes­ sers des Schreib- oder Lesestrahls liegen.